KR20180100036A - 발광 구조체 - Google Patents

발광 구조체 Download PDF

Info

Publication number
KR20180100036A
KR20180100036A KR1020180095963A KR20180095963A KR20180100036A KR 20180100036 A KR20180100036 A KR 20180100036A KR 1020180095963 A KR1020180095963 A KR 1020180095963A KR 20180095963 A KR20180095963 A KR 20180095963A KR 20180100036 A KR20180100036 A KR 20180100036A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting unit
layer
electrical connection
emitting structure
Prior art date
Application number
KR1020180095963A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102023041B1 (ko
Inventor
치엔-후 센
차오-싱 첸
춘-카이 고
샹-징 혼
셍-지에 수
데-샨 쿠오
신-잉 왕
추-린 야오
치엔-푸 황
신-마오 리우
치엔-카이 청
Original Assignee
에피스타 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에피스타 코포레이션 filed Critical 에피스타 코포레이션
Publication of KR20180100036A publication Critical patent/KR20180100036A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102023041B1 publication Critical patent/KR102023041B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/387—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/385—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending at least partially onto a side surface of the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

서로 이격되어 있으며 인접한 제1 발광 유닛 및 제2 발광 유닛; 및 상기 제1 발광 유닛과 상기 제2 발광 유닛 상에 배치되어, 상기 제1 발광 유닛과 상기 제2 발광 유닛을 전기적으로 연결하는 전기적 커넥션을 포함하고, 상기 제1 발광 유닛은 제1 측면 및 제2 측면을 포함하고, 상기 제1 측면은 상기 제1 발광 유닛 및 상기 제2 발광 유닛 사이에 있고, 상기 제2 측면은 상기 제1 발광 유닛과 상기 제2 발광 유닛 사이에 있지 않고, 상기 제1 측면은 기울어져 있으며 상기 제2 측면보다 완만한, 구조체.

Description

발광 구조체{LIGHT-EMITTING STRUCTURE}
본 출원은, 2010년 9월 13일에 출원된 미국 가특허출원 제61/382,451호에 대해 우선권을 주장하는, 2011년 9월 13일에 출원된 발명의 명칭이 "LIGHT EMITTING STRUCTURE"인 미국 특허출원 제13/230,988호의 연속 출원이며, 그 내용은 그 전체로서 원용에 의해 본 명세서에 포함된다.
본 발명은 발광 구조체, 더 상세하게는 적어도 두 개의 발광 유닛을 가지는 발광 구조체와 발광 유닛을 연결하는 전기적 커넥션(connection)에 관한 것이다.
발광 다이오드 어레이는 수 개의 발광 다이오드가 직렬 또는 병렬로 전기적으로 연결되어 구성된다. 하나의 다이오드는 트렌치(trench) 또는 그루브(groove)에 의해 다른 다이오드로부터 전기적으로 분리되어 있다. 분리된 다이오드를 연결하기 위하여, 다이오드 사이의 트렌치를 메우기 위한 금속 선 또는 필름이 사용될 수 있다. 그러나, 이 금속 선 또는 필름은 트렌치의 높은 종횡비로 인하여 제조 공정에서 쉽게 손상될 수 있다.
본 발명의 일 구현예는, 서로 이격되어 있으며 인접한 제1 발광 유닛 및 제2 발광 유닛; 및 상기 제1 발광 유닛과 상기 제2 발광 유닛 상에 배치되어, 상기 제1 발광 유닛과 상기 제2 발광 유닛을 전기적으로 연결하는 전기적 커넥션을 포함하고, 상기 제1 발광 유닛은 제1 측면 및 제2 측면을 포함하고, 상기 제1 측면은 상기 제1 발광 유닛 및 상기 제2 발광 유닛 사이에 있고, 상기 제2 측면은 상기 제1 발광 유닛과 상기 제2 발광 유닛 사이에 있지 않고, 상기 제1 측면은 기울어져 있으며 상기 제2 측면보다 완만한, 발광 구조체를 개시한다.
본 발명의 또 다른 구현예는, 서로 이격되어 있으며 인접한 제1 발광 유닛 및 제2 발광 유닛 - 상기 제1 발광 유닛은 상기 제2 발광 유닛을 대향하는 계단형 측면을 포함함 - ; 상기 계단형 측면 상에 형성되어 있는 절연층; 및 상기 절연층 상이 형성되어 있으며, 상기 제1 발광 유닛과 상기 제2 발광 유닛을 전기적으로 연결하는 전기적 커넥션을 포함하는 발광 구조체를 개시한다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 두 개의 발광 구조체 유닛 사이의 연결을 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 발광 구조체 유닛의 상면도이다.
도 3은 본 발명의 일 구현예에 따른 트렌치(trench) 매립을 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 일 구현예에 따른 트렌치 위의 전기적 커넥션(connection)의 상면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 구현예에 따른 두 개의 발광 구조체 유닛 사이의 트렌치 위의 전기적 커넥션의 상면도이다.
도 6은 본 발명의 일 구현예에 따른 발광 구조체 유닛 사이의 상호 연결 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 구현예에 따른 수 개의 발광 구조체 유닛의 단면도; 및
도 8a 내지 8f는 본 발명의 일 구현예에 따른 발광 구조체 유닛의 형성 과정을 도시한 것이다.
도 9는 본 발명의 일 구현예에 따른 발광 구조체 유닛의 단면도이다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 두 개의 발광 구조체 유닛 사이의 연결을 나타내는 단면도이다. 각각의 좌측 발광 구조체 유닛(10A) 및 우측 발광 구조체 유닛(10B)은, 하층(11A, 11B), 상층(12A, 12B), 하층(11A, 11B)과 상층(12A, 12B) 사이의 발광 접합(13A, 13B), 및 전류 확산층(14A, 14B)을 포함하고, 이것들은 에피택셜 성장(epitaxial growth) 또는 금속 결합, 용융 결합, 및 접착제 결합과 같은 결합 방법에 의해 기판(도시되지 않음)상에 순차적으로 형성된다.
좌측 발광 구조체 유닛(10A) 및 우측 발광 구조체 유닛(10B)은 공통 기판 또는 별개의 기판에 의해 지지되고, 트렌치(trench)(15)에 의해 전기적으로 분리될 수 있다. 예를 들면, 발광 구조체 유닛 (10A) 및 (10B)는 일반적으로, 사파이어, GaAs, Si, 금속, 유리, 또는 PCB와 같은, 하나의 벌크 기판(bulk substrate)상에 형성될 수 있고; 또는 각각의 발광 구조체 유닛은 상술한 것과 같은 그것의 독립적인 벌크 기판상에 형성될 수 있으며, 한편 각각의 독립된 벌크 기판은 기계 장치, 유기 물질, 금속 물질, 또는 이들의 임의의 조합에 의해 함께 더 통합될 수 있다. 트렌치(15)는, 기판 또는 유닛들 사이의 임의의 층에 도달하거나, 삽입되거나, 관통하도록 형성된다. 트렌치(15)는 적어도 하나의 둥글린 에지(rounded edge) 및/또는 적어도 하나의 모따기한 에지(chamfered edge)의 단면 윤곽을 가진다. 둥글린 에지 및/또는 모따기한 에지는 하나의 층 또는 수 개의 층 위에 형성될 수 있다. 예를 들면, 도면에 나타난 바와 같이, 둥글린 에지(R) 및/또는 모따기한 에지는 하층(11A) 및/또는 하층(11B) 위에 형성될 수도 있다. 그러나, 둥글린 에지 및/또는 모따기한 에지는 또한 상층 및 하층 모두 위에 형성될 수 있다. 둥글린 에지는 바람직하게는 1㎛ 이상의 반지름 (R)을 가진다. 모따기한 에지는 동일하거나 상이한 두 개의 베벨(bevel) 길이 (Lbevel)를 가질 수 있다.
또한, 트렌치의 측벽은 하층의 바닥면에 대하여 80 도를 초과하여 기울어져 있다. 예를 들면, 측벽과 하층의 바닥면 사이의 각 θ는, 도면에 나타난 바와 같이, 80 °, 70 °, 60 °, 50 °, 또는 40 °보다 작다. 각 θ는 또한 80 ° 내지 70 °, 70 ° 내지 60 °, 및 60 ° 내지 40 °와 같은 특정한 범위 이내이다. 또한, 트렌치는 유사한 각 또는 상이한 각으로 기울어진 측벽을 가질 수 있다. 예를 들면, 하나의 측벽은 50 ° 내지 40 °의 각으로 기울어져 있고; 다른 측벽은 60 ° 내지 50 °의 각으로 기울어져 있다. 하나 이상의 측벽이 기울어져 있다면, 트렌치는 높이, 장변, 및 장변에 평행한 단변을 가지는 사다리꼴의 단면을 가진다. 상기 높이는 하층의 두께 또는 상층 및 하층의 총 두께에 근사하다. 예를 들면, 높이는 1 ㎛ 내지 10 ㎛ 사이이고; 장변은 3 ㎛ 내지 10 ㎛의 길이를 가지며; 단변은 1 ㎛ 내지 40 ㎛의 길이를 가지고; 장변과 단변의 비는 3:1 과 1.5:1 사이이다. 구체적으로, 높이는 4 ㎛ 내지 9 ㎛ 사이이고; 장변은 5 ㎛ 내지 40 ㎛ 사이이며; 단변은 2.5 ㎛ 내지 20 ㎛ 사이이다.
유닛들 사이에 전기적인 통로를 만들기 위하여, 전기적 커넥션(connection)(18)은 트렌치(15)를 교락(bridge)하고, 같은 유닛에 속하지 않는, 하층(11A), 하층(11B), 상층(12A), 및 상층(12B) 중 임의의 두 개의 층을 전기적으로 연결한다. 예를 들면, 유닛은 하층(11A) 및 상층(12B), 또는 상층(12A) 및 하층(11B)를 교락하여 직렬 연결로 서로 결합될 수 있고; 유닛은 상층(12A) 및 상층(12B)를 교락하여 병렬 연결로 결합될 수 있다.
전기적 커넥션(18)이 의도하지 않게 다른 층과 접촉하는 것을 방지하기 위하여, 트렌치(15) 및, 하층(11A) 및/또는 하층(11B)의 측벽(들), 트렌치(15)의 에지(edge)(들), 상층(12A) 및/또는 상층(12B)의 측벽(들), 상층(12A) 및/또는 상층(12B)의 상면(들), 및/또는 전류 확산층(14A) 및/또는 전류 확산층(14B)의 바닥면(들)과 같은 트렌치 개구 근처의 일부 영역 위에 분리층(16)도 제공될 수 있다. 선택적으로, 분리층(17)이 분리층(16)과 전기적 커넥션(18) 사이에 추가로 제공될 수 있다. 분리층(17)은, 분리층(16)과 전기적 커넥션(18) 사이의 빈 공간을 채우기 위하여, 분리층(16) 위의 간극(void)을 채우기 위하여, 분리층(16)의 외부 표면을 평탄하게 하기 위하여, 트렌치(15)를 채우기 위하여, 전기적 커넥션(18)을 놓기 위한 평면을 형성하기 위하여, 분리층(16)에 의해 가려지지 않는 영역(들)을 덮기 위하여, ESD 방지를 향상시키기 위하여, 및/또는 전기적 커넥션(18)을 지지하기 위하여 사용될 수 있다.
분리층(16)은 예각인 에지를 가질 수 있고; 따라서 분리층(16) 위에 놓인 층은 분리층(16)의 에지 위의 드롭(drop)을 평탄하게 덮을 수 있다. 에지의 경사는 드롭(drop) 위의 층에 집중된 스트레스를 완화할 수 있다. 예각은 90 °, 80 °, 70 °, 60 °, 또는 50 °보다 작을 수 있다. 분리층(16)뿐 아니라, 분리층(17) 또한 예각인 에지를 가질 수 있다.
또한, 전기적 커넥션(18)을 산화, 부식, 및/또는 손상으로부터 보호하기 위해, 전기적 커넥션(18) 위에 패시베이션(passivation)(19)이 형성될 수 있다. 패시베이션(19)은 전기적 커넥션(18)의 외부 표면(들)뿐 아니라 외부 표면(들)을 넘어선 영역까지 덮을 수 있다. 구체적으로, 패시베이션(19)은 분리층(17), 전류 확산층(14A), 전류 확산층(14B), 상층(12A), 상층(12B), 하층(11A), 및/또는 하층(11B)의 임의의 표면 위에 추가로 형성될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 발광 구조체 유닛의 상면도를 도시한 것이다. 도면에서, 네 개의 직사각형의 발광 구조체 유닛 1, 2, 3, 4가 2x2 배열로 배치되어 있으며; 그러나, 발광 구조체 유닛의 형태, 숫자, 및 배치는 예시에 불과하고 본 발명의 응용과 변형은 제한되지 않는다.
발광 구조체 유닛 1, 2, 3, 4는 트렌치(15)에 의해 좌우로 나뉘어진다. 전기적 커넥션(18)은 하나의 발광 구조체 유닛(예를 들면, 유닛 3)으로부터 다른 발광 구조체 유닛(예를 들면, 유닛 4)까지 트렌치(15)를 교락할 수 있고, 직렬 또는 병렬 연결로서 두 개의 유닛을 결합할 수 있다. 단면 AA'에서 나타난 바와 같이, 전기적 커넥션(18)이 형성되어 있지 않은 트렌치(15)(예를 들면, 유닛 1과 유닛 4 사이)는 더 경사진 측벽을 가지고, 따라서, 트렌치(15) 부근에 더 큰 부피의 발광 구조체 유닛이 존재한다. 대조적으로, 단면 BB'에서 나타난 바와 같이, 전기적 커넥션(18)이 형성된 트렌치(15)(예를 들면, 유닛 3과 유닛 4 사이)는 단면 AA'에서의 측벽과 비교하여 덜 경사진 측벽을 가진다. 일 구현예에서, 발광 구조체 유닛의 일부가 사다리 모양, 및/또는 기울어진 측벽을 가지는 트렌치를 형성하기 위해 제거된다. 다시 말해서, 트렌치는 역-사다리꼴 또는 유사-역-사다리꼴 단면 윤곽을 가진다. 예를 들면, 트렌치를 형성하기 위한 방법은 습식 식각, 건식 식각, 레이저 가공, 다이아몬드 절단과 이들의 임의의 조합에서 선택될 수 있다. 일반적으로, 측벽이 더 경사질수록, 가공 시간이 더 짧아진다.
또한, (도 2에 도시된 바와 같이) 전체 길이 트렌치 Lfull 또는 부분 길이 트렌치 Lpartial 중 어느 하나에 덜 경사진 측벽이 형성될 수 있다. 여기에서 전체 길이 트렌치 Lfull은 발광 구조체 유닛의 너비와 근사한 길이를 가지는 트렌치로 정의되고; 부분 길이 트렌치 Lpartial은 발광 구조체 유닛의 너비보다 작은 길이를 가지는 트렌치로 정의된다. 예를 들면, Lpartial은 10㎛ 내지 100 ㎛ 사이이고; 발광 구조체 유닛의 너비는 100 ㎛ 내지 1000 ㎛ 사이이며; Lpartial과 발광 구조체 유닛의 너비의 비는 1:2 내지 1:10 사이이다. 또한, 전기적 커넥션(18)은, 도 5에 나타난 바와 같이, 상기 전기적 커넥션(18)으로부터 멀리 떨어진 위치로부터 전류가 들어오거나 흘러나가는 회로 망(current network)(20)과 추가적으로 연결될 수 있다.
도 3은 트렌치의 매립을 도시한 것이다. 단계 (1)에서는, 분리층(21)과 하부의 전기적 커넥션(22a)이 두 개의 발광 구조체 유닛 (24), (25) 사이에 형성된 트렌치(23)에 순차적으로 제공된다. 분리층(21)은 발광 구조체 유닛 (24), (25)와의 접촉으로부터 하부의 전기적 커넥션(22a)을 분리할 수 있다. 하부의 전기적 커넥션(22a)은 두 개의 발광 구조체 유닛 (24), (25)를 전기적으로 연결할 수 있다. 하부의 전기적 커넥션(22a)은 증착법 및 식각 공정에 의해 형성될 수 있다. 트렌치(23)는 테이퍼형(tapered) 단면을 가지기 때문에, 따라서 하부의 전기적 커넥션(22a)의 기울어진 부분은 대개 그것의 평평한 부분보다 얇고, 이후의 공정에서 쉽게 손상될 수 있다. 하부의 전기적 커넥션(22a)의 기울어진 부분을 보강하기 위해, 상부의 전기적 커넥션(22b)이 하부의 전기적 커넥션(22a) 위에 추가적으로 제공된다. 상부의 전기적 커넥션(22b)은, 단계 (2)에 나타난 바와 같이, 바람직하게는 기울어진 부분의 상부 또는 트렌치(23) 내부에 제공된다.
도 4는 본 발명의 일 구현예에 따른 두 개의 발광 구조체 유닛 사이의 트렌치 위의 전기적 커넥션의 상면도이다. 전기적 커넥션(250)은 트렌치(23) 위의 교락 부분(250a)과 두 개의 결합 부분(250b)을 가진다. 각각의 두 개의 결합 부분(250b)은 각각의 두 개의 발광 구조체 유닛(26) 위에 있는 양극 또는 음극에 전기적으로 연결되어 있다. 교락 부분(250a)은 BB 단면을 가지고; 결합 부분(250b)은 AA 단면을 가진다. BB 단면은 AA 단면보다 넓은 폭을 가지지만, 두 개의 단면은 단면적 당 일정하거나 고른 전기적 흐름을 달성하기 위해 동일하거나 근사한 면적을 가질 수 있다. 예를 들면, 교락 부분(250a)은 5 ㎛ 내지 50 ㎛의 너비를 가지고; 결합 부분(250b)은 3 ㎛ 내지 15 ㎛의 너비를 가지며, 두 부분 모두 8 ㎛에 근사한 두께를 가진다. 그러나, 두 개의 단면은 또한 사용자의 요구사항 또는 실질적인 제조 공정에 따라 상이한 면적을 가질 수도 있다. 교락 부분(250a)은 기본적인 전기적 커넥션 제조 공정이 완료된 후에 구성될 수 있다. 예를 들면, 기울어진 측벽을 가지는 트렌치(23) 위의 전기적 커넥션(250)은 트렌치와 발광 구조체 유닛(26)의 특정 영역 위에 금속을 증착하여 먼저 형성된다. 그러나 트렌치(23)의 기울어진 측벽 위에 증착된 금속은 대개 발광 구조체 유닛(26) 위에 증착된 금속보다 얇고, 따라서 두 개의 발광 구조체 유닛을 교락하는 증착된 금속은 다양한 단면적을 가진다. 트렌치(23) 위의 금속의 부피 또는 단면적을 증가시키기 위해, 추가-증착 공정이 얇게 증착된 금속 영역 위에 추가적으로 적용되어, 상술한 바와 같은 교락 부분(250a)을 형성한다. 또한, 트렌치(23) 위의 전기적 커넥션(250)의 부피 또는 단면적은, 하나 이상의 보충물을 얇은 전기적 커넥션 부분 위에 결합하는 방법, 및 다른 물질(들)을 증착하는 방법과 같은 다른 방법에 의해 증가될 수 있다. 상기 보충물은 금속 및 세라믹(ceramic)과 같은 것이다. 또한, 두꺼운 전기적 커넥션 부분은 트렌치(23) 위의 부분과 비슷한 정도로 얇아질 수도 있다.
도 5는 본 발명의 다른 구현예에 따른 두 개의 발광 구조체 유닛 사이의 트렌치(23) 위의 전기적 커넥션(250)의 상면도이다. 각각의 발광 구조체 유닛(26)은 하층(27)과 하층(27)보다 작은 면적을 가지는 상층(28)을 포함한다. 하층(27)은 상층(28)을 둘러싸는 메사(mesa) 영역(29)을 가진다. 발광 구조체 유닛(26)은 상층(28) 내부 또는 상층(28)과 하층(27) 사이에 위치한 발광층으로부터 빛을 방출할 수 있다. 발광층이 상층(28) 내부에 위치한다면, 상층(28)은 p-형 반도체층과 n-형 반도체층 및 그 사이에, 협지된(sandwiched) 발광층을 포함할 수 있고; 하층(27)은 상층(28)을 지지하는 캐리어(carrier)를 포함할 수 있다. 상층(28)은 하층(27) 위에 에피택셜 방식으로 성장될 수 있고, 또는 접착제 결합, 금속 결합, 용융 결합, 또는 공융 결합에 의하여 하층(27)과 통합될 수 있다. 발광층이 상층(28)과 하층(27) 사이에 위치한다면, 상층(28) 또는 하층(27) 중 어느 하나는 p-형 반도체층을 포함할 수 있고, 다른 하나는 n-형 반도체층을 포함할 수 있다.
발광 구조체 유닛으로부터 다른 발광 구조체 유닛으로의 전류 통로를 만들기 위하여, 전기적 커넥션(250)이 두 개의 발광 구조체 유닛(26) 위에 제공된다. 도면에 나타난 바와 같이, 전기적 커넥션(250)의 일단은 상층(28) 위에 설치되고, 타단은 하층(27) 위에 설치된다. 그러나, 전기적 커넥션(250)의 양단은 또한 두 개의 상층(28) 또는 두 개의 하층(27) 위에 설치될 수 있다. 전기적 커넥션(250)은 금속, 반도체, 금속 산화물, 또는 이들의 임의의 조합에 의하여 구성될 수 있다. 전기적 커넥션(250)를 형성하기 위해, 금속보다 높은 투명성을 가지는, 금속 산화물이 사용된다면, 그로 인해 더 적은 새는(escaping) 빛 영역이 전기적 커넥션(250)에 의해 차단된다. 금속 산화물은 ITO, IZO, 및 CTO와 같은 것이다.
도 6은 본 발명의 일 구현예에 따른 발광 구조체 유닛 사이의 상호 연결 단면도이다. 각각의 발광 구조체 유닛(26)은 상층(28) 및 에피택셜 성장 및/또는 결합 방법에 의하여 공통 기판(30) 위에 형성된 하층(27)을 포함한다. 결합 방법은 금속 결합, 공융 결합, 접착제 결합, 및 용융 결합을 포함하나 이들에 제한되지는 않는다. 발광 존(zone)(31)은 상층(28) 및 하층(27)에 의해 협지되어 있다. 발광 존(31)은 바이어스 전압(bias voltage)이 상층(28) 및 하층(27)에 가해지는 경우 빛을 발생시킬 수 있다. 발광 존(31)에서 나온 빛은 등방성으로 방사된다.
두 개의 발광 구조체 유닛(26)은 트렌치(23)에 의해 분리된다. 두 개의 발광 구조체 유닛(26)이 직렬 연결로 결합된다면, 분리층(21)은 전기적 커넥션(250)이 하나의 발광 구조체 유닛(26)의 상층(28)과 다른 발광 구조체 유닛(26)의 하층(27)과 닿게 하기 위하여 트렌치(23) 위에 형성된다. 이 구현예에서, 상면뿐 아니라 하층(27)의 측벽의 일부도 노출시키기 위하여 분리층(21)이 형성된다. 하층(27)의 측벽의 노출은 전기적 커넥션(250)과 하층(27) 사이의 접촉 면적을 증가시킬 수 있고, 따라서 전류 밀도는 감소할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 구현예에 따른 수 개의 발광 구조체 유닛의 단면도를 도시한 것이다. 수 개의 발광 구조체 유닛(26)은 기판(30)에 의해 지지된다. 두 개의 인접한 발광 구조체 유닛(26)은 트렌치(23)에 의해 분리된다. 본 구현예에서, 트렌치(23)는 사다리꼴-모양이고 좁은 상부의 개구와 넓은 바닥을 가진다. 따라서 트렌치(23)에 인접한 발광 구조체 유닛(26)은, 도면에 나타난 바와 같이, 90 °보다 큰 각도의 언더컷(undercut) 측벽을 가진다. 다시 말해서, 발광 구조체 유닛(26)은 역 사다리꼴 모양을 가진다. 발광 구조체 유닛(26)이 역 사다리꼴의 중간 부분, 중앙 부분, 또는 상단 부분으로부터 빛을 방출할 수 있다면, 후방으로 진행하는 빛은 언더컷 측벽에 의하여 유닛(26)으로부터 떠날(leave) 수 있다. 사다리꼴-모양의 트렌치는 과식각 공정을 사용하여 형성될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 발광 구조체 유닛은 적어도 제1 도전층(예를 들면, 상층), 변환 유닛(예를 들면, 발광 존), 및 제2 도전층(예를 들면, 하층)을 포함할 수 있다. 각각의 제1 도전층 및 제2 도전층은 단일층 또는 1군의 다중층("다중층"은 2개 이상의 층을 의미한다)을 가지고, 두 개의 단일층 또는 2군의 다중층은, 각각 제1 및 제2 도전층 위에 위치하고, 별개의 극성 또는 별개의 도펀트(dopant)를 가진다. 예를 들면, 제1 도전층은 p-형 반도체층이고; 제2 도전층은 n-형 반도체층이다. 제1 도전층과 제2 도전층 사이에 배치된 변환 유닛은 빛 에너지와 전기 에너지가 전이되거나 전이가 유도될 수 있었던 지역이다. 전기 에너지가 빛 에너지로 전이될 수 있는 것으로서 발광 다이오드, 액정 디스플레이, 및 유기 발광 다이오드가 있다. 빛 에너지가 전기 에너지로 전이될 수 있는 것으로서 태양 전지, 및 광전자 다이오드가 있다.
발광 다이오드의 전이된 빛 방출 스펙트럼은 발광 다이오드에서 하나 이상의 층의 물리적 또는 화학적 배치를 변화시킴으로써 제어될 수 있다. 발광 다이오드는 알루미늄 갈륨 인듐 인(AlGaInP) 계열, 질화 알루미늄 갈륨 인듐(AlGaInN) 계열, 및/또는 산화 아연(ZnO) 계열 등의 수 개의 재료로 구성될 수 있다. 전환 유닛은 단일 이종구조(SH), 이중 이종구조(DH), 양면 이중 이종구조(DDH), 또는 다중 양자 우물(MWQ) 구조로 형성될 수 있다. 또한, 방출하는 빛의 파장은 양자 우물 쌍의 수를 변화시킴으로써 제어될 수 있었다.
발광 구조체 유닛(들)의 성장 또는 지지를 위해 사용되는 기판(들)의 재료로서 게르마늄(Ge), 비소화 갈륨(GaAs), 인듐 인(InP), 사파이어, 탄화 규소(SiC), 실리콘(Si), 산화 리튬 알루미늄(LiAlO2), 산화 아연(ZnO), 질화 갈륨(GaN), 질화 알루미늄(AlN), 유리, 복합체, 다이아몬드, CVD 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소(DLC) 및 이들의 임의의 조합을 포함하나 이들에 제한되지는 않는다.
도 8a 내지 8f는 본 발명의 다른 구현예에 따른 발광 구조체 유닛(들), 또는 더 구체적으로 발광 다이오드 구조체를, 형성하는 방법을 도시한 것이다. 도 8a을 참조하면, 먼저, 기판(41)이 제공된다. 기판(41)의 재료는 실리콘, 탄화 실리콘, 사파이어, 비소, 인, 산화 아연, 및 산화 마그네슘이 될 수 있다. 그 후, 기판(41)상에 제1 도전율의 에피택시층인 제1 반도체층(42), 활성층(43), 및 제2 도전율의 에피택시층인 제2 반도체층(44)이 형성된다. 제1 반도체층(42) 및 제2 반도체층(44)의 재료로서 인듐-함유 질화물 반도체, 알루미늄-함유 질화물 반도체, 및 갈륨-함유 질화물 반도체를 포함하나 이들에 제한되지는 않는다. 활성층(43)의 재료로서 질화 인듐 갈륨, 인듐 갈륨 알루미늄 인, 질화 알루미늄 갈륨, 비소화 알루미늄 갈륨, 및 비소화 인듐 갈륨을 포함하나 이들에 제한되지는 않는다.
도 8b 내지 8d를 참조하면, 다단계의 패터닝(patterning) 공정이 수행된다. 먼저, 제2 반도체층(44)의 제1 영역이, 사진 식각(photolithography) 및 식각 기술에 의해 제2 반도체층(44)의 안에 오목부(45)를 가지도록, 형성(define)된다. 그 후, 도 8c에 나타난 바와 같이, 제1 반도체층(42)의 표면이 노출될 때까지 제2 반도체층(44)의 일부와 활성층(43)의 일부를 식각하기 위해 2차 식각 공정이 수행된다. 마지막으로, 도 8d에서 나타난 바와 같이, 사진 식각 및 식각 기술을 통해 그 사이에 트렌치(46)을 형성함으로써 제1 반도체층(42)을 나누기 위해 3차 패터닝 공정이 수행된다. 다단계의 패터닝 공정 후에, 발광 다이오드 구조는 도 8d에 나타난 바와 같이 계단형 측벽 윤곽으로 나누어진다.
도 8e를 참조하면, 인접한 발광 다이오드 구조의 계단형 측벽을 덮기 위해 두 개의 나뉘어진 발광 다이오드 구조(40) 사이에 절연층(47)이 추가로 형성된다. 이 때, 절연층(47)은 질화 실리콘, 산화 실리콘, 산화 알루미늄, 및 이들의 조합과 같은 유전 물질로 만들어진다. 그 후, 도 8f에 나타난 바와 같이, 좌측 발광 다이오드 구조의 제1 반도체층(42)과 우측 발광 다이오드 구조의 제2 반도체층(43)을 직렬로 전기적으로 연결하기 위해 도전성 구조체(48)가 절연층(47) 위에 형성된다. 또한, 제1 전극(49a) 및 제2 전극(49b)도 도전성 구조체(48)가 형성되는 동안 동일한 단계 또는 상이한 단계에서 형성될 수 있다.
상기 언급된 패터닝 공정에 더하여, 그레이톤 마스크(gray-tone mask) 또는 하프톤 마스크(half-tone mask)를 사용하여 계단형 측벽 또한 형성될 수 있다. 단일 마스크에 존재하는 상이한 개구율을 이용하여, 단일 단계의 노출을 통해 계단형 측벽 윤곽이 형성될 수 있다.
도 9를 참조하면, 계단형 측벽 구조로 인하여, (화살표로 표시된 바와 같이) 빛은 상이한 각도로 발광 다이오드의 측벽으로 나갈 수 있기 때문에, 상이한 각도로 들어오는 빛은 더 쉽게 추출될 수 있고, 따라서 발광 다이오드 구조의 광 추출 능력이 더 향상될 수 있었다. 또한, 계단형 측벽의 경사는 완만하기 때문에, 발광 다이오드 위의 절연층 및 도전성 구조체의 커버리지 윤곽(coverage profile)은 더 균일할 수 있다.

Claims (18)

  1. 발광 구조체로서,
    서로 이격되어 있으며 인접한 제1 발광 유닛 및 제2 발광 유닛 - 상기 제1 발광 유닛과 상기 제2 발광 유닛은 각각 제1 측면 및 제2 측면을 포함하고, 제1 측면들은 상기 제1 발광 유닛과 상기 제2 발광 유닛 사이에 있으며 서로 마주보고, 제2 측면들은 상기 제1 발광 유닛과 상기 제2 발광 유닛 사이에 있지 않고, 제1 측면들은 기울어져 있으며 제2 측면들보다 완만함 -; 및
    상기 제1 발광 유닛의 제1 측면과 상기 제2 발광 유닛의 제1 측면 상에 배치되어, 상기 제1 발광 유닛과 상기 제2 발광 유닛을 전기적으로 연결하는 전기적 커넥션
    을 포함하는, 발광 구조체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 발광 유닛은 바닥면을 포함하고, 상기 제1 발광 유닛의 제1 측면과 상기 바닥면 사이의 각도는 80°보다 작은, 발광 구조체.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 발광 유닛은 위에서 볼 때 직사각형 형상을 가지며 4개의 에지(edge)를 가지고,
    상기 제1 발광 유닛의 제1 측면과 상기 제1 발광 유닛의 제2 측면은 상이한 에지에 배치되어 있는, 발광 구조체.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 발광 유닛과 상기 제2 발광 유닛이 형성되어 있는 기판
    을 더 포함하고,
    상기 기판은 상기 제1 발광 유닛을 대향하는(facing) 상면을 포함하고, 상기 제1 발광 유닛의 제1 측면과 상기 제1 발광 유닛의 제2 측면은 상기 상면에 연결되어 있는, 발광 구조체.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 발광 유닛의 제1 측면과 상기 전기적 커넥션 사이의 절연층을 더 포함하는 발광 구조체.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 발광 유닛의 제2 측면에는 배치된 전기적 커넥션이 없는, 발광 구조체.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 발광 유닛은 하층과 상기 하층의 영역보다 작은 영역을 가지는 상층을 포함하고, 상기 하층은 위에서 볼 때 상기 상층을 둘러싸는 메사(mesa) 영역을 포함하는, 발광 구조체.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 전기적 커넥션은 상기 메사 영역 상에 배치되어 있는, 발광 구조체.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 발광 유닛의 제1 측면은 계단형 측면이고, 상기 계단형 측면은 적어도 2개의 계단을 포함하며, 각 계단은 단면도에서 볼 때 서로 평행하지 않은 2개의 서브-면을 포함하는, 발광 구조체.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 계단형 측면은 광 추출면인, 발광 구조체.
  11. 제9항에 있어서,
    각 계단의 2개의 서브-면 중 하나의 서브-면은 볼록한 곡면으로 형성된, 발광 구조체.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 제1 발광 유닛과 상기 제2 발광 유닛은 각각, 제1 반도체층과 상기 제1 반도체층 상의 제2 반도체층을 포함하고,
    상기 제1 발광 유닛의 제2 반도체층은, 상기 제1 반도체층의 반대편에 있는 최상단면(topmost surface)을 포함하고,
    상기 전기적 커넥션은 상기 최상단면 상에 형성되어 있는, 발광 구조체.
  13. 발광 구조체로서,
    서로 이격되어 있으며 인접한 제1 발광 유닛 및 제2 발광 유닛; 및
    상기 제1 발광 유닛과 상기 제2 발광 유닛 상에 배치되어, 상기 제1 발광 유닛과 상기 제2 발광 유닛을 전기적으로 연결하는 전기적 커넥션
    을 포함하고,
    상기 제1 발광 유닛은 제1 측면 및 제2 측면을 포함하고,
    상기 제1 측면은 상기 제1 발광 유닛과 상기 제2 발광 유닛 사이에 있으며, 상기 제2 측면은 상기 제1 발광 유닛과 상기 제2 발광 유닛 사이에 있지 않고,
    상기 제1 측면은 기울어져 있으며 상기 제2 측면보다 완만하며,
    상기 전기적 커넥션은,
    상기 제1 측면을 덮는 교락(bridge) 부분; 및
    상기 교락 부분으로부터 연장하여 상기 제1 발광 유닛과 상기 제2 발광 유닛 상에 형성되는 결합 부분을 포함하고,
    상기 교락 부분은 상기 결합 부분보다 넓은,
    발광 구조체.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 측면과 상기 전기적 커넥션 사이에 형성된 절연층을 더 포함하고,
    상기 절연층은 예각인 에지를 포함하는, 발광 구조체.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 발광 유닛 상에 형성되고 상기 절연층의 일부를 덮는 전류 확산층을 더 포함하는, 발광 구조체.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 교락 부분은 상기 결합 부분 보다 더 작은 두께를 가지는, 발광 구조체.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 제2 측면에는 배치된 전기적 커넥션이 없는, 발광 구조체.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 제1 발광 유닛은 4개의 에지(edge)를 가진 직사각형 형상을 가지고,
    상기 제1 측면과 상기 제2 측면은 2개의 상이한 에지에 배치되어 있는, 발광 구조체.
KR1020180095963A 2010-09-13 2018-08-17 발광 구조체 KR102023041B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US38245110P 2010-09-13 2010-09-13
US61/382,451 2010-09-13

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170044623A Division KR20170041672A (ko) 2010-09-13 2017-04-06 발광 구조체

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180100036A true KR20180100036A (ko) 2018-09-06
KR102023041B1 KR102023041B1 (ko) 2019-09-19

Family

ID=45805780

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110092185A KR101650518B1 (ko) 2010-09-13 2011-09-09 발광 구조체
KR1020160049526A KR101741035B1 (ko) 2010-09-13 2016-04-22 발광 구조체
KR1020160104313A KR101727089B1 (ko) 2010-09-13 2016-08-17 발광 구조체
KR1020170044623A KR20170041672A (ko) 2010-09-13 2017-04-06 발광 구조체
KR1020180095963A KR102023041B1 (ko) 2010-09-13 2018-08-17 발광 구조체

Family Applications Before (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110092185A KR101650518B1 (ko) 2010-09-13 2011-09-09 발광 구조체
KR1020160049526A KR101741035B1 (ko) 2010-09-13 2016-04-22 발광 구조체
KR1020160104313A KR101727089B1 (ko) 2010-09-13 2016-08-17 발광 구조체
KR1020170044623A KR20170041672A (ko) 2010-09-13 2017-04-06 발광 구조체

Country Status (4)

Country Link
US (6) US9196605B2 (ko)
KR (5) KR101650518B1 (ko)
CN (3) CN105552069B (ko)
TW (2) TWI453908B (ko)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101650518B1 (ko) * 2010-09-13 2016-08-23 에피스타 코포레이션 발광 구조체
KR20130109319A (ko) * 2012-03-27 2013-10-08 삼성전자주식회사 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치
FR2992465B1 (fr) * 2012-06-22 2015-03-20 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication collective de leds et structure pour la fabrication collective de leds
TWI618268B (zh) * 2012-12-07 2018-03-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
KR102071035B1 (ko) * 2012-12-21 2020-01-29 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
US9093627B2 (en) 2012-12-21 2015-07-28 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same
US9356212B2 (en) * 2012-12-21 2016-05-31 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same
KR20140140399A (ko) * 2013-05-29 2014-12-09 서울바이오시스 주식회사 복수개의 발광 요소들을 갖는 발광다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR102194805B1 (ko) * 2013-07-22 2020-12-28 엘지이노텍 주식회사 발광소자
US9673254B2 (en) 2013-07-22 2017-06-06 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
US20150034996A1 (en) * 2013-08-01 2015-02-05 Epistar Corporation Light-emitting device
TW201511332A (zh) * 2013-09-04 2015-03-16 Lextar Electronics Corp 發光二極體及其製造方法
KR20150121306A (ko) * 2014-04-18 2015-10-29 포항공과대학교 산학협력단 질화물 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
CN104091867B (zh) * 2014-07-25 2017-07-14 厦门市三安光电科技有限公司 高压发光二极管芯片及其制作方法
JP6584799B2 (ja) * 2015-03-16 2019-10-02 アルパッド株式会社 半導体発光素子
US10236413B2 (en) 2015-04-20 2019-03-19 Epistar Corporation Light-emitting device and manufacturing method thereof
US10069037B2 (en) 2015-04-20 2018-09-04 Epistar Corporation Light-emitting device and manufacturing method thereof
CN110491897B (zh) * 2015-04-22 2021-04-13 新世纪光电股份有限公司 发光元件及其制造方法
TWI569471B (zh) * 2015-05-25 2017-02-01 隆達電子股份有限公司 半導體發光結構及其製造方法
KR102409964B1 (ko) * 2015-08-04 2022-06-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 제조방법
TWI678009B (zh) * 2018-06-22 2019-11-21 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製作方法
US11282984B2 (en) * 2018-10-05 2022-03-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device
US11088308B2 (en) * 2019-02-25 2021-08-10 Tdk Corporation Junction structure
US11101418B1 (en) 2019-09-10 2021-08-24 Facebook Technologies, Llc Spacer for self-aligned mesa
TWI779242B (zh) 2019-10-28 2022-10-01 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體裝置
CN110993509B (zh) * 2019-11-27 2021-07-13 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种微型发光二极管显示背板的制造方法
CN110911437A (zh) * 2019-12-06 2020-03-24 业成科技（成都）有限公司 微发光二极管驱动背板和显示面板
US11923398B2 (en) 2019-12-23 2024-03-05 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays
US11404473B2 (en) 2019-12-23 2022-08-02 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays
US11164995B2 (en) * 2020-02-20 2021-11-02 Facebook Technologies, Llc 3-D structure for increasing contact surface area for LEDs
US11631786B2 (en) 2020-11-12 2023-04-18 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays with etch stop layer
CN114038974A (zh) * 2021-10-26 2022-02-11 天津三安光电有限公司 高压发光二极管和发光装置
CN114122228A (zh) * 2022-01-26 2022-03-01 泉州三安半导体科技有限公司 一种半导体发光元件及显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006080441A (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
KR100679449B1 (ko) * 2005-03-16 2007-02-07 서울옵토디바이스주식회사 반도체 소자 및 반도체 제조 방법
KR100690323B1 (ko) * 2006-03-08 2007-03-12 서울옵토디바이스주식회사 배선들을 갖는 교류용 발광 다이오드 및 그것을 제조하는방법
KR20070062731A (ko) * 2005-12-13 2007-06-18 서울옵토디바이스주식회사 다수개의 발광 셀이 어레이된 발광 소자
US20100059768A1 (en) * 2008-09-11 2010-03-11 Ghulam Hasnain Series Connected Segmented LED

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5075253A (en) * 1989-04-12 1991-12-24 Advanced Micro Devices, Inc. Method of coplanar integration of semiconductor IC devices
US6864570B2 (en) * 1993-12-17 2005-03-08 The Regents Of The University Of California Method and apparatus for fabricating self-assembling microstructures
JPH0846279A (ja) * 1994-07-26 1996-02-16 Mitsubishi Electric Corp アレイ型半導体レーザ装置
JP3654745B2 (ja) 1997-07-28 2005-06-02 沖電気工業株式会社 半導体発光装置
US6633120B2 (en) * 1998-11-19 2003-10-14 Unisplay S.A. LED lamps
US6547249B2 (en) * 2001-03-29 2003-04-15 Lumileds Lighting U.S., Llc Monolithic series/parallel led arrays formed on highly resistive substrates
US6784105B1 (en) * 2003-04-09 2004-08-31 Infineon Technologies North America Corp. Simultaneous native oxide removal and metal neutral deposition method
JP4632697B2 (ja) * 2004-06-18 2011-02-16 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR100862453B1 (ko) * 2004-11-23 2008-10-08 삼성전기주식회사 ＧａＮ 계 화합물 반도체 발광소자
JP2006179511A (ja) * 2004-12-20 2006-07-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
DE112006002927B4 (de) * 2006-01-09 2010-06-02 Seoul Opto Device Co. Ltd., Ansan Licht emittierende Diode mit ITO-Schicht und Verfahren zur Herstellung einer solchen
JP4656525B2 (ja) * 2006-04-24 2011-03-23 株式会社沖データ 半導体装置、ｌｅｄヘッド及び画像形成装置
KR101115535B1 (ko) * 2006-06-30 2012-03-08 서울옵토디바이스주식회사 확장된 금속 반사층을 갖는 플립 본딩형 발광다이오드 및그 제조방법
KR20080002161U (ko) 2006-12-21 2008-06-25 한국 고덴시 주식회사 반도체패키지용 레이져마킹장치
TWI481019B (zh) * 2006-12-26 2015-04-11 Seoul Viosys Co Ltd 具有將各發光單元彼此隔離的隔離絕緣層的發光元件以及其製造方法
CN101276871B (zh) * 2007-03-29 2012-08-29 晶元光电股份有限公司 光电元件、背光模块装置和照明装置
CN100592539C (zh) * 2007-09-12 2010-02-24 泰谷光电科技股份有限公司 发光二极管元件的制造方法
JP5125433B2 (ja) * 2007-11-09 2013-01-23 サンケン電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
CN101685842B (zh) * 2008-09-25 2012-12-05 晶元光电股份有限公司 光电半导体装置
JP5017239B2 (ja) * 2008-11-14 2012-09-05 サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド． 発光装置及びその製造方法
KR101557362B1 (ko) * 2008-12-31 2015-10-08 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
CN101783378B (zh) * 2009-01-20 2011-11-02 晶元光电股份有限公司 具有图形化表面的发光元件
CN101515621B (zh) * 2009-02-19 2011-03-30 旭丽电子(广州)有限公司 发光二极管芯片、制法及封装方法
TWI466266B (zh) * 2009-02-24 2014-12-21 Epistar Corp 陣列式發光元件及其裝置
TWI396017B (zh) * 2009-02-24 2013-05-11 Epistar Corp 具有陣列式發光元件之顯示裝置
TWI527261B (zh) * 2009-09-11 2016-03-21 晶元光電股份有限公司 發光元件
US8483433B1 (en) 2009-09-17 2013-07-09 Lockheed Martin Corporation Detection of faint perturbations of interest using statistical models of image texture
WO2011126248A2 (en) * 2010-04-06 2011-10-13 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same
KR101650518B1 (ko) * 2010-09-13 2016-08-23 에피스타 코포레이션 발광 구조체
US9093627B2 (en) 2012-12-21 2015-07-28 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006080441A (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
KR100679449B1 (ko) * 2005-03-16 2007-02-07 서울옵토디바이스주식회사 반도체 소자 및 반도체 제조 방법
KR20070062731A (ko) * 2005-12-13 2007-06-18 서울옵토디바이스주식회사 다수개의 발광 셀이 어레이된 발광 소자
KR100690323B1 (ko) * 2006-03-08 2007-03-12 서울옵토디바이스주식회사 배선들을 갖는 교류용 발광 다이오드 및 그것을 제조하는방법
US20100059768A1 (en) * 2008-09-11 2010-03-11 Ghulam Hasnain Series Connected Segmented LED

Also Published As

Publication number Publication date
TWI532161B (zh) 2016-05-01
CN102403330B (zh) 2016-04-06
KR20170041672A (ko) 2017-04-17
CN105552069B (zh) 2019-02-15
CN110085576A (zh) 2019-08-02
US20120061694A1 (en) 2012-03-15
US10062730B2 (en) 2018-08-28
TWI453908B (zh) 2014-09-21
US20210183942A1 (en) 2021-06-17
US20190035846A1 (en) 2019-01-31
KR20160052494A (ko) 2016-05-12
KR20120028273A (ko) 2012-03-22
US9406719B2 (en) 2016-08-02
CN105552069A (zh) 2016-05-04
US20230187473A1 (en) 2023-06-15
KR102023041B1 (ko) 2019-09-19
KR101741035B1 (ko) 2017-05-29
KR101727089B1 (ko) 2017-04-14
US11594573B2 (en) 2023-02-28
KR101650518B1 (ko) 2016-08-23
KR20160100897A (ko) 2016-08-24
US9196605B2 (en) 2015-11-24
TW201448191A (zh) 2014-12-16
US10950652B2 (en) 2021-03-16
US20160307961A1 (en) 2016-10-20
CN102403330A (zh) 2012-04-04
TW201214690A (en) 2012-04-01
US20160049442A1 (en) 2016-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102023041B1 (ko) 발광 구조체
KR101017394B1 (ko) 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
US8877562B2 (en) Method of manufacturing light-emitting device
KR101115535B1 (ko) 확장된 금속 반사층을 갖는 플립 본딩형 발광다이오드 및그 제조방법
US10490598B2 (en) Light-emitting structure having a plurality of light-emitting structure units
US20150129915A1 (en) Light-emitting diode provided with substrate having pattern on rear side thereof, and method for manufacturing same
KR101106139B1 (ko) 확장된 금속 반사층을 갖는 플립 본딩형 발광다이오드 및 그 제조방법
CN110010734B (zh) 紫外半导体发光器件
KR101625132B1 (ko) 비극성 기판을 채택한 발광 다이오드
TW201725660A (zh) 發光元件及其製造方法
KR20140140399A (ko) 복수개의 발광 요소들을 갖는 발광다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR20120048331A (ko) 발광 다이오드 칩 및 그 제조 방법
TWI398018B (zh) 一種製造發光元件陣列之方法
KR102666539B1 (ko) 자외선 반도체 발광소자
KR20130037625A (ko) 발광다이오드 및 그의 제조방법
CN115394887A (zh) 发光元件及其制作方法
JP2022516285A (ja) 両面発光ｌｅｄチップ
KR20210104119A (ko) Pn 접합을 가지는 광전 소자
KR20110085727A (ko) 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)