KR20170142782A - 커패시터 부품 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시 형태는 복수의 유전체층의 적층 구조와 상기 유전체층을 사이에 두고 교대로 배치된 복수의 제1 및 제2 내부 전극을 포함하는 바디와, 상기 바디에서 서로 대향하는 제1면 및 제2면에 형성되며, 상기 제1 내부 전극과 연결된 제1 외부 전극 및 상기 바디에서 상기 제1면 및 제2면을 연결하면서 서로 대향하는 제3면 및 제4면에 형성되며, 상기 제2 내부 전극과 연결된 제2 외부 전극을 포함하며, 각각 상기 복수의 제1 및 제2 내부 전극 중 일부를 포함하는 복수의 커패시터부로 구분되되 상기 복수의 커패시터부는 제1 및 제2 커패시터부를 포함하며, 상기 제1 커패시터부는 이에 속한 제1 내부 전극이 상기 제1면 및 제2면으로 노출된 리드를 통하여 상기 제1 외부 전극과 연결된 관통형 커패시터인 구조인 커패시터 부품을 제공한다.

Description

커패시터 부품 {Capacitor Component}
본 발명은 커패시터 부품에 관한 것이다.
커패시터 부품의 하나인 적층 세라믹 커패시터는 액정 표시 장치(LCD: Liquid Crystal Display) 및 플라즈마 표시 장치 패널(PDP: Plasma Display Panel) 등의 영상 기기, 컴퓨터, 스마트폰 및 휴대폰 등 여러 전자 제품의 인쇄회로기판에 장착되어 전기를 충전시키거나 또는 방전시키는 역할을 하는 칩 형태의 콘덴서이다.
이러한 적층 세라믹 커패시터(MLCC: Multi-Layered Ceramic Capacitor)는 소형이면서 고용량이 보장되고 실장이 용이하다는 장점을 인하여 다양한 전자 장치의 부품으로 사용될 수 있다.
특히, 컴퓨터 등의 중앙 처리 장치(CPU)를 위한 전원 공급장치는 낮은 전압을 제공하는 과정에서 부하 전류의 급격한 변화로 인한 전압 노이즈가 발생하는 문제가 있다. 이러한 전압 노이즈를 억제하기 위한 디커플링 커패시터 용도로 MLCC가 전원 공급장치에 널리 사용되고 있다. 디커플링 등의 용도로 사용되는 MLCC의 경우, 넓은 대역에서 임피던스를 저감하려는 시도가 있어 왔다.
본 발명의 목적 중 하나는 복수의 공진 주파수를 가짐에 따라 넓은 주파수 대역에서 임피던스가 효과적으로 제어될 수 있는 커패시터 부품을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적 중 다른 하나는 이러한 커패시터 부품을 가짐으로써 부품의 사이즈 등을 줄이는 것이다.
상술한 과제를 해결하기 위한 방법으로, 본 발명은 일 실시 형태를 통하여 신규한 커패시터 부품을 제안하고자 하며, 구체적으로, 복수의 유전체층의 적층 구조와 상기 유전체층을 사이에 두고 교대로 배치된 복수의 제1 및 제2 내부 전극을 포함하는 바디와, 상기 바디에서 서로 대향하는 제1면 및 제2면에 형성되며, 상기 제1 내부 전극과 연결된 제1 외부 전극 및 상기 바디에서 상기 제1면 및 제2면을 연결하면서 서로 대향하는 제3면 및 제4면에 형성되며, 상기 제2 내부 전극과 연결된 제2 외부 전극을 포함하며, 각각 상기 복수의 제1 및 제2 내부 전극 중 일부를 포함하는 복수의 커패시터부로 구분되되 상기 복수의 커패시터부는 제1 및 제2 커패시터부를 포함하며, 상기 제1 커패시터부는 이에 속한 제1 내부 전극이 상기 제1면 및 제2면으로 노출된 리드를 통하여 상기 제1 외부 전극과 연결된 관통형 커패시터인 구조이다.
일 실시 예에서, 상기 복수의 커패시터부 중 적어도 일부는 다른 것과 상이한 공진 주파수를 발생시킬 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제2 커패시터부에 속한 제1 내부 전극은 상기 제1면 및 제2면 중 적어도 어느 하나의 면으로 노출된 리드를 통하여 상기 제1 외부 전극과 연결될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 커패시터부에 속한 제1 내부 전극의 리드는 상기 제2 커패시터부에 속한 제1 내부 전극의 리드보다 폭이 넓을 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제2 커패시터부에 속한 제1 내부 전극의 리드는 상기 제1 내부 전극의 중심 라인에서 일 방향으로 치우친 위치에 배치될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제2 커패시터부에 속한 제2 내부 전극의 리드는 상기 제2 내부 전극의 중심 라인에서 일 방향으로 치우친 위치에 배치될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제2 커패시터부에 속한 제2 내부 전극의 리드는 상기 제2 내부 전극의 중심 라인에서 상기 제2 커패시터부에 속한 제1 내부 전극의 리드로부터 멀어지는 방향으로 치우친 위치에 배치될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 커패시터부에 속한 제2 내부 전극은 상기 제3면 및 제4면으로 노출된 리드를 통하여 상기 제2 외부 전극과 연결될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제2 커패시터부에 속한 제2 내부 전극은 상기 제3면 및 제4면 중 적어도 어느 하나의 면으로 노출된 리드를 통하여 상기 제2 외부 전극과 연결될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 커패시터부에 속한 제2 내부 전극의 리드는 상기 제2 커패시터부에 속한 제2 내부 전극의 리드보다 폭이 넓을 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 커패시터부 상에 상기 제2 커패시터부가 배치된 형태일 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 바디에는 상기 커패시터 부품의 실장 방향을 표시하는 마킹부가 구비될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 마킹부는 상기 바디의 다른 영역과 다른 재질의 세라믹으로 이루어질 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 실시 형태는,
복수의 유전체층의 적층 구조와 상기 유전체층을 사이에 두고 교대로 배치된 복수의 제1 및 제2 내부 전극을 포함하는 바디와, 상기 바디에서 서로 대향하는 제1면 및 제2면에 형성되며, 상기 제1 내부 전극과 연결된 제1 외부 전극 및 상기 바디에서 상기 제1면 및 제2면을 연결하면서 서로 대향하는 제3면 및 제4면에 형성되며, 상기 제2 내부 전극과 연결된 제2 외부 전극을 포함하며, 각각 상기 복수의 제1 및 제2 내부 전극 중 일부를 포함하는 복수의 커패시터부로 구분되되 상기 복수의 커패시터부는 제1 및 제2 커패시터부를 포함하며, 상기 제1 커패시터부는 이에 속한 제1 내부 전극이 상기 제1면 및 제2면으로 노출된 리드를 통하여 상기 제1 외부 전극과 연결된 관통형 커패시터인 커패시터 부품 및 상기 커패시터 부품이 배치되는 실장 기판을 포함하는 커패시터 부품의 실장 구조체를 제공한다.
일 실시 예에서, 상기 커패시터 부품은 상기 제1 커패시터부가 상기 실장 기판을 향하는 형태로 배치될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 실장 기판은 상기 제1 및 제2 외부 전극과 접속된 3개의 회로 패턴을 포함할 수 있다.
본 발명의 여러 효과 중 일 효과로서, 넓은 주파수 대역에서 노이즈를 효과적으로 제거할 수 있는 임피던스 저감형 커패시터 부품을 얻을 수 있다. 다만, 본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하는 과정에서 더욱 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 커패시터 부품을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 커패시터 부품에서 바디의 형태를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 3은 도 1의 커패시터 부품에서 제1 커패시터부에 속한 제1 및 제2 내부 전극의 형태를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 1의 커패시터 부품에서 제2 커패시터부에 속한 제1 및 제2 내부 전극의 형태를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 5는 본 발명의 커패시터 부품을 기판에 실장된 형태를 나타낸다.
도 6은 본 발명에 따라 얻어진 커패시터 부품의 임피던스 특성을 나타낸 그래프이다.
도 7은 변형된 예의 커패시터 부품을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 8은 변형된 예에 따른 커패시터 부품에서 제2 커패시터부에 속한 제1 내부 전극의 형태를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 9는 변형된 예에 따른 커패시터 부품에서 제2 커패시터부에 속한 제2 내부 전극의 형태를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
이하, 구체적인 실시형태 및 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 통상의 기술자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다. 나아가, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 커패시터 부품을 개략적으로 나타낸 사시도이다. 도 2는 도 1의 커패시터 부품에서 바디의 형태를 개략적으로 나타낸 사시도이다. 도 3은 도 1의 커패시터 부품에서 제1 커패시터부에 속한 제1 및 제2 내부 전극의 형태를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 4는 도 1의 커패시터 부품에서 제2 커패시터부에 속한 제1 및 제2 내부 전극의 형태를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 1 내지 4를 함께 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 커패시터 부품(100)은 바디(101), 제1 내부 전극(121, 123), 제2 내부 전극(122, 124), 제1 외부 전극(141, 142) 및 제2 외부 전극(151, 152)을 포함하며, 각각 복수의 제1 및 제2 내부 전극(121-124) 중 일부를 포함하는 복수의 커패시터부(C1, C2)로 구분된다. 그리고, 제1 커패시터부(C1)는 이에 속한 제1 내부 전극(121)이 리드(R1, R2)를 통하여 제1 외부 전극(141, 142)과 연결된 관통형 커패시터를 이룬다. 본 실시 형태에서는 복수의 커패시터부가 제1 및 제2 커패시터부(C1, C2)를 포함하는 예를 설명하고 있지만, 추가적인 커패시터부를 포함할 수도 있을 것이다.
제1 외부 전극(141, 142)은 바디(101)에서 서로 대향하는 제1면(S1) 및 제2면(S2)에 형성되며, 제1 내부 전극(121, 123)과 연결된다. 제1 외부 전극(141, 142)에서 제1면(S1)에 형성된 것을 141로, 제2면(S2)에 형성된 것을 142로 표기하였다. 이 경우, 제1면(S1)과 제3면(S3)은 서로 수직으로 배치될 수 있으며, 이에 따라 바디(101)는 직육면체 혹은 이와 유사한 형상을 가질 수 있다.
제2 외부 전극(151, 152)은 바디(101)에서 제1면(S1) 및 제2면(S2)을 연결하면서 서로 대향하는 제3면(S3) 및 제4면(S4) 중 적어도 어느 하나의 면에 형성되며, 제2 내부 전극(122, 124)과 연결된다. 본 실시 형태에서는 제2 외부 전극(151, 152)이 제3면(S3)과 제4면(S4) 모두에 형성된 4단자 구조를 나타내고 있다. 후술할 바와 같이, 커패시터 부품(100)은 제1 커패시터부(C1)가 실장 기판을 향하도록 배치될 수 있으며, 이 경우, 제1면 내지 제4면(S1-S4)은 실장 기판에 수직으로 배치될 수 있다.
바디(101)는 복수의 유전체층(110)이 적층된 적층 구조와 유전체층(110)을 사이에 두고 교대로 배치된 제1 및 제2 내부 전극(121-124)을 포함한다. 바디(101)에 포함된 유전체층(110)은 당 업계에서 알려진 세라믹 등의 유전 물질을 이용할 수 있으며, 예를 들어, BaTiO3(티탄산바륨)계 세라믹 분말 등을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 BaTiO3계 세라믹 분말은 예를 들면 BaTiO3에 Ca(칼슘), Zr(지르코늄) 등이 일부 고용된 (Ba1 - xCax)TiO3, Ba(Ti1 - yCay)O3, (Ba1 - xCax)(Ti1 - yZry)O3 또는 Ba(Ti1 -yZry)O3 등이 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
상술한 바와 같이, 제1 커패시터부 및 제2 커패시터부(C1, C2)의 경우, 공진 주파수가 서로 다르게 되어 커패시터 부품(100)을 필터 등에 적용 시 노이즈 제거 효과가 개선될 수 있다. 이 경우, 제1 커패시터부(C1)는 3단자 형의 관통형 커패시터를, 제2 커패시터부(C2)는 2단자 형의 커패시터로서 구현되며, 제2 커패시터부(C2)는 상대적으로 높은 직류 등가 인덕턴스(ESL)를 가질 수 있다. 다만, 본 실시 형태에 예시된 3단자 혹은 2단자 등의 외부 단자 구성은 본 발명의 기술적 사상을 유지하는 범위에서 변형될 수 있을 것이다. 이하, 제1 및 제2 커패시터부(C1, C2)에 관한 구체적인 구성을 설명한다.
도 2 내지 4를 참조하면, 제1 커패시터부(C1)는 이에 속한 제1 내부 전극(121)은 제1면(S1) 및 제2면(S2)으로 노출된 리드(R1, R2)를 통하여 제1 외부 전극(141, 142)과 연결된 관통형 커패시터를 구성한다. 또한, 제1 커패시터부(C1)에 속한 제2 내부 전극(122)은 제3면(S3) 및 제4면(S4)으로 노출된 리드(R3, R4)를 통하여 제2 외부 전극(151, 152)과 연결된다.
이 경우, 제1 커패시터부(C1)에 속한 제1 내부 전극(121)의 리드(R1, R2)의 폭(W1)은 제2 커패시터부(C2)에 속한 제1 내부 전극(123)의 리드(R5)의 폭(W3)보다 넓다. 제1 및 제2 커패시터부(C1, C2)에서 제1 내부 전극(121, 123)의 리드의 폭을 서로 달리하는 이유 중의 하나는 제2 커패시터부(C2)에 속한 제1 및 제2 내부 전극(123, 124)의 리드(R5, R6) 간격을 상대적으로 멀어지게 배치함으로써 ESL을 크게 하기 위한 것이며, 이에 따라, 제2 커패시터부(C2)에 의하여 저주파 측에서 공진 주파수가 발생할 수 있다. 한편, 본 실시 형태에서는 제1 커패시터부(C1)에 속한 제1 내부 전극(121)의 폭이 리드(R1, R2)의 폭(W1)과 동일한 형태를 나타내고 있지만, 리드(R1, R2)의 폭(W1)은 제1 내부 전극(121)의 폭보다 좁을 수도 있을 것이다.
도 4에 도시된 형태와 같이, 제2 커패시터부(C2)에 속한 제1 내부 전극(123)은 제1면(S1) 및 제2면(S2) 중 적어도 어느 하나의 면으로 노출된 리드(R5)를 통하여 제1 외부 전극(142)과 연결되며, 본 실시 형태에서는 제2면(S2)로만 리드(R5)가 인출된 형태를 나타내고 있다. 또한, 제2 커패시터부(C2)에 속한 제2 내부 전극(124)은 제3면(S3) 및 제4면(S4) 중 적어도 어느 하나의 면으로 노출된 리드(R6)를 통하여 제2 외부 전극(151, 152)과 연결되며, 본 실시 형태에서는 제4면(S4)에만 리드(R6)가 형성된 형태를 기준으로 하였다.
제2 커패시터부(C2)에 속한 제1 내부 전극(123)의 리드(R5)는 제1 내부 전극(123)의 중심 라인(CL)에서 일 방향(도 4를 기준으로 상부)으로 치우친 위치에 배치된다. 또한, 제2 커패시터부(C2)에 속한 제2 내부 전극(124)의 리드(R6)는 제2 내부 전극(124)의 중심 라인(CL)에서 일 방향으로 치우친 위치에 배치되며, 구체적으로, 제1 내부 전극(123)의 리드(R5)로부터 멀어지는 방향으로 치우친 위치에 배치된다. 이러한 구조에 의하여, 리드(R5, R6) 사이의 거리가 멀어지게 되어 제2 커패시터부(C2)의 ESL은 상대적으로 증가될 수 있으며, 제2 커패시터부(C2)가 저주파 측에서 공진 주파수를 발생시키도록 할 수 있다.
한편, 도 3 및 도 4에 도시된 형태와 같이, 제1 커패시터부(C1)에 속한 제2 내부 전극(122)의 리드(R3, R4)의 경우, 그 폭(W2)이 제2 커패시터부(C2)에 속한 제2 내부 전극(124)의 리드(R6)의 폭(W4)보다 넓다. 이러한 구조에 의하여, 제2 커패시터부(C2)의 ESL이 증가되어 저주파수 측에서의 공진 주파수 발생이 촉진될 수 있다.
상술한 구조를 갖는 커패시터 부품(100)의 경우, 제1 커패시터부(C1)는 낮은 ESL을 갖는 관통형 커패시터로 구현되어 고 주파수 측에서 공진 주파수를 발생시키며, 제2 커패시터부(C2)는 높은 ESL을 가짐으로써 저 주파수 측에서 공진 주파수를 발생시킬 수 있다. 그리고 제1 커패시터부(C1) 상에 제2 커패시터부(C2)가 배치된 형태이다. 이 경우, 낮은 ESL의 특성을 더욱 효과적으로 발휘하기 위하여 제2 커패시터부(C2)보다 제1 커패시터부(C1)를 실장 기판에 가깝게 배치할 수 있다.
이를 구체적으로 설명하면, 커패시터 부품(100)은 도 5에 도시된 형태와 같이 실장되어 커패시터 실장 구조체가 얻어질 수 있다. 커패시터 부품(100)은 제1 커패시터부(C1)가 실장 기판(160)을 향하며, 실장 기판(160)은 커패시터 부품(100)의 제1 및 제2 외부 전극(141, 142, 151, 152)과 접속된 3개의 회로 패턴(161)을 포함한다. 이 경우, 커패시터 부품(100)의 안정적인 실장을 위하여 솔더(162)가 제공될 수 있다. 이 경우, 커패시터 부품(100)은 수평 실장 방식, 즉, 제1 및 제2 내부 전극(121-124)이 실장 면(제3면과 수직한 면)에 평행하게 배치될 수 있다. 도 5의 커패시터 실장 구조체와 같이, 낮은 ESL의 제1 커패시터부(C1)를 실장 기판(160)에 가깝게 배치함으로써 커패시터 부품(100)의 고 주파수 대역의 특성을 더욱 향상시킬 수 있다. 한편, 커패시터 부품(100)의 실장 방향을 표기하기 위하여 후술할 도 7의 실시 형태와 같이 바디(101)에는 마킹부(M)가 형성될 수 있다.
도 6은 본 발명에 따라 얻어진 커패시터 부품의 임피던스 특성을 나타낸 그래프이다. 도 6의 임피던스 특성 그래프에서 볼 수 있듯이, 본 실시 형태에 따른 커패시터 부품(100)의 경우, 단일 부품 내에서 공진 주파수가 서로 다른 2종류의 커패시터(제1 및 제2 커패시터부)가 포함된 구조로서, 넓은 주파수 대역에서 임피던스를 낮게 유지할 수 있다. 따라서, 이러한 커패시터 부품(100)을 사용하여 전원 장치나 고속 MPU 등에 사용되는 디커플링 커패시터의 수를 감소시킬 수 있고, 디커플링 커패시터의 실장 비용이나 공간을 효과적으로 절감할 수 있다.
도 7 내지 9를 참조하여 변형된 실시 예를 설명한다. 우선, 도 7의 변형 예의 경우, 커패시터 부품의 실장 방향을 표시하는 마킹부(M)가 구비될 수 있다. 마킹부(M)에 의하여 실장 방향을 용이하게 파악할 수 있으며, 이를 참조하여 제1 커패시터부(C1)를 실장 기판에 가깝게 배치할 수 있다. 이러한 마킹부(M)는 바디(101)의 다른 영역과 다른 재질의 세라믹으로 이루어질 수 있다.
다른 변형 예로서, 도 8 및 도 9는 각각 변형된 예에 따른 커패시터 부품에서 제2 커패시터부에 속한 제1 및 제2 내부 전극의 형태를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도시된 형태와 같이, 제2 커패시터부(C2)의 제1 및 제2 내부 전극(123`, 124`)은 앞선 실시 형태보다 리드의 개수가 달라질 수 있다. 즉, 제2 커패시터부(C2)에 속한 제1 내부 전극(123`)은 제1면(S1) 및 제2면(S2)으로 노출된 리드(R5`, R5)를 구비하여 제1 외부 전극(141, 142)과 연결된다. 또한, 제2 커패시터부(C2)에 속한 제2 내부 전극(124`)은 제3면 및 제4면(S3, S4)으로 노출된 리드(R6`, R6)를 구비하여 제2 외부 전극(151, 152)과 연결된다. 본 변형 예와 같이, 제2 커패시터부(C2)에 속한 내부 전극(123`, 124`)의 리드 개수를 증가시킴으로써 커패시터 부품의 전체적인 등가 직렬 저항(ESR)을 저감할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
100: 커패시터 부품
101: 바디
110: 유전체층
121, 123: 제1 내부 전극
122, 124: 제2 내부 전극
141, 142: 제1 외부 전극
151, 152: 제2 외부 전극
160: 실장 기판
161: 회로 패턴
162: 솔더
R1, R2, R3, R4, R5, R6: 리드
S1, S2, S3, S4: 제1면, 제2면, 제3면, 제4면

Claims (16)

  1. 복수의 유전체층의 적층 구조와 상기 유전체층을 사이에 두고 교대로 배치된 복수의 제1 및 제2 내부 전극을 포함하는 바디;
    상기 바디에서 서로 대향하는 제1면 및 제2면에 형성되며, 상기 제1 내부 전극과 연결된 제1 외부 전극; 및
    상기 바디에서 상기 제1면 및 제2면을 연결하면서 서로 대향하는 제3면 및 제4면에 형성되며, 상기 제2 내부 전극과 연결된 제2 외부 전극;을 포함하며,
    각각 상기 복수의 제1 및 제2 내부 전극 중 일부를 포함하는 복수의 커패시터부로 구분되되 상기 복수의 커패시터부는 제1 및 제2 커패시터부를 포함하며,
    상기 제1 커패시터부는 이에 속한 제1 내부 전극이 상기 제1면 및 제2면으로 노출된 리드를 통하여 상기 제1 외부 전극과 연결된 관통형 커패시터인 커패시터 부품.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 커패시터부 중 적어도 일부는 다른 것과 상이한 공진 주파수를 발생시키는 커패시터 부품.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 커패시터부에 속한 제1 내부 전극은 상기 제1면 및 제2면 중 적어도 어느 하나의 면으로 노출된 리드를 통하여 상기 제1 외부 전극과 연결된 커패시터 부품.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 커패시터부에 속한 제1 내부 전극의 리드는 상기 제2 커패시터부에 속한 제1 내부 전극의 리드보다 폭이 넓은 커패시터 부품.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 커패시터부에 속한 제1 내부 전극의 리드는 상기 제1 내부 전극의 중심 라인에서 일 방향으로 치우친 위치에 배치된 커패시터 부품.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2 커패시터부에 속한 제2 내부 전극의 리드는 상기 제2 내부 전극의 중심 라인에서 일 방향으로 치우친 위치에 배치된 커패시터 부품.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2 커패시터부에 속한 제2 내부 전극의 리드는 상기 제2 내부 전극의 중심 라인에서 상기 제2 커패시터부에 속한 제1 내부 전극의 리드로부터 멀어지는 방향으로 치우친 위치에 배치된 커패시터 부품.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 커패시터부에 속한 제2 내부 전극은 상기 제3면 및 제4면으로 노출된 리드를 통하여 상기 제2 외부 전극과 연결된 커패시터 부품.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제2 커패시터부에 속한 제2 내부 전극은 상기 제3면 및 제4면 중 적어도 어느 하나의 면으로 노출된 리드를 통하여 상기 제2 외부 전극과 연결된 커패시터 부품.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 커패시터부에 속한 제2 내부 전극의 리드는 상기 제2 커패시터부에 속한 제2 내부 전극의 리드보다 폭이 넓은 커패시터 부품.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 커패시터부 상에 상기 제2 커패시터부가 배치된 형태인 커패시터 부품.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 바디에는 상기 커패시터 부품의 실장 방향을 표시하는 마킹부가 구비되는 커패시터 부품.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 마킹부는 상기 바디의 다른 영역과 다른 재질의 세라믹으로 이루어진 커패시터 부품.
  14. 복수의 유전체층의 적층 구조와 상기 유전체층을 사이에 두고 교대로 배치된 복수의 제1 및 제2 내부 전극을 포함하는 바디와, 상기 바디에서 서로 대향하는 제1면 및 제2면에 형성되며, 상기 제1 내부 전극과 연결된 제1 외부 전극 및 상기 바디에서 상기 제1면 및 제2면을 연결하면서 서로 대향하는 제3면 및 제4면에 형성되며, 상기 제2 내부 전극과 연결된 제2 외부 전극을 포함하며, 각각 상기 복수의 제1 및 제2 내부 전극 중 일부를 포함하는 복수의 커패시터부로 구분되되 상기 복수의 커패시터부는 제1 및 제2 커패시터부를 포함하며, 상기 제1 커패시터부는 이에 속한 제1 내부 전극이 상기 제1면 및 제2면으로 노출된 리드를 통하여 상기 제1 외부 전극과 연결된 관통형 커패시터인 커패시터 부품; 및
    상기 커패시터 부품이 배치되는 실장 기판;
    을 포함하는 커패시터 부품의 실장 구조체.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 커패시터 부품은 상기 제1 커패시터부가 상기 실장 기판을 향하는 형태로 배치된 커패시터 부품의 실장 구조체.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 실장 기판은 상기 제1 및 제2 외부 전극과 접속된 3개의 회로 패턴을 포함하는 커패시터 부품의 실장 구조체.
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