JP2001107249A - 常圧ｃｖｄ成膜装置 - Google Patents
常圧ｃｖｄ成膜装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 常圧ＣＶＤ成膜装置において、しばしば発生
する成膜ムラ（横縞ムラ）を極力抑制する。 【解決手段】 常圧ＣＶＤ法により走行する加熱基板上
へ１種又は２種以上の成膜用ガスを吹付け、その熱分解
により被膜を形成するための装置であって、成膜用ガス
を均圧化し基板に導くためのガス供給部と、その底部に
配し、基板に成膜用ガスを吐出するガス吐出口を有する
ガス吐出口形成部と、ガス供給部に対し成膜長手方向に
隣設し、成膜後のガスを系外に排出するためのガス排出
部と、その底部に配し、成膜後のガスをガス排出部に導
くガス吸引口を有するガス吸引口形成部からなり、前記
ガス吐出口における成膜用ガスの吐出方向を基板の走行
方向に向け傾斜させた常圧ＣＶＤ成膜装置。
する成膜ムラ（横縞ムラ）を極力抑制する。 【解決手段】 常圧ＣＶＤ法により走行する加熱基板上
へ１種又は２種以上の成膜用ガスを吹付け、その熱分解
により被膜を形成するための装置であって、成膜用ガス
を均圧化し基板に導くためのガス供給部と、その底部に
配し、基板に成膜用ガスを吐出するガス吐出口を有する
ガス吐出口形成部と、ガス供給部に対し成膜長手方向に
隣設し、成膜後のガスを系外に排出するためのガス排出
部と、その底部に配し、成膜後のガスをガス排出部に導
くガス吸引口を有するガス吸引口形成部からなり、前記
ガス吐出口における成膜用ガスの吐出方向を基板の走行
方向に向け傾斜させた常圧ＣＶＤ成膜装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、常圧下のＣＶＤ法
（化学的気相成長法）により走行する加熱基板上へ１種
又は２種以上の成膜用ガスを吹付け、その熱分解により
被膜を形成するための装置に関する。
（化学的気相成長法）により走行する加熱基板上へ１種
又は２種以上の成膜用ガスを吹付け、その熱分解により
被膜を形成するための装置に関する。
【０００２】
【従来技術および解決すべき課題】図１Ａは従来、およ
び本発明の常圧ＣＶＤ法により走行する加熱基板に成膜
用ガスを吹付ける装置の概略側断面図である。従来、Ｃ
ＶＤ成膜装置において成膜用ガスの吐出口（ガス吐出ス
リット）９の基端−先端を結ぶラインの延長と、基板面
との交点における角度θが90°であり、すなわち成膜用
ガスは基板面に対し垂直に吐出されていた。
び本発明の常圧ＣＶＤ法により走行する加熱基板に成膜
用ガスを吹付ける装置の概略側断面図である。従来、Ｃ
ＶＤ成膜装置において成膜用ガスの吐出口（ガス吐出ス
リット）９の基端−先端を結ぶラインの延長と、基板面
との交点における角度θが90°であり、すなわち成膜用
ガスは基板面に対し垂直に吐出されていた。
【０００３】図２Ｂは、前記ガス吐出角度θが90°であ
る従来ＣＶＤ成膜装置におけるガス吐出口−吸引口と走
行基板との間での吐出ガス流の挙動を図示した概略模式
図である。すなわち、着色ガスをガス吐出口（ガス吐出
スリット）より吐出し、ガス吸引口（ガス吸引スリッ
ト）で吸引、排気される間のガス流れを目視観察、写真
撮影し、それをもとにガス流れを矢印→で示したもの
で、吐出ガスは吐出時に基板Ｂsの走行方向前後に細か
な振れＤを示し、その後幾つかのガス渦流を生じつつ広
がり、ガス吸引スリットを通じ排気される。前記吐出ガ
スの振れＤは吐出ガスが基板に衝突し、衝突後のガスが
反射して吐出ガスの流れを乱すこと、吐出口両脇の剥離
渦が規則的に大、小変動し、その渦の動きに引きずられ
てガス流が左右に振れることにより生ずるものと推察さ
れる。
る従来ＣＶＤ成膜装置におけるガス吐出口−吸引口と走
行基板との間での吐出ガス流の挙動を図示した概略模式
図である。すなわち、着色ガスをガス吐出口（ガス吐出
スリット）より吐出し、ガス吸引口（ガス吸引スリッ
ト）で吸引、排気される間のガス流れを目視観察、写真
撮影し、それをもとにガス流れを矢印→で示したもの
で、吐出ガスは吐出時に基板Ｂsの走行方向前後に細か
な振れＤを示し、その後幾つかのガス渦流を生じつつ広
がり、ガス吸引スリットを通じ排気される。前記吐出ガ
スの振れＤは吐出ガスが基板に衝突し、衝突後のガスが
反射して吐出ガスの流れを乱すこと、吐出口両脇の剥離
渦が規則的に大、小変動し、その渦の動きに引きずられ
てガス流が左右に振れることにより生ずるものと推察さ
れる。
【０００４】図３はそのようにして成膜した基板の平面
図であり、従来のＣＶＤ成膜装置における典型的な一欠
陥である成膜長手方向に対する横縞状の成膜ムラ（横縞
ムラと称する）を誇張して示したもので、これは膜厚ム
ラ、即ち膜厚の不均一さから生じる反射干渉色の変化に
よるムラである。この横縞ムラは、屈折率の高い被膜、
たとえば酸化チタン膜や酸化コバルト膜では顕著に目立
つ。発明者が各種試験検討の結果、横縞ムラの発生の一
要因は、前記し、図２Ｂで示したガス吐出時の細かな振
れＤが大きく影響すると推測された。
図であり、従来のＣＶＤ成膜装置における典型的な一欠
陥である成膜長手方向に対する横縞状の成膜ムラ（横縞
ムラと称する）を誇張して示したもので、これは膜厚ム
ラ、即ち膜厚の不均一さから生じる反射干渉色の変化に
よるムラである。この横縞ムラは、屈折率の高い被膜、
たとえば酸化チタン膜や酸化コバルト膜では顕著に目立
つ。発明者が各種試験検討の結果、横縞ムラの発生の一
要因は、前記し、図２Ｂで示したガス吐出時の細かな振
れＤが大きく影響すると推測された。
【０００５】本発明は前記横縞ムラの発生を極力抑制し
た常圧ＣＶＤ成膜装置を提供することを目的とする。
た常圧ＣＶＤ成膜装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、常圧ＣＶＤ法
により走行する加熱基板上へ１種又は２種以上の成膜用
ガスを吹付け、その熱分解により被膜を形成するための
装置であって、成膜用ガスを均圧化し基板に導くための
ガス供給部と、その底部に配し、基板に成膜用ガスを吐
出するガス吐出口を有するガス吐出口形成部と、ガス供
給部に対し成膜長手方向に隣設し、成膜後のガスを系外
に排出するためのガス排出部と、その底部に配し、成膜
後のガスをガス排出部に導くガス吸引口を有するガス吸
引口形成部からなり、前記ガス吐出口における成膜用ガ
スの吐出方向を基板の走行方向に向け傾斜させた常圧Ｃ
ＶＤ成膜装置である。
により走行する加熱基板上へ１種又は２種以上の成膜用
ガスを吹付け、その熱分解により被膜を形成するための
装置であって、成膜用ガスを均圧化し基板に導くための
ガス供給部と、その底部に配し、基板に成膜用ガスを吐
出するガス吐出口を有するガス吐出口形成部と、ガス供
給部に対し成膜長手方向に隣設し、成膜後のガスを系外
に排出するためのガス排出部と、その底部に配し、成膜
後のガスをガス排出部に導くガス吸引口を有するガス吸
引口形成部からなり、前記ガス吐出口における成膜用ガ
スの吐出方向を基板の走行方向に向け傾斜させた常圧Ｃ
ＶＤ成膜装置である。
【０００７】前記において、ガス吐出口の基端−先端を
結ぶラインの延長と、基板面との交点における角度θ
が、25°以上、90°未満の範囲であり、更に好適には、
角度θが40°以上、50°以下の範囲であることが好まし
い。
結ぶラインの延長と、基板面との交点における角度θ
が、25°以上、90°未満の範囲であり、更に好適には、
角度θが40°以上、50°以下の範囲であることが好まし
い。
【０００８】更に前記において、ガス吐出口形成部およ
びガス吸引口形成部が、ガス供給部の底部およびガス排
気部の底部にそれら成膜幅方向に亘り横設しかつ成膜長
手方向に並設した複数の矩形状平板からなり、前記隣り
合う平板の対向端縁間に間隙を配することにより、ガス
吐出スリットおよびガス吸引スリットを形成するのが好
適である。
びガス吸引口形成部が、ガス供給部の底部およびガス排
気部の底部にそれら成膜幅方向に亘り横設しかつ成膜長
手方向に並設した複数の矩形状平板からなり、前記隣り
合う平板の対向端縁間に間隙を配することにより、ガス
吐出スリットおよびガス吸引スリットを形成するのが好
適である。
【０００９】
【発明の実施の形態】前記において、成膜長手方向とは
基板走行の前後方向をいい、成膜幅方向とは前記基板走
行の前後方向に対し直角の方向であり、基板の走行横手
方向をいう。
基板走行の前後方向をいい、成膜幅方向とは前記基板走
行の前後方向に対し直角の方向であり、基板の走行横手
方向をいう。
【００１０】以下本発明を図面に基づき説明する。図１
は本発明の一実施形態にかかり、図１Ａが常圧ＣＶＤ成
膜装置の概略側断面図、図１Ｂがその概略底面図であ
る。ガス供給部１において、成膜用ガスはガス導入口
２、成膜幅方向への分配管３を経てガス均圧室４に送入
される。ガス均圧室４においては孔径約0.5μm程度のフ
ィルター５により浮遊微粉（中間生成物粒等）を除去
し、孔サイズ１〜10mm程度の無数の透孔を有する整流板
６、および複数のバッファープレート７、８により均圧
化される。更に成膜用ガスは、ガス均圧室４の底部に一
体的に配したガス吐出口（図においてガス吐出スリッ
ト）９より加熱基板Ｂsに向け吐出される。
は本発明の一実施形態にかかり、図１Ａが常圧ＣＶＤ成
膜装置の概略側断面図、図１Ｂがその概略底面図であ
る。ガス供給部１において、成膜用ガスはガス導入口
２、成膜幅方向への分配管３を経てガス均圧室４に送入
される。ガス均圧室４においては孔径約0.5μm程度のフ
ィルター５により浮遊微粉（中間生成物粒等）を除去
し、孔サイズ１〜10mm程度の無数の透孔を有する整流板
６、および複数のバッファープレート７、８により均圧
化される。更に成膜用ガスは、ガス均圧室４の底部に一
体的に配したガス吐出口（図においてガス吐出スリッ
ト）９より加熱基板Ｂsに向け吐出される。
【００１１】ガス吐出スリット９は、ガス吐出スリット
のガス均圧室側基端−基板側先端を結ぶラインの延長
と、基板面との交点における角度θが、25°以上、90°
未満の範囲、更には角度θが40°以上、50°以下の範囲
であることが好ましく、図においては角度θがほぼ45°
の例を示している。角度θが90°の場合は、先述の吐出
ガスの振れＤが顕著に現れ、90°を越えると吐出ガスが
基板走行方向に対向することになり、やはりガス流の乱
れが生じ易い傾向にある。角度θが25°未満の場合は成
膜効率が極端に低下する。角度θが40〜50°においては
吐出ガスの振れＤは殆ど目立たなくなり、前記振れＤに
よると思われる膜厚ムラ、すなわち横縞ムラも抑制さ
れ、成膜効率も殆ど低下しない。
のガス均圧室側基端−基板側先端を結ぶラインの延長
と、基板面との交点における角度θが、25°以上、90°
未満の範囲、更には角度θが40°以上、50°以下の範囲
であることが好ましく、図においては角度θがほぼ45°
の例を示している。角度θが90°の場合は、先述の吐出
ガスの振れＤが顕著に現れ、90°を越えると吐出ガスが
基板走行方向に対向することになり、やはりガス流の乱
れが生じ易い傾向にある。角度θが25°未満の場合は成
膜効率が極端に低下する。角度θが40〜50°においては
吐出ガスの振れＤは殆ど目立たなくなり、前記振れＤに
よると思われる膜厚ムラ、すなわち横縞ムラも抑制さ
れ、成膜効率も殆ど低下しない。
【００１２】加熱基板Ｂsは特定するものではなく、セ
ラミックス、陶磁器、セメント、ガラス、金属等が好適
であり、加熱温度は成膜成分が基板に充分密着し膜形成
する温度、概して700℃未満から400℃程度の間において
設定される。ガラス板であればガラス板製造過程におけ
るガラス成形域から徐冷域に到る間の加熱されたガラス
帯（650〜500℃付近）、一例としてフロートガラスが好
適である。
ラミックス、陶磁器、セメント、ガラス、金属等が好適
であり、加熱温度は成膜成分が基板に充分密着し膜形成
する温度、概して700℃未満から400℃程度の間において
設定される。ガラス板であればガラス板製造過程におけ
るガラス成形域から徐冷域に到る間の加熱されたガラス
帯（650〜500℃付近）、一例としてフロートガラスが好
適である。
【００１３】吐出し成膜に供した後のガスは、ガス排出
部12における排気室14の底部に一体的に配したガス吸引
スリット13、13を介し、透孔を有する整流板16を設けた
前記排気室14および排気口15を経て系外に排気される。
なお、排気口の先方には図示しない排気ブロアーが配さ
れる。吸引スリット13は吐出スリット９に対し基板走行
方向の前または後に配してもよいが、成膜後のガスを速
やかに排気するうえで図のごとく前後一対に配するのが
よい。なお、ガス供給部１、ガス排出部12を含め、装置
全体Ｃvが枠体18に収められる。
部12における排気室14の底部に一体的に配したガス吸引
スリット13、13を介し、透孔を有する整流板16を設けた
前記排気室14および排気口15を経て系外に排気される。
なお、排気口の先方には図示しない排気ブロアーが配さ
れる。吸引スリット13は吐出スリット９に対し基板走行
方向の前または後に配してもよいが、成膜後のガスを速
やかに排気するうえで図のごとく前後一対に配するのが
よい。なお、ガス供給部１、ガス排出部12を含め、装置
全体Ｃvが枠体18に収められる。
【００１４】図２Ａは本発明のＣＶＤ成膜装置における
ガス吐出・吸引部と走行基板との間での吐出ガス流の挙
動を図示した概略模式図である。着色ガスをガス吐出ス
リットより吐出し、吸引スリットで吸引、排気される間
のガス流れを目視観察、写真撮影し、それをもとにガス
流れを矢印→で示したもので、先述の従来ＣＶＤ装置に
おけるような吐出ガスの細かな振れＤ（図２Ｂ参照）は
殆ど目立たなくなり、これが成膜ムラ、すなわち横縞ム
ラの生成を抑制するものと推察される。
ガス吐出・吸引部と走行基板との間での吐出ガス流の挙
動を図示した概略模式図である。着色ガスをガス吐出ス
リットより吐出し、吸引スリットで吸引、排気される間
のガス流れを目視観察、写真撮影し、それをもとにガス
流れを矢印→で示したもので、先述の従来ＣＶＤ装置に
おけるような吐出ガスの細かな振れＤ（図２Ｂ参照）は
殆ど目立たなくなり、これが成膜ムラ、すなわち横縞ム
ラの生成を抑制するものと推察される。
【００１５】図４は別の実施形態にかかる常圧ＣＶＤ成
膜装置に関し、図４Ａはその概略側断面図、図４Ｂは概
略底面図であり、ガス供給部１におけるガス均圧室４の
底部（成膜用基板側）、およびガス排出部12における排
気室14の底部には、着脱自在にガス吐出口（ガス吐出ス
リット）９を有するガス吐出口形成部10、ガス吸引口
（ガス吸引スリット）13を有するガス吸引口形成部部1
0'を付設する。
膜装置に関し、図４Ａはその概略側断面図、図４Ｂは概
略底面図であり、ガス供給部１におけるガス均圧室４の
底部（成膜用基板側）、およびガス排出部12における排
気室14の底部には、着脱自在にガス吐出口（ガス吐出ス
リット）９を有するガス吐出口形成部10、ガス吸引口
（ガス吸引スリット）13を有するガス吸引口形成部部1
0'を付設する。
【００１６】ガス吐出口形成部10、ガス吸引口形成部1
0'はガス均圧室４の底部、および排気室14の底部におい
て成膜幅方向に亘り横設しかつ成膜長手方向に並設した
複数の矩形状平板11、11、11'、11'からなり、前記隣り
合う平板11、11の対向端縁間に間隙を配し、これをガス
吐出スリット９と為し、および隣り合う平板11、11'の
対向端縁間に間隙を配し、これをガス吸引スリット13と
為すものである。これら平板11、11'はその底面側から
鋲着手段、例えば連結ボルト17を挿通し、ガス均圧室４
の底部、および排気室14の底部に脱着可能に固設せしめ
る。なお、ガス供給部１、およびガス排出部12を含め、
装置本体Ｃv（前記矩形状平板11、11'を除く）が枠体18
に収められる。
0'はガス均圧室４の底部、および排気室14の底部におい
て成膜幅方向に亘り横設しかつ成膜長手方向に並設した
複数の矩形状平板11、11、11'、11'からなり、前記隣り
合う平板11、11の対向端縁間に間隙を配し、これをガス
吐出スリット９と為し、および隣り合う平板11、11'の
対向端縁間に間隙を配し、これをガス吸引スリット13と
為すものである。これら平板11、11'はその底面側から
鋲着手段、例えば連結ボルト17を挿通し、ガス均圧室４
の底部、および排気室14の底部に脱着可能に固設せしめ
る。なお、ガス供給部１、およびガス排出部12を含め、
装置本体Ｃv（前記矩形状平板11、11'を除く）が枠体18
に収められる。
【００１７】使用する成膜原料によっては成膜装置、特
に吐出ノズル（スリット）部や吸引・排気ノズル（スリ
ット）部に未分解物、不完全分解物等を付着し、それに
より膜形成を不充分としたり、ときに成膜不能とする。
例えば酸化チタン膜原料の一つであるテトライソプロポ
キシチタンは、気相反応から微粒子状物質を生じ（パウ
ダリングと称する）、ノズル（スリット）部に付着し、
漸次堆積して、原料ガスの均一な吐出を困難として均一
な膜形成を阻害したり、前記付着、堆積物が基板上に落
下すると非成膜部分（膜ヌケと称する）等が生ずる。勿
論堆積物がノズル（スリット）部を閉塞すると成膜不能
となる。
に吐出ノズル（スリット）部や吸引・排気ノズル（スリ
ット）部に未分解物、不完全分解物等を付着し、それに
より膜形成を不充分としたり、ときに成膜不能とする。
例えば酸化チタン膜原料の一つであるテトライソプロポ
キシチタンは、気相反応から微粒子状物質を生じ（パウ
ダリングと称する）、ノズル（スリット）部に付着し、
漸次堆積して、原料ガスの均一な吐出を困難として均一
な膜形成を阻害したり、前記付着、堆積物が基板上に落
下すると非成膜部分（膜ヌケと称する）等が生ずる。勿
論堆積物がノズル（スリット）部を閉塞すると成膜不能
となる。
【００１８】これに対し上記実施形態においては、ガス
吐出口形成部10、ガス吸引口形成部10'、すなわち矩形
状平板11、11'を着脱可能としたことにより、付着物に
より成膜が不充分となったときは、短時間で予備の矩形
状平板11、11'と交換でき、装置を再稼働できるという
利点を有する。
吐出口形成部10、ガス吸引口形成部10'、すなわち矩形
状平板11、11'を着脱可能としたことにより、付着物に
より成膜が不充分となったときは、短時間で予備の矩形
状平板11、11'と交換でき、装置を再稼働できるという
利点を有する。
【００１９】
【実施例】〔実施例１〕図４Ａ，Ｂに示すようなガス吐
出口（ガス吐出スリット）９及びガス吸引口（ガス吸引
スリット）13、13を備えた矩形状平板11、11'を付設し
た常圧ＣＶＤ成膜装置を用いて成膜を行った。ガス吐出
スリット９のガス吐出方向と基板面との交点における角
度θは40°とし、スリット先端と基板Ｂsとの距離を７m
mとし、テトライソプロポキシチタネートをバブリング
容器（図示せず）に充填し100℃に加温してから、8.0L
／minのキャリヤガス（乾燥空気）を注入し、蒸気をガ
ス供給部１を介してガス吐出スリット９に送入し、前記
角度θで基板Ｂsに吐出し成膜した。また、図示しない
吸引手段により、ガス吸引スリット13、ガス排出部12を
介し排気口から計5L/minで排気した。基板Ｂsとしてサ
イズ150×550mm、厚み３mmのソーダライムガラスを多数
準備し、基板温度550℃、基板搬送速度1.0m／minで順次
成膜装置に送り込んだ。
出口（ガス吐出スリット）９及びガス吸引口（ガス吸引
スリット）13、13を備えた矩形状平板11、11'を付設し
た常圧ＣＶＤ成膜装置を用いて成膜を行った。ガス吐出
スリット９のガス吐出方向と基板面との交点における角
度θは40°とし、スリット先端と基板Ｂsとの距離を７m
mとし、テトライソプロポキシチタネートをバブリング
容器（図示せず）に充填し100℃に加温してから、8.0L
／minのキャリヤガス（乾燥空気）を注入し、蒸気をガ
ス供給部１を介してガス吐出スリット９に送入し、前記
角度θで基板Ｂsに吐出し成膜した。また、図示しない
吸引手段により、ガス吸引スリット13、ガス排出部12を
介し排気口から計5L/minで排気した。基板Ｂsとしてサ
イズ150×550mm、厚み３mmのソーダライムガラスを多数
準備し、基板温度550℃、基板搬送速度1.0m／minで順次
成膜装置に送り込んだ。
【００２０】成膜装置を稼働後３時間までの間、基板上
の被膜は目視観察において横縞ムラが殆ど観察されない
か、かすかに２、３本観察される程度であり、製品とし
て合格し得るものであった。なお、３時間経過後の被膜
には、両ガス吐出スリット９、ガス吸引スリット13の間
の矩形状平板11の底部（基板Ｂsに対向する面）に堆積
した付着物の落下に起因する数十箇所のピンホール状の
膜ヌケがあったので、矩形状平板11を取外し予備のそれ
と交換した。交換時間は20分であり、直ちに成膜装置を
再稼働させることができ、当初と同様な被膜付き基板を
得ることができた。
の被膜は目視観察において横縞ムラが殆ど観察されない
か、かすかに２、３本観察される程度であり、製品とし
て合格し得るものであった。なお、３時間経過後の被膜
には、両ガス吐出スリット９、ガス吸引スリット13の間
の矩形状平板11の底部（基板Ｂsに対向する面）に堆積
した付着物の落下に起因する数十箇所のピンホール状の
膜ヌケがあったので、矩形状平板11を取外し予備のそれ
と交換した。交換時間は20分であり、直ちに成膜装置を
再稼働させることができ、当初と同様な被膜付き基板を
得ることができた。
【００２１】〔比較例１〕実施例１と同様なＣＶＤ成膜
装置で、但しガス吐出スリット９のガス吐出方向と基板
面との交点における角度θは従来装置同様の90°（基板
に対し法線方向）とし、他は実施例１と同一条件で成膜
試験を行った。
装置で、但しガス吐出スリット９のガス吐出方向と基板
面との交点における角度θは従来装置同様の90°（基板
に対し法線方向）とし、他は実施例１と同一条件で成膜
試験を行った。
【００２２】約１時間にわたる成膜試験において、基板
上の被膜には多数の横縞ムラが明瞭に観察され、製品と
して市場に供し得ないものであった。
上の被膜には多数の横縞ムラが明瞭に観察され、製品と
して市場に供し得ないものであった。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、ガス吐出口を基板に対
して傾斜させたことにより、吐出ガス流の成膜長さ方向
（基板前後方向）に対する振れを抑制でき、それに起因
すると推察される横縞ムラの発生を極力防ぐことができ
る。
して傾斜させたことにより、吐出ガス流の成膜長さ方向
（基板前後方向）に対する振れを抑制でき、それに起因
すると推察される横縞ムラの発生を極力防ぐことができ
る。
【図１】本発明の一実施形態、および従来例にかかる常
圧ＣＶＤ成膜装置おいて、図１Ａがその概略側断面図、
図１Ｂが概略底面図である（従来例においてスリット角
度θ＝90°）。
圧ＣＶＤ成膜装置おいて、図１Ａがその概略側断面図、
図１Ｂが概略底面図である（従来例においてスリット角
度θ＝90°）。
【図２】常圧ＣＶＤ成膜装置におけるガス吐出口−ガス
吸引口と走行基板との間での吐出ガス流の挙動を図示し
た概略模式図であり、図２Ａは本発明にかかるもの、図
２Ｂは従来例にかかるものである。
吸引口と走行基板との間での吐出ガス流の挙動を図示し
た概略模式図であり、図２Ａは本発明にかかるもの、図
２Ｂは従来例にかかるものである。
【図３】成膜基板の平面図であり、横縞ムラの生成状態
を示す図である。
を示す図である。
【図４】本発明の別の実施形態にかかる常圧ＣＶＤ成膜
装置に関し、図４Ａはその概略側断面図、図４Ｂは概略
底面図である。
装置に関し、図４Ａはその概略側断面図、図４Ｂは概略
底面図である。
Ｃv 成膜装置本体 Ｂs 基板 １ ガス供給部 ２ ガス導入口 ３ 分配管 ４ ガス均圧室 ５ フィルター ６ 整流板 ７、８ バッファープレート ９ ガス吐出口（ガス吐出スリット） 10 ガス吐出口形成部 10' ガス吸引口形成部 11、11' 矩形状平板 12 ガス排出部 13 ガス吸引口（ガス吸引スリット） 14 排気室 15 排気口 16 整流板 17 鋲着手段 18 枠体
Claims (3)
- 【請求項１】 常圧ＣＶＤ法により走行する加熱基板上
へ１種又は２種以上の成膜用ガスを吹付け、その熱分解
により被膜を形成するための装置であって、成膜用ガス
を均圧化し基板に導くためのガス供給部と、その底部に
配し、基板に成膜用ガスを吐出するガス吐出口を有する
ガス吐出口形成部と、ガス供給部に対し成膜長手方向に
隣設し、成膜後のガスを系外に排出するためのガス排出
部と、その底部に配し、成膜後のガスをガス排出部に導
くガス吸引口を有するガス吸引口形成部からなり、前記
ガス吐出口における成膜用ガスの吐出方向を基板の走行
方向に向け傾斜させたことを特徴とする常圧ＣＶＤ成膜
装置。 - 【請求項２】 ガス吐出口の基端−先端を結ぶラインの
延長と、基板面との交点における角度θが、25°以上、
90°未満の範囲であることを特徴とする請求項１記載の
常圧ＣＶＤ成膜装置。 - 【請求項３】 ガス吐出口形成部およびガス吸引口形成
部が、ガス供給部の底部およびガス排気部の底部にそれ
ら成膜幅方向に亘り横設しかつ成膜長手方向に並設した
複数の矩形状平板からなり、前記隣り合う平板の対向端
縁間に間隙を配することにより、ガス吐出スリットおよ
びガス吸引スリットを形成したことを特徴とする請求項
１または２記載の常圧ＣＶＤ成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28365899A JP2001107249A (ja) | 1999-10-05 | 1999-10-05 | 常圧ｃｖｄ成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28365899A JP2001107249A (ja) | 1999-10-05 | 1999-10-05 | 常圧ｃｖｄ成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001107249A true JP2001107249A (ja) | 2001-04-17 |
Family
ID=17668394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28365899A Pending JP2001107249A (ja) | 1999-10-05 | 1999-10-05 | 常圧ｃｖｄ成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001107249A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008169437A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 製膜装置 |
| CN109503188A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-03-22 | 上海康碳复合材料科技有限公司 | 一种基于流场优化制备碳/碳坩埚的cvi工艺方法 |
-
1999
- 1999-10-05 JP JP28365899A patent/JP2001107249A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008169437A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 製膜装置 |
| CN109503188A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-03-22 | 上海康碳复合材料科技有限公司 | 一种基于流场优化制备碳/碳坩埚的cvi工艺方法 |
| CN109503188B (zh) * | 2018-12-14 | 2021-03-02 | 上海康碳复合材料科技有限公司 | 一种基于流场优化制备碳/碳坩埚的cvi工艺方法 |
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