TWI583818B - 成膜裝置 - Google Patents

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TWI583818B
TWI583818B TW105104897A TW105104897A TWI583818B TW I583818 B TWI583818 B TW I583818B TW 105104897 A TW105104897 A TW 105104897A TW 105104897 A TW105104897 A TW 105104897A TW I583818 B TWI583818 B TW I583818B
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白幡孝洋
織田容征
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東芝三菱電機產業系統股份有限公司
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Description

成膜裝置
本發明係有關於一種在基板上成膜有膜之成膜裝置。
作為將膜成膜在基板上之方法，有化學氣相成長(CVD(Chemical Vapor Deposition))法。但是化學氣相成長法必須在真空下成膜的情況變多，除了真空泵等以外，亦有必須使用大型的真空容器之情形。而且，從成本的觀點等而言，在化學氣相成長法，係有作為被成膜的基板係難以採用大面積者之問題。因此，能夠在大氣壓下進行成膜處理之噴霧法係受到關注。
作為有關利用噴霧法的成膜裝置等之先前技術，例如存在有專利文獻1之技術。
專利文獻1之技術，係從設置在包含霧噴射用噴嘴等之噴霧噴射頭部的底面之原料溶液噴出口及反應材料噴出口，對配置在大氣中之基板進行噴射經霧化的原料溶液及反應材料。藉由該噴射，預定膜係被成膜在基板上。又，反應材料係意味著有助於與原料溶液反應之材料。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本國際公開第2013/038484號
如上述，使用先前的成膜裝置之成膜處理，係使經霧化的原料溶液與反應材料反應而得到反應生成物之後，於大氣中(大氣壓下)在基板上形成預定膜之處理。因此，先前的成膜裝置，長時間使用時由於基板加熱引起的上升氣流，致使反應生成物慢慢地附著在噴霧噴射頭部100的底面。為了將所附著的反應生成物除去，必須定期地洗淨噴霧噴射頭部的底面，但是洗淨係有需要費工夫之問題點。
為了解決如上述的問題點，本發明之目的係提供一種成膜裝置，係具有簡單地除去所附著的反應生成物的構造。
本發明之成膜裝置，係藉由噴射經霧化的原料溶液到大氣中，來實行對基板成膜有膜的成膜處理之成膜裝置，其特徵在於具備：載置部，其係載置前述基板；噴霧噴射頭部，其設置於相對向於載置有前述基板之前述載置部的上面，在底面具有原料溶液噴出口及排氣口，而且藉由前述原料溶液噴出口噴射前述原料溶液且從前述排氣口進行排氣處理；及底板，係能夠卸下地設置在前述噴 霧噴射頭部的底面；前述底板係以不防礙前述成膜處理的實行之態樣被安裝在前述噴霧噴射頭部的底面。
如申請專利範圍第1項所述之本申請發明的成膜裝置，係藉由在噴霧噴射頭部的底面設置能夠卸下的底板，藉由將底板洗淨而達成能夠將附著在底板的反應生成物簡單地除去之效果。
進一步預先準備複數個底板，在洗淨複數個底板之中一個底板之期間，藉由利用洗淨完畢的其它底板，而能夠達成邊洗淨底板邊繼續使用成膜裝置之效果。
本發明之目的、特徵、態樣、及優點，係藉由以下的詳細說明及附加圖式而能夠更明白。
1‧‧‧原料溶液供給部
2、2B、3、3B‧‧‧反應材料供給部
4‧‧‧排氣物出口部
6至9‧‧‧整流部
11至14、12B及13B‧‧‧空洞部
15、15B‧‧‧原料溶液噴出口
16、16B、17、17B‧‧‧反應材料噴出口
18‧‧‧排氣口
20、20B‧‧‧基座板部
21、21B‧‧‧底板
22‧‧‧溫度調節機構
23‧‧‧基板
24‧‧‧載置部
30‧‧‧框部
35、35B‧‧‧原料溶液用開口部
36、36B、37、37B‧‧‧反應材料用開口部
41、41B‧‧‧原料溶液排出部
42、42B、43‧‧‧反應材料排出部
44‧‧‧排氣物導入部
51至55、52B、53B‧‧‧惰性氣體供給部
58‧‧‧通風部
61至64、71至75、61B、62B、72B、73B‧‧‧通路
81至83、82B、83B‧‧‧惰性氣體噴射部
100、100B‧‧‧噴霧噴射頭部
191至195、192B、193B‧‧‧惰性氣體噴出口
392至394、392B、393B‧‧‧惰性氣體用開口部
N1、N1B‧‧‧原料溶液噴射用噴嘴部
N2、N3、N3B‧‧‧反應材料噴射用噴嘴部
N4‧‧‧排氣用噴嘴部
第1圖係顯示本發明的實施形態1之成膜裝置的噴霧噴射頭部之剖面圖。
第2圖係顯示第1圖的A-A剖面結構之剖面圖。
第3圖係從底面側觀看實施形態1的噴霧噴射頭部之平面圖。
第4圖係顯示實施形態1的基座板部之外觀結構等之說明圖。
第5圖係顯示本發明的實施形態2之成膜裝置的噴霧噴射頭部之剖面圖。
第6圖係顯示第5圖的C-C剖面結構之剖面圖。
第7圖係從底面側觀看實施形態2的噴霧噴射頭部之平面圖。
第8圖係顯示實施形態2的基座板部之外觀結構等之說明圖。
以下，基於顯示本發明的實施形態之圖式，而具體地說明本發明。
<實施形態1> (全體構成)
第1圖係顯示屬於本發明的實施形態1之成膜裝置的主要構成部之噴霧噴射頭部100及其周邊之剖面圖。第2圖係顯示第1圖的A-A剖面結構之剖面圖。又，在第1圖及第2圖及之後顯示之第3圖至第8圖，係各自併記XYZ正交座標軸。又，在第2圖，係省略底板21的圖式。
實施形態1的成膜裝置，係藉由噴霧噴射頭部100噴射經霧化的原料溶液到大氣中，而對基板23成膜有膜。亦即，成膜裝置係藉由在大氣中的成膜處理之噴霧法，而在基板23上成膜所需要的膜之裝置。
具體而言，原料溶液係被收容在未圖示的容器中，在該容器利用超音波振動霧化原料溶液。然後，經霧化的原料溶液係與載體氣體一起通過未圖示的路徑而被搬運至噴霧噴射頭部100。
在亦具有加熱器之載置部24上係配置有基 板23。亦即，載置部24係能夠加熱基板23。而且，噴霧噴射頭部100係被配置在基板23的上方。
亦即，基板23的上面與噴霧噴射頭部100的底面(正確而言為底板21的下面)係以隔著預定距離相對向之方式配置。在此，在成膜處理時噴霧噴射頭部100的底面與基板23的上面之間隔，係被設定為0.1mm至50mm左右。又，噴霧噴射頭部100及基板23係被配置在大氣壓下。在此，有將在噴霧噴射頭部100的底面與基板23的上面之間所形成的空間，稱為「反應空間」之情形。
噴霧噴射頭部100係對藉由載置部24以預定溫度加熱之基板23，噴射經霧化的原料溶液。藉此，在基板23的上面成膜所需要的膜。此外，成膜處理時，載置部24係在水平方向(在XY平面內所規定的預定方向)移動。或者，噴霧噴射頭部100係在上述水平方向移動。
以下，針對噴霧噴射頭部100的結構，使用圖示具體地說明。
如第1圖所示，噴霧噴射頭部100係具有原料溶液噴射用噴嘴部N1、2個反應材料噴射用噴嘴部N2及N3、排氣用噴嘴部N4、基座板(base plate)部20、及底板21。
如第1圖所示，反應材料噴射用噴嘴部N3、原料溶液噴射用噴嘴部N1、反應材料噴射用噴嘴部N2及排氣用噴嘴部N4，係依照該順序沿著X方向排列而配設。此外，與第1圖所示的結構不同，反應材料噴射用噴嘴部 N2、原料溶液噴射用噴嘴部N1、反應材料噴射用噴嘴部N3及排氣用噴嘴部N4係亦可依照該順序沿著X方向排列而配設。
又，原料溶液噴射用噴嘴部N1與反應材料噴射用噴嘴部N2及N3，係隔著惰性氣體噴射部82及83而設置，但是在反應材料噴射用噴嘴部N2的側面與排氣用噴嘴部N4的側面之間，係僅以預定距離分離。亦即，原料溶液噴射用噴嘴部N1與反應材料噴射用噴嘴部N2及N3，係沿著X方向(水平方向)隔著惰性氣體噴射部82及83以無間隙之方式配設，但是排氣用噴嘴部N4係與其它噴嘴部N1至N3，以在X方向被分離(隔著空間)之方式配置。
如上述，原料溶液噴射用噴嘴部N1、反應材料噴出用噴嘴部N2及N3以及排氣用噴嘴部N4係在水平方向(X方向)排列而配置。在此，至少排氣用噴嘴部N4係位於噴霧噴射頭部100的最外側(在第1圖為右端(+X方向))。
(原料溶液噴射用噴嘴部N1)
首先，針對原料溶液噴射用噴嘴部N1的結構進行說明。
原料溶液噴射用噴嘴部N1，係從形成在底面的原料溶液噴出口15噴射經霧化的原料溶液之噴嘴。原料溶液噴射用噴嘴部N1，係在內部形成有空洞部11(第1 空洞部)。又，在原料溶液噴射用噴嘴部N1的上面，係配設有原料溶液供給部1。如上述所述，在噴霧噴射頭部100的外部，原料溶液係被霧化。經霧化的原料溶液係與載體氣體一起通過未圖示的路徑而被搬運至原料溶液供給部1。從原料溶液供給部1所得到之經霧化的原料，係充滿(被供給至)原料溶液噴射用噴嘴部N1內的空洞部11。
又，在原料溶液噴射用噴嘴部N1的空洞部11內，在兩側面部配設有複數個整流部6(第1整流部)。該整流部6係整流板，能夠調整從原料溶液供給部1所供給之經霧化的原料溶液在空洞部11內的流動。具體而言，俯視為矩形之複數個整流部6，係在空洞部11內從互相相對向的兩側面沿著XY平面，邊交替地改變各自的形成高度邊配設。複數個整流部6係各自以未到達相對向的側面，且與相對向的側面之間形成有間隙之方式構成。
在複數個整流部6的下方係設置空洞部11的主要部。複數個整流部6的上方的(空洞部11的)小空間，係通過由複數個整流部6所形成的間隙而與空洞部11(的主要部)連接，空洞部11係連接有後述之原料溶液排出部41。
在空洞部11，原料溶液排出部41，係被配設在一側面部(在第1圖係左(-X方向)側的側面)。又，原料溶液排出部41，係被配設在從原料溶液噴射用噴嘴部N1(空洞部11)底面拉開距離之位置。
另一方面，如前述，在噴霧噴射頭部100 的底面，亦即噴霧噴射頭部100之對應基板23的上面之面，係配設有原料溶液噴出口15。在此，經霧化的原料溶液係從原料溶液噴出口15經由後述之底板21的原料溶液用開口部35，對基板23的上面噴出。
在噴霧噴射頭部100內，係沿著Z方向配設有通路61。而且，原料溶液排出部41係經由通路61而與原料溶液噴出口15連接。
第3圖係在將底板21卸下後的狀態下之從基板23配設側(-Z方向側)觀看噴霧噴射頭部100之平面圖。亦即，第3圖係顯示噴霧噴射頭部100底面結構之平面圖。如同圖所示，噴霧噴射頭部100的底面係呈現由X方向(第2方向)及Y方向(第1方向)所規定之矩形。
如第3圖所示，原料溶液噴出口15係俯視下呈現將長度方向作為Y方向(第1方向)之屬於細長的開口穴之狹縫狀。又，原料溶液噴出口15的開口部之寬度(第3圖的X方向之尺寸)為0.1mm至10mm左右。
在原料溶液噴射用噴嘴部N1，經霧化的原料溶液係從原料溶液供給部1被供給至空洞部11內。然後，該原料溶液係被複數個整流部6整流且充滿在複數個整流部6上方的小空間之後，被引導至空洞部11且充滿空洞部11。隨後，經霧化的原料溶液係從原料溶液排出部41經由通路61而被引導至原料溶液噴出口15。然後，經霧化的原料溶液係從原料溶液噴出口15向基板23的上面噴出。
(反應材料噴射用噴嘴部N2及N3)
其次，說明反應材料噴射用噴嘴部N2及N3(第1及第2反應材料噴射用噴嘴部)的結構。又，因為反應材料噴射用噴嘴部N2及N3，由於除了所噴射的第1及第2反應材料為互相獨立之點及形成位置以外為相同結構，以下係以反應材料噴射用噴嘴部N2為中心進行說明且適當地附註反應材料噴射用噴嘴部N3的說明。
此外，在反應材料噴射用噴嘴部N2及N3間，複數個整流部7及8、反應材料供給部2及3、空洞部12及13、反應材料排出部42及43、通路62及63、以及反應材料噴出口16及17(第1及第2反應材料噴出口)係互相成為對應之關係。此外，在反應材料噴射用噴嘴部N2及N3所使用的第1及第2反應材料可為相同或不同。
反應材料噴射用噴嘴部N2，係將有助於原料溶液反應之反應材料(例如氧化劑)，對基板23噴出之噴嘴。反應材料噴射用噴嘴部N2係在內部形成有空洞部12(第2空洞部)。又，在反應材料噴射用噴嘴部N2的上面，係配設有反應材料供給部2。反應材料(第1反應材料)係從反應材料噴射用噴嘴部N2外經由反應材料供給部2而被供給至空洞部12內。另一方面，在反應材料噴射用噴嘴部N3，反應材料(第2反應材料)係從反應材料噴射用噴嘴部N3外經由經設置在上面之反應材料供給部3而被供給至空 洞部13內。
在此，第1及第2反應材料可為氣體亦可為液體。液體之情形，利用超音波振動等而經霧化的液體(反應材料)，係與載體氣體一起通過未圖示的路徑而被搬運至反應材料噴射用噴嘴部N2(N3)內。從反應材料供給部2(3)所得到的第1反應材料(第2反應材料)，係充滿(被供給至)反應材料噴射用噴嘴部N2(N3)內的空洞部12(13)。
又，在反應材料噴射用噴嘴部N2的空洞部12內，係配置有複數個整流部7(第2整流部)。該整流部7為整流板，主要是能夠調整從反應材料供給部2被供給的反應材料在空洞部12內的流動。具體而言，俯視為矩形之複數個整流部7，係在空洞部12內從互相相對向的兩側面沿著XY平面，交替地邊改變各自的形成高度邊配設。複數個整流部7係各自以未到達相對向的側面，在與相對向的側面之間形成有間隙之方式構成。
在反應材料噴射用噴嘴部N2(N3)，複數個整流部7(8)的上方之(空洞部12的)小空間、與空洞部12(13)的主要部，係通過由複數個整流部7(8)所形成之間隙而連接。又，上述小空間係與反應材料供給部2(3)連接，空洞部12(13)係連接有後述之反應材料排出部42(43)。
在空洞部12，反應材料排出部42係配設在一側面部(在第1圖係左(-X方向)側的側面)。又，反應材料排出部42，係被配設在從反應材料排出噴射用噴嘴部 N2(空洞部12)底面拉開距離之位置。
另一方面，噴霧噴射頭部100係在噴霧噴射頭部100的底面，亦即噴霧噴射頭部100之面對基板23之側，配設有反應材料噴出口16。在此，反應材料係從反應材料噴出口16(17)經由底板21的反應材料用開口部36(37)，對基板23的上面噴出。
在噴霧噴射頭部100內，係沿著Z方向配設有通路62(63)。而且，反應材料排出部42(43)係經由通路62(63)而與反應材料噴出口16(17)連接。如第3圖所示，反應材料噴出口16及17係各自俯視下呈現將長度方向作為Y方向(第1方向)之屬於細長的開口穴之狹縫狀。又，反應材料噴出口16及17各自的開口部之寬度(第3圖的X方向之尺寸)為0.1mm至10mm左右。
在反應材料噴射用噴嘴部N2(N3)，反應材料係從反應材料供給部2(3)被供給至空洞部12(13)內。然後，該反應材料係由複數個整流部7(8)整流且充滿在複數個整流部7(8)上方的小空間之後，被引導至空洞部12(13)之主要部且在空洞部12(13)充滿。隨後，反應材料係從原料溶液排出部42(43)，經由通路62(63)，而被引導至反應材料噴出口16(17)。然後，反應材料係從反應材料噴出口16經由底板21的反應材料用開口部36而朝向基板23的上面噴出。
(排氣用噴嘴部N4)
其次，說明排氣用噴嘴部N4的結構。
排氣用噴嘴部N4係進行排氣處理之噴嘴。排氣用噴嘴部N4係以原料溶液噴射用噴嘴部N1噴出原料溶液的流量(Q1)、以及反應材料噴出用噴嘴部N2(N3)噴出反應材料的流量(Q2及Q3)之和以上的流量(Q4)進行排氣處理。亦即，{排氣流量Q4≧原料溶液的噴出流量Q1+反應材料的噴出流量Q2+Q3}。
在排氣用噴嘴部N4，係在內部形成有空洞部14(第3空洞部)。又，在排氣用噴嘴部N4的上面，係配設有排氣物出口部4。排氣物出口部4係被配設在排氣用噴嘴部N4的上面，具體而言，係被配設在比後述的排氣物導入部44更上方，來將排氣物從空洞部14排出至排氣用噴嘴部N4外。
在此，所謂排氣物，係指來自反應空間的反應殘渣等。排氣物出口部4係經由未圖示的路徑而被連接至未圖示的排氣泵。亦即，排氣物係經由排氣物出口部4及上述路徑而從排氣用噴嘴部N4被吸引至上述排氣泵。
又，在排氣用噴嘴部N4的空洞部14內，係配設有複數個整流部9(第3整流部)。該整流部9為整流板，主要是能夠調整排氣物在空洞部14內的流動用以從排氣物出口部4排出。具體而言，俯視下為矩形之複數個整流部9，係在空洞部14內從互相相對向的兩側面沿著XY平面，交替地邊改變各自的形成高度邊配設。複數個整流部9係以各自未到達相對向的側面，且與相對向的側面之 間形成有間隙之方式構成。
藉由配設複數個整流部9，空洞部14係將排氣用噴嘴部N4的空洞部14區隔成為複數個小空間。在此，鄰接的小空間彼此，係通過由複數個整流部9所形成之較小的間隙而連接。在複數個小空間，係包含位於排氣用噴嘴部N4的最上部之(空洞部14的)小空間，複數個整流部9的下方係成為空洞部14的主要部。在此，複數個整流部9上方的小空間，係與排氣物出口部4連接，空洞部14(的主要部)係連接後述之排氣物導入部44。
排氣物導入部44，係在空洞部14中配設在上述另一側面部。又，反應材料排出部44，係被配設在從排氣用噴嘴部N4的空洞部14之底面拉開距離之位置。
另一方面，噴霧噴射頭部100係在噴霧噴射頭部100的底面，亦即反應材料噴射用噴嘴部N2的底面，配設有排氣口18。在此，排氣口18係對反應空間進行排氣處理。
在噴霧噴射頭部100內，係沿著Z方向配設有通路64。而且，排氣物導入部44係經由通路64而與排氣口18連接。如第3圖所示，排氣口18係俯視下呈現將長度方向作為Y方向(第1方向)之屬於細長的開口穴之狹縫狀。又，排氣口18的開口部之寬度(第3圖的X方向之尺寸)為0.1mm至10mm左右。
(惰性氣體噴射部)
在實施形態1的噴霧噴射頭部100之端部(第1圖的左(-X方向)側端部)，惰性氣體噴射部81係配設在框部30或鄰接框部30之區域。
進一步，噴霧噴射頭部100之特徵，係除了惰性氣體噴射部81之外，設置有在原料溶液噴射用噴嘴部N1、反應材料噴射用噴嘴部N3之間之惰性氣體噴射部82，以及在原料溶液噴射用噴嘴部N1、反應材料噴射用噴嘴部N2之間之惰性氣體噴射部83。
惰性氣體噴射部81主要是由惰性氣體供給部51、通路71及惰性氣體噴出口191所構成；惰性氣體噴射部82主要是由惰性氣體供給部52、通路72及惰性氣體噴出口192(第2惰性氣體噴出口)所構成；惰性氣體噴射部83主要是由惰性氣體供給部53、通路73及惰性氣體噴出口193(第1惰性氣體噴出口)所構成。
如第2圖所示，在惰性氣體噴射部82，從外部被導入至惰性氣體供給部52之惰性氣體，係經由通路72而從在噴霧噴射頭部100(惰性氣體噴射部82)的底面所形成的惰性氣體噴出口192經由底板21的惰性氣體用開口部392而噴出。惰性氣體供給部51及53亦與惰性氣體供給部52同樣，經由通路71及73而從在噴霧噴射頭部100(惰性氣體噴射部81及83)的底面所形成的惰性氣體噴出口191及193將惰性氣體噴出(在惰性氣體噴出口193，係經由底板21的惰性氣體用開口部393而將惰性氣體噴出)。又，作為惰性氣體，係考慮氮氣、氬氣等。
惰性氣體供給部51至53係連通至惰性氣體噴出口191至193，然而惰性氣體供給部51至53各自的開口面積，較佳是設定為惰性氣體噴出口191至193各自的開口面積以上。
進一步，由惰性氣體噴出口191至193噴出惰性氣體之流量，較佳是各自設定為由原料溶液噴出口15噴出原料溶液之流量及由反應材料噴出口16及17噴出反應材料之流量以下。
此外，惰性氣體噴射部82及83，係除了形成位置及所使用的反應材料以外，全體結構為相同。
進一步，如第2圖所示，被導入至經設置在Y方向兩端部的2個惰性氣體供給部55之惰性氣體，係各自經由通路75而從在噴霧噴射頭部100的底面形成的2個惰性氣體噴出口195噴出。
如此，惰性氣體噴出口195係配設在上述框部30或鄰接框部30之區域。
藉由上述的結構，經由惰性氣體噴射部81至83的惰性氣體供給部51至53及惰性氣體供給部55，從噴霧噴射頭部100的外部被送來的惰性氣體，係被供給至噴霧噴射頭部100內。通路71至73及通路75，係配設在噴霧噴射頭部100內，其所供給的惰性氣體係在通路71至73及通路75內傳送。惰性氣體噴出口191至193及惰性氣體噴出口195係配設在噴霧噴射頭部100的底面(面對基板23之側)，惰性氣體係從惰性氣體噴出口191至193 及惰性氣體噴出口195，朝向基板23的上面噴射。
第4圖係顯示從Y方向觀看在將底板21卸下的狀態下之基座板部20的外觀結構等之說明圖。同圖(a)係從左側面(-X方向)觀看噴霧噴射頭部100之側面圖，(b)係從正面(+Y方向)觀看之正面圖。又，第4圖(a)的B-B剖面結構係成為在第1圖所示之剖面圖。
如上述，排氣用噴嘴部N4係與其它噴嘴部N1至N3在X方向分離而配置。因而，排氣用噴嘴部N4與其它噴嘴部N1至N3之間係產生通風部58。因此，噴霧噴射頭部100係具備基座板部20。基座板部20係從基板23配置側將通風部58堵塞著(參照第1圖、第3圖、第4圖(b))。而且，在基座板部20的上面上設置排氣用噴嘴部N4。
如第1圖、第3圖及第4圖(b)所示，在實施形態1的噴霧噴射頭部100之基座板部20，係設置有惰性氣體供給部54(參照第4圖(b))、通路74(參照第1圖、第3圖)及複數個惰性氣體噴出口194(第3惰性氣體噴出口)。
在基座板部20，經由惰性氣體供給部54而從噴霧噴射頭部100的外部送來的惰性氣體，係被供給至基座板部20。通路74係配設在基座板部20內，該被供給的惰性氣體係在通路74內傳送。複數個惰性氣體噴出口194，係配設在基座板部20的底面(面對基板23之側)，惰性氣體係從複數個惰性氣體噴出口194經由底板21的惰性 氣體用開口部394而朝向基板23的上面噴射。
如第3圖所示，惰性氣體噴出口191至194係各自俯視下呈現將長度方向作為Y方向(第1方向)之屬於細長的開口穴之狹縫狀。另一方面，惰性氣體噴出口195係俯視下呈現將長度方向作為X方向(第2方向)之屬於細長的開口穴之狹縫狀。此外，惰性氣體噴出口191至195各自開口部的寬度(惰性氣體噴出口191至194係第5圖及第6圖的X方向之尺寸，惰性氣體噴出口195係第5圖及第6圖的Y方向側之尺寸)為0.1mm至10mm左右。
因而，惰性氣體噴出口192(第2惰性氣體噴出口)係設置在原料溶液噴出口15與反應材料噴出口17(第2反應材料噴出口)之間，惰性氣體噴出口193(第1惰性氣體噴出口)係設置在原料溶液噴出口15與反應材料噴出口16(第1反應材料噴出口)之間。亦即，在實施形態1的噴霧噴射頭部100，其特徵為惰性氣體噴出口193及192係設置在原料溶液噴出口15與反應材料噴出口16及17之間。
進一步，在第1圖及第4圖(b)所示之實施形態1的基座板部20，係在內部配設有溫度調節機構22。溫度調節機構22係能夠在基座板部20進行溫度調整。具體而言，係藉由在構成溫度調節機構22之穴部設置冷媒、加熱器來實現。
如第1圖及第3圖所示，反應材料噴出口17、原料溶液噴出口15、反應材料噴出口16及排氣口18 係依照該順序被配置在X方向。此外，亦可與圖式不同，反應材料噴出口16、原料溶液噴出口15、反應材料噴出口17及排氣口18係依照該順序而被配置在X方向。
如上述說明，在實施形態1的噴霧噴射頭部100，係以原料溶液噴射用噴嘴部N1的底面、反應材料噴射用噴嘴部N2及N3的底面、以及基座板部20的底面係成為同一面之方式所構成。因而，原料溶液噴出口15、反應材料噴出口16及17、惰性氣體噴出口192至194係被設置在噴霧噴射頭部100之同一面的底面。
又，參照第3圖，噴霧噴射頭部100係在面對基板23之側(底面)具有噴霧噴射頭部100的框部30。框部30係噴霧噴射頭部100底面的邊緣附近部分，而且是以從周圍將噴霧噴射頭部100的底面內部側包圍之方式鑲邊之部分。而且，從第1圖得知，框部30係從底板21的底面往基板23側突出。該突出長度係例如能夠設定為0.1至10mm。
亦即，反應空間係由框部30圍繞。但是框部30的端部與基板23的上面係未接觸。
在反應空間，係從噴霧噴射頭部100的原料溶液噴出口15以及反應材料噴出口16及17，經由底板21而將經霧化的原料溶液以及二種反應材料噴射時，原料溶液及二種反應材料係能夠在經加熱之基板23上進行反應且在基板23的上面成膜期望的膜。此外，反應空間內的反應殘渣等係藉由排氣用噴嘴部N4而從反應空間被排除。 又，在實施形態1的噴霧噴射頭部100，係在原料溶液噴射用噴嘴部N1內及反應材料噴射用噴嘴部N2、N3內，亦各自與基座板部20同樣地配設有溫度調節機構22。
(底板21)
實施形態1的成膜裝置，其特徵為在噴霧噴射頭部100的底面具備有能夠卸下地設置之底板21。此時，底板21係以不妨礙藉由成膜裝置實行成膜處理之態樣被安裝在噴霧噴射頭部100的底面。
此外，底板21的厚度係例如能夠設定為1.0至1.5mm左右，底板21安裝在噴霧噴射頭部100的底面係考慮螺絲固定等。
具體而言，係如第1圖所顯示，底板21安裝在噴霧噴射頭部100的底面時，係在對應原料溶液噴出口15、反應材料噴出口16及17以及惰性氣體噴出口192至194之區域，具有原料溶液用開口部35、反應材料用開口部36及37以及惰性氣體用開口部392至394。
原料溶液用開口部35係在對應原料溶液噴出口15之區域，以俯視下將長度方向作為Y方向(第1方向)之屬於細長的開口穴之狹縫狀形成。亦即，在安裝底板21時，原料溶液用開口部35係被形成與原料溶液噴出口15俯視一致的相同形狀。
反應材料用開口部36及37係在各自對應反 應材料噴出口16及17之區域，以俯視下將長度方向作為Y方向(第1方向)之屬於細長的開口穴之狹縫狀形成。亦即，在安裝底板21時，反應材料用開口部36及37係被形成與反應材料噴出口16及17俯視一致的相同形狀。
惰性氣體用開口部392至394係各自在對應惰性氣體噴出口192至194之區域，以俯視下將長度方向作為Y方向(第1方向)之屬於細長的開口穴之狹縫狀形成。亦即，在安裝底板21時，惰性氣體用開口部392至394係被形成與惰性氣體噴出口192至194俯視一致的相同形狀。
因而，在安裝底板21時，有關於原料溶液噴出口15、反應材料噴出口16及17以及惰性氣體噴出口192至194，藉由實施形態1的成膜裝置之成膜處理，係不會受到底板21影響。
又，因為排氣口18、惰性氣體噴出口191及195係設置在噴霧噴射頭部100的最外側，所以在底板21安裝在噴霧噴射頭部100的底面時，不會覆蓋排氣口18、惰性氣體噴出口191及195而配置在排氣口18等的附近。
因而，在安裝底板21時，有關於排氣口18、惰性氣體噴出口191及195，藉由實施形態1的成膜裝置之成膜處理，係不會受到底板21影響。
如上述，底板21係安裝在噴霧噴射頭部100的底面，在第3圖所示的噴霧噴射頭部100底面之框部30 內，係以不覆蓋排氣口18及惰性氣體噴出口191，而在從排氣口18附近至惰性氣體噴出口191附近配置底板21。
因而，能夠以不妨礙藉由成膜裝置實行成膜處理之態樣，將底板21安裝噴在霧頭部100的底面。
又，底板21係由具有耐腐蝕性的材料來構成。具體而言，底板21係由不鏽鋼、或耐酸鋁(alumite)、氟系樹脂等耐腐蝕性及經施行耐熱性塗佈之材料所構成。
(效果等)
實施形態1的成膜裝置，係藉由在噴霧噴射頭部100的底面設置能夠卸下的底板21，且藉由洗淨底板21而能夠簡單地除去附著在底板21的反應生成物。
進一步，預先準備複數個底板21，藉由在將複數個底板21之中一個底板洗淨之期間，利用洗淨完畢的其它底板，而能夠邊洗淨一個底板邊繼續使用成膜裝置。
進一步，實施形態1的成膜裝置，係藉由在底板21設置原料溶液用開口部35、反應材料用開口部36及37以及惰性氣體用開口部392至394，在安裝底板21時不妨礙成膜處理，而能夠簡單地除去在底板21所附著的反應生成物。
又，因為底板21安裝在噴霧噴射頭部100底面時，由於以不會覆蓋排氣口18、惰性氣體噴出口191及195之方式配置，所以在安裝底板21時不會對包含排氣處理之成膜處理造成影響。
而且，在實施形態1的噴霧噴射頭部100之底面所形成的原料溶液噴出口15、反應材料噴出口16及17以及惰性氣體噴出口191至194，係形成以第1方向(Y方向)作為長度方向之狹縫狀。而且，在底板21安裝在噴霧噴射頭部100的底面時，底板21的原料溶液用開口部35、反應材料用開口部36及37以及惰性氣體用開口部392至394，係以與原料溶液噴出口15、反應材料噴出口16及17以及惰性氣體噴出口192至194為俯視一致的相同形狀形成。因而，能夠對大面積的基板23均等地噴霧經霧化的原料溶液。
進一步，載置部24或噴霧噴射頭部100係能夠在水平方向移動。因而，即便對大面積的基板23的全面，使用本實施形態之成膜裝置(噴霧噴射頭部100)之成膜處理亦為可行。
例如，藉由邊使噴霧噴射頭部100邊在X方向移動邊藉由成膜裝置進行成膜處理，能夠在基板23的上面上均勻地噴射經霧化的原料溶液等。
又，藉由以狹縫狀形成反應材料噴出口16(17)，能夠對大面積的基板23上面均等地噴霧反應材料。
而且，藉由以狹縫狀形成排氣口18，排氣處理係能夠遍及更廣闊範圍。又，能夠使原料溶液等朝向排氣口18之X方向的流動成為均等。
進一步，藉由以具有耐腐蝕性的材料來構成底板21，能夠容易地再利用進行洗淨處理後的底板21。
而且，實施形態1的噴霧噴射頭部100，惰性氣體噴射部83(第1惰性氣體噴射部)係設置在原料溶液噴射用噴嘴部N1與反應材料噴射用噴嘴部N2之間，惰性氣體噴射部82(第2惰性氣體噴射部)係設置在原料溶液噴出口15與反應材料噴射用噴嘴部N3之間。
上述構成之實施形態1的噴霧噴射頭部100，其特徵為藉由原料溶液噴射用噴嘴部N1、反應材料噴射用噴嘴部N2及N3、以及惰性氣體噴射部82及83之組合，惰性氣體噴出口193及192係設置在原料溶液噴出口15與反應材料噴出口16及17之間。
因此，在實施形態1的成膜裝置，藉由從隔著底板21之惰性氣體噴出口192及193之惰性氣體噴出，能夠減低反應生成物附著在底板21之各自原料溶液用開口部35附近及反應材料用開口部36及37附近。其結果，係達成能夠更簡單地進行底板21的洗淨之效果。
進一步，在實施形態1的成膜裝置，藉由將惰性氣體供給部51至53各自的開口面積，設定為惰性氣體噴出口191至193各自的開口面積以上，亦即，將惰性氣體噴出口191至193各自的開口面積設定為惰性氣體供給部51至53各自的開口面積以下，能夠在惰性氣體噴出口191等與惰性氣體供給部51之間設定壓力差，來達成在成膜時能夠將惰性氣體均勻地擴大至基板23上面上之效果。
而且，在實施形態1的成膜裝置，係將藉由 惰性氣體噴出口192及193將惰性氣體噴出之流量，設定為藉由原料溶液噴出口15噴出原料溶液之流量、及藉由反應材料噴出口16及17噴出反應材料之各自的流量以下。
因此，實施形態1的成膜裝置，藉由惰性氣體的噴出，而能夠抑制阻礙原料溶液與反應材料反應之現象。
進一步，依照實施形態1之成膜裝置的噴霧噴射頭部100，具有原料溶液噴射用噴嘴部N1。而且，原料溶液噴射用噴嘴部N1係在空洞部11內，在從空洞部11的底面拉開距離的位置，在一側面側配設有原料溶液排出部41。
因而，在原料溶液噴射用噴嘴部N1內的空洞部11，即便原料溶液與殘留水分進行反應而生成微粒，該微粒係在空洞部11之從底面至原料溶液排出部41之間的區域被捕捉。亦即，在空洞部11之該區域係作為微粒捕捉的功能，在該區域內將微粒捕獲，而能夠防止被搬運至原料溶液排出部41、通路61及原料溶液噴出口15。因此，亦能夠防止微粒附著在各部分41、61、15(35)且防止產生孔眼堵塞。
又，亦能夠與上述不同，將複數個整流部6的配設省略，但是在原料溶液噴射用噴嘴部N1內的空洞部11係配設有複數個整流部6。
因而，在能夠調整空洞部11內之經霧化的原料溶液的流動，而且在作為微粒捕捉的功能之上述區域 更確實地捕獲微粒。
而且，安裝有複數個整流部6之中最下面的整流部6之側面部，與配設有原料溶液排出部41之側面為相同(雙方均配設在一側面部(左側))。因此，亦能夠防止液滴等在一側面部傳送而被流動至原料溶液排出部41。
又，亦能夠與上述不同，將反應材料噴射用噴嘴部N2及N3的配設省略，但是噴霧噴射頭部100係具有反應材料噴射用噴嘴部N2及N3。因而，能夠促進在大氣中之成膜處理之反應。又，亦能夠成膜形成各式各樣的膜。
進一步，實施形態1的噴霧噴射頭部100，係具有2個反應材料噴射用噴嘴部N2、N3。在此，原料溶液噴射用噴嘴部N1係被反應材料噴射用噴嘴部N2(第1反應材料噴射用噴嘴部)及反應材料噴射用噴嘴部N3(第2反應材料噴射用噴嘴部)，從側面夾住。
因而，在反應空間係能夠噴出不同的反應材料。因此，能夠在基板23上成膜多種膜。又，使相同反應材料從反應材料噴射用噴嘴部N2、N3噴出時，係能夠提升在基板23上形成所需要的膜之成膜速度。
又，反應材料噴射用噴嘴部N2、N3係各自具有溫度調節機構22。因而，例如能夠使停留在反應材料噴射用噴嘴部N2、N3內之液滴蒸發。因此，能夠將該蒸發後的反應材料利用作為使其從反應材料噴射用噴嘴部N2、N3噴射之反應材料。
此外，在原料溶液噴射用噴嘴部N1亦配設有溫度調節機構22。因而，例如能夠維持原料溶液的霧化狀態。亦即，能夠防止從原料溶液噴射用噴嘴部N1所噴射的原料溶液之液滴變大，且防止成為較大液滴的原料溶液滴下至基板23的上面。
又，在基座板部20的底面，係配設有對基板23噴射惰性氣體之複數個惰性氣體噴出口194(第3惰性氣體噴出口)。因而，能夠將在基座板部20的下方所存在的原料溶液等按壓在基板23的上面上。因而，能夠提升原料溶液等的利用效率。
又，基座板部20係具有溫度調節機構22。因而，能夠維持在反應空間之原料溶液等的霧化狀態。又，能夠防止液滴附著在基座板部20。而且，亦能夠謀求促進在基板23上之成膜反應。
又，在噴霧噴射頭部100的框部30或框部30的附近，係配設有對基板23噴射惰性氣體之惰性氣體噴出口191、195。因而，能夠藉由惰性氣體將反應空間圍繞，且能夠抑制原料溶液等從反應空間擴散。
又，反應材料噴射用噴嘴部N2(N3)係在空洞部12(13)內，在從空洞部12的底面拉開距離的位置之一側面側，配設有反應材料排出部42(43)。
因而，反應材料噴射用噴嘴部N2(N3)內的空洞部12(13)，即便反應材料與大氣進行反應而生成微粒，該微粒係在空洞部12之從底面至反應材料排出部 42(43)之間的區域被捕捉。亦即，在空洞部12(13)之該區域係作為微粒捕捉的功能，在該區域內將微粒捕獲，而能夠防止被搬運至反應材料排出部42(43)、通路62(63)及反應材料噴出口16(17)。因此，亦能夠防止微粒附著在各部分42、62、16(36)(43、63、17(37))且防止產生孔眼堵塞。
又，亦能夠與上述不同，將複數個整流部7的配設省略，但是在反應材料噴射用噴嘴部N2(N3)內的空洞部12(13)係配設有複數個整流部7(8)。
因而，能夠調整在空洞部12(13)內之反應材料的流動，而且在作為微粒捕捉的功能之上述區域更確實地捕獲微粒。而且，在空洞部12，安裝有複數個整流部7(8)之中最下面的整流部7(8)之側面部，與配設有反應材料排出部42(43)之側面為相同(雙方均配設在一側面部(左側的側面部))。因此，亦能夠防止液滴等在一側面部傳送而被流動至反應材料排出部42(43)。
又，亦能夠與上述不同，將排氣用噴嘴部N4的配設省略，但是噴霧噴射頭部100係具有排氣用噴嘴部N4。因而，能夠製造出往排氣用噴嘴部N4移動之原料溶液及反應材料的流動。藉此，能夠防止在反應空間之原料溶液等的流動產生混亂且能夠提升經成膜的膜之膜質。又，能夠抑制原料溶液等從反應空間擴散至外側。
又，在排氣處理，能夠以滿足{排氣流量Q4≧原料溶液的噴出流量Q1+反應材料的噴出流量Q2+Q3}的方式控制流量。因而，能夠使被噴射至反應空間內之原 料溶液及二種反應材料在反應空間內的上述流動更確實。又，能夠確實地防止原料溶液及二種反應材料從反應空間擴散至外側。
又，反應材料噴射用噴嘴部N3、原料溶液噴射用噴嘴部N1、反應材料噴射用噴嘴部N2及排氣用噴嘴部N4係排列而配置在X方向(水平方向)，至少排氣用噴嘴部N4，係位於噴霧噴射頭部100的最外側。
因而，在反應空間，原料溶液及二種反應材料係移動至噴霧噴射頭部100的最外側。因而，原料溶液及反應材料與基板23接觸之區域成為最大，而且能夠使在反應空間之未反應的原料溶液等最小化。
又，排氣用噴嘴部N4，係在空洞部14內之從空洞部14的底面拉開距離的位置，於另一側面側配設有排氣物導入部44。
因而，從排氣物導入部44被引進空洞部14內之排氣物在空洞部14之從底面至排氣物導入部44為止之間的區域被捕捉。亦即，在空洞部14之該區域係作為微粒捕捉的功能，在該區域內係將粒徑較大的排氣物捕獲，而能夠比排氣物出口部4更先防止粒徑較大的排氣物流動。藉此，能夠使配設在排氣泵之過濾器的壽命增長。
又，亦能夠與上述不同，將複數個整流部9的配設省略，但是在排氣用噴嘴部N4內的空洞部14係配設有複數個整流部9。
因而，能夠更確實地比排氣物出口部4更先 防止粒徑較大的排氣物流動。藉此，能夠使配設在排氣泵之過濾器的壽命更增長。
又，噴霧噴射頭部100係具有從基板23側堵塞通風部58之基座板部20。因而，即便使排氣用噴嘴部N4從其它噴嘴部N1至N3分離而配置，亦能夠防止原料溶液等從反應空間流動至通風部58。又，在噴霧噴射頭部100之排氣用噴嘴部N4及其它噴嘴部N1至N3的裝配係變為容易。
又，噴霧噴射頭部100的框部30係往基板23側突出。因而能夠將反應空間圍繞且能夠抑制原料溶液等從反應空間擴散。
<實施形態2>
第5圖係顯示在實施形態2之成膜裝置之噴霧噴射頭部100B的結構之剖面圖。第6圖係顯示第5圖的C-C剖面結構之剖面圖。又，在第6圖，係省略底板21B的圖式。
第7圖係顯示將底板21B卸下後的狀態下之噴霧噴射頭部100B的底面結構之平面圖。第8圖係在將底板21B卸下的狀態下從Y方向觀看基座板部20B之外觀結構等之說明圖。在第8圖，同圖(a)係從左側面(-X方向)觀看噴霧噴射頭部100B之側面圖，(b)係從正面(+Y方向)觀看之正面圖。又，第8圖(a)的D-D剖面結構係成為在第5圖所示之剖面圖。
在實施形態1之噴霧噴射頭部100，係具有 二種反應材料噴射用噴嘴部N2、N3。另一方面，依照實施形態2之噴霧噴射頭部100B，係彙集成為一個反應材料噴射用噴嘴部N3B，從經設置在在反應材料噴射用噴嘴部N3B的底面的反應材料噴出口16B及17B，來實現將第1及第2反應材料噴出之結構。進一步，從經設置在反應材料噴射用噴嘴部N3B的底面的原料溶液噴出口15B來實現將經霧化的原料溶液噴出之結構。而且，在實施形態2的成膜裝置，係在噴霧噴射頭部100B的底面安裝有底板21B來代替底板21。
實施形態1的噴霧噴射頭部100與實施形態2的噴霧噴射頭部100B，主要是反應材料噴射用噴嘴部N2及N3係替換成為反應材料噴射用噴嘴部N3B之點，及原料溶液噴射用噴嘴部N1係替換成為原料溶液噴射用噴嘴部N1B之點為不同。以下，關於實施形態2的噴霧噴射頭部100B，係以與實施形態1的噴霧噴射頭部100不同之構成部分為中心進行說明，與實施形態1同樣的構成部分係附加相同符號而適當地省略說明。
如第5圖所示，噴霧噴射頭部100B係具有反應材料噴射用噴嘴部N3B、原料溶液噴射用噴嘴部N1B、及排氣用噴嘴部N4。如第5圖所示，反應材料噴射用噴嘴部N3B、原料溶液噴射用噴嘴部N1B及排氣用噴嘴部N4係依照該順序沿著X方向(水平方向)排列而配設。
又，原料溶液噴射用噴嘴部N1B的側面係與反應材料噴射用噴嘴部N3B的側面接觸。但是原料溶液 噴射用噴嘴部N1B的側面與排氣用噴嘴部N4的側面之間，係僅以預定距離分離。亦即，反應材料噴射用噴嘴部N3B與原料溶液噴射用噴嘴部N1B係在X方向鄰接著，但是排氣用噴嘴部N4與其它噴嘴部N1、N3B，係在X方向分離而配置。
如上述，反應材料噴射用噴嘴部N3B、原料溶液噴射用噴嘴部N1B及排氣用噴嘴部N4，係在X方向(水平方向)排列而配置。在此，至少排氣用噴嘴部N4係位於噴霧噴射頭部100B的最外側(在第5圖為右端(+X方向側))。
噴霧噴射頭部100B係對被載置部24以預定溫度加熱之基板23的上面，噴射經霧化的原料溶液等。藉此，在基板23的上面成膜所需要的膜。又，在成膜處理時，載置部24係在水平方向(XY平面內)移動。或者噴霧噴射頭部100B係在該水平方向移動。
(原料溶液噴射用噴嘴部N1B及反應材料噴射用噴嘴部N3B)
以下，針對原料溶液噴射用噴嘴部N1B及反應材料噴射用噴嘴部N3B的結構進行說明。
原料溶液噴射用噴嘴部N1B，係將經霧化的原料溶液，從經形成在反應材料噴射用噴嘴部N3B底面的原料溶液噴出口15B經由底板21B的原料溶液用開口部35B而噴射之噴嘴。原料溶液噴射用噴嘴部N1B，係在內 部形成有空洞部11(一方的空洞部)及空洞部12B(另一方的空洞部)。又，在原料溶液噴射用噴嘴部N1B的上面，係與實施形態1的原料溶液噴射用噴嘴部N1同樣，配設有原料溶液供給部1。
又，在原料溶液噴射用噴嘴部N1B的空洞部11內，與實施形態1的原料溶液噴射用噴嘴部N1同樣，在一側面部配設有複數個整流部6(第1整流部)。
在複數個整流部6的下方設置有空洞部11。複數個整流部6的上方之小空間，係通過由複數個整流部6所形成的間隙而與空洞部11連接，空洞部11係連接原料溶液排出部41B。
在空洞部11，原料溶液排出部41B係配設在一側面部(在第5圖為左(-X方向)側的側面)。又，原料溶液排出部41B係配設在從原料溶液噴射用噴嘴部N1B(空洞部11)的底面拉開距離的位置。
另一方面，不是在原料溶液噴射用噴嘴部N1B，而是在反應材料噴射用噴嘴部N3B的底面形成有原料溶液噴出口15B。亦即，在實施形態2的噴霧噴射頭部100B，係從經設置在反應材料噴射用噴嘴部N3B的底面之原料溶液噴出口15B，經霧化的原料溶液經由底板21B的原料溶液用開口部35B而對基板23的上面噴出。
而且，反應材料噴射用噴嘴部N3，係在內部配設有通路61B(第1內部通路)。經設置在原料溶液噴射用噴嘴部N1B之原料溶液排出部41B，係經由被設置在反 應材料噴射用噴嘴部N3B的通路61B而與原料溶液噴出口15B連接。
如第7圖所示，噴霧噴射頭部100B的底面係呈現以X方向(第2方向)及Y方向(第1方向)規定的矩形。而且，原料溶液噴出口15B係俯視下呈現將長度方向作為Y方向(第1方向)之屬於細長的開口穴之狹縫狀。此外，原料溶液噴出口15B的開口部的寬度(第7圖的X方向之尺寸)為0.1mm至10mm左右。
在原料溶液噴射用噴嘴部N1B，經霧化的原料溶液係從原料溶液供給部1被供給至空洞部11內。而，該原料溶液係由複數個整流部6整流而充滿複數個整流部6的上方之小空間之後，被引導至空洞部11且在空洞部11充滿。隨後，經霧化的原料溶液係從原料溶液排出部41B經由反應材料噴射用噴嘴部N3B的通路61B，而被引導至原料溶液噴出口15B。然後，經霧化的原料溶液係從原料溶液噴出口15B，經由底板21B的原料溶液用開口部35B而朝向基板23的上面噴出。
進一步，原料溶液噴射用噴嘴部N1B係在空洞部11的下方具有空洞部12B，空洞部12B係如第5圖及第8圖(b)所示，與供給有助於與原料溶液反應的第1反應材料之反應材料供給部2B連接，而空洞部12B係連接有後述的反應材料排出部42B。
在空洞部12B，反應材料排出部42B(第1反應材料排出部)係配設在一側面部(在第5圖為左(-X方向) 側的側面)。又，反應材料排出部42B係配設在從反應材料噴射用噴嘴部N1B(空洞部12B)的底面拉開距離之位置。
另一方面，在反應材料噴射用噴嘴部N3B內，係配設有通路62B(第2內部通路)。而且，設置在原料溶液噴射用噴嘴部N1B之反應材料排出部42B，係經由被設置在反應材料噴射用噴嘴部N3B的通路62B，而與設置在反應材料噴射用噴嘴部N3B的底面之反應材料噴出口16B(第1反應材料噴出口)連接。
另一方面，反應材料噴射用噴嘴部N3B主要是將有助於與原料溶液反應之第2反應材料對基板23噴出之噴嘴。在反應材料噴射用噴嘴部N3B，係在內部形成有一個空洞部13B。如第5圖所示，在反應材料噴射用噴嘴部N3B內，空洞部13B係配設在上方(+Z方向)。具體而言，在反應材料噴射用噴嘴部N3B內，在上部側係設置有一方的空洞部13B。在此，空洞部13B係獨立於其它空間而形成之空間。
如第5圖及第8圖(b)所示，在空洞部13B之Y方向的側面，係配設有反應材料供給部3B。第2反應材料係從反應材料噴射用噴嘴部N3B外經由一方的反應材料供給部3B而被供給至一方的空洞部13B內。
在此，上述的第1及第2反應材料，可為氣體亦可為液體。液體之情形，利用超音波振動等而經霧化的液體(反應材料)係與載體氣體一起通過未圖示的路徑，而被搬運至原料溶液噴射用噴嘴部N1B或反應材料噴射用 噴嘴部N3B內。
從反應材料供給部3B被輸出之第2反應材料，係充滿(被供給至)反應材料噴射用噴嘴部N3B內的空洞部13B。
此外，雖然在第5圖省略圖式，亦可在原料溶液噴射用噴嘴部N1B的空洞部12B及反應材料噴射用噴嘴部N3B的空洞部13B內，配設具有實施形態1已說明的功能/作用(亦即，調整在空洞部12B、13B內之反應材料的流動，即便反應材料與大氣反應且生成微粒，亦促進該微粒在從空洞部12B、13B的底面至反應材料排出部42B、43B為止之間的區域被捕捉之功能/作用)之整流部。
又，在空洞部13B之X方向的側面，係配設有反應材料排出部43。在此，一方的反應材料排出部43係配設在從空洞部13B的底面拉開距離的位置。
在反應材料噴射用噴嘴部N3B的底面，係配設有反應材料噴出口16B及17B。在此，從空洞部12B所供給的第1反應材料係從反應材料噴出口16B經由底板21B的反應材料用開口部36B，從空洞部13B所供給的第2反應材料係從反應材料噴出口17B經由底板21B的反應材料用開口部37B，各自對基板23的上面噴出。
在噴霧噴射頭部100B(在第5圖的結構例為反應材料噴射用噴嘴部N3B)內，係配設有通路62B及通路63。而且，藉由原料溶液噴射用噴嘴部N1B與反應材料噴射用噴嘴部N3B為鄰接配置，反應材料排出部42B係經由 通路62B而與反應材料噴出口16B連接。另一方面，在反應材料噴射用噴嘴部N3B內，反應材料排出部43B係經由通路63而與反應材料噴出口17B連接。
進一步，如第5圖所示，在反應材料噴射用噴嘴部N3B的底面，係配設有對基板23噴出原料溶液之原料溶液噴出口15B。在實施形態2，原料溶液排出部41B與原料溶液噴出口15B連接之通路61B，係配設在反應材料噴射用噴嘴部N3B內。
因而，實施形態2的噴霧噴射頭部100B，係在面對反應材料噴射用噴嘴部N3B的基板23之側，依照以下的順序在X方向(水平方向)配設有反應材料噴出口17B、原料溶液噴出口15B及反應材料噴出口16B。在此，如第7圖所示，各反應材料噴出口17B、16B及原料溶液噴出口15B係呈現俯視下為將長度方向作為Y方向的屬於細長的開口穴之狹縫狀。此外，反應材料噴出口17B、16B及原料溶液噴出口15B開口部的寬度(第7圖的X方向之尺寸為0.1mm至10mm左右。
在原料溶液噴射用噴嘴部N1B，從原料溶液噴射用噴嘴部N1B被排出的反應材料(第1反應材料)係從反應材料供給部2B被供給至空洞部12B內。而且，第1反應材料係充滿空洞部12B之後，從反應材料排出部42B往反應材料噴射用噴嘴部N3B排出。隨後，在反應材料噴射用噴嘴部N3B的內部經由通路62B而被引導至經設置在反應材料噴射用噴嘴部N3B底面的反應材料噴出口16B。 而且，第1反應材料係從一方的反應材料噴出口16B經由底板21B的反應材料用開口部36B而朝向基板23的上面噴出。
另一方面，在反應材料噴射用噴嘴部N3B，反應材料(第2反應材料)係從反應材料供給部3B被供給至空洞部13B內。而且，第2反應材料係充滿空洞部13B之後，從反應材料排出部43經由通路63而被引導至反應材料噴出口17B。
如第5圖及第7圖所示，反應材料噴出口17B、原料溶液噴出口15B、反應材料噴出口16B及排氣口18，係依照該順序而被配置在X方向(水平方向)。
排氣用噴嘴部N4係與其它噴嘴部N3B、N1B在X方向分離而配置。因而，在排氣用噴嘴部N4與其它噴嘴部N3B、N1B之間係產生通風部58。因此，在本實施形態，噴霧噴射頭部100B亦具備有基座板部20B。基座板部20B，亦是藉由被配置在從反應材料噴射用噴嘴部N3B底面下至排氣用噴嘴部N4的底面下，而從基板23配置側將通風部58堵塞(參照第5圖、第7圖及第8圖(b))。
此外，在本實施形態之基座板部20B，亦是以能夠對基板23噴射惰性氣體之方式，與實施形態1同樣地設置有惰性氣體供給部54、通路74、及複數個惰性氣體噴出口194。進一步，在實施形態2的基座板部20B係與實施形態1同樣地配設有溫度調節機構22。
又，在實施形態2，亦在反應材料噴射用噴 嘴部N3B內配設有溫度調節機構22。又，在噴霧噴射頭部100B，對原料溶液噴射用噴嘴部N1B之溫度調整，係由在基座板部20B所配設之溫度調節機構22的一部分進行。
此外，在實施形態2，噴霧噴射頭部100B係在面對基板23之側(底面)亦具有框部30。進一步，如第5圖所示，與實施形態1同樣地，在實施形態2之噴霧噴射頭部100B，亦設置有惰性氣體噴射部81的惰性氣體供給部51、通路71及惰性氣體噴出口191和惰性氣體供給部55、通路75及惰性氣體噴出口195。
在反應空間，噴射經霧化的原料溶液及反應材料時，在被加熱之基板23上，原料溶液與反應材料反應而在基板23的上面成膜所需要的膜。又，反應空間內的反應殘渣等，係藉由排氣用噴嘴部N4而被從反應空間排除。
(惰性氣體噴出口192B及193B等)
在實施形態2的噴霧噴射頭部100B之端部(第5圖的-X方向側端部)，與實施形態1同樣地，惰性氣體噴射部81係配設在框部30或鄰接框部30之區域。進一步，在噴霧噴射頭部100B的反應材料噴射用噴嘴部N3B的內部形成有惰性氣體噴射部82B及83B。
惰性氣體噴射部81主要是由惰性氣體供給部51、通路71及惰性氣體噴出口191所構成；惰性氣體噴射部82B主要是由惰性氣體供給部52B、通路72B及惰 性氣體噴出口192B所構成；而惰性氣體噴射部83B主要是由惰性氣體供給部53B、通路73B及惰性氣體噴出口193B所構成。
如第5圖所示，在反應材料噴射用噴嘴部N3B內，惰性氣體噴射部82B係配設在空洞部13B的下方，惰性氣體噴射部83B的主要部(惰性氣體供給部53B附近的通路73B)係形成在惰性氣體噴射部82B的主要部(惰性氣體供給部52B附近的通路72B)的下方。在此，惰性氣體噴射部82B及83B係各自獨立於其它空間而形成之空間。
如第5圖、第6圖及第8圖(b)所示，在惰性氣體噴射部82B及83B之Y方向的側面，係配設有惰性氣體供給部52B及53B。惰性氣體供給部52B及53B，係經由在反應材料噴射用噴嘴部N3B內所形成之通路72B及73B而連接至被形成在反應材料噴射用噴嘴部N3B底面之惰性氣體噴出口192B及193B。
如第5圖及第6圖所示，在惰性氣體噴射部82B及83B，從外部被導入至惰性氣體供給部52B及53B之惰性氣體，係經由通路72B及73B而被引導至在被形成在噴霧噴射頭部100B底面之惰性氣體噴出口192B及193B，而且經由底板21B的惰性氣體用開口部392B及393B而被噴出。
惰性氣體供給部51、52B及53B係連通至惰性氣體噴出口191、192B及193B，但是惰性氣體供給部51、52B及53B各自的開口面積，較佳是設定為惰性氣體 噴出口191、192B及193B各自的開口面積以上。
進一步，藉由惰性氣體噴出口191、192B及193B噴出之惰性氣體的流量，較佳是設定為藉由原料溶液噴出口15B噴出的原料溶液之流量及藉由反應材料噴出口16B及17B噴出的反應材料之各自的流量以下。
進一步，如第6圖所示，與實施形態1同樣地，被導入至在Y方向兩端部所設置的2個惰性氣體供給部55之惰性氣體，係各自經由通路75，如第7圖所示，從被形成在噴霧噴射頭部100B底面的2個惰性氣體噴出口195被噴出。
如此，惰性氣體噴出口195，係配設在上述的框部30或鄰接框部30之區域。
藉由上述的構成，經由惰性氣體噴射部81、82B及83B的惰性氣體供給部51、52B及53B以及惰性氣體供給部55而從噴霧噴射頭部100B的外部被送來的惰性氣體，係被供給至噴霧噴射頭部100B內。通路71、72B及73B以及通路75係配設在噴霧噴射頭部100B內，該被供給的惰性氣體，係在通路71、72B及73B以及通路75內傳送。惰性氣體噴出口191、192B及193B以及惰性氣體噴出口195，係配設在噴霧噴射頭部100B的底面(面對基板23之側)，惰性氣體係惰性氣體噴出口191、192B及193B以及惰性氣體噴出口195(在惰性氣體噴出口192B及193B係經由惰性氣體用開口部392B及393B)，朝向基板23的上面噴射。
排氣用噴嘴部N4係與其它噴嘴部N1B及N3B在X方向分離而配置。因而，在排氣用噴嘴部N4與其它噴嘴部N1B及N3B之間，係產生通風部58。因此，噴霧噴射頭部100B係具備基座板部20B。基座板部20B係從基板23配置側將通風部58堵塞(參照第5圖、第7圖、第8圖(b))。
如第5圖、第7圖及第8圖(b)所示，在實施形態2的噴霧噴射頭部100B之基座板部20B，係配置有惰性氣體供給部54(參照第8圖(b))、通路74(參照第5圖、第7圖)、及複數個惰性氣體噴出口194。
在基座板部20B，經由惰性氣體供給部54而從噴霧噴射頭部100B的外部送來的惰性氣體，係被供給至基座板部20B。通路74係被配設在基座板部20B內，該被供給的惰性氣體，係被傳送至通路74內。複數個惰性氣體噴出口194係被設置在基座板部20B的底面(面對基板23之側)，惰性氣體從複數個惰性氣體噴出口194經由底板21B的惰性氣體用開口部394而朝向基板23的上面噴射。
如第7圖所示，惰性氣體噴出口191至194(191、192B、193B及194)係各自俯視下將長度方向作為Y方向(第1方向)之屬於細長的開口穴之狹縫狀。另一方面，惰性氣體噴出口195係俯視下以長度方向作為X方向(第2方向)之屬於細長的開口穴之狹縫狀。此外，惰性氣體噴出口191至195各自的開口部寬度(惰性氣體噴出口191至194係第6圖的X方向之尺寸，惰性氣體噴出口195 係第6圖的Y方向側之尺寸)為0.1mm至10mm左右。
而且，如第5圖及第7圖所示，在反應材料噴射用噴嘴部N3B的底面，惰性氣體噴出口192B係被設置在原料溶液噴出口15B與反應材料噴出口17B之間；惰性氣體噴出口193B係被設置在原料溶液噴出口15B與反應材料噴出口16B之間。亦即，在實施形態2的噴霧噴射頭部100B之底面，惰性氣體噴出口192B及193B之特徵為設置在原料溶液噴出口15B與反應材料噴出口17B及16B之間。
又，在實施形態2的噴霧噴射頭部100B，係以反應材料噴射用噴嘴部N3B的底面及基座板部20B的底面成為同一面之方式構成。因而，原料溶液噴出口15B、反應材料噴出口16B及17B、及惰性氣體噴出口192B、193B及194係設置在噴霧噴射頭部100之同一面的底面。
(底板21B)
實施形態2的成膜裝置，其特徵為在噴霧噴射頭部100B的底面具備能夠卸下地設置之底板21B。此時，底板21B係以不妨礙藉由成膜裝置實行成膜處理之態樣被安裝在噴霧噴射頭部100B的底面。
此外，底板21B的厚度，係例如設定為1.0至1.5mm左右，將底板21B安裝在噴霧噴射頭部100的底面係考慮螺絲固定等。
具體而言，係如第5圖所示，底板21B係 安裝在噴霧噴射頭部100B的底面時，在對應原料溶液噴出口15B、反應材料噴出口16B及17B、以及惰性氣體噴出口192B至194(192B、193B及194)之區域，係具有原料溶液用開口部35B、反應材料用開口部36B及37B以及惰性氣體用開口部392B至394(392B、393B及394)。
原料溶液用開口部35B係在對應原料溶液噴出口15B之區域，以俯視下將長度方向作為Y方向(第1方向)之屬於細長的開口穴之狹縫狀形成。亦即，在安裝底板21B時係以與原料溶液噴出口15B俯視一致且相同形狀，來形成原料溶液用開口部35B
反應材料用開口部36B及37B係在各自對應反應材料噴出口16B及17B之區域，以俯視下將長度方向作為Y方向(第1方向)之屬於細長的開口穴之狹縫狀形成。亦即，在安裝底板21B時，反應材料用開口部36B及37B係以與反應材料噴出口16B及17B俯視一致的相同形狀形成。
惰性氣體用開口部392B至394係在各自對應惰性氣體噴出口192B至194之區域，以俯視下將長度方向作為Y方向(第1方向)之屬於細長的開口穴之狹縫狀形成。亦即，在安裝底板21B時，惰性氣體用開口部392B至394係以與惰性氣體噴出口192B至194俯視一致的相同形狀形成。
因而，在安裝底板21B時，有關於原料溶液噴出口15B、反應材料噴出口16B及17B、以及惰性氣 體噴出口192B至194，藉由實施形態2的成膜裝置之成膜處理，係不受到底板21B影響。
又，因為排氣口18、惰性氣體噴出口191及195係設置在噴霧噴射頭部100B的最外側，所以在底板21B安裝在噴霧噴射頭部100B的底面時，不會將排氣口18、惰性氣體噴出口191及195覆蓋，而配置在排氣口18等的附近。
如上述，在第7圖所示之噴霧噴射頭部100B的底面之框部30內，不會覆蓋排氣口18及惰性氣體噴出口191，而在從排氣口18附近至惰性氣體噴出口191附近形成底板21B。
因而，在安裝底板21B時，有關於排氣口18、惰性氣體噴出口191及195，藉由實施形態2的成膜裝置之成膜處理，係不受到底板21B影響。如此，底板21B係以不妨礙藉由成膜裝置實行成膜處理之態樣，被安裝在噴霧噴射頭部100B的底面。
又，底板21B係與實施形態1的底板21同樣地，由具有耐腐蝕性之材料所構成。
(效果等)
實施形態2的成膜裝置，藉由在噴霧噴射頭部100B的底面設置能夠卸下的底板21B，藉由洗淨底板21B而能夠簡單地除去附著在底板21B之反應生成物。
而且，預先準備複數個底板21B，藉由在進 行將複數個底板21B之中一個底板洗淨之期間，利用洗淨完畢的其它底板，而能夠達成邊洗淨一個底板邊繼續使用成膜裝置之效果。
進一步，實施形態2的成膜裝置，係藉由在底板21B設置原料溶液用開口部35B、反應材料用開口部36B及37B、以及惰性氣體用開口部392B至394，在安裝底板21B時，不會防礙成膜處理，而能夠簡單地除去附著在底板21B之反應生成物。
又，在將底板21B安裝噴霧噴射頭部100B的底面時，因為以不會覆蓋排氣口18、惰性氣體噴出口191及195之方式配置，所以安裝底板21B時不會對包含排氣處理之成膜處理造成影響。
又，在實施形態2的噴霧噴射頭部100B之底面所形成的原料溶液噴出口15B、反應材料噴出口16B及17B、以及惰性氣體噴出口191至194，係形成為將第1方向(Y方向)作為長度方向的狹縫狀。而且，底板21B的原料溶液用開口部35B、反應材料用開口部36B及37B、以及惰性氣體用開口部392B至394，安裝在底板21B的噴霧噴射頭部100B之底面時，係以與原料溶液噴出口15B、反應材料噴出口16B及17B、以及惰性氣體噴出口192B至194俯視一致的相同形狀形成。因而，實施形態2的成膜處理係與實施形態1同樣地，對大面積的基板23，達成能夠均等地噴霧經霧化的原料溶液等的效果。
進一步，藉由使用具有耐腐蝕性的材料構 成底板21B，能夠容易地再利用進行洗淨處理後的底板21B。
在實施形態2的噴霧噴射頭部100B，原料溶液噴射用噴嘴部N1B，係具有能夠將經霧化的原料溶液及第1反應材料(從反應材料供給部2B所供給的反應材料)，往反應材料噴射用噴嘴部N3B排出之原料溶液排出部41B及42B。
另一方面，反應材料噴射用噴嘴部N3B係從惰性氣體噴出口193B及192B(第1及第2惰性氣體噴出口)各自噴出惰性氣體，從反應材料噴出口17B(第2反應材料噴出口)經由底板21B的反應材料用開口部37B噴出第2反應材料(由反應材料供給部3B所供給的反應材料)。
進一步，反應材料噴射用噴嘴部N3B，係在內部具有將從原料溶液噴射用噴嘴部N1B的原料溶液排出部41B及42B所排出的原料溶液及上述第1反應材料，引導至原料溶液噴出口15B及反應材料噴出口16B(第1前述反應材料噴出口)之通路61B及62B(第1及第2內部通路)。
上述構成的實施形態2的噴霧噴射頭部100B，其特徵為藉由原料溶液噴射用噴嘴部N1B及反應材料噴射用噴嘴部N3B的組合結構，惰性氣體噴出口193B及192B係被設置在原料溶液噴出口15B與反應材料噴出口16B及17B之間。
因此，在實施形態2的成膜裝置，係與實施形態1同樣地，能夠減低反應生成物各自附著在原料溶液 用開口部35B附近以及反應材料用開口部36B及37B附近。其結果，達成能夠更簡單地進行洗淨底板21B之效果。
進一步，在實施形態2的成膜裝置，藉由將惰性氣體供給部51、52B及53B各自的開口面積設定為惰性氣體噴出口191、192B及193B各自的開口面積以上，亦即將惰性氣體噴出口191、192B及193B各自的開口面積設定為惰性氣體供給部51、52B及53B各自的開口面積以下，能夠在惰性氣體噴出口191、192B及193B與惰性氣體供給部51、52B及53B之間設定壓力差，來達成在成膜時能夠使惰性氣體在基板23上面上均勻地擴大之效果。
而且，在實施形態2的成膜裝置，係將藉由惰性氣體噴出口191、192B及193B噴出惰性氣體之流量，設定為將藉由原料溶液噴出口15B噴出原料溶液之流量及將藉由反應材料噴出口16B及17B噴出反應材料之各自的流量以下。
因此，實施形態2的成膜裝置，係能夠藉由惰性氣體的噴出，而抑制阻礙原料溶液與反應材料反應之現象。
而且，實施形態2的成膜裝置，係在達成與實施形態1的成膜裝置同樣的效果之同時，達成以下的效果。
實施形態2之噴霧噴射頭部100B，係在一個原料溶液噴射用噴嘴部N1B中，設置2個空洞部11、12B，而且從一個反應材料噴射用噴嘴部N3B將2種類的 反應材料及2種惰性氣體朝向基板23噴射。
因而，在使2種類的反應材料噴射時，係如在實施形態2所說明，不必在噴霧噴射頭部100B設置2個反應材料噴射用噴嘴部N2、N3。亦即，在本實施形態之噴霧噴射頭部100B，係能夠節省空間化。
進一步，實施形態2之噴霧噴射頭部100B，由於在一個反應材料噴射用噴嘴部N3B內設置有惰性氣體噴射部82B及83B，不必如實施形態1的噴霧噴射頭部100獨立地設置惰性氣體噴射部82及83，所以噴霧噴射頭部100B係能夠節省空間化。
而且，噴霧噴射頭部100B係與實施形態1同樣地，具有從基板23側堵塞通風部58之基座板部20B。因而，即便使排氣用噴嘴部N4從其它噴嘴部N1B及N3B分離而配置，亦能夠防止原料溶液等從反應空間往通風部58流動。又，在噴霧噴射頭部100B之排氣用噴嘴部N4，以及其它噴嘴部N1B及N3B的裝配係變為容易。
<其它>
此外，在上述的實施形態，底板21(底板21B)係以不覆蓋排氣口18、惰性氣體噴出口191及195(以下，略記為「排氣口18等」)之方式形成，但是排氣口18等係形成比噴霧噴射頭部100(100B)的最外側更靠近內側時，亦可以將排氣口18等覆蓋且在與排氣口18等對應的區域設置開口部。
又，在上述的實施形態，安裝底板21(21B)時，係將原料溶液用開口部35(35B)、反應材料用開口部36(36B)及37(37B)、惰性氣體用開口部392至394(392B至394)，以與原料溶液噴出口15(15B)、反應材料噴出口16(16B)及17(17B)以及惰性氣體噴出口192至194(192B至194)俯視一致的相同形狀形成。但是，在原料溶液用開口部35等與原料溶液噴出口15等之關係，即便產生稍微的位置偏移及形狀大小，只要不妨礙藉由成膜裝置實行成膜處理之態樣即可。
此外，在上述的實施形態，係顯示從反應材料噴出口16及17(16B及17B)將第1及第2反應材料噴出至基板23之結構，但是亦可為使單一反應材料從單一反應材料噴出口噴出之結構。此時，在原料溶液噴出口15(15B)與單一反應材料噴出之間，設置單一惰性氣體噴出口(相對於惰性氣體噴出口192及193(192B及193B)之惰性氣體噴出口)時，能夠發揮確實地避免原料溶液噴出口15(15B)及單一反應材料噴出口各自產生孔眼堵塞之效果。
雖然已詳細地說明本發明，上述的說明係全部的態樣之例示，本發明係不被該等所限定者。應理解在未從本發明的範圍脫離而能夠設想出無數未被例示的變形例。
1‧‧‧原料溶液供給部
2、3‧‧‧反應材料供給部
4‧‧‧排氣物出口部
6至9‧‧‧整流部
11至14‧‧‧空洞部
15‧‧‧原料溶液噴出口
16、17‧‧‧反應材料噴出口
18‧‧‧排氣口
20‧‧‧基座板部
21‧‧‧底板
22‧‧‧溫度調節機構
23‧‧‧基板
24‧‧‧載置部
30‧‧‧框部
35‧‧‧原料溶液用開口部
36、37‧‧‧反應材料用開口部
41‧‧‧原料溶液排出部
42、43‧‧‧反應材料排出部
44‧‧‧排氣物導入部
51至53‧‧‧惰性氣體供給部
58‧‧‧通風部
61至64、71至74‧‧‧通路
81至83‧‧‧惰性氣體噴射部
100‧‧‧噴霧噴射頭部
191至194‧‧‧惰性氣體噴出口
392至394‧‧‧惰性氣體用開口部
N1‧‧‧原料溶液噴射用噴嘴部
N2、N3‧‧‧反應材料噴射用噴嘴部
N4‧‧‧排氣用噴嘴部

Claims (15)

  1. 一種成膜裝置，係藉由噴射經霧化的原料溶液到大氣中，而對基板(23)實行形成膜的成膜處理之成膜裝置，具備有：載置部(24)，其係載置前述基板；噴霧噴射頭部(100、100B)，其與前述載置部所載置的前述基板的上面相對向地設置，在底面具有原料溶液噴出口(15、15B)及排氣口(18)，而且從前述原料溶液噴出口噴射前述原料溶液且從前述排氣口進行排氣處理；及底板(21、21B)，係能夠卸下地設置在前述噴霧噴射頭部的底面；前述底板係以不防礙前述成膜處理的實行之態樣被安裝在前述噴霧噴射頭部的底面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之成膜裝置，其中前述噴霧噴射頭部係在底面進一步具有反應材料噴出口(16、17、16B、17B)及惰性氣體噴出口(192至194、192B、193B)，並從前述反應材料噴出口噴射有助於與前述原料溶液反應之反應材料，從前述惰性氣體噴出口噴射惰性氣體，前述底板係安裝在前述噴霧噴射頭部的底面時，具有原料溶液用開口部(35、35B)、反應材料用開口部(36、37、36B、37B)及惰性氣體用開口部(392至394、392B、393B)，該等係形成在對應於前述原料溶液噴出口、前述反應材料噴出口及前述惰性氣體噴出口之區 域。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之成膜裝置，其中前述排氣口係設置在前述噴霧噴射頭部的最外側，前述底板安裝在前述噴霧噴射頭部的底面時，係以不將前述排氣口覆蓋之方式配置。
  4. 如申請專利範圍第2或3項所述之成膜裝置，其中前述噴霧噴射頭部的底面係呈現由第1及第2方向所規定之矩形，前述原料溶液噴出口、前述反應材料噴出口、及前述惰性氣體噴出口係俯視下各自形成將前述第1方向作為長度方向的狹縫狀，在前述底板安裝在前述噴霧噴射頭部的底面時，前述原料溶液用開口部、前述反應材料用開口部及前述惰性氣體用開口部，係以與前述原料溶液噴出口、前述反應材料噴出口、及前述惰性氣體噴出口俯視一致的相同形狀形成。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之成膜裝置，其中前述底板係由具有耐腐蝕性之材料所構成。
  6. 如申請專利範圍第2或3項所述之成膜裝置，其中前述噴霧噴射頭部係具備從前述原料溶液噴出口進行前述原料溶液噴射之原料溶液噴射用噴嘴部(N1、N1B)，前述原料溶液噴射用噴嘴部係包含：第1空洞部(11)；原料溶液供給部(1)，其係將被霧化的前述原料溶 液供給至前述第1空洞部內；原料溶液排出部(41、41B)，其係位於從前述第1空洞部的底面拉開距離的位置，設置在前述第1空洞部內的側面且連接有前述原料溶液噴出口；及第1整流部(6)，其係配設在前述第1空洞部內，用以調整前述原料溶液的流動。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之成膜裝置，其中前述噴霧噴射頭部係進一步具備反應材料噴射用噴嘴部(N2、N3、N3B)，該反應材料噴射用噴嘴部係以沿著與前述原料溶液噴射用噴嘴部成水平方向的方式配設，用以噴射前述反應材料。
  8. 如申請專利範圍第2項所述之成膜裝置，其中前述惰性氣體噴出口係包含第1及第2惰性氣體噴出口(193、192、193B、192B)，前述反應材料係包含第1及第2反應材料，前述反應材料噴出口係包含用以噴出前述第1及第2反應材料之第1及第2反應材料噴出口(16、17、16B、17B)，前述噴霧噴射頭部係具備：原料溶液噴射用噴嘴部(N1)，其係從設置在底面之前述原料溶液噴出口，來噴射前述原料溶液；第1及第2反應材料噴射用噴嘴部(N2、N3)，其係以夾著前述原料溶液噴射用噴嘴部之方式配設，並從設置在底面之前述第1及第2反應材料噴出口，來噴射前述第1及第2反應材料；及 第1及第2惰性氣體噴射部(83、82)，其係從設置在底面之前述第1及第2惰性氣體噴出口，來噴射惰性氣體；前述第1惰性氣體噴射部，係設置在前述原料溶液噴射用噴嘴部前述第1反應材料噴射用噴嘴部之間，前述第2惰性氣體噴射部係設置在前述原料溶液噴射用噴嘴部與前述第2反應材料噴射用噴嘴部之間。
  9. 如申請專利範圍第2項所述之成膜裝置，其中前述惰性氣體噴出口係包含第1及第2惰性氣體噴出口(193、192、193B、192B)，前述反應材料係包含第1及第2反應材料，前述反應材料噴出口係包含用以噴出前述第1及第2反應材料之第1及第2反應材料噴出口(16、17、16B、17B)，前述噴霧噴射頭部係具備：原料溶液噴射用噴嘴部(N1B)，其除了噴射前述原料溶液以外，亦進行前述第1反應材料噴射；及反應材料噴射用噴嘴部(N3B)，其係以鄰接前述原料溶液噴射用噴嘴部而配設，在底面具有前述原料溶液噴出口、前述第1及第2反應材料噴出口、以及前述第1及第2惰性氣體噴出口；前述原料溶液噴射用噴嘴部係具有能夠排出前述原料溶液及前述第1反應材料至前述反應材料噴射用噴嘴部之原料溶液排出部及第1反應材料排出部(41B、42B)； 前述反應材料噴射用噴嘴部係具有第1及第2內部通路(61B、63B)，其係從前述第1及第2惰性氣體噴出口各自噴出惰性氣體，並從前述第2反應材料噴出口噴出前述第2反應材料，並且引導從前述原料溶液噴射用噴嘴部的前述原料溶液排出部及前述第1反應材料排出部所排出之前述原料溶液及前述第1反應材料至前述原料溶液噴出口及第1前述反應材料噴出口。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之成膜裝置，其中前述反應材料噴射用噴嘴部係具有：第2空洞部(12、13、13B)；反應材料供給部(2、3、3B)，其係供給前述反應材料至前述第2空洞部內；反應材料排出部(42、42B、43)，其係位於從前述第2空洞部的底面拉開距離的位置，設置在前述第2空洞部內的側面且連接有前述反應材料噴出口。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之成膜裝置，其中前述噴霧噴射頭部進一步具備從排氣口進行排氣處理之排氣用噴嘴部(N4)，前述排氣用噴嘴部係以前述原料溶液噴射用噴嘴部噴出前述原料溶液之流量、與前述反應材料噴射用噴嘴部噴出前述反應材料之流量之和以上的流量，進行前述排氣處理。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之成膜裝置，其中前述排 氣用噴嘴部係包含：第3空洞部(14)；排氣物導入部(44)，其係位於從前述第3空洞部的底面拉開距離的位置，設置在前述第3空洞部內的側面且連接有前述排氣口連接；及排氣物出口部(4)，其係配設在比前述排氣物導入部更上方，來將排氣物從前述第3空洞部往前述排氣用噴嘴部外排出。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之成膜裝置，其中前述噴霧噴射頭部係進一步具備：通風部(58)，其係設置在前述原料溶液噴射用噴嘴部與前述排氣用噴嘴部之間；及基座板部(20、20B)，其係從前述基板的配置側堵塞前述通風部。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之成膜裝置，其中前述基座板部係配設有噴出惰性氣體之第3惰性氣體口(194)。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之成膜裝置，其中前述原料溶液噴射用噴嘴部、前述反應材料噴射用噴嘴部及前述排氣用噴嘴部，係在水平方向排列而配置，至少前述排氣用噴嘴部係位於前述噴霧噴射頭部的最外側。
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