KR20170136897A - 커패시터 부품 - Google Patents

커패시터 부품 Download PDF

Info

Publication number
KR20170136897A
KR20170136897A KR1020160069035A KR20160069035A KR20170136897A KR 20170136897 A KR20170136897 A KR 20170136897A KR 1020160069035 A KR1020160069035 A KR 1020160069035A KR 20160069035 A KR20160069035 A KR 20160069035A KR 20170136897 A KR20170136897 A KR 20170136897A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
capacitor
internal electrode
belonging
leads
internal
Prior art date
Application number
KR1020160069035A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101813380B1 (ko
Inventor
박흥길
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020160069035A priority Critical patent/KR101813380B1/ko
Priority to JP2017003717A priority patent/JP6819947B2/ja
Priority to US15/407,356 priority patent/US9984827B2/en
Publication of KR20170136897A publication Critical patent/KR20170136897A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101813380B1 publication Critical patent/KR101813380B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/38—Multiple capacitors, i.e. structural combinations of fixed capacitors
    • H01G4/385—Single unit multiple capacitors, e.g. dual capacitor in one coil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
    • H01G2/02—Mountings
    • H01G2/06—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
    • H01G2/065—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support for surface mounting, e.g. chip capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시 형태는 복수의 유전체층의 적층 구조와 상기 유전체층을 사이에 두고 교대로 배치된 제1 및 제2 내부 전극을 포함하는 바디, 상기 바디에서 서로 대향하는 제1면 및 제2면에 형성되며, 상기 제1 내부 전극과 연결된 제1 외부 전극 및 상기 바디에서 상기 제1면 및 제2면을 연결하면서 서로 대향하는 제3면 및 제4면 중 적어도 하나에 형성되며, 상기 제2 내부 전극과 연결된 제2 외부 전극을 포함하며, 각각 상기 제1 및 제2 내부 전극의 일부를 포함하는 복수의 커패시터부로 구분되되 상기 복수의 커패시터부는 제1 및 제2 커패시터부를 포함하며, 상기 제1 커패시터부에 속한 제1 및 제2 내부 전극의 리드 사이의 거리와 상기 제2 커패시터부에 속한 제1 및 제2 내부 전극의 리드 사이의 거리는 서로 다른 커패시터 부품을 제공한다.

Description

커패시터 부품 {Capacitor Component}
본 발명은 커패시터 부품에 관한 것이다.
커패시터 부품의 하나인 적층 세라믹 커패시터는 액정 표시 장치(LCD: Liquid Crystal Display) 및 플라즈마 표시 장치 패널(PDP: Plasma Display Panel) 등의 영상 기기, 컴퓨터, 스마트폰 및 휴대폰 등 여러 전자 제품의 인쇄회로기판에 장착되어 전기를 충전시키거나 또는 방전시키는 역할을 하는 칩 형태의 콘덴서이다.
이러한 적층 세라믹 커패시터(MLCC: Multi-Layered Ceramic Capacitor)는 소형이면서 고용량이 보장되고 실장이 용이하다는 장점을 인하여 다양한 전자 장치의 부품으로 사용될 수 있다.
특히, 컴퓨터 등의 중앙 처리 장치(CPU)를 위한 전원 공급장치는 낮은 전압을 제공하는 과정에서 부하 전류의 급격한 변화로 인한 전압 노이즈가 발생하는 문제가 있다. 이러한 전압 노이즈를 억제하기 위한 디커플링 커패시터 용도로 MLCC가 전원 공급장치에 널리 사용되고 있다. 디커플링 등의 용도로 사용되는 MLCC의 경우, 넓은 대역에서 임피던스를 저감하려는 시도가 있어 왔다.
본 발명의 목적 중 하나는 복수의 공진 주파수를 가짐에 따라 넓은 주파수 대역에서 임피던스가 효과적으로 제어될 수 있는 커패시터 부품을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적 중 다른 하나는 이러한 커패시터 부품을 가짐으로써 부품의 사이즈 등을 줄이는 것이다.
상술한 과제를 해결하기 위한 방법으로, 본 발명은 일 실시 형태를 통하여 신규한 커패시터 부품을 제안하고자 하며, 구체적으로, 복수의 유전체층의 적층 구조와 상기 유전체층을 사이에 두고 교대로 배치된 제1 및 제2 내부 전극을 포함하는 바디, 상기 바디에서 서로 대향하는 제1면 및 제2면에 형성되며, 상기 제1 내부 전극과 연결된 제1 외부 전극 및 상기 바디에서 상기 제1면 및 제2면을 연결하면서 서로 대향하는 제3면 및 제4면 중 적어도 하나에 형성되며, 상기 제2 내부 전극과 연결된 제2 외부 전극을 포함하며, 각각 상기 제1 및 제2 내부 전극의 일부를 포함하는 복수의 커패시터부로 구분되되 상기 복수의 커패시터부는 제1 및 제2 커패시터부를 포함하며, 상기 제1 커패시터부에 속한 제1 및 제2 내부 전극의 리드 사이의 거리와 상기 제2 커패시터부에 속한 제1 및 제2 내부 전극의 리드 사이의 거리는 서로 다른 형태이다.
일 실시 예에서, 상기 복수의 커패시터부 중 적어도 일부는 다른 것과 상이한 공진 주파수를 발생시킬 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 적층 방향을 기준으로, 상기 제1 커패시터부에 속한 제1 내부 전극의 리드는 상기 제2 커패시터부에 속한 제1 내부 전극의 리드와 다른 위치에 배치될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 커패시터부에 속한 제2 내부 전극의 리드는 상기 제2 커패시터부에 속한 제2 내부 전극의 리드와 폭이 다를 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 커패시터부에 속한 제2 내부 전극의 리드의 개수는 상기 제2 커패시터부에 속한 제2 내부 전극의 리드의 개수와 다를 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 커패시터부에 속한 제2 내부 전극은 2개의 리드를 구비하며, 상기 제2 커패시터부에 속한 제2 내부 전극은 1개의 리드를 구비할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 커패시터부에 속한 제2 내부 전극의 2개의 리드는 폭이 서로 동일할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제2 내부 전극은 상기 제3면으로 노출된 리드에 의해서만 상기 제2 외부 전극과 접속될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제2 외부 전극은 상기 제4면에는 형성되지 않을 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 커패시터부 사이에 상기 제2 커패시터부가 배치된 형태일 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 커패시터부에 속한 제1 및 제2 내부 전극의 리드 사이의 거리보다 상기 제2 커패시터부에 속한 제1 및 제2 내부 전극의 리드 사이의 거리가 더 길 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 커패시터부에 속한 제2 내부 전극의 리드는 상기 제2 커패시터부에 속한 제2 내부 전극의 리드보다 폭이 좁을 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 커패시터부에 속한 제2 내부 전극은 2개의 리드를 구비하며, 상기 제2 커패시터부에 속한 제2 내부 전극은 1개의 리드를 구비할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 내부 전극은 2개의 리드를 구비하며 각각 상기 제1면 및 제2면으로 노출되어 상기 제1 외부 전극과 연결될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제2 내부 전극은 1개의 리드를 구비하며 상기 제3면으로 노출되어 상기 제2 외부 전극과 연결될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 및 제2 내부 전극은 상기 제3면에 수직으로 배치될 수 있다.
본 발명의 여러 효과 중 일 효과로서, 넓은 주파수 대역에서 노이즈를 효과적으로 제거할 수 있는 임피던스 저감형 커패시터 부품을 얻을 수 있다. 다만, 본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하는 과정에서 더욱 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 커패시터 부품을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 커패시터 부품에서 바디의 형태를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 3은 도 1의 커패시터 부품에서 제1 커패시터부에 속한 제1 및 제2 내부 전극의 형태를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 1의 커패시터 부품에서 제2 커패시터부에 속한 제1 및 제2 내부 전극의 형태를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 5는 제1 커패시터부에서 제1 내부 전극과 제2 내부 전극을 오버랩하여 나타낸 것이다.
도 6은 제2 커패시터부에서 제1 내부 전극과 제2 내부 전극을 오버랩하여 나타낸 것이다.
도 7은 본 발명의 커패시터 부품을 기판에 실장된 형태를 나타낸다.
도 8은 본 발명에 따라 얻어진 커패시터 부품의 임피던스 특성을 나타낸 그래프이다.
도 9는 변형된 예의 커패시터 부품에서 채용될 수 있는 바디의 형태를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 10은 변형된 예에 따른 커패시터 부품에서 제1 커패시터부에 속한 제1 및 제2 내부 전극의 형태를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 11은 변형된 예에 따른 커패시터 부품에서 제2 커패시터부에 속한 제1 및 제2 내부 전극의 형태를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 12는 제1 커패시터부에서 제1 내부 전극과 제2 내부 전극을 오버랩하여 나타낸 것이다.
도 13은 제2 커패시터부에서 제1 내부 전극과 제2 내부 전극을 오버랩하여 나타낸 것이다.
이하, 구체적인 실시형태 및 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 통상의 기술자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다. 나아가, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 커패시터 부품을 개략적으로 나타낸 사시도이다. 도 2는 도 1의 커패시터 부품에서 바디의 형태를 개략적으로 나타낸 사시도이다. 도 3은 도 1의 커패시터 부품에서 제1 커패시터부에 속한 제1 및 제2 내부 전극의 형태를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 4는 도 1의 커패시터 부품에서 제2 커패시터부에 속한 제1 및 제2 내부 전극의 형태를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 1 내지 4를 함께 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 커패시터 부품(100)은 바디(110), 제1 내부 전극(121, 123), 제2 내부 전극(122, 124), 제1 및 제2 외부 전극(140, 150)을 포함하며, 각각 제1 및 제2 내부 전극(121-124)의 일부를 포함하는 복수의 커패시터부(C1, C2)로 구분된다. 본 실시 형태에서는 복수의 커패시터부가 제1 및 제2 커패시터부(C1, C2)를 포함하는 예를 설명하고 있지만, 추가적인 커패시터부를 포함할 수도 있을 것이다.
제1 및 제2 커패시터부(C1, C2)의 경우, 도 5 및 도 6에 나타낸 형태로부터 알 수 있듯이, 제1 커패시터부(C1)에 속한 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)의 리드 사이의 거리(L1, L2)와 제2 커패시터부(C2)에 속한 제1 및 제2 내부 전극(123, 124)의 리드 사이의 거리(L3, L4)는 서로 다르다. 리드 사이의 거리가 달라지게 됨으로써 전류 경로가 달라지므로 복수의 커패시터부 중 적어도 일부는 다른 것과 상이한 공진 주파수를 발생시킬 수 있으며, 본 실시 형태에서는 제1 및 제2 커패시터부(C1, C2)의 공진 주파수가 서로 다르게 되어 커패시터 부품(100)을 필터 등에 적용 시 노이즈 제거 효과가 개선될 수 있다.
제1 외부 전극(140)은 바디(101)에서 서로 대향하는 제1면(S1) 및 제2면(S2)에 형성되며, 제1 내부 전극(120)과 연결된다. 제1 외부 전극(140)에서 제1면(S1)에 형성된 것을 141로, 제2면(S2)에 형성된 것을 142로 표기하였다. 이 경우, 제1면(S1)과 제3면(S3)은 서로 수직으로 배치될 수 있으며, 이에 따라 바디(110)는 직육면체 혹은 이와 유사한 형상을 가질 수 있다.
제2 외부 전극(150)은 바디(101)에서 제1면(S1) 및 제2면(S2)을 연결하면서 서로 대향하는 제3면(S3) 및 제4면(S4) 중 적어도 어느 하나의 면에 형성되며, 제2 내부 전극(130)과 연결된다. 본 실시 형태에서는 제2 외부 전극(150)이 제3면(S3)에 형성되고 제4면(S4)에는 형성되지 않은 3단자 구조를 나타내고 있다. 이러한 외부 전극 구조를 갖는 커패시터 부품(100)은 도 7에 도시된 형태와 같이 실장될 수 있다. 즉, 3단자 형태의 커패시터 부품(100)은 제2 외부 전극(150)이 형성된 제3면(S3)이 실장 기판(160)을 향하도록 배치되어 회로 패턴(161)과 접속되며, 이 경우, 커패시터 부품(100)의 안정적인 실장을 위하여 솔더(162)가 제공될 수 있다. 이 경우, 커패시터 부품(100)은 수직 실장 방식, 즉, 제1 및 제2 내부 전극(121-124)이 실장 면(제3면과 평행한 면)에 수직으로 배치된 형태이다. 이러한 수직 실장 방식에 의하여 내부전극(121-124)의 리드가 실장 면에 가까이 배치될 수 있으므로 등가 직류 인덕턴스(ESL)와 임피던스를 저감할 수 있다.
바디(101)는 복수의 유전체층(110)이 적층된 적층 구조와 유전체층(110)을 사이에 두고 교대로 배치된 제1 및 제2 내부 전극(121-124)을 포함한다. 바디(101)에 포함된 유전체층(110)은 당 업계에서 알려진 세라믹 등의 유전 물질을 이용할 수 있으며, 예를 들어, BaTiO3(티탄산바륨)계 세라믹 분말 등을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 BaTiO3계 세라믹 분말은 예를 들면 BaTiO3에 Ca(칼슘), Zr(지르코늄) 등이 일부 고용된 (Ba1 - xCax)TiO3, Ba(Ti1 - yCay)O3, (Ba1 - xCax)(Ti1 - yZry)O3 또는 Ba(Ti1 -yZry)O3 등이 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 2, 도 3 및 도 4에 도시된 형태와 같이, 제1 내부 전극(121, 123)과 제2 내부 전극(122, 124)은 리드를 구비하여 외부 전극(140, 150)과 연결된다. 구체적으로, 도 3을 참조하면, 제1 커패시터부(C1)에 속한 제1 내부 전극(121)은 2개의 리드(R1, R2)를 구비하며, 각각 제1면(S1)과 제2면(S2)으로 노출되어 제2 외부 전극(140)과 연결된다. 또한, 제1 커패시터부(C1)에 속한 제2 내부 전극(122)은 1개의 리드(R5)를 구비하며, 제3면(S3)으로 노출되어 제2 외부 전극(150)과 연결된다. 다만, 본 발명의 기술적 사상을 따르는 범위에서 리드의 개수나 형태는 변경될 수 있을 것이다.
또한, 도 4를 참조하면, 제2 커패시터부(C2)에 속한 제1 내부 전극(123)은 2개의 리드(R3, R4)를 구비하며, 각각 제1면(S1)과 제2면(S2)으로 노출되어 제2 외부 전극(140)과 연결된다. 또한, 제2 커패시터부(C2)에 속한 제2 내부 전극(124)은 1개의 리드(R6)를 구비하며, 제3면(S3)으로 노출되어 제2 외부 전극(150)과 연결된다. 마찬가지로, 본 발명의 기술적 사상을 따르는 범위에서 리드의 개수나 형태는 변경될 수 있을 것이다.
이 경우, 도시된 형태와 같이, 제1 및 제2 내부 전극(121-124)의 적층 방향을 기준으로, 제1 커패시터부(C1)에 속한 제1 내부 전극(121)의 리드(R1, R2)는 제2 커패시터부(C2)에 속한 제1 내부 전극(123)의 리드(R3, R4)와 다른 위치에 배치된다. 본 실시 형태와 같이 서로 다른 커패시터부(C1, C2)에서 동일 극성의 내부 전극(121-124)의 리드(R1-R6)를 다른 위치에 배치하는 것은 다른 극성의 내부 전극(121-124)의 리드(R1-R6)와의 거리가 달라지게 하기 위한 방법의 일 예이다.
또한, 이러한 제1 내부 전극(121, 123)의 리드(R1-R4) 배열 방식과 함께 또는 이와 독립적으로 제1 커패시터부(C1)에 속한 제2 내부 전극(122)의 리드(R5)는 제2 커패시터부(C2)에 속한 제2 내부 전극(124)의 리드(R6)와 폭이 다르며, 본 실시 형태에서는 제1 커패시터부(C1)에 속한 제2 내부 전극(122)의 리드(R5)의 폭이 제2 커패시터부(C2)에 속한 제2 내부 전극(124)의 리드(R6)보다 크다.
도 5 및 도 6을 참조하여 상술한 구조를 가짐에 따라 커패시터부에서 리드 간 거리가 달라지는 것을 설명한다. 도 5는 제1 커패시터부(C1)에서 제1 내부 전극(121)과 제2 내부 전극(122)을 오버랩하여 나타낸 것이며, 도 6은 제2 커패시터부(C2)에서 제1 내부 전극(123)과 제2 내부 전극(124)을 오버랩하여 나타낸 것이다.
도시된 형태와 같이, 제1 커패시터부(C1)에 속한 제1 내부 전극(121)의 리드(R1, R2)와 제2 내부 전극(122)의 리드(R5) 사이의 거리(L1, L2)는 제2 커패시터부(C2)에 속한 제1 내부 전극(123)의 리드(R3, R4)와 제2 내부 전극(124)의 리드(R6) 사이의 거리(L3, L4)보다 길다. 이러한 리드 간 거리의 차이에 의하여 커패시터부(C1, C2)는 서로 병렬 연결되면서 서로 다른 공진주파수를 발생시킬 수 있다.
한편, 리드 간 거리(L3, L4)가 더 긴 제2 커패시터부(C2)는 등가직류 인덕턴스(ESL)과 등가직류 저항(ESR)이 상대적으로 높다. 이 경우, 도 2에 도시된 형태와 같이, 제1 커패시터부(C1) 사이에 제2 커패시터부(C2)가 배치함으로써 커패시터 부품(100) 전체적으로 ESL을 낮추면서 ESR을 적절히 조절할 수 있다.
도 8은 본 발명에 따라 얻어진 커패시터 부품의 임피던스 특성을 나타낸 그래프이다. 도 8의 임피던스 특성 그래프에서 볼 수 있듯이, 본 실시 형태에 따른 커패시터 부품(100)의 경우, 단일 부품 내에서 공진 주파수가 서로 다른 2종류의 커패시터(제1 및 제2 커패시터부)가 포함된 구조로서, 넓은 주파수 대역에서 임피던스를 낮게 유지할 수 있다. 따라서, 이러한 커패시터 부품(100)을 사용하여 전원 장치나 고속 MPU 등에 사용되는 디커플링 커패시터의 수를 감소시킬 수 있고, 디커플링 커패시터의 실장 비용이나 공간을 효과적으로 절감할 수 있다.
도 9 내지 13을 참조하여 변형된 실시 예를 설명한다. 도 9는 변형된 예의 커패시터 부품에서 채용될 수 있는 바디의 형태를 개략적으로 나타낸 사시도이다. 도 10은 변형된 예에 따른 커패시터 부품에서 제1 커패시터부에 속한 제1 및 제2 내부 전극의 형태를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 11은 변형된 예에 따른 커패시터 부품에서 제2 커패시터부에 속한 제1 및 제2 내부 전극의 형태를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 그리고, 도 12는 제1 커패시터부(C1)에서 제1 내부 전극(221)과 제2 내부 전극(222)을 오버랩하여 나타낸 것이며, 도 13은 제2 커패시터부(C2)에서 제1 내부 전극(223)과 제2 내부 전극(224)을 오버랩하여 나타낸 것이다.
도 10에 도시된 형태와 같이, 제1 커패시터부(C1)에 속한 제1 내부 전극(221)은 2개의 리드(R1, R2)를 구비하며, 각각 제1면(S1)과 제2면(S2)으로 노출된다. 또한, 제1 커패시터부(C1)에 속한 제2 내부 전극(222)은 2개의 리드(R5, R6)를 구비하며, 제3면(S3)으로 노출된다. 다만, 본 발명의 기술적 사상을 따르는 범위에서 리드의 개수나 형태는 변경될 수 있을 것이다.
도 11에 도시된 형태와 같이, 제2 커패시터부(C2)에 속한 제1 내부 전극(223)은 2개의 리드(R3, R4)를 구비하며, 각각 제1면(S1)과 제2면(S2)으로 노출된다. 또한, 제2 커패시터부(C2)에 속한 제2 내부 전극(224)은 1개의 리드(R7)를 구비하며, 제3면(S3)으로 노출된다. 마찬가지로, 본 발명의 기술적 사상을 따르는 범위에서 리드의 개수나 형태는 변경될 수 있을 것이다.
앞선 실시 형태와 마찬가지로, 제1 및 제2 내부 전극(121-124)의 적층 방향을 기준으로, 제1 커패시터부(C1)에 속한 제1 내부 전극(221)의 리드(R1, R2)는 제2 커패시터부(C2)에 속한 제1 내부 전극(223)의 리드(R3, R4)와 다른 위치에 배치되며, 이는 서로 다른 극성의 내부 전극(221-224)의 리드(R1-R7)와의 거리가 달라지게 하기 위한 방법의 일 예이다.
또한, 이러한 제1 내부 전극(221, 223)의 리드(R1-R4) 배열 방식과 함께 또는 이와 독립적으로 제1 커패시터부(C1)에 속한 제2 내부 전극(222)과 제2 커패시터부(C2)에 속한 제2 내부 전극(224)은 서로 리드의 개수가 다르다. 구체적으로, 제1 커패시터부(C1)에 속한 제2 내부 전극(222)은 2개의 리드(R5, R6)를 구비하며, 제2 커패시터부(C2)에 속한 제2 내부 전극(224)은 1개의 리드(R7)를 구비한다. 이 경우, 앞선 실시 형태와 달리, 제1 커패시터부(C1)에 속한 제2 내부 전극(222)의 2개의 리드(R5, R6)는 폭은 서로 동일할 수 있다.
본 변형 예와 같이, 리드의 개수와 제1 및 제2 커패시터부(C1, C2)의 공진주파수를 달리할 수 있다. 즉, 도 12 및 도 13에 도시된 형태와 같이, 제1 커패시터부(C1)에 속한 제1 내부 전극(221)의 리드(R1, R2)와 제2 내부 전극(222)의 리드(R5, R6) 사이의 거리(L1, L2)는 제2 커패시터부(C2)에 속한 제1 내부 전극(223)의 리드(R3, R4)와 제2 내부 전극(224)의 리드(R7) 사이의 거리(L3, L4)보다 길다. 이러한 리드 간 거리의 차이에 의하여 커패시터부(C1, C2)는 서로 병렬 연결되면서 서로 다른 공진주파수를 발생시킬 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
100: 커패시터 부품
101: 바디
110: 유전체층
121, 122, 123, 124, 221, 222, 223, 224: 내부 전극
140, 141, 142, 150: 외부 전극
160: 실장 기판
161: 회로 패턴
162: 솔더
R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7: 리드
S1, S2, S3, S4: 제1면, 제2면, 제3면, 제4면

Claims (16)

  1. 복수의 유전체층의 적층 구조와 상기 유전체층을 사이에 두고 교대로 배치된 제1 및 제2 내부 전극을 포함하는 바디;
    상기 바디에서 서로 대향하는 제1면 및 제2면에 형성되며, 상기 제1 내부 전극과 연결된 제1 외부 전극; 및
    상기 바디에서 상기 제1면 및 제2면을 연결하면서 서로 대향하는 제3면 및 제4면 중 적어도 하나에 형성되며, 상기 제2 내부 전극과 연결된 제2 외부 전극;을 포함하며,
    각각 상기 제1 및 제2 내부 전극의 일부를 포함하는 복수의 커패시터부로 구분되되 상기 복수의 커패시터부는 제1 및 제2 커패시터부를 포함하며,
    상기 제1 커패시터부에 속한 제1 및 제2 내부 전극의 리드 사이의 거리와 상기 제2 커패시터부에 속한 제1 및 제2 내부 전극의 리드 사이의 거리는 서로 다른 커패시터 부품.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 커패시터부 중 적어도 일부는 다른 것과 상이한 공진 주파수를 발생시키는 커패시터 부품.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 적층 방향을 기준으로, 상기 제1 커패시터부에 속한 제1 내부 전극의 리드는 상기 제2 커패시터부에 속한 제1 내부 전극의 리드와 다른 위치에 배치된 커패시터 부품.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 적층 방향을 기준으로, 상기 제1 커패시터부에 속한 제2 내부 전극의 리드는 상기 제2 커패시터부에 속한 제2 내부 전극의 리드와 폭이 다른 커패시터 부품.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 커패시터부에 속한 제2 내부 전극의 리드의 개수는 상기 제2 커패시터부에 속한 제2 내부 전극의 리드의 개수와 다른 커패시터 부품.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 커패시터부에 속한 제2 내부 전극은 2개의 리드를 구비하며, 상기 제2 커패시터부에 속한 제2 내부 전극은 1개의 리드를 구비하는 커패시터 부품.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 커패시터부에 속한 제2 내부 전극의 2개의 리드는 폭이 서로 동일한 커패시터 부품.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2 내부 전극은 상기 제3면으로 노출된 리드에 의해서만 상기 제2 외부 전극과 접속된 커패시터 부품.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제2 외부 전극은 상기 제4면에는 형성되지 않는 커패시터 부품.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 커패시터부 사이에 상기 제2 커패시터부가 배치된 형태인 커패시터 부품.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 커패시터부에 속한 제1 및 제2 내부 전극의 리드 사이의 거리보다 상기 제2 커패시터부에 속한 제1 및 제2 내부 전극의 리드 사이의 거리가 더 긴 커패시터 부품.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 커패시터부에 속한 제2 내부 전극의 리드는 상기 제2 커패시터부에 속한 제2 내부 전극의 리드보다 폭이 좁은 커패시터 부품.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제1 커패시터부에 속한 제2 내부 전극은 2개의 리드를 구비하며, 상기 제2 커패시터부에 속한 제2 내부 전극은 1개의 리드를 구비하는 커패시터 부품.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제1 내부 전극은 2개의 리드를 구비하며 각각 상기 제1면 및 제2면으로 노출되어 상기 제1 외부 전극과 연결된 커패시터 부품.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 제2 내부 전극은 1개의 리드를 구비하며 상기 제3면으로 노출되어 상기 제2 외부 전극과 연결된 커패시터 부품.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 내부 전극은 상기 제3면에 수직으로 배치된 커패시터 부품.
KR1020160069035A 2016-06-02 2016-06-02 커패시터 부품 KR101813380B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160069035A KR101813380B1 (ko) 2016-06-02 2016-06-02 커패시터 부품
JP2017003717A JP6819947B2 (ja) 2016-06-02 2017-01-12 キャパシター部品
US15/407,356 US9984827B2 (en) 2016-06-02 2017-01-17 Capacitor component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160069035A KR101813380B1 (ko) 2016-06-02 2016-06-02 커패시터 부품

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170136897A true KR20170136897A (ko) 2017-12-12
KR101813380B1 KR101813380B1 (ko) 2017-12-28

Family

ID=60483426

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160069035A KR101813380B1 (ko) 2016-06-02 2016-06-02 커패시터 부품

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9984827B2 (ko)
JP (1) JP6819947B2 (ko)
KR (1) KR101813380B1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180061578A1 (en) * 2016-09-01 2018-03-01 Apple Inc. Stacked passive component structures
WO2019173302A1 (en) * 2018-03-06 2019-09-12 Avx Corporation Multilayer ceramic capacitor having ultra-broadband performance
USD997871S1 (en) * 2019-12-18 2023-09-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Capacitor
KR102694712B1 (ko) * 2019-12-20 2024-08-13 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품
JP2021174856A (ja) * 2020-04-24 2021-11-01 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品、回路基板及び積層セラミック電子部品の製造方法
KR20220092152A (ko) * 2020-12-24 2022-07-01 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11244575A (ja) * 1998-03-05 1999-09-14 Toshiba Corp 洗濯機
JP2004253425A (ja) 2003-02-18 2004-09-09 Tdk Corp 積層コンデンサ
JP4086086B2 (ja) 2004-12-24 2008-05-14 株式会社村田製作所 積層コンデンサおよびその実装構造
JP4896642B2 (ja) 2006-09-12 2012-03-14 Ｔｄｋ株式会社 積層コンデンサ及び電子機器
KR100920614B1 (ko) * 2007-02-05 2009-10-08 삼성전기주식회사 적층형 칩 커패시터
US7920370B2 (en) 2007-02-05 2011-04-05 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer chip capacitor
KR100925623B1 (ko) * 2007-08-31 2009-11-06 삼성전기주식회사 적층형 칩 커패시터 및 이를 구비한 회로기판 장치 및회로기판
KR100935994B1 (ko) 2008-04-01 2010-01-08 삼성전기주식회사 적층형 칩 커패시터
KR100983122B1 (ko) 2008-08-08 2010-09-17 삼성전기주식회사 적층형 칩 커패시터
KR100992286B1 (ko) 2008-10-10 2010-11-05 삼성전기주식회사 적층형 칩 커패시터
KR101018181B1 (ko) 2010-08-02 2011-02-28 삼성전기주식회사 적층형 칩 커패시터
JP2014097267A (ja) * 2012-11-16 2014-05-29 Tosei Corp 洗濯機、および乾燥機
KR20140065255A (ko) * 2012-11-21 2014-05-29 삼성전기주식회사 어레이형 적층 세라믹 전자 부품, 그 회로 기판 실장 구조 및 그 제조 방법
JP2015084399A (ja) * 2013-10-25 2015-04-30 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． アレイ型積層セラミック電子部品及びその実装基板
JP2015026843A (ja) 2014-08-13 2015-02-05 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品

Also Published As

Publication number Publication date
JP6819947B2 (ja) 2021-01-27
JP2017220660A (ja) 2017-12-14
US9984827B2 (en) 2018-05-29
US20170352481A1 (en) 2017-12-07
KR101813380B1 (ko) 2017-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101813380B1 (ko) 커패시터 부품
KR102538899B1 (ko) 커패시터 부품
US9258896B2 (en) Multilayer ceramic capacitor
US10170246B2 (en) Capacitor component with metallic protection pattern for improved mechanical strength and moisture proof reliability
KR101963283B1 (ko) 커패시터 부품
US10707021B2 (en) Multilayer ceramic electronic component and board having the same
KR102004781B1 (ko) 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판
JP7193201B2 (ja) キャパシター部品
KR20190053693A (ko) 3단자 적층형 커패시터
KR102004780B1 (ko) 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판
US10971303B2 (en) Multilayer electronic component
KR102527711B1 (ko) 커패시터 부품
JP2014216638A (ja) 積層セラミックキャパシタ及びその実装基板
KR100916480B1 (ko) 적층 세라믹 캐패시터
KR101942735B1 (ko) 적층 세라믹 커패시터
JP2011101041A (ja) 可変容量素子及び、電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant