KR20180042151A - 에폭시 수지 조성물 및 그 접착 필름 - Google Patents

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가즈노리 이시카와
다이헤이 고우모토
준이치 세가와
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닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 금 또는 금 도금을 갖는 필름 혹은 기판에 대하여 우수한 접착성을 나타내는, 페놀성 수산기를 갖는 고무 변성 폴리아미드 수지와, 특정 구조의 에폭시 수지로 이루어지는 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다. 본 명세서는, 페놀성 수산기를 갖는 고무 변성 폴리아미드 수지 (A) 및 특정 구조의 에폭시 수지 (B) 를 함유하는 수지 조성물로서, 그 고무 변성 폴리아미드 수지 (A) 가 하기 식 (1) (식 (1) 중, Ar 은 하기 식 (2) 로 나타내는 구조를 갖는 페놀성 수산기를 갖는 방향족 폴리아미드 세그먼트와, 하기 식 (3) 으로 나타내는 구조를 갖는 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체 세그먼트를 분자 중에 갖는, 페놀성 수산기를 갖는 고무 변성 폴리아미드 수지 (A) 인, 수지 조성물이 개시된다.

Description

에폭시 수지 조성물 및 그 접착 필름 {EPOXY RESIN COMPOSITION AND ADHESIVE FILM OF SAME}
본 발명은, 금 또는 금 도금을 갖는 필름 혹은 기판에 대한 우수한 접착성을 갖는, 페놀성 수산기를 갖는 고무 변성 폴리아미드 수지 및 특정 구조의 에폭시 수지를 함유하는 수지 조성물에 관한 것이다.
각종 경화제로 경화시킴으로써, 기계적 성질, 내수성, 내약품성, 내열성, 전기적 성질 등이 우수한 경화물이 되는 에폭시 수지는, 접착제, 도료, 적층판, 성형 재료, 주형 (注型) 재료 등의 폭넓은 분야에 이용되고 있다. 종래, 가장 범용적으로 사용되어 온 에폭시 수지로는 비스페놀 A 형 에폭시 수지를 들 수 있다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로는 산무수물이나 아민계 화합물이 알려져 있지만, 전기·전자 부품의 분야에서는, 내열성 등의 신뢰성이 우수하기 때문에 페놀노볼락이 사용되는 경우가 많다. 그러나, 페놀노볼락을 경화제로서 사용한 에폭시 수지의 경화물은 신뢰성은 우수하지만, 강직하여 플렉시빌리티가 결여된 것이 문제였다. 최근의 전기·전자 부품의 형태로는, 종래의 대형 패키지나 유리 섬유를 기재로 한 강직한 기판을 사용한 판상의 것뿐만 아니라, 폴리이미드 필름이나 PET (폴리에틸렌테레프탈레이트) 필름 등을 사용한, 유연성을 갖는 시트상의 수지 기판이 개발되고 있어, 이것들은 모두 유연성을 갖는 기재 (필름) 상에 금속박 또는 금속 회로를 형성한 적층체로서 플렉시블 프린트 배선판에 이용되고 있다. 그 적층체는 통상, 폴리이미드나 동박 등의 기재 상에 바니시의 상태로 에폭시 수지 조성물을 도포하여, 용제를 제거하고, 이어서 도포된 에폭시 수지 조성물을 경화시킴으로써 제조된다. 여기서 사용되는 에폭시 수지 조성물의 경화물에는 충분한 플렉시빌리티 및 폴리이미드나 동박 등의 기재에 대한 접착성에 더하여, 전기적 접속을 취하기 위해서 금이나 금 도금을 갖는 필름이나 기판에 대한 높은 접착성도 요구된다. 또한, 전기·전자 부품의 신뢰성이라는 면에서는 수지 조성물의 순도와 경화물의 내열성이 필요하다.
특허문헌 1 에는, 에폭시 수지, 페놀 수지 및 페놀성 수산기를 갖는 방향족 폴리아미드 수지를 함유하는, 폴리이미드에 대하여 높은 접착성을 갖는 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 그러나, 특허문헌 1 에는 금이나 금 도금에 대한 접착성에 대해서는 전혀 기재되어 있지 않다. 또, 특허문헌 2 에는, 폴리아미드 수지, 에폭시 수지 및 경화제를 함유하는, 금 도금을 갖는 동박에 대하여 높은 접착성을 갖는 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 그러나, 특허문헌 2 의 에폭시 수지 조성물은 내열성이 불충분하여, 시장의 요구를 만족시키는 것이 아니다.
특허문헌 3 에는 페놀성 수산기를 갖는 고무 변성 폴리아미드 수지 및 에폭시 수지를 함유하는 수지 조성물이 개시되어 있지만, 그 수지 조성물이 금이나 금 도금에 대한 접착성이 우수한 것은 전혀 기재되어 있지 않고, 또한 본 발명의 발명자들이 검토한 바로는, 그 특허문헌의 실시예 조성물은 금이나 금 도금에 대한 접착성이 열등한 것이었다.
일본 공개특허공보 2005-29710호 일본 공개특허공보 2013-227441호 국제 공개 2007/052523호 팜플렛
본 발명의 목적은, 금 또는 금 도금을 갖는 필름 혹은 기판에 대하여 우수한 접착성을 갖고, 또한 내습열성이나 내열성이 우수한 경화물이 얻어지는 수지 조성물 및 접착 필름을 제공하는 것에 있다.
본 발명자들이 예의 검토한 결과, 페놀성 수산기를 갖는 고무 변성 폴리아미드 수지 (A) 및 특정 구조의 에폭시 수지 (B) 를 각각 특정량 함유하는 수지 조성물을 사용함으로써 상기 과제가 해결되는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
즉 본 발명은,
(1) 페놀성 수산기를 갖는 고무 변성 폴리아미드 수지 (A) 및 에폭시 당량이 200 내지 5000 g/eq. 인 에폭시 수지 (B) 를 함유하는 수지 조성물로서,
그 고무 변성 폴리아미드 수지 (A) 및 그 에폭시 수지 (B) 의 합계에 대한 그 에폭시 수지 (B) 의 함유량이 20 내지 80 질량% 이고,
그 고무 변성 폴리아미드 수지 (A) 가 하기 식 (1)
[화학식 1]
Figure pct00001
(식 (1) 중, m 및 n 은 평균 반복수로서, 0.01≤n/(m+n)≤0.30, 또한 5≤m+n≤200 의 관계를 만족시키는 정수를 나타낸다. a 는 평균 치환기수로서 1 내지 4 의 정수를 나타낸다. Ar 은 하기 식 (2)
[화학식 2]
Figure pct00002
(식 (2) 중, R1 은 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 원자, 수산기 또는 O, S, P, F 혹은 Si 를 함유해도 되는 탄소수 1 내지 6 의 치환기를 나타낸다. R2 는 직접 결합 또는 O, N, S, P, F 혹은 Si 를 함유해도 되는 탄소수 0 내지 6 의 2 가의 결합기를 나타낸다. b 는 평균 치환기수로서 0 내지 4 의 정수를 나타낸다.) 로 나타내는 2 가의 방향족기를 나타낸다.) 로 나타내는 구조를 갖는 페놀성 수산기를 갖는 방향족 폴리아미드 세그먼트와, 하기 식 (3)
[화학식 3]
Figure pct00003
(식 (3) 중, y 및 z 는 평균 반복수로서, 0<z/(y+z)≤0.30, 또한 10≤y+z≤200 의 관계를 만족시키는 정수를 나타낸다.) 로 나타내는 구조를 갖는 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체 세그먼트를 분자 중에 갖는, 페놀성 수산기를 갖는 고무 변성 폴리아미드 수지 (A) 이고, 또한
그 에폭시 수지 (B) 가 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 A 형 에폭시 수지와 디페놀류의 반응에 의해 얻어지는 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지 및 비스페놀 F 형 에폭시 수지와 디페놀류의 반응에 의해 얻어지는 에폭시 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 에폭시 수지를 함유하는 수지 조성물,
(2) 에폭시 수지 (B) 가 하기 식 (4)
[화학식 4]
Figure pct00004
(식 (4) 중의 R3 및 R4 는 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 메톡시기, 에톡시기 또는 페닐기를 나타낸다. R5 는 메틸렌기 또는 이소프로필렌기를 나타낸다. c 는 평균 치환기수로서 0 내지 2 의 정수를 나타낸다. l 은 평균 반복수로서 2 내지 9 의 정수를 나타낸다.) 로 나타내는 에폭시 수지인 상기 (1) 에 기재된 수지 조성물,
(3) 추가로 경화제 또는 경화 촉진제를 함유하는 상기 (1) 또는 (2) 에 기재된 수지 조성물,
(4) 추가로 난연제를 함유하는 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물,
(5) 추가로 산화 방지제를 함유하는 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물,
(6) 추가로 도전성 입자를 함유하는 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물,
(7) 상기 (1) 내지 (6) 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물로 이루어지는 접착 필름,
(8) 상기 (7) 에 기재된 접착 필름과, 금박 또는 금 도금을 갖는 필름으로 이루어지는 적층물,
(9) 상기 (7) 에 기재된 접착 필름과, 동박 또는 폴리이미드 필름으로 이루어지는 적층물,
(10) 상기 (7) 에 기재된 접착 필름을 포함하여 이루어지는 전자 부품,
에 관한 것이다.
본 발명의 페놀성 수산기를 갖는 고무 변성 폴리아미드 수지 (A) 및 특정 구조의 에폭시 수지 (B) 를 함유하는 수지 조성물, 및 그 수지 조성물을 시트상으로 가공한 접착 필름은, 금속에 대한 접착성이 높고, 특히 금 또는 금 도금을 갖는 필름 혹은 기판에 대한 접착성이 우수하기 때문에, 전기 기판 등의 전자 재료 분야에서 매우 유용하다.
본 발명의 수지 조성물은, 하기 식 (1) 로 나타내는 구조를 갖는 페놀성 수산기를 갖는 방향족 폴리아미드 세그먼트와, 상기 식 (3) 으로 나타내는 구조를 갖는 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체 세그먼트를, 분자 중에 갖는 페놀성 수산기를 갖는 고무 변성 폴리아미드 수지 (A) (이하, 간단히 「(A) 성분」이라고 기재한다) 를 함유한다.
[화학식 5]
Figure pct00005
[화학식 6]
Figure pct00006
식 (1) 중, m 및 n 은 평균 반복수로서, 0.01≤n/(m+n)≤0.30 이며 또한 5≤m+n≤200 인 관계를 만족시키는 정수를 나타내고, 0.02≤n/(m+n)≤0.20 이며 또한 7≤m+n≤100 인 관계를 만족시키는 정수인 것이 바람직하다. 또, m 은 수산기를 갖지 않는 유닛의 평균 반복수이고, n 은, 수산기를 갖는 유닛의 평균 반복수이다.
또한, 식 (1) 중, a 는 수산기의 평균 치환기수로서 1 내지 4 의 정수를 나타낸다.
식 (1) 중, Ar 은 2 가의 방향족기를 나타낸다. 여기서 말하는 2 가의 방향족기란, 방향족 화합물로부터 수소 원자 2 개를 제외한 잔기를 의미하고, 그 2 가의 방향족기와 이룰 수 있는 방향족 화합물로는, 예를 들어 벤젠, 나프탈렌, 디페닐에테르, 디페닐술폰, 비페닐, 2,2-디페닐프로판 등을 들 수 있는데 이것들에 한정되지 않고, 또한 그 방향족 화합물은 치환기를 갖고 있어도 된다. 이들 중에서도, 하기 식 (2) 로 나타내는 2 가의 방향족기가 바람직하다.
[화학식 7]
Figure pct00007
식 (2) 에 있어서의 R1 로는, 수소 원자, 수산기, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기 및 헥실기 등의 사슬형 알킬기나, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등의 고리형 알킬기 등이 바람직하다. 또한, 복수의 R1 이 존재하는 경우, 각각의 R1 은 서로 동일하거나 상이해도 되는데, 모두 동일한 것이 바람직하다.
식 (2) 에 있어서의 R2 로는, 직접 결합, -O-, -SO2-, -CO-, 탄소수 1 내지 6 의 알킬렌기, 이소프로필렌기 또는 6불화이소프로필렌기 등이 바람직하다. 또, 식 (2) 에 있어서, 2 개의 벤젠 고리 상의 -NH- 기와의 결합 위치는 3,4' 위치 또는 4,4' 위치인 것이 바람직하다.
식 (2) 중, b 는 치환기 R1 의 평균 치환수로서, 0 내지 4 의 정수를 나타내고, 0 내지 2 의 정수인 것이 바람직하다.
상기 식 (3) 중, y 및 z 는 평균 반복수로서, 0<z/(y+z)≤0.30 이며 또한 10≤y+z≤200 인 관계를 만족시키는 정수를 나타내고, 0.01≤z/(y+z)≤0.20 이며 또한 12≤y+z≤100 인 관계를 만족시키는 정수인 것이 바람직하다. 또, y 는 수산기를 갖지 않는 유닛의 평균 반복수이고, z 는 수산기를 갖는 유닛의 평균 반복수이다.
또, 식 (1) 에 있어서는, 「( )m」으로 둘러친 수산기를 갖지 않는 유닛과, 「( )n」으로 둘러친 수산기를 갖는 유닛을 각각 따로 따로 기재했는데, 수산기를 갖지 않는 유닛과 수산기를 갖는 유닛이 랜덤하게 배열된 페놀성 수산기를 갖는 방향족 폴리아미드 세그먼트도 본 발명의 범주에 포함된다. 식 (3) 에 있어서의 「( )y」로 둘러친 유닛과 「( )z」로 둘러친 유닛에 대해서도 마찬가지이다.
본 발명의 수지 조성물이 함유하는 (A) 성분은, 방향족 디아민 화합물과, 방향족 디카르복실산 화합물 (페놀성 수산기를 갖는 방향족 디카르복실산 화합물 및 페놀성 수산기를 갖지 않는 방향족 디카르복실산 화합물) 을, 아인산에스테르와 피리딘 유도체의 존재하에서 중축합시킴으로써 얻어진다. 상기의 제조 방법에 따르면, 관능기인 페놀성 수산기를 보호하는 일 없이, 즉, 페놀성 수산기와 기타 반응기, 예를 들어 카르복실기나 아미노기의 반응을 수반하지 않고, 직사슬형 방향족 폴리아미드 수지를 용이하게 제조할 수 있다. 또한, 중축합시에 고온을 필요로 하지 않는, 즉 약 150 ℃ 이하에서 중축합할 수 있다는 이점도 갖는다. 상기 식 (3) 으로 나타내는 엘라스토머 구조는, 상기의 축합 반응물에, 추가로 양 말단에 카르복실산을 갖는 엘라스토머 또는 양 말단에 아민을 갖는 엘라스토머를 반응시킴으로써 (A) 성분에 도입된다.
(A) 성분을 제조하기 위해서 사용할 수 있는 방향족 디아민 화합물로는, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, m-톨릴렌디아민 등의 페닐렌디아민 유도체 ; 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르 등의 디아미노디페닐에테르 유도체 ; 4,4'-디아미노디페닐티오에테르, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디페닐티오에테르, 3,3'-디에톡시-4,4'-디아미노디페닐티오에테르, 3,3'-디아미노디페닐티오에테르, 3,3'-디메톡시-4,4'-디아미노디페닐티오에테르 등의 디아미노디페닐티오에테르 유도체 ; 4,4'-디아미노벤조페논, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노벤조페논 등의 디아미노벤조페논 유도체 ; 4,4'-디아미노디페닐술폭사이드, 4,4'-디아미노디페닐술폰 등의 디아미노디페닐술폰 유도체 ; 벤지딘, 3,3'-디메틸벤지딘, 3,3'-디메톡시벤지딘, 3,3'-디아미노비페닐 등의 벤지딘 유도체 ; p-자일릴렌디아민, m-자일릴렌디아민, o-자일릴렌디아민 등의 자일릴렌디아민 유도체 ; 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디에틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3',5,5'-테트라메틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3',5,5'-테트라에틸디페닐메탄 등의 디아미노디페닐메탄 유도체 등을 들 수 있고, 페닐렌디아민 유도체, 디아미노디페닐메탄 유도체 또는 디아미노디페닐에테르 유도체가 바람직하고, 디아미노디페닐메탄 유도체 (식 (2) 에 있어서의 R2 가 메틸렌기의 화합물) 또는 디아미노디페닐에테르 유도체 (식 (2) 에 있어서의 R2 가 산소 원자 화합물) 가 더욱 바람직하고, 얻어지는 폴리머의 용제 용해성, 내열성 면에서 3,4'-디아미노디페닐에테르 또는 4,4'-디아미노디페닐에테르가 특히 바람직하다.
(A) 성분을 제조하기 위해서 사용할 수 있는 페놀성 수산기를 갖는 방향족 디카르복실산 화합물로는, 방향족 고리에 2 개의 카르복실산과 1 개 이상의 수산기를 갖는 화합물이면 특별히 제한은 없고, 예를 들어 5-하이드록시이소프탈산, 4-하이드록시이소프탈산, 2-하이드록시이소프탈산, 3-하이드록시이소프탈산, 2-하이드록시테레프탈산 등 벤젠 고리 상에 1 개의 수산기와 2 개의 카르복실산을 갖는 디카르복실산 화합물을 들 수 있다. 이들 페놀성 수산기를 갖는 방향족 디카르복실산 화합물 중, 얻어지는 폴리머의 용제 용해성, 순도, 및 에폭시 수지 조성물로 했을 때의 전기 특성, 및 금속박 또는 및 폴리이미드에 대한 접착성 등 면에서 5-하이드록시이소프탈산이 바람직하다. 페놀성 수산기를 갖는 방향족 디카르복실산 화합물을, 전체 방향족 디카르복실산 원료 중에 1 몰% 이상 30 몰% 이하가 되는 비율로 사용한다. 페놀성 수산기를 갖는 방향족 디카르복실산 화합물과 페놀성 수산기를 갖지 않는 방향족 디카르복실산 화합물의 주입 비율에 따라 식 (A) 에 있어서의 n/(n+m) 이 정해진다.
(A) 성분을 제조하기 위해서 사용할 수 있는 페놀성 수산기를 갖지 않는 방향족 디카르복실산 화합물로는, 예를 들어 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산 등을 들 수 있고 이소프탈산이 바람직하다.
(A) 성분을 제조할 때에 사용할 수 있는 축합제의 아인산에스테르로는, 아인산트리페닐, 아인산디페닐, 아인산트리-o-톨릴, 아인산디-o-톨릴, 아인산트리-m-톨릴, 아인산트리-p-톨릴, 아인산디-p-톨릴, 아인산디-p-클로로페닐, 아인산트리-p-클로로페닐, 아인산디-p-클로로페닐 등을 들 수 있는데, 이것들에 한정되는 것은 아니다.
또, (A) 성분을 제조할 때에 아인산에스테르와 병용하는 피리딘 유도체로는, 피리딘, 2-피콜린, 3-피콜린, 4-피콜린, 2,4-루티딘 등을 들 수 있다.
(A) 성분에 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체 세그먼트를 도입하기 위해서 사용할 수 있는 성분은, 식 (3) 으로 나타내는 세그먼트의 양 말단에 카르복실산 또는 아민을 갖는 고무 성분으로, 예를 들어 하이프로 CTBN 등으로서 일반적으로 입수 가능하다.
또한, 중합도가 큰 (분자량이 큰) (A) 성분을 얻기 위해서는, 상기 아인산에스테르, 피리딘 유도체, 유기 용매에 더하여, 염화리튬, 염화칼슘 등의 무기염류를 병용하여 중축합시키는 것이 바람직하다.
본 발명의 수지 조성물이 함유하는 (A) 성분을 제조할 때에 가장 바람직한 축합제는, 상기 아인산에스테르 또는 피리딘 유도체인데, 피리딘 유도체는 유기 용매에 첨가하여 사용되는 것이 일반적이다. 그 유기 용매로는 아인산에스테르와 실질적으로 반응하지 않고, 또한 상기 방향족 디아민 화합물과 상기 디카르복실산 화합물을 양호하게 용해시키는 성질을 가질 뿐만 아니라, 반응 생성물인 (A) 성분에 대한 양 (良) 용매인 것이 바람직하다. 이와 같은 유기 용매로는, N-메틸피롤리돈이나 디메틸아세트아미드 등의 아미드계 용매 이외, 톨루엔이나 메틸에틸케톤, 또는 이것들과 아미드계 용매의 혼합 용매를 들 수 있고, 그 중에서도 N-메틸-2-피롤리돈이 바람직하다. 통상, 피리딘 유도체와 용매의 혼합물 중에서, 피리딘 유도체가 5 내지 30 질량% 를 차지하는 양으로 첨가한 혼합물이 사용된다.
이하에, 본 발명의 수지 조성물이 함유하는 (A) 성분의 제조 방법을 보다 구체적으로 설명한다. 먼저, 피리딘 유도체를 함유하는 유기 용매로 이루어지는 혼합 용매 중에 아인산에스테르를 첨가하고, 이것에 방향족 디카르복실산 화합물과, 그 디카르복실산 화합물 1 몰에 대하여 0.5 내지 2 몰의 디아민 화합물을 첨가하고, 이어서 질소 등의 불활성 분위기하에서 가열 교반하여, 양 말단이 카르복실산 또는 아민의 페놀성 수산기를 갖는 방향족 폴리아미드를 얻는다. 이 때의 반응 시간은 통상 1 내지 20 시간, 반응 온도는 50 내지 100 ℃ 이다. 그 후, 상기 공정에서 얻어진 반응액에, 양 말단에 카르복실산 또는 아민을 갖는 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체를 첨가하고, 불활성 분위기하에서 가열 교반한다. 이 때, 양 말단에 카르복실산 또는 아민을 갖는 페놀성 수산기를 갖는 방향족 폴리아미드에 대한, 양 말단에 카르복실산 또는 아민을 갖는 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체의 첨가량은, 카르복실산의 몰수/아민의 몰수로 하여 0.8 내지 1.2 가 되는 양이 바람직하다. 또, 양 말단에 카르복실산 또는 아민을 갖는 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체는, 피리딘 등의 불활성 용매로 희석하고, 적하시켜 첨가하는 것이 바람직하다. 페놀성 수산기를 갖는 방향족 폴리아미드와 양 말단에 카르복실산 또는 아민을 갖는 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체의 반응 시간은 통상 1 내지 20 시간, 반응 온도는 50 내지 100 ℃ 이다. 반응 종료 후, 반응 혼합물에 물, 메탄올, 혹은 헥산 등의 빈 (貧) 용매를 첨가, 또는 빈용매 중에 반응액을 투입하여 중합체를 분리시킨 후, 재침전법에 의해 정제를 실시하여 부생성물이나 무기염류 등을 제거함으로써, (A) 성분을 얻을 수 있다.
본 발명의 수지 조성물에 있어서의 (A) 성분의 함유량은, 그 수지 조성물을 접착 필름으로 했을 때의 가공성이나 기재에 대한 접착성의 관점에서, (A) 성분 및 후술하는 에폭시 수지 (B) 의 합계 질량에 대하여 통상 20 내지 80 질량% 이고, 바람직하게는 25 내지 75 질량%, 보다 바람직하게는 30 내지 70 질량% 이다. (A) 성분의 함유량이 20 질량% 이상임으로써, 기재와의 접착성이 양호한 수지 조성물이 얻어진다.
본 발명의 수지 조성물은, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 A 형 에폭시 수지와 디페놀류의 반응에 의해 얻어지는 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지 및 비스페놀 F 형 에폭시 수지와 디페놀류의 반응에 의해 얻어지는 에폭시 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 특정 구조의 에폭시 수지 (B) (이하, 간단히 「(B) 성분」이라고 기재한다) 를 함유한다. 본 발명의 수지 조성물은, (A) 성분에 특정 구조의 (B) 성분을 병용함으로써, 금속에 대한 접착성이 특이적으로 향상되어, 특히 금 또는 금 도금을 갖는 필름 혹은 기판에 대한 접착성이 양호해진다.
비스페놀 A 형 에폭시 수지의 구체예로는, JER-1007 (미츠비시 화학 (주) 제조), EP4100 ((주) ADEKA 제조), 850-S (DIC (주) 제조), RE-310S (닛폰 화약 (주) 제조) 및 리카레진 BEO-60E (신니혼 리카 (주) 제조) 등을 들 수 있다.
비스페놀 F 형 에폭시 수지의 구체예로는, YDF-870GS (신닛테츠 스미킨 화학 (주) 제조), YDF-8170C (신닛테츠 스미킨 화학 (주) 제조), RE-303S (닛폰 화약 (주) 제조)) 및 RE-602S (닛폰 화약 (주) 제조) 등을 들 수 있다.
또, 비스페놀 A 형 에폭시 수지 또는 비스페놀 F 형 에폭시 수지와의 반응에 사용하는 디페놀류의 구체예로는, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 AD, 비스페놀 Z, 비스페놀 S, 비페놀, 디하이드록시페닐에테르 등을 들 수 있다. 이들 디페놀류와 과잉량의 비스페놀 A 형 에폭시 수지 또는 비스페놀 F 형 에폭시 수지를 반응시킴으로써, 비스페놀 A 골격 또는 비스페놀 F 골격을 구조 중에 갖는, 보다 고분자량의 에폭시 수지가 얻어진다.
이들 에폭시 수지를 2 종 이상 병용해도 된다.
본 발명의 수지 조성물이 함유하는 (B) 성분으로는, 비스페놀 A 형 에폭시 수지 또는 비스페놀 F 형 에폭시 수지가 바람직하고, 비스페놀 A 형 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 또한, 하기 식 (4) 로 나타내는 에폭시 수지가 특히 바람직하다.
[화학식 8]
Figure pct00008
식 (4) 중, R3 및 R4 는 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 메톡시기, 에톡시기 또는 페닐기를 나타내고, 수소 원자, 메틸기 또는 메톡시기인 것이 바람직하다.
식 (4) 중, R5 는 메틸렌기 또는 이소프로필렌기를 나타내고, 이소프로필렌기인 것이 바람직하다.
식 (4) 중, c 는 벤젠 고리에 있어서의 R3 및 R4 의 평균 치환기수로서 0 내지 2 의 정수를 나타내고, 0 또는 1 인 것이 바람직하다. 또, R3 의 평균 치환수 c 와 R4 의 평균 치환수 c 는 동일하거나 상이해도 된다.
식 (4) 중, l 은 식 (4) 에 있어서의 반복 유닛의 평균 반복수로서 2 내지 9 의 정수를 나타낸다.
또, 본 발명에 있어서의 상용성이란, (A) 성분과 (B) 성분의 혼합액을 실온 (25 ℃) 에서 정치 (靜置) 시켜 12 시간을 경과해도 분리되지 않는 것을 의미한다.
본 발명의 수지 조성물에 있어서의 (B) 성분의 함유량은, (A) 성분 및 (B) 성분의 합계 질량에 대하여 통상 20 내지 80 질량% 이고, 바람직하게는 30 내지 70 질량% 이다.
본 발명의 수지 조성물에는, 에폭시 수지의 경화제 또는 경화 촉진제를 병용해도 된다.
병용할 수 있는 경화제의 구체예로는, 디아미노디페닐메탄, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 디아미노디페닐술폰, 이소포론디아민, 디시안디아미드, 리놀렌산의 이량체와 에틸렌디아민으로 합성되는 폴리아미드 수지, 무수 프탈산, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 무수 말레산, 테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 무수 메틸나딕산, 헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 페놀노볼락 등의 다가 페놀 화합물, 트리페닐메탄 및 이것들의 변성물, 이미다졸, BF3-아민 착물, 구아니딘 유도체 등을 들 수 있는데 이것들에 한정되는 것이 아니라, 사용 양태에 따라 적절히 선택할 수 있다.
경화제를 병용하는 경우의 함유량은, 병용하는 경화제의 종류나 활성 수소 당량 등에 따라서도 다르므로 한 마디로는 말할 수 없지만, (B) 성분 100 질량부에 대하여 통상 500 질량부 이하이고, 바람직하게는 100 질량부 이하이다. (B) 성분에 대하여 대과잉의 경화제를 사용한 경우, 접착 필름의 내열성이 저하될 우려가 있다.
또한, 본 발명의 수지 조성물에 병용할 수 있는 경화 촉진제의 구체예로는, 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸류, 2-(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자-비시클로(5,4,0)운데센-7 등의 제3급 아민류, 트리페닐포스핀 등의 포스핀류, 옥틸산주석 등의 금속 화합물 등을 들 수 있는데, 이것들에 한정되는 것은 아니다.
경화 촉진제를 병용하는 경우의 함유량은, (B) 성분 100 질량부에 대하여 통상 10 질량부 이하, 바람직하게는 0.1 내지 5.0 질량부이다.
본 발명의 수지 조성물에 병용할 수 있는 난연제는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 인계 난연제, 할로겐계 난연제, 무기계 난연제 등을 들 수 있다. 난연제의 사용량은, 그 효과나 접착성, 비용의 균형 면에서 본 발명의 수지 조성물의 고형분 (용제를 제외한 전체 성분, 이하 동일한 의미로 사용된다) 에 대하여 통상 40 질량% 이하이다.
본 발명의 수지 조성물에 병용할 수 있는 산화 방지제는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 페놀계 산화 방지제, 티오에테르계 산화 방지제, 힌더드페놀계 산화 방지제 및 포스파이트계 산화 방지제 등을 들 수 있다. 이들 산화 방지제를 첨가함으로써, 산소가 흡착되어 고온시의 접착성을 향상시킬 수 있다. 산화 방지제의 사용량은, 그 효과나 접착성, 비용 등의 균형 면에서 본 발명의 수지 조성물의 고형분에 대하여 통상 5 질량% 이하이다.
본 발명의 수지 조성물에는, 도전성 입자를 병용해도 된다.
병용할 수 있는 도전성 입자로는, 은, 금, 구리, 알루미늄, 니켈, 백금, 팔라듐 등의 금속 단체 (單體) 나, 구리에 은을 코팅한 은 코트 구리 등 이들 금속을 포함하는 합금 등을 들 수 있는데 이것들에 한정되는 것이 아니라, 사용 양태에 따라 적절히 선택할 수 있다.
도전성 입자를 병용하는 경우의 함유량은, 본 발명의 수지 조성물의 고형분에 대하여 통상 95 질량% 이하, 바람직하게는 70 내지 95 질량%, 보다 바람직하게는 80 내지 90 질량% 이다. 도전성 입자의 함유량을 70 질량% 이상으로 함으로써, 형성되는 도전 재료의 전기 저항률을 낮게 할 수 있을 것으로 생각된다. 또한, 95 질량% 이하로 함으로써, 도전성 페이스트의 접착력을 확보하여, 형성되는 도전 재료의 균열을 억제할 수 있을 것으로 생각된다.
본 발명의 수지 조성물에는, 추가로 커플링제, 유기 용제 및 이온 포착제 등의 첨가제를 필요에 따라 첨가해도 된다. 사용하는 커플링제는 특별히 한정되지 않지만, 실란 커플링제가 바람직하고, 그 구체예로는 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-우레이도프로필트리에톡시실란, N-β-아미노에틸-γ-아미노프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다. 이들 커플링제의 사용량은, 수지 조성물의 용도나 커플링제의 종류 등에 따라 선택하면 되고, 본 발명의 수지 조성물 100 질량부 중에 통상 5 질량부 이하이다.
본 발명의 수지 조성물에 사용할 수 있는 이온 포착제는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 구리가 이온화되어 용출되는 것을 방지하기 위한 동해 (銅害) 방지제로서 알려진 트리아진티올 화합물이나 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-tert-부틸페놀) 등의 비스페놀계 환원제, 무기 이온 흡착제로서의 지르코늄계 화합물, 안티몬비스무트계 화합물, 마그네슘알루미늄계 화합물 및 하이드로탈사이트 등을 들 수 있다. 이들 이온 포착제를 첨가함으로써, 이온성 불순물이 흡착되어 흡습시의 전기 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 이온 포착제의 사용량은, 그 효과나 내열성, 비용 등의 균형 면에서 본 발명의 수지 조성물 중에 통상 5 질량% 이하이다.
본 발명의 수지 조성물의 용도로는, 예를 들어 도전성을 필요로 한 배선끼리의 접합, 부재끼리의 접착, 전극 및 배선의 형성과 같은 도전성 및 접착성을 필요로 하는 다양한 용도를 들 수 있다. 구체적으로는, 다이 어태치먼트, 칩 부품의 표면 실장, 비아 필링, 멤브레인 배선판 등의 회로의 인쇄 형성, RF-ID 나 비접촉 IC 카드 등에 있어서의 안테나 형성을 용도로서 들 수 있는데, 특별히 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 수지 조성물은, 유기 용제에 용해시킨 바니시로서 사용할 수도 있다. 사용할 수 있는 유기 용제로는, 예를 들어 γ-부티로락톤 등의 락톤류, N-메틸피롤리돈 (NMP), N,N-디메틸포름아미드 (DMF), N,N-디메틸아세트아미드 및 N,N-디메틸이미다졸리디논 등의 아미드계 용제, 테트라메틸렌술폰 등의 술폰류, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르모노아세테이트 및 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 에테르계 용제, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸 케톤, 시클로펜타논 및 시클로헥사논 등의 케톤계 용제, 톨루엔 및 자일렌 등의 방향족계 용제를 들 수 있다.
본 발명의 수지 조성물은, 필수 성분인 (A) 성분 및 (B) 성분과, 기타 필요에 따라 첨가하는 에폭시 수지 경화제, 경화 촉진제, 난연제, 산화 방지제, 용제, 커플링제 등의 임의 성분을 균일하게 혼련·혼합함으로써 얻어진다. 혼련·혼합에 사용할 수 있는 장치는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 플래너터리, 자전 공전식 교반 장치 등을 들 수 있다.
본 발명의 수지 조성물을 유기 용제에 용해시킨 바니시로 하고, 기재에 도포한 후에 유기 용제를 건조시켜 필름화시킴으로써, 본 발명의 접착 필름으로 할 수 있다.
필름화할 때에 사용할 수 있는 기재로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리에스테르 필름, 불소 필름, 폴리이미드 필름, 동박, 스테인리스박 등이 바람직하게 사용된다. 건조 후에 기재를 박리시키는 경우, 이들 기재의 표면은 실리콘 등으로 이형 처리되어 있어도 된다. 구체적으로는, 본 발명의 수지 조성물의 바니시를, 기재의 표면에 콤마 코터, 다이코터 등으로 도포하고, 열풍이나 적외선 히터 등에 의해 경화 반응이 진행되지 않을 정도로 도포물 중의 용제를 휘발시킨 후, 기재로부터 박리시킴으로써 본 발명의 수지 조성물로 이루어지는 필름을 얻을 수 있다. 또, 여기서 사용한 기재를, 그대로 본 발명의 수지 조성물의 피착체로서 사용할 경우에는, 용제를 휘발시킨 후에 기재를 박리시키지 않아도 상관없다.
본 발명의 접착 필름의 용도는 특별히 한정되지 않지만, 그 접착성이 갖는 효과 면에서 전기 회로, 금속박 또는 회로 기판을 접착시키기 때문에 바람직하게 사용된다. 상기 금속박의 재질은 특별히 한정되지 않지만, 통상 범용성 면에서 동박 또는 스테인리스박이지만, 금 또는 금 도금을 갖는 필름 혹은 기판이 바람직하다.
실시예
다음으로, 본 발명을 실시예에 의해 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또, 실시예 중에 있어서 부는 질량부를, % 는 질량% 를 각각 의미한다.
합성예 1 <페놀성 수산기를 갖는 고무 변성 폴리아미드 수지의 합성>
온도계, 환류 냉각기, 적하 깔때기, 질소 도입 장치, 교반 장치가 부착된 500 ㎖ 의 반응기에, 이소프탈산 10.12 부 (0.061 몰), 5-하이드록시이소프탈산 1.86 부 (0.010 몰), 3,4'-디아미노디페닐에테르 15.96 부 (0.080 몰) 및 염화리튬 1.52 부를 주입하고, 건조 질소를 흘려 보내면서 N-메틸-2-피롤리돈 179.4 부 및 피리딘 18.0 부를 첨가하였다. 얻어진 혼합액을 교반하면서 반응기 내가 95 ℃ 가 될 때까지 서서히 가열하여, 고형분을 용해시켰다. 그 후, 교반하면서 반응기 내를 95 ℃ 로 유지한 채로, 아인산트리페닐 39.0 부를 2 시간에 걸쳐 적하시키고, 또한 2 시간 반응시켰다. 다음으로, 반응기 내를 95 ℃ 로 유지한 채로, 카르복실 말단 부타디엔아크릴로니트릴 공중합체 (Hypro CTBN1300×8 Emerald Performance Materials 사 제조 카르복실 당량=0.052 EPHR, 공중합체 중의 아크릴로니트릴 성분 함유 몰 비율이 18 몰%) 25.2 부를 N-메틸-2-피롤리돈 25.2 부에 용해시킨 용액을 1 시간에 걸쳐 적하시키고, 또한 2 시간 반응시킴으로써, 본 발명의 폴리아미드 수지 (A) 를 함유하는 용액을 얻었다.
상기에서 조제된 폴리아미드 수지 (A) 를 함유하는 용액을 50 ℃ 이하까지 냉각시킨 후, 전체량을 1000 ㎖ 용기에 옮기고, 실온에서 교반하면서 메탄올 126 부를 첨가하였다. 그 후 10 ℃ 이하까지 냉각시키고, 이온 교환수 50 부를 30 분간에 걸쳐 적하시킨 후, 또한 10 ℃ 이하에서 1 시간 교반하여, 폴리아미드 수지 (A) 의 분산 슬러리를 조제하였다.
2000 ㎖ 용기에 이온 교환수 700 부를 주입하고, 실온에서 교반하면서 상기 폴리아미드 수지 (A) 의 분산 슬러리를 1 분간 정도로 첨가하여, 폴리아미드 수지 (A) 의 분말 분산액을 얻었다. 얻어진 분산액을 추가로 실온에서 1 시간 교반한 후, 여과에 의해 폴리아미드 수지 (A) 의 분말을 얻었다. 1000 ㎖ 용기에 이온 교환수 500 부를 주입하고, 교반하면서 상기에서 얻어진 폴리아미드 수지 (A) 의 분말을 서서히 첨가하여 재분산시키고, 실온에서 30 분간 교반 세정한 후, 여과에 의해 수세 후의 폴리아미드 수지 (A) 의 분말을 얻었다.
온도계, 분류 (分留) 장치, 수증기 도입구, 교반 장치가 부착된 1000 ㎖ 의 반응기에, 상기에서 얻어진 수세 후의 폴리아미드 수지 (A) 의 분말 및 이온 교환수 500 부를 첨가하고, 교반하면서 반응기 내가 95 ℃ 가 될 때까지 서서히 가열하였다. 가열을 정지시키고, 교반하면서 수증기를 150 부/시간 정도의 유량으로 약 24 시간 불어 넣음으로써 세정을 실시하였다. 분류 장치로부터 유출 (留出) 되는 액량은 3,600 부였다. 반응기 내를 50 ℃ 이하로 냉각시킨 후, 여과에 의해 수증기 세정 후의 폴리아미드 수지 (A) 의 분말을 얻었다.
상기에서 얻어진 수증기 세정 후의 폴리아미드 수지 (A) 의 분말을, 75 ℃ 에서 72 시간 열풍 건조시켜, 폴리아미드 수지 (A) 의 분말을 얻었다. 수득량은 45 부로 수율은 90 % 였다. 겔 퍼미에이션 크로마토그래피의 측정 결과를 토대로 폴리스티렌 환산으로 구한 그 폴리아미드 수지 (A) 의 중량 평균 분자량은 110,000 이고, 활성 수소 당량은 계산값으로 2700 g/eq. 였다.
합성예 2 <페놀성 수산기를 갖는 폴리아미드 수지의 합성>
온도계, 냉각관, 교반기를 장착한 플라스크에 질소 가스 퍼지를 실시하고, 5-하이드록시이소프탈산 0.28 부 (0.002 몰), 이소프탈산 12.72 부 (0.077 몰), 3,4'-디아미노디페닐에테르 15.96 부 (0.080 몰), 염화리튬 0.82 부, N-메틸피롤리돈 85.00 부 및 피리딘 18.1 부를 첨가하고 교반 용해시킨 후, 아인산트리페닐 39.27 부를 첨가하고 90 ℃ 에서 8 시간 반응시킴으로써, 비교용 폴리아미드 수지 (C) 를 함유하는 용액을 얻었다.
상기에서 조제된 폴리아미드 수지 (C) 를 함유하는 용액을 50 ℃ 이하까지 냉각시킨 후, 전체량을 1000 ㎖ 용기에 옮기고, 실온에서 교반하면서 메탄올 126 부를 첨가하였다. 그 후 10 ℃ 이하까지 냉각시키고, 이온 교환수 50 부를 30 분간에 걸쳐 적하시킨 후, 또한 10 ℃ 이하에서 1 시간 교반하여, 폴리아미드 수지 (C) 의 분산 슬러리를 조제하였다.
2000 ㎖ 용기에 이온 교환수 700 부를 주입하고, 실온에서 교반하면서 상기 폴리아미드 수지 (C) 의 분산 슬러리를 1 분간 정도로 첨가하여, 폴리아미드 수지 (C) 의 분말 분산액을 얻었다. 얻어진 분산액을 추가로 실온에서 1 시간 교반한 후, 여과에 의해 폴리아미드 수지 (C) 의 분말을 얻었다. 1000 ㎖ 용기에 이온 교환수 500 부를 주입하고, 교반하면서 상기에서 얻어진 폴리아미드 수지 (C) 의 분말을 서서히 첨가하여 재분산시키고, 실온에서 30 분간 교반 세정한 후, 여과에 의해 수세 후의 폴리아미드 수지 (C) 의 분말을 얻었다.
온도계, 분류 장치, 수증기 도입구, 교반 장치가 부착된 1000 ㎖ 의 반응기에, 상기에서 얻어진 수세 후의 폴리아미드 수지 분말과 이온 교환수 500 부를 첨가하고, 교반하면서 반응기 내가 95 ℃ 가 될 때까지 서서히 가열하였다. 가열을 정지시키고, 교반하면서 수증기를 150 부/시간 정도의 유량으로 약 24 시간 불어 넣음으로써 세정을 실시하였다. 분류 장치로부터 유출되는 액량은 3,600 부였다. 그 후, 반응기 내를 50 ℃ 이하로 냉각시킨 후, 여과에 의해 수증기 세정 후의 폴리아미드 수지 (C) 의 분말을 얻었다.
상기에서 얻어진 수증기 세정 후의 폴리아미드 수지 (C) 의 분말을, 75 ℃ 에서 72 시간 열풍 건조시켜, 비교예용 폴리아미드 수지 (C) 의 분말을 얻었다. 수득량은 24 부로 수율은 92 % 였다. 겔 퍼미에이션 크로마토그래피의 측정 결과를 토대로 폴리스티렌 환산으로 구한 그 폴리아미드 수지 (C) 의 중량 평균 분자량은 100,000 이고, 활성 수소 당량은 계산값으로 3300 g/eq. 였다.
실시예 1
합성예 1 에서 얻어진 폴리아미드 수지 분말 (A) 7 부에, 에폭시 수지 (B) 로서 JER-1007 (비스페놀 A 형 에폭시 수지, 미츠비시 화학 주식회사 제조, 에폭시 당량 1959 g/eq.) 을 3 부, 에폭시 수지 경화제로서 GPH-65 (비페닐페놀 축합형 노볼락 수지, 닛폰 화약 주식회사 제조, 수산기 당량 200 g/eq.) 를 0.1 부, 경화 촉진제로서 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸 (C11Z-A) 을 0.1 부, 및 용제로서 N-메틸피롤리돈 30 부를 각각 첨가하고, 30 ℃ 에서 2 시간 교반함으로써, 본 발명의 수지 조성물의 바니시 (1) 을 얻었다.
실시예 2
JER-1007 을 JER-1009 (비스페놀 A 형 에폭시 수지, 미츠비시 화학 주식회사 제조, 에폭시 당량 2754 g/eq.) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서로 본 발명의 수지 조성물의 바니시 (2) 를 얻었다.
실시예 3
JER-1007 을 JER-1003 (비스페놀 A 형 에폭시 수지, 미츠비시 화학 주식회사 제조, 에폭시 당량 731 g/eq.) 으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서로 본 발명의 수지 조성물의 바니시 (3) 을 얻었다.
실시예 4
JER-1007 을 JER-4007P (비스페놀 F 형 에폭시 수지, 미츠비시 화학 주식회사 제조, 에폭시 당량 2187 g/eq.) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서로 본 발명의 수지 조성물의 바니시 (4) 를 얻었다.
실시예 5
OP935 (인계 난연제, 클라리언트 재팬사 제조) 2.5 부, 및 IRGANOX 1010 (힌더드페놀계 산화 방지제, BASF 사 제조) 0.4 부를 추가로 첨가한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서로 본 발명의 수지 조성물의 바니시 (5) 를 얻었다.
비교예 1
JER-1007 을 JER-828 (비스페놀 A 형 에폭시 수지, 미츠비시 화학 주식회사 제조, 에폭시 당량 186 g/eq.) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서로 비교용 수지 조성물의 바니시 (1) 을 얻었다.
비교예 2
JER-1007 을 NC-3000 (비페닐 골격 함유 노볼락형 에폭시 수지, 닛폰 화약 주식회사 제조, 에폭시 당량 275 g/eq) 으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서로 비교용 수지 조성물의 바니시 (2) 를 얻었다.
비교예 3
합성예 1 에서 얻어진 폴리아미드 수지 분말 (A) 를, 합성예 2 에서 얻어진 폴리아미드 수지 분말 (C) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서로 비교용 수지 조성물의 바니시 (3) 을 얻었다.
실시예 6 내지 10
실시예 1 내지 5 에서 얻어진 본 발명의 수지 조성물의 바니시 (1) 내지 (5) 를, 각각 폴리이미드 필름 상에 건조 후의 두께가 15 ㎛ 가 되도록 도포하고, 130 ℃ 에서 10 분간 건조시켜 용제를 제거함으로써, 본 발명의 접착 필름 (1) 내지 (5) 를 얻었다.
비교예 4 내지 6
비교예 1 내지 3 에서 얻어진 비교용 수지 조성물의 바니시 (1) 내지 (3) 을, 각각 폴리이미드 필름 상에 건조 후의 두께가 15 ㎛ 가 되도록 도포하고, 130 ℃ 에서 10 분간 건조시켜 용제를 제거함으로써, 비교용 접착 필름 (1) 내지 (3) 을 얻었다.
[접착성 (동박과의 적층 후의 박리 강도)]
실시예 6 내지 10 및 비교예 4 내지 6 의 접착 필름을 각각 두께 18 ㎛ 의 전해 동박 (CF-T9B-HTE, 후쿠다 금속박분 공업 제조) 에 접착 필름측과 샌드하고, 열판 프레스기를 사용하여 170 ℃, 3 ㎫ 의 조건에서 15 분간 가열 압착시킨 후, 180 ℃ 에서 30 분간의 애프터 큐어를 실시함으로써 접착 시험용 샘플 (D) 를 얻었다. 이들 샘플의 1 ㎝ 폭의 시험편에 대해서 JIS C6481 에 준거하여 박리 속도를 50 ㎜/분으로 설정한 인장 시험기 (시마즈 제작소 제조 AGS-X) 를 사용하여, 동박을 180°의 방향으로 박리시키고, 동박과 접착층의 접착성을 측정하였다.
[접착성 (금 도금을 갖는 박 (箔) 과의 적층 후의 박리 강도)]
실시예 6 내지 10 및 비교예 4 내지 6 의 접착 필름을 각각 금 도금을 갖는 두께 18 ㎛ 의 전해 동박 (CF-T9B-HTE, 후쿠다 금속박분 공업 제조) 에 접착 필름측과 샌드하고, 열판 프레스기를 사용하여 170 ℃, 3 ㎫ 의 조건에서 15 분간 가열 압착시킨 후, 180 ℃ 에서 30 분간의 애프터 큐어를 실시함으로써 접착 시험용 샘플 (E) 를 얻었다. 이들 샘플의 1 ㎝ 폭의 시험편에 대해서 JIS C6481 에 준거하여 박리 속도를 50 ㎜/분으로 설정한 인장 시험기 (시마즈 제작소 제조 AGS-X) 를 사용하여, 금 도금을 갖는 동박을 180°의 방향으로 박리시키고, 금 도금과 접착층의 접착성 (초기 접착 강도) 을 측정하였다. 결과를 표 1 에 나타냈다.
[접착 신뢰성 시험 (내열성 시험)]
접착 시험용 샘플 (D) 및 (E) 를 온도 105 ℃ 의 환경하에 1000 시간 보관하였다. 그 후, 이들 샘플의 1 ㎝ 폭의 시험편에 대해서 JIS C6481 에 준거하여 박리 속도를 50 ㎜/분으로 설정한 인장 시험기 (시마즈 제작소 제조 AGS-X) 를 사용하여, 동박 또는 금 도금을 갖는 동박을 180°의 방향으로 박리시키고, 동박 또는 금 도금과 접착층의 접착성을 측정하였다. 결과를 표 1 에 나타냈다.
[접착 신뢰성 시험 (내습열성 시험)]
접착 시험용 샘플 (D) 및 (E) 를 온도 85 ℃, 습도 85 % 의 환경하에 1000 시간 보관하였다. 그 후, 이들 샘플의 1 ㎝ 폭의 시험편에 대해서 JIS C6481 에 준거하여 박리 속도를 50 ㎜/분으로 설정한 인장 시험기 (시마즈 제작소 제조 AGS-X) 를 사용하여, 동박 또는 금 도금을 갖는 동박을 180°의 방향으로 박리시키고, 동박 또는 금 도금과 접착층의 접착성을 측정하였다. 결과를 표 1 에 나타냈다.
[땜납욕 내열 시험]
접착 시험용 샘플 (D) 및 (E) 를 각각 260 ℃ 로 가열한 땜납욕 상에 2 분간 뜨게 하여, 외관의 변화 (발포, 박리 등) 를 확인하였다. 결과를 표 1 에 나타냈다.
Figure pct00009
표 1 의 결과로부터, 본 발명의 수지 조성물은 금 또는 금 도금을 갖는 필름 혹은 기판에 대한 접착성이 양호하고, 또한 내열성 및 내습열성도 우수한 것은 분명하다.

Claims (10)

  1. 페놀성 수산기를 갖는 고무 변성 폴리아미드 수지 (A) 및 에폭시 당량이 200 내지 5000 g/eq. 인 에폭시 수지 (B) 를 함유하는 수지 조성물로서,
    그 고무 변성 폴리아미드 수지 (A) 및 그 에폭시 수지 (B) 의 합계에 대한 그 에폭시 수지 (B) 의 함유량이 20 내지 80 질량% 이고,
    그 고무 변성 폴리아미드 수지 (A) 가 하기 식 (1)
    [화학식 1]
    Figure pct00010

    (식 (1) 중, m 및 n 은 평균 반복수로서, 0.01≤n/(m+n)≤0.30, 또한 5≤m+n≤200 의 관계를 만족시키는 정수를 나타낸다. a 는 평균 치환기수로서 1 내지 4 의 정수를 나타낸다. Ar 은 하기 식 (2)
    [화학식 2]
    Figure pct00011

    (식 (2) 중, R1 은 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 원자, 수산기 또는 O, S, P, F 혹은 Si 를 함유해도 되는 탄소수 1 내지 6 의 치환기를 나타낸다. R2 는 직접 결합 또는 O, N, S, P, F 혹은 Si 를 함유해도 되는 탄소수 0 내지 6 의 2 가의 결합기를 나타낸다. b 는 평균 치환기수로서 0 내지 4 의 정수를 나타낸다.) 로 나타내는 2 가의 방향족기를 나타낸다.) 로 나타내는 구조를 갖는 페놀성 수산기를 갖는 방향족 폴리아미드 세그먼트와, 하기 식 (3)
    [화학식 3]
    Figure pct00012

    (식 (3) 중, y 및 z 는 평균 반복수로서, 0<z/(y+z)≤0.30, 또한 10≤y+z≤200 의 관계를 만족시키는 정수를 나타낸다.) 로 나타내는 구조를 갖는 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체 세그먼트를 분자 중에 갖는, 페놀성 수산기를 갖는 고무 변성 폴리아미드 수지 (A) 이고, 또한
    그 에폭시 수지 (B) 가 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 A 형 에폭시 수지와 디페놀류의 반응에 의해 얻어지는 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지 및 비스페놀 F 형 에폭시 수지와 디페놀류의 반응에 의해 얻어지는 에폭시 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 에폭시 수지를 함유하는 수지 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    에폭시 수지 (B) 가 하기 식 (4)
    [화학식 4]
    Figure pct00013

    (식 (4) 중, R3 및 R4 는 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 메톡시기, 에톡시기 또는 페닐기를 나타낸다. R5 는 메틸렌기 또는 이소프로필렌기를 나타낸다. c 는 평균 치환기수로서 0 내지 2 의 정수를 나타낸다. l 은 평균 반복수로서 2 내지 9 의 정수를 나타낸다.) 로 나타내는 에폭시 수지인 수지 조성물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    추가로 경화제 또는 경화 촉진제를 함유하는 수지 조성물.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    추가로 난연제를 함유하는 수지 조성물.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    추가로 산화 방지제를 함유하는 수지 조성물.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    추가로 도전성 입자를 함유하는 수지 조성물.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물로 이루어지는 접착 필름.
  8. 제 7 항에 기재된 접착 필름과, 금박 또는 금 도금을 갖는 필름으로 이루어지는 적층물.
  9. 제 7 항에 기재된 접착 필름과, 동박 또는 폴리이미드 필름으로 이루어지는 적층물.
  10. 제 7 항에 기재된 접착 필름을 포함하여 이루어지는 전자 부품.
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