CN108572333A - 磁传感器电路、磁传感器电路的检查方法和具有磁传感器电路的半导体装置的制造方法 - Google Patents

磁传感器电路、磁传感器电路的检查方法和具有磁传感器电路的半导体装置的制造方法 Download PDF

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CN108572333A CN201810208743.6A CN201810208743A CN108572333A CN 108572333 A CN108572333 A CN 108572333A CN 201810208743 A CN201810208743 A CN 201810208743A CN 108572333 A CN108572333 A CN 108572333A
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Abstract

本发明涉及磁传感器电路、磁传感器电路的检查方法和具有磁传感器电路的半导体装置的制造方法。磁传感器电路具备：输出与垂直磁场对应的电压的第一磁传感器元件或输出与水平磁场对应的电压的第二磁传感器元件；磁场信号处理电路，根据所述电压来输出信号；第一端子、第二端子和第三端子这至少3个端子，能够与外部的元件连接；第一布线，将所述第一端子与所述第二端子之间连接；以及第二布线，将所述第一端子与所述第三端子之间连接，所述第一磁传感器元件被配置在能够检测从所述第一布线或所述第二布线产生的磁场的位置或所述第二磁传感器元件被配置在能够检测从所述第一布线或所述第二布线产生的磁场的位置。

Description

磁传感器电路、磁传感器电路的检查方法和具有磁传感器电 路的半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及磁传感器电路、磁传感器电路的检查方法和具有磁传感器电路的半导体装置的制造方法。
背景技术
近年来，将检测各种旋转机构的转速或旋转方向作为目的，已知有对交变垂直磁场和交变水平磁场进行检测的2轴磁电路。与以往的仅检测垂直磁场的磁传感器相比，有磁机构设计的自由度高的优点。另一方面，在量产测试工序中，要求施加垂直磁场和水平磁场来进行检查。
将量产性提高作为目的，为了在封装安装前进行传感器的好坏的选别，期望晶片测试中的磁场施加检查的实施。可是，在磁场施加检查中，要求使用对晶片施加水平磁场的水平磁场施加机构和对晶片施加垂直磁场的垂直磁场施加机构这2个，并且，要求高精度地调整施加磁场的位置。
在此，已知有通过在电路中设置专用的构造来从外部供给测试电流而使水平磁场产生来进行水平磁场传感器元件的磁场施加检查的技术（例如参照非专利文献1的图8和其说明）。
现有技术文献
非专利文献
非专利文献1：“A Dual Vertical Hall Latch with Direction Detection”,Proceedings of the ESSCIRC 2013。
发明要解决的课题
可是，在现有的技术中，存在由于使用水平磁场传感器元件的磁场施加检查专用的构造而增加电路的占有面积的情况。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的，提供一种能够削减电路的占有面积并进行传感器元件的磁场施加检查的磁传感器电路。
用于解决课题的方案
本发明的一个方式是，一种磁传感器电路，其中，具备：输出与垂直磁场对应的电压的第一磁传感器元件或输出与水平磁场对应的电压的第二磁传感器元件；磁场信号处理电路，根据所述电压来输出信号；第一端子、第二端子和第三端子这至少3个端子，能够与外部的元件连接；第一布线，将所述第一端子与所述第二端子之间连接；以及第二布线，将所述第一端子与所述第三端子之间连接，所述第一磁传感器元件或所述第二磁传感器元件的任一个被配置在能够检测从所述第一布线或所述第二布线产生的磁场的位置。
本发明的一个方式是，一种检查方法，在上述所记载的磁传感器电路中，通过在所述第一布线或所述第二布线中流动比在所述磁传感器电路进行通常工作时在该磁传感器电路内流动的电流大的电流，从而进行所述第一磁传感器元件或所述第二磁传感器元件的磁场施加检查。
本发明的一个方式是，一种半导体装置的制造方法，其中，包含上述所记载的检查方法。
本发明的一个方式是，一种磁传感器电路，其中，具备：磁传感器元件，输出与磁场对应的电压；磁场信号处理电路，根据所述电压来输出信号；第一端子和第二端子这至少2个端子，能够与外部的元件连接；以及布线，将所述第一端子与所述第二端子之间连接，能够流动比在通常时流动的电流大的电流，在能够检测从所述布线产生的磁场的位置配置所述磁传感器元件。
发明效果
根据本发明，能够提供一种能够削减电路的占有面积并进行传感器元件的磁场施加检查的磁传感器电路。
附图说明
图1是示出第一实施方式的磁传感器电路的配置的一个例子的图。
图2是示出第一实施方式的磁传感器电路的一个例子的图。
图3是示出第一实施方式的磁传感器电路的工作的一个例子的时间图。
图4是示出磁传感器电路的水平磁场变换特性的一个例子的图表。
图5是示出变形例的磁传感器电路的配置的一个例子的图。
图6是示出磁传感器电路的垂直磁场变换特性的一个例子的图表。
图7是示出第二实施方式的磁传感器电路的一个例子的图。
具体实施方式
[第一实施方式]
以下，参照图来对本发明的第一实施方式进行说明。
<磁传感器电路的配置>
图1是示出第一实施方式的磁传感器电路1的配置的一个例子的图。
如图1所示那样，磁传感器电路1具备：垂直磁场传感器2、水平磁场传感器3、第一驱动电路4、第二外部端子5、第一外部端子6、第一布线7、第二驱动电路8、第三外部端子9、第二布线10、垂直信号处理电路101（不图示）、以及水平信号处理电路102（不图示）。
垂直磁场传感器2对在磁传感器电路1中产生的垂直方向的磁场进行检测。此外，垂直磁场传感器2输出与所检测的磁场的方向和大小对应的电压。水平磁场传感器3对在磁传感器电路1中产生的水平方向的磁场进行检测。此外，水平磁场传感器3输出与所检测的磁场的方向和大小对应的电压。
在以后的说明中对磁场的方向进行说明的情况下，存在使用XYZ正交坐标系的情况。该XYZ正交坐标系之中的Y轴表示配置有垂直磁场传感器2和水平磁场传感器3的面的纵向即水平方向，X轴表示配置有垂直磁场传感器2和水平磁场传感器3的面的横向，Z轴表示配置有垂直磁场传感器2和水平磁场传感器3的面的高度方向即垂直方向。
第二外部端子5和第一外部端子6经由第一驱动电路4被第一布线7连接。此外，第三外部端子9和第一外部端子6经由第二驱动电路8被第二布线10连接。第一驱动电路4和第二驱动电路8是指例如MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）。在通过垂直信号处理电路101向第一驱动电路4的栅极端子施加电压的情况下，该第一驱动电路4被控制为接通（ON）状态，在第二外部端子5和第一外部端子6中能够流动驱动电流。此外，在通过水平信号处理电路102向第二驱动电路8的栅极端子施加电压的情况下，该第二驱动电路8被控制为接通状态，在第三外部端子9和第一外部端子6中能够流动驱动电流。
在此，垂直信号处理电路101根据垂直磁场传感器2检测出垂直磁场而输出的信号，对第一驱动电路4的状态进行控制。具体地，垂直信号处理电路101在垂直磁场传感器2检测出的垂直磁场为Z轴的正方向的磁场并且为规定的强度以上的磁场的情况下，将第一驱动电路4控制为接通状态。此外，垂直信号处理电路101在垂直磁场传感器2检测出的垂直磁场为Z轴的负方向的磁场并且为规定的强度以上的磁场的情况下，将第一驱动电路4控制为关断（OFF）状态。
水平信号处理电路102根据水平磁场传感器3检测出水平磁场而输出的信号，对第二驱动电路8的状态进行控制。具体地，水平信号处理电路102在水平磁场传感器3检测出的水平磁场为Y轴的正方向的磁场并且为规定的强度以上的磁场的情况下，将第二驱动电路8控制为接通状态。此外，水平信号处理电路102在水平磁场传感器3检测出的水平磁场为Y轴的负方向的磁场并且为规定的强度以上的磁场的情况下，将第二驱动电路8控制为关断状态。
在本实施方式的一个例子中，利用施加垂直磁场的垂直磁场施加机构向磁传感器电路1施加垂直磁场。垂直磁场传感器2对由垂直磁场施加机构施加的垂直磁场进行检测。
此外，水平磁场传感器3被配置在能够检测从第一布线7产生的磁场的位置。水平磁场传感器3利用从第一布线7产生的磁场进行磁场施加检查。能够检测从第一布线7产生的磁场的位置是指例如第一布线7下。如图1所示那样，在本实施方式的一个例子中，水平磁场传感器3被配置在第一布线7下。由此，水平磁场传感器3对与在第一布线7中流动的驱动电流对应的磁场即水平方向（Y轴方向）的磁场进行检测。在此，在水平磁场传感器3利用从第一布线7产生的磁场进行磁场施加检查时，在该第一布线7中流动的电流为比在磁传感器电路1进行通常工作时在第一布线7中流动的电流大的电流。
再有，水平磁场传感器3也可以为被配置在第一布线7上的结构来代替被配置在第一布线7下的结构。
<磁传感器电路的结构>
以下，参照图2来对磁传感器电路1的具体的结构进行说明。
图2是示出第一实施方式的磁传感器电路1的一个例子的图。
在本实施方式的一个例子中，在第二外部端子5与第一外部端子6之间连接有外部装置。外部装置为能够变更在第二外部端子5与第一外部端子6之间流动的驱动电流的大小和方向的装置。
如上述那样，伴随着利用垂直磁场施加机构向磁传感器电路1施加垂直磁场，垂直磁场传感器2检测出垂直磁场。伴随着垂直磁场传感器2检测出垂直磁场，垂直信号处理电路101将第一驱动电路4控制为接通状态。由此，在第二外部端子5与第一外部端子6之间流动驱动电流。
水平磁场传感器3对与在第一布线7中流动的驱动电流对应的水平磁场进行检测。水平磁场传感器3例如在从第一外部端子6向第二外部端子5的方向流动驱动电流的情况下，检测出Y轴的正方向的磁场。水平磁场传感器3例如在从第二外部端子5向第一外部端子6流动驱动电流的情况下，检测出Y轴的负方向的磁场。
伴随着水平磁场传感器3检测出磁场，水平信号处理电路102将第二驱动电路8控制为接通状态或关断状态。
此外，在本实施方式的一个例子中，向第三外部端子9施加与第一外部端子6的电位相比充分高的电压。关于第三外部端子9，例如经由上拉电阻（pull-up resistor）施加电压。第三外部端子9在第二驱动电路8为关断状态的情况下，保持高的电位（以下，高电平），在第二驱动电路8为接通状态的情况下，变化为第一外部端子6的电位（以下，低电平）。
本实施方式的磁传感器电路1通过确认第三外部端子9的电位来进行水平磁场传感器3的磁场施加检查。
<磁传感器电路的工作>
以下，参照图3来对磁传感器电路1的工作的细节进行说明。
图3是示出第一实施方式的磁传感器电路1的工作的一个例子的时间图。在此，图示的波形W1为示出由垂直磁场施加机构向磁传感器电路1施加的垂直磁场的时间变化的波形。波形W2为示出在第二外部端子5与第一外部端子6之间（第一布线7）流动的驱动电流的方向和大小的时间变化的波形。该驱动电流通过外部装置在第二外部端子5与第一外部端子6之间流动。利用正斜率的波形W2-1示出从第一外部端子6向第二外部端子5流动的驱动电流，利用负斜率的波形W2-2示出从第二外部端子5向第一外部端子6流动的驱动电流。波形W3为示出与在第一布线7中流动的驱动电流对应的磁场即水平磁场传感器3检测出的水平磁场的波形。具体地，利用正斜率的波形W3-1示出Y轴的正方向的水平磁场，利用负斜率的波形W3-2示出Y轴的负方向的水平磁场。波形W4为示出第三外部端子9的电位的变化的波形。
如图3所示那样，利用垂直磁场施加机构在时刻t1向磁传感器电路1施加Z轴的正方向的垂直磁场。此外，在时刻t1，垂直磁场传感器2检测出施加的垂直磁场，与此伴随地，垂直信号处理电路101将第一驱动电路4控制为接通状态。
接着，外部装置在从时刻t1到时刻t3的期间将驱动电流从第一外部端子6向第二外部端子5的方向流动，并且，逐渐地使驱动电流的大小变大（图示的波形W2-1）。与此伴随地，水平磁场传感器3检测出Y轴的正方向的水平磁场即从时刻t1到时刻t3强度逐渐地变强的水平磁场（波形W3-1：时刻t1~时刻t3）。
接着，在水平信号处理电路102中，在时刻t2，水平磁场传感器3检测出的水平磁场比规定的强度（图示的阈值BOPy）强（波形W3-1：时刻t2）。因此，水平信号处理电路102将第二驱动电路8控制为接通状态。与此伴随地，第三外部端子9的电位在时刻t2变化为低电平（波形W4：时刻t2）。
接着，外部装置在时刻t3以后将驱动电流从第二外部端子5向第一外部端子6的方向流动。此外，外部装置在从时刻t3到时刻t4的期间逐渐地使驱动电流的大小变小（图示的波形W2-2）。与此伴随地，水平磁场传感器3检测出Y轴的负方向的水平磁场即从时刻t3到时刻t4强度逐渐变弱的水平磁场（波形W3-2：时刻t3~时刻t4）。
接着，外部装置在时刻t4以后使驱动电流的绝对值的大小朝向负方向逐渐变大。（波形W2-2：时刻t4以后）。与此伴随地，水平磁场传感器3检测出Y轴的负方向的水平磁场即在时刻t4以后强度（绝对值）逐渐变强的水平磁场（波形W3-2：时刻t4以后）。
接着，在水平信号处理电路102中，在时刻t5，水平磁场传感器3检测出的水平磁场的强度（绝对值）比规定的值（图示的阈值BRPy）强（波形W3-2：时刻t5）。因此，水平信号处理电路102将第二驱动电路8控制为关断状态。与此伴随地，第三外部端子9的电位在时刻t5变化为高电平（波形W4：时刻t5）。
<磁传感器电路的磁变换特性>
图4是示出磁传感器电路1的水平磁场变换特性的一个例子的图表。
在水平磁场传感器3检测出的水平磁场为Y轴的正方向的水平磁场且到达阈值BOPy的强度的情况下，第三外部端子9的电位（图示的V（9））从高电平的状态变化为低电平的状态。此外，在水平磁场传感器3检测出的水平磁场为Y轴的负方向的水平磁场且到达阈值BRPy的强度的情况下，第三外部端子9的电位变化为高电平的状态。
磁传感器电路1如上述那样对磁进行检测来进行变换为第三外部端子9的电位的工作。磁传感器电路1例如利用上述的结构进行环状多极磁铁等旋转的磁性体的交变感测。
<第一实施方式的总结>
如以上说明那样，本实施方式的磁传感器电路1具备水平磁场传感器3、第二外部端子5、第一外部端子6、第一布线7、第二驱动电路8、第三外部端子9、第二布线10、以及水平信号处理电路102。水平磁场传感器3输出与水平磁场对应的电压。水平信号处理电路102根据水平磁场传感器3所输出的电压来输出信号。第一布线7将第一外部端子6与第二外部端子5之间连接，第二布线10将第一外部端子6与第三外部端子9之间连接。水平磁场传感器3被配置在能够检测从第一布线7产生的磁场的位置。
根据本实施方式的磁传感器电路1，根据在第一布线7中流动的驱动电流，水平磁场传感器3对水平磁场进行检测，能够进行水平磁场传感器3的磁场施加检查。由此，本实施方式的磁传感器电路1能够仅使用2轴之中的一个磁场施加机构（在该一个例子中为垂直磁场施加机构）来进行2轴的磁场施加检查。
此外，在本实施方式的磁传感器电路1中，第一布线7是指生成水平磁场传感器3的检测对象的电流进行流动的布线，水平磁场传感器3被配置在能够检测从第一布线7产生的磁场的位置。由此，本实施方式的磁传感器电路1与使用工作确认用的布线的情况比较，能够削减电路的占有面积并进行水平磁场传感器3的磁场施加检查。
此外，在本实施方式的磁传感器电路1中，在第一布线7中流动比在磁传感器电路1进行通常工作时在磁传感器电路1内流动的电流大的电流，由此，进行水平磁场传感器3的磁场施加检查。换言之，水平磁场传感器3的检测对象的水平磁场为比由在第一布线7中流动的电流产生的磁场强的磁场。因此，根据本实施方式的磁传感器电路1，水平磁场传感器3能够在不受到在磁传感器电路1的通常工作时在第一布线7中流动的电流的影响的情况下进行水平磁场的检测。
此外，在本实施方式的磁传感器电路1中，水平磁场传感器3被配置在第一布线7下。在此，通过在第一布线7中流动电流，从而在为将第一布线7作为中心的圆状并且与第一布线7的布线方向（在该一个例子中为X方向）正交的面（在该一个例子中为YZ平面）上产生磁场。水平磁场传感器3为了在水平方向上捕捉该磁场而优选被配置在与将第一布线7作为中心的圆的法线方向正交的位置。在此，XY平面上的位置即与将第一布线7作为中心的圆的法线方向正交的位置是指第一布线7下或第一布线7上。因此，水平磁场传感器3被配置在第一布线7下或第一布线7上，由此，能够高效率地检测从第一布线7产生的磁场来作为水平磁场。
此外，在本实施方式的磁传感器电路1中，在第一布线7中能够沿第一外部端子6至第二外部端子5的方向和第二外部端子5至第一外部端子6的方向双方向流动电流。由此，本实施方方式的磁传感器电路1能够检测水平磁场传感器3检测出的水平磁场的2个方向（Y轴的正方向和负方向）。
[变形例]
在上述中，对利用垂直磁场施加机构向磁传感器电路1施加垂直磁场并且利用磁传感器电路1的内部结构进行水平磁场传感器3的磁场施加检查的情况进行了说明。
在第一实施方式的变形例中，对利用水平磁场施加机构向磁传感器电路1施加水平磁场并且利用磁传感器电路1的内部结构进行垂直磁场传感器2的磁场施加检查的情况进行说明。
再有，对与上述的实施方式同样的结构标注同一附图标记并省略说明。
<由水平磁场施加机构进行的水平磁场的施加>
图5是示出变形例的磁传感器电路1的配置的一个例子的图。
在变形例中，利用施加水平磁场的水平磁场施加机构向磁传感器电路1施加水平磁场。水平磁场传感器3对由水平磁场施加机构施加的水平磁场进行检测。
此外，垂直磁场传感器2被配置在能够检测从第二布线10产生的磁场的位置。垂直磁场传感器2利用从第二布线10产生的磁场进行磁场施加检查。能够检测从第二布线10产生的磁场的位置是指例如第二布线10的附近。如图5所示那样，在本实施方式的一个例子中，垂直磁场传感器2被配置在第二布线10的附近。在此，在垂直磁场传感器2通过从第二布线10产生的磁场进行磁场施加检查时，在该第二布线10中流动的电流为比在磁传感器电路1进行通常工作时在第二布线10中流动的电流大的电流。
<磁传感器电路的结构>
在变形例的一个例子中，在第三外部端子9与第一外部端子6之间连接有外部装置。外部装置能够变更在第三外部端子9和第一外部端子6之间流动的驱动电流的大小和方向。
如上述那样，伴随着利用水平磁场施加机构向磁传感器电路1施加水平磁场，水平磁场传感器3检测出水平磁场。伴随着水平磁场传感器3检测出水平磁场，水平信号处理电路102将第二驱动电路8控制为接通状态。由此，在第三外部端子9与第一外部端子6之间流动驱动电流。
垂直磁场传感器2对与在第二布线10中流动的驱动电流对应的垂直磁场进行检测。垂直磁场传感器2例如在从第一外部端子6向第三外部端子9的方向流动驱动电流的情况下，检测出Z轴的正方向的磁场。垂直磁场传感器2例如在从第三外部端子9向第一外部端子6流动驱动电流的情况下，检测出Z轴的负方向的磁场。
伴随着垂直磁场传感器2检测出磁场，垂直信号处理电路101将第一驱动电路4控制为接通状态或关断状态。
此外，在本实施方式的一个例子中，向第二外部端子5施加与第一外部端子6的电位相比充分高的电压。关于第二外部端子5，例如经由上拉电阻施加电压。此外，第二外部端子5在第一驱动电路4为关断状态的情况下，保持高的电位（以下，高电平），在第一驱动电路4为接通状态的情况下，变化为第一外部端子6的电位（以下，低电平）。
本实施方式的磁传感器电路1通过确认第二外部端子5的电位来进行垂直磁场传感器2的磁场施加检查。
<磁传感器电路的磁变换特性>
图6是示出磁传感器电路1的垂直磁场变换特性的一个例子的图表。
在垂直磁场传感器2检测出的垂直磁场为Z轴的正方向的垂直磁场且到达阈值BOPz的强度的情况下，第二外部端子5的电位（图示的V（5））从高电平的状态变化为低电平的状态。此外，在垂直磁场传感器2检测出的垂直磁场为Z轴的负方向的垂直磁场且到达阈值BRPz的强度的情况下，第二外部端子5的电位变化为高电平的状态。
磁传感器电路1如上述那样对磁进行检测来进行变换为第二外部端子5的电位的工作。磁传感器电路1例如能够利用上述的结构进行环状多极磁铁等旋转的磁性体的交变感测。
关于磁传感器电路1的工作，与第一实施方式同样，因此，省略说明。
<变形例的总结>
如以上说明那样，变形例的磁传感器电路1具备垂直磁场传感器2、第二外部端子5、第一外部端子6、第一布线7、第三外部端子9、第二布线10、第一驱动电路4以及垂直信号处理电路101。垂直磁场传感器2输出与垂直磁场对应的电压。垂直信号处理电路101根据垂直磁场传感器2所输出的电压来输出信号。第一布线7将第一外部端子6与第二外部端子5之间连接，第二布线10将第一外部端子6与第三外部端子9之间连接。垂直磁场传感器2被配置在能够检测从第二布线10产生的磁场的位置。
根据变形例的磁传感器电路1，根据在第二布线10中流动的驱动电流，垂直磁场传感器2对垂直磁场进行检测，能够进行垂直磁场传感器2的磁场施加检查。由此，变形例的磁传感器电路1能够仅使用2轴之中的一个磁场施加机构（在该一个例子中为水平磁场施加机构）来进行2轴的磁场施加检查。
此外，在变形例的磁传感器电路1中，第二布线10是指垂直磁场传感器2的检测对象的电流进行流动的布线，垂直磁场传感器2被配置在能够检测从第二布线10产生的磁场的位置。由此，变形例的磁传感器电路1与使用工作确认用的布线的情况比较，能够削减电路的占有面积并进行垂直磁场传感器2的磁场施加检查。
此外，在变形例的磁传感器电路1中，在第二布线10中流动比在磁传感器电路1进行通常工作时在磁传感器电路1内流动的电流大的电流，由此，进行垂直磁场传感器2的磁场施加检查。换言之，垂直磁场传感器2的检测对象的垂直磁场为比由在第二布线10中流动的电流产生的磁场强的磁场。因此，根据变形例的磁传感器电路1，垂直磁场传感器2能够在不受到在磁传感器电路1的通常工作时在第二布线10中流动的电流的影响的情况下进行垂直磁场的检测。
此外，在本实施方式的磁传感器电路1中，在第二布线10中能够沿第一外部端子6至第三外部端子9的方向和第三外部端子9至第一外部端子6的方向双方向流动电流。由此，本实施方方式的磁传感器电路1能够检测垂直磁场传感器2检测出的垂直磁场的2个方向（Z轴的正方向和负方向）。
再有，在上述中，对利用垂直磁场施加机构施加垂直磁场并且利用磁传感器电路1的内部结构进行水平磁场传感器3的磁场施加检查或者利用水平磁场施加机构施加水平磁场并且利用磁传感器电路1的内部结构进行垂直磁场传感器2的磁场施加检查的情况进行了说明，但是，并不限于此。
磁传感器电路1例如也可以为能够利用内部结构进行垂直磁场传感器2的磁场施加检查并且能够利用内部结构进行水平磁场传感器3的磁场施加检查的结构。
在该情况下，根据上述的结构，垂直磁场传感器2对从第二布线10产生的垂直磁场进行检测，水平磁场传感器3对从第一布线7产生的水平磁场进行检测。
本实施方式的磁传感器电路1具备：垂直磁场传感器2、水平磁场传感器3、第二外部端子5、第一外部端子6、第一布线7、第一驱动电路4、第二驱动电路8、第三外部端子9、第二布线10、垂直信号处理电路101、以及水平信号处理电路102。垂直磁场传感器2输出与垂直磁场对应的电压。垂直信号处理电路101根据垂直磁场传感器2所输出的电压来输出信号。第一布线7将第一外部端子6与第二外部端子5之间连接，第二布线10将第一外部端子6与第三外部端子9之间连接。垂直磁场传感器2被配置在能够检测从第二布线10产生的磁场的位置。水平磁场传感器3输出与水平磁场对应的电压。水平信号处理电路102根据水平磁场传感器3所输出的电压来输出信号。第一布线7将第一外部端子6与第二外部端子5之间连接，第二布线10将第一外部端子6与第三外部端子9之间连接。水平磁场传感器3被配置在能够检测从第一布线7产生的磁场的位置。
根据本实施方式的磁传感器电路1，根据在第二布线10中流动的驱动电流，垂直磁场传感器2对垂直磁场进行检测，能够进行垂直磁场传感器2的磁场施加检查。此外，根据本实施方式的磁传感器电路1，根据在第一布线7中流动的驱动电流，水平磁场传感器3对水平磁场进行检测，能够进行水平磁场传感器3的磁场施加检查。
由此，本实施方式的磁传感器电路1能够在不使用磁场施加机构的情况下进行2轴的磁场施加检查。因此，根据本实施方式的磁传感器电路1，能够简便地进行传感器元件的磁场施加检查。
[第二实施方式]
以下，参照图来对本发明的第二实施方式进行说明。
在第一实施方式和变形例中，对使磁场传感器的检测对象的磁场产生的布线与伴随着信号处理电路将驱动电路控制为接通状态而流动驱动电流的布线不同的情况进行了说明。
在第二实施方式中，对使磁场传感器的检测对象的磁场产生的布线与伴随着信号处理电路将驱动电路控制为接通状态而流动驱动电流的布线一致的情况进行说明。
再有，对与上述的实施方式和变形例相同的结构标注同一附图标记并省略说明。
图7是示出第二实施方式的磁传感器电路11的一个例子的图。
在本实施方式中，水平磁场传感器3被配置在第一布线7下，对从该第一布线7产生的水平磁场进行检测。垂直磁场传感器2被配置在第二布线10的附近，对从该第二布线10产生的垂直磁场进行检测。
此外，在本实施方式中，垂直信号处理电路101根据垂直磁场传感器2检测出从第二布线10产生的垂直磁场而输出的信号来对第二驱动电路8的状态进行控制。水平信号处理电路102根据水平磁场传感器3检测出水平磁场而输出的信号来对第一驱动电路4的状态进行控制。
垂直信号处理电路101和水平信号处理电路102例如在向磁传感器电路11施加电源电压之后到经过规定的时间为止的期间工作为初始状态，将第一驱动电路4和第二驱动电路8控制为接通状态。在此期间，在第二外部端子5与第一外部端子6之间（第二布线10）或第三外部端子9与第一外部端子6之间（第一布线7）流动驱动电流，由此，能够进行垂直磁场传感器2的磁场施加检查和水平磁场传感器3的磁场施加检查。
<第二实施方式的总结>
如以上说明那样，根据本实施方式的磁传感器电路11，根据在第一布线7中流动的驱动电流，水平磁场传感器3检测出水平磁场，能够进行水平磁场传感器3的磁场施加检查。此外，根据本实施方式的磁传感器电路11，根据在第二布线10中流动的驱动电流，垂直磁场传感器2检测出垂直磁场，能够进行垂直磁场传感器2的磁场施加检查。
由此，本实施方式的磁传感器电路11能够在不使用磁场施加机构的情况下进行2轴的磁场施加检查。因此，根据本实施方式的磁传感器电路11，能够简便地进行传感器元件的磁场施加检查。
再有，水平磁场传感器3也可以为被配置在第二布线10下的结构来代替被配置在第一布线7下的结构。此外，垂直磁场传感器2也可以为被配置在第一布线7的附近的结构来代替被配置在第二布线10的附近的结构。
再有，在上述的实施方式和变形例中，对磁传感器电路（在该一个例子中为磁传感器电路1和磁传感器电路11）具备垂直磁场传感器2和水平磁场传感器3的情况进行了说明，但是，并不限于此。
磁传感器电路例如也可以为具备垂直磁场传感器2和水平磁场传感器3之中的任一个的结构。
例如，如第二实施方式所记载的结构那样，存在磁传感器电路为使磁场传感器的检测对象的磁场产生的布线与伴随着信号处理电路将驱动电路控制为接通状态而流动驱动电流的布线一致的结构的情况。在该情况下，磁传感器电路也可以为具备垂直磁场传感器2、第一外部端子6、第二驱动电路8、第三外部端子9、第二布线10、以及垂直信号处理电路101的结构。此外，磁传感器电路也可以为具备水平磁场传感器3、第一驱动电路4、第二外部端子5、第一外部端子6、第一布线7、以及水平信号处理电路102的结构。
由此，磁传感器电路能够在不使用磁场施加机构的情况下进行1轴的磁场施加检查。因此，根据这样的磁传感器电路，能够简便地进行传感器元件的磁场施加检查。
以上，参照附图而详述了本发明的实施方式，但是，具体的结构并不限于该实施方式，能够在不偏离本发明的主旨的范围内适当施加变更。也可以将上述的各实施方式所记载的结构组合。
附图标记的说明
1、11…磁传感器电路
2…垂直磁场传感器
3…水平磁场传感器
4…第一驱动电路
5…第二外部端子
6…第一外部端子
7…第一布线
8…第二驱动电路
9…第三外部端子
10…第二布线
101…垂直信号处理电路
102…水平信号处理电路。

Claims (11)

1.一种磁传感器电路，其中，具备：
输出与垂直磁场对应的电压的第一磁传感器元件或输出与水平磁场对应的电压的第二磁传感器元件；
磁场信号处理电路，根据所述电压来输出信号；
第一端子、第二端子和第三端子这至少3个端子，能够与外部的元件连接；
第一布线，将所述第一端子与所述第二端子之间连接；以及
第二布线，将所述第一端子与所述第三端子之间连接，
所述第一磁传感器元件或所述第二磁传感器元件的任一个被配置在能够检测从所述第一布线或所述第二布线产生的磁场的位置。
2.根据权利要求1所述的磁传感器电路，其中，
所述第一布线为生成所述第二磁传感器元件的检测对象的电流进行流动的布线，
所述第二布线为生成所述第一磁传感器元件的检测对象的电流进行流动的布线，
所述第一磁传感器元件被配置在能够检测从所述第二布线产生的磁场的位置，
所述第二磁传感器元件被配置在能够检测从所述第一布线产生的磁场的位置。
3.根据权利要求1所述的磁传感器电路，其中，
在所述第一布线中能够沿所述第一端子至所述第二端子的方向和所述第二端子至所述第一端子的方向双方向流动电流，
在所述第二布线中能够沿所述第一端子至所述第三端子的方向和所述第三端子至所述第一端子的方向双方向流动电流。
4.根据权利要求1所述的磁传感器电路，其中，
具备所述第一磁传感器元件和所述第二磁传感器元件之中的所述第二磁传感器元件，
所述第二磁传感器元件被配置在所述第一布线下或所述第二布线下。
5.根据权利要求2所述的磁传感器电路，其中，
在所述第一布线中能够沿所述第一端子至所述第二端子的方向和所述第二端子至所述第一端子的方向双方向流动电流，
在所述第二布线中能够沿所述第一端子至所述第三端子的方向和所述第三端子至所述第一端子的方向双方向流动电流。
6.根据权利要求2所述的磁传感器电路，其中，
具备所述第一磁传感器元件和所述第二磁传感器元件之中的所述第二磁传感器元件，
所述第二磁传感器元件被配置在所述第一布线下或所述第二布线下。
7.根据权利要求3所述的磁传感器电路，其中，
具备所述第一磁传感器元件和所述第二磁传感器元件之中的所述第二磁传感器元件，
所述第二磁传感器元件被配置在所述第一布线下或所述第二布线下。
8.根据权利要求5所述的磁传感器电路，其中，
具备所述第一磁传感器元件和所述第二磁传感器元件之中的所述第二磁传感器元件，
所述第二磁传感器元件被配置在所述第一布线下或所述第二布线下。
9.一种检查方法，所述方法是根据权利要求1至权利要求8的任一项所述的磁传感器电路的检查方法，其中，
通过在所述第一布线或所述第二布线中流动比在所述磁传感器电路进行通常工作时在该磁传感器电路内流动的电流大的电流，从而进行所述第一磁传感器元件或所述第二磁传感器元件的磁场施加检查。
10.一种半导体装置的制造方法，其中，包含根据权利要求9所述的所述检查方法。
11.一种磁传感器电路，其中，具备：
磁传感器元件，输出与磁场对应的电压；
磁场信号处理电路，根据所述电压来输出信号；
第一端子和第二端子这至少2个端子，能够与外部的元件连接；以及
布线，将所述第一端子与所述第二端子之间连接，能够流动比在通常工作时流动的电流大的电流，
在能够检测从所述布线产生的磁场的位置配置所述磁传感器元件。
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