KR20180054730A - 성막 장치 - Google Patents

성막 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20180054730A
KR20180054730A KR1020187010629A KR20187010629A KR20180054730A KR 20180054730 A KR20180054730 A KR 20180054730A KR 1020187010629 A KR1020187010629 A KR 1020187010629A KR 20187010629 A KR20187010629 A KR 20187010629A KR 20180054730 A KR20180054730 A KR 20180054730A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
raw material
inert gas
material solution
reaction
nozzle
Prior art date
Application number
KR1020187010629A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102173962B1 (ko
Inventor
다카히로 시라하타
히로유키 오리타
Original Assignee
도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 filed Critical 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤
Publication of KR20180054730A publication Critical patent/KR20180054730A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102173962B1 publication Critical patent/KR102173962B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/14—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for supplying a selected one of a plurality of liquids or other fluent materials or several in selected proportions to a spray apparatus, e.g. to a single spray outlet
    • B05B12/1472—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for supplying a selected one of a plurality of liquids or other fluent materials or several in selected proportions to a spray apparatus, e.g. to a single spray outlet separate supply lines supplying different materials to separate outlets of the spraying apparatus
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/16—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling the spray area
    • B05B12/18—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling the spray area using fluids, e.g. gas streams
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B13/00—Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
    • B05B13/02—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
    • B05B13/0278—Arrangement or mounting of spray heads
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B14/00—Arrangements for collecting, re-using or eliminating excess spraying material
    • B05B14/30—Arrangements for collecting, re-using or eliminating excess spraying material comprising enclosures close to, or in contact with, the object to be sprayed and surrounding or confining the discharged spray or jet but not the object to be sprayed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • B05B7/02—Spray pistols; Apparatus for discharge
    • B05B7/025—Nozzles having elongated outlets, e.g. slots, for the material to be sprayed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • B05B7/02—Spray pistols; Apparatus for discharge
    • B05B7/08—Spray pistols; Apparatus for discharge with separate outlet orifices, e.g. to form parallel jets, i.e. the axis of the jets being parallel, to form intersecting jets, i.e. the axis of the jets converging but not necessarily intersecting at a point
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • B05B7/24—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas with means, e.g. a container, for supplying liquid or other fluent material to a discharge device
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/453—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating passing the reaction gases through burners or torches, e.g. atmospheric pressure CVD
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45519—Inert gas curtains
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45595—Atmospheric CVD gas inlets with no enclosed reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
    • C23C18/1275—Process of deposition of the inorganic material performed under inert atmosphere
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
    • C23C18/1279—Process of deposition of the inorganic material performed under reactive atmosphere, e.g. oxidising or reducing atmospheres

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Nozzles (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은, 부착된 반응 생성물을 간단히 제거하는 구조를 갖는 성막 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그리고, 본 발명의 성막 장치는, 미스트 분사 헤드부(100)의 저면에 떼어내기 가능하게 설치되는 저판(21)을 구비하고 있다. 저판(21)은, 미스트 분사 헤드부(100)의 저면에 대한 설치 시에, 원료 용액 분출구(15), 반응 재료 분출구(16, 17) 및 불활성 가스 분출구(192 내지 194)에 대응하는 영역에 원료 용액용 개구부(35), 반응 재료용 개구부(36, 37) 및 불활성 가스용 개구부(392 내지 394)를 갖고 있다.

Description

성막 장치
본 발명은, 기판 상에 막을 성막하는 성막 장치에 관한 것이다.
기판 상에 막을 성막하는 방법으로서, 화학 기상 성장(CVD(Chemical Vapor Deposition))법이 있다. 그러나, 화학 기상 성장법에서는 진공 하에서의 성막이 필요한 경우가 많아져, 진공 펌프 등에 추가하여, 대형 진공 용기를 사용하는 것이 필요한 경우가 있다. 또한, 화학 기상 성장법에서는, 비용의 관점 등에서, 성막되는 기판으로서 대면적의 것을 채용하는 것이 곤란하다는 문제가 있었다. 그래서, 대기압 하에서의 성막 처리가 가능한 미스트법이, 주목받고 있다.
미스트법을 이용한 성막 장치 등에 관한 종래 기술로서, 예를 들어 특허문헌 1에 관한 기술이 존재하고 있다.
특허문헌 1에 관한 기술에서는, 미스트 분사용 노즐 등을 포함하는 미스트 분사 헤드부의 저면에 마련되는 원료 용액 분출구 및 반응 재료 분출구로부터, 대기 중에 배치되어 있는 기판에 대하여 미스트화된 원료 용액 및 반응 재료가 분사되고 있다. 당해 분사에 의하여, 기판 상에는 소정 막이 성막된다. 또한, 반응 재료는 원료 용액과의 반응에 기여하는 재료를 의미한다.
국제 공개 제2013/038484호
상술한 바와 같이, 종래의 성막 장치를 사용한 성막 처리는, 미스트화된 원료 용액과 반응 재료를 반응시킨 반응 생성물을 얻은 후, 대기 중(대기압 하)에서 기판 상에 소정 막을 형성하는 처리이다. 이 때문에, 종래의 성막 장치는 장시간 사용하면, 기판 가열에 의한 상승 기류에 의하여, 미스트 분사 헤드부(100)의 저면에 반응 생성물이 서서히 부착된다. 부착된 반응 생성물을 제거하기 위하여, 미스트 분사 헤드부의 저면을 정기적으로 세정할 필요가 있는데, 세정에 수고를 요한다는 문제점이 있었다.
본 발명에서는, 상기와 같은 문제점을 해결하여, 부착된 반응 생성물을 간단히 제거하는 구조를 갖는 성막 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 성막 장치는, 미스트화된 원료 용액을 대기 중에 분사함으로써, 기판에 대하여 막을 성막하는 성막 처리를 실행하는 성막 장치이며, 상기 기판이 적재되는 적재부와, 상기 적재부에 적재되어 있는 상기 기판의 상면에 대향하여 설치되고, 저면에 원료 용액 분출구 및 배기구를 갖고, 상기 원료 용액 분출구로부터 상기 원료 용액을 분사하고, 상기 배기구로부터 배기 처리를 행하는 미스트 분사 헤드부와, 상기 미스트 분사 헤드부의 저면에 떼어내기 가능하게 설치되는 저판을 구비하고, 상기 저판은 상기 성막 처리의 실행을 방해하지 않는 형태로 상기 미스트 분사 헤드부의 저면에 설치되는 것을 특징으로 한다.
청구항 1에 기재된 본원 발명인 성막 장치는, 미스트 분사 헤드부의 저면에 떼어내기 가능한 저판을 설치함으로써, 저판을 세정함으로써 저판에 부착된 반응 생성물을 간단히 제거할 수 있다는 효과를 발휘한다.
또한 미리 저판을 복수 준비하여, 복수의 저판 중 하나의 저판을 세정하고 있는 동안에 세정 완료된 다른 저판을 이용함으로써, 저판을 세정하면서 성막 장치의 사용을 계속할 수 있다는 효과를 발휘한다.
본 발명의 목적, 특징, 국면 및 이점은, 이하의 상세한 설명과 첨부 도면에 의하여, 보다 명백해진다.
도 1은 본 발명의 실시 형태 1인 성막 장치의 미스트 분사 헤드부를 도시하는 단면도이다.
도 2는 도 1의 A-A 단면 구조를 도시하는 단면도이다.
도 3은 실시 형태 1의 미스트 분사 헤드부를 저면측에서 본 평면도이다.
도 4는 실시 형태 1의 베이스 플레이트부의 외관 구조 등을 도시하는 설명도이다.
도 5는 본 발명의 실시 형태 2인 성막 장치의 미스트 분사 헤드부를 도시하는 단면도이다.
도 6은 도 5의 C-C 단면 구조를 도시하는 단면도이다.
도 7은 실시 형태 2의 미스트 분사 헤드부를 저면측에서 본 평면도이다.
도 8은 실시 형태 2의 베이스 플레이트부의 외관 구조 등을 도시하는 설명도이다.
이하, 본 발명을, 그 실시 형태를 도시하는 도면에 기초하여 구체적으로 설명한다.
<실시 형태 1>
(전체 구성)
도 1은, 본 발명의 실시 형태 1인 성막 장치의 주요 구성부인 미스트 분사 헤드부(100) 및 그 주변을 도시하는 단면도이다. 도 2는 도 1의 A-A 단면 구조를 도시하는 단면도이다. 또한, 도 1 및 도 2, 그리고 이후에 도시하는 도 3 내지 도 8에 있어서, 각각 XYZ 직교 좌표축을 병기하고 있다. 또한, 도 2에 있어서는 저판(21)의 도시를 생략하였다.
실시 형태 1의 성막 장치는, 미스트 분사 헤드부(100)에 의하여, 미스트화된 원료 용액을 대기 중에 분사함으로써, 기판(23)에 대하여 막을 성막한다. 즉, 성막 장치는, 대기 중에서의 성막 처리인 미스트법에 의하여, 기판(23) 상에 원하는 막을 성막하는 장치이다.
구체적으로, 원료 용액은, 도시되지 않은 용기에 수용되어 있으며, 당해 용기에 있어서, 초음파 진동을 이용하여, 원료 용액은 미스트화된다. 그리고, 미스트화된 원료 용액은, 캐리어 가스와 함께, 도시하지 않은 경로를 통과하여, 미스트 분사 헤드부(100)로 반송된다.
가열기이기도 한 적재부(24) 상에는, 기판(23)이 배치되어 있다. 즉, 적재부(24)는, 기판(23)의 가열이 가능하다. 그리고, 기판(23)의 상방에, 미스트 분사 헤드부(100)가 배치된다.
즉, 기판(23)의 상면과 미스트 분사 헤드부(100)의 저면(정확히는 저판(21)의 하면)이 소정 거리 띄워 대향하도록 배치된다. 여기서, 성막 처리 시에는, 미스트 분사 헤드부(100)의 저면과 기판(23)의 상면의 간격은, 0.1㎜ 내지 50㎜ 정도로 설정된다. 또한, 미스트 분사 헤드부(100) 및 기판(23)은, 대기압 하에 배치되어 있다. 여기서, 미스트 분사 헤드부(100)의 저면과 기판(23)의 상면 사이에 형성되는 공간을, 「반응 공간」이라 칭하기로 한다.
적재부(24)에 의하여 소정의 온도로 가열되어 있는 기판(23)에 대하여, 미스트 분사 헤드부(100)는, 미스트화된 원료 용액을 분사한다. 이것에 의하여, 기판(23)의 상면에 원하는 막이, 성막된다. 또한, 성막 처리 시에는, 적재부(24)는, 수평 방향(XY 평면 내에서 규정되는 소정 방향)으로 이동한다. 또는, 미스트 분사 헤드부(100)는, 상기 수평 방향으로 이동한다.
이하, 미스트 분사 헤드부(100)의 구성에 대하여, 도면을 이용하여 구체적으로 설명한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 미스트 분사 헤드부(100)는, 원료 용액 분사용 노즐부 N1과, 2개의 반응 재료 분사용 노즐부 N2 및 N3과, 배기용 노즐부 N4와, 베이스 플레이트부(20)와, 저판(21)을 갖는다.
도 1에 도시한 바와 같이, 반응 재료 분사용 노즐부 N3, 원료 용액 분사용 노즐부 N1, 반응 재료 분사용 노즐부 N2 및 배기용 노즐부 N4는, 당해 순서대로, X 방향을 따라 나란히 배치되어 있다. 또한, 도 1에 도시하는 구성과 달리, 반응 재료 분사용 노즐부 N2, 원료 용액 분사용 노즐부 N1, 반응 재료 분사용 노즐부 N3, 그리고 배기용 노즐부 N4는, 당해 순서대로, X 방향을 따라 나란히 배치되어 있어도 된다.
또한, 원료 용액 분사용 노즐부 N1과 반응 재료 분사용 노즐부 N2 및 N3은 불활성 가스 분사부(82 및 83)를 개재하여 설치되어 있지만, 반응 재료 분사용 노즐부 N2의 측면과 배기용 노즐부 N4의 측면 사이에는, 소정의 거리만큼 떨어져 있다. 즉, 원료 용액 분사용 노즐부 N1과 반응 재료 분사용 노즐부 N2 및 N3은, 불활성 가스 분사부(82 및 83)를 개재하여 X 방향(수평 방향)을 따라 간극 없이 배치되어 있지만, 배기용 노즐부 N4는, 다른 노즐부 N1 내지 N3과는 X 방향으로 떨어져(공간을 띄워) 배치되어 있다.
상기와 같이 원료 용액 분사용 노즐부 N1, 반응 재료 분출용 노즐부 N2 및 N3 그리고 배기용 노즐부 N4는, 수평 방향(X 방향)으로 나란히 배치되어 있다. 여기서, 적어도 배기용 노즐부 N4는, 미스트 분사 헤드부(100)의 최외측(도 1에서는 우측 단부(+X 방향))에 위치하고 있다.
(원료 용액 분사용 노즐부 N1)
먼저, 원료 용액 분사용 노즐부 N1의 구성에 대하여 설명한다.
원료 용액 분사용 노즐부 N1은, 미스트화된 원료 용액을 저면에 형성된 원료 용액 분출구(15)로부터 분사하는 노즐이다. 원료 용액 분사용 노즐부 N1에는, 내부에 공동부(11)(제1 공동부)가 형성되어 있다. 또한, 원료 용액 분사용 노즐부 N1의 상면에는, 원료 용액 공급부(1)가 배치되어 있다. 상기에서 설명한 바와 같이, 미스트 분사 헤드부(100)의 외부에 있어서, 원료 용액은 미스트화된다. 미스트화된 원료 용액은, 캐리어 가스와 함께, 도시하지 않은 경로를 통과하여, 원료 용액 공급부(1)로 반송된다. 원료 용액 공급부(1)로부터 얻어지는 미스트화된 원료는, 원료 용액 분사용 노즐부 N1 내의 공동부(11)에 충만된다(공급된다).
또한, 원료 용액 분사용 노즐부 N1의 공동부(11) 내에 있어서, 양 측면부에, 복수의 정류부(6)(제1 정류부)가 배치되어 있다. 당해 정류부(6)는, 정류판이며, 원료 용액 공급부(1)로부터 공급된 미스트화된 원료 용액의, 공동부(11) 내의 흐름을 조정할 수 있다. 구체적으로는, 공동부(11) 내에 있어서 서로 대향하는 양 측면으로부터 XY 평면을 따라, 평면으로 보아 직사각 형상의 복수의 정류부(6)가 각각의 형성 높이를 교대로 변화시키면서 배치된다. 복수의 정류부(6)는 각각 대향하는 측면에 도달하는 일 없이, 대향하는 측면과의 사이에 간극이 형성되도록 구성된다.
복수의 정류부(6)의 하방에 공동부(11)의 주요부가 설치된다. 복수의 정류부(6)의 상방의(공동부(11)의) 소공간은, 복수의 정류부(6)에 의하여 형성되는 간극을 통하여, 공동부(11)(의 주요부)와 접속되어 있으며, 공동부(11)는, 후술하는 원료 용액 배출부(41)에 접속되어 있다.
원료 용액 배출부(41)는, 공동부(11)에 있어서, 한쪽 측면부(도 1에서는 좌(-X 방향)측의 측면)에 배치되어 있다. 또한, 원료 용액 배출부(41)는, 원료 용액 분사용 노즐부 N1(공동부(11))의 저면으로부터 떨어진 위치에 있어서, 배치되어 있다.
한편, 상술한 바와 같이, 미스트 분사 헤드부(100)의 저면, 즉, 미스트 분사 헤드부(100)의 기판(23)의 상면에 대응하는 면에 있어서, 원료 용액 분출구(15)가 배치되어 있다. 여기서, 원료 용액 분출구(15)로부터, 후술하는 저판(21)의 원료 용액용 개구부(35)를 통하여 미스트화된 원료 용액이 기판(23)의 상면에 대하여 분출된다.
미스트 분사 헤드부(100) 내에는, Z 방향으로 연장되는 통로(61)가 배치되어 있다. 그리고, 원료 용액 배출부(41)는, 통로(61)를 통하여, 원료 용액 분출구(15)와 접속되어 있다.
도 3은, 저판(21)을 떼어낸 상태에 있어서의, 미스트 분사 헤드부(100)를 기판(23)의 배치측(-Z 방향측)에서 본 평면도이다. 즉, 도 3은, 미스트 분사 헤드부(100)의 저면 구조를 도시하는 평면도이다. 동 도면에 도시하는 바와 같이, 미스트 분사 헤드부(100)의 저면은 X 방향(제2 방향) 및 Y 방향(제1 방향)으로 규정되는 직사각 형상을 띠고 있다.
도 3에 도시한 바와 같이, 원료 용액 분출구(15)는, 평면으로 보아 긴 변 방향을 Y 방향(제1 방향)으로 한 가늘고 긴 개구 구멍인 슬릿형을 띠고 있다. 또한, 원료 용액 분출구(15)의 개구부의 폭(도 3의 X 방향의 치수)은, 0.1㎜ 내지 10㎜ 정도이다.
원료 용액 분사용 노즐부 N1에서는, 미스트화된 원료 용액은, 원료 용액 공급부(1)로부터, 공동부(11) 내에 공급된다. 그리고, 당해 원료 용액은, 복수의 정류부(6)에 의하여 정류되어, 복수의 정류부(6)의 상방의 소공간에 충만된 후, 공동부(11)로 유도되어, 공동부(11)에 있어서 충만된다. 그 후, 미스트화된 원료 용액은, 원료 용액 배출부(41)로부터, 통로(61)를 통하여, 원료 용액 분출구(15)로 유도된다. 그리고, 미스트화된 원료 용액은, 원료 용액 분출구(15)로부터, 기판(23)의 상면을 향하여, 분출된다.
(반응 재료 분사용 노즐부 N2 및 N3)
다음으로, 반응 재료 분사용 노즐부 N2 및 N3(제1 및 제2 반응 재료 분사용 노즐부)의 구성에 대하여 설명한다. 또한, 반응 재료 분사용 노즐부 N2 및 N3은, 분사하는 제1 및 제2 반응 재료가 서로 독립되어 있는 점 및 형성 위치를 제외하면, 동일한 구성이기 때문에, 이하에서는 반응 재료 분사용 노즐부 N2를 중심으로, 적절히, 반응 재료 분사용 노즐부 N3의 설명을 부기하여 설명한다.
또한, 반응 재료 분사용 노즐부 N2 및 N3 사이에 있어서, 복수의 정류부(7 및 8), 반응 재료 공급부(2 및 3), 공동부(12 및 13), 반응 재료 배출부(42 및 43), 통로(62 및 63), 및 반응 재료 분출구(16 및 17)(제1 및 제2 반응 재료 분출구)가 서로 대응하는 관계로 된다. 또한, 반응 재료 분사용 노즐부 N2 및 N3에서 사용하는 제1 및 제2 반응 재료는 동일하거나, 또는 상이해도 된다.
반응 재료 분사용 노즐부 N2는, 원료 용액과의 반응에 기여하는 반응 재료(예를 들어, 산화제)를 기판(23)에 대하여 분출하는 노즐이다. 반응 재료 분사용 노즐부 N2에는, 내부에 공동부(12)(제2 공동부)가 형성되어 있다. 또한, 반응 재료 분사용 노즐부 N2의 상면에는, 반응 재료 공급부(2)가 배치되어 있다. 반응 재료(제1 반응 재료)는 반응 재료 분사용 노즐부 N2 밖으로부터, 반응 재료 공급부(2)를 통하여, 공동부(12) 내에 공급된다. 한편, 반응 재료 분사용 노즐부 N3에 있어서, 반응 재료(제2 반응 재료)는 반응 재료 분사용 노즐부 N3 밖으로부터, 상면에 설치되는 반응 재료 공급부(3)를 통하여, 공동부(13) 내에 공급된다.
여기서, 제1 및 제2 반응 재료는, 기체여도 액체여도 된다. 액체인 경우에는, 초음파 진동 등을 이용하여 미스트화된 액체(반응 재료)가, 캐리어 가스와 함께, 도시하지 않은 경로를 통과하여, 반응 재료 분사용 노즐부 N2(N3) 내로 반송된다. 반응 재료 공급부(2(3))로부터 얻어지는 제1 반응 재료(제2 반응 재료)는, 반응 재료 분사용 노즐부 N2(N3) 내의 공동부(12(13))에 충만된다(공급된다).
또한, 반응 재료 분사용 노즐부 N2의 공동부(12) 내에 있어서, 복수의 정류부(7)(제2 정류부)가 배치되어 있다. 당해 정류부(7)는, 정류판이며, 반응 재료 공급부(2)로부터 공급된 반응 재료의, 주로 공동부(12) 내의 흐름을 조정할 수 있다. 구체적으로는, 공동부(12) 내에 있어서 서로 대향하는 양 측면으로부터 XY 평면을 따라, 평면으로 보아 직사각 형상의 복수의 정류부(7)가 각각의 형성 높이를 교대로 변화시키면서 배치된다. 복수의 정류부(7)는 각각 대향하는 측면에 도달하는 일 없이, 대향하는 측면과의 사이에 간극이 형성되도록 구성된다.
반응 재료 분사용 노즐부 N2(N3)에 있어서, 복수의 정류부(7(8))의 상방의(공동부(12)의) 소공간과, 공동부(12(13))의 주요부는, 복수의 정류부(7(8))에 의하여 형성되는 간극을 통하여 접속되어 있다. 또한, 상기 소공간은, 반응 재료 공급부(2(3))와 접속되어 있으며, 공동부(12(13))는 후술하는 반응 재료 배출부(42(43))에 접속되어 있다.
반응 재료 배출부(42)는, 공동부(12)에 있어서, 한쪽 측면부(도 1에서는 좌(-X 방향)측의 측면)에 배치되어 있다. 또한, 반응 재료 배출부(42)는, 반응 재료 분사용 노즐부 N2(공동부(12))의 저면으로부터 떨어진 위치에 있어서, 배치되어 있다.
한편, 미스트 분사 헤드부(100)는, 미스트 분사 헤드부(100)의 저면, 즉, 미스트 분사 헤드부(100)의 기판(23)에 면하는 측에 있어서, 반응 재료 분출구(16)가 배치되어 있다. 여기서, 반응 재료 분출구(16(17))로부터, 저판(21)의 반응 재료용 개구부(36(37))를 통하여 반응 재료가 기판(23)의 상면에 대하여 분출된다.
미스트 분사 헤드부(100) 내에는, Z 방향을 따라 통로(62(63))가 배치되어 있다. 그리고, 반응 재료 배출부(42(43))는 통로(62(63))를 통하여, 반응 재료 분출구(16(17))와 접속되어 있다. 도 3에 도시한 바와 같이, 반응 재료 분출구(16 및 17)는 각각, 평면으로 보아 긴 변 방향을 Y 방향(제1 방향)으로 한 가늘고 긴 개구 구멍인 슬릿형을 띠고 있다. 또한, 반응 재료 분출구(16 및 17)의 각각의 개구부의 폭(도 3의 X 방향의 치수)은, 0.1㎜ 내지 10㎜ 정도이다.
반응 재료 분사용 노즐부 N2(N3)에서는, 반응 재료는, 반응 재료 공급부(2(3))로부터, 공동부(12(13)) 내에 공급된다. 그리고, 당해 반응 재료는, 복수의 정류부(7(8))에 의하여 정류되어, 복수의 정류부(7(8)) 상의 소공간에 충만된 후, 공동부(12(13))의 주요부로 유도되어, 공동부(12(13))에 있어서 충만된다. 그 후, 반응 재료는, 반응 재료 배출부(42(43))로부터, 통로(62(63))를 통하여, 반응 재료 분출구(16(17))로 유도된다. 그리고, 반응 재료는, 반응 재료 분출구(16)로부터, 저판(21)의 반응 재료용 개구부(36)를 통하여 기판(23)의 상면을 향하여, 분출된다.
(배기용 노즐부 N4)
다음으로, 배기용 노즐부 N4의 구성에 대하여 설명한다.
배기용 노즐부 N4는, 배기 처리를 행하는 노즐이다. 배기용 노즐부 N4는, 원료 용액 분사용 노즐부 N1이 원료 용액을 분출하고 있는 유량(Q1)과, 반응 재료 분출용 노즐부 N2(N3)가 반응 재료를 분출하고 있는 유량(Q2 및 Q3)의 합 이상의 유량(Q4)으로, 배기 처리를 행한다. 즉, {배기 유량 Q4≥원료 용액의 분출 유량 Q1+반응 재료의 분출 유량 Q2+Q3}이다.
배기용 노즐부 N4에는, 내부에 공동부(14)(제3 공동부)가 형성되어 있다. 또한, 배기용 노즐부 N4의 상면에는, 배기물 출구부(4)가 배치되어 있다. 배기물 출구부(4)는, 배기용 노즐부 N4의 상면에 배치되어 있으며, 구체적으로는, 후술하는 배기물 도입부(44)보다 상방에 배치되어 있으며, 배기물을 공동부(14)로부터 배기용 노즐부 N4 밖으로 배출한다.
여기서, 배기물이란, 반응 공간으로부터의 반응 잔사 등이다. 배기물 출구부(4)는, 도시하지 않은 경로를 통하여, 도시하지 않은 배기 펌프에 접속되어 있다. 즉, 배기물은, 배기물 출구부(4) 및 상기 경로를 통하여, 배기용 노즐부 N4로부터 상기 배기 펌프에 흡인된다.
또한, 배기용 노즐부 N4의 공동부(14) 내에 있어서, 복수의 정류부(9)(제3 정류부)가 배치되어 있다. 당해 정류부(9)는, 정류판이며, 배기물 출구부(4)로부터 배출하기 위한 배기물의, 주로 공동부(14) 내의 흐름을 조정할 수 있다. 구체적으로는, 공동부(14) 내에 있어서 서로 대향하는 양 측면으로부터 XY 평면을 따라, 평면으로 보아 직사각 형상의 복수의 정류부(9)가 각각의 형성 높이를 교대로 변화시키면서 배치된다. 복수의 정류부(9)는 각각 대향하는 측면에 도달하는 일 없이, 대향하는 측면과의 사이에 간극이 형성되도록 구성된다.
복수의 정류부(9)의 배치에 의하여, 공동부(14)는, 배기용 노즐부 N4의 공동부(14)를, 복수의 소공간으로 구획한다. 여기서, 인접하는 소공간끼리는, 복수의 정류부(9)에 의하여 형성되는 작은 간극을 통하여 접속된다. 복수의 소공간에는, 배기용 노즐부 N4의 최상부에 위치하는 (공동부(14)의) 소공간이 포함되며, 복수의 정류부(9)의 하방이 공동부(14)의 주요부로 된다. 여기서, 복수의 정류부(9) 상방의 소공간은, 배기물 출구부(4)와 접속되어 있으며, 공동부(14)(의 주요부)는, 후술하는 배기물 도입부(44)에 접속되어 있다.
배기물 도입부(44)는, 공동부(14)에 있어서, 상기 다른 쪽 측면부에 배치되어 있다. 또한, 배기물 도입부(44)는, 배기용 노즐부 N4의 공동부(14)의 저면으로부터 떨어진 위치에 있어서, 배치되어 있다.
한편, 미스트 분사 헤드부(100)는, 미스트 분사 헤드부(100)의 저면, 즉, 반응 재료 분사용 노즐부 N2의 저면에 있어서, 배기구(18)가 배치되어 있다. 여기서, 배기구(18)는, 반응 공간에 대하여 배기 처리를 행한다.
미스트 분사 헤드부(100) 내에는, Y 방향을 따라 통로(64)가 배치되어 있다. 그리고, 배기물 도입부(44)는, 통로(64)를 통하여, 배기구(18)와 접속되어 있다. 도 3에 도시한 바와 같이, 배기구(18)는 평면으로 보아 긴 변 방향을 Y 방향(제1 방향)으로 한 가늘고 긴 개구 구멍인 슬릿형을 띠고 있다. 또한, 배기구(18)의 개구부의 폭(도 3의 X 방향의 치수)은, 0.1㎜ 내지 10㎜ 정도이다.
(불활성 가스 분사부)
실시 형태 1의 미스트 분사 헤드부(100)의 단부(도 1의 좌(-X 방향)측 단부)에 있어서, 불활성 가스 분사부(81)는 프레임부(30) 또는 프레임부(30)에 인접하는 영역에 배치되어 있다.
또한, 미스트 분사 헤드부(100)는, 불활성 가스 분사부(81)에 추가하여, 원료 용액 분사용 노즐부 N1, 반응 재료 분사용 노즐부 N3 사이에 불활성 가스 분사부(82), 원료 용액 분사용 노즐부 N1, 반응 재료 분사용 노즐부 N2 사이에 불활성 가스 분사부(83)를 설치한 것을 특징으로 하고 있다.
불활성 가스 분사부(81)는 주로 불활성 가스 공급부(51), 통로(71) 및 불활성 가스 분출구(191)로부터 구성되고, 불활성 가스 분사부(82)는 주로 불활성 가스 공급부(52), 통로(72) 및 불활성 가스 분출구(192)(제2 불활성 가스 분출구)로부터 구성되고, 불활성 가스 분사부(83)는 주로 불활성 가스 공급부(53), 통로(73) 및 불활성 가스 분출구(193)(제1 불활성 가스 분출구)에 의하여 구성된다.
도 2에 도시한 바와 같이, 불활성 가스 분사부(82)에 있어서, 외부로부터 불활성 가스 공급부(52)에 도입되는 불활성 가스는 통로(72)를 통하여, 미스트 분사 헤드부(100)(불활성 가스 분사부(82))의 저면에 형성되는 불활성 가스 분출구(192)로부터 저판(21)의 불활성 가스용 개구부(392)를 통하여 분출된다. 불활성 가스 공급부(51 및 53)도 불활성 가스 공급부(52)와 마찬가지로, 통로(71 및 73)를 통하여, 미스트 분사 헤드부(100)(불활성 가스 분사부(81 및 83))의 저면에 형성되는 불활성 가스 분출구(191 및 193)로부터 불활성 가스를 분출한다(불활성 가스 분출구(193)에 있어서는 저판(21)의 불활성 가스용 개구부(393)를 통하여 불활성 가스가 분출됨). 또한, 불활성 가스로서는 질소, 아르곤 등이 생각된다.
불활성 가스 공급부(51 내지 53)는 불활성 가스 분출구(191 내지 193)에 연통하고 있지만, 불활성 가스 공급부(51 내지 53)의 각각의 개구 면적은, 불활성 가스 분출구(191 내지 193)의 각각의 개구 면적 이상으로 설정하는 것이 바람직하다.
또한, 불활성 가스 분출구(191 내지 193)에 의하여 불활성 가스를 분출하고 있는 유량은, 원료 용액 분출구(15)에 의하여 원료 용액을 분출하고 있는 유량 및 반응 재료 분출구(16 및 17)에 의하여 반응 재료를 분출하고 있는 유량 각각의 이하로 설정하는 것이 바람직하다.
또한, 불활성 가스 분사부(82 및 83)는, 형성 위치 및 사용하는 반응 재료를 제외한 전체 구성은 동일하다.
또한, 도 2에 도시한 바와 같이, Y 방향 양단부에 설치된 2개의 불활성 가스 공급부(55)에 도입되는 불활성 가스가, 각각 통로(75)를 통하여 미스트 분사 헤드부(100)의 저면에 형성된 2개의 불활성 가스 분출구(195)로부터 분출된다.
이와 같이, 불활성 가스 분출구(195)는, 상술한 프레임부(30) 또는 프레임부(30)에 인접하는 영역에 배치되어 있다.
상술한 구성에 의하여, 불활성 가스 분사부(81 내지 83)의 불활성 가스 공급부(51 내지 53) 및 불활성 가스 공급부(55)를 통하여, 미스트 분사 헤드부(100)의 외부로부터 보내져 온 불활성 가스는, 미스트 분사 헤드부(100) 내에 공급된다. 통로(71 내지 73) 및 통로(75)는, 미스트 분사 헤드부(100) 내에 배치되어 있으며, 당해 공급된 불활성 가스는, 통로(71 내지 73) 및 통로(75) 내를 전반한다. 불활성 가스 분출구(191 내지 193) 및 불활성 가스 분출구(195)는, 미스트 분사 헤드부(100)의 저면(기판(23)에 면하는 측)에 배치되어 있으며, 불활성 가스 분출구(191 내지 193) 및 불활성 가스 분출구(195)로부터, 불활성 가스가 기판(23)의 상면을 향하여 분사된다.
도 4는, 저판(21)을 떼어낸 상태에 있어서의 베이스 플레이트부(20)를 Y 방향에서 본 외관 구조 등을 도시하는 설명도이다. 동 도면의 (a)는 미스트 분사 헤드부(100)를 좌측면(-X 방향)에서 본 측면도이고, (b)는 정면(+Y 방향)에서 본 정면도이다. 또한, 도 4의 (a)의 B-B 단면 구조가 도 1에서 도시하는 단면도로 된다.
상술한 바와 같이, 배기용 노즐부 N4는, 다른 노즐부 N1 내지 N3과는 X 방향으로 떨어져 배치되어 있다. 따라서, 배기용 노즐부 N4와 다른 노즐부 N1 내지 N3 사이에는, 개방향 천장부(58)가 생긴다. 그래서, 미스트 분사 헤드부(100)는, 베이스 플레이트부(20)를 구비하고 있다. 베이스 플레이트부(20)는, 개방향 천장부(58)를, 기판(23) 배치측으로부터 막고 있다(도 1, 도 3, 도 4의 (b) 참조). 그리고, 베이스 플레이트부(20)의 상면 상에 배기용 노즐부 N4가 설치된다.
도 1, 도 3 및 도 4의 (b)에 도시하는 바와 같이, 실시 형태 1의 미스트 분사 헤드부(100)의 베이스 플레이트부(20)에는, 불활성 가스 공급부(54)(도 4의 (b) 참조)와, 통로(74)(도 1, 도 3 참조)와, 복수의 불활성 가스 분출구(194)(제3 불활성 가스 분출구)가 마련되어 있다.
베이스 플레이트부(20)에 있어서, 불활성 가스 공급부(54)를 통하여, 미스트 분사 헤드부(100)의 외부로부터 보내져 온 불활성 가스는, 베이스 플레이트부(20)에 공급된다. 통로(74)는, 베이스 플레이트부(20) 내에 배치되어 있으며, 당해 공급된 불활성 가스는, 통로(74) 내를 전반한다. 복수의 불활성 가스 분출구(194)는, 베이스 플레이트부(20)의 저면(기판(23)에 면하는 측)에 배치되어 있으며, 복수의 불활성 가스 분출구(194)로부터, 저판(21)의 불활성 가스용 개구부(394)를 통하여 불활성 가스가 기판(23)의 상면을 향하여 분사된다.
도 3에 도시한 바와 같이, 불활성 가스 분출구(191 내지 194)는 각각, 평면으로 보아 긴 변 방향을 Y 방향(제1 방향)으로 한 가늘고 긴 개구 구멍인 슬릿형이다. 한편, 불활성 가스 분출구(195)는, 평면으로 보아 긴 변 방향을 X 방향(제2 방향)으로 한 가늘고 긴 개구 구멍인 슬릿형이다. 또한, 불활성 가스 분출구(191 내지 195)의 각각의 개구부의 폭(불활성 가스 분출구(191 내지 194)는 도 5 및 도 6의 X 방향의 치수, 불활성 가스 분출구(195)는 도 5 및 도 6의 Y 방향측의 치수)은, 0.1㎜ 내지 10㎜ 정도이다.
따라서, 불활성 가스 분출구(192)(제2 불활성 가스 분출구)는 원료 용액 분출구(15)와 반응 재료 분출구(17)(제2 반응 재료 분출구) 사이에 마련되고, 불활성 가스 분출구(193)(제1 불활성 가스 분출구)는 원료 용액 분출구(15)와 반응 재료 분출구(16)(제1 반응 재료 분출구) 사이에 마련된다. 즉, 실시 형태 1의 미스트 분사 헤드부(100)에 있어서, 불활성 가스 분출구(193 및 192)는, 원료 용액 분출구(15)와 반응 재료 분출구(16 및 17) 사이에 마련되는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 도 1 및 도 4의 (b)에 도시하는 실시 형태 1의 베이스 플레이트부(20)에는, 내부에 있어서, 온도 조절 기구(22)가 배치되어 있다. 온도 조절 기구(22)는, 베이스 플레이트부(20)에 있어서, 온도의 조정을 행할 수 있다. 구체적으로는, 온도 조절 기구(22)를 구성하는 구멍부에 냉매, 히터를 설치함으로써 실현한다.
도 1 및 도 3에 도시한 바와 같이, 반응 재료 분출구(17), 원료 용액 분출구(15), 반응 재료 분출구(16) 및 배기구(18)는, 당해 순서대로, X 방향으로 배치되어 있다. 또한, 도면과 상이하지만, 반응 재료 분출구(16), 원료 용액 분출구(15), 반응 재료 분출구(17) 및 배기구(18)는, 당해 순서대로, X 방향으로 배치되어 있어도 된다.
이상 설명한 바와 같이, 실시 형태 1의 미스트 분사 헤드부(100)에서는, 원료 용액 분사용 노즐부 N1의 저면, 반응 재료 분사용 노즐부 N2 및 N3의 저면, 및 베이스 플레이트부(20)의 저면이 단차없는 면이 되도록 구성된다. 따라서, 원료 용액 분출구(15), 반응 재료 분출구(16 및 17), 불활성 가스 분출구(192 내지 194)는 미스트 분사 헤드부(100)에 있어서의 편평한 저면에 마련되게 된다.
또한, 도 3을 참조하여, 미스트 분사 헤드부(100)는, 기판(23)에 면하고 있는 측(저면)에 있어서, 미스트 분사 헤드부(100)의 프레임부(30)를 갖는다. 프레임부(30)는, 미스트 분사 헤드부(100)의 저면의 에지 근방의 부분이며, 미스트 분사 헤드부(100)의 저면 내부측을 주위로부터 둘러싸도록, 에지 형성되어 있는 부분이다. 그리고, 도 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 프레임부(30)는, 저판(21)의 저면으로부터, 기판(23)측으로 돌출되어 있다. 이 돌출 길이는, 예를 들어 0.1 내지 10㎜로 설정된다.
즉, 프레임부(30)에 의하여, 반응 공간은 에워싸여 있다. 단, 프레임부(30)의 단부와 기판(23)의 상면은, 접촉하고 있지 않다.
반응 공간에, 미스트 분사 헤드부(100)의 원료 용액 분출구(15) 및 반응 재료 분출구(16 및 17)로부터, 저판(21)을 통하여, 미스트화된 원료 용액 및 2개의 반응 재료가 분사되면, 가열되어 있는 기판(23) 상에 있어서, 원료 용액과 2개의 반응 재료가 반응하여, 기판(23)의 상면에 원하는 막이 성막된다. 또한, 반응 공간 내의 반응 잔사 등은, 배기용 노즐부 N4에 의하여, 반응 공간으로부터 배제된다.
또한, 실시 형태 1의 미스트 분사 헤드부(100)에서는, 원료 용액 분사용 노즐부 N1 내 및 반응 재료 분사용 노즐부 N2, N3 내의 각각에 있어서도, 베이스 플레이트부(20)와 마찬가지로, 온도 조절 기구(22)가 배치되어 있다.
(저판(21))
실시 형태 1의 성막 장치는, 미스트 분사 헤드부(100)의 저면에 떼어내기 가능하게 설치되는 저판(21)을 구비한 것을 특징으로 하고 있다. 이때, 저판(21)은 성막 장치에 의한 성막 처리의 실행을 방해하지 않는 형태로 미스트 분사 헤드부(100)의 저면에 설치된다.
또한, 저판(21)의 두께는, 예를 들어 1.0 내지 1.5㎜ 정도로 설정되며, 저판(21)의 미스트 분사 헤드부(100)의 저면에 대한 설치는 나사 고정 등이 생각된다.
구체적으로는, 도 1에 도시한 바와 같이, 저판(21)은, 미스트 분사 헤드부(100)의 저면에 대한 설치 시에, 원료 용액 분출구(15), 반응 재료 분출구(16 및 17) 및 불활성 가스 분출구(192 내지 194)에 대응하는 영역에 원료 용액용 개구부(35), 반응 재료용 개구부(36 및 37) 및 불활성 가스용 개구부(392 내지 394)를 갖고 있다.
원료 용액용 개구부(35)는 원료 용액 분출구(15)에 대응하는 영역에, 평면으로 보아 긴 변 방향을 Y 방향(제1 방향)으로 한 가늘고 긴 개구 구멍인 슬릿형으로 형성된다. 즉, 저판(21)의 설치 시에 있어서 원료 용액용 개구부(35)는 원료 용액 분출구(15)와 평면으로 보아 합치되어 동일한 형상으로 형성된다.
반응 재료용 개구부(36 및 37)는 각각 반응 재료 분출구(16 및 17)에 대응하는 영역에, 평면으로 보아 긴 변 방향을 Y 방향(제1 방향)으로 한 가늘고 긴 개구 구멍인 슬릿형으로 형성된다. 즉, 저판(21)의 설치 시에 있어서 반응 재료용 개구부(36 및 37)는 반응 재료 분출구(16 및 17)와 평면으로 보아 합치된 동일한 형상으로 형성된다.
불활성 가스용 개구부(392 내지 394)는 각각 불활성 가스 분출구(192 내지 194)에 대응하는 영역에, 평면으로 보아 긴 변 방향을 Y 방향(제1 방향)으로 한 가늘고 긴 개구 구멍인 슬릿형으로 형성된다. 즉, 저판(21)의 설치 시에 있어서 불활성 가스용 개구부(392 내지 394)는 불활성 가스 분출구(192 내지 194)와 평면으로 보아 합치된 동일한 형상으로 형성된다.
따라서, 저판(21)의 설치 시에, 원료 용액 분출구(15), 반응 재료 분출구(16 및 17) 및 불활성 가스 분출구(192 내지 194)에 관하여, 저판(21)에 의하여 실시 형태 1의 성막 장치에 의한 성막 처리가 영향을 받는 일은 없다.
또한, 배기구(18), 불활성 가스 분출구(191 및 195)는 미스트 분사 헤드부(100)의 최외측에 마련되어 있기 때문에, 저판(21)은 미스트 분사 헤드부(100)의 저면에 대한 설치 시에, 배기구(18), 불활성 가스 분출구(191 및 195)를 덮는 일 없이, 배기구(18) 등의 근방에 배치된다.
따라서, 저판(21)의 설치 시에, 배기구(18), 불활성 가스 분출구(191 및 195)에 관하여, 저판(21)에 의하여 실시 형태 1의 성막 장치에 의한 성막 처리가 영향을 받는 일은 없다.
상술한 바와 같이, 저판(21)의 미스트 분사 헤드부(100)의 저면에 대한 설치 시에는, 도 3에 도시하는 미스트 분사 헤드부(100)의 저면의 프레임부(30) 내에 있어서, 배기구(18) 및 불활성 가스 분출구(191)를 덮는 일 없이, 배기구(18) 근방으로부터 불활성 가스 분출구(191) 근방에 걸쳐, 저판(21)이 배치된다.
따라서, 성막 장치에 의한 성막 처리의 실행을 방해하지 않는 형태로 미스트 분사 헤드부(100)의 저면에 저판(21)을 설치할 수 있다.
또한, 저판(21)은 내부식성을 갖는 재료에 의하여 구성된다. 구체적으로는, 저판(21)은 스테인리스, 또는 알루마이트나 불소계 수지 등의 내부식성 및 내열성의 코팅을 실시한 재료에 의하여 구성된다.
(효과 등)
실시 형태 1의 성막 장치는 미스트 분사 헤드부(100)의 저면에 떼어내기 가능한 저판(21)을 설치함으로써, 저판(21)을 세정함으로써 저판(21)에 부착된 반응 생성물을 간단히 제거할 수 있다.
또한, 미리 저판(21)을 복수 준비하여, 복수의 저판(21) 중 하나의 저판을 세정하고 있는 동안에, 세정 완료된 다른 저판을 이용함으로써, 하나의 저판을 세정하면서 성막 장치의 사용을 계속할 수 있다.
또한, 실시 형태 1의 성막 장치는, 저판(21)에 원료 용액용 개구부(35), 반응 재료용 개구부(36 및 37) 및 불활성 가스용 개구부(392 내지 394)를 설치함으로써, 저판(21)의 설치 시에 있어서 성막 처리를 방해하는 일 없이, 저판(21)에 부착된 반응 생성물을 간단히 제거할 수 있다.
또한, 저판(21)은, 미스트 분사 헤드부(100)의 저면에 대한 설치 시에, 배기구(18), 불활성 가스 분출구(191 및 195)를 덮는 일 없이 배치되기 때문에, 저판(21)의 설치 시에 배기 처리를 포함하는 성막 처리에 영향을 주는 일은 없다.
게다가, 실시 형태 1의 미스트 분사 헤드부(100)의 저면에 형성되는 원료 용액 분출구(15), 반응 재료 분출구(16 및 17) 및 불활성 가스 분출구(191 내지 194)는, 제1 방향(Y 방향)을 긴 변 방향으로 한 슬릿 형상으로 형성된다. 그리고, 저판(21)의 원료 용액용 개구부(35), 반응 재료용 개구부(36 및 37) 및 불활성 가스용 개구부(392 내지 394)는, 저판(21)의 미스트 분사 헤드부(100)의 저면에 대한 설치 시에 있어서, 원료 용액 분출구(15), 반응 재료 분출구(16 및 17) 및 불활성 가스 분출구(192 내지 194)와 평면으로 보아 합치된 동일한 형상으로 형성된다. 따라서, 대면적의 기판(23)에 대하여, 균등하게, 미스트화된 원료 용액을 분무할 수 있다.
또한, 적재부(24) 또는 미스트 분사 헤드부(100)는, 수평 방향으로 이동 가능하다. 따라서, 대면적의 기판(23)의 전체면에 대해서도, 본 실시 형태에 따른 성막 장치(미스트 분사 헤드부(100))를 사용한 성막 처리가 가능해진다.
예를 들어, 미스트 분사 헤드부(100)를 X 방향으로 이동시키면서, 성막 장치에 의한 성막 처리를 행함으로써, 기판(23)의 상면 상에 균일하게 미스트화된 원료 용액 등을 분사할 수 있다.
또한, 반응 재료 분출구(16(17))를 슬릿형으로 형성함으로써, 대면적의 기판(23)의 상면에 대하여, 균등하게, 반응 재료를 분무할 수 있다.
게다가, 배기구(18)를 슬릿형으로 형성함으로써, 보다 광범위에 걸쳐, 배기 처리가 가능해진다. 또한, 원료 용액 등이 배기구(18)를 향하는 X 방향의 흐름을, 균등하게 할 수 있다.
또한, 내부식성을 갖는 재료에 의하여 저판(21)을 구성함으로써, 세정 처리를 행한 후의 저판(21)의 재이용을 용이하게 할 수 있다.
게다가, 실시 형태 1의 미스트 분사 헤드부(100)는, 불활성 가스 분사부(83)(제1 불활성 가스 분사부)는 원료 용액 분사용 노즐부 N1과 반응 재료 분사용 노즐부 N2 사이에 설치되고, 불활성 가스 분사부(82)(제2 불활성 가스 분사부)는 원료 용액 분출구(15)와 반응 재료 분사용 노즐부 N3 사이에 설치된다.
상기 구성의 실시 형태 1의 미스트 분사 헤드부(100)는, 원료 용액 분사용 노즐부 N1, 반응 재료 분사용 노즐부 N2 및 N3 그리고 불활성 가스 분사부(82 및 83)의 조합에 의하여, 불활성 가스 분출구(193 및 192)는, 원료 용액 분출구(15)와 반응 재료 분출구(16 및 17) 사이에 마련되는 것을 특징으로 하고 있다.
이 때문에, 실시 형태 1의 성막 장치에 있어서, 저판(21)을 통한 불활성 가스 분출구(192 및 193)로부터의 불활성 가스의 분출에 의하여, 저판(21)의 원료 용액용 개구부(35) 부근 및 반응 재료용 개구부(36 및 37) 부근의 각각에 대한 반응 생성물의 부착을 저감할 수 있다. 그 결과, 저판(21)의 세정을 보다 간단히 행할 수 있다는 효과를 발휘한다.
또한, 실시 형태 1의 성막 장치에서는, 불활성 가스 공급부(51 내지 53)의 각각의 개구 면적을, 불활성 가스 분출구(191 내지 193)의 각각의 개구 면적 이상, 즉, 불활성 가스 분출구(191 내지 193)의 각각의 개구 면적을 불활성 가스 공급부(51 내지 53)의 각각의 개구 면적 이하로 설정함으로써, 불활성 가스 분출구(191) 등과 불활성 가스 공급부(51) 사이에 압력 차를 설정할 수 있어, 성막 시에 불활성 가스를 기판(23)의 상면 상에 균일하게 퍼뜨릴 수 있다는 효과를 발휘한다.
게다가, 실시 형태 1의 성막 장치에 있어서, 불활성 가스 분출구(192 및 193)에 의하여 불활성 가스를 분출하고 있는 유량을, 원료 용액 분출구(15)에 의하여 원료 용액을 분출하고 있는 유량 및 반응 재료 분출구(16 및 17)에 의하여 반응 재료를 분출하고 있는 유량 각각의 이하로 설정하고 있다.
이 때문에, 실시 형태 1의 성막 장치는, 불활성 가스의 분출에 의하여, 원료 용액과 반응 재료의 반응을 저해하는 현상을 억제할 수 있다.
또한, 실시 형태 1에 의한 성막 장치의 미스트 분사 헤드부(100)는, 원료 용액 분사용 노즐부 N1을 갖고 있다. 그리고, 원료 용액 분사용 노즐부 N1은, 공동부(11) 내에, 공동부(11)의 저면으로부터 떨어진 위치에 있어서, 한쪽 측면측에 원료 용액 배출부(41)가 배치되어 있다.
따라서, 원료 용액 분사용 노즐부 N1 내의 공동부(11)에서, 원료 용액과 잔류 수분이 반응하여, 파티클이 생성되었다고 하더라도, 당해 파티클은, 공동부(11)에 있어서의, 저면으로부터 원료 용액 배출부(41)까지의 사이의 영역에, 트랩된다. 즉, 공동부(11)에 있어서의 당해 영역은, 파티클 트랩으로서 기능하며, 당해 영역 내에는, 파티클이 포획되어, 원료 용액 배출부(41), 통로(61) 및 원료 용액 분출구(15)로 반송되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 각 부분(41, 61, 15(35))에 있어서, 파티클이 부착되어 눈막힘이 발생하는 것도 방지할 수 있다.
또한, 상기와 달리, 복수의 정류부(6)의 배치를 생략할 수도 있지만, 원료 용액 분사용 노즐부 N1 내의 공동부(11)에는, 복수의 정류부(6)가 배치되어 있다.
따라서, 공동부(11) 내에 있어서의 미스트화된 원료 용액의 흐름을 조정할 수 있어, 파티클 트랩으로서 기능하고 있는 상기 영역에서의, 파티클의 포획을 보다 확실하게 한다.
또한, 복수의 정류부(6) 중 최하단의 정류부(6)가 설치되어 있는 측면부와, 원료 용액 배출부(41)가 배치되어 있는 측면은 동일하다(양쪽 모두, 한쪽 측면부(좌측)에 배치되어 있음). 따라서, 액적 등이, 한쪽 측면부를 타고, 원료 용액 배출부(41)로 흐르는 것도 방지할 수 있다.
또한, 상기와 달리, 반응 재료 분사용 노즐부 N2 및 N3의 배치를 생략할 수도 있지만, 미스트 분사 헤드부(100)는, 반응 재료 분사용 노즐부 N2 및 N3을 갖고 있다. 따라서, 대기 중에 있어서의 성막 처리에 있어서의, 반응 촉진이 가능해진다. 또한, 다종다양한 막을 성막할 수도 있다.
또한, 실시 형태 1의 미스트 분사 헤드부(100)는, 2개의 반응 재료 분사용 노즐부 N2, N3을 갖는다. 여기서, 원료 용액 분사용 노즐부 N1은, 반응 재료 분사용 노즐부 N2(제1 반응 재료 분사용 노즐부)와 반응 재료 분사용 노즐부 N3(제2 반응 재료 분사용 노즐부)에 의하여, 측방으로부터 물려 있다.
따라서, 반응 공간에, 상이한 반응 재료를 분출할 수 있다. 따라서, 기판(23) 상에 다종의 막을 성막하는 것이 가능해진다. 또한, 반응 재료 분사용 노즐부 N2, N3으로부터 동일한 반응 재료를 분출시킨 경우에는, 기판(23) 상에 있어서의 원하는 막의 성막 속도를 향상시킬 수 있다.
또한, 반응 재료 분사용 노즐부 N2, N3은 각각 온도 조절 기구(22)를 갖고 있다. 따라서, 예를 들어, 반응 재료 분사용 노즐부 N2, N3 내에 고인 액적을 증발시킬 수 있다. 따라서, 당해 증발한 반응 재료를, 반응 재료 분사용 노즐부 N2, N3으로부터 분사시키는 반응 재료로서, 이용할 수 있다.
또한, 원료 용액 분사용 노즐부 N1에 있어서도, 온도 조절 기구(22)가 배치되어 있다. 따라서, 예를 들어, 원료 용액의 미스트 상태를 유지할 수 있다. 즉, 원료 용액 분사용 노즐부 N1로부터 분사되는 원료 용액의 액적이 커져, 큰 액적으로 된 원료 용액이 기판(23)의 상면에 적하되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 베이스 플레이트부(20)의 저면에는, 기판(23)에 대하여 불활성 가스를 분사하는 복수의 불활성 가스 분출구(194)(제3 불활성 가스 분출구)가 배치되어 있다. 따라서, 베이스 플레이트부(20)의 하방에 존재하는 원료 용액 등을 기판(23)의 상면 상에 밀어붙이는 것이 가능해진다. 따라서, 원료 용액 등의 이용 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 베이스 플레이트부(20)는, 온도 조절 기구(22)를 갖고 있다. 따라서, 반응 공간에 있어서의, 원료 용액 등의 미스트 상태의 유지가 가능해진다. 또한, 베이스 플레이트부(20)에 있어서의 액적의 부착을 방지할 수 있다. 또한, 기판(23) 상에 있어서의 성막 반응의 촉진을 도모할 수도 있다.
또한, 미스트 분사 헤드부(100)의 프레임부(30) 또는 프레임부(30)의 근방에 있어서, 기판(23)에 대하여 불활성 가스를 분사하는 불활성 가스 분출구(191, 195)가 배치되어 있다. 따라서, 불활성 가스에 의하여, 반응 공간을 에워쌀 수 있어, 반응 공간으로부터 원료 용액 등이 확산되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 반응 재료 분사용 노즐부 N2(N3)는, 공동부(12(13)) 내에, 공동부(12)의 저면으로부터 떨어진 위치에 있어서, 한쪽 측면측에 반응 재료 배출부(42(43))가 배치되어 있다.
따라서, 반응 재료 분사용 노즐부 N2(N3) 내의 공동부(12(13))에서, 반응 재료와 대기가 반응하여, 파티클이 생성되었다고 하더라도, 당해 파티클은, 공동부(12)에 있어서의, 저면으로부터 반응 재료 배출부(42(43))까지의 사이의 영역에, 트랩된다. 즉, 공동부(12(13))에 있어서의 당해 영역은, 파티클 트랩으로서 기능하며, 당해 영역 내에는, 파티클이 포획되어, 반응 재료 배출부(42(43)), 통로(62(63)) 및 반응 재료 분출구(16(17))로 반송되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 각 부분(42, 62, 16(36)(43, 63, 17(37)))에 있어서, 파티클이 부착되어 눈막힘이 발생하는 것도 방지할 수 있다.
또한, 상기와 달리, 복수의 정류부(7)의 배치를 생략할 수도 있지만, 반응 재료 분사용 노즐부 N2(N3) 내의 공동부(12(13))에는, 복수의 정류부(7(8))가 배치되어 있다.
따라서, 공동부(12(13)) 내에 있어서의 반응 재료의 흐름을 조정할 수 있어, 파티클 트랩으로서 기능하고 있는 상기 영역에서의, 파티클의 포획을 보다 확실하게 한다. 또한, 공동부(12)에 있어서, 복수의 정류부(7(8)) 중 최하단의 정류부(7(8))가 설치되어 있는 측면부와, 반응 재료 배출부(42(43))가 배치되어 있는 측면은 동일하다(양쪽 모두, 한쪽 측면부(좌측의 측면부)에 배치되어 있음). 따라서, 액적 등이, 한쪽 측면부를 타고, 반응 재료 배출부(42(43))로 흐르는 것도 방지할 수 있다.
또한, 상기와 달리, 배기용 노즐부 N4의 배치를 생략할 수도 있지만, 미스트 분사 헤드부(100)는, 배기용 노즐부 N4를 갖고 있다. 따라서, 배기용 노즐부 N4로 이동하는, 원료 용액 및 반응 재료의 흐름을 창출할 수 있다. 따라서, 반응 공간에 있어서의 원료 용액 등의 흐름이 흐트러지는 것을 방지할 수 있어, 성막되는 막의 막질을 향상시킬 수 있다. 또한, 반응 공간으로부터 외측으로 원료 용액 등이 확산되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 배기 처리에 있어서, {배기 유량 Q4≥원료 용액의 분출 유량 Q1+반응 재료의 분출 유량 Q2+Q3}을 만족시키도록 유량이 제어된다. 따라서, 반응 공간 내에 분사된, 원료 용액 및 2개의 반응 재료가, 반응 공간 내의 상기 흐름을 보다 확실하게 할 수 있다. 또한, 원료 용액 및 2개의 반응 재료가, 반응 공간으로부터 외측으로 확산되는 것을 확실히 방지할 수 있다.
또한, 반응 재료 분사용 노즐부 N3, 원료 용액 분사용 노즐부 N1, 반응 재료 분사용 노즐부 N2 및 배기용 노즐부 N4는, X 방향(수평 방향)으로 나란히 배치되어 있으며, 적어도 배기용 노즐부 N4는, 미스트 분사 헤드부(100)의 최외측에 위치하고 있다.
따라서, 반응 공간에 있어서, 원료 용액 및 2개의 반응 재료는, 미스트 분사 헤드부(100)의 최외측까지 이동한다. 따라서, 원료 용액 및 반응 재료와 기판(23)이 접촉하는 영역이, 최대로 되어, 반응 공간에 있어서의 원료 용액 등의 미반응을 최소화로 할 수 있다.
또한, 배기용 노즐부 N4는, 공동부(14) 내에, 공동부(14)의 저면으로부터 떨어진 위치에 있어서, 다른 쪽 측면측에 배기물 도입부(44)가 배치되어 있다.
따라서, 배기물 도입부(44)로부터 공동부(14) 내에 도입된 배기물은, 공동부(14)에 있어서의, 저면으로부터 배기물 도입부(44)까지의 사이의 영역에, 트랩된다. 즉, 공동부(14)에 있어서의 당해 영역은, 파티클 트랩으로서 기능하며, 당해 영역 내에는, 입경이 큰 배기물이 포획되어, 배기물 출구부(4) 너머로, 입경이 큰 배기물이 흐르는 것을 방지할 수 있다. 이것에 의하여, 배기 펌프에 배치되는 필터의 수명을 길게 할 수 있다.
또한, 상기와 달리, 복수의 정류부(9)의 배치를 생략할 수도 있지만, 배기용 노즐부 N4 내의 공동부(14)에는, 복수의 정류부(9)가 배치되어 있다.
따라서, 배기물 출구부(4) 너머로, 입경이 큰 배기물이 흐르는 것을 보다 확실히 방지할 수 있다. 이것에 의하여, 배기 펌프에 배치되는 필터의 수명을 보다 길게 할 수 있다.
또한, 미스트 분사 헤드부(100)는, 개방향 천장부(58)를 기판(23)측으로부터 막는 베이스 플레이트부(20)를 갖고 있다. 따라서, 배기용 노즐부 N4를 다른 노즐부 N1 내지 N3으로부터 떨어뜨려 배치시켰다고 하더라도, 반응 공간으로부터 개방향 천장부(58)로, 원료 용액 등이 흐르는 것을 방지할 수 있다. 또한, 미스트 분사 헤드부(100)에 있어서의, 배기용 노즐부 N4 및 다른 노즐부 N1 내지 N3의 조립이 용이해진다.
또한, 미스트 분사 헤드부(100)의 프레임부(30)는, 기판(23)측으로 돌출되어 있다. 따라서, 반응 공간을 에워쌀 수 있어, 반응 공간으로부터 원료 용액 등이 확산되는 것을 억제할 수 있다.
<실시 형태 2>
도 5는 실시 형태 2인 성막 장치에 있어서의 미스트 분사 헤드부(100B)의 구성을 도시하는 단면도이다. 도 6은 도 5의 C-C 단면 구조를 도시하는 단면도이다. 또한, 도 6에 있어서는 저판(21B)의 도시를 생략하였다.
도 7은, 저판(21B)을 떼어낸 상태에 있어서의, 미스트 분사 헤드부(100B)의 저면 구조를 도시하는 평면도이다. 도 8은, 저판(21B)을 떼어낸 상태에 있어서의 베이스 플레이트부(20B)를 Y 방향에서 본 외관 구조 등을 도시하는 설명도이다. 도 8에 있어서, 동 도면의 (a)는 미스트 분사 헤드부(100B)를 좌측면(-X 방향)에서 본 측면도이고, (b)는 정면(+Y 방향)에서 본 정면도이다. 또한, 도 8의 (a)의 D-D 단면 구조가 도 5에서 도시하는 단면도로 된다.
실시 형태 1인 미스트 분사 헤드부(100)에서는, 2개의 반응 재료 분사용 노즐부 N2, N3을 갖고 있었다. 한편, 실시 형태 2에 의한 미스트 분사 헤드부(100B)에서는, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B를 하나로 집약하여, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B의 저면에 설치된 반응 재료 분출구(16B 및 17B)로부터, 제1 및 제2 반응 재료가 분출되는 구성을 실현하고 있다. 또한, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B의 저면에 설치된 원료 용액 분출구(15B)로부터 미스트화된 원료 용액이 분출되는 구성을 실현하고 있다. 그리고, 실시 형태 2의 성막 장치에서는, 저판(21) 대신 저판(21B)을 미스트 분사 헤드부(100B)의 저면에 설치하고 있다.
실시 형태 1의 미스트 분사 헤드부(100)와 실시 형태 2의 미스트 분사 헤드부(100B)는, 주로, 반응 재료 분사용 노즐부 N2 및 N3이 반응 재료 분사용 노즐부 N3B로 치환된 점, 원료 용액 분사용 노즐부 N1이 원료 용액 분사용 노즐부 N1B로 치환된 점이 상이하다. 이하에서는, 실시 형태 2의 미스트 분사 헤드부(100B)에 관하여, 실시 형태 1의 미스트 분사 헤드부(100)와 상이한 구성 부분을 중심으로 하여 설명을 행하며, 실시 형태 1과 마찬가지의 구성 부분은 동일한 부호를 붙여 설명을 적절히 생략한다.
도 5에 도시한 바와 같이, 미스트 분사 헤드부(100B)는, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B와, 원료 용액 분사용 노즐부 N1B와, 배기용 노즐부 N4를 갖는다. 도 5에 도시한 바와 같이, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B, 원료 용액 분사용 노즐부 N1B 및 배기용 노즐부 N4는, 당해 순서대로, X 방향(수평 방향)을 따라 나란히 배치되어 있다.
또한, 원료 용액 분사용 노즐부 N1B의 측면과 반응 재료 분사용 노즐부 N3B의 측면은 접촉하고 있다. 그러나, 원료 용액 분사용 노즐부 N1B의 측면과 배기용 노즐부 N4의 측면 사이에는, 소정의 거리만큼 떨어져 있다. 즉, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B와 원료 용액 분사용 노즐부 N1B는 X 방향으로 인접하고 있지만, 배기용 노즐부 N4는, 다른 노즐부 N1, N3B와는 X 방향으로 떨어져 배치되어 있다.
상기와 같이, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B, 원료 용액 분사용 노즐부 N1B 및 배기용 노즐부 N4는, X 방향(수평 방향)으로 나란히 배치되어 있다. 여기서, 적어도 배기용 노즐부 N4는, 미스트 분사 헤드부(100B)의 최외측(도 5에서는 우측 단부(+X 방향측))에 위치하고 있다.
적재부(24)에 의하여 소정의 온도로 가열되어 있는 기판(23)의 상면에 대하여, 미스트 분사 헤드부(100B)는, 미스트화된 원료 용액 등을 분사한다. 이것에 의하여, 기판(23)의 상면에 원하는 막이, 성막된다. 또한, 성막 처리 시에는, 적재부(24)는, 수평 방향(XY 평면 내)으로 이동한다. 또는, 미스트 분사 헤드부(100B)는, 당해 수평 방향으로 이동한다.
(원료 용액 분사용 노즐부 N1B 및 반응 재료 분사용 노즐부 N3B)
이하, 원료 용액 분사용 노즐부 N1B 및 반응 재료 분사용 노즐부 N3B의 구성에 대하여 설명한다.
원료 용액 분사용 노즐부 N1B는, 미스트화된 원료 용액을, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B의 저면에 형성된 원료 용액 분출구(15B)로부터 저판(21B)의 원료 용액용 개구부(35B)를 통하여 분사하는 노즐이다. 원료 용액 분사용 노즐부 N1B에는, 내부에 공동부(11)(한쪽 공동부) 및 공동부(12B)(다른 쪽 공동부)가 형성되어 있다. 또한, 원료 용액 분사용 노즐부 N1B의 상면에는, 실시 형태 1의 원료 용액 분사용 노즐부 N1과 마찬가지로, 원료 용액 공급부(1)가 배치되어 있다.
또한, 원료 용액 분사용 노즐부 N1B의 공동부(11) 내에 있어서, 실시 형태 1의 원료 용액 분사용 노즐부 N1과 마찬가지로, 한쪽 측면부에는, 복수의 정류부(6)(제1 정류부)가 배치되어 있다.
복수의 정류부(6)의 하방에 공동부(11)가 설치된다. 복수의 정류부(6)의 상방의 소공간은, 복수의 정류부(7)에 의하여 형성되는 간극을 통하여, 공동부(11)와 접속되어 있으며, 공동부(11)는, 원료 용액 배출부(41B)에 접속되어 있다.
원료 용액 배출부(41B)는, 공동부(11)에 있어서, 한쪽 측면부(도 1에서는 좌(-X 방향)측의 측면)에 배치되어 있다. 또한, 원료 용액 배출부(41B)는, 원료 용액 분사용 노즐부 N1B(공동부(11))의 저면으로부터 떨어진 위치에 있어서, 배치되어 있다.
한편, 원료 용액 분사용 노즐부 N1B가 아니라, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B의 저면에 원료 용액 분출구(15B)가 형성되어 있다. 즉, 실시 형태 2의 미스트 분사 헤드부(100B)에서는, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B의 저면에 설치된 원료 용액 분출구(15B)로부터, 저판(21B)의 원료 용액용 개구부(35B)를 통하여 미스트화된 원료 용액이 기판(23)의 상면에 대하여 분출된다.
그리고, 반응 재료 분사용 노즐부 N3에는 내부에 통로(61B)(제1 내부 통로)가 배치되어 있다. 원료 용액 분사용 노즐부 N1B에 설치된 원료 용액 배출부(41B)는, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B에 설치된 통로(61B)를 통하여, 원료 용액 분출구(15B)와 접속되어 있다.
도 7에 도시하는 바와 같이, 미스트 분사 헤드부(100B)의 저면은 X 방향(제2 방향) 및 Y 방향(제1 방향)으로 규정되는 직사각 형상을 띠고 있다. 그리고, 원료 용액 분출구(15B)는, 평면으로 보아 긴 변 방향을 Y 방향(제1 방향)으로 한 가늘고 긴 개구 구멍인 슬릿형을 띠고 있다. 또한, 원료 용액 분출구(15B)의 개구부의 폭(도 7의 X 방향의 치수)은, 0.1㎜ 내지 10㎜ 정도이다.
원료 용액 분사용 노즐부 N1B에서는, 미스트화된 원료 용액은, 원료 용액 공급부(1)로부터, 공동부(11) 내에 공급된다. 그리고, 당해 원료 용액은, 복수의 정류부(6)에 의하여 정류되어, 복수의 정류부(6)의 상방의 소공간에 충만된 후, 공동부(11)로 유도되어, 공동부(11)에 있어서 충만된다. 그 후, 미스트화된 원료 용액은, 원료 용액 배출부(41B)로부터, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B의 통로(61B)를 통하여, 원료 용액 분출구(15B)로 유도된다. 그리고, 미스트화된 원료 용액은, 원료 용액 분출구(15B)로부터, 저판(21B)의 원료 용액용 개구부(35B)를 통하여 기판(23)의 상면을 향하여, 분출된다.
또한, 원료 용액 분사용 노즐부 N1B는 공동부(11)의 하방에 공동부(12B)를 가지며, 공동부(12B)는, 도 5 및 도 8의 (b)에 도시하는 바와 같이, 원료 용액과의 반응에 기여하는 제1 반응 재료를 공급하는 반응 재료 공급부(2B)와 접속되어 있고, 공동부(12B)는, 후술하는 반응 재료 배출부(42B)에 접속되어 있다.
반응 재료 배출부(42B)(제1 반응 재료 배출부)는, 공동부(12B)에 있어서, 한쪽 측면부(도 1에서는 좌(-X 방향)측의 측면)에 배치되어 있다. 또한, 반응 재료 배출부(42B)는, 반응 재료 분사용 노즐부 N2(공동부(12B))의 저면으로부터 떨어진 위치에 있어서, 배치되어 있다.
한편, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B 내에는 통로(62B)(제2 내부 통로)가 배치되어 있다. 그리고, 원료 용액 분사용 노즐부 N1B에 설치된 반응 재료 배출부(42B)는, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B에 설치된 통로(62B)를 통하여, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B의 저면에 설치된 반응 재료 분출구(16B)(제1 반응 재료 분출구)와 접속되어 있다.
한편, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B는, 주로 원료 용액과의 반응에 기여하는 제2 반응 재료를 기판(23)에 대하여 분출하는 노즐이다. 반응 재료 분사용 노즐부 N3B에는, 내부에 하나의 공동부(13B)가 형성되어 있다. 도 5에 도시한 바와 같이, 공동부(13B)는, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B 내에 있어서, 상방(+Z 방향)으로 배치되어 있다. 구체적으로는, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B 내에 있어서, 상부측에는 한쪽 공동부(13B)가 마련된다. 여기서, 공동부(13B)는 다른 공간으로부터 독립되게 형성되는 공간이다.
도 5 및 도 8의 (b)에 도시하는 바와 같이, 공동부(13B)에 있어서, Y 방향의 측면에는, 반응 재료 공급부(3B)가 배치되어 있다. 제2 반응 재료는, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B 밖으로부터, 한쪽 반응 재료 공급부(3B)를 통하여, 한쪽 공동부(13B) 내에 공급된다.
여기서, 상술한 제1 및 제2 반응 재료는, 기체여도 액체여도 된다. 액체인 경우에는, 초음파 진동 등을 이용하여 미스트화된 액체(반응 재료)가, 캐리어 가스와 함께, 도시하지 않은 경로를 통과하여, 원료 용액 분사용 노즐부 N1B 또는 반응 재료 분사용 노즐부 N3B 내로 반송된다.
반응 재료 공급부(3B)로부터 출력되는 제2 반응 재료는, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B 내의 공동부(13B)에 충만된다(공급된다).
또한, 도 5에서는 도시를 생략하였지만, 원료 용액 분사용 노즐부 N1B의 공동부(12B) 및 반응 재료 분사용 노즐부 N3B의 공동부(13B) 내에 있어서, 실시 형태 1에서 설명한 기능·작용(즉, 공동부(12B, 13B) 내에 있어서의 반응 재료의 흐름을 조정하여, 반응 재료와 대기가 반응하여, 파티클이 생성되었다고 하더라도, 당해 파티클이, 공동부(12B, 13B)의 저면으로부터 반응 재료 배출부(42B, 43B)까지의 사이의 영역에, 트랩되는 것을 촉진하는 기능·작용)을 갖는 정류부가 배치되어 있어도 된다.
또한, 공동부(13B)에 있어서, X 방향의 측면에는, 반응 재료 배출부(43)가 배치되어 있다. 여기서, 한쪽 반응 재료 배출부(43)는, 동부(13B)의 저면으로부터 떨어진 위치에 있어서, 배치되어 있다.
반응 재료 분사용 노즐부 N3B의 저면에 있어서, 반응 재료 분출구(16B 및 17B)가 배치되어 있다. 여기서, 공동부(12B)로부터 공급되는 제1 반응 재료가 반응 재료 분출구(16B)로부터 저판(21B)의 반응 재료용 개구부(36B)를 통하여, 공동부(13B)로부터 공급되는 제2 반응 재료가 반응 재료 분출구(17B)로부터 저판(21B)의 반응 재료용 개구부(37B)를 통하여, 각각 기판(23)의 상면에 대하여 분출된다.
미스트 분사 헤드부(100B)(도 5의 구성예에서는, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B) 내에는, 통로(62B) 및 통로(63)가 배치되어 있다. 그리고, 원료 용액 분사용 노즐부 N1B와 반응 재료 분사용 노즐부 N3B의 인접 배치에 의하여, 반응 재료 배출부(42B)는, 통로(62B)를 통하여 반응 재료 분출구(16B)와 접속된다. 한편, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B 내에 있어서, 반응 재료 배출부(43B)는, 통로(63)를 통하여, 반응 재료 분출구(17B)와 접속되어 있다.
또한, 도 5에 도시한 바와 같이, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B의 저면에 있어서, 원료 용액을 기판(23)에 대하여 분출하는 원료 용액 분출구(15B)가 배치되어 있다. 실시 형태 2에서는, 원료 용액 배출부(41B)와 원료 용액 분출구(15B)와 접속하는 통로(61B)는, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B 내에 배치되어 있다.
따라서, 실시 형태 2의 미스트 분사 헤드부(100B)에서는, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B의 기판(23)에 면하는 측에 있어서, 반응 재료 분출구(17B), 원료 용액 분출구(15B) 및 반응 재료 분출구(16B)가, 당해 순서대로 X 방향(수평 방향)으로 배치되어 있다. 여기서, 도 7에 도시하는 바와 같이, 각 반응 재료 분출구(17B, 16B) 및 원료 용액 분출구(15B)는, 평면으로 보아 긴 변 방향을 Y 방향으로 한 가늘고 긴 개구 구멍인 슬릿형을 띠고 있다. 또한, 반응 재료 분출구(17B, 16B) 및 원료 용액 분출구(15B) 개구부의 폭(도 7의 X 방향의 치수)은, 0.1㎜ 내지 10㎜ 정도이다.
원료 용액 분사용 노즐부 N1B로부터 배출되는 반응 재료(제1 반응 재료)는, 원료 용액 분사용 노즐부 N1B에 있어서, 반응 재료 공급부(2B)로부터, 공동부(12B) 내에 공급된다. 그리고, 제1 반응 재료는, 공동부(12B)에 충만된 후, 반응 재료 배출부(42B)로부터 반응 재료 분사용 노즐부 N3B로 배출된다. 그 후, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B의 내부에 통로(62B)를 통하여, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B의 저면에 설치된 반응 재료 분출구(16B)로 유도된다. 그리고, 제1 반응 재료는, 한쪽 반응 재료 분출구(16B)로부터, 저판(21B)의 반응 재료용 개구부(36B)를 통하여 기판(23)의 상면을 향하여, 분출된다.
한편, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B에 있어서, 반응 재료(제2 반응 재료)는, 반응 재료 공급부(3B)로부터, 공동부(13B) 내에 공급된다. 그리고, 제2 반응 재료는, 공동부(13B)에 충만된 후, 반응 재료 배출부(43)로부터, 통로(63)를 통하여, 반응 재료 분출구(17B)로 유도된다.
도 5 및 도 7에 도시하는 바와 같이, 반응 재료 분출구(17B), 원료 용액 분출구(15B), 반응 재료 분출구(16B) 및 배기구(18)는, 당해 순서대로, X 방향(수평 방향)으로 배치되어 있다.
배기용 노즐부 N4는, 다른 노즐부 N3B, N1B와는 X 방향으로 떨어져 배치되어 있다. 따라서, 배기용 노즐부 N4와 다른 노즐부 N3B, N1B 사이에는, 개방향 천장부(58)가 생긴다. 그래서, 본 실시 형태에 있어서도, 미스트 분사 헤드부(100B)는, 베이스 플레이트부(20B)를 구비하고 있다. 베이스 플레이트부(20B)는, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B의 저면 아래로부터 배기용 노즐부 N4의 저면 아래에 걸쳐서도 배치됨으로써, 개방향 천장부(58)를, 기판(23) 배치측으로부터 막고 있다(도 5, 도 7 및 도 8의 (b) 참조).
또한, 기판(23)에 대하여 불활성 가스를 분사할 수 있도록, 본 실시 형태에 따른 베이스 플레이트부(20B)에 있어서도, 실시 형태 1과 마찬가지로, 불활성 가스 공급부(54)와, 통로(74)와, 복수의 불활성 가스 분출구(194)가 마련되어 있다. 또한, 실시 형태 2의 베이스 플레이트부(20B)에는, 실시 형태 1과 마찬가지로, 온도 조절 기구(22)가 배치되어 있다.
또한, 실시 형태 2에서는, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B 내에 있어서도, 온도 조절 기구(22)가 배치되어 있다. 또한, 미스트 분사 헤드부(100B)에서는, 원료 용액 분사용 노즐부 N1B에 대한 온도 조정은, 베이스 플레이트부(20B)에 배치되어 있는 온도 조절 기구(22)의 일부가 행하고 있다.
또한, 실시 형태 2에 있어서도, 미스트 분사 헤드부(100B)는, 기판(23)에 면하고 있는 측(저면)에 있어서, 프레임부(30)를 갖는다. 또한, 도 5에 도시한 바와 같이, 실시 형태 1과 마찬가지로, 실시 형태 2에 있어서도, 미스트 분사 헤드부(100B)에는, 불활성 가스 분사부(81)의 불활성 가스 공급부(51), 통로(71) 및 불활성 가스 분출구(191)나 불활성 가스 공급부(55), 통로(75) 및 불활성 가스 분출구(195)가 마련되어 있다.
반응 공간에, 미스트화된 원료 용액과 반응 재료가 분사되면, 가열되어 있는 기판(23) 상에 있어서, 원료 용액과 반응 재료가 반응하여, 기판(23)의 상면에 원하는 막이 성막된다. 또한, 반응 공간 내의 반응 잔사 등은, 배기용 노즐부 N4에 의하여, 반응 공간으로부터 배제된다.
(불활성 가스 분출구(192B 및 193B) 등)
실시 형태 2의 미스트 분사 헤드부(100B)의 단부(도 5의 -X 방향측 단부)에 있어서, 실시 형태 1과 마찬가지로, 불활성 가스 분사부(81)는 프레임부(30) 또는 프레임부(30)에 인접하는 영역에 배치되어 있다. 또한, 미스트 분사 헤드부(100B)의 반응 재료 분사용 노즐부 N3B의 내부에 불활성 가스 분사부(82B 및 83B)가 형성되어 있다.
불활성 가스 분사부(81)는 주로 불활성 가스 공급부(51), 통로(71) 및 불활성 가스 분출구(191)로부터 구성되고, 불활성 가스 분사부(82B)는 주로 불활성 가스 공급부(52B), 통로(72B) 및 불활성 가스 분출구(192B)로부터 구성되고, 불활성 가스 분사부(83B)는 주로 불활성 가스 공급부(53B), 통로(73B) 및 불활성 가스 분출구(193B)에 의하여 구성된다.
도 5에 도시한 바와 같이, 불활성 가스 분사부(82B)는, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B 내에 있어서, 공동부(13B)의 하방에 배치되고, 불활성 가스 분사부(83B)의 주요부(불활성 가스 공급부(53B) 부근의 통로(73B))는 불활성 가스 분사부(82B)의 주요부(불활성 가스 공급부(52B) 부근의 통로(72B))의 하방에 형성되어 있다. 여기서, 불활성 가스 분사부(82B 및 83B)는 각각 다른 공간으로부터 독립되게 형성되는 공간이다.
도 5, 도 6 및 도 8의 (b)에 도시하는 바와 같이, 불활성 가스 분사부(82B 및 83B)에 있어서, Y 방향의 측면에는, 불활성 가스 공급부(52B 및 53B)가 배치되어 있다. 불활성 가스 공급부(52B 및 53B)는 반응 재료 분사용 노즐부 N3B 내에 형성된 통로(72B 및 73B)를 통하여 반응 재료 분사용 노즐부 N3B의 저면에 형성된 불활성 가스 분출구(192B 및 193B)에 접속된다.
도 5 및 도 6에 도시하는 바와 같이, 불활성 가스 분사부(82B 및 83B)에 있어서, 외부로부터 불활성 가스 공급부(52B 및 53B)에 도입되는 불활성 가스는 통로(72B 및 73B)를 통하여, 미스트 분사 헤드부(100B)의 저면에 형성되는 불활성 가스 분출구(192B 및 193B)로 유도되어, 저판(21B)의 불활성 가스용 개구부(392B 및 393B)를 통하여 분출된다.
불활성 가스 공급부(51, 52B 및 53B)는 불활성 가스 분출구(191, 192B 및 193B)에 연통하고 있지만, 불활성 가스 공급부(51, 52B 및 53B)의 각각의 개구 면적은, 불활성 가스 분출구(191, 192B 및 193B)의 각각의 개구 면적 이상으로 설정하는 것이 바람직하다.
또한, 불활성 가스 분출구(191, 192B 및 193B)에 의하여 불활성 가스를 분출하고 있는 유량은, 원료 용액 분출구(15B)에 의하여 원료 용액을 분출하고 있는 유량 및 반응 재료 분출구(16B 및 17B)에 의하여 반응 재료를 분출하고 있는 유량 각각의 이하로 설정하는 것이 바람직하다.
또한, 도 6에 도시하는 바와 같이, 실시 형태 1과 마찬가지로, Y 방향 양단부에 설치된 2개의 불활성 가스 공급부(55)에 도입되는 불활성 가스가, 각각 통로(75)를 통하여, 도 7에 도시하는 바와 같이, 미스트 분사 헤드부(100B)의 저면에 형성된 2개의 불활성 가스 분출구(195)로부터 분출된다.
이와 같이, 불활성 가스 분출구(195)는, 상술한 프레임부(30) 또는 프레임부(30)에 인접하는 영역에 배치되어 있다.
상술한 구성에 의하여, 불활성 가스 분사부(81, 82B 및 83B)의 불활성 가스 공급부(51, 52B 및 53B) 및 불활성 가스 공급부(55)를 통하여, 미스트 분사 헤드부(100B)의 외부로부터 보내져 온 불활성 가스는, 미스트 분사 헤드부(100B) 내에 공급된다. 통로(71, 72B 및 73B) 및 통로(75)는, 미스트 분사 헤드부(100B) 내에 배치되어 있으며, 당해 공급된 불활성 가스는, 통로(71, 72B 및 73B) 및 통로(75) 내를 전반한다. 불활성 가스 분출구(191, 192B 및 193B) 및 불활성 가스 분출구(195)는, 미스트 분사 헤드부(100B)의 저면(기판(23)에 면하는 측)에 배치되어 있으며, 불활성 가스 분출구(191, 192B 및 193B) 및 불활성 가스 분출구(195)로부터(불활성 가스 분출구(192B 및 193B)에 있어서는 불활성 가스용 개구부(392B 및 393B)를 통하여), 불활성 가스가 기판(23)의 상면을 향하여 분사된다.
배기용 노즐부 N4는, 다른 노즐부 N1B 및 N3B와는 X 방향으로 떨어져 배치되어 있다. 따라서, 배기용 노즐부 N4와 다른 노즐부 N1B 및 N3B 사이에는, 개방향 천장부(58)가 생긴다. 그래서, 미스트 분사 헤드부(100B)는, 베이스 플레이트부(20B)를 구비하고 있다. 베이스 플레이트부(20B)는, 개방향 천장부(58)를, 기판(23) 배치측으로부터 막고 있다(도 5, 도 7, 도 8의 (b) 참조).
도 5, 도 7 및 도 8의 (b)에 도시하는 바와 같이, 실시 형태 2의 미스트 분사 헤드부(100B)의 베이스 플레이트부(20B)에는, 불활성 가스 공급부(54)(도 8의 (b) 참조)와, 통로(74)(도 5, 도 7 참조)와, 복수의 불활성 가스 분출구(194)가 마련되어 있다.
베이스 플레이트부(20B)에 있어서, 불활성 가스 공급부(54)를 통하여, 미스트 분사 헤드부(100B)의 외부로부터 보내져 온 불활성 가스는, 베이스 플레이트부(20B)에 공급된다. 통로(74)는, 베이스 플레이트부(20B) 내에 배치되어 있으며, 당해 공급된 불활성 가스는, 통로(74) 내를 전반한다. 복수의 불활성 가스 분출구(194)는, 베이스 플레이트부(20B)의 저면(기판(23)에 면하는 측)에 배치되어 있으며, 복수의 불활성 가스 분출구(194)로부터, 저판(21B)의 불활성 가스용 개구부(394)를 통하여 불활성 가스가 기판(23)의 상면을 향하여 분사된다.
도 7에 도시하는 바와 같이, 불활성 가스 분출구(191 내지 194(191, 192B, 193B 및 194))는, 각각 평면으로 보아 긴 변 방향을 Y 방향(제1 방향)으로 한 가늘고 긴 개구 구멍인 슬릿형이다. 한편, 불활성 가스 분출구(195)는, 평면으로 보아 긴 변 방향을 X 방향(제2 방향)으로 한 가늘고 긴 개구 구멍인 슬릿형이다. 또한, 불활성 가스 분출구(191 내지 195)의 각각의 개구부의 폭(불활성 가스 분출구(191 내지 194)는 도 6의 X 방향의 치수, 불활성 가스 분출구(195)는 도 6의 Y 방향측의 치수)은, 0.1㎜ 내지 10㎜ 정도이다.
그리고, 도 5 및 도 7에 도시하는 바와 같이, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B의 저면에 있어서, 불활성 가스 분출구(192B)는 원료 용액 분출구(15B)와 반응 재료 분출구(17B) 사이에 마련되고, 불활성 가스 분출구(193B)는 원료 용액 분출구(15B)와 반응 재료 분출구(16B) 사이에 마련된다. 즉, 실시 형태 2의 미스트 분사 헤드부(100B)의 저면에 있어서, 불활성 가스 분출구(192B 및 193)는, 원료 용액 분출구(15B)와 반응 재료 분출구(16B 및 17) 사이에 마련되는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 실시 형태 2의 미스트 분사 헤드부(100B)에서는, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B의 저면 및 베이스 플레이트부(20B)의 저면이 단차없는 면이 되도록 구성된다. 따라서, 원료 용액 분출구(15B), 반응 재료 분출구(16B 및 17B) 및 불활성 가스 분출구(192B, 193B 및 194)는 미스트 분사 헤드부(100)에 있어서의 편평한 저면에 설치되게 된다.
(저판(21B))
실시 형태 2의 성막 장치는, 미스트 분사 헤드부(100B)의 저면에 떼어내기 가능하게 설치되는 저판(21B)을 구비한 것을 특징으로 하고 있다. 이때, 저판(21B)은 성막 장치에 의한 성막 처리의 실행을 방해하지 않는 형태로 미스트 분사 헤드부(100B)의 저면에 설치된다.
또한, 저판(21B)의 두께는, 예를 들어 1.0 내지 1.5㎜ 정도로 설정되며, 저판(21B)의 미스트 분사 헤드부(100)의 저면에 대한 설치는 나사 고정 등이 생각된다.
구체적으로는, 도 1에 도시한 바와 같이, 저판(21B)은, 미스트 분사 헤드부(100B)의 저면에 대한 설치 시에, 원료 용액 분출구(15B), 반응 재료 분출구(16B 및 17B) 및 불활성 가스 분출구(192B 내지 194(192B, 193B 및 194))에 대응하는 영역에 원료 용액용 개구부(35B), 반응 재료용 개구부(36B 및 37B) 및 불활성 가스용 개구부(392B 내지 394(392B, 393B 및 394))를 갖고 있다.
원료 용액용 개구부(35B)는 원료 용액 분출구(15B)에 대응하는 영역에, 평면으로 보아 긴 변 방향을 Y 방향(제1 방향)으로 한 가늘고 긴 개구 구멍인 슬릿형으로 형성된다. 즉, 저판(21B)의 설치 시에 있어서 원료 용액용 개구부(35B)는 원료 용액 분출구(15B)와 평면으로 보아 합치되어 동일한 형상으로 형성된다.
반응 재료용 개구부(36B 및 37B)는 각각 반응 재료 분출구(16B 및 17B)에 대응하는 영역에, 평면으로 보아 긴 변 방향을 Y 방향(제1 방향)으로 한 가늘고 긴 개구 구멍인 슬릿형으로 형성된다. 즉, 저판(21B)의 설치 시에 있어서 반응 재료용 개구부(36B 및 37B)는 반응 재료 분출구(16B 및 17B)와 평면으로 보아 합치된 동일한 형상으로 형성된다.
불활성 가스용 개구부(392B 내지 394)는 각각 불활성 가스 분출구(192B 내지 194)에 대응하는 영역에, 평면으로 보아 긴 변 방향을 Y 방향(제1 방향)으로 한 가늘고 긴 개구 구멍인 슬릿형으로 형성된다. 즉, 저판(21B)의 설치 시에 있어서 불활성 가스용 개구부(392B 내지 394)는 불활성 가스 분출구(192B 내지 194)와 평면으로 보아 합치된 동일한 형상으로 형성된다.
따라서, 저판(21B)의 설치 시에, 원료 용액 분출구(15B), 반응 재료 분출구(16B 및 17B) 및 불활성 가스 분출구(192B 내지 194)에 관하여, 저판(21B)에 의하여 실시 형태 2의 성막 장치에 의한 성막 처리가 영향을 받는 일은 없다.
또한, 배기구(18), 불활성 가스 분출구(191 및 195)는 미스트 분사 헤드부(100B)의 최외측에 마련되어 있기 때문에, 저판(21B)은 미스트 분사 헤드부(100B)의 저면에 대한 설치 시에, 배기구(18), 불활성 가스 분출구(191 및 195)를 덮는 일 없이, 배기구(18) 등의 근방에 배치된다.
상술한 바와 같이, 도 7에 도시하는 미스트 분사 헤드부(100B)의 저면의 프레임부(30) 내에 있어서, 배기구(18) 및 불활성 가스 분출구(191)를 덮는 일 없이, 배기구(18) 근방으로부터 불활성 가스 분출구(191) 근방에 걸쳐, 저판(21B)이 형성된다.
따라서, 저판(21B)의 설치 시에, 배기구(18), 불활성 가스 분출구(191 및 195)에 관하여, 저판(21B)에 의하여 실시 형태 2의 성막 장치에 의한 성막 처리가 영향을 받는 일은 없다. 이와 같이, 저판(21B)은 성막 장치에 의한 성막 처리의 실행을 방해하지 않는 형태로 미스트 분사 헤드부(100B)의 저면에 설치된다.
또한, 저판(21B)은 실시 형태 1의 저판(21)과 마찬가지로, 내부식성을 갖는 재료에 의하여 구성된다.
(효과 등)
실시 형태 2의 성막 장치는 미스트 분사 헤드부(100B)의 저면에 떼어내기 가능한 저판(21B)을 설치함으로써, 저판(21B)을 세정함으로써, 저판(21B)에 부착된 반응 생성물을 간단히 제거할 수 있다.
또한, 미리 저판(21B)을 복수 준비하여, 복수의 저판(21B) 중 하나의 저판을 세정하고 있는 동안에, 세정 완료된 다른 저판을 이용함으로써, 하나의 저판을 세정하면서 성막 장치의 사용을 계속할 수 있다.
또한, 실시 형태 2의 성막 장치는, 저판(21B)에 원료 용액용 개구부(35B), 반응 재료용 개구부(36B 및 37B) 및 불활성 가스용 개구부(392B 내지 394)를 설치함으로써, 저판(21B)의 설치 시에 있어서 성막 처리를 방해하는 일 없이, 저판(21B)에 부착된 반응 생성물을 간단히 제거할 수 있다.
또한, 저판(21B)은, 미스트 분사 헤드부(100B)의 저면에 대한 설치 시에, 배기구(18), 불활성 가스 분출구(191 및 195)를 덮는 일 없이 배치되기 때문에, 저판(21B)의 설치 시에 배기 처리를 포함하는 성막 처리에 영향을 주는 일은 없다.
또한, 실시 형태 2의 미스트 분사 헤드부(100B)의 저면에 형성되는 원료 용액 분출구(15B), 반응 재료 분출구(16B 및 17B) 및 불활성 가스 분출구(191 내지 194)는, 제1 방향(Y 방향)을 긴 변 방향으로 한 슬릿 형상으로 형성된다. 그리고, 저판(21B)의 원료 용액용 개구부(35B), 반응 재료용 개구부(36B 및 37B) 및 불활성 가스용 개구부(392B 내지 394)는, 저판(21B)의 미스트 분사 헤드부(100B)의 저면에 대한 설치 시에 있어서, 원료 용액 분출구(15B), 반응 재료 분출구(16B 및 17B) 및 불활성 가스 분출구(192B 내지 194)와 평면으로 보아 합치된 동일한 형상으로 형성된다. 따라서, 실시 형태 2의 성막 처리는, 실시 형태 1과 마찬가지로, 대면적의 기판(23)에 대하여, 균등하게, 미스트화된 원료 용액을 분무할 수 있는 등의 효과를 발휘한다.
또한, 내부식성을 갖는 재료에 의하여 저판(21B)을 구성함으로써, 세정 처리를 행한 후의 저판(21B)의 재이용을 용이하게 할 수 있다.
실시 형태 2의 미스트 분사 헤드부(100B)에 있어서, 원료 용액 분사용 노즐부 N1B는, 미스트화된 원료 용액 및 제1 반응 재료(반응 재료 공급부(2B)로부터 공급되는 반응 재료)를 반응 재료 분사용 노즐부 N3B에 배출 가능한 원료 용액 배출부(41B 및 42B)를 갖고 있다.
한편, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B는, 불활성 가스 분출구(193B 및 192B)(제1 및 제2 불활성 가스 분출구)로부터 각각 불활성 가스를 분출하고, 반응 재료 분출구(17B)(제2 반응 재료 분출구)로부터 저판(21B)의 반응 재료용 개구부(37B)를 통하여 제2 반응 재료(반응 재료 공급부(3B)로부터 공급되는 반응 재료)를 분출한다.
또한, 반응 재료 분사용 노즐부 N3B는, 원료 용액 분사용 노즐부 N1B의 원료 용액 배출부(41B 및 42B)로부터 배출되는 원료 용액 및 상기 제1 반응 재료를 원료 용액 분출구(15B) 및 반응 재료 분출구(16B)(제1 상기 반응 재료 분출구)로 유도하는 통로(61B) 및(62B)(제1 및 제2 내부 통로)를 내부에 갖고 있다.
상기 구성의 실시 형태 2의 미스트 분사 헤드부(100B)는, 원료 용액 분사용 노즐부 N1B 및 반응 재료 분사용 노즐부 N3B의 조합 구성에 의하여, 불활성 가스 분출구(193B 및 192B)는, 원료 용액 분출구(15B)와 반응 재료 분출구(16B 및 17B) 사이에 마련되는 것을 특징으로 하고 있다.
이 때문에, 실시 형태 2의 성막 장치에 있어서, 실시 형태 1과 마찬가지로, 원료 용액용 개구부(35B) 부근과 반응 재료용 개구부(36B 및 37B) 부근의 각각에 대한 반응 생성물의 부착을 저감시킬 수 있다. 그 결과, 저판(21B)의 세정을 보다 간단히 행할 수 있다는 효과를 발휘한다.
또한, 실시 형태 2의 성막 장치에서는, 불활성 가스 공급부(51, 52B 및 53B)의 각각의 개구 면적을, 불활성 가스 분출구(191, 192B 및 193B)의 각각의 개구 면적 이상, 즉, 불활성 가스 분출구(191, 192B 및 193B)의 각각의 개구 면적을 불활성 가스 공급부(51, 52B 및 53B)의 각각의 개구 면적 이하로 설정함으로써, 불활성 가스 분출구(191, 192B 및 193B)와 불활성 가스 공급부(51, 52B 및 53B) 사이에 압력 차를 설정할 수 있어, 성막 시에 불활성 가스를 기판(23) 상면 상에 균일하게 퍼뜨릴 수 있다는 효과를 발휘한다.
게다가, 실시 형태 2의 성막 장치에 있어서, 불활성 가스 분출구(191, 192B 및 193B)에 의하여 불활성 가스를 분출하고 있는 유량을, 원료 용액 분출구(15B)에 의하여 원료 용액을 분출하고 있는 유량 및 반응 재료 분출구(16B 및 17B)에 의하여 반응 재료를 분출하고 있는 유량 각각의 이하로 설정하고 있다.
이 때문에, 실시 형태 2의 성막 장치는, 불활성 가스의 분출에 의하여, 원료 용액과 반응 재료의 반응을 저해하는 현상을 억제할 수 있다.
또한, 실시 형태 2의 성막 장치는, 실시 형태 1의 성막 장치와 마찬가지의 효과를 발휘함과 함께, 이하의 효과를 발휘한다.
실시 형태 2에 따른 미스트 분사 헤드부(100B)는, 하나의 원료 용액 분사용 노즐부 N1B에 있어서, 2개의 공동부(11, 12B)를 마련하고, 하나의 반응 재료 분사용 노즐부 N3B로부터, 2종류의 반응 재료 및 2개의 불활성 가스를 기판(23)을 향하여 분사시키고 있다.
따라서, 2종류의 반응 재료를 분사시키는 경우에, 실시 형태 2에서 설명한 바와 같이, 미스트 분사 헤드부(100B)에 2개의 반응 재료 분사용 노즐부 N2, N3을 설치할 필요가 없어진다. 즉, 본 실시 형태에 따른 미스트 분사 헤드부(100B)에서는, 공간 절약화가 가능해진다.
또한, 실시 형태 2에 따른 미스트 분사 헤드부(100B)는, 하나의 반응 재료 분사용 노즐부 N3B 내에 불활성 가스 분사부(82B 및 83B)를 설치하고 있기 때문에, 실시 형태 1의 미스트 분사 헤드부(100)와 같이 불활성 가스 분사부(82 및 83)를 독립되게 설치할 필요가 없어지는 만큼, 미스트 분사 헤드부(100B)에서는, 공간 절약화가 가능해진다.
게다가, 미스트 분사 헤드부(100B)는, 실시 형태 1과 마찬가지로, 개방향 천장부(58)를 기판(23)측으로부터 막는 베이스 플레이트부(20B)를 갖고 있다. 따라서, 배기용 노즐부 N4를 다른 노즐부 N1B 및 N3B로부터 떨어뜨려 배치시켰다고 하더라도, 반응 공간으로부터 개방향 천장부(58)로, 원료 용액 등이 흐르는 것을 방지할 수 있다. 또한, 미스트 분사 헤드부(100B)에 있어서의, 배기용 노즐부 N4, 그리고 다른 노즐부 N1B 및 N3B의 조립이 용이해진다.
<그 외>
또한, 상술한 실시 형태에서는, 저판(21(저판(21B)))은, 배기구(18), 불활성 가스 분출구(191 및 195)(이하, 「배기구(18) 등」이라 약기)를 덮는 일 없이 형성했지만, 배기구(18) 등이 미스트 분사 헤드부(100)(100B)의 최외보다 내측에 형성되어 있는 경우에는, 배기구(18) 등을 덮고, 배기구(18) 등과 대응하는 영역에 개구부를 마련하도록 해도 된다.
또한, 상술한 실시 형태에서는, 저판(21(21B))의 설치 시에 있어서, 원료 용액용 개구부(35(35B)), 반응 재료용 개구부(36(36B) 및 37(37B)), 불활성 가스용 개구부(392 내지 394(392B 내지 394))를 원료 용액 분출구(15(15B)), 반응 재료 분출구(16(16B) 및 17(17B)) 및 불활성 가스 분출구(192 내지 194(192B 내지 194))와 평면으로 보아 합치된 동일한 형상으로 형성하였다. 그러나, 원료 용액용 개구부(35) 등과 원료 용액 분출구(15) 등의 관계에 있어서, 다소의 위치 어긋남 및 형상의 대소가 생기더라도, 성막 장치에 의한 성막 처리의 실행을 방해하지 않는 형태이면 된다.
또한, 상술한 실시 형태에서는, 반응 재료 분출구(16 및 17(16B 및 17B))로부터 제1 및 제2 반응 재료를 기판(23)에 분출하는 구성을 나타냈지만, 단일의 반응 재료 분출구로부터 단일의 반응 재료를 분출시키는 구성이어도 된다. 이 경우, 원료 용액 분출구(15(15B))와 단일의 반응 재료 분출구 사이에 단일의 불활성 가스 분출구(불활성 가스 분출구(192 및 193(192B 및 193B))에 상당하는 불활성 가스 분출구)를 마련하면, 원료 용액 분출구(15(15B)) 및 단일의 반응 재료 분출구의 각각의 눈막힘을 확실히 회피할 수 있다는 효과를 발휘할 수 있다.
본 발명은 상세히 설명되었지만, 상술한 설명은, 모든 국면에 있어서, 예시이며, 본 발명이 그에 한정되는 것은 아니다. 예시되어 있지 않은 무수한 변형예가, 본 발명이 범위로부터 벗어나는 일 없이 상정될 수 있는 것으로 해석된다.
1: 원료 용액 공급부
2, 2B, 3, 3B: 반응 재료 공급부
4: 배기물 출구부
6 내지 9: 정류부
11 내지 14, 12B 및 13B: 공동부
15, 15B: 원료 용액 분출구
16, 16B, 17, 17B: 반응 재료 분출구
18: 배기구
20, 20B: 베이스 플레이트부
21, 21B: 저판
22: 온도 조절 기구
23: 기판
24: 적재부
30: 프레임부
35, 35B: 원료 용액용 개구부
36, 36B, 37, 37B: 반응 재료용 개구부
41, 41B: 원료 용액 배출부
42, 42B, 43: 반응 재료 배출부
44: 배기물 도입부
51 내지 55, 52B, 53B: 불활성 가스 공급부
58: 개방향 천장부
61 내지 64, 71 내지 75, 61B, 62B, 72B, 73B: 통로
81 내지 83, 82B, 83B: 불활성 가스 분사부
100, 100B: 미스트 분사 헤드부
191 내지 195, 192B, 193B: 불활성 가스 분출구
392 내지 394, 392B, 393B: 불활성 가스용 개구부
N1, N1B: 원료 용액 분사용 노즐부
N2, N3, N3B: 반응 재료 분사용 노즐부
N4: 배기용 노즐부

Claims (15)

  1. 미스트화된 원료 용액을 대기 중에 분사함으로써, 기판(23)에 대하여 막을 성막하는 성막 처리를 실행하는 성막 장치이며,
    상기 기판이 적재되는 적재부(24)와,
    상기 적재부에 적재되어 있는 상기 기판의 상면에 대향하여 설치되고, 저면에 원료 용액 분출구(15, 15B) 및 배기구(18)를 갖고, 상기 원료 용액 분출구로부터 상기 원료 용액을 분사하고, 상기 배기구로부터 배기 처리를 행하는 미스트 분사 헤드부(100, 100B)와,
    상기 미스트 분사 헤드부의 저면에 떼어내기 가능하게 설치되는 저판(21, 21B)을 구비하고, 상기 저판은 상기 성막 처리의 실행을 방해하지 않는 형태로 상기 미스트 분사 헤드부의 저면에 설치되는 것을 특징으로 하는,
    성막 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 미스트 분사 헤드부는, 저면에 반응 재료 분출구(16, 17, 16B, 17B) 및 불활성 가스 분출구(192 내지 194, 192B, 193B)를 더 갖고, 상기 반응 재료 분출구로부터 상기 원료 용액과의 반응에 기여하는 반응 재료를 분사하고, 상기 불활성 가스 분출구로부터 불활성 가스를 분사하고,
    상기 저판은, 상기 미스트 분사 헤드부의 저면에 대한 설치 시에, 상기 원료 용액 분출구, 상기 반응 재료 분출구 및 상기 불활성 가스 분출구에 대응하는 영역에 형성되는 원료 용액용 개구부(35, 35B), 반응 재료용 개구부(36, 37, 36B, 37B) 및 불활성 가스용 개구부(392 내지 394, 392B, 393B)를 갖는,
    성막 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 배기구는 상기 미스트 분사 헤드부의 최외측에 마련되고,
    상기 저판은, 상기 미스트 분사 헤드부의 저면에 대한 설치 시에, 상기 배기구를 덮는 일 없이 배치되는,
    성막 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 미스트 분사 헤드부의 저면은 제1 및 제2 방향으로 규정되는 직사각 형상을 띠고,
    상기 원료 용액 분출구, 상기 반응 재료 분출구 및 상기 불활성 가스 분출구는, 각각 평면으로 보아 상기 제1 방향을 긴 변 방향으로 한 슬릿 형상으로 형성되고,
    상기 원료 용액용 개구부, 상기 반응 재료용 개구부 및 상기 불활성 가스용 개구부는, 상기 저판의 상기 미스트 분사 헤드부의 저면에 대한 설치 시에 있어서, 상기 원료 용액 분출구, 상기 반응 재료 분출구 및 상기 불활성 가스 분출구와 평면으로 보아 합치된 동일한 형상으로 형성되는,
    성막 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 저판은 내부식성을 갖는 재료에 의하여 구성되는,
    성막 장치.
  6. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 미스트 분사 헤드부는,
    상기 원료 용액 분출구로부터 상기 원료 용액의 분사를 행하는 원료 용액 분사용 노즐부(N1, N1B)를 구비하고,
    상기 원료 용액 분사용 노즐부는,
    제1 공동부(11)와,
    상기 제1 공동부 내에, 미스트화된 상기 원료 용액을 공급하는 원료 용액 공급부(1)와,
    상기 제1 공동부의 저면으로부터 떨어진 위치에 있어서, 상기 제1 공동부 내의 측면에 설치되고, 상기 원료 용액 분출구와 접속되어 있는 원료 용액 배출부(41, 41B)와,
    상기 제1 공동 내에 배치되어 있는, 상기 원료 용액의 흐름을 조정하는 제1 정류부(6)를 포함하는,
    성막 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 미스트 분사 헤드부는,
    상기 원료 용액 분사용 노즐부에 수평 방향을 따라 배치되어 있고, 상기 반응 재료를 분사하는 반응 재료 분사용 노즐부(N2, N3, N3B)를 더 구비하는,
    성막 장치.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 불활성 가스 분출구는 제1 및 제2 불활성 가스 분출구(193, 192, 193B, 192B)를 포함하고,
    상기 반응 재료는 제1 및 제2 반응 재료를 포함하고, 상기 반응 재료 분출구는, 상기 제1 및 제2 반응 재료를 분출하기 위한 제1 및 제2 반응 재료 분출구(16, 17, 16B, 17B)를 포함하고,
    상기 미스트 분사 헤드부는,
    저면에 마련되는 상기 원료 용액 분출구로부터, 상기 원료 용액을 분사하는 원료 용액 분사용 노즐부(N1)와,
    상기 원료 용액 분사용 노즐부를 물고 배치되어 있고, 저면에 설치되는 상기 제1 및 제2 반응 재료 분출구로부터, 상기 제1 및 제2 반응 재료를 분사하는 제1 및 제2 반응 재료 분사용 노즐부(N2, N3)와,
    저면에 설치되는 상기 제1 및 제2 불활성 가스 분출구로부터, 불활성 가스를 분사하는 제1 및 제2 불활성 가스 분사부(83, 82)를 구비하고,
    상기 제1 불활성 가스 분사부는 상기 원료 용액 분사용 노즐부와 상기 제1 반응 재료 분사용 노즐부 사이에 설치되고, 상기 제2 불활성 가스 분사부는 상기 원료 용액 분사용 노즐부와 상기 제2 반응 재료 분사용 노즐부 사이에 설치되는,
    성막 장치.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 불활성 가스 분출구는 제1 및 제2 불활성 가스 분출구(193, 192, 193B, 192B)를 포함하고,
    상기 반응 재료는 제1 및 제2 반응 재료를 포함하고, 상기 반응 재료 분출구는, 상기 제1 및 제2 반응 재료를 분출하기 위한 제1 및 제2 반응 재료 분출구(16, 17, 16B, 17B)를 포함하고,
    상기 미스트 분사 헤드부는,
    상기 원료 용액의 분사에 추가하여, 상기 제1 반응 재료의 분사를 행하는 원료 용액 분사용 노즐부(N1B)와,
    상기 원료 용액 분사용 노즐부와 인접하여 배치되어 있고, 저면에 상기 원료 용액 분출구, 상기 제1 및 제2 반응 재료 분출구, 및 상기 제1 및 제2 불활성 가스 분출구를 갖는 반응 재료 분사용 노즐부(N3B)를 구비하고,
    상기 원료 용액 분사용 노즐부는,
    상기 원료 용액 및 상기 제1 반응 재료를 상기 반응 재료 분사용 노즐부에 배출 가능한 원료 용액 배출부 및 제1 반응 재료 배출부(41B, 42B)를 갖고,
    상기 반응 재료 분사용 노즐부는,
    상기 제1 및 제2 불활성 가스 분출구로부터 각각 불활성 가스를 분출하고, 상기 제2 반응 재료 분출구로부터 상기 제2 반응 재료를 분출함과 함께,
    상기 원료 용액 분사용 노즐부의 상기 원료 용액 배출부 및 상기 제1 반응 재료 배출부로부터 배출되는 상기 원료 용액 및 상기 제1 반응 재료를 상기 원료 용액 분출구 및 제1 상기 반응 재료 분출구로 유도하는 제1 및 제2 내부 통로(61B, 63B)를 갖는,
    성막 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 반응 재료 분사용 노즐부는,
    제2 공동부(12, 13, 13B)와,
    상기 제2 공동부 내에 상기 반응 재료를 공급하는 반응 재료 공급부(2, 3, 3B)와,
    상기 제2 공동부의 저면으로부터 떨어진 위치에 있어서, 상기 제2 공동부 내의 측면에 설치되고, 상기 반응 재료 분출구와 접속되어 있는 반응 재료 배출부(42, 42B, 43)를 갖는,
    성막 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 미스트 분사 헤드부는,
    배기구로부터 배기 처리를 행하는 배기용 노즐부(N4)를 더 구비하고,
    상기 배기용 노즐부는,
    상기 원료 용액 분사용 노즐부가 상기 원료 용액을 분출하고 있는 유량과, 상기 반응 재료 분사용 노즐부가 상기 반응 재료를 분출하고 있는 유량의 합 이상의 유량으로, 상기 배기 처리를 행하는,
    성막 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 배기용 노즐부는,
    제3 공동부(14)와,
    상기 제3 공동부의 저면으로부터 떨어진 위치에 있어서, 상기 제3 공동부 내의 측면에 설치되고, 상기 배기구와 접속되어 있는 배기물 도입부(44)와,
    상기 배기물 도입부보다 상방에 배치되어 있고, 배기물을 상기 제3 공동부로부터 상기 배기용 노즐부 밖으로 배출하는 배기물 출구부(4)를 포함하는,
    성막 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 미스트 분사 헤드부는,
    상기 원료 용액 분사용 노즐부와 상기 배기용 노즐부 사이에 설치되어 있는 개방향 천장부(58)와,
    상기 개방향 천장부를, 상기 기판의 배치측으로부터 막는 베이스 플레이트부(20, 20B)를 더 구비하는,
    성막 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 베이스 플레이트부는,
    불활성 가스를 분출하는 제3 불활성 가스 분출구(194)가 배치되어 있는,
    성막 장치.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 원료 용액 분사용 노즐부, 상기 반응 재료 분사용 노즐부 및 상기 배기용 노즐부는, 수평 방향으로 나란히 배치되어 있고,
    적어도 상기 배기용 노즐부는,
    상기 미스트 분사 헤드부의 최외측에 위치하고 있는,
    성막 장치.
KR1020187010629A 2015-10-19 2015-10-19 성막 장치 KR102173962B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2015/079447 WO2017068624A1 (ja) 2015-10-19 2015-10-19 成膜装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180054730A true KR20180054730A (ko) 2018-05-24
KR102173962B1 KR102173962B1 (ko) 2020-11-04

Family

ID=58557600

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187010629A KR102173962B1 (ko) 2015-10-19 2015-10-19 성막 장치

Country Status (8)

Country Link
US (1) US11124877B2 (ko)
JP (1) JP6426298B2 (ko)
KR (1) KR102173962B1 (ko)
CN (1) CN108138320B (ko)
DE (1) DE112015007036B4 (ko)
HK (1) HK1249767A1 (ko)
TW (1) TWI583818B (ko)
WO (1) WO2017068624A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102354893B1 (ko) * 2017-05-31 2022-01-25 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 미스트 도포 성막 장치의 도포 헤드 및 그의 메인터넌스 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001107247A (ja) * 1999-10-05 2001-04-17 Central Glass Co Ltd Ｃｖｄ成膜装置
KR20090101918A (ko) * 2007-01-08 2009-09-29 이스트맨 코닥 캄파니 증착 시스템 및 방법
WO2013038484A1 (ja) 2011-09-13 2013-03-21 東芝三菱電機産業システム株式会社 酸化膜成膜方法および酸化膜成膜装置
KR20130087560A (ko) * 2011-03-15 2013-08-06 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 성막 장치

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9300400D0 (en) 1993-01-11 1993-03-03 Glaverbel A device and method for forming a coating by pyrolysis
US5478224A (en) * 1994-02-04 1995-12-26 Illinois Tool Works Inc. Apparatus for depositing a material on a substrate and an applicator head therefor
US5904773A (en) * 1995-08-11 1999-05-18 Atotech Usa, Inc. Fluid delivery apparatus
DE19530516A1 (de) * 1995-08-19 1997-02-20 Hoechst Ag Vorrichtung zum Auftragen einer Beschichtungslösung
US5773080A (en) * 1997-04-17 1998-06-30 Simmons; George Pattern coating of thick film pressure sensitive adhesives
JP3437446B2 (ja) * 1997-09-16 2003-08-18 東京応化工業株式会社 薬液処理装置
US6302964B1 (en) * 1998-06-16 2001-10-16 Applied Materials, Inc. One-piece dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
US6695923B1 (en) * 2000-11-21 2004-02-24 Sealant Equipment & Engineering, Inc. Multiple orifice applicator system and method of using same
US20030131791A1 (en) * 2000-11-21 2003-07-17 Schultz Carl L. Multiple orifice applicator system and method of using same
US20030155434A1 (en) * 2002-02-01 2003-08-21 Rini Daniel P. Spray nozzle apparatus and method of use
US6457608B1 (en) * 2001-10-15 2002-10-01 Nordson Corporation Liquid dispensing apparatus having independently positionable liquid dispensing modules
JP2003145062A (ja) * 2001-11-14 2003-05-20 Mitsubishi Electric Corp 洗浄用２流体ジェットノズル、洗浄装置およびこれらを用いた半導体装置の製造方法
JP4128383B2 (ja) * 2002-03-27 2008-07-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US6869161B2 (en) * 2002-06-28 2005-03-22 Agfa-Gevaert Method for cleaning a nozzle plate
US6821563B2 (en) * 2002-10-02 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for cyclical layer deposition
US6942753B2 (en) * 2003-04-16 2005-09-13 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition
JP4542859B2 (ja) * 2004-10-04 2010-09-15 大陽日酸株式会社 気相成長装置
US7913938B2 (en) * 2004-11-12 2011-03-29 Mystic Tan, Inc. Electrostatic spray nozzle with adjustable fluid tip and interchangeable components
ATE552917T1 (de) * 2005-08-24 2012-04-15 Brother Ind Ltd Vorrichtung und verfahren zur erzeugung von schichten
US20100108108A1 (en) * 2007-03-22 2010-05-06 Tokyo Electron Limited Substrate mounting table, substrate processing apparatus and method for treating surface of substrate mounting table
DE102008052098B4 (de) * 2008-10-14 2013-04-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung photokatalytisch aktiver Titandioxidschichten
KR101172147B1 (ko) * 2009-02-23 2012-08-07 시너스 테크놀리지, 인코포레이티드 플라즈마에 의한 라디칼을 이용한 박막 형성 방법
US9186881B2 (en) * 2009-03-09 2015-11-17 Illinois Tool Works Inc. Thermally isolated liquid supply for web moistening
US8657959B2 (en) * 2009-07-31 2014-02-25 E I Du Pont De Nemours And Company Apparatus for atomic layer deposition on a moving substrate
US20110097489A1 (en) * 2009-10-27 2011-04-28 Kerr Roger S Distribution manifold including multiple fluid communication ports
WO2012165583A1 (ja) * 2011-06-03 2012-12-06 株式会社和廣武 Ｃｖｄ装置、及び、ｃｖｄ膜の製造方法
US10526708B2 (en) * 2012-06-19 2020-01-07 Aixtron Se Methods for forming thin protective and optical layers on substrates
US9138760B2 (en) * 2012-10-22 2015-09-22 Steven C. Cooper Electrostatic liquid spray nozzle having an internal dielectric shroud
JP5914690B2 (ja) * 2012-11-05 2016-05-11 東芝三菱電機産業システム株式会社 成膜装置
KR102003768B1 (ko) * 2012-11-13 2019-07-26 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102173047B1 (ko) * 2013-10-10 2020-11-03 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치
KR102268959B1 (ko) * 2014-03-31 2021-06-24 삼성디스플레이 주식회사 원자층 증착 장치 및 이를 이용한 원자층 증착 방법
JPWO2016051559A1 (ja) * 2014-10-01 2017-04-27 東芝三菱電機産業システム株式会社 成膜装置
US10954597B2 (en) * 2015-03-17 2021-03-23 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition apparatus
US10260149B2 (en) * 2016-04-28 2019-04-16 Applied Materials, Inc. Side inject nozzle design for processing chamber
KR101817254B1 (ko) * 2016-09-23 2018-01-10 주식회사 동원파츠 가스 디스트리뷰터 및 이의 제조방법
CN107099784B (zh) * 2017-05-13 2019-05-07 华中科技大学 一种用于空间隔离原子层沉积的模块化喷头及装置
US11201288B2 (en) * 2017-05-26 2021-12-14 Universal Display Corporation Generalized organic vapor jet depositor capable of high resolution printing and method for OVJP printing
US11072858B2 (en) * 2018-09-05 2021-07-27 Nova Engineering Films, Inc. Pulsing mixture of precursor and supercritical fluid to treat substrate surface
US11486038B2 (en) * 2019-01-30 2022-11-01 Applied Materials, Inc. Asymmetric injection for better wafer uniformity

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001107247A (ja) * 1999-10-05 2001-04-17 Central Glass Co Ltd Ｃｖｄ成膜装置
KR20090101918A (ko) * 2007-01-08 2009-09-29 이스트맨 코닥 캄파니 증착 시스템 및 방법
KR20130087560A (ko) * 2011-03-15 2013-08-06 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 성막 장치
WO2013038484A1 (ja) 2011-09-13 2013-03-21 東芝三菱電機産業システム株式会社 酸化膜成膜方法および酸化膜成膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2017068624A1 (ja) 2018-03-01
HK1249767A1 (zh) 2018-11-09
DE112015007036T5 (de) 2018-07-19
WO2017068624A1 (ja) 2017-04-27
US20180264498A1 (en) 2018-09-20
CN108138320B (zh) 2020-11-03
TW201715074A (zh) 2017-05-01
CN108138320A (zh) 2018-06-08
TWI583818B (zh) 2017-05-21
KR102173962B1 (ko) 2020-11-04
JP6426298B2 (ja) 2018-11-21
US11124877B2 (en) 2021-09-21
DE112015007036B4 (de) 2023-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10121931B2 (en) Film formation device
EP2915588B1 (en) Film-forming apparatus
KR102193365B1 (ko) 성막 장치
KR101958122B1 (ko) 성막 장치
WO2008047506A1 (fr) Vaporisateur et appareil de formation de film
KR20180054730A (ko) 성막 장치
JP6466877B2 (ja) 成膜装置
JP2007063575A (ja) プロセスガス供給機構並びにプラズマｃｖｄ成膜装置
JP6529628B2 (ja) 成膜装置
JP6466876B2 (ja) 成膜装置
KR20150047266A (ko) 원자층 증착 장비 및 이를 이용한 원자층 증착 방법
JP2007098220A (ja) 塗装装置
KR20160139217A (ko) 기판건조용 에어나이프 모듈 및 이를 포함하는 기판건조장치
KR20120094440A (ko) 성막 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant