KR20180075697A - Method for forming solder resist pattern - Google Patents

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무네토시 이리사와
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Abstract

접속 패드를 갖는 회로 기판의 표면에 솔더 레지스트층을 형성하는 공정, 알칼리 수용액에 의해 솔더 레지스트층의 두께가 접속 패드의 두께 이하가 될 때까지 박막화하는 공정을 이 순서대로 포함하는 것을 특징으로 하고, 서로 인접하는 반도체 접속용 접속 패드 사이의 땜납에 의한 전기적인 단락이 없고, 접속 패드 상에 솔더 레지스트 잔류물을 남기지 않는 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법이다.A step of forming a solder resist layer on a surface of a circuit board having a connection pad, and a step of thinning the solder resist layer until the thickness of the solder resist layer becomes equal to or less than the thickness of the connection pad by an alkaline aqueous solution. There is no electrical short circuit due to solder between adjacent semiconductor connection pads and the solder resist pattern is not left on the connection pads.

Description

솔더 레지스트 패턴의 형성 방법{METHOD FOR FORMING SOLDER RESIST PATTERN}METHOD FOR FORMING SOLDER RESIST PATTERN [0002]

솔더 레지스트 패턴의 형성 방법에 관한 것이다.And a method of forming a solder resist pattern.

각종 전기 기기 내부의 회로 기판에 있어서의 솔더 레지스트 패턴은, 납땜이 불필요한 배선 패턴에 땜납이 부착되지 않도록 하기 위해, 납땜하는 부분 이외의 부분 전체면에 피복 형성되고, 또 도체의 산화 방지, 전기 절연 및 외부 환경으로부터의 보호라는 역할을 하고 있다.The solder resist pattern on the circuit board inside the electric apparatuses is formed so as to cover the entire surface except for the portion to be soldered in order to prevent the solder from adhering to the wiring pattern which does not require brazing, And protection from the external environment.

회로 기판 상에 반도체 칩 등의 전자 부품을 탑재한 반도체 패키지에 있어서, 플립 칩 접속에 의한 탑재는 고속화, 고밀도화를 실현하는 데에 있어서 유효한 수단이다. 플립 칩 접속에서는 회로 기판의 도체 배선의 일부를 플립 칩 접속용 접속 패드로 하고, 예를 들어 이 접속 패드 상에 배치 형성한 땜납 범프와 반도체 칩의 전극 단자를 접합한다.In a semiconductor package in which an electronic component such as a semiconductor chip is mounted on a circuit board, mounting by flip chip bonding is an effective means for achieving high speed and high density. In the flip chip connection, a part of the conductor wiring of the circuit board is used as a connection pad for flip chip connection, for example, solder bumps arranged on the connection pads and the electrode terminals of the semiconductor chip are bonded.

도 1 ∼ 도 5 는, 회로 기판 상의 납땜하는 부분 (예를 들어, 접속 패드) 이외를 솔더 레지스트층으로 덮은 솔더 레지스트 패턴의 개략 단면 구조도이다. 도 1 은, Solder Mask Defined (SMD) 구조의 개략 단면 구조도로서, 솔더 레지스트층 (3) 의 개구부가 접속 패드 (6) 보다 작은 것을 특징으로 하고 있다. 도 2 ∼ 도 5 는, Non Solder Mask Defined (NSMD) 구조의 개략 단면 구조도로서, 솔더 레지스트층 (3) 의 개구부가 접속 패드 (6) 이상인 것을 특징으로 하고 있다.Figs. 1 to 5 are schematic cross-sectional structural diagrams of a solder resist pattern covered with a solder resist layer other than a soldering portion (for example, a connection pad) on a circuit board. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a structure of a solder mask defined (SMD) structure in which an opening of a solder resist layer 3 is smaller than a connection pad 6. FIG. FIGS. 2 to 5 are schematic cross-sectional structural views of a Non-Solder Mask Defined (NSMD) structure, wherein the openings of the solder resist layer 3 are not less than the connection pads 6.

솔더 레지스트 패턴을 형성하는 방법으로는, 포토리소그래피 방식이 일반적으로 알려져 있다. 포토리소그래피 방식에서는, 절연성 기판 (1) 상에 접속 패드 (6) 와 도체 배선 (2) 을 갖는 회로 기판 상에 솔더 레지스트층 (3) 을 형성한 후, 노광, 현상함으로써, 접속 패드 (6) 주변의 솔더 레지스트층 (3) 을 완전히 제거하여 개구부를 형성한다. 이 포토리소그래피 방식으로는 지금까지 도 1, 도 2 및 도 3 의 구조밖에 제작할 수 없었다.As a method of forming a solder resist pattern, a photolithography method is generally known. In the photolithography method, the solder resist layer 3 is formed on the circuit board having the connection pads 6 and the conductor wirings 2 on the insulating substrate 1, The peripheral solder resist layer 3 is completely removed to form an opening. This photolithography method has heretofore been impossible to fabricate only the structures shown in Figs. 1, 2, and 3.

도 2 와 같이, 접속 패드 (6) 사이에 솔더 레지스트층이 전혀 존재하지 않는 경우, 접속 패드 사이가 협피치화되면, 납땜에 앞서 실시되는 무전해 니켈/금 도금시에 접속 패드 사이에서 도금의 단락 (短絡) 이 발생한다. 접속 패드 (6) 사이에 솔더 레지스트층 (3) 이 존재하는 경우라도, 도 1 및 도 3 과 같이 솔더 레지스트층 (3) 이 두꺼운 경우에는, 그것들이 장해가 되어 전자 부품을 올바르게 탑재할 수 없다는 문제가 생긴다. 또, 최근의 전자 기기의 소형화, 다기능화에 수반하여, 접속 패드 사이가 50 ㎛ 미만이 되면, 도 1 및 도 3 의 구조를 포토리소그래피 방식으로 제작하는 것은, 노광의 위치 어긋남의 점에서 매우 곤란하였다. 이러한 이유에서, 도 4 및 도 5 와 같이 접속 패드 (6) 사이의 솔더 레지스트층 (3) 의 두께가 접속 패드 (6) 의 두께 이하인 구조가 요구되고 있다.If there is no solder resist layer between the connection pads 6 as shown in Fig. 2, if the pitch between the connection pads is narrowed, a plating short circuit occurs between the connection pads during electroless nickel / (Short-circuit) occurs. Even when the solder resist layer 3 exists between the connection pads 6, when the solder resist layer 3 is thick as shown in Figs. 1 and 3, they are damaged and the electronic parts can not be mounted correctly There is a problem. In addition, with the recent miniaturization and multifunctionalization of electronic apparatuses, when the distance between the connection pads is less than 50 占 퐉, it is very difficult to manufacture the structures of Figs. 1 and 3 by photolithography in terms of positional shift of exposure Respectively. For this reason, a structure in which the thickness of the solder resist layer 3 between the connection pads 6 is equal to or less than the thickness of the connection pads 6 as shown in Figs. 4 and 5 is required.

도 4 의 구조는, 웨트 블라스트법에 의해 슬릿상의 개구를 갖는 솔더 레지스트 패턴이 형성되어 있고, 복수 나란히 형성된 접속 패드 (6) 를 노출시킴과 함께, 슬릿상의 개구 내에 노출된 서로 인접하는 접속 패드 (6) 사이에 접속 패드 (6) 와 동일한 높이의 솔더 레지스트층 (3) 이 충전되어 있는 구조이다. 이 구조는, 절연성 기판 (1) 상에 접속 패드 (6) 와 도체 배선 (2) 을 갖는 회로 기판 상에 솔더 레지스트층 (3) 을 도공한 후, 자외선 경화, 가열 경화를 실시한 솔더 레지스트층 (3) 상에 웨트 블라스트용 마스크를 형성하기 위한 수지층을 형성한 후, 노광, 현상함으로써, 패턴상의 웨트 블라스트용 마스크를 형성하고, 이어서 웨트 블라스트를 실시함으로써 솔더 레지스트층에 슬릿상의 개구를 형성하고, 웨트 블라스트용 마스크를 제거함으로써 형성되고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).4, a solder resist pattern having slit-shaped openings is formed by a wet blast method, and a plurality of connection pads 6 formed side by side are exposed, and the connection pads 6 adjacent to each other exposed in the slit- 6 are filled with a solder resist layer 3 having the same height as that of the connection pads 6. This structure is obtained by coating a solder resist layer 3 on a circuit board having a connection pad 6 and a conductor wiring 2 on an insulating substrate 1 and then forming a solder resist layer 3, a wet-blast mask for a pattern is formed, followed by wet blasting to form openings on the slit-like layer in the solder resist layer , And removing the wet blast mask (see, for example, Patent Document 1).

또, 접속 패드와 접속 패드보다 높이가 낮은 도체 배선을 갖는 회로 기판에 대하여, 접속 패드가 노출되고, 도체 배선은 솔더 레지스트층에 의해 덮여 있으며, 접속 패드 사이에 접속 패드와 동일한 높이의 솔더 레지스트층이 충전되어 있는 구조도 개시되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 2 참조). 이 구조는, 접속 패드와 접속 패드보다 높이가 낮은 도체 배선을 갖는 회로 기판 상에 솔더 레지스트층을 도공한 후, 접속 패드의 상면이 노출될 때까지 연마함으로써 형성되고 있다. 연마 방법으로는, 기계적 연마 방법이나 레이저 스크라이브법이 채용 가능하다고 되어 있다.The connection pads are exposed to the circuit board having the conductor wirings lower than the connection pads and the connection pads. The conductor wirings are covered with the solder resist layer. A solder resist layer (See, for example, Patent Document 2). This structure is formed by coating a solder resist layer on a circuit board having conductor wirings having a height lower than that of the connection pads and the connection pads, and then polishing the upper surface of the connection pads until they are exposed. As a polishing method, a mechanical polishing method or a laser scribing method can be employed.

도 5 의 구조에서는, 접속 패드 (6) 사이에 솔더 레지스트층 (3) 이 존재하고 있지만, 접속 패드 (6) 의 외주면이 노출되어 있다. 도 5 의 구조는, 접속 패드 (6) 전체를 무전해 니켈 도금하여 니켈층으로 피복하고, 도체 배선 상에 솔더 레지스트층 (3) 을 도공한 후, 자외선 경화, 가열 경화를 실시하고, 솔더 레지스트층 (3) 을 블라스트 연마함으로써 니켈층의 상면을 노출시키고, 그 후에 니켈층을 에칭에 의해 제거함으로써 형성되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 3 참조).5, the solder resist layer 3 exists between the connection pads 6, but the outer peripheral surface of the connection pad 6 is exposed. 5, the entire connection pad 6 is coated with electroless nickel and covered with a nickel layer, the solder resist layer 3 is coated on the conductor wiring, and then the wiring is subjected to ultraviolet curing and heat curing, The layer 3 is subjected to blast polishing to expose the upper surface of the nickel layer, and then the nickel layer is removed by etching (see, for example, Patent Document 3).

특허문헌 1 ∼ 3 의 방법에서는, 솔더 레지스트층의 개구부를 형성하기 위해, 웨트 블라스트, 기계적 연마 등의 연마 방법을 사용하고 있는데, 이 방법으로는 면내의 연마량을 균일하게 하기가 어렵고, 나아가 접속 패드 상에 솔더 레지스트층의 잔류물을 남기지 않고 그 상면을 완전히 노출시키는 정밀도가 높은 가공은 매우 곤란하였다. 또, 솔더 레지스트층과 접속 패드의 높이를 동일하게 하는 것은 용이하지만, 솔더 레지스트층의 높이를 접속 패드보다 낮게 하려고 하면, 연마 처리에서는 접속 패드를 포함한 다른 부분에 스크래치가 생기거나, 결손이 생긴다는 문제가 발생하는 경우가 있었다.In the methods of Patent Documents 1 to 3, a polishing method such as wet blast, mechanical polishing, or the like is used to form the openings of the solder resist layer. However, this method makes it difficult to uniformly grind the surface, It is very difficult to perform a highly accurate process of completely exposing the upper surface of the solder resist layer without leaving any residue on the pad. It is easy to make the height of the solder resist layer and the connection pad the same, but if it is tried to make the height of the solder resist layer lower than that of the connection pad, scratches or other defects occur in other parts including the connection pad in the polishing process Sometimes there was a problem.

솔더 레지스트층을 제거하는 방법으로서, 레이저 조사에 의해 불필요한 솔더 레지스트를 분해시키는 방법도 있지만, 공정이 번잡하고, 생산성이 떨어지는 등의 문제가 있었다 (예를 들어, 특허문헌 2 및 4 참조).As a method of removing the solder resist layer, there is a method of decomposing an unnecessary solder resist by laser irradiation. However, there is a problem that the process is troublesome and productivity is low (see, for example, Patent Documents 2 and 4).

일본 공개특허공보 2008-300691호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2008-300691 일본 공개특허공보 2006-344664호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2006-344664 일본 공개특허공보 2009-253118호JP-A-2009-253118 일본 공개특허공보 2010-034414호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2010-034414

본 발명의 과제는, 서로 인접하는 반도체 접속용 접속 패드 사이의 땜납에 의한 전기적인 단락이 없고, 접속 패드 상에 솔더 레지스트 잔류물을 남기지 않는 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법을 제공하는 것이다.A problem to be solved by the present invention is to provide a method of forming a solder resist pattern which does not cause electrical short circuit by solder between adjacent semiconductor connection pads and does not leave solder resist residues on the connection pads.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 하기 발명에 의해 상기 과제를 해결할 수 있음을 알아내었다.Means for Solving the Problems As a result of intensive studies for solving the above problems, the present inventors have found that the above problems can be solved by the following invention.

(1) (A1) 접속 패드를 갖는 회로 기판의 표면에 솔더 레지스트층을 형성하는 공정,(1) a step of (A1) forming a solder resist layer on a surface of a circuit board having a connection pad,

(B1) 알칼리 수용액에 의해 솔더 레지스트층의 두께가 접속 패드의 두께 이하가 될 때까지 박막화하는 공정(B1) a step of thinning the solder resist layer until the thickness of the solder resist layer becomes equal to or less than the thickness of the connection pad by an aqueous alkali solution

을 이 순서대로 포함하는 것을 특징으로 하는 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.Wherein the solder resist pattern is formed on the substrate.

(2) (A2) 접속 패드와 도체 배선을 갖는 회로 기판의 표면에 솔더 레지스트층을 형성하는 공정,(2) (A2) a step of forming a solder resist layer on a surface of a circuit board having a connection pad and conductor wiring,

(C) 솔더 레지스트층의 두께가 접속 패드의 두께 이하가 될 때까지 박막화되는 영역 이외의 부분을 노광하는 공정,(C) a step of exposing a portion other than the region to be thinned until the thickness of the solder resist layer becomes equal to or less than the thickness of the connection pad,

(B2) 알칼리 수용액에 의해 비노광부의 솔더 레지스트층의 두께가 접속 패드의 두께 이하가 될 때까지 솔더 레지스트층을 박막화하는 공정(B2) a step of making the solder resist layer thinner until the thickness of the solder resist layer of the non-visible portion becomes less than or equal to the thickness of the connection pad by an aqueous alkali solution

을 포함하는 것을 특징으로 하는 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.And forming a solder resist pattern on the substrate.

(3) (A2) 공정과 (C) 공정 사이에,(3) Between the step (A2) and the step (C)

(D) 알칼리 수용액에 의해 솔더 레지스트층 전체면을 박막화하는 공정(D) a step of thinning the entire surface of the solder resist layer with an aqueous alkali solution

을 포함하는 (2) 에 기재된 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.(2). ≪ / RTI >

(4) (A3) 접속 패드와 접속 패드보다 높이가 낮은 도체 배선을 갖는 회로 기판의 표면에 솔더 레지스트층을 형성하는 공정,(4) a step of (A3) forming a solder resist layer on a surface of a circuit board having a conductor wiring having a height lower than that of the connection pads and the connection pads,

(B3) 알칼리 수용액에 의해 솔더 레지스트층의 두께가 접속 패드의 두께 이하이며, 도체 배선의 두께보다 두꺼워질 때까지 박막화하는 공정(B3) a step of thinning the solder resist layer until the thickness of the solder resist layer is equal to or less than the thickness of the connection pad and becomes thicker than the thickness of the conductor wiring by an aqueous alkali solution

을 이 순서대로 포함하는 것을 특징으로 하는 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.Wherein the solder resist pattern is formed on the substrate.

(5) 알칼리 수용액이 무기 알칼리성 화합물을 함유하여 이루어지는 수용액이며, 그 무기 알칼리성 화합물의 함유량이 3 ∼ 25 질량% 인 (1) ∼ (4) 중 어느 하나에 기재된 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.(5) The method for forming a solder resist pattern according to any one of (1) to (4), wherein the aqueous alkaline solution contains an inorganic alkaline compound and the content of the inorganic alkaline compound is 3 to 25 mass%.

(6) 무기 알칼리성 화합물이 알칼리 금속 탄산염, 알칼리 금속 인산염, 알칼리 금속 수산화물, 알칼리 금속 규산염에서 선택되는 적어도 어느 1 종인 (5) 에 기재된 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.(6) The method for forming a solder resist pattern according to (5), wherein the inorganic alkaline compound is at least one selected from an alkali metal carbonate, an alkali metal phosphate, an alkali metal hydroxide, and an alkali metal silicate.

(7) 무기 알칼리성 화합물이 알칼리 금속 규산염인 (5) 에 기재된 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.(7) The method for forming a solder resist pattern according to (5), wherein the inorganic alkaline compound is an alkali metal silicate.

(8) 알칼리 금속 규산염이 메타규산나트륨인 (7) 에 기재된 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.(8) The method for forming a solder resist pattern according to (7), wherein the alkali metal silicate is sodium metasilicate.

(9) 무기 알칼리성 화합물이 알칼리 금속 인산염인 (5) 에 기재된 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.(9) The method for forming a solder resist pattern according to (5), wherein the inorganic alkaline compound is an alkali metal phosphate.

(10) 알칼리 금속 인산염이 인산삼나트륨, 인산삼칼륨에서 선택되는 적어도 1 종인 (9) 에 기재된 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.(10) The method for forming a solder resist pattern according to (9), wherein the alkali metal phosphate is at least one selected from trisodium phosphate and tripotassium phosphate.

(11) 무기 알칼리성 화합물이 탄산칼륨인 (5) 에 기재된 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.(11) The method for forming a solder resist pattern according to (5), wherein the inorganic alkaline compound is potassium carbonate.

(12) 알칼리 수용액이 유기 알칼리성 화합물을 함유하여 이루어지는 수용액인 (1) ∼ (4) 중 어느 하나에 기재된 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.(12) The method for forming a solder resist pattern according to any one of (1) to (4), wherein the alkaline aqueous solution contains an organic alkaline compound.

(13) 유기 알칼리성 화합물의 함유량이 5 ∼ 25 질량% 인 (12) 에 기재된 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.(13) The method for forming a solder resist pattern according to (12), wherein the content of the organic alkaline compound is 5 to 25 mass%.

(14) 알칼리 수용액의 pH 가 12.5 이상인 (1) ∼ (13) 중 어느 하나에 기재된 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.(14) The method for forming a solder resist pattern according to any one of (1) to (13), wherein the alkaline aqueous solution has a pH of 12.5 or more.

(15) 알칼리 수용액에 의해 솔더 레지스트층을 박막화하는 공정 후에,(15) After the step of thinning the solder resist layer with an aqueous alkali solution,

(E) 알칼리성 화합물을 함유하고, 그 알칼리성 화합물의 함유량이 알칼리 수용액보다 적고, pH 5.0 ∼ 10.0, 온도 22 ∼ 50 ℃ 의 수용액으로 처리하는 공정(E) a step of treating with an aqueous solution containing an alkaline compound, the content of the alkaline compound being less than that of the alkali aqueous solution, and having a pH of 5.0 to 10.0 and a temperature of 22 to 50 ° C

을 포함하는 (1) ∼ (14) 중 어느 하나에 기재된 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.The solder resist pattern forming method according to any one of (1) to (14)

(16) 알칼리 수용액에 의해 솔더 레지스트층을 박막화하는 공정이 침지 처리에 의한 (1) ∼ (15) 중 어느 하나에 기재된 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.(16) A method of forming a solder resist layer by thinning an alkali aqueous solution according to any one of (1) to (15), wherein the solder resist layer is subjected to an immersion treatment.

본 발명에 있어서의 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법 (1) ∼ (4) 중 어느 방법에 의해, 서로 인접하는 반도체 접속용의 접속 패드 사이의 땜납에 의한 전기적인 단락이 없고, 접속 패드 상에 솔더 레지스트 잔류물을 남기지 않는다는 효과를 달성할 수 있다.In the method (1) to (4) of forming the solder resist pattern according to the present invention, there is no electrical short circuit due to the solder between the adjacent connection pads for semiconductor connection, The effect of not leaving residues can be achieved.

도 1 은 솔더 레지스트 패턴의 개략 단면 구조도.
도 2 는 솔더 레지스트 패턴의 개략 단면 구조도.
도 3 은 솔더 레지스트 패턴의 개략 단면 구조도.
도 4 는 솔더 레지스트 패턴의 개략 단면 구조도.
도 5 는 솔더 레지스트 패턴의 개략 단면 구조도.
도 6 은 본 발명의 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법 (1) 의 일례를 나타내는 단면 공정도.
도 7 은 본 발명의 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법 (2) 의 일례를 나타내는 단면 공정도.
도 8 은 본 발명의 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법 (3) 의 일례를 나타내는 단면 공정도.
도 9 는 본 발명의 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법 (4) 의 일례를 나타내는 단면 공정도.
도 10 은 본 발명의 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법 (1) 에 의해 제작된 회로 기판의 접속 패드 근방의 개략을 나타내는 입체 설명도.
도 11 은 본 발명의 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법 (2) 에 의해 제작된 회로 기판의 접속 패드 근방의 개략을 나타내는 입체 설명도.
도 12 는 본 발명의 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법 (3) 에 의해 제작된 회로 기판의 접속 패드 근방의 개략을 나타내는 입체 설명도.
도 13 은 본 발명의 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법 (4) 에 의해 제작된 회로 기판의 접속 패드 근방의 개략을 나타내는 입체 설명도.
도 14 는 본 발명의 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법 (4) 에 의해 제작된 회로 기판의 접속 패드 근방의 개략을 나타내는 입체 설명도.
도 15 는 종래 기술에 의해 제작된 회로 기판의 접속 패드 근방의 개략을 나타내는 입체 설명도.
도 16 은 종래 기술에 의해 제작된 회로 기판의 접속 패드 근방의 개략을 나타내는 입체 설명도.
1 is a schematic cross-sectional structural view of a solder resist pattern.
2 is a schematic cross-sectional structural view of a solder resist pattern.
3 is a schematic cross-sectional structural view of a solder resist pattern.
4 is a schematic sectional structural view of a solder resist pattern.
5 is a schematic cross-sectional structural view of a solder resist pattern.
6 is a cross-sectional process diagram showing an example of a method (1) of forming a solder resist pattern of the present invention.
7 is a cross-sectional process diagram showing an example of a method (2) for forming a solder resist pattern of the present invention.
8 is a cross-sectional process diagram showing an example of a method (3) of forming a solder resist pattern of the present invention.
9 is a cross-sectional process diagram showing an example of a solder resist pattern forming method (4) of the present invention.
10 is a three-dimensional explanatory view schematically showing a vicinity of a connection pad of a circuit board manufactured by the method (1) for forming a solder resist pattern of the present invention.
11 is a three-dimensional explanatory view schematically showing the vicinity of a connection pad of a circuit board manufactured by the method (2) for forming a solder resist pattern of the present invention.
12 is a three-dimensional explanatory view schematically showing a vicinity of a connection pad of a circuit board manufactured by the method (3) for forming a solder resist pattern of the present invention.
13 is a three-dimensional explanatory view schematically showing the vicinity of a connection pad of a circuit board manufactured by the method (4) of forming a solder resist pattern of the present invention.
14 is a three-dimensional explanatory view schematically showing the vicinity of a connection pad of a circuit board manufactured by the method (4) for forming a solder resist pattern of the present invention.
Fig. 15 is a three-dimensional explanatory view schematically showing a vicinity of a connection pad of a circuit board manufactured by a conventional technique; Fig.
16 is a three-dimensional explanatory view schematically showing a vicinity of a connection pad of a circuit board manufactured by a conventional technique.

이하, 본 발명의 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the method of forming the solder resist pattern of the present invention will be described in detail.

도 6 은, 본 발명의 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법 (1) 의 일례를 나타내는 단면 공정도이다. 절연성 기판 (1) 상에 접속 패드 (6) 가 형성된 회로 기판을 준비한다. 접속 패드 (6) 의 형성에는 서브 트랙티브법, 세미 애디티브법, 애디티브법 등을 이용하면 된다. 공정 (A1) 에서는, 기판 전체면을 덮도록 하여 솔더 레지스트층 (3) 을 형성한다. 공정 (B1) 에서는, 알칼리 수용액에 의해 솔더 레지스트층 (3) 을 박막화한다. 도 10 은, 본 발명의 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법 (1) 에 의해 제작된 회로 기판의 접속 패드 근방의 개략을 나타내는 입체 설명도로서, 접속 패드 (6) 가 솔더 레지스트층 (3) 으로부터 노출된 형상의 레지스트 패턴이 형성되어 있다. 또한, 본 발명에 있어서의 솔더 레지스트층 (3) 의 두께란, 절연성 기판 (1) 의 표면을 기점으로 하여 솔더 레지스트층 표면까지의 두께를 측정한 값이다.6 is a cross-sectional process drawing showing an example of a solder resist pattern forming method (1) of the present invention. A circuit board on which a connection pad 6 is formed on an insulating substrate 1 is prepared. The connection pad 6 may be formed by a subtractive method, a semi-additive method, an additive method, or the like. In the step (A1), the solder resist layer (3) is formed so as to cover the entire surface of the substrate. In the step (B1), the solder resist layer 3 is thinned by an aqueous alkali solution. 10 is a three-dimensional explanatory view schematically showing the vicinity of the connection pad of the circuit board manufactured by the method (1) for forming a solder resist pattern of the present invention. In this connection, the connection pad 6 is exposed from the solder resist layer 3 Shaped resist pattern is formed. The thickness of the solder resist layer 3 in the present invention is a value obtained by measuring the thickness to the surface of the solder resist layer from the surface of the insulating substrate 1 as a starting point.

도 7 은, 본 발명의 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법 (2) 의 일례를 나타내는 단면 공정도이다. 절연성 기판 (1) 상에 접속 패드 (6) 와 도체 배선 (2) 이 형성된 회로 기판을 준비한다. 공정 (A2) 에서는, 기판 전체면을 덮도록 하여 솔더 레지스트층 (3) 을 형성한다. 공정 (C) 에서는, 솔더 레지스트층의 두께가 접속 패드의 두께 이하가 될 때까지 박막화되는 영역 이외의 부분을 활성 광선 (5) 에 의해 노광한다. 도 7 에서는, 포토마스크 (4) 를 개재하여 노광하고 있지만, 직접 묘화 방식으로 실시해도 된다. 공정 (B2) 에서는, 알칼리 수용액에 의해 비노광부의 솔더 레지스트층 (3) 을 박막화한다. 도 11 은, 본 발명의 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법 (2) 에 의해 제작된 회로 기판의 접속 패드 근방의 개략을 나타내는 입체 설명도로서, 접속 패드 (6) 가 솔더 레지스트층 (3) 으로부터 노출된 형상의 솔더 레지스트 패턴이 형성되어 있다.7 is a cross-sectional process drawing showing an example of a solder resist pattern forming method (2) of the present invention. A circuit board on which a connection pad 6 and a conductor wiring 2 are formed on an insulating substrate 1 is prepared. In the step (A2), the solder resist layer (3) is formed so as to cover the entire surface of the substrate. In the step (C), a portion other than the region to be thinned is exposed by the actinic ray 5 until the thickness of the solder resist layer becomes less than the thickness of the connection pad. In Fig. 7, although the exposure is performed via the photomask 4, the exposure may be performed by a direct drawing method. In the step (B2), the solder resist layer (3) of the non-visible portion is made thin by an alkaline aqueous solution. 11 is a three-dimensional explanatory diagram schematically showing the vicinity of the connection pad of the circuit board manufactured by the method (2) for forming a solder resist pattern of the present invention. The connection pad 6 is exposed from the solder resist layer 3 Shaped solder resist pattern is formed.

도 8 은, 본 발명의 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법 (3) 의 일례를 나타내는 단면 공정도이다. 절연성 기판 (1) 상에 접속 패드 (6) 와 도체 배선 (2) 이 형성된 회로 기판을 준비한다. 공정 (A2) 에서는, 기판 전체면을 덮도록 하여 솔더 레지스트층 (3) 을 형성한다. 공정 (D) 에서는, 알칼리 수용액에 의해 접속 패드 (6) 의 두께보다 두꺼운 범위 내에서 솔더 레지스트층 (3) 을 원하는 두께까지 박막화한다. 솔더 레지스트층 (3) 을 원하는 두께까지 박막화한 후에 노광하기 때문에, 노광시의 광 산란이 경감되어 보다 고정밀한 패터닝이 가능해진다. 공정 (C) 에서는, 솔더 레지스트층의 두께가 접속 패드의 두께 이하가 될 때까지 박막화되는 영역 이외의 부분을 활성 광선 (5) 에 의해 노광한다. 공정 (B2) 에서는, 알칼리 수용액에 의해 비노광부의 솔더 레지스트층 (3) 을 박막화한다. 도 12 는, 본 발명의 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법 (3) 에 의해 제작된 회로 기판의 접속 패드 근방의 개략을 나타내는 입체 설명도로서, 도체 배선 (2) 은 솔더 레지스트층 (3) 으로 덮이고, 접속 패드 (6) 가 솔더 레지스트층 (3) 으로부터 노출된 형상의 솔더 레지스트 패턴이 형성되어 있다.8 is a cross-sectional process drawing showing an example of a solder resist pattern forming method (3) of the present invention. A circuit board on which a connection pad 6 and a conductor wiring 2 are formed on an insulating substrate 1 is prepared. In the step (A2), the solder resist layer (3) is formed so as to cover the entire surface of the substrate. In the step (D), the solder resist layer 3 is thinned to a desired thickness within a range that is thicker than the thickness of the connection pad 6 by an aqueous alkaline solution. Since the solder resist layer 3 is thinned to a desired thickness and then exposed, the light scattering at the time of exposure is reduced, and higher-precision patterning becomes possible. In the step (C), a portion other than the region to be thinned is exposed by the actinic ray 5 until the thickness of the solder resist layer becomes less than the thickness of the connection pad. In the step (B2), the solder resist layer (3) of the non-visible portion is made thin by an alkaline aqueous solution. 12 is a three-dimensional explanatory view schematically showing the neighborhood of the connection pad of the circuit board manufactured by the method (3) for forming a solder resist pattern of the present invention. The conductor wiring 2 is covered with the solder resist layer 3, A solder resist pattern in which the connection pad 6 is exposed from the solder resist layer 3 is formed.

도 9 는, 본 발명의 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법 (4) 의 일례를 나타내는 단면 공정도이다. 우선, 절연성 기판 (1) 상에 접속 패드 (6) 와 접속 패드 (6) 보다 높이가 낮은 도체 배선 (2) 이 형성된 회로 기판을 준비한다. 공정 (A3) 에서는, 기판 전체면을 덮도록 하여 솔더 레지스트층 (3) 을 형성한다. 공정 (B3) 에서는, 알칼리 수용액에 의해 솔더 레지스트층 (3) 의 두께가 접속 패드 (6) 의 두께 이하이며, 도체 배선 (2) 의 두께보다 두꺼워지는 지점까지 솔더 레지스트층 (3) 을 박막화한다. 도 13 및 도 14 는, 본 발명의 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법 (4) 에 의해 제작된 회로 기판의 접속 패드 근방의 개략을 나타내는 입체 설명도로서, 접속 패드 (6) 보다 높이가 낮은 도체 배선 (2) 은 솔더 레지스트층 (3) 으로 덮이고, 접속 패드 (6) 가 솔더 레지스트층 (3) 으로부터 노출된 형상의 솔더 레지스트 패턴이 형성되어 있다.9 is a cross-sectional process diagram showing an example of a solder resist pattern forming method (4) of the present invention. First, a circuit board on which a connection pad 6 and a conductor wiring 2 having a height lower than that of the connection pad 6 are formed on the insulating substrate 1 is prepared. In the step (A3), the solder resist layer (3) is formed so as to cover the entire surface of the substrate. In the step B3, the solder resist layer 3 is thinned to a point where the thickness of the solder resist layer 3 is equal to or less than the thickness of the connection pad 6 and becomes thicker than the thickness of the conductor wiring 2 by the alkali aqueous solution . 13 and 14 are three-dimensional explanatory views schematically showing the vicinity of the connection pads of the circuit board manufactured by the method (4) for forming a solder resist pattern of the present invention. The conductor wirings 2 are covered with the solder resist layer 3 so that the solder resist pattern in which the connection pad 6 is exposed from the solder resist layer 3 is formed.

본 발명에 있어서의 접속 패드를 갖는 회로 기판이란, 절연성 기판 상에 구리 등의 금속으로 이루어지는 반도체 칩 등의 전자 부품을 접속하기 위한 접속 패드가 형성된 회로 기판이다. 본 발명에 있어서의 기판 상에 접속 패드와 도체 배선을 갖는 회로 기판은, 절연성 기판 상에 구리 등의 금속으로 이루어지는 반도체 칩 등의 전자 부품을 접속하기 위한 접속 패드와 도체 배선이 형성된 회로 기판이다. 기판 상에 접속 패드나 도체 배선이 형성된 기판을 제작하는 방법은, 예를 들어 서브 트랙티브법, 세미 애디티브법, 애디티브법을 들 수 있다. 서브 트랙티브법에서는, 예를 들어 유리 기재 에폭시 수지에 동박을 입힌 동장 (銅張) 적층판에 스루홀이라 불리는 관통공을 뚫어, 관통공 내벽을 포함하는 표면에 전해 구리 도금 처리에 의해 도금 구리를 석출시킨다. 이어서, 회로부에 에칭 레지스트층을 형성하고, 에칭 처리에 의해 비회로부의 구리를 제거한다. 그 후, 회로부의 에칭 레지스트층을 제거하여 회로 기판이 제작된다. 또, 세미 애디티브법에서는, 예를 들어 유리 기재 에폭시 수지에 매우 얇은 동박을 입힌 동장 적층판에 스루홀을 뚫어, 관통공 내벽을 포함하는 표면에 무전해 구리 도금층을 형성한다. 이어서, 비회로부에 도금 레지스트층을 형성하고, 전해 구리 도금 처리에 의해 무전해 구리 도금층이 노출되는 부분의 표면에 전해 구리 도금층을 형성한다. 그 후, 비회로부의 도금 레지스트층을 제거하고, 도금 레지스트층 하부의 무전해 구리 도금층을 플래시 에칭 제거하여 회로 기판이 제작된다.The circuit board having the connection pad in the present invention is a circuit board on which a connection pad for connecting electronic components such as a semiconductor chip made of metal such as copper is formed on an insulating substrate. A circuit board having a connection pad and a conductor wiring on a substrate in the present invention is a circuit board on which a connection pad and a conductor wiring are formed for connecting electronic components such as a semiconductor chip made of metal such as copper onto an insulating substrate. Examples of a method for producing a substrate on which a connection pad or a conductor wiring is formed on a substrate include a subtractive method, a semi-additive method, and an additive method. In the subtractive method, for example, a through-hole called a through hole is drilled in a copper-clad laminated board coated with a copper foil on a glass-base epoxy resin, and plating copper on the surface including the through-hole inner wall by electrolytic copper plating Precipitation. Then, an etching resist layer is formed in the circuit portion, and copper in the non-circuit portion is removed by an etching process. Thereafter, the circuit board is manufactured by removing the etching resist layer of the circuit portion. Further, in the semi-additive method, for example, an electroless copper plating layer is formed on the surface including the inner wall of the through hole by punching a through hole in a copper clad laminate having a very thin copper foil on a glass base epoxy resin. Subsequently, a plating resist layer is formed on the non-circuit portion, and an electrolytic copper plating layer is formed on the surface of the portion where the electroless copper plating layer is exposed by the electrolytic copper plating treatment. Thereafter, the plating resist layer in the non-circuit portion is removed, and the electroless copper plating layer under the plating resist layer is removed by flash etching to produce a circuit board.

본 발명에 있어서의, 기판 상에 접속 패드와 접속 패드보다 높이가 낮은 도체 배선을 갖는 회로 기판은, 절연성 기판 상에 구리 등의 금속으로 이루어지는 반도체 칩 등의 전자 부품을 접속하기 위한 접속 패드와 접속 패드보다 높이가 낮은 도체 배선이 형성된 회로 기판이다. 기판 상에 접속 패드와 접속 패드보다 높이가 낮은 도체 배선을 갖는 기판을 제작하는 방법은, 예를 들어 세미 애디티브법, 애디티브법을 들 수 있다. 세미 애디티브법에서는, 예를 들어 유리 기재 에폭시 수지에 동박을 입힌 동장 적층판에 스루홀이라 불리는 관통공을 뚫어, 관통공 내벽을 포함하는 표면에 무전해 구리 도금층을 형성한다. 이어서, 비회로부에 도금 레지스트층을 형성하고, 전해 구리 도금 처리에 의해 무전해 구리 도금층이 노출되는 부분의 표면에 전해 구리 도금층 (접속 패드 전구체와 도체 배선) 을 형성한다. 계속해서, 접속 패드 전구체 부분이 노출되도록 도금 레지스트층을 재차 형성시키고, 전해 구리 도금 처리에 의해 노출된 접속 패드 전구체 부분의 표면에 전해 구리 도금층을 형성한다. 그 후, 도금 레지스트층을 제거하고, 도금 레지스트층 하부의 무전해 구리 도금층을 플래시 에칭 제거하여 회로 기판이 제작된다.The circuit board according to the present invention having the connection pads and the conductor wirings lower in height than the connection pads on the substrate is provided with a connection pad for connecting electronic components such as a semiconductor chip made of metal such as copper on an insulating substrate, And a conductor wiring having a height lower than that of the pad. Examples of a method for manufacturing a substrate having a conductor wiring on the substrate that is lower than the connection pads and the connection pads include a semi-additive method and an additive method. In the semi-additive method, for example, a copper-plated copper-plated layer is formed on the surface including the through-hole inner wall by drilling a through-hole called a through hole in a copper-clad laminate coated with a glass base epoxy resin. Subsequently, a plating resist layer is formed on the non-circuit portion, and an electrolytic copper plating layer (connection pad precursor and conductor wiring) is formed on the surface of the portion where the electroless copper plating layer is exposed by the electrolytic copper plating treatment. Subsequently, the plating resist layer is formed again so as to expose the connection pad precursor portion, and an electrolytic copper plating layer is formed on the surface of the connection pad precursor portion exposed by the electrolytic copper plating treatment. Thereafter, the plating resist layer is removed, and the electroless copper plating layer under the plating resist layer is subjected to flash etching to remove the circuit board.

회로 기판은 편면판, 양면판, 다층판 중 어느 것이어도 되며, 솔더 레지스트 패턴을 형성시킬 필요가 있는 것이면, 어떤 회로 기판에 대해서도 본 발명의 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법을 적용할 수 있다.The circuit board may be a single-sided board, a double-sided board or a multilayer board, and the solder resist pattern forming method of the present invention can be applied to any circuit board as long as it is necessary to form a solder resist pattern.

본 발명에 관련된 솔더 레지스트로는, 알칼리 수용액에 의해 솔더 레지스트층 표면을 용해 혹은 팽윤시켜 솔더 레지스트층을 제거할 수 있는 것이면 어떠한 것이라도 사용할 수 있다. 또, 1 액성, 2 액성, 어느 액상 레지스트여도 되며, 드라이 필름상 레지스트여도 된다. 솔더 레지스트는, 예를 들어 알칼리 가용성 수지, 다관능 아크릴 모노머, 광중합 개시제, 에폭시 수지, 무기 필러 등을 함유한다. 알칼리 가용성 수지로는, 광경화성과 열경화성의 양방의 특성을 갖는 알칼리 가용성 수지를 들 수 있으며, 예를 들어 노볼락형 에폭시 수지에 아크릴산을 부가시켜 에폭시아크릴레이트화한 수지의 2 급 수산기에 산 무수물을 부가시킨 수지를 들 수 있다. 다관능 아크릴 모노머로는, 예를 들어 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제로는, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온 등을 들 수 있다. 에폭시 수지는 경화제로서 사용된다. 알칼리 가용성 수지의 카르복실산과 반응시킴으로써 가교시켜 내열성이나 내약품성의 특성을 향상시킬 수 있는데, 카르복실산과 에폭시는 상온에서도 반응이 진행되기 때문에 보존 안정성이 나빠, 알칼리 현상형 솔더 레지스트는 일반적으로 사용 전에 혼합하는 2 액성의 형태를 취하고 있는 경우가 많다. 무기 필러로는, 예를 들어 탤크, 실리카, 황산바륨, 산화티탄, 산화아연 등을 들 수 있다.Any solder resist related to the present invention may be used as long as it can dissolve or swell the surface of the solder resist layer with an aqueous alkali solution to remove the solder resist layer. In addition, the resist may be a one-liquid, two-liquid, any liquid resist, or a dry film-based resist. The solder resist contains, for example, an alkali-soluble resin, a polyfunctional acrylic monomer, a photopolymerization initiator, an epoxy resin, an inorganic filler and the like. Examples of the alkali-soluble resin include alkali-soluble resins having both photocurable properties and thermosetting properties. For example, an acrylic acid is added to a novolak-type epoxy resin to form an epoxy acrylate, and an acid anhydride Is added. Examples of polyfunctional acrylic monomers include trimethylolpropane triacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, and pentaerythritol triacrylate. Examples of the photopolymerization initiator include 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropane-1-one. The epoxy resin is used as a curing agent. The reaction with the carboxylic acid of the alkali-soluble resin enables crosslinking to improve the properties of heat resistance and chemical resistance. Since the carboxylic acid and epoxy react even at room temperature, the storage stability is deteriorated. And often takes a form of a two-liquid mixture. Examples of the inorganic filler include talc, silica, barium sulfate, titanium oxide, and zinc oxide.

공정 (A1) 에서는, 접속 패드를 갖는 회로 기판의 표면에 솔더 레지스트층을 형성한다. 공정 (A2) 에서는, 접속 패드와 도체 배선을 갖는 회로 기판의 표면에 솔더 레지스트층을 형성한다. 공정 (A3) 에서는, 접속 패드와 접속 패드보다 높이가 낮은 도체 배선을 갖는 회로 기판의 표면에 솔더 레지스트층을 형성한다. 솔더 레지스트층의 형성에는, 예를 들어 액상 레지스트이면, 스크린 인쇄법, 롤 코트법, 스프레이법, 침지법, 커튼 코트법, 바 코트법, 에어 나이프법, 핫 멜트법, 그라비아 코트법, 솔칠법, 오프셋 인쇄법을 사용할 수 있다. 또, 드라이 필름 형상인 것이면, 라미네이트법이나 진공 라미네이트법이 사용된다.In step (A1), a solder resist layer is formed on the surface of a circuit board having a connection pad. In step (A2), a solder resist layer is formed on the surface of the circuit board having the connection pads and the conductor wiring. In the step (A3), the solder resist layer is formed on the surface of the circuit board having the conductor wirings lower than the connection pads and the connection pads. The formation of the solder resist layer may be carried out by any method known in the art such as screen printing, roll coating, spraying, dipping, curtain coating, bar coating, air knife coating, hot melt coating, gravure coating, , Offset printing method can be used. In the case of a dry film, a lamination method or a vacuum lamination method is used.

공정 (C) 에서는, 박막화되는 영역 이외의 부분의 솔더 레지스트층에 선택적으로 활성 광선을 조사하여 경화시킨다. 노광 방식으로는, 크세논 램프, 고압 수은등, 저압 수은등, 초고압 수은등, UV 형광등을 광원으로 한 반사 화상 노광 방식, 포토마스크를 사용한 편면 혹은 양면 밀착 노광 방식, 프록시미티 방식, 프로젝션 방식이나 레이저 주사 노광 방식 등을 들 수 있다. 「박막화되는 영역」이란, 예를 들어 접속 패드 상이나 접속 패드 사이를 포함하는 접속 패드 주위의 영역이다. 「박막화되는 영역 이외의 영역」이란, 예를 들어 도체 배선 상이나 도체 배선 사이를 포함하는 도체 배선 주위의 영역이다.In the step (C), the solder resist layer in a portion other than the thinned region is selectively irradiated with an actinic ray to be cured. Examples of the exposure method include a reflective image exposure method using a xenon lamp, a high-pressure mercury lamp, a low-pressure mercury lamp, an ultra-high-pressure mercury lamp, or a UV fluorescent light as a light source, a one- or two- And the like. The " area to be thinned " is an area around the connection pad including, for example, between the connection pad and the connection pad. The term " region other than the region to be thinned " is, for example, a region around a conductor wiring including a conductor wiring or between conductor wirings.

공정 (B1), (B2), (B3) 에서는, 알칼리 수용액에 의해 접속 패드의 두께 이하가 될 때까지 솔더 레지스트층의 박막화 처리를 실시한다. 공정 (D) 에서는, 알칼리 수용액에 의해 접속 패드 (6) 의 두께보다 두꺼운 범위 내에서 솔더 레지스트층의 박막화 처리를 실시한다. 상세하게는 알칼리 수용액에 의해 솔더 레지스트층 표면을 용해 혹은 팽윤시켜 비노광부의 솔더 레지스트층 표면을 제거한다. 드라이 필름 형상의 경우이며 솔더 레지스트층 상에 지지층 필름이 형성되어 있는 경우에는, 지지층 필름을 벗기고 나서 박막화 처리를 실시한다.In the steps (B1), (B2), and (B3), the thinning treatment of the solder resist layer is performed until the thickness of the connection pad is equal to or less than the thickness of the connection pad. In the step (D), the thinning treatment of the solder resist layer is carried out in a range of thickness that is thicker than the thickness of the connection pad 6 by the alkaline aqueous solution. Specifically, the surface of the solder resist layer is dissolved or swelled by an aqueous alkali solution to remove the surface of the solder resist layer of the non-visible portion. In the case of the dry film shape and the support layer film is formed on the solder resist layer, the support layer film is peeled off and thinning treatment is performed.

본 발명의 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법에서는, 솔더 레지스트층 형성 후의 두께와 알칼리 수용액 처리에 의해 비노광부의 솔더 레지스트층이 박막화된 양에 따라 접속 패드 주위의 솔더 레지스트층의 두께가 결정된다. 또, 본 발명의 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법에서는, 0.01 ∼ 500 ㎛ 의 범위에서 박막화량을 적절히 조정할 수 있다. 박막화 후의 솔더 레지스트층 표면으로부터 접속 패드 표면까지의 높이는, 나중에 필요한 땜납량에 따라 적절히 조정한다.In the method for forming a solder resist pattern of the present invention, the thickness of the solder resist layer around the connection pad is determined by the thickness after formation of the solder resist layer and the amount of the solder resist layer of the non-visible portion thinned by the alkali aqueous solution treatment. In the method of forming a solder resist pattern of the present invention, the amount of thinning can be appropriately adjusted in the range of 0.01 to 500 탆. The height from the surface of the solder resist layer after thinning to the surface of the connection pad is appropriately adjusted according to the amount of solder required later.

공정 (B1), (B2), (B3) 에서는, 박막화 처리 후의 솔더 레지스트층의 두께가 접속 패드의 두께와 동일하거나, 그보다 얇아질 때까지 박막화 처리를 실시하는데, 박막화 후의 솔더 레지스트층의 두께가 지나치게 얇으면, 접속 패드 사이의 전기 절연이 불충분해져, 무전해 니켈/금 도금의 단락이 발생하는 경우나, 접속 패드 사이에서 땜납에 의한 단락이 발생하는 경우가 있다. 그 때문에, 박막화 후의 솔더 레지스트층의 두께는, 접속 패드의 두께의 1 분의 2 이상인 것이 바람직하고, 2 분의 3 이상인 것이 보다 바람직하다.In the steps (B1), (B2) and (B3), the thinning treatment is carried out until the thickness of the solder resist layer after the thinning treatment becomes equal to or thinner than the thickness of the connection pad. The thickness of the solder resist layer If it is too thin, the electrical insulation between the connection pads becomes insufficient, short-circuiting of the electroless nickel / gold plating occurs, and short-circuit due to solder may occur between the connection pads. Therefore, the thickness of the solder resist layer after thinning is preferably two-thirds or more of the thickness of the connection pad, and more preferably three-thirds or more.

알칼리 수용액에 의한 박막화 처리에 있어서, 전(前)처리로서 수세 처리를 실시해도 된다. 전처리 수세에 의해 솔더 레지스트층 중의 카르복실기 등의 친수기가 재배향되어, 층 표면의 친수성이 균일화된다. 나아가, 솔더 레지스트층 상에 존재하는 오염물이나 이물질을 제거할 수 있다. 전처리 수세에 사용되는 물로는, 공업용수, 수돗물, 이온 교환수, 증류수 등을 들 수 있다. 전처리 수세 방법으로는, 침지 처리, 패들 처리, 스프레이 처리, 브러싱, 스크레이핑 등이 있는데, 솔더 레지스트층 상의 오염물이나 이물질의 제거성을 고려하면 스프레이 처리가 바람직하다. 스프레이 조건 (온도, 스프레이압, 시간) 은 적절히 조정하는 것이 가능한데, 구체적으로는 온도는 15 ∼ 30 ℃ 가 바람직하고, 보다 바람직하게는 20 ∼ 25 ℃ 이다. 또, 스프레이압은 0.02 ∼ 0.5 ㎫ 이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.05 ∼ 0.3 ㎫ 이다.In the thinning treatment with the alkaline aqueous solution, the pretreatment may be performed with water washing treatment. The hydrophilic groups such as the carboxyl groups in the solder resist layer are redirected by the pretreatment water washing, and the hydrophilic property of the surface of the layer is made uniform. Furthermore, it is possible to remove contaminants and foreign substances present on the solder resist layer. Examples of the water used for the pretreatment water washing include industrial water, tap water, ion exchange water, and distilled water. Examples of the pretreatment flushing method include an immersion treatment, a paddle treatment, a spraying treatment, a brushing, a scraping, and the like, and spray treatment is preferable considering the removal of contaminants and foreign substances on the solder resist layer. The spray conditions (temperature, spray pressure, time) can be suitably adjusted. Specifically, the temperature is preferably 15 to 30 占 폚, more preferably 20 to 25 占 폚. The spray pressure is preferably 0.02 to 0.5 MPa, and more preferably 0.05 to 0.3 MPa.

또한, 전처리 수세수에 계면 활성제를 함유시켜도 된다. 계면 활성제의 사용에 의해 솔더 레지스트층 표면을 보다 신속히 안정적으로 친수화시킬 수 있다. 계면 활성제로는, 알킬황산에스테르염, 폴리옥시에틸렌알킬에테르황산에스테르염, 알킬벤젠술폰산염, 지방산염 등의 아니온계 계면 활성제 ; 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시알킬렌 유도체, 소르비탄 지방산 에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비탄 지방산 에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비톨 지방산 에스테르, 글리세린 지방산 에스테르, 폴리옥시에틸렌 지방산 에스테르, 폴리옥시에틸렌 경화 피마자유, 폴리옥시에틸렌알킬아민, 알킬알칸올아미드, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르, 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 블록 공중합체 (이른바, 플루로닉계 계면 활성제), 지방산 펜타에리트리톨에스테르, 아세틸렌글리콜 등의 노니온계 계면 활성제 ; 알킬아민염, 제 4 급 암모늄염 등의 카티온계 계면 활성제 ; 알킬베타인 등의 양성 계면 활성제를 사용할 수 있다. 전처리 수세 처리는, 솔더 레지스트층의 품질을 저해하지 않는 것이면 어느 종류의 계면 활성제를 사용해도 문제는 없지만, 아니온계, 카티온계 및 양성 계면 활성제는 레지스트 표면에 특이적으로 흡착하는 경우나, 종류에 따라서는 레지스트 표면을 부분적으로 침해하는 경우가 있으므로, 노니온계의 계면 활성제를 사용하는 것이 바람직하다. 노니온계 계면 활성제의 보다 바람직한 구체적 예로는, 아세틸렌글리콜을 들 수 있으며, 닛신 화학 공업 (주) 제조의 서피놀 (등록상표) 465, 서피놀 (등록상표) 485, 서피놀 (등록상표) 82 등을 사용할 수 있다.In addition, a surfactant may be contained in the pretreated water. The surface of the solder resist layer can be more rapidly and stably hydrophilized by the use of the surfactant. Examples of the surfactant include anionic surfactants such as alkyl sulfuric acid ester salts, polyoxyethylene alkyl ether sulfuric acid ester salts, alkyl benzene sulfonic acid salts and fatty acid salts; Polyoxyethylene alkyl ethers, polyoxyalkylene derivatives, sorbitan fatty acid esters, polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters, polyoxyethylene sorbitol fatty acid esters, glycerin fatty acid esters, polyoxyethylene fatty acid esters, polyoxyethylene hydrogenated castor oil, poly Based surfactants such as polyoxyethylene alkylphenyl ethers, polyoxyethylene alkylphenyl ethers, polyoxyethylene-polyoxypropylene block copolymers (so-called pluronic surfactants), fatty acid pentaerythritol esters, and acetylene glycols, An activator; Cationic surfactants such as alkylamine salts and quaternary ammonium salts; Amphoteric surfactants such as alkyl betaines can be used. The pretreatment water washing treatment does not cause any problem if any kind of surfactant is used so long as it does not impair the quality of the solder resist layer. However, when the anionic, cationic and amphoteric surfactants are specifically adsorbed to the resist surface, Therefore, since the surface of the resist may be partially destroyed, it is preferable to use a nonionic surfactant. More specific examples of the nonionic surfactant include acetylene glycol and surfactants such as Surfynol (registered trademark) 465, Surfynol (registered trademark) 485, Surfynol (registered trademark) 82 manufactured by Nissin Chemical Industry Co., Can be used.

전처리 수세수에 첨가하는 계면 활성제량은 각종 계면 활성제의 특성에 따라 바뀌는데, 솔더 레지스트층 표면의 친수화와 더불어, 전처리 수세 중에 발포가 적은 것, 또한 계면 활성제에 의한 솔더 레지스트층 상에 부착된 오염물이나 이물질의 제거 효율을 고려하면, 0.001 ∼ 0.1 질량% 의 범위가 바람직하고, 0.001 ∼ 0.05 질량% 의 범위가 보다 바람직하고, 0.01 ∼ 0.05 질량% 의 범위가 더욱 바람직하다.The amount of the surfactant to be added to the pretreated water is changed depending on the characteristics of various surfactants. In addition to the hydrophilization of the surface of the solder resist layer, the amount of the surfactant to be added to the pre- Is preferably in the range of 0.001 to 0.1 mass%, more preferably in the range of 0.001 to 0.05 mass%, and still more preferably in the range of 0.01 to 0.05 mass%.

본 발명에 관련된 알칼리 수용액은, 알칼리 금속 규산염, 알칼리 금속 수산화물, 알칼리 금속 인산염, 알칼리 금속 탄산염, 암모늄 인산염, 암모늄 탄산염 등의 무기 알칼리성 화합물의 수용액 ; 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 메틸아민, 디메틸아민, 에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 시클로헥실아민, 테트라메틸암모늄하이드록시드 (TMAH), 테트라에틸암모늄하이드록시드, 트리메틸-2-하이드록시에틸암모늄하이드록사이드 (콜린) 등의 유기 알칼리성 화합물의 수용액을 들 수 있다. 알칼리 금속으로는 리튬, 나트륨, 칼륨 등을 들 수 있다. 상기 무기 알칼리성 화합물 및 유기 알칼리성 화합물은 단독으로 사용해도 되고, 복수 조합하여 사용해도 된다. 무기 알칼리성 화합물과 유기 알칼리성 화합물을 조합하여 사용해도 된다.The aqueous alkali solution according to the present invention is an aqueous solution of an inorganic alkaline compound such as an alkali metal silicate, an alkali metal hydroxide, an alkali metal phosphate, an alkali metal carbonate, an ammonium phosphate or an ammonium carbonate; But are not limited to, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, methylamine, dimethylamine, ethylamine, diethylamine, triethylamine, cyclohexylamine, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide, -2-hydroxyethyl ammonium hydroxide (choline), and the like can be given as an aqueous solution of an organic alkaline compound. Examples of the alkali metal include lithium, sodium, potassium and the like. The inorganic alkaline compound and the organic alkaline compound may be used alone or in combination. The inorganic alkaline compound and the organic alkaline compound may be used in combination.

무기 알칼리성 화합물의 알칼리 금속으로서 나트륨염을 사용하는 경우, 칼륨염을 혼재시키는 것이 바람직하다. 예를 들어, 탄산나트륨이나 메타규산나트륨을 사용하는 경우, 성분 중의 탄산 이온이나 규산 이온이 물에 함유되는 칼슘이나 마그네슘과 불용성의 염을 형성하여, 알칼리 수용액 중에 응집 분리되는 경우가 있다. 칼륨은 나트륨에 비해 물에 대한 용해성이 크고, 또 다른 화합물과의 반응성이 높기 때문에, 탄산 이온이나 규산 이온이 칼슘이나 마그네슘과 반응하는 것보다 우선적으로 칼륨과 반응함으로써 불용성의 염 형성이 방해받는 것으로 생각된다.When the sodium salt is used as the alkali metal of the inorganic alkaline compound, it is preferable to mix the potassium salt. For example, when sodium carbonate or sodium metasilicate is used, carbonic acid ions or silicate ions in the component may form an insoluble salt with calcium or magnesium contained in water, and may be coagulated and separated in an aqueous alkali solution. Potassium is more soluble in water than sodium and has high reactivity with other compounds, so that carbonate or silicate ions react preferentially with potassium rather than react with calcium or magnesium, thereby interfering with insoluble salt formation I think.

또, 솔더 레지스트층 표면을 보다 균일하게 박막화하기 위해, 알칼리 수용액에 황산염, 아황산염을 첨가할 수도 있다. 황산염 또는 아황산염으로는, 리튬, 나트륨 또는 칼륨 등의 알칼리 금속 황산염 또는 아황산염, 마그네슘, 칼슘 등의 알칼리 토금속 황산염 또는 아황산염을 들 수 있다.In order to make the surface of the solder resist layer more uniformly thin, a sulfate and a sulfite may be added to the alkali aqueous solution. Examples of the sulfates or sulfites include alkali metal sulfates such as lithium, sodium or potassium or alkaline earth metal sulfates or sulfites such as sulfites, magnesium and calcium.

알칼리 수용액이 무기 알칼리성 화합물을 함유하여 이루어지는 수용액인 경우, 무기 알칼리성 화합물이 알칼리 금속 탄산염, 알칼리 금속 인산염, 알칼리 금속 수산화물, 알칼리 금속 규산염에서 선택되는 적어도 어느 1 종인 것이 바람직하다. 또, 무기 알칼리성 화합물의 함유량은 3 ∼ 25 질량% 가 바람직하다. 무기 알칼리성 화합물의 함유량이 3 질량% 미만인 알칼리 수용액은, 종래의 포토리소그래피 방식에 의한 노광 후의 현상에 사용되는 액으로, 노광되어 있지 않은 솔더 레지스트층을 완전히 제거하는 경우에는 유효하지만, 솔더 레지스트층을 완전히 제거하지 않고 면내 균일한 두께로 박막화하는 처리에서는 두께 불균일이 발생하기 쉬워지는 경우가 있다. 또, 25 질량% 를 초과하면, 무기 알칼리성 화합물의 석출이 일어나기 쉬워 액의 시간 경과적 안정성, 작업성이 떨어지는 경우가 있다. 무기 알칼리성 화합물의 함유량은 5 ∼ 20 질량% 가 보다 바람직하고, 7 ∼ 15 질량% 가 더욱 바람직하다. 또, 계면 활성제, 소포제, 용제 등을 적절히 첨가할 수도 있다.When the aqueous alkali solution is an aqueous solution containing an inorganic alkaline compound, it is preferable that the inorganic alkaline compound is at least one selected from alkali metal carbonate, alkali metal phosphate, alkali metal hydroxide and alkali metal silicate. The content of the inorganic alkaline compound is preferably 3 to 25% by mass. The alkaline aqueous solution having a content of the inorganic alkaline compound of less than 3% by mass is effective for completely removing the unexposed solder resist layer, which is used for development after exposure by the conventional photolithography method. However, There is a case that the thickness irregularity tends to occur easily in the process of making the thin film into a uniform thickness in the plane without completely removing it. On the other hand, if it exceeds 25% by mass, precipitation of the inorganic alkaline compound tends to occur, and the stability and workability of the liquid over time may deteriorate. The content of the inorganic alkaline compound is more preferably 5 to 20% by mass, and further preferably 7 to 15% by mass. Further, a surfactant, defoaming agent, solvent and the like may be appropriately added.

솔더 레지스트층의 박막화 처리에 있어서는, 솔더 레지스트층 중에 함유되는 알칼리 수용액에 불용인 무기 필러의 존재를 무시할 수 없다. 무기 필러의 사이즈는 그 종류에 따라 상이하기도 하지만, 나노 필러라 불리는 서브 미크론 오더인 것부터 큰 것으로는 수십 미크론인 것까지, 어느 정도의 입도 분포로써 층 중에 30 ∼ 70 질량% 의 함유량으로 존재하고 있다. 박막화 처리는 알칼리성 화합물이 솔더 레지스트층 중에 침투된 후, 용해 확산됨으로써 진행되는데, 불용성의 무기 필러의 존재에 의해 알칼리성 화합물의 침투가 억제되어 박막화 속도가 느려지는 경우가 있다.In the thinning treatment of the solder resist layer, the presence of the inorganic filler insoluble in the aqueous alkaline solution contained in the solder resist layer can not be ignored. Although the size of the inorganic filler varies depending on the kind thereof, it is present in a content of 30 to 70 mass% in the layer with a certain particle size distribution ranging from a submicron order called a nanopillar to a tens of micron in size . The thinning process proceeds by dissolving and diffusing the alkaline compound after penetrating into the solder resist layer. In some cases, the penetration of the alkaline compound is inhibited by the presence of the insoluble inorganic filler, and the thinning rate is slowed down in some cases.

이러한 무기 필러에 의한 침투 억제에 대하여, 알칼리 수용액의 pH 는 12.5 이상으로 하는 것이 바람직하고, 13.0 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 알칼리 수용액의 pH 가 높을수록, 알칼리성 화합물이 침투되었을 때의 솔더 레지스트층의 팽윤이 커져 무기 필러에 의한 침투 억제의 영향을 잘 받지 않게 된다.The pH of the aqueous alkaline solution is preferably 12.5 or more, and more preferably 13.0 or more, in order to suppress penetration by the inorganic filler. The higher the pH of the alkaline aqueous solution is, the larger the swelling of the solder resist layer when the alkaline compound is infiltrated, so that the influence of the inhibition of penetration by the inorganic filler is not satisfied.

공정 (B1), (B2), (B3) 에서는, 박막화 처리에 의해 접속 패드 표면을 노출시킨다. 통상, 접속 패드와 도체 배선을 갖는 회로 기판에 솔더 레지스트층을 형성시키는 경우, 도체 배선과 솔더 레지스트층의 밀착성을 고려하여, 도체 배선과 동일하게 접속 패드 표면도 각종 연마 처리에 의해 조면화된다. 조면화에 의한 앵커 효과에 의해 도체 배선과 솔더 레지스트층의 밀착성이 향상되어 장시간에 걸쳐 높은 절연 신뢰성이 유지된다. 종래, 솔더 레지스트층을 제거하여 접속 패드 표면을 노출시킬 때, 분산 능력이 우수한 저농도의 탄산나트륨 수용액을 현상액으로서 사용하는 것이 일반적이며, 접속 패드 표면에는 솔더 레지스트의 잔류물 찌꺼기는 거의 발생하지 않는다. 그러나, 저농도의 탄산나트륨 수용액을 이용하여 박막화 처리를 실시하면, 솔더 레지스트층 표면을 균일하게 처리할 수 없어 면내 불균일이 발생한다.In steps (B1), (B2), and (B3), the surface of the connection pad is exposed by thinning treatment. Generally, when a solder resist layer is formed on a circuit board having a connection pad and a conductor wiring, the connection pad surface is roughened by various polishing treatments in the same manner as the conductor wiring in consideration of the adhesion between the conductor wiring and the solder resist layer. The adhesion between the conductor wiring and the solder resist layer is improved by the anchor effect by roughening, and high insulation reliability is maintained for a long time. Conventionally, when removing the solder resist layer to expose the surface of the connection pad, it is common to use a low-concentration sodium carbonate aqueous solution having excellent dispersing ability as a developing solution, and residual residue of the solder resist on the surface of the connection pad hardly occurs. However, when the thinning treatment is performed using a sodium carbonate aqueous solution of a low concentration, the surface of the solder resist layer can not be treated uniformly, and in-plane unevenness occurs.

그래서, 면내 균일하게 박막화하면서, 조면화된 접속 패드 표면에 솔더 레지스트 잔류물을 남기지 않는 알칼리 수용액으로서, 알칼리 금속 규산염을 함유하는 알칼리 수용액을 들 수 있다. 알칼리 금속 규산염은 다른 무기 알칼리성 화합물에 비해 솔더 레지스트층의 용해 확산 능력이 우수하여, 접속 패드 표면에 잔류물 찌꺼기가 잘 발생하지 않는다. 알칼리 금속 규산염의 일반식을 하기 식 (i) 에 나타낸다. 알칼리 금속 규산염은 3 종의 성분이 다양한 비율로 연속적으로 변화하여 이루어지는 화학 약품의 총칭으로, 몰비로부터 산출되는 질량비 (나트륨염의 경우의 질량비 = 몰비 × 1.032, 칼륨염의 경우의 질량비 = 몰비 × 1.568) 에 따라 명칭이 바뀐다. 예를 들어, 나트륨염의 경우, 질량비가 0.5 인 것을 오르토규산나트륨, 질량비가 1.0 인 것을 메타규산나트륨, 질량비가 1.3 ∼ 4 인 것을 일반적으로 규산나트륨이라고 부른다. 질량비가 1 이하인 것은 결정성 규산나트륨이라고 부르고, 질량비가 1 보다 큰 것은 비결정성으로, 질량비를 연속적으로 변화시킬 수 있다. 또, 규산나트륨의 용액은 질량비, 농도, 온도 등에 따라 점도가 현저하게 변화한다. 즉, 질량비가 커질수록, 농도가 높아질수록, 또는 온도가 낮아질수록 용액의 점도는 높아진다. 규산나트륨의 용액에는 규산 이온 모노머, 폴리규산 이온, 콜로이드상의 규산 이온 미셀 등이 함유되고, 질량비와 농도에 따라 다양한 형태를 취한다. 질량비가 1 이하인 것에서는 주로 규산 이온 모노머가 존재하고, 고질량비의 용액에서는 규산 이온 모노머 외에 다이머나 폴리규산 이온 미셀이 함유되고, 질량비의 증가에 수반하여 폴리규산 이온 미셀의 농도가 증가한다. 이 폴리규산 이온 미셀의 증가에 의해 용액의 질량 평균 분자량이 증가하고, 점도가 상승한다. 일반적으로 질량비는 2 보다 커지면, 점도의 상승에 주의가 필요하다. 이러한 점에서 나트륨염의 경우, 수용액의 안정성, 작업성면에서 메타규산나트륨이 가장 바람직하게 사용된다. 또, 칼륨염은 나트륨염에 비해 물에 대한 용해성이 높기 때문에, 수용액이 용이하게 응고, 분리되지 않아 각종의 것을 사용할 수 있다. 알칼리 금속 규산염의 함유량은 5 ∼ 25 질량% 가 보다 바람직하고, 7 ∼ 20 질량% 가 더욱 바람직하다.Therefore, an alkali aqueous solution containing an alkali metal silicate may be used as an alkaline aqueous solution which does not leave a solder resist residue on the roughened surface of the connection pad while being uniformly thinned in the plane. The alkali metal silicate is superior in dissolving and diffusing ability of the solder resist layer as compared with other inorganic alkaline compounds, and residue residue on the surface of the connection pad is not generated well. The general formula of the alkali metal silicate is shown in the following formula (i). Alkali metal silicate is a generic name of a chemical substance in which three kinds of components are continuously changed in various ratios. The mass ratio (mass ratio in the case of sodium salt = molar ratio x 1.032, mass ratio in the case of potassium salt = mole ratio x 1.568) The name changes accordingly. For example, in the case of a sodium salt, sodium orthosilicate having a mass ratio of 0.5, sodium metasilicate having a mass ratio of 1.0, and sodium silicate having a mass ratio of 1.3 to 4 are generally referred to as sodium silicate. When the mass ratio is 1 or less, it is called crystalline sodium silicate. When the mass ratio is larger than 1, it is amorphous and the mass ratio can be continuously changed. In addition, the viscosity of the solution of sodium silicate varies depending on the mass ratio, concentration, temperature, and the like. That is, as the mass ratio is increased, the concentration is increased, or the temperature is lowered, the viscosity of the solution becomes higher. The solution of sodium silicate contains silicate ion monomer, polysilicate ion, colloidal silicate ion micelle, etc. and takes various forms according to the mass ratio and concentration. In the case where the mass ratio is 1 or less, silicate ion monomers are mainly present, and in a solution having a high mass ratio, besides silicate ion monomers, dimer and polysilicate ion micelles are contained, and polysilane ion micelle concentration increases with an increase in the mass ratio. As the polysilicate ion micelle increases, the mass average molecular weight of the solution increases and the viscosity increases. Generally, when the mass ratio is larger than 2, attention should be paid to an increase in viscosity. In this respect, in the case of a sodium salt, sodium metasilicate is most preferably used in terms of stability of an aqueous solution and workability. In addition, since the potassium salt has higher solubility in water than the sodium salt, the aqueous solution can not be easily solidified and separated, so that various kinds of potassium salts can be used. The content of the alkali metal silicate is more preferably from 5 to 25 mass%, and still more preferably from 7 to 20 mass%.

M2O·nSiO2·xH2O (i)M 2 O.nSiO 2 .xH 2 O (i)

[M : 나트륨 또는 칼륨, n : 몰비 (SiO2/M2O)][M: sodium or potassium, n: molar ratio (SiO 2 / M 2 O)]

알칼리 금속 규산염에 버금가는 솔더 레지스트층의 용해 확산 능력을 갖는 무기 알칼리성 화합물로서, 알칼리 금속 인산염을 함유하는 알칼리 수용액을 들 수 있다. 알칼리 금속 인산염으로는, 알칼리 금속이 3 원자 배위된 알칼리성이 강한 인산삼나트륨 또는 인산삼칼륨이 바람직하게 사용된다. 알칼리 금속 인산염의 함유량은 5 ∼ 20 질량% 가 보다 바람직하고, 7 ∼ 15 질량% 가 더욱 바람직하다.An alkaline aqueous solution containing an alkali metal phosphate is an inorganic alkaline compound having a dissolving and diffusing ability of a solder resist layer which is equivalent to an alkali metal silicate. As the alkali metal phosphate, trisodium phosphate or tripotassium phosphate strong in alkalinity in which an alkali metal is three-atom coordinated is preferably used. The content of the alkali metal phosphate is more preferably 5 to 20 mass%, and still more preferably 7 to 15 mass%.

또, 무기 알칼리성 화합물로서 탄산칼륨을 함유하는 수용액도 솔더 레지스트층을 알맞게 용해 확산시킬 수 있다. 탄산염은 규산염이나 인산염에 비하면 수화력이 크지만, 알칼리 금속으로서 칼륨은 나트륨에 비해 수용액 중에 있어서의 이온화 경향이 커서, 솔더 레지스트층의 용해 확산에 유리하게 작용한다. 탄산칼륨의 함유량은 3 ∼ 15 질량% 가 보다 바람직하고, 5 ∼ 10 질량% 가 더욱 바람직하다.In addition, an aqueous solution containing potassium carbonate as an inorganic alkaline compound can dissolve and diffuse the solder resist layer properly. Although the carbonate has a higher hydration power than the silicate or phosphate, potassium as an alkali metal tends to ionize in an aqueous solution more than sodium, and thus dissolves and diffuses favorably in the solder resist layer. The content of potassium carbonate is more preferably 3 to 15 mass%, and still more preferably 5 to 10 mass%.

알칼리 수용액이 무기 알칼리성 화합물을 함유하여 이루어지는 수용액인 경우, 알칼리 수용액에 함유되는 유기 알칼리성 화합물로는, 테트라메틸암모늄하이드록시드 (TMAH), 트리메틸-2-하이드록시에틸암모늄하이드록사이드 (콜린) 에서 선택되는 적어도 어느 1 종을 포함하는 것이 바람직하다. 또, 유기 알칼리성 화합물의 함유량이 5 ∼ 25 질량% 인 알칼리 수용액을 바람직하게 사용할 수 있다. 5 질량% 미만에서는, 박막화 처리에서 면내 불균일이 발생하기 쉬워지는 경우가 있다. 또, 25 질량% 를 초과하면, 박막화 속도가 느려지는 경우가 있다. 유기 알칼리성 화합물의 함유량은 7 ∼ 20 질량% 가 보다 바람직하고, 10 ∼ 20 질량% 가 더욱 바람직하다. 또, 계면 활성제, 소포제, 용제 등을 적절히 첨가할 수도 있다. 알칼리 금속염을 함유하여 이루어지는 알칼리 수용액을 사용한 경우, 사용하는 솔더 레지스트의 조성에 따라서는, 솔더 레지스트층 중에 알칼리 금속 이온이 유입되어 절연 신뢰성이 저하되는 경우가 있지만, 유기 알칼리성 화합물을 함유하여 이루어지는 알칼리 수용액을 사용한 경우, 절연 신뢰성 저하가 억제된다는 효과가 얻어진다.When the aqueous alkali solution is an aqueous solution containing an inorganic alkaline compound, examples of the organic alkaline compound contained in the aqueous alkali solution include tetramethylammonium hydroxide (TMAH), trimethyl-2-hydroxyethylammonium hydroxide (choline) It is preferable to include at least one kind selected. An alkaline aqueous solution having an organic alkaline compound content of 5 to 25 mass% can be preferably used. If it is less than 5% by mass, in-plane unevenness may easily occur in the thinning treatment. On the other hand, if it exceeds 25 mass%, the thinning rate may be slowed down. The content of the organic alkaline compound is more preferably 7 to 20% by mass, and still more preferably 10 to 20% by mass. Further, a surfactant, defoaming agent, solvent and the like may be appropriately added. When an alkali aqueous solution containing an alkali metal salt is used, depending on the composition of the solder resist to be used, alkali metal ions may flow into the solder resist layer to lower the insulation reliability, but an alkali aqueous solution containing an organic alkaline compound It is possible to obtain an effect of suppressing deterioration in insulation reliability.

알칼리 수용액의 온도는 15 ∼ 35 ℃ 가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 20 ∼ 30 ℃ 이다. 온도가 지나치게 낮으면, 솔더 레지스트층으로의 알칼리성 화합물의 침투 속도가 느려지는 경우가 있어, 원하는 두께를 박막화하는 데에 장시간을 필요로 한다. 한편, 온도가 지나치게 높으면, 솔더 레지스트층으로의 알칼리성 화합물의 침투와 동시에 용해 확산이 진행됨으로써, 면내에서 막두께 불균일이 발생하기 쉬워지는 경우가 있기 때문에 바람직하지 않다.The temperature of the aqueous alkali solution is preferably 15 to 35 占 폚, more preferably 20 to 30 占 폚. If the temperature is too low, the penetration rate of the alkaline compound into the solder resist layer may be slowed down, and it takes a long time to thin the desired thickness. On the other hand, if the temperature is excessively high, dissolution and diffusion proceed simultaneously with the penetration of the alkaline compound into the solder resist layer, so that the film thickness irregularity may easily occur in the surface.

솔더 레지스트층의 박막화 처리에 있어서, 알칼리 수용액의 액 관리 방법으로서 중화 적정법을 사용하는 것이 바람직하다. 요컨대, 알칼리 수용액의 박막화 능력을 일정하게 유지하기 위해, 액 관리의 지표로서 농도에 의한 관리를 실시하는 것이 바람직하다. 액 관리의 지표로서 pH 에 의한 관리도 생각할 수 있지만, 솔더 레지스트층에 함유되는 카르복실산기 등의 산기 말단을 갖는 알칼리 가용성 수지와 고농도의 알칼리 수용액이 접촉, 반응하여, pH 가 실제의 농도로 측정되는 값보다 낮게 관측되기 때문에, pH 로 엄밀하게 액 관리하기는 곤란하다. 또, 중화 적정법에 의한 농도 관리에서는, 보충액으로서 초기 농도와 동일 농도의 알칼리 수용액을 보충하는 것이 바람직하다. 통상, 포토리소그래피법에 의한 솔더 레지스트 패턴 형성에 있어서의 저농도 알칼리 수용액에 의한 현상 처리 등에서는, 초기 농도보다 고농도의 처리액을 보충하는 것이 일반적이지만, 본 발명에 관련된 솔더 레지스트층의 박막화에서는, 알칼리 수용액의 농도 변화가 박막화에 미치는 영향이 커서 보다 엄밀한 농도 관리가 필요해진다. 상세하게는 포토리소그래피법에 의한 솔더 레지스트 패턴 형성에 있어서의 저농도 알칼리 수용액에 의한 현상 처리의 경우, 솔더 레지스트층이 모두 용출되는 시간보다 1.5 ∼ 2.0 배 정도의 시간으로 현상 처리가 실시되는 데에 비해, 본 발명에 관련된 솔더 레지스트층의 박막화에서는, 원하는 양만큼 면내 균일하게 박막화하는 것이 중요해진다. 그 때문에, 보다 엄밀한 농도 관리가 필요해진다. 또, 고농도의 알칼리 수용액을 보충할 때에는, 조 (槽) 내의 액 농도를 순간적으로 목표로 하는 농도가 되도록 기계적 교반 등의 조작을 실시하는 것이 일반적이지만, 알칼리 수용액이 발포되어 막두께 불균일이 발생하는 경우가 있기 때문에, 이러한 점에서도 초기 농도와 동일 농도의 알칼리 수용액을 보충하는 것이 바람직하다.In the thinning treatment of the solder resist layer, it is preferable to use a neutralization titration method as a solution management method of an aqueous alkaline solution. That is, in order to keep the ability of the alkali aqueous solution to be thinned at a constant level, it is preferable to conduct the concentration-based management as an index of the liquid management. As an index of the liquid management, management by pH may be considered, but an alkali-soluble resin having an acid terminal end such as a carboxylic acid group contained in the solder resist layer contacts and reacts with a high-concentration aqueous alkaline solution to measure pH at an actual concentration , It is difficult to strictly control the pH of the solution. In the concentration control by the neutralization titration method, it is preferable to replenish an alkaline aqueous solution having the same concentration as the initial concentration as the replenishment liquid. Generally, in a development treatment with a low-concentration alkaline aqueous solution in the formation of a solder resist pattern by a photolithography method, it is common to replenish a treatment solution at a higher concentration than the initial concentration. In the thinning of the solder resist layer according to the present invention, The influence of the change in the concentration of the aqueous solution on the thinning is large, and more strict concentration control is required. Specifically, in the case of developing treatment with a low-concentration alkaline aqueous solution in forming a solder resist pattern by a photolithography method, the developing treatment is performed at a time of about 1.5 to 2.0 times longer than the time at which all the solder resist layer is eluted , In the case of thinning the solder resist layer according to the present invention, it becomes important to form a thin film uniformly in a plane by a desired amount. Therefore, more strict concentration control is required. In order to replenish a high-concentration alkali aqueous solution, it is common to carry out an operation such as mechanical stirring so that the concentration of the liquid in the tank is instantaneously aimed at. However, when the alkali aqueous solution is foamed to cause film thickness unevenness The alkaline aqueous solution having the same concentration as the initial concentration is preferably replenished.

중화 적정법에 의한 농도 관리의 방법으로서, 구체적으로는 연속 가동하고 있는 박막화 처리 장치로부터 소정 양의 알칼리 수용액을 채취하여, pH 를 측정하면서 염산 또는 황산을 적하하고, 중화점에 이를 때까지 첨가한 산의 양으로부터 알칼리성 화합물의 농도를 구한다. 얻어진 적정 곡선으로부터 알칼리성 화합물의 농도를 산출하는데, 산성 영역에서는 솔더 레지스트층 중에 함유되는 산기의 영향으로 적정 곡선이 시프트되기 때문에, 정확한 농도를 예측할 수 없는 경우가 있다. 그 때문에, 알칼리 영역에서 농도를 산출할 필요가 있다. 이 농도가 알칼리 수용액의 소정의 범위 밖으로 벗어난 경우, 초기 농도와 동일 농도의 알칼리 수용액을 첨가 보충한다. 「소정의 범위」란, 초기 농도에 대하여 -5 % ∼ +5 % 의 농도 범위를 말하며, 이하 「목표 농도」라고도 한다. 이와 같은 중화 적정에 의한 알칼리성 화합물 농도의 측정 및 알칼리 수용액의 첨가 보충이라는 조작을 소정 시간마다 실시함으로써, 박막화 능력을 일정 범위 내로 유지하는 것이 가능해진다.As a method of concentration control by the neutralization titration method, specifically, a predetermined amount of alkali aqueous solution is taken from a continuously operating thinning apparatus, hydrochloric acid or sulfuric acid is dropped while measuring pH, and acid The concentration of the alkaline compound is obtained. The concentration of the alkaline compound is calculated from the obtained titration curve. In the acid region, the titration curve is shifted due to the acid group contained in the solder resist layer, so that the accurate concentration can not be predicted in some cases. Therefore, it is necessary to calculate the concentration in the alkali region. When this concentration is out of the predetermined range of the aqueous alkaline solution, an aqueous alkaline solution having the same concentration as the initial concentration is added and replenished. The " predetermined range " refers to a concentration range of -5% to + 5% with respect to the initial concentration, hereinafter also referred to as " target concentration ". Measurement of the alkaline compound concentration by the neutralization titration and addition and replenishment of the alkaline aqueous solution are carried out every predetermined time, so that the thinning ability can be maintained within a certain range.

중화 적정부터 알칼리 수용액의 첨가 보충까지를 자동으로 실시할 수도 있다. 자동 시스템으로는, 예를 들어 적어도 자동적으로 소정 시간마다 알칼리 수용액을 계량하면서 샘플링하는 기능 (정량 펌프, 계량관 등), pH 미터, 액을 교반하는 기능 (마그네틱 스터러 등), 적정액 (산성액) 을 적하하는 기능 (펄스 모터 구동의 펌프 등), 추정 중화점 pH 를 설정하고, 그 pH 가 되면 적정액의 적하를 정지하는 기능, 적정액의 적하량을 산출하는 기능, 그 적하량으로부터 알칼리성 화합물의 농도를 산출하는 기능, 목표 농도를 설정하는 기능,[(목표 농도-측정 농도) × 알칼리 수용액 탱크 용적/목표 농도]로 계산되는 양의 초기 농도와 동일 농도의 알칼리 수용액을 공급하는 기능 (정량 펌프 등), 일련의 적정 측정 완료 후, 적정 용기 등을 세정하는 기능을 포함하는 시스템을 들 수 있다. 액을 보충하는 경우의 계산식은 상기를 기본으로 하지만, 실제의 프로세스를 보면서 다양한 보정을 하는 것이 바람직하다.From the neutralization titration to the addition and replenishment of the aqueous alkaline solution, it is also possible to carry out automatically. Examples of the automatic system include a function (sampling pump, metering tube, and the like) for sampling at least the alkaline aqueous solution at least automatically at predetermined time intervals, a pH meter, a function of stirring the liquid (such as a magnetic stirrer) (A pulse motor driven pump, etc.), a function of setting the estimated neutralization point pH, a function of stopping the dropping of the titrant when the pH is reached, a function of calculating the dropping amount of the titrant, The function of calculating the concentration of the alkaline compound, the function of setting the target concentration, the function of supplying the aqueous alkali solution having the same concentration as the initial concentration of the amount calculated by [(target concentration-measurement concentration) x alkali aqueous solution tank volume / target concentration] (Such as a metering pump), and a function of cleaning a titration container after a series of appropriate measurements are completed. Although the calculation formula for supplementing the liquid is based on the above, it is desirable to perform various corrections while observing the actual process.

상기 예에서는 추정 중화점 pH 를 설정하고, 그 pH 가 될 때까지 적하한 산의 양으로부터 알칼리성 화합물의 농도를 산출했지만, 측정 정밀도를 높이기 위해서는, 적정 종료 pH 로서 중화점 pH 를 지난 pH (중화점이 pH 8 이라면, 7 ∼ 6 정도) 로 설정하고, 산 적하 개시부터 적하 종료까지 동안에 pH 변화율이 가장 커지는 산 적하량을 구하여, 그 점을 가지고 중화점으로 하고, 그때까지 적하한 산의 양으로부터 알칼리성 화합물의 농도를 산출하는 것이 바람직하다.In the above example, the estimated neutralization point pH was set and the concentration of the alkaline compound was calculated from the amount of the acid dropped until the pH was reached. However, in order to increase the measurement accuracy, and when the pH is 8, it is set to about 7 to 6), and an acid drop amount at which the rate of pH change is greatest from the start of acid drop to the end of drop is determined. The acid drop amount is taken as a neutralization point, It is preferable to calculate the concentration of the compound.

알칼리 수용액에 의한 박막화 처리는 침지 처리, 패들 처리, 스프레이 처리, 브러싱, 스크레이핑 등의 방법을 사용할 수 있지만, 침지 처리가 바람직하다. 침지 처리 이외의 처리 방법은, 알칼리 수용액 중에 기포가 발생하기 쉽고, 그 발생한 기포가 박막화 처리 중에 솔더 레지스트층 표면에 부착되어 막두께가 불균일하게 되는 경우가 있다. 스프레이 처리 등을 사용하는 경우에는, 기포가 발생하지 않도록 스프레이압을 가능한 한 작게 하는 것이 바람직하다.Thinning treatment with an alkali aqueous solution can be carried out by an immersion treatment, a paddle treatment, a spraying treatment, a brushing, a scraping or the like, but immersion treatment is preferred. Bubbles tend to be generated in the aqueous alkaline solution and the resulting bubbles adhere to the surface of the solder resist layer during the thinning process, resulting in non-uniform film thickness. In the case of using a spraying process or the like, it is preferable to make the spraying pressure as small as possible so as not to generate bubbles.

공정 (B1), (B2), (B3) 및 (D) 후에는, 물에 의해 충분히 회로 기판을 세정하는 것이 바람직하다. 이 물에 의한 회로 기판 세정에 의해 제거해야 할 솔더 레지스트층을 완전히 용해 제거시킨다. 수세 처리의 방법으로서 침지 처리, 패들 처리, 스프레이 처리 등이 있으며, 솔더 레지스트층의 용해 확산 속도와 액 공급의 균일성면에서 스프레이 처리가 가장 적합하다. 또, 수세수의 온도는 25 ∼ 45 ℃ 가 보다 바람직하고, 27 ∼ 40 ℃ 가 더욱 바람직하다.After the steps (B1), (B2), (B3) and (D), it is preferable to thoroughly clean the circuit board with water. The solder resist layer to be removed is completely dissolved and removed by the circuit board cleaning with the water. As the method of the water washing treatment, immersion treatment, paddle treatment, spray treatment and the like are available, and spray treatment is most suitable in terms of the dissolution diffusion speed of the solder resist layer and uniformity of liquid supply. The temperature of the wash water is more preferably 25 to 45 캜, and further preferably 27 to 40 캜.

본 발명의 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법와 같이, 솔더 레지스트층을 박막화하는 공정 (B1), (B2), (B3) 또는 (D) 후에, (E) 알칼리성 화합물을 함유하고, 그 알칼리성 화합물의 함유량이 알칼리 수용액보다 적고, pH 5.0 ∼ 10.0, 온도 22 ∼ 50 ℃ 의 수용액으로 처리하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 공정 (E) 는 물에 의한 세정 전에 실시한다. 공정 (E) 에 있어서, 알칼리성 화합물을 함유하는 수용액은 알칼리 영역이 우수한 완충 능력을 갖기 때문에, 급격한 pH 상승을 방지할 수 있어 우수한 면내 균일성을 유지하는 데에 도움이 된다. 또, pH 5.0 ∼ 10.0 의 수용액을 사용함으로써, 솔더 레지스트층의 용해 확산성을 일정하게 유지할 수 있어 안정적인 연속 박막화 처리가 가능해진다. 또한, 수용액의 온도를 22 ∼ 50 ℃ 로 함으로써, 조면화된 접속 패드 표면에 솔더 레지스트 잔류물을 남기지 않고 처리할 수 있다는 효과가 얻어진다.(E) an alkaline compound after the step (B1), (B2), (B3) or (D) of making the solder resist layer thin as in the method of forming the solder resist pattern of the present invention, Alkali aqueous solution and an aqueous solution having a pH of 5.0 to 10.0 and a temperature of 22 to 50 ° C. Step (E) is carried out before cleaning with water. In the step (E), the aqueous solution containing the alkaline compound has a buffering ability in the alkaline region, so that it is possible to prevent the rapid increase in the pH and to maintain the excellent in-plane uniformity. In addition, by using an aqueous solution having a pH of 5.0 to 10.0, the dissolution diffusion property of the solder resist layer can be maintained constant, and stable continuous thinning treatment becomes possible. Further, by setting the temperature of the aqueous solution at 22 to 50 캜, it is possible to obtain an effect that the surface of the roughened connection pad can be processed without leaving the residue of the solder resist.

공정 (E) 의 수용액에 있어서의 알칼리성 화합물로는, 알칼리 금속 탄산염, 알칼리 금속 인산염, 알칼리 금속 수산화물, 알칼리 금속 규산염 등의 무기 알칼리성 화합물, 테트라메틸암모늄하이드록시드 (TMAH), 트리메틸-2-하이드록시에틸암모늄하이드록사이드 (콜린) 등의 유기 알칼리성 화합물을 들 수 있다. 공정 (E) 전에 실시되는 공정 (B1), (B2), (B3) 또는 (D) 에서 사용되는 알칼리 수용액 중의 알칼리성 화합물과 공정 (E) 에서 사용되는 알칼리성 화합물은, 동일한 것이어도 되고 상이한 것이어도 되지만, 통상 2 개의 공정이 연속적으로 실시되어, 전공정으로부터 후공정으로의 이행시에 알칼리성 화합물의 혼입이 있는 것을 생각하면, 동일한 알칼리성 화합물이 함유되는 것이 일반적이다.Examples of the alkaline compound in the aqueous solution of the step (E) include inorganic alkaline compounds such as alkali metal carbonates, alkali metal phosphates, alkali metal hydroxides and alkali metal silicates, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), trimethyl- And organic alkaline compounds such as hydroxyethyl ammonium hydroxide (choline). The alkaline compound in the alkaline aqueous solution used in the step (B1), (B2), (B3) or (D) and the alkaline compound used in the step (E) may be the same or different from each other, However, in general, it is general that the same alkaline compound is contained in consideration of the presence of an alkaline compound in the transition from the previous step to the subsequent step, in which two steps are usually carried out continuously.

공정 (E) 의 수용액에 있어서의 알칼리성 화합물의 함유량은, 공정 (B1), (B2), (B3) 또는 (D) 에서 사용되는 알칼리 수용액에 있어서의 함유량보다 적다. 즉, 공정 (B1), (B2), (B3) 또는 (D) 에서 사용되는 알칼리 수용액보다 희박한 수용액을 공정 (E) 에서 사용한다. 공정 (E) 의 수용액이 공정 (B1), (B2), (B3) 또는 (D) 에서 사용되는 알칼리 수용액보다 진한 경우, 솔더 레지스트층의 박막화량의 제어가 곤란해진다는 문제가 발생한다.The content of the alkaline compound in the aqueous solution of the step (E) is lower than that of the alkali aqueous solution used in the step (B1), (B2), (B3) or (D). That is, an aqueous solution which is thinner than the alkali aqueous solution used in the step (B1), (B2), (B3) or (D) is used in the step (E). When the aqueous solution of the step (E) is thicker than the alkali aqueous solution used in the step (B1), (B2), (B3) or (D), there arises a problem that control of the thinning amount of the solder resist layer becomes difficult.

공정 (E) 의 수용액의 pH 가 5.0 미만인 경우, 수용액 중에 용해된 솔더 레지스트 성분이 응집되어, 불용성의 슬러지가 되어 박막화 후의 솔더 레지스트층 표면에 부착될 우려가 있다. 한편, 공정 (E) 의 수용액의 pH 가 10.0 을 초과하면, 솔더 레지스트층의 용해 확산이 촉진되어, 면내에서 막두께 불균일이 발생하기 쉬워지는 경우가 있다. 또, 수용액의 pH 는 황산, 인산, 염산 등을 이용하여 조정할 수 있다.When the pH of the aqueous solution of the step (E) is less than 5.0, the solder resist components dissolved in the aqueous solution aggregate and become insoluble sludge, which may adhere to the surface of the solder resist layer after thinning. On the other hand, if the pH of the aqueous solution of the step (E) exceeds 10.0, the dissolution diffusion of the solder resist layer is promoted and the film thickness irregularity may easily occur in the surface. The pH of the aqueous solution can be adjusted by using sulfuric acid, phosphoric acid, hydrochloric acid, or the like.

또한, 알칼리 수용액 및 공정 (E) 의 수용액의 pH 는 온도 의존성이 있는데, 본 발명에 관련된 pH 는 액온 22 ℃ 에 있어서의 값을 가리킨다. pH 유리 전극의 온도 특성에 대응한 온도 보상 기능 (pH 유리 전극의 온도에 의한 성질의 변화를 보정하는 기능) 과 수용액의 온도 특성에 대응한 온도 환산 기능 (일정한 온도에서의 pH 값으로 환산하는 기능) 을 구비한 pH 미터를 이용하여 측정함으로써, 22 ℃ 에 있어서의 수용액의 pH 값을 조사할 수 있다.The pH of the aqueous solution of the alkali solution and the aqueous solution of the step (E) is temperature-dependent, and the pH according to the present invention indicates the value at a liquid temperature of 22 ° C. pH The function of temperature compensation corresponding to the temperature characteristic of the glass electrode (the function of correcting the property change by the temperature of the pH glass electrode) and the temperature conversion function corresponding to the temperature characteristic of the aqueous solution (the function of converting into the pH value at a constant temperature ) To measure the pH value of the aqueous solution at 22 占 폚.

공정 (E) 에 있어서, 수용액의 온도는 25 ∼ 45 ℃ 가 보다 바람직하고, 27 ∼ 40 ℃ 가 더욱 바람직하다. 공정 (E) 에 있어서의 수용액의 온도는 솔더 레지스트층의 용해 확산 효율에 영향을 끼쳐, 22 ℃ 미만에서는 솔더 레지스트층 성분의 용해 불량이 일어나, 조면화된 접속 패드 표면에 솔더 레지스트 잔류물이 남기 쉬운 경우가 있다. 한편, 50 ℃ 를 초과하면, 수용액의 증발이나 연속 운전에서의 온도 관리의 문제, 장치 설계상의 제약이 발생하는 경우가 있어 바람직하지 않다.In the step (E), the temperature of the aqueous solution is more preferably 25 to 45 占 폚, and still more preferably 27 to 40 占 폚. The temperature of the aqueous solution in the step (E) affects the dissolution diffusion efficiency of the solder resist layer. When the temperature is less than 22 캜, the solder resist layer component fails to dissolve and the solder resist residue remains on the roughened surface There is an easy case. On the other hand, if it exceeds 50 캜, there is a problem that temperature control during evaporation of an aqueous solution, continuous operation, and restrictions on apparatus design may occur.

또한, 공정 (E) 의 수용액에 소포 (억포, 파포) 에 효과적인 소포제를 첨가할 수 있다. 솔더 레지스트층의 박막화 처리를 연속적으로 실시하여, 수용액 중에 솔더 레지스트 성분이 대량으로 용해되면, 발포가 격렬해져 연속 운전을 할 수 없는 상태가 된다. 소포제는 이와 같은 발포를 억제하는 것인데, 크게 나누면 실리콘계 소포제와 유기계 소포제가 있다.Further, an antifoaming agent which is effective for vesicles (permeation, spreading) can be added to the aqueous solution of the step (E). When the solder resist layer is continuously thinned to dissolve a large amount of the solder resist component in the aqueous solution, the foaming becomes violent and the continuous operation can not be performed. Antifoaming agents inhibit such foaming, and there are two types of silicone antifoaming agent and organic antifoaming agent.

실리콘계 소포제는 소포의 속효성이 우수하지만, 소포 능력의 지속성이나 상용성, 젖음성면에서 떨어져 뭉침이나 크레이터와 같은 결함을 일으키기 쉽다. 한편, 유기계 소포제는 계면 활성제계, 파라핀계, 광물유계 등이 있는데, 수성 발포액의 소포에 있어서 실리콘계 소포제에 비해 우수한 지속성을 나타낸다. 계면 활성제계 소포제로는, 유화제를 이용하여 HLB 가 낮은 계면 활성제를 에멀션 분산시킨 것이 많이 사용되는데, 이 타입의 소포제는 비교적 지속성이 있기는 하지만, 소포 효과가 다른 것에 비해 작은 것이 많다. 그 중에서 아세틸렌기를 중앙에 두고 좌우 대칭의 매우 안정적인 분자 구조를 갖는 하기 식 1 또는 식 2 로 나타내는 계면 활성제는, 분자량도 작고, 표면 장력을 크게 낮추는 효과가 있어, 소포성이나 분산성과 같은 기능뿐만 아니라 젖음성이나 상용성도 우수한 성능을 발휘한다.Silicone antifoaming agents are excellent in the short-term effectiveness of parcels, but they are prone to cause defects such as lumps and craters because they are deteriorated in terms of perspiration ability, compatibility and wettability. On the other hand, the organic antifoaming agent has a surfactant system, a paraffin system, a mineral oil system and the like, and exhibits excellent persistence in the water-based foamed liquid as compared with the silicone-based antifoaming agent. Surfactant-based antifoaming agent is often emulsion-dispersed with a surfactant having a low HLB by using an emulsifier. Although this type of antifoaming agent is relatively persistent, the antifoaming effect is much smaller than the others. Among them, the surfactant represented by the following formula 1 or formula 2 having a very stable molecular structure symmetrically with the acetylene group at the center has a small molecular weight and an effect of greatly lowering the surface tension, and has not only functions such as defoaming property and dispersibility Excellent wettability and compatibility are exhibited.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

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식 1 및 식 2 에 있어서, m 및 n 은 0 또는 1 이상의 정수이며, 또한 0≤m+n≤30 이다.In the formulas (1) and (2), m and n are 0 or an integer of 1 or more, and 0? M + n?

이와 같은 계면 활성제로는, 예를 들어 닛신 화학 공업사 제조의 서피놀 (등록상표) 104, 서피놀 (등록상표) DF110D, 서피놀 (등록상표) MD-20, 서피놀 (등록상표) 420, 서피놀 (등록상표) 440, 서피놀 (등록상표) 465, 서피놀 (등록상표) 485, 오르핀 (등록상표) AF-103, 오르핀 (등록상표) E1004 등을 들 수 있다. 특히, 소포성면에서는 서피놀 (등록상표) 104, 오르핀 (등록상표) AF-103 이 바람직하고, 수용성면에서는 서피놀 (등록상표) 465, 서피놀 (등록상표) 485, 오르핀 (등록상표) E1004 등이 바람직한데, 이들에 추가하여 상용성, 소포 효과의 지속성, 용해량의 증가에 수반되는 유상 스컴의 분산성을 고려하면, 서피놀 (등록상표) MD-20 의 사용이 가장 바람직하다.Examples of such surfactants include Surfynol (registered trademark) 104, Surfynol (registered trademark) DF110D, Surfinol (registered trademark) MD-20, Surfynol (registered trademark) 420 manufactured by Nissin Chemical Industry Co., NOLOL (registered trademark) 440, SURFINOL (registered trademark) 465, SURFYNOL (registered trademark) 485, ORPIN (registered trademark) AF-103 and ORPIN (registered trademark) E1004. Particularly, Surfynol (registered trademark) 104 and Orpin (registered trademark) AF-103 are preferable in the foaming property and Surfynol (registered trademark) 465, Surfynol (registered trademark) ) E1004. In addition to these, the use of Surfynol (registered trademark) MD-20 is most preferable in view of the compatibility, the persistence of the bubble effect and the dispersibility of the oil scum accompanied by the increase of the amount of dissolution .

이들 계면 활성제는, 용해 분산되는 솔더 레지스트량 1 g 당 0.01 ∼ 5.0 g 첨가하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.05 ∼ 2.0 g 이다. 0.01 g 미만에서는, 발포에 대한 소포 효과가 불충분해지는 경우가 있다. 5.0 g 을 초과하면, 계면 활성제의 층 분리가 발생할 가능성이 있다. 또, 계면 활성제는 수용액에 분산시킨 상태로 첨가함으로써, 신속하게 확산되어 소포 효과를 발휘한다.These surfactants are preferably added in an amount of 0.01 to 5.0 g per 1 g of the solder resist to be dissolved and dispersed, and more preferably 0.05 to 2.0 g. If it is less than 0.01 g, the effect of foaming on foaming may be insufficient. If it exceeds 5.0 g, there is a possibility that layer separation of the surfactant occurs. Further, when the surfactant is added in a state of being dispersed in an aqueous solution, it spreads quickly and exhibits a bubble effect.

또한, 파라핀계 소포제는 유화제를 이용하여 파라핀 왁스 혹은 그 변성물을 에멀션 분산시킨 것인데, 성분으로서 광물유를 함유하는 소포제로 바람직하게 사용된다. 광물유의 함유량, 그 외에 함유되는 성분에 의해 소포 효과와 지속성을 양립시키는 것이 가능해진다. 사용되는 광물유로는, 석유 원유 혹은 그 가공물에서 얻어지는 주로 파라핀계나 나프텐계의 포화 탄화수소, 예를 들어 유동 파라핀, 윤활유, 가솔린, 등유, 경유, 중유, 머신유 등을 들 수 있다. 광물유계 소포제는 광물유를 주요한 소포 성분으로 하는 것으로, 소포 효과를 높이기 위해 금속 비누, 이산화규소 등을 혼합한 것도 있다. 광물유를 주요한 소포 성분으로 하는 소포제는, 물에 대한 분산성이 매우 나쁘고, 수면에 분리된 유분이 부유하거나, 그 분리된 유분이 솔더 레지스트층 표면에 부착되거나, 나아가서는 욕조를 현저하게 오염시킨다는 문제가 있다.The paraffin-based antifoaming agent is obtained by emulsion-dispersing paraffin wax or its modified product using an emulsifier, and is preferably used as a defoaming agent containing mineral oil as a component. The content of mineral oil and other components can make it possible to combine the defoaming effect and the durability. Examples of the mineral oil used include petroleum crude oil and saturated or unsaturated hydrocarbons such as liquid paraffin, lubricating oil, gasoline, kerosene, diesel oil, heavy oil, and machine oils, which are mainly obtained from petroleum crude oil or its products. Mineral oil defoaming agents are made up of mineral oil as a major defoaming agent. In order to increase the defoaming effect, metal soap and silicon dioxide are mixed. The antifoaming agent containing mineral oil as a main vesicle component has a problem that the dispersibility of water to water is very poor and the separated oil particles float on the water surface and the separated oil adheres to the surface of the solder resist layer and further, .

광물유를 함유하는 소포제는 광물유의 함유량이 20 질량% 이하인 것이 바람직하다. 광물유는 일반적으로 억포 효과가 크지만 지속성이 없다고 여겨지고 있는데, 광물유를 20 질량% 이하로 함유시키고, 다른 성분으로 지속성을 보충하게 함으로써 억포 효과와 지속성이 양립된다. 소포제에 함유되는 광물유의 함유량은 10 ∼ 20 질량% 가 보다 바람직하고, 15 ∼ 20 질량% 가 더욱 바람직하다. 광물유의 함유량이 20 질량% 이하인 소포제로는 일반적으로 시판되는 것을 사용할 수 있는데, 구체적으로는 쿠리타 공업 (주) 제조의 크리레스 (등록상표) 505, 514, 521 등을 들 수 있다. 소포제의 첨가량은 특별히 제한은 없지만, 농도로서 1 ∼ 10000 ppm 이 바람직하고, 10 ∼ 1000 ppm 이 보다 바람직하다.The antifoaming agent containing mineral oil preferably has a mineral oil content of 20 mass% or less. Mineral oil is generally considered to have a great effect but has no persistence. It contains both mineral oil and less than 20% by mass, and replenishes the sustainability with other ingredients. The content of the mineral oil contained in the antifoaming agent is more preferably 10 to 20 mass%, and still more preferably 15 to 20 mass%. Commercially available antifoaming agents having a mineral oil content of 20% by mass or less may be used. Specific examples thereof include Crilles (registered trademark) 505, 514 and 521 manufactured by Kurita Kogyo K.K. The amount of the antifoaming agent to be added is not particularly limited, but the concentration is preferably 1 to 10000 ppm, more preferably 10 to 1000 ppm.

본 발명에 관련된 솔더 레지스트층의 박막화 처리에 있어서, 박막화에 의해 제거된 솔더 레지스트 성분의 공정 (E) 의 수용액 중으로의 용해 농도는 0.5 질량% 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.3 질량% 이하이며, 더욱 바람직하게는 0.2 질량% 이하이다. 연속 박막화 처리에 의해 공정 (E) 의 수용액 중으로의 솔더 레지스트 성분의 용해량이 많아지면, 박막화 처리한 솔더 레지스트 표면에 헤이즈 불균일이 발생하여, 그 부분에서 막두께 불균일이 발생하는 경우가 있다. 헤이즈 불균일은, 박막화 처리에 있어서 솔더 레지스트층의 분산성이 나빠져 용해 불량이 발생하고, 그에 따른 불용해 성분의 석출이 원인인 것으로 생각되지만 자세한 것은 불분명하다. 또, 공정 (E) 수용액 중에 용해된 솔더 레지스트 성분은, 필터를 순환시킴으로써 수시로 제거할 수 있다. 필터의 종류는 특별히 제한없이 사용할 수 있는데, 예를 들어 애드반텍 토요 (주) 제조의 뎁스 카트리지 필터나 와인드 카트리지 필터 등을 사용할 수 있다. 사용하는 필터의 개수나 구멍 직경 등은 필요에 따라 자유롭게 선택할 수 있다.In the thinning treatment of the solder resist layer related to the present invention, the concentration of the solder resist component removed by thinning into the aqueous solution of the step (E) in the aqueous solution is preferably 0.5 mass% or less, more preferably 0.3 mass% or less , More preferably 0.2 mass% or less. If the dissolution amount of the solder resist component into the aqueous solution of the step (E) is increased by the continuous thinning treatment, haze unevenness may occur on the surface of the thinned solder resist, and film thickness unevenness may occur at that portion. The haze unevenness is considered to be caused by the poor dispersion of the solder resist layer in the thinning treatment process, resulting in poor solubility and hence the precipitation of insoluble components, but the details are unclear. The solder resist component dissolved in the aqueous solution of step (E) can be removed at any time by circulating the filter. The type of the filter can be used without any particular limitation. For example, a depth cartridge filter or a wound cartridge filter manufactured by Advanetto Co., Ltd. can be used. The number of the filters to be used, the hole diameter, and the like can be freely selected as needed.

솔더 레지스트 성분의 공정 (E) 의 수용액 중으로의 용해 농도의 측정 방법으로는, 절건 (絶乾) 질량으로부터의 차분으로서 측정할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 솔더 레지스트 성분이 용해된 수용액 10 g 을 샬레에 채취하고, 온도 100 ℃ 의 건조기에 넣어 완전히 수분을 증발시킨다. 이어서, 증발 후의 질량을 측정함으로써, 용해액 10 g 중에 용해되어 있던 솔더 레지스트 성분의 양 (질량%) 을 계산할 수 있다.The method of measuring the concentration of the solder resist component in the aqueous solution of the step (E) can be measured as the difference from the absolute dry mass. Specifically, for example, 10 g of an aqueous solution in which a solder resist component is dissolved is taken in a chalet, and the resultant is placed in a drier at a temperature of 100 캜 to completely evaporate water. Then, by measuring the mass after evaporation, the amount (mass%) of the solder resist component dissolved in 10 g of the solution can be calculated.

공정 (E) 에 있어서의 액 공급 방법으로는, 솔더 레지스트층의 용해 확산 속도와 액 공급의 균일성면에서 스프레이 처리가 가장 바람직하다. 또, 스프레이압은 0.01 ∼ 0.5 ㎫ 로 하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.02 ∼ 0.3 ㎫ 이다. 또한, 스프레이의 방법은, 솔더 레지스트층 표면에 효율적으로 액 흐름을 만들기 위해, 솔더 레지스트층 표면에 수직인 방향에 대하여 기울인 방향에서 분사하는 것이 바람직하다.As the liquid supply method in the step (E), the spray treatment is most preferable in terms of the dissolution diffusion speed of the solder resist layer and the uniformity of the liquid supply. The spray pressure is preferably 0.01 to 0.5 MPa, and more preferably 0.02 to 0.3 MPa. The spraying method is preferably sprayed in a direction tilted with respect to the direction perpendicular to the surface of the solder resist layer in order to efficiently flow the liquid on the surface of the solder resist layer.

공정 (B1), (B2), (B3) 또는 (D) 의 종료부터 물에 의한 세정 개시까지의 시간 및 공정 (B1), (B2), (B3) 또는 (D) 의 종료부터 공정 (E) 의 개시까지의 시간은 6 초 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 4 초 이하가 바람직하다. 솔더 레지스트층의 박막화량은, 공정 (B1), (B2), (B3) 또는 (D) 의 개시부터 물에 의한 세정 또는 공정 (E) 의 개시 직전까지의 합계 시간에 따라 결정된다. 요컨대, 공정 (B1), (B2), (B3) 또는 (D) 의 종료부터 물에 의한 세정 또는 공정 (E) 의 개시까지의 시간도 박막화량에 영향을 끼친다. 여기서, 박막화 처리 장치를 이용하여 박막화 처리를 실시하는 경우, 공정 (B1), (B2), (B3) 또는 (D) 로부터 공정 (E) 로 이행하는 시간을 제로로 하는 것은, 반송 속도를 생각해도 실질적으로 불가능하다. 공정 (B1), (B2), (B3) 또는 (D) 의 종료부터 공정 (E) 의 개시까지의 시간이 길어지면, 솔더 레지스트층으로의 알칼리 수용액의 팽윤, 침투의 진행 정도가 불균일해져 면내에서 막두께 불균일이 발생하는 경우가 있다.The time from the end of steps (B1), (B2), (B3) or (D) to the start of cleaning with water and the end of steps (B1), (B2), (B3) ) Is preferably 6 seconds or less, and more preferably 4 seconds or less. The thinning amount of the solder resist layer is determined according to the total time from the start of the steps (B1), (B2), (B3) or (D) to the time of washing with water or just before the start of the step (E). In short, the time from the end of the steps (B1), (B2), (B3), or (D) to the start of the cleaning with water or the start of the step (E) also affects the amount of thinning. Here, when the thinning treatment is carried out by using the thinning treatment apparatus, the time from the step (B1), (B2), (B3) or (D) to the step (E) is made zero by considering the conveying speed Is practically impossible. If the time from the end of the steps (B1), (B2), (B3), or (D) to the start of the step (E) becomes long, the degree of swelling and penetration of the alkali aqueous solution into the solder resist layer becomes uneven, The film thickness unevenness may occur in some cases.

실시예Example

이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

(실시예 1) (Example 1)

<공정 (A1)>≪ Process (A1) >

동장 적층판 (면적 170 mm × 200 mm, 동박 두께 18 ㎛, 기재 두께 0.4 mm) 에 서브 트랙티브법을 이용하여, 배선폭 50 ㎛, 배선폭 간격 50 ㎛ 의 접속 패드를 갖는 회로 기판을 제작하였다. 이어서, 진공 라미네이터를 이용하여, 두께 30 ㎛ 의 솔더 레지스트 필름 (타이요 잉크 제조 (주) 제조, 상품명 : PFR-800 AUS410) 을 상기 회로 기판 상에 진공 열압착시켰다 (라미네이트 온도 75 ℃, 흡인 시간 30 초, 가압 시간 10 초). 이로써 절연성 기판 표면으로부터 솔더 레지스트층 표면까지의 막두께가 38 ㎛ 인 솔더 레지스트층을 형성하였다.A circuit board having connection pads having a wiring width of 50 mu m and a wiring width of 50 mu m was fabricated on a copper-clad laminate (area: 170 mm x 200 mm, copper foil thickness: 18 mu m, substrate thickness: 0.4 mm) using the subtractive method. Then, a solder resist film (trade name: PFR-800 AUS410, manufactured by TAIYO INK MFG. CO., LTD.) Having a thickness of 30 占 퐉 was vacuum-pressed onto the circuit board using a vacuum laminator (laminate temperature: 75 占 폚, Sec, press time 10 seconds). As a result, a solder resist layer having a thickness of 38 mu m from the surface of the insulating substrate to the surface of the solder resist layer was formed.

<공정 (B1)>≪ Process (B1)

표 1 에 기재된 알칼리 수용액 (액온 25 ℃) 을 이용하여, 절연성 기판 표면으로부터의 솔더 레지스트층의 두께가 평균 12 ㎛ 가 되도록, 침지 방식에 의해 표 1 에 기재된 시간으로 박막화 처리를 실시하고, 충분한 수세 처리 (액온 25 ℃), 냉풍 건조를 거쳐 박막화된 솔더 레지스트층을 얻었다. 박막화 처리 후, 박막화된 부분의 솔더 레지스트층의 두께를 10 점 측정하여 최대치 및 최소치를 조사하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다. 막두께 최대치와 막두께 최소치의 차이는 충분히 작아 양호한 면내 균일성이 얻어졌다.The thinning treatment was carried out in the time described in Table 1 by an immersion method so that the thickness of the solder resist layer from the surface of the insulating substrate was 12 占 퐉 on average using the aqueous alkali solution (liquid temperature 25 占 폚) shown in Table 1, Treated (liquid temperature 25 캜), and dried under a cold air to obtain a thin solder resist layer. After the thinning treatment, the thickness of the thinned solder resist layer was measured at 10 points, and the maximum and minimum values were measured. The results are shown in Table 1. The difference between the film thickness maximum value and the film thickness minimum value was sufficiently small, and good in-plane uniformity was obtained.

Figure pat00002
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다음으로, 솔더 레지스트층을 경화시키기 위해, 노광량 500 mJ/㎠ 로 전체면 노광하고, 계속해서 150 ℃ 에서 60 분간 열경화 처리를 실시하여, 솔더 레지스트 패턴을 형성하였다. 형성된 솔더 레지스트 패턴은 도 10 에 나타내는 구조로, 이것을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 두께 18 ㎛ 의 접속 패드 (6) 는 그 금속 표면이 노출되어 있고, 인접하는 접속 패드 (6) 사이에 두께 12 ㎛ 의 솔더 레지스트층 (3) 이 매립되어 있었다.Next, in order to cure the solder resist layer, the entire surface was exposed at an exposure amount of 500 mJ / cm 2, and then subjected to a thermal curing treatment at 150 캜 for 60 minutes to form a solder resist pattern. The solder resist pattern formed was of the structure shown in Fig. 10 and observed with an optical microscope. As a result, the connection pad 6 having a thickness of 18 탆 had its metal surface exposed, and a thickness of 12 탆 Of the solder resist layer 3 is buried.

(실시예 2) (Example 2)

<공정 (A2)>≪ Process (A2) >

동장 적층판 (면적 170 mm × 200 mm, 동박 두께 18 ㎛, 기재 두께 0.4 mm) 에 서브 트랙티브법을 이용하여, 배선폭 50 ㎛, 배선폭 간격 50 ㎛ 의 도체 배선을 갖는 회로 기판을 제작하였다. 이어서, 진공 라미네이터를 이용하여, 두께 30 ㎛ 의 솔더 레지스트 필름 (타이요 잉크 제조 (주) 제조, 상품명 : PFR-800 AUS410) 을 상기 회로 기판 상에 진공 열압착시켰다 (라미네이트 온도 75 ℃, 흡인 시간 30 초, 가압 시간 10 초). 이로써 절연성 기판 표면으로부터 솔더 레지스트층 표면까지의 막두께가 38 ㎛ 인 솔더 레지스트층을 형성하였다.A circuit board having conductor wirings having a wiring width of 50 mu m and a wiring width of 50 mu m was fabricated on a copper-clad laminate (area 170 mm x 200 mm, copper foil thickness 18 mu m, substrate thickness 0.4 mm) using the subtractive method. Then, a solder resist film (trade name: PFR-800 AUS410, manufactured by TAIYO INK MFG. CO., LTD.) Having a thickness of 30 占 퐉 was vacuum-pressed onto the circuit board using a vacuum laminator (laminate temperature: 75 占 폚, Sec, press time 10 seconds). As a result, a solder resist layer having a thickness of 38 mu m from the surface of the insulating substrate to the surface of the solder resist layer was formed.

<공정 (C)>≪ Process (C) >

도체 배선의 일부를 접속 패드로 하고, 그 접속 패드의 단부로부터 50 ㎛ 이외의 영역의 솔더 레지스트층을 경화시키기 위해, 노광량 300 mJ/㎠ 로 포토마스크에 의한 밀착 노광을 실시하였다.A portion of the conductor wiring was used as a connection pad, and contact exposure with a photomask was performed at an exposure amount of 300 mJ / cm 2 in order to cure the solder resist layer in an area other than 50 탆 from the end of the connection pad.

<공정 (B2)>≪ Process (B2)

표 1 에 기재된 알칼리 수용액 (액온 25 ℃) 을 이용하여, 비노광부의 절연성 기판 표면으로부터의 솔더 레지스트층의 두께가 평균 12 ㎛ 가 되도록, 침지 방식에 의해 표 1 에 기재된 시간으로 박막화 처리를 실시하고, 충분한 수세 처리 (액온 25 ℃), 냉풍 건조를 거쳐 박막화된 솔더 레지스트층을 얻었다. 박막화 처리 후, 박막화된 부분의 솔더 레지스트층의 두께를 10 점 측정하여 최대치 및 최소치를 조사하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다. 막두께 최대치와 막두께 최소치의 차이는 충분히 작아 양호한 면내 균일성이 얻어졌다.The thinning treatment was carried out in the time described in Table 1 by the immersion method so that the average thickness of the solder resist layer from the surface of the insulating substrate of the non-exposed portion was 12 mu m using the aqueous alkaline solution (liquid temperature 25 DEG C) shown in Table 1 , A sufficient water washing treatment (liquid temperature 25 캜), and a cold air drying to obtain a thin solder resist layer. After the thinning treatment, the thickness of the thinned solder resist layer was measured at 10 points, and the maximum and minimum values were measured. The results are shown in Table 1. The difference between the film thickness maximum value and the film thickness minimum value was sufficiently small, and good in-plane uniformity was obtained.

다음으로, 솔더 레지스트층을 경화시키기 위해, 노광량 500 mJ/㎠ 로 전체면 노광하고, 계속해서 150 ℃ 에서 60 분간 열경화 처리를 실시하였다. 형성된 솔더 레지스트 패턴은 도 11 에 나타내는 구조로, 이것을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 두께 18 ㎛ 의 도체 배선 (2) 이 두께 38 ㎛ 의 솔더 레지스트층 (3) 에 의해 피복되고, 두께 18 ㎛ 의 접속 패드 (6) 는 그 금속 표면이 노출되어 있고, 인접하는 접속 패드 (6) 사이에 두께 12 ㎛ 의 솔더 레지스트층 (3) 이 매립되어 있었다.Next, in order to cure the solder resist layer, the entire surface was exposed at an exposure dose of 500 mJ / cm 2, followed by thermal curing treatment at 150 캜 for 60 minutes. The solder resist pattern formed was of the structure shown in Fig. 11 and observed with an optical microscope. As a result, the conductor wiring 2 having a thickness of 18 mu m was covered with the solder resist layer 3 having a thickness of 38 mu m, The metal surface of the pad 6 was exposed, and a solder resist layer 3 having a thickness of 12 占 퐉 was buried between the adjacent connection pads 6. [

(실시예 3) (Example 3)

<공정 (A2)>≪ Process (A2) >

동장 적층판 (면적 170 mm × 200 mm, 동박 두께 18 ㎛, 기재 두께 0.4 mm) 에 서브 트랙티브법을 이용하여, 배선폭 50 ㎛, 배선폭 간격 50 ㎛ 의 도체 배선을 갖는 회로 기판을 제작하였다. 이어서, 진공 라미네이터를 이용하여, 두께 30 ㎛ 의 솔더 레지스트 필름 (타이요 잉크 제조 (주) 제조, 상품명 : PFR-800 AUS410) 을 상기 회로 기판 상에 진공 열압착시켰다 (라미네이트 온도 75 ℃, 흡인 시간 30 초, 가압 시간 10 초). 이로써 절연성 기판 표면으로부터 솔더 레지스트층 표면까지의 막두께가 38 ㎛ 인 솔더 레지스트층을 형성하였다.A circuit board having conductor wirings having a wiring width of 50 mu m and a wiring width of 50 mu m was fabricated on a copper-clad laminate (area 170 mm x 200 mm, copper foil thickness 18 mu m, substrate thickness 0.4 mm) using the subtractive method. Then, a solder resist film (trade name: PFR-800 AUS410, manufactured by TAIYO INK MFG. CO., LTD.) Having a thickness of 30 占 퐉 was vacuum-pressed onto the circuit board using a vacuum laminator (laminate temperature: 75 占 폚, Sec, press time 10 seconds). As a result, a solder resist layer having a thickness of 38 mu m from the surface of the insulating substrate to the surface of the solder resist layer was formed.

<공정 (D)>≪ Process (D) >

표 1 에 기재된 알칼리 수용액 (액온 25 ℃) 을 이용하여, 절연성 기판 표면으로부터의 솔더 레지스트층의 두께가 평균 28 ㎛ 가 될 때까지, 침지 방식에 의해 박막화 처리를 실시하고, 충분한 수세 처리 (액온 25 ℃), 냉풍 건조를 거쳐 박막화된 솔더 레지스트층을 얻었다.The thinning treatment was carried out by an immersion method until the thickness of the solder resist layer from the surface of the insulating substrate became 28 mu m on average using the aqueous alkaline solution (liquid temperature 25 DEG C) shown in Table 1, Lt; 0 > C), followed by cooling and drying to obtain a thin solder resist layer.

<공정 (C)>≪ Process (C) >

도체 배선의 일부를 접속 패드로 하고, 그 접속 패드의 단부로부터 50 ㎛ 이외의 영역의 솔더 레지스트층을 경화시키기 위해, 노광량 300 mJ/㎠ 로 포토마스크에 의한 밀착 노광을 실시하였다.A portion of the conductor wiring was used as a connection pad, and contact exposure with a photomask was performed at an exposure amount of 300 mJ / cm 2 in order to cure the solder resist layer in an area other than 50 탆 from the end of the connection pad.

<공정 (B2)>≪ Process (B2)

표 1 에 기재된 알칼리 수용액 (액온 25 ℃) 을 이용하여, 비노광부의 절연성 기판 표면으로부터의 솔더 레지스트층의 두께가 평균 12 ㎛ 가 되도록, 침지 방식에 의해 표 1 에 기재된 시간으로 박막화 처리를 실시하고, 충분한 수세 처리 (액온 25 ℃), 냉풍 건조에 의해 박막화된 솔더 레지스트층을 얻었다. 박막화 처리 후, 박막화된 부분의 솔더 레지스트층의 두께를 10 점 측정하여 최대치 및 최소치를 조사하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다. 막두께 최대치와 막두께 최소치의 차이는 충분히 작아 양호한 면내 균일성이 얻어졌다.The thinning treatment was carried out in the time described in Table 1 by the immersion method so that the average thickness of the solder resist layer from the surface of the insulating substrate of the non-exposed portion was 12 mu m using the aqueous alkaline solution (liquid temperature 25 DEG C) shown in Table 1 , A sufficient water washing treatment (liquid temperature 25 ° C), and a cold air drying to obtain a thin solder resist layer. After the thinning treatment, the thickness of the thinned solder resist layer was measured at 10 points, and the maximum and minimum values were measured. The results are shown in Table 1. The difference between the film thickness maximum value and the film thickness minimum value was sufficiently small, and good in-plane uniformity was obtained.

다음으로, 솔더 레지스트층을 경화시키기 위해, 노광량 500 mJ/㎠ 로 전체면 노광하고, 계속해서 150 ℃ 에서 60 분간 열경화 처리를 실시하였다. 형성된 솔더 레지스트 패턴은 도 12 에 나타내는 구조로, 이것을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 두께 18 ㎛ 의 도체 배선 (2) 이 두께 28 ㎛ 의 솔더 레지스트층 (3) 에 의해 피복되고, 두께 18 ㎛ 의 접속 패드 (6) 는 그 금속 표면이 노출되어 있고, 인접하는 접속 패드 (6) 사이에 두께 12 ㎛ 의 솔더 레지스트층 (3) 이 매립되어 있었다.Next, in order to cure the solder resist layer, the entire surface was exposed at an exposure dose of 500 mJ / cm 2, followed by thermal curing treatment at 150 캜 for 60 minutes. The solder resist pattern formed was of the structure shown in Fig. 12 and observed with an optical microscope. As a result, the conductor wiring 2 having a thickness of 18 mu m was covered with the solder resist layer 3 having a thickness of 28 mu m, The metal surface of the pad 6 was exposed, and a solder resist layer 3 having a thickness of 12 占 퐉 was buried between the adjacent connection pads 6. [

(실시예 4) (Example 4)

<공정 (A3)>≪ Process (A3) >

동장 적층판 (면적 170 mm × 200 mm, 기재 두께 0.4 mm) 에 세미 애디티브법을 이용하여, 두께 25 ㎛, 배선폭 50 ㎛, 배선폭 간격 50 ㎛ 의 접속 패드와 두께 15 ㎛, 배선폭 50 ㎛, 배선폭 간격 50 ㎛ 의 도체 배선을 갖는 회로 기판을 제작하였다. 이어서, 진공 라미네이터를 이용하여, 두께 30 ㎛ 의 솔더 레지스트 필름 (타이요 잉크 제조 (주) 제조, 상품명 : PFR-800 AUS410) 을 상기 회로 기판 상에 진공 열압착시켰다 (라미네이트 온도 75 ℃, 흡인 시간 30 초, 가압 시간 10 초). 이로써 절연성 기판 표면으로부터 솔더 레지스트층 표면까지의 막두께가 38 ㎛ 인 솔더 레지스트층을 형성하였다.A connection pad having a thickness of 25 占 퐉, a wiring width of 50 占 퐉 and a wiring width of 50 占 퐉 and a connection pad of thickness 15 占 퐉 and wiring width of 50 占 퐉 (area: 170 mm 占 200 mm, substrate thickness 0.4 mm) , And a conductor wiring having a wiring width of 50 mu m. Then, a solder resist film (trade name: PFR-800 AUS410, manufactured by TAIYO INK MFG. CO., LTD.) Having a thickness of 30 占 퐉 was vacuum-pressed onto the circuit board using a vacuum laminator (laminate temperature: 75 占 폚, Sec, press time 10 seconds). As a result, a solder resist layer having a thickness of 38 mu m from the surface of the insulating substrate to the surface of the solder resist layer was formed.

<공정 (B3)>≪ Process (B3) >

표 1 에 기재된 알칼리 수용액 (액온 25 ℃) 을 이용하여, 절연성 기판 표면으로부터의 솔더 레지스트층의 두께가 평균 20 ㎛ 가 되도록, 침지 방식에 의해 표 1 에 기재된 시간으로 박막화 처리를 실시하고, 충분한 수세 처리 (액온 25 ℃), 냉풍 건조를 거쳐 박막화된 솔더 레지스트층을 얻었다. 박막화 처리 후, 박막화된 부분의 솔더 레지스트층의 두께를 10 점 측정하여 최대치 및 최소치를 조사하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다. 막두께 최대치와 막두께 최소치의 차이는 충분히 작아 양호한 면내 균일성이 얻어졌다.Thinning treatment was carried out in the time described in Table 1 by an immersion method so that the thickness of the solder resist layer from the surface of the insulating substrate became 20 mu m on average using the alkali aqueous solution (liquid temperature 25 DEG C) shown in Table 1, Treated (liquid temperature 25 캜), and dried under a cold air to obtain a thin solder resist layer. After the thinning treatment, the thickness of the thinned solder resist layer was measured at 10 points, and the maximum and minimum values were measured. The results are shown in Table 1. The difference between the film thickness maximum value and the film thickness minimum value was sufficiently small, and good in-plane uniformity was obtained.

다음으로, 솔더 레지스트층을 경화시키기 위해, 노광량 500 mJ/㎠ 로 전체면 노광하고, 계속해서 150 ℃ 에서 60 분간 열경화 처리를 실시하였다. 형성된 솔더 레지스트 패턴은 도 13 에 나타내는 구조로, 두께 15 ㎛ 의 도체 배선 (2) 은 두께 20 ㎛ 의 솔더 레지스트층 (3) 에 완전히 피복되고, 두께 25 ㎛ 의 접속 패드 (6) 는 그 금속 표면이 노출되어 있고, 인접하는 접속 패드 (6) 사이에 두께 20 ㎛ 의 솔더 레지스트층 (3) 이 매립되어 있었다.Next, in order to cure the solder resist layer, the entire surface was exposed at an exposure dose of 500 mJ / cm 2, followed by thermal curing treatment at 150 캜 for 60 minutes. 13, the conductor wirings 2 having a thickness of 15 占 퐉 are completely covered with the solder resist layer 3 having a thickness of 20 占 퐉 and the connection pads 6 having a thickness of 25 占 퐉 are covered with the metal surface And a solder resist layer 3 having a thickness of 20 占 퐉 was buried between the adjacent connection pads 6. [

(실시예 5) (Example 5)

<공정 (A3)>≪ Process (A3) >

동장 적층판 (면적 170 mm × 200 mm, 기재 두께 0.4 mm) 에 세미 애디티브 법을 이용하여, 배선폭 50 ㎛, 배선폭 간격 50 ㎛ 이고, 각 배선에 두께 25 ㎛ 의 접속 패드와 두께 15 ㎛ 의 도체 배선이 계단상으로 형성된 회로 기판을 제작하였다. 이어서, 진공 라미네이터를 이용하여, 두께 30 ㎛ 의 솔더 레지스트 필름 (타이요 잉크 제조 (주) 제조, 상품명 : PFR-800 AUS410) 을 상기 회로 기판 상에 진공 열압착시켰다 (라미네이트 온도 75 ℃, 흡인 시간 30 초, 가압 시간 10 초). 이로써 절연성 기판 표면으로부터 솔더 레지스트층 표면까지의 막두께가 38 ㎛ 인 솔더 레지스트층을 형성하였다.A semi-additive method was used to form a copper-clad laminate (area: 170 mm x 200 mm, substrate thickness: 0.4 mm) having a wiring width of 50 mu m and a wiring width of 50 mu m, connecting pads each having a thickness of 25 mu m, A circuit board having conductor wirings formed in a stepped shape was produced. Then, a solder resist film (trade name: PFR-800 AUS410, manufactured by TAIYO INK MFG. CO., LTD.) Having a thickness of 30 占 퐉 was vacuum-pressed onto the circuit board using a vacuum laminator (laminate temperature: 75 占 폚, Sec, press time 10 seconds). As a result, a solder resist layer having a thickness of 38 mu m from the surface of the insulating substrate to the surface of the solder resist layer was formed.

<공정 (B3)>≪ Process (B3) >

표 1 에 기재된 알칼리 수용액 (액온 25 ℃) 을 이용하여, 절연성 기판 표면으로부터의 솔더 레지스트층의 두께가 평균 20 ㎛ 가 되도록, 침지 방식에 의해 표 1 에 기재된 시간으로 박막화 처리를 실시하고, 충분한 수세 처리 (액온 25 ℃), 냉풍 건조를 거쳐 박막화된 솔더 레지스트층을 얻었다. 박막화 처리 후, 박막화된 부분의 솔더 레지스트층의 두께를 10 점 측정하여 최대치 및 최소치를 조사하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다. 막두께 최대치와 막두께 최소치의 차이는 충분히 작아 양호한 면내 균일성이 얻어졌다.Thinning treatment was carried out in the time described in Table 1 by an immersion method so that the thickness of the solder resist layer from the surface of the insulating substrate became 20 mu m on average using the alkali aqueous solution (liquid temperature 25 DEG C) shown in Table 1, Treated (liquid temperature 25 캜), and dried under a cold air to obtain a thin solder resist layer. After the thinning treatment, the thickness of the thinned solder resist layer was measured at 10 points, and the maximum and minimum values were measured. The results are shown in Table 1. The difference between the film thickness maximum value and the film thickness minimum value was sufficiently small, and good in-plane uniformity was obtained.

이어서, 솔더 레지스트층을 경화시키기 위해, 노광량 500 mJ/㎠ 로 전체면 노광하고, 계속해서 150 ℃ 에서 60 분간 열경화 처리를 실시하였다. 형성된 솔더 레지스트 패턴은 도 14 에 나타내는 구조로, 두께 15 ㎛ 의 도체 배선 (2) 은 두께 20 ㎛ 의 솔더 레지스트층 (3) 에 완전히 피복되고, 두께 25 ㎛ 의 접속 패드 (6) 는 그 금속 표면이 노출되어 있고, 인접하는 접속 패드 (6) 사이에 두께 20 ㎛ 의 솔더 레지스트층 (3) 이 매립되어 있었다.Subsequently, in order to cure the solder resist layer, the entire surface was exposed at an exposure dose of 500 mJ / cm 2, and then heat cured at 150 캜 for 60 minutes. 14, the conductor wiring 2 having a thickness of 15 占 퐉 is completely covered with the solder resist layer 3 having a thickness of 20 占 퐉, and the connection pad 6 having a thickness of 25 占 퐉 is covered with the metal surface And a solder resist layer 3 having a thickness of 20 占 퐉 was buried between the adjacent connection pads 6. [

(비교예 1) (Comparative Example 1)

동장 적층판 (면적 170 mm × 200 mm, 동박 두께 18 ㎛, 기재 두께 0.4 mm) 에 서브 트랙티브법을 이용하여, 배선폭 50 ㎛, 배선폭 간격 50 ㎛ 의 도체 배선을 갖는 회로 기판을 제작하였다. 이어서, 진공 라미네이터를 이용하여, 두께 30 ㎛ 의 솔더 레지스트 필름 (타이요 잉크 제조 (주) 제조, 상품명 : PFR-800 AUS410) 을 상기 회로 기판 상에 진공 열압착시켰다 (라미네이트 온도 75 ℃, 흡인 시간 30 초, 가압 시간 10 초). 이로써 절연성 기판 표면으로부터 솔더 레지스트층 표면까지의 막두께가 38 ㎛ 인 솔더 레지스트층을 형성하였다.A circuit board having conductor wirings having a wiring width of 50 mu m and a wiring width of 50 mu m was fabricated on a copper-clad laminate (area 170 mm x 200 mm, copper foil thickness 18 mu m, substrate thickness 0.4 mm) using the subtractive method. Then, a solder resist film (trade name: PFR-800 AUS410, manufactured by TAIYO INK MFG. CO., LTD.) Having a thickness of 30 占 퐉 was vacuum-pressed onto the circuit board using a vacuum laminator (laminate temperature: 75 占 폚, Sec, press time 10 seconds). As a result, a solder resist layer having a thickness of 38 mu m from the surface of the insulating substrate to the surface of the solder resist layer was formed.

도체 배선의 일부를 접속 패드로 하여, 그 접속 패드의 단부로부터 50 ㎛ 이외의 영역의 솔더 레지스트층을 경화시키기 위해, 노광량 300 mJ/㎠ 로 포토마스크에 의한 밀착 노광을 실시하였다.A part of the conductor wiring was used as a connection pad and contact exposure with a photomask was performed at an exposure amount of 300 mJ / cm 2 in order to harden the solder resist layer in an area other than 50 탆 from the end of the connection pad.

이어서, 1 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액온 30 ℃) 을 이용하여, 비노광부의 솔더 레지스트층을 현상 처리에 의해 모두 제거하고, 150 ℃ 에서 60 분간 열경화 처리를 실시하였다. 형성된 솔더 레지스트 패턴은 도 15 에 나타내는 구조로, 두께 18 ㎛ 의 도체 배선 (2) 이 두께 38 ㎛ 의 솔더 레지스트층 (3) 에 의해 피복되어 있었다. 도 15 에 나타내는 구조에서는, 인접하는 접속 패드 (6) 사이에 솔더 레지스트층 (3) 이 없기 때문에, 실장 공정에 있어서 땜납 브리지에 의한 접속 불량이 발생하였다.Subsequently, the unexposed portion of the solder resist layer was removed by a developing treatment using a 1% by mass sodium carbonate aqueous solution (liquid temperature of 30 占 폚), and thermal curing treatment was performed at 150 占 폚 for 60 minutes. The formed solder resist pattern had a structure shown in Fig. 15, in which the conductor wiring 2 having a thickness of 18 mu m was covered with the solder resist layer 3 having a thickness of 38 mu m. In the structure shown in Fig. 15, since there is no solder resist layer 3 between the adjacent connection pads 6, connection failure due to the solder bridge occurred in the mounting process.

(비교예 2) (Comparative Example 2)

동장 적층판 (면적 170 mm × 200 mm, 동박 두께 18 ㎛, 기재 두께 0.4 mm) 에 서브 트랙티브법을 이용하여, 배선폭 50 ㎛, 배선폭 간격 50 ㎛ 의 도체 배선을 갖는 회로 기판을 제작하였다. 이어서, 진공 라미네이터를 이용하여, 두께 30 ㎛ 의 솔더 레지스트 필름 (타이요 잉크 제조 (주) 제조, 상품명 : PFR-800 AUS410) 을 상기 회로 기판 상에 진공 열압착시켰다 (라미네이트 온도 75 ℃, 흡인 시간 30 초, 가압 시간 10 초). 이로써 절연성 기판 표면으로부터 솔더 레지스트층 표면까지의 막두께가 38 ㎛ 인 솔더 레지스트층을 형성하였다.A circuit board having conductor wirings having a wiring width of 50 mu m and a wiring width of 50 mu m was fabricated on a copper-clad laminate (area 170 mm x 200 mm, copper foil thickness 18 mu m, substrate thickness 0.4 mm) using the subtractive method. Then, a solder resist film (trade name: PFR-800 AUS410, manufactured by TAIYO INK MFG. CO., LTD.) Having a thickness of 30 占 퐉 was vacuum-pressed onto the circuit board using a vacuum laminator (laminate temperature: 75 占 폚, Sec, press time 10 seconds). As a result, a solder resist layer having a thickness of 38 mu m from the surface of the insulating substrate to the surface of the solder resist layer was formed.

도체 배선의 일부를 접속 패드로 하여, 그 접속 패드의 단부로부터 50 ㎛ 이외의 영역과, 인접하는 접속 패드 사이의 중간점으로부터 폭 20 ㎛ 의 영역의 솔더 레지스트층을 경화시키기 위해, 노광량 300 mJ/㎠ 로 포토마스크에 의한 밀착 노광을 실시하였다.A part of the conductor wiring was used as a connection pad and an exposure amount of 300 mJ / cm 2 was used to cure the solder resist layer in a region other than 50 탆 from the end of the connection pad and in a region of 20 탆 in width from the midpoint between adjacent connection pads, Cm < 2 > by a photomask.

이어서, 1 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액온 30 ℃) 을 이용하여, 비노광부의 솔더 레지스트층을 현상 처리에 의해 모두 제거하고, 150 ℃ 에서 60 분간 열경화 처리를 실시하였다. 형성된 솔더 레지스트 패턴은 도 16 에 나타내는 구조로, 두께 18 ㎛ 의 도체 배선 (2) 이 두께 38 ㎛ 의 솔더 레지스트층 (3) 에 의해 피복되고, 인접하는 접속 패드 (6) 사이의 중간점으로부터 폭 20 ㎛ 의 부분에 두께 38 ㎛ 의 솔더 레지스트층 (3) 이 있었다. 그러나, 관찰 지점에 따라서는, 노광 공정에 있어서의 위치 어긋남에 의해 절연성 기판 (1) 상의 솔더 레지스트층 (3) 이 접속 패드 (6) 와 접촉하게 되었다. 이러한 상태이기 때문에, 전극 단자와 접속 패드의 전기적인 접속을 확실하게 하기 위한 땜납량을 확보할 수 없게 되어, 접합시에 접속 불량을 일으켜 위치 어긋난 솔더 레지스트층 (3) 이 부품 실장의 방해가 되었다.Subsequently, the unexposed portion of the solder resist layer was removed by a developing treatment using a 1% by mass sodium carbonate aqueous solution (liquid temperature of 30 占 폚), and thermal curing treatment was performed at 150 占 폚 for 60 minutes. 16, a conductor wiring 2 having a thickness of 18 占 퐉 is covered with a solder resist layer 3 having a thickness of 38 占 퐉, and a solder resist layer 3 having a width There was a solder resist layer 3 having a thickness of 38 mu m at a portion of 20 mu m. However, depending on the observation point, the solder resist layer 3 on the insulating substrate 1 comes into contact with the connection pad 6 due to the positional deviation in the exposure process. Because of this state, the amount of solder for ensuring the electrical connection between the electrode terminals and the connection pads can not be ensured, resulting in a connection failure at the time of bonding, and the solder resist layer 3, which has been displaced, .

(비교예 3) (Comparative Example 3)

동장 적층판 (면적 170 mm × 200 mm, 동박 두께 18 ㎛, 기재 두께 0.4 mm) 에 서브 트랙티브법을 이용하여, 배선폭 50 ㎛, 배선폭 간격 50 ㎛ 의 도체 배선을 갖는 회로 기판을 제작하였다. 이어서, 진공 라미네이터를 이용하여, 두께 30 ㎛ 의 솔더 레지스트 필름 (타이요 잉크 제조 (주) 제조, 상품명 : PFR-800 AUS410) 을 상기 회로 기판 상에 진공 열압착시켰다 (라미네이트 온도 75 ℃, 흡인 시간 30 초, 가압 시간 10 초). 이로써 절연성 기판 표면으로부터 솔더 레지스트층 표면까지의 막두께가 38 ㎛ 인 솔더 레지스트층을 형성하였다.A circuit board having conductor wirings having a wiring width of 50 mu m and a wiring width of 50 mu m was fabricated on a copper-clad laminate (area 170 mm x 200 mm, copper foil thickness 18 mu m, substrate thickness 0.4 mm) using the subtractive method. Then, a solder resist film (trade name: PFR-800 AUS410, manufactured by TAIYO INK MFG. CO., LTD.) Having a thickness of 30 占 퐉 was vacuum-pressed onto the circuit board using a vacuum laminator (laminate temperature: 75 占 폚, Sec, press time 10 seconds). As a result, a solder resist layer having a thickness of 38 mu m from the surface of the insulating substrate to the surface of the solder resist layer was formed.

솔더 레지스트층 전체면에 노광량 1000 mJ/㎠ 로 노광하고, 그 후 150 ℃ 에서 60 분간 열경화 처리를 실시하였다. 열경화 처리 후의 솔더 레지스트층 표면에 웨트 블라스트용 패턴을 형성하고, 그것을 마스크로서 접속 패드 표면이 노출될 때까지 웨트 블라스트 처리를 실시하였다. 그 후, 마스크 패턴을 제거하였다. 형성된 솔더 레지스트 패턴은 도 11 에 나타내는 구조로, 이것을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 두께 18 ㎛ 의 도체 배선 (2) 이 두께 38 ㎛ 의 솔더 레지스트층 (3) 에 의해 피복되고, 두께 18 ㎛ 의 접속 패드 (6) 는 그 금속 표면이 노출되어 있고, 인접하는 접속 패드 (6) 사이에 솔더 레지스트층 (3) 이 매립되어 있었다. 그러나, 인접하는 접속 패드 (6) 사이에 매립된 솔더 레지스트층의 두께에 편차가 있어, 접속 패드 (6) 의 금속 표면이 완전히 노출되지 않고 솔더 레지스트층이 남아 있는 부분이 있었다. 또, 표면이 노출된 접속 패드 (6) 에는 블라스트 처리에 의해 생긴 스크래치가 다수 확인되었다.The entire surface of the solder resist layer was exposed at an exposure dose of 1000 mJ / cm 2, and then thermally cured at 150 캜 for 60 minutes. A wet blast process was performed until a wet blast pattern was formed on the surface of the solder resist layer after the heat curing treatment and the connection pad surface was exposed using the wet blast pattern as a mask. Thereafter, the mask pattern was removed. The solder resist pattern formed was of the structure shown in Fig. 11 and observed with an optical microscope. As a result, the conductor wiring 2 having a thickness of 18 mu m was covered with the solder resist layer 3 having a thickness of 38 mu m, The metal surface of the pad 6 is exposed, and the solder resist layer 3 is buried between the adjacent connection pads 6. [ However, there was a variation in the thickness of the solder resist layer buried between the adjacent connection pads 6, so that the metal surface of the connection pad 6 was not completely exposed, and there was a portion where the solder resist layer remained. In addition, a number of scratches generated by the blast treatment were confirmed on the connection pad 6 whose surface was exposed.

(실시예 6 ∼ 27) (Examples 6 to 27)

표 1 에 기재된 알칼리 수용액을 이용하여, 실시예 2 와 동일한 방법으로 솔더 레지스트 패턴의 형성을 실시하였다. 박막화 처리 후, 박막화된 부분의 솔더 레지스트층의 두께를 10 점 측정하여 최대치 및 최소치를 조사하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다. 실시예 2, 6 ∼ 27 에 있어서, 무기 알칼리성 화합물의 함유량이 3 ∼ 25 질량% 인 수용액을 사용한 경우 (실시예 2, 7 ∼ 27) 에는, 막두께 최대치와 막두께 최소치의 차이는 충분히 작아 박막화 후의 면내 균일성이 매우 양호한 솔더 레지스트 패턴이 형성되었다. 무기 알칼리성 화합물의 함유량이 1 질량% 인 실시예 6 에 있어서는, 막두께 최대치와 막두께 최소치의 차이가 약간 커서 박막화 후의 면내 균일성이 악화되는 경향이 확인되었다. 박막화 속도에 대해서는, 실시예 2, 6 ∼ 12 의 비교에서는 농도 7 질량% 의 경우, 실시예 13 ∼ 18 의 비교에서는 농도 20 질량% 의 경우에 박막화 속도가 최대가 되고, 그보다 고농도에서는 박막화 속도가 저하되는 경향이 있었다. 또, 무기 알칼리성 화합물의 종류에 따라 박막화 처리에 필요로 하는 시간은 상이하고, 특히 메타규산나트륨을 사용한 경우에 매우 빠른 박막화 속도가 얻어졌다.A solder resist pattern was formed in the same manner as in Example 2 using the aqueous alkaline solution described in Table 1. [ After the thinning treatment, the thickness of the thinned solder resist layer was measured at 10 points, and the maximum and minimum values were measured. The results are shown in Table 1. In Examples 2 and 6 to 27, when an aqueous solution having an inorganic alkaline compound content of 3 to 25 mass% was used (Examples 2 and 7 to 27), the difference between the maximum film thickness value and the minimum film thickness was sufficiently small, A solder resist pattern with a very good in-plane uniformity in the surface was formed. In Example 6 in which the content of the inorganic alkaline compound was 1% by mass, it was confirmed that the difference between the maximum value of the film thickness and the minimum value of the film thickness was somewhat large, and the in-plane uniformity after thinning tended to deteriorate. As for the thinning rate, in the case of the concentration of 7 mass% in the comparison of Examples 2 and 6 to 12, in the case of the concentration of 20 mass% in the comparison of Examples 13 to 18, the thinning rate becomes maximum, and at the higher concentration, There was a tendency to decrease. In addition, the time required for the thinning treatment differs depending on the kind of the inorganic alkaline compound, and in particular, when sodium metasilicate is used, a very rapid thinning rate is obtained.

(실시예 28 ∼ 41) (Examples 28 to 41)

동장 적층판에 서브 트랙티브법을 이용하여 도체 배선을 갖는 회로 기판을 제작한 후, 화학 연마 처리에 의해 도체 회로 표면을 조면화하고, 알칼리 수용액으로서 각각 표 2 에 기재된 알칼리 수용액을 사용한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일한 방법으로 솔더 레지스트 패턴의 형성을 실시하였다. 박막화 처리에 의해 노출된 접속 패드의 조면화 표면에 있어서의 솔더 레지스트 잔류물의 유무를 조사하기 위해, 노출된 구리 표면에 대하여 무전해 니켈 도금 처리를 실시하였다. 또, 필요에 따라 도금 전처리를 실시하여, 잔류물이 있는 경우에는 그 제거성에 대해서도 조사를 실시하였다. 평가 기준은 이하와 같다. 결과를 표 2 에 나타낸다. 특히, 메타규산나트륨을 함유하는 알칼리 수용액을 사용한 경우, 조면화 표면 상에 있어서도 솔더 레지스트 성분의 잔류물이 확인되지 않았다.A circuit board having conductor wirings was produced on the copper-clad laminate by the subtractive method, then the surface of the conductor circuit was roughened by chemical polishing treatment, and the aqueous alkaline solution described in Table 2 was used as the aqueous alkaline solution. A solder resist pattern was formed in the same manner as in Example 2. In order to investigate the presence or absence of solder resist residues on the roughened surface of the connection pad exposed by the thinning treatment, the exposed copper surface was subjected to electroless nickel plating treatment. Further, plating pretreatment was carried out if necessary, and when the residue was present, the removability was also investigated. The evaluation criteria are as follows. The results are shown in Table 2. Particularly, when an alkali aqueous solution containing sodium metasilicate was used, residues of the solder resist component were not confirmed on the roughened surface.

○ : 솔더 레지스트 성분의 잔류물 없음○: No residue of solder resist component

△ : 극미량의 잔류물이 있지만, 도금 전처리에 의해 용이하게 제거되는 레벨 [Delta]: A level remained at a very small amount but easily removed by pretreatment of plating

× : 다량의 잔류물이 있어, 도금 전처리에 의해 용이하게 제거되지 않는 레벨X: level at which there is a large amount of residue and is not easily removed by plating pretreatment

Figure pat00003
Figure pat00003

(실시예 42 ∼ 55) (Examples 42 to 55)

표 3 에 기재된 알칼리 수용액을 사용한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일한 방법으로 솔더 레지스트 패턴의 형성을 실시하였다. 박막화 처리 후, 박막화된 부분의 솔더 레지스트층의 두께를 10 점 측정하여 최대치 및 최소치를 조사하였다. 결과를 표 3 에 나타낸다. 유기 알칼리성 화합물의 함유량이 5 ∼ 25 질량% 인 수용액을 사용한 경우에는, 막두께 최대치와 막두께 최소치의 차이는 충분히 작아 박막화 후의 면내 균일성이 매우 양호한 솔더 레지스트 패턴이 형성되었다. 유기 알칼리성 화합물의 함유량이 3 질량% 이하인 실시예 42, 실시예 43 에 있어서는, 막두께 최대치와 막두께 최소치의 차이가 약간 커서 박막화 후의 면내 균일성이 악화되는 경향이 확인되었다.A solder resist pattern was formed in the same manner as in Example 2 except that the aqueous alkaline solution described in Table 3 was used. After the thinning treatment, the thickness of the thinned solder resist layer was measured at 10 points, and the maximum and minimum values were measured. The results are shown in Table 3. When an aqueous solution having an organic alkaline compound content of 5 to 25% by mass was used, the difference between the maximum film thickness value and the minimum film thickness was sufficiently small, so that a solder resist pattern with excellent in-plane uniformity after thinning was formed. In Examples 42 and 43 in which the content of the organic alkaline compound was 3 mass% or less, it was confirmed that the difference between the maximum value of the film thickness and the minimum value of the film thickness was somewhat large, and the in-plane uniformity after thinning tended to deteriorate.

Figure pat00004
Figure pat00004

(실시예 56 ∼ 63) (Examples 56 to 63)

동장 적층판에 서브 트랙티브법을 이용하여 도체 배선을 갖는 회로 기판을 제작한 후, 화학 연마 처리에 의해 도체 회로 표면을 조면화하고, 알칼리 수용액으로서 각각 표 4 에 기재된 알칼리 수용액을 사용한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일한 방법으로 솔더 레지스트 패턴의 형성을 실시하였다. 박막화 처리에 의해 노출된 접속 패드의 조면화 표면에 있어서의 솔더 레지스트 잔류물의 유무를 조사하기 위해, 노출된 구리 표면에 대하여 무전해 니켈 도금 처리를 실시하였다. 또, 필요에 따라 도금 전처리를 실시하여, 잔류물이 있는 경우에는 그 제거성에 대해서도 조사를 실시하였다. 평가 기준은 이하와 같다. 결과를 표 4 에 나타낸다. 유기 알칼리성 화합물을 사용한 경우라도, 조면화 표면 상의 솔더 레지스트 성분의 잔류물은 도금 전처리에 의해 용이하게 제거할 수 있는 레벨로, 실용상 문제가 되는 것은 없었다.A circuit board having conductor wiring was formed on the copper-clad laminate by the subtractive method, then the surface of the conductor circuit was roughened by a chemical polishing treatment, and an aqueous alkaline solution described in Table 4 was used as an aqueous alkaline solution. A solder resist pattern was formed in the same manner as in Example 2. In order to investigate the presence or absence of solder resist residues on the roughened surface of the connection pad exposed by the thinning treatment, the exposed copper surface was subjected to electroless nickel plating treatment. Further, plating pretreatment was carried out if necessary, and when the residue was present, the removability was also investigated. The evaluation criteria are as follows. The results are shown in Table 4. Even when an organic alkaline compound is used, the residue of the solder resist component on the roughened surface has a level that can be easily removed by the pretreatment of plating, and there is no practical problem.

Figure pat00005
Figure pat00005

<나트륨 이온 농도의 측정><Measurement of sodium ion concentration>

실시예 1, 실시예 2, 실시예 19, 실시예 47, 실시예 53, 비교예 1 에 있어서 제작한 솔더 레지스트 패턴을 각각 100 ℃ 의 열수로 이온 추출한 후, 추출액으로부터 이온 크로마토그래피법에 의해 나트륨 이온 농도를 측정하였다. 결과를 표 5 에 나타낸다. 유기 알칼리성 화합물을 함유하는 알칼리 수용액을 사용한 경우, 솔더 레지스트층 중으로의 나트륨 이온의 혼입은 거의 없었다. 한편, 무기 알칼리성 화합물을 함유하는 알칼리 수용액을 사용한 경우에는, 비교예 1 에 있어서의 현상 처리와 동등한 정도의 솔더 레지스트층 중으로의 나트륨 이온의 혼입이 관찰되었다. 단, 실시예 1 에 있어서, 무기 알칼리성 화합물을 이용하여 솔더 레지스트층 전체면을 박막화 처리한 경우에는, 나트륨 이온의 혼입량은 적었다. 이러한 점으로부터, 나트륨 이온의 혼입은 주로 솔더 레지스트층의 노광부가 존재한 경우에 많아지는 경향이 있음을 알 수 있었다.The solder resist patterns prepared in Example 1, Example 2, Example 19, Example 47, Example 53, and Example 53 and Comparative Example 1 were each subjected to hot water ion extraction at 100 ° C, and sodium chloride The ion concentration was measured. The results are shown in Table 5. When an aqueous alkaline solution containing an organic alkaline compound was used, there was almost no incorporation of sodium ions into the solder resist layer. On the other hand, in the case of using an alkaline aqueous solution containing an inorganic alkaline compound, incorporation of sodium ions into the solder resist layer to the extent equivalent to the developing treatment in Comparative Example 1 was observed. However, in Example 1, when the entire surface of the solder resist layer was thinned using an inorganic alkaline compound, the amount of sodium ions mixed was small. From this point of view, it was found that the incorporation of sodium ions tends to increase mainly when the exposed portion of the solder resist layer is present.

Figure pat00006
Figure pat00006

(실시예 64 ∼ 91) (Examples 64 to 91)

솔더 레지스트층의 박막화 처리에 있어서, 표 6 에 기재된 알칼리 수용액 (액온 25 ℃) 을 사용하고, 또한 수세 처리 전에 표 7 에 나타내는 공정 (E) 의 수용액을 사용하여 스프레이 처리 (스프레이압 0.20 ㎫) 를 실시한 것 이외에는, 실시예 28 과 동일한 방법으로 솔더 레지스트 패턴의 형성을 실시하였다. 또, 공정 (E) 의 수용액의 pH 는 희박 농도의 황산을 첨가함으로써 조정하였다. 박막화 처리 후, 박막화된 부분의 솔더 레지스트층의 두께를 10 점 측정하여 최대치 및 최소치를 조사하였다. 결과를 표 7 에 나타낸다. 공정 (E) 의 수용액의 pH 가 5.0 ∼ 10.0 에서는, 막두께 최대치와 막두께 최소치의 차이는 작아 박막화 후의 면내 균일성은 양호하였다. 공정 (E) 의 수용액의 pH 가 10.3 인 실시예 67 에서는, 막두께 최대치와 막두께 최소치의 차이가 약간 커서 박막화 후의 면내 균일성이 악화되는 경향이 확인되었다.Spray treatment (spray pressure 0.20 MPa) was carried out using the aqueous solution of step (E) shown in Table 7 before the water treatment, using the alkali aqueous solution (liquid temperature 25 ° C) shown in Table 6 in the thinning treatment of the solder resist layer A solder resist pattern was formed in the same manner as in Example 28, except for the following. The pH of the aqueous solution of the step (E) was adjusted by adding sulfuric acid having a lean concentration. After the thinning treatment, the thickness of the thinned solder resist layer was measured at 10 points, and the maximum and minimum values were measured. The results are shown in Table 7. When the pH of the aqueous solution of the step (E) was 5.0 to 10.0, the difference between the maximum film thickness and the minimum film thickness was small and the in-plane uniformity after thinning was good. In Example 67 in which the pH of the aqueous solution of the step (E) was 10.3, it was confirmed that the difference between the maximum value of the film thickness and the minimum value of the film thickness was somewhat large and the in-plane uniformity after thinning tended to deteriorate.

또한, 박막화 처리에 의해 노출된 접속 패드의 조면화 표면에 있어서의 솔더 레지스트 잔류물의 유무를 조사하기 위해, 노출된 구리 표면에 대하여 무전해 니켈 도금 처리를 실시하였다. 또, 필요에 따라 도금 전처리를 실시하여, 잔류물이 있는 경우에는 그 제거성에 대해서도 조사를 실시하였다. 결과를 표 7 에 나타낸다. 공정 (E) 의 수용액의 액온이 22 ∼ 50 ℃ 인 경우, 온도 상승과 함께 솔더 레지스트 성분의 잔류물 찌꺼기가 잘 발생하지 않게 되는 경향이 있고, 27 ℃ 이상에서는 잔류물 찌꺼기는 확인되지 않았다. 공정 (E) 의 수용액의 액온이 20 ℃ 인 실시예 68, 실시예 76, 실시예 86 에서는, 솔더 레지스트 성분의 잔류물이 남기 쉬워지는 경향이 확인되었다.Further, in order to investigate the presence or absence of solder resist residues on the roughened surface of the connection pad exposed by the thinning treatment, the exposed copper surface was subjected to electroless nickel plating treatment. Further, plating pretreatment was carried out if necessary, and when the residue was present, the removability was also investigated. The results are shown in Table 7. When the solution temperature of the aqueous solution of the step (E) is 22 to 50 캜, residue residue of the solder resist component tends to be hardly generated together with the temperature rise. Residual residue at 27 캜 or higher was not observed. It was confirmed that the residue of the solder resist component tended to be easily left in Example 68, Example 76, and Example 86 in which the liquid temperature of the aqueous solution of the step (E) was 20 占 폚.

Figure pat00007
Figure pat00007

Figure pat00008
Figure pat00008

(실시예 92 ∼ 93) (Examples 92 to 93)

연속 박막화 처리의 안정성을 조사하기 위해, 솔더 레지스트층의 박막화 처리에 있어서, 표 8 에 기재된 알칼리 수용액 (25 ℃) 을 사용하고, 또한 수세 처리 전에 표 8 에 나타내는 공정 (E) 의 수용액을 사용하여 스프레이 처리 (스프레이압 0.20 ㎫) 를 실시한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일한 방법으로 솔더 레지스트 패턴의 형성을 실시하였다. 연속 박막화 처리 중, 1 장 처리마다 공정 (E) 의 수용액의 pH 는 조정하지 않고, 박막화 처리 첫 번째 장과 박막화 처리 열 번째 장에 있어서, 박막화된 부분의 솔더 레지스트층의 두께를 10 점 측정하여 최대치 및 최소치를 조사하였다. 공정 (E) 의 수용액의 pH 의 값과 함께 결과를 표 9 에 나타낸다. 알칼리 수용액에 의한 처리 후, 수세 처리에 의해 박막화를 실시한 실시예 2, 실시예 20 에서는, 박막화 처리 장수의 증가와 함께 막두께 최대치와 막두께 최소치의 차이가 커져 박막화 후의 면내 균일성이 악화되는 경향이 있었다. 수세 처리 전에 공정 (E) 를 실시한 실시예 92, 실시예 93 에서는, 공정 (E) 의 수용액이 완충 능력을 갖기 때문에, 10 장 박막화 처리 후에 있어서의 그 수용액의 pH 는 10 미만이고, 막두께 최대치와 막두께 최소치의 차이도 작아 박막화 후의 면내 균일성은 양호하였다.In order to investigate the stability of the continuous thinning treatment, in the thinning treatment of the solder resist layer, an aqueous alkaline solution (25 ° C) shown in Table 8 was used and an aqueous solution of the step (E) shown in Table 8 A solder resist pattern was formed in the same manner as in Example 2 except that spray treatment (spray pressure 0.20 MPa) was applied. During the continuous thinning treatment, the pH of the aqueous solution of the step (E) was not adjusted for every one treatment, and the thickness of the solder resist layer of the thinned portion was measured at 10 points in the first chapter and the tenth chapter of the thinning treatment The maximum and minimum values were examined. The results of the pH of the aqueous solution of the step (E) and the results are shown in Table 9. In Examples 2 and 20 in which thinning was carried out by washing with water after the treatment with an aqueous alkali solution, the difference between the maximum film thickness and the minimum film thickness became larger with the increase in the number of thinning treatments, . In Example 92 and Example 93 in which the step (E) was performed before the water washing treatment, since the aqueous solution of the step (E) had a buffering ability, the pH of the aqueous solution after 10 sheets of thinning treatment was less than 10, And the film thickness minimum value were small, and the in-plane uniformity after thinning was good.

Figure pat00009
Figure pat00009

Figure pat00010
Figure pat00010

(실시예 94) (Example 94)

솔더 레지스트층의 박막화 처리에 있어서, 알칼리 수용액을 스프레이압 0.1 ㎫ 로 분사하는 스프레이 처리로 실시한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일한 방법으로 솔더 레지스트 패턴의 형성을 실시하였다. 박막화 후의 솔더 레지스트층의 두께가 평균 12 ㎛ 가 되도록 스프레이 분사 시간을 조정하였다. 알칼리 수용액을 스프레이 분사에 의해 공급할 때, 알칼리 수용액 중에 대량으로 발생한 기포가 박막화해야 할 솔더 레지스트층 표면에 부착되어, 국소적으로 박막화되지 않는 후막 부분이 막두께 불균일로서 확인되었다. 그래서, 기포가 발생하지 않도록 스프레이압을 0.03 ㎫ 까지 낮게 하여, 알칼리 수용액 분사 후의 액의 회수 경로에도 기포 트랩용 필터를 배치한 결과, 상기에서 발생한 국소적인 막두께 불균일은 실용상 문제가 되지 않는 레벨까지 저감되었다.A solder resist pattern was formed in the same manner as in Example 2 except that the thinning treatment of the solder resist layer was carried out by spray treatment in which an aqueous alkaline solution was sprayed at a spray pressure of 0.1 MPa. And the spraying time was adjusted so that the thickness of the solder resist layer after thinning became an average of 12 占 퐉. When an aqueous alkali solution was supplied by spraying, bubbles generated in a large amount in the aqueous alkaline solution adhered to the surface of the solder resist layer to be thinned, and the thick film portion which was not thinned locally was confirmed to be uneven in film thickness. As a result, the spray pressure was lowered to 0.03 MPa so as not to generate bubbles, and the bubble trap filter was arranged in the recovery path of the liquid after spraying the alkaline aqueous solution. As a result, Respectively.

산업상 이용가능성Industrial availability

본 발명의 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법은, 예를 들어 플립 칩 접속용 접속 패드를 구비한 회로 기판에 있어서 솔더 레지스트 패턴을 형성시키는 용도에 적용할 수 있다.The method of forming a solder resist pattern of the present invention can be applied to a case where a solder resist pattern is formed on a circuit board having a connection pad for flip chip connection, for example.

1 절연성 기판
2 도체 배선
3 솔더 레지스트층
4 포토마스크
5 활성 광선
6 접속 패드
1 insulating substrate
2 conductor wiring
3 solder resist layer
4 Photomasks
5 active rays
6 connection pads

Claims (13)

(A1) 접속 패드를 갖는 회로 기판의 표면에 솔더 레지스트층을 형성하는 공정,
(B1) 솔더 레지스트층의 노광 공정을 실시하지 않고, 경화시키지 않은 솔더 레지스트층의 두께가 접속 패드의 두께 이하가 될 때까지 알칼리 수용액에 의해 박막화하는 공정,
을 이 순서대로 포함하는 것을 특징으로 하는 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.
(A1) a step of forming a solder resist layer on a surface of a circuit board having a connection pad,
(B1) a step of thinning the solder resist layer with an alkali aqueous solution until the thickness of the solder resist layer which is not cured becomes less than or equal to the thickness of the connection pad,
Wherein the solder resist pattern is formed on the substrate.
제 1 항에 있어서,
알칼리 수용액이 무기 알칼리성 화합물을 함유하여 이루어지는 수용액이며, 그 무기 알칼리성 화합물의 함유량이 3 ∼ 25 질량% 인 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the alkaline aqueous solution contains an inorganic alkaline compound and the content of the inorganic alkaline compound is 3 to 25 mass%.
제 2 항에 있어서,
무기 알칼리성 화합물이 알칼리 금속 탄산염, 알칼리 금속 인산염, 알칼리 금속 수산화물, 알칼리 금속 규산염에서 선택되는 적어도 어느 1 종인, 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the inorganic alkaline compound is at least one selected from an alkali metal carbonate, an alkali metal phosphate, an alkali metal hydroxide, and an alkali metal silicate.
제 2 항에 있어서,
무기 알칼리성 화합물이 알칼리 금속 규산염인, 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the inorganic alkaline compound is an alkali metal silicate.
제 4 항에 있어서,
알칼리 금속 규산염이 메타규산나트륨인, 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.
5. The method of claim 4,
Wherein the alkali metal silicate is sodium metasilicate.
제 2 항에 있어서,
무기 알칼리성 화합물이 알칼리 금속 인산염인, 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the inorganic alkaline compound is an alkali metal phosphate.
제 6 항에 있어서,
알칼리 금속 인산염이 인산삼나트륨, 인산삼칼륨에서 선택되는 적어도 1 종인, 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.
The method according to claim 6,
Wherein the alkali metal phosphate is at least one selected from trisodium phosphate and tripotassium phosphate.
제 2 항에 있어서,
무기 알칼리성 화합물이 탄산칼륨인, 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the inorganic alkaline compound is potassium carbonate.
제 1 항에 있어서,
알칼리 수용액이 유기 알칼리성 화합물을 함유하여 이루어지는 수용액인, 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the alkaline aqueous solution is an aqueous solution containing an organic alkaline compound.
제 9 항에 있어서,
유기 알칼리성 화합물의 함유량이 5 ∼ 25 질량% 인, 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the content of the organic alkaline compound is 5 to 25 mass%.
제 1 항에 있어서,
알칼리 수용액의 pH 가 12.5 이상인, 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the alkaline aqueous solution has a pH of 12.5 or more.
제 1 항에 있어서,
알칼리 수용액에 의해 솔더 레지스트층을 박막화하는 공정 후에,
(E) 알칼리성 화합물을 함유하고, 그 알칼리성 화합물의 함유량이 알칼리 수용액보다 적고, pH 5.0 ∼ 10.0, 온도 22 ∼ 50 ℃ 의 수용액으로 처리하는 공정
을 포함하는, 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.
The method according to claim 1,
After the step of thinning the solder resist layer with an alkaline aqueous solution,
(E) a step of treating with an aqueous solution containing an alkaline compound, the content of the alkaline compound being less than that of the alkali aqueous solution, and having a pH of 5.0 to 10.0 and a temperature of 22 to 50 ° C
And forming a solder resist pattern on the substrate.
제 1 항에 있어서,
알칼리 수용액에 의해 솔더 레지스트층을 박막화하는 공정이 침지 처리에 의한, 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of thinning the solder resist layer with an alkaline aqueous solution is an immersion treatment.
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