KR20180069175A - 디스플레이 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 기판과, 기판 상에 배치되며 채널영역과 채널영역 양쪽의 소스영역 및 드레인영역을 구비한 반도체층, 및 반도체층의 일부와 중첩하는 게이트전극을 포함하는 박막트랜지스터와, 반도체층 및 게이트전극 사이의 게이트절연층과, 박막트랜지스터를 커버하는 층간절연층과, 게이트절연층 및 층간절연층을 관통하는 홀을 통해 상기 반도체층과 접촉하는 데이터선과, 홀의 내측벽에 배치되며 데이터선과 접촉하는 스페이서, 및 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소전극을 포함하는, 디스플레이 장치를 개시한다.

Description

디스플레이 장치{Display device}
본 발명의 실시예들은 디스플레이 장치에 관한 것이다.
일반적으로 디스플레이 장치는 디스플레이소자 및 디스플레이소자에 인가되는 전기적 신호를 제어하기 위한 전자소자들을 포함한다. 전자소자들은 박막트랜지스터(TFT; Thin Film Transistor), 스토리지 커패시터 및 복수의 배선들을 포함한다.
고품질의 이미지를 제공하기 위하여, 하나의 디스플레이소자에 전기적으로 연결되는 박막트랜지스터들의 개수가 증가하고 있다.
점차 소형화 또는/및 고해상도의 요구가 증가하면서, 디스플레이 장치에 포함되는 박막트랜지스터들과 같은 전자소자들 및/또는 배선들 사이의 간격이 줄어드는 경향이 있다.
본 발명은 박막트랜지스터들과 배선들간의 콘택면적을 조절할 수 있고, 배선의 폭을 조절할 수 있으며, 박막트랜지스터들과 배선들의 배치를 최적화한 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예는, 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 채널영역과 상기 채널영역 양쪽의 소스영역 및 드레인영역을 구비한 반도체층, 및 상기 반도체층의 일부와 중첩하는 게이트전극을 포함하는 박막트랜지스터; 상기 반도체층과 상기 게이트전극 사이의 게이트절연층; 상기 박막트랜지스터를 커버하는 층간절연층; 상기 게이트절연층 및 상기 층간절연층을 관통하는 홀을 통해 상기 반도체층과 접촉하는 데이터선; 상기 홀의 내측벽에 배치되며, 상기 데이터선과 접촉하는 스페이서; 및 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소전극;을 포함하는, 디스플레이 장치를 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 데이터선의 하부면은 상기 소스영역 및 상기 드레인영역 중 어느 하나와 직접 접촉하며, 상기 데이터선의 상기 홀의 내측벽과 마주보는 면은 상기 스페이서와 직접 접촉할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 반도체층은, 상기 데이터선과 접촉하는 제1영역 및 상기 제1영역에 인접한 제2영역을 포함하며, 상기 제1영역의 두께는 상기 제2영역의 두께 보다 작을 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2영역은 상기 게이트절연층 및 상기 층간절연층과 중첩할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1영역과 상기 제2영역은 동일한 불순물로 도핑될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 반도체층은, 상기 제1영역과 상기 제2영역 사이에 개재되며, 상기 스페이서와 접촉하는 제3영역을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제3영역의 두께는 상기 제2영역의 두께보다 작을 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1영역의 두께는 상기 제3영역의 두께와 같거나 그보다 작을 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1영역과 상기 제3영역은 단차를 이루며, 상기 제1영역과 상기 제3영역 사이의 연결부분은 순방향 테이퍼진 경사를 가질 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 스페이서는 상기 홀의 내측벽을 향하는 제1측면, 및 상기 소스영역 및 상기 드레인영역 중 어느 하나를 향하는 하부면을 포함하고, 상기 제1측면은, 상기 층간절연층, 상기 게이트절연층, 및 상기 반도체층과 직접 접촉하며, 상기 하부면은 상기 소스영역 및 상기 드레인영역 중 어느 하나와 직접 접촉할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 박막트랜지스터는, 구동 채널영역, 구동 소스영역, 및 구동 드레인영역을 포함하는 구동 반도체층, 및 상기 구동 채널영역과 중첩하는 구동 게이트전극을 포함하는 구동 박막트랜지스터; 및 상기 기판 상에 배치되며, 스위칭 채널영역, 스위칭 소스영역, 및 스위칭 드레인영역을 포함하는 스위칭 반도체층, 및 상기 스위칭 채널영역과 중첩하는 스위칭 게이트전극을 포함하는 스위칭 박막트랜지스터;를 포함하고, 상기 데이터선은 상기 스위칭 소스영역 및 상기 스위칭 드레인영역 중 어느 하나와 접촉할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 게이트절연층과 상기 층간절연층 사이에 개재되는 제2게이트절연층; 및 상기 제2게이트절연층을 사이에 두고 서로 마주보는 제1스토리지 축전판과 제2스토리지 축전판;을 더 포함하며, 상기 스페이서는, 상기 층간절연층, 상기 제2게이트절연층, 상기 게이트절연층, 및 상기 반도체층과 직접 접촉할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 스페이서는 상기 층간절연층의 상면으로 연장될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 스페이서는 상기 층간절연층의 상기 상면의 적어도 일부와 직접 접촉할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 스페이서는 절연물을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 절연물은, SiOx, SiNx, SiON, 및 SiOC 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 스페이서는 금속을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 스페이서는, 상기 데이터선과 동일한 금속원소를 포함할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예들은 박막트랜지스터 및 스토리지 커패시터와 같은 전자소자들 및 배선간의 콘택면적을 조절할 수 있다. 콘택면적이 감소하도록 제어되는 경우, 필요에 따라 데이터선과 같은 배선의 폭도 줄일 수 있는 등 조절이 가능하다. 또한, 좁은 공간에 전자소자들 및 배선들을 효율적으로 배치할 수 있어 고해상도에 적합한 디스플레이 장치를 제공할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 화소의 박막트랜지스터들, 스토리지 커패시터의 위치를 개략적으로 나타낸 배치도이다.
도 4는 도 3의 VIa- VIa선 및 VIb- VIb에 따른 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시예들에 따른 도 4의 V부분을 발췌하여 나타낸 단면도들이다.
도 6은 도 5a 및 도 5b를 K에서 바라본 평면도이다.
도 7a 내지 도 7h는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조 공정에 따른 단면도들이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 단면도들이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 디스플레이 장치(1)는 기판(100)을 구비한다. 기판(100)은 디스플레이영역(DA)과 이 디스플레이영역(DA) 외측의 주변영역(PA)을 갖는다.
기판(100)의 디스플레이영역(DA)에는 유기발광소자(organic light-emitting device, OLED)와 같은 다양한 디스플레이소자를 구비한 화소(PX)들이 배치될 수 있다. 기판(100)의 주변영역(PA)에는 디스플레이영역(DA)에 인가할 전기적 신호를 전달하는 다양한 배선들이 위치할 수 있다. 이하에서는 편의상 디스플레이소자로서 유기발광소자를 구비하는 디스플레이 장치(1)에 대해 설명한다. 하지만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 다른 실시예로 디스플레이장치(1)는 액정을 사용하는 디스플레이 장치일 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 2를 참조하면, 화소(PX)는 신호선들(121, 122, 123, 171), 신호선들에 연결되어 있는 복수개의 박막트랜지스터들(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7), 스토리지 커패시터(storage capacitor, Cst), 초기화전압선(124), 구동전압선(172) 및 유기발광소자(OLED)를 포함한다.
도 2에서는 각 화소(PX)마다 신호선들(121, 122, 123, 171), 초기화전압선(124), 및 구동전압선(172)이 구비된 경우를 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또 다른 실시예로서, 신호선들(121, 122, 123, 171) 중 적어도 어느 하나, 또는/및 초기화전압선(124)은 이웃하는 화소들에서 공유될 수 있다.
박막트랜지스터는 구동 박막트랜지스터(driving TFT, T1), 스위칭 박막트랜지스터(switching TFT, T2), 보상 박막트랜지스터(T3), 제1초기화 박막트랜지스터(T4), 동작제어 박막트랜지스터(T5), 발광제어 박막트랜지스터(T6) 및 제2초기화 박막트랜지스터(T7)를 포함할 수 있다.
신호선은 스캔신호(Sn)를 전달하는 스캔선(121), 제1초기화 박막트랜지스터(T4)와 제2초기화 박막트랜지스터(T7)에 이전 스캔신호(Sn-1)를 전달하는 이전 스캔선(122), 동작제어 박막트랜지스터(T5) 및 발광제어 박막트랜지스터(T6)에 발광제어신호(En)를 전달하는 발광제어선(123), 스캔선(121)과 교차하며 데이터신호(Dm)를 전달하는 데이터선(171)을 포함한다. 구동전압선(172)은 구동 박막트랜지스터(T1)에 구동전압(ELVDD)을 전달하며, 초기화전압선(124)은 구동 박막트랜지스터(T1) 및 화소전극을 초기화하는 초기화전압(Vint)을 전달한다.
구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1스토리지 축전판(Cst1)에 연결되어 있고, 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 소스전극(S1)은 동작제어 박막트랜지스터(T5)를 경유하여 구동전압선(172)에 연결되어 있으며, 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 드레인전극(D1)은 발광제어 박막트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광소자(OLED)의 화소전극과 전기적으로 연결되어 있다. 구동 박막트랜지스터(T1)는 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 데이터신호(Dm)를 전달받아 유기발광소자(OLED)에 구동전류(IOLED)를 공급한다.
스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 게이트전극(G2)은 스캔선(121)에 연결되어 있고, 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 소스전극(S2)은 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 드레인전극(D2)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 소스전극(S1)에 연결되어 있으면서 동작제어 박막트랜지스터(T5)를 경유하여 구동전압선(172)에 연결되어 있다. 스위칭 박막트랜지스터(T2)는 스캔선(121)을 통해 전달받은 스캔신호(Sn)에 따라 턴-온되어 데이터선(171)으로 전달된 데이터신호(Dm)를 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 소스전극(S1)으로 전달하는 스위칭 동작을 수행한다.
보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 게이트전극(G3)은 스캔선(121)에 연결되어 있고, 보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 소스전극(S3)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 드레인전극(D1)에 연결되어 있으면서 발광제어 박막트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광소자(OLED)의 화소전극과 연결되어 있고, 보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 드레인전극(D3)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1스토리지 축전판(Cst1), 제1초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1초기화 드레인전극(D4) 및 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)에 연결되어 있다. 보상 박막트랜지스터(T3)는 스캔선(121)을 통해 전달받은 스캔신호(Sn)에 따라 턴-온되어 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)과 구동 드레인전극(D1)을 전기적으로 연결하여 구동 박막트랜지스터(T1)를 다이오드 연결시킨다.
제1초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1초기화 게이트전극(G4)은 이전 스캔선(122)에 연결되어 있고, 제1초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1초기화 소스전극(S4)은 제2초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2초기화 드레인전극(D7)과 초기화전압선(124)에 연결되어 있으며, 제1초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1초기화 드레인전극(D4)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1스토리지 축전판(Cst1), 보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 드레인전극(D3) 및 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)에 연결되어 있다. 제1초기화 박막트랜지스터(T4)는 이전 스캔선(122)을 통해 전달받은 이전 스캔신호(Sn-1)에 따라 턴-온되어 초기화전압(Vint)을 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)에 전달하여 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)의 전압을 초기화시키는 초기화동작을 수행한다.
동작제어 박막트랜지스터(T5)의 동작제어 게이트전극(G5)은 발광제어선(123)에 연결되어 있으며, 동작제어 박막트랜지스터(T5)의 동작제어 소스전극(S5)은 구동전압선(172)과 연결되어 있고, 동작제어 박막트랜지스터(T5)의 동작제어 드레인전극(D5)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 소스전극(S1) 및 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 드레인전극(D2)과 연결되어 있다.
발광제어 박막트랜지스터(T6)의 발광제어 게이트전극(G6)은 발광제어선(123)에 연결되어 있고, 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 발광제어 소스전극(S6)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 드레인전극(D1) 및 보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 소스전극(S3)에 연결되어 있으며, 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 발광제어 드레인전극(D6)은 제2초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2초기화 소스전극(S7) 및 유기발광소자(OLED)의 화소전극에 전기적으로 연결되어 있다.
동작제어 박막트랜지스터(T5) 및 발광제어 박막트랜지스터(T6)는 발광제어선(123)을 통해 전달받은 발광제어신호(En)에 따라 동시에 턴-온되어, 구동전압(ELVDD)이 유기발광소자(OLED)에 전달되어 유기발광소자(OLED)에 구동전류(IOLED)가 흐르도록 한다.
제2초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2초기화 게이트전극(G7)은 이전 스캔선(122)에 연결되어 있고, 제2초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2초기화 소스전극(S7)은 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 발광제어 드레인전극(D6) 및 유기발광소자(OLED)의 화소전극에 연결되어 있으며, 제2초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2초기화 드레인전극(D7)은 제1초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1초기화 소스전극(S4) 및 초기화전압선(124)에 연결되어 있다. 제2초기화 박막트랜지스터(T7)는 이전 스캔선(122)을 통해 전달받은 이전 스캔신호(Sn-1)에 따라 턴-온되어 유기발광소자(OLED)의 화소전극을 초기화시킨다.
도 2에서는 초기화 박막트랜지스터(T4)와 제2초기화 박막트랜지스터(T7)가 이전 스캔선(122)에 연결된 경우를 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또 다른 실시예로서, 초기화 박막트랜지스터(T4)는 이전 스캔선(122)에 연결되어 이전 스캔신호(Sn-1)에 따라 구동하고, 제2초기화 박막트랜지스터(T7)는 별도의 신호선(예컨대, 이후 스캔선)에 연결되어 상기 신호선에 전달되는 신호에 따라 구동될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 제2스토리지 축전판(Cst2)은 구동전압선(172)에 연결되어 있으며, 유기발광소자(OLED)의 대향전극은 공통전압(ELVSS)에 연결되어 있다. 이에 따라, 유기발광소자(OLED)는 구동 박막트랜지스터(T1)로부터 구동전류(IOLED)를 전달받아 발광함으로써 화상을 표시할 수 있다.
도 2에서는 보상 박막트랜지스터(T3)와 초기화 박막트랜지스터(T4)가 듀얼 게이트전극을 갖는 것으로 도시하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 보상 박막트랜지스터(T3)와 초기화 박막트랜지스터(T4)는 한 개의 게이트전극을 가질 수 있다. 또한, 보상 박막트랜지스터(T3)와 초기화 박막트랜지스터(T4) 외의 다른 박막트랜지스터들(T1, T2, T5, T6, T7) 중 적어도 어느 하나가 듀얼 게이트전극을 가질 수도 있는 것과 같이 다양한 변형이 가능하다.
일 실시예에 따른 각 화소(PX)의 구체적 동작은 다음과 같다.
초기화 기간 동안, 이전 스캔선(122)을 통해 이전 스캔신호(Sn-1)가 공급되면, 이전 스캔신호(Sn-1)에 대응하여 초기화 박막트랜지스터(T4)가 턴-온(Turn on)되며, 초기화전압선(124)으로부터 공급되는 초기화전압(Vint)에 의해 구동 박막트랜지스터(T1)가 초기화된다.
데이터 프로그래밍 기간 동안, 스캔선(121)을 통해 스캔신호(Sn)가 공급되면, 스캔신호(Sn)에 대응하여 스위칭 박막트랜지스터(T2) 및 보상 박막트랜지스터(T3)가 턴-온된다. 이 때, 구동 박막트랜지스터(T1)는 턴-온된 보상 박막트랜지스터(T3)에 의해 다이오드 연결되고, 순방향으로 바이어스 된다.
그러면, 데이터선(171)으로부터 공급된 데이터신호(Dm)에서 구동 박막트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Threshold voltage, Vth)만큼 감소한 보상 전압(Dm+Vth, Vth는 (-)의 값)이 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)에 인가된다.
스토리지 커패시터(Cst)의 양단에는 구동 전압(ELVDD)과 보상 전압(Dm+Vth)이 인가되고, 스토리지 커패시터(Cst)에는 양단 전압 차에 대응하는 전하가 저장된다.
발광 기간 동안, 발광제어선(123)으로부터 공급되는 발광제어신호(En)에 의해 동작제어 박막트랜지스터(T5) 및 발광제어 박막트랜지스터(T6)가 턴-온된다. 구동 박막트랜지스터(T1)의 게이트전극의 전압과 구동 전압(ELVDD) 간의 전압차에 따르는 구동 전류(IOLED)가 발생하고, 발광제어 박막트랜지스터(T6)를 통해 구동 전류(IOLED)가 유기발광소자(OLED)에 공급된다.
도 2에서는 하나의 화소(PX)가 7개의 트랜지스터들을 포함하는 경우를 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 다른 실시예에서, 하나의 화소(PX)는 구동 박막트랜지스터(T1), 스위칭 박막트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다면, 다른 박막트랜지스터들의 개수 및 회로적 연결은 다양하게 변경될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 도 2에 도시된 7개의 트랜지스터를 갖는 화소(PX)를 갖는 경우로 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 화소의 박막트랜지스터들, 스토리지 커패시터의 위치를 개략적으로 나타낸 배치도이고, 도 4는 도 3의 VIa- VIa선 및 VIb- VIb에 따른 단면도이다.
도 3을 참조하면, 화소(PX)는 스캔신호(Sn), 이전 스캔신호(Sn-1), 발광제어신호(En) 및 초기화전압(Vint)을 각각 인가하며 행 방향(x 방향, 또는 제1방향)을 따라 연장된 스캔선(121), 이전 스캔선(122), 발광제어선(123) 및 초기화전압선(124)을 포함한다. 그리고, 화소(PX)는 스캔선(121), 이전 스캔선(122), 발광제어선(123) 및 초기화전압선(124)과 교차하도록 열 방향(y 방향, 또는 제2방향)을 따라 연장되며, 데이터신호(Dm) 및 구동전압(ELVDD)을 각각 인가하는 데이터선(171)과 구동전압선(172)을 포함할 수 있다.
화소(PX)는 박막트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7) 및 스토리지 커패시터(Cst), 이들과 전기적으로 연결된 유기발광소자(OLED, 도 4 참조)를 포함한다.
구동 박막트랜지스터(T1), 스위칭 박막트랜지스터(T2), 보상 박막트랜지스터(T3), 제1초기화 박막트랜지스터(T4), 동작제어 박막트랜지스터(T5), 발광제어 박막트랜지스터(T6) 및 제2초기화 박막트랜지스터(T7)는, 반도체층을 따라 형성되어 있으며, 반도체층은 다양한 형상으로 굴곡질 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 반도체층은 기판(100), 예컨대 기판(100)의 버퍼층(BL) 상에 배치된다. 기판(100)은 글라스재, 또는 PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등과 같은 플라스틱재와 같은 다양한 재료를 포함할 수 있다. 기판(100)이 플라스틱재로 형성된 경우에는 글라스재로 형성된 경우 보다 가요성을 향상시킬 수 있다. 기판(100)상에는 불순물이 침투하는 것을 방지하기 위해 형성된 산화규소(SiOx) 및/또는 질화규소(SiNx) 등으로 형성된 버퍼층(BL)이 구비될 수 있다.
반도체층은, 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 반도체층(130a), 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 반도체층(130b), 보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 반도체층(130c), 제1초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1초기화 반도체층(130d), 동작제어 박막트랜지스터(T5)의 동작제어 반도체층(130e), 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 발광제어 반도체층(130f), 및 제2초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2초기화 반도체층(130g)을 포함할 수 있으며, 이들은 서로 연결될 수 있다.
일부 실시예에서, 반도체층은 폴리실리콘을 포함할 수 있다. 반도체층은 불순물이 도핑되지 않은 채널영역, 및 채널영역의 양 옆의 불순물이 도핑된 소스영역과 드레인영역을 포함할 수 있다. 채널영역은 반도체층들 중 스캔선(121), 이전 스캔선(122), 또는 발광제어선(123)과 중첩되는 영역이다. 소스영역 및 드레인영역은, 스캔선(121), 이전 스캔선(122), 및 발광제어선(123)을 셀프 얼라인 마스크로 불순물을 도핑하여 형성될 수 있다. 여기서, 불순물은 박막트랜지스터의 종류에 따라 달라지며, N형 불순물 또는 P형 불순물을 포함할 수 있다. 소스영역과 드레인영역은 박막트랜지스터의 소스전극과 드레인전극에 대응한다. 이하에서는 편의상 소스전극이나 드레인전극 대신 소스영역이나 드레인영역이라는 용어를 사용한다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 구동 박막트랜지스터(T1)는 구동 반도체층(130a), 구동 게이트전극(125a), 구동 소스영역(176a) 및 구동 드레인영역(177a)을 포함한다. 구동 채널영역(131a)은 구동 반도체층(130a) 중 구동 게이트전극(125a)과 중첩되는 부분이며, 구동 채널영역은 굴곡진 형상을 가져, 채널길이를 길게 형성할 수 있다. 도 4에서는 구동 채널영역이 "오메가" 형으로 굴곡진 형상을 도시하나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
구동 게이트전극(125a)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 게이트전극으로서의 기능 및, 후술할 스토리지 커패시터(Cst)의 제1스토리지 축전판으로의 기능을 수행할 수 있다. 구동 반도체층(130a)과 구동 게이트전극(125a) 사이에는 제1게이트절연층(GI1)이 개재된다. 제1게이트절연층(GI1)은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 구동 소스영역(176a)은 후술하는 스위칭 드레인영역(177b) 및 동작제어 드레인영역(177e)에 연결되고, 구동 드레인영역(177a)은 후술하는 보상 소스영역(176c) 및 발광제어 소스영역(176f)에 연결된다.
스위칭 박막트랜지스터(T2)는 스위칭 반도체층(130b), 스위칭 게이트전극(125b), 스위칭 소스영역(176b) 및 스위칭 드레인영역(177b)을 포함한다. 스위칭 채널영역(131b)은 스위칭 반도체층(130b) 중 스위칭 게이트전극(125b)과 중첩되는 부분이며, 스위칭 게이트전극(125b)은 스캔선(121)의 일부에 해당한다.
스위칭 소스영역(176b)과 스위칭 드레인영역(177b) 중 어느 하나는 데이터선(171)에 연결되고 다른 하나는 스위칭 드레인영역(177b)은 구동 박막트랜지스터(T1) 및 동작제어 박막트랜지스터(T5)에 연결될 수 있다. 예컨대, 스위칭 소스영역(176b)은 제1게이트절연층(GI1), 제2게이트절연층(GI2) 및 층간절연층(ILD)에 형성된 콘택홀(164)을 통해 데이터선(171)과 전기적으로 연결된다. 제2게이트절연층(GI2) 및 층간절연층(ILD)은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 스위칭 드레인영역(177b)은 구동 박막트랜지스터(T1) 및 동작제어 박막트랜지스터(T5)에 연결된다.
보상 박막트랜지스터(T3)는 보상 반도체층(130c), 보상 게이트전극(125c1, 125c2), 보상 소스영역(176c) 및 보상 드레인영역(177c)을 포함한다. 보상 채널영역은 보상 반도체층(130c) 중 보상 게이트전극(125c1, 125c2)과 중첩되는 부분이며, 보상 게이트전극(125c1, 125c2)은 스캔선(121)의 일부에 해당한다. 보상 게이트전극(125c1, 125c2)은 제1게이트전극(125c1)과 제2게이트전극(125c2)을 포함하는 듀얼 게이트전극으로서, 누설 전류(leakage current)의 발생을 방지하거나 줄이는 역할을 할 수 있다. 보상 드레인영역(177c)은 노드연결선(174)을 통해 제1스토리지 축전판(125a)에 연결될 수 있다.
노드연결선(174)은 데이터선(171)과 동일 물질을 포함하며, 동일 층에 배치될 수 있다. 노드연결선(174)의 제1단부는 제1 및 제2게이트절연층(GI1, GI2) 및 층간절연층(ILD)에 형성된 콘택홀(166)을 통해 보상 드레인영역(177c) 및 초기화 드레인영역(177d)에 연결되며, 노드연결선(174)의 제2단부는 제2게이트절연층(GI2) 및 층간절연층(ILD)에 형성된 콘택홀(167)을 통해 제1스토리지 축전판(125a)에 연결된다. 노드연결선(174)의 제2단부는 제2스토리지 축전판(127)에 형성된 스토리지 개구부(127a)를 통해 제1스토리지 축전판(125a)에 연결될 수 있다.
제1초기화 박막트랜지스터(T4)는 제1초기화 반도체층(130d), 제1초기화 게이트전극(125d), 제1초기화 소스영역(176d) 및 제1초기화 드레인영역(177d)을 포함한다. 제1초기화 채널영역은 제1초기화 반도체층(130d) 중 제1초기화 게이트전극(125d)과 중첩되는 부분이며, 제1초기화 게이트전극(125d)은 이전 스캔선(122)의 일부에 해당한다.
제1초기화 소스영역(176d) 및 제1초기화 드레인영역(177d) 중 어느 하나는 초기화전압선(124)에 연결되고, 다른 하나는 구동 박막트랜지스터(T1)에 연결될 수 있다. 예컨대, 제1초기화 소스영역(176d)은 초기화연결선(173)을 통해 초기화전압선(124)과 연결되어 있다. 초기화전압선(124)은 후술할 제2스토리지 축전판(127)과 동일한 물질을 포함하며, 동일한 층에 위치할 수 있다. 초기화연결선(173)의 일단은 제2게이트절연층(GI2) 및 층간절연층(ILD)에 형성된 콘택홀(161)을 통해 초기화전압선(124)과 연결되고, 초기화연결선(173)의 타단은 제1게이트절연층(GI1), 제2게이트절연층(GI2) 및 층간절연층(ILD)에 형성된 콘택홀(162)을 통해 초기화 소스영역(176d)과 연결될 수 있다.
동작제어 박막트랜지스터(T5)는 동작제어 반도체층(130e), 동작제어 게이트전극(125e), 동작제어 소스영역(176e) 및 동작제어 드레인영역(177e)을 포함한다. 동작제어 채널영역은 동작제어 반도체층(130e) 중 동작제어 게이트전극(125e)과 중첩되는 부분이며, 동작제어 게이트전극(125e)은 발광제어선(123)의 일부에 해당한다.
동작제어 소스영역(176e) 및 동작제어 드레인영역(177e) 중 어느 하나는 구동전압선(172)에 연결되고, 다른 하나는 구동 박막트랜지스터(T1)에 연결될 수 있다. 예컨대, 동작제어 소스영역(176e)은 제1 및 제2게이트절연층(GI1, GI2), 및 층간절연층(ILD)에 형성된 콘택홀(165)을 통해 구동전압선(172)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 필요에 따라 구동전압선(172)의 일부, 예컨대 콘택홀(165) 근방의 부분을 동작제어 박막트랜지스터(T5)의 소스영역, 즉 소스전극으로 이해할 수도 있다.
발광제어 박막트랜지스터(T6)는 발광제어 반도체층(130f), 발광제어 게이트전극(125f), 발광제어 소스영역(176f) 및 발광제어 드레인영역(177f)을 포함한다. 발광제어 채널영역은 발광제어 반도체층(130f) 중 발광제어 게이트전극(125f)과 중첩되는 부분이며, 발광제어 게이트전극(125f)은 발광제어선(123)의 일부에 해당한다.
발광제어 소스영역(176f) 및 발광제어 드레인영역(177f) 중 어느 하나는 구동 박막트랜지스터(T1)에 연결되고, 다른 하나는 제2초기화 박막트랜지스터(T7) 및 화소전극(310)에 연결된다. 예컨대, 발광제어 드레인영역(177f)은 제1 및 제2게이트절연층(GI1, GI2), 및 층간절연층(ILD)에 형성된 콘택홀(163)을 통해 층간절연층(ILD) 상의 중간연결층(175)에 연결될 수 있다. 이 때, 중간연결층(175)은 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 드레인영역, 즉 드레인전극으로 이해할 수도 있다. 중간연결층(175)은 데이터선(171)과 동일 층에 형성되고, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 즉, 중간연결층(175)은 층간절연층(ILD) 상에 위치할 수 있다. 중간연결층(175)은 콘택홀(183)을 통해 유기발광소자(OLED)의 화소전극(310)에 전기적으로 연결된다.
제2초기화 박막트랜지스터(T7)는 제2초기화 반도체층(130g), 제2초기화 게이트전극(125g), 제2초기화 소스영역(176g) 및 제2초기화 드레인영역(177g)을 포함한다. 제2초기화 채널영역은 제2초기화 반도체층(130g) 중 제2초기화 게이트전극(125g)과 중첩되는 부분이며, 제2초기화 게이트전극(125g)은 이전 스캔선(122)의 일부에 해당한다.
제2초기화 소스영역(176g) 및 제2초기화 소스영역(177g) 중 어느 하나는 발광제어 박막트랜지스터(T6) 및 화소전극(310)에 연결되고, 다른 하나는 초기화전압선(124)에 연결된다. 예컨대, 제2초기화 소스영역(176g)은 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 발광제어 드레인영역(177f) 및 유기발광소자(OLED)의 화소전극(310)에 연결되어 있으며, 제2초기화 드레인영역(177g)은 제1초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1초기화 소스영역(176d) 및 초기화전압선(124)에 연결되어 있다. 제2초기화 박막트랜지스터(T7)는 이전 스캔선(122)을 통해 전달받은 이전 스캔신호에 따라 턴-온되어 유기발광소자(OLED)의 화소전극(310)을 초기화시킨다.
화소전극(310)은 그 아래의 평탄화절연층(PL) 상에 배치된다. 평탄화절연층(PL)은 데이터선(171), 구동전압선(172), 초기화연결선(173), 노드연결선(174) 및 중간연결층(175)을 커버할 수 있다. 평탄화절연층(PL)은 유기물을 포함할 수 있다. 유기물은 이미드계 고분자, Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
화소전극(310) 상에는 화소정의막(PDL)이 배치될 수 있다. 화소정의막(PDL)은 각 화소들에 대응하는 개구, 즉 적어도 화소전극(310)의 중앙부가 노출되도록 하는 개구를 가짐으로써 화소를 정의하는 역할을 한다. 또한, 화소정의막(PDL)은 화소전극(310)의 가장자리와 대향전극(330) 사이의 거리를 증가시킴으로써, 이들 사이에서 아크 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 화소정의막(PDL)은 예컨대 폴리이미드 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기물로 형성될 수 있다.
중간층(320)은 발광층(322), 및 발광층(322)의 위와 아래에 각각 배치되는 제1및 제2기능층(321, 323)을 포함할 수 있다. 제1기능층(321)은 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 및/또는 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)을 포함할 수 있고, 제2기능층(323)은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다.
중간층(320)은 저분자 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 저분자 물질을 포함할 경우 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층된 구조를 가질 수 있으며, 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양한 유기물질을 포함할 수 있다. 이러한 층들은 증착의 방법으로 형성될 수 있다.
중간층(320)이 고분자 물질을 포함할 경우에는, 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 이 때, 홀 수송층은 PEDOT을 포함하고, 발광층은 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 물질을 포함할 수 있다. 중간층(320)의 구조는 전술한 바에 한정되는 것은 아니고, 다양한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 중간층(320)은 복수개의 화소전극(310)들에 걸쳐서 일체인 층을 포함할 수도 있고, 복수개의 화소전극(310)들 각각에 대응하도록 패터닝된 층을 포함할 수도 있다.
대향전극(330)은 중간층(320) 상에 배치된다. 대향전극(330)은 복수개의 유기발광소자(OLED)들에 있어서 일체(一體)로 형성되어 복수개의 화소전극(310)들에 대응할 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1스토리지 축전판(125a) 및 제2스토리지 축전판(127)을 포함한다. 제2스토리지 축전판(127)은 제2게이트절연층(GI2)을 사이에 두고 제1스토리지 축전판(125a)과 중첩한다. 스토리지 커패시터(Cst)와 구동 박막트랜지스터(T1)를 중첩하도록 설계하여, 고해상도에 따라 화소(PX) 크기가 줄어드는 경우에도 제1스토리지 축전판(125a) 및 제2스토리지 축전판(127)의 면적을 충분히 확보할 수 있어, 고품질의 이미지를 제공할 수 있다.
스캔선(121), 이전 스캔선(122), 발광제어선(123), 및 구동 게이트전극(125a, 또는 제1스토리지 축전판)은 동일 층, 예컨대 도 4에 도시된 바와 같이 제1게이트절연층(GI1) 상에 위치할 수 있다. 제1게이트절연층(GI1)은 산화규소(SiOx), 질화규소(SiNx), 산질화규소(SiON) 등의 무기 절연물을 포함할 수 있다.
스캔선(121), 이전 스캔선(122), 발광제어선(123), 및 구동 게이트전극(125a, 또는 제1스토리지 축전판)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하며, 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다. 일 예로, 스캔선(121), 이전 스캔선(122), 발광제어선(123), 및 구동 게이트전극(125a, 또는 제1스토리지 축전판)은 Mo의 단층일 수 있다.
제2스토리지 축전판(127) 및 초기화전압선(124)은, 동일 층, 예컨대 도 4에 도시된 바와 같이, 제2게이트절연층(GI2) 상에 위치할 수 있다. 제2게이트절연층(GI2)은 산화규소(SiOx), 질화규소(SiNx), 산질화규소(SiON) 등의 무기 절연물을 포함할 수 있다.
제2스토리지 축전판(127) 및 초기화전압선(124)은, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하며, 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 예로, 제2스토리지 축전판(127) 및 초기화전압선(124)은, Mo의 단층이거나 또는 Mo/Al/Mo의 다층일 수 있다.
데이터선(171), 구동전압선(172), 초기화연결선(173), 노드연결선(174) 및 중간연결층(175)은 동일 층, 구체적으로 도 4의 디스플레이영역(DA)에 도시된 바와 같이, 층간절연층(ILD) 상에 위치할 수 있다. 층간절연층(ILD)은 산화규소(SiOx), 질화규소(SiNx), 산질화규소(SiON) 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화탄탈륨(Ta2O5), 산화하프늄(HfO2), 또는 산화아연(ZnO2) 등의 무기 절연물을 포함할 수 있다.
데이터선(171), 구동전압선(172), 초기화연결선(173), 노드연결선(174) 및 중간연결층(175)은 동일한 물질을 포함할 수 있다. 데이터선(171), 구동전압선(172), 초기화연결선(173), 노드연결선(174) 및 중간연결층(175)은, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하며, 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일부 선택적인 실시예로, 데이터선(171), 구동전압선(172), 초기화연결선(173), 노드연결선(174) 및 중간연결층(175)은, Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다.
데이터선(171)과 스위칭 소스영역(176b)은 콘택홀(164)을 통해 연결되되, 콘택홀(164)은, 도 4에 도시된 바와 같이 스페이서(108)에 의해 그 크기가 조절될 수 있다. 스페이서(108)는 제1게이트절연층(GI1), 제2게이트절연층(GI2) 및 층간절연층(ILD)을 관통하는 홀 (H)의 내측벽에 배치된다. 스페이서(108)의 제1측면은 홀(H)을 향하는 제1게이트절연층(GI1)의 내측벽, 제2게이트절연층(GI2)의 내측벽, 및 층간절연층(ILD)의 내측벽과 직접 접촉하고, 제1측면의 반대편인 스페이서(108)의 제2측면은 데이터선(171)과 직접 접촉하며, 스페이서(108)의 하부면은 스위칭 반도체층(130b), 예컨대 스위칭 소스영역(176b)에 직접 접촉할 수 있다.
스페이서(108)는 절연물 또는 금속을 포함할 수 있다. 절연물은 SiNx, SiOx, SiON 등과 같은 무기 절연물, 또는, SiOC(silicon oxycarbide)를 포함할 수 있다. 금속은 Mo, Ti, Al 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 일부 선택적 실시예로, 스페이서(108)는 데이터선(171)에 포함된 금속원소와 동일한 금속원소를 포함할 수 있다. 예컨대, 데이터선(171)이 Ti/Al/Ti 3층 구조인 경우, 스페이서(108)는 Ti를 포함할 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 데이터선(171)과 동일한 층에 배치되고 동일한 물질을 포함하는 중간연결층(175)과 발광제어 드레인영역(177f) 간의 콘택홀(163)의 크기도 스페이서(108)에 의해 조절될 수 있다. 이 때, 스페이서(108)의 제1측면은 홀(H)을 향하는 제1게이트절연층(GI1)의 내측벽, 제2게이트절연층(GI2)의 내측벽, 및 층간절연층(ILD)의 내측벽과 직접 접촉하고, 제1측면의 반대편인 스페이서(108)의 제2측면은 중간연결층(175)과 직접 접촉하며, 스페이서(108)의 하부면은 발광제어 반도체층(130f), 예컨대 발광제어 드레인영역(177f)에 직접 접촉할 수 있다.
또한, 도시되지는 않았으나, 데이터선(171)과 동일한 층에 배치되고 동일한 물질을 포함하는 구동전압선(172)과 동작제어 반도체층(130e)을 연결하는 콘택홀(165)의 크기, 초기화연결선(173)과 제1 및 제2초기화 반도체층(130d, 130g)을 연결하는 콘택홀(162)의 크기, 및/또는 노드연결선(174)과 보상 반도체층(130c)을 연결하는 콘택홀(166)의 크기도 스페이서(108)에 의해 조절될 수 있다. 이 때, 스페이서(108)의 제1측면은 홀(H)을 향하는 제1게이트절연층(GI1)의 내측벽, 제2게이트절연층(GI2)의 내측벽, 및 층간절연층(ILD)의 내측벽과 직접 접촉하고, 제2측면은 각 배선들(예컨대, 구동전압선(172), 초기화연결선(173), 노드연결선(174))과 접촉한다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시예들에 따른 도 4의 V부분을 발췌하여 나타낸 단면도들이며, 도 6은 도 5a 및 도 5b를 K에서 바라본 평면도이다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 데이터선(171)은 스위칭 반도체층(130b)과 접촉하면서 스페이서(108)에도 접촉한다. 예컨대 데이터선(171)의 하부면은 스위칭 반도체층의 스위칭 소스영역(176b)과 직접 접촉하고, 데이터선(171)의 콘택홀(164) 내에 있는 부분의 일측면, 예컨대 홀(H)의 내측벽과 마주보는 일측면은 스페이서(108)와 직접 접촉할 수 있다.
스페이서(108)는 절연층들, 예컨대 제1 및 제2게이트절연층(GI1, GI2) 및 층간절연층(ILD)을 관통하는 홀(H)의 내측벽 상에 위치하며, 데이터선(171) 및 스위칭 반도체층(130b)과 직접 접촉한다.
스페이서(108)의 제1측면(108-1)은 홀(H)의 내측벽 상에서 내측벽과 직접 접촉한다. 예컨대, 스페이서(108)의 제1측면(108-1)은 제1 및 제2게이트절연층(GI1, GI2) 및 층간절연층(ILD)의 내측벽들과 직접 접촉 및 커버한다. 스페이서(108)의 제1측면(108-1)의 반대편인 제2측면(108-2)은 데이터선(171)과 직접 접촉하며, 스페이서(108)의 하부면은 스위칭 소스영역(176b)의 일부와 직접 접촉할 수 있다.
스위칭 반도체층(130b), 예컨대 스위칭 소스영역(176b)은 데이터선(171)과 접촉하는 제1영역(A1)을 포함하고, 제1 및 제2게이트절연층(GI1, GI2) 및 층간절연층(ILD)과 중첩하는 제2영역(A2)을 포함할 수 있다. 그리고, 스위칭 소스영역(176b)은, 제1영역(A1)과 제2영역(A2) 사이에 있고, 스페이서(108)와 중첩하며, 스페이서(108)의 바닥면과 접촉하는 제3영역(A3)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3영역(A1, A2, A3)은 불순물이 도핑된 스위칭 반도체층(130b)의 일부, 예컨대 스위칭 소스영역(176b)의 일부 영역들로서, 동일한 불순물을 포함한다.
제2영역(A2)과 제3영역(A3)은 단차를 이룰 수 있다. 제3영역(A3)의 두께(t3)는 제2영역(A2)의 두께(t2) 보다 작을 수 있다. 이 경우, 스페이서(108)의 제1측면(108-1)은, 스위칭 소스영역(176f), 제1 및 제2게이트절연층(GI1, GI2) 및 층간절연층(ILD)과 모두 접촉할 수 있다.
제1영역(A1)의 두께(t1)는 제3영역(A3)의 두께(t3)와 같거나 그 보다 작을 수 있다. 일부 실시예에서, 도 5a에 도시된 바와 같이, 제1영역(A1)의 두께(t1)는 제3영역(A3)의 두께(t3)와 같을 수 있다. 또 다른 실시예에서, 도 5b에 도시된 바와 같이, 제1영역(A1)의 두께(t1)는 제3영역(A3)의 두께(t3) 보다 작고, 제3영역(A3)의 두께(t3)는 제2영역(A2)의 두께(t2)보다 작을 수 있다. 이 경우, 제1영역(A1)과 제3영역(A3)은 단차를 이룰 수 있다. 제1영역(A1)과 제3영역(A3) 사이의 연결부분은 순방향 테이퍼진 형상의 경사면을 가질 수 있다. 일 실시예로, 순방향 테이퍼진 경사면은 비교적 편평한 형상을 갖거나, 라운드질 수 있다. 도 5b에는 라운드진 순방향 테이퍼의 경사면이 도시되어 있다.
도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 제2영역(A2)과 제3영역(A3) 사이의 연결부분도 순방향 테이퍼진 형상의 경사면을 가질 수 있다. 도 5a 및 도 5b에는 비교적 편평하고 순방향 테이퍼진 경사면을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 다른 실시예에서, 경사면은 라운드진 순방향 테이퍼일 수 있다.
도 5a, 도 5b 및 도 6을 참조하면, 스페이서(108)에 의하여 홀(H)의 크기가 작게 조절될 수 있으므로, 콘택면적을 줄이면서 데이터선(171)과 스위칭 반도체층(130b), 예컨대 스위칭 소스영역(176b) 간의 전기적 연결이 가능하다. 제1 및 제2게이트절연층(GI1, GI2) 및 층간절연층(ILD)을 관통하는 홀(H)의 경우, 포토레지스트를 마스크로 하여 에칭 공정을 통해 형성되는데, 포토레지스트의 노광 공정의 한계 해상도에 의해 홀(H)의 크기를 작게 조절하는 것이 용이하지 않다. 또한, 이와 같은 현상은 홀의 깊이가 증가할수록, 즉 홀(H)을 형성해야하는 층(들)의 두께가 클수록 두드러지게 나타날 수 있다.
그러나, 본 발명의 경우 스페이서(108)를 이용하여 콘택 크기를 조절할 수 있으며, 따라서 데이터선(171)과 스위칭 반도체층(130b) 간의 콘택면적도 용이하게 조절할 수 있다.
또한, 데이터선(171)과 스위칭 반도체층(130b) 간의 콘택면적이 줄어듦에 따라 데이터선(171)의 선폭도 조절(예컨대 데이터선의 선폭을 작게 조절하는 등)이 가능며, 복잡한 화소회로 디자인을 갖는 고해상도에 있어서 설계 디자인적 제약을 최소화하면서 공간을 다양하게 활용할 수 있다는 장점이 있다.
도 5a 내지 도 6에서는 데이터선(171)과 스위칭 소스영역(176b)간의 콘택홀(164)읠 중심으로 한 스페이서(108)에 대하여 설명하였으나, 본 구조는 전술한 중간연결층(175)과 발광제어 드레인영역(177f) 간의 콘택, 구동전압선(172)과 동작제어 반도체층(130e) 간의 콘택, 초기화연결선(173)과 제1 및 제2초기화 반도체층(130d, 130g)간의 콘택, 및/또는 노드연결선(174)과 보상 반도체층(130c) 간의 콘택에도 적용될 수 있음은 물론이다.
도 7a 내지 도 7h는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조 공정에 따른 단면도들이다.
도 7a를 참조하면, 기판(100) 상에 버퍼층(BL)을 형성한다. 이 후, 버퍼층(BL) 상에 반도체물질층(미도시)을 형성하고 이를 패터닝하여 반도체층(130)을 형성한다. 기판(100)과 버퍼층(BL) 및 반도체층의 물질은 앞서 설명한 바와 동일하므로, 중복 설명은 생략한다.
도 7b를 참조하면, 반도체층 상에 제1게이트절연층(GI)을 형성한 후, 금속물질층(미도시)을 형성하고 이를 패터닝하여 배선층 및 구동 게이트전극(125a)을 형성한다. 배선층은 앞서 도 3을 참조하여 설명한 스캔선(121), 이전 스캔선(122), 및 발광제어선(123)에 대응한다. 스위칭 게이트전극(125b)은 스캔선(121, 도 3참조)의 일부에 해당한다. 제1게이트절연층(GI) 및 게이트전극의 물질은 앞서 설명한 바와 동일하므로 중복 설명은 생략한다. 도 7b에는, 구동 게이트전극(125a) 및 스위칭 게이트전극(125b)이 도시되어 있다.
이 후, 전술한 신호선(121, 122, 123), 및 구동 게이트전극(125a)을 셀프-얼라인 마스크로 반도체층을 도핑할 수 있다. 도핑되는 불순물은 N형 불순물 또는 P형 불순물일 수 있다. 불순물이 도핑된 반도체층의 일부 영역들은 소스영역 및 드레인영역에 해당하며, 전술한 신호선(121, 122, 123), 및 구동 게이트전극(125a)과 중첩된 일부 영역들은 채널영역에 해당할 수 있다. 도 7b에는 구동 소스영역(176a)과 구동 드레인영역(177a) 및 이들 사이의 구동 채널영역(131a)의 구동 반도체층(130a)과, 스위칭 소스영역(176b)과 스위칭 드레인영역(177b) 및 이들 사이의 스위칭 채널영역(131b)의 스위칭 반도체층(130a)과, 발광제어 반도체층(130f)의 일부인 발광제어 드레인영역(177f)이 도시되어 있다.
도 7c를 참조하면, 제2게이트절연층(GI2)을 형성한 후, 금속물질층(미도시)을 형성하고 이를 패터닝하여 제2스토리지 축전판(127)을 형성한다. 도 7c에는 도시되지 않았으나, 제2스토리지 축전판(127)과 함께 초기화전압선(124)이 함께 형성될 수 있다.
일부 실시예에서, 구동 게이트전극(125a)이 제1스토리지 축전판(125a)으로서의 기능을 수행하는 경우, 제2스토리지 축전판(127)은 구동 게이트전극(125a)과 중첩되도록 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, 제1스토리지 축전판이 구동 게이트전극(125a)과 별개의 부재로 형성되는 경우, 제2스토리지 축전판(127)의 위치는 변경 가능하다.
도 7d를 참조하면, 제2스토리지 축전판(127) 상에 층간절연층(ILD)을 형성하고, 반도체층의 일부를 노출하는 홀(H)을 형성한다.
예컨대, 층간절연층(ILD) 상에 포토레지스트층(미도시)을 형성하고 노광 및 현상 공정을 통해, 홀(H)이 형성될 영역과 대응되는 부분이 개방된 포토레지스트 패턴층(미도시)을 형성할 수 있다. 포토레지스트 패턴층을 마스크로 에칭(예, 드라이 에칭)을 수행하여 홀(H)을 형성할 수 있다. 홀(H)을 형성한 이후, 포토레지스트 패턴층은 스트립 공정을 통해 제거된다.
홀(H)을 통해 반도체층의 일부, 즉 불순물이 도핑된 영역의 일부가 노출될 수 있다. 도 7d에는, 홀(H)을 통해 스위칭 반도체층(130b)의 일부, 예컨대 스위칭 소스영역(176b)이 노출되고, 발광제어 반도체층(130f)의 일부, 예컨대 발광제어 드레인영역(177f)이 노출된 구조를 도시한다.
도 7d의 확대된 부분을 참조하면, 홀(H)을 형성하는 에칭 공정에서 반도체층의 일부, 즉 홀(H)과 대응되는 부분이 일부 소모(consume)되면서 해당 부분의 두께(t0)가 주변 부분, 예컨대 제1 및 제2게이트절연층(GI1, GI2) 및 층간절연층(ILD)의 중첩 부분의 두께(t2) 보다 작을 수 있다. 반도체층은 홀(H)이 형성된 부분을 중심으로 단차를 이룰 수 있으며, 단차의 경사면은 순방향 테이퍼진 형상일 수 있다. 도 7d의 확대된 부분은 스위칭 소스영역(176b)이 홀(H)이 형성된 부분을 중심으로 단차진 형상을 갖는 경우를 도시하였으나, 이와 같은 구조는 발광제어 드레인영역(177f) 중 홀(H)이 형성된 부분 등에도 적용될 수 있음은 물론이다.
도 7e를 참조하면, 스페이서 물질층(108L)을 형성한다. 스페이서 물질층(108L)은 홀(H)의 내측면 및 층간절연층(ILD) 상에 형성된다.
스페이서 물질층(108L)은 반도체층과의 식각 선택비가 2보다 큰 물질을 포함할 수 있다. 스페이서 물질층(108L)은 절연물 또는 금속을 포함할 수 있다. 스페이서 물질층(108L)을 이루는 절연물은 SiOx, SiNx, SiON, SiOC 등을 포함할 수 있으며, 화학기상증착(CVD)법에 의해 형성될 수 있다. 또는, 스페이서 물질층(108L)을 이루는 금속은 Mo, Ti, Al 등을 포함할 수 있으며, 스퍼터링(Sputtering)법에 의해 형성될 수 있다.
스페이서 물질층(108L)을 형성하기 전에, 홀(H)이 형성된 기판(100)을 DI 세정, 또는 HF 세정 등이 이루어질 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
도 7f를 참조하면, 스페이서 물질층(108L)의 일부를 에칭하여 스페이서(108)를 형성한다. 스페이서(108)는 드라이 에칭 공정을 통해 형성될 수 있다. 드라이 에칭 공정을 통해 층간절연층(ILD)의 상면에 접촉하고 있던 스페이서 물질층(108L)의 일부와, 반도체층의 상면에 접촉하고 있던 스페이서 물질층(108L)의 일부가 제거되면서, 홀(H)의 내측벽에 스페이서(108)가 형성된다. 그리고, 스페이서(108)의 내측에는 반도체층을 노출하는 콘택홀(163, 164)이 형성된다.
스페이서(108)에 의하여 홀(H)보다 작은 크기의 콘택홀(163, 164)이 형성될 수 있으며, 콘택홀(163, 164)의 크기는 스페이서(108)의 두께에 따라 조절될 수 있다. 도 7f에는 스페이서(108)에 의해 그 크기, 예컨대 직경이 줄어든 스위칭 소스영역(176f)을 노출하는 콘택홀(164) 및 발광제어 데이터영역(177f)을 노출하는 콘택홀(163)이 도시되어 있다. 스위칭 소스영역(176f) 및 발광제어 데이터영역(177f)은 각각, 콘택홀(164, 163)과 중첩하는 제1영역(A1), 제1 및 제2게이트절연층(GI1, GI2) 및 층간절연층(ILD)와 중첩하는 제2영역(A2), 및 제1 과 제2영역(A1, A2) 사이에 위치하며 스페이서(108)과 중첩하는 제3영역(A3)을 포함한다.
도 7e 및 도 7f를 참조하여 설명한 드라이 에칭 공정에 의해 반도체층의 상면을 덮던 스페이서 물질층(108L)의 일부가 제거될 때, 반도체층의 일부가 소모(consume)되거나 되지 않을 수 있다.
일부 실시예로서, 도 7f의 확대된 도면들 중 하나에서와 같이, 콘택홀(164)을 통해 노출된 스위칭 소스영역(176f)의 제1영역(A1)은 제1영역(A1)의 위에 있던 스페이서 물질층(108L)이 제거될 때 소모되지 않을 수 있다. 이 경우, 제1영역(A1)의 두께(t1)는 제3영역(A3)의 두께(t3)와 실질적으로 동일할 수 있다.
다른 실시예로서, 도 7f의 확대된 도면들 중 다른 하나에서와 같이, 콘택홀(164)을 통해 노출된 스위칭 소스영역(176f)의 제1영역(A1)은 제1영역(A1)의 위에 있던 스페이서 물질층(108L)이 제거될 때 소모될 수 있다. 이 경우, 제1영역(A1)의 두께(t1)는 제3영역(A3)의 두께(t3) 보다 작을 수 있으며, 콘택홀(164)을 중심으로 단차가 형성될 수 있다. 제1영역(A1)과 제3영역(A3) 간의 단차는 경사면을 가질 수 있다. 경사면은, 비교적 편평하거나 라운드진 순방향 테이퍼진 경사면일 수 있음은 앞서 도 5a 및 도 5b를 참조하여 설명한 바와 같다.
도 7f에서, 스위칭 소스영역(176f)의 제3영역(A3)의 두께(t3)는, 앞서 도 7d를 참조하여 설명한 스위칭 반도체층(130b)의 해당부분의 두께(t0)와 같다.
도 7g를 참조하면, 스페이서(108) 상에 금속물질층(미도시)을 형성하고 이를 패터닝하여, 데이터선(171)과 같은 배선층을 형성한다. 여기서 배선층은 데이터선(171) 뿐만 아니라 구동전압선(172), 초기화연결선(173), 노드연결선(174), 및 중간연결층(175)에 해당한다. 도 7g에는 데이터선(171) 및 중간연결층(175)이 형성된 구조를 도시한다.
데이터선(171)은 스페이서(108)에 의해 정의된 콘택홀(164)을 통해 반도체층, 예컨대 스위칭 소스영역(176b)과 직접 접촉하고, 중간연결층(175)은 스페이서(108)에 의해 정의된 콘택홀(163)을 통해 반도체층, 예컨대 발광제어 드레인영역(177f)과 직접 접촉한다. 데이터선(171) 및 중간연결층(175)은 각각 스페이서(108)와 접촉하면서 연장되어, 바로 아래에 있는 반도체층과 접촉한다.
도 7h를 참조하면, 평탄화절연층(PL)을 형성하고, 평탄화절연층(PL)의 콘택홀(183)을 통해 접속하는 화소전극(310)을 형성한다. 이후, 화소전극(310)을 노출하는 개구를 갖는 화소정의막(PDL), 및 개구를 통해 화소전극(310) 상에 위치하는 발광층을 구비한 중간층(320), 및 중간층(320) 상의 대향전극(330)을 형성한다.
본 발명의 비교예로서, 스페이서(108)를 형성하지 않고, 도 7d를 참조하여 설명한 공정에 따라 형성된 홀(H)을 콘택홀로 이용하는 경우, 데이터선(171)과 스위칭 반도체층(130b)을 연결하기 위한 콘택홀의 크기는 홀(H)의 크기가 된다. 홀(H)의 크기, 예컨대 홀(H)의 직경은 포토레지스트층의 노광에 의해 결정된다. 그러나, 포토레지스트층을 노광하는데 있어서 한계 해상도에 크기를 줄이는데 어려움이 있음은 앞서 설명한 바와 같다. 즉, 홀(H)을 데이터선(171)과 스위칭 반도체층(130b)의 접속을 위한 콘택홀로 이용하는 경우, 이들 간의 콘택면적이 비교적 크고, 그에 따라 데이터선(171)의 폭을 줄이는데도 한계가 있으며, 화소의 크기를 줄이는데 한계가 있다.
그러나, 본 발명의 실시예에 따르면, 스페이서(108)를 이용하여 홀(H)의 크기를 작게 제어할 수 있으므로, 콘택홀(164)의 직경을 예컨대 약 1.5㎛ 이하, 예컨대 1.0㎛, 또는 0.5㎛ 정도로 제어할 수 있으며, 그에 따라 데이터선(171)의 선폭 등을 줄일 수 있는 등, 공간적 제약을 최소화할 수 있다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 단면도들이다.
도 8 및 도 9의 디스플레이 장치(2, 3)는 스페이서(1108, 2108)를 제외하고 앞서 도 4를 참조하여 설명한 디스플레이 장치(1)의 구성과 실질적으로 동일하다. 따라서, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.
도 8을 참조하면, 스페이서(1108)의 일 단부(1108u)는 층간절연층(ILD)의 상면을 향해 연장되어 층간절연층(ILD)의 상면을 커버할 수 있다. 예컨대, 스페이서(1108)의 일 단부(1108u)는 층간절연층(ILD)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 이 경우, 스페이서(1108)는 절연물을 포함한다.
도 9를 참조하면, 스페이서(2108)의 일 단부(2108u)는 층간절연층(ILD)의 상면을 향해 연장되되, 데이터선(171)과 실질적으로 동일한 패턴을 갖도록 패터닝될 수 있다. 이 경우, 스페이서(2108)는 데이터선(171)과 같이 금속을 포함하며, 일부 실시예로 스페이서(2108)는 데이터선(171)을 이루는 금속원소(들) 중 적어도 하나의 금속원소와 동일한 금속원소를 포함할 수 있다. 예컨대, 데이터선(171)이 Ti/Al/Ti인 경우, 스페이서(2108)는 Ti를 포함할 수 있다.
스페이서(2108)는, 데이터선(171)을 형성하기 위한 패터닝 공정에서 데이터선(171)과 함께 형성될 수 있다. 예컨대, 앞서 도 7e를 참조하여 설명한 스페이서(2108)를 형성하기 위한 스페이서 물질층을 형성하는 공정 이후에, 바로 데이터선(171)을 형성하기 위한 금속물질층(미도시)을 형성하고, 금속물질층과 스페이서 물질층을 함께 패터닝할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1,2,3: 디스플레이 장치
T1: 구동 박막트랜지스터 T2: 스위칭 박막트랜지스터
T3: 보상 박막트랜지스터 T4: 제1초기화 박막트랜지스터
T5: 구동제어 박막트랜지스터 T6: 발광제어 박막트랜지스터
T7: 제2초기화 박막트랜지스터 Cst: 스토리지 커패시터
125a, 125b, 125c, 125d, 125e, 125f, 125g: 게이트전극
131a, 131b, 131c, 131d, 131e, 131f, 125g: 채널영역
176a, 176b, 176c, 176d, 176e, 176f, 176g: 소스영역
177a, 177b, 177c, 177d, 177e, 177f, 177g: 드레인영역
Cst1, 125a: 제1스토리지 축전판 Cst2, 127: 제2스토리지 축전판
108, 1108, 2108: 스페이서 121: 스캔선
122: 이전 스캔선 123: 발광제어선
124: 초기화전압선 171: 데이터선
172: 구동전압선 174: 노드연결선
BL: 버퍼층 GI1: 제1게이트절연층
GI2: 제2게이트절연층 ILD:층간절연층
PL: 평탄화절연층 310: 화소전극
320: 발광층 330; 대향전극

Claims (18)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되며, 채널영역과 상기 채널영역 양쪽의 소스영역 및 드레인영역을 구비한 반도체층, 및 상기 반도체층의 일부와 중첩하는 게이트전극을 포함하는 박막트랜지스터;
    상기 반도체층과 상기 게이트전극 사이의 게이트절연층;
    상기 박막트랜지스터를 커버하는 층간절연층;
    상기 게이트절연층 및 상기 층간절연층을 관통하는 홀을 통해 상기 반도체층과 접촉하는 데이터선;
    상기 홀의 내측벽에 배치되며, 상기 데이터선과 접촉하는 스페이서; 및
    상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소전극;
    을 포함하는, 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 데이터선의 하부면은 상기 소스영역 및 상기 드레인영역 중 어느 하나와 직접 접촉하며,
    상기 데이터선의 상기 홀의 내측벽과 마주보는 면은 상기 스페이서와 직접 접촉하는, 디스플레이 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 반도체층은, 상기 데이터선과 접촉하는 제1영역 및 상기 제1영역에 인접한 제2영역을 포함하며,
    상기 제1영역의 두께는 상기 제2영역의 두께 보다 작은, 디스플레이 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2영역은 상기 게이트절연층 및 상기 층간절연층과 중첩하는, 디스플레이 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제1영역과 상기 제2영역은 동일한 불순물로 도핑된, 디스플레이 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 반도체층은,
    상기 제1영역과 상기 제2영역 사이에 개재되며, 상기 스페이서와 접촉하는 제3영역을 더 포함하는, 디스플레이 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제3영역의 두께는 상기 제2영역의 두께보다 작은, 디스플레이 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제1영역의 두께는 상기 제3영역의 두께와 같거나 그보다 작은, 디스플레이 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1영역과 상기 제3영역은 단차를 이루며, 상기 제1영역과 상기 제3영역 사이의 연결부분은 순방향 테이퍼진 경사를 갖는, 디스플레이 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 스페이서는 상기 홀의 내측벽을 향하는 제1측면, 및 상기 소스영역 및 상기 드레인영역 중 어느 하나를 향하는 하부면을 포함하고,
    상기 제1측면은, 상기 층간절연층, 상기 게이트절연층, 및 상기 반도체층과 직접 접촉하며,
    상기 하부면은 상기 소스영역 및 상기 드레인영역 중 어느 하나와 직접 접촉하는, 디스플레이 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터는,
    구동 채널영역, 구동 소스영역, 및 구동 드레인영역을 포함하는 구동 반도체층, 및 상기 구동 채널영역과 중첩하는 구동 게이트전극을 포함하는 구동 박막트랜지스터; 및
    상기 기판 상에 배치되며, 스위칭 채널영역, 스위칭 소스영역, 및 스위칭 드레인영역을 포함하는 스위칭 반도체층, 및 상기 스위칭 채널영역과 중첩하는 스위칭 게이트전극을 포함하는 스위칭 박막트랜지스터;를 포함하고,
    상기 데이터선은 상기 스위칭 소스영역 및 상기 스위칭 드레인영역 중 어느 하나와 접촉하는, 디스플레이 장치.
  12. 제1항 또는 제11항에 있어서,
    상기 게이트절연층과 상기 층간절연층 사이에 개재되는 제2게이트절연층; 및
    상기 제2게이트절연층을 사이에 두고 서로 마주보는 제1스토리지 축전판과 제2스토리지 축전판;을 더 포함하며,
    상기 스페이서는, 상기 층간절연층, 상기 제2게이트절연층, 상기 게이트절연층, 및 상기 반도체층과 직접 접촉하는, 디스플레이 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 스페이서는 상기 층간절연층의 상면으로 연장된, 디스플레이 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 스페이서는 상기 층간절연층의 상기 상면의 적어도 일부와 직접 접촉하는, 디스플레이 장치.
  15. 제1항에 있어서.
    상기 스페이서는 절연물을 포함하는, 디스플레이 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 절연물은, SiOx, SiNx, SiON, 및 SiOC 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 디스플레이 장치.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 스페이서는 금속을 포함하는, 디스플레이 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 스페이서는, 상기 데이터선과 동일한 금속원소를 포함하는, 디스플레이 장치.
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