JP5537476B2 - Method for producing conductive pattern - Google Patents

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Description

本発明は、サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法に関する。   The present invention relates to a method for producing a conductive pattern by a subtractive method.

プリント配線板やリードフレームの製造方法として、表面に導電層を設けた絶縁性基板あるいは導電性基板の回路部にエッチングレジスト層を設け、露出している非回路部の導電層をエッチング除去して導電パターンを形成するサブトラクティブ法がある。また、絶縁性基板の回路部にメッキ法で導電層を設けていくアディティブ法やセミアディティブ法がある。   As a method of manufacturing printed wiring boards and lead frames, an etching resist layer is provided on an insulating substrate having a conductive layer on the surface or a circuit portion of the conductive substrate, and the exposed conductive layer of the non-circuit portion is removed by etching. There is a subtractive method for forming a conductive pattern. In addition, there are an additive method and a semi-additive method in which a conductive layer is provided on a circuit portion of an insulating substrate by a plating method.

さて、近年の電子機器の小型、多機能化に伴い、機器内部に使用されるプリント配線板やリードフレームも高密度化や導電パターンの微細化が進められており、サブトラクティブ法により、現在では導体幅が50〜80μm未満、導体間隙が50〜80μmの導電パターンが製造されている。また、さらなる高密度化、微細配線化が進み、導体幅あるいは導体間隙50μm未満の超微細な導電パターンが求められるようになってきている。それに伴って、導電パターンの精度やインピーダンスの要求も高くなっている。このような微細な導電パターンを形成するため、従来から、サブトラクティブ法に代わり、セミアディティブ法が検討されているが、製造工程が大幅に増加するという問題や電解メッキ銅の接着強度不足等の問題があった。そのため、サブトラクティブ法でプリント配線板やリードフレームを製造するのが主流となっている。   As electronic devices have become smaller and more multifunctional in recent years, printed wiring boards and lead frames used inside devices are also becoming increasingly dense and conductive patterns are being refined. A conductive pattern having a conductor width of less than 50 to 80 μm and a conductor gap of 50 to 80 μm is manufactured. In addition, with higher density and finer wiring, ultrafine conductive patterns with a conductor width or conductor gap of less than 50 μm have been required. Along with this, the requirements for the accuracy and impedance of the conductive pattern are also increasing. In order to form such a fine conductive pattern, a semi-additive method has been studied instead of the subtractive method. However, there are problems such as a significant increase in the manufacturing process and insufficient adhesive strength of electrolytically plated copper. There was a problem. For this reason, the production of printed wiring boards and lead frames by the subtractive method has become the mainstream.

サブトラクティブ法において、エッチングレジスト層は、感光性材料を用いた露光現像工程を有するフォトファブリケーション法、スクリーン印刷法、インクジェット法等によって形成される。この中でも、フォトファブリケーション法におけるネガ型のドライフィルムレジストと呼ばれるシート状の光架橋性樹脂層を用いた方法は、取り扱い性に優れ、テンティングによるスルーホールの保護が可能なことから好適に用いられている。   In the subtractive method, the etching resist layer is formed by a photofabrication method, a screen printing method, an ink jet method or the like having an exposure and development process using a photosensitive material. Among these, the method using a sheet-like photocrosslinkable resin layer called a negative dry film resist in the photofabrication method is preferably used because it is easy to handle and can protect through holes by tenting. It has been.

光架橋性樹脂層を用いた方法では、基板上に光架橋性樹脂層を形成し、露光現像工程を経てエッチングレジスト層が形成される。微細な導電パターンを形成するためには、微細なエッチングレジスト層を形成させることが必要不可欠である。このために、できる限りレジスト膜厚を薄くする必要がある。光架橋性樹脂層として一般的なドライフィルムレジストでは、例えば、10μm以下の膜厚にすると、ゴミを核とした気泡の混入や凹凸追従性の低下が原因となり、レジスト層の剥がれや断線が発生するという問題があり、微細なエッチングレジスト層を形成させることは困難であった。   In the method using a photocrosslinkable resin layer, a photocrosslinkable resin layer is formed on a substrate, and an etching resist layer is formed through an exposure development process. In order to form a fine conductive pattern, it is indispensable to form a fine etching resist layer. For this reason, it is necessary to make the resist film thickness as thin as possible. For dry film resists that are common as photocrosslinkable resin layers, for example, if the film thickness is 10 μm or less, the resist layer may be peeled off or disconnected due to the inclusion of bubbles with dust as a core and the decrease in follow-up of unevenness. It is difficult to form a fine etching resist layer.

このような問題を解決すべく、基板上に25μm以上の厚みのドライフィルムレジストを貼り付け、次に、アルカリ水溶液を用いてドライフィルムレジストを10μm程度まで薄膜化した後、回路パターンの露光、現像を行ってエッチングレジスト層を形成する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。   In order to solve such problems, a dry film resist having a thickness of 25 μm or more is pasted on the substrate, and then the dry film resist is thinned to about 10 μm using an alkaline aqueous solution, and then exposure and development of a circuit pattern are performed. There has been proposed a method of forming an etching resist layer by performing (see, for example, Patent Document 1).

また、孔上及びその周囲の光架橋性樹脂層をあらかじめ硬化させてから、未硬化部の光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行うことで、孔上及びその周囲部にはテンティング強度を有する厚いエッチングレジスト層を形成することができ、エッチング工程でテンティング膜が破れ難くなり、孔内導電層がエッチングされ難くなる。さらに、孔上及びその周囲のテンティングに必要のない部分は、薄膜化処理を施した後に回路パターンの露光やエッチングを施すことによって、微細な導電パターンの作製が可能となる。この方法によれば、特殊なドライフィルムレジストを必要とせずに、テンティングによる孔内導電層の保護と薄膜化処理による微細な導電パターンの作製とを両立することができる。   In addition, after the photocrosslinkable resin layer on and around the hole is cured in advance, the photocuring resin layer on the uncured part is thinned to provide a tenting strength on the hole and the surrounding area. A thick etching resist layer can be formed, and the tenting film is hardly broken in the etching process, and the conductive layer in the hole is hardly etched. Further, a fine conductive pattern can be produced by exposing and etching a circuit pattern in a portion that is not necessary for tenting on and around the hole after thinning. According to this method, both the protection of the conductive layer in the hole by tenting and the production of a fine conductive pattern by the thinning process can be achieved without requiring a special dry film resist.

しかしながら、孔上及びその周囲に相当する光架橋性樹脂層は、基板全面積の数パーセントから十数パーセント程度しかないことが多く、薄膜化処理後の光架橋性樹脂層のほとんどは剥き出しの状態になっている。この状態で、薄膜化後に通常のハンドリングを行うと、両面露光時の露光装置ステージとの接触、基板同士の接触、搬送工程や投入及び受け取り工程でのコンベアや吸引パットとの接触によって、薄膜化樹脂層に擦り傷や打痕と呼ばれる小さなへこみが発生し、レジストパターンの欠けや断線に繋がる欠陥が発生することがあった。   However, the photocrosslinkable resin layer corresponding to and around the hole is often only a few percent to a dozen percent of the total area of the substrate, and most of the photocrosslinkable resin layer after the thinning treatment is bare. It has become. In this state, if normal handling is performed after thinning, contact with the exposure apparatus stage during double-sided exposure, contact between substrates, contact with a conveyor or suction pad during the transport process, loading and receiving processes, thinning the film Small dents called scratches or dents are generated in the resin layer, and defects that lead to chipping or disconnection of the resist pattern may occur.

また、特許文献1には、孔上及びその周囲の光架橋性樹脂層を予め硬化させてから、未硬化部の光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行った後、光架橋性樹脂層上に透明性フィルムを再積層する方法も提案されているが、通常の透明性フィルムでは、光架橋性樹脂層の段差に完全に追従させることは極めて困難で、段差周囲において、線太りによる解像不良や重合阻害による膜減り、あるいは解像度の悪化といった問題が発生する場合があった。   Further, in Patent Document 1, after the photocrosslinkable resin layer on and around the hole is previously cured, the photocrosslinkable resin layer in the uncured portion is thinned, and then the photocrosslinkable resin layer is formed. Although a method of re-laminating a transparent film has also been proposed, it is extremely difficult to completely follow the step of the photocrosslinkable resin layer with a normal transparent film. There have been cases where problems such as defects, film loss due to polymerization inhibition, or deterioration in resolution may occur.

さらに、孔上及びその周囲の光架橋性樹脂層を予め硬化させる方法では、孔上及びその周囲の光架橋性樹脂層を硬化させる工程と薄膜化処理後に回路パターンに相当する光架橋性樹脂層を硬化させる工程という2回の硬化工程がある。光架橋性樹脂層の硬化では、通常、基板に形成された貫通孔を露光位置の基準(アライメントマーク)として使用する。しかしながら、孔上及びその周囲の光架橋性樹脂層を硬化させる工程でアライメントマークとして使用した貫通孔を、回路パターンに相当する部分の光架橋性樹脂層の硬化時にもアライメントマークとして使用した場合、該貫通孔上の光架橋性樹脂層は薄くなっているために、テント破れが起こり、貫通孔の形状が正確に認識されにくくなり、その結果、2回目の回路パターンの硬化時に位置ずれが起こる場合があった。   Further, in the method of precuring the photocrosslinkable resin layer on and around the hole, a step of curing the photocrosslinkable resin layer on and around the hole and a photocrosslinkable resin layer corresponding to a circuit pattern after thinning treatment There are two curing steps, the step of curing. In the curing of the photocrosslinkable resin layer, a through hole formed in the substrate is usually used as a reference (alignment mark) for the exposure position. However, when the through-hole used as an alignment mark in the step of curing the photocrosslinkable resin layer on and around the hole is used as an alignment mark even when the photocrosslinkable resin layer corresponding to the circuit pattern is cured, Since the photocrosslinkable resin layer on the through-hole is thin, tent breakage occurs, and the shape of the through-hole is difficult to be accurately recognized. As a result, misalignment occurs during the second curing of the circuit pattern. There was a case.

また、上記のような光架橋性樹脂のテント破れを回避するために、孔上及びその周囲の光架橋性樹脂層の硬化時に、該アライメントマークとして使用する貫通孔上及びその周囲の光架橋性樹脂層を硬化させることで、アライメントマークである貫通孔上のテンティング強度は維持される。しかし、一般に光架橋性樹脂の硬化部は発色するように設計されており、この発色によって貫通孔のエッジのコントラストが変化するため、貫通孔の形状が正確に認識されにくくなり、2回目の回路パターンの硬化時に位置ずれが起こる問題は、この方法では、完全に解決できない。   Further, in order to avoid the tent tearing of the photocrosslinkable resin as described above, the photocrosslinkability on and around the through-hole used as the alignment mark when the photocrosslinkable resin layer on and around the hole is cured. By curing the resin layer, the tenting strength on the through hole that is the alignment mark is maintained. However, in general, the cured portion of the photocrosslinkable resin is designed to develop a color, and this color change changes the contrast of the edge of the through hole, making it difficult to accurately recognize the shape of the through hole. The problem of misalignment during pattern curing cannot be completely solved by this method.

国際公開第2009/096438号パンフレットInternational Publication No. 2009/096438 Pamphlet

本発明の課題は、サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法において、薄膜化処理後のハンドリングにおいて、基板同士の接触、搬送工程や投入及び受け取り工程でのコンベアや吸引パットとの接触があっても、薄膜化面に擦り傷や打痕がなく、光架橋性樹脂層の硬化が2回行われる場合でも、位置ずれを防止することができる導電パターンの作製方法を提供することである。   It is an object of the present invention to provide a method for producing a conductive pattern by a subtractive method. In handling after thinning, even if there is contact between substrates, contact with a conveyor or a suction pad in a transporting process, loading and receiving process. An object of the present invention is to provide a method for producing a conductive pattern which can prevent displacement even when the thinned surface has no scratches or dents and the photocrosslinkable resin layer is cured twice.

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、
(1)サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法において、該導電パターンが、第一導電パターン部及び第二導電パターン部から少なくとも構成されており、(a)表面に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、(b)第一導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層を硬化させる工程、(c)アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、(d)少なくとも第二導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層を硬化させる工程、(e)現像工程、(f)エッチング工程をこの順に含む導電パターンの作製方法において、工程(b)で形成された光架橋性樹脂層の硬化部の一部を、工程(d)でアライメントマークとして用いて光架橋性樹脂を硬化させることを特徴とする導電パターンの作製方法、
(2)サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法において、該導電パターンが、ランド部、第一導電パターン部及び第二導電パターン部から少なくとも構成されており、(a′)孔を有し、表面及び孔内部に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、(b′)ランド部及び第一導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層を硬化させる工程、(c)アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、(d)少なくとも第二導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層を硬化させる工程、(e)現像工程、(f)エッチング工程をこの順に含む導電パターンの作製方法において、工程(b′)で形成された光架橋性樹脂層の硬化部の一部を、工程(d)でアライメントマークとして用いて光架橋性樹脂を硬化させることを特徴とする導電パターンの作製方法、
を見出した。
As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have
(1) In a method for producing a conductive pattern by a subtractive method, the conductive pattern includes at least a first conductive pattern portion and a second conductive pattern portion, and (a) a substrate on which a conductive layer is provided A step of forming a photocrosslinkable resin layer thereon, (b) a step of curing the photocrosslinkable resin layer corresponding to the first conductive pattern portion, and (c) thinning treatment of the photocrosslinkable resin layer with an alkaline aqueous solution. (D) a step of curing at least a portion of the photocrosslinkable resin layer corresponding to the second conductive pattern portion, (e) a development step, and (f) a method for producing a conductive pattern including an etching step in this order. A part of the cured portion of the photocrosslinkable resin layer formed in the step (b) is used as an alignment mark in the step (d) to cure the photocrosslinkable resin. A method for manufacturing the over emissions,
(2) In the method for producing a conductive pattern by a subtractive method, the conductive pattern is composed of at least a land portion, a first conductive pattern portion, and a second conductive pattern portion, and has (a ′) a hole, And a step of forming a photocrosslinkable resin layer on a substrate provided with a conductive layer inside the hole, and (b ′) a step of curing the photocrosslinkable resin layer corresponding to the land portion and the first conductive pattern portion. (C) a step of thinning the photocrosslinkable resin layer with an aqueous alkali solution, (d) a step of curing at least a portion of the photocrosslinkable resin layer corresponding to the second conductive pattern portion, (e) a developing step, (F) In the conductive pattern manufacturing method including the etching steps in this order, a part of the cured portion of the photocrosslinkable resin layer formed in the step (b ′) is used as an alignment mark in the step (d). The method for manufacturing a conductive pattern characterized in that curing the photo-crosslinkable resin,
I found.

本発明では、少なくとも第一の導電パターン部と第二の導電パターン部が形成されることにより、薄膜化処理後のハンドリングにおいて、基板同士の接触、搬送工程や投入及び受け取り工程でのコンベアや吸引パットとの接触があっても、薄膜化面に擦り傷や打痕のない導電パターンの作製方法を提供することができる。   In the present invention, by forming at least the first conductive pattern portion and the second conductive pattern portion, in handling after the thinning process, the conveyor and suction in the contact, transfer process, loading and receiving processes between the substrates. Even if there is contact with the pad, it is possible to provide a method for producing a conductive pattern in which the thinned surface has no scratches or dents.

すなわち、本発明のレジストパターンの作製方法(1)においては、第一導電パターン部に相当する光架橋性樹脂層を硬化させた後、未硬化の光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う。これにより、第一導電パターン部は、厚い硬化膜となり、未硬化の薄膜化部と段差が形成される。この段差の形成によって、例えば、両面露光を行ったり、基板同士を重ね置いたり、コンベア搬送や吸引搬送を行ったとしても、薄膜化部に直接接触することはほとんどなく、擦り傷や打痕の発生を防止することができる。   That is, in the method (1) for producing a resist pattern of the present invention, after the photocrosslinkable resin layer corresponding to the first conductive pattern portion is cured, the uncured photocrosslinkable resin layer is thinned. Thereby, a 1st conductive pattern part turns into a thick cured film, and a level | step difference is formed with an uncured thinned part. Due to the formation of this step, for example, even when double-sided exposure is performed, substrates are placed on top of each other, conveyor conveyance or suction conveyance is performed, there is almost no direct contact with the thinned portion, and scratches and dents are generated. Can be prevented.

本発明のレジストパターンの作製方法(2)においては、ランド部及び第一導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層を硬化させた後、未硬化の光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う。あらかじめランド部を硬化させることにより、孔上及びその周囲部にはテンティング強度を有する厚いエッチングレジスト層を形成することができ、エッチング工程でテンティング膜が破れ難くなり、孔内導電層がエッチングされ難くなる。さらに、第一導電パターン部もランド部と同様に厚い硬化膜となり、未硬化の薄膜化部と段差を形成することで、薄膜化部への直接の接触による擦り傷や打痕を防止することができる。   In the method (2) for producing a resist pattern according to the present invention, after curing the photocrosslinkable resin layer corresponding to the land portion and the first conductive pattern portion, the uncured photocrosslinkable resin layer is thinned. I do. By curing the land portion in advance, a thick etching resist layer having tenting strength can be formed on and around the hole, and the tenting film is hardly broken in the etching process, and the conductive layer in the hole is etched. It becomes difficult to be done. Furthermore, the first conductive pattern part is also a thick cured film like the land part, and by forming a step with the uncured thinned part, it is possible to prevent scratches and dents due to direct contact with the thinned part. it can.

また、本発明では、第一導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層を硬化させ、未硬化部を薄膜化処理した後、第二導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層を硬化させる工程において、第一導電パターンに相当する部分の光架橋性樹脂層の硬化部の一部をアライメントマークとして用いることにより、第一導電パターンと第二導電パターンの位置ずれを防止する方法を提供することができる。   In the present invention, the photocrosslinkable resin layer corresponding to the first conductive pattern portion is cured and the uncured portion is thinned, and then the photocrosslinkable resin layer corresponding to the second conductive pattern portion. In the step of curing the first conductive pattern and the second conductive pattern by using a part of the cured portion of the photocrosslinkable resin layer corresponding to the first conductive pattern as an alignment mark Can be provided.

すなわち、本発明の導電パターンの作製方法(1)においては、工程(b)で第一導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層を硬化させ、工程(c)で未硬化の光架橋性樹脂層を薄膜化処理した後、工程(b)で硬化された光架橋性樹脂層の一部を、工程(d)においてアライメントマークとして用いる。これにより、工程(d)においてアライメントマークの位置情報が正確に読み取られ、第一導電パターンと第二導電パターンの位置ずれを防止することができる。   That is, in the conductive pattern manufacturing method (1) of the present invention, the photocrosslinkable resin layer corresponding to the first conductive pattern portion is cured in the step (b), and the uncured photocrosslinkable in the step (c). After thinning the functional resin layer, a part of the photocrosslinkable resin layer cured in the step (b) is used as an alignment mark in the step (d). Thereby, the position information of the alignment mark is accurately read in the step (d), and the positional deviation between the first conductive pattern and the second conductive pattern can be prevented.

本発明の導電パターンの作製方法(2)においては、工程(b′)でランド部及び第一導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層を硬化させ、工程(c)で未硬化の光架橋性樹脂層を薄膜化処理した後、工程(b′)で硬化された光架橋性樹脂層の一部を、工程(d)においてアライメントマークとして用いる。これにより、工程(d)におけるアライメントマークの位置情報が正確に読み取られ、第一導電パターンと第二導電パターンの位置ずれを防止することができる。   In the conductive pattern production method (2) of the present invention, the photocrosslinkable resin layer corresponding to the land portion and the first conductive pattern portion is cured in step (b ′), and uncured in step (c). After thinning the photocrosslinkable resin layer, a part of the photocrosslinkable resin layer cured in the step (b ′) is used as an alignment mark in the step (d). Thereby, the position information of the alignment mark in the step (d) is accurately read, and the positional deviation between the first conductive pattern and the second conductive pattern can be prevented.

本発明の導電パターンの作製方法(1)の一例を示す断面工程図である。It is sectional process drawing which shows an example of the production method (1) of the conductive pattern of this invention. 本発明の導電パターンの作製方法(2)の一例を示す断面工程図である。It is sectional process drawing which shows an example of the production method (2) of the conductive pattern of this invention. 第一導電パターン部及び第二導電パターン部を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows a 1st conductive pattern part and a 2nd conductive pattern part. 第一導電パターン部及び第二導電パターン部を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows a 1st conductive pattern part and a 2nd conductive pattern part. 実施例及び比較例で形成したアライメントマークとして使用する貫通孔及び実施例及び比較例で使用したパターンデータの円状パターン部を示す概略俯瞰図である。It is a schematic overhead view which shows the through-hole used as an alignment mark formed in the Example and the comparative example, and the circular pattern part of the pattern data used in the Example and the comparative example.

以下、本発明の導電パターンの作製方法について詳細に説明する。   Hereinafter, the method for producing a conductive pattern of the present invention will be described in detail.

図1は、本発明の導電パターンの作製方法(1)の一例を示す断面工程図である。基板2としては、表面に導電層3を設けた絶縁性基板4を使用している。工程(a)では、基板2の導電層3上に光架橋性樹脂層1を形成する。工程(b)では、第一導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層1を硬化させ、第一導電パターン部5を形成する。工程(c)では、アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層1の薄膜化処理を行い、薄膜化部7を形成する。工程(d)では、第一導電パターン部の一部をアライメントマークとして用いて、少なくとも第二導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層1を硬化させ、薄膜の第二導電パターン部6を形成する。工程(e)では、光架橋性樹脂層の薄膜化部7を現像により除去する。工程(f)では、光架橋性樹脂の第一導電パターン部5及び第二導電パターン部6で覆われていない導電層3をエッチングし、導電パターンを得る。   FIG. 1 is a cross-sectional process diagram illustrating an example of a method (1) for producing a conductive pattern of the present invention. As the substrate 2, an insulating substrate 4 having a conductive layer 3 on the surface is used. In the step (a), the photocrosslinkable resin layer 1 is formed on the conductive layer 3 of the substrate 2. In the step (b), the photocrosslinkable resin layer 1 corresponding to the first conductive pattern portion is cured to form the first conductive pattern portion 5. In step (c), the photocrosslinkable resin layer 1 is thinned with an aqueous alkali solution to form the thinned portion 7. In the step (d), a part of the first conductive pattern portion is used as an alignment mark, and at least a portion of the photocrosslinkable resin layer 1 corresponding to the second conductive pattern portion is cured to form a thin film of the second conductive pattern portion 6. Form. In the step (e), the thinned portion 7 of the photocrosslinkable resin layer is removed by development. In the step (f), the conductive layer 3 not covered with the first conductive pattern portion 5 and the second conductive pattern portion 6 of the photocrosslinkable resin is etched to obtain a conductive pattern.

図2は、本発明の導電パターンの作製方法(2)の一例を示す断面工程図である。基板2としては、孔9を有し、表面及び孔内部に導電層3が設けられている絶縁性基板4を使用している。工程(a′)では、孔9を塞ぐような状態で、基板2の表面の導電層3上に光架橋性樹脂層1を形成する。工程(b′)では、ランド部及び第一導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層1を硬化させ、ランド部8及び第一導電パターン部5を形成する。工程(c)では、アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層1の薄膜化処理を行い、薄膜化部7を形成する。工程(d)では、第一導電パターン部の一部をアライメントマークとして用いて、少なくとも第二導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層1を硬化させ、薄膜の第二導電パターン部6を形成する。工程(e)では、光架橋性樹脂層の薄膜化部7を現像により除去する。工程(f)では、光架橋性樹脂の第一導電パターン部5及び第二導電パターン部6で覆われていない導電層3をエッチングし、導電パターンを得る。   FIG. 2 is a cross-sectional process diagram illustrating an example of a conductive pattern manufacturing method (2) according to the present invention. As the substrate 2, an insulating substrate 4 having a hole 9 and having a conductive layer 3 provided on the surface and inside the hole is used. In the step (a ′), the photocrosslinkable resin layer 1 is formed on the conductive layer 3 on the surface of the substrate 2 so as to close the hole 9. In the step (b ′), the photocrosslinkable resin layer 1 corresponding to the land portion and the first conductive pattern portion is cured to form the land portion 8 and the first conductive pattern portion 5. In step (c), the photocrosslinkable resin layer 1 is thinned with an aqueous alkali solution to form the thinned portion 7. In the step (d), a part of the first conductive pattern portion is used as an alignment mark, and at least a portion of the photocrosslinkable resin layer 1 corresponding to the second conductive pattern portion is cured to form a thin film of the second conductive pattern portion 6. Form. In the step (e), the thinned portion 7 of the photocrosslinkable resin layer is removed by development. In the step (f), the conductive layer 3 not covered with the first conductive pattern portion 5 and the second conductive pattern portion 6 of the photocrosslinkable resin is etched to obtain a conductive pattern.

<工程(a)及び(a′)>
工程(a)では、表面に導電層が設けられている基板の少なくとも片面に光架橋性樹脂層を形成する。工程(a′)では、孔を有し表面及び孔内部に導電層が設けられている基板の少なくとも片面に光架橋性樹脂層を形成する。光架橋性樹脂層の形成には、例えば、加熱したゴムロールを加圧して押し当てる熱圧着方式のラミネータ装置を用いることができる。温度は、40℃から150℃、より好ましくは、60℃から120℃である。圧力は、熱ロールでのラミネートの場合には、線圧力で、1N/cmから100N/cmの範囲、より好ましくは5N/cmから50N/cmの範囲である。基板には、アルカリ脱脂、酸洗等の前処理を施してもよい。
<Steps (a) and (a ′)>
In the step (a), a photocrosslinkable resin layer is formed on at least one surface of a substrate having a conductive layer on the surface. In the step (a ′), a photocrosslinkable resin layer is formed on at least one surface of a substrate having a hole and a surface and a conductive layer provided inside the hole. For the formation of the photocrosslinkable resin layer, for example, a thermocompression laminator device that presses and presses a heated rubber roll can be used. The temperature is 40 ° C to 150 ° C, more preferably 60 ° C to 120 ° C. In the case of laminating with a hot roll, the pressure is linear pressure and is in the range of 1 N / cm to 100 N / cm, more preferably in the range of 5 N / cm to 50 N / cm. The substrate may be subjected to pretreatment such as alkali degreasing and pickling.

表面に導電層を設けた基板としては、プリント配線板またはリードフレーム用基板が挙げられる。プリント配線板としては、例えば、フレキシブル基板、リジッド基板が挙げられる。フレキシブル基板の絶縁性基板の厚さは5〜125μmで、その両面もしくは片面に1〜35μmの金属箔層が導電層として設けられており、可撓性が大きい。絶縁性基板の材料には、通常、ポリイミド、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタレート、液晶ポリマー等が用いられる。絶縁性基板上に金属箔層を有する材料は、接着剤で貼り合わせる接着法、金属箔上に絶縁性基板材料である樹脂の液を塗布するキャスト法、スパッタリングや蒸着法で絶縁性基板である樹脂フィルム上に形成した厚さ数nmの薄い導電層(シード層)の上に電解メッキで金属箔層を形成するスパッタ/メッキ法、熱プレスで貼り付けるラミネート法等のいかなる方法で製造したものを用いてもよい。金属箔層の金属としては、銅、アルミニウム、銀、ニッケル、クロム、あるいはそれらの合金等のいかなる金属を用いることができるが、銅が一般的である。   Examples of the substrate having a conductive layer on the surface include a printed wiring board and a lead frame substrate. Examples of the printed wiring board include a flexible substrate and a rigid substrate. The thickness of the insulating substrate of the flexible substrate is 5 to 125 μm, and a metal foil layer of 1 to 35 μm is provided as a conductive layer on both sides or one side, and the flexibility is high. As the material for the insulating substrate, polyimide, polyamide, polyphenylene sulfide, polyethylene terephthalate, liquid crystal polymer, or the like is usually used. The material having the metal foil layer on the insulating substrate is an insulating substrate by an adhesive method of bonding with an adhesive, a casting method of applying a resin liquid which is an insulating substrate material on the metal foil, a sputtering method or a vapor deposition method. Produced by any method such as sputtering / plating method, which forms a metal foil layer by electrolytic plating on a thin conductive layer (seed layer) with a thickness of several nanometers formed on a resin film, or laminating method, which is attached by hot press. May be used. As the metal of the metal foil layer, any metal such as copper, aluminum, silver, nickel, chromium, or an alloy thereof can be used, but copper is generally used.

リジッド基板としては、エポキシ樹脂またはフェノール樹脂等を浸漬させた紙基材またはガラス基材を重ねて絶縁性基板とし、その片面もしくは両面に金属箔を導電層として載置し、加熱及び加圧により積層して、金属箔層が設けられたものが挙げられる。また、内層配線パターン加工後、プリプレグ、金属箔等を積層して作製する多層用のシールド板、貫通孔や非貫通孔を有する多層板も挙げられる。厚みは60μm〜3.2mmであり、プリント基板としての最終使用形態により、その材質と厚みが選定される。金属箔層の材料としては、銅、アルミニウム、銀、金等が挙げられるが、銅が最も一般的である。これらプリント基板の例は、「プリント回路技術便覧」((社)日本プリント回路工業会編、1987年刊行、(株)日刊工業新聞社刊)や「多層プリント回路ハンドブック」(J.A.スカーレット編、1992年刊行、(株)近代化学社刊)に記載されている。リードフレーム用基板としては、鉄ニッケル合金、銅系合金等の基板が挙げられる。   As a rigid substrate, a paper substrate or glass substrate soaked with epoxy resin or phenol resin is laminated to form an insulating substrate, and a metal foil is placed on one or both sides as a conductive layer, and heated and pressed. A laminated layer provided with a metal foil layer can be used. Moreover, the multilayer board which has a through-hole and a non-through-hole, and the multilayer shield board produced by laminating | stacking a prepreg, metal foil, etc. after an inner layer wiring pattern process is also mentioned. The thickness is 60 μm to 3.2 mm, and the material and thickness thereof are selected according to the final use form as a printed circuit board. Examples of the material for the metal foil layer include copper, aluminum, silver, and gold. Copper is the most common. Examples of these printed circuit boards are “Printed Circuit Technology Handbook” (edited by Japan Printed Circuit Industry Association, published in 1987, published by Nikkan Kogyo Shimbun Co., Ltd.) and “Multilayer Printed Circuit Handbook” (JA Scarlet). Ed., Published in 1992, published by Modern Chemical Co., Ltd.). Examples of the lead frame substrate include iron nickel alloy and copper alloy substrates.

孔を有し、表面及び孔内部に導電層が設けられている基板は、例えば、絶縁性基板表面に金属箔層を有する基板に対して、ドリルやレーザーによって孔を形成し、次に、無電解めっき、電解めっき等のめっき処理を施して、孔内部を含む表面にめっき金属層を形成することによって作製される。   For a substrate having a hole and a conductive layer provided on the surface and inside the hole, for example, a hole is formed by drilling or lasering on a substrate having a metal foil layer on the surface of the insulating substrate. It is produced by performing a plating process such as electrolytic plating or electrolytic plating to form a plated metal layer on the surface including the inside of the hole.

光架橋性樹脂層とは露光部が架橋して現像液に不溶化する樹脂層であり、回路形成用として、ネガ型のドライフィルムレジストが一般的に使用されている。市販のドライフィルムレジストは、少なくとも光架橋性樹脂層を有していて、ポリエステル等の支持層フィルム上に光架橋性樹脂層を設け、場合によってはポリエチレン等の保護フィルムで光架橋性樹脂上を挟んだ構成となっているものが多い。本発明において、光架橋性樹脂層として使用できる市販のドライフィルムレジストとしては、例えば、サンフォート(登録商標)シリーズ(旭化成イーマテリアルズ社製)、フォテック(登録商標)シリーズ(日立化成工業社製)、リストン(登録商標)シリーズ(デュポンMRCドライフィルム社製)、ALPHO(登録商標)シリーズ(ニチゴー・モートン社製)等を挙げることができる。   The photocrosslinkable resin layer is a resin layer in which an exposed portion is crosslinked and insolubilized in a developer, and a negative dry film resist is generally used for circuit formation. A commercially available dry film resist has at least a photocrosslinkable resin layer, and is provided with a photocrosslinkable resin layer on a support layer film such as polyester. In some cases, a protective film such as polyethylene covers the photocrosslinkable resin layer. Many are sandwiched. In the present invention, commercially available dry film resists that can be used as the photocrosslinkable resin layer include, for example, Sunfort (registered trademark) series (manufactured by Asahi Kasei E-materials), Photec (registered trademark) series (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.). ), Liston (registered trademark) series (manufactured by DuPont MRC Dry Film), ALPHA (registered trademark) series (manufactured by Nichigo Morton), and the like.

光架橋性樹脂層の厚みは、15〜100μmであることが好ましく、20〜50μmであることがより好ましい。この厚みが15μm未満では、ゴミを核とした気泡の混入や凹凸追従性不良によって、レジスト剥がれや断線が発生する場合があり、100μmを超えると、薄膜化で溶解除去される量が多くなって薄膜化処理時間が長くなり、生産性が悪くなる場合がある。また、連続処理において安定した品質を維持するのが難しくなる場合がある。   The thickness of the photocrosslinkable resin layer is preferably 15 to 100 μm, and more preferably 20 to 50 μm. If the thickness is less than 15 μm, resist peeling or disconnection may occur due to mixing of bubbles with dust as a nucleus or uneven followability, and if it exceeds 100 μm, the amount dissolved and removed by thinning increases. In some cases, the thinning time becomes longer and the productivity becomes worse. In addition, it may be difficult to maintain stable quality in continuous processing.

<工程(b)及び工程(b′)>
本発明の導電パターンの作製方法(1)において、工程(b)では、第一導電パターン部に相当する光架橋性樹脂層を硬化させる。基板のハンドリングにおいて、基板を重ねて積層する場合や、あるいは両面露光を行う場合に、この第一導電パターン部に相当する光架橋性樹脂層が、支柱となって薄膜化後の光架橋性樹脂層が直接接触するのを防止することができる。露光方式としては、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、UV蛍光灯を光源とした反射画像露光、フォトツールを用いた片面あるいは両面密着露光方式、プロキシミティ方式、プロジェクション方式やレーザー走査露光方式等が挙げられる。
<Process (b) and process (b ')>
In the conductive pattern manufacturing method (1) of the present invention, in the step (b), the photocrosslinkable resin layer corresponding to the first conductive pattern portion is cured. In the handling of the substrate, when the substrates are stacked on top of each other, or when double-sided exposure is performed, the photocrosslinkable resin layer corresponding to the first conductive pattern portion serves as a support and becomes a thinned photocrosslinkable resin. It is possible to prevent the layers from coming into direct contact. Exposure methods include xenon lamps, high-pressure mercury lamps, low-pressure mercury lamps, ultra-high-pressure mercury lamps, reflection image exposure using UV fluorescent lamps as light sources, single-sided or double-sided contact exposure systems using photo tools, proximity systems, projection systems, and laser scanning. Examples include an exposure method.

本発明の導電パターンの作製方法(2)において、工程(b′)では、ランド部及び第一導電パターン部の光架橋性樹脂層を硬化させる。ランド部は、テンティングが可能なように、所望のランド幅を設定して露光を行う。孔上及びその周囲部に厚膜のテント、さらに、ランド部と同様に厚膜の第一導電パターン部を形成させることで、薄膜化部への直接の接触による擦り傷や打痕を防止することができる。   In the conductive pattern production method (2) of the present invention, in the step (b ′), the photocrosslinkable resin layer of the land portion and the first conductive pattern portion is cured. The land portion is exposed by setting a desired land width so that tenting is possible. Thick film tents on the hole and its surroundings, and the first conductive pattern part of the thick film as well as the land part are formed to prevent scratches and dents due to direct contact with the thinned part. Can do.

第一導電パターン部は、その面積が広くなるほど、薄膜化樹脂層の接触リスクは小さくなる。第一導電パターン部の面積は基板全面積の30%〜99%が好ましく、さらに好ましくは50%〜99%である。第一導電パターン部と第二導電パターン部の具体例としては、図3に示したような、スペース幅の広い部分を第一導電パターン部とし、第二導電パターン部を狭小スペースの配線部とその周囲のみとするか、または、全パターンを第二導電パターン部とする例、図4に示したような、第二導電パターン部の線幅を一律縮小したパターンを第一導電パターン部とする例等が挙げられる。また、ランド部以外の第二導電パターン部の線幅を一律縮小したパターンを第一導電パターン部とする例も挙げられる。   As the area of the first conductive pattern portion increases, the contact risk of the thin resin layer decreases. The area of the first conductive pattern portion is preferably 30% to 99%, more preferably 50% to 99% of the total area of the substrate. As a specific example of the first conductive pattern portion and the second conductive pattern portion, as shown in FIG. 3, a wide space portion is used as the first conductive pattern portion, and the second conductive pattern portion is used as a narrow space wiring portion. An example in which only the periphery is used or the entire pattern is the second conductive pattern portion, and a pattern in which the line width of the second conductive pattern portion is uniformly reduced as shown in FIG. 4 is used as the first conductive pattern portion. Examples are given. Moreover, the example which makes the pattern which reduced the line | wire width of the 2nd conductive pattern part other than a land part uniformly the 1st conductive pattern part is also mentioned.

なお、工程(b)における位置合わせは、工程(a)において、アライメントマークとして使用する貫通孔を作製し、それを基準として、行うことができる。工程(b′)における位置合わせは、工程(a′)において、内部に導電層が設けられた孔とは別の貫通孔を作製し、それを基準として、行うことができる。アライメントマークとして使用する貫通孔を基板に設ける方法としては、例えば、絶縁性基板表面に金属箔層を有する基板に対して、ドリルやレーザーによって孔を形成する方法が挙げられる。アライメントマークとして使用する貫通孔は、めっき処理が施されていても、施されていなくても、どちらでも良い。   The alignment in the step (b) can be performed on the basis of a through hole used as an alignment mark in the step (a). The alignment in the step (b ′) can be performed on the basis of forming a through hole different from the hole in which the conductive layer is provided in the step (a ′). As a method of providing a through hole used as an alignment mark in a substrate, for example, a method of forming a hole by a drill or a laser on a substrate having a metal foil layer on the surface of an insulating substrate can be mentioned. The through hole used as the alignment mark may be either plated or unplated.

工程(b)及び(b′)において、アライメントマークとして基板に形成された貫通孔を用いることによって、第一導電パターンにおける表面と裏面の位置ずれや積層基板の層間の位置ずれを防止することができる。そして、第二導電パターンに相当する部分の光架橋性樹脂層の硬化時にアライメントマークとして、第一導電パターンに相当する部分の光架橋性樹脂層の硬化部の一部を用いることによって、第一導電パターンと第二導電パターンの両方で、表面と裏面の位置ずれや積層基板の層間位置ずれを防止することができる。   In the steps (b) and (b ′), by using a through hole formed in the substrate as an alignment mark, it is possible to prevent the positional deviation between the front surface and the back surface in the first conductive pattern and the positional deviation between the layers of the multilayer substrate. it can. Then, by using a part of the cured portion of the photocrosslinkable resin layer corresponding to the first conductive pattern as the alignment mark when the portion of the photocrosslinkable resin layer corresponding to the second conductive pattern is cured, the first With both the conductive pattern and the second conductive pattern, it is possible to prevent positional deviation between the front surface and the rear surface and interlayer positional deviation of the multilayer substrate.

<工程(c)>
工程(c)では、アルカリ水溶液によって未硬化の光架橋性樹脂層を薄膜化処理し、薄膜化部を形成させる。光架橋性樹脂層上に支持層フィルムが設けられている場合には、剥がしてから薄膜化処理を実施する。薄膜化処理とは、光架橋性樹脂層の厚みを略均一に薄くする処理のことであり、詳しくは、薄膜化処理を施す前の厚みの0.05〜0.9倍の厚みまで薄くすることをいう。
<Step (c)>
In the step (c), the uncured photocrosslinkable resin layer is thinned with an aqueous alkali solution to form a thinned portion. When the support layer film is provided on the photocrosslinkable resin layer, the thinning treatment is performed after the film is peeled off. The thinning treatment is a treatment for reducing the thickness of the photocrosslinkable resin layer substantially uniformly. Specifically, the thickness is reduced to 0.05 to 0.9 times the thickness before the thinning treatment. That means.

本発明に係わるアルカリ水溶液としては、リチウム、ナトリウムまたはカリウムの炭酸塩または重炭酸塩等のアルカリ金属炭酸塩、カリウム、ナトリウムのリン酸塩等のアルカリ金属リン酸塩、リチウム、ナトリウムまたはカリウムの水酸化物等のアルカリ金属水酸化物、カリウム、ナトリウムのケイ酸塩等のアルカリ金属ケイ酸塩、カリウム、ナトリウムの亜硫酸塩等のアルカリ金属亜硫酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物、エタノールアミン類、エチルアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル−2−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド(コリン)、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン等の有機アルカリ性化合物等のうち少なくともいずれか1種を含む。このうち、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか1種を含むことが好ましい。さらに、光架橋性樹脂層の溶解能力、処理液のpHを維持する緩衝能力、装置のメンテナンス性等の点から、アルカリ金属炭酸塩が特に好ましい。   Examples of the alkaline aqueous solution according to the present invention include alkali metal carbonates such as lithium, sodium or potassium carbonate or bicarbonate, alkali metal phosphates such as potassium and sodium phosphate, lithium, sodium or potassium water. Inorganic alkaline compounds selected from alkali metal hydroxides such as oxides, alkali metal silicates such as potassium and sodium silicates, alkali metal sulfites such as potassium and sodium sulfites, ethanolamines, ethylamines Organic alkaline compounds such as tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide, trimethyl-2-hydroxyethylammonium hydroxide (choline), ethylenediamine, diethylenetriamine, triethylenetetramine Containing at least one kind of. Among these, it is preferable to include at least one of inorganic alkali compounds selected from alkali metal carbonates, alkali metal phosphates, alkali metal hydroxides, and alkali metal silicates. Furthermore, alkali metal carbonates are particularly preferred from the viewpoints of the ability to dissolve the photocrosslinkable resin layer, the buffering ability to maintain the pH of the treatment liquid, the maintainability of the apparatus, and the like.

アルカリ性化合物の含有量は5〜20質量%が好ましい。5質量%未満では、ミセルが不溶化し難く溶解除去途中で可溶化されたミセルが溶解拡散して、薄膜化処理で面内ムラが発生する。また、20質量%を超えると、アルカリ性化合物の析出や分離が起こりやすく、液の経時安定性、作業性に劣る。溶液のpHは9〜12の範囲とすることが好ましい。また、界面活性剤、消泡剤、溶剤等を適宜少量添加することもできる。   The content of the alkaline compound is preferably 5 to 20% by mass. If it is less than 5% by mass, the micelles are hardly insolubilized, so that the micelles solubilized in the middle of dissolution and removal are dissolved and diffused, and in-plane unevenness occurs in the thinning process. Moreover, when it exceeds 20 mass%, precipitation and isolation | separation of an alkaline compound will occur easily and it is inferior to the temporal stability of a liquid, and workability | operativity. The pH of the solution is preferably in the range of 9-12. In addition, a small amount of a surfactant, an antifoaming agent, a solvent and the like can be added as appropriate.

光架橋性樹脂層の薄膜化処理である工程(c)は、少なくとも2つの工程に分離して処理されることが好ましい。まず、高濃度のアルカリ水溶液を過剰に供給することにより、溶解途中でミセル化された光架橋性樹脂層成分を一旦不溶化し、処理液中への溶解拡散を抑制する。次いで、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか1種を含むpH5〜10、より好ましくはpH6〜8の水溶液または水を供給し、不溶化された光架橋性樹脂層成分を再分散させて溶解除去する。水溶液のpHが5未満では、再分散により溶け込んだ光架橋性樹脂成分が凝集し、不溶性のスラッジとなって薄膜化した光架橋性樹脂層表面に付着する。一方、水溶液のpHが10を超えると、光架橋性樹脂層の溶解拡散が促進され、面内で膜厚ムラが発生するため好ましくない。水溶液のpHは、硫酸、リン酸、塩酸等を用いて適宜調整される。また、水溶液の供給流量は多い方が好ましく、供給流量が不足すると、不溶化された光架橋性樹脂層成分の再分散性が悪くなり、溶解不良が起こりやすくなる。その結果、薄膜化後の光架橋性樹脂層表面に不溶解成分の析出が見られ、タック性が問題になる場合がある。   The step (c), which is a thinning treatment of the photocrosslinkable resin layer, is preferably processed separately in at least two steps. First, by supplying an excessively high concentration aqueous alkali solution, the photocrosslinkable resin layer component that has been micellized in the middle of dissolution is once insolubilized to suppress dissolution and diffusion into the treatment liquid. Next, an aqueous solution or water having a pH of 5 to 10, more preferably a pH of 6 to 8, containing at least any one of inorganic alkali compounds selected from alkali metal carbonates, alkali metal phosphates, and alkali metal silicates is supplied. Then, the insolubilized photocrosslinkable resin layer component is redispersed and dissolved and removed. When the pH of the aqueous solution is less than 5, the photocrosslinkable resin component dissolved by redispersion aggregates and becomes insoluble sludge and adheres to the thinned photocrosslinkable resin layer surface. On the other hand, if the pH of the aqueous solution exceeds 10, dissolution and diffusion of the photocrosslinkable resin layer is promoted, and film thickness unevenness occurs in the surface, which is not preferable. The pH of the aqueous solution is appropriately adjusted using sulfuric acid, phosphoric acid, hydrochloric acid or the like. Further, it is preferable that the supply flow rate of the aqueous solution is large. If the supply flow rate is insufficient, the redispersibility of the insolubilized photocrosslinkable resin layer component is deteriorated, and poor dissolution tends to occur. As a result, precipitation of insoluble components is observed on the surface of the photocrosslinkable resin layer after thinning, and tackiness may become a problem.

薄膜化処理の方法として、ディップ方式、パドル方式、スプレー方式、ブラッシング、スクレーピング等があり、スプレー方式が光架橋性樹脂層の溶解速度の点からは最も適している。スプレー方式の場合、処理条件(温度、時間、スプレー圧)は、使用する光架橋性樹脂層の溶解速度に合わせて適宜調整される。具体的には、処理温度は10〜50℃が好ましく、より好ましくは15〜40℃、さらに好ましくは15〜35℃である。また、スプレー圧は0.01〜0.5MPaとするのが好ましく、さらに好ましくは0.02〜0.3MPaである。   There are dipping method, paddle method, spray method, brushing, scraping and the like as the thinning treatment method, and the spray method is most suitable from the viewpoint of the dissolution rate of the photocrosslinkable resin layer. In the case of the spray method, the treatment conditions (temperature, time, spray pressure) are appropriately adjusted according to the dissolution rate of the photocrosslinkable resin layer to be used. Specifically, the treatment temperature is preferably 10 to 50 ° C, more preferably 15 to 40 ° C, and further preferably 15 to 35 ° C. The spray pressure is preferably 0.01 to 0.5 MPa, and more preferably 0.02 to 0.3 MPa.

<工程(d)>
工程(d)では、工程(b)及び工程(b′)で硬化させた第一導電パターンに相当する部分の光架橋性樹脂層の一部をアライメントマークとして用い、少なくとも第二導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層を硬化させる。アライメントマークとして用いられる光架橋性樹脂層の形状としては、二値化可能な点対称図形が適しており、例として真円、正方形等が挙げられる。
<Step (d)>
In the step (d), a part of the photocrosslinkable resin layer corresponding to the first conductive pattern cured in the steps (b) and (b ′) is used as an alignment mark, and at least in the second conductive pattern portion. The corresponding part of the photocrosslinkable resin layer is cured. As the shape of the photocrosslinkable resin layer used as the alignment mark, a binarizable point-symmetric figure is suitable, and examples thereof include a perfect circle and a square.

本発明の導電パターンの作製方法においては、ランド部及び第一導電パターン部と薄膜化された光架橋性樹脂層との間に段差ができるため、第二導電パターンの露光において密着露光方式を用いると、回折光による影響が大きく、解像度の低下が起こる場合がある。さらに、露光工程が2回あるため、フォトツールを必要とする露光方式ではコスト的に不利になる。そこで、非接触方式のダイレクトイメージング露光を行えば、ランド部と薄膜化樹脂層の段差で起こる回折光による解像度の低下は発生せず、さらに、フォトツールも必要としないため、最も好適な露光方式であるといえる。   In the method for producing a conductive pattern of the present invention, a step is formed between the land portion and the first conductive pattern portion and the thinned photocrosslinkable resin layer, and therefore, the contact exposure method is used in the exposure of the second conductive pattern. In this case, the influence of the diffracted light is large, and the resolution may be lowered. Furthermore, since there are two exposure steps, the exposure method that requires a photo tool is disadvantageous in terms of cost. Therefore, if non-contact direct imaging exposure is performed, the resolution is not reduced by the diffracted light that occurs at the level difference between the land and the thin resin layer, and no photo tool is required. You can say that.

<工程(e)>
工程(e)では、未硬化の光架橋性樹脂層を現像液で除去して、エッチングレジスト層を形成する。現像方法としては、使用する光架橋性樹脂層に見合った現像液を用い、基板の上下方向から基板表面に向かってスプレーを噴射して、エッチングレジストパターンとして不要な部分を除去し、回路パターンに相当するエッチングレジスト層を形成する。一般的には、0.3〜2質量%の炭酸ナトリウム水溶液が使用される。
<Process (e)>
In the step (e), the uncured photocrosslinkable resin layer is removed with a developer to form an etching resist layer. As a development method, a developer suitable for the photocrosslinkable resin layer to be used is used, spray is sprayed from the vertical direction of the substrate toward the substrate surface, and unnecessary portions are removed as an etching resist pattern to form a circuit pattern. A corresponding etching resist layer is formed. In general, an aqueous sodium carbonate solution of 0.3 to 2% by mass is used.

<工程(f)>
工程(f)では、エッチングレジスト層で保護されない導電層をエッチングすることにより、微細な導電パターンを作製する。エッチング工程では、「プリント回路技術便覧」((社)日本プリント回路工業会編、1987年刊行、(株)日刊工業新聞社刊)記載の方法等を使用することができる。エッチング液は金属箔層を溶解除去できるもので、また、少なくともエッチングレジスト層が耐性を有しているものであればよい。一般に導電層に銅を使用する場合には、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液等を使用することができる。エッチングに続き、エッチングレジスト層を水酸化ナトリウム等のアルカリ性化合物を含有する高pHの水溶液、有機溶剤等で除去することにより、導電パターンを作製することができる。
<Step (f)>
In the step (f), a fine conductive pattern is produced by etching a conductive layer that is not protected by the etching resist layer. In the etching process, a method described in “Handbook of Printed Circuit Technology” (edited by Japan Printed Circuit Industry Association, published in 1987, published by Nikkan Kogyo Shimbun) can be used. The etching solution may be one that can dissolve and remove the metal foil layer, and at least the etching resist layer has resistance. In general, when copper is used for the conductive layer, a ferric chloride aqueous solution, a cupric chloride aqueous solution, or the like can be used. Following the etching, the conductive resist pattern can be prepared by removing the etching resist layer with a high pH aqueous solution containing an alkaline compound such as sodium hydroxide, an organic solvent, or the like.

以下、実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited to this Example.

実施例1
<工程(a)>
ガラス基材エポキシ樹脂銅張積層板(面積406mm×510mm、銅箔厚み18μm、基材厚み0.1mm、商品名:CCL−E170、三菱ガス化学社製)に、ドリルを用いて、図5に示すように、直径3mmの貫通孔Aを4穴形成した。この上に、耐熱シリコンゴムライニング表面処理されたラミネートロールを備えたドライフィルム用ラミネータを用いて、保護フィルムを剥がしながら、ロール温度100℃、エアー圧力0.3MPa、ラミネート速度1.00m/minにて、ドライフィルムレジスト(商品名:サンフォート(登録商標)AQ4059、厚み40μm、旭化成イーマテリアルズ社製)をラミネートした。
Example 1
<Process (a)>
A glass substrate epoxy resin copper-clad laminate (area 406 mm × 510 mm, copper foil thickness 18 μm, substrate thickness 0.1 mm, trade name: CCL-E170, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company) is used in FIG. As shown, four through holes A having a diameter of 3 mm were formed. On top of this, using a laminator for dry film equipped with a laminate roll having a heat-resistant silicone rubber lining surface treatment, while peeling off the protective film, the roll temperature was 100 ° C., the air pressure was 0.3 MPa, and the laminating speed was 1.00 m / min. Then, a dry film resist (trade name: Sunfort (registered trademark) AQ4059, thickness 40 μm, manufactured by Asahi Kasei E-Materials Co., Ltd.) was laminated.

<工程(b)>
工程(a)で形成した直径3mmの貫通孔Aをアライメントマークとして、ライン/スペース=120/30μm、110/40μm、100/50μm、90/60μmのパターンが混在する回路パターン部と非回路パターン部(例えば、ガイド部、ベタ部、図5で示した円状パターン部B及びC等)を有するパターンデータ(非回路パターン部の面積率は基板全面積の10%)を用い、直接描画装置(商品名:LI−8500、大日本スクリーン製造社製)で第一導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層の露光を行った。第一導電パターン部は、非回路パターン部及びライン/スペース=110/40μm、100/50μm、90/60μmの回路パターン部とした。第一導電パターン部の基板全面積に対する割合は80%だった。なお、円状パターン部Bの直径は1.5mmであり、円状パターン部Cの直径は50μmであり、どちらも各4個である。なお、露光時にアライメントマークとして用いた貫通孔上の光架橋性樹脂層のテント破れは起きていなかった。
<Step (b)>
A circuit pattern portion and a non-circuit pattern portion in which patterns of line / space = 120/30 μm, 110/40 μm, 100/50 μm, and 90/60 μm are mixed using the through hole A having a diameter of 3 mm formed in the step (a) as an alignment mark Using pattern data (for example, the guide portion, the solid portion, the circular pattern portions B and C shown in FIG. 5, etc.) (the area ratio of the non-circuit pattern portion is 10% of the total area of the substrate) The photocrosslinkable resin layer corresponding to the first conductive pattern portion was exposed under the trade name: LI-8500 (manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.). The first conductive pattern portion was a non-circuit pattern portion and a circuit pattern portion of line / space = 110/40 μm, 100/50 μm, 90/60 μm. The ratio of the first conductive pattern portion to the total area of the substrate was 80%. In addition, the diameter of the circular pattern part B is 1.5 mm, and the diameter of the circular pattern part C is 50 μm, each of which is four pieces. In addition, the tent tearing of the photocrosslinkable resin layer on the through hole used as the alignment mark at the time of exposure did not occur.

<工程(c)>
ドライフィルムレジストの支持層フィルムを剥離した後、10質量%の炭酸ナトリウム水溶液を用いて、光架橋性樹脂層の厚みが平均15μmになるように薄膜化処理を行い(液温度25℃、スプレー圧0.05MPa)、十分な水洗、冷風乾燥を経て、薄膜化された光架橋性樹脂層を得た。
<Step (c)>
After the support film of the dry film resist was peeled off, a thinning treatment was performed using a 10% by mass sodium carbonate aqueous solution so that the photocrosslinkable resin layer had an average thickness of 15 μm (liquid temperature 25 ° C., spray pressure 0.05 MPa), sufficient water washing, and cold air drying, to obtain a thinned photocrosslinkable resin layer.

<工程(d)>
上記パターンデータ全体を第二導電パターン部として、直接描画装置(商品名:LI−8500、大日本スクリーン製造社製)において、薄膜化後の光架橋性樹脂層の両面露光を行った。工程(b)で硬化させた直径1.5mmの円状パターン部B計4個をアライメントマークとして露光を行った。
<Step (d)>
Using the entire pattern data as the second conductive pattern portion, double-sided exposure of the photocrosslinkable resin layer after thinning was performed in a direct drawing apparatus (trade name: LI-8500, manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.). Exposure was performed using a total of four circular pattern portions B having a diameter of 1.5 mm cured in step (b) as alignment marks.

<工程(e)>
1質量%の炭酸ナトリウム水溶液(液温度30℃、スプレー圧0.15MPa)を用いて現像処理を行い、エッチングレジスト層を形成した。得られたエッチングレジスト層を光学顕微鏡で観察したところ、厚膜部及び薄膜化部いずれにおいても、線細りや断線あるいは線太りやショート等の欠陥は見られなかった。また、レーザー顕微鏡(商品名:VK−8510、キーエンス社製)で観察したところ、直径50μmの円状パターン部C計4個について、第一導電パターン部と第二導電パターン部の中心間距離の平均は8μmであった。
<Process (e)>
Development processing was performed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (solution temperature 30 ° C., spray pressure 0.15 MPa) to form an etching resist layer. When the obtained etching resist layer was observed with an optical microscope, no defects such as line thinning, disconnection, line thickening, and short-circuiting were observed in any of the thick film part and the thinned part. Further, when observed with a laser microscope (trade name: VK-8510, manufactured by Keyence Corporation), the distance between the centers of the first conductive pattern portion and the second conductive pattern portion was measured for a total of four circular pattern portions C having a diameter of 50 μm. The average was 8 μm.

<工程(f)>
エッチングレジスト層を形成した基板を塩化第二鉄溶液(液温度45℃、スプレー圧0.20MPa)で処理し、エッチングレジスト層で保護されない銅箔を除去することでエッチングを行った。続いて、液温度40℃、3質量%の水酸化ナトリウム溶液で残存するエッチングレジスト層を除去し、導電パターンを得た。得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察したところ、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。
<Step (f)>
Etching was performed by treating the substrate on which the etching resist layer was formed with a ferric chloride solution (liquid temperature: 45 ° C., spray pressure: 0.20 MPa) and removing the copper foil that was not protected by the etching resist layer. Subsequently, the remaining etching resist layer was removed with a 3% by mass sodium hydroxide solution at a liquid temperature of 40 ° C. to obtain a conductive pattern. When the obtained conductive pattern was observed with an optical microscope, no disconnection or short defect, which was a practical problem, was found.

実施例2〜4
第一導電パターン部の露光領域について、下記のように変更した以外は、実施例1と同じ方法で導電パターンの作製を行った。それぞれの第一導電パターン部の基板全面積に対する割合は、60%、35%、10%である。工程(e)で得られたエッチングレジスト層の直径50μmの円状パターン部C計4個について、第一導電パターン部と第二導電パターン部の中心間距離の平均はそれぞれ7μm、8μm、8μmであった。また、工程(f)で得られた導電パターンには、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。
Examples 2-4
About the exposure area | region of the 1st conductive pattern part, except having changed as follows, preparation of the conductive pattern was performed by the same method as Example 1. FIG. The ratio of each first conductive pattern portion to the total area of the substrate is 60%, 35%, and 10%. For the four circular pattern portions C having a diameter of 50 μm of the etching resist layer obtained in the step (e), the average distance between the centers of the first conductive pattern portion and the second conductive pattern portion is 7 μm, 8 μm, and 8 μm, respectively. there were. In addition, in the conductive pattern obtained in the step (f), no disconnection or short-circuit defect that was a practical problem was found.

(第一導電パターン部)
実施例2:非回路パターン部及びライン/スペース=100/50μm、90/60μmの回路パターン部
実施例3:非回路パターン部及びライン/スペース=90/60μmの回路パターン部
実施例4:非回路パターン部
(First conductive pattern part)
Example 2: Non-circuit pattern part and line / space = 100/50 μm, 90/60 μm circuit pattern part Example 3: Non-circuit pattern part and line / space = 90/60 μm circuit pattern part Example 4: Non-circuit Pattern part

実施例5
<工程(a′)>
ガラス基材エポキシ樹脂銅張積層板(面積406mm×510mm、銅箔厚み18μm、基材厚み0.1mm、商品名:CCL−E170、三菱ガス化学社製)に、ドリルを用いて直径5mmの貫通孔を100穴、図5に示すように、直径3mmの貫通孔Aを4穴形成した後、直径5mmの貫通孔内部と銅箔上に15μm厚のめっき銅層を形成した孔あり銅張積層板を作製した。その孔あり銅張積層板上に耐熱シリコンゴムライニング表面処理されたラミネートロールを備えたドライフィルム用ラミネータを用いて、保護フィルムを剥がしながら、ロール温度100℃、エアー圧力0.3MPa、ラミネート速度1.00m/minにて、ドライフィルムレジスト(商品名:サンフォート(登録商標)AQ4059、厚み40μm、旭化成イーマテリアルズ社製)をラミネートした。
Example 5
<Step (a ′)>
Glass substrate epoxy resin copper clad laminate (area 406 mm x 510 mm, copper foil thickness 18 μm, substrate thickness 0.1 mm, trade name: CCL-E170, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company) 5 mm in diameter using a drill As shown in FIG. 5, after forming 4 through-holes A with a diameter of 3 mm, a copper-clad laminate with holes in which a plated copper layer with a thickness of 15 μm is formed on the inside of the through-hole with a diameter of 5 mm and on the copper foil A plate was made. Using a laminator for dry film provided with a laminate roll having a heat-resistant silicon rubber lining surface-treated on the perforated copper-clad laminate, the roll temperature is 100 ° C., the air pressure is 0.3 MPa, and the laminating speed is 1 while peeling off the protective film. A dry film resist (trade name: Sunfort (registered trademark) AQ4059, thickness 40 μm, manufactured by Asahi Kasei E-Materials) was laminated at 0.000 m / min.

<工程(b′)>
工程(a′)で形成した直径3mmの貫通孔Aをアライメントマークとして、ランドパターン(ランドパターンの面積率は基板全面積の10%)とライン/スペース=120/30μm、110/40μm、100/50μm、90/60μmのパターンが混在する回路パターン部と、非回路パターン部(例えば、ガイド部、ベタ部、図5で示した円状パターン部B及びC等)を有するパターンデータ(非回路パターン部の面積率は基板全面積の10%)を用い、直接描画装置(商品名:LI−8500、大日本スクリーン製造社製)で第一導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層の露光を行った。第一導電パターン部は、非回路パターン部、ランドパターン及びライン/スペース=110/40μm、100/50μm、90/60μmの回路パターン部とした。第一導電パターン部の基板全面積に対する割合は80%だった。なお、円状パターン部Bの直径は1.5mmであり、円状パターン部Cの直径は50μmであり、どちらも各4個である。なお、アライメントマークとして用いた貫通孔上の光架橋性樹脂層のテント破れは起きていなかった。
<Process (b ')>
Using the through hole A having a diameter of 3 mm formed in the step (a ′) as an alignment mark, a land pattern (the area ratio of the land pattern is 10% of the total area of the substrate) and line / space = 120/30 μm, 110/40 μm, 100 / Pattern data (non-circuit pattern) having a circuit pattern portion in which 50 μm and 90/60 μm patterns are mixed, and a non-circuit pattern portion (for example, a guide portion, a solid portion, and the circular pattern portions B and C shown in FIG. 5) The area ratio of the portion is 10% of the total area of the substrate), and the portion of the photocrosslinkable resin layer corresponding to the first conductive pattern portion of the direct drawing apparatus (trade name: LI-8500, manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.) is used. Exposure was performed. The first conductive pattern portion was a non-circuit pattern portion, land pattern and line / space = 110/40 μm, 100/50 μm, 90/60 μm circuit pattern portion. The ratio of the first conductive pattern portion to the total area of the substrate was 80%. In addition, the diameter of the circular pattern part B is 1.5 mm, and the diameter of the circular pattern part C is 50 μm, each of which is four pieces. In addition, the tent tearing of the photocrosslinkable resin layer on the through hole used as the alignment mark did not occur.

<工程(c)>
支持層フィルムを剥離した後、10質量%の炭酸ナトリウム水溶液を用いて、光架橋性樹脂層の厚みが平均15μmになるように薄膜化処理を行い(液温度25℃、スプレー圧0.05MPa)、十分な水洗、冷風乾燥を経て、薄膜化された光架橋性樹脂層を得た。
<Step (c)>
After peeling off the support layer film, thinning treatment was performed using a 10% by mass aqueous sodium carbonate solution so that the average thickness of the photocrosslinkable resin layer was 15 μm (liquid temperature 25 ° C., spray pressure 0.05 MPa). After sufficient washing with water and drying with cold air, a thinned photocrosslinkable resin layer was obtained.

<工程(d)>
上記パターンデータ全体を第二導電パターン部として、直接描画装置(商品名:LI−8500、大日本スクリーン製造社製)において、薄膜化後の光架橋性樹脂層の両面露光を行った。この時、工程(b)で硬化させた直径1.5mmの円状パターン部B計4個をアライメントマークとして露光を行った。
<Step (d)>
Using the entire pattern data as the second conductive pattern portion, double-sided exposure of the photocrosslinkable resin layer after thinning was performed in a direct drawing apparatus (trade name: LI-8500, manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.). At this time, exposure was performed using four circular pattern portions B having a diameter of 1.5 mm cured in step (b) as alignment marks.

<工程(e)>
1質量%の炭酸ナトリウム水溶液(液温度30℃、スプレー圧0.15MPa)を用いて現像処理を行い、エッチングレジスト層を形成した。得られたエッチングレジスト層を光学顕微鏡で観察したところ、厚膜部及び薄膜化部いずれにおいても、線細りや断線あるいは線太りやショート等の欠陥は見られなかった。また、レーザー顕微鏡(商品名:VK−8510、キーエンス社製)で観察したところ、直径50μmの円状パターン部C計4個について、第一導電パターン部と第二導電パターン部の中心間距離の平均は7μmであった。
<Process (e)>
Development processing was performed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (solution temperature 30 ° C., spray pressure 0.15 MPa) to form an etching resist layer. When the obtained etching resist layer was observed with an optical microscope, no defects such as line thinning, disconnection, line thickening, and short-circuiting were observed in any of the thick film part and the thinned part. Further, when observed with a laser microscope (trade name: VK-8510, manufactured by Keyence Corporation), the distance between the centers of the first conductive pattern portion and the second conductive pattern portion was measured for a total of four circular pattern portions C having a diameter of 50 μm. The average was 7 μm.

<工程(f)>
エッチングレジスト層を形成した基板を塩化第二鉄溶液(液温度45℃、スプレー圧0.20MPa)で処理し、エッチングレジスト層以外の銅箔を除去することでエッチングを行った。続いて、液温度40℃、3質量%の水酸化ナトリウム溶液で残存するエッチングレジスト層を除去し、導電パターンを得た。得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察したところ、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。
<Step (f)>
The substrate on which the etching resist layer was formed was treated with a ferric chloride solution (liquid temperature: 45 ° C., spray pressure: 0.20 MPa), and etching was performed by removing the copper foil other than the etching resist layer. Subsequently, the remaining etching resist layer was removed with a 3% by mass sodium hydroxide solution at a liquid temperature of 40 ° C. to obtain a conductive pattern. When the obtained conductive pattern was observed with an optical microscope, no disconnection or short defect, which was a practical problem, was found.

実施例6〜8
第一導電パターン部の露光領域について、下記のように変更した以外は、実施例5と同じ方法で導電パターンの作製を行った。それぞれの第一導電パターン部の基板全面積に対する割合は、60%、40%、20%である。工程(e)で得られたエッチングレジスト層の直径50μmの円状パターン部C計4個について、第一導電パターン部と第二導電パターン部の中心間距離の平均は、それぞれ8μm、7μm、7μmであった。また、工程(f)で得られた導電パターンには、実用上問題となる断線またはショート欠陥はなく、孔内壁の断線も見られなかった。
Examples 6-8
About the exposure area | region of the 1st conductive pattern part, except having changed as follows, preparation of the conductive pattern was performed by the same method as Example 5. FIG. The ratio of each first conductive pattern portion to the total area of the substrate is 60%, 40%, and 20%. For the four circular pattern portions C having a diameter of 50 μm of the etching resist layer obtained in step (e), the average distance between the centers of the first conductive pattern portion and the second conductive pattern portion is 8 μm, 7 μm, and 7 μm, respectively. Met. In addition, the conductive pattern obtained in the step (f) had no practical disconnection or short-circuit defect, and no disconnection of the inner wall of the hole was observed.

(第一導電パターン部)
実施例6:非回路パターン部、ランドパターン及びライン/スペース=100/50μm、90/60μmの回路パターン部
実施例7:非回路パターン部、ランドパターン及びライン/スペース=90/60μmの回路パターン部
実施例8:非回路パターン部、ランドパターン
(First conductive pattern part)
Example 6: Circuit pattern part of non-circuit pattern part, land pattern and line / space = 100/50 μm, 90/60 μm Example 7: Circuit pattern part of non-circuit pattern part, land pattern and line / space = 90/60 μm Example 8: Non-circuit pattern portion, land pattern

比較例1
第一導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層を硬化させずに、樹脂層全面を薄膜化した以外は、実施例1と同じ方法で導電パターンの作製を行った。薄膜化処理後、未硬化の薄膜化樹脂層が全面剥き出しの状態であり、両面露光時のハンドリングや基板の重ね置き時において擦り傷や打痕に由来するパターンの断線またはショート欠陥が多発していた。
Comparative Example 1
A conductive pattern was produced in the same manner as in Example 1 except that the entire photo-resin layer was thinned without curing the photocrosslinkable resin layer corresponding to the first conductive pattern portion. After the thinning treatment, the uncured thinned resin layer was exposed on the entire surface, and pattern disconnection or short defects due to scratches or dents occurred frequently during handling during double-sided exposure and when placing the substrates on top of each other. .

比較例2
第一導電パターン部の露光領域を、ランドパターンのみとした以外は、実施例5と同じ方法で導電パターンの作製を行った。得られた導電パターンには、孔内壁の断線は見られなかったが、両面露光時のハンドリングや基板の重ね置き時において発生したと考えられる擦り傷や打痕に由来するパターンの断線またはショート欠陥が散発していた。
Comparative Example 2
A conductive pattern was produced in the same manner as in Example 5 except that the exposure area of the first conductive pattern portion was only the land pattern. In the obtained conductive pattern, no disconnection of the inner wall of the hole was observed, but there was no pattern disconnection or short-circuit defect derived from scratches or dents that were thought to have occurred during handling during double-sided exposure or when stacking substrates. It was sporadic.

比較例3
第一導電パターン部の露光領域を、ランドパターンのみとし、薄膜化処理後に厚み16μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを再積層させた以外は、実施例5と同じ方法で導電パターンの作製を行った。第一導電パターン部であるランドパターンと薄膜化部の段差にポリエチレンテレフタレートフィルムが追従しておらず、段差周囲において、回折光による線太り及びショート欠陥が発生していた。また、段差周囲に存在する空気(酸素)の存在のため重合阻害による膜減りが発生していた。
Comparative Example 3
A conductive pattern was prepared in the same manner as in Example 5 except that the exposure area of the first conductive pattern portion was only a land pattern, and a polyethylene terephthalate film having a thickness of 16 μm was re-laminated after the thinning process. The polyethylene terephthalate film did not follow the step between the land pattern, which is the first conductive pattern portion, and the thinned portion, and line thickening due to diffracted light and a short defect occurred around the step. In addition, film loss due to polymerization inhibition occurred due to the presence of air (oxygen) around the step.

比較例4
工程(d)において、アライメントマークとして、工程(a)で形成した貫通孔A4穴を用いた以外は、実施例1と同様にして導電パターンを作製した。この時、工程(c)で光架橋性樹脂層を薄膜化処理した際、該貫通孔上のテント破れが起きた。工程(e)で得られたエッチングレジスト層の直径50μmの円状パターン部C計4個について、第一導電パターン部と第二導電パターン部の中心間距離の平均は25μmであった。工程(f)で得られた導電パターンには、第一導電パターン部と第二導電パターン部の位置ずれに由来するショート欠陥が多発していた。
Comparative Example 4
A conductive pattern was produced in the same manner as in Example 1 except that the through hole A4 formed in the step (a) was used as the alignment mark in the step (d). At this time, when the photocrosslinkable resin layer was thinned in the step (c), the tent was broken on the through hole. For a total of four circular pattern portions C having a diameter of 50 μm of the etching resist layer obtained in the step (e), the average distance between the centers of the first conductive pattern portion and the second conductive pattern portion was 25 μm. In the conductive pattern obtained in the step (f), short-circuit defects derived from misalignment between the first conductive pattern portion and the second conductive pattern portion frequently occurred.

比較例5
工程(b)において、アライメントマークとして用いた貫通孔A上及びその周囲(貫通孔の外縁から300μm範囲内)の光架橋性樹脂層も硬化させた後、工程(d)において貫通孔(A)をアライメントマークとした以外は、実施例1と同様にして導電パターンを作製した。工程(e)で得られたエッチングレジスト層の直径50μmの円状パターン部C計4個について、第一導電パターン部と第二導電パターン部の中心間距離の平均は20μmであった。工程(f)で得られた導電パターンには、第一導電パターン部と第二導電パターン部の位置ずれに由来するショート欠陥が多発していた。
Comparative Example 5
In the step (b), the photocrosslinkable resin layer on and around the through hole A used as the alignment mark (within 300 μm range from the outer edge of the through hole) is also cured, and then in the step (d), the through hole (A) A conductive pattern was produced in the same manner as in Example 1 except that was used as an alignment mark. The average distance between the centers of the first conductive pattern portion and the second conductive pattern portion was 20 μm for a total of four circular pattern portions C having a diameter of 50 μm of the etching resist layer obtained in the step (e). In the conductive pattern obtained in the step (f), short-circuit defects derived from misalignment between the first conductive pattern portion and the second conductive pattern portion frequently occurred.

比較例6
工程(d)において、アライメントマークとして工程(a′)で形成した直径3mmの貫通孔A4穴を用いた以外は、実施例5と同様にして導電パターンを作製した。工程(c)において、光架橋樹脂層を薄膜化処理した際、直径3mmの貫通孔上のテンティング膜が破れた。工程(e)で得られたエッチングレジスト層の直径50μmの円状パターン部C計4個について、第一導電パターン部と第二導電パターン部の中心間距離の平均は28μmであった。工程(f)で得られた導電パターンには、第一導電パターン部と第二導電パターン部の位置ずれに由来するショート欠陥が多発していた。
Comparative Example 6
A conductive pattern was produced in the same manner as in Example 5 except that in the step (d), the through hole A4 having a diameter of 3 mm formed in the step (a ′) was used as the alignment mark. In the step (c), when the photocrosslinking resin layer was thinned, the tenting film on the through hole having a diameter of 3 mm was broken. For a total of four circular pattern portions C having a diameter of 50 μm of the etching resist layer obtained in the step (e), the average distance between the centers of the first conductive pattern portion and the second conductive pattern portion was 28 μm. In the conductive pattern obtained in the step (f), short-circuit defects derived from misalignment between the first conductive pattern portion and the second conductive pattern portion frequently occurred.

比較例7
工程(b′)において、アライメントマークとして用いた貫通孔A上及びその周囲(貫通孔の外縁から300μm範囲内)の光架橋性樹脂層も硬化させた後、工程(d)において、貫通孔をアライメントマークとした以外は、実施例5と同様にして導電パターンを作製した。工程(e)で得られたエッチングレジスト層の直径50μmの円状パターン部C計4個について、第一導電パターン部と第二導電パターン部の中心間距離の平均は20μmであった。工程(f)で得られた導電パターンには、第一導電パターン部と第二導電パターン部の位置ずれに由来するショート欠陥が多発していた。
Comparative Example 7
In the step (b ′), the photocrosslinkable resin layer on and around the through hole A used as the alignment mark (within 300 μm from the outer edge of the through hole) is also cured, and then in the step (d), the through hole A A conductive pattern was produced in the same manner as in Example 5 except that was used as an alignment mark. The average distance between the centers of the first conductive pattern portion and the second conductive pattern portion was 20 μm for a total of four circular pattern portions C having a diameter of 50 μm of the etching resist layer obtained in the step (e). In the conductive pattern obtained in the step (f), short-circuit defects derived from misalignment between the first conductive pattern portion and the second conductive pattern portion frequently occurred.

本発明は、サブトラクティブ法を用いた微細な導電パターンの作製に広く利用され、実施例で説明したプリント配線板のほか、リードフレームの製造方法にも利用することができる。   The present invention is widely used for producing a fine conductive pattern using a subtractive method, and can be used for a method of manufacturing a lead frame in addition to the printed wiring board described in the embodiments.

1 光架橋性樹脂層(未硬化部)
2 基板
3 導電層
4 絶縁性基板
5 第一導電パターン部(厚膜硬化部)
6 第二導電パターン部(薄膜硬化部)
7 薄膜化部
8 ランド部(厚膜硬化部)
9 孔
A 直径3mmの貫通孔
B 直径1.5mmの円状パターン部
C 直径50μmの円状パターン部
1 Photocrosslinkable resin layer (uncured part)
2 Substrate 3 Conductive layer 4 Insulating substrate 5 First conductive pattern part (thick film curing part)
6 Second conductive pattern part (thin film hardening part)
7 Thinning part 8 Land part (thick film hardening part)
9 Hole A Through hole with a diameter of 3 mm B Circular pattern with a diameter of 1.5 mm C Circular pattern with a diameter of 50 μm

Claims (2)

サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法において、該導電パターンが、第一導電パターン部と第二導電パターン部とから少なくとも構成されており、(a)表面に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、(b)第一導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層を硬化させる工程、(c)アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、(d)少なくとも第二導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層を硬化させる工程、(e)現像工程、(f)エッチング工程をこの順に含み、工程(b)で形成された光架橋性樹脂層の硬化部の一部を、工程(d)でアライメントマークとして用いて光架橋性樹脂を硬化させることを特徴とする導電パターンの作製方法。   In a method for producing a conductive pattern by a subtractive method, the conductive pattern is composed of at least a first conductive pattern portion and a second conductive pattern portion, and (a) on a substrate on which a conductive layer is provided on the surface A step of forming a photocrosslinkable resin layer, (b) a step of curing the photocrosslinkable resin layer corresponding to the first conductive pattern portion, and (c) performing a thinning process of the photocrosslinkable resin layer with an alkaline aqueous solution. Formed in step (b), including a step, (d) a step of curing at least a portion of the photocrosslinkable resin layer corresponding to the second conductive pattern portion, (e) a development step, and (f) an etching step in this order. A method for producing a conductive pattern, wherein the photocrosslinkable resin is cured by using a part of the cured portion of the photocrosslinkable resin layer as an alignment mark in the step (d). サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法において、該導電パターンが、ランド部、第一導電パターン部及び第二導電パターン部とから少なくとも構成されており、(a′)孔を有し、表面及び孔内部に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、(b′)ランド部及び第一導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層を硬化させる工程、(c)アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、(d)少なくとも第二導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層を硬化させる工程、(e)現像工程、(f)エッチング工程をこの順に含み、工程(b′)で形成された光架橋性樹脂層の硬化部の一部を、工程(d)でアライメントマークとして用いて光架橋性樹脂を硬化させることを特徴とする導電パターンの作製方法。   In the method for producing a conductive pattern by a subtractive method, the conductive pattern is composed of at least a land portion, a first conductive pattern portion, and a second conductive pattern portion, and has (a ′) a hole, and a surface and a hole. A step of forming a photocrosslinkable resin layer on a substrate having a conductive layer therein; (b ′) a step of curing the photocrosslinkable resin layer corresponding to the land portion and the first conductive pattern portion; c) a step of thinning the photocrosslinkable resin layer with an aqueous alkali solution, (d) a step of curing the photocrosslinkable resin layer corresponding to at least the second conductive pattern portion, (e) a developing step, (f) ) Including etching steps in this order, and using the part of the cured portion of the photocrosslinkable resin layer formed in step (b ′) as an alignment mark in step (d), curing the photocrosslinkable resin. The method for manufacturing a conductive pattern to.
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