KR20180072688A - 식각액 조성물 및 식각 방법 - Google Patents

식각액 조성물 및 식각 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20180072688A
KR20180072688A KR1020187010763A KR20187010763A KR20180072688A KR 20180072688 A KR20180072688 A KR 20180072688A KR 1020187010763 A KR1020187010763 A KR 1020187010763A KR 20187010763 A KR20187010763 A KR 20187010763A KR 20180072688 A KR20180072688 A KR 20180072688A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
copper
mass
etching
coating film
etchant composition
Prior art date
Application number
KR1020187010763A
Other languages
English (en)
Inventor
유지 마사모토
요시히데 사이오
타마미 아오키
Original Assignee
가부시키가이샤 아데카
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 아데카 filed Critical 가부시키가이샤 아데카
Publication of KR20180072688A publication Critical patent/KR20180072688A/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/067—Etchants

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

본 발명은 식각액 조성물에 관한 것이고, 구리 기반 층을 포함하는 코팅 필름의 시각에 사용된다. 본 식각액 조성물은 (A) 철 이온(ferric ions) 및 구리 이온(cupric ion) 중으로부터 선택된 적어도 하나의 타입 산화제0.1 내지 30 질량%; (B) 염화 수소(hydrogen chloride) 0.1 내지 20 질량%; 및(C) 1,3-디히드록시벤젠(1,3-dihydroxybenzene) 0.01 내지 25 질량%;을 포함하는 수용액(aqueous solution)으로 구성된다. 본 발명의 식각 방법에서, 기판 상에 형성되고, 구리 기반 층을 포함하는 코팅 필름은 식각액 조성물을 사용하여 식각된다. 본 발명에 따른 식각액 조성물 및 식각 방법은 바람직한 치수 정확성을 갖는 배선 패턴을 형성하고, 또한 높은 안정성 및 석출물 생성의 억제를 제공한다.

Description

식각액 조성물 및 식각 방법
본 발명은 식각액 조성물 및 식각 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 구리 기반 층을 포함하는 코팅 필름의 식각을 위해 사용되는 식각액 조성물및 식각 방법에 관한 것이다.
구리 배선 패턴 및 이의 동류를 형성할 때, 구리 기반 층을 포함하는 코팅 필름의 습식 식각에 대해서는 많은 기술이 알려져있고, 또한 투명 전극 패턴(transparent electrode pattern) 및 이의 동류를 형성할 때, 인듐 산화물 기반 층을 포함하는 코팅 필름의 습식 식각에 대해서도 많은 기술이 알려졌다. 이러한 기술들은 저렴하고 양호한 식각 속도를 가능하게 하기 때문에, 염산(hydrochloric acid)을 포함하는 수용액은 종종 식각액 조성물로서 사용되었다.
예를 들어, 구리 배선 패턴 형성에 사용되는 식각액 조성물로서, 특허 문헌 1에서 구리 이온 소스, 염산(염화 수소), 고리에 헤테로 원자로서 오직 질소만 갖는 아졸(azole), 및 페놀 화합물 및 방항족 아민 화합물 중 선택되는 적어도 하나의 방향족 화합물을 포함하는 수용액으로 구성된 식각액 조성물을 개시하였다. 또한, 특허 문헌 2에서 염화 철(ferric chloride) 및 염산을 포함하는 수용액으로 구성된 식각 조성물을 인듐-주석 산화물(이하에서는 경우에 따라 “ITO”로 축약함) 또는 동류를 포함하는 투명 전극 패턴을 형성하는데 사용되는 식각액 조성물로 사용하는 것을 개시하였다.
한편, 특허 문헌 3에서는 예를 들어 식각액 조성물로서 염산을 포함하지 않고, 구리 이온, 유기 산(organic acid), 할로겐 이온, 아졸 및 폴리알킬렌 글리콜(polyalkylene glycol)을 포함하는 수용액으로 구성된 식각액 조성물을 개시하였다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 공보 제2009-79284 호 [특허 문헌 2] 일본 특허 공개 공보 제2009-231427 호 [특허 문헌 3] 일본 특허 공개 공보 제2006-111953 호
그러나, 앞서 기술한 문헌에서 개시된 식각액 조성물은 낮은 안전성을 나타내고, 단시간이라도 방치하면 석출물이 발생되고, 따라서 어떤 경우에는 식각용으로 사용될 수 없다. 또한, 식각되야 하는 코팅 필름의 타입(이하에서는 경우에 따라 “식각되는 코팅 필름(coating film being etched)”으로 축약함)에 따라서, 언급된 문헌에 개시된 식각액 조성물은 경우에 따라 바람직한 치수 정확성(치수 정확성)을 생산하지 못할 수 있다. 예를 들어, 구리 기반 층을 포함하는 코팅 필름이 식각되어야 하는 경우에, 코팅 필름 상에 형성된 레지스트 패턴(resist pattern)의 폭(width) 및 식각에 의해 얻어진 배선 패턴의 폭 사이에 큰 차이가 발생할 수 있고, 바람직한 폭을 갖는 배선 패턴을 형성하는 것은 불가능할 수 있다. 이러한 문제는 인듐 산화물 기반 층 및 구리 기반 층을 포함하는 다중층 코팅 필름(multilayer coating film)이 식각되어야 하는 경우에 특히 두드러진다. 또한, 본 발명에서 “배선 패턴의 폭(width of a wiring pattern)"은 배선선 패턴의 꼭대기 부분(top part of a wiring pattern)을 의미할 수 있다.
따라서, 본 발명은 앞서 언급된 이러한 문제를 해결하기 위해 개발되었고, 본 발명의 목적은 바람직한 치수 정확성을 갖는 배선 패턴 형성을 가능하게 하면서, 또한 높은 안전성 및 석출물의 생성을 억제하는 식각액 조성물 및 식각 방법을 제공하는 것이다.
근면한 연구의 결과로서, 본 발명의 발명자는 설정된 비율의 (A) 철 이온(ferric ions) 및 구리 이온(cupric ion) 중으로부터 선택된 적어도 하나의 타입 산화제, (B) 염화 수소(hydrogen chloride) 및 (C) 1,3-디히드록시벤젠(1,3-dihydroxybenzene) 를 포함하는 수용액이 구리 기반 층을 포함하는 코팅 필름의 식각에 사용되는 식각 조성물을 위해 적합한 특성을 나타내고, 앞서 언급된 문제들을 해결할 수 있음을 발견하였고, 본 발명을 완성하였다.
즉, 본 발명은 구리 기반 층을 포함하는 코팅 필름의 식각에 사용되는 식각액 조성물에 관한 것이고, 이 식각액 조성물은 다음을 포함하는 수용액으로 구성되었다: (A) 철 이온(ferric ions) 및 구리 이온(cupric ion) 중으로부터 선택된 적어도 하나의 타입 산화제 0.1 내지 30 질량%; (B) 염화 수소(hydrogen chloride) 0.1 내지 20 질량%; 및 (C) 1,3-디히드록시벤젠(1,3-dihydroxybenzene) 0.01 내지 25 질량%; 을 포함하는 수용액(수용액).
또한, 본 발명은 베이스 상에 형성된 구리 기반 층을 포함하는 코팅 필름의 식각을 위한 식각 방법에 관한 것이고, 다음을 포함하는 수용액으로 구성된 식각액 조성물을 사용한다: (A) 철 이온(ferric ions) 및 구리 이온(cupric ion) 중으로부터 선택된 적어도 하나의 타입 산화제 0.1 내지 30 질량%; (B) 염화 수소(hydrogen chloride) 0.1 내지 20 질량%; 및 (C) 1,3-디히드록시벤젠(1,3-dihydroxybenzene) 0.01 내지 25 질량%; 을 포함하는 수용액(수용액).
본 발명에 따르면, 바람직한 치수 정확성을 갖는 배선 패턴을 형성하는 것이 가능한 식각액 조성물 및 식각 방법을 제공하는 것이 가능하고, 또한 높은 안전성 및 석출물 생성의 억제를 제공한다.
이하, 본 발명의 식각액 조성물 및 식각 방법의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명한다.
본 발명의 식각액 조성물은 (A) 철 이온(ferric ions) 및 구리 이온(cupric ion) 중으로부터 선택된 적어도 하나의 타입 산화제, (B) 염화 수소(hydrogen chloride) 및 (C) 1,3-디히드록시벤젠(1,3-dihydroxybenzene)를 포함하는 수용액으로 구성된다.
본 발명의 식각액 조성물에서 사용되는 철 이온(ferric ions) 및 구리 이온(cupric ion) 중으로부터 선택된 적어도 하나의 타입 산화제 (A)(이하에서 경우에 따라 성분 (A)로 축약됨)는 구리 기반 층을 포함하는 코팅 필름을 산화함으로써 식각 기능을 주는 성분(component)이다. 성분 (A)는 철 이온 또는 구리 이온을 독립 또는 그들의 혼합으로 사용될 수 있다.
철 이온 및 구리 이온은 철(III) 화합물 및 구리(II) 화합물을 이온 소스로서 혼합함으로써 식각액 조성물에 투입될 수 있다.
철(III) 화합물은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 염화 철(III), 브롬화 철(III), 요오드화 철(III), 황산 철(III), 질산 철(III), 아세트산 철(III), 및 이의 동류를 사용할 수 있다. 또한, 구리(II) 화합물의 사용은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 염화 구리(II), 브롬화 구리(II), 황산 구리(II), 수산화 구리(II) 및 이의 동류를 사용할 수 있다. 이러한 화합물은 독립으로 또는 그들의 둘 이상의 혼합으로 사용될 수 있다. 또한, 식각액 조성물의 안정성(stability) 및 식각 속도의 제어 측면에서 상기 화합물 중에 황산 철(III), 염화 철(III), 염화 구리(II) 및 황산 구리(II)가 바람직하고, 특히 염화 철(III) 및 염화 구리(II)가 더 바람직하다.
본 발명의 식각액 조성물에서 성분 (A)의 농도는 식각되야 하는 필름의 두께 및 폭에 따라서 적절하게 조정되되, 이온의 기준에서(in terms of ions) 0.1 내지 30 질량%, 바람직하게 0.3 내지 28질량%, 및 더욱 바람직하게 0.5 내지 25질량%이다. 본 명세서에서 “이온의 기준에서(in terms of ions)”는 철 이온 또는 구리 이온이 독립적으로 사용되는 경우 철 이온 또는 구리 이온을 의미하고, 철 이온 및 구리 이온이 혼합되어 사용되는 경우에는 철 이온 및 구리 이온 둘을 의미한다. 성분 (A)의 농도가 0.1 질량% 미만이라면 만족스러운 식각 속도를 달성하는 것이 불가능할 수 있다. 또한, 성분 (A)의 농도가 30질량%를 초과하는 경우에는 1,3-디히드록시벤젠(1,3-dihydroxybenzene)이 식각액 조성물에 용해되지 않을 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물에 사용된 염화 수소(B)는(이하에서 경우에 따라 성분 (B)로 축약됨)는 산화된 코팅 필름의 용해 기능, 식각액 조성물에서 산화제(예, 성분 (A))의 안정 기능, 식각 속도 향상 기능 및 이의 동류를 주는 성분이다. 본 발명의 식각액 조성물에서 성분 (B)의 농도는 식각되야 하는 코팅 필름의 두께 및 폭에 따라 적절히 조정되되, 0.1 내지 20질량%, 바람직하게 0.3 내지 18 질량%, 및 더욱 바람직하게 0.5 내지 15질량%이다. 성분 (B)의 농도가 0.1 질량%보다 낮으면, 만족스러운 식각 속도 달성이 어려울 수 있다. 또한, 성분 (B)의 농도가 20질량%를 초과하는 경우, 식각 속도 향상이 기대되지 않을 수 있고, 오히려 장비 부품의 침식과 같은 결함이 발생할 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물에서 사용되는 1,3-디히드록시벤젠(1,3-dihydroxybenzene) (C) (이하에서 경우에 따라 성분 (C)로 축약됨)는 식각액 조성물의 안전성의 향상 기능 및 석출물 생성의 방지, 식각 성능 향상 기능 및 이의 동류를 주는 성분이다.
본 발명의 식각액 조성물에서 성분 (C)의 농도는 식각되야 하는 코팅 필름의 두께 및 폭에 따라 적절하게 조정되되, 0.01 내지 25질량%, 바람직하게 0.01 내지 23질량%, 및 더욱 바람직하게 0.001 내지 20질량%이다. 성분 (C)의 농도가 0.01 질량%보다 낮으면, 앞서 기술된 기능들이 만족스럽게 나타나지 않을 수 있다. 또한, 성분 (C)의 농도가 25질량%를 초과하는 경우, 앞서 기술된 기능이 반드시 개선되지는 않고, 성분 (C)의 사용양이 증가하면 높은 비용이 소요된다.
본 발명의 식각액 조성물은 앞서 기술한 성분 (A) 내지 (C)를 포함하는 수용액이다. 따라서, 본 발명의 식각액 조성물은 앞서 기술한 성분 (A) 내지 (C)에 추가로 물(water)을 포함한다.
본 발명의 식각액 조성물에 사용되는 물의 타입은 특별히 제한되지 않되, 바람직하게 이온 교환수(ion exchanged water), 순수(pure water) 또는 초순수(ultra-pure water)와 같은 이온 물질 및 불순물이 제거된 물을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 식각액 조성물은 (A) 내지 (C) 성분으로 구성된 수용액일 수 있되, 또한 본질적으로 성분 (A) 내지 (C)으로 구성된 수용액일 수 있다. 즉, 본 발명의 향상된 효과를 손상시키지 않는한 본 발명의 식각액 조성물에 본 기술 분야에 사용되는 알려진 첨가물이 앞서 기술된 성분 외에 혼합될 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물에 사용되는 첨가물은 특별히 제한되지 않되, 이러한 첨가물의 예는 식각액 조성물을 위한 안정제(stabilizers), 성분의 용해제(solubilizing agents), 항기포제(anti-foaming agents), pH-조정제(pH-adjusting agents), 비중 조절제(specific gravity modifiers), 점도 조절제(viscosity modifiers), 습윤성향상제(wettability-improving agents), 칠레이트제(chelating agents), 산화제(oxidizing agents), 환원제(reducing agents) 및 게면활성제(surfactants)를 포함한다. 이러한 첨가물의 하나는 독립적으로 사용될 수 있고, 또는 둘 이상 타입이 혼합되어 사용될 수 있다. 이러한 첨가물이 사용되는 경우, 본 발명의 식각액 조성물의 첨가물의 용도는 일반적으로 0.001 내지 50질량%이다.
킬레이트제(chelating agents)의 예는 에틸렌디아민 테트라아세트산(ethylenediamine tetraacetic acid), 디에틸렌 트리아민 펜타아세트산(diethylenetriamine pentaacetic acid), 트리에틸렌 테트라아민 헥사아세트산(triethylenetetramine hexaacetic acid), 테트라에틸렌 펜타민 헵타아세트산(tetraethylenepentamine heptaacetic acid), 펜타 에틸렌 헥사 아민 옥타아세트산(pentaethylenehexamine octaacetic acid), 니트릴로트리 아세트산(nitrilotriacetic acid) 및 이들의 알칼리 금속 염(및 바람직하게 나트륨 염)과 같은 아미노카르복실산계 킬레이트제(aminocarboxylic acid-based chelating agents); 히드록시에틸리덴 다이포스폰산(hydroxyethylidene diphosphonic acid) 니트릴로메틸렌 포스폰산(nitrilotrismethylene phosphonic acid), 포스포노부탄 트리카르복실산(phosphonobutane tricarboxylic acid) 및 이들의 알칼리 금속 염(바람직하게 나트륨 염)과 같은 포스폰산계 킬레이트제; 옥살 산(oxalic acid), 말론 산(malonic acid), 숙신 산(succinic acid), 굴루타르 산(glutaric acid), 아디프 산(adipic acid), 피멜 산(pimelic acid), 말레 산(maleic acid), 푸마르 산(fumaric acid), 말 산(malic acid), 타르타르 산(tartaric acid), 시트릭 산(citric acid), 및 무수물(anhydrides) 및 이들의 알칼리 금속 염(바람직하게 나트륨 염)과 같은 2가 이상의 카르복실 산 화합물(carboxylic acid compounds)을 포함한다. 킬레이트제가 사용되는 경우, 본 발명의 식각액 조성물에서 킬레이트제의 농도는 일반적으로 0.01 내지 40질량% 이내의 범위에 들어간다.
본 발명의 식각액 조성물의 식각 속도가 높은 경우 환원제(reducing agent)가 사용될 수 있다. 환원제의 예로는 염화 구리, 염화 철, 구리 분말 및 은 분말을 포함한다. 환원제가 사용되는 경우, 본 발명의 식각액 조성물에서 환원제의 농도는 일반적으로 0.01 내지 10질량% 이내의 범위에 들어간다.
비이온성 계면활성제(non-ionic surfactant), 양이온성 계면활성제(cationic surfactant) 또는 양성계면 활성제(amphoteric surfactant)와 같은 계면활성제가 사용되는 것도 가능하다.
비이온성 계면활성제의 예로는 폴리옥시알킬렌 알킬 에테르(polyoxyalkylene alkyl ethers), 폴리옥시알킬렌 알케닐 에테르(polyoxyalkylene alkenyl ethers), 폴리옥시알킬렌-폴리옥시프로필렌 알킬 에테르(polyoxyethylene-polyoxypropylene alkyl ethers) (에틸렌 산화물 및 프로필렌 산화물의 첨가 모드는 랜덤 또는 블록-형(block-like)일 수 있다), 폴리에틸렌 글리콜-프로필렌 산화물 부가 생성물(polyethylene glycol-propylene oxide adducts), 폴리프로필렌 글리콜-에틸렌 산화물 부가 생성물(polypropylene glycol-ethylene oxide adducts), 알킬렌디아민(alkylenediamines)에 대한 에틸렌 산화물 및 프로필렌 산화물의 랜덤 및 블록 부가생성물, 글리세롤 지방산 에스테르(glycerol fatty acid esters) 및 이들의 에틸렌 산화물 부가 생성물, 소르비탄 지방산 에스테르(sorbitan fatty acid esters), 폴리옥시에틸렌 소르비탄 지방산 에스테르(polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters), 알킬폴리글루코시드(alkylpolyglucosides), 지방산 모노에탄올아미드(fatty acid monoethanolamides) 및 이들의 에틸렌 산화물 부가 생성물, 지방산-N-메틸모노에탄올아미드(fatty acid-N-methylmonoethanolamide), 및 이들의 에틸렌 산화물 부가 생성물, 지방산 디에탄올아미드(fatty acid diethanolamides) 및 이들의 에틸렌 산화물 부가 생성물, 자당 지방산 에스테르(sucrose fatty acid esters), 알킬 (폴리)글리세롤 에테르(alkyl (poly)glycerol ethers), 폴리글리세롤 지방센 에스테르(polyglycerol fatty acid esters), 폴리에틸렌 글리콜 지방산 에스테르(polyethylene glycol fatty acid esters), 지방산 메틸 에스테르 에톡실레이트(fatty acid methyl ester ethoxylates) 및 N-장쇄 알킬 디메틸아민 산화물(N-long chain alkyl dimethylamine oxides)을 포함한다. 알킬렌디아민에 대한 이러한 에틸렌 산화물 및 프로필렌 산화물의 랜덤 또는 블록 부가 생성물은 본 발명의 식각액 조성물의 양호한 얻어진 배선 패턴의 선형성 및 양호한 저장 안정성을 결과로 하고, 따라서 바람직하다. 특히, 알킬렌디아민에 대한 에틸렌 산화물 및 프로필렌 산화물의 랜덤 또는 블록 부가생성물 중 리버스 타입(reverse type) 부가생성물은 낮은 형성 특성(low foaming properties)의 관점에서 더욱 바람직하다.
양이온성 계면활성제의 예로는 알킬(또는 알케닐) 트리메틸 암모늄 염(alkyl (or alkenyl) trimethyl ammonium salts), 디알킬(또는 알케닐) 디메틸 암모늄 염 (dialkyl (or alkenyl) dimethyl ammonium salts), 알킬(또는 알케닐) 4급 암모늄 염(alkyl (or alkenyl) quaternary ammonium salts), 에티르 그룹, 에스테르 그룹 또는 아마이드 그룹을 갖는 모노- 또는 디-알킬 (또는 알케닐) 4급 암모늄 염 (mono- or di-alkyl (or alkenyl) quaternary ammonium salts having an ether group, an ester group or an amide group), 알킬 (또는 알케닐) 피리디늄 염(alkyl (or alkenyl) pyridinium salts), 알킬 (또는 알케닐) 디메틸벤질 암모늄 염(alkyl (or alkenyl) dimethylbenzyl ammonium salts), 알킬 (또는 알케닐) 이소퀴놀리늄 염(alkyl (or alkenyl) isoquinolinium salts), 디알킬 (또는 알케닐) 몰포늄 염(dialkyl (or alkenyl) morphonium salts), 폴리옥시에틸렌 알킬 (또는 알케닐) 아민(polyoxyethylene alkyl (or alkenyl) amines), 알킬 (또는 알케닐) 아민 염(alkyl (or alkenyl) amine salts), 폴리아민 지방산 유도체(polyamine fatty acid derivatives), 아밀 알콜 지방산 유도체(amyl alcohol fatty acid derivatives), 염화 벤잘코늄(benzalkonium chloride) 및 염화 벤제토늄(benzethonium chloride)를 포함한다.
양성 계명활성제의 예로는 카르복시베타인(carboxybetaines), 설포베타인(sulfobetaines), 포스포베타인(phosphobetaines), 아미도아미노 산(amidoamino acids) 및 이미다졸리늄 베타민-기반 계면활성제(imidazolinium betaine-based surfactants)를 포함한다. 계면활성제가 사용되는 경우에,
본 발명의 식각액 조성물에서 계면활성제의 농도는 일반적을 0.001 내지 10질량%의 범위 내에 있다.
본 발명의 식각액 조성물은 앞서 언급된 성분의 혼합을 통해 준비될 수 있다. 혼합 방법은 특별히 제한되지 않고, 알려진 혼합 장치가 사용된다.
앞서 기술된 성분을 포함하는 본 발명의 식각액 조성물은 높은 안정성을 나타내고, 석출물의 생성을 억제하고, 따라서 연속적으로, 안정적으로 식각의 수행을 가능하게 한다.
본 발명의 식각액 조성물은 구리 가반 층을 포함하는 코팅 필름을 식각하는데 사용될 수 있다. 구리 가반 층을 포함하는 코팅 필름을 식각하는데 종래의 식각액 조성물이 사용되는 경우, 코팅 필름 상에 형성된 레지스트 패턴의 폭 및 식각에 의해 얻어진 배선 패턴의 폭 사이에 큰 차이가 발생하고, 바람직한 폭을 갖는 배선패턴 형성이 어렵다. 하지만, 본 발명의 식각액 조성물을 사용함으로써 이러한 문제를 해결할 수 있다. 즉, 본 발명의 식각액 조성물은 바람직한 치수 정확성을 갖는 배선 패턴을 형성할 수 있다. 본 발명의 식각액 조성물을 사용함으로써 성취되는 유리한 효과(advantageous effect)는 적어도 하나의 인듐 산화물 기반 및 적어도 하나의 구리 기반 층을 포함하는 다중층 코팅 필름이 식각 대상인 경우 특히 두드러질 수 있다.
여기서, 본 명세서에서 “구리 기반 층(copper-based layer)”은 구리를 포함하는 층일 수 있다. 예를 들어, 10 내지 100질량%의 구리를 포함하는 층이 구리 기반 층으로 사용될 수 있다. 구리 기반 층의 예는 금속 구리(Cu) 및 구리-니켈티타늄 합금(CuNiTi) 및 구리-니켈 합금(CuNi)과 같은 구리 합금 중 선택되는 적어도 하나의 층을 포함한다.
또한, 본 명세서에서 “인듐 산화물 기반 층(indium oxide-based layer)”은 인듐 산화물을 포함하는 층을 의미한다. 예를 들어, 10 내지 100 질량%의 인듐 산화물을 포함하는 층이 인듐 산화물 기반 층으로 사용될 수 있다. 인듐 산화물 기반 층의 예는 인듐 산화물(In2O3), 인듐-주석 산화물(ITO) 및 인듐-아연 산화물(IZO) 중 선택되는 적어도 하나의 타입을 포함하는 층을 포함한다.
다중층 코팅 필름에서 인듐 산화물 기반 층 및 구리 기반 층의 숫자는 특별히 제한되지 않고, 각각 하나 또는 둘 이상의 층을 갖는 것도 가능하다. 또한, 인듐 산화물 기반 층 및 구리 기반 층이 층상화되는 순서는 특별히 제한되지 않고, 인듐 산화물 기반 층(상부 층) / 구리 기반 층(하부 층) 또는 구리 기반 층(상부 층) / 인듐 산화물 기반 층(하부 층)을 포함하는 다중층 코팅 필름도 가능하다. 또한, 다중층 코팅 필름은 인듐 산화물 기반 층 및 구리 기반 층이 교대로 층상화되는 것도 가능하다 (예, 인듐 산화물 기반 층 / 구리 기반 층 / 인듐 산화물 기반 층, 구리 기반 층 / 인듐 산화물 기반 층 / 구리 기반 층, 인듐 산화물 기반 층 / 구리 기반 층/ 인듐 산화물 기반 층/ 구리 기반 층, 구리 기반 층 / 인듐 산화물 기반 층 / 구리 기반 층 / 인듐 산화물 기반 층 또는 동류).
또한, 본 발명의 유리한 효과가 손상되지 않는 한, 다중층 코팅 필름은 인듐 산화물 기반 층 및 구리 기반 층을 제외한 다른 층을 포함할 수 있다. 하지만, 바람직한 다중층 코팅필름은 적어도 하나의 인듐 산화물 기반 층 및 적어도 하나의 구리 기반 층 만으로 구성된다.
식각 대상인 코팅 필름은 일반적으로 베이스 상에 형성된다. 베이스는 특별히 제한되지 않고, 이 기술 분야에서 일반적으로 사용되는 물질로부터 형성되는 베이스를 사용할 수 있다. 베이스 물질 구성의 예는 유리, 실리콘, PP, PE 및 PET를 포함한다.
본 발명의 식각액 조성물은 베이스 상에 형성된 코팅 필름의 식각을 통해서 다양한 미세 라인(fine line)을 포함하는 배선 패턴을 형성할 수 있다. 특히, 본 발명의 식각액 조성물은 다중층 코팅 필름이 식각되어야 하는 경우 원스텝 식각을 가능하게 할 수 있다. 따라서, 다중층 코팅 필름을 포함하는 각각의 층을 위해 식각액 조성물의 타입을 변경하는 대신에, 선택적 식각이 수행되는 것의 요구 없이 식각 공정을 단순화시키는 것이 가능하다.
식각을 수행할 때, 코팅 필름 상에 배선 패턴에 대응하도록 레지스트 패턴을 형성하고, 식각 후에 레지스트 패턴을 떼어냄으로써 배선 패턴을 형성하는 것이 가능하다. 레지스트의 타입은 특별히 제한되지 않고, 건식 필름 레지스트와 같은 포토레지스트가 사용될 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물을 사용하는 식각 처리(etching treatment)는 통상의 알려진 방법에 의해 수행될 수 있다. 또한, 식각 방법은 특히 제한되지는 않고, 침지 방법(dipping method), 분사 방법(spraying method) 또는 스피닝 방법 (spinning method)과 같은 방법이 사용될 수 있다.
예를 들어, PET 베이스 상에 형성된 CuNi 층 / Cu 층 / ITO 층을 포함하는 다중층 코팅 필름이 침지 타입 식각 방법을 사용하여 식각되는 경우에, 다중층 코팅 필름이 형성된 베이스를 본 발명의 식각액 조성물에 설정된 시간만큼 침지함으로써, PET 베이스 상의 CuNi 층 / Cu 층 / ITO 층을 원 스텝(집합 식각(collectively etch))으로 식각하는 것이 가능하다.
식각 조건은 특별히 제한되지 않고, 식각의 대상인 코팅 필름의 타입, 형상 및 두께에 따라 적절히 설정되어야 한다.
예를 들어, 식각 온도는 바람직하게 10℃ 내지 60℃이고, 더욱 바람직하게 30℃ 내지 50℃이다. 식각액 조성물의 온도가 상승하면 결과로서 반응 열을 증가시키고, 필요에 따라 상기 온도는 앞서 기술된 범위 내로 유지하기 위해 널리 알려진 수단에 의해 제어될 수 있다.
또한, 식각 기간(etching duration)은 상기 기간이 식각되어야 하는 코팅 필름의 부분이 완전히 식각되기에 충분한 정도라면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 전기 회로 기판(electronic circuit board) 상에 배선 패턴을 형성하기 위해 대략 500 내지 2000 Å의 두께를 갖는 코팅 필름이 식각되어야 하는 경우, 식각은 앞서 기술된 온도 범위에서 대략 0.2 내지 5분의 기간동안 수행되어야 한다.
본 발명의 식각액 조성물 및 식각 방법은 바람직한 치수 정확성을 갖는 배선 패턴의 형성을 가능하게 하고, 또한 높은 안정성 및 석출물 생성의 억제를 제공하며, 따라서 액정 디스플레이(liquid crystal displays), 플라스마 디스플레이(plasma displays), 터치 패널(touch panels), 유기 EL 장치(organic EL devices), 솔라셀(solar cells), 조명 기구(lighting fixtures) 및 이의 동류에서 전극, 배선, 및 이의 동류를 형성 할 때 이점있게 사용될 수 있다.
실시예(Examples)
본 발명은 지금부터 실시 예(Working Examples) 및 비교 예(Comparative Examples)를 사용하여 더 상세히 설명될 것이다, 그러나 본 발명은 이러한 예에 제한되지는 않는다.
(실시 예 1 내지 24)
식각액 조성물은 표 1에 나타낸 성분을 표1에 나타난 혼합비로 혼합하여 얻어졌다. 또한, 물(water)은 표 1에 나타난 성분에 추가된 식각액 조성물의 성분이다. 또한, 표 1에 나타난 성분의 혼합비의 단위는 질량%(mass%)이고, 염화 철의 농도는 철 이온의 기준에서의 농도이고, 염화 구리의 농도는 구리 이온의 기준에서 농도이다.


실시 예		 성분 (A)
 성분 (B) 성분 (C)
염화 철(Ferric chloride) 염화 구리(Cupric chloride) 염화 수소
(Hydrogen chloride) 		1,3-디히드록시벤젠(1,3-dihydroxybenzene)
1 1 -- 1 0.01
2 1 -- 1 1
3 1 -- 1 10
4 1 -- 1 20
5 1 -- 15 0.01
6 1 -- 15 3
7 1 -- 15 10
8 1 -- 15 20
9 25 -- 1 10
10 25 -- 10 10
11 25 -- 10 20
12 -- 1 1 0.01
13 -- 1 1 1
14 -- 1 1 10
15 -- 1 1 20
16 -- 1 15 0.01
17 -- 1 15 1
18 -- 1 15 10
19 -- 1 15 20
20 -- 25 1 1
21 -- 25 1 10
22 -- 25 1 20
23 -- 25 10 5
24 -- 25 10 10
(비교 예 1 내지 20)
식각액 조성물은 표 2에 나타낸 성분을 표2에 나타난 혼합비로 혼합하여 얻어졌다. 또한, 물(water)은 표 2에 나타난 성분에 추가된 식각액 조성물의 성분이다. 또한, 표 2에 나타난 성분의 혼합비의 단위는 질량%(mass%)이고, 염화 철의 농도는 철 이온의 기준에서의 농도이고, 염화 구리의 농도는 구리 이온의 기준에서 농도이다.
비교 예 성분 (A)
 성분 (B) 성분 (C)
염화 철
(Ferric chloride) 		염화 구리
(Cupric chloride		 염화 수소(Hydrogen chloride) 1,4-디히드록시벤젠(1,4-dihydroxybenzene) 1,2-디히드록시벤젠(1,2-dihydroxybenzene) 살리실산 나트륨(sodium salicylate)
1 1 -- 1 1 -- --
2 1 -- 15 1 -- --
3 1 -- 15 10 -- --
4 25 -- 1 10 -- --
5 25 -- 10 10 -- --
6 -- 1 1 1 -- --
7 -- 1 1 10 -- --
8 -- 1 15 1 -- --
9 -- 1 15 10 -- --
10 -- 25 1 1 -- --
11 1 -- 15 -- -- --
12 -- 1 15 -- -- --
13 25 -- 1 -- 0.5 --
14 25 -- 1 -- 1 --
15 -- 25 1 -- 0.5 --
16 -- 25 1 -- 1 --
17 25 -- 1 -- -- 0.1
18 -- 25 1 -- -- 1
19 25 -- 1 -- -- 0.1
20 -- 25 1 -- -- 1
실시 예 및 비교 예에서 얻어진 식각액 조성물은 앞서 기술된 안정성 및 식각 성능 측면에서 이하의 방법을 따라 평가되었다.
(안정성 평가)
안정성은 봉인된 유리 병에 식각액 조성물을 배치하여, 성분을 상압 및 35℃의 온도에서 60분 동안 방치하고, 시각적으로 석출물이 생성되는지 또는 되지 않는지 확인하였다.
(식각 성능 평가)
200 ㎛의 두께를 갖는 PET 베이스 상에 ITO 층 (50 nm), 구리 층 (200 nm) 및 CuNiTi 층 (30 nm) 순서대로 층상화하여 다중층 코팅 필름이 형성되었다. 다음으로, 건식 필름 레지스트를 사용하여 다중층 코팅 필름 상에 40 ㎛의 폭 및 20 ㎛의 개구(opening size)를 갖는 레지스트 패턴을 형성하고, 20nm 가로, 20nm 세로 길이로 잘라서 시험 시편은 얻어졌다. 이 시험 시편은 식각액 조성물을 사용하여 침지 방식에 의하여 식각되었다. 식각 처리는 35℃의 식각 온도에서 식각액 조성물을 저으면서 수행되었다. 식각 기간은 표 3에 나타내었다. 식각 처리 후에는, 스트리핑 용액(stripping liquid)을 사용하여 레지스트 패턴은 제거함으로써 배선 패턴이 얻어졌다.
상기 얻어진 배선 패턴의 폭(꼭대기 부분)이 레이저 현미경을 사용하여 측정되었고, 레지스트 패턴의 폭 및 배선 패턴의 폭 사이의 차이가 결정되었다. 비교는 레지스트 패턴의 폭 및 배선 패턴의 폭 사이의 차이의 절대값(L1)으로서 계산되었다. 이 절대값(L1)이 0에 근접할 수록, 레지스트 패턴의 폭 및 배선 패턴의 폭 사이의 차이가 감소하고, 이는 높은 치수 정확성을 갖는 배선 패턴이 얻어졌음을 의미한다. 반대로, 이 절대값(L1)이 증가하면, 레지스트 패턴의 폭 및 배선 패턴의 폭 사이의 차이가 증가하고, 낮은 높은 치수 정확성을 갖는 배선 패턴이 얻어졌음을 의미한다. 또한, 비교 예 13 내지 16, 18 및 20의 비교 예의 식각액 조성물은 안정성 평가에서 석출물이 생성되었고, 식각 성능 평가를 수행하는 것이 가능하지 않았다.
이 결과는 표 3에 나타내었다.

No.
 안정성 평가(석출물 유/무) 식각 성능 평가
식각 기간(sec) L1((㎛)
실시 예 1 None 50 1.35
2 None 50 1.52
3 None 60 0.69
4 None 50 0.84
5 None 20 4.42
6 None 40 4.40
7 None 50 2.40
8 None 40 2.07
9 None 30 2.84
10 None 30 2.95
11 None 30 2.86
12 None 40 2.51
13 None 50 3.49
14 None 60 1.83
15 None 40 2.77
16 None 10 5.10
17 None 20 7.51
18 None 20 3.63
19 None 10 3.74
20 None 20 9.32
21 None 20 3.87
22 None 20 4.71
23 None 30 4.00
24 None 30 4.32
비교 예 1 None 50 4.05
2 None 30 11.79
3 None 50 8.48
4 None 40 10.49
5 None 30 4.61
6 None 50 5.29
7 None 60 3.14
8 None 20 13.11
9 None 20 16.43
10 None 20 11.16
11 None 20 9.21
12 None 10 8.51
13 검정 석출물 -- --
14 검정 석출물 -- --
15 검정 석출물 -- --
16 검정 석출물 -- --
17 None 30 15.02
18 흰 석출물 -- --
19 None 30 10.52
20 흰 석출물 -- --
표 3에 나타난 바와 같이, 실시 예 1 내지 24 및 비교 예 1 내지 12, 17 및 19의 식각액 조성물은 석출물을 생성하지 않았고, 따라서 높은 안정성을 나타내는 것으로 이해할 수 있다. 반대로, 실시 예 13 내지 16, 18 및 19는 석출물을 생성하였고, 따라서 낮은 안정성을 나타내는 식각액 조성물로 이해할 수 있다.
또한, 동일한 식각 조건(특히 동일한 식각 기간)을 갖는 예를 비교하면, 실시 예 1 내지 24의 식각액 조성물은 비교 예 1 내지 12, 17 및 19의 식각액 조성물 보다 낮은 절대값(L1)을 생성하였다. 특히, 실시 예 1 내지 4 및 14의 식각액 조성물은 2 ㎛ 미만의 절대값(L1)을 생성하였고, 따라서 높은 치수 정확성을 갖는 배선 패턴을 형성할 수 있음으로 이해된다.
앞선 결과를 통해 이해된 바, 본 발명은 바람직한 치수 정확성을 갖는 배선 패턴을 형성하는 것이 가능한 식각액 조성물 및 식각 방법을 제공할 수 있고, 또한 높은 안정성 및 석출물 생성 방지를 제공할 수 있다.
또한, 본 국제 명세서는 2015.10.23에 제출된 일본 공개 공보 No. 2015-209028에 기반하여 우선권을 주장하고, 상기 출원의 상세는 본 국제 출원에 포함된다.

Claims (6)

  1. 구리 기반 층을 포함하는 코팅 필름의 식각을 위해 사용되는 식각액 조성물에 있어서,
    (A) 0.1 내지 30 질량%의 철 이온(ferric ions) 및 구리 이온(cupric ion) 군 중 선택된 적어도 하나의 산화제;
    (B) 0.1 내지 20 질량%의 염화 수소(hydrogen chloride); 및
    (C) 0.01 내지 25 질량%의 1,3-디히드록시벤젠(1,3-dihydroxybenzene);을 포함하는 수성(aqueous) 용액으로 구성된 식각액 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 코팅 필름은 적어도 하나의 인듐 산화물 기반 층 타입 및 적어도 하나의 구리 기반 층 타입을 포함하는 다중층 코팅 필름(multilayer coating film)인, 식각액 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 식각은 원스텝(one-step) 식각인, 식각액 조성물
  4. 베이스(base) 상에 형성된 구리 기반 층을 포함하는 코팅 필름의 식각용 식각 방법에 있어서,
    (A) 0.1 내지 30 질량%의 철 이온(ferric ions) 및 구리 이온(cupric ion) 군 중 선택된 적어도 하나의 산화제;
    (B) 0.1 내지 20 질량%의 염화 수소(hydrogen chloride); 및
    (C) 0.01 내지 25 질량%의 1,3-디히드록시벤젠(1,3-dihydroxybenzene);을 포함하는 수성(aqueous) 용액으로 구성된 식각액 조성물을 사용하는, 식각 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 코팅 필름은 적어도 하나의 인듐 산화물 기반 층 타입 및 적어도 하나의 구리 기반 층 타입을 포함하는 다중층 코팅 필름(multilayer coating film)인, 식각 방법.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 식각은 원스텝(one-step) 식각인, 식각 방법.

KR1020187010763A 2015-10-23 2016-08-22 식각액 조성물 및 식각 방법 KR20180072688A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015209028A JP6557575B2 (ja) 2015-10-23 2015-10-23 エッチング液組成物及びエッチング方法
JPJP-P-2015-209028 2015-10-23
PCT/JP2016/074378 WO2017068849A1 (ja) 2015-10-23 2016-08-22 エッチング液組成物及びエッチング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180072688A true KR20180072688A (ko) 2018-06-29

Family

ID=58556976

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187010763A KR20180072688A (ko) 2015-10-23 2016-08-22 식각액 조성물 및 식각 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10280518B2 (ko)
JP (1) JP6557575B2 (ko)
KR (1) KR20180072688A (ko)
CN (1) CN108352318B (ko)
TW (1) TWI712708B (ko)
WO (1) WO2017068849A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102315919B1 (ko) * 2021-01-26 2021-10-22 연세대학교 산학협력단 비인산계 실리콘 질화막 식각 조성물 및 이를 이용한 식각방법

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210035090A (ko) * 2018-08-13 2021-03-31 가부시키가이샤 아데카 조성물 및 에칭 방법
CN110862825A (zh) * 2019-11-25 2020-03-06 苏州博洋化学股份有限公司 一种用于铟锡氧化物半导体透明导电膜蚀刻的蚀刻液
JP2022109411A (ja) 2021-01-15 2022-07-28 株式会社オーディオテクニカ マイクロホン
CN113897612A (zh) * 2021-11-17 2022-01-07 新恒汇电子股份有限公司 增强引线框架结合力的碱性粗化液及其制备方法和应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006111953A (ja) 2004-10-18 2006-04-27 Mec Kk 銅又は銅合金のエッチング剤、その製造法、補給液及び配線基板の製造法
JP2009079284A (ja) 2007-09-04 2009-04-16 Mec Kk エッチング液及び導体パターンの形成方法
JP2009231427A (ja) 2008-03-21 2009-10-08 Toagosei Co Ltd エッチング液、該エッチング液を用いた透明導電膜のエッチング方法及び被エッチング基板

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6875260B2 (en) * 2002-12-10 2005-04-05 Enthone Inc. Copper activator solution and method for semiconductor seed layer enhancement
JP2006011953A (ja) 2004-06-28 2006-01-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd データベース更新方法
JP2006114872A (ja) * 2004-09-15 2006-04-27 Daikin Ind Ltd 銅酸化物を含む銅変質層の除去液及び除去方法
WO2006030718A1 (ja) 2004-09-16 2006-03-23 Ngk Insulators, Ltd. AlN単結晶の製造方法およびAlN単結晶
US8551682B2 (en) * 2007-08-15 2013-10-08 Dynaloy, Llc Metal conservation with stripper solutions containing resorcinol
SG189292A1 (en) * 2010-10-06 2013-05-31 Advanced Tech Materials Composition and process for selectively etching metal nitrides
JP5885993B2 (ja) * 2011-10-17 2016-03-16 関東化學株式会社 エッチング液組成物およびエッチング方法
WO2013136624A1 (ja) * 2012-03-13 2013-09-19 株式会社Adeka エッチング液組成物及びエッチング方法
US20150025234A1 (en) * 2013-03-15 2015-01-22 Garnet Biotherapeutics, Inc. Ganglioside compositions

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006111953A (ja) 2004-10-18 2006-04-27 Mec Kk 銅又は銅合金のエッチング剤、その製造法、補給液及び配線基板の製造法
JP2009079284A (ja) 2007-09-04 2009-04-16 Mec Kk エッチング液及び導体パターンの形成方法
JP2009231427A (ja) 2008-03-21 2009-10-08 Toagosei Co Ltd エッチング液、該エッチング液を用いた透明導電膜のエッチング方法及び被エッチング基板

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102315919B1 (ko) * 2021-01-26 2021-10-22 연세대학교 산학협력단 비인산계 실리콘 질화막 식각 조성물 및 이를 이용한 식각방법
US11521859B2 (en) 2021-01-26 2022-12-06 Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University Non-phosphoric acid-based silicon nitride film etching composition and etching method using the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN108352318B (zh) 2022-02-18
CN108352318A (zh) 2018-07-31
JP6557575B2 (ja) 2019-08-07
TWI712708B (zh) 2020-12-11
WO2017068849A1 (ja) 2017-04-27
TW201723229A (zh) 2017-07-01
US10280518B2 (en) 2019-05-07
JP2017084873A (ja) 2017-05-18
US20180298501A1 (en) 2018-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180072688A (ko) 식각액 조성물 및 식각 방법
KR101404511B1 (ko) 식각액 조성물, 및 다중금속막 식각 방법
KR102058485B1 (ko) 에칭액 조성물 및 에칭방법
CN108780747B (zh) 蚀刻液组合物和蚀刻方法
KR102660286B1 (ko) 구리계 금속막 및 금속 산화물막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법
JP6078394B2 (ja) エッチング液組成物及びエッチング方法
KR102079658B1 (ko) 구리 함유 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법
CN112135927B (zh) 组合物和蚀刻方法
JP2017199791A (ja) エッチング液組成物及びエッチング方法
KR102107476B1 (ko) 구리 함유 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법
CN110383430B (zh) 蚀刻液组合物和蚀刻方法
KR20150004971A (ko) 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR102677476B1 (ko) 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴 제조 방법
JP6662671B2 (ja) エッチング液組成物及びエッチング方法
KR102218556B1 (ko) 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법
KR102218565B1 (ko) 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법
KR20160001074A (ko) 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR102204042B1 (ko) 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
CN111542648A (zh) 组合物和蚀刻方法
KR20160100592A (ko) 식각액 조성물 및 이를 이용한 투명 전극의 형성방법
KR20160001234A (ko) 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR20160001986A (ko) 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법