JP2001107247A - Ｃｖｄ成膜装置 - Google Patents
Ｃｖｄ成膜装置Info
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- JP2001107247A JP2001107247A JP28365999A JP28365999A JP2001107247A JP 2001107247 A JP2001107247 A JP 2001107247A JP 28365999 A JP28365999 A JP 28365999A JP 28365999 A JP28365999 A JP 28365999A JP 2001107247 A JP2001107247 A JP 2001107247A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来ＣＶＤ成膜装置においては、成膜原料に
よるガス吐出ノズル（スリット）部や吸引ノズル（スリ
ット）部に付着物が堆積した場合に、装置を解体、清掃
し、再稼働するまでに手間、時間を要したが、その不具
合を解消する。 【解決手段】 常圧ＣＶＤ法により走行する加熱基板上
へ１種又は２種以上の成膜用ガスを吹付け、その熱分解
により被膜を形成するための装置であって、ガス供給部
と、ガス供給部に付設し、基板にガスを吹付け被膜形成
するためのガス吐出口を有するガス吐出口形成部と、ガ
ス供給部に対し成膜長手方向に隣設し、成膜後のガスを
系外に排出するためのガス排出部と、ガス排出部に付設
し、成膜後のガスをガス排出部に導くためのガス吸引口
を有するガス吸引口形成部からなり、前記ガス吐出口形
成部およびガス吸引口形成部をガス供給部およびガス排
出部に対し着脱可能に付設したＣＶＤ成膜装置。
よるガス吐出ノズル（スリット）部や吸引ノズル（スリ
ット）部に付着物が堆積した場合に、装置を解体、清掃
し、再稼働するまでに手間、時間を要したが、その不具
合を解消する。 【解決手段】 常圧ＣＶＤ法により走行する加熱基板上
へ１種又は２種以上の成膜用ガスを吹付け、その熱分解
により被膜を形成するための装置であって、ガス供給部
と、ガス供給部に付設し、基板にガスを吹付け被膜形成
するためのガス吐出口を有するガス吐出口形成部と、ガ
ス供給部に対し成膜長手方向に隣設し、成膜後のガスを
系外に排出するためのガス排出部と、ガス排出部に付設
し、成膜後のガスをガス排出部に導くためのガス吸引口
を有するガス吸引口形成部からなり、前記ガス吐出口形
成部およびガス吸引口形成部をガス供給部およびガス排
出部に対し着脱可能に付設したＣＶＤ成膜装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、常圧下のＣＶＤ法
（化学的気相成長法）により所望の基板へ被膜形成する
装置に係り、殊に吐出口形成部および吸引口形成部を着
脱可能に配設したＣＶＤ成膜装置に関する。
（化学的気相成長法）により所望の基板へ被膜形成する
装置に係り、殊に吐出口形成部および吸引口形成部を着
脱可能に配設したＣＶＤ成膜装置に関する。
【０００２】
【従来技術および解決すべき課題】常圧ＣＶＤ法による
成膜は、使用する成膜原料によっては成膜装置、特に吐
出ノズル（スリット）や吸引排気ノズル（スリット）に
未分解物、不完全分解物等を付着し、それにより膜形成
を不充分としたり、ときに成膜不能とする。例えば酸化
チタン被膜原料の一つであるテトライソプロポキシチタ
ンは、気相反応から微粒子状物質を生じ（パウダリング
と称する）、ノズル（スリット）部に付着し、漸次堆積
して、原料ガスの均一な吐出を困難として均一な膜形成
を阻害したり、前記付着、堆積物が基板上に落下すると
非成膜部分（膜ヌケと称する）等が生ずる。勿論堆積物
がノズル（スリット）部を閉塞すると成膜不能となる。
この場合、装置を一旦解体、清掃し、再稼働するが、そ
の間手間、時間を要するという不具合があった。
成膜は、使用する成膜原料によっては成膜装置、特に吐
出ノズル（スリット）や吸引排気ノズル（スリット）に
未分解物、不完全分解物等を付着し、それにより膜形成
を不充分としたり、ときに成膜不能とする。例えば酸化
チタン被膜原料の一つであるテトライソプロポキシチタ
ンは、気相反応から微粒子状物質を生じ（パウダリング
と称する）、ノズル（スリット）部に付着し、漸次堆積
して、原料ガスの均一な吐出を困難として均一な膜形成
を阻害したり、前記付着、堆積物が基板上に落下すると
非成膜部分（膜ヌケと称する）等が生ずる。勿論堆積物
がノズル（スリット）部を閉塞すると成膜不能となる。
この場合、装置を一旦解体、清掃し、再稼働するが、そ
の間手間、時間を要するという不具合があった。
【０００３】前記付着物の減少手段としては、例えば特
開平７−2548号公報には、ＣＶＤ装置におけるノズル底
面部に相当する域に遮蔽手段、例えば不活性ガスのカー
テンを形成し、付着物の堆積を防止することが開示され
ている。しかしこの方法はノズル構造を極端に複雑に
し、また成膜ガスの気流を乱し、均一な膜形成を困難と
する危惧がある。
開平７−2548号公報には、ＣＶＤ装置におけるノズル底
面部に相当する域に遮蔽手段、例えば不活性ガスのカー
テンを形成し、付着物の堆積を防止することが開示され
ている。しかしこの方法はノズル構造を極端に複雑に
し、また成膜ガスの気流を乱し、均一な膜形成を困難と
する危惧がある。
【０００４】本発明は、前記問題点、不具合を解消した
ＣＶＤ成膜装置を提供することを目的とする。
ＣＶＤ成膜装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、常圧ＣＶＤ法
により走行する加熱基板上へ１種又は２種以上の成膜用
ガスを吹付け、その熱分解により被膜を形成するための
装置であって、ガス供給部と、ガス供給部に付設し、基
板にガスを吹付け被膜形成するためのガス吐出口を有す
るガス吐出口形成部と、ガス供給部に対し成膜長手方向
に隣設し、成膜後のガスを系外に排出するためのガス排
出部と、ガス排出部に付設し、成膜後のガスをガス排出
部に導くためのガス吸引口を有するガス吸引口形成部か
らなり、前記ガス吐出口形成部およびガス吸引口形成部
がガス供給部およびガス排出部に対し着脱可能に付設し
たＣＶＤ成膜装置である。
により走行する加熱基板上へ１種又は２種以上の成膜用
ガスを吹付け、その熱分解により被膜を形成するための
装置であって、ガス供給部と、ガス供給部に付設し、基
板にガスを吹付け被膜形成するためのガス吐出口を有す
るガス吐出口形成部と、ガス供給部に対し成膜長手方向
に隣設し、成膜後のガスを系外に排出するためのガス排
出部と、ガス排出部に付設し、成膜後のガスをガス排出
部に導くためのガス吸引口を有するガス吸引口形成部か
らなり、前記ガス吐出口形成部およびガス吸引口形成部
がガス供給部およびガス排出部に対し着脱可能に付設し
たＣＶＤ成膜装置である。
【０００６】前記において、ガス吐出口形成部およびガ
ス吸引口形成部が、ガス供給部の底部よびガス排出部の
底部に、それら成膜幅の方向に亘り横設しかつ成膜長手
方向に並設した複数の矩形状平板からなり、前記隣り合
う平板の対向端縁に間隙を設け、該間隙によりガス吐出
スリット、およびガス吸引スリットを形成したものであ
る。
ス吸引口形成部が、ガス供給部の底部よびガス排出部の
底部に、それら成膜幅の方向に亘り横設しかつ成膜長手
方向に並設した複数の矩形状平板からなり、前記隣り合
う平板の対向端縁に間隙を設け、該間隙によりガス吐出
スリット、およびガス吸引スリットを形成したものであ
る。
【０００７】なお、前記矩形状平板は、その底面側より
ガス供給部の底部、およびガス排出部の底部にかけて鋲
着手段を挿通してガス供給部およびガス排出部に固設す
るのが好ましい。
ガス供給部の底部、およびガス排出部の底部にかけて鋲
着手段を挿通してガス供給部およびガス排出部に固設す
るのが好ましい。
【０００８】
【発明の実施の形態】前記において、成膜長手方向とは
基板走行の前後方向をいい、成膜幅方向とは前記基板走
行の前後方向に対し直角の方向であり、基板の走行横手
方向をいう。
基板走行の前後方向をいい、成膜幅方向とは前記基板走
行の前後方向に対し直角の方向であり、基板の走行横手
方向をいう。
【０００９】従来の常圧ＣＶＤ装置では、装置本体が一
体、不可分に構成されており、一回の成膜操業を終了
後、装置の解体、汚染、付着物の清掃等に多大な労力を
要し、膜付き基板の生産効率を低下させ、コストを高騰
する。また短時間でパウダリングを起生するような成膜
成分にはＣＶＤ法は採用し難い。
体、不可分に構成されており、一回の成膜操業を終了
後、装置の解体、汚染、付着物の清掃等に多大な労力を
要し、膜付き基板の生産効率を低下させ、コストを高騰
する。また短時間でパウダリングを起生するような成膜
成分にはＣＶＤ法は採用し難い。
【００１０】汚染、付着物の発生は主に吐出ノズル、ス
リット付近で顕著であり、また、該部への付着物は膜の
均一性に与える影響が大きい。本発明においてはＣＶＤ
用原料ガスの吐出ノズル、スリット形成部およびガス吸
引スリット形成部がガス供給部（ガス均圧室）およびガ
ス排出部（排気室）に対し着脱可能に付設したことによ
り、成膜操業中でもノズル、スリット部分の交換、清掃
を可能とするものである。
リット付近で顕著であり、また、該部への付着物は膜の
均一性に与える影響が大きい。本発明においてはＣＶＤ
用原料ガスの吐出ノズル、スリット形成部およびガス吸
引スリット形成部がガス供給部（ガス均圧室）およびガ
ス排出部（排気室）に対し着脱可能に付設したことによ
り、成膜操業中でもノズル、スリット部分の交換、清掃
を可能とするものである。
【００１１】なお、従来幅方向に均一に成膜するために
は、成膜幅に応じてノズル、スリットのガス流路（上下
長さ）を長く採る方がよいとされるが、種々検討の結
果、ノズル、スリット部のガス流路はせいぜい成膜幅の
１／50程度の流路を確保すればよいことが分かった。す
なわち成膜幅１ｍの場合は、スリットまたはノズルの流
路（上下長さ）は２cm程度であればよい。
は、成膜幅に応じてノズル、スリットのガス流路（上下
長さ）を長く採る方がよいとされるが、種々検討の結
果、ノズル、スリット部のガス流路はせいぜい成膜幅の
１／50程度の流路を確保すればよいことが分かった。す
なわち成膜幅１ｍの場合は、スリットまたはノズルの流
路（上下長さ）は２cm程度であればよい。
【００１２】本発明における加熱基板は特定するもので
はなく、セラミックス、陶磁器、セメント、ガラス、金
属等が好適であり、加熱温度は成膜成分が基板に充分密
着し膜形成する温度、概して700℃未満から400℃程度の
間において設定される。
はなく、セラミックス、陶磁器、セメント、ガラス、金
属等が好適であり、加熱温度は成膜成分が基板に充分密
着し膜形成する温度、概して700℃未満から400℃程度の
間において設定される。
【００１３】成膜用ガスはガス吐出口、すなわち成膜幅
方向に延びるスリットあるいは成膜幅方向に列設した筒
型ノズルより吐出され、同様のガス吸引口、すなわちス
リットあるいは筒型ノズルより吸引、排出されるが、ス
リットの場合は、前記したとおりガス吐出口（スリッ
ト）形成部およびガス吸引口（スリット）形成部が、ガ
ス供給部の底部よびガス排出部の底部にそれら成膜幅の
方向に亘り横設しかつ成膜長手方向に並設した複数の矩
形状平板からなり、前記隣り合う平板の対向端縁に間隙
を設け、該間隙によりガス吐出スリット、およびガス吸
引スリットを形成するのが好適である。
方向に延びるスリットあるいは成膜幅方向に列設した筒
型ノズルより吐出され、同様のガス吸引口、すなわちス
リットあるいは筒型ノズルより吸引、排出されるが、ス
リットの場合は、前記したとおりガス吐出口（スリッ
ト）形成部およびガス吸引口（スリット）形成部が、ガ
ス供給部の底部よびガス排出部の底部にそれら成膜幅の
方向に亘り横設しかつ成膜長手方向に並設した複数の矩
形状平板からなり、前記隣り合う平板の対向端縁に間隙
を設け、該間隙によりガス吐出スリット、およびガス吸
引スリットを形成するのが好適である。
【００１４】また、ガス吐出口またはガス吸引口のいず
れか一方または双方が、筒型ノズルを列設したものであ
ってもよく、例えばガス吐出口を筒型ノズルとする場合
は、前記同様の成膜幅の方向に亘り横設しかつ成膜長手
方向に並設した複数の矩形状平板において、前記隣り合
う平板の対向端縁に半円型透孔を複数列設して該対向端
縁同士、透孔同士を突合せてガス吐出ノズルを形成する
ものである。実際には上記筒型ノズルを成膜幅に亘って
列設するよりは、スリットを形成した方が成膜用ガスの
流路が乱されることなく、膜形成を均一化でき、またス
リット製作の容易さ、成膜後のスリット部の清掃のし易
さ等からみてより適切と思われる。
れか一方または双方が、筒型ノズルを列設したものであ
ってもよく、例えばガス吐出口を筒型ノズルとする場合
は、前記同様の成膜幅の方向に亘り横設しかつ成膜長手
方向に並設した複数の矩形状平板において、前記隣り合
う平板の対向端縁に半円型透孔を複数列設して該対向端
縁同士、透孔同士を突合せてガス吐出ノズルを形成する
ものである。実際には上記筒型ノズルを成膜幅に亘って
列設するよりは、スリットを形成した方が成膜用ガスの
流路が乱されることなく、膜形成を均一化でき、またス
リット製作の容易さ、成膜後のスリット部の清掃のし易
さ等からみてより適切と思われる。
【００１５】ＣＶＤ成膜操業に際し、予め同種のガス吐
出スリット形成部、ガス吸引スリット形成部を準備して
おけば、汚染されたガス吐出スリット形成部、ガス吸引
スリット形成部を取外して直ちに予備のガス吐出スリッ
ト形成部、ガス吸引スリット形成部を据付ければよく、
その間汚染されたガス吐出スリット形成部、ガス吸引ス
リット形成部を清掃するようにすれば着脱交換も迅速に
行える。
出スリット形成部、ガス吸引スリット形成部を準備して
おけば、汚染されたガス吐出スリット形成部、ガス吸引
スリット形成部を取外して直ちに予備のガス吐出スリッ
ト形成部、ガス吸引スリット形成部を据付ければよく、
その間汚染されたガス吐出スリット形成部、ガス吸引ス
リット形成部を清掃するようにすれば着脱交換も迅速に
行える。
【００１６】また、前記成膜装置本体に対し着脱可能に
付設したガス吐出スリット形成部、ガス吸引スリット形
成部を複数の矩形状平板により形成し、その端縁部をス
リットの１辺として利用することにより、加工容易と
し、着脱操作も人手により迅速容易に行える程度に軽量
化できる。
付設したガス吐出スリット形成部、ガス吸引スリット形
成部を複数の矩形状平板により形成し、その端縁部をス
リットの１辺として利用することにより、加工容易と
し、着脱操作も人手により迅速容易に行える程度に軽量
化できる。
【００１７】図１Ａは本発明の一実施形態にかかるＣＶ
Ｄ成膜装置の概略底面図、図１ＢはそのＸ−Ｘ線断面に
おける概略側断面図である。ガス供給部１において、成
膜用ガスはガス導入口２、成膜幅方向への分配管３を経
てガス均圧室４に送入される。ガス均圧室４においては
平均孔径0.5μm程度のフィルター５により浮遊微粉（中
間生成物粒等）を除去し、孔サイズ１〜10mm程度の無数
の透孔を有する整流板６、および複数のバッファープレ
ート７、８により均圧化され、ガス吐出口（ガス吐出ス
リット）９より加熱基板Ｂs、例えばガラス板に向け吐
出される。ガラス板としてはガラス板製造過程における
ガラス成形域から徐冷域に到る間の加熱されたガラス帯
（650〜500℃付近）、一例としてフロートガラスが好適
である。ガス供給部１におけるガス均圧室４の底部（成
膜用基板側）にはガス吐出口形成部（ガス吐出スリット
形成部10）である矩形状平板11、11を付設する。
Ｄ成膜装置の概略底面図、図１ＢはそのＸ−Ｘ線断面に
おける概略側断面図である。ガス供給部１において、成
膜用ガスはガス導入口２、成膜幅方向への分配管３を経
てガス均圧室４に送入される。ガス均圧室４においては
平均孔径0.5μm程度のフィルター５により浮遊微粉（中
間生成物粒等）を除去し、孔サイズ１〜10mm程度の無数
の透孔を有する整流板６、および複数のバッファープレ
ート７、８により均圧化され、ガス吐出口（ガス吐出ス
リット）９より加熱基板Ｂs、例えばガラス板に向け吐
出される。ガラス板としてはガラス板製造過程における
ガラス成形域から徐冷域に到る間の加熱されたガラス帯
（650〜500℃付近）、一例としてフロートガラスが好適
である。ガス供給部１におけるガス均圧室４の底部（成
膜用基板側）にはガス吐出口形成部（ガス吐出スリット
形成部10）である矩形状平板11、11を付設する。
【００１８】ガス吐出スリット９は前記矩形状平板11、
11の対向端縁の間隙より形成される。該矩形状平板11、
11には、その底面側（成膜用基板側）よりビス、ボルト
等の鋲着手段17を挿通して、ＣＶＤ成膜装置本体Ｃv
（ガス供給部１、ガス排出部12、およびそれらを一体的
に組込んだ枠部18を含み、吐出スリット・吸引スリット
形成部10、10'を除く）に固設するようにすれば、前記
矩形状平板の着脱操作も迅速容易に行える。
11の対向端縁の間隙より形成される。該矩形状平板11、
11には、その底面側（成膜用基板側）よりビス、ボルト
等の鋲着手段17を挿通して、ＣＶＤ成膜装置本体Ｃv
（ガス供給部１、ガス排出部12、およびそれらを一体的
に組込んだ枠部18を含み、吐出スリット・吸引スリット
形成部10、10'を除く）に固設するようにすれば、前記
矩形状平板の着脱操作も迅速容易に行える。
【００１９】吐出し成膜に供した後のガスは、前記同様
にガス吸引口形成部（ガス吸引スリット形成部10'）で
ある矩形状平板11、11'の対向端縁の間隙より形成され
たガス吸引口（ガス吸引スリット）13、13を介し、ガス
排出部12、すなわち透孔を有する整流板16を設けた排気
室14および排気口15を経て系外に排気される。ガス吸引
スリット13はガス吐出スリット９に対し基板走行方向の
前または後に配してもよいが、成膜後のガスを速やかに
排気するうえで図のごとく前後一対に配するのがよい。
なお図の如く、矩形状平板11、11は互いの対向端がガス
吐出スリット９の一側を形成し、また前記矩形状平板11
の夫々における矩形状平板11'、11'との対向端はガス吸
引スリット13、13の一側を形成する。
にガス吸引口形成部（ガス吸引スリット形成部10'）で
ある矩形状平板11、11'の対向端縁の間隙より形成され
たガス吸引口（ガス吸引スリット）13、13を介し、ガス
排出部12、すなわち透孔を有する整流板16を設けた排気
室14および排気口15を経て系外に排気される。ガス吸引
スリット13はガス吐出スリット９に対し基板走行方向の
前または後に配してもよいが、成膜後のガスを速やかに
排気するうえで図のごとく前後一対に配するのがよい。
なお図の如く、矩形状平板11、11は互いの対向端がガス
吐出スリット９の一側を形成し、また前記矩形状平板11
の夫々における矩形状平板11'、11'との対向端はガス吸
引スリット13、13の一側を形成する。
【００２０】図２は本発明の別の実施形態にかかるＣＶ
Ｄ成膜装置の概略底面図である。本別の実施形態におい
ては、ガス吐出口が先の実施形態においてはスリットで
あるのに対し、筒型ノズル９'を列設した例を示した。
Ｄ成膜装置の概略底面図である。本別の実施形態におい
ては、ガス吐出口が先の実施形態においてはスリットで
あるのに対し、筒型ノズル９'を列設した例を示した。
【００２１】すなわち、先の実施形態同様の成膜幅の方
向に亘り横設しかつ成膜長さ方向に並設した複数の矩形
状平板11"、11"（および11'、11'）において、ガス供給
部１におけるガス均圧室４の底部においては隣り合う平
板11"、11"の対向端縁に半円型透孔９"、９"を複数列設
して該対向端縁同士、半円型透孔同士を突合せてガス吐
出筒型ノズル９'を形成するものである。なお、図にお
いてはガス吸引側は先の実施形態同様、隣り合う平板1
1"、11'の対向端縁間に間隙を配したガス吸引スリット1
3により形成したが、前記ガス吐出筒型ノズル９'同様の
筒型ノズルとすることは随意に設計できる。この実施形
態においても先の実施形態同様に矩形状平板11'、11'、
11"、11"にビス、ボルト等の鋲着手段を挿通して、ガス
供給部１、ガス排出部12、およびそれらを一体的に組込
んだ枠部18を含むＣＶＤ成膜装置本体Ｃvに固設するよ
うにすれば、前記矩形状平板の着脱操作も迅速容易に行
える。
向に亘り横設しかつ成膜長さ方向に並設した複数の矩形
状平板11"、11"（および11'、11'）において、ガス供給
部１におけるガス均圧室４の底部においては隣り合う平
板11"、11"の対向端縁に半円型透孔９"、９"を複数列設
して該対向端縁同士、半円型透孔同士を突合せてガス吐
出筒型ノズル９'を形成するものである。なお、図にお
いてはガス吸引側は先の実施形態同様、隣り合う平板1
1"、11'の対向端縁間に間隙を配したガス吸引スリット1
3により形成したが、前記ガス吐出筒型ノズル９'同様の
筒型ノズルとすることは随意に設計できる。この実施形
態においても先の実施形態同様に矩形状平板11'、11'、
11"、11"にビス、ボルト等の鋲着手段を挿通して、ガス
供給部１、ガス排出部12、およびそれらを一体的に組込
んだ枠部18を含むＣＶＤ成膜装置本体Ｃvに固設するよ
うにすれば、前記矩形状平板の着脱操作も迅速容易に行
える。
【００２２】
【実施例】〔実施例１〕ＣＶＤ成膜装置本体Ｃvの底部
にスリットの幅２mmのガス吐出スリット９、およびスリ
ットの幅５mmのガス吸引スリット13を備えた矩形状平板
11、11、11'、11'を連結ボルトで固定、一体にした成膜
装置を採用した（図１参照）。ガス吐出スリット９の下
端とガラス基板Ｂsとの距離（間隔）は７mmとした。
にスリットの幅２mmのガス吐出スリット９、およびスリ
ットの幅５mmのガス吸引スリット13を備えた矩形状平板
11、11、11'、11'を連結ボルトで固定、一体にした成膜
装置を採用した（図１参照）。ガス吐出スリット９の下
端とガラス基板Ｂsとの距離（間隔）は７mmとした。
【００２３】テトライソプロポキシチタネートをバブリ
ング容器（図示せず）に充填し、100℃に加温してか
ら、8.0L／minのキャリヤガス（乾燥空気）を送入して
テトライソプロポキシチタネートを蒸気化させ、これを
ガス供給部１を介しガス吐出スリット９に供給し、該ガ
ス吐出スリット９より吐出して成膜した。他方排ガスは
別に吸引手段（例えば排気ブロアー付きスクラバー：図
示せず）により、ガス吸引スリット13、排気室14を介し
排気口15から5L/minで排気した。
ング容器（図示せず）に充填し、100℃に加温してか
ら、8.0L／minのキャリヤガス（乾燥空気）を送入して
テトライソプロポキシチタネートを蒸気化させ、これを
ガス供給部１を介しガス吐出スリット９に供給し、該ガ
ス吐出スリット９より吐出して成膜した。他方排ガスは
別に吸引手段（例えば排気ブロアー付きスクラバー：図
示せず）により、ガス吸引スリット13、排気室14を介し
排気口15から5L/minで排気した。
【００２４】ガラス基板Ｂsとしてサイズ150×550mm、
厚み３mmのソーダライムガラスを多数準備し、基板温度
550℃、基板搬送速度1.0ｍ／minで順次成膜装置に送入
した。
厚み３mmのソーダライムガラスを多数準備し、基板温度
550℃、基板搬送速度1.0ｍ／minで順次成膜装置に送入
した。
【００２５】連続成膜操作において、３時間後の被膜に
は両ガス吐出スリット９、ガス吸引スリット13の間の矩
形状平板11の底部（基板Ｂsに対向する面）に堆積した
付着物の落下に起因する数十箇所のピンホール状の膜ヌ
ケがあったので、連結ボルトを外し、前記矩形状平板を
取出し清掃する一方、予め準備した予備の矩形状平板を
取付け連結ボルトで固定した。その交換時間は20分であ
り、直ちに成膜操作を再開できた。
は両ガス吐出スリット９、ガス吸引スリット13の間の矩
形状平板11の底部（基板Ｂsに対向する面）に堆積した
付着物の落下に起因する数十箇所のピンホール状の膜ヌ
ケがあったので、連結ボルトを外し、前記矩形状平板を
取出し清掃する一方、予め準備した予備の矩形状平板を
取付け連結ボルトで固定した。その交換時間は20分であ
り、直ちに成膜操作を再開できた。
【００２６】〔比較例１〕図３はガス供給部１aの底部
にガス吐出スリット９aを有するガス吐出口形成部10ａ
を、ガス排出部12aの底部にはガス吸引スリット13aを有
するガス吸引口形成部10ｂを一体的に配し、枠体18aに
組込んだ従来型ＣＶＤ成膜装置の概略側断面図であり、
装置サイズや各スリットの幅、長さ等は実施例１と同様
である。成膜条件を実施例１と同様にし、３時間経過
後、稼働を中止した。本比較例においては一旦装置を冷
却し、装置を解体して清掃後、装置を再稼働するまでに
５時間以上必要とするものであり、稼働能率、効率面で
実施例１に比べ著しく劣ることが分かった。
にガス吐出スリット９aを有するガス吐出口形成部10ａ
を、ガス排出部12aの底部にはガス吸引スリット13aを有
するガス吸引口形成部10ｂを一体的に配し、枠体18aに
組込んだ従来型ＣＶＤ成膜装置の概略側断面図であり、
装置サイズや各スリットの幅、長さ等は実施例１と同様
である。成膜条件を実施例１と同様にし、３時間経過
後、稼働を中止した。本比較例においては一旦装置を冷
却し、装置を解体して清掃後、装置を再稼働するまでに
５時間以上必要とするものであり、稼働能率、効率面で
実施例１に比べ著しく劣ることが分かった。
【００２７】
【発明の効果】本発明において、付着物が堆積し欠陥を
生じ易いガス吐出スリット（ノズル）部、ガス吸引スリ
ット（ノズル）部を成膜装置本体から分離し、取外し据
付交換可能としたことにより、成膜操業を能率的、効率
的に行えるという効果を奏する。
生じ易いガス吐出スリット（ノズル）部、ガス吸引スリ
ット（ノズル）部を成膜装置本体から分離し、取外し据
付交換可能としたことにより、成膜操業を能率的、効率
的に行えるという効果を奏する。
【図１】本発明のＣＶＤ成膜装置の一実施形態に係る図
であり、図１Ａは概略底面図、図１ＢはそのＸ−Ｘ線側
断面図である。
であり、図１Ａは概略底面図、図１ＢはそのＸ−Ｘ線側
断面図である。
【図２】本発明のＣＶＤ成膜装置の別の実施形態に係る
概略底面図である。
概略底面図である。
【図３】比較例における従来型ＣＶＤ成膜装置の概略側
断面図である。
断面図である。
Ｃv 成膜装置本体 Ｂs 基板 １ ガス供給部 ２ ガス導入口 ３ 分配管 ４ ガス均圧室 ５ フィルター ６ 整流板 ７、８ バッファープレート ９ ガス吐出口（ガス吐出スリット） 10 ガス吐出口形成部 10' ガス吸引口形成部 11、11' 矩形状平板 12 ガス排出部 13 ガス吸引口（ガス吸引スリット） 14 排気室 15 排気口 16 整流板 17 鋲着手段 18 枠体
Claims (2)
- 【請求項１】 常圧ＣＶＤ法により走行する加熱基板上
へ１種又は２種以上の成膜用ガスを吹付け、その熱分解
により被膜を形成するための装置であって、ガス供給部
と、ガス供給部に付設し、基板にガスを吹付け被膜形成
するためのガス吐出口を有するガス吐出口形成部と、ガ
ス供給部に対し成膜長手方向に隣設し、成膜後のガスを
系外に排出するためのガス排出部と、ガス排出部に付設
し、成膜後のガスをガス排出部に導くためのガス吸引口
を有するガス吸引口形成部からなり、前記ガス吐出口形
成部およびガス吸引口形成部をガス供給部およびをガス
排出部に対し着脱可能に付設したことを特徴とするＣＶ
Ｄ成膜装置。 - 【請求項２】 ガス吐出口形成部およびガス吸引口形成
部が、ガス供給部の底部よびガス排出部の底部に、それ
ら成膜幅の方向に亘り横設しかつ成膜長手方向に並設し
た複数の矩形状平板からなり、前記隣り合う平板の対向
端縁間に間隙を設け、該間隙によりガス吐出スリット、
およびガス吸引スリットを形成したことを特徴とする請
求項１記載のＣＶＤ成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28365999A JP2001107247A (ja) | 1999-10-05 | 1999-10-05 | Ｃｖｄ成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28365999A JP2001107247A (ja) | 1999-10-05 | 1999-10-05 | Ｃｖｄ成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001107247A true JP2001107247A (ja) | 2001-04-17 |
Family
ID=17668404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28365999A Pending JP2001107247A (ja) | 1999-10-05 | 1999-10-05 | Ｃｖｄ成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001107247A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008169437A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 製膜装置 |
| KR20180054730A (ko) * | 2015-10-19 | 2018-05-24 | 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 | 성막 장치 |
-
1999
- 1999-10-05 JP JP28365999A patent/JP2001107247A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008169437A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 製膜装置 |
| KR20180054730A (ko) * | 2015-10-19 | 2018-05-24 | 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 | 성막 장치 |
| KR102173962B1 (ko) * | 2015-10-19 | 2020-11-04 | 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 | 성막 장치 |
| US11124877B2 (en) | 2015-10-19 | 2021-09-21 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Film forming device including a detachable bottom plate for forming a film on a substrate |
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