KR20180004717A - 전사형 감광성 굴절률 조정 필름, 굴절률 조정 패턴의 형성 방법 및 전자 부품 - Google Patents

전사형 감광성 굴절률 조정 필름, 굴절률 조정 패턴의 형성 방법 및 전자 부품 Download PDF

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KR20180004717A
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마유미 사토
타다히로 키무라
카즈히토 와타나베
타쿠미 와타나베
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히타치가세이가부시끼가이샤
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Abstract

지지 필름과, 그 지지 필름 위에 설치된 감광성 수지층과, 그 감광성 수지층 위에 설치된 고굴절률층을 구비하고, 감광성 수지층이, 광중합성 화합물과, 광중합 개시제를 포함하고, 광중합 개시제가 옥심에스테르 화합물 또는 포스핀옥사이드 화합물인, 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.

Description

전사형 감광성 굴절률 조정 필름, 굴절률 조정 패턴의 형성 방법 및 전자 부품{TRANSFER-TYPE PHOTOSENSITIVE REFRACTIVE INDEX ADJUSTMENT FILM, METHOD FOR FORMING REFRACTIVE INDEX ADJUSTMENT PATTERN, AND ELECTRONIC COMPONENT}
본 발명은, 전사(轉寫)형 감광성 굴절률 조정 필름, 굴절률 조정 패턴의 형성 방법 및 전자 부품에 관한 것이다. 상세하게는 투명 전극의 보호막의 기능과, 투명 전극 패턴의 불가시화(不可視化) 또는 터치 화면의 시인성 향상의 양 기능을 가지는 경화막을 간편하게 형성 가능한 전사형 감광성 굴절률 조정 필름에 관한 것이다.
PC나 텔레비젼 등의 대형 전자기기, 카 내비게이션(car navigation), 휴대 전화, 전자 사전 등의 소형 전자기기, OA 기기, FA 기기 등의 표시 기기 등에는 액정 표시 소자나 터치 패널(터치 센서)이 사용되고 있다. 이들 액정 표시 소자나 터치 패널에는 투명 전극 재료로 이루어지는 전극이 설치되어 있다. 투명 전극 재료로서는, 높은 가시광 투과율을 나타내는 점에서, ITO(Indium-Tin-Oxide), 산화인듐이나 산화주석이 주류가 되고 있다.
터치 패널은 이미 각종 방식이 실용화되어 있다. 투영형 정전 용량 방식의 터치 패널은, 손가락끝의 다점 검출이 가능하기 때문에, 복잡한 지시를 실시할 수 있다는 양호한 조작성을 구비하고 있다. 그 때문에, 휴대 전화나 휴대형 음악 플레이어 등의 소형 표시장치를 가지는 기기에 있어서, 표시면 위의 입력장치로서 이용이 진행되고 있다.
일반적으로, 투영형 정전 용량 방식의 터치 패널에서는, X축과 Y축에 의한 2차원 좌표를 표현하기 위해, 복수의 X전극과, 그 X전극에 직교하는 복수의 Y전극이, 2층 구조 패턴을 형성하고 있다. 이들의 전극으로서, 최근, Ag 나노 와이어, 카본 나노 튜브 등으로 대표되는 도전성 섬유의 이용이 검토되고 있지만, ITO가 아직도 주류이다.
그런데, 터치 패널의 액자 영역에는, 터치 위치의 검출 신호를 전하기 위해서 금속 배선이 필요하다. 도전성의 관점에서, 일반적으로 금속 배선은 구리에 의해 형성되어 있다.
터치 패널은 손가락끝에 접촉될 때에 수분이나 염분 등의 부식 성분이 센싱 영역에서 내부로 침입하는 경우가 있다. 터치 패널의 내부에 부식 성분이 침입하면, 상기 금속 배선이 부식되어, 전극과 구동용 회로간의 전기 저항의 증가나, 단선의 우려가 있다.
금속 배선의 부식을 막기 위해서, 본 발명자들은, 투명 기재 위에 특정의 감광성 수지 조성물로 형성되는 감광성 수지층을 설치하고, 이 감광성 수지층을 노광, 현상함으로써 투명 기재상의 금속 배선을 보호하는 방법을 제안하고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
그런데, 상술한 바와 같이 투영형 정전 용량 방식의 터치 패널에서는, 기재 위에 투명 전극 재료에 의한 복수의 X전극과, 그 X전극에 직교하는 복수의 Y전극이, 2층 구조의 투명 전극 패턴을 형성하고 있지만, 투명 전극 패턴이 형성된 부분과, 형성되어 있지 않은 부분에서의 광학적인 반사에 의해 색차(色差)가 커지고, 모듈화했을 때 투명 도전 패턴이 화면 위에 비치는, 이른바 「패턴 시인 현상(pattern visibility phenomenon)」의 문제가 있다. 또한, 기재와 투명 전극과의 사이, 또는 모듈화할 때에 사용하는 커버 유리와 투명 전극 패턴을 접착하는 시인성 향상 필름(OCA: Optical Clear Adhesive)과 투명 전극 패턴의 사이에서, 반사광 강도가 증가하여 화면의 투과율을 저하시킨다는 문제도 있다.
상기 특허문헌 1에 기재된 방법은, 금속 배선을 보호하는데 있어서는 유효하지만, 패턴 시인 현상의 억제나, 화면의 투과율 저하를 억제하는 점에서는 개선의 여지가 있었다.
또한, 투명 전극 패턴이 시인되는 것을 막는 수법으로서, 특정의 굴절률의 범위로 조정된 저굴절률의 제1의 경화성 투명 수지층 및 고굴절률의 제2의 경화성 투명 수지층을 가지는 전사 필름이 개시되어 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조).
특허문헌 1: 국제공개제 2013/084873호 특허문헌 2: 국제공개제 2014/084112호
그러나, 특허문헌 2의 전사 필름은 투명성이 충분하지 않고, 가일층의 개선의 여지가 있다. 또한, 소정의 경화막을 형성할 때, 현상성이 충분하지 않고, 화면의 투과율 저하의 억제와 센서 금속 배선의 보호를 양립시키는 경화막을 형성하는 관점에서는 개선의 여지가 있다. 또한, 구체적인 전사 필름의 구성으로서, 가(假)지지체/열가소성 수지층/중간층/제1의 경화성 투명 수지층/제2의 경화성 투명 수지층/보호 필름으로 이루어지는 6층 필름을 개시하고 있지만, 다층 필름의 생산성의 관점에서도 개선의 여지가 있다.
본 발명은, 투명 전극 패턴의 패턴 시인 현상 억제, 화면의 투과율 저하 억제와 센서 금속 배선의 보호를 양립시키는 경화막을 충분한 현상성으로 간편하게 형성할 수 있어, 투명성이 높은 전사형 감광성 굴절률 조정 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명자들은 예의 검토한 결과, 특정의 광중합 개시제를 포함하는 감광성 수지층과, 고굴절률층으로 구성되는 전사형 감광성 굴절률 조정 필름에 의해, 투명 도전 패턴 위에 IM층(광학 조정층, 인덱스 매칭층이라고도 한다)을 박막 형성하는 것이 가능해지고, 또한, 패턴 시인 현상의 억제 및 화면의 투과율 저하의 억제에 의한 터치 화면의 시인성 향상과, 금속 배선의 부식 억제를 양립하는 경화막을, 충분한 현상성으로 형성할 수 있음을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명의 구체적 태양(態樣)을 이하에 나타낸다.
1. 지지 필름과, 그 지지 필름 위에 설치된 감광성 수지층과, 그 감광성 수지층 위에 설치된 고굴절률층을 구비하고, 상기 감광성 수지층이, 광중합성 화합물과, 광중합 개시제를 포함하고, 상기 광중합 개시제가 옥심에스테르 화합물 또는 포스핀옥사이드 화합물을 포함하는 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.
2. 상기 감광성 수지층 및 상기 고굴절률층의, 파장 400∼700nm에 있어서의 가시광선 투과율의 최소값이 90.00% 이상인 1에 기재된 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.
3. 상기 고굴절률층이 트리아진환을 가지는 화합물 또는 이소시아눌산을 가지는 화합물을 포함하는 1 또는 2에 기재된 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.
4. 상기 고굴절률층이 플루오렌 골격을 가지는 화합물을 포함하는 1∼3 중 어느 하나에 기재된 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.
5. 상기 고굴절률층이 금속 산화물을 포함하는 1∼4 중 어느 하나에 기재된 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.
6. 상기 금속 산화물이 산화지르코늄, 산화티탄, 산화주석, 산화아연, 산화인듐주석, 산화인듐, 산화알루미늄, 산화규소 및 산화이트륨으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 일종인 5에 기재된 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.
7. 상기 고굴절률층의 파장 633nm에 있어서의 굴절률이 1.50∼1.90인 1∼6 중 어느 하나에 기재된 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.
8. 상기 고굴절률층의 막 두께가 10∼500nm인 1∼7 중 어느 하나에 기재된 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.
9. 상기 감광성 수지층이 바인더 폴리머를 포함하는 1∼8 중 어느 하나에 기재된 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.
10. 상기 바인더 폴리머가 카복실기를 가지는 9에 기재된 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.
11. 상기 바인더 폴리머가 (메타)아크릴산, (메타)아크릴산글리시딜에스테르, (메타)아크릴산벤질에스테르, 스티렌, (메타)아크릴산메틸에스테르, (메타)아크릴산에틸에스테르, (메타)아크릴산부틸에스테르 및 (메타)아크릴산2-에틸헥실에스테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 일종의 화합물에서 유래하는 구조 단위를 포함하는 바인더 폴리머인 9 또는 10에 기재된 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.
12. 상기 감광성 수지층이 인산 에스테르 화합물을 포함하는 1∼11 중 어느 하나에 기재된 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.
13. 상기 감광성 수지층과 상기 고굴절률층의 합계의 두께가 30μm 이하인 1∼12 중 어느 하나에 기재된 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.
14. 1∼13 중 어느 하나에 기재된 전사형 감광성 굴절률 조정 필름을 사용하여 기재 위에 상기 고굴절률층이 밀착되도록 상기 고굴절률층 및 상기 감광성 수지층을 라미네이트 하는 공정과, 상기 기재 위에 상기 고굴절률층 및 상기 감광성 수지층의 소정 부분을 노광 후, 상기 소정 부분 이외를 제거하고, 굴절률 조정 패턴을 형성하는 공정을 구비하는 굴절률 조정 패턴의 형성 방법.
15. 14에 기재된 형성 방법에 의해 얻을 수 있는 굴절률 조정 패턴을 가지는 전자 부품.
본 발명에 의하면, 투명 전극 패턴의 패턴 시인 현상 억제 및 화면의 투과율 저하 억제와, 센서 금속 배선의 보호를 양립시키는 경화막을, 충분한 현상성으로 간편하게 형성할 수 있어, 투명성이 높은 전사형 감광성 굴절률 조정 필름을 제공할 수 있다.
[도 1] 본 발명의 전사형 감광성 굴절률 조정 필름을 나타내는 모식 단면도이다.
[도 2] 본 발명의 전사형 감광성 굴절률 조정 필름을 투명 도전 패턴 부착 기재에 사용한 일실시 형태를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 3] 본 발명의 일실시 형태에 관련되는 전자 부품을 나타내는 모식 평면도이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 관하여 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명은 이하의 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 명세서에 있어서, 「(메타)아크릴산」이란, 아크릴산 또는 메타크릴산을 의미하고, 「(메타)아크릴레이트」란, 아크릴레이트 또는 그것에 대응하는 메타크릴레이트를 의미한다. 「A 또는 B」란, A와 B 중 어느 한쪽을 포함하고 있으면 되고, 양쪽 모두 포함하고 있어도 된다.
또한, 본 명세서에 있어서 「공정」이라는 용어는, 독립된 공정뿐만 아니라, 다른 공정과 명확하게 구별할 수 없는 경우이어도 그 공정의 소기의 작용이 달성되면, 본 용어에 포함된다. 또한, 「∼」를 사용하여 나타난 수치 범위는, 「∼」의 전후에 기재되는 수치를 각각 최소값 및 최대값으로서 포함하는 범위를 나타낸다.
또한, 본 명세서에 있어서 조성물 중의 각 성분의 함유량은, 조성물 중에 각 성분에 해당하는 물질이 복수 존재하는 경우, 특별히 언급하지 않는 한, 조성물 중에 존재하는 해당 복수의 물질의 합계량을 의미한다. 또한, 예시 재료는 특별히 언급하지 않는 한, 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
(전사형 감광성 굴절률 조정 필름)
본 발명의 전사형 감광성 굴절률 조정 필름은, 지지 필름과, 그 지지 필름 위에 설치된 감광성 수지층과, 그 감광성 수지층 위에 설치된 고굴절률층을 구비한다. 그리고, 감광성 수지층이 광중합성 화합물 및 광중합 개시제를 포함하고, 그 광중합 개시제가 옥심에스테르 화합물 또는 포스핀옥사이드 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
도 1은, 본 발명의 전사형 감광성 굴절률 조정 필름의 일실시 형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 1에 나타나는 전사형 감광성 굴절률 조정 필름(1)은, 지지 필름(10)과, 상기 지지 필름 위에 설치된 감광성 수지층(20)과, 상기 감광성 수지층 위에 설치된 고굴절률층(30)을 구비한다. 또한, 전사형 감광성 굴절률 조정 필름은, 도 1에 나타내듯이 고굴절률층(30)의 감광성 수지층(20)과는 반대 측에 설치된 보호 필름(40)을 포함해도 된다.
또한, 본 명세서에 있어서, 고굴절률층과 감광성 수지층의 경계는 반드시 명확하게 되어 있을 필요는 없고, 고굴절률층에 감광성 수지층이 섞인 태양이어도 된다.
상기 전사형 감광성 굴절률 조정 필름을 사용함으로써, 예를 들면 터치 패널의 액자에 있는 금속 배선이나 투명 전극의 보호 기능과, 투명 전극 패턴의 불가시화 또는 터치 화면의 시인성 향상의 양 기능을 만족하는 투명성이 높은 경화막을 충분한 현상성으로 일괄로 형성할 수 있다.
도 2는, 본 발명의 전사형 감광성 굴절률 조정 필름을 투명 도전 패턴 부착 기재에 사용한 일실시 형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 2에 있어서, ITO 등의 투명 전극 패턴(50a)부착 기재(50) 위에, 패턴(50a)을 덮듯이 고굴절률층(30)이 설치되고, 그 위에 감광성 수지층(20)이 설치되어, 적층체(100)가 구성되어 있다.
이하, 지지 필름, 감광성 수지층, 고굴절률층 및 보호 필름에 관하여 설명한다.
(지지 필름)
지지 필름(10)으로서는, 중합체 필름을 사용할 수 있다. 중합체 필름으로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에테르설폰, 시클로올레핀폴리머 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 또는 시클로올레핀폴리머가 바람직하다.
지지 필름(10)의 두께는, 감광성 수지층의 라미네이트성과, 지지 필름(10)을 통하여 활성 광선을 조사할 때의 해상도의 저하를 억제하는 관점에서, 5∼100μm인 것이 바람직하고, 10∼70μm인 것이 보다 바람직하고, 15∼40μm인 것이 더욱 바람직하고, 15∼35μm인 것이 특히 바람직하다.
(감광성 수지층)
본 발명에 있어서 감광성 수지층(20)은, 광중합성 화합물과, 광중합 개시제를 포함하고, 상기 광중합 개시제가 옥심에스테르 화합물 또는 포스핀옥사이드 화합물을 포함한다. 본 발명에서는, 광중합 개시제로서 옥심에스테르 화합물 또는 포스핀옥사이드 화합물을 사용함으로써, 투명성이 높은 경화막을 충분한 현상성으로 형성할 수 있다.
본 발명에서 사용하는 광중합성 화합물은, 에틸렌성 불포화기를 가지는 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 에틸렌성 불포화기를 가지는 광중합성 화합물로서는, 일관능 비닐모노머, 이관능 비닐모노머, 또는 적어도 3개의 중합 가능한 에틸렌성 불포화기를 가지는 다관능 비닐모노머를 들 수 있다.
상기 일관능 비닐모노머로서는, (메타)아크릴산, (메타)아크릴산벤질에스테르, 스티렌, (메타)아크릴산메틸에스테르, (메타)아크릴산에틸에스테르, (메타)아크릴산부틸에스테르, (메타)아크릴산2-에틸헥실에스테르 등을 들 수 있다.
상기 이관능 비닐모노머로서는, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 2,2-비스(4-(메타)아크릴옥시폴리에톡시폴리프로폭시페닐)프로판, 비스페놀 A 디글리시딜에테르디(메타)아크릴레이트; 디시클로펜타닐 구조 또는 디시클로펜테닐 구조를 가지는 디(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
상기 적어도 3개의 중합 가능한 에틸렌성 불포화기를 가지는 다관능 비닐모노머로서는, 종래 공지의 것을 특히 제한 없이 사용할 수 있다. 금속 배선이나 투명 전극의 부식 억제 및 현상성의 관점에서, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트 등의 트리메틸올프로판 유래의 골격을 가지는 (메타)아크릴레이트 화합물; 테트라메틸올메탄트리(메타)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메타)아크릴레이트 등의 테트라메틸올메탄 유래의 골격을 가지는 (메타)아크릴레이트 화합물; 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트 등의 펜타에리스리톨 유래의 골격을 가지는 (메타)아크릴레이트 화합물; 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트 등의 디펜타에리스리톨 유래의 골격을 가지는 (메타)아크릴레이트 화합물; 디트리메틸올프로판테트라(메타)아크릴레이트 등의 디트리메틸올프로판 유래의 골격을 가지는 (메타)아크릴레이트 화합물; 또는 디글리세린 유래의 골격을 가지는 (메타)아크릴레이트 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.
보다 구체적으로는, 펜타에리스리톨 유래의 골격을 가지는 (메타)아크릴레이트 화합물, 디펜타에리스리톨 유래의 골격을 가지는 (메타)아크릴레이트 화합물, 트리메틸올프로판 유래의 골격을 가지는 (메타)아크릴레이트 화합물 또는 디트리메틸올프로판 유래의 골격을 가지는 (메타)아크릴레이트 화합물을 포함하는 것이 바람직하고, 디펜타에리스리톨 유래의 골격을 가지는 (메타)아크릴레이트 화합물, 트리메틸올프로판 유래의 골격을 가지는 (메타)아크릴레이트 화합물 또는 디트리메틸올프로판 유래의 골격을 가지는 (메타)아크릴레이트 화합물을 포함하는 것이 보다 바람직하고, 디트리메틸올프로판 유래의 골격을 가지는 (메타)아크릴레이트 화합물을 포함하는 것이 더욱 바람직하다.
여기서, 「∼유래의 골격을 가지는 (메타)아크릴레이트 화합물」에 관하여, 디트리메틸올프로판 유래의 골격을 가지는 (메타)아크릴레이트 화합물을 예를 들어 설명한다. 디트리메틸올프로판 유래의 골격을 가지는 (메타)아크릴레이트란, 디트리메틸올프로판과, (메타)아크릴산의 에스테르화물을 의미하고, 해당 에스테르화물에는, 알킬렌옥시기로 변성된 화합물도 포함된다. 상기 에스테르화물은, 1분자 중에 있어서의 에스테르 결합수가 최대수인 4인 것이 바람직하지만, 에스테르 결합의 수가 1∼3의 화합물이 혼합되어 있어도 된다.
광중합성 화합물은, 분자 내에 적어도 3개의 중합 가능한 에틸렌성 불포화기를 가지는 모노머를 포함하는 것이 바람직하다. 일관능 비닐모노머나 이관능 비닐모노머를 조합하여 사용하는 경우도 고려하면, 광경화성 및 전극 부식을 억제하는 관점에서, 분자 내에 적어도 3개의 중합 가능한 에틸렌성 불포화기를 가지는 모노머의 비율이, 감광성 수지층에 포함되는 광중합성 화합물의 합계량 100질량부에 대하여, 30∼100질량부인 것이 바람직하고, 50∼100질량부인 것이 보다 바람직하고, 75∼100질량부인 것이 더욱 바람직하다.
광중합 개시제인 옥심에스테르 화합물로서는, 하기 식(1)으로 표시되는 화합물, 하기 식(2)으로 표시되는 화합물, 또는 하기 식(3)으로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.
Figure pct00001
식(1) 중, R11 및 R12는, 각각 탄소수 1∼12인 알킬기, 탄소수 4∼10인 시클로알킬기, 페닐기 또는 톨릴기를 나타낸다. 이들 중에서도, 탄소수 1∼8인 알킬기, 탄소수 4∼6인 시클로알킬기, 페닐기 또는 톨릴기인 것이 바람직하고, 탄소수 1∼4인 알킬기, 탄소수 4∼6인 시클로알킬기, 페닐기 또는 톨릴기인 것이 보다 바람직하고, 메틸기, 시클로펜틸기, 페닐기 또는 톨릴기인 것이 더욱 바람직하다.
R13는, H, OH, COOH, O(CH2)OH, O(CH2)2OH, COO(CH2)OH 또는 COO(CH2)2OH를 나타낸다. H, O(CH2)OH, O(CH2)2OH, COO(CH2)OH, 또는 COO(CH2)2OH인 것이 바람직하고, H, O(CH2)2OH, 또는 COO(CH2)2OH인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00002
식(2) 중, 복수의 R14는, 각각 독립적으로 탄소수 1∼6인 알킬기를 나타내고, 프로필기인 것이 바람직하다. 복수의 R14는 각각 동일해도 상이해도 된다. R15는, NO2 또는 ArCO(여기서, Ar는 페닐기 또는 톨릴기를 나타낸다.)를 나타내고, Ar로서는, 톨릴기가 바람직하다.
R16 및 R17는, 각각 탄소수 1∼12인 알킬기, 페닐기, 또는 톨릴기를 나타내고, 메틸기, 페닐기 또는 톨릴기인 것이 바람직하다.
Figure pct00003
식(3) 중, R18는, 탄소수 1∼6인 알킬기를 나타내고, 에틸기인 것이 바람직하다.
R19는 아세탈 결합을 가지는 유기기이며, 후술하는 식(3-1)에 나타내는 화합물이 가지는 R19에 대응하는 치환기인 것이 바람직하다.
R20 및 R21는, 각각 탄소수 1∼12인 알킬기, 페닐기 또는 톨릴기를 나타내고, 메틸기, 페닐기 또는 톨릴기인 것이 바람직하고, 메틸기인 것이 보다 바람직하다.
R22는, 탄소수 1∼6인 알킬기를 나타낸다. n은 0∼4인 정수를 나타낸다. R22가 복수 존재하는 경우, 복수의 R22는 각각 동일해도 상이해도 된다.
상기 식(1)으로 표시되는 화합물로서는, 예를 들면, 하기 식(1-1)으로 표시되는 화합물 및 하기 식(1-2)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다. 하기 식(1-1)으로 표시되는 화합물은 IRGACURE OXE 01(BASF 재팬 가부시키가이샤제, 제품명)로서 입수 가능하다.
Figure pct00004
상기 식(2)으로 표시되는 화합물로서는, 예를 들면, 하기 식(2-1)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다. 하기 식(2-1)으로 표시되는 화합물은, DFI-091(다이토케믹스 가부시키가이샤제, 제품명)로서 입수 가능하다.
Figure pct00005
상기 식(3)으로 표시되는 화합물로서는, 예를 들면, 하기 식(3-1)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다. 하기 식(3-1)으로 표시되는 화합물은, 아데카옵토머 N-1919(가부시키가이샤 ADEKA제, 제품명)로서 입수 가능하다.
Figure pct00006
그 외의 옥심에스테르 화합물로서는, 하기 식(4)으로 표시되는 화합물, 하기 식(5)으로 표시되는 화합물이 바람직하다.
Figure pct00007
포스핀옥사이드 화합물로서는, 예를 들면, 하기 식(6) 및 하기 식(7)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다. 속경화성, 투명성의 관점에서, 하기 식(6)으로 표시되는 화합물이 바람직하다.
Figure pct00008
식(6) 중, R31, R32 및 R33는 각각 독립적으로, 탄소수 1∼20인 알킬기, 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 또는 메시틸기를 나타낸다.
식(7) 중, R34, R35 및 R36는 각각 독립적으로, 탄소수 1∼20인 알킬기, 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 메시틸기, 또는 디메톡시페닐기를 나타낸다.
상기 탄소수 1∼20인 알킬기는, 직쇄상, 분기쇄상 및 환상 중 어느 한 알킬기이어도 된다. 또한, 알킬기의 탄소수는 1∼10인 것이 바람직하고, 탄소수 1∼4인 알킬기가 더욱 바람직하고, 메틸기가 지극히 바람직하다.
식(6)에서 표현되는 화합물 중에서도, R31, R32 및 R33가 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 또는 메시틸기인 것이 바람직하다.
식(7)에서 표현되는 화합물 중에서도, R34, R35 및 R36가 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 메시틸기 또는 디메톡시 페닐기인 것이 바람직하다.
식(6)에서 표현되는 화합물로서는, 형성되는 보호막의 투명성, 및 막 두께를 10μm 이하로 했을 때의 패턴 형성 능력에서, 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드가 바람직하다. 본 화합물은, 예를 들면, LUCIRIN TPO(BASF 재팬 가부시키가이샤제, 제품명)로서 상업적으로 입수 가능하다.
감광성 수지층은, 상술한 옥심에스테르 화합물 및 포스핀옥사이드 화합물 이외의 광중합 개시제를 포함하고 있어도 된다. 옥심에스테르 화합물 및 포스핀옥사이드 화합물 이외의 광중합 개시제로서는, 예를 들면, 벤조페논, 4-메톡시-4'-디메틸아미노벤조페논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-몰포리노페닐)-부타논-1,2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-몰포리노프로파논-1 등의 방향족 케톤; 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인페닐에테르 등의 벤조인에테르 화합물, 벤조인, 메틸벤조인, 에틸벤조인 등의 벤조인 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 벤질 유도체; 9-페닐아크리딘, 1,7-비스(9,9'-아크리디닐)헵탄 등의 아크리딘 유도체; N-페닐글리신, N-페닐글리신 유도체; 쿠마린계 화합물; 옥사졸계 화합물을 들 수 있다. 또한, 디에틸티오크산톤과 디메틸아미노벤조산의 조합과 같이, 티오크산톤계 화합물과 3급 아민 화합물을 조합하여도 된다.
감광성 수지층은, 상술한 광중합성 화합물 및 광중합 개시제에 더하여, 바인더 폴리머를 포함하는 것이 바람직하다.
바인더 폴리머로서는, 알칼리 현상에 의해 패터닝을 가능하게 하는 관점에서, 카복실기를 가지는 폴리머를 사용하는 것이 바람직하다.
바인더 폴리머는, (메타)아크릴산, 및 (메타)아크릴산알킬에스테르에서 유래하는 구성 단위를 포함하는 공중합체가 적합하다. 상기 공중합체는, 상기 (메타)아크릴산, (메타)아크릴산알킬에스테르와 공중합 할 수 있는 그 밖의 모노머를 구성 단위에 함유하고 있어도 된다. 구체적으로는, (메타)아크릴산글리시딜에스테르, (메타)아크릴산벤질에스테르, 스티렌 등을 들 수 있다.
상기 (메타)아크릴산알킬에스테르로서는, (메타)아크릴산메틸에스테르, (메타)아크릴산에틸에스테르, (메타)아크릴산부틸에스테르, (메타)아크릴산-2-에틸헥실에스테르, (메타)아크릴산하이드록실에틸에스테르 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 특히 무기 알칼리 수용액에 대한 알칼리 현상성, 패터닝성, 투명성의 관점에서, (메타)아크릴산, (메타)아크릴산글리시딜에스테르, (메타)아크릴산벤질에스테르, 스티렌, (메타)아크릴산메틸에스테르, (메타)아크릴산에틸에스테르, (메타)아크릴산부틸에스테르 및 (메타)아크릴산2-에틸헥실에스테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 일종의 화합물에서 유래하는 구조 단위를 포함하는 바인더 폴리머가 바람직하다.
바인더 폴리머의 중량 평균 분자량은, 현상성의 관점에서, 10,000∼200,000인 것이 바람직하고, 15,000∼150,000인 것이 보다 바람직하고, 30,000∼150,000인 것이 더욱 바람직하고, 30,000∼100,000인 것이 특히 바람직하고, 40,000∼100,000인 것이 지극히 바람직하다. 또한, 중량 평균 분자량은, 본원 명세서의 실시예를 참고로 겔퍼미에이션크로마토그래피법에 의해 측정할 수 있다.
바인더 폴리머의 산가는, 알칼리 현상성의 관점에서, 75mgKOH/g 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 보호막 형상의 제어 용이성과 보호막의 방청성의 양립을 도모하는 관점에서, 75∼200mgKOH/g인 것이 바람직하고, 75∼150mgKOH/g인 것이 보다 바람직하고, 75∼120mgKOH/g인 것이 더욱 바람직하고, 78mg∼120mgKOH/g인 것이 특히 바람직하다. 또한, 산가는 본원 명세서의 실시예를 참고로 측정할 수 있다.
바인더 폴리머의 수산기가는, 방청성을 보다 향상시키는 관점에서, 50mgKOH/g 이하인 것이 바람직하고, 45mgKOH/g 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 수산기가는, 본원 명세서의 실시예를 참고로 측정할 수 있다.
감광성 수지층에 있어서, 바인더 폴리머(이하, (A)성분이라고도 한다) 및 광중합성 화합물(이하, (B)성분이라고도 한다)의 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 합계량 100질량부에 대하여, (A)성분이 0∼85질량부인 것이 바람직하고, 15∼80질량부인 것이 보다 바람직하고, 20∼80질량부인 것이 더욱 바람직하고, 50∼70질량부인 것이 특히 바람직하고, 55∼65질량부인 것이 지극히 바람직하다. 특히, 패턴 형성성이나 보호막의 투명성을 유지하는 점에서는, (A)성분 및 (B)성분의 합계량 100질량부에 대하여, (A)성분이, 15질량부 이상인 것이 바람직하고, 40질량부 이상인 것이 보다 바람직하고, 50질량부 이상인 것이 더욱 바람직하고, 55질량부 이상인 것이 특히 바람직하다.
광중합 개시제(이하, (C)성분이라고도 한다)의 함유량은, 광감도 및 해상도가 뛰어난 점에서는, (A)성분 및 (B)성분의 합계량 100질량부에 대하여, 0.1질량부 이상이 바람직하고, 가시광 투과율이 뛰어난 점에서는, 20질량부 이하인 것이 바람직하다.
광중합 개시제로서, 옥심에스테르 화합물을 포함하는 경우, 그 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 합계량 100질량부에 대하여, 0.1∼5.0질량부인 것이 바람직하고, 0.5∼3.0질량부인 것이 보다 바람직하고, 1.0∼3.0질량부인 것이 더욱 바람직하고, 1.5∼2.5질량부인 것이 특히 바람직하다.
광중합 개시제로서, 포스핀옥사이드 화합물을 포함하는 경우, 그 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 합계량 100질량부에 대하여, 3.0∼15질량부인 것이 바람직하고, 3.5∼15질량부인 것이 보다 바람직하고, 4.0∼15질량부인 것이 더욱 바람직하고, 5.0∼15질량부인 것이 특히 바람직하다.
감광성 수지층은, 보호막의 방청성을 보다 향상시키는 관점에서, 머캅토기를 가지는 트리아졸 화합물, 머캅토기를 가지는 테트라졸 화합물, 머캅토기를 가지는 티아디아졸 화합물, 아미노기를 가지는 트리아졸 화합물 또는 아미노기를 가지는 테트라졸 화합물(이하, (D)성분이라고도 한다)를 더 포함하는 것이 바람직하다. 머캅토기를 가지는 트리아졸 화합물로서는, 예를 들면, 3-머캅토-트리아졸(와코우준야쿠가부시키가이샤제, 제품명 「3MT」)를 들 수 있다. 또한, 머캅토기를 가지는 티아디아졸 화합물로서는, 예를 들면, 2-아미노-5-머캅토-1,3,4-티아디아졸(와코우준야쿠가부시키가이샤제, 제품명 「ATT」)을 들 수 있다.
상기 아미노기를 가지는 트리아졸 화합물로서는, 벤조트리아졸, 1H-벤조트리아졸-1-아세토니트릴, 벤조트리아졸-5-카복실산, 1H-벤조트리아졸-1-메탄올, 카복시벤조트리아졸 등에 아미노기가 치환된 화합물, 3-머캅토트리아졸, 5-머캅토트리아졸 등의 머캅토기를 포함하는 트리아졸 화합물에 아미노기가 치환된 화합물 등을 들 수 있다.
상기 아미노기를 가지는 테트라졸 화합물로서는, 5-아미노-1H-테트라졸, 1-메틸-5-아미노-테트라졸, 1-카복시메틸-5-아미노-테트라졸 등을 들 수 있다. 이들의 테트라졸 화합물은, 그 수용성염이어도 된다. 구체적인 예로서는, 1-메틸-5-아미노-테트라졸의 나트륨, 칼륨, 리튬 등의 알칼리 금속염 등을 들 수 있다.
(D)성분을 포함하는 경우, 그 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 합계량 100질량부에 대하여, 0.05∼5.0질량부가 바람직하고, 0.1∼2.0질량부가 보다 바람직하고, 0.2∼1.0질량부가 더욱 바람직하고, 0.3∼0.8질량부가 특히 바람직하다.
감광성 수지층은, 현상 잔류물의 발생을 방지하는 관점에서, 인산에스테르 화합물(이하, (E)성분이라고도 한다)을 포함하는 것이 바람직하고, 그 인산에스테르 화합물이 광중합성 불포화 결합을 포함하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서, 인산에스테르 화합물은, (B)성분의 광중합성 화합물에는 포함되지 않는 것으로 한다.
(E)성분인 인산에스테르 화합물로서는, 형성하는 보호막의 방청성과 현상성을 고수준으로 양립하는 관점에서, Phosmer 시리즈(Phosmer-M, Phosmer-CL, Phosmer-PE, Phosmer-MH, Phosmer-PP 등, 유니케미칼 가부시키가이샤제, 제품명), 또는 KAYAMER 시리즈(PM21, PM-2 등, 니뽄카야쿠 가부시키가이샤제, 제품명)가 바람직하다.
(E)성분을 포함하는 경우, 그 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 합계량 100질량부에 대하여, 0.05∼5.0질량부가 바람직하고, 0.1∼2.0질량부가 보다 바람직하고, 0.2∼1.0질량부가 더욱 바람직하고, 0.2∼0.6질량부가 특히 바람직하다.
(고굴절률층)
고굴절률층은, 상기의 감광성 수지층보다도 굴절률이 높은 층이다. 또한, 감광성 수지층의 파장 633nm의 광(光)에 있어서의 굴절률은, 통상, 1.40∼1.49이다.
고굴절률층은, 파장 633nm의 광에 있어서의 굴절률이 1.50∼1.90인 것이 바람직하고, 1.53∼1.85인 것이 보다 바람직하고, 1.55∼1.75인 것이 더욱 바람직하다. 고굴절률층의 633nm에 있어서의 굴절률이 1.50∼1.90인 것에 의해, 도 2에 나타내는 적층체로 했을 경우, ITO 등의 투명 전극 패턴(50a)과, 감광성 수지층(20) 위에 사용되는 각종 부재(예를 들면, 모듈화할 때에 사용하는 커버 유리와 투명 전극 패턴을 접착하는 OCA)의 굴절률의 중간값이 되기 쉽고, ITO 등의 투명 전극 패턴이 형성되어 있는 부분과 형성되어 있지 않은 부분에서의 광학적인 반사에 의한 색차를 작게 하는 것이 가능해져, 패턴 시인 현상을 억제할 수 있다. 또한, 화면 전체의 반사광 강도를 저감시키는 것이 가능해져, 화면상의 투과율 저하를 억제하는 것이 가능해진다. 또한, 굴절률은, 본원 명세서의 실시예를 참고로 측정할 수 있다.
ITO 등의 투명 전극의 굴절률은, 1.80∼2.10인 것이 바람직하고, 1.85∼2.05인 것이 보다 바람직하고, 1.90∼2.00인 것이 더욱 바람직하다. 또한, OCA 등의 부재의 굴절률은 1.45∼1.55인 것이 바람직하고, 1.47∼1.53인 것이 보다 바람직하고, 1.48∼1.51인 것이 더욱 바람직하다.
고굴절률층의 막 두께는, 10∼500nm인 것이 바람직하고, 20∼300nm인 것이 보다 바람직하고, 30∼250nm인 것이 더욱 바람직하고, 40∼200nm인 것이 특히 바람직하고, 45∼150nm인 것이 지극히 바람직하다. 막 두께가, 10∼500nm인 것에 의해, 상술한 화면 전체의 반사광 강도를 보다 저감시키는 것이 가능해진다.
고굴절률층은, 굴절률의 관점에서, 트리아진환을 가지는 화합물, 이소시아눌산 골격을 가지는 화합물, 플루오렌 골격을 가지는 화합물, 또는 금속 산화물(이하, (F)성분이라고도 부른다)을 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 고굴절률층은, 굴절률과 현상성, 패터닝성, 또한 투명성의 관점에서, 트리아진환을 가지는 화합물 또는 이소시아눌산 골격을 가지는 화합물과, 플루오렌 골격을 가지는 화합물을 병용하는 것이 바람직하다.
트리아진환을 가지는 화합물로서는, 구조 단위 중에 트리아진환을 가지는 폴리머를 들 수 있고, 하기 식(8)으로 표시되는 구조 단위를 가지는 화합물 등을 들 수 있다.
Figure pct00009
식 중, Ar는, 방향환(탄소수는 예를 들면 6∼20) 및 복소환(원자수는 예를 들면 5∼20)으로부터 선택되는 적어도 1개를 포함하는 2가의 기를 나타낸다. X는, 각각 독립적으로 NR1를 나타낸다. R1는, 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기(탄소수는 예를 들면 1∼20), 알콕시기(탄소수는 예를 들면 1∼20), 아릴기(탄소수는 예를 들면 6∼20) 또는 아랄킬기(탄소수는 예를 들면 7∼20)를 나타낸다. 복수의 X는 각각 동일해도 상이해도 된다.
구체적으로는, 트리아진환을 가지는 하이퍼브런치 폴리머(hyper-branched polymer)가 바람직하고, 예를 들면, HYPERTECH 시리즈(닛산가가쿠고교 가부시키가이샤제, 제품명)로서 상업적으로 입수 가능하다.
이 하이퍼브런치 폴리머는, 예를 들면, m-페닐디아민의 디메틸아세토아미드 용액에 2,4,6-트리클로로-1,3,5-트리아진의 디메틸아세토아미드 용액을 적하하여 중합을 개시하고, 2-아미노프로판올을 더욱 적하시켜 반응시켜, 암모니아 수용액에 침전시킴으로써 얻어진다.
얻어진 트리아진환을 가지는 하이퍼브런치 폴리머를, 프탈산이나 숙신산 등으로 변성함으로써 산가를 함유시키는 것도 가능하다.
이소시아눌산 골격을 가지는 화합물의 「이소시아눌산 골격」이란, 이소시아눌산에서 3개의 수소 원자를 제외한 기를 말하며, 이소시아눌산 골격을 가지는 화합물로서는, 하기 식(9)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
구체적으로는, 이소시아눌산트리알릴이 바람직하다.
Figure pct00010
식 중, R은 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, R2OH(R2는 탄소수 1∼6인 알킬렌이다), 또는 알릴기를 나타내고, 알릴기가 바람직하다.
할로겐 원자로서는, 염소 원자가 바람직하다.
R2OH로서는, 메틸올기, 하이드록시에틸기가 바람직하다.
플루오렌 골격을 가지는 화합물로서는, 9,9-비스[4-2-(메타)아크릴로일옥시 에톡시)페닐]플루오렌 골격을 가지는 화합물이 바람직하다. 상기 화합물은 (폴리)옥시에틸렌 또는 (폴리)옥시프로필렌으로 변성되어 있어도 된다. 이들은, 예를 들면, EA-0200(오사카가스케미컬 가부시키가이샤제, 제품명)으로서 상업적으로 입수 가능하다. 또한, 에폭시아크릴레이트로 에폭시 변성되어 있어도 된다. 이들은, 예를 들면, GA5000, EG200(오사카가스케미컬 가부시키가이샤제, 제품명)로서 상업적으로 입수 가능하다.
터치 화면의 시인성 향상 기능을 가지는 투명성이 높은 경화막을 얻는 관점에서는, (F)성분으로서 금속 산화물을 포함하는 것이 바람직하다.
(F)성분이 금속 산화물을 포함하는 경우, 현상성을 향상시키는 관점에서, 감광성 수지층의 바인더 폴리머에서 설명한 카복실기를 가지는 폴리머, 또는 광중합성 화합물에 기재된 에틸렌성 불포화기를 가지는 광중합성 화합물을, 단독 또는 복수 조합하여 고굴절률층을 형성하는 것이 바람직하다.
금속 산화물로서는, 산화지르코늄, 산화티탄, 산화주석, 산화아연, 산화인듐주석, 산화인듐, 산화알루미늄, 산화규소, 유리 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 산화지르코늄이 바람직하다.
또한, 금속 산화물은 미립자 형상인 것이 바람직하다.
금속 산화물은, 예를 들면, 나노유스 OZ-S30K, OZ-S40K-AC, OZ-S30M(닛산가가쿠고교 가부시키가이샤제, 제품명), NANON5ZR-010, NANONZR-020(가부시키가이샤 솔러제, 제품명), SZR-K, SZR-M(사카이가가쿠고교 가부시키가이샤, 제품명)가 상업적으로 입수 가능하다.
또한, 산화지르코늄은, 아몰퍼스 실리카 또는 산화주석과 병용하여 사용하는 것이 바람직하다. 이에 의해 전사형 감광성 굴절률 조정 필름을 조정했을 때, 고굴절률층의 투명성 및 현상성을 보다 향상시키는 것이 가능해진다.
또한, 산화지르코늄은, 산화이트륨과 병용하여 사용하는 것도 바람직하다. 이에 의해 전사형 감광성 굴절률 조정 필름을 조정했을 때, 고굴절률층의 투명성 및 굴절률을 보다 향상시키는 것이 가능해진다.
또한, 나노유스 OZ-S30K, OZ-S40K-AC, 및 OZ-S30M는 산화지르코늄 외에 아몰퍼스 실리카 또는 산화주석을 혼합시키고 있다. SZR-K, 및 SZR-M는, 산화이트륨을 혼합시키고 있다.
또한, 산화지르코늄이나 산화주석은, STEM-EDX를 사용하여, 지르코늄 원소, 산소 원소, 주석 원소를 검출하여 맵핑함으로써 특정할 수 있다.
고굴절률층에 있어서의 (F)성분의 함유량은, 고굴절률층의 파장 633nm의 광에 있어서의 굴절률을 1.5∼1.9의 범위로 조정하기 때문에, 이하의 범위가 바람직하다.
트리아진환을 가지는 화합물을 포함하는 경우, (F)성분의 합계량 100질량부에 대하여, 10∼100질량부 포함하는 것이 바람직하고, 10∼70질량부 포함하는 것이 보다 바람직하고, 10∼60질량부 포함하는 것이 더욱 바람직하고, 10∼55질량부 포함하는 것이 특히 바람직하다.
이소시아눌산 골격을 가지는 화합물을 포함하는 경우, (F)성분의 합계량 100질량부에 대하여, 10∼90질량부 포함하는 것이 바람직하고, 20∼80질량부 포함하는 것이 보다 바람직하고, 30∼70질량부 포함하는 것이 더욱 바람직하다.
플루오렌 골격을 가지는 화합물을 포함하는 경우, (F)성분의 합계량 100질량부에 대하여, 10∼100질량부 포함하는 것이 바람직하고, 20∼90질량부 포함하는 것이 보다 바람직하고, 30∼90질량부 포함하는 것이 더욱 바람직하고, 40∼90질량부 포함하는 것이 특히 바람직하다.
금속 산화물을 포함하는 경우, (F)성분의 합계량 100질량부에 대하여, 10∼100질량부 포함하는 것이 바람직하고, 20∼93질량부 포함하는 것이 보다 바람직하고, 30∼90질량부 포함하는 것이 더욱 바람직하다.
고굴절률층은, 필요에 따라 감광성 수지층의 (A)성분∼(E)성분 중, 어느 한 성분 이상을 포함해도 된다.
또한, 고굴절률층은, 실질적으로 상술한 (F)성분의 적어도 1개만으로 이루어져도 된다. 즉, 본 발명에 있어서의 고굴절률층은, 실질적으로 (F)성분만으로 이루어져 있어도 된다.
여기서 「실질적」이란, 층을 구성하는 성분의 95질량% 이상 100질량% 이하(바람직하게는 98질량% 이상 100질량% 이하)가 (F)성분인 것을 의미한다.
본 발명의 감광성 수지층 및 고굴절률층은, 각각, 필요에 따라 공지의 첨가제를 첨가해도 된다. 첨가제로서는, 예를 들면, 옥타메틸시클로테트라실록산 등의 올가노실록산, 2,2'-메틸렌-비스(4-에틸-6-tert-부틸페놀) 등의 중합 금지제를 들 수 있다.
본 발명의 전사형 감광성 굴절률 조정 필름에 있어서, 감광성 수지층과 고굴절률층의 적층체의, 400∼700nm에 있어서의 가시광 투과율의 최소값은 90.00% 이상인 것이 바람직하고, 90.50% 이상인 것이 보다 바람직하고, 90.70% 이상인 것이 더욱 바람직하다. 일반적인 가시광 파장역인 400∼700nm에 있어서의 투과율의 최소값이 90.00% 이상이면, 터치 패널(터치 센서)의 센싱 영역의 투명 전극을 보호하는 경우에 있어서, 센싱 영역에서의 화상 표시 품질, 색조, 휘도가 저하되는 것을 충분히 억제할 수 있다. 가시광 투과율의 최대값은, 통상 100% 이하이다. 또한, 가시광 투과율은, 본원 명세서의 실시예를 참고로 측정할 수 있다.
전사형 감광성 굴절률 조정 필름의 감광성 수지층(20) 및 고굴절률층(30)은, 예를 들면, 감광성 수지층을 형성하는 감광성 수지 조성물을 포함하는 도포액, 및 상기 (F)성분을 포함하는 고굴절률 조성물을 포함하는 도포액을 조제하고, 이를 각각 지지 필름(10), 또는 보호 필름(40) 위에 도포, 건조하고, 첩합함으로써 형성할 수 있다. 또한, 지지 필름(10) 위에 감광성 수지 조성물을 포함하는 도포액을 도포, 건조하고, 그 후, 감광성 수지층(20) 위에, 고굴절률 조성물을 포함하는 도포액을 도포, 건조하여, 보호 필름(40)을 첩부함으로써 형성할 수도 있다.
도포액은, 상술한 감광성 수지 조성물, 또는 고굴절률 조성물을 용제에 균일하게 용해 또는 분산함으로써 얻을 수 있다.
도포액에 사용하는 용제는, 특별히 제한은 없고, 공지의 것을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 톨루엔, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 메틸렌글리콜, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 클로로포름, 염화메틸렌 등을 들 수 있다.
도포 방법으로서는, 닥터 블레이드 코팅법, 마이어 바 코팅법, 롤 코팅법, 스크린 코팅법, 스피너 코팅법, 잉크젯 코팅법, 스프레이 코팅법, 딥 코팅법, 그라비어 코팅법, 커텐 코팅법, 다이 코팅법 등을 들 수 있다.
건조 조건에 특별히 제한은 없지만, 건조 온도는, 60∼130℃로 하는 것이 바람직하고, 건조 시간은, 0.5∼30분간으로 하는 것이 바람직하다.
감광성 수지층과 고굴절률층의 합계(이하, 감광성 굴절률 조정층이라고도 한다)의 두께는, 라미네이트시의 추종성 향상의 관점에서, 30μm 이하인 것이 바람직하고, 20μm 이하인 것이 보다 바람직하고, 10μm 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 기재의 돌기물에 의해 핀홀이 발생하는 것을 억제하는 관점에서, 1μm 이상인 것이 바람직하고, 2μm 이상인 것이 바람직하고, 3μm 이상인 것이 더욱 바람직하다. 3μm 이상이면, 기재의 돌기물에 의한 영향을 극력 억제하여 방청성을 유지하는 것이 용이해진다.
감광성 굴절률 조정층의 점도는, 전사형 감광성 굴절률 조정 필름을 롤 형상으로 보관했을 경우에, 전사형 감광성 굴절률 조정 필름의 단면(端面)으로부터 조성물이 스며나오는 것을 억제하는 관점 및 전사형 감광성 굴절률 조정 필름을 절단 할 때에 감광성 굴절률 조정층이 너무 딱딱해 진 결과, 파편화하여 기재에 부착되는 것을 억제하는 관점에서, 30℃에 있어서, 15∼100mPa·s인 것이 바람직하고, 20∼90mPa·s인 것이 보다 바람직하고, 25∼80mPa·s인 것이 더욱 바람직하다.
(보호 필름)
보호 필름(40)으로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 폴리에틸렌-아세트산비닐 공중합체와 폴리에틸렌의 적층 필름 등을 들 수 있다.
보호 필름(40)의 두께는, 5∼100μm가 바람직하지만, 롤 형상으로 감아 보관하는 관점에서, 70μm 이하인 것이 바람직하고, 60μm 이하인 것이 보다 바람직하고, 50μm 이하인 것이 더욱 바람직하고, 40μm 이하인 것이 특히 바람직하다.
다음으로, 전사형 감광성 굴절률 조정 필름을 사용한 투명 전극의 보호 기능과, 전극 패턴의 패턴 시인 현상의 억제 또는 터치 화면의 시인성 향상 기능의 양 기능을 만족하는 경화막을 형성하는 방법에 관하여 설명한다.
우선, 전사형 감광성 굴절률 조정 필름(1)의 보호 필름(40)을 제거한 후, 전사형 감광성 굴절률 조정 필름을 기재(50)(투명 도전 패턴 부착 기재)의 표면에 고굴절률층(30)이 밀착되도록 고굴절률층 및 감광성 수지층을 라미네이트(전사)한다. 압착 수단으로서는, 압착 롤을 들 수 있다. 압착 롤은, 가열 압착할 수 있도록 가열 수단을 구비한 것이어도 된다.
가열 압착하는 경우의 가열 온도는, 고굴절률층(30)과 기재(50)의 밀착성과, 감광성 수지층이나 고굴절률층의 구성 성분이 열경화 또는 열분해되기 어렵게 하기 위해, 10∼160℃로 하는 것이 바람직하고, 20∼150℃로 하는 것이 보다 바람직하고, 30∼150℃로 하는 것이 더욱 바람직하다.
또한, 가열 압착시의 압착 압력은, 고굴절률층(30)과 기재(50)의 밀착성을 충분히 확보하면서, 기재(50)의 변형을 억제하는 관점에서, 선압(線壓)으로 50∼1×105N/m로 하는 것이 바람직하고, 2.5×102∼5×104N/m로 하는 것이 보다 바람직하고, 5×102∼4×104N/m로 하는 것이 더욱 바람직하다.
전사형 감광성 굴절률 조정 필름을 상기와 같이 가열 압착하면, 라미네이트전의 기재의 예열 처리는 반드시 필요하지는 않지만, 고굴절률층(30)과 기재(50)의 밀착성을 더 향상시키는 점에서, 기재(50)를 예열 처리해도 된다. 이때의 처리 온도는, 30∼150℃로 하는 것이 바람직하다.
기재로서는, 터치 패널(터치 센서)에 사용되는, 유리판, 플라스틱판, 세라믹판, 필름 등의 기재 등을 들 수 있다. 이 기재 위에는, 경화막을 형성하는 대상이 되는 전극이 설치된다. 전극으로서는, ITO, Cu, Al, Mo 등의 전극을 들 수 있다. 또한, 기재 위에는, 기재와 전극 사이에 절연층이 설치되어 있어도 된다.
다음으로, 전사 후의 감광성 굴절률 조정층의 소정 부분에, 포토마스크를 통하여, 활성 광선을 패턴 형상에 조사한다. 활성 광선을 조사할 때, 감광성 굴절률 조정층 위의 지지 필름(10)이 투명인 경우에는, 그대로 활성 광선을 조사할 수 있고, 불투명인 경우에는 제거하고 나서 활성 광선을 조사한다. 활성 광선의 광원으로서는, 공지의 활성 광원을 사용할 수 있다.
활성 광선의 조사량은, 1×102∼1×104J/m2이며, 조사 시에, 가열을 수반할 수도 있다. 이 활성 광선의 조사량이, 1×102J/m2 이상이면, 광경화를 충분히 진행시키는 것이 가능해지고, 1×104J/m2 이하이면 감광성 굴절률 조정층이 변색되는 것을 억제할 수 있는 경향이 있다.
이이서, 활성 광선 조사 후의 감광성 수지층 및 고굴절률층의 미노광부를 현상액으로 제거하고, 투명 전극의 일부 또는 전부를 피복하는 굴절률 조정 패턴을 형성한다. 또한, 활성 광선의 조사 후, 감광성 굴절률 조정층에 지지 필름(10)이 적층되어 있는 경우에는 그것을 제거한 후, 현상 공정이 실시된다.
현상 공정은, 알칼리 수용액, 수계 현상액, 유기용제 등의 공지의 현상액을 사용하여, 스프레이, 샤워, 요동 침지, 브러싱, 스크럽핑 등의 공지의 방법에 의해 실시할 수 있다. 그 중에서도, 환경, 안전성의 관점에서 알칼리 수용액을 사용하여, 스프레이 현상하는 것이 바람직하다. 또한, 현상 온도나 시간은 종래 공지의 범위에서 조정할 수 있다.
본 실시 형태에 관련되는 전자 부품은, 전사형 감광성 굴절률 조정 필름을 사용하여 형성한 굴절률 조정 패턴을 구비하고 있다. 전자 부품으로서는, 터치 패널, 액정 디스플레이, 유기 일렉트로루미네센스, 태양전지 모듈, 프린트 배선판, 전자 페이퍼 등을 들 수 있다.
도 3은, 정전 용량식의 터치 패널의 일례를 나타내는 모식 상면도이다. 도 3에 나타나는 터치 패널은, 투명 기재(101)의 편면에 터치 위치 좌표를 검출하기 위한 터치 화면(102)이 있고, 이 영역의 정전 용량 변화를 검출하기 위한 투명 전극(103) 및 투명 전극(104)이 기재(101) 위에 설치되어 있다.
투명 전극(103) 및 투명 전극(104)은 각각 터치 위치의 X위치 좌표 및 Y위치 좌표를 검출한다.
투명 기재(101) 위에는, 투명 전극(103) 및 투명 전극(104)으로부터 터치 위치의 검출 신호를 외부 회로에게 전하기 위한 인출 배선(105)이 설치되어 있다. 또한, 인출 배선(105)과, 투명 전극(103) 및 투명 전극(104)은, 투명 전극(103) 및 투명 전극(104) 위에 설치된 접속 전극(106)에 의해 접속되어 있다. 또한, 인출 배선(105)의 투명 전극(103) 및 투명 전극(104)의 접속부와 반대측의 단부에는, 외부 회로와의 접속 단자(107)가 설치되어 있다.
도 3에 나타내듯이, 굴절률 조정 패턴(123)을 형성함으로써, 투명 전극(103), 투명 전극(104), 인출 배선(105), 접속 전극(106) 및 접속 단자(107)의 보호막의 기능과, 투명 전극 패턴으로부터 형성되는 센싱 영역(터치 화면(102))의 굴절률 조정 기능을 동시에 나타낸다.
실시예
이하, 실시예를 들어 본 발명에 관하여 보다 구체적으로 설명한다. 다만, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[바인더 폴리머 용액(A1)의 제작]
교반기, 환류 냉각기, 불활성 가스 도입구 및 온도계를 구비한 플라스크에, 표 1에 나타내는 (1)을 담고, 질소 가스 분위기하에서 80℃로 승온하고, 반응 온도를 80℃±2℃로 유지하면서, 표 1에 나타내는 (2)를 4시간에 걸쳐 균일하게 적하했다. (2)의 적하 후, 80℃±2℃로 6시간 교반을 계속하고, 중량 평균 분자량이 65,000, 산가가 78mgKOH/g, 수산기가가 2mgKOH/g인 바인더 폴리머의 용액(고형분 45질량%) (A1)을 얻었다.
Figure pct00011
또한, 중량 평균 분자량(Mw)은, 겔퍼미에이션크로마토그래피법(GPC)에 따라 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 환산함으로써 도출했다. GPC의 조건을 이하에 나타낸다.
＜GPC 조건＞
펌프: L-6000(가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼제, 제품명)
컬럼: Gelpack GL-R420, Gelpack GL-R430, Gelpack GL-R440(이상, 히타치가세이 가부시키가이샤제, 제품명)
용리액: 테트라하이드로퓨란
측정 온도: 40℃
유량: 2.05mL/분
검출기: L-3300(RI검출기, 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼제, 제품명)
[산가의 측정 방법]
바인더 폴리머의 용액을 130℃에서 1시간 가열하고, 휘발분을 제거하여, 고형분을 얻었다. 그리고, 상기 고형분의 폴리머 1g을 정칭(精秤)한 후, 이 폴리머에 아세톤을 30g 첨가하고, 이를 균일하게 용해했다. 이어서, 지시약인 페놀프탈레인을 그 용액에 적량 첨가하고, 0.1N의 KOH 수용액을 사용하여 적정을 실시했다. 그리고, 다음 식에 의해 산가를 산출했다.
산가=0.1×Vf×56.1/(Wp×1/100)
식 중, Vf는 KOH 수용액의 적정량(mL)을 나타내고, Wp는 측정한 수지 용액의 질량(g)을 나타내고, I는 측정한 수지 용액 중의 불휘발분의 비율(질량%)을 나타낸다.
[수산기가의 측정 방법]
바인더 폴리머의 용액을 130℃에서 1시간 가열하고, 휘발분을 제거하여, 고형분을 얻었다. 그리고, 상기 고형분의 폴리머 1g을 정칭한 후, 폴리머를 삼각 플라스크에 넣어 10질량%의 무수 아세트산피리딘 용액을 10mL 가하여 이를 균일하게 용해하고, 100℃에서 1시간 가열했다. 가열 후, 물 10mL와 피리딘 10mL를 가하여 100℃에서 10분간 가열 후, 자동 적정기(히라누마산교 가부시키가이샤제, 제품명 「COM-1700」)를 사용하여, 0.5mol/L의 수산화칼륨의 에탄올 용액에 의해 중화 적정을 실시했다. 그리고, 다음 식에 의해 수산기가를 산출했다.
수산기가=(A-B)×f×28.05/시료(g)＋산가
식 중, A는 공시험(空試驗)에 사용한 0.5mol/L 수산화칼륨에탄올 용액의 양(mL)을 나타내고, B는 적정에 사용한 0.5mol/L 수산화칼륨에탄올 용액의 양(mL)을 나타내고, f는 팩터(factor)를 나타낸다.
[바인더 폴리머 용액(A2)의 제작]
표 1에 나타내는 (2)를 메타크릴산 12질량부, 메타크릴산메틸 38질량부, 아크릴산에틸 30질량부, 시클로헥실메타크릴레이트 20질량부 및 2,2'-아조비스(이소부티로니트릴) 1.1질량부로 변경한 것 외에는 (A1)과 동일하게 합성하여, 중량 평균 분자량이 65,000, 산가가 78mgKOH/g, 수산기가가 2mgKOH/g인 바인더 폴리머의 용액(고형분 45질량%) (A2)를 얻었다.
[바인더 폴리머 용액(A3)의 제작]
표 1에 나타내는 (2)를 메타크릴산 24질량부, 메타크릴산메틸 44질량부, 아크릴산부틸 15질량부, 메타크릴산부틸 17질량부 및 2,2'-아조비스(이소부티로니트릴) 3질량부로 변경한 것 외에는 (A1)과 동일하게 합성하여, 중량 평균 분자량이 25,000, 산가가 157mgKOH/g, 수산기가가 2mgKOH/g인 바인더 폴리머의 용액(고형분 45질량%) (A3)를 얻었다.
[바인더 폴리머 용액(A4)의 제작]
표 1에 나타내는 (2)를 메타크릴산 30질량부, 메타크릴산메틸 22질량부, 아크릴산에틸 10질량부, 메타크릴산부틸 8질량부, 스티렌 30질량부 및 2,2'-아조비스(이소부티로니트릴) 1.1질량부로 변경한 것 외에는 (A1)과 동일하게 합성하여, 중량 평균 분자량이 50,000, 산가가 196mgKOH/g, 수산기가가 2mgKOH/g인 바인더 폴리머의 용액(고형분 45질량%) (A4)를 얻었다.
(실시예 1∼24, 비교예 1∼19)
[감광성 수지층을 형성하는 도포액의 제작]
표 2∼5의 「감광성 수지층」에 나타내는 성분을, 교반기를 사용하여 15분간 혼합하여, 감광성 수지층을 형성하기 위한 도포액을 제작했다.
[고굴절률층을 형성하는 도포액의 제작]
표 2∼5의 「고굴절률층」에 나타내는 성분을, 교반기를 사용하여 15분간 혼합하여 고굴절률층을 형성하기 위한 도포액을 제작했다.
표 2∼5 중의 성분의 기호는 이하의 의미를 나타낸다.
(A)성분
(A1): 모노머 배합비(메타크릴산/메타크릴산메틸/아크릴산에틸=12/58/30(질량비))인 공중합체의 프로필렌글리콜모노메틸에테르/톨루엔 용액, 중량 평균 분자량 65,000, 산가 78mgKOH/g, 수산기가 2mgKOH/g, Tg60℃
(A2): 모노머 배합비(메타크릴산/메타크릴산메틸/아크릴산에틸/시클로헥실메타크릴레이트=12/38/30/20(질량비))인 공중합체의 프로필렌글리콜모노메틸에테르/톨루엔 용액, 중량 평균 분자량 65,000, 산가 78mgKOH/g, 수산기가 2mgKOH/g, Tg54℃
(A3): 모노머 배합비(메타크릴산/메타크릴산메틸/아크릴산부틸/메타크릴산부틸=24/44/15/17(질량비))인 공중합체의 프로필렌글리콜모노메틸에테르/톨루엔 용액, 중량 평균 분자량 25,000, 산가 157mgKOH/g, 수산기가 2mgKOH/g, Tg65℃
(A4): 모노머 배합비(메타크릴산/메타크릴산메틸/아크릴산에틸/메타크릴산부틸/스티렌=30/22/10/8/30(질량비))인 공중합체의 프로필렌글리콜모노메틸에테르/톨루엔 용액, 중량 평균 분자량 50,000, 산가 196mgKOH/g, 수산기가 2mgKOH/g, Tg96℃
(B)성분
T-1420(T): 디트리메틸올프로판테트라아크릴레이트(니뽄카야쿠 가부시키가이샤제, 제품명)
FA321M: (메타)아크릴계 화합물·비스페놀 A EO변성 디메타크릴레이트(히타치가세이 가부시키가이샤제, 제품명)
(C)성분
IRGACURE OXE 01: 1,2-옥탄디온,1-[(4-페닐티오)페닐-,2-(O-벤조일옥심)](BASF 가부시키가이샤제, 제품명)
IRGACURE 379: 2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-몰포리닐)페닐]-1-부타논(BASF 재팬 가부시키가이샤제, 제품명)
DETX: 2,4-디에틸티옥산톤(니뽄카야쿠 가부시키가이샤제, 제품명)
TPO: 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드(BASF 재팬 가부시키가이샤제, 제품명 「LUCIRIN TPO」)
(D)성분
HAT: 5-아미노-1H-테트라졸(토요호세키 가부시키가이샤제, 제품명)
3MT: 3-머캅토-트리아졸(와코우준야쿠가부시키가이샤제, 제품명)
(E)성분
PM-21: 광중합성 불포화 결합을 포함하는 인산 에스테르(니뽄카야쿠 가부시키가이샤제, 제품명)
Phosmer-M: 인산2-(메타크릴로일옥시)에틸(유니케미칼 가부시키가이샤제, 제품명)
(F)성분
UR658: 트리아진 골격을 가지는 폴리머(닛산가가쿠고교 가부시키가이샤제, 제품명 「HYPERTECH 시리즈 UR658」(상표명))
이소시아눌산트리알릴: 도쿄가세이고교 가부시키가이샤제
OZ-S40K-AC: 산화지르코늄 분산액(닛산가가쿠고교 가부시키가이샤제, 제품명 「나노 유스 OZ-S40K-AC」)
OZ-S30K: 산화지르코늄 분산액(닛산가가쿠고교 가부시키가이샤제, 제품명 「나노 유스 OZ-S30K」)
EA0200: 폴리옥시에틸렌 변성 9,9-비스(4-하이드록시페닐)플루오렌디아크릴레이트(오사카 가스케미컬 가부시키가이샤제, 제품명)
EAF5503: 폴리옥시에틸렌 변성 9,9-비스(4-하이드록시페닐)플루오렌디아크릴레이트/벤질아크릴레이트/9,9-비스(4-하이드록시페닐)플루오렌 골격 화합물의 혼합물(오사카 가스케미컬 가부시키가이샤제, 제품명)
EA-HC931: 폴리옥시에틸렌 변성 9,9-비스(4-하이드록시페닐)플루오렌디아크릴레이트외 혼합물(오사카 가스케미컬 가부시키가이샤제, 제품명)
·그 밖의 성분
Antage W-500: 2,2'-메틸렌-비스(4-에틸-6-tert-부틸페놀)(카와구치가가쿠 가부시키가이샤제, 제품명)
SH-30: 옥타메틸시클로테트라실록산(도레이·다우코닝 가부시키가이샤제, 제품명)
메틸에틸케톤(도넨가가쿠 가부시키가이샤제)
L-7001: 옥타메틸시클로테트라실록산(도레이·다우코닝 가부시키가이샤제, 제품명)
[전사형 감광성 굴절률 조정 필름의 제작]
보호 필름으로서 두께 30μm의 폴리프로필렌 필름(오지에프텍스 가부시키가이샤제, 제품명 「E-201F」)을 사용하여, 상기에서 제작한 고굴절률층을 형성하기 위한 도포액을 보호 필름 위에 다이 코터를 사용하여 균일하게 도포하고, 100℃의 열풍 체류식 건조기로 3분간 건조하여 용제를 제거하고, 고굴절률층을 형성했다.
지지 필름으로서 두께 16μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(도레이 가부시키가이샤제, 제품명 「FB40」)을 사용하여, 상기에서 제작한 감광성 수지층을 형성하는 도포액을 지지 필름 위에 콤마 코터를 사용하여 균일하게 도포하고, 100℃의 열풍 대류식 건조기로 3분간 건조하여 용제를 제거하고, 8μm 두께의 감광성 수지층을 형성했다.
상기에서 제작한 고굴절률층을 가지는 보호 필름과, 상기에서 제작한 감광성 수지층을 가지는 지지 필름을 라미네이터(히타치가세이 가부시키가이샤제, 제품명 「HLM-3000형」)를 사용하여, 고굴절률층과 감광성 수지층이 밀착하도록 23℃에서 첩합하여 전사형 감광성 굴절률 조정 필름을 제작했다.
전사형 감광성 굴절률 조정 필름 또는 각 구성층에 관하여, 하기의 항목을 평가했다. 결과를 표 2∼5에 나타낸다.
[고굴절률층의 굴절률의 측정]
고굴절률층을 형성하기 위한 도포액을 두께 0.7mm의 유리 기재 위에 스핀 코터로 균일하게 도포하고, 100℃의 열풍 체류식 건조기로 3분간 건조하여 용제를 제거하고, 고굴절률층을 형성했다.
이어서, 상기에서 얻어진 고굴절률층에, 평행 광선 노광기(가부시키가이샤 오크세이사쿠쇼제, 제품명 「EXM1201」)를 사용하여, 노광량 5×102J/m2(365nm에 있어서의 측정값)로 자외선을 조사한 후, 140℃로 가열한 상자형 건조기(미츠비시덴기 가부시키가이샤제, 제품번호 「NV50-CA」) 내에 30분간 정치(靜置)하여, 고굴절률층을 가지는 굴절률 측정용 시료를 얻었다.
이어서, 얻어진 굴절률 측정용 시료를 ETA-TCM(AudioDev GmbH 가부시키가이샤제, 제품명)에서 633nm에 있어서의 굴절률을 측정했다.
또한, 전사형 감광성 굴절률 조정 필름의 형태에 있어서의 굴절률층 단층의 굴절률은, 고굴절률층의 지지 필름측의 최표면층의 값으로 한다.
[고굴절률층과 감광성 수지층의 막 두께 측정]
고굴절률층을 가지는 보호 필름과, 감광성 수지층을 가지는 지지 필름을 첩합시키기 전의 시료로 측정했다. 상기에서 제작한 고굴절률층을 가지는 보호 필름의 고굴절률층을 F20(FILMETRICS 가부시키가이샤제, 제품명)로 측정함으로써 고굴절률층의 막 두께를 측정했다. 또한, 상기에서 제작한 감광성 수지층을 가지는 지지 필름을, 디지털 시크니스 게이지(니콘 가부시키가이샤제, 제품명 「DIGIMICROSTAND MS-5C」)로 측정함으로써 감광성 수지층의 막 두께를 측정했다.
[경화막의 b*의 측정]
얻어진 전사형 감광성 굴절률 조정 필름의 보호 필름을 벗기면서, 두께 0.7mm의 유리 기재 위에, 고굴절률층이 접하도록 라미네이터(히타치가세이 가부시키가이샤제, 제품명 「HLM-3000형」)를 사용하여, 롤 온도 120℃, 기판 전송 속도 1m/분, 압착 압력(실린더 압력) 4×105Pa(두께가 1mm, 세로 10cm×가로 10cm인 기판을 사용했기 때문에, 이때의 선압은 9.8×103N/m)의 조건으로 라미네이트하고, 유리 기재 위에, 고굴절률층, 감광성 수지층 및 지지 필름이 적층된 기판을 제작했다.
이어서, 감광성 수지층에, 평행 광선 노광기(가부시키가이샤 오크세이사쿠쇼제, 제품명 「EXM1201」)를 사용하여, 감광성 수지층측 상방(上方)으로부터 노광량 5×102J/m2로(i선(파장 365nm)에 있어서의 측정값), 자외선을 조사한 후, 지지 필름을 제거하고, 또한 감광성 수지층측 상방으로부터 노광량 1×104J/m2로(i선(파장 365nm)에 있어서의 측정값) 자외선을 조사하여, 두께 8μm의 감광성 수지층의 경화막을 가지는 측정용 시료를 얻었다.
이어서, 얻어진 시료를 분광 측색계(코니카 미놀타 가부시키가이샤제, CM-5)를 사용하여, 광원 설정 D65, 시야각 2°에서 CIELAB 표색계에서의 b*(투과 b* 및 반사 b*)를 측정했다.
또한, 참고로서 유리 기재 단체(單體)의 측정값을 표 5에 나타낸다.
[색상(반사율 R)의 측정]
얻어진 전사형 감광성 굴절률 조정 필름의 보호 필름을 벗기면서, 투명 도전성 필름(도요호 가부시키가이샤제, 제품명 「300R」) 위에, 고굴절률층이 접하도록 라미네이터(히타치가세이 가부시키가이샤제, 제품명 「HLM-3000형」)를 사용하여, 롤 온도 120℃, 기재 전송 속도 1m/분 , 압착 압력(실린더 압력) 4×105Pa(두께가 1mm, 세로 10cm×가로 10cm인 기재를 사용했기 때문에, 이때의 선압은 9.8×103N/m)의 조건으로 라미네이트하고, 투명 도전성 필름 위에, 고굴절률층, 감광성 수지층 및 지지 필름이 적층된 적층체를 제작했다.
이어서, 얻어진 적층체에, 평행 광선 노광기(가부시키가이샤 오크세이사쿠쇼제, 제품명 「EXM1201」)를 사용하여, 감광성 수지층측 상방으로부터 노광량 5×102J/m2(파장 365nm에 있어서의 측정값)로, 자외선을 조사한 후, 지지 필름을 제거하여, 경화막을 가지는 색상(반사율 R) 측정용 시료를 얻었다.
이어서, 얻어진 색상 측정용 시료를 분광 측색계(코니카 미놀타 가부시키가이샤제, 제품명 「CM-5」)를 사용하여 감광성 수지층측에 광원이 있도록 하여, 광원 설정 D65, 시야각 2°, 측정지름 30mmφ, SCI(정반사광 포함) 방식으로 XYZ 표색계에서의 Y값(이를 반사율 R로 한다)을 측정하고, 하기 식을 이용하여 규격화를 실시했다.
반사율 R 규격화=반사율 실측값/감광성 수지층만 적층한 측정 시료(비교예 16)의 반사율 실측값×100
또한, 참고로서 투명 도전성 필름 단체의 측정값을 표 5에 나타낸다.
[경화막의 염수 분무 시험(인공 땀 내성 평가 시험)]
얻어진 전사형 감광성 굴절률 조정 필름의 보호 필름을 벗기면서, 스퍼터 구리 부착 폴리이미드 필름(도레이필름카코우 가부시키가이샤제) 위에, 고굴절률층이 접하도록 라미네이터(히타치가세이 가부시키가이샤제, 제품명 「HLM-3000형」)를 사용하여, 롤 온도 120℃, 기재 전송 속도 1m/분 , 압착 압력(실린더 압력) 4×105Pa(두께가 1mm, 세로 10cm×가로 10cm인 기재를 사용했기 때문에, 이때의 선압은 9.8×103N/m)의 조건에서 라미네이트하고, 스퍼터 구리 위에, 고굴절률층, 감광성 수지층 및 지지 필름이 적층된 적층체를 제작했다.
이어서, 얻어진 적층체의 감광성 수지층에, 평행 광선 노광기(가부시키가이샤 오크세이사쿠쇼제, 제품명 「EXM1201」)를 사용하여, 감광성 수지층측 상방으로부터 노광량 5×102J/m2(파장 365nm에 있어서의 측정값)로, 자외선을 조사한 후, 지지 필름을 제거하고, 또한 감광성 수지층측 상방으로부터 노광량 1×104J/m2(파장 365nm에 있어서의 측정값)로 자외선을 조사하여, 140℃로 가열한 상자형 건조기(미츠비시덴기 가부시키가이샤제, 제품번호 「NV50-CA」) 내에 30분간 정치했다. 이로써, 인공 땀 내성 평가용 시료를 얻었다.
이어서, JIS 규격(Z2371)을 참고하여, 염수 분무 시험기(스가시켄키 가부시키가이샤제, 제품명 「STP-90 V2」)를 사용하여, 시험조 내에 상술한 시료를 재치하고, 농도 50g/L의 염수(pH=6.7)를 시험조 온도 35℃, 분무량 1.5mL/h에서 48시간 분무했다. 분무 종료 후, 염수를 닦아내고, 평가용 시료의 표면 상태를 관찰하여, 이하의 평점에 따라 평가했다.
A: 보호막 표면에 전혀 변화 없음.
B: 보호막 표면에 극히 적은 흔적이 보이지만, 구리는 변화 없음.
C: 보호막 표면에 흔적이 보이지만, 구리는 변화 없음.
D: 보호막 표면에 흔적이 있고, 또한 구리가 변색된다.
또한, 참고로서 스퍼터 구리 부착 폴리이미드 필름 단체의 측정값을 표 5에 나타낸다.
[경화막의 광선 투과율, 헤이즈(haze)의 측정]
상기에서 제작한 전사형 감광성 굴절률 조정 필름의 보호 필름을 벗기면서, 두께 0.7mm의 유리 기재 위에, 고굴절률층이 접하도록 라미네이터(히타치가세이 가부시키가이샤제, 제품명 「HLM-3000형」)를 사용하여, 롤 온도 120℃, 기재 전송 속도 1m/분 , 압착 압력(실린더 압력) 4×105Pa(두께가 1mm, 세로 10cm×가로 10cm인 기재를 사용했기 때문에, 이때의 선압은 9.8×103N/m)의 조건으로 라미네이트하고, 유리 기재 위에, 고굴절률층, 감광성 수지층 및 지지 필름이 적층된 적층체를 제작했다.
이어서, 얻어진 적층체에, 평행 광선 노광기(가부시키가이샤 오크세이사쿠쇼제, 제품명 「EXM1201」)를 사용하여, 감광성 수지층측 상방으로부터 노광량 5×102J/m2(파장 365nm에 있어서의 측정값)로, 자외선을 조사한 후, 지지 필름을 제거하고, 140℃로 가열한 상자형 건조기(미츠비시덴기 가부시키가이샤제, 제품번호 「NV50-CA」) 내에 30분간 정치하여, 투과율 측정용 시료를 얻었다.
이어서, 얻어진 투과율 측정용 시료를 헤이즈미터(니혼덴쇼쿠고교 가부시키가이샤제, 제품명 「NDH7000」)를 사용하여, 측정 파장역 400∼700nm에서 가시광 투과율, 및 헤이즈를 측정했다.
또한, 참고로서 유리 기재 단체의 측정값을 표 5에 나타낸다.
[현상 잔사(殘渣) 시험]
얻어진 전사형 감광성 굴절률 조정 필름의 보호 필름을 벗기면서, 이(易)접착층 부착 PET 필름(도요호 가부시키가이샤제, 제품명 「A4300」, 125μm 두께) 위에, 고굴절률층이 접하도록 라미네이터(히타치가세이 가부시키가이샤제, 제품명 「HLM-3000형」)를 사용하여, 롤 온도 120℃, 기재 전송 속도 1m/분 , 압착 압력(실린더 압력) 4×105Pa(두께가 125μm, 세로 10cm×10cm의 기재를 사용했기 때문에, 이때의 선압은 9.8×103N/m)의 조건으로 라미네이트하고, A4300 위에, 고굴절률층, 감광성 수지층 및 지지 필름이 적층된 적층체를 제작했다.
상기에서 얻어진 적층체를 제작 후, 온도 23℃, 습도 60%의 조건에서 30분간 보관한 후, 감광성 수지층 위에 적층되어 있는 지지 필름을 제거하고, 1.0질량% 탄산나트륨 수용액을 사용하여, 30℃에서 40초간 스프레이 현상하여, 고굴절률층, 감광성 수지층을 제거했다. 얻어진 기재 표면 상태를 현미경으로 관찰하여, 이하의 평점에 따라 현상 잔사를 평가했다.
A: 현상 잔사가 발생하지 않는다.
B: 현상 잔사가 조금 발생하지만, 그 후의 공정에 대한 영향은 없다.
C: 현상 잔사가 발생한다.
D: 현상 잔사가 많이 발생한다.
Figure pct00012
Figure pct00013
Figure pct00014
Figure pct00015
또한, 표 2∼5에 기재된 성분의 조성은 질량부이다.
표 2∼5에 나타내듯이, 실시예에서는 반사율 R규격화의 값이 90% 이하가 되고, 반사율을 충분히 저감시키고 있음과 동시에, 염수 분무 시험에 대한 내성도 충분했다. 또한, 현상 잔사가 없고 현상성이 충분했다. 또한, 전사된 감광성 수지층 및 고굴절률층의 광선 투과율이 높은 것도 확인할 수 있었다. 또한, 비교예 15는 감광성 수지층만을 설치했을 경우의 결과이다.
상기에 본 발명의 실시 형태 및/또는 실시예를 몇 가지 상세하게 설명했지만, 당업자는, 본 발명의 신규한 교시 및 효과로부터 실질적으로 멀어지는 일 없이, 이들 예시인 실시 형태 및/또는 실시예에 많은 변경을 가하는 것이 용이하다. 따라서, 이들 많은 변경은 본 발명의 범위에 포함된다.
이 명세서에 기재된 문헌의 내용을 모두 여기에 원용한다.
1…전사형 감광성 굴절률 조정 필름, 10…지지 필름, 20…감광성 수지층, 30…고굴절률층, 40…보호 필름, 50…투명 전극 패턴 부착 기재, 50a…투명 전극 패턴, 100…적층체, 101…투명 기재, 102…터치 화면, 103…투명 전극(X위치 좌표), 104…투명 전극(Y위치 좌표), 105…인출 배선, 106…접속 전극, 107…접속 단자, 123…굴절률 조정 패턴.

Claims (15)

  1. 지지 필름과, 그 지지 필름 위에 설치된 감광성 수지층과, 그 감광성 수지층 위에 설치된 고굴절률층을 구비하고,
    상기 감광성 수지층이, 광중합성 화합물과, 광중합 개시제를 포함하고,
    상기 광중합 개시제가 옥심에스테르 화합물 또는 포스핀옥사이드 화합물을 포함하는 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 감광성 수지층 및 상기 고굴절률층의, 파장 400∼700nm에 있어서의 가시광 투과율의 최소값이 90.00% 이상인 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 고굴절률층이 트리아진환을 가지는 화합물 또는 이소시아눌산을 가지는 화합물을 포함하는 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.
  4. 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 고굴절률층이 플루오렌 골격을 가지는 화합물을 포함하는 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.
  5. 청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 고굴절률층이 금속 산화물을 포함하는 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 금속 산화물이 산화지르코늄, 산화티탄, 산화주석, 산화아연, 산화인듐주석, 산화인듐, 산화알루미늄, 산화규소 및 산화이트륨으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 일종인 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.
  7. 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 고굴절률층의 파장 633nm에 있어서의 굴절률이 1.50∼1.90인 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.
  8. 청구항 1 내지 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 고굴절률층의 막 두께가 10∼500nm인 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.
  9. 청구항 1 내지 8 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 감광성 수지층이 바인더 폴리머를 포함하는 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 바인더 폴리머가 카복실기를 가지는 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.
  11. 청구항 9 또는 10에 있어서,
    상기 바인더 폴리머가 (메타)아크릴산, (메타)아크릴산글리시딜에스테르, (메타)아크릴산벤질에스테르, 스티렌, (메타)아크릴산메틸에스테르, (메타)아크릴산에틸에스테르, (메타)아크릴산부틸에스테르 및 (메타)아크릴산2-에틸헥실에스테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 일종의 화합물에서 유래하는 구조 단위를 포함하는 바인더 폴리머인 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.
  12. 청구항 8 내지 11 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 감광성 수지층이 인산 에스테르 화합물을 포함하는 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.
  13. 청구항 1 내지 12 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 감광성 수지층과 상기 고굴절률층의 합계의 두께가 30μm 이하인 전사형 감광성 굴절률 조정 필름.
  14. 청구항 1 내지 13 중 어느 한 항에 기재된 전사형 감광성 굴절률 조정 필름을 사용하여 기재 위에 상기 고굴절률층이 밀착되도록 상기 고굴절률층 및 상기 감광성 수지층을 라미네이트 하는 공정과,
    상기 기재 위에 상기 고굴절률층 및 상기 감광성 수지층의 소정 부분을 노광 후, 상기 소정 부분 이외를 제거하고, 굴절률 조정 패턴을 형성하는 공정을 구비하는 굴절률 조정 패턴의 형성 방법.
  15. 청구항 14에 기재된 형성 방법에 의해 얻을 수 있는 굴절률 조정 패턴을 가지는 전자 부품.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104699309B (zh) * 2015-03-31 2017-06-13 合肥京东方光电科技有限公司 一种触摸屏、其制作方法及显示装置
CN110462560B (zh) * 2017-03-28 2023-07-28 株式会社力森诺科 转印型感光性膜
CN111279804B (zh) * 2017-12-20 2023-10-24 住友电气工业株式会社 制造印刷电路板和层压结构的方法
WO2020079992A1 (ja) * 2018-10-18 2020-04-23 富士フイルム株式会社 転写フィルム、硬化膜の製造方法、積層体の製造方法、及び、タッチパネルの製造方法
KR102614299B1 (ko) * 2019-11-18 2023-12-19 도레이 카부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 수지 시트, 중공 구조체, 경화물, 중공 구조체의 제조 방법, 전자 부품 및 탄성파 필터
CN113655907A (zh) * 2021-08-18 2021-11-16 业成科技（成都）有限公司 触控面板、其制备方法及电子装置
WO2023148123A1 (en) * 2022-02-01 2023-08-10 Merck Patent Gmbh Composition, cured film, device including the same, and manufacturing method for the cured film

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103975294B (zh) * 2011-12-05 2016-08-24 日立化成株式会社 触摸面板用电极的保护膜的形成方法、感光性树脂组合物及感光性元件、以及触摸面板的制造方法
JP6212970B2 (ja) * 2011-12-05 2017-10-18 日立化成株式会社 タッチパネル用電極の保護膜及びタッチパネル
JP2013200577A (ja) * 2011-12-05 2013-10-03 Hitachi Chemical Co Ltd 樹脂硬化膜パターンの形成方法、感光性樹脂組成物、感光性エレメント、タッチパネルの製造方法及び樹脂硬化膜
JP5922008B2 (ja) * 2012-11-30 2016-05-24 富士フイルム株式会社 転写フィルムおよび透明積層体、それらの製造方法、静電容量型入力装置ならびに画像表示装置
JP2014126570A (ja) * 2012-12-25 2014-07-07 Toray Advanced Film Co Ltd 反射防止フィルム
JP5959746B2 (ja) * 2013-06-28 2016-08-02 住友理工株式会社 光透過性積層体
WO2015029996A1 (ja) * 2013-08-30 2015-03-05 電気化学工業株式会社 被覆材用樹脂組成物

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