KR20180034052A - 에피택셜 웨이퍼 제조장치 및 제조방법 - Google Patents
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Abstract
실시 예는, 웨이퍼가 배치되는 수용부를 포함하는 복수 개의 회전판; 및 상기 복수 개의 회전판을 지지하는 메인 플레이트를 포함하고, 상기 수용부는 상기 웨이퍼를 지지하는 바닥면 및 측벽을 포함하고, 상기 바닥면은 상기 웨이퍼와 접촉하는 중앙부, 및 오목홈을 포함하는 테두리부를 포함하는 에피택셜 웨이퍼 제조장치 및 제조방법을 개시한다.
Description
실시 예는 에피택셜 웨이퍼 제조장치 및 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 기판 또는 웨이퍼(wafer)상에 다양한 박막을 형성하는 기술 중에 화학 기상 증착 방법(Chemical Vapor Deposition; CVD)이 많이 사용되고 있다. 화학 기상 증착 방법은 화학 반응을 수반하는 증착 기술로, 소스 물질의 화학 반응을 이용하여 웨이퍼 표면상에 반도체 박막이나 절연막 등을 형성한다.
이러한 화학 기상 증착 방법 및 증착 장치는 최근 반도체 소자의 미세화와 고효율, 고출력 LED 개발 등으로 박막 형성 기술 중 중요한 기술로 주목 받고 있다. 현재 웨이퍼 상에 규소 막, 산화물 막, 질화규소 막 또는 산질화규소 막, 텅스텐 막 등과 같은 다양한 박막들을 증착하기 위해 이용되고 있다.
기판 또는 웨이퍼 상에 탄화규소 박막을 증착하기 위해서는, 웨이퍼와 반응할 수 있는 반응 가스가 투입되어야 한다. 일례로, 표준전구체인 실란(SiH4), 에틸렌(C2H4) 또는, 메틸트리클로로실레인(methyltrichlorosilane;MTS)과 같은 원료를 투입하고, 원료를 가열하여 CH3, SiClx 등의 중간 화합물을 생성한 후, 이러한 중간 화합물이 증착부에 투입되어 서셉터 내에 위치하는 웨이퍼와 반응하여 탄화규소 에피층을 증착할 수 있다.
그러나, 일반적으로 웨이퍼의 중앙부에 비해 가장자리에 가스의 공급이 원활하여 가장자리에서 에피 두께가 두꺼워지는 문제가 있다. 따라서, 도 1a 및 도 1b와 같이 기판(1)과 에피택셜층(2) 사이에 휨이 발생하는 문제가 있다.
실시 예는 휨 현상이 개선된 에피택셜 웨이퍼를 제조할 수 있는 에피택셜 웨이퍼 제조장치 및 제조방법을 개시한다.
실시 예에서 해결하고자 하는 과제는 이에 한정되는 것은 아니며, 아래에서 설명하는 과제의 해결수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 포함된다고 할 것이다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조장치는, 웨이퍼가 배치되는 수용부를 포함하는 복수 개의 회전판; 및 상기 복수 개의 회전판을 지지하는 메인 플레이트를 포함하고, 상기 수용부는 상기 웨이퍼를 지지하는 바닥면 및 측벽을 포함하고, 상기 바닥면은 상기 웨이퍼와 접촉하는 중앙부, 및 오목홈을 포함하는 테두리부를 포함한다.
상기 중앙부의 면적은 상기 바닥면의 전체 면적의 70% 내지 90%일 수 있다.
상기 오목홈은 상기 중앙부에서 측벽으로 갈수록 낮아지는 경사면을 가질 수 있다.
상기 측벽에서 돌출된 복수 개의 돌기를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조방법은, 에피택셜 웨이퍼 제조장치의 회전판에 웨이퍼를 배치시키는 준비단계; 및 상기 에피택셜 웨이퍼 제조장치에 성장 가스와 도핑 가스, 및 희석 가스를 포함하는 반응 소스를 주입하여 에피택셜 성장시키는 단계를 포함하고, 상기 에피택셜 성장시키는 단계에서, 상기 웨이퍼의 테두리는 상기 웨이퍼의 중앙에 비해 온도가 낮게 제어할 수 있다.
상기 바닥면의 오목홈은 상기 반응 소스에 의해 냉각되어 상기 바닥면의 중앙부에 비해 온도가 낮아질 수 있다.
실시 예에 따르면 에피택셜 웨이퍼의 두께가 균일하게 되어 휨 현상이 억제될 수 있다.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1a 및 도 1b는 휨이 발생한 에피택셜 웨이퍼이고,
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조장치의 개념도이고,
도 3은 도 2의 회전판의 개념도이고,
도 4는 종래 회전판의 개념도이고,
도 5는 회전판과 웨이퍼의 면적비를 보여주는 도면이고,
도 6은 도 3의 변형예이고,
도 7은 도 6의 평면도이고,
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조방법을 설명하기 위한 도면이고,
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 에피택셜 웨이퍼의 개념도이고,
도 10은 도 9의 변형예이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조장치의 개념도이고,
도 3은 도 2의 회전판의 개념도이고,
도 4는 종래 회전판의 개념도이고,
도 5는 회전판과 웨이퍼의 면적비를 보여주는 도면이고,
도 6은 도 3의 변형예이고,
도 7은 도 6의 평면도이고,
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조방법을 설명하기 위한 도면이고,
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 에피택셜 웨이퍼의 개념도이고,
도 10은 도 9의 변형예이다.
본 실시 예들은 다른 형태로 변형되거나 여러 실시 예가 서로 조합될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 각각의 실시 예로 한정되는 것은 아니다.
특정 실시 예에서 설명된 사항이 다른 실시 예에서 설명되어 있지 않더라도, 다른 실시 예에서 그 사항과 반대되거나 모순되는 설명이 없는 한, 다른 실시 예에 관련된 설명으로 이해될 수 있다.
예를 들어, 특정 실시 예에서 구성 A에 대한 특징을 설명하고 다른 실시 예에서 구성 B에 대한 특징을 설명하였다면, 구성 A와 구성 B가 결합된 실시 예가 명시적으로 기재되지 않더라도 반대되거나 모순되는 설명이 없는 한, 본 발명의 권리범위에 속하는 것으로 이해되어야 한다.
실시 예의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
이하에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조장치의 개념도이고, 도 3은 도 2의 회전판의 개념도이고, 도 4는 종래 회전판의 개념도이고, 도 5는 회전판과 웨이퍼의 면적비를 보여주는 도면이다.
도 2를 참고하면, 에피택셜 웨이퍼 제조장치(100)는 웨이퍼(10)가 배치되는 수용부를 포함하는 복수 개의 회전판(120), 복수 개의 회전판(120)을 지지하는 메인 플레이트(110), 및 회전판(120)에 가스를 분사하는 가스 분배 장치(130)를 포함할 수 있다.
메인 플레이트(110)는 소정의 면적을 갖는 원형 형상의 판일 수 있으며 회전할 수 있다. 메인 플레이트(110)의 외측에는 히터(140)가 배치되어 열을 메인 플레이트(110)에 전달할 수 있다. 메인 플레이트(110)는 일반적인 서셉터의 구조가 모두 적용될 수 있다.
복수 개의 회전판(120)은 메인 플레이트(110) 상에 배치되어 독립적으로 회전할 수 있다. 회전판(120)은 메인 플레이트(110)를 통해 히터(140)의 열을 전달받을 수 있다.
가스 분배 장치(130)는 반응 소스를 웨이퍼(10)에 분사할 수 있다. 반응 소스는 에피택셜 성장의 소스가 되는 성장 가스와, 성장 과정에서 도핑을 수행하기 위한 도핑 가스를 포함할 수 있다.
도핑 가스는 에피택셜 성장에 의해 적층될 에피택셜층에 실제 도핑이 이루어지는 원소에 상응하는 소스 가스와, 그 소스 가스를 희석 또는 이동시키는데 사용되는 희석 가스(캐리어 가스)를 포함할 수 있다.
웨이퍼(10)가 실리콘 카바이드 계열의 웨이퍼(4H-SiC 웨이퍼)인 경우, 에피택셜 성장을 위한 성장 가스로는 웨이퍼와 격자 상수 일치가 가능한 물질로서 SiH4+C3H8+H2, MTS(CH3SiCl3), TCS(SiHCl3), SixCx 등과 같이 탄소 및 규소를 포함하는 물질이 이용될 수 있다.
이때, 웨이퍼 상에 적층될 에피택셜층을 N 타입으로 도핑시키고자 하는 경우, 소스 가스로는 질소 가스(N2)등의 5족 원소의 물질이 이용될 수 있다.
그러나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니고, 웨이퍼(10)는 최종 제작하고자 하는 소자, 제품에 따라 이와 상이할 수 있다. 또한, 반응 소스는 에피택셜층의 피적층 대상인 웨이퍼의 재질 및 종류에 따라서 상이해질 수도 있다.
또한, 실제 도핑에 관여할 소스 가스 또한 도핑될 타입(N 타입 또는 P 타입)에 따라 상이해질 수 있다. 예시적으로 실리콘 카바이드 계열의 웨이퍼에 질소 가스를 소스 가스로 하여 에피택셜 도핑 성장을 시킬 수 있다. 이때, 희석 가스(캐리어 가스)로는 수소 가스(H2)가 사용될 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다.
도 3을 참고하면, 회전판(120)의 수용부는 웨이퍼(10)를 지지하는 바닥면(121) 및 측벽(122)을 포함할 수 있다. 이때, 바닥면(121)은 웨이퍼(10)와 접촉하는 중앙부(121a), 및 오목홈(H1)을 포함하는 테두리부(121b)를 포함할 수 있다.
오목홈(H1)은 중앙부(121a)에서 측벽(122)으로 갈수록 낮아지는 경사면을 가질 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 오목홈의 형상은 다양하게 변형될 수 있다.
웨이퍼(10)는 바닥면(121)의 중앙부(121a)와 접촉하고 테두리부(121b)와는 이격될 수 있다. 따라서, 웨이퍼(10)는 바닥면(121)의 중앙부(121a)와 접촉하는 영역만이 가열되고 가장자리는 상대적으로 냉각될 수 있다. 따라서, 웨이퍼(10)의 중앙은 상대적으로 가스와 반응이 활발해지는 반면, 웨이퍼(10)의 가장자리는 온도가 낮아 상대적으로 가스와 반응이 약해질 수 있다.
도 4와 같이 웨이퍼(10)의 후면이 전체적으로 회전판(120)의 바닥과 접촉(P1)하는 경우에는 웨이퍼(10)의 전체면이 가열되어 반응이 활발해질 수 있다. 그러나, 가스의 농도는 회전판(120)의 회전 등에 의해 회전판(120)의 중앙에 비해 외측에서 높을 수 있다. 따라서, 웨이퍼(10)의 전체면이 가열되는 경우 에피택셜층(3)은 가장자리(3a)에서 두께가 두꺼워지게 된다. 그 결과 에피택셜 웨이퍼가 휘어지는 문제가 발생할 수 있다.
다시 도 3을 참고하면, 웨이퍼(10)의 중앙은 가스의 농도가 상대적으로 낮을 수 있다. 그러나, 웨이퍼(10)의 중앙은 바닥면(121)의 중앙부(121a)에 접촉하므로 상대적으로 온도가 높다.
웨이퍼(10)의 가장자리는 가스의 농도가 높을 수 있다. 그러나, 웨이퍼(10)의 가장자리는 바닥면(121)의 테두리부(121b)와 이격되므로 상대적으로 온도가 낮다. 또한, 에피 성장을 위해 분사된 가스의 일부는 오목홈(H1)으로 유입되어 테두리부(121b)를 냉각시킬 수 있다. 따라서, 웨이퍼(10)의 가장자리는 온도 편차가 커질 수 있다.
즉, 웨이퍼(10)의 중앙은 가스 농도는 낮은 반면 온도가 높고, 웨이퍼(10)의 가장자리는 가스 농도가 높은 반면 온도가 낮을 수 있다. 따라서, 웨이퍼(10)의 중앙과 가장자리에서 성장되는 에피택셜층의 두께는 균일해질 수 있다.
중앙부(121a)의 면적은 바닥면(121)의 전체 면적의 70% 내지 90%일 수 있다. 도 5를 참고하면, 중앙부(121a)의 면적은 웨이퍼(10) 전체 면적의 70% 내지 90%일 수 있다. 중앙부(121a)의 면적이 70%보다 작은 경우 가열면적이 줄어들어 균일한 성장이 어려울 수 있다. 또한, 면적이 90%보다 큰 경우 가열면적이 증가하여 가장자리의 두께가 과도하게 증가할 수 있다.
도 6은 도 3의 변형예이고, 도 7은 도 6의 평면도이다.
도 6을 참고하면, 회전판(120)의 측벽(122)은 돌출된 복수 개의 돌기(122a)를 포함할 수 있다. 복수 개의 돌기(122a)는 웨이퍼(10)의 측면을 지지할 수 있다. 이 경우 돌기(122a)와 웨이퍼(10)의 측면은 접촉면적이 작으므로 열 전달 효율이 감소할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(10)의 가장자리에 인가되는 열을 최소화할 수 있다. 또한, 도 7과 같이 복수 개의 돌기(122a) 사이의 틈(H1)으로 가스(G1)가 유입되어 바닥면(121)의 테두리부(121b)를 냉각시키기 유리할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2, 도 3, 및 도 8을 참고하면, 실시 예에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조방법은 에피택셜 웨이퍼 제조장치의 회전판에 웨이퍼를 배치시키는 준비단계, 및 에피택셜 웨이퍼 제조장치에 반응 소스를 주입하여 에피택셜 성장시키는 단계를 포함할 수 있다.
에피택셜 성장시키는 단계는 예열단계(S10), 성장단계(S20), 및 냉각단계(S30)를 포함할 수 있다. 예열 단계(S10)는 온도를 약 1000도까지 1차 가열하고, 약 1500도 내지 1700도까지 2차 가열할 수 있다. 1차 가열은 웨이퍼(10) 표면의 오염물질을 제거하는 단계일 수 있다.
성장단계(S20)는 약 1500도 내지 1700도의 온도로 조절된 챔버에 성장 가스와 도핑 가스, 및 희석 가스를 포함하는 반응 소스를 주입하여 에피택셜층을 성장시킬 수 있다.
이때, 회전판(120)의 고속 회전에 의해 웨이퍼(10)의 중앙은 가스의 농도가 상대적으로 낮을 수 있다. 그러나, 웨이퍼(10)의 중앙은 바닥면(121)의 중앙부(121a)에 접촉하므로 상대적으로 온도가 높을 수 있다.
이와 반대로 웨이퍼(10)의 가장자리는 고속 회전에 의해 가스의 농도가 높을 수 있다. 그러나, 웨이퍼(10)의 가장자리는 바닥면(121)의 테두리부(121b)와 이격되므로 상대적으로 온도가 낮다. 또한, 에피 성장을 위해 분사된 가스의 일부가 오목홈으로 유입되어 테두리부(121b)를 냉각시킬 수 있다. 따라서, 웨이퍼(10)의 가장자리는 온도 편차가 심화될 수 있다.
즉, 웨이퍼(10)의 중앙은 가스 농도는 낮은 반면 온도가 높고, 웨이퍼(10)의 가장자리는 가스 농도가 높은 반면 온도가 낮을 수 있다. 따라서, 웨이퍼(10)의 중앙과 가장자리에서 성장되는 에피택셜층의 두께는 균일해질 수 있다.
이후 성장이 완료되는 챔버를 냉각하여 성장을 종료할 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 에피택셜 웨이퍼의 개념도이고, 도 10은 도 9의 변형예이다.
본 발명에 따른 에피택셜 웨이퍼(10)는 기판(11), 및 기판(11)상에 형성된 에피택셜층(12)을 포함한다. 기판(11)은 실리콘 카바이드 계열의 웨이퍼일 수 있으며, 이에 대응하여 에피택셜층(12)도 도핑된 실리콘 카바이드층일 수 있다.
에피택셜층(12)은 n형 전도성 실리콘 카바이드계일 수 있다. 즉, 기판(11)이 실리콘 카바이드(SiC)인 경우, 에피택셜층(12)은 실리콘 카바이드 나이트라이드(SiCN)로 형성될 수 있다.
그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 에피택셜층(12)은 p형 전도성 실리콘 카바이드계일 수도 있다. 이 경우 에피택셜층(12)은 알루미늄 실리콘 카바이드 (AlSiC)로 형성될 수 있다.
에피택셜층(12)의 두께(d1)는 약 100 내지 1000um일 수 있다. 전술한 바와 같이 웨이퍼(10)의 가장자리의 온도를 중앙에 비해 낮게 조절함으로써 에피택셜층(12)의 두께는 전체적으로 균일할 수 있다.
도 10을 참고하면, 에피택셜층(12)의 가장자리의 두께(d2)는 상대적으로 두께가 얇을 수 있다. 이는 웨이퍼(10)의 가장자리가 상대적으로 온도가 낮게 제어되었기 때문일 수 있다. 특히, 에피 성장을 위해 분사된 가스의 일부가 회전판(120)의 오목홈(H1)으로 유입되어 테두리부(121b)를 냉각시키는 경우 에피 성장이 둔화되어 두께가 얇아질 수 있다.
에피택셜 웨이퍼는 금속 반도체 전계효과 트랜지스터(MESFET)에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명에 따른 에피택셜층 위에 소스 및 드레인을 포함하는 오믹 콘택층을 형성함으로써 금속 반도체 전계 효과 트랜지스터(MESFET)를 제작할 수 있다. 이외에도 다양한 반도체 소자에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 쉽게 이해할 수 있을 것이다.
10: 웨이퍼
100: 에피택셜 웨이퍼 제조장치
110: 메인 플레이트
120: 회전판
121: 바닥면
121a: 중앙부
121b: 테두리부
100: 에피택셜 웨이퍼 제조장치
110: 메인 플레이트
120: 회전판
121: 바닥면
121a: 중앙부
121b: 테두리부
Claims (6)
- 웨이퍼가 배치되는 수용부를 포함하는 복수 개의 회전판; 및
상기 복수 개의 회전판을 지지하는 메인 플레이트를 포함하고,
상기 수용부는 상기 웨이퍼를 지지하는 바닥면 및 측벽을 포함하고,
상기 바닥면은 상기 웨이퍼와 접촉하는 중앙부, 및 오목홈을 포함하는 테두리부를 포함하는 에피택셜 웨이퍼 제조장치.
- 제1항에 있어서,
상기 중앙부의 면적은 상기 바닥면의 전체 면적의 70% 내지 90%인 에피택셜 웨이퍼 제조장치.
- 제1항에 있어서,
상기 오목홈은 상기 중앙부에서 측벽으로 갈수록 낮아지는 경사면을 갖는 에피택셜 웨이퍼 제조장치.
- 제1항에 있어서,
상기 측벽에서 돌출된 복수 개의 돌기를 포함하는 에피택셜 웨이퍼 제조장치.
- 제1항에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조장치의 회전판에 웨이퍼를 배치시키는 준비단계; 및
상기 에피택셜 웨이퍼 제조장치에 성장 가스와 도핑 가스, 및 희석 가스를 포함하는 반응 소스를 주입하여 에피택셜 성장시키는 단계를 포함하고,
상기 에피택셜 성장시키는 단계에서,
상기 웨이퍼의 테두리는 상기 웨이퍼의 중앙에 비해 온도가 낮게 제어되는 에피택셜 웨이퍼 제조방법.
- 제5항에 있어서,
상기 바닥면의 오목홈은 상기 반응 소스에 의해 냉각되어 상기 바닥면의 중앙부에 비해 온도가 낮아지는 에피택셜 웨이퍼 제조방법.
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