JP4676317B2 - Resist pattern forming method, circuit board manufacturing method, and circuit board - Google Patents

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本発明は、レジストパターンの形成方法、回路基板の製造方法及び回路基板に関する。より具体的には、回路基板の高密度化や配線パターンの微細化に適したランドレス又は狭小ランド幅を有するレジストパターンの形成方法、回路基板の製造方法及び回路基板に関する。   The present invention relates to a resist pattern forming method, a circuit board manufacturing method, and a circuit board. More specifically, the present invention relates to a method for forming a resist pattern having a landless or narrow land width suitable for increasing the density of circuit boards and miniaturizing wiring patterns, a method for manufacturing circuit boards, and a circuit board.

近年の電子機器の小型、多機能化に伴い、回路基板の高密度化や配線パターンの微細化が進められており、そのような条件を達成する手段として、回路基板の多層化が挙げられる。図21に示すように、複数の配線層を積層して形成した多層回路基板は、一般にスルーホールと呼ばれる内壁を導電層で被覆した貫通孔31あるいは導電層を充填した貫通孔31を通して各層間の導通が行われている。   As electronic devices have become smaller and more multifunctional in recent years, the density of circuit boards and the miniaturization of wiring patterns have been promoted, and means for achieving such conditions include multilayering of circuit boards. As shown in FIG. 21, a multilayer circuit board formed by laminating a plurality of wiring layers generally has a through hole 31 in which an inner wall called a through hole is covered with a conductive layer or a through hole 31 filled with a conductive layer. There is continuity.

図22は、貫通孔を上部から見た概略図である。貫通孔17の周囲にランド18と呼ばれる導電層が形成されている。ランドは、角形、円形、楕円形、異形等の種々の種類があるが、占有面積あるいは設計面の使いやすさから、円形状のランドを使用することが多い。また、高密度化に対応するためには、ランドレス又は狭小ランド幅の貫通孔が必要とされている。ここでランド幅とは、円形状ランドの場合は貫通孔周囲の環状導体幅の最小値を意味している。穴明け加工時の貫通孔の直径をD、円形状ランドの環状導体の直径をDとすると、ランドレスとは、(D−D)/2がゼロであり、狭小ランド幅とは、(D−D)/2が0より大きく40μm以下をいう。 FIG. 22 is a schematic view of the through hole as viewed from above. A conductive layer called a land 18 is formed around the through hole 17. There are various types of lands, such as a square, a circle, an ellipse, and an irregular shape, but a circular land is often used because of the occupied area or the ease of use of the design surface. Further, in order to cope with higher density, a through hole having a landless or narrow land width is required. Here, in the case of a circular land, the land width means the minimum value of the annular conductor width around the through hole. When the diameter of the through hole at the time of drilling is D 0 and the diameter of the circular conductor of the circular land is D, the landless is (D−D 0 ) / 2 is zero, and the narrow land width is (D−D 0 ) / 2 is greater than 0 and 40 μm or less.

回路基板を製造する方法としては、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法が知られている。サブトラクティブ法によって微細回路を形成する場合、導電層のサイドエッチングによる画線の細り等が生じるため、微細回路形成に対しては不利とされている。一方、アディティブ法は、微細回路形成に対しては有利であるが、無電解めっきで全ての導電層を形成するため、製造コストが高いという問題がある。セミアディティブ法は、多工程であるが、高速作業が可能な電解めっきを使用することができるために、微細回路形成方法として、優位に使用することができる。   As a method for manufacturing a circuit board, a subtractive method, an additive method, and a semi-additive method are known. When a fine circuit is formed by the subtractive method, a thin line is generated by side etching of the conductive layer, which is disadvantageous for fine circuit formation. On the other hand, the additive method is advantageous for fine circuit formation, but has a problem of high manufacturing cost because all conductive layers are formed by electroless plating. The semi-additive method is multi-step, but can be used as a fine circuit forming method because it can use electrolytic plating capable of high-speed operation.

セミアディティブ法で回路基板を製造する方法の一例を挙げる。まず、絶縁性基板1(図23)にスルーホールと呼ばれる貫通孔3を開け(図24)、貫通孔内壁を含む表面に薄い第1導電層12を設ける(図25)。次いで、非回路部にめっきレジスト層36を形成する(図26)。続いて、電解めっき処理により、第1導電層12が露出する部分の表面に第2導電層13を形成する(図27)。その後、めっきレジスト層36を除去し(図28)、めっきレジスト層36下部の薄い第1導電層12をフラッシュエッチング除去して回路基板を形成する(図29)。   An example of a method for manufacturing a circuit board by a semi-additive method will be given. First, a through hole 3 called a through hole is formed in the insulating substrate 1 (FIG. 23) (FIG. 24), and a thin first conductive layer 12 is provided on the surface including the inner wall of the through hole (FIG. 25). Next, a plating resist layer 36 is formed on the non-circuit portion (FIG. 26). Subsequently, the second conductive layer 13 is formed on the surface of the portion where the first conductive layer 12 is exposed by electrolytic plating (FIG. 27). Thereafter, the plating resist layer 36 is removed (FIG. 28), and the thin first conductive layer 12 below the plating resist layer 36 is removed by flash etching to form a circuit board (FIG. 29).

めっきレジスト層は、スクリーン印刷法、感光性材料を用いた露光現像工程を有するフォトファブリケーション法、インクジェット法等によって形成することができるが、高密度化に対応するには、フォトファブリケーション法を優位に使用することができる。フォトファブリケーション法としては、ネガ型(光架橋型)若しくはポジ型(光分解型)フォトレジストを用いた方法が一般的である。セミアディティブ法では、電解めっき処理により貫通孔内壁に第2導電層を設けるため、貫通孔上及び貫通孔内壁にはめっきレジスト層が残存していない状態が必要である。   The plating resist layer can be formed by a screen printing method, a photofabrication method having an exposure and development process using a photosensitive material, an ink jet method, or the like. Can be used preferentially. As a photofabrication method, a method using a negative type (photocrosslinking type) or a positive type (photolytic type) photoresist is generally used. In the semi-additive method, since the second conductive layer is provided on the inner wall of the through hole by electrolytic plating, it is necessary that the plating resist layer does not remain on the through hole and the inner wall of the through hole.

ネガ型(光架橋型)ドライフィルムフォトレジストを用いた場合、図30に示すように、貫通孔及びランド部を遮光部42で遮光して、ネガ型(光架橋型)ドライフィルムフォトレジスト38が架橋しないようにし、未反応ドライフィルムフォトレジストを除去して、貫通孔上及びランド部にはめっきレジスト層がない状態とする。これら工程では、貫通孔の穴開け加工や露光工程の位置合わせが重要となり、特に、高密度回路基板で要求されるランドレス及び狭小ランド幅の貫通孔では、非常に高い位置合わせ精度が必要となる。   When using a negative type (photocrosslinking type) dry film photoresist, as shown in FIG. 30, the through hole and the land part are shielded by the light shielding part 42, and the negative type (photocrosslinking type) dry film photoresist 38 is formed. It is made not to bridge | crosslink, an unreacted dry film photoresist is removed, and it is set as the state without a plating resist layer on a through-hole and a land part. In these processes, drilling of through holes and alignment of the exposure process are important, especially for landless and narrow land width through holes required for high-density circuit boards, extremely high alignment accuracy is required. Become.

例えば、図31(b)に示すように、ランド幅が大きい場合には、露光マスクの位置合わせ時の位置ずれが距離Xだけ発生したとしても、貫通孔は完全に遮光された状態となりネガ型(光架橋型)ドライフィルムフォトレジストは架橋されない。しかし、図31(a)に示すように、狭小ランド幅の場合には、露光マスクの位置合わせ時の位置ずれが同じ距離Xだけ発生すると、貫通孔がランドから外れ、貫通孔の全外周にわたって狭小ランドを形成することができないという問題がある。   For example, as shown in FIG. 31 (b), when the land width is large, the through hole is completely shielded from light even if the positional deviation at the time of aligning the exposure mask occurs by the distance X. (Photocrosslinking type) Dry film photoresists are not crosslinked. However, as shown in FIG. 31 (a), in the case of a narrow land width, if the positional deviation at the time of aligning the exposure mask occurs by the same distance X, the through hole is detached from the land and covers the entire outer periphery of the through hole. There is a problem that a narrow land cannot be formed.

ランドレスの貫通孔を製造する場合、位置合わせ精度の許容範囲を広げるために、図32に示すように、ネガ型(光架橋型)ドライフィルムフォトレジスト38の貫通孔上中央部のみを露光しないように遮光部42を設け、図33に示すように、めっきレジスト層36を貫通孔上中央部に向けて突出させた状態にする方法が公知である(例えば、特許文献1)。図34(b)に示すように、大孔径の貫通孔17の場合、距離Yだけ遮光部42の位置ずれが発生したとしても、貫通孔17の一部が遮光された状態となる。しかし、図34(a)に示すように、小孔径の貫通孔の場合、遮光部42が同じ距離Yだけ位置ずれが発生すると、遮光部42が貫通孔17から外れてしまうために、貫通孔上のネガ型(光架橋型)ドライフィルムフォトレジスト38が架橋されてしまい、貫通孔上のめっきレジスト層36が除去されないという問題が発生する。   When manufacturing a through-hole of a landless, as shown in FIG. 32, in order to widen the allowable range of alignment accuracy, only the central part on the through-hole of the negative (photocrosslinking type) dry film photoresist 38 is not exposed. As shown in FIG. 33, there is a known method for providing the light-shielding portion 42 and causing the plating resist layer 36 to protrude toward the center of the through hole (for example, Patent Document 1). As shown in FIG. 34B, in the case of the through hole 17 having a large hole diameter, even if the light shielding portion 42 is displaced by a distance Y, a part of the through hole 17 is shielded from light. However, as shown in FIG. 34A, in the case of a through hole having a small hole diameter, if the light shielding part 42 is displaced by the same distance Y, the light shielding part 42 is detached from the through hole 17. The upper negative (photo-crosslinking type) dry film photoresist 38 is cross-linked, which causes a problem that the plating resist layer 36 on the through hole is not removed.

穴開け加工の精度、基板の伸縮、露光用フォトマスクの寸法変化等が原因となって、位置合わせ精度には限界があるのが実情である。また、高密度回路基板上に形成される貫通孔の径は多種類で、孔数も極めて多いために、全ての貫通孔に対して正確に位置合わせを行うことは非常に困難である。したがって、高密度回路基板ではランドレスや狭小ランド幅の貫通孔が求められているにもかかわらず、狭小ランド幅の貫通孔の場合には貫通孔の遮光が確実に行われてネガ型(光架橋型)ドライフィルムフォトレジストが架橋しないようにするためには、ランド幅を大きく設計しなければならないという問題が発生している(例えば、特許文献2)。また、ランドレスの貫通孔の場合には貫通孔の遮光が確実に行われてネガ型(光架橋型)ドライフィルムフォトレジストが架橋しないようにするためには、遮光部を小さく設計しなければならず、そのためにめっき液が貫通孔内に侵入しづらくなり、めっきがされないという問題が発生している。   Actually, the alignment accuracy is limited due to the accuracy of drilling, expansion / contraction of the substrate, dimensional change of the photomask for exposure, and the like. Moreover, since the diameters of the through holes formed on the high-density circuit board are various and the number of holes is extremely large, it is very difficult to accurately align all the through holes. Therefore, even though a high-density circuit board requires a through-hole with a landless or narrow land width, in the case of a through-hole with a narrow land width, the through-hole is surely shielded and the negative type (optical In order to prevent the cross-linking type) dry film photoresist from cross-linking, there is a problem that the land width must be designed to be large (for example, Patent Document 2). In the case of a landless through-hole, the light-shielding portion must be designed to be small so that the light-shielding of the through-hole is reliably performed and the negative (photocrosslinking) dry film photoresist is not crosslinked. Therefore, there is a problem that the plating solution is difficult to penetrate into the through hole, and plating is not performed.

めっきレジスト層を形成する方法として、電着フォトレジストを使用する方法も知られている。これは、電着塗装法によって貫通孔内壁を含む導電層上に一様に電着フォトレジスト層を設け、次に、フォトマスクを介して露光し、現像することで、めっきレジスト層を設ける方法である。   As a method for forming a plating resist layer, a method using an electrodeposition photoresist is also known. This is a method of providing a plating resist layer by uniformly providing an electrodeposited photoresist layer on a conductive layer including an inner wall of a through hole by an electrodeposition coating method, and then exposing and developing through a photomask. It is.

電着フォトレジストには、ネガ型(光架橋型)とポジ型(光分解型)がある。ポジ型(光分解型)の場合は、露光してフォトレジストを分解させる必要があるが、円柱形状の貫通孔では貫通孔内部を完全に露光することができない。このため、貫通孔内部の電着フォトレジストを完全に分解することができず、めっきレジスト層として使用することができない。   Electrodeposited photoresists include negative (photocrosslinking) and positive (photolytic). In the case of the positive type (photolytic type), it is necessary to expose and decompose the photoresist, but the inside of the through hole cannot be completely exposed with the cylindrical through hole. For this reason, the electrodeposition photoresist inside the through hole cannot be completely decomposed and cannot be used as a plating resist layer.

一方、ネガ型(光架橋型)電着フォトレジストの場合は、貫通孔内部を露光する必要がないので、ランドのないパターンのみのフォトマスクを用いて、ランドレスの貫通孔を形成する手段として有効であると言われている。円柱形状の貫通孔では光が進入しないために、貫通孔内壁のネガ型(光架橋型)フォトレジスト層を除去することが可能である。しかし、貫通孔のコーナー部にテーパー形状があった場合には、貫通孔内部にも部分的に光が進入して、貫通孔の内壁全てのめっきレジスト層を除去することができないという問題がある。   On the other hand, in the case of a negative type (photo-crosslinking type) electrodeposited photoresist, it is not necessary to expose the inside of the through hole, so as a means for forming a landless through hole using a photomask having only a pattern without a land. It is said to be effective. Since light does not enter through the cylindrical through hole, the negative (photocrosslinking) photoresist layer on the inner wall of the through hole can be removed. However, when the corner portion of the through hole has a taper shape, there is a problem that light partially enters the inside of the through hole and the plating resist layer on the entire inner wall of the through hole cannot be removed. .

また、これらの課題を解決し狭小ランド幅の貫通孔を形成する技術として、貫通孔を有する基板上に第一樹脂層を形成し、次いで貫通孔上以外の第一樹脂層表面に第二樹脂層を形成し、続いて、第二樹脂層を溶解しない第一樹脂層用現像液を用いて貫通孔上の第一樹脂層を溶解除去して、貫通孔上に精度よく開口部を形成する技術が公知である(特許文献3)。この技術によって、狭小ランド幅の貫通孔を精度良く形成することが可能となるが、一方、第二樹脂層の形成の際に、液体トナー現像装置等の従来の回路基板製造方法では使用しない設備を新たに必要とする。従って、新たな設備導入のためのスペースがない場合や設備投資ができない場合には、狭小ランド幅の貫通孔を精度良く形成することはできない。   Further, as a technique for solving these problems and forming a through hole having a narrow land width, a first resin layer is formed on a substrate having a through hole, and then a second resin is formed on the surface of the first resin layer other than on the through hole. Next, the first resin layer on the through hole is dissolved and removed using a first resin layer developer that does not dissolve the second resin layer, and the opening is accurately formed on the through hole. The technique is known (Patent Document 3). This technology makes it possible to accurately form through-holes with a narrow land width. On the other hand, when forming the second resin layer, equipment that is not used in conventional circuit board manufacturing methods such as a liquid toner developing device. Is newly required. Therefore, when there is no space for introducing new equipment or when equipment investment cannot be made, it is not possible to accurately form a through hole having a narrow land width.

また、回路基板では、はんだ付けに必要なパッド以外のランドや回路部導電層などにはんだが付かないようにするために、また、回路表面の絶縁性を保ち回路部導電層を保護するために、一般に、ソルダーレジストを基板表面に被覆し、貫通孔の内部に充填する。この際、ランド部導電層頂端部の形状が鋭角であると、ソルダーレジストの頂端部での厚みが表面張力及びソルダーレジストの硬化収縮が原因となって極端に薄くなるという問題がある。
特開平10−178031号公報 特開平07−007265号公報 国際公開第2005/086552号パンフレット
Also, on the circuit board, in order to prevent solder from adhering to the land other than the pads necessary for soldering, the circuit layer conductive layer, etc., and to maintain the insulation of the circuit surface and protect the circuit unit conductive layer In general, a solder resist is coated on the surface of the substrate and filled in the through holes. At this time, if the shape of the top end portion of the land portion conductive layer is an acute angle, there is a problem that the thickness at the top end portion of the solder resist becomes extremely thin due to surface tension and curing shrinkage of the solder resist.
JP-A-10-178031 JP 07-007265 A International Publication No. 2005/085652 Pamphlet

本発明の課題は、ランドレスや狭小ランド幅の貫通孔を新たな設備導入なしに形成することができ、かつ、ソルダーレジストも良好に付与することができるレジストパターンの形成方法、回路基板の製造方法及び回路基板を提供することであり、特に、位置合わせ精度の許容範囲の広いレジストパターンの形成方法、回路基板の製造方法及び回路基板を提供することである。なお、本発明において、ランドレスや狭小ランド幅の貫通孔とは、上記に定義したとおりのものをいう。   An object of the present invention is to provide a resist pattern forming method and a circuit board manufacturing method that can form a landless or narrow land-width through-hole without introducing new equipment, and can also provide a good solder resist. It is to provide a method and a circuit board, and in particular, to provide a resist pattern forming method, a circuit board manufacturing method, and a circuit board having a wide tolerance of alignment accuracy. In the present invention, the through-holes having a landless or narrow land width are as defined above.

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、
(1)貫通孔を有する基板の第1面に樹脂層及びマスク層を形成する工程と、基板の第1面とは反対側の第2面から樹脂層除去液を供給して、第1面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の樹脂層を除去する工程と、を含むレジストパターンの形成方法、
(2)樹脂層とマスク層とを一体に形成する、上記(1)記載のレジストパターンの形成方法、
(3)樹脂層が光架橋性樹脂層である、上記(1)又は(2)記載のレジストパターンの形成方法、
(4)貫通孔を有する基板が、基板表面及び貫通孔内壁に導電層を有する絶縁性基板である、上記(1)〜(3)のいずれか記載のレジストパターンの形成方法、
(5)(a)貫通孔を有する絶縁性基板の第1面及び第1面とは反対側の第2面並びに貫通孔内壁に第1導電層を有する絶縁性基板を準備する工程、(b)第1面に光架橋性樹脂層及びマスク層を形成して、第1面の第1導電層及び貫通孔開口部を光架橋性樹脂層及びマスク層で覆う工程、(c)第2面より光架橋性樹脂層除去液を供給して、第1面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去し、第1面の貫通孔周辺部の第1導電層を露出する工程、(d)第1面の光架橋性樹脂層をパターン露光する工程、(e)第2面に光架橋性樹脂層及びマスク層を形成して、第2面の第1導電層及び貫通孔開口部を光架橋性樹脂層及びマスク層で覆う工程、(f)第1面のマスク層を除去する工程、(g)第1面より光架橋性樹脂層除去液を供給して、第1面の未硬化光架橋性樹脂層並びに第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去し、第1面上の第1導電層及び第2面の貫通孔周辺部の第1導電層を露出する工程、(h)第2面の光架橋性樹脂層をパターン露光する工程、(i)第2面のマスク層を除去する工程、(j)第2面より光架橋性樹脂層除去液を供給して、第2面の未硬化光架橋性樹脂層を除去し、第2面上の第1導電層を露出する工程、(k)貫通孔内壁及び貫通孔周辺部、並びに第1面上及び第2面上に露出している第1導電層上に電解めっき処理により第2導電層を形成する工程、(l)第1面上及び第2面上の硬化光架橋性樹脂層を除去して、第1面上及び第2面上の第1導電層を露出する工程、(m)露出する第1導電層をフラッシュエッチングして除去する工程、をこの順で含む回路基板の製造方法、
(6)(f)工程を(e)工程の前に行う、上記(5)記載の回路基板の製造方法、
(7)(f)工程を(d)工程の前に行う、上記(5)記載の回路基板の製造方法、
(8)(g)工程が、(g1)第1面より光架橋性樹脂除去液を供給して、第1面の未硬化光架橋性樹脂層を除去し、第1面上の第1導電層を露出する工程と、(g2)第1面より光架橋性樹脂除去液を供給して、第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去し、第2面の貫通孔周辺部の第1導電層を露出する工程とからなり、(e)工程を(g1)工程と(g2)工程の間で行う、請求項5記載の回路基板の製造方法、
(9)貫通孔を有する絶縁性基板の貫通孔周辺部に形成されたランド部導電層と、絶縁性基板の表面で回路配線を構成する回路部導電層と、貫通孔内壁の導電層とからなる回路基板であって、回路部導電層との非連結部におけるランド部導電層の外側面の傾斜角度が90度より小さい回路基板、
(10)回路部導電層との非連結部におけるランド部導電層の外側面の傾斜角度が、60〜80度である、上記(9)載の回路基板、
(11)ランド部導電層の外側面からなる直径と穴開け加工時の貫通孔の直径との差が、0〜80μmである、上記(9)又は(10)記載の回路基板、
(12)回路部導電層との非連結部におけるランド部導電層の外側面の傾斜角度が、回路部導電層の側面の傾斜角度より小さい、上記(9)〜(11)のいずれか記載の回路基板、
(13)回路部導電層の側面の傾斜角度が略90度である、上記(9)〜(12)のいずれか記載の回路基板、
(14)ランド部導電層が、貫通孔に対して同心円状に形成されている、上記(9)〜(13)のいずれか記載の回路基板、
を見出した。
As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have
(1) A step of forming a resin layer and a mask layer on a first surface of a substrate having a through-hole, and supplying a resin layer removing liquid from a second surface opposite to the first surface of the substrate, Removing the resin layer on the through-holes and the periphery of the through-holes, and a resist pattern forming method,
(2) The method for forming a resist pattern according to (1) above, wherein the resin layer and the mask layer are integrally formed,
(3) The method for forming a resist pattern according to the above (1) or (2), wherein the resin layer is a photocrosslinkable resin layer,
(4) The method for forming a resist pattern according to any one of (1) to (3) above, wherein the substrate having a through hole is an insulating substrate having a conductive layer on the substrate surface and the inner wall of the through hole.
(5) (a) preparing an insulating substrate having a first conductive layer on the first surface of the insulating substrate having a through hole, the second surface opposite to the first surface, and the inner wall of the through hole; ) A step of forming a photocrosslinkable resin layer and a mask layer on the first surface, and covering the first conductive layer and the through hole opening on the first surface with the photocrosslinkable resin layer and the mask layer; (c) the second surface Further, a photocrosslinkable resin layer removing liquid is supplied to remove the photocrosslinkable resin layer on the through hole on the first surface and the periphery of the through hole, and expose the first conductive layer on the periphery of the through hole on the first surface. (D) a step of pattern exposure of the photocrosslinkable resin layer on the first surface, (e) a photocrosslinkable resin layer and a mask layer are formed on the second surface, and the first conductive layer on the second surface and A step of covering the through-hole opening with a photocrosslinkable resin layer and a mask layer, (f) a step of removing the mask layer on the first surface, and (g) a photocrosslinkable resin layer removing solution from the first surface. The uncured photocrosslinkable resin layer on the first surface and the photocrosslinkable resin layer on the through hole on the second surface and around the through hole are removed, and the first conductive layer and the second on the first surface are removed. (H) a step of exposing the photocrosslinkable resin layer on the second surface by pattern exposure, (i) a step of removing the mask layer on the second surface, (j) ) Supplying a photocrosslinkable resin layer removing liquid from the second surface to remove the uncured photocrosslinkable resin layer on the second surface and exposing the first conductive layer on the second surface; (k) penetration Forming a second conductive layer by electrolytic plating on the inner wall of the hole and the periphery of the through hole, and on the first conductive layer exposed on the first surface and the second surface; (l) on the first surface and Removing the cured photocrosslinkable resin layer on the second surface to expose the first conductive layer on the first surface and the second surface; and (m) flashing the exposed first conductive layer. Method of manufacturing a circuit board comprising the step of removing by quenching, in this order,
(6) The method for manufacturing a circuit board according to (5), wherein the step (f) is performed before the step (e),
(7) The method for manufacturing a circuit board according to (5), wherein the step (f) is performed before the step (d),
(8) The step (g) includes (g1) supplying a photocrosslinkable resin removing liquid from the first surface to remove the uncured photocrosslinkable resin layer on the first surface, and the first conductivity on the first surface. A step of exposing the layer; and (g2) supplying a photocrosslinkable resin removing liquid from the first surface to remove the photocrosslinkable resin layer on the through hole on the second surface and in the periphery of the through hole, The method for manufacturing a circuit board according to claim 5, wherein the step (e) is performed between the step (g1) and the step (g2).
(9) From a land portion conductive layer formed in the periphery of the through hole of the insulating substrate having a through hole, a circuit portion conductive layer constituting circuit wiring on the surface of the insulating substrate, and a conductive layer on the inner wall of the through hole A circuit board, wherein the inclination angle of the outer surface of the land part conductive layer in the non-connection portion with the circuit part conductive layer is less than 90 degrees,
(10) The circuit board according to (9), wherein the inclination angle of the outer surface of the land portion conductive layer in the non-connection portion with the circuit portion conductive layer is 60 to 80 degrees,
(11) The circuit board according to (9) or (10), wherein the difference between the diameter of the outer surface of the land portion conductive layer and the diameter of the through hole at the time of drilling is 0 to 80 μm,
(12) The inclination angle of the outer surface of the land portion conductive layer in the non-connecting portion with the circuit portion conductive layer is smaller than the inclination angle of the side surface of the circuit portion conductive layer, according to any one of (9) to (11) above. Circuit board,
(13) The circuit board according to any one of (9) to (12), wherein an inclination angle of a side surface of the circuit unit conductive layer is approximately 90 degrees.
(14) The circuit board according to any one of (9) to (13), wherein the land part conductive layer is formed concentrically with respect to the through hole.
I found.

本発明のレジストパターンの形成方法(1)においては、貫通孔を有する基板の片面(第1面とする)に貫通孔を塞ぐように樹脂層及びマスク層を設け、反対面(第2面とする)から供給した樹脂層除去液により、貫通孔上及び貫通孔周辺部の樹脂層を除去する。   In the resist pattern forming method (1) of the present invention, a resin layer and a mask layer are provided on one surface (first surface) of a substrate having a through hole so as to close the through hole, and the opposite surface (second surface and The resin layer on the through hole and in the periphery of the through hole is removed with the resin layer removing liquid supplied from step S1).

第2面より供給された樹脂層除去液は、貫通孔を通って、第1面の樹脂層に達し、貫通孔上及び貫通孔周辺部の樹脂層を溶解除去する。マスク層は、この樹脂層除去液に対して不溶性の成分からなり、従って、樹脂層除去液は、樹脂層の貫通孔上及び貫通孔周辺部のみを正確かつ選択的に精度良く除去できる。これにより、貫通孔及び貫通孔周辺部のみ基板の露出した樹脂層を極めて精度良く形成することができ、その後の工程により、ランドレス及び狭小ランド幅のパターンの形成が容易に可能となる。   The resin layer removing liquid supplied from the second surface passes through the through hole, reaches the resin layer on the first surface, and dissolves and removes the resin layer on the through hole and around the through hole. The mask layer is made of a component that is insoluble in the resin layer removing liquid. Therefore, the resin layer removing liquid can accurately and selectively remove only the through hole and the peripheral part of the through hole of the resin layer. As a result, the resin layer where the substrate is exposed can be formed with very high accuracy only in the through hole and the peripheral part of the through hole, and the landless and narrow land width patterns can be easily formed in the subsequent steps.

本発明のレジストパターンの形成方法(2)においては、樹脂層とマスク層とを一体に形成することで、工程の簡略化を図ることができる。また、あらかじめ樹脂層とマスク層を積層したフィルムを形成しておき、それをラミネート等の手段により基板に一体形成することで、極めて安定性の高いレジストパターン形成方法を簡便に実現できる。   In the resist pattern forming method (2) of the present invention, the process can be simplified by integrally forming the resin layer and the mask layer. Further, by forming a film in which a resin layer and a mask layer are laminated in advance and integrally forming the film on a substrate by means of lamination or the like, an extremely stable resist pattern forming method can be easily realized.

本発明のレジストパターンの形成方法(3)においては、樹脂層を光架橋性樹脂層とする。これにより、貫通孔上及び貫通孔周辺部の樹脂層除去に加え、基板表面のパターン露光によるレジストパターンの形成が可能となり、その後の貫通孔及び基板表面の回路パターン形成工程を簡略に行うことができる。   In the resist pattern forming method (3) of the present invention, the resin layer is a photocrosslinkable resin layer. As a result, in addition to removing the resin layer on and around the through hole, it is possible to form a resist pattern by pattern exposure on the substrate surface, and the subsequent circuit pattern forming process on the through hole and substrate surface can be simplified. it can.

本発明のレジストパターンの形成方法(4)においては、貫通孔を有する基板が、表面及び貫通孔内壁に導電層を有する絶縁性基板とすることで、より信頼性の高い回路基板を形成するためのレジストパターン形成が可能となる。   In the method (4) for forming a resist pattern according to the present invention, a substrate having a through hole is an insulating substrate having a conductive layer on the surface and the inner wall of the through hole, thereby forming a more reliable circuit board. It is possible to form a resist pattern.

本発明の回路基板の製造方法(5)においては、表面及び貫通孔内壁に第1導電層を有する絶縁性基板の第1面に光架橋性樹脂層及びマスク層を形成する。その後、第2面より供給した光架橋性樹脂層除去液により、貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去する。これにより、位置合わせ不要で、精度良く、貫通孔及び貫通孔周辺部の第1導電層を露出させることができる。また、光架橋性樹脂層除去液による除去方法を制御することで、貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層の除去状況を制御することが可能となり、貫通孔周辺部の露出幅をコントロールすることができる。その後、第1面の光架橋性樹脂層に対してパターン露光することにより、非回路部の光架橋性樹脂を硬化させる。次に、第2面に光架橋性樹脂層及びマスク層を形成する工程、第1面のマスク層を除去する工程を経た後、第1面より光架橋性樹脂層除去液を供給し、第1面の未硬化光架橋性樹脂層及び第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去する。この際、硬化した光架橋性樹脂は、光架橋性樹脂層除去液には不溶であるため、硬化した光架橋性樹脂によるレジストパターンが第1面表面に形成される。第2面も同様にして、貫通孔及び貫通孔周辺部の第1導電層を精度良く露出させた後、第2面の光架橋性樹脂層をパターン露光する工程、第2面のマスク層を除去する工程、光架橋性樹脂層除去液を供給して第2面の未硬化光架橋性樹脂層を除去する工程を経て、第1面、第2面両面に、めっきレジスト層として機能する硬化した光架橋性樹脂からなるレジストパターンを形成することができる。続いて、露出している第1導電層上に電解めっき処理により第2導電層を形成する工程、第1面及び第2面の硬化光架橋性樹脂層を除去する工程、露出した第1導電層をフラッシュエッチングして除去する工程を経て、ランドレス若しくは狭小ランド幅を持った回路基板が製造される。   In the circuit board manufacturing method (5) of the present invention, the photocrosslinkable resin layer and the mask layer are formed on the first surface of the insulating substrate having the first conductive layer on the surface and the inner wall of the through hole. Thereafter, the photocrosslinkable resin layer on the through hole and in the peripheral part of the through hole is removed by the photocrosslinkable resin layer removing liquid supplied from the second surface. Thereby, alignment is unnecessary and the 1st conductive layer of a through-hole and a through-hole periphery part can be exposed accurately. In addition, by controlling the removal method using the photocrosslinkable resin layer removing liquid, it is possible to control the removal status of the photocrosslinkable resin layer on the through hole and the periphery of the through hole, and the exposed width of the periphery of the through hole Can be controlled. Thereafter, the photocrosslinkable resin in the non-circuit portion is cured by pattern exposure on the photocrosslinkable resin layer on the first surface. Next, after a step of forming a photocrosslinkable resin layer and a mask layer on the second surface and a step of removing the mask layer on the first surface, a photocrosslinkable resin layer removing liquid is supplied from the first surface, The uncured photocrosslinkable resin layer on one surface and the photocrosslinkable resin layer on the through holes on the second surface and in the periphery of the through holes are removed. At this time, since the cured photocrosslinkable resin is insoluble in the photocrosslinkable resin layer removing liquid, a resist pattern of the cured photocrosslinkable resin is formed on the first surface. In the same manner for the second surface, the step of exposing the photocrosslinkable resin layer on the second surface to a pattern after exposing the through hole and the first conductive layer in the periphery of the through hole with high precision, and the mask layer on the second surface A step of removing, a step of supplying a photocrosslinkable resin layer removing liquid and a step of removing the uncured photocrosslinkable resin layer on the second surface, and curing that functions as a plating resist layer on both the first surface and the second surface It is possible to form a resist pattern made of the photocrosslinkable resin. Subsequently, a step of forming a second conductive layer on the exposed first conductive layer by electrolytic plating, a step of removing the first surface and the cured photocrosslinkable resin layer on the second surface, an exposed first conductive layer A circuit board having a landless or narrow land width is manufactured through a step of removing the layer by flash etching.

第1面及び第2面のいずれにおいても、光架橋性樹脂層をパターン露光する工程の前に、貫通孔及び貫通孔周辺部の第1導電層は露出した状態となっているので、パターン露光する工程で貫通孔周辺部は露光されてもされなくても、良好なランド形状が確保できる。すなわち、ランドレス及び狭小ランド幅を位置合わせすることなく精度良く確実に形成することができ、パターン露光時の位置合わせの許容範囲が広がるという秀逸な効果をもたらす。   Since both the first surface and the second surface are exposed before the step of pattern exposure of the photocrosslinkable resin layer, the through hole and the first conductive layer around the through hole are exposed. Even if the peripheral portion of the through hole is not exposed in the step of performing, a good land shape can be secured. In other words, the landless and narrow land widths can be accurately and reliably formed without aligning, and the excellent effect of widening the allowable range of alignment during pattern exposure is brought about.

本発明のレジストパターンの形成方法及び回路基板の製造方法では、マスク層を有した状態での光架橋性樹脂層の除去工程で、光架橋性樹脂層除去量を制御することで、任意にランド幅を調整することができる。また、この方法によると、貫通孔周辺部のランドは図22に示すように、均一な幅を有するものとなる。   In the resist pattern forming method and the circuit board manufacturing method of the present invention, the removal amount of the photocrosslinkable resin layer is controlled in the step of removing the photocrosslinkable resin layer in the state having the mask layer. The width can be adjusted. Further, according to this method, the land around the through hole has a uniform width as shown in FIG.

このように、本発明のレジストの形成方法及び回路基板の製造方法では、位置合わせを必要としない工程のみで、貫通孔及び貫通孔周辺部に対して正確かつ選択的にめっきレジスト層が存在しない状態を形成することができ、かつランド幅も任意にコントロールできるという秀逸な効果をもたらす。   As described above, in the resist forming method and the circuit board manufacturing method of the present invention, the plating resist layer does not exist accurately and selectively with respect to the through-hole and the peripheral portion of the through-hole only by a process that does not require alignment. The state can be formed, and the excellent effect that the land width can be arbitrarily controlled is brought about.

本発明の回路基板(9)は、本発明の回路基板の製造方法によって製造された、貫通孔を有する絶縁性基板の貫通孔周辺部に形成されたランド部導電層と、絶縁性基板の表面で回路配線を構成する回路部導電層と、貫通孔内壁の導電層とからなる回路基板であって、回路部導電層との非連結部におけるランド部導電層の外側面の傾斜角度が90度より小さい回路基板である。また、本発明の回路基板(10)〜(14)はそれぞれ、回路部導電層との非連結部におけるランド部導電層の外側面の傾斜角度が60〜80度である、上記(9)記載の回路基板;ランド部導電層の外側面からなる直径と穴開け加工時の貫通孔の直径との差が、0〜80μmである、上記(9)又は(10)記載の回路基板;回路部導電層との非連結部におけるランド部導電層の外側面の傾斜角度が、回路部導電層の側面の傾斜角度より小さい、上記(9)〜(11)のいずれか記載の回路基板;回路部導電層の側面の傾斜角度が略90度である、上記(9)〜(12)のいずれか記載の回路基板;ランド部導電層が、貫通孔に対して同心円状に形成されている、上記(9)〜(13)のいずれか記載の回路基板、である。これにより、ランドレス又は狭小ランド幅のランドを有する回路基板を実現できるとともに、特に、その後のソルダーレジストの付与を極めて良好に行うことのできるという効果を奏する。   The circuit board (9) of the present invention includes a land part conductive layer formed in a peripheral part of a through hole of an insulating substrate having a through hole manufactured by the method for manufacturing a circuit board of the present invention, and a surface of the insulating substrate. The circuit board is composed of a circuit layer conductive layer constituting the circuit wiring and a conductive layer on the inner wall of the through hole, and the inclination angle of the outer surface of the land conductive layer at the non-connection portion with the circuit part conductive layer is 90 degrees. A smaller circuit board. Further, in the circuit boards (10) to (14) of the present invention, the inclination angle of the outer surface of the land portion conductive layer in the non-connection portion with the circuit portion conductive layer is 60 to 80 degrees, respectively. The circuit board according to (9) or (10) above, wherein the difference between the diameter of the outer surface of the land conductive layer and the diameter of the through hole at the time of drilling is 0 to 80 μm; The circuit board according to any one of the above (9) to (11), wherein an inclination angle of an outer side surface of the land portion conductive layer in a non-connecting portion with the conductive layer is smaller than an inclination angle of a side surface of the circuit portion conductive layer; The circuit board according to any one of the above (9) to (12), wherein the side surface of the conductive layer has an inclination angle of approximately 90 degrees; the land conductive layer is formed concentrically with respect to the through hole; (9) It is a circuit board in any one of (13). As a result, a circuit board having a landless or a land having a narrow land width can be realized, and in particular, there is an effect that the subsequent application of the solder resist can be performed extremely well.

すなわち、回路基板でははんだ付けに必要なパッド以外のランドや回路部などを、はんだが付かないようにするために、また、回路表面の絶縁性を保ち、導体パターンを保護するため、ソルダーレジストで基板表面を被覆し、貫通孔の内部にソルダーレジストが充填される。このとき、ランド部導電層頂端部の形状が90度より大きい鈍角であるために、ソルダーレジストの頂端部での厚みが表面張力及びソルダーレジストの硬化収縮が原因となって極端に薄くなるという問題が発生せずに、良好なソルダーレジストの付与が行われる。通常、回路部導電層の断面形状は、良好な信号の伝達速度を得るためには、矩形がよいと考えられている。従来の回路基板の製造方法では、回路部導電層の形状を矩形としながら、ランド部導電層の頂端部の形状を鈍角とすることは難しかったが、本発明の回路基板においては、回路部導電層の断面形状を矩形、すなわち回路部導電層の側面の傾斜角度を略90度としたまま、ランド部導電層の頂端部の形状を鈍角、すなわちランド部導電層の外側面の傾斜角度を90度よりも小さくすることができる。これにより、ランドレス又は狭小ランド幅を有する回路基板であるだけでなく、ランド部のソルダーレジストの厚みが表面張力及びソルダーレジストの硬化収縮が原因となって極端に薄くなるという問題を回避できるという効果を奏することができる。   That is, on the circuit board, solder resist is used to prevent lands and circuit parts other than the pads necessary for soldering from being applied to the solder, and to maintain the insulation of the circuit surface and protect the conductor pattern. The substrate surface is covered, and a solder resist is filled in the through holes. At this time, since the shape of the top end portion of the land conductive layer is an obtuse angle larger than 90 degrees, the thickness at the top end portion of the solder resist becomes extremely thin due to surface tension and curing shrinkage of the solder resist. Good solder resist is imparted without the occurrence of. In general, the cross-sectional shape of the circuit portion conductive layer is considered to be rectangular in order to obtain a good signal transmission speed. In the conventional circuit board manufacturing method, it is difficult to make the shape of the top end portion of the land portion conductive layer obtuse while the shape of the circuit portion conductive layer is rectangular, but in the circuit board of the present invention, the circuit portion conductive layer While the cross-sectional shape of the layer is rectangular, that is, the inclination angle of the side surface of the circuit portion conductive layer is approximately 90 degrees, the shape of the top end portion of the land portion conductive layer is obtuse, that is, the inclination angle of the outer surface of the land portion conductive layer is 90 °. Can be smaller than degrees. As a result, not only the circuit board having a landless or narrow land width but also the problem that the thickness of the solder resist of the land portion becomes extremely thin due to the surface tension and the curing shrinkage of the solder resist can be avoided. There is an effect.

以下、本発明のレジストパターンの形成方法、回路基板の製造方法及び回路基板について詳細に説明する。   Hereinafter, a resist pattern forming method, a circuit board manufacturing method, and a circuit board according to the present invention will be described in detail.

本発明のレジストパターンの形成方法、回路基板の製造方法及び回路基板では、図4に示すように、貫通孔を有する基板の片面(第1面とする)に貫通孔を塞ぐように樹脂層25及びマスク層6を設け、第1面とは反対の面(第2面とする)から供給する樹脂層除去液により、第1面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の樹脂層を除去する(図5)。   In the resist pattern forming method, circuit board manufacturing method, and circuit board according to the present invention, as shown in FIG. 4, the resin layer 25 is formed so as to block the through hole on one side (first surface) of the substrate having the through hole. The mask layer 6 is provided, and the resin layer on the through hole in the first surface and around the through hole is removed by a resin layer removing liquid supplied from the surface opposite to the first surface (referred to as the second surface). FIG. 5).

本発明に係わる樹脂層としては、樹脂層除去液により溶解除去可能な樹脂であれば特に限定されない。アクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリビニルブチラール等のビニルアセタール樹脂、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン及びその塩化物、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンイソフタレート等のポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル変性アルキッド樹脂、フェノール樹脂、キシレン樹脂、ポリイミド樹脂、ゼラチン、カルボキシメチルセルロース等のセルロースエステル誘導体等の樹脂が利用できる。また、次に述べる光架橋性樹脂も樹脂層として利用することができる。これらの樹脂は、同じ種類の樹脂であっても、その樹脂に含まれる官能基の種類や量、分子量の違いにより、溶解性は変化する。アルカリ水溶液を樹脂層除去液として使用する場合には、アルカリ水溶液に対する溶解性が高い樹脂を樹脂層として使用することで、樹脂層除去液により溶解除去が可能になる。アルカリ水溶液を除去液として使用する場合、樹脂層としては酸価が1mgKOH/g以上、より好ましくは10mgKOH/g以上の樹脂を好適に用いることができる。アルカリ水溶液を除去液として使用する場合、樹脂層としては、カルボン酸基、メタクリル酸アミド、フェノール性水酸基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホンイミド基、ホスホン酸基を有する単量体を含有する共重合体、及びフェノール樹脂、キシレン樹脂等が挙げられる。具体的な例としては、スチレン/マレイン酸モノアルキルエステル共重合体、メタクリル酸/メタクリル酸エステル共重合体、スチレン/メタクリル酸/メタクリル酸エステル共重合体、アクリル酸/メタクリル酸エステル共重合体、メタクリル酸/メタクリル酸エステル/アクリル酸エステル共重合体、スチレン/メタクリル酸/アクリル酸エステル共重合体、スチレン/アクリル酸/メタクリル酸エステル共重合体、酢酸ビニル/クロトン酸共重合体、酢酸ビニル/クロトン酸/メタクリル酸エステル共重合体、安息香酸ビニル/アクリル酸/メタクリル酸エステル共重合体等のスチレン、アクリル酸アステル、メタクリル酸エステル、酢酸ビニル、安息香酸ビニルと上記カルボン酸含有単量体との共重合体が挙げられる。これらの樹脂は単独でも、あるいは2種以上を混合して用いてもよい。また、除去液に対する溶解性が確保されていれば、その他の添加剤を添加することもできる。   The resin layer according to the present invention is not particularly limited as long as it is a resin that can be dissolved and removed by the resin layer removing solution. Acrylic resin, vinyl acetate resin, vinyl chloride resin, vinylidene chloride resin, vinyl acetal resin such as polyvinyl butyral, polystyrene, polyethylene, polypropylene and its chloride, polyester resin such as polyethylene terephthalate and polyethylene isophthalate, polyamide resin, vinyl modified alkyd Resins such as resin, phenol resin, xylene resin, polyimide resin, gelatin, and cellulose ester derivatives such as carboxymethyl cellulose can be used. Moreover, the photocrosslinkable resin described below can also be used as the resin layer. Even if these resins are the same type of resin, the solubility varies depending on the type and amount of the functional groups contained in the resin and the difference in molecular weight. When using an aqueous alkali solution as the resin layer removing solution, the resin layer removing solution can be dissolved and removed by using a resin having high solubility in the aqueous alkaline solution as the resin layer. When an aqueous alkali solution is used as the removing solution, a resin having an acid value of 1 mgKOH / g or more, more preferably 10 mgKOH / g or more can be suitably used as the resin layer. When an alkaline aqueous solution is used as a removing solution, the resin layer contains a monomer having a carboxylic acid group, a methacrylic acid amide, a phenolic hydroxyl group, a sulfonic acid group, a sulfonamide group, a sulfonimide group, or a phosphonic acid group. Examples thereof include a copolymer, a phenol resin, and a xylene resin. Specific examples include styrene / maleic acid monoalkyl ester copolymer, methacrylic acid / methacrylic acid ester copolymer, styrene / methacrylic acid / methacrylic acid ester copolymer, acrylic acid / methacrylic acid ester copolymer, Methacrylic acid / methacrylic acid ester / acrylic acid ester copolymer, styrene / methacrylic acid / acrylic acid ester copolymer, styrene / acrylic acid / methacrylic acid ester copolymer, vinyl acetate / crotonic acid copolymer, vinyl acetate / Crotonic acid / methacrylic acid ester copolymer, vinyl benzoate / acrylic acid / methacrylic acid ester copolymer such as styrene, acrylic ester, methacrylate, vinyl acetate, vinyl benzoate and the above carboxylic acid-containing monomer The copolymer of these is mentioned. These resins may be used alone or in combination of two or more. Moreover, if the solubility with respect to a removal liquid is ensured, another additive can also be added.

本発明に係わる光架橋性樹脂としては、例えば、回路基板製造用の光架橋型ドライフィルムフォトレジストが挙げられる。以下に例を挙げるが、本発明の趣旨と異ならない限り何れの光架橋性樹脂層であっても適用可能である。例えば、カルボン酸基を含むバインダーポリマー、光重合性の多官能モノマー、光重合開始剤、溶剤、その他添加剤からなるネガ型の感光性樹脂組成物が使用できる。それらの配合比率は、感度、解像度、硬度、テンティング性等の要求される性質に合わせて決定される。これらの例は「フォトポリマーハンドブック」(フォトポリマー懇話会編、(株)工業調査会、1989年)や「フォトポリマー・テクノロジー」(山本亜夫、永松元太郎編、日刊工業新聞社、1988年)等に記載されている。市販品としては、例えばデュポンMRCドライフィルム株式会社のリストン、日立化成工業株式会社のフォテック、旭化成エレクトロニクス株式会社のサンフォート等を使用することができる。市販品は、光架橋性樹脂フィルムが、ポリエステルフィルム等の支持体フィルムとポリエチレンフィルム等の保護フィルムとで挟まれた状態となっている。   Examples of the photocrosslinkable resin according to the present invention include a photocrosslinkable dry film photoresist for manufacturing a circuit board. Examples will be given below, but any photocrosslinkable resin layer can be applied as long as it does not differ from the gist of the present invention. For example, a negative photosensitive resin composition comprising a binder polymer containing a carboxylic acid group, a photopolymerizable polyfunctional monomer, a photopolymerization initiator, a solvent, and other additives can be used. Their blending ratio is determined in accordance with required properties such as sensitivity, resolution, hardness, tenting property and the like. Examples of these include “Photopolymer Handbook” (edited by Photopolymer Social Society, Kogyo Kenkyukai, 1989) and “Photopolymer Technology” (edited by Yamao Ao, Nagamatsu Mototaro, Nikkan Kogyo Shimbun, 1988). It is described in. As commercial products, for example, Liston from DuPont MRC Dry Film Co., Ltd., Fotec from Hitachi Chemical Co., Ltd., Sunfort from Asahi Kasei Electronics Co., Ltd. can be used. In the commercial product, the photocrosslinkable resin film is sandwiched between a support film such as a polyester film and a protective film such as a polyethylene film.

本発明に係わるマスク層としては、樹脂層除去液若しくは光架橋性樹脂層除去液に対して不溶性又は難溶性である樹脂や金属等を使用することができる。樹脂としては、アクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリビニルブチラールの様なビニルアセタール樹脂、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン及びその塩化物、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンイソフタレート等のポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル変性アルキッド樹脂、フェノール樹脂、キシレン樹脂、ポリイミド樹脂、ゼラチン、カルボキシメチルセルロース等のセルロースエステル誘導体等の樹脂が利用できる。汎用性の点から、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂等を好適に使用することができる。金属としては、銅やアルミニウム等を使用できる。レジストパターンの形成に係わるパターン露光をマスク層を介して行う場合には、パターン露光に障害がないように、光透過性を有する樹脂を使用する。マスク層は、フィルム形状として、樹脂層と一体化して基板上に形成するようにすれば、工程上、簡便で安定に樹脂層とマスク層の形成ができるので好ましい。光架橋性樹脂として前述のドライフィルムフォトレジストを利用した場合には、その支持体フィルムをそのままマスク層とすることができるので好ましい。これらの樹脂は、同じ種類の樹脂であっても、その樹脂に含まれる官能基の種類や量、分子量の違いにより、溶解性は変化する。アルカリ水溶液を樹脂層除去液として使用する場合には、これらの樹脂のうち、アルカリ水溶液に対する溶解性の低い樹脂をマスク層として使用することで、樹脂層除去液に不溶性又は難溶性となる。アルカリ水溶液を除去液として使用する場合、マスク層の酸価は、樹脂層の酸価の十分の一以下、好ましくは百分の一以下である樹脂を好適に使用することができる。   As the mask layer according to the present invention, a resin or metal that is insoluble or hardly soluble in the resin layer removing solution or the photocrosslinkable resin layer removing solution can be used. As the resin, acrylic resin, vinyl acetate resin, vinyl chloride resin, vinylidene chloride resin, vinyl acetal resin such as polyvinyl butyral, polystyrene, polyethylene, polypropylene and its chloride, polyester resin such as polyethylene terephthalate and polyethylene isophthalate, polyamide Resins such as resins, vinyl-modified alkyd resins, phenol resins, xylene resins, polyimide resins, gelatin, and cellulose ester derivatives such as carboxymethyl cellulose can be used. From the viewpoint of versatility, a polyester resin, a polyimide resin, or the like can be preferably used. Copper, aluminum, etc. can be used as a metal. When pattern exposure related to the formation of a resist pattern is performed through a mask layer, a resin having light transparency is used so that there is no obstacle to pattern exposure. If the mask layer is formed in a film shape and integrated with the resin layer on the substrate, it is preferable because the resin layer and the mask layer can be easily and stably formed in the process. When the above-mentioned dry film photoresist is used as the photocrosslinkable resin, the support film can be used as it is as a mask layer, which is preferable. Even if these resins are the same type of resin, the solubility varies depending on the type and amount of the functional groups contained in the resin and the difference in molecular weight. When using alkaline aqueous solution as a resin layer removal liquid, it becomes insoluble or hardly soluble in resin layer removal liquid by using resin with low solubility with respect to alkaline aqueous solution among these resins as a mask layer. In the case of using an alkaline aqueous solution as the removing solution, a resin having an acid value of the mask layer that is one-tenth or less, preferably one-hundredth or less of the acid value of the resin layer can be suitably used.

本発明に係わる樹脂層除去液又は光架橋性樹脂層除去液(以下、合わせて「除去液」と呼ぶ)としては、樹脂層又は光架橋性樹脂層を溶解又は分散可能な液であり、使用する樹脂層又は光架橋性樹脂層の組成に見合った液を使用する。除去液によって、貫通孔上及び貫通孔周辺部の樹脂層又は光架橋性樹脂層を除去し、貫通孔上及び貫通孔周辺部に樹脂層又は光架橋性樹脂層の存在しない領域を形成する。貫通孔上の樹脂層又は光架橋性樹脂層の除去とは、少なくとも貫通孔の直上の樹脂層又は光架橋性樹脂層の一部が除去されて、貫通孔上に開口部が形成されている状態をいう。樹脂層又は光架橋性樹脂層の開口部において、これらの樹脂層上部の開口径は、貫通孔径よりも小さくてもよい。除去液は、マスク層は溶解しない液か、あるいは、マスク層を溶解する液であっても、樹脂層又は光架橋性樹脂層を適正量分だけ溶解する条件において、マスク層が膨潤したり、形状が変化したりすることがない液を使用する。一般的には、アルカリ水溶液が有用に使用され、例えば、ケイ酸アルカリ金属塩、アルカリ金属水酸化物、リン酸又は炭酸アルカリ金属塩、リン酸又は炭酸アンモニウム塩等の無機塩基性化合物の水溶液、エタノールアミン、エチレンジアミン、プロパンジアミン、トリエチレンテトラミン、モルホリン等の有機塩基性化合物を使用することができる。これら水溶液は、樹脂層又は光架橋性樹脂層に対する溶解性を制御するため、濃度、温度、スプレー圧等を調整する必要がある。除去液の供給は、マスク層を有する面と反対の面から、貫通孔を通して樹脂層又は光架橋性樹脂層に除去液が接触するように供給できれば、いずれの方式を用いてもよい。ディップ処理装置、両面シャワースプレー装置、片面シャワースプレー装置等を利用することができる。樹脂層又は光架橋性樹脂層の除去は、除去液による処理に続いて、水洗や酸処理を行うことによって、速やかに停止させることができる。   The resin layer removal liquid or photocrosslinkable resin layer removal liquid (hereinafter collectively referred to as “removal liquid”) according to the present invention is a liquid that can dissolve or disperse the resin layer or the photocrosslinkable resin layer. The liquid suitable for the composition of the resin layer or photocrosslinkable resin layer to be used is used. The removal liquid removes the resin layer or the photocrosslinkable resin layer on the through hole and in the periphery of the through hole, thereby forming a region where the resin layer or the photocrosslinkable resin layer does not exist on the through hole and in the periphery of the through hole. The removal of the resin layer or the photocrosslinkable resin layer on the through hole means that at least a part of the resin layer or the photocrosslinkable resin layer immediately above the through hole is removed and an opening is formed on the through hole. State. In the opening of the resin layer or the photocrosslinkable resin layer, the opening diameter of these resin layers may be smaller than the diameter of the through hole. Even if the removal liquid is a liquid that does not dissolve the mask layer, or a liquid that dissolves the mask layer, the mask layer swells under conditions that dissolve the resin layer or the photocrosslinkable resin layer by an appropriate amount, Use liquid that does not change shape. In general, an alkaline aqueous solution is usefully used, for example, an aqueous solution of an inorganic basic compound such as alkali metal silicate, alkali metal hydroxide, phosphoric acid or alkali metal carbonate, phosphoric acid or ammonium carbonate, Organic basic compounds such as ethanolamine, ethylenediamine, propanediamine, triethylenetetramine and morpholine can be used. In order to control the solubility of these aqueous solutions in the resin layer or the photocrosslinkable resin layer, it is necessary to adjust the concentration, temperature, spray pressure, and the like. The removal liquid may be supplied by any method as long as the removal liquid can be supplied from the surface opposite to the surface having the mask layer through the through-hole so that the removal liquid is in contact with the resin layer or the photocrosslinkable resin layer. A dip treatment device, a double-sided shower spray device, a single-sided shower spray device, or the like can be used. The removal of the resin layer or the photocrosslinkable resin layer can be quickly stopped by washing with water or acid treatment following the treatment with the removing solution.

本発明に係わる樹脂層又は光架橋性樹脂層とマスク層とを一体に形成する方法としては、あらかじめ、マスク層となるフィルム支持体に樹脂層又は光架橋性樹脂層を形成したドライフィルムをラミネータにより基板にラミネートする方法を好適に使用することができる。   As a method for integrally forming the resin layer or the photocrosslinkable resin layer and the mask layer according to the present invention, a dry film in which a resin layer or a photocrosslinkable resin layer is previously formed on a film support serving as a mask layer is used as a laminator. Thus, a method of laminating to a substrate can be suitably used.

本発明に係わる絶縁性基板としては、紙基材フェノール樹脂やガラス基材エポキシ樹脂の基板、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、液晶高分子フィルム等を使用することができる。導電層としては、銅、銀、金、アルミニウム、ステンレス、42アロイ、ニクロム、タングステン、ITO、導電性高分子、各種金属錯体等を使用することができる。これらの例は「プリント回路技術便覧」(社団法人日本プリント回路工業会編、日刊工業新聞社、1987年)に記載されている。   As the insulating substrate according to the present invention, a paper substrate phenol resin or glass substrate epoxy resin substrate, a polyester film, a polyimide film, a liquid crystal polymer film, or the like can be used. As the conductive layer, copper, silver, gold, aluminum, stainless steel, 42 alloy, nichrome, tungsten, ITO, conductive polymer, various metal complexes, and the like can be used. Examples of these are described in “Handbook of Printed Circuit Technology” (edited by Japan Printed Circuit Industry Association, Nikkan Kogyo Shimbun, 1987).

本発明に係わる絶縁性基板に第1導電層を設ける方法としては、スパッタリング法、蒸着法、無電解めっき法、絶縁性基板に金属箔等の極薄導電層を張り合わせる方法や、導電層を張り合わせた積層板の導電層をエッチング処理によって薄膜とする方法などがある。絶縁性基板に貫通孔を開けた後に、絶縁性基板の表面及び貫通孔の内壁に第1導電層を設けることもできるし、また、絶縁性基板表面に第1導電層を設けた後に、貫通孔をあけ、再度、表面及び貫通孔内壁に第1導電層を設けてもよい。また、第2導電層は、第1導電層に対する電解めっき法によって形成することができる。   As a method of providing the first conductive layer on the insulating substrate according to the present invention, a sputtering method, a vapor deposition method, an electroless plating method, a method of attaching an ultrathin conductive layer such as a metal foil to the insulating substrate, For example, there is a method of forming a thin film by etching the conductive layer of the laminated laminate. After the through hole is formed in the insulating substrate, the first conductive layer can be provided on the surface of the insulating substrate and the inner wall of the through hole, or after the first conductive layer is provided on the surface of the insulating substrate, the through hole is formed. You may make a hole and provide a 1st conductive layer in the surface and the inner wall of a through-hole again. The second conductive layer can be formed by an electrolytic plating method for the first conductive layer.

本発明に係わる無電解めっき処理、電解めっき処理は、例えば、「プリント回路技術便覧」(社団法人日本プリント回路工業会編、日刊工業新聞社、1987年)に記載されているものを使用することができる。   For the electroless plating treatment and the electrolytic plating treatment according to the present invention, for example, those described in "Handbook of Printed Circuit Technology" (edited by Japan Printed Circuit Industry Association, Nikkan Kogyo Shimbun, 1987) should be used. Can do.

本発明の回路基板の製造方法(5)においては、以下のように両面にレジストパターンを順次形成して、セミアディティブ工法により回路基板を製造する。レジストパターンの形成方法としては、本発明の(1)〜(4)のいずれかを利用する。   In the circuit board manufacturing method (5) of the present invention, resist patterns are sequentially formed on both sides as follows, and a circuit board is manufactured by a semi-additive method. As a method for forming a resist pattern, any one of (1) to (4) of the present invention is used.

まず絶縁性基板1(図1)に貫通孔3を形成する(図2)。次いで、絶縁性基板1の表面及び貫通孔3の内壁に第1導電層12を設ける(図3)。その後、第1面に光架橋性樹脂層25を貫通孔にテンティングするように設ける(図4)。その際、光架橋性樹脂層25上には、マスク層6が光架橋性樹脂層25と接触して形成してある。次いで、第1面と反対側にある第2面から光架橋性樹脂層除去液を供給し、第1面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層25を溶解除去する(図5)。除去液の種類と濃度、除去処理の時間と温度、スプレー使用の場合は除去液のスプレー圧、吐出量等の除去処理の条件を調整して、貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層25の除去量を調整することができ、第1導電層の露出幅をコントロールすることができる。従って、ランドレスから狭小ランド、広大ランドまでその後のランド幅のコントロールが可能となる。必要な場合には洗浄、乾燥をし、その後、第1面の光架橋性樹脂層25に対してパターン露光を行う。   First, the through hole 3 is formed in the insulating substrate 1 (FIG. 1) (FIG. 2). Next, the first conductive layer 12 is provided on the surface of the insulating substrate 1 and the inner wall of the through hole 3 (FIG. 3). Thereafter, the photocrosslinkable resin layer 25 is provided on the first surface so as to be tented in the through hole (FIG. 4). At that time, the mask layer 6 is formed on the photocrosslinkable resin layer 25 in contact with the photocrosslinkable resin layer 25. Next, a photocrosslinkable resin layer removing liquid is supplied from the second surface opposite to the first surface, and the photocrosslinkable resin layer 25 on and around the through holes on the first surface is dissolved and removed (FIG. 5). Photocrosslinkability on and around the through hole by adjusting the conditions of the removal process such as the type and concentration of the removal liquid, the time and temperature of the removal process, and the spray pressure and discharge rate of the removal liquid in the case of spraying. The removal amount of the resin layer 25 can be adjusted, and the exposed width of the first conductive layer can be controlled. Therefore, it is possible to control the land width thereafter from the landless to the narrow land and the wide land. If necessary, washing and drying are performed, and then pattern exposure is performed on the photocrosslinkable resin layer 25 on the first surface.

パターン露光は、レーザ直接描画、フォトマスクを介した密着露光、プロキシミティ露光、投影露光等によって行われる。光源としては、各種レーザ光源の他、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ等を使用することができる。このパターン露光により、非回路部の光架橋性樹脂を硬化させる(図6)。   Pattern exposure is performed by laser direct drawing, contact exposure through a photomask, proximity exposure, projection exposure, or the like. As the light source, in addition to various laser light sources, an ultrahigh pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, a metal halide lamp, a xenon lamp, or the like can be used. By this pattern exposure, the photocrosslinkable resin in the non-circuit portion is cured (FIG. 6).

第1面に施したのと同様な方法で、第2面にも光架橋性樹脂層25及びマスク層6を形成する(図7)。第1面のマスク層6を除去した後(図8)、再度、光架橋性樹脂層除去液による処理を行う。少なくとも第1面より除去液を供給するようにし、第1面表面の未硬化光架橋性樹脂層25を溶解除去するとともに、貫通孔を通して、第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層25を溶解除去する(図9)。この際、第1面の処理と同様にして、第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層25の除去量を調整することができ、第1導電層12の露出幅をコントロールすることができる。必要な場合には洗浄、乾燥をし、その後、第2面の光架橋性樹脂層25に対してパターン露光を行って、非回路部の光架橋性樹脂を硬化させる(図10)。   The photocrosslinkable resin layer 25 and the mask layer 6 are also formed on the second surface by the same method as that applied to the first surface (FIG. 7). After removing the mask layer 6 on the first surface (FIG. 8), the treatment with the photocrosslinkable resin layer removing liquid is performed again. The removal liquid is supplied from at least the first surface, and the uncured photocrosslinkable resin layer 25 on the surface of the first surface is dissolved and removed, and the light on the through holes on the second surface and the periphery of the through holes is passed through the through holes. The crosslinkable resin layer 25 is dissolved and removed (FIG. 9). At this time, similarly to the treatment of the first surface, the removal amount of the photocrosslinkable resin layer 25 on the through hole of the second surface and the peripheral portion of the through hole can be adjusted, and the exposed width of the first conductive layer 12 can be adjusted. Can be controlled. If necessary, the photocrosslinkable resin layer 25 on the second surface is subjected to pattern exposure to cure and dry the photocrosslinkable resin in the non-circuit portion (FIG. 10).

第1面のマスク層の除去は、第1面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層の除去工程の後であれば、第2面の光架橋性樹脂層及びマスク層の形成以前に行ってもよい。第2面の光架橋性樹脂層及びマスク層の形成時に、第1面の損傷、汚染の可能性がある場合には、第2面の光架橋性樹脂層及びマスク層の形成の後に第1面のマスク層の除去を行った方が、パターン露光後の第1面をマスク層により保護できるので好ましい。一方、第1面からの光架橋性樹脂層除去液の処理の後、マスク層を除去してから、乾燥、露光等を行うこともできる。さらに、第1面の未硬化光架橋性樹脂層を除去した後、第2面の光架橋性樹脂層及びマスク層の形成を行い、次いで、第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去してもよい。   If the removal of the mask layer on the first surface is after the step of removing the photocrosslinkable resin layer on the through hole on the first surface and in the periphery of the through hole, the photocrosslinkable resin layer and the mask layer on the second surface are removed. You may carry out before formation. If there is a possibility of damage or contamination of the first surface during the formation of the photocrosslinkable resin layer and the mask layer on the second surface, the first after the formation of the photocrosslinkable resin layer and the mask layer on the second surface. It is preferable to remove the mask layer on the surface because the first surface after pattern exposure can be protected by the mask layer. On the other hand, after the treatment of the photocrosslinkable resin layer removing liquid from the first surface, the mask layer is removed, and then drying, exposure, and the like can be performed. Further, after removing the uncured photocrosslinkable resin layer on the first surface, the photocrosslinkable resin layer and the mask layer on the second surface are formed, and then on the through holes on the second surface and the periphery of the through holes. The photocrosslinkable resin layer may be removed.

パターン露光された第2面のマスク層6を除去した後(図11)、光架橋性樹脂層除去液による処理を行う。少なくとも第2面より除去液を供給するようにし、第2面の表面の未硬化光架橋性樹脂層25を溶解除去する(図12)。   After the pattern-exposed mask layer 6 on the second surface is removed (FIG. 11), a treatment with a photocrosslinkable resin layer removing solution is performed. The removal liquid is supplied at least from the second surface, and the uncured photocrosslinkable resin layer 25 on the surface of the second surface is dissolved and removed (FIG. 12).

これにより、第1面、第2面両面に、めっきレジスト層として機能する硬化した光架橋性樹脂26からなるレジストパターンを形成することができる。次いで、露出している第1導電層12上に電解めっき処理により第2導電層13を形成(図13)し、その後、第1面及び第2面の硬化光架橋性樹脂層26を除去(図14)し、露出したままの第1導電層12をフラッシュエッチングすることにより、ランドレス又は狭小ランド幅を有する回路基板を製造することができる(図15)。   Thereby, the resist pattern which consists of the hardened | cured photocrosslinkable resin 26 which functions as a plating resist layer can be formed in a 1st surface and 2nd surface both surfaces. Next, the second conductive layer 13 is formed on the exposed first conductive layer 12 by electrolytic plating (FIG. 13), and then the cured photocrosslinkable resin layer 26 on the first surface and the second surface is removed ( 14), and the first conductive layer 12 that is exposed can be flash-etched to produce a circuit board having a landless or narrow land width (FIG. 15).

本発明の回路基板の製造方法において、めっきレジスト層として使用した硬化光架橋性樹脂層を除去する方法としては、高pHのアルカリ性水溶液、有機溶剤等で除去する方法が挙げられる。   In the method for producing a circuit board of the present invention, examples of a method for removing the cured photocrosslinkable resin layer used as the plating resist layer include a method for removing with a high pH alkaline aqueous solution, an organic solvent, and the like.

本発明に係わる第1導電層のフラッシュエッチングに使用するエッチング液は、第1導電層12を溶解除去できるものであればよい。例えば、アルカリ性アンモニア、硫酸−過酸化水素、塩化第二銅、過硫酸塩、塩化第二鉄等の一般的なエッチング液を使用できる。また、装置や方法としては、例えば、水平スプレーエッチング、浸漬エッチング等の装置や方法を使用できる。これらの詳細は、「プリント回路技術便覧」(社団法人日本プリント回路工業会編、日刊工業新聞社、1987年)に記載されている。   The etchant used for flash etching of the first conductive layer according to the present invention may be any solution that can dissolve and remove the first conductive layer 12. For example, common etching solutions such as alkaline ammonia, sulfuric acid-hydrogen peroxide, cupric chloride, persulfate, and ferric chloride can be used. Moreover, as an apparatus and a method, apparatuses and methods, such as horizontal spray etching and immersion etching, can be used, for example. These details are described in “Printed Circuit Technology Handbook” (edited by Japan Printed Circuit Industry Association, Nikkan Kogyo Shimbun, 1987).

図16は、本発明の回路基板のランド部及び回路部を示す平面概略図である。本発明に係わるランド部導電層とは、ランドを形成する導電層であり、図16中の符号「18」で示す領域である。また、本発明に係わる回路部導電層とは、貫通孔、ランド以外の表面に回路形成された配線を構成する導電層であり、図16中の符号「28」で示す領域である。   FIG. 16 is a schematic plan view showing a land portion and a circuit portion of the circuit board of the present invention. The land portion conductive layer according to the present invention is a conductive layer forming a land, and is a region indicated by reference numeral “18” in FIG. Further, the circuit portion conductive layer according to the present invention is a conductive layer constituting wiring formed on the surface other than the through hole and the land, and is a region indicated by reference numeral “28” in FIG.

また、本発明に係わるランドの回路部導電層との非連結部とは、ランド部導電層のうち回路部導電層と接していない領域である。   Further, the non-connection portion of the land according to the present invention with the circuit portion conductive layer is a region of the land portion conductive layer that is not in contact with the circuit portion conductive layer.

本発明に係わるランド部導電層の外側面の傾斜角度、及び、回路部導電層の側面の傾斜角度について、図16〜図18を用いて以下に説明する。   The inclination angle of the outer side surface of the land portion conductive layer and the inclination angle of the side surface of the circuit portion conductive layer according to the present invention will be described below with reference to FIGS.

図17(a)は、図16の線Bにおける概略断面図であり、図18(a)は、図16の線Cにおける概略断面図である。図17(a)は、ランドの回路部導電層との非連結部のランド部導電層18の断面を表しており、ランド部導電層の外側面の傾斜角度αとは、ランド部導電層頂端部18aとランド部導電層底端部18bとを結ぶ線分と絶縁性基板1の表面とがなす角度であって、導電層を挟む側の角度を意味する。ここでランド部導電層底端部18bは、図17(a)に示すように、ランド部導電層18が絶縁性基板1と接する面の外周輪郭部分である。   17A is a schematic cross-sectional view taken along line B in FIG. 16, and FIG. 18A is a schematic cross-sectional view taken along line C in FIG. FIG. 17A shows a cross section of the land portion conductive layer 18 that is not connected to the circuit portion conductive layer of the land, and the inclination angle α of the outer surface of the land portion conductive layer is the top of the land portion conductive layer. An angle formed by a line segment connecting the portion 18a and the land portion conductive layer bottom end portion 18b and the surface of the insulating substrate 1, and means an angle on the side sandwiching the conductive layer. Here, the land portion conductive layer bottom end portion 18b is an outer peripheral contour portion of the surface where the land portion conductive layer 18 is in contact with the insulating substrate 1, as shown in FIG.

図18(a)は、回路部導電層28の断面を表しており、回路部導電層の側面の傾斜角度βとは、回路部導電層頂端部28aと回路部導電層底端部28bとを結ぶ線分と絶縁性基板1の表面とがなす角度であって、導電層を挟む側の角度を意味する。ここで回路部導電層底端部28bは、図18(a)に示すように、回路部導電層28が絶縁性基板1と接する面の輪郭部分である。   FIG. 18A shows a cross section of the circuit unit conductive layer 28. The inclination angle β of the side surface of the circuit unit conductive layer is defined as the circuit unit conductive layer top end portion 28a and the circuit unit conductive layer bottom end portion 28b. The angle formed by the connecting line segment and the surface of the insulating substrate 1 means the angle on the side sandwiching the conductive layer. Here, the circuit portion conductive layer bottom end portion 28b is a contour portion of the surface where the circuit portion conductive layer 28 is in contact with the insulating substrate 1, as shown in FIG.

なお図17においては、ランド部導電層の外側面の傾斜角度αが90度よりも小さい場合(図17(a))に加えて、比較のために、ランド部導電層の外側面の傾斜角度αが略90度の場合(図17(b))、ランド部導電層の外側面の傾斜角度αが90度より大きい場合(図17(c))のランド部導電層の断面についても示している。また、図18においても、回路部導電層の側面の傾斜角度βが略90度の場合(図18(a))に加えて、比較のために、回路部導電層の側面の傾斜角度βが90度より大きい場合(図18(b))、回路部導電層の側面の傾斜角度βが90度よりも小さい場合(図18(c))の回路部導電層の断面についても示している。なおここで、「略90度」とは、85〜95度をいう。   In FIG. 17, in addition to the case where the inclination angle α of the outer surface of the land portion conductive layer is smaller than 90 degrees (FIG. 17A), the inclination angle of the outer surface of the land portion conductive layer for comparison. When α is approximately 90 degrees (FIG. 17B), the cross section of the land conductive layer when the inclination angle α of the outer surface of the land conductive layer is greater than 90 degrees (FIG. 17C) is also shown. Yes. Also in FIG. 18, in addition to the case where the inclination angle β of the side surface of the circuit unit conductive layer is approximately 90 degrees (FIG. 18A), for the sake of comparison, the inclination angle β of the side surface of the circuit unit conductive layer is A cross section of the circuit portion conductive layer when the inclination angle β of the side surface of the circuit portion conductive layer is smaller than 90 degrees (FIG. 18C) when it is larger than 90 degrees (FIG. 18B) is also shown. Here, “approximately 90 degrees” refers to 85 to 95 degrees.

通常、回路部導電層の断面形状は、良好な信号の伝達速度を得るためには、矩形がよいと考えられていたが、従来の回路基板の製造方法では、回路部導電層の形状を矩形としながら、ランド部導電層の頂端部の形状を変更することは難しかった。しかるに、本発明の回路基板においては、回路部導電層の断面形状を矩形、すなわち回路部導電層の側面の傾斜角度を略90度としたまま、図17(a)に示すように、貫通孔に対して同心円状に連続して貫通孔周辺部に形成された、ランド部導電層の回路部導電層との非連結部における外側面の傾斜角度αを90度より小さくする。   In general, the cross-sectional shape of the circuit portion conductive layer is considered to be rectangular in order to obtain a good signal transmission speed. However, in the conventional circuit board manufacturing method, the shape of the circuit portion conductive layer is rectangular. However, it has been difficult to change the shape of the top end portion of the land portion conductive layer. However, in the circuit board of the present invention, as shown in FIG. 17A, the cross-sectional shape of the circuit part conductive layer is rectangular, that is, the inclination angle of the side surface of the circuit part conductive layer is approximately 90 degrees. On the other hand, the inclination angle α of the outer surface at the non-connection portion of the land portion conductive layer and the circuit portion conductive layer formed concentrically and continuously in the periphery of the through hole is made smaller than 90 degrees.

すなわち本発明の回路基板は、ランド部導電層18の外側面の傾斜角度αと回路部導電層28の側面の傾斜角度βとが異なり、回路部導電層の側面の傾斜角度βが略90度であり、ランド部導電層の外側面の傾斜角度αが90度より小さい回路基板である。このような回路基板のランド部導電層18及び回路部導電層28の断面形状を採用することにより、ソルダーレジストの頂端部での厚みが表面張力及びソルダーレジストの硬化収縮が原因となって極端に薄くなるという問題が発生せずに良好なソルダーレジストの付与できるという好効果を有しつつ、回路部導電層の信号の伝達速度を良好に保つことができる。ランド部導電層の外側面の傾斜角度αは、30度から80度の範囲が好ましく、60度から80度の範囲がより好ましい。   That is, in the circuit board of the present invention, the inclination angle α of the outer surface of the land portion conductive layer 18 and the inclination angle β of the side surface of the circuit portion conductive layer 28 are different, and the inclination angle β of the side surface of the circuit portion conductive layer is approximately 90 degrees. In this circuit board, the inclination angle α of the outer surface of the land portion conductive layer is smaller than 90 degrees. By adopting the cross-sectional shapes of the land portion conductive layer 18 and the circuit portion conductive layer 28 of such a circuit board, the thickness at the top end portion of the solder resist is extremely caused by the surface tension and the curing shrinkage of the solder resist. The signal transmission speed of the circuit layer conductive layer can be kept good while having a favorable effect that a good solder resist can be applied without causing the problem of thinning. The inclination angle α of the outer surface of the land portion conductive layer is preferably in the range of 30 degrees to 80 degrees, and more preferably in the range of 60 degrees to 80 degrees.

ランド部導電層の外側面の傾斜角度αは、電解めっきによるめっき厚のほか、光架橋性樹脂層の膜厚、光架橋性樹脂層除去液による光架橋性樹脂層の除去条件によって変化する。例えば、光架橋性樹脂層の除去条件が同一であれば、電解めっきによるめっき厚が厚いほど、ランド部導電層の外側面の傾斜角度αは小さくなる。また、光架橋性樹脂層の除去条件が同一であれば、光架橋性樹脂層の膜厚が厚いほど、ランド部導電層の外側面の傾斜角度αは小さくなる。しかしながら、光架橋性樹脂層の除去条件の最適化がランド部導電層の外側面の傾斜角度αを小さくするのにも有効である。光架橋性樹脂層除去液による除去を大きくしてランド幅を広くすると、ランド部導電層の外側面の傾斜角度は大きくなり90度に近づく方向に変化し、より狭いランド幅を形成する条件ほど、ランド部導電層の外側面の傾斜角度αは小さくなる。光架橋性樹脂層の除去量は、前述のとおり、除去液の種類と濃度、除去処理の時間と温度、スプレー使用の場合は除去液のスプレー圧、吐出量等の除去処理の条件を調整して制御する。本発明の回路基板の製造方法によりランドレス又は狭小ランド幅を形成することにより、良好なランド部導電層の外側面の傾斜角度を持った回路基板が得られる。本発明の回路基板の製造方法において、樹脂層又は光架橋性樹脂層の除去条件は、これらの樹脂層の厚さに依存するが、例えば光架橋性樹脂層の厚さが20〜30μmの場合、好ましい除去条件は、除去液として1質量%の炭酸ナトリウム溶液を用い、除去温度30℃、処理時間20〜60秒、スプレー圧0.1〜0.3MPaである。   The inclination angle α of the outer surface of the land portion conductive layer varies depending on the thickness of the photocrosslinkable resin layer and the removal condition of the photocrosslinkable resin layer with the photocrosslinkable resin layer removing liquid, in addition to the plating thickness by electrolytic plating. For example, if the removal conditions of the photocrosslinkable resin layer are the same, the inclination angle α of the outer surface of the land portion conductive layer decreases as the plating thickness by electrolytic plating increases. If the removal conditions for the photocrosslinkable resin layer are the same, the inclination angle α of the outer surface of the land portion conductive layer becomes smaller as the photocrosslinkable resin layer is thicker. However, optimization of the removal conditions for the photocrosslinkable resin layer is also effective in reducing the inclination angle α of the outer surface of the land conductive layer. When the removal by the photocrosslinkable resin layer removing liquid is increased to widen the land width, the inclination angle of the outer surface of the land portion conductive layer increases and changes in a direction approaching 90 degrees. The inclination angle α of the outer surface of the land portion conductive layer becomes small. As described above, the removal amount of the photocrosslinkable resin layer is adjusted by adjusting the removal treatment conditions such as the type and concentration of the removal solution, the removal treatment time and temperature, and the spray pressure of the removal solution and the discharge amount when using the spray. Control. By forming the landless or narrow land width by the circuit board manufacturing method of the present invention, a circuit board having a good inclination angle of the outer surface of the land portion conductive layer can be obtained. In the method for producing a circuit board of the present invention, the removal condition of the resin layer or the photocrosslinkable resin layer depends on the thickness of these resin layers. For example, when the thickness of the photocrosslinkable resin layer is 20 to 30 μm The preferable removal conditions are a 1% by mass sodium carbonate solution as the removal solution, a removal temperature of 30 ° C., a treatment time of 20 to 60 seconds, and a spray pressure of 0.1 to 0.3 MPa.

以下実施例によって本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples. However, the present invention is not limited to these examples.

ガラス基材エポキシ樹脂基板(面積340mm×510mm、基材厚み0.1mm)に、0.1mmφの貫通孔をドリル加工機を使用して開けた後、デスミア処理を施し、次いで無電解めっき処理を行い、貫通孔内壁を含む表面に厚さ約0.5μmの無電解銅めっき層を第1導電層として設けた。ドライフィルムフォトレジスト用ラミネータを用いて、25μmの光架橋性樹脂層及び12μmのマスク層(支持体フィルム、材質:ポリエステル)よりなる、回路形成用ドライフィルムフォトレジストを基板の片面(第1面とする)に熱圧着し、光架橋性樹脂層及びマスク層(支持体フィルム)を設けた。   A glass substrate epoxy resin substrate (area 340 mm x 510 mm, substrate thickness 0.1 mm) is drilled with a 0.1 mmφ through-hole using a drilling machine, then desmeared, and then electroless plated. Then, an electroless copper plating layer having a thickness of about 0.5 μm was provided as a first conductive layer on the surface including the inner wall of the through hole. Using a laminator for dry film photoresist, a dry film photoresist for circuit formation consisting of a 25 μm photocrosslinkable resin layer and a 12 μm mask layer (support film, material: polyester) is applied to one side (first side and And a photo-crosslinkable resin layer and a mask layer (support film).

次に、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)の除去液を用いて、基板の第2面側よりスプレー圧0.2MPaでシャワースプレーを32秒間当てて、第1面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を溶解除去した。貫通孔及び貫通孔周辺部を光学顕微鏡で観察したところ、貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層は、貫通孔と同心円状に除去されていた。図19に示す貫通孔についての各種パラメータは、穴開け加工時の貫通孔径L1=100μm、めっき加工時の貫通孔径L2=99μm、光架橋性樹脂層除去部の径L3=139μm、光架橋性樹脂層上部の径L4=121μmであった。なお、光架橋性樹脂層除去部の径L3は、光架橋性樹脂層が第1導電層と接する部分での開口径を測定し、光架橋性樹脂層上部の径L4は、光架橋性樹脂層がマスク層と接する部分での開口部を測定した。   Next, using a 1% by mass aqueous solution of sodium carbonate (30 ° C.), shower spray was applied for 32 seconds from the second surface side of the substrate at a spray pressure of 0.2 MPa, and the first surface was penetrated on and through the through holes. The photocrosslinkable resin layer around the hole was dissolved and removed. When the through hole and the periphery of the through hole were observed with an optical microscope, the photocrosslinkable resin layer in the periphery of the through hole was removed concentrically with the through hole. The various parameters for the through-hole shown in FIG. 19 are as follows: through-hole diameter L1 = 100 μm during drilling, through-hole diameter L2 = 99 μm during plating, photocrosslinkable resin layer removal portion diameter L3 = 139 μm, photocrosslinkable resin The diameter L4 at the top of the layer was 121 μm. In addition, the diameter L3 of the photocrosslinkable resin layer removing portion is measured by the opening diameter at the portion where the photocrosslinkable resin layer is in contact with the first conductive layer, and the diameter L4 above the photocrosslinkable resin layer is the photocrosslinkable resin. The opening at the part where the layer was in contact with the mask layer was measured.

回路パターンを描画したフォトマスク(導体幅及び間隙:35μm)を基板の第1面に載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置(ユニレックURM300、ウシオ電機製)を用いて、30秒間紫外線パターン露光を行った。   A photomask (conductor width and gap: 35 μm) on which a circuit pattern is drawn is placed on the first surface of the substrate, and a high pressure mercury lamp light source device for printing (Unirec URM300, manufactured by Ushio Inc.) having a suction adhesion mechanism is used for 30 seconds. Pattern exposure was performed.

次いで、露光処理が終了した基板の第2面に、ドライフィルムフォトレジスト用ラミネータを用いて、第1面と同一の回路形成用ドライフィルムフォトレジストを熱圧着して、光架橋性樹脂層及びマスク層を設けた。その後、第1面のマスク層を剥がして除去した。   Next, using the dry film photoresist laminator on the second surface of the substrate after the exposure processing, the same circuit forming dry film photoresist as that on the first surface is thermocompression-bonded to form a photocrosslinkable resin layer and a mask. A layer was provided. Thereafter, the mask layer on the first surface was peeled off and removed.

次に、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)の除去液を用いて、基板の第1面側よりスプレー圧0.2MPaでシャワースプレーを33秒間当てて、第1面の光架橋性樹脂層の未硬化部分を除去するとともに第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を溶解除去した。第2面の貫通孔及び貫通孔周辺部を光学顕微鏡で観察したところ、貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層は、貫通孔と同心円状に除去されていた。穴開け加工時の貫通孔径L1=100μm、めっき加工時の貫通孔径L2=99μm、光架橋性樹脂層除去部の径L3=139μm、光架橋性樹脂層上部の径L4=121μmであった。   Next, using a removing solution of 1% by mass sodium carbonate aqueous solution (30 ° C.), shower spray was applied for 33 seconds from the first surface side of the substrate at a spray pressure of 0.2 MPa to form a photocrosslinkable resin layer on the first surface. The uncured portion was removed, and the photocrosslinkable resin layer on the through hole on the second surface and in the periphery of the through hole was dissolved and removed. When the through hole on the second surface and the periphery of the through hole were observed with an optical microscope, the photocrosslinkable resin layer in the periphery of the through hole was removed concentrically with the through hole. The through-hole diameter L1 at the time of drilling was 100 μm, the through-hole diameter L2 at the time of plating was 99 μm, the diameter L3 of the photocrosslinkable resin layer removal portion was 139 μm, and the upper diameter L4 of the photocrosslinkable resin layer was 121 μm.

回路パターンを描画したフォトマスク(導体幅及び間隙:35μm)を基板の第2面に載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置(ユニレックURM300、ウシオ電機製)を用いて、30秒間紫外線パターン露光を行った。その後、第2面のマスク層を剥がして除去した。   A photomask (conductor width and gap: 35 μm) on which a circuit pattern is drawn is placed on the second surface of the substrate, and a high pressure mercury lamp light source device for baking (Unirec URM300, manufactured by USHIO) is used for 30 seconds with ultraviolet light. Pattern exposure was performed. Thereafter, the mask layer on the second surface was peeled off and removed.

次に、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)の除去液を用いて、基板の第2面側よりスプレー圧0.2MPaでシャワースプレーを25秒間当てて、第2面の光架橋性樹脂層の部分を除去した。   Next, using a 1% by mass aqueous solution of sodium carbonate (30 ° C.), a shower spray was applied for 25 seconds from the second surface side of the substrate at a spray pressure of 0.2 MPa, and the photocrosslinkable resin layer on the second surface The part of was removed.

第1面、第2面の光架橋性樹脂からなるレジストパターンを観察した結果、貫通孔及び貫通孔周辺部には、同心円状に精度良く第1導電層が露出されるようにレジストパターンが形成されており、基板表面のレジストパターンも、良好に形成されていた。   As a result of observing the resist pattern made of the photocrosslinkable resin on the first surface and the second surface, a resist pattern is formed in the through hole and the periphery of the through hole so that the first conductive layer is accurately exposed concentrically. The resist pattern on the substrate surface was also formed well.

次いで、電解銅めっきを行って、第1導電層上に厚さ約12μmの電解銅めっき層を、第2導電層として形成した。続いて、3質量%の水酸化ナトリウム水溶液で処理し、めっきレジスト層として使用した光架橋性樹脂の架橋部を剥離除去した。   Next, electrolytic copper plating was performed to form an electrolytic copper plating layer having a thickness of about 12 μm on the first conductive layer as the second conductive layer. Then, it processed with 3 mass% sodium hydroxide aqueous solution, and peeled and removed the bridge | crosslinking part of the photocrosslinkable resin used as a plating resist layer.

さらに、硫酸−過酸化水素系のエッチング液(三菱ガス化学製、製品名CPE、30℃、スプレー圧 0.2MPa)で処理し、露出している第1導電層を除去した。得られた回路基板を光学顕微鏡で観察したところ、ランドは貫通孔と同心円状に形成されていた。図20に示すフラッシュエッチング後の貫通孔径L5=76μm、ランド径L6=138μm、ランド幅は19μmであった。回路基板に断線はなく、良好な狭小ランド幅を持った回路基板の作製ができた。また、この回路基板にソルダーレジストの付与を行ったところ、ランド部導電層頂端部においても、ソルダーレジストの厚みが極端に薄くなるような問題が発生せずに、良好にソルダーレジストの付与が行われた。   Furthermore, it processed with the sulfuric acid-hydrogen peroxide type etching liquid (Mitsubishi Gas Chemical make, product name CPE, 30 degreeC, spray pressure 0.2MPa), and the exposed 1st conductive layer was removed. When the obtained circuit board was observed with an optical microscope, the lands were formed concentrically with the through holes. The through hole diameter L5 after flash etching shown in FIG. 20 was 76 μm, the land diameter L6 was 138 μm, and the land width was 19 μm. There was no disconnection in the circuit board, and a circuit board with a good narrow land width could be produced. In addition, when the solder resist was applied to the circuit board, the solder resist was satisfactorily applied without causing the problem that the thickness of the solder resist becomes extremely thin at the top end portion of the land conductive layer. It was broken.

また、この回路基板の断面の観察を行い、ランド径の調査を詳細に行った結果、ランドのボトム(絶縁性基板との接触面)でのランド端部でのランド径L6は138μm、ランドのトップ(ランド部導電層の最も高い部分の輪郭)でのランド頂端部のランド径L7は129μmで、ランド部導電層の外側面の傾斜角度αは70度であった。また、回路部導電層の断面形状は、配線のトップの線幅、ボトムの線幅ともに34μmであり、回路部導電層の側面の傾斜角度βは90度であった。   Further, the cross section of the circuit board was observed and the land diameter was examined in detail. As a result, the land diameter L6 at the land end at the bottom of the land (contact surface with the insulating substrate) was 138 μm. The land diameter L7 at the top end of the land at the top (the contour of the highest portion of the land portion conductive layer) was 129 μm, and the inclination angle α of the outer surface of the land portion conductive layer was 70 degrees. The cross-sectional shape of the circuit part conductive layer was 34 μm for both the top line width and the bottom line width of the wiring, and the inclination angle β of the side surface of the circuit part conductive layer was 90 degrees.

実施例1において、第1面及び第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を溶解除去する際に、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)の除去液を用いた処理時間を第1面では26秒間、第2面では28秒間と短く設定した点以外は、実施例1と同様にして回路基板の作製をおこなった。   In Example 1, when removing the photocrosslinkable resin layer on the through-holes on the first surface and the second surface and around the through-holes, a removal solution of 1% by mass sodium carbonate aqueous solution (30 ° C.) was used. A circuit board was fabricated in the same manner as in Example 1 except that the processing time was set to 26 seconds on the first surface and 28 seconds on the second surface.

電解銅めっきを行う直前の貫通孔及び貫通孔周辺部を第1面、第2面それぞれ光学顕微鏡で観察したところ、貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層は、貫通孔と同心円状に除去されており、穴開け加工時の貫通孔径L1=100μm、めっき加工時の貫通孔径L2=99μm、光架橋性樹脂層除去部の径L3=115μm、光架橋性樹脂層上部の径L4=86μmであった。   When the through hole just before electrolytic copper plating and the peripheral part of the through hole were observed with an optical microscope on each of the first and second surfaces, the photocrosslinkable resin layer on the peripheral part of the through hole was removed concentrically with the through hole. The through hole diameter L1 at the time of drilling is 100 μm, the through hole diameter at the time of plating is L2 = 99 μm, the diameter L3 of the photocrosslinkable resin layer removal portion is 115 μm, and the diameter L4 of the upper portion of the photocrosslinkable resin layer is 86 μm. It was.

実施例1と同様の処理を行い、フラッシュエッチング処理後に得られた回路基板を光学顕微鏡で観察したところ、ランドは貫通孔と同心円状に除去されており、フラッシュエッチング後の貫通孔径L5=76μm、ランド径L6=114μm、ランド幅は7μmであった。回路基板に断線はなく、良好な狭小ランド幅を持った回路基板の作製ができた。また、この回路基板にソルダーレジストの付与を行ったところ、ランド部導電層頂端部においても、ソルダーレジストの厚みが極端に薄くなるような問題が発生せずに、良好にソルダーレジストの付与が行われた。   The same processing as in Example 1 was performed, and the circuit board obtained after the flash etching treatment was observed with an optical microscope. The lands were removed concentrically with the through holes, and the through hole diameter L5 after flash etching was 76 μm. The land diameter L6 = 114 μm and the land width was 7 μm. There was no disconnection in the circuit board, and a circuit board with a good narrow land width could be produced. In addition, when the solder resist was applied to the circuit board, the solder resist was satisfactorily applied without causing the problem that the thickness of the solder resist becomes extremely thin at the top end portion of the land conductive layer. It was broken.

また、この回路基板の断面の観察を行い、ランド径を詳細に調査を行った結果、ランドのボトム(絶縁性基板との接触面)でのランド端部でのランド径L6は114μm、ランドのトップ(ランド導電層の最も高い部分の輪郭)でのランド頂端部のランド径L7は100μmで、ランド部導電層の外側面の傾斜角度αは60度であった。また、回路部導電層の断面形状は、配線のトップの線幅、ボトムの線幅ともに34μmであり、回路部導電層の側面の傾斜角度βは90度であった。   Further, the cross section of the circuit board was observed and the land diameter was examined in detail. As a result, the land diameter L6 at the land end portion at the bottom of the land (contact surface with the insulating substrate) was 114 μm. The land diameter L7 at the top end of the land at the top (the contour of the highest portion of the land conductive layer) was 100 μm, and the inclination angle α of the outer surface of the land conductive layer was 60 degrees. The cross-sectional shape of the circuit part conductive layer was 34 μm for both the top line width and the bottom line width of the wiring, and the inclination angle β of the side surface of the circuit part conductive layer was 90 degrees.

実施例1において、第1面及び第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を溶解除去する際に、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)の除去液を用いた処理時間を第1面、第2面ともに50秒間と長く設定した点以外は、実施例1と同様にして回路基板の作製をおこなった。   In Example 1, when removing the photocrosslinkable resin layer on the through-holes on the first surface and the second surface and around the through-holes, a removal solution of 1% by mass sodium carbonate aqueous solution (30 ° C.) was used. A circuit board was fabricated in the same manner as in Example 1 except that the processing time was set to be as long as 50 seconds for both the first and second surfaces.

電解銅めっきを行う直前の貫通孔及び貫通孔周辺部を第1面、第2面それぞれ光学顕微鏡で観察したところ、貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層は、貫通孔と同心円状に除去されており、穴開け加工時の貫通孔径L1=100μm、めっき加工時の貫通孔径L2=99μm、光架橋性樹脂層除去部の径L3=149μm、光架橋性樹脂層上部の径L4=140μmであった。   When the through hole just before electrolytic copper plating and the peripheral part of the through hole were observed with an optical microscope on each of the first and second surfaces, the photocrosslinkable resin layer on the peripheral part of the through hole was removed concentrically with the through hole. The through hole diameter L1 at the time of drilling processing is 100 μm, the through hole diameter L2 at the time of plating processing is 99 μm, the diameter L3 of the photocrosslinkable resin layer removal portion is 149 μm, and the upper diameter L4 of the photocrosslinkable resin layer is 140 μm. It was.

実施例1と同様の処理を行い、フラッシュエッチング処理後に得られた回路基板を光学顕微鏡で観察したところ、ランドは貫通孔と同心円状に除去されており、フラッシュエッチング後の貫通孔径L5=76μm、ランド径L6=148μm、ランド幅は24μmであった。回路基板に断線はなく、良好な狭小ランド幅を持った回路基板の作製ができた。また、この回路基板にソルダーレジストの付与を行ったところ、ランド部導電層頂端部においても、ソルダーレジストの厚みが極端に薄くなるような問題が発生せずに、良好にソルダーレジストの付与が行われた。   The same processing as in Example 1 was performed, and the circuit board obtained after the flash etching treatment was observed with an optical microscope. The lands were removed concentrically with the through holes, and the through hole diameter L5 after flash etching was 76 μm. The land diameter L6 = 148 μm and the land width was 24 μm. There was no disconnection in the circuit board, and a circuit board with a good narrow land width could be produced. In addition, when the solder resist was applied to the circuit board, the solder resist was satisfactorily applied without causing the problem that the thickness of the solder resist becomes extremely thin at the top end portion of the land conductive layer. It was broken.

また、この回路基板の断面の観察を行い、ランド径を詳細に調査を行った結果、ランドのボトム(絶縁性基板との接触面)でのランド端部でのランド径L6は148μm、ランドのトップ(ランド導電層の最も高い部分の輪郭)でのランド頂端部のランド径L7は144μmで、ランド部導電層の外側面の傾斜角度αは80度であった。また、回路部導電層の断面形状は、配線のトップの線幅、ボトムの線幅ともに34μmであり、回路部導電層の側面の傾斜角度βは90度であった。   Further, the cross section of the circuit board was observed and the land diameter was examined in detail. As a result, the land diameter L6 at the end of the land at the bottom of the land (contact surface with the insulating substrate) was 148 μm. The land diameter L7 at the top end of the land at the top (the contour of the highest portion of the land conductive layer) was 144 μm, and the inclination angle α of the outer surface of the land conductive layer was 80 degrees. The cross-sectional shape of the circuit part conductive layer was 34 μm for both the top line width and the bottom line width of the wiring, and the inclination angle β of the side surface of the circuit part conductive layer was 90 degrees.

実施例1において、40μmの光架橋性樹脂層及び12μmのマスク層(支持体フィルム、材質:ポリエステル)よりなる回路形成用ドライフィルムフォトレジストを用い、第1面及び第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を溶解除去する際に、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)の除去液を用いた処理時間を第1面、第2面ともに88秒間と長く設定した点以外は、実施例1と同様にして回路基板の作製をおこなった。   In Example 1, using a dry film photoresist for circuit formation composed of a 40 μm photocrosslinkable resin layer and a 12 μm mask layer (support film, material: polyester), on the through holes on the first surface and the second surface, When dissolving and removing the photocrosslinkable resin layer around the through-hole, the treatment time using the removal solution of 1% by mass sodium carbonate aqueous solution (30 ° C.) was set to 88 seconds for both the first and second surfaces. A circuit board was produced in the same manner as in Example 1 except for the above point.

電解銅めっきを行う直前の貫通孔及び貫通孔周辺部を第1面、第2面それぞれ光学顕微鏡で観察したところ、貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層は、貫通孔と同心円状に除去されており、穴開け加工時の貫通孔径L1=100μm、めっき加工時の貫通孔径L2=99μm、光架橋性樹脂層除去部の径L3=181μm、光架橋性樹脂層上部の径L4=166μmであった。   When the through hole just before electrolytic copper plating and the peripheral part of the through hole were observed with an optical microscope on each of the first and second surfaces, the photocrosslinkable resin layer on the peripheral part of the through hole was removed concentrically with the through hole. The through hole diameter L1 at the time of drilling is 100 μm, the through hole diameter L2 at the time of plating is 99 μm, the diameter L3 of the photocrosslinkable resin layer removal portion is 181 μm, and the diameter L4 of the upper part of the photocrosslinkable resin layer is 166 μm. It was.

実施例1と同様の処理を行い、フラッシュエッチング処理後に得られた回路基板を光学顕微鏡で観察したところ、ランドは貫通孔と同心円状に除去されており、フラッシュエッチング後の貫通孔径L5=76μm、ランド径L6=180μm、ランド幅は40μmであった。回路基板に断線はなく、良好な狭小ランド幅を持った回路基板の作製ができた。また、この回路基板にソルダーレジストの付与を行ったところ、ランド部導電層頂端部においても、ソルダーレジストの厚みが極端に薄くなるような問題が発生せずに、良好にソルダーレジストの付与が行われた。   The same processing as in Example 1 was performed, and the circuit board obtained after the flash etching treatment was observed with an optical microscope. The lands were removed concentrically with the through holes, and the through hole diameter L5 after flash etching was 76 μm. The land diameter L6 = 180 μm and the land width was 40 μm. There was no disconnection in the circuit board, and a circuit board with a good narrow land width could be produced. In addition, when the solder resist was applied to the circuit board, the solder resist was satisfactorily applied without causing the problem that the thickness of the solder resist becomes extremely thin at the top end portion of the land conductive layer. It was broken.

また、この回路基板の断面の観察を行い、ランド径を詳細に調査を行った結果、ランドのボトム(絶縁性基板との接触面)でのランド端部でのランド径L6は180μm、ランドのトップ(ランド導電層の最も高い部分の輪郭)でのランド頂端部のランド径L7は176μmで、ランド部導電層の外側面の傾斜角度αは80度であった。また、回路部導電層の断面形状は、配線のトップの線幅、ボトムの線幅ともに34μmであり、回路部導電層の側面の傾斜角度βは90度であった。   Further, the cross section of the circuit board was observed and the land diameter was examined in detail. As a result, the land diameter L6 at the land end at the bottom of the land (contact surface with the insulating substrate) was 180 μm, The land diameter L7 at the top end of the land at the top (the contour of the highest portion of the land conductive layer) was 176 μm, and the inclination angle α of the outer surface of the land conductive layer was 80 degrees. The cross-sectional shape of the circuit part conductive layer was 34 μm for both the top line width and the bottom line width of the wiring, and the inclination angle β of the side surface of the circuit part conductive layer was 90 degrees.

本発明は、プリント配線板、半導体装置等の回路基板の製造に利用することができる。   The present invention can be used for manufacturing circuit boards such as printed wiring boards and semiconductor devices.

本発明の方法における一工程を示す断面図。Sectional drawing which shows 1 process in the method of this invention. 本発明の方法における図1に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 1 in the method of this invention. 本発明の方法における図2に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 2 in the method of this invention. 本発明の方法における図3に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 3 in the method of this invention. 本発明の方法における図4に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 4 in the method of this invention. 本発明の方法における図5に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 5 in the method of this invention. 本発明の方法における図6に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 6 in the method of this invention. 本発明の方法における図7に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 7 in the method of this invention. 本発明の方法における図8に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 8 in the method of this invention. 本発明の方法における図9に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 9 in the method of this invention. 本発明の方法における図10に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 10 in the method of this invention. 本発明の方法における図11に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 11 in the method of this invention. 本発明の方法における図12に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 12 in the method of this invention. 本発明の方法における図13に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 13 in the method of this invention. 本発明の方法における図14に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 14 in the method of this invention. 本発明の回路基板の孔ランド部を表す平面図。The top view showing the hole land part of the circuit board of this invention. 図16の線B部分における断面図。Sectional drawing in the line B part of FIG. 図16の線C部分における断面図。FIG. 17 is a cross-sectional view taken along line C in FIG. 16. 本発明の方法における穴開け加工時の貫通孔径、めっき加工時の貫通孔径及び光架橋性樹脂層除去部の径を示す断面図。Sectional drawing which shows the through-hole diameter at the time of drilling in the method of this invention, the through-hole diameter at the time of metal-plating, and the diameter of a photocrosslinkable resin layer removal part. 本発明の回路基板の孔ランド部を表す断面図。Sectional drawing showing the hole land part of the circuit board of this invention. 多層回路基板の一例を示す概略断面図。1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a multilayer circuit board. 貫通孔とランドを表す概略平面図Schematic plan view showing through holes and lands セミアディティブ法による回路基板の製造方法における一工程を示す断面図。Sectional drawing which shows 1 process in the manufacturing method of the circuit board by a semi-additive method. セミアディティブ法による回路基板の製造方法における図23に続く工程を示す断面図。FIG. 24 is a cross-sectional view showing a step following FIG. 23 in the method for manufacturing a circuit board by a semi-additive method. セミアディティブ法による回路基板の製造方法における図24に続く工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 24 in the manufacturing method of the circuit board by a semi-additive method. セミアディティブ法による回路基板の製造方法における図25に続く工程を示す断面図。FIG. 26 is a cross-sectional view showing a step following FIG. 25 in the method for manufacturing a circuit board by a semi-additive method. セミアディティブ法による回路基板の製造方法における図26に続く工程を示す断面図。FIG. 27 is a cross-sectional view showing a step following FIG. 26 in the method for manufacturing a circuit board by a semi-additive method. セミアディティブ法による回路基板の製造方法における図27に続く工程を示す断面図。FIG. 28 is a cross-sectional view showing a step following FIG. 27 in the method for manufacturing a circuit board by a semi-additive method. セミアディティブ法による回路基板の製造方法における図28に続く工程を示す断面図。FIG. 29 is a cross-sectional view showing a step following FIG. 28 in the method for manufacturing a circuit board by a semi-additive method. 従来技術である光架橋型ドライフィルムフォトレジストを用いた回路基板の製造方法において、露光工程を示す断面図。Sectional drawing which shows an exposure process in the manufacturing method of the circuit board using the photocrosslinking type dry film photoresist which is a prior art. 貫通孔とランドの位置ずれを表した概略図。Schematic showing the positional deviation of a through-hole and a land. 従来技術である光架橋型ドライフィルムフォトレジストを用いた回路基板の製造方法において、露光工程を示す断面図。Sectional drawing which shows an exposure process in the manufacturing method of the circuit board using the photocrosslinking type dry film photoresist which is a prior art. 従来技術である光架橋型ドライフィルムフォトレジストを用いた回路基板の製造方法における一工程を示す断面図。Sectional drawing which shows 1 process in the manufacturing method of the circuit board using the photocrosslinking type dry film photoresist which is a prior art. 貫通孔とフォトマスク遮光部の位置ずれを表した概略図。Schematic showing the position shift of a through-hole and a photomask light-shielding part.

符号の説明Explanation of symbols

1 絶縁性基板
2 導電層
3 貫通孔
6 マスク層
12 第1導電層
13 第2導電層
17 貫通孔
18 ランド部導電層
18a ランド部導電層頂端部
18b ランド部導電層底端部
25 光架橋性樹脂層
26 架橋部
28 回路部導電層
28a 回路部導電層頂端部
28b 回路部導電層底端部
31 貫通孔
36 めっきレジスト層
38 ドライフィルムフォトレジスト
41 フォトマスク
42 遮光部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating substrate 2 Conductive layer 3 Through-hole 6 Mask layer 12 1st conductive layer 13 2nd conductive layer 17 Through-hole 18 Land part conductive layer 18a Land part conductive layer top end part 18b Land part conductive layer bottom end part 25 Photocrosslinkability Resin layer 26 Cross-linked portion 28 Circuit portion conductive layer 28a Circuit portion conductive layer top end portion 28b Circuit portion conductive layer bottom end portion 31 Through hole 36 Plating resist layer 38 Dry film photoresist 41 Photomask 42 Light shielding portion

Claims (10)

(a)貫通孔を有する絶縁性基板の第1面及び第1面とは反対側の第2面並びに貫通孔内壁に第1導電層を有する絶縁性基板を準備する工程、
(b)第1面に光架橋性樹脂層及びマスク層を形成して、第1面の第1導電層及び貫通孔開口部を光架橋性樹脂層及びマスク層で覆う工程、
(c)第2面より光架橋性樹脂層除去液を供給して、第1面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去し、第1面の貫通孔周辺部の第1導電層を露出する工程、
(d)第1面の光架橋性樹脂層をパターン露光する工程、
(e)第2面に光架橋性樹脂層及びマスク層を形成して、第2面の第1導電層及び貫通孔開口部を光架橋性樹脂層及びマスク層で覆う工程、
(f)第1面のマスク層を除去する工程、
(g)第1面より光架橋性樹脂層除去液を供給して、第1面の未硬化光架橋性樹脂層並びに第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去し、第1面上の第1導電層及び第2面の貫通孔周辺部の第1導電層を露出する工程、
(h)第2面の光架橋性樹脂層をパターン露光する工程、
(i)第2面のマスク層を除去する工程、
(j)第2面より光架橋性樹脂層除去液を供給して、第2面の未硬化光架橋性樹脂層を除去し、第2面上の第1導電層を露出する工程、
(k)貫通孔内壁及び貫通孔周辺部、並びに第1面上及び第2面上に露出している第1導電層上に電解めっき処理により第2導電層を形成する工程、
(l)第1面上及び第2面上の硬化光架橋性樹脂層を除去して、第1面上及び第2面上の第1導電層を露出する工程、
(m)露出する第1導電層をフラッシュエッチングして除去する工程
をこの順で含む回路基板の製造方法。
(A) preparing an insulating substrate having a first conductive layer on a first surface of the insulating substrate having a through hole, a second surface opposite to the first surface, and an inner wall of the through hole;
(B) forming a photocrosslinkable resin layer and a mask layer on the first surface, and covering the first conductive layer and the through hole opening on the first surface with the photocrosslinkable resin layer and the mask layer;
(C) The photocrosslinkable resin layer removing liquid is supplied from the second surface to remove the photocrosslinkable resin layer on the through hole on the first surface and the peripheral portion of the through hole, and on the peripheral portion of the through hole on the first surface. Exposing the first conductive layer;
(D) pattern exposing the photocrosslinkable resin layer on the first surface;
(E) forming a photocrosslinkable resin layer and a mask layer on the second surface, and covering the first conductive layer and the through hole opening on the second surface with the photocrosslinkable resin layer and the mask layer;
(F) removing the mask layer on the first surface;
(G) A photocrosslinkable resin layer removing liquid is supplied from the first surface, and the uncured photocrosslinkable resin layer on the first surface and the photocrosslinkable resin layer on the through holes on the second surface and around the through holes are provided. Removing the first conductive layer on the first surface and exposing the first conductive layer around the through hole on the second surface;
(H) pattern exposing the photocrosslinkable resin layer on the second surface;
(I) removing the mask layer on the second surface;
(J) supplying a photocrosslinkable resin layer removing liquid from the second surface, removing the uncured photocrosslinkable resin layer on the second surface, and exposing the first conductive layer on the second surface;
(K) forming a second conductive layer by electrolytic plating on the inner wall of the through hole and the periphery of the through hole, and the first conductive layer exposed on the first surface and the second surface;
(L) removing the cured photocrosslinkable resin layer on the first surface and the second surface to expose the first conductive layer on the first surface and the second surface;
(M) A method of manufacturing a circuit board, which includes a step of removing the exposed first conductive layer by flash etching in this order.
(f)工程を(e)工程の前に行う、請求項記載の回路基板の製造方法。 (F) performed before step (e) a step method of manufacturing a circuit board according to claim 1, wherein. (f)工程を(d)工程の前に行う、請求項記載の回路基板の製造方法。 (F) performed before step (d) is step method of manufacturing a circuit board according to claim 1, wherein. (g)工程が、(g1)第1面より光架橋性樹脂除去液を供給して、第1面の未硬化光架橋性樹脂層を除去し、第1面上の第1導電層を露出する工程と、(g2)第1面より光架橋性樹脂除去液を供給して、第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去し、第2面の貫通孔周辺部の第1導電層を露出する工程とからなり、(e)工程を(g1)工程と(g2)工程の間で行う、請求項記載の回路基板の製造方法。 (G) The step (g1) supplies a photocrosslinkable resin removing liquid from the first surface, removes the uncured photocrosslinkable resin layer on the first surface, and exposes the first conductive layer on the first surface. And (g2) supplying a photocrosslinkable resin removing liquid from the first surface to remove the photocrosslinkable resin layer on and around the through holes on the second surface, It consists of a step of exposing the first conductive layer in the peripheral portion, (e) performing step a (g1) between the step and (g2) process, a manufacturing method of a circuit board according to claim 1, wherein. 請求項1〜4のいずれか1項記載の回路基板の製造方法で製造され、
貫通孔を有する絶縁性基板の貫通孔周辺部に形成されたランド部導電層と、絶縁性基板の表面で回路配線を構成する回路部導電層と、貫通孔内壁の導電層とからなる回路基板であって、回路部導電層との非連結部におけるランド部導電層の外側面の傾斜角度が90度より小さい回路基板。
It is manufactured by the method for manufacturing a circuit board according to claim 1,
A circuit board comprising: a land portion conductive layer formed around a through hole of an insulating substrate having a through hole; a circuit portion conductive layer constituting circuit wiring on the surface of the insulating substrate; and a conductive layer on the inner wall of the through hole A circuit board in which the inclination angle of the outer surface of the land portion conductive layer in the non-connection portion with the circuit portion conductive layer is smaller than 90 degrees.
回路部導電層との非連結部におけるランド部導電層の外側面の傾斜角度が、60〜80度である、請求項記載の回路基板。 The circuit board according to claim 5 , wherein an inclination angle of an outer surface of the land portion conductive layer in a non-connection portion with the circuit portion conductive layer is 60 to 80 degrees. ランド部導電層の外側面からなる直径と穴開け加工時の貫通孔の直径との差が、0〜80μmである、請求項又は記載の回路基板。 The circuit board according to claim 5 or 6 , wherein a difference between a diameter of the outer surface of the land portion conductive layer and a diameter of the through hole at the time of drilling is 0 to 80 µm. 回路部導電層との非連結部におけるランド部導電層の外側面の傾斜角度が、回路部導電層の側面の傾斜角度より小さい、請求項のいずれか1項記載の回路基板。 The circuit board according to any one of claims 5 to 7 , wherein an inclination angle of an outer surface of the land portion conductive layer in a non-connecting portion with the circuit portion conductive layer is smaller than an inclination angle of a side surface of the circuit portion conductive layer. 回路部導電層の側面の傾斜角度が略90度である、請求項のいずれか1項記載の回路基板。 The circuit board according to any one of claims 5 to 8 , wherein an inclination angle of a side surface of the circuit part conductive layer is approximately 90 degrees. ランド部導電層が、貫通孔に対して同心円状に形成されている、請求項のいずれか1項記載の回路基板。 Land portion conductive layer is formed concentrically with respect to the through-holes, the circuit board of any one of claims 5-9.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007286385A (en) * 2006-04-18 2007-11-01 Mitsubishi Paper Mills Ltd Processing liquid and removing method for alkali-soluble polymer resin layer, resist pattern forming method, and circuit board manufacturing method
CN101438636B (en) 2006-05-17 2013-06-05 三菱制纸株式会社 Method for forming resist pattern, circuit basal plate and manufacturing method thereof
JP4920777B2 (en) * 2010-08-09 2012-04-18 三菱製紙株式会社 Method for forming resist pattern and method for manufacturing circuit board
JP5566921B2 (en) * 2011-01-17 2014-08-06 名東電産株式会社 Method for manufacturing printed wiring board using aluminum as conductive pattern

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000151100A (en) * 1998-11-16 2000-05-30 Hitachi Aic Inc Manufacture of printed wiring board
JP2003298240A (en) * 2002-04-05 2003-10-17 Sohwa Corporation Multilayer circuit board
JP2004303856A (en) * 2003-03-31 2004-10-28 Mitsubishi Paper Mills Ltd Manufacturing method of substrate

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05235543A (en) * 1991-06-20 1993-09-10 Matsushita Electric Works Ltd Manufacture of printed circuit board
JPH05152748A (en) * 1991-11-26 1993-06-18 Teijin Ltd Formation of through hole in organic board

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000151100A (en) * 1998-11-16 2000-05-30 Hitachi Aic Inc Manufacture of printed wiring board
JP2003298240A (en) * 2002-04-05 2003-10-17 Sohwa Corporation Multilayer circuit board
JP2004303856A (en) * 2003-03-31 2004-10-28 Mitsubishi Paper Mills Ltd Manufacturing method of substrate

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