KR20180073072A - 반도체 웨이퍼 습식 에칭 후 변색부 제거 방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼 습식 에칭 후 변색부 제거 방법 Download PDF

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KR20180073072A
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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼의 제작시에 습식 에칭 공정에서 발생되는 웨이퍼 표면 변색부를 효과적으로 제거하기 위한 처리방법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼의 표면에 인위적으로 고른 표면거칠기가 나타날 수 있도록 처리하여 변색부를 효과적으로 제거하여 특성이나 효율을 향상시킬 수 있도록 한 반도체 웨이퍼 습식 에칭 후 변색부 제거 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼의 습식 에칭공정 후 웨이퍼 표면에 생성된 변색부를 제거하는 표면처리공정을 수행하되, KOH, TMAH, IPA, HF, LAL을 포함하는 후처리 에칭 케미칼을 활용하고 후처리 습식 에칭공정을 통하여 스핀장비에 의하여 변색부를 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 습식 에칭 후 변색부 제거 방법을 제공함에 그 특징이 있다.

Description

반도체 웨이퍼 습식 에칭 후 변색부 제거 방법{Removing method for discolor part after wet etching of semiconductor wafer}
본 발명은 반도체 웨이퍼의 제작시에 습식 에칭 공정에서 발생되는 웨이퍼 표면 변색부를 효과적으로 제거하기 위한 처리방법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼의 표면에 인위적으로 고른 표면거칠기가 나타날 수 있도록 처리하여 변색부를 효과적으로 제거하여 특성이나 효율을 향상시킬 수 있도록 한 반도체 웨이퍼 습식 에칭 후 변색부 제거 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 웨이퍼의 제작시엔 실리콘 웨이퍼의 본딩공정 후에 트리밍(Trimming) 공정과 그라인딩(Grinding)공정 후에 불화수소(HF), 질산(NHO3), 아세트산(CH3COOH)의 혼합 케미칼을 이용하여 습식 에칭공정을 행하게 되는데, 이때 에칭공정 중에 웨이퍼의 표면엔 전체적으로 변색부가 자주 발생하게 된다.
이는 에칭공정 중에 웨이퍼 표면에 고른 조도를 유지하지 못하여 얼룩무늬 형태의 변색부가 발생하고 이러한 변색부는 자체 특성이나 수율을 저하시키는 요인이 되고 있다.
종래에는 이러한 문제점을 해소하기 위한 방안으로서 습식 에칭공정 자체를 개선하여 이러한 변색부의 발생을 최소화시키려고 하는데 주안점을 두고 공정을 수행하고 있으나, 수율에 한계를 노출하여 불량률을 낮추는데 어려움이 발생하고 있는 것이 현실정이다.
또한, 종래의 해결방안으로서 건식의 에칭방식을 통하여 표면처리를 행하는 방식이 제안되어 있으나, 이와 같은 종래의 건식 에칭방식을 채택하는 경우 웨이퍼에 형성된 Epi층의 손상으로 인한 특성변화가 발생하고, Epi층 및 웨이퍼 기판에 이르기까지 스트레스에 의한 크랙이 유발할 수 있기 때문에 실제로 실행하기엔 어려운 문제점이 발생하고 있다.
1. 공개특허공보 공개번호 제10-1997-0016832호(공개일자: 1997. 04. 28.) 2. 공개특허공보 공개번호 제10-1997-0022585호(공개일자: 1997. 05. 30.) 3. 등록특허공보 등록번호 제10-0293685호(공고일자: 2001. 11. 30.) 4. 등록특허공보 등록번호 제10-0342882호(공고일자: 2002. 10. 25.)
본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위하여 연구개발이 이루어진 것으로 다음과 같은 목적을 갖는다.
본 발명의 목적은 종래의 습식 에칭공정 중에 반도체 웨이퍼의 표면에 발생하는 변색부를 제거하기 위하여 별도의 표면처리공정으로서 습식 에칭 후처리공정으로 웨이퍼의 표면에 고른 요철부를 형성하면서 기 발생된 변색부를 제거하여 특성과 효율을 증대시킬 수 있는 반도체 웨이퍼 습식 에칭 후 변색부 제거방법을 제공하고자 함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 웨이퍼의 표면에 생성된 변색부를 제거함에 있어서 건식의 에칭방식을 채택하는 경우 Epi층의 손상으로 인한 특성변화가 발생하고, Epi층 및 웨이퍼 기판에 이르기까지 스트레스에 의한 크랙이 유발할 수 있기 때문에 이를 방지하기 위하여 별도의 습식 에칭방식을 채택하여 웨이퍼 표면의 Epi층에 손상이나 스트레스를 줄여 공정의 안정화로 고유의 자체 특성을 유지할 수 있는 반도체 웨이퍼 습식 에칭 후 변색부 제거방법을 제공하고자 함에 있다.
본 발명은 이와 같은 목적을 달성하기 위하여, 웨이퍼의 습식 에칭공정 후 웨이퍼 표면에 생성된 변색부를 제거하는 표면처리공정을 수행하되, 수산화칼륨(KOH), 테트라메틸암모니움 하이드록사이드(Tetramethylammonium Hydroxide: TMAH), 아이코사펜타인산(Icosapentaenoic Acid: IPA), 불화수소(HF), LAL을 포함하는 후처리 에칭 케미칼을 활용하여 후처리 습식 에칭공정을 통하여 스핀장비에 의하여 변색부를 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 습식 에칭 후 변색부 제거방법을 제공한다.
또한, 후처리 에칭 케미칼로서 수산화칼륨(KOH)을 사용하는 경우엔, 농도 20 ~ 60중량%, 처리온도 30 ~ 60℃에서 후처리 습식 에칭공정이 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 습식 에칭 후 변색부 제거방법을 제공한다.
또한, 후처리 에칭 케미칼로서 테트라메틸암모니움 하이드록사이드(Tetramethylammonium Hydroxide: TMAH)를 사용하는 경우엔, 농도 20 ~ 60 중량%, 처리온도 20 ~ 70℃에서 후처리 습식 에칭공정이 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 습식 에칭 후 변색부 제거방법을 제공한다.
또한, 후처리 에칭 케미칼로서 아이코사펜타인산(Icosapentaenoic Acid: IPA)을 사용하는 경우엔, 농도 10 ~ 45 중량%, 처리온도 20 ~ 60℃에서 후처리 습식 에칭공정이 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 습식 에칭 후 변색부 제거방법을 제공한다.
또한, 후처리 에칭 케미칼로서 불화수소(HF)를 사용하는 경우엔, 농도 20 ~ 55 중량%, 처리온도 20 ~ 70℃에서 후처리 습식 에칭공정이 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 습식 에칭 후 변색부 제거방법을 제공한다.
또한, 후처리 에칭 케미칼로서 LAL을 사용하는 경우엔, 농도 3 ~ 10 중량%, 처리온는 상온인 20℃에서 후처리 습식 에칭공정이 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 습식 에칭 후 변색부 제거방법을 제공한다.
그리하여 본 발명에 의하면, 종래의 습식 에칭공정 중에 반도체 웨이퍼의 표면에 발생하는 변색부를 제거하기 위하여 별도의 표면처리공정으로서 습식 에칭 후처리공정을 수행하되, 웨이퍼의 표면에 고른 요철부를 형성하면서 기 발생된 변색부를 제거하여 특성과 효율을 증대시킬 수 있고, 웨이퍼의 표면에 생성된 변색부를 제거함에 있어서 건식의 에칭방식을 채택하는 경우 Epi층의 손상으로 인한 특성변화가 발생하고, Epi층 및 웨이퍼 기판에 이르기까지 스트레스에 의한 크랙이 유발되는 것을 방지하기 위하여 별도의 습식 에칭방식을 채택하여 웨이퍼 표면의 Epi층에 손상발생이나 스트레스를 줄여 공정의 안정화로 고유의 자체 특성을 유지할 수 있게 되는 장점을 갖게 된다.
도 1은 본 발명에서 채택한 스핀장비의 일례를 나타낸 개략적인 계통도,
도 2는 도 1의 평면 계통도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대한 구체적인 실시예를 살펴보기로 한다.
본 발명의 바람직한 예에 의하면, 웨이퍼의 습식 에칭공정 후 웨이퍼 표면에 생성된 변색부를 제거하는 표면처리공정을 수행하되, KOH, TMAH, IPA, HF, LAL을 포함하는 후처리 에칭 케미칼을 활용하고 후처리 습식 에칭공정을 통하여 스핀장비에 의하여 변색부를 제거하게 된다.
이때 사용되는 스핀장비는 종래의 스핀장비 중 어떠한 것을 선택하여 활용하도 관계가 없으나 편의상 하나를 예시하여 보면, 도 1에 예시한 바와 같이, 제어기(C)로 제어되는 모터(M)에 의하여 구동되는 스핀척(4)을 중심으로 가장자리와 바닥부는 동심의 복수 컵(5)에 의하여 둘러쌓여져 있고, 이들 컵(5)은 웨이퍼(W)로부터 원심 분리되는 케미칼을 받아 저장하고 외부로 배출시키기 위한 것이고, 웨이퍼(W)의 상부 위치엔 복수개의 노즐(1,2,3)이 각각 설치되고 이들 노즐(1,2,3)은 각각 노즐이동기구(10,20,30)와 제어기(C)에 의하여 위치이동이 가능하게 구성되고, 각각 유량제어부(12,22,32)에 의하여 제어되는 각각의 케미칼공급원(14,24,34)과 서로 연결 설치되어 구성되며, 웨이퍼(W)의 상부로서 다른 일측엔 제어기(C)와 서로 연결 설치되는 막두께 센서(6)가 설치되어 구성이 이루어지게 된다.
다음은 전술한 스핀장비를 이용하여 본 발명인 변색부 제거방법을 살펴보되, 사용하는 케미칼별로 나누어 각각 살펴보기로 한다.
실제로 스핀장비에 의하여 기존의 습식 에칭공정을 수행한 후에 웨이퍼의 표면에 변색부가 발생하는 경우 곧 바로 본 발명인 표면처리공정으로서 후처리 습식에칭공정을 수행하여도 되고, 아니면 기존의 습식 에칭공정이 이루어진 후 변색된 웨이퍼만을 구분하여 별도로 스핀장비를 이용하여 본 발명인 표면처리공정으로서 후처리 습식 에칭공정을 수행하여도 관계없다. 실제로 변색된 웨이퍼를 구분하여 농도와 처리온도를 달리하여 시험해본 결과 다음과 같은 결과를 얻었다.
이때, 케미칼의 분사량은 10 ~ 30 ml/sec, 분사시간은 최소 50 sec 내지 최대 400 sec 시행하게 되며, 스핀장비의 회전수는 100 ~ 400 rpm의 범위에서 습식 에칭공정을 수행하게 되는데 본 발명에 있어서도 동일한 조건에서 각각 시험을 다음과 같이 수행하였다.
1. 후처리 에칭 케미칼로서 KOH를 사용하는 경우
본 발명의 경우 케미칼의 농도와 처리온도를 달리하여 각각 실험해 본 결과 KOH는 다음과 같이 농도 20 ~ 60중량%, 처리온도 30 ~ 60℃에서 표면처리공정으로서 후처리 습식 에칭공정이 이루어짐이 바람직함을 확인하였다.
실시예 1
처리온도를 상온인 20℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 10 20 30 40 50 60 70
처리결과 불량 불량 불량 불량 불량 양호 양호
실시예 2
처리온도를 30℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 10 20 30 40 50 60 70
처리결과 불량 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 3
처리온도를 40℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 10 20 30 40 50 60 70
처리결과 불량 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 4
처리온도를 50℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 10 20 30 40 50 60 70
처리결과 양호 양호 양호 양호 양호 양호 결함
실시예 5
처리온도를 60℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 10 20 30 40 50 60 70
처리결과 양호 양호 양호 양호 양호 양호 결함
실시예 6
처리온도를 70℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 10 20 30 40 50 60 70
처리결과 양호 양호 양호 불량 불량 불량 불량
2. 후처리 에칭 케미칼로서 TMAH를 사용하는 경우
본 발명의 경우 케미칼의 농도와 처리온도를 달리하여 각각 실험해 본 결과 TMAH는 다음과 같이 농도 20 ~ 60중량%, 처리온도 20 ~ 70℃에서 표면처리공정으로서 후처리 습식 에칭공정이 이루어짐이 바람직함을 확인하였다.
실시예 1
처리온도를 10℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 10 20 30 40 50 60 70
처리결과 불량 불량 불량 불량 불량 양호 양호
실시예 2
처리온도를 20℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 10 20 30 40 50 60 70
처리결과 불량 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 3
처리온도를 30℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 10 20 30 40 50 60 70
처리결과 불량 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 4
처리온도를 40℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 10 20 30 40 50 60 70
처리결과 불량 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 5
처리온도를 50℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 10 20 30 40 50 60 70
처리결과 양호 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 6
처리온도를 60℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 10 20 30 40 50 60 70
처리결과 양호 양호 양호 양호 양호 양호 불량
실시예 7
처리온도를 70℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 10 20 30 40 50 60 70
처리결과 양호 양호 양호 불량 불량 불량 불량
3. 후처리 에칭 케미칼로서 IPA를 사용하는 경우
본 발명의 경우 케미칼의 농도와 처리온도를 달리하여 각각 실험해 본 결과 IPA는 다음과 같이 농도 10 ~ 45중량%, 처리온도 20 ~ 60℃에서 표면처리공정으로서 후처리 습식 에칭공정이 이루어짐이 바람직함을 확인하였다.
실시예 1
처리온도를 10℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 5 10 20 30 40 45 50
처리결과 불량 불량 불량 불량 양호 양호 양호
실시예 2
처리온도를 20℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 5 10 20 30 40 45 50
처리결과 불량 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 3
처리온도를 30℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 5 10 20 30 40 45 50
처리결과 불량 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 4
처리온도를 40℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 5 10 20 30 40 45 50
처리결과 불량 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 5
처리온도를 50℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 5 10 20 30 40 45 50
처리결과 불량 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 6
처리온도를 60℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 5 10 20 30 40 45 50
처리결과 양호 양호 양호 양호 양호 양호 불량
실시예 7
처리온도를 70℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 5 10 20 30 40 45 50
처리결과 양호 양호 약간불량 불량 불량 불량 불량
4. 후처리 에칭 케미칼로서 HF를 사용하는 경우
본 발명의 경우 케미칼의 농도와 처리온도를 달리하여 각각 실험해 본 결과 HF는 다음과 같이 농도 20 ~ 55중량%, 처리온도 20 ~ 70℃에서 표면처리공정으로서 후처리 습식 에칭공정이 이루어짐이 바람직함을 확인하였다.
실시예 1
처리온도를 10℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 10 20 30 40 50 55 60
처리결과 불량 불량 불량 불량 불량 양호 양호
실시예 2
처리온도를 20℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 10 20 30 40 50 55 60
처리결과 불량 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 3
처리온도를 40℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 10 20 30 40 50 55 60
처리결과 불량 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 4
처리온도를 50℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 10 20 30 40 50 55 60
처리결과 불량 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 5
처리온도를 60℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 10 20 30 40 50 55 60
처리결과 양호 양호 양호 양호 양호 양호 불량
실시예 6
처리온도를 70℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 10 20 30 40 50 55 60
처리결과 양호 양호 양호 양호 양호 양호 불량
실시예 7
처리온도를 80℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 10 20 30 40 50 55 60
처리결과 양호 양호 양호 불량 불량 불량 불량
5. 후처리 에칭 케미칼로서 LAL을 사용하는 경우
본 발명의 경우 처리온도는 상온으로서 20℃에서 케미칼의 농도를 달리하여 각각 실험해 본 결과 KOH는 다음과 같이 농도 3 ~ 10중량% 범위에서 표면처리공정으로서 후처리 습식 에칭공정이 이루어짐이 바람직함을 확인하였다.
처리온도를 상온인 20℃에서 다음과 같이 농도(중량%)를 달리하여 시험해 본 결과를 변색부 제거정도 및 표면상태를 확인하였다.
농 도 2 3 5 7 9 10 12
처리결과 불량 양호 양호 양호 양호 양호 불량
따라서, 본 발명에 의하면, 종래의 습식 에칭공정 중에 반도체 웨이퍼의 표면에 발생하는 변색부를 제거하기 위하여 별도의 표면처리공정으로서 습식 에칭 후처리공정을 수행하되, 웨이퍼의 표면에 고른 요철부를 형성하면서 기 발생된 변색부를 제거하여 특성과 효율을 증대시킬 수 있고, 웨이퍼의 표면에 생성된 변색부를 제거함에 있어서 건식의 에칭방식을 채택하는 경우 Epi층의 손상으로 인한 특성변화가 발생하고, Epi층 및 웨이퍼 기판에 이르기까지 스트레스에 의한 크랙이 유발되는 것을 방지하기 위하여 별도의 습식 에칭방식을 채택하여 웨이퍼 표면의 Epi층에 손상발생이나 스트레스를 줄여 공정의 안정화로 고유의 자체 특성을 유지할 수 있게 되는 장점을 갖게 된다.
1, 2, 3: 노즐, 4: 스핀척,
5: 컵, 6: 막두께 센서,
10, 20, 30: 노즐이동기구, 12, 22, 32: 유량제어부,
14, 24, 34: 케미칼 공급원, C: 제어기,
M:모터, W: 웨이퍼

Claims (7)

  1. 웨이퍼의 습식 에칭공정 후 웨이퍼 표면에 생성된 변색부를 제거하는 표면처리공정을 수행하되,
    KOH, TMAH, IPA, HF, LAL을 포함하는 후처리 에칭 케미칼을 활용하고 후처리 습식 에칭공정을 통하여 스핀장비에 의하여 변색부를 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 습식 에칭 후 변색부 제거 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 후처리 습식 에칭공정에서 에칭 케미칼의 분사량은 10 ~ 30 ml/sec, 분사시간은 50 ~ 400 sec, 스핀장비의 회전수는 100 ~ 400 rpm의 범위에서 에칭공정을 수행함을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 습식 에칭 후 변색부 제거 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 후처리 에칭 케미칼로서 KOH는 농도 20 ~ 60중량%, 처리온도 30 ~ 60℃에서 표면처리공정으로서 후처리 습식 에칭공정이 이루어지는 것을 특징으로 하는반도체 웨이퍼 습식 에칭 후 변색부 제거 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 후처리 에칭 케미칼로서 TMAH는 농도 20 ~ 60중량%, 처리온도 20 ~ 70℃에서 표면처리공정으로서 후처리 습식 에칭공정이 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 습식 에칭 후 변색부 제거 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 후처리 에칭 케미칼로서 IPA는 농도 10 ~ 45중량%, 처리온도 20 ~ 60℃에서 표면처리공정으로서 후처리 습식 에칭공정이 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 습식 에칭 후 변색부 제거 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 후처리 에칭 케미칼로서 HF는 농도 20 ~ 55중량%, 처리온도 20 ~ 70℃에서 표면처리공정으로서 후처리 습식 에칭공정이 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 습식 에칭 후 변색부 제거 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 후처리 에칭 케미칼로서 LAL은 처리온도는 상온으로서 20℃에서 케미칼의 농도 3 ~ 10중량% 범위에서 표면처리공정으로서 후처리 습식 에칭공정이 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 습식 에칭 후 변색부 제거 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN116403894A (zh) * 2023-05-10 2023-07-07 重庆臻宝科技股份有限公司 一种用于单晶硅的碱性蚀刻方法

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