TWI564084B - 成膜裝置 - Google Patents

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TWI564084B
TWI564084B TW104100218A TW104100218A TWI564084B TW I564084 B TWI564084 B TW I564084B TW 104100218 A TW104100218 A TW 104100218A TW 104100218 A TW104100218 A TW 104100218A TW I564084 B TWI564084 B TW I564084B
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白幡孝洋
織田容征
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東芝三菱電機產業系統股份有限公司
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Description

成膜裝置
本發明係關於在基板上形成膜之成膜裝置。
在基板上形成膜之方法，有化學氣相沉積(CVD)法。然而，化學氣相沉積法必須在真空下成膜，除了真空幫浦等之外，還必須使用大型的真空容器。此外，化學氣相沉積法還有若基於成本的觀點等而要採用大面積的基板來作為要形成膜之基板會有困難之問題。因此，可在大氣壓下進行成膜處理之噴霧(mist)法很受矚目。
與採用噴霧法之成膜裝置等有關之先前技術，有例如專利文獻1中揭示之技術。
專利文獻1中揭示之技術，係從噴霧用噴嘴對著配置在大氣中之基板噴射霧化的原料溶液。藉由該噴射，在基板上形成預定的膜。
[先前技術文獻] (專利文獻)
專利文獻1：國際公開第2013/038484號
然而，專利文獻1中揭示之噴霧用噴嘴卻有如下所述之問題。亦即，在噴霧用噴嘴內的空間中，霧化的溶液會與殘留水分反應而產生粒子，該粒子附著在噴射口附近，而發生噴射口之阻塞。
因此，本發明之目的在提供可防止阻塞發生之具有噴霧用的噴嘴之成膜裝置。
為了達成上述的目的，本發明之成膜裝置係藉由將霧化的原料溶液噴射到大氣中，而在基板形成膜之成膜裝置，具備有：載置部，用以載置前述基板；以及噴霧噴射頭部，用以對載置於前述載置部之基板的上表面噴射前述原料溶液，前述噴霧噴射頭部具有：原料溶液噴射用噴嘴部，用以進行前述原料溶液的噴射；以及原料溶液噴出部，係設於前述噴霧噴射頭部之面向前述基板之側，對前述基板噴出霧化的前述原料溶液，前述原料溶液噴射用噴嘴部具有：第一空洞部；原料溶液供給部，用以將霧化的前述原料溶液供給至前述第一空洞部內；以及原料溶液排出部，係在離開前述第一空洞部的底面之位置，穿設於前述第一空洞部內的側面，且與前述原料溶液噴出部連接。
本發明之成膜裝置係藉由將霧化的原料溶 液噴射到大氣中，而在基板形成膜之成膜裝置，具備有：載置部，用以載置前述基板；以及噴霧噴射頭部，用以對載置於前述載置部之基板的上表面噴射前述原料溶液，前述噴霧噴射頭部具有：原料溶液噴射用噴嘴部，用以進行前述原料溶液的噴射；以及原料溶液噴出部，係設於前述噴霧噴射頭部之面向前述基板之側，對前述基板噴出霧化的前述原料溶液，前述原料溶液噴射用噴嘴部具有：第一空洞部；原料溶液供給部，用以將霧化的前述原料溶液供給至前述第一空洞部內；以及原料溶液排出部，係在離開前述第一空洞部的底面之位置，穿設於前述第一空洞部內的側面，且與前述原料溶液噴出部連接。
因此，即使在原料溶液噴射用噴嘴部內的空洞部中，原料溶液與殘留水分反應而產生粒子，該粒子也會被留(trap)在空洞部的底面到原料溶液排出部之間的區域。因而可防止粒子附著在原料溶液噴出部而發生阻塞之情形。
1‧‧‧原料溶液供給部
2、3、12、13、22、23、62、72、d2、d3‧‧‧空洞部
4、14、24、d4‧‧‧整流部
5‧‧‧原料溶液排出部
6、16、26、44、45、46、66、76、d6‧‧‧通路
7‧‧‧原料溶液噴出部
11、21、61、71‧‧‧反應材料供給部
15、25、65、75‧‧‧反應材料排出部
17、27、67、77‧‧‧反應材料噴出部
8、18、28、80、81‧‧‧溫度調整部
30‧‧‧框部
35‧‧‧通氣部
36‧‧‧底板部
38、40、42‧‧‧噴出部
39、41‧‧‧惰性氣體供給部
90‧‧‧載置部
100‧‧‧噴霧噴射頭部
110‧‧‧基板
d1‧‧‧排氣物出口部
d5‧‧‧排氣物導入部
d7‧‧‧排氣部
N1‧‧‧原料溶液噴射用噴嘴部
N2、N3、NT‧‧‧反應材料噴射用噴嘴部
Nd‧‧‧排氣用噴嘴部
第1圖係顯示實施形態1之噴霧噴射頭部100的構成之放大剖面圖。
第2圖係顯示實施形態1之噴霧噴射頭部100的構成之放大側面圖。
第3圖係顯示從基板110觀看實施形態1之噴霧噴射頭部100所見的樣子之平面圖。
第4圖係顯示實施形態2之噴霧噴射頭部100的構成之放大剖面圖。
第5圖係顯示實施形態2之噴霧噴射頭部100的構成之放大側面圖。
第6圖係顯示從基板110觀看實施形態2之噴霧噴射頭部100所見的樣子之平面圖。
第7圖係顯示實施形態3之噴霧噴射頭部100的構成之放大剖面圖。
以下，根據顯示本發明的各實施形態之圖式來具體說明本發明。
<實施形態1>
第1圖係顯示本實施形態之成膜裝置的主要構成(亦即噴霧噴射頭部100)之斷面圖。第1圖中同時顯示有X-Y-Z座標軸。第2圖係顯示從X方向觀看噴霧噴射頭部100所見的樣子之圖。第2圖中一樣顯示有X-Y-Z座標軸。
成膜裝置係藉由將霧化的原料溶液噴射到大氣中，而在基板110形成膜。亦即，成膜裝置係採用噴霧法(在大氣中進行成膜處理之方法)，在基板110上形成想要的膜。
具體而言，將原料溶液收容於圖中未顯示的容器中，且在該容器中利用超音波振動使原料溶液霧化。然後，通過未圖示的路徑，將霧化的原料溶液與載體氣體(carrier gas)一起輸送至噴霧噴射頭部100。
在也具有加熱器之載置部90上，配置基板110。亦即，載置部90可對基板110進行加熱。然後，在該基板110上方，配置噴霧噴射頭部100。其中，在成膜處理時，噴霧噴射頭部100的下表面與基板110的上表面之間隔，係在0.1mm至50mm之程度。而且，噴霧噴射頭部100及基板110係配置在大氣壓下。此處，將形成於噴霧噴射頭部100的底面與基板110的上表面之間之空間稱為反應空間。
噴霧噴射頭部100對加熱到預定的溫度之基板110的上表面噴射霧化的原料溶液。藉此，在基板110的上表面製成想要的膜。其中，在成膜處理之時，載置台90係沿水平方向(X-Z平面內)移動。或者，噴霧噴射頭部100係沿該水平方向移動。
以下，利用圖式來具體說明噴霧噴射頭部100的構成。
如第1圖所示，噴霧噴射頭部100具有：原料溶液噴射用噴嘴部N1、反應材料噴射用噴嘴部N2、以及排氣用噴嘴部Nd。如第1圖所示，原料溶液噴射用噴嘴部N1、反應材料噴射用噴嘴部N2及排氣用噴嘴部Nd係按上列的順序沿著X方向並排配設。此外，亦可與第1圖不同，按反應材料噴射用噴嘴部N2、原料溶液噴射用噴嘴部N1及排氣用噴嘴部Nd之順序將三個噴嘴部沿著X方向並排配設。
原料溶液噴射用噴嘴部N1的側面與反應材 料噴射用噴嘴部N2的側面係相接觸，但反應材料噴射用噴嘴部N2的側面與排氣用噴嘴部Nd的側面之間卻是分開預定的距離。亦即，原料溶液噴射用噴嘴部N1與反應材料噴射用噴嘴部N2雖在X方向相鄰接，惟排氣用噴嘴部Nd則是與其他的噴嘴部N1、N2在X方向相分開而配置。
如上述，原料溶液噴射用噴嘴部N1、反應材料噴射用噴嘴部N2及排氣用噴嘴部Nd係在水平方向(X方向)並排配置。此處，至少排氣用噴嘴部Nd係位於噴霧噴射頭部100的最外側(第1圖中之右端)。
首先，針對原料溶液噴射用噴嘴部N1的構成進行說明。
原料溶液噴射用噴嘴部N1，係噴射出霧化的原料溶液之噴嘴。原料溶液噴射用噴嘴部N1的內部形成有空洞部(可將之理解為第一空洞部)2、3。另外，原料溶液噴射用噴嘴部N1的上表面配設有原料溶液供給部1。如前面說明過的，在噴霧噴射頭部100的外部，原料溶液係已經霧化。該霧化的原料溶液與載體氣體一起通過未圖示的路徑而輸送至原料溶液供給部1。從原料溶液供給部1輸出之霧化的原料，係充滿(供給至)原料溶液噴射用噴嘴部N1內的空洞部2、3。
在原料溶液噴射用噴嘴部N1的空洞部2、3內，在一方的側面部配設有整流部(可將之理解為第一整流部)4。該整流部4係為整流板，可整流從原料溶液供給部1供給來之霧化的原料溶液在空洞部2、3內之流動。
整流部4係從一方的側面部朝向原料溶液噴射用噴嘴部N1的空洞部2、3內的另一方的側面部延伸。此處，該另一方的側面部係與上述一方的側面部在X方向相對立。整流部4的一方的端部，雖在原料溶液噴射用噴嘴部N1的上部附近安裝至上述一方的側面部，惟整流部4的另一方的端部，則並未與上述另一方的側面部連接，而是在與該另一方的側面部之間形成有小間隙。整流部4係在空洞部2、3內配設成：從一方的端部開始越往另一方的端部越向下傾斜。
藉由該整流部4之配設，將空洞部2、3區分為位於原料溶液噴射用噴嘴部N1的上部之小空間2、以及位於原料溶液噴射用噴嘴部N1的下部之小空間3。小空間2與小空間3係透過形成於整流部4的另一方的端部與上述另一方的側面部之間之間隙而相連接。另外，小空間2係與原料溶液供給部1連接，小空間3係與後述之原料溶液排出部5連接。
原料溶液排出部5係在空洞部2、3(更具體而言係在小空間3)配設於上述一方的側面部。而且，原料溶液排出部5係配設在離開原料溶液噴射用噴嘴部N1(空洞部2、3)的底面之位置。
另一方面，噴霧噴射頭部100係在該噴霧噴射頭部100的底面，亦即噴霧噴射頭部100之面向基板110之側，配設有原料溶液噴出部7。從該原料溶液噴出部7對著基板110噴出霧化的原料溶液。
在噴霧噴射頭部100內，配設有通路6。而且，原料溶液排出部5通過該通路6而與原料溶液噴出部7連接。第3圖係從基板110的配設側觀看噴霧噴射頭部100所見之平面圖。亦即，第3圖係顯示噴霧噴射頭部100的底面構造之平面圖。如第3圖所示，原料溶液噴出部7係為屬於細長開孔之狹縫(slit)狀。該開口部的寬度(第3圖中之X方向的尺寸)係在0.1mm至10mm之程度。
在原料溶液噴射用噴嘴部N1中，霧化的原料溶液係從原料溶液供給部1供給至空洞部2、3內。然後，該原料溶液係在經整流部4予以整流而充滿小空間2後，被導入到小空間3而充滿該小空間3。然後，霧化的原料溶液從原料溶液排出部5經由通路6而導引到原料溶液噴出部7。然後，霧化的原料溶液從原料溶液噴出部7向著基板110的上表面噴出。
接著，針對反應材料噴射用噴嘴部N2的構成進行說明。
反應材料噴射用噴嘴部N2，係對著基板110噴出有助於與原料溶液的反應之反應材料(例如氧化劑)之噴嘴。反應材料噴射用噴嘴部N2的內部形成有空洞部(可將之理解為第二空洞部)12、13。另外，反應材料噴射用噴嘴部N2的上表面配設有反應材料供給部11。反應材料係從反應材料噴射用噴嘴部N2外，經由反應材料供給部11而供給至空洞部12、13內。
此處，反應材料可為氣體亦可為液體。若 為液體，則利用超音波振動等而霧化之液體(反應材料)係與載體氣體一起通過未圖示的路徑而輸送至反應材料噴射用噴嘴部N2內。從反應材料供給部11輸出之反應材料，係充滿(供給至)反應材料噴射用噴嘴部N2內的空洞部12、13。
在反應材料噴射用噴嘴部N2的空洞部12、13內，在一方的側面部配設有整流部(可將之理解為第二整流部)14。該整流部14係為整流板，可整流從反應材料供給部11供給來之反應材料在空洞部12、13內之流動。
整流部14係從一方的側面部朝向反應材料噴射用噴嘴部N2的空洞部12、13內的另一方的側面部延伸。此處，該另一方的側面部係與上述一方的側面部在X方向相對立。整流部14的一方的端部，雖在反應材料噴射用噴嘴部N2的上部附近安裝至上述一方的側面部，惟整流部14的另一方的端部，則並未與上述另一方的側面部連接，而是在與該另一方的側面部之間形成有小間隙。整流部14係在空洞部12、13內配設成：從一方的端部開始越往另一方的端部越向下傾斜。
藉由該整流部14之配設，將空洞部12、13區分為位於反應材料噴射用噴嘴部N2的上部之小空間12、以及位於反應材料噴射用噴嘴部N2的下部之小空間13。小空間12與小空間13係透過形成於整流部14的另一方的端部與上述另一方的側面部之間之間隙而相連接。另外，小空間12係與反應材料供給部11連接，小空間13係 與後述之反應材料排出部15連接。
反應材料排出部15係在空洞部12、13(更具體而言係在小空間13)配設於上述一方的側面部。而且，反應材料排出部15係配設在離開反應材料噴射用噴嘴部N2(空洞部12、13)的底面之位置。
另一方面，噴霧噴射頭部100係在該噴霧噴射頭部100的底面，亦即噴霧噴射頭部100之面向基板110之側，配設有反應材料噴出部17。從該反應材料噴出部17對著基板110噴出反應材料。
在噴霧噴射頭部100內，配設有通路16。而且，反應材料排出部15通過該通路16而與反應材料噴出部17連接。如第3圖所示，反應材料噴出部17係為狹縫狀之細長開孔。該開口部的寬度(第3圖中之X方向的尺寸)係在0.1mm至10mm之程度。
在反應材料噴射用噴嘴部N2中，反應材料係從反應材料供給部11供給至空洞部12、13內。然後，該反應材料在經整流部4予以整流而充滿小空間12後，被導入到小空間13而充滿該小空間13。然後，反應材料從反應材料排出部15經由通路16而導引到反應材料噴出部17。然後，反應材料從反應材料噴出部17向著基板110的上表面噴出。
接著，針對排氣用噴嘴部Nd的構成進行說明。
排氣用噴嘴部Nd，係進行排氣處理之噴 嘴。排氣用噴嘴部Nd係以大於等於原料溶液噴射用噴嘴部N1噴出原料溶液的流量(Q1)與反應材料噴射用噴嘴部N2噴出反應材料的流量(Q2)之和之流量(Q3)進行排氣處理。亦即，排氣流量Q3≧原料溶液的噴出流量Q1+反應材料的噴出流量Q2。
排氣用噴嘴部Nd的內部形成有空洞部(可將之理解為第三空洞部)d2、d3。另外，排氣用噴嘴部Nd的上表面配設有排氣物出口部d1。排氣物出口部d1係配設於排氣用噴嘴部Nd的上表面，具體而言，係配設於比後述的排氣物導入部d5還要上方之位置，將排氣物從空洞部d2、d3內排出到排氣用噴嘴部Nd外。
此處，所謂的排氣物，係指來自反應空間之反應殘渣等。排氣物出口部d1係通過未圖示的路徑而與未圖示的排氣幫浦連接。亦即，排氣物係經由排氣物出口部d1及上述路徑，而從排氣用噴嘴部Nd被吸引至上述排氣幫浦。
在排氣用噴嘴部Nd的空洞部d2、d3內，配設有複數個整流部(可將之理解為第三整流部)d4。該整流部d4係為整流板，可整流從後述的排氣物導入部d6導入之排氣物在空洞部d2、d3內之流動。
一部分的整流部d4係安裝在空洞部d2、d3的一方的側面部，其餘的整流部d4係安裝在空洞部d2、d3的另一方的側面部。此處，該另一方的側面部係與上述一方的側面部在X方向相對立。安裝於一方的側面部之整 流部d4係朝向另一方的側面部延伸，安裝於另一方的側面部之整流部d4係朝向一方的側面部延伸。
將整流部d4的一端安裝至一方的側面部時，該整流部d4的另一端係為並未與空洞部d2、d3內的任何部件連接之自由端。將整流部d4的一端安裝至另一方的側面部時，該整流部d4的另一端係為並未與空洞部d2、d3內的任何部件連接之自由端。各整流部d4係在空洞部d2、d3內配設成：從一端部開始越往另一端部越向下傾斜。此處，安裝於一方的側面部之整流部d4、與安裝於另一方的側面部之整流部d4係從排氣用噴嘴部Nd的上方往下方交互地配置。
藉由複數個整流部d4之配設，將排氣用噴嘴部Nd的空洞部d2、d3區分為複數個小空間。其中，鄰接的小空間之間係透過由整流部d4所形成之小間隙而相連接。複數個小空間包含位於排氣用噴嘴部Nd的最上部之小空間d2、以及位於排氣用噴嘴部Nd的最下部之小空間d3。此處，小空間d2係與排氣物出口部d1連接，小空間d3係與後述之排氣物導入部d5連接。
排氣物導入部d5係在空洞部d2、d3(更具體而言係在小空間d3)配設於上述另一方的側面部。而且，排氣物導入部d5係配設在離開排氣用噴嘴部Nd(空洞部d2、d3)的底面之位置。
另一方面，噴霧噴射頭部100係在該噴霧噴射頭部100的底面，亦即噴霧噴射頭部100之面向基板110 之側，配設有排氣部d7。此處，該排氣部d7係對於反應空間進行排氣處理。
在噴霧噴射頭部100內，配設有通路d6。而且，排氣物導入部d5透過該通路d6而與排氣部d7連接。如第3圖所示，排氣部d7係為屬於細長開孔之狹縫狀。該開口部的寬度(第3圖中之X方向的尺寸)係在0.1mm至10mm之程度。
如第1、3圖所示，原料溶液噴出部7、反應材料噴出部17及排氣部d7係按上列的順序沿X方向配置。此外，雖與圖示不同，惟亦可按反應材料噴出部17、原料溶液噴出部7及排氣部d7之順序將三者沿X方向配置。
在排氣用噴嘴部Nd中，係從排氣部d7將反應空間內的排氣物吸引進來。排氣物通過通路d6而到達排氣物導入部d5。從該排氣物導入部d5進入到小空間d3內之排氣物，係經整流部d4加以整流後移動至小空間d2。然後，排氣物通過排氣物出口部d1而排出到排氣用噴嘴部Nd外。
如上所述，排氣用噴嘴部Nd係沿X方向與其他的噴嘴部N1、N2分離而配置。因此，在排氣用噴嘴部Nd與其他的噴嘴部N1、N2之間會產生通氣部35。因而，噴霧噴射頭部100具備有底板部36。底板部36從基板110配置側堵住該通氣部35(參照第1、3圖)。
參照第3圖，噴霧噴射頭部100在面向基板 110之側(底面)具有該噴霧噴射頭部100的框部30。該框部30係噴霧噴射頭部100的底面的邊緣的部分，係以從周圍圍繞之形態鑲框住噴霧噴頭部100的底面內部側之部分。從第1圖可知，該框部30係向基板110側突出。
亦即，利用該框部30將反應空間圍繞起來。但是，框部30的端部與基板110的上表面並不接觸。
當霧化的原料溶液及反應材料噴射至反應空間，原料溶液與反應材料就在經過加熱的基板110上反應，而在該基板110的上表面形成想要的膜。反應空間內的反應殘渣等則是藉由排氣用噴嘴部Nd將之從反應空間中排除掉。
如以上所述，本實施形態之成膜裝置，係具有噴霧噴射頭部100，該噴霧噴射頭部100具有原料溶液噴射用噴嘴部N1。而且，原料溶液噴射用噴嘴部N1係在空洞部2、3內，在離開該空洞部2,3的底面之位置，於一方的側面側配設有原料溶液排出部5。
因此，在原料溶液噴射用噴嘴部N1內的空洞部2、3中，即使原料溶液與殘留水分反應而產生粒子，該粒子也會被留(trap)在小空間3中之從底面到原料溶液排出部5之間的區域。亦即，小空間3中之該區域發揮作為粒子捕集部之機能，將粒子捕捉在該區域內，以防止粒子被輸送到原料溶液排出部5、通路6及原料溶液噴出部7。因此，在各部分5、6、7中可防止粒子附著而發生阻塞之情形。
雖然可與上述不同而省略掉整流部4之配設，但原料溶液噴射用噴嘴部N1內的空洞部2、3中係配設有整流部4。
因此，可整理在空洞部2、3內之霧化的原料溶液之流動，而使作為粒子捕集部的機能之上述區域中的粒子之捕集更加確實。另外，安裝整流部4之側面部與配設有原料溶液排出部5之側面係相同(兩者4、5都配設在一方的側面部)。因此，也可防止液滴等沿著一方的側面部而流到原料溶液排出部5之情形。
又，原料溶液噴出部7係為屬於細長開孔之狹縫狀。因此，可對於大面積的基板110均等地噴灑霧化的原料溶液。
又，雖然可與上述不同而省略反應材料噴射用噴嘴部N2之配設，但噴霧噴頭部100在本實施形態係具有反應材料噴射用噴嘴部N2。因此，可促進在大氣中之成膜處理的反應。而且，亦可形成多種多用之膜。
又，反應材料噴射用噴嘴部N2係在空洞部12、13內，在離開該空洞部12、13的底面之位置，於一方的側面側配設有反應材料排出部15。
因此，即使在反應材料噴射用噴嘴部N2內的空洞部12、13中，反應材料與大氣反應而產生粒子，該粒子也會被留(trap)在小空間13中之從底面到反應材料排出部15之間的區域。亦即，小空間13中之該區域發揮作為粒子捕集部之機能，將粒子捕捉在該區域內，可防止粒 子被輸送到反應材料排出部15、通路16及反應材料噴出部17。因此，在各部分15、16、17中可防止粒子附著而發生阻塞之情形。
雖然亦可與上述不同而省略掉整流部14之配設，但在反應材料噴射用噴嘴部N2內的空洞部12、13中配設有整流部14。
因此，可整理在空洞部12、13內之反應材料之流動，而使作為粒子捕集部的機能之上述區域中的粒子之捕集更加確實。另外，安裝整流部14之側面部與配設有反應材料排出部15之側面係相同(兩者14、15都配設在一方的側面部)。因此，也可防止液滴等沿著一方的側面部而流到反應材料排出部15之情形。
又，反應材料噴出部17係為屬於細長開孔之狹縫狀。因此，可對於大面的基板110均等地噴灑反應材料。
又，雖然可與上述不同而省略排氣用噴嘴部Nd之配設，但噴霧噴射頭部100係具有排氣用噴嘴部Nd。因此，可促成往排氣用噴嘴部Nd移動之原料溶液及反應材料之流動。因此，可防止在反應空間中之原料溶液等的流動之紊亂，可提高形成的膜的膜質。另外，還可抑制原料溶液等從反應空間內往外側擴散。
又，在排氣處理中，排氣流量Q3≧原料溶液的噴出流量Q1+反應材料的噴出流量Q2。因此，可使噴射至反應空間內之原料溶液及反應材料之在反應空間內的 上述流動更加確實。以及，可確實防止原料溶液及反應材料從反應空間內往外側擴散。
又，原料溶液噴射用噴嘴部N1、反應材料噴射用噴嘴部N2及排氣用噴嘴部Nd係在X方向並排配置，且至少排氣用噴嘴部Nd係位於噴霧噴射頭部100的最外側。
因此，在反應空間中，原料溶液及反應材料會移動到噴霧噴射頭部100的最外側。因而，原料溶液及反應材料與基板接觸的區域會為最大，可使反應空間中之原料溶液等的未反應最小化。
又，排氣用噴嘴部Nd係在空洞部d2、d3內，在離開該空洞部d2、d3的底面之位置，於另一方的側面部配設有排氣物導入部d5。
因此，從排氣物導入部d5引入到空洞部d2、d3內之排氣物，會被留(trap)在小空間d3中之從底面到排氣物導入部d5之間的區域。亦即，小空間d3中之該區域發揮作為粒子捕集部之機能，將粒徑較大之排氣物捕捉在該區域內，可防止粒徑較大之排氣物流到超過排氣物出口部d1之位置。因此，可延長配設於排氣幫浦之過濾器(filter)的壽命。
雖然可與上述不同而省略整流部d4之配設，但排氣用噴嘴部Nd內的空洞部d2、d3中係配設有複數個整流部d4。
因此，可更確實防止粒徑較大之排氣物流 到超過排氣物出口部d1之位置。因而，可更延長配設於排氣幫浦之過濾器的壽命。
又，排氣部d7係為屬於細長開孔之狹縫狀。因此，可涵蓋更廣的範圍而進行排氣處理。而且，可使原料溶液等朝向排氣部d7之X方向之流動變得均勻。
又，噴霧噴射頭部100具有從基板110側堵住通氣部35之底板部36。因此，即使使排氣用噴嘴部Nd與其他的噴嘴部N1、N2分離而配置，也可防止原料溶液等從反應空間流到通氣部35。而且，在噴霧噴射頭部100中之排氣用噴嘴部Nd與其他的噴嘴部N1、N2之組裝會變容易。
又，噴霧噴射頭部100的框部30係向基板110側突出。因此，可圍住反應空間，可抑制原料溶液從反應空間擴散。
又，載置部90或噴霧噴射頭部100係可在水平方向移動。因此，即使是對於大面積的基板110的整個面，也可使用本實施形態之成膜裝置(噴霧噴射頭部100)來進行成膜處理。
<實施形態2>
本實施形態中，反應材料噴射用噴嘴部係為兩個。
第4圖係顯示本實施形態之成膜裝置的主要的構成(亦即噴霧噴射頭部100)之剖面圖。第4圖中同時顯示有X-Y-Z座標軸。第5圖係顯示從X方向觀看第4圖所示的噴霧噴射頭部100所見的樣子之圖。第5圖中一樣 顯示有X-Y-Z座標軸。第6圖係顯示從基板110的配設側觀看第4圖所示的噴霧噴射頭部100所見之平面圖。亦即，第6圖係顯示第4圖所示的噴霧噴頭部100的底面構造之平面圖。
以下，利用圖式來具體說明本實施形態之噴霧噴射頭部100的構成。
如第4圖所示，噴霧噴射頭部100具有：反應材料噴射用噴嘴部N3、原料溶液噴射用噴嘴部N1、反應材料噴射用噴嘴部N2、以及排氣用噴嘴部Nd。如第4圖所示，反應材料噴射用噴嘴部N3、原料溶液噴射用噴嘴部N1、反應材料噴射用噴嘴部N2及排氣用噴嘴部Nd係按上列的順序沿著X方向並排配設。亦即，一方的反應材料噴射用噴嘴部N2與另一方的反應材料噴射用噴嘴部N3從側方(自X方向)將原料溶液噴射用噴嘴部N1夾在中間。
原料溶液噴射用噴嘴部N1的側面與反應材料噴射用噴嘴部N2的側面相接觸。原料溶液噴射用噴嘴部N1的側面與反應材料噴射用噴嘴部N3的側面相接觸。但反應材料噴射用噴嘴部N2的側面與排氣用噴嘴部Nd的側面之間卻是分開預定的距離。亦即，反應材料噴射用噴嘴部N3與原料溶液噴射用噴嘴部N1與反應材料噴射用噴嘴部N2係在X方向相鄰接，惟排氣用噴嘴部Nd則是與其他的噴嘴部N1、N2、N3在X方向相分開而配置。
如上述，反應材料噴射用噴嘴部N3、原料溶液噴射用噴嘴部N1、反應材料噴射用噴嘴部N2及排氣 用噴嘴部N係在水平方向(X方向)並排配置。其中，至少排氣用噴嘴部Nd係位於噴霧噴射頭部100的最外側(第4圖中之右端)。
噴霧噴射頭部100對加熱到預定的溫度之基板110的上表面噴射霧化的原料溶液。藉此，在基板110的上表面形成想要的膜。其中，在成膜處理之時，係使載置台90沿水平方向(X-Z平面內)移動，或使噴霧噴射頭部100沿該水平方向移動。
在實施形態1之噴霧噴射頭部100、與本實施形態之噴霧噴射頭部100中，原料溶液噴射用噴嘴部N1、反應材料噴射用噴嘴部N2及排氣用噴嘴部Nd的構成相同。因此，在此將該等部件N1、N2、Nd的構成之說明予以省略。
反應材料噴射用噴嘴部N3的構成係與反應材料噴射用噴嘴部N2的構成相同。
亦即，反應材料噴射用噴嘴部N3，係對著基板110噴射出有助於與原料溶液的反應之反應材料(可與從反應材料噴射用噴嘴部N2噴出的反應材料相同、或不同)之噴嘴。反應材料噴射用噴嘴部N3的內部形成有空洞部(可將之理解為第二空洞部)22、23。另外，反應材料噴射用噴嘴部N3的上表面配設有反應材料供給部21。反應材料係從反應材料噴射用噴嘴部N3外，經由反應材料供給部21而供給至空洞部22、23內。
此處，反應材料可為氣體亦可為液體。若 為液體，則利用超音波振動等而霧化之液體(反應材料)係與載體氣體一起通過未圖示的路徑而輸送至反應材料噴射用噴嘴部N3內。從反應材料供給部21輸出之反應材料，係充滿(供給至)反應材料噴射用噴嘴部N3內的空洞部22、23。
在反應材料噴射用噴嘴部N3的空洞部22、23內，在一方的側面部配設有整流部(可將之理解為第二整流部)24。該整流部24係為整流板，可整理從反應材料供給部21供給來之反應材料在空洞部22、23內之流動。
整流部24係從一方的側面部朝向反應材料噴射用噴嘴部N3的空洞部22、23內的另一方的側面部延伸。此處，該另一方的側面部係與上述一方的側面部在X方向相對立。整流部24的一方的端部，係在反應材料噴射用噴嘴部N3的上部附近安裝至上述一方的側面部，整流部24的另一方的端部，則並未與上述另一方的側面部連接，而是在與該另一方的側面部之間形成有小間隙。整流部24係在空洞部22、23內配設成：從一方的端部開始越往另一方的端部越向下傾斜。
藉由該整流部24之配設，將空洞部22、23區分為位於反應材料噴射用噴嘴部N3的上部之小空間22、以及位於反應材料噴射用噴嘴部N3的下部之小空間23。小空間22與小空間23係透過形成於整流部24的另一方的端部與上述另一方的側面部之間之間隙而相連接。另外，小空間22係與反應材料供給部21連接，小空間23係 與後述之反應材料排出部25連接。
反應材料排出部25係在空洞部22、23(更具體而言係在小空間23)配設於上述一方的側面部。而且，反應材料排出部25係配設在離開反應材料噴射用噴嘴部N3(空洞部22、23)的底面之位置。
另一方面，噴霧噴射頭部100係在該噴霧噴射頭部100的底面，亦即噴霧噴射頭部100之面向基板110之側，配設有反應材料噴出部27。因此，從該反應材料噴出部27對著基板110噴出反應材料。
在噴霧噴射頭部100內，配設有通路26。而且，反應材料排出部25通過該通路26而與反應材料噴出部27連接。如第6圖所示，反應材料噴出部27係為屬於細長開孔之狹縫狀。該開口部的寬度(第6圖中之X方向的尺寸)係在0.1mm至10mm之程度。
在反應材料噴射用噴嘴部N3中，反應材料係從反應材料供給部21供給至空洞部22、23內。而且，該反應材料係經整流部24予以整流而充滿小空間22，然後被導入到小空間23而充滿該小空間23。然後，反應材料從反應材料排出部25經由通路26而導引到反應材料噴出部27。然後，反應材料從反應材料噴出部27朝向基板110的上表面噴出。
如第4、6圖所示，反應材料噴出部27、原料溶液噴出部7、反應材料噴出部17及排氣部d7係按上列的順序配置於X方向。
排氣用噴嘴部Nd係在X方向與其他的噴嘴部N1、N2、N3相分開而配置。因此，在排氣用噴嘴部Nd與其他的噴嘴部N1、N2、N3之間會產生通氣部35。因而，噴霧噴射頭部100具備有底板部36。底板部36從基板110配置側堵住該通氣部35(參照第4、6圖)。
在本實施形態中，底板部36設有惰性氣體供給部(未圖示)、通路44、及噴出部38(參照第4、6圖)。
透過惰性氣體供給部而從噴霧噴射頭部100的外部供給來之惰性氣體，係供給至底板部36。通路44係配設於底板部36內，該供給來之惰性氣體在通路44內輸送。惰性氣體噴出部38係配設於底板部36之面向基板110之側，惰性氣體從該惰性氣體噴出部38朝向基板110噴射。如第6圖所示，惰性氣體噴出部38係為屬於細長開孔之狹縫狀。該開口部的寬度(第6圖中之X方向的尺寸)係在0.1mm至10mm之程度。
實施形態1之底板部36並未配設有上述之惰性氣體供給部、通路44及噴出部38。不過，在實施形態1之底板部36，亦可與本實施形態之底板部36一樣配設有惰性氣體供給部、通路44及噴出部38。
另外，本實施形態之底板部36的內部配設有溫度調整部28。該溫度調整部28可在底板部36進行溫度之調整。
實施形態1之底板部36並未配設有上述之溫度調整部28。不過，在實施形態1之底板部36，亦可與 本實施形態之底板部36一樣配設有溫度調整部28。
此處，本實施形態亦可在原料溶液噴射用噴嘴部N1內及反應材料噴射用噴嘴部N2、N3內配設溫度調整部8、18、28。實施形態1之原料溶液噴射用噴嘴部N1內及反應材料噴射用噴嘴部N2內並未配設上述之溫度調整部8、18。不過，在實施形態1之原料溶液噴射用噴嘴部N1內及反應材料噴射用噴嘴部N2內，亦可與本實施形態之原料溶液噴射用噴嘴部N1內及反應材料噴射用噴嘴部N2內一樣配設有溫度調整部8、18。
參照第6圖，噴霧噴射頭部100在面向基板110之側(底面)具有該噴霧噴射頭部100的框部30。此框部30係噴霧噴射頭部100的底面的邊緣的部分，係以從周圍圍繞之形態鑲框住噴霧噴頭部100的底面內部側之部分。從第4圖可知，該框部30係向基板110側突出。
亦即，利用該框部30而圍住反應空間。但是，框部30的端部與基板110的上表面並不接觸。
再者，參照第4至6圖，在本實施形態中，噴霧噴射頭部100設有惰性氣體供給部39、41、通路45、46、及噴出部40、42。
透過惰性氣體供給部39、41而從噴霧噴射頭部100的外部供給來之惰性氣體，係供給至該噴霧噴射頭部100內。通路45、46係配設於噴霧噴射頭部100內，該供給來之惰性氣體在通路45、46內輸送。惰性氣體噴出部40、42係配設於噴霧噴射頭部100之面向基板110之 側，惰性氣體從該惰性氣體噴出部40、42朝向基板110噴射。
如第6圖所示，惰性氣體噴出部40、42係為屬於細長開孔之狹縫狀。該開口部的寬度(在惰性氣體噴出部40係第6圖中之X方向的尺寸，在惰性氣體噴出部42係第6圖中之Z方向的尺寸)係在0.1mm至10mm之程度。
其中，如第4、6圖所示，在與排氣用噴嘴部Nd對立之噴霧噴射頭部100的端部，惰性氣體噴出部40係配設於上述框部30或與框部30鄰接之區域。以及，如第5、6圖所示，在第4圖的正面側及背面側之噴霧噴射頭部100的端部，惰性氣體噴出部42係配設於上述框部30或與框部30鄰接之區域。
在實施形態1之噴霧噴射頭部100，並未配設有上述之惰性氣體供給部39、41、通路45、46、及噴出部40、42。不過，在實施形態1之噴霧噴射頭部100，亦可與本實施形態之噴霧噴射頭部100一樣配設有惰性氣體供給部39、41、通路45、46、及噴出部40、42。
當霧化的原料溶液及反應材料噴射至反應空間，原料溶液與反應材料就在經過加熱的基板110上反應，而在該基板110的上表面形成想要的膜。反應空間內的反應殘渣等則是藉由排氣用噴嘴部Nd將之從反應空間中排除掉。
如以上所述，本實施形態之噴霧噴射頭部 100具有兩個反應材料噴射用噴嘴部N2、N3。其中，一方的反應材料噴射用噴嘴部N2與另一方的反應材料噴射用噴嘴部N3從側方將原料溶液噴射用噴嘴部N1夾在中間。
因此，可噴出不同的反應材料至反應空間。因而，可在基板110上形成多種的膜。而且，在使相同的反應材料從反應材料噴射用噴嘴部N2、N3噴出之情況，可提高在基板110上之想要的膜的成膜速度。
又，反應材料噴射用噴嘴部N2、N3具有溫度調整部。因此，可例如使蓄留在反應材料噴射用噴嘴部N2、N3內之液滴蒸發。因而，可將該蒸發的反應材料利用作為要從該反應材料噴射用噴嘴部N2、N3噴出之反應材料。
又，在原料溶液噴射用噴嘴部N1也配設有溫度調整部。因此，可例如維持原料溶液的氣霧狀態。亦即，可防止從原料溶液噴射用噴嘴部N1噴出的原料溶液的液滴變大，然後變為大液滴之原料溶液向下滴到基板110的上表面之情形。
又，底板部36配設有對著基板110噴出惰性氣體之惰性氣體噴出部38。因此，可將存在於底板部36的下方之原料溶液等推往基板110的面上。因而，可提高原料溶液等的利用效率。
又，底板部36具有溫度調整部28。因此，可維持在反應空間中之原料溶液等的氣霧狀態。以及，可防止液滴附著在底板部36。另外，還可促進在基板110上 之成膜反應。
又，在噴霧噴射頭部100的框部30或該框部30的附近，配設有對著基板110噴出惰性氣體之惰性氣體噴出部40、42。因此，可利用惰性氣體圍繞反應空間，抑制原料溶液等從反應空間擴散。
<實施形態3>
第7圖係顯示本實施形態之噴霧噴射頭部100的構成之剖面圖。第7圖中同時顯示有X-Y-Z座標軸。從X方向看本實施形態之噴霧噴射頭部100所見的樣子，係與第5圖一樣。
實施形態2之噴霧噴射頭部100，係具有兩個反應材料噴射用噴嘴部N2、N3。本實施形態之噴霧噴射頭部100中，反應材料噴射用噴嘴部NT為一個，且可從該反應材料噴射用噴嘴部NT使兩種反應材料噴射。
實施形態2之噴霧噴射頭部100與本實施形態之噴霧噴射頭部100，其反應材料噴射用噴嘴部的構成雖不同，惟其他的構成則是相同。因此，此處僅針對兩者中之不同的構成進行說明。
如第7圖所示，噴霧噴射頭部100具有：反應材料噴射用噴嘴部NT、原料溶液噴射用噴嘴部N1、以及排氣用噴嘴部Nd。如第7圖所示，反應材料噴射用噴嘴部NT、原料溶液噴射用噴嘴部N1及排氣用噴嘴部Nd係按上列的順序沿著X方向並排配設。
再者，原料溶液噴射用噴嘴部N1的側面與 反應材料噴射用噴嘴部NT的側面相接觸。但原料溶液噴射用噴嘴部N1的側面與排氣用噴嘴部Nd的側面之間卻是分開預定的距離。亦即，反應材料噴射用噴嘴部NT與原料溶液噴射用噴嘴部N1係在X方向相鄰接，但排氣用噴嘴部Nd則是與其他的噴嘴部N1、NT在X方向相分開而配置。
如上述，反應材料噴射用噴嘴部NT、原料溶液噴射用噴嘴部N1及排氣用噴嘴部Nd係在水平方向(X方向)並排配置。其中，至少排氣用噴嘴部Nd係位於噴霧噴頭部100的最外側(第7圖中之右端)。
噴霧噴射頭部100對著加熱到預定的溫度之基板110上表面噴射霧化的原料溶液。藉此，在基板110的上表面製成想要的膜。其中，在成膜處理之時，係使載置部90沿水平方向(X-Z平面內)移動，或使噴霧噴射頭部100沿該水平方向移動。
接著，針對反應材料噴射用噴嘴部NT的構成進行說明。
反應材料噴射用噴嘴部NT，係對著基板110噴出有助於與原料溶液的反應之反應材料之噴嘴。反應材料噴射用噴嘴部NT的內部形成有兩個空洞部62、72。如第7圖所示，兩個空洞部62、72係在反應材料噴射用噴嘴部NT內，沿上下方向(Y方向)並排配設。具體而言，在反應材料噴射用噴嘴部NT內，將一方之空洞部62設於上部側，將另一方之空洞部72設於下部側。此處，一方之空洞 部62與另一方之空洞部72，係並未在反應材料噴射用噴嘴部NT內連接之各別獨立之空間。
如第7圖所示，在一方之空洞部62中，在Z方向的側面配設有一方之反應材料供給部61。一方之反應材料係從反應材料噴射用噴嘴部NT外，經由一方之反應材料供給部61而供給至一方之空洞部62內。
另外，在另一方之空洞部72中，在Z方向的側面配設有另一方之反應材料供給部71。另一方之反應材料係從反應材料噴射用噴嘴部NT外，經由另一方之反應材料供給部71而供給至另一方之空洞部72內。
此處，各反應材料可為氣體亦可為液體。若為液體，則利用超音波振動等而霧化之液體(反應材料)係與載體氣體一起通過未圖示的路徑而輸送至反應材料噴射用噴嘴部NT內。從一方之反應材料供給部61輸出之一方之反應材料，係充滿(供給至)反應材料噴射用噴嘴部NT內的空洞部62。從另一方之反應材料供給部71輸出之另一方之反應材料，係充滿(供給至)反應材料噴射用噴嘴部NT內的空洞部72。
又，第7圖中雖省略了圖示，但在各空洞部62、72內可配設具有在實施形態1、2中說明過的機能或作用(亦即整理反應材料在空洞部62、72內之流動，以及即便反應材料與大氣反應而產生粒子，亦促進該粒子留在從空洞部62、72的底面到反應材料排出部65、75之間的區域)之整流部。
又，在一方之空洞部62，在X方向之側面配設有一方之反應材料排出部65。此處，一方之反應材料排出部65係配設在離開一方之空洞部62的底面之位置。
另一方之在空洞部72，在X方向之側面配設有另一方之反應材料排出部75。此處，另一方之反應材料排出部75係配設在離開另一方之空洞部72的底面之位置。
另一方面，噴霧噴射頭部100係在該噴霧噴射頭部100的底面(就第7圖而言係反應材料噴射用噴嘴部NT的底面)，亦即噴霧噴射頭部100之面向基板110之側，配設有一方之反應材料噴出部67以及另一方之反應材料噴出部77。於此，一方之反應材料從一方之反應材料噴出部67對著基板110噴出，另一方之反應材料從另一方之反應材料噴出部77對著基板110噴出。
在噴霧噴射頭部100(就第7圖之構成例而言係反應材料噴射用噴嘴部NT)內，配設有通路66及通路76。而且，一方之反應材料排出部65通過該通路66而與一方之反應材料噴出部67連接。再者，另一方之反應材料排出部75通過該通路76而與另一方之反應材料噴出部77連接。
另外，第7圖之構成係在反應材料噴射用噴嘴部NT的底面配設對著基板110噴出原料溶液之原料溶液噴出部7。在本實施形態中，連接原料溶液排出部5與原料溶液噴出部7之通路6，係配設於反應材料噴射用噴 嘴部NT內。
因此，在第7圖之構成例中，在反應材料噴射用噴嘴部NT之面向基板110之側，一方之反應材料噴出部67、原料溶液噴出部7及另一方之反應材料噴出部77係按上列的順序沿X方向配設。此處，各反應材料噴出部67、77及原料溶液噴出部7係為屬於細長開孔之狹縫狀。該開口部的寬度(第7圖中之X方向的尺寸)係在0.1mm至10mm之程度。
在反應材料噴射用噴嘴部NT中，一方之反應材料係從一方之反應材料供給部61供給至空洞部62內。然後，在該一方之反應材料充滿小空間62後，從一方之反應材料排出部65經由通路66而導引至一方之反應材料噴出部67。然後，該一方之反應材料從一方之反應材料噴出部67朝向基板110的上表面噴出。另一方之反應材料係從另一方之反應材料供給部71供給至空洞部72內。然後，在該另一方之反應材料充滿空洞部72後，從另一方之反應材料排出部75經由通路76而導引至另一方之反應材料噴出部77。然後，該另一方之反應材料從另一方之反應材料噴出部77朝向基板110的上表面噴出。
如第7圖所示，一方之反應材料噴出部67、原料溶液噴出部7、另一方之反應材料噴出部77及排氣部d7係按上列的順序沿X方向配置。
排氣用噴嘴部Nd係在X方向與其他的噴嘴部NT、N1分離而配置。因此，在排氣用噴嘴部Nd與其他 的噴嘴部NT、N1之間會產生通氣部35。因而，在本實施形態中，噴霧噴射頭部100也具備有底板部36。底板部36從基板110配置側堵住該通氣部35(參照第7圖)。
另外，為了能夠對著基板110噴出惰性氣體，本實施形態之底板部36，也與實施形態2一樣設有惰性氣體供給部(未圖示)、通路44、及噴出部38。以及，本實施形態之底板部36與實施形態2一樣配設有溫度調整部28。
此處，在本實施形態中，也在反應材料噴射用噴嘴部NT內配設有溫度調整部80、81。溫度調整部80係進行對於一方之空洞部62之溫度調整。溫度調整部81係進行對於另一方之空洞部72之溫度調整。在第7圖的構成例中，對於原料溶液噴射用噴嘴部N1之溫度調整，係由配設於底板部36之溫度調整部28的一部分所進行。
又，在本實施形態中，噴霧噴射頭部100也在面向基板110之側(底面)具有框部30。另外，如第7圖所示，與實施形態2一樣，本實施形態也在噴霧噴射頭部100設有惰性氣體供給部39、41、通路45、46、及噴出部40、42。
當霧化的原料溶液及反應材料噴射至反應空間，原料溶液與反應材料就在經過加熱的基板110上反應，而在該基板110的上表面形成想要的膜。反應空間內的反應殘渣等則是藉由排氣用噴嘴部Nd將之從反應空間中排除掉。
如以上所述，本實施形態之噴霧噴射頭部100在一個反應材料噴射用噴嘴部NT中設置兩個空洞部62、72，而從該一個反應材料噴射用噴嘴部NT朝向基板110噴射兩種類之反應材料。
因此，在要噴射兩種類之反應材料之情況，就不需要如實施形態2所說明之在噴霧噴頭部100設置兩個反應材料噴射用噴嘴部N2、N3。換言之，本實施形態之噴霧噴射頭部100可做到省空間化。
1‧‧‧原料溶液供給部
2、3、12、13、d2、d3‧‧‧空洞部
4、14、d4‧‧‧整流部
5‧‧‧原料溶液排出部
6、16、d6‧‧‧通路
7‧‧‧原料溶液噴出部
11‧‧‧反應材料供給部
15‧‧‧反應材料排出部
17‧‧‧反應材料噴出部
30‧‧‧框部
35‧‧‧通氣部
36‧‧‧底板部
90‧‧‧載置部
100‧‧‧噴霧噴射頭部
110‧‧‧基板
d1‧‧‧排氣物出口部
d5‧‧‧排氣物導入部
d7‧‧‧排氣部
N1‧‧‧原料溶液噴射用噴嘴部
N2‧‧‧反應材料噴射用噴嘴部
Nd‧‧‧排氣用噴嘴部

Claims (28)

  1. 一種成膜裝置，係藉由將霧化的原料溶液噴射到大氣中，而對基板形成膜之成膜裝置，具備有：載置部(90)，用來載置前述基板；以及噴霧噴射頭部(100)，對載置於前述載置部之基板(110)的上表面噴射前述原料溶液，前述噴霧噴射頭部具有：原料溶液噴射用噴嘴部(N1)，進行前述原料溶液的噴射；以及原料溶液噴出部(7)，設於前述噴霧噴射頭部之面向前述基板之側，對前述基板噴出霧化的前述原料溶液，前述原料溶液噴射用噴嘴部具有：第一空洞部(2、3)；原料溶液供給部(1)，將霧化的前述原料溶液供給至前述第一空洞部內；以及原料溶液排出部(5)，在離開前述第一空洞部的底面之位置，穿設於前述第一空洞部內的側面，且與前述原料溶液噴出部連接，前述第一空洞部係未具有前述原料溶液供給部以外的物質的供給部。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之成膜裝置，其中，前述原料溶液噴射用噴嘴部還具有：第一整流部(4)，配設於前述第一空洞部內，整理前述原料溶液的 流動。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之成膜裝置，其中，前述原料溶液噴出部係屬於細長開孔之狹縫狀。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之成膜裝置，其中，前述噴霧噴射頭部還具有：反應材料噴射用噴嘴部(N2、N3、NT)，係與前述原料溶液噴射用噴嘴部鄰接而配設，對前述基板噴出有助於與前述原料溶液的反應之反應材料。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之成膜裝置，其中，反應材料噴射用噴嘴部係有兩個，且一方之前述反應材料噴射用噴嘴部(N2)與另一方之前述反應材料噴射用噴嘴部(N3)從兩側將前述原料溶液噴射用噴嘴部夾在中間。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之成膜裝置，其中，前述噴霧噴射頭部還具有：反應材料噴出部(17、27)，係設於前述噴霧噴頭部之面向前述基板之側，對前述基板噴出前述反應材料，前述反應材料噴射用噴嘴部具有：第二空洞部(12、13、22、23)；反應材料供給部(11、21)，係將前述反應材料供給至前述第二空洞部內；以及反應材料排出部(15、25)，係在離開前述第二空洞部的底面之位置，穿設於前述第二空洞部內的側面，且與前述反應材料噴出部連接。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之成膜裝置，其中，前述反應材料噴射用噴嘴部還具有：第二整流部(14、24)，係配設於前述第二空洞部內，整理前述反應材料的流動。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之成膜裝置，其中，前述反應材料噴出部係屬於細長開孔之狹縫狀。
  9. 如申請專利範圍第4項所述之成膜裝置，其中，前述噴霧噴射頭部還具有：一方之反應材料噴出部(67)，係設於前述噴霧噴射頭部之面向前述基板之側，對前述基板噴出一方之前述反應材料；另一方之反應材料噴出部(77)，係設於前述噴霧噴射頭部之面向前述基板之側，對前述基板噴出另一方之前述反應材料，前述反應材料噴射用噴嘴部(NT)具有：一方之空洞部(62)；另一方之空洞部(72)，係與前述一方之空洞部(62)分別獨立；一方的反應材料供給部(61)，係將前述一方之反應材料供給至前述一方之空洞部內；另一方之反應材料供給部(71)，將前述另一方之反應材料供給至前述另一方之空洞部內；一方之反應材料排出部(65)，係在離開前述一方之空洞部的底面之位置，穿設於前述一方之空洞部內的 側面，且與前述一方之反應材料噴出部連接；以及另一方之反應材料排出部(75)，係在離開前述另一方之空洞部的底面之位置，穿設於前述另一方之空洞部內的側面，且與前述另一方之反應材料噴出部連接。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之成膜裝置，其中，前述反應材料噴射用噴嘴部還具有：一方之整流部，係配設於前述一方的空洞部內，整理前述一方之反應材料的流動；以及另一方的整流部，係配設於前述另一方之空洞部內，整理前述另一方之反應材料的流動。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之成膜裝置，其中，前述一方之反應材料噴出部及前述另一方之反應材料噴出部係屬於細長開孔之狹縫狀。
  12. 如申請專利範圍第4項所述之成膜裝置，其中，前述反應材料噴射用噴嘴部還具有：溫度調整部(18、28、80、81)，係進行溫度的調整。
  13. 如申請專利範圍第4項所述之成膜裝置，其中，前述噴霧噴射頭部還具有：排氣用噴嘴部(Nd)，係進行排氣處理。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之成膜裝置，其中，前述排氣用噴嘴部係以大於等於前述原料溶液噴射用噴嘴部噴出前述原料溶液時的流量、與前述反應材料噴射用噴嘴部噴出前述反應材料時的流量之和之流量，而進行前述排氣處理。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之成膜裝置，其中，前述原料溶液噴射用噴嘴部、前述反應材料噴射用噴嘴部及前述排氣用噴嘴部係沿水平方向並排配置，且至少前述排氣用噴嘴部係位於前述噴霧噴射頭部的最外側。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之成膜裝置，其中，前述噴霧噴射頭部還具有：排氣部(d7)，係設於前述噴霧噴射頭部之面向前述基板之側，對前述基板與前述噴霧噴射頭部之間的空間進行前述排氣處理，前述排氣用噴嘴部具有：第三空洞部(d2、d3)；排氣物導入部(d5)，係在離開前述第三空洞部的底面之位置，穿設於前述第三空洞部內的側面，且與前述排氣部連接；以及排氣物出口部(d1)，配設於比前述排氣物導入部還要上方之位置，將排氣物從前述第三空洞部排出到前述排氣用噴嘴部外。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之成膜裝置，其中，前述排氣用噴嘴部還具有：第三整流部(d4)，係配設於前述第三空洞部內，整理前述排氣物的流動。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之成膜裝置，其中，前述排氣部係屬於細長開孔之狹縫狀。
  19. 如申請專利範圍第13項所述之成膜裝置，其中，前述噴霧噴射頭部還具有： 通氣部(35)，係設於前述原料溶液噴射用噴嘴部與前述排氣用噴嘴部之間；以及底板部(36)，係從前述基板配置側堵住前述通氣部。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之成膜裝置，其中，在前述底板部配設有對前述基板噴射惰性氣體之惰性氣體噴出部(38)。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之成膜裝置，其中，前述惰性氣體噴出部係屬於細長開孔之狹縫狀。
  22. 如申請專利範圍第19項所述之成膜裝置，其中，前述底板部具有進行溫度的調整之溫度調整部(28)。
  23. 如申請專利範圍第1項所述之成膜裝置，其中，前述噴霧噴射頭部係，在面向前述基板之側之前述噴霧噴射頭部的框部(30)中，該框部係向前述基板側突出。
  24. 如申請專利範圍第1項所述之成膜裝置，其中，前述噴霧噴頭部係，在面向前述基板之側之前述噴霧噴射頭部的框部中，在該框部或與該框部鄰接之區域配設有惰性氣體噴出部(40、42)，用以對前述基板噴射惰性氣體。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之成膜裝置，其中，前述惰性氣體噴出部係屬於細長開孔之狹縫狀。
  26. 如申請專利範圍第1項所述之成膜裝置，其中， 前述載置部係加熱前述基板。
  27. 如申請專利範圍第1項所述之成膜裝置，其中，前述載置部係朝水平方向移動。
  28. 如申請專利範圍第1項所述之成膜裝置，其中，前述噴霧噴射頭部係朝水平方向移動。
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