JP5444063B2 - Resin layer thinning treatment liquid management method - Google Patents

Resin layer thinning treatment liquid management method Download PDF

Info

Publication number
JP5444063B2
JP5444063B2 JP2010063485A JP2010063485A JP5444063B2 JP 5444063 B2 JP5444063 B2 JP 5444063B2 JP 2010063485 A JP2010063485 A JP 2010063485A JP 2010063485 A JP2010063485 A JP 2010063485A JP 5444063 B2 JP5444063 B2 JP 5444063B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin layer
concentration
thinning
liquid
treatment liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010063485A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2011198967A (en
Inventor
陽平 上杉
裕二 豊田
宗利 入澤
安生 金田
邦弘 中川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Paper Mills Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Paper Mills Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Paper Mills Ltd filed Critical Mitsubishi Paper Mills Ltd
Priority to JP2010063485A priority Critical patent/JP5444063B2/en
Publication of JP2011198967A publication Critical patent/JP2011198967A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5444063B2 publication Critical patent/JP5444063B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Description

本発明は、樹脂層薄膜化処理液の管理方法に関する。   The present invention relates to a method for managing a resin layer thinning treatment liquid.

プリント配線板やリードフレームの製造方法として、表面に導電層を設けた絶縁性基板あるいは導電性基板の回路部にエッチングレジストを設け、露出している非回路部の導電層をエッチング除去して導電パターンを形成するサブトラクティブ法がある。また、絶縁性基板の回路部にメッキ法で導電層を設けていくアディティブ法やセミアディティブ法がある。   As a method for manufacturing printed wiring boards and lead frames, an etching substrate is provided on an insulating substrate having a conductive layer on the surface or a circuit portion of the conductive substrate, and the exposed conductive layer of the non-circuit portion is removed by etching. There is a subtractive method for forming a pattern. In addition, there are an additive method and a semi-additive method in which a conductive layer is provided on a circuit portion of an insulating substrate by a plating method.

近年の電子機器の小型、多機能化に伴い、機器内部に使用されるプリント配線板やリードフレームも高密度化や導電パターンの微細化が進められており、サブトラクティブ法により、現在では導体幅が50〜80μm未満、導体間隙が50〜80μmの導電パターンが製造されている。また、さらなる高密度化、微細配線化が進み、導体幅あるいは導体間隙50μm未満の超微細な導電パターンが求められるようになってきている。それに伴って、導電パターンの精度やインピーダンスの要求も高くなっている。このような微細な導電パターンを形成するため、従来から、サブトラクティブ法に代わり、セミアディティブ法が検討されているが、製造工程が大幅に増加するという問題や電解メッキ銅の接着強度不足等の問題があった。そのため、サブトラクティブ法でプリント配線板やリードフレームを製造するのが主流となっている。   As electronic devices have become smaller and more multifunctional in recent years, printed wiring boards and lead frames used inside the devices have been increased in density and conductive patterns. Has a conductive pattern of 50 to less than 80 μm and a conductor gap of 50 to 80 μm. In addition, with higher density and finer wiring, ultrafine conductive patterns with a conductor width or conductor gap of less than 50 μm have been required. Along with this, the requirements for the accuracy and impedance of the conductive pattern are also increasing. In order to form such a fine conductive pattern, a semi-additive method has been studied instead of the subtractive method. However, there are problems such as a significant increase in the manufacturing process and insufficient adhesive strength of electrolytically plated copper. There was a problem. For this reason, the production of printed wiring boards and lead frames by the subtractive method has become the mainstream.

サブトラクティブ法において、エッチングレジスト層は、感光性材料を用いた露光現像工程を有するフォトファブリケーション法、スクリーン印刷法、インクジェット法等によって形成される。この中でも、フォトファブリケーション法におけるネガ型のドライフィルムレジストと呼ばれるシート状の光架橋性樹脂層を用いた方法は、取り扱い性に優れ、テンティングによるスルーホールの保護が可能なことから好適に用いられている。   In the subtractive method, the etching resist layer is formed by a photofabrication method, a screen printing method, an ink jet method or the like having an exposure and development process using a photosensitive material. Among these, the method using a sheet-like photocrosslinkable resin layer called a negative dry film resist in the photofabrication method is preferably used because it is easy to handle and can protect through holes by tenting. It has been.

光架橋性樹脂層を用いた方法では、基板上に光架橋性樹脂層を形成し、露光現像工程を経てエッチングレジスト層が形成される。微細な導電パターンを形成するためには、微細なエッチングレジスト層を形成させることが必要不可欠である。このために、できる限りレジスト膜厚を薄くする必要がある。光架橋性樹脂層として一般的なドライフィルムレジストでは、例えば、10μm以下の膜厚にすると、ゴミを核とした気泡の混入や凹凸追従性の低下が原因となり、レジスト層の剥がれや断線が発生するという問題があり、微細なエッチングレジスト層を形成させることは困難であった。   In the method using a photocrosslinkable resin layer, a photocrosslinkable resin layer is formed on a substrate, and an etching resist layer is formed through an exposure development process. In order to form a fine conductive pattern, it is indispensable to form a fine etching resist layer. For this reason, it is necessary to make the resist film thickness as thin as possible. For dry film resists that are common as photocrosslinkable resin layers, for example, if the film thickness is 10 μm or less, the resist layer may be peeled off or disconnected due to the inclusion of bubbles with dust as a core and the decrease in follow-up of unevenness. It is difficult to form a fine etching resist layer.

このような問題を解決すべく、(a)表面に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、(b)アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも1種の無機アルカリ性化合物を5〜20質量%含む水溶液からなる樹脂層薄膜化処理液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、(c)回路パターンの露光工程、(d)現像工程、(e)エッチング工程をこの順に含む導電パターンの作製方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。この方法によれば、厚い状態の光架橋性樹脂層を基板上に形成するので、気泡の混入や凹凸の追従性の低下といった問題が起こり難く、さらに、薄膜化処理後の光架橋性樹脂層を使ってエッチングレジスト層を形成するので、微細な導電パターンを形成することができる。   In order to solve such problems, (a) a step of forming a photocrosslinkable resin layer on a substrate having a conductive layer on the surface, (b) an alkali metal carbonate, an alkali metal phosphate, an alkali metal A step of thinning the photocrosslinkable resin layer with a resin layer thinning treatment solution comprising an aqueous solution containing 5 to 20% by mass of at least one inorganic alkaline compound selected from hydroxide and alkali metal silicate; There has been proposed a method for producing a conductive pattern including a c) circuit pattern exposure step, (d) a development step, and (e) an etching step in this order (for example, see Patent Document 1). According to this method, since a thick photocrosslinkable resin layer is formed on the substrate, problems such as bubble mixing and a decrease in followability of irregularities are unlikely to occur, and the photocrosslinkable resin layer after thinning treatment Is used to form the etching resist layer, so that a fine conductive pattern can be formed.

しかしながら、特許文献1の方法では、工程(b)において、高濃度のアルカリ性水溶液を光架橋性樹脂層の薄膜化処理に使用するため、次のような問題があった。まず、樹脂層薄膜化処理液が空気と接触すると、炭酸塩を生じることにより劣化する。また、薄膜化処理により、基板が処理液を持ち出すことによる処理液の減少も、薄膜化能力を不安定化させる要因である(例えば、特許文献2参照)。さらに、水分蒸発による濃縮も無視できない。   However, the method of Patent Document 1 has the following problems because a high-concentration alkaline aqueous solution is used for thinning the photocrosslinkable resin layer in the step (b). First, when the resin layer thinning treatment liquid comes into contact with air, it deteriorates by producing carbonate. Further, the reduction of the processing liquid due to the substrate taking out the processing liquid due to the thinning process is also a factor that destabilizes the thinning capability (for example, see Patent Document 2). Furthermore, concentration due to water evaporation cannot be ignored.

樹脂層薄膜化処理液の能力を一定に保つために、薄膜化能力を反映する何らかの指標をもとに、樹脂層薄膜化処理液の管理を行うことが必要不可欠である。   In order to keep the performance of the resin layer thinning treatment liquid constant, it is essential to manage the resin layer thinning treatment liquid based on some index that reflects the thinning ability.

液晶基板製造工程やプリント配線板工程などにおいて、感光性有機樹脂の現像に用いられるアルカリ系現像液の管理における現像能力を反映する指標として、現像液自身のpHがある。樹脂層薄膜化処理の場合、光架橋性樹脂層に含まれるカルボン酸末端を持つアルカリ可溶性樹脂と高濃度のアルカリ水溶液とが接触、反応して、pHが実際の濃度で測定される値よりも低く観測されるために、処理液のpHで管理することは困難である。   In the liquid crystal substrate manufacturing process, the printed wiring board process, and the like, there is a pH of the developer itself as an index reflecting the developing ability in the management of the alkaline developer used for developing the photosensitive organic resin. In the case of a resin layer thinning treatment, an alkali-soluble resin having a carboxylic acid end contained in the photocrosslinkable resin layer and a high concentration aqueous alkali solution contact and react with each other, so that the pH is higher than the value measured at the actual concentration. Since it is observed low, it is difficult to control at the pH of the treatment liquid.

中和滴定によるアルカリ系現像液の管理方法も提案されているが、この管理方法を特許文献1の工程(b)に応用すると、種々の問題点が生じる場合がある(例えば、特許文献3参照)。   A management method of an alkaline developer by neutralization titration has also been proposed, but when this management method is applied to the step (b) of Patent Document 1, various problems may occur (for example, see Patent Document 3). ).

すなわち、特許文献3における現像液の管理方法の場合、現像液を自動的にサンプリングした液のアルカリ濃度が目標より高い場合には水を補充し、低い場合には現像液よりも高濃度の補充液を目標濃度からのずれに応じて追加補充する。特許文献1における樹脂層薄膜化処理液は、液晶基板製造工程やプリント配線板工程などに用いられるアルカリ系現像液よりも、濃度変化が処理に及ぼす影響が大きいため、より厳密な管理が必要であり、高濃度の補充液を追加補充すると、薄膜化処理が不安定になる。   That is, in the case of the developer management method in Patent Document 3, water is replenished when the alkali concentration of the solution obtained by automatically sampling the developer is higher than the target, and when it is low, replenishment with a higher concentration than the developer is performed. Replenish the solution according to the deviation from the target concentration. The resin layer thinning treatment liquid in Patent Document 1 requires more strict management because the concentration change has a larger influence on the treatment than the alkaline developer used in the liquid crystal substrate manufacturing process, the printed wiring board process, and the like. Yes, if a high concentration replenisher is additionally replenished, the thinning process becomes unstable.

より詳しく説明すると、アルカリ系現像液による感光性樹脂層の現像工程の場合、光架橋していない感光性樹脂層を全て現像できるように、アルカリ系現像液の濃度が変化することを見越して、感光性樹脂層全てが溶出される時間(ブレイクポイント)よりも1.5倍〜2.0倍程度の時間の処理が施されている。光架橋している部分は、この時間であれば、剥離しない。これに対して、特許文献1における工程(b)では、全く光架橋していない光架橋性樹脂層を均一に薄膜化しなければならず、高濃度の補充液を追加補充することで生じる僅かの濃度のずれが薄膜化量に大きく影響してしまう。高濃度の補充液を追加補充する際に、槽内を一気に撹拌することで、瞬間的に目標濃度になるように機械的な操作を施すことも考えられるが、この撹拌によって、樹脂層薄膜化処理液が発泡し、この泡によって、薄膜化処理が不均一になる場合があるため、これも適用不可能である。   More specifically, in the case of the development process of the photosensitive resin layer with an alkaline developer, in anticipation that the concentration of the alkaline developer changes so that the photosensitive resin layer not photocrosslinked can be developed, The treatment is performed for 1.5 to 2.0 times the time (break point) at which the entire photosensitive resin layer is eluted. The photocrosslinked portion does not peel off at this time. On the other hand, in the step (b) in Patent Document 1, a photocrosslinkable resin layer that has not been photocrosslinked has to be uniformly thinned, and a slight amount generated by additionally replenishing a high concentration replenisher. Density deviation greatly affects the thinning amount. When replenishing a high-concentration replenisher, it may be possible to perform mechanical operations to instantaneously reach the target concentration by stirring the tank all at once. Since the treatment liquid is foamed and the foam may make the thinning process non-uniform, this is also not applicable.

処理枚数や処理面積によって、定量補充をする管理方法は有効であると考えられるが、濃度のずれを僅かでも引き起こさないためには、多量の処理液を供給しなければならず、樹脂層薄膜化処理液を無駄に消費することになるため、好ましくない。   Depending on the number of treatments and the treatment area, a management method that replenishes quantitatively is considered effective, but in order not to cause even a slight deviation in concentration, a large amount of treatment solution must be supplied, and the resin layer is made thin. This is not preferable because the processing liquid is wasted.

国際公開第2009/096438号パンフレットInternational Publication No. 2009/096438 Pamphlet 特開2006−133560号公報JP 2006-133560 A 特開平9−236931号公報JP-A-9-236931

本発明の課題は、(a)表面に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、(b)アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも1種の無機アルカリ性化合物を5〜20質量%含む水溶液からなる樹脂層薄膜化処理液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、(c)回路パターンの露光工程、(d)現像工程、(e)エッチング工程をこの順に含む導電パターンの作製方法における樹脂層薄膜化処理液の管理方法において、高濃度の無機アルカリ性化合物を含む樹脂層薄膜化処理液の薄膜化能力を一定に保つことを可能にする管理方法を提供することを目的とする。   The subject of this invention is (a) The process of forming a photocrosslinkable resin layer on the board | substrate with which the conductive layer is provided in the surface, (b) Alkali metal carbonate, alkali metal phosphate, alkali metal hydroxide A step of thinning the photocrosslinkable resin layer with a resin layer thinning treatment solution comprising an aqueous solution containing 5 to 20% by mass of at least one inorganic alkaline compound selected from alkali metal silicates, (c) circuit In the management method of the resin layer thinning treatment liquid in the conductive pattern production method including the pattern exposure step, (d) development step, and (e) etching step in this order, the resin layer thinning treatment containing a high concentration inorganic alkaline compound An object of the present invention is to provide a management method that makes it possible to keep the liquid thinning ability constant.

(a)表面に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、(b)アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも1種の無機アルカリ性化合物を5〜20質量%含む水溶液からなる樹脂層薄膜化処理液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、(c)回路パターンの露光工程、(d)現像工程、(e)エッチング工程をこの順に含む導電パターンの作製方法における樹脂層薄膜化処理液の管理方法において、樹脂層薄膜化処理液の無機アルカリ性化合物の濃度を中和滴定法によって求め、初期濃度と同濃度の液を補充することで、所定の範囲内に無機アルカリ性化合物の濃度を保持することを特徴とする樹脂層薄膜化処理液の管理方法で、本発明の課題は解決された。   (A) a step of forming a photocrosslinkable resin layer on a substrate having a conductive layer on the surface, (b) an alkali metal carbonate, an alkali metal phosphate, an alkali metal hydroxide, an alkali metal silicate A step of thinning the photocrosslinkable resin layer with a resin layer thinning treatment solution comprising an aqueous solution containing 5 to 20% by mass of at least one inorganic alkaline compound selected from: (c) a circuit pattern exposure step; d) In the management method of the resin layer thinning treatment liquid in the method for producing a conductive pattern including the developing step and (e) the etching step in this order, the concentration of the inorganic alkaline compound in the resin layer thinning treatment solution is obtained by a neutralization titration method. A method of managing a resin layer thinning treatment liquid characterized in that the concentration of the inorganic alkaline compound is maintained within a predetermined range by replenishing a liquid having the same concentration as the initial concentration. Akira issue has been solved.

本発明によれば、中和滴定法を用いた液管理をすることにより、pH管理による液管理方法と比較して厳密な管理ができるため、樹脂層薄膜化処理液を無駄に消費することがなく、環境負荷を低減することができる。また、初期濃度と同濃度の液を補充することで、高濃度液の補充液を補充する場合と比較して、より厳密な管理ができると共に、高濃度の無機アルカリ性化合物を含む樹脂層薄膜化処理液の薄膜化能力を一定に保つことができる。   According to the present invention, by performing liquid management using the neutralization titration method, it is possible to perform strict management as compared with the liquid management method based on pH management, so that the resin layer thinning treatment liquid can be consumed wastefully. In addition, the environmental load can be reduced. In addition, by replenishing the liquid with the same concentration as the initial concentration, it is possible to perform stricter management compared to the case of replenishing the replenisher with a high concentration, and the resin layer thin film containing a high concentration inorganic alkaline compound can be used. The thinning ability of the treatment liquid can be kept constant.

光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程を含む導電パターンの作製方法の一例を示す断面工程図である。It is a cross-sectional process drawing which shows an example of the production method of the conductive pattern including the process of thinning a photocrosslinkable resin layer.

以下、本発明の樹脂層薄膜化処理液の管理方法について詳細に説明する。   Hereinafter, the management method of the resin layer thinning treatment liquid of the present invention will be described in detail.

図1は、光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程を含む導電パターンの作製方法の一例を示す断面工程図である。基板2は、絶縁性基板5の片表面に導電層4を設けてなる。工程(a)では、基板2の導電層4上に光架橋性樹脂層1を形成する。工程(b)は、工程(b1)〜(b3)からなる。工程(b1)では、光架橋性樹脂層1の上層部にアルカリ水溶液を浸透させ、ミセル化した光架橋性樹脂層6を形成する。工程(b2)では、ミセル化した光架橋性樹脂層6を溶解除去し、光架橋性樹脂層1を薄膜化させる。工程(b3)では、薄膜化後の光架橋性樹脂層1を水洗した後、水滴を除去する。なお、工程(b2)は必須ではなく、工程(b1)後に工程(b3)を行って、水洗でミセル化した光架橋性樹脂層6を溶解除去してもよい。工程(c)では、回路パターンに相当する部分の光架橋性樹脂層1を露光し、架橋部3を形成する。工程(d)では、光架橋性樹脂層(未架橋部)1を現像により除去する。工程(e)では、光架橋性樹脂の架橋部3で覆われていない導電層4をエッチングし、導電パターンを得る。   FIG. 1 is a cross-sectional process diagram illustrating an example of a method for producing a conductive pattern including a process of thinning a photocrosslinkable resin layer. The substrate 2 is formed by providing a conductive layer 4 on one surface of an insulating substrate 5. In the step (a), the photocrosslinkable resin layer 1 is formed on the conductive layer 4 of the substrate 2. Step (b) includes steps (b1) to (b3). In the step (b1), an alkaline aqueous solution is infiltrated into the upper layer portion of the photocrosslinkable resin layer 1 to form a micellar photocrosslinkable resin layer 6. In the step (b2), the micellar photocrosslinkable resin layer 6 is dissolved and removed, and the photocrosslinkable resin layer 1 is thinned. In the step (b3), the photocrosslinkable resin layer 1 after thinning is washed with water, and then water droplets are removed. The step (b2) is not essential, and the step (b3) may be performed after the step (b1) to dissolve and remove the photocrosslinkable resin layer 6 that has been micellized by washing with water. In the step (c), a portion of the photocrosslinkable resin layer 1 corresponding to the circuit pattern is exposed to form a crosslinked portion 3. In the step (d), the photocrosslinkable resin layer (uncrosslinked portion) 1 is removed by development. In the step (e), the conductive layer 4 not covered with the cross-linked portion 3 of the photo-crosslinkable resin is etched to obtain a conductive pattern.

光架橋性樹脂層の形成には、例えば、加熱したゴムロールを加圧して押し当てる熱圧着方式のラミネータ装置を用いることができる。加熱温度は100℃以上であることが好ましい。基板には、アルカリ脱脂、酸洗等の前処理を施してもよい。   For the formation of the photocrosslinkable resin layer, for example, a thermocompression laminator device that presses and presses a heated rubber roll can be used. The heating temperature is preferably 100 ° C. or higher. The substrate may be subjected to pretreatment such as alkali degreasing and pickling.

表面に導電層を設けた基板としては、プリント配線板またはリードフレーム用基板が挙げられる。プリント配線板としては、例えば、フレキシブル基板、リジッド基板が挙げられる。フレキシブル基板の絶縁性基板の厚さは5〜125μmで、その両面もしくは片面に1〜35μmの金属箔層が導電層として設けられており、可撓性が大きい。絶縁性基板の材料には、通常、ポリイミド、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタレート、液晶ポリマー等が用いられる。絶縁性基板上に金属箔層を有する材料は、接着剤で貼り合わせる接着法、金属箔上に絶縁性基板材料である樹脂の液を塗布するキャスト法、スパッタリングや蒸着法で絶縁性基板である樹脂フィルム上に形成した厚さ数nmの薄い導電層(シード層)の上に電解メッキで金属箔層を形成するスパッタ/メッキ法、熱プレスで貼り付けるラミネート法等のいかなる方法で製造したものを用いてもよい。金属箔層の金属としては、銅、アルミニウム、銀、ニッケル、クロム、あるいはそれらの合金等のいかなる金属を用いることができるが、銅が一般的である。   Examples of the substrate having a conductive layer on the surface include a printed wiring board and a lead frame substrate. Examples of the printed wiring board include a flexible substrate and a rigid substrate. The thickness of the insulating substrate of the flexible substrate is 5 to 125 μm, and a metal foil layer of 1 to 35 μm is provided as a conductive layer on both sides or one side, and the flexibility is high. As the material for the insulating substrate, polyimide, polyamide, polyphenylene sulfide, polyethylene terephthalate, liquid crystal polymer, or the like is usually used. The material having the metal foil layer on the insulating substrate is an insulating substrate by an adhesive method of bonding with an adhesive, a casting method of applying a resin liquid which is an insulating substrate material on the metal foil, a sputtering method or a vapor deposition method. Produced by any method such as sputtering / plating method, which forms a metal foil layer by electrolytic plating on a thin conductive layer (seed layer) with a thickness of several nanometers formed on a resin film, or laminating method, which is attached by hot press. May be used. As a metal of the metal foil layer, any metal such as copper, aluminum, silver, nickel, chromium, or an alloy thereof can be used, but copper is generally used.

リジッド基板としては、エポキシ樹脂またはフェノール樹脂等を浸漬させた紙基材またはガラス基材を重ねて絶縁性基板とし、その片面もしくは両面に金属箔を導電層として載置し、加熱及び加圧により積層して、金属箔層が設けられたものが挙げられる。また、内層配線パターン加工後、プリプレグ、金属箔等を積層して作製する多層用のシールド板、貫通孔や非貫通孔を有する多層板も挙げられる。厚みは60μm〜3.2mmであり、プリント基板としての最終使用形態により、その材質と厚みが選定される。金属箔層の材料としては、銅、アルミニウム、銀、金等が挙げられるが、銅が最も一般的である。これらプリント基板の例は、「プリント回路技術便覧」((社)日本プリント回路工業会編、1987年刊行、(株)日刊工業新聞社刊)や「多層プリント回路ハンドブック」(J.A.スカーレット編、1992年刊行、(株)近代化学社刊)に記載されている。リードフレーム用基板としては、鉄ニッケル合金、銅系合金等の基板が挙げられる。   As a rigid substrate, a paper substrate or glass substrate soaked with epoxy resin or phenol resin is laminated to form an insulating substrate, and a metal foil is placed on one or both sides as a conductive layer, and heated and pressed. A laminated layer provided with a metal foil layer can be used. Moreover, the multilayer board which has a through-hole and a non-through-hole, and the multilayer shield board produced by laminating | stacking a prepreg, metal foil, etc. after an inner layer wiring pattern process is also mentioned. The thickness is 60 μm to 3.2 mm, and the material and thickness thereof are selected according to the final use form as a printed circuit board. Examples of the material for the metal foil layer include copper, aluminum, silver, and gold. Copper is the most common. Examples of these printed circuit boards are “Printed Circuit Technology Handbook” (edited by Japan Printed Circuit Industry Association, published in 1987, published by Nikkan Kogyo Shimbun Co., Ltd.) and “Multilayer Printed Circuit Handbook” (JA Scarlet). Ed., Published in 1992, published by Modern Chemical Co., Ltd.). Examples of the lead frame substrate include iron nickel alloy and copper alloy substrates.

光架橋性樹脂層とは露光部が架橋して現像液に不溶化する樹脂層であり、回路形成用として、ネガ型のドライフィルムレジストが一般的に使用されている。市販のドライフィルムレジストは、少なくとも光架橋性樹脂層を有していて、ポリエステル等の支持層フィルム上に光架橋性樹脂層を設け、場合によってはポリエチレン等の保護フィルムで光架橋性樹脂上を挟んだ構成となっているものが多い。本発明において、光架橋性樹脂層として使用できる市販のドライフィルムレジストとしては、例えば、サンフォートシリーズ(商品名、旭化成イーマテリアルズ社製)、フォテックシリーズ(商品名、日立化成工業社製)、リストンシリーズ(商品名、デュポンMRCドライフィルム社製)、ALPHOシリーズ(商品名、ニチゴー・モートン社製)等を挙げることができる。   The photocrosslinkable resin layer is a resin layer in which an exposed portion is crosslinked and insolubilized in a developer, and a negative dry film resist is generally used for circuit formation. A commercially available dry film resist has at least a photocrosslinkable resin layer, and is provided with a photocrosslinkable resin layer on a support layer film such as polyester. In some cases, a protective film such as polyethylene covers the photocrosslinkable resin layer. Many are sandwiched. In the present invention, commercially available dry film resists that can be used as a photocrosslinkable resin layer include, for example, the Sunfort series (trade name, manufactured by Asahi Kasei E-Materials), the Fotec series (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.). , Liston series (trade name, manufactured by DuPont MRC Dry Film), ALPHA series (trade name, manufactured by Nichigo Morton), and the like.

光架橋性樹脂層の厚みは、15〜100μmであることが好ましく、20〜50μmであることがより好ましい。この厚みが15μm未満では、ゴミを核とした気泡の混入や凹凸追従性不良によって、レジスト剥がれや断線が発生する場合がある。一方、100μmを超えると、光架橋性樹脂層の製造コストが高くなるだけでなく、製造した光架橋性樹脂層のエッジフュージョンが顕著で保存性が悪くなる場合がある。   The thickness of the photocrosslinkable resin layer is preferably 15 to 100 μm, and more preferably 20 to 50 μm. If the thickness is less than 15 μm, resist peeling or disconnection may occur due to the mixing of bubbles with dust as a core and the uneven followability. On the other hand, when the thickness exceeds 100 μm, not only the production cost of the photocrosslinkable resin layer is increased, but also the edge fusion of the produced photocrosslinkable resin layer is remarkable and the storage stability may be deteriorated.

本発明における光架橋性樹脂層の薄膜化処理は、3つの工程(b1)〜(b3)よりなる。まず、工程(b1)において、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも1種の無機アルカリ性化合物を5〜20質量%、より好ましくは、10〜15質量%含む水溶液からなる樹脂層薄膜化処理液を供給することにより、溶解途中でミセル化された光架橋性樹脂層成分を一旦不溶化し、処理液中への溶解拡散を抑制する。5質量%未満では、ミセルが不溶化し難く、溶解除去途中で可溶化されたミセルが溶解拡散して、薄膜化処理で面内ムラが発生する。また、20質量%を超えると、無機アルカリ性化合物の析出が起こりやすく、液の経時安定性、作業性に劣る。また、界面活性剤、消泡剤、溶剤等を適宜少量添加することもできる。   The thinning treatment of the photocrosslinkable resin layer in the present invention comprises three steps (b1) to (b3). First, in the step (b1), at least one inorganic alkaline compound selected from alkali metal carbonates, alkali metal phosphates, alkali metal hydroxides, and alkali metal silicates is 5 to 20% by mass, more preferably By supplying a resin layer thinning treatment liquid comprising an aqueous solution containing 10 to 15% by mass, the photocrosslinkable resin layer components that have been micellized in the middle of dissolution are once insolubilized, and dissolution and diffusion into the treatment liquid is suppressed. . If it is less than 5% by mass, the micelles are hardly insolubilized, so that the micelles solubilized in the course of dissolution and removal are dissolved and diffused, and in-plane unevenness occurs in the thinning process. Moreover, when it exceeds 20 mass%, precipitation of an inorganic alkaline compound will occur easily and it is inferior to the temporal stability of a liquid, and workability | operativity. In addition, a small amount of a surfactant, an antifoaming agent, a solvent and the like can be added as appropriate.

工程(b1)において、樹脂層薄膜化処理液は繰り返し使用されるが、水分蒸発による濃縮、基板移載時の処理液持ち出し、空気中の二酸化炭素と接触、反応することによる炭酸塩の形成等による劣化が起こり、液の薄膜化処理能力を一定に保持することは難しい。しかし、樹脂層薄膜化処理液の状態が一定に管理されていないと薄膜化能力を不安定化させ、処理後の膜厚に差が生じ、安定生産性の低下、歩留りの低下につながる。   In the step (b1), the resin layer thinning treatment liquid is repeatedly used. However, concentration by evaporation of water, removal of the treatment liquid at the time of substrate transfer, contact with carbon dioxide in the air, formation of carbonate by reaction, etc. It is difficult to keep the liquid thinning ability constant. However, if the state of the resin layer thinning treatment liquid is not controlled at a constant level, the thinning ability is destabilized, resulting in a difference in the film thickness after treatment, leading to a decrease in stable productivity and a decrease in yield.

そこで、本発明では、中和滴定法で求めたアルカリ濃度を所定の範囲内に保持する方法で、樹脂層薄膜化処理液の状態を一定にしようとするものである。   Therefore, in the present invention, the state of the resin layer thinning solution is made constant by a method of keeping the alkali concentration obtained by the neutralization titration method within a predetermined range.

具体的には、連続稼働している薄膜化処理装置から所定量の樹脂層薄膜化処理液を採取し、pHを測定しながら、これに塩酸または硫酸を滴下し、中和点に達するまでに添加した酸の量から無機アルカリ性化合物の濃度を求める。得られた滴定曲線より無機アルカリ性化合物の濃度を算出するが、酸性領域ではカルボン酸基を有するバインダーの影響で滴定曲線がシフトするため、正確な濃度が見積もれない場合がある。そのため、アルカリ領域で濃度を算出する必要がある。この濃度が樹脂層薄膜化処理液の所定の範囲外にずれていた場合、本発明では、樹脂層薄膜化処理液の初期濃度と同じ濃度の液を添加する。「所定の範囲」とは、樹脂層薄膜化処理液の初期濃度に対して、−5%〜+5%の濃度範囲をいい、以下、「目標濃度」ともいう。このような中和滴定による無機アルカリ性化合物濃度の測定及び樹脂層薄膜化処理液の添加という操作を所定時間毎に行うことで、樹脂層薄膜化処理液の薄膜化能力を一定範囲内に保持することが可能になる。   Specifically, a predetermined amount of the resin layer thinning solution is collected from a continuously operating thinning device, and while measuring pH, hydrochloric acid or sulfuric acid is added dropwise until the neutralization point is reached. The concentration of the inorganic alkaline compound is determined from the amount of the added acid. The concentration of the inorganic alkaline compound is calculated from the obtained titration curve. However, in the acidic region, the titration curve shifts due to the influence of the binder having a carboxylic acid group, and thus the exact concentration may not be estimated. Therefore, it is necessary to calculate the concentration in the alkaline region. When this concentration has shifted out of the predetermined range of the resin layer thinning treatment liquid, in the present invention, a liquid having the same concentration as the initial concentration of the resin layer thinning treatment liquid is added. The “predetermined range” refers to a concentration range of −5% to + 5% with respect to the initial concentration of the resin layer thinning treatment liquid, and is hereinafter also referred to as “target concentration”. By performing the operation of measuring the concentration of the inorganic alkaline compound by neutralization titration and adding the resin layer thinning treatment liquid every predetermined time, the thinning ability of the resin layer thinning treatment liquid is maintained within a certain range. It becomes possible.

中和滴定から樹脂層薄膜化処理液の添加までを自動で行うこともできる。自動システムとしては、例えば、少なくとも自動的に所定時間毎に薄膜化処理液を計量しながらサンプリングする機能(定量ポンプ、計量管等)、pHメータ、液を撹拌する機能(マグネチックスターラー等)、滴定液(酸)を滴下する機能(パルスモータ駆動のポンプ等)、推定中和点pHを設定し、該pHになったら滴定液の滴下を停止する機能、滴定液の滴下量を算出する機能、該滴下量から無機アルカリ性化合物の濃度を算出する機能、目標濃度を設定する機能、[(目標濃度−測定濃度)×樹脂層薄膜化処理液タンク容積/目標濃度]で計算される量の初期濃度と同濃度の液を供給する機能(定量ポンプ等)、一連の滴定測定完了後、滴定容器等を洗浄する機能を含むシステムが挙げられる。液を補充する場合の計算式は上記を基本とするが、実際のプロセスを見ながら種々の補正をするのが好ましい。   The process from neutralization titration to the addition of the resin layer thinning solution can also be performed automatically. As an automatic system, for example, at least automatically a function of sampling a thinning solution at predetermined intervals (metering pump, metering tube, etc.), a pH meter, a function of stirring the liquid (magnetic stirrer, etc.), A function to drop titrant (acid) (pulse motor driven pump, etc.), a function to set an estimated neutralization point pH, stop dropping the titrant, and a function to calculate the amount of titrant dropped , The function of calculating the concentration of the inorganic alkaline compound from the dripping amount, the function of setting the target concentration, and the initial amount calculated by [(target concentration−measured concentration) × resin layer thinning treatment liquid tank volume / target concentration] Examples thereof include a system including a function of supplying a liquid having the same concentration as the concentration (such as a metering pump) and a function of washing the titration container after completion of a series of titration measurements. The calculation formula for replenishing the liquid is based on the above, but it is preferable to make various corrections while observing the actual process.

上述の例では推定中和点pHを設定し、そのpHになるまでに滴下した酸の量から無機アルカリ性化合物の濃度を算出したが、測定精度を高めるためには、滴定終了pHとして、中和点pHを過ぎたpH(中和点がpH8ならば、7〜6程度)に設定し、酸滴下開始から滴下終了までの間でpH変化率が最も大きくなる酸滴下量を求め、その点をもって中和点とし、それまでに滴下した酸の量から無機アルカリ性化合物の濃度を算出するのが好ましい。   In the above example, the estimated neutralization point pH was set, and the concentration of the inorganic alkaline compound was calculated from the amount of acid dropped until that pH was reached. To increase the measurement accuracy, the titration end pH was neutralized. Set the pH past the point pH (about 7 to 6 if the neutralization point is pH 8), determine the amount of acid dripping that gives the largest rate of pH change from the start of acid dripping to the end of dripping, It is preferable to calculate the concentration of the inorganic alkaline compound from the amount of acid dropped so far as the neutralization point.

次いで、工程(b2)では、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか1種を含むpH5〜10、より好ましくは、pH6〜8の水溶液を供給し、工程(b1)で不溶化された光架橋性樹脂層成分を再分散させて溶解除去する。このように、工程(b1)と工程(b2)を分けることで、工程(b1)では光架橋性樹脂層は処理液中にほとんど溶け込まないため、処理液の溶解性変化が少なく、安定した連続薄膜化処理ができるという利点がある。また、工程(b2)において、炭酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩はいずれもアルカリ領域に優れた緩衝能力を有するため、工程(b1)から高濃度のアルカリ水溶液の一部が混入した場合においても、急激なpHの上昇を防止することができ、局所的な処理液の撹拌ムラ及びスプレームラ、光架橋性樹脂層の溶解ムラに起因するpH変化を最小限まで抑制することができる。さらに、pH5〜10の水溶液を使用することにより、(b2)における光架橋性樹脂層成分の再分散性を一定に保つことができ、安定した連続薄膜化処理ができる。   Next, in the step (b2), the pH is 5 to 10, and more preferably the pH is 6 to 8 including at least one of inorganic alkali compounds selected from alkali metal carbonates, alkali metal phosphates, and alkali metal silicates. Then, the photocrosslinkable resin layer component insolubilized in the step (b1) is redispersed and dissolved and removed. In this way, by separating the step (b1) and the step (b2), the photocrosslinkable resin layer hardly dissolves in the treatment liquid in the step (b1), so that the change in solubility of the treatment liquid is small and stable continuous. There is an advantage that thinning processing can be performed. Further, in step (b2), carbonate, phosphate, and silicate all have an excellent buffer capacity in the alkaline region, and therefore when a part of the high-concentration alkaline aqueous solution is mixed from step (b1). However, it is possible to prevent an abrupt increase in pH, and it is possible to suppress a change in pH caused by uneven stirring and spray unevenness of the local treatment liquid and dissolution unevenness of the photocrosslinkable resin layer to the minimum. Furthermore, by using an aqueous solution having a pH of 5 to 10, the redispersibility of the photocrosslinkable resin layer component in (b2) can be kept constant, and a stable continuous thinning process can be performed.

工程(b2)において、水溶液のpHが5未満では、再分散により溶け込んだ光架橋性樹脂成分が凝集し、不溶性のスラッジとなって薄膜化した光架橋性樹脂層表面に付着する場合がある。一方、水溶液のpHが10を超えると、光架橋性樹脂層の溶解拡散が促進され、面内で膜厚ムラが発生する場合がある。また、工程(b2)の処理液は、硫酸、リン酸、塩酸等を用いて、液のpHを調整した後に使用してもよい。工程(b2)において、水溶液の供給流量は多い方が好ましく、光架橋性樹脂層1cmあたり0.030〜1.0L/minであることが好ましい。工程(b2)において、供給流量が不足すると、不溶化された光架橋性樹脂層成分の再分散性が悪くなり、溶解不良が起こりやすくなる。その結果、薄膜化後の光架橋性樹脂層表面に不溶解成分の析出が見られ、タック性が問題になる場合がある。 In the step (b2), when the pH of the aqueous solution is less than 5, the photocrosslinkable resin component dissolved by redispersion may aggregate and become insoluble sludge and adhere to the thinned photocrosslinkable resin layer surface. On the other hand, when the pH of the aqueous solution exceeds 10, the dissolution and diffusion of the photocrosslinkable resin layer is promoted, and the film thickness unevenness may occur in the surface. The treatment liquid in step (b2) may be used after adjusting the pH of the liquid using sulfuric acid, phosphoric acid, hydrochloric acid, or the like. In the step (b2), it is preferable that the supply flow rate of the aqueous solution is large, and it is preferably 0.030 to 1.0 L / min per 1 cm 2 of the photocrosslinkable resin layer. In the step (b2), when the supply flow rate is insufficient, the re-dispersibility of the insolubilized photocrosslinkable resin layer component is deteriorated, so that poor dissolution is likely to occur. As a result, precipitation of insoluble components is observed on the surface of the photocrosslinkable resin layer after thinning, and tackiness may become a problem.

工程(b2)に続き、工程(b3)で処理後の光架橋性樹脂層表面を水洗した後、水滴を除去することにより、光架橋性樹脂層の薄膜化処理が完了する。水洗水としては、工業用水、水道水、イオン交換水、蒸留水等が挙げられる。樹脂層表面の水滴の除去方法としては、エアーナイフ、吸液性ロール、温風乾燥等が挙げられるが、物理的な接触がなく、除去効率がよいことから、エアーナイフが特に好ましい。   Subsequent to the step (b2), the surface of the photocrosslinkable resin layer after the treatment in the step (b3) is washed with water, and then water droplets are removed, thereby completing the thinning process of the photocrosslinkable resin layer. Examples of the washing water include industrial water, tap water, ion exchange water, and distilled water. Examples of the method for removing water droplets on the surface of the resin layer include an air knife, a liquid-absorbing roll, and hot air drying. An air knife is particularly preferable because there is no physical contact and good removal efficiency.

光架橋性樹脂層上に支持層フィルムが設けられている場合には、剥がしてから薄膜化処理を実施する。薄膜化処理とは、光架橋性樹脂層の厚みを略均一に薄くする処理のことであり、詳しくは、薄膜化処理を施す前の厚みの0.05〜0.9倍の厚みまで薄くすることをいう。   When the support layer film is provided on the photocrosslinkable resin layer, the thinning treatment is performed after the film is peeled off. The thinning treatment is a treatment for reducing the thickness of the photocrosslinkable resin layer substantially uniformly. Specifically, the thickness is reduced to 0.05 to 0.9 times the thickness before the thinning treatment. That means.

薄膜化処理の方法として、ディップ方式、バトル方式、スプレー方式、ブラッシング、スクレーピング等があり、スプレー方式が光架橋性樹脂層の溶解速度の点からは最も適している。スプレー方式の場合、処理条件(温度、時間、スプレー圧)は、使用する光架橋性樹脂層の溶解速度に合わせて適宜調整される。具体的には、処理温度は10〜50℃が好ましく、より好ましくは15〜40℃、さらに好ましくは15〜35℃である。また、スプレー圧は0.01〜0.5MPaとするのが好ましく、さらに好ましくは0.02〜0.3MPaである。   There are a dipping method, a battle method, a spray method, brushing, scraping and the like as a thinning method, and the spray method is most suitable from the viewpoint of the dissolution rate of the photocrosslinkable resin layer. In the case of the spray method, the treatment conditions (temperature, time, spray pressure) are appropriately adjusted according to the dissolution rate of the photocrosslinkable resin layer to be used. Specifically, the treatment temperature is preferably 10 to 50 ° C, more preferably 15 to 40 ° C, and further preferably 15 to 35 ° C. The spray pressure is preferably 0.01 to 0.5 MPa, and more preferably 0.02 to 0.3 MPa.

工程(c)では、回路パターンの露光を行う。回路パターンの露光方法としては、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、UV蛍光灯を光源とした反射画像露光、フォトツールを用いた片面あるいは両面密着露光方式、プロキシミティ方式、プロジェクション方式やレーザー走査露光方式等が挙げられるが、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、UV蛍光灯を光源とし、フォトツールを用いた片面、両面密着露光が好適に用いられる。   In step (c), the circuit pattern is exposed. Circuit pattern exposure methods include xenon lamps, high-pressure mercury lamps, low-pressure mercury lamps, ultra-high-pressure mercury lamps, reflected image exposure using UV fluorescent lamps as light sources, single-sided or double-sided contact exposure systems using photo tools, proximity systems, and projection systems. In particular, single-sided and double-sided exposure using a photo tool is preferably used with a xenon lamp, a high-pressure mercury lamp, a low-pressure mercury lamp, an ultrahigh-pressure mercury lamp, or a UV fluorescent lamp as a light source.

工程(d)では、光架橋していない光架橋性樹脂層を現像液で除去して、エッチングレジスト層を形成する。現像方法としては、使用する光架橋性樹脂層に見合った現像液を用い、基板の上下方向から基板表面に向かってスプレーを噴射して、エッチングレジストパターンとして不要な部分を除去し、回路パターンに相当するエッチングレジスト層を形成する。一般的には、0.3〜2質量%の炭酸ナトリウム水溶液が使用される。   In the step (d), the photocrosslinkable resin layer that has not been photocrosslinked is removed with a developing solution to form an etching resist layer. As a development method, a developer suitable for the photocrosslinkable resin layer to be used is used, spray is sprayed from the vertical direction of the substrate toward the substrate surface, and unnecessary portions are removed as an etching resist pattern to form a circuit pattern. A corresponding etching resist layer is formed. In general, an aqueous sodium carbonate solution of 0.3 to 2% by mass is used.

工程(e)では、エッチングレジスト層以外の露出した導電層をエッチングすることにより、微細な導電パターンを作製する。エッチング工程では、「プリント回路技術便覧」((社)日本プリント回路工業会編、1987年刊行、(株)日刊工業新聞社刊)記載の方法等を使用することができる。エッチング液は金属箔層を溶解除去できるもので、また、少なくともエッチングレジスト層が耐性を有しているものであればよい。一般に導電層に銅を使用する場合には、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液等を使用することができる。   In the step (e), a fine conductive pattern is formed by etching the exposed conductive layer other than the etching resist layer. In the etching process, a method described in “Handbook of Printed Circuit Technology” (edited by Japan Printed Circuit Industry Association, published in 1987, published by Nikkan Kogyo Shimbun) can be used. The etching solution may be one that can dissolve and remove the metal foil layer, and at least the etching resist layer has resistance. In general, when copper is used for the conductive layer, a ferric chloride aqueous solution, a cupric chloride aqueous solution, or the like can be used.

以下実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples. However, the present invention is not limited to these examples.

(実施例1)
<工程(a)>
ガラス基材エポキシ樹脂銅張積層板(面積170mm×255mm、銅箔厚み12μm、基材厚み0.4mm、商品名:FR−4、三菱ガス化学社製)上に耐熱シリコンゴムライニング表面処理されたラミネートロールを備えたドライフィルム用ラミネータを用いて、保護フィルムを剥がしながら、ロール温度100℃、エアー圧力0.30MPa、ラミネート速度0.50m/minにて、ドライフィルムレジスト(商品名:サンフォートAQ5038、厚み50μm、旭化成イーマテリアルズ社製)をラミネートした。
Example 1
<Process (a)>
A heat-resistant silicone rubber lining was surface-treated on a glass substrate epoxy resin copper clad laminate (area 170 mm × 255 mm, copper foil thickness 12 μm, substrate thickness 0.4 mm, trade name: FR-4, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company). Dry film resist (trade name: Sunfort AQ5038) at a roll temperature of 100 ° C., an air pressure of 0.30 MPa, and a laminating speed of 0.50 m / min while peeling off the protective film using a laminator for dry film equipped with a laminate roll. And a thickness of 50 μm, manufactured by Asahi Kasei E-Materials Co., Ltd.).

<工程(b1)>
水平搬送方式の連続処理装置を用いて、ドライフィルムレジストの薄膜化処理を行った。液温25℃、スプレー圧0.05MPaの条件下で処理を行った。支持層フィルムを剥離した後、無機アルカリ性化合物として炭酸ナトリウムを10質量%含む樹脂層薄膜化処理液で、ドライフィルムレジストの光架橋樹脂層成分を一旦不溶化した。タンク容量は150kgであった。このとき、中和滴定による液管理システムを用い、初期濃度と同濃度の液を補充して、アルカリ濃度を一定に保持した。10枚処理毎に50mlの処理液を定量ポンプと計量管を用いて採取し、これを2倍に希釈して、中和滴定を行い、無機アルカリ性化合物の濃度を算出した。測定濃度が9.5質量%未満または10.5質量%を超えた場合、槽内の濃度が9.5〜10.5質量%になるまで、初期濃度と同じ濃度の液を補充した。補充量は、平均して100mlであった。
<Step (b1)>
The dry film resist was thinned using a horizontal conveyance type continuous processing apparatus. The treatment was performed under conditions of a liquid temperature of 25 ° C. and a spray pressure of 0.05 MPa. After peeling off the support layer film, the photocrosslinked resin layer component of the dry film resist was once insolubilized with a resin layer thinning solution containing 10% by mass of sodium carbonate as an inorganic alkaline compound. The tank capacity was 150 kg. At this time, a liquid management system based on neutralization titration was used to replenish a liquid having the same concentration as the initial concentration to keep the alkali concentration constant. For every 10 sheets processed, 50 ml of the processing solution was collected using a metering pump and a metering tube, diluted twice and neutralized, and the concentration of the inorganic alkaline compound was calculated. When the measured concentration was less than 9.5% by mass or more than 10.5% by mass, the liquid having the same concentration as the initial concentration was replenished until the concentration in the tank became 9.5 to 10.5% by mass. The replenishment volume averaged 100 ml .

<工程(b2)〜(b3)>
工程(b2)で、樹脂層薄膜化処理液として、炭酸ナトリウムを0.1質量%含む樹脂層薄膜化処理液(液温度25℃、スプレー圧0.05MPa)を使って、不溶化された光架橋樹脂成分を再分散させて溶解除去し、工程(b3)で、処理後の光架橋性樹脂層表面を水洗した後(液温度25℃、スプレー圧0.05MPa)、エアーナイフによって薄膜化後の樹脂層表面の水滴を除去した。薄膜化処理後、光架橋性樹脂層の膜厚を10点で測定した。以上の条件で、1日50枚ずつの薄膜化処理を100日間続けたところ、光架橋性樹脂層の薄膜化後の膜厚は、平均値より−1μm〜+1μmの範囲に収まっており、処理液の管理は安定的に行われていた。
<Steps (b2) to (b3)>
In step (b2), a resin layer thinning treatment solution containing 0.1% by mass of sodium carbonate (liquid temperature: 25 ° C., spray pressure: 0.05 MPa) is used as the resin layer thinning treatment solution, and the photocrosslinking is insolubilized. The resin component is re-dispersed and dissolved and removed. In step (b3), the surface of the photocrosslinkable resin layer after treatment is washed with water (liquid temperature: 25 ° C., spray pressure: 0.05 MPa), and then thinned with an air knife. Water droplets on the surface of the resin layer were removed. After the thinning treatment, the film thickness of the photocrosslinkable resin layer was measured at 10 points. Under the above conditions, when the thinning treatment of 50 sheets per day was continued for 100 days, the film thickness after the thinning of the photocrosslinkable resin layer was within the range of −1 μm to +1 μm from the average value. Liquid management was performed stably.

<工程(c)>
ライン/スペース=25/25μmのパターンが描画されたフォトツールを用い、出力3kwの超高圧水銀灯(商品名:URM−300、ウシオライティング社製)を光源に備えた真空密着露光装置で密着露光を行った。
<Step (c)>
Using a photo tool in which a pattern of line / space = 25/25 μm is drawn, contact exposure is performed with a vacuum contact exposure apparatus equipped with a 3 kw ultrahigh pressure mercury lamp (trade name: URM-300, manufactured by Ushio Lighting Co., Ltd.) as a light source. went.

<工程(d)>
1質量%の炭酸ナトリウム水溶液(液温度30℃、スプレー圧0.15MPa)を用いて現像処理を行い、エッチングレジスト層を形成した。得られたエッチングレジスト層を光学顕微鏡で観察した結果、ライン/スペース=25/25μmのパターンにおいて、線細りや断線あるいは線太りやショート等の欠陥は見られなかった。
<Step (d)>
Development processing was performed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (solution temperature 30 ° C., spray pressure 0.15 MPa) to form an etching resist layer. As a result of observing the obtained etching resist layer with an optical microscope, in the pattern of line / space = 25/25 μm, defects such as line thinning, disconnection, line thickening, and short-circuit were not observed.

<工程(e)>
エッチングレジスト層を形成した基板を塩化第二鉄溶液(液温度40℃、スプレー圧0.20MPa)で処理し、エッチングレジスト層以外の銅箔を除去することでエッチングを実施した。続いて、40℃の3質量%水酸化ナトリウム溶液で残存するエッチングレジスト層を除去し、導電パターンを得た。得られた導電パターンには、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。
<Process (e)>
Etching was performed by treating the substrate on which the etching resist layer was formed with a ferric chloride solution (liquid temperature 40 ° C., spray pressure 0.20 MPa) and removing the copper foil other than the etching resist layer. Subsequently, the remaining etching resist layer was removed with a 3% by mass sodium hydroxide solution at 40 ° C. to obtain a conductive pattern. In the obtained conductive pattern, no disconnection or short defect, which was a practical problem, was observed.

(比較例1)
樹脂層薄膜化処理液の管理に中和滴定を用いず、pHによる液管理を行った以外は実施例1と同条件で、導電パターンを得た。槽内のpHを初期値からのずれがないように管理すると、1枚処理する毎に初期濃度と同濃度の液を平均して1000ml補充しなければならず、樹脂層薄膜化処理液を無駄に消費した。
(Comparative Example 1)
A conductive pattern was obtained under the same conditions as in Example 1 except that the neutralization titration was not used for the management of the resin layer thinning treatment liquid, and the liquid management was performed using pH. If the pH in the tank is managed so as not to deviate from the initial value, every time one sheet is processed, the liquid with the same concentration as the initial concentration must be replenished with an average of 1000 ml. Consumed wastefully.

(比較例2)
樹脂層薄膜化処理液の管理に中和滴定を用いず、pHによる液管理を行い、さらに、高濃度の補充液(11質量%の炭酸ナトリウム水溶液)を用いた以外は実施例1と同条件で、導電パターンを得た。1枚処理する毎に平均して200mlの高濃度液を補充し、槽内のpHを初期値からのずれがないように管理した。処理開始から15日経過した時に薄膜化量のバラつきが生じて、−1μm〜+1μmの範囲に収まらなくなり、その後は100日間まで継続して薄膜化量のバラつきが生じ、適正な管理が行われなかった。また、15日経過後の無機アルカリ性化合物の濃度を求めると、10.6質量%であり、適正な濃度値ではなかった。
(Comparative Example 2)
The same conditions as in Example 1 except that the neutralization titration is not used for the management of the resin layer thinning treatment liquid, the liquid is controlled by pH, and a high-concentration replenisher (11 mass% sodium carbonate aqueous solution) is used. Thus, a conductive pattern was obtained. Every time one sheet was processed, an average of 200 ml of high-concentration solution was replenished, and the pH in the tank was controlled so as not to deviate from the initial value. When 15 days have elapsed from the start of the treatment, the thinning amount varies and does not fall within the range of −1 μm to +1 μm. After that, the thinning amount varies continuously for up to 100 days, and proper management is not performed. It was. Moreover, when the density | concentration of the inorganic alkaline compound after 15-day progress was calculated | required, it was 10.6 mass% and was not an appropriate density | concentration value.

(比較例3)
初期濃度と同じ濃度の液ではなく、高濃度の補充液(11質量%の炭酸ナトリウム水溶液)を用いた以外は実施例1と同条件で、導電パターンを得た。処理枚数の10枚目、20枚目、30枚目・・・と中和滴定直後に薄膜化量にバラつきが見られ、薄膜化処理量が−1μm〜+1μmの範囲に収まっておらず、最大で−2μmの薄膜化処理量となる場合があった。
(Comparative Example 3)
A conductive pattern was obtained under the same conditions as in Example 1 except that a high-concentration replenisher (11 mass% sodium carbonate aqueous solution) was used instead of a liquid having the same concentration as the initial concentration. The number of processed sheets is 10th, 20th, 30th, etc., and the thinning amount varies immediately after neutralization titration, and the thinning amount does not fall within the range of -1 μm to +1 μm, and the maximum In some cases, the amount of thinning treatment was −2 μm.

本発明は、サブトラクティブ法を用いた微細な導電パターンの作製に広く利用され、実施例で説明したプリント配線板のほか、リードフレームの製造方法にも利用することができる。   The present invention is widely used for producing a fine conductive pattern using a subtractive method, and can be used for a method of manufacturing a lead frame in addition to the printed wiring board described in the embodiments.

1 光架橋性樹脂層(未架橋部)
2 基板
3 光架橋性樹脂層の架橋部
4 導電層
5 絶縁性基板
6 ミセル化した光架橋性樹脂層
1 Photocrosslinkable resin layer (uncrosslinked part)
2 Substrate 3 Crosslinked part of photocrosslinkable resin layer 4 Conductive layer 5 Insulating substrate 6 Micellarized photocrosslinkable resin layer

Claims (1)

(a)表面に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、(b)アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも1種の無機アルカリ性化合物を5〜20質量%含む水溶液からなる樹脂層薄膜化処理液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、(c)回路パターンの露光工程、(d)現像工程、(e)エッチング工程をこの順に含む導電パターンの作製方法における樹脂層薄膜化処理液の管理方法において、樹脂層薄膜化処理液の無機アルカリ性化合物の濃度を中和滴定法によって求め、初期濃度と同濃度の液を補充することで、所定の範囲内に無機アルカリ性化合物の濃度を保持することを特徴とする樹脂層薄膜化処理液の管理方法。   (A) a step of forming a photocrosslinkable resin layer on a substrate having a conductive layer on the surface, (b) an alkali metal carbonate, an alkali metal phosphate, an alkali metal hydroxide, an alkali metal silicate A step of thinning the photocrosslinkable resin layer with a resin layer thinning treatment solution comprising an aqueous solution containing 5 to 20% by mass of at least one inorganic alkaline compound selected from: (c) a circuit pattern exposure step; d) In the management method of the resin layer thinning treatment liquid in the method for producing a conductive pattern including the developing step and (e) the etching step in this order, the concentration of the inorganic alkaline compound in the resin layer thinning treatment solution is obtained by a neutralization titration method. A method for managing a resin layer thinning treatment liquid, wherein the concentration of the inorganic alkaline compound is maintained within a predetermined range by replenishing a liquid having the same concentration as the initial concentration.
JP2010063485A 2010-03-19 2010-03-19 Resin layer thinning treatment liquid management method Active JP5444063B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010063485A JP5444063B2 (en) 2010-03-19 2010-03-19 Resin layer thinning treatment liquid management method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010063485A JP5444063B2 (en) 2010-03-19 2010-03-19 Resin layer thinning treatment liquid management method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011198967A JP2011198967A (en) 2011-10-06
JP5444063B2 true JP5444063B2 (en) 2014-03-19

Family

ID=44876818

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010063485A Active JP5444063B2 (en) 2010-03-19 2010-03-19 Resin layer thinning treatment liquid management method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5444063B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015212754A (en) * 2014-05-02 2015-11-26 三菱製紙株式会社 Control method for process liquid for thinning resin layer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015212754A (en) * 2014-05-02 2015-11-26 三菱製紙株式会社 Control method for process liquid for thinning resin layer

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011198967A (en) 2011-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5498886B2 (en) Dry film resist thinning method
WO2007132533A1 (en) Method for resist pattern formation, process for producing circuit board, and circuit board
CN104780710A (en) PCB (Printed circuit board) and manufacturing method thereof
CN101534608A (en) Manufacturing method of flexible circuit board
JP5444063B2 (en) Resin layer thinning treatment liquid management method
JP5444172B2 (en) Dry film resist thinning method
JP2015046519A (en) Method for manufacturing circuit board
KR20210018401A (en) Apparatus for thin filming resist layer
JP5498871B2 (en) Method of thinning photocrosslinkable resin layer
KR200494122Y1 (en) Apparatus for thin filming resist layer
JP2010087213A (en) Method of manufacturing printed wiring board
JP3202621U (en) Resist layer thinning device
JP2012073424A (en) Method for thinning dry film resist
JP5639465B2 (en) Method for producing metal pattern
JP3186478U (en) Dry film resist thinning equipment
JP5537463B2 (en) Method for producing conductive pattern
JP2011222888A (en) Device for dry film resist thinning
JP5537476B2 (en) Method for producing conductive pattern
JP2010232407A (en) Printed wiring board, and method of manufacturing the same
JP2011060983A (en) Method of forming conductive pattern
JP5627404B2 (en) Dry film resist thinning method
JP5455696B2 (en) Dry film resist thinning method
JP4628993B2 (en) Circuit board manufacturing method
JP4676376B2 (en) Circuit board manufacturing method
JP2012001767A (en) Method of manufacturing metal pattern

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130124

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131122

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131203

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131220

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5444063

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250