KR20180105085A - 자기 센서 회로, 자기 센서 회로의 검사 방법, 및 자기 센서 회로를 갖는 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

자기 센서 회로는, 수직 자장에 따른 전압을 출력하는 제 1 자기 센서 소자 혹은 수평 자장에 따른 전압을 출력하는 제 2 자기 센서 소자와, 상기 전압에 따라 신호를 출력하는 자장 신호 처리 회로와, 외부의 소자와 접속 가능한 제 1 단자, 제 2 단자, 및 제 3 단자의 적어도 3 개의 단자와, 상기 제 1 단자와 상기 제 2 단자 사이를 접속하는 제 1 배선과, 상기 제 1 단자와 상기 제 3 단자 사이를 접속하는 제 2 배선을 구비하고, 상기 제 1 자기 센서 소자는 상기 제 1 배선 혹은 상기 제 2 배선으로부터 발생하는 자장을 검출 가능한 위치에 배치되거나 또는 상기 제 2 자기 센서 소자는 상기 제 1 배선 혹은 상기 제 2 배선으로부터 발생하는 자장을 검출 가능한 위치에 배치된다.

Description

자기 센서 회로, 자기 센서 회로의 검사 방법, 및 자기 센서 회로를 갖는 반도체 장치의 제조 방법{MAGNETIC SENSOR CIRCUIT, METHOD OF TESTING MAGNETIC SENSOR CIRCUIT, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MAGNETIC SENSOR CIRCUIT}
본 발명은, 자기 센서 회로, 자기 센서 회로의 검사 방법, 및 자기 센서 회로를 갖는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 각종 회전 기구의 회전수나 회전 방향을 검출하는 것을 목적으로 하여, 교번 (交番) 수직 자장과 교번 수평 자장을 검출하는 2 축 자기 회로가 알려져 있다. 종래의 수직 자장만을 검출하는 자기 센서와 비교하여 자기 기구 설계의 자유도가 높은 이점이 있다. 한편, 양산 테스트 공정에 있어서, 수직 자장과 수평 자장을 인가하고, 검사하는 것이 요구된다.
양산성 향상을 목적으로 하여, 패키지 실장 전에 센서의 양부의 선별을 실시하는 데에는, 웨이퍼 테스트에 있어서의 자장 인가 검사의 실시가 바람직하다. 그러나, 자장 인가 검사에서는, 웨이퍼에 대하여 수평 자장을 인가하는 수평 자장 인가 기구와, 수직 자장을 인가하는 수직 자장 인가 기구의 2 개를 사용하는 것이 요구되고, 또한 자장을 인가하는 위치를 고정밀도로 조정하는 것이 요구된다.
여기서, 회로에 전용의 구조를 형성하여 외부로부터 테스트 전류를 공급함으로써 수평 자장을 발생시키고, 수평 자장 센서 소자의 자장 인가 검사를 실시하는 기술이 알려져 있다 (예를 들어 비특허문헌 1 의 도 8 및 그 설명을 참조).
"A Dual Vertical Hall Latch with Direction Detection", Proceedings of the ESSCIRC 2013
그러나, 종래의 기술에서는, 수평 자장 센서 소자의 자장 인가 검사 전용의 구조를 사용함으로써, 회로의 점유 면적이 증가하는 경우가 있었다.
본 발명은, 상기 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 회로의 점유 면적을 삭감하면서, 센서 소자의 자장 인가 검사가 가능한 자기 센서 회로를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 양태는, 수직 자장에 따른 전압을 출력하는 제 1 자기 센서 소자 혹은 수평 자장에 따른 전압을 출력하는 제 2 자기 센서 소자와, 상기 전압에 따라 신호를 출력하는 자장 신호 처리 회로와, 외부의 소자와 접속 가능한 제 1 단자, 제 2 단자, 및 제 3 단자의 적어도 3 개의 단자와, 상기 제 1 단자와 상기 제 2 단자 사이를 접속하는 제 1 배선과, 상기 제 1 단자와 상기 제 3 단자 사이를 접속하는 제 2 배선을 구비하고, 상기 제 1 자기 센서 소자 혹은 상기 제 2 자기 센서 소자의 어느 것이, 상기 제 1 배선 혹은 상기 제 2 배선으로부터 발생하는 자장을 검출 가능한 위치에 배치되는 자기 센서 회로이다.
본 발명의 일 양태는, 상기 서술에 기재된 자기 센서 회로에 있어서, 상기 제 1 배선 혹은 상기 제 2 배선에 상기 자기 센서 회로가 통상 동작할 때에 당해 자기 센서 회로 내를 흐르는 전류보다 큰 전류를 흘림으로써, 상기 제 1 자기 센서 소자 혹은 상기 제 2 자기 센서 소자의 자장 인가 검사를 하는 검사 방법이다.
본 발명의 일 양태는, 상기 서술에 기재된 검사 방법을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이다.
본 발명의 일 양태는, 자장에 따른 전압을 출력하는 자기 센서 소자와, 상기 전압에 따라 신호를 출력하는 자장 신호 처리 회로와, 외부의 소자와 접속 가능한 제 1 단자 및 제 2 단자의 적어도 2 개의 단자와, 상기 제 1 단자와 상기 제 2 단자 사이를 접속하고, 통상시에 흐르는 전류보다 큰 전류를 흘리는 것이 가능한 배선을 구비하고, 상기 배선으로부터 발생하는 자장을 검출 가능한 위치에 상기 자기 센서 소자가 배치되는 자기 센서 회로이다.
본 발명에 의하면, 회로의 점유 면적을 삭감하면서, 센서 소자의 자장 인가 검사가 가능한 자기 센서 회로를 제공할 수 있다.
도 1 은 제 1 실시형태에 관련된 자기 센서 회로의 배치의 일례를 나타내는 도면이다.
도 2 는 제 1 실시형태에 관련된 자기 센서 회로의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3 은 제 1 실시형태에 관련된 자기 센서 회로의 동작의 일례를 나타내는 타이밍 차트이다.
도 4 는 자기 센서 회로의 수평 자장 변환 특성의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 5 는 변형예에 관련된 자기 센서 회로의 배치의 일례를 나타내는 도면이다.
도 6 은 자기 센서 회로의 수직 자장 변환 특성의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 7 은 제 2 실시형태에 관련된 자기 센서 회로의 일례를 나타내는 도면이다.
[제 1 실시형태]
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 제 1 실시형태에 대하여 설명한다.
<자기 센서 회로의 배치>
도 1 은, 제 1 실시형태에 관련된 자기 센서 회로 (1) 의 배치의 일례를 나타내는 도면이다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 자기 센서 회로 (1) 는, 수직 자장 센서 (2) 와, 수평 자장 센서 (3) 와, 제 1 드라이브 회로 (4) 와, 제 2 외부 단자 (5) 와, 제 1 외부 단자 (6) 와, 제 1 배선 (7) 과, 제 2 드라이브 회로 (8) 와, 제 3 외부 단자 (9) 와, 제 2 배선 (10) 과, 수직 신호 처리 회로 (101) (도시 생략) 와, 수평 신호 처리 회로 (102) (도시 생략) 를 구비한다.
수직 자장 센서 (2) 는, 자기 센서 회로 (1) 에 발생하는 수직 방향의 자장을 검출한다. 또, 수직 자장 센서 (2) 는, 검출한 자장의 방향 및 크기에 따른 전압을 출력한다. 수평 자장 센서 (3) 는, 자기 센서 회로 (1) 에 발생하는 수평 방향의 자장을 검출한다. 또, 수평 자장 센서 (3) 는, 검출한 자장의 방향 및 크기에 따른 전압을 출력한다.
이후의 설명에 있어서, 자장의 방향을 설명하는 경우에는, XYZ 직교 좌표계를 사용하는 경우가 있다. 이 XYZ 직교 좌표계 중, Y 축은, 수직 자장 센서 (2) 및 수평 자장 센서 (3) 가 배치되는 면의 세로 방향, 즉 수평 방향을 나타내고, X 축은, 수직 자장 센서 (2) 및 수평 자장 센서 (3) 가 배치되는 면의 가로 방향을 나타내고, Z 축은, 수직 자장 센서 (2) 및 수평 자장 센서 (3) 가 배치되는 면의 높이 방향, 즉 수직 방향을 나타낸다.
제 2 외부 단자 (5) 와 제 1 외부 단자 (6) 는, 제 1 드라이브 회로 (4) 를 개재하여 제 1 배선 (7) 에 의해 접속된다. 또, 제 3 외부 단자 (9) 와 제 1 외부 단자 (6) 는, 제 2 드라이브 회로 (8) 를 개재하여 제 2 배선 (10) 에 의해 접속된다. 제 1 드라이브 회로 (4) 및 제 2 드라이브 회로 (8) 는, 예를 들어, MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 이다. 제 2 외부 단자 (5) 와 제 1 외부 단자 (6) 는, 수직 신호 처리 회로 (101) 에 의해 제 1 드라이브 회로 (4) 의 게이트 단자에 전압이 인가되는 경우, 당해 제 1 드라이브 회로 (4) 가 ON 상태로 제어되고, 드라이브 전류를 흘릴 수 있다. 또, 제 3 외부 단자 (9) 와 제 1 외부 단자 (6) 는, 수평 신호 처리 회로 (102) 에 의해 제 2 드라이브 회로 (8) 의 게이트 단자에 전압이 인가되는 경우, 당해 제 2 드라이브 회로 (8) 가 ON 상태로 제어되고, 드라이브 전류를 흘릴 수 있다.
여기서, 수직 신호 처리 회로 (101) 는, 수직 자장 센서 (2) 가 수직 자장을 검출하고, 출력하는 신호에 따라, 제 1 드라이브 회로 (4) 의 상태를 제어한다. 구체적으로는, 수직 신호 처리 회로 (101) 는, 수직 자장 센서 (2) 가 검출하는 수직 자장이, Z 축의 양의 방향의 자장으로서, 또한 소정 강도 이상의 자장인 경우, 제 1 드라이브 회로 (4) 를 ON 상태로 제어한다. 또, 수직 신호 처리 회로 (101) 는, 수직 자장 센서 (2) 가 검출하는 수직 자장이, Z 축의 음의 방향의 자장으로서, 또한 소정 강도 이상의 자장인 경우, 제 1 드라이브 회로 (4) 를 OFF 상태로 제어한다.
수평 신호 처리 회로 (102) 는, 수평 자장 센서 (3) 가 수평 자장을 검출하고, 출력하는 신호에 따라, 제 2 드라이브 회로 (8) 의 상태를 제어한다. 구체적으로는, 수평 신호 처리 회로 (102) 는, 수평 자장 센서 (3) 가 검출하는 수평 자장이, Y 축의 양의 방향의 자장으로서, 소정 강도 이상의 자장인 경우, 제 2 드라이브 회로 (8) 를 ON 상태로 제어한다. 또, 수평 신호 처리 회로 (102) 는, 수평 자장 센서 (3) 가 검출하는 수평 자장이, Y 축의 음의 방향의 자장으로서, 소정 강도 이상의 자장인 경우, 제 2 드라이브 회로 (8) 를 OFF 상태로 제어한다.
본 실시형태의 일례에 있어서, 자기 센서 회로 (1) 에는, 수직 자장을 인가하는 수직 자장 인가 기구에 의해 수직 자장이 인가된다. 수직 자장 센서 (2) 는, 수직 자장 인가 기구에 의해 인가된 수직 자장을 검출한다.
또, 수평 자장 센서 (3) 는, 제 1 배선 (7) 으로부터 발생하는 자장을 검출 가능한 위치에 배치된다. 수평 자장 센서 (3) 는, 제 1 배선 (7) 으로부터 발생하는 자장에 의해 자장 인가 검사가 실시된다. 제 1 배선 (7) 으로부터 발생하는 자장을 검출 가능한 위치란, 예를 들어, 제 1 배선 (7) 하이다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 일례에 있어서, 수평 자장 센서 (3) 는, 제 1 배선 (7) 하에 배치된다. 이로써, 수평 자장 센서 (3) 는, 제 1 배선 (7) 에 흐르는 드라이브 전류에 따른 자장으로서, 수평 방향 (Y 축 방향) 의 자장을 검출한다. 여기서, 수평 자장 센서 (3) 가 제 1 배선 (7) 으로부터 발생하는 자장에 의해 자장 인가 검사가 실시될 때, 당해 제 1 배선 (7) 에 흐르는 전류는, 자기 센서 회로 (1) 가 통상 동작할 때에 제 1 배선 (7) 을 흐르는 전류보다 큰 전류이다.
또한, 수평 자장 센서 (3) 는, 제 1 배선 (7) 하에 배치되는 구성 대신에, 제 1 배선 (7) 상에 배치되는 구성이어도 된다.
<자기 센서 회로의 구성>
이하, 도 2 를 참조하여 자기 센서 회로 (1) 의 구체적인 구성에 대하여 설명한다.
도 2 는, 제 1 실시형태에 관련된 자기 센서 회로 (1) 의 일례를 나타내는 도면이다.
본 실시형태의 일례에 있어서, 제 2 외부 단자 (5) 와 제 1 외부 단자 (6) 사이에는, 외부 장치가 접속된다. 외부 장치는, 제 2 외부 단자 (5) 와 제 1 외부 단자 (6) 사이를 흐르는 드라이브 전류의 크기 및 방향이 변경 가능한 장치이다.
상기 서술한 바와 같이, 자기 센서 회로 (1) 에는, 수직 자장 인가 기구에 의해 수직 자장이 인가되는 것에 수반하여, 수직 자장 센서 (2) 는, 수직 자장을 검출한다. 수직 신호 처리 회로 (101) 는, 수직 자장 센서 (2) 가 수직 자장을 검출하는 것에 수반하여, 제 1 드라이브 회로 (4) 를 ON 상태로 제어한다. 이로써, 제 2 외부 단자 (5) 와 제 1 외부 단자 (6) 사이에는, 드라이브 전류가 흐른다.
수평 자장 센서 (3) 는, 제 1 배선 (7) 을 흐르는 드라이브 전류에 따른 수평 자장을 검출한다. 수평 자장 센서 (3) 는, 예를 들어, 제 1 외부 단자 (6) 로부터 제 2 외부 단자 (5) 의 방향으로 드라이브 전류가 흐르는 경우, Y 축의 양의 방향의 자장을 검출한다. 수평 자장 센서 (3) 는, 예를 들어, 제 2 외부 단자 (5) 로부터 제 1 외부 단자 (6) 에 드라이브 전류가 흐르는 경우, Y 축의 음의 방향의 자장을 검출한다.
수평 신호 처리 회로 (102) 는, 수평 자장 센서 (3) 가 자장을 검출하는 것에 수반하여, 제 2 드라이브 회로 (8) 를 ON 상태 혹은 OFF 상태로 제어한다.
또, 본 실시형태의 일례에 있어서, 제 3 외부 단자 (9) 에는, 제 1 외부 단자 (6) 의 전위보다 충분히 높은 전압이 인가된다. 제 3 외부 단자 (9) 는, 예를 들어, 풀업 저항을 통하여 전압이 인가된다. 제 3 외부 단자 (9) 는, 제 2 드라이브 회로 (8) 가 OFF 상태인 경우, 높은 전위 (이하, 하이 레벨) 를 유지하고, 제 2 드라이브 회로 (8) 가 ON 상태인 경우, 제 1 외부 단자 (6) 의 전위 (이하, 로우 레벨) 로 변화한다.
본 실시형태의 자기 센서 회로 (1) 는, 제 3 외부 단자 (9) 의 전위를 확인함으로써, 수평 자장 센서 (3) 의 자장 인가 검사를 실시한다.
<자기 센서 회로의 동작>
이하, 도 3 을 참조하여 자기 센서 회로 (1) 의 동작의 상세에 대하여 설명한다.
도 3 은, 제 1 실시형태에 관련된 자기 센서 회로 (1) 의 동작의 일례를 나타내는 타이밍 차트이다. 여기서, 도시하는 파형 (W1) 은, 수직 자장 인가 기구에 의해 자기 센서 회로 (1) 에 인가되는 수직 자장의 시간 변화를 나타내는 파형이다. 파형 (W2) 은, 제 2 외부 단자 (5) 와 제 1 외부 단자 (6) 사이 (제 1 배선 (7)) 에 흐르는 드라이브 전류의 방향 및 크기의 시간 변화를 나타내는 파형이다. 이 드라이브 전류는, 외부 장치에 의해 제 2 외부 단자 (5) 와 제 1 외부 단자 (6) 사이에 흘려진다. 제 1 외부 단자 (6) 로부터 제 2 외부 단자 (5) 에 흐르는 드라이브 전류를, 양의 기울기의 파형 (W2-1) 에 의해 나타내고, 제 2 외부 단자 (5) 로부터 제 1 외부 단자 (6) 에 흐르는 드라이브 전류를, 음의 기울기의 파형 (W2-2) 에 의해 나타낸다. 파형 (W3) 은, 제 1 배선 (7) 에 흐르는 드라이브 전류에 따른 자장, 즉, 수평 자장 센서 (3) 가 검출하는 수평 자장을 나타내는 파형이다. 구체적으로는, Y 축의 양의 방향의 수평 자장을, 양의 기울기의 파형 (W3-1) 에 의해 나타내고, Y 축의 음의 방향의 수평 자장을, 음의 기울기의 파형 (W3-2) 에 의해 나타낸다. 파형 (W4) 은, 제 3 외부 단자 (9) 의 전위의 변화를 나타내는 파형이다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 자기 센서 회로 (1) 에는, 수직 자장 인가 기구에 의해, Z 축의 양의 방향의 수직 자장이 시각 (t1) 에 인가된다. 또, 시각 (t1) 에 있어서, 수직 자장 센서 (2) 가 인가된 수직 자장을 검출하는 것에 수반하여, 수직 신호 처리 회로 (101) 가 제 1 드라이브 회로 (4) 를 ON 상태로 제어한다.
다음으로, 외부 장치는, 시각 (t1) 에서 시각 (t3) 까지의 사이, 제 1 외부 단자 (6) 로부터 제 2 외부 단자 (5) 의 방향으로 드라이브 전류를 흘리고, 또한 서서히 드라이브 전류의 크기를 크게 한다 (도시하는 파형 (W2-1)). 이것에 수반하여, 수평 자장 센서 (3) 는, Y 축의 양의 방향의 수평 자장으로서, 시각 (t1) 에서 시각 (t3) 까지 서서히 강도가 강해지는 수평 자장을 검출한다 (파형 (W3-1) : 시각 (t1) ∼ 시각 (t3)).
다음으로, 수평 신호 처리 회로 (102) 는, 시각 (t2) 에 있어서, 수평 자장 센서 (3) 가 검출하는 수평 자장이 소정 강도 (도시하는 임계값 (BOPy)) 보다 강해진다 (파형 (W3-1) : 시각 (t2)). 이 때문에, 수평 신호 처리 회로 (102) 는, 제 2 드라이브 회로 (8) 를 ON 상태로 제어한다. 이것에 수반하여, 제 3 외부 단자 (9) 의 전위는, 시각 (t2) 에 있어서 로우 레벨로 변화한다 (파형 (W4) : 시각 (t2)).
다음으로, 외부 장치는, 시각 (t3) 이후, 제 2 외부 단자 (5) 로부터 제 1 외부 단자 (6) 의 방향으로 드라이브 전류를 흘린다. 또, 외부 장치는, 시각 (t3) 에서 시각 (t4) 까지의 사이, 서서히 드라이브 전류의 크기를 작게 한다 (도시하는 파형 (W2-2)). 이것에 수반하여, 수평 자장 센서 (3) 는, Y 축의 음의 방향의 수평 자장으로서, 시각 (t3) 에서 시각 (t4) 까지 서서히 강도가 약해지는 수평 자장을 검출한다 (파형 (W3-2) : 시각 (t3) ∼ 시각 (t4)).
다음으로, 외부 장치는, 시각 (t4) 이후, 음의 방향을 향하여 서서히 드라이브 전류의 절대값의 크기를 크게 한다 (파형 (W2-2) : 시각 (t4) 이후). 이것에 수반하여, 수평 자장 센서 (3) 는, Y 축의 음의 방향의 수평 자장으로서, 시각 (t4) 이후, 서서히 강도 (절대값) 가 강해지는 수평 자장을 검출한다 (파형 (W3-2) : 시각 (t4) 이후).
다음으로, 수평 신호 처리 회로 (102) 는, 시각 (t5) 에 있어서, 수평 자장 센서 (3) 가 검출하는 수평 자장의 강도 (절대값) 가 소정 값 (도시하는 임계값 (BRPy)) 보다 강해진다 (파형 (W3-2) : 시각 (t5)). 이 때문에, 수평 신호 처리 회로 (102) 는, 제 2 드라이브 회로 (8) 를 OFF 상태로 제어한다. 이것에 수반하여, 제 3 외부 단자 (9) 의 전위는, 시각 (t5) 에 있어서 하이 레벨로 변화한다 (파형 (W4) : 시각 (t5)).
<자기 센서 회로의 자기 변환 특성>
도 4 는, 자기 센서 회로 (1) 의 수평 자장 변환 특성의 일례를 나타내는 그래프이다.
수평 자장 센서 (3) 가 검출하는 수평 자장이 Y 축의 양의 방향의 수평 자장으로서, 또한 임계값 (BOPy) 의 강도에 도달한 경우, 제 3 외부 단자 (9) 의 전위 (도시하는 V(9)) 는, 하이 레벨의 상태에서 로우 레벨의 상태로 변화한다. 또, 수평 자장 센서 (3) 가 검출하는 수평 자장이, Y 축의 음의 방향의 수평 자장으로서, 또한 임계값 (BRPy) 의 강도에 도달한 경우, 제 3 외부 단자 (9) 의 전위는 하이 레벨의 상태로 변화한다.
자기 센서 회로 (1) 는, 상기 서술한 바와 같이 자기를 검출하고, 제 3 외부 단자 (9) 의 전위로 변환하는 동작을 실시한다. 자기 센서 회로 (1) 는, 예를 들어, 상기 서술한 구성에 의해 링상 다극 자석 등의 회전하는 자성체의 교번 검지를 실시한다.
<제 1 실시형태의 요약>
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태의 자기 센서 회로 (1) 는, 수평 자장 센서 (3) 와, 제 2 외부 단자 (5) 와, 제 1 외부 단자 (6) 와, 제 1 배선 (7) 과, 제 2 드라이브 회로 (8) 와, 제 3 외부 단자 (9) 와, 제 2 배선 (10) 과, 수평 신호 처리 회로 (102) 를 구비한다. 수평 자장 센서 (3) 는, 수평 자장에 따른 전압을 출력한다. 수평 신호 처리 회로 (102) 는, 수평 자장 센서 (3) 가 출력하는 전압에 따라 신호를 출력한다. 제 1 배선 (7) 은, 제 1 외부 단자 (6) 와 제 2 외부 단자 (5) 사이를 접속하고, 제 2 배선 (10) 은, 제 1 외부 단자 (6) 와 제 3 외부 단자 (9) 사이를 접속한다. 수평 자장 센서 (3) 는, 제 1 배선 (7) 으로부터 발생하는 자장을 검출 가능한 위치에 배치된다.
본 실시형태의 자기 센서 회로 (1) 에 의하면, 제 1 배선 (7) 을 흐르는 드라이브 전류에 따라, 수평 자장 센서 (3) 가 수평 자장을 검출하고, 수평 자장 센서 (3) 의 자장 인가 검사를 실시할 수 있다. 이로써, 본 실시형태의 자기 센서 회로 (1) 는, 2 축 중, 일방의 자장 인가 기구 (이 일례에서는, 수직 자장 인가 기구) 만을 사용하여, 2 축의 자장 인가 검사를 실시할 수 있다.
또, 본 실시형태의 자기 센서 회로 (1) 에 있어서, 제 1 배선 (7) 이란, 수평 자장 센서 (3) 의 검출 대상을 생성하는 전류가 흐르는 배선으로서, 수평 자장 센서 (3) 는, 제 1 배선 (7) 으로부터 발생하는 자장을 검출 가능한 위치에 배치된다. 이로써, 본 실시형태의 자기 센서 회로 (1) 는, 동작 확인용 배선을 사용하는 경우와 비교하여 회로의 점유 면적을 삭감하면서, 수평 자장 센서 (3) 의 자장 인가 검사를 실시할 수 있다.
또, 본 실시형태의 자기 센서 회로 (1) 에 있어서, 자기 센서 회로 (1) 가 통상 동작할 때에 자기 센서 회로 (1) 내를 흐르는 전류보다 큰 전류를 제 1 배선 (7) 에 흘림으로써, 수평 자장 센서 (3) 의 자장 인가 검사를 실시한다. 환언하면, 수평 자장 센서 (3) 의 검출 대상의 수평 자장은, 제 1 배선 (7) 에 흐르는 전류에 의해 발생하는 자장보다 강한 자장이다. 따라서, 본 실시형태의 자기 센서 회로 (1) 에 의하면, 수평 자장 센서 (3) 는, 자기 센서 회로 (1) 의 통상 동작시에 있어서 제 1 배선 (7) 에 흐르는 전류의 영향을 받지 않고, 수평 자장의 검출을 실시할 수 있다.
또, 본 실시형태의 자기 센서 회로 (1) 에 있어서, 수평 자장 센서 (3) 는, 제 1 배선 (7) 하에 배치된다. 여기서, 제 1 배선 (7) 에 전류가 흐름으로써, 제 1 배선 (7) 을 중심으로 한 원 형상으로서, 제 1 배선 (7) 의 배선 방향 (이 일례에서는, X 방향) 과 직교하는 면 (이 일례에서는, YZ 평면) 상에 자장이 발생한다. 수평 자장 센서 (3) 는, 당해 자장을 수평 방향으로 포착하기 위해서는, 제 1 배선 (7) 을 중심으로 한 원의 법선 방향과 직교하는 위치에 배치되는 것이 바람직하다. 여기서, XY 평면 상의 위치로서, 제 1 배선 (7) 을 중심으로 한 원의 법선 방향과 직교하는 위치란, 제 1 배선 (7) 하 또는 제 1 배선 (7) 상이다. 따라서, 수평 자장 센서 (3) 는, 제 1 배선 (7) 하 또는 제 1 배선 (7) 상에 배치됨으로써, 제 1 배선 (7) 으로부터 발생하는 자장을 수평 자장으로 하여 효율적으로 검출할 수 있다.
또, 본 실시형태의 자기 센서 회로 (1) 에 있어서, 제 1 배선 (7) 은, 제 1 외부 단자 (6) 로부터 제 2 외부 단자 (5) 의 방향과, 제 2 외부 단자 (5) 로부터 제 1 외부 단자 (6) 의 방향의 쌍방향으로 전류를 흘리는 것이 가능하다. 이로써, 본 실시형태의 자기 센서 회로 (1) 는, 수평 자장 센서 (3) 가 검출하는 수평 자장의 2 개의 방향 (Y 축의 양의 방향 및 음의 방향) 을 검출할 수 있다.
[변형예]
상기 서술에서는, 자기 센서 회로 (1) 에 수직 자장 인가 기구에 의해 수직 자장이 인가되고, 자기 센서 회로 (1) 의 내부 구성에 의해 수평 자장 센서 (3) 의 자장 인가 검사를 실시하는 경우에 대하여 설명하였다.
제 1 실시형태의 변형예에서는, 자기 센서 회로 (1) 에 수평 자장 인가 기구에 의해 수평 자장이 인가되고, 자기 센서 회로 (1) 의 내부 구성에 의해 수직 자장 센서 (2) 의 자장 인가 검사를 실시하는 경우에 대하여 설명한다.
또한, 상기 서술한 실시형태와 동일한 구성에 대해서는, 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
<수평 자장 인가 기구에 의한 수평 자장의 인가>
도 5 는, 변형예에 관련된 자기 센서 회로 (1) 의 배치의 일례를 나타내는 도면이다.
변형예에 있어서, 자기 센서 회로 (1) 에는, 수평 자장을 인가하는 수평 자장 인가 기구에 의해 수평 자장이 인가된다. 수평 자장 센서 (3) 는, 수평 자장 인가 기구에 의해 인가된 수평 자장을 검출한다.
또, 수직 자장 센서 (2) 는, 제 2 배선 (10) 으로부터 발생하는 자장을 검출 가능한 위치에 배치된다. 수직 자장 센서 (2) 는, 제 2 배선 (10) 으로부터 발생하는 자장에 의해 자장 인가 검사가 실시된다. 제 2 배선 (10) 으로부터 발생하는 자장을 검출 가능한 위치란, 예를 들어, 제 2 배선 (10) 의 근방이다. 도 5 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 일례에 있어서, 수직 자장 센서 (2) 는, 제 2 배선 (10) 의 근방에 배치된다. 여기서, 수직 자장 센서 (2) 가 제 2 배선 (10) 으로부터 발생하는 자장에 의해 자장 인가 검사가 실시될 때, 당해 제 2 배선 (10) 에 흐르는 전류는, 자기 센서 회로 (1) 가 통상 동작할 때에 제 2 배선 (10) 을 흐르는 전류보다 큰 전류이다.
<자기 센서 회로의 구성>
변형예의 일례에 있어서, 제 3 외부 단자 (9) 와 제 1 외부 단자 (6) 사이에는, 외부 장치가 접속된다. 외부 장치는, 제 3 외부 단자 (9) 및 제 1 외부 단자 (6) 사이를 흐르는 드라이브 전류의 크기 및 방향을 변경 가능하다.
상기 서술한 바와 같이, 자기 센서 회로 (1) 에는, 수평 자장 인가 기구에 의해 수평 자장이 인가되는 것에 수반하여, 수평 자장 센서 (3) 는, 수평 자장을 검출한다. 수평 신호 처리 회로 (102) 는, 수평 자장 센서 (3) 가 수평 자장을 검출하는 것에 수반하여, 제 2 드라이브 회로 (8) 를 ON 상태로 제어한다. 이로써, 제 3 외부 단자 (9) 와 제 1 외부 단자 (6) 사이에는, 드라이브 전류가 흐른다.
수직 자장 센서 (2) 는, 제 2 배선 (10) 을 흐르는 드라이브 전류에 따른 수직 자장을 검출한다. 수직 자장 센서 (2) 는, 예를 들어, 제 1 외부 단자 (6) 로부터 제 3 외부 단자 (9) 의 방향으로 드라이브 전류가 흐르는 경우, Z 축의 양의 방향의 자장을 검출한다. 수직 자장 센서 (2) 는, 예를 들어, 제 3 외부 단자 (9) 로부터 제 1 외부 단자 (6) 에 드라이브 전류가 흐르는 경우, Z 축의 음의 방향의 자장을 검출한다.
수직 신호 처리 회로 (101) 는, 수직 자장 센서 (2) 가 자장을 검출하는 것에 수반하여, 제 1 드라이브 회로 (4) 를 ON 상태 혹은 OFF 상태로 제어한다.
또, 본 실시형태의 일례에 있어서, 제 2 외부 단자 (5) 에는, 제 1 외부 단자 (6) 의 전위보다 충분히 높은 전압이 인가된다. 제 2 외부 단자 (5) 는, 예를 들어, 풀업 저항을 통하여 전압이 인가된다. 또, 제 2 외부 단자 (5) 는, 제 1 드라이브 회로 (4) 가 OFF 상태인 경우, 높은 전위 (이하, 하이 레벨) 를 유지하고, 제 1 드라이브 회로 (4) 가 ON 상태인 경우, 제 1 외부 단자 (6) 의 전위 (이하, 로우 레벨) 로 변화한다.
본 실시형태의 자기 센서 회로 (1) 는, 제 2 외부 단자 (5) 의 전위를 확인함으로써, 수직 자장 센서 (2) 의 자장 인가 검사를 실시한다.
<자기 센서 회로의 자기 변환 특성>
도 6 은, 자기 센서 회로 (1) 의 수직 자장 변환 특성의 일례를 나타내는 그래프이다.
수직 자장 센서 (2) 가 검출하는 수직 자장이 Z 축의 양의 방향의 수직 자장으로서, 또한 임계값 (BOPz) 의 강도에 도달한 경우, 제 2 외부 단자 (5) 의 전위 (도시하는 V(5)) 는, 하이 레벨의 상태에서 로우 레벨의 상태로 변화한다. 또, 수직 자장 센서 (2) 가 검출하는 수직 자장이, Z 축의 음의 방향의 수직 자장으로서, 또한 임계값 (BRPz) 의 강도에 도달한 경우, 제 2 외부 단자 (5) 의 전위는, 하이 레벨의 상태로 변화한다.
자기 센서 회로 (1) 는, 상기 서술한 바와 같이 자기를 검출하고, 제 2 외부 단자 (5) 의 전위로 변환하는 동작을 실시한다. 자기 센서 회로 (1) 는, 예를 들어, 상기 서술한 구성에 의해 링상 다극 자석 등의 회전하는 자성체의 교번 검지를 실시할 수 있다.
자기 센서 회로 (1) 의 동작에 대해서는, 제 1 실시형태와 동일하기 때문에, 설명을 생략한다.
<변형예의 요약>
이상 설명한 바와 같이, 변형예의 자기 센서 회로 (1) 는, 수직 자장 센서 (2) 와, 제 2 외부 단자 (5) 와, 제 1 외부 단자 (6) 와, 제 1 배선 (7) 과, 제 3 외부 단자 (9) 와, 제 2 배선 (10) 과, 제 1 드라이브 회로 (4) 와, 수직 신호 처리 회로 (101) 를 구비한다. 수직 자장 센서 (2) 는, 수직 자장에 따른 전압을 출력한다. 수직 신호 처리 회로 (101) 는, 수직 자장 센서 (2) 가 출력하는 전압에 따라 신호를 출력한다. 제 1 배선 (7) 은, 제 1 외부 단자 (6) 와 제 2 외부 단자 (5) 사이를 접속하고, 제 2 배선 (10) 은, 제 1 외부 단자 (6) 와 제 3 외부 단자 (9) 사이를 접속한다. 수직 자장 센서 (2) 는, 제 2 배선 (10) 으로부터 발생하는 자장을 검출 가능한 위치에 배치된다.
변형예의 자기 센서 회로 (1) 에 의하면, 제 2 배선 (10) 을 흐르는 드라이브 전류에 따라, 수직 자장 센서 (2) 가 수직 자장을 검출하고, 수직 자장 센서 (2) 의 자장 인가 검사를 실시할 수 있다. 이로써, 변형예의 자기 센서 회로 (1) 는, 2 축 중, 일방의 자장 인가 기구 (이 일례에서는, 수평 자장 인가 기구) 만을 사용하여, 2 축의 자장 인가 검사를 실시할 수 있다.
또, 변형예의 자기 센서 회로 (1) 에 있어서, 제 2 배선 (10) 이란, 수직 자장 센서 (2) 의 검출 대상의 전류가 흐르는 배선으로서, 수직 자장 센서 (2) 는, 제 2 배선 (10) 으로부터 발생하는 자장을 검출 가능한 위치에 배치된다. 이로써, 변형예의 자기 센서 회로 (1) 는, 동작 확인용 배선을 사용하는 경우와 비교하여, 회로의 점유 면적을 삭감하면서, 수직 자장 센서 (2) 의 자장 인가 검사를 실시할 수 있다.
또, 변형예의 자기 센서 회로 (1) 에 있어서, 자기 센서 회로 (1) 가 통상 동작할 때에 자기 센서 회로 (1) 내를 흐르는 전류보다 큰 전류를 제 2 배선 (10) 에 흘림으로써, 수직 자장 센서 (2) 의 자장 인가 검사를 실시한다. 환언하면, 수직 자장 센서 (2) 의 검출 대상의 수직 자장은, 제 2 배선 (10) 에 흐르는 전류에 의해 발생하는 자장보다 강한 자장이다. 따라서, 변형예의 자기 센서 회로 (1) 에 의하면, 수직 자장 센서 (2) 는, 자기 센서 회로 (1) 의 통상 동작시에 있어서 제 2 배선 (10) 에 흐르는 전류의 영향을 받지 않고, 수직 자장의 검출을 실시할 수 있다.
또, 본 실시형태의 자기 센서 회로 (1) 에 있어서, 제 2 배선 (10) 은, 제 1 외부 단자 (6) 로부터 제 3 외부 단자 (9) 의 방향과, 제 3 외부 단자 (9) 로부터 제 1 외부 단자 (6) 의 방향의 쌍방향으로 전류를 흘리는 것이 가능하다. 이로써, 본 실시형태의 자기 센서 회로 (1) 는, 수직 자장 센서 (2) 가 검출하는 수직 자장의 2 개의 방향 (Z 축의 양의 방향 및 음의 방향) 을 검출할 수 있다.
또한, 상기 서술에서는, 수직 자장 인가 기구에 의해 수직 자장이 인가되고, 자기 센서 회로 (1) 의 내부 구성에 의해 수평 자장 센서 (3) 의 자장 인가 검사를 실시하거나 혹은 수평 자장 인가 기구에 의해 수평 자장이 인가되고, 자기 센서 회로 (1) 의 내부 구성에 의해 수직 자장 센서 (2) 의 자장 인가 검사를 실시하는 경우에 대하여 설명했지만, 이것에 한정되지 않는다.
자기 센서 회로 (1) 는, 예를 들어, 내부 구성에 의해 수직 자장 센서 (2) 의 자장 인가 검사가 가능하고, 또한 내부 구성에 의해 수평 자장 센서 (3) 의 자장 인가 검사가 가능한 구성이어도 된다.
이 경우, 상기 서술한 구성에 의해, 수직 자장 센서 (2) 는, 제 2 배선 (10) 으로부터 발생하는 수직 자장을 검출하고, 수평 자장 센서 (3) 는, 제 1 배선 (7) 으로부터 발생하는 수평 자장을 검출한다.
본 실시형태의 자기 센서 회로 (1) 는, 수직 자장 센서 (2) 와, 수평 자장 센서 (3) 와, 제 2 외부 단자 (5) 와, 제 1 외부 단자 (6) 와, 제 1 배선 (7) 과, 제 1 드라이브 회로 (4) 와, 제 2 드라이브 회로 (8) 와, 제 3 외부 단자 (9) 와, 제 2 배선 (10) 과, 수직 신호 처리 회로 (101) 와, 수평 신호 처리 회로 (102) 를 구비한다. 수직 자장 센서 (2) 는, 수직 자장에 따른 전압을 출력한다. 수직 신호 처리 회로 (101) 는, 수직 자장 센서 (2) 가 출력하는 전압에 따라 신호를 출력한다. 제 1 배선 (7) 은, 제 1 외부 단자 (6) 와 제 2 외부 단자 (5) 사이를 접속하고, 제 2 배선 (10) 은, 제 1 외부 단자 (6) 와 제 3 외부 단자 (9) 사이를 접속한다. 수직 자장 센서 (2) 는, 제 2 배선 (10) 으로부터 발생하는 자장을 검출 가능한 위치에 배치된다. 수평 자장 센서 (3) 는, 수평 자장에 따른 전압을 출력한다. 수평 신호 처리 회로 (102) 는, 수평 자장 센서 (3) 가 출력하는 전압에 따라 신호를 출력한다. 제 1 배선 (7) 은, 제 1 외부 단자 (6) 와 제 2 외부 단자 (5) 사이를 접속하고, 제 2 배선 (10) 은, 제 1 외부 단자 (6) 와 제 3 외부 단자 (9) 사이를 접속한다. 수평 자장 센서 (3) 는, 제 1 배선 (7) 으로부터 발생하는 자장을 검출 가능한 위치에 배치된다.
본 실시형태의 자기 센서 회로 (1) 에 의하면, 제 2 배선 (10) 을 흐르는 드라이브 전류에 따라, 수직 자장 센서 (2) 가 수직 자장을 검출하고, 수직 자장 센서 (2) 의 자장 인가 검사를 실시할 수 있다. 또, 본 실시형태의 자기 센서 회로 (1) 에 의하면, 제 1 배선 (7) 을 흐르는 드라이브 전류에 따라, 수평 자장 센서 (3) 가 수평 자장을 검출하고, 수평 자장 센서 (3) 의 자장 인가 검사를 실시할 수 있다.
이로써, 본 실시형태의 자기 센서 회로 (1) 는, 자장 인가 기구를 사용하지 않고, 2 축의 자장 인가 검사를 실시할 수 있다. 따라서, 본 실시형태의 자기 센서 회로 (1) 에 의하면 센서 소자의 자장 인가 검사를 간편하게 실시할 수 있다.
[제 2 실시형태]
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 제 2 실시형태에 대하여 설명한다.
제 1 실시형태 및 변형예에서는, 자장 센서의 검출 대상의 자장을 발생시키는 배선과, 신호 처리 회로가 드라이브 회로를 ON 상태로 제어하는 것에 수반하여, 드라이브 전류를 흘리는 배선이 상이한 경우에 대하여 설명하였다.
제 2 실시형태에서는, 자장 센서의 검출 대상의 자장을 발생시키는 배선과, 신호 처리 회로가 드라이브 회로를 ON 상태로 제어하는 것에 수반하여, 드라이브 전류를 흘리는 배선이 합치하는 경우에 대하여 설명한다.
또한, 상기 서술한 실시형태 및 변형예와 동일한 구성에 대해서는, 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
도 7 은, 제 2 실시형태에 관련된 자기 센서 회로 (11) 의 일례를 나타내는 도면이다.
본 실시형태에 있어서, 수평 자장 센서 (3) 는, 제 1 배선 (7) 하에 배치되고, 당해 제 1 배선 (7) 으로부터 발생하는 수평 자장을 검출한다. 수직 자장 센서 (2) 는, 제 2 배선 (10) 의 근방에 배치되고, 당해 제 2 배선 (10) 으로부터 발생하는 수직 자장을 검출한다.
또, 본 실시형태에 있어서, 수직 신호 처리 회로 (101) 는, 수직 자장 센서 (2) 가 제 2 배선 (10) 으로부터 발생하는 수직 자장을 검출하고, 출력하는 신호에 따라, 제 2 드라이브 회로 (8) 의 상태를 제어한다. 수평 신호 처리 회로 (102) 는, 수평 자장 센서 (3) 가 수평 자장을 검출하고, 출력하는 신호에 따라, 제 1 드라이브 회로 (4) 의 상태를 제어한다.
수직 신호 처리 회로 (101) 및 수평 신호 처리 회로 (102) 는, 예를 들어, 자기 센서 회로 (11) 에 전원 전압이 인가되고 나서 소정 시간이 경과할 때까지의 동안에, 초기 상태로서 동작하고, 제 1 드라이브 회로 (4) 및 제 2 드라이브 회로 (8) 를 ON 상태로 제어한다. 이 동안에 제 2 외부 단자 (5) 와 제 1 외부 단자 (6) 사이 (제 2 배선 (10)) 나 제 3 외부 단자 (9) 와 제 1 외부 단자 (6) 사이 (제 1 배선 (7)) 에 드라이브 전류를 흘림으로써, 수직 자장 센서 (2) 의 자장 인가 검사 및 수평 자장 센서 (3) 의 자장 인가 검사를 실시할 수 있다.
<제 2 실시형태의 요약>
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태의 자기 센서 회로 (11) 에 의하면, 제 1 배선 (7) 을 흐르는 드라이브 전류에 따라, 수평 자장 센서 (3) 가 수평 자장을 검출하고, 수평 자장 센서 (3) 의 자장 인가 검사를 실시할 수 있다. 또, 본 실시형태의 자기 센서 회로 (11) 에 의하면, 제 2 배선 (10) 을 흐르는 드라이브 전류에 따라, 수직 자장 센서 (2) 가 수직 자장을 검출하고, 수직 자장 센서 (2) 의 자장 인가 검사를 실시할 수 있다.
이로써, 본 실시형태의 자기 센서 회로 (11) 는, 자장 인가 기구를 사용하지 않고, 2 축의 자장 인가 검사를 실시할 수 있다. 따라서, 본 실시형태의 자기 센서 회로 (11) 에 의하면, 센서 소자의 자장 인가 검사를 간편하게 실시할 수 있다.
또한, 수평 자장 센서 (3) 는, 제 1 배선 (7) 하에 배치되는 구성 대신에, 제 2 배선 (10) 하에 배치되는 구성이어도 된다. 또, 수직 자장 센서 (2) 는, 제 2 배선 (10) 의 근방에 배치되는 구성 대신에, 제 1 배선 (7) 의 근방에 배치되는 구성이어도 된다.
또한, 상기 서술한 실시형태 및 변형예에서는, 자기 센서 회로 (이 일례에서는, 자기 센서 회로 (1) 및 자기 센서 회로 (11)) 가 수직 자장 센서 (2) 및 수평 자장 센서 (3) 를 구비하는 경우에 대하여 설명했지만, 이것에 한정되지 않는다.
자기 센서 회로는, 예를 들어, 수직 자장 센서 (2) 와 수평 자장 센서 (3) 중, 어느 1 개를 구비하는 구성이어도 된다.
예를 들어, 제 2 실시형태에 기재된 구성과 같이, 자기 센서 회로가, 자장 센서의 검출 대상의 자장을 발생시키는 배선과, 신호 처리 회로가 드라이브 회로를 ON 상태로 제어하는 것에 수반하여, 드라이브 전류를 흘리는 배선이 합치하는 구성 인 경우가 있다. 이 경우, 자기 센서 회로는, 수직 자장 센서 (2) 와, 제 1 외부 단자 (6) 와, 제 2 드라이브 회로 (8) 와, 제 3 외부 단자 (9) 와, 제 2 배선 (10) 과, 수직 신호 처리 회로 (101) 를 구비하는 구성이어도 된다. 또, 자기 센서 회로는, 수평 자장 센서 (3) 와, 제 1 드라이브 회로 (4) 와, 제 2 외부 단자 (5) 와, 제 1 외부 단자 (6) 와, 제 1 배선 (7) 과, 수평 신호 처리 회로 (102) 를 구비하는 구성이어도 된다.
이로써, 자기 센서 회로는, 자장 인가 기구를 사용하지 않고, 1 축의 자장 인가 검사를 실시할 수 있다. 따라서, 이와 같은 자기 센서 회로에 의하면, 센서 소자의 자장 인가 검사를 간편하게 실시할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세히 서술해 왔지만, 구체적인 구성은 이 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 적절히 변경을 가할 수 있다. 상기 서술한 각 실시형태에 기재된 구성을 조합해도 된다.
1, 11 : 자기 센서 회로
2 : 수직 자장 센서
3 : 수평 자장 센서
4 : 제 1 드라이브 회로
5 : 제 2 외부 단자
6 : 제 1 외부 단자
7 : 제 1 배선
8 : 제 2 드라이브 회로
9 : 제 3 외부 단자
10 : 제 2 배선
101 : 수직 신호 처리 회로
102 : 수평 신호 처리 회로

Claims (11)

  1. 수직 자장에 따른 전압을 출력하는 제 1 자기 센서 소자 혹은 수평 자장에 따른 전압을 출력하는 제 2 자기 센서 소자와,
    상기 전압에 따라 신호를 출력하는 자장 신호 처리 회로와,
    외부의 소자와 접속 가능한 제 1 단자, 제 2 단자, 및 제 3 단자의 적어도 3 개의 단자와,
    상기 제 1 단자와 상기 제 2 단자 사이를 접속하는 제 1 배선과,
    상기 제 1 단자와 상기 제 3 단자 사이를 접속하는 제 2 배선을 구비하고,
    상기 제 1 자기 센서 소자 혹은 상기 제 2 자기 센서 소자의 어느 것이, 상기 제 1 배선 혹은 상기 제 2 배선으로부터 발생하는 자장을 검출 가능한 위치에 배치되는, 자기 센서 회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 배선은,
    상기 제 2 자기 센서 소자의 검출 대상을 생성하는 전류가 흐르는 배선으로서,
    상기 제 2 배선은,
    상기 제 1 자기 센서 소자의 검출 대상을 생성하는 전류가 흐르는 배선으로서,
    상기 제 1 자기 센서 소자는,
    상기 제 2 배선으로부터 발생하는 자장을 검출 가능한 위치에 배치되고,
    상기 제 2 자기 센서 소자는,
    상기 제 1 배선으로부터 발생하는 자장을 검출 가능한 위치에 배치되는,
    자기 센서 회로.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 배선은,
    상기 제 1 단자로부터 상기 제 2 단자의 방향과, 상기 제 2 단자로부터 상기 제 1 단자의 방향의 쌍방향으로 전류를 흘리는 것이 가능하고,
    상기 제 2 배선은,
    상기 제 1 단자로부터 상기 제 3 단자의 방향과, 상기 제 3 단자로부터 상기 제 1 단자의 방향의 쌍방향으로 전류를 흘리는 것이 가능한,
    자기 센서 회로.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 자기 센서 소자와 상기 제 2 자기 센서 소자 중, 상기 제 2 자기 센서 소자를 구비하고,
    상기 제 2 자기 센서 소자는,
    상기 제 1 배선하 혹은 상기 제 2 배선하에 배치되는,
    자기 센서 회로.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 배선은,
    상기 제 1 단자로부터 상기 제 2 단자의 방향과, 상기 제 2 단자로부터 상기 제 1 단자의 방향의 쌍방향으로 전류를 흘리는 것이 가능하고,
    상기 제 2 배선은,
    상기 제 1 단자로부터 상기 제 3 단자의 방향과, 상기 제 3 단자로부터 상기 제 1 단자의 방향의 쌍방향으로 전류를 흘리는 것이 가능한,
    자기 센서 회로.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 자기 센서 소자와 상기 제 2 자기 센서 소자 중, 상기 제 2 자기 센서 소자를 구비하고,
    상기 제 2 자기 센서 소자는,
    상기 제 1 배선하 혹은 상기 제 2 배선하에 배치되는,
    자기 센서 회로.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 자기 센서 소자와 상기 제 2 자기 센서 소자 중, 상기 제 2 자기 센서 소자를 구비하고,
    상기 제 2 자기 센서 소자는,
    상기 제 1 배선하 혹은 상기 제 2 배선하에 배치되는,
    자기 센서 회로.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 자기 센서 소자와 상기 제 2 자기 센서 소자 중, 상기 제 2 자기 센서 소자를 구비하고,
    상기 제 2 자기 센서 소자는,
    상기 제 1 배선하 혹은 상기 제 2 배선하에 배치되는,
    자기 센서 회로.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 자기 센서 회로의 검사 방법으로서,
    상기 제 1 배선 혹은 상기 제 2 배선에 상기 자기 센서 회로가 통상 동작할 때에 당해 자기 센서 회로 내를 흐르는 전류보다 큰 전류를 흘림으로써, 상기 제 1 자기 센서 소자 혹은 상기 제 2 자기 센서 소자의 자장 인가 검사를 하는, 검사 방법.
  10. 제 9 항에 기재된 상기 검사 방법을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 자장에 따른 전압을 출력하는 자기 센서 소자와,
    상기 전압에 따라 신호를 출력하는 자장 신호 처리 회로와,
    외부의 소자와 접속 가능한 제 1 단자, 및 제 2 단자의 적어도 2 개의 단자와,
    상기 제 1 단자와 상기 제 2 단자 사이를 접속하고, 통상 동작시에 흐르는 전류보다 큰 전류를 흘리는 것이 가능한 배선을 구비하고,
    상기 배선으로부터 발생하는 자장을 검출 가능한 위치에 상기 자기 센서 소자가 배치되는, 자기 센서 회로.
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