KR20170134960A - 수지막 형성용 시트 및 수지막 형성용 복합 시트 - Google Patents

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KR20170134960A
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나오야 사이키
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Abstract

본 발명은, 실리콘 웨이퍼에 부착되어, 당해 실리콘 웨이퍼 상에 수지막을 형성하기 위한 시트이며, 실리콘 웨이퍼와 부착되는 측의 당해 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)가 40㎚ 이상인, 수지막 형성용 시트이고, 리워크성이 우수한 수지막 형성용 시트, 및 당해 수지막 형성용 시트와 지지체가 직접 적층된 구성을 갖는 수지막 형성용 복합 시트를 제공한다.

Description

수지막 형성용 시트 및 수지막 형성용 복합 시트 {SHEET FOR FORMING RESIN FILM AND COMPOSITE SHEET FOR FORMING RESIN FILM}
본 발명은 수지막 형성용 시트 및 수지막 형성용 복합 시트에 관한 것이다.
근년, 소위 페이스 다운(face down) 방식이라 칭해지는 실장법을 이용한 반도체 장치의 제조가 행해지고 있다. 페이스 다운 방식에 있어서는, 회로면 상에 범프 등의 전극을 갖는 반도체 칩(이하, 간단히 「칩」이라고도 함)이 사용되며, 해당 전극이 기판과 접합된다. 이 때문에 칩의 회로면과는 반대측의 표면(이하, 「칩의 이면」이라고도 함)은 노출되는 경우가 있다.
이 노출된 칩의 이면은, 유기 재료를 포함하는 수지막이 형성되어, 수지막을 갖는 칩으로서 반도체 장치에 도입되는 경우가 있다. 수지막은 다이싱 공정이나 패키징 후에 크랙의 발생을 방지하기 위한 보호막으로서, 또는 얻어진 칩을 다이 패드부나 별도의 반도체 칩 등의 다른 부재 상에 접착하기 위한 접착막으로서 형성된다.
일반적으로 이 수지막을 갖는 칩은, 수지를 포함하는 조성물의 용액을 스핀 코트법 등에 의하여 웨이퍼의 이면에 도포하여 도막을 형성한 후, 당해 도막을 건조 및 경화시켜 수지막을 형성하여, 얻어진 수지막을 갖는 웨이퍼를 다이싱함으로써 제조된다.
이러한 칩의 이면이나 웨이퍼의 이면 상에 형성되는 보호막이나 접착막의 형성 재료로서 다양한 수지막 형성용 시트가 제안되어 있다.
예를 들어 특허문헌 1에는, 아크릴계 공중합체를 포함하는 중합체 성분, 에너지선 경화성 성분, 염료 또는 안료, 무기 충전재, 및 광중합 개시제를 포함하는 에너지선 경화형 보호막 형성층이 2매의 박리 시트에 협지된 구성을 갖는 칩 보호용 필름이 개시되어 있다.
특허문헌 1의 기재에 의하면, 당해 칩 보호용 필름은 에너지선의 조사에 의하여 레이저 마킹 인식성, 경도, 및 웨이퍼와의 밀착성을 향상시킨 보호막을 형성하는 것이 가능하며, 종래의 칩 보호용 필름에 비하여 공정의 간략화가 가능하다고 되어 있다.
또한 특허문헌 2에는, 기재 및 점착제층을 갖는 다이싱 테이프와, 당해 다이싱 테이프의 점착제층 상에, 착색되고 또한 소정의 탄성률을 갖는 웨이퍼 이면 보호 필름을 갖는, 다이싱 테이프 일체형 웨이퍼 이면 보호 필름이 개시되어 있다.
특허문헌 2의 기재에 의하면, 당해 웨이퍼 이면 보호 필름은 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼와의 우수한 보유 지지력을 발휘하는 것이 가능하다고 되어 있다.
일본 특허 공개 제2009-138026호 공보 일본 특허 공개 제2010-199543호 공보
그런데 특허문헌 1 및 2에 개시된 보호 필름을 웨이퍼 상에 부착하는 공정에 있어서, 보호 필름의 부착 위치의 어긋남이 발생하거나, 웨이퍼 상의 이물을 알아채지 못한 채 이물도 포함되도록 보호 필름을 부착해 버렸을 경우, 보호 필름을 박리하여 웨이퍼를 리워크하는 것이 어렵다.
특허문헌 1 및 2에 개시된 보호 필름은, 부착 시의 웨이퍼와의 밀착성이나 부착 후의 웨이퍼와의 보유 지지력의 향상을 목적으로 한 것이기 때문에, 웨이퍼 상에 일단 부착하면 웨이퍼와의 밀착성이 높기 때문에 리워크성에 문제가 있다. 웨이퍼 상에 한번 부착한 보호 필름을 강제로 박리하고자 하면, 박리하는 힘에 의하여 웨이퍼가 파손되거나 웨이퍼 상에 보호 필름의 일부가 잔존해 버리는 경우가 있다. 그 때문에 한번 보호 필름과 부착한 웨이퍼를 재이용하는 것은 어렵다.
즉, 특허문헌 1 및 2에서는, 기재된 보호 필름에 대하여, 부착 시의 웨이퍼와의 밀착성이나 부착 후의 웨이퍼와의 보유 지지력의 관점에서 검토는 되어 있지만, 보호 필름의 리워크성에 관한 검토는 일절 이루어져 있지 않다.
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 리워크성이 우수한 수지막 형성용 시트, 및 당해 수지막 형성용 시트와 지지체를 갖는 수지막 형성용 복합 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 실리콘 웨이퍼가 부착되는 측의 표면의 표면 조도를 소정값 이상으로 조정한 수지막 형성용 시트가 상기 과제를 해결할 수 있음을 알아내어 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명은 하기 〔1〕 내지 〔15〕를 제공하는 것이다.
〔1〕 실리콘 웨이퍼에 부착되어, 당해 실리콘 웨이퍼 상에 수지막을 형성하기 위한 시트이며,
실리콘 웨이퍼와 부착되는 측의 당해 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)가 40㎚ 이상인, 수지막 형성용 시트.
〔2〕 중합체 성분 (A) 및 경화성 성분 (B)를 포함하는, 상기 〔1〕에 기재된 수지막 형성용 시트.
〔3〕 중합체 성분 (A)가 아크릴계 중합체 (A1)을 포함하는, 상기 〔2〕에 기재된 수지막 형성용 시트.
〔4〕 열경화성 성분 (B1)을 포함하는, 상기 〔1〕 내지 〔3〕 중 어느 하나에 기재된 수지막 형성용 시트.
〔5〕 충전재 (C)를 포함하는, 상기 〔1〕 내지 〔4〕 중 어느 하나에 기재된 수지막 형성용 시트.
〔6〕 충전재 (C)의 함유량이 상기 수지막 형성용 시트의 전량에 대하여 10 내지 80질량%인, 상기 〔5〕에 기재된 수지막 형성용 시트.
〔7〕 충전재 (C)의 평균 입자 직경이 100 내지 1000㎚인, 상기 〔5〕 또는 〔6〕에 기재된 수지막 형성용 시트.
〔8〕 실리콘 웨이퍼 상에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 시트인, 상기 〔1〕 내지 〔7〕 중 어느 하나에 기재된 수지막 형성용 시트.
〔9〕 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (α)를 실리콘 웨이퍼에 부착 후, 당해 수지막 형성용 시트로부터 형성된 수지막의 당해 실리콘 웨이퍼와는 반대측의 표면 (β')으로부터 측정한 글로스값이 25 이상이 되는, 상기 〔1〕 내지 〔8〕 중 어느 하나에 기재된 수지막 형성용 시트.
〔10〕 상기 〔1〕 내지 〔9〕 중 어느 하나에 기재된 수지막 형성용 시트와, 지지체를 갖는, 수지막 형성용 복합 시트.
〔11〕 실리콘 웨이퍼에 부착되어, 당해 실리콘 웨이퍼 상에 수지막을 형성하기 위한 수지막 형성용 시트와, 지지체 (Ⅰ)을 갖고,
실리콘 웨이퍼와 부착되는 측의 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (α)와, 표면 조도가 40㎚ 이상인 지지체 (Ⅰ)의 표면 (ⅰ)이 직접 적층된 구성을 갖는, 수지막 형성용 복합 시트.
〔12〕 상기 수지막 형성용 복합 시트가 갖는 지지체 (Ⅰ)을 제거했을 때 표출되는 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)가 40㎚ 이상인, 상기 〔11〕에 기재된 수지막 형성용 복합 시트.
〔13〕 상기 수지막 형성용 시트가 열경화성 성분 (B1)을 포함하는, 상기 〔11〕 또는 〔12〕에 기재된 수지막 형성용 복합 시트.
〔14〕 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (α)와는 반대측의 표면 (β) 상에 추가로 제2 지지체 (Ⅱ)가 직접 적층된 구성을 갖고,
상기 수지막 형성용 시트가 열경화성 성분 (B1)을 함유하는, 상기 〔11〕 또는 〔12〕에 기재된 수지막 형성용 복합 시트.
〔15〕 지지체 (Ⅱ)가, 점착제층을 갖는 점착 시트이고, 당해 점착제층과 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (β)가 직접 적층된 구성을 갖는, 상기 〔14〕에 기재된 수지막 형성용 복합 시트.
본 발명의 수지막 형성용 시트는 리워크성이 우수하다. 그로 인하여, 본 발명의 수지막 형성용 시트를 한번 실리콘 웨이퍼에 부착한 후에 재부착이 필요하다고 판단했을 때는, 실리콘 웨이퍼를 파손하지 않고, 또한 잔사의 발생을 억제하면서 당해 수지막 형성용 시트를 박리할 수 있어, 수지막 형성용 시트를 박리 후의 실리콘 웨이퍼에 대해서는 재이용할 수 있다.
또한 본 명세서에 있어서 「수지막 형성용 시트의 리워크성」이란, 실리콘 웨이퍼에 부착한 후 다시 박리할 때, 실리콘 웨이퍼를 파손하지 않고, 또한 실리콘 웨이퍼 상에 수지막 형성용 시트의 일부를 잔존시키지 않으면서 박리할 수 있는 성질을 가리킨다.
도 1은 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 복합 시트의 단면도이다.
본 명세서의 기재에 있어서, 각 성분의 질량 평균 분자량(Mw) 및 수 평균 분자량(Mn)의 값은 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법으로 측정되는 표준 폴리스티렌 환산의 값이며, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 기초하여 측정한 값이다.
또한 본 명세서에 있어서, 예를 들어 「(메트)아크릴레이트」란, 「아크릴레이트」 및 「메타크릴레이트」의 양쪽을 나타내는 용어로서 사용하고 있으며, 다른 유사 용어에 대해서도 마찬가지이다.
또한 본 명세서에 있어서 「에너지선」이란, 예를 들어 자외선이나 전자선 등을 가리킨다.
〔수지막 형성용 시트〕
본 발명의 수지막 형성용 시트는, 실리콘 웨이퍼에 부착되어, 당해 실리콘 웨이퍼 상에 수지막을 형성하기 위한 시트이며, 실리콘 웨이퍼와 부착되는 측의 당해 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)(이하, 간단히 「표면 (α)의 표면 조도 (Ra)」라고도 함)가 40㎚ 이상이다.
본 발명의 수지막 형성용 시트는 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)가 40㎚ 이상이기 때문에, 당해 수지막 형성용 시트를 한번 실리콘 웨이퍼에 부착한 후에도 실리콘 웨이퍼를 파손하지 않고, 또한 잔사의 발생을 억제하면서 당해 수지막 형성용 시트를 박리할 수 있어 리워크성이 우수하다.
한편, 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)가 40㎚ 미만인 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼에 부착 후에 박리하고자 하면, 실리콘 웨이퍼 상에 당해 수지막 형성용 시트의 잔사가 발생해 버리는 경우가 있다. 또한 강제로 박리하고자 하면 실리콘 웨이퍼가 파손되어 버리는 경우도 있다.
상기 관점에서, 본 발명의 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)는 바람직하게는 45㎚ 이상, 보다 바람직하게는 50㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 53㎚ 이상, 보다 더욱 바람직하게는 55㎚ 이상이다.
또한 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)의 상한값으로서는, 리워크성을 양호하게 하는 관점에서는 특별히 제한은 없다.
단, 실리콘 웨이퍼와의 밀착성이 양호해지는 수지막 형성용 시트로 하는 관점에서, 본 발명의 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)는 바람직하게는 150㎚ 이하, 보다 바람직하게는 100㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 80㎚ 이하이다.
본 명세서에 있어서, 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)는 실시예에 기재된 방법에 의하여 측정된 값을 의미한다.
또한 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)는, 예를 들어 수지막 형성용 시트 중에 포함될 수 있는 충전재나 착색제 등의 미립자 성분의 종류, 평균 입경 및 함유량 등을 적절히 설정함으로써 조정 가능하다. 또한 표면이 거친 지지체를 접합하는 것으로도 조정할 수 있다.
또한 본 발명의 일 형태에 있어서, 수지막 형성용 시트의 표면 (α)와는 반대측의 표면 (β)의 표면 조도 (Ra)에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 바람직하게는 5 내지 80㎚, 보다 바람직하게는 8 내지 60㎚, 더욱 바람직하게는 10 내지 45㎚)이다.
당해 범위 내이면, 수지막 형성용 시트로부터 형성한 후술하는 수지막의 표면 (β')의 글로스값을 높게 조정하는 것이 용이해진다. 또한 수지막 형성용 시트로부터 형성된 수지막을 갖는 실리콘 웨이퍼나, 실리콘 웨이퍼로부터 얻어지는 칩 등에 대하여 적외선 등의 전자파에 의한 검사를 행하는 경우에 전자파의 투과성을 높게 할 수 있다.
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트의 표면 (α)를 실리콘 웨이퍼에 부착 후, 당해 수지막 형성용 시트로부터 형성된 수지막의 당해 실리콘 웨이퍼와는 반대측의 표면 (β')으로부터 측정한 글로스값은 바람직하게는 25 이상, 보다 바람직하게는 30 이상, 더욱 바람직하게는 35 이상, 보다 더욱 바람직하게는 40 이상이다.
수지막의 표면 (β')의 글로스값이 25 이상이면, 레이저 인자의 시인성이 우수한 수지막으로 할 수 있다.
본 발명의 일 형태에 있어서, 수지막 형성용 시트, 및 당해 수지막 형성용 시트로부터 형성된 수지막의 파장 1250㎚의 광선 투과율로서는 바람직하게는 25% 이상, 보다 바람직하게는 30% 이상, 더욱 바람직하게는 35% 이상, 보다 더욱 바람직하게는 40% 이상이다.
당해 광선 투과율이 25% 이상이면 적외선의 투과성이 양호해져, 수지막 형성용 시트 또는 당해 수지막 형성용 시트로부터 형성된 수지막을 구비하는 실리콘 웨이퍼 또는 칩에 대하여 적외선 검사를 행할 수 있다. 즉, 수지막 형성용 시트 또는 수지막을 통하여, 실리콘 웨이퍼 또는 칩에 발생한 크랙 등을 용이하게 발견할 수 있기 때문에, 제품 수율을 향상시킬 수 있다.
또한 수지막 형성용 시트의 파장 1250㎚의 광선 투과율은 실시예에 기재된 방법에 의하여 측정된 값을 의미한다.
본 발명의 수지막 형성용 시트의 형태는 특별히 제한은 없으며, 예를 들어 긴 테이프 형상, 단엽의 라벨 등의 형태여도 된다.
또한 본 발명의 수지막 형성용 시트는 1종의 조성물로부터 형성된 단층체여도 되고, 2종 이상의 조성물로부터 형성된 복층체여도 된다.
또한 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트가 복층체인 경우, 표면 (α)측의 형성 재료인 조성물 (α')은, 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)가 상기 범위가 되도록 성분의 종류나 배합량을 조정하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 형태에 있어서, 수지막 형성용 시트의 두께는 용도에 따라 적절히 설정되는데, 바람직하게는 1 내지 300㎛, 보다 바람직하게는 3 내지 250㎛, 더욱 바람직하게는 5 내지 200㎛, 보다 더욱 바람직하게는 7 내지 150㎛이다.
또한 특히 수지막 형성용 시트가 부착되는 실리콘 웨이퍼의 두께가 얇은 경우에는, 수지막 형성용 시트의 두께로서는 바람직하게는 1 내지 20㎛, 보다 바람직하게는 3 내지 15㎛이다.
또한 수지막 형성용 시트가 2층 이상으로 구성된 복층체인 경우에도 당해 복층체의 총 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.
<수지막 형성용 시트의 구성 성분>
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는, 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)가 상기 범위가 되는 것이면 구성 성분은 특별히 제한되지는 않는다.
단, 시트상의 형상 유지성이 양호한 수지막 형성용 시트로 하는 관점에서, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는 중합체 성분 (A) 및 경화성 성분 (B)를 포함하는 것인 것이 바람직하다.
또한 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)를 상기 범위로 조정하는 관점, 및 수지막 형성용 시트로부터 형성되는 수지막의 열팽창 계수를 적당한 범위로 조정하는 관점에서, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는 충전재 (C)를 포함하는 것이 바람직하다.
또한 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 착색제 (D), 커플링제 (E) 및 범용 첨가제 (F)로부터 선택되는 1종 이상을 더 포함하고 있어도 된다.
이하, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트의 구성 성분이 될 수 있는 상기 성분 (A) 내지 (F)에 대하여 설명한다.
[중합체 성분 (A)]
본 명세서에 있어서 「중합체 성분」이란, 중합 반응에 의하여 얻어지는 고분자량체이며, 적어도 1종의 반복 단위를 갖는 화합물을 의미한다.
본 발명의 일 형태에서 사용하는 수지막 형성용 시트는 중합체 성분 (A)를 함유함으로써 가요성이 용이하게 부여되어, 시트상의 형상 유지성을 양호하게 할 수 있다. 그 결과, 수지막 형성용 시트의 저장 탄성률을 상술한 범위로 조정할 수 있다.
중합체 성분 (A)의 질량 평균 분자량(Mw)으로서는, 얻어지는 수지막 형성용 시트의 저장 탄성률을 상술한 범위로 조정하는 관점에서 바람직하게는 2만 이상, 보다 바람직하게는 2만 내지 300만, 더욱 바람직하게는 10만 내지 200만, 보다 더욱 바람직하게는 15만 내지 150만이다.
아크릴계 중합체 (A1)의 유리 전이 온도(Tg)로서는 바람직하게는 -40℃ 이상, 보다 바람직하게는 -30 내지 50℃, 더욱 바람직하게는 -20 내지 20℃, 보다 더욱 바람직하게는 -15 내지 0℃이다.
또한 본 명세서에 있어서, 아크릴계 중합체 등의 유리 전이 온도(Tg)의 값은, 하기 식 (1)에서 계산한 절대 온도(단위: K)로 표시되는 유리 전이 온도(TgK)를 섭씨 온도(단위: ℃)로 환산한 값이다.
Figure pct00001
〔상기 식 (1) 중, W1, W2, W3, W4 … 는 중합체 성분을 구성하는 단량체 성분의 질량 분율(질량%)을 나타내고, Tg1, Tg2, Tg3, Tg4 … 는 중합체 성분을 구성하는 각 단량체 성분의 단독 중합체의 유리 전이 온도(단위: K)를 나타냄〕
본 발명의 일 형태에 있어서, 수지막 형성용 시트 중의 중합체 성분 (A)의 함유량은, 수지막 형성용 시트의 전량(100질량%)에 대하여 바람직하게는 5 내지 60질량%, 보다 바람직하게는 8 내지 50질량%, 더욱 바람직하게는 10 내지 45질량%, 보다 더욱 바람직하게는 15 내지 40질량%이다.
또한 본 명세서에 있어서, 「수지막 형성용 시트의 전량에 대한 성분 (A)의 함유량」은, 「수지막 형성용 시트의 형성 재료인 조성물의 유효 성분의 전량에 대한 성분 (A)의 함유량」과 동일하다. 이하에 설명하는 다른 성분의 함유량에 대해서도 마찬가지이다.
또한 상기 「유효 성분」이란, 조성물 중의 용매 등의 직접적 및 간접적으로 반응이나 형성되는 시트의 물성에 영향을 주지 않는 물질을 제외한 성분을 의미하며, 구체적으로는 물 및 유기 용매 등의 용매 이외의 성분을 의미한다.
중합체 성분 (A)는 아크릴계 중합체 (A1)을 포함하는 것이 바람직하다.
또한 중합체 성분 (A)는, 아크릴계 중합체 (A1)과 함께, 비아크릴계 중합체 (A2)가 포함되어 있어도 된다.
이들 중합체 성분은 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
본 발명의 일 형태에 있어서, 수지막 형성용 시트 중에 포함되는 중합체 성분 (A)의 전량(100질량%)에 대한 아크릴계 중합체 (A1)의 함유량으로서는 바람직하게는 50 내지 100질량%, 보다 바람직하게는 60 내지 100질량%, 더욱 바람직하게는 70 내지 100질량%, 보다 더욱 바람직하게는 80 내지 100질량%이다.
(아크릴계 중합체 (A1))
아크릴계 중합체 (A1)의 질량 평균 분자량(Mw)은 수지막 형성용 시트에 가요성 및 조막성을 부여하고, 수지막 형성용 시트의 저장 탄성률을 상술한 범위로 조정하는 관점에서 바람직하게는 2만 내지 300만, 보다 바람직하게는 10만 내지 150만, 더욱 바람직하게는 15만 내지 120만, 보다 더욱 바람직하게는 25만 내지 100만이다.
아크릴계 중합체 (A1)로서는, 알킬(메트)아크릴레이트를 주성분으로 하는 중합체를 들 수 있으며, 구체적으로는 탄소수 1 내지 18의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위 (a1)을 포함하는 아크릴계 중합체가 바람직하고, 추가로 구성 단위 (a1) 이외의 다른 구성 단위 (a2)를 포함하는 아크릴계 공중합체로 해도 된다.
또한 아크릴계 중합체 (A1)은 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
또한 아크릴계 중합체 (A1)이 공중합체인 경우, 당해 공중합체의 형태는 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 교호 공중합체, 그래프트 공중합체 중 어느 것이어도 된다.
(구성 단위 (a1))
구성 단위 (a1)을 구성하는 알킬(메트)아크릴레이트의 알킬기의 탄소수로서는, 수지막 형성용 시트에 가요성 및 조막성을 부여하는 관점에서 바람직하게는 1 내지 18이고, 보다 바람직하게는 1 내지 12, 더욱 바람직하게는 1 내지 8이다.
알킬(메트)아크릴레이트로서는, 예를 들어 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, n-옥틸(메트)아크릴레이트, n-노닐(메트)아크릴레이트, 이소노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
또한 이들 알킬(메트)아크릴레이트는 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
이들 중에서도 탄소수 1 내지 3의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트가 바람직하고, 메틸(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.
아크릴계 중합체 (A1) 중의 탄소수 1 내지 3의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위 (a11)의 함유량은, 아크릴계 중합체 (A1)의 전체 구조 단위(100질량%)에 대하여 바람직하게는 5 내지 80질량%, 보다 바람직하게는 15 내지 70질량%, 더욱 바람직하게는 25 내지 60질량%이다.
또한 탄소수 4 내지 12의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트가 바람직하고, 부틸(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.
아크릴계 중합체 (A1) 중의 탄소수 4 내지 12의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위 (a12)의 함유량은, 아크릴계 중합체 (A1)의 전체 구조 단위(100질량%)에 대하여 바람직하게는 5 내지 80질량%, 보다 바람직하게는 15 내지 70질량%, 더욱 바람직하게는 20 내지 60질량%이다.
또한 본 발명의 일 형태에서 사용하는 아크릴계 중합체 (A1)로서는, 상기 구성 단위 (a11) 및 구성 단위 (a12)를 같이 포함하는 아크릴계 공중합체가 바람직하다.
당해 아크릴계 공중합체의 구성 단위 (a11)과 구성 단위 (a12)의 함유비〔(a11)/(a12)〕(질량비)로서는 바람직하게는 20/80 내지 95/5, 보다 바람직하게는 30/70 내지 90/10, 더욱 바람직하게는 40/60 내지 85/15, 보다 더욱 바람직하게는 52/48 내지 75/25이다.
아크릴계 중합체 (A1) 중의 구성 단위 (a1)의 함유량은, 아크릴계 중합체 (A1)의 전체 구조 단위(100질량%)에 대하여 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 50 내지 99질량%, 더욱 바람직하게는 55 내지 98질량%, 보다 더욱 바람직하게는 60 내지 97질량%이다.
(구성 단위 (a2))
본 발명의 일 형태에서 사용하는 아크릴계 중합체 (A1)은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 상기 구성 단위 (a1) 이외의 다른 구성 단위 (a2)를 갖고 있어도 된다.
구성 단위 (a2)를 구성하는 단량체로서는, 예를 들어 히드록시기 함유 단량체, 카르복시기 함유 단량체, 에폭시기 함유 단량체 등의 관능기 함유 단량체; 아세트산비닐, 프로피온산비닐 등의 비닐에스테르류 단량체; 에틸렌, 프로필렌, 이소부틸렌 등의 올레핀류 단량체; 스티렌, 메틸스티렌, 비닐톨루엔 등의 방향족 비닐 단량체: 부타디엔, 이소프렌 등의 디엔계 단량체; (메트)아크릴로니트릴 등의 니트릴계 단량체 등을 들 수 있다.
이들 중에서도 관능기 함유 단량체가 바람직하고, 히드록시기 함유 단량체 및 에폭시기 함유 단량체로부터 선택되는 1종 이상이 바람직하다.
히드록시 함유 단량체로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메트)아크릴레이트류; 비닐알코올, 알릴알코올 등의 불포화 알코올류 등을 들 수 있다.
이들 중에서도 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트가 바람직하다.
카르복시기 함유 단량체로서는 (메트)아크릴산, 말레산, 푸마르산, 이타콘산 등을 들 수 있다.
에폭시기 함유 단량체로서는, 예를 들어 글리시딜(메트)아크릴레이트, β-메틸글리시딜(메트)아크릴레이트, (3,4-에폭시시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트, 3-에폭시시클로-2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트 등 에폭시기 함유(메트)아크릴산에스테르; 글리시딜크로토네이트, 알릴글리시딜에테르 등의 비아크릴계 에폭시기 함유 단량체; 등을 들 수 있다.
또한 에폭시기 함유 단량체에서 유래하는 구성 단위를 갖는 Mw가 2만 이상인 아크릴계 중합체는 열경화성을 갖고 있지만, 경화성 성분 (B)가 아니라 중합체 성분 (A)의 개념에 포함되는 것으로 한다.
본 발명의 일 형태에서 사용하는 아크릴계 중합체 (A1)은 히드록시기 함유 단량체에서 유래하는 구성 단위 (a21)을 포함하는 것이 바람직하다.
아크릴계 중합체 (A1) 중의 히드록시기 함유 단량체에서 유래하는 구성 단위 (a21)의 함유량은, 아크릴계 중합체 (A1)의 전체 구조 단위(100질량%)에 대하여 바람직하게는 1 내지 40질량%, 보다 바람직하게는 5 내지 30질량%, 더욱 바람직하게는 8 내지 25질량%, 보다 더욱 바람직하게는 10 내지 20질량%이다.
또한 본 발명의 일 형태에서 사용하는 아크릴계 중합체 (A1)은 에폭시기 함유 단량체에서 유래하는 구성 단위 (a22)를 포함하는 것이 바람직하다.
아크릴계 중합체 (A1) 중의 에폭시기 함유 단량체에서 유래하는 구성 단위 (a22)의 함유량은, 아크릴계 중합체 (A1)의 전체 구조 단위(100질량%)에 대하여 바람직하게는 1 내지 40질량%, 보다 바람직하게는 5 내지 30질량%, 더욱 바람직하게는 8 내지 25질량%이다.
또한 후술하는 경화성 성분 (B)로서, 에폭시계 열경화성 성분을 사용하는 경우에는, 카르복실기와 에폭시계 열경화성 성분 중의 에폭시기가 반응해 버리기 때문에, 아크릴계 중합체 (A1) 중에는, 카르복실기 함유 단량체에서 유래하는 구조 단위의 함유량은 적은 편이 바람직하다.
경화성 성분 (B)로서 에폭시계 열경화성 성분을 사용하는 경우, 카르복시기 함유 단량체에서 유래하는 구조 단위의 함유량은, 아크릴계 중합체 (A1)의 전 구성 단위(100질량%)에 대하여 바람직하게는 0 내지 10질량%, 보다 바람직하게는 0 내지 5질량%, 더욱 바람직하게는 0 내지 2질량%, 보다 더욱 바람직하게는 0질량%이다.
아크릴계 중합체 (A1) 중의 구성 단위 (a2)의 함유량은, 아크릴계 중합체 (A1)의 전체 구조 단위(100질량%)에 대하여 바람직하게는 1 내지 50질량%, 보다 바람직하게는 2 내지 45질량%, 더욱 바람직하게는 3 내지 40질량%이다.
(비아크릴계 수지(A2))
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는, 필요에 따라 상술한 아크릴계 중합체 (A1) 이외의 중합체 성분으로서 비아크릴계 중합체 (A2)를 함유해도 된다.
비아크릴계 중합체 (A2)로서는, 예를 들어 폴리에스테르, 페녹시 수지, 폴리카르보네이트, 폴리에테르, 폴리우레탄, 폴리실록산, 고무계 중합체 등을 들 수 있다.
이들 비아크릴계 중합체 (A2)는 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
비아크릴계 중합체 (A2)의 질량 평균 분자량(Mw)으로서는 바람직하게는 2만 이상, 보다 바람직하게는 2만 내지 10만, 더욱 바람직하게는 2만 내지 8만이다.
[경화성 성분 (B)]
경화성 성분 (B)는, 수지막 형성용 시트를 경화시켜 경질의 수지막을 형성하는 역할을 담당하는 것이며, 질량 평균 분자량(Mw)이 2만 미만인 화합물이다.
본 발명에서 사용하는 수지막 형성용 시트는, 경화성 성분 (B)로서, 열경화성 성분 (B1) 및 에너지선 경화성 성분 (B2) 중 적어도 한쪽을 포함하는 것이 바람직하고, 경화 반응을 충분히 진행시키는 관점 및 비용 저감의 관점에서 적어도 열경화성 성분 (B1)을 포함하는 것이 보다 바람직하다.
열경화성 성분 (B1)로서는, 적어도 가열에 의하여 반응하는 관능기를 갖는 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.
또한 에너지선 경화성 성분 (B2)는, 에너지선 조사에 의하여 반응하는 관능기를 갖는 화합물 (B21)을 함유하여, 에너지선의 조사를 받으면 중합 경화된다.
이들 경화성 성분이 갖는 관능기끼리가 반응하여 3차원 그물눈 구조가 형성됨으로써 경화가 실현된다.
경화성 성분 (B)의 질량 평균 분자량(Mw)은, 성분 (A)와 조합하여 사용함으로써 수지막 형성용 시트를 형성하는 조성물의 점도를 억제하여 취급성을 향상시키는 등의 관점에서 바람직하게는 20,000 미만, 보다 바람직하게는 10,000 이하, 더욱 바람직하게는 100 내지 10,000이다.
(열경화성 성분 (B1))
열경화성 성분 (B1)로서는 에폭시계 열경화성 성분이 바람직하다.
에폭시계 열경화성 성분은, 에폭시기를 갖는 화합물 (B11)과 함께, 열경화제 (B12)를 조합한 것을 사용하는 것이 바람직하다.
에폭시기를 갖는 화합물 (B11)(이하, 「에폭시 화합물 (B11)」이라고도 함)로서는, 예를 들어 다관능계 에폭시 수지, 비스페놀 A 디글리시딜에테르 및 그의 수소 첨가물, 크레졸 노볼락 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페닐렌 골격형 에폭시 수지 등의 분자 중에 2관능 이상 갖는 에폭시 화합물 등을 들 수 있다.
이들 에폭시 화합물 (B11)은 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
이들 중에서도 노볼락형 에폭시 수지 및 비페닐형 에폭시 수지로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하다.
또한 본 발명의 일 형태에 있어서, 에폭시 화합물 (B11)이, 25℃에서 액상인 에폭시 화합물(이하, 「액상 에폭시 화합물」이라고도 함)을 포함하는 것이 바람직하다.
에폭시 화합물 (B11)이 액상 에폭시 화합물을 포함함으로써, 수지막 형성용 시트의 파단 신도의 값을 상승시킬 수 있고, 리워크성이 우수한 수지막 형성용 시트로 할 수 있다.
본 발명의 일 형태에 있어서, 상기 관점에서, 액상 에폭시 화합물의 함유량은, 수지막 형성용 시트 중의 에폭시 화합물 (B11)의 전량(100질량%)에 대하여 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 15질량% 이상, 더욱 바람직하게는 30질량% 이상, 보다 더욱 바람직하게는 40질량% 이상이다.
한편, 수지막 형성용 시트를 사용하여 제조한, 수지막을 갖는 칩의 신뢰성 향상의 관점에서, 액상 에폭시 화합물의 함유량은, 수지막 형성용 시트 중의 에폭시 화합물 (B11)의 전량(100질량%)에 대하여 바람직하게는 90질량% 이하, 보다 바람직하게는 80질량% 이하, 더욱 바람직하게는 75질량% 이하, 보다 더욱 바람직하게는 70질량% 이하이다.
또한 본 명세서에 있어서 「액상 에폭시 화합물」이란, 25℃에서의 점도가 40㎩·s 이하인 에폭시 화합물을 의미한다. 또한 본 명세서에 있어서, 에폭시 화합물의 25℃에서의 점도는, JIS Z 8803에 준하여 E형 점도계를 사용하여 25℃에서 측정한 값이다.
에폭시 화합물 (B11)의 함유량은, 성분 (A) 100질량부에 대하여 바람직하게는 1 내지 500질량부, 보다 바람직하게는 3 내지 300질량부, 더욱 바람직하게는 5 내지 150질량부, 보다 더욱 바람직하게는 10 내지 100질량부이다.
(열경화제 (B12))
열경화제 (B12)는, 에폭시 화합물 (B11)에 대한 경화제로서 기능한다.
열경화제로서는, 1분자 중에 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하다.
당해 관능기로서는 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복실기 및 산 무수물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 페놀성 수산기, 아미노기 또는 산 무수물이 바람직하고, 페놀성 수산기 또는 아미노기가 보다 바람직하고, 아미노기가 더욱 바람직하다.
페놀성 수산기를 갖는 페놀계 열경화제로서는, 예를 들어 다관능계 페놀 수지, 비페놀, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, 자일록형 페놀 수지, 아르알킬형 페놀 수지 등을 들 수 있다.
아미노기를 갖는 아민계 열경화제로서는, 예를 들어 디시안디아미드(DICY) 등을 들 수 있다.
이들 열경화제 (B12)는 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
이들 중에서도 아민계 열경화제를 포함하는 것이 바람직하다.
열경화제 (B12)의 함유량은, 에폭시 화합물 (B11) 100질량부에 대하여 바람직하게는 0.1 내지 500질량부, 보다 바람직하게는 0.5 내지 300질량부, 더욱 바람직하게는 1 내지 200질량부이다.
(경화 촉진제 (B13))
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는, 당해 시트의 가열에 의한 경화 속도를 조정하는 관점에서 경화 촉진제 (B13)을 함유해도 된다.
경화 촉진제 (B13)은, 열경화성 성분 (B1)로서 에폭시 화합물 (B11)과 병용하는 것이 바람직하다.
경화 촉진제 (B13)으로서는, 예를 들어 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3급 아민류; 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸류; 트리부틸포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀 등의 유기 포스핀류; 테트라페닐포스포늄 테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀 테트라페닐보레이트 등의 테트라페닐붕소염 등을 들 수 있다.
이들 경화 촉진제 (B13)은 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
경화 촉진제 (B13)의 함유량은, 수지막 형성용 시트로부터 형성되는 수지막의 접착성 향상의 관점에서, 에폭시 화합물 (B11) 및 열경화제 (B12)의 합계량 100질량부에 대하여 바람직하게는 0.01 내지 10질량부, 보다 바람직하게는 0.1 내지 6질량부, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 4질량부이다.
(에너지선 경화성 성분 (B2))
에너지선 경화성 성분 (B2)로서는, 에너지선 조사에 의하여 반응하는 관능기를 갖는 화합물 (B21)을 단독으로 사용해도 되지만, 화합물 (B21)과 함께, 광중합 개시제 (B22)를 조합하여 사용하는 것이 바람직하다. 또한 에너지선 경화성 성분 (B2)는 자외선으로 경화시키는 것이 바람직하다.
(에너지선 조사에 의하여 반응하는 관능기를 갖는 화합물 (B21))
에너지선 조사에 의하여 반응하는 관능기를 갖는 화합물 (B21)(이하, 「에너지선 반응성 화합물 (B21)」이라고도 함)로서는, 예를 들어 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 올리고에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트계 올리고머, 에폭시(메트)아크릴레이트, 폴리에테르(메트)아크릴레이트, 이타콘산 올리고머 등을 들 수 있다.
이들 에너지선 반응성 화합물 (B21)은 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
또한 에너지선 반응성 화합물 (B21)의 질량 평균 분자량(Mw)은 바람직하게는 100 내지 30,000, 보다 바람직하게는 200 내지 20,000, 더욱 바람직하게는 300 내지 10,000이다.
에너지선 반응성 화합물 (B21)의 함유량은, 성분 (A) 100질량부에 대하여 바람직하게는 1 내지 1500질량부, 보다 바람직하게는 3 내지 1200질량부, 더욱 바람직하게는 5 내지 1000질량부이다.
(광중합 개시제 (B22))
상술한 에너지선 반응성 화합물 (B21)과 함께, 광중합 개시제 (B22)를 병용함으로써, 중합 경화 시간을 짧게 하고, 광선 조사량이 적더라도, 수지막 형성용 시트의 경화를 진행시킬 수 있다.
광중합 개시제 (B22)로서는, 예를 들어 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물 등을 들 수 있다.
보다 구체적인 광중합 개시제로서는, 예를 들어 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질페닐술파이드, 테트라메틸티우람모노술파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, β-클로로안트라퀴논, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등을 들 수 있다.
이들 광중합 개시제는 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
광중합 개시제 (B22)의 함유량은, 수지막 형성용 시트의 경화 반응을 충분히 진행시킴과 함께, 잔류물의 생성을 억제하는 관점에서, 에너지선 반응성 화합물 (B21) 100질량부에 대하여 바람직하게는 0.1 내지 10질량부, 보다 바람직하게는 0.5 내지 8질량부, 더욱 바람직하게는 1 내지 5질량부이다.
본 발명의 일 형태에 있어서, 수지막 형성용 시트 중의 경화성 성분 (B)의 함유량은, 수지막 형성용 시트의 전량(100질량%)에 대하여 바람직하게는 5 내지 50질량%, 보다 바람직하게는 8 내지 40질량%, 더욱 바람직하게는 10 내지 30질량%, 보다 더욱 바람직하게는 12 내지 25질량%이다.
또한 상기 「경화성 성분 (B)의 함유량」은, 상술한 에폭시 화합물 (B11), 열경화제 (B12) 및 경화 촉진제 (B13)을 포함하는 열경화성 성분 (B1), 그리고 에너지선 반응성 화합물 (B21) 및 광중합 개시제 (B22)를 포함하는 에너지선 경화성 성분 (B2)의 합계 함유량을 가리킨다.
[충전재 (C)]
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는 충전재 (C)를 포함하는 것이 바람직하다.
충전재 (C)를 포함함으로써, 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)를 상술한 범위로 조정하기 쉬워진다.
또한 충전재 (C)를 포함하는 수지막 형성용 시트는, 형성되는 수지막의 열팽창 계수를 적당한 범위로 조정하는 것이 가능해지고, 수지막을 갖는 칩의 열팽창 계수를 최적화함으로써, 당해 칩이 조립된 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한 당해 수지막 형성용 시트로부터 형성되는 수지막의 흡습률을 저감시키는 것도 가능해진다.
충전재 (C)로서는, 폴리메틸메타크릴레이트 필러, 고무계 입자 등의 유기 충전재, 그리고 실리카, 알루미나, 탈크, 탄산칼슘, 산화티타늄, 산화철, 탄화규소, 질화붕소 등의 분말, 이들을 구형화한 비즈, 단결정 섬유 및 유리 섬유 등의 무기 충전재를 들 수 있다.
이들 충전재 (C)는 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
이들 중에서도 수지막 형성용 시트가 열경화성인 경우에, 내열성이 우수하다는 등의 관점에서 무기 충전재가 바람직하고, 실리카 또는 알루미나가 보다 바람직하다.
본 발명의 일 형태에 있어서, 형성되는 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)를 상기 범위로 용이하게 조정하는 관점에서, 충전재 (C)의 평균 입경은 바람직하게는 3 내지 20㎛, 보다 바람직하게는 5 내지 15㎛이다.
평균 입경이 상기 범위인 충전재이면, 충전재 (C)의 함유량이 비교적 적은 경우에도, 형성되는 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)를 상기 범위로 용이하게 조정할 수 있다.
그러나 충전재 (C)의 함유량을 비교적 많이 첨가하는 것이나, 후술하는 수지막 형성용 복합 시트의 구성으로 함으로써, 비교적 작은 평균 입경을 갖는 충전재 (C)를 사용하는 경우에 있어서도, 형성되는 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)를 상기 범위로 조정할 수는 있다.
상기 경우에 있어서의, 충전재 (C)의 평균 입경으로서는 바람직하게는 100 내지 1000㎚, 보다 바람직하게는 200 내지 900㎚, 더욱 바람직하게는 200 내지 800㎚, 보다 더욱 바람직하게는 300 내지 750㎚, 보다 더욱 바람직하게는 400 내지 700㎚)이다.
충전재 (C)의 평균 입경이 100㎚ 이상이면, 충전재 (C)의 함유량을 조정함으로써, 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)를 상기 범위로 조정하기 쉽다.
또한 충전재 (C)의 평균 입경이 1000㎚ 이하이면 이하의 (1) 내지 (4)의 이점이 있다.
(1) 수지막 형성용 시트의 표면 (α)를 실리콘 웨이퍼에 부착 후, 당해 수지막 형성용 시트로부터 형성된 수지막의 당해 실리콘 웨이퍼와는 반대측의 표면 (β')으로부터 측정한 글로스값을 높게 할 수 있다.
(2) 수지막 형성용 시트 및 상기 수지층의 적외선 등의 전자파의 투과성을 향상시키는 것이 용이해진다. 그 결과, 수지막 형성용 시트 및 수지층을 갖는 실리콘 웨이퍼나 칩 등에 대하여 전자파에 의한 검사를 행하는 경우에, 전자파의 투과성이 높기 때문에 검사 작업의 효율이 좋아진다.
(3) 수지막 형성용 시트 및 상기 수지막을 갖는 실리콘 웨이퍼에 레이저를 조사하는 프로세스에 있어서, 수지막 형성용 시트 및 수지막의 존재에 기인하여 레이저가 확산된다는 문제를 회피하기 쉬워진다.
(4) 예를 들어 20㎛ 이하의 두께가 얇은 수지막 형성용 시트를 제조할 때, 수지막 형성용 시트의 형성 재료인 조성물의 도포 공정에 있어서, 입경이 큰 충전재에 기인한 도막의 형성 불량 등의 폐해를 회피하기 쉽다.
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트를 2종 이상의 조성물로부터 형성된 복층체로 하는 경우, 당해 수지막 형성용 시트의 표면 (α)측의 형성 재료인 조성물은, 상기 범위의 평균 입경의 충전재 (C)를 배합하여, 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)를 조정하는 것이 바람직하다.
한편, 표면 (β)측의 형성 재료인 조성물은, 수지막 형성용 시트로부터 형성된 수지막의 당해 실리콘 웨이퍼와는 반대측의 표면 (β')으로부터 측정한 글로스값을 향상시키는 관점에서, 상술한 범위와는 상이한 작은 평균 입경을 갖는 충전재 (C')을 배합하는 것이 바람직하다.
충전재 (C')의 평균 입경으로서는 통상 1 내지 400㎚, 바람직하게는 1 내지 250㎚, 보다 바람직하게는 1 내지 100㎚이다.
또한 본 명세서에 있어서, 충전재 (C) 및 (C')의 평균 입경은, 동적 광 산란식 입도 분포계(Nanotrack Wave-UT151, 닛키소 가부시키가이샤 제조)를 사용하여 측정한 값을 의미한다.
본 발명의 일 형태에 있어서, 수지막 형성용 시트 중의 충전재 (C)의 함유량은, 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)를 상기 범위로 조정하는 관점, 및 당해 수지막 형성용 시트를 사용하여 제조되는 수지막을 갖는 칩의 신뢰성을 양호하게 하는 관점에서, 수지막 형성용 시트의 전량(100질량%)에 대하여 바람직하게는 10 내지 80질량%, 보다 바람직하게는 20 내지 70질량%, 더욱 바람직하게는 30 내지 65질량%, 보다 더욱 바람직하게는 40 내지 60질량%이다.
본 발명의 일 형태에 있어서, 수지막 형성용 시트 중의 중합체 성분 (A), 경화성 성분 (B) 및 충전재 (C)의 합계 함유량으로서는, 수지막 형성용 시트의 전량(100질량%)에 대하여 바람직하게는 60질량% 이상, 보다 바람직하게는 70질량% 이상, 더욱 바람직하게는 80질량% 이상, 보다 더욱 바람직하게는 90질량% 이상이다.
[착색제 (D)]
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는 착색제 (D)를 더 포함하고 있어도 된다.
수지막 형성용 시트에 착색제 (D)를 함유함으로써, 수지막 형성용 시트로부터 형성되는 수지막을 갖는 반도체 칩을 기기에 조립했을 때, 반도체 웨이퍼의 연삭 시에 발생한 연삭흔이 시인되기 어렵게 하거나, 반도체 칩의 외관을 정돈하거나 할 수 있다.
착색제 (D)로서는 유기 또는 무기의 안료 및 염료를 사용할 수 있다.
염료로서는, 예를 들어 산성 염료, 반응 염료, 직접 염료, 분산 염료, 양이온 염료 등의 어느 염료도 사용하는 것이 가능하다.
또한 안료로서는 특별히 제한되지 않으며, 공지된 안료로부터 적절히 선택하여 사용할 수 있는데, 예를 들어 프탈로시아닌계 청색 안료, 이소인돌리논계 황색 안료 및 디케토피롤로피롤계 적색 안료나, 카본 블랙, 산화철, 이산화망간, 아닐린 블랙, 활성탄 등의 흑색 안료 등을 들 수 있다.
이들 착색제 (D)는 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
또한 프탈로시아닌계 청색 안료, 이소인돌리논계 황색 안료 및 디케토피롤로피롤계 적색 안료를 혼합하여 사용함으로써, 적외 영역의 광선 투과성을 향상시키면서 가시광의 투과성이 낮은 수지막을 얻는 것이 용이하다.
착색제 (D)의 평균 입경으로서는 바람직하게는 400㎚ 이하, 보다 바람직하게는 300㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 200㎚ 이하, 보다 더욱 바람직하게는 100㎚ 이하고 또한 바람직하게는 10㎚ 이상, 보다 바람직하게는 20㎚ 이상이다.
본 발명의 일 형태에 있어서, 수지막 형성용 시트 중의 착색제 (D)의 함유량은, 수지막 형성용 시트의 전량(100질량%)에 대하여 바람직하게는 0.01 내지 20질량%, 보다 바람직하게는 0.05 내지 15질량%, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 10질량%, 보다 더욱 바람직하게는 0.15 내지 5질량%이다.
[커플링제 (E)]
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는 커플링제 (E)를 더 포함하고 있어도 된다.
커플링제 (E)를 포함함으로써, 얻어지는 수지막 형성용 시트로부터 형성되는 수지막의 내열성을 손상시키지 않으면서 내수성을 향상시킬 수도 있다. 또한 실리콘 웨이퍼와의 부착 후의 단부 밀착성의 향상에도 기여한다.
커플링제 (E)로서는, 성분 (A)나 성분 (B)가 갖는 관능기와 반응하는 화합물이 바람직하고, 실란 커플링제가 보다 바람직하다.
실란 커플링제로서는, 예를 들어 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-(메타크릴옥시프로필)트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-6- (아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-6-(아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-우레이도프로필트리에톡시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란, γ-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라술판, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 이미다졸실란 등을 들 수 있다.
이들 커플링제 (E)는 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
커플링제 (E)로서는 올리고머 타입의 커플링제가 바람직하다.
올리고머 타입의 커플링제도 포함한 커플링제 (E)의 분자량으로서는 바람직하게는 100 내지 15000, 보다 바람직하게는 150 내지 10000, 더욱 바람직하게는 200 내지 5000, 보다 더욱 바람직하게는 250 내지 3000, 보다 더욱 바람직하게는 350 내지 2000이다.
본 발명의 일 형태에 있어서, 수지막 형성용 시트 중의 커플링제 (E)의 함유량은, 수지막 형성용 시트의 전량(100질량%)에 대하여 바람직하게는 0.01 내지 3.0질량%, 보다 바람직하게는 0.03 내지 1.5질량%, 더욱 바람직하게는 0.05 내지 0.8질량%, 보다 더욱 바람직하게는 0.1 내지 0.3질량%이다.
[범용 첨가제 (F)]
본 발명의 일 형태에서 사용하는 수지막 형성용 시트는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 상기 성분 외에, 필요에 따라 범용 첨가제 (F)를 함유해도 된다.
범용 첨가제 (F)로서는, 예를 들어 가교제, 가소제, 레벨링제, 대전 방지제, 산화 방지제, 이온 포착제, 게터링제, 연쇄 이동제 등을 들 수 있다.
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트 중의 이들 범용 첨가제 (F)의 각각의 함유량은, 수지막 형성용 시트의 전량(100질량%)에 대하여 바람직하게는 0 내지 10질량%, 보다 바람직하게는 0 내지 5질량%, 더욱 바람직하게는 0 내지 2질량%이다.
<수지막 형성용 시트의 제조 방법>
본 발명의 수지막 형성용 시트의 제조 방법으로서는 특별히 제한은 없으며, 공지된 방법에 의하여 제조할 수 있다.
예를 들어 수지막 형성용 시트의 형성 재료가 되는, 상술한 각 성분을 포함하는 수지막 형성용 조성물을 조제한 후, 적절히 유기 용매를 첨가하여 희석하여 수지막 형성용 조성물의 용액을 얻는다. 그리고 당해 수지막 형성용 조성물의 용액을 후술하는 지지체 상에 공지된 도포 방법에 의하여 도포하여 도막을 형성하고, 해당 도막을 건조시킴으로써, 수지막 형성용 시트를 제조할 수 있다.
또한 얻어지는 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)를 상술한 범위로 조정하는 관점에서, 수지막 형성용 시트의 제조 방법으로서는, 수지막 형성용 시트의 형성 재료인 수지막 형성용 조성물을, 표면 조도 (Ra)가 40㎚ 이상인 표면을 갖는 지지체의 당해 표면 상에 도포하여 도막을 형성하고, 당해 도막을 건조하는 공정을 갖는 것이 바람직하다.
상기 수지막 형성용 조성물은, 적절히 용매를 첨가하여 희석하여, 수지막 형성용 조성물의 용액 형태로 해도 된다.
또한 상기 지지체가 갖는 당해 표면의 표면 조도 (Ra)로서는 바람직하게는 40㎚ 이상, 보다 바람직하게는 70㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 100㎚ 이상, 보다 더욱 바람직하게는 200㎚ 이상, 보다 더욱 바람직하게는 300㎚ 이상이고, 또한, 바람직하게는 1000㎚ 이하, 보다 바람직하게는 800㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 500㎚ 이하이다.
또한 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트가 복층체인 경우, 당해 수지막 형성용 시트의 제조 방법으로서는, 예를 들어 2개 이상의 지지체 상에, 각각 수지막 형성용 조성물의 용액을 도포하여 도막을 형성하고, 당해 도막을 접합하여 도막을 적층하고 나서, 건조시키는 공정을 갖는 제조 방법이어도 된다.
수지막 형성용 조성물의 용액 조제에 사용하는 유기 용매로서는, 예를 들어 톨루엔, 아세트산에틸, 메틸에틸케톤 등을 들 수 있다.
유기 용매를 배합한 경우의 수지막 형성용 조성물의 용액의 고형분 농도는 바람직하게는 10 내지 80질량%, 보다 바람직하게는 20 내지 70질량%, 더욱 바람직하게는 30 내지 65질량%이다.
도포 방법으로서는, 예를 들어 스핀 코트법, 스프레이 코트법, 바 코트법, 나이프 코트법, 롤 코트법, 롤 나이프 코트법, 블레이드 코트법, 다이 코트법, 그라비아 코트법 등을 들 수 있다.
<수지막 형성용 시트의 용도>
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는, 페이스 다운 방식의 칩용 반도체 웨이퍼나 반도체 칩 등의 실리콘 웨이퍼 등의 워크의 이면에 부착되어, 워크 상에 수지막을 형성할 수 있다. 이 수지막은, 반도체 웨이퍼나 반도체 칩 등의 워크의 이면을 보호하는 보호막으로서의 기능을 갖는다. 예를 들어 반도체 웨이퍼에 부착했을 경우에는, 수지막이 웨이퍼를 보강하는 기능을 갖기 때문에 웨이퍼의 파손 등을 방지할 수 있다.
즉, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는, 실리콘 웨이퍼 상에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 시트인 것이 바람직하다.
또한 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트로부터 형성되는 수지막은 접착 시트로서의 기능도 부여할 수 있다. 즉, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트를 사용하여 형성된 수지막이 접착막으로서의 기능을 갖는 경우, 당해 수지막을 갖는 칩은, 다이 패드부 또는 다른 반도체 칩 등의 다른 부재 상(칩 탑재부 상)에 접착할 수 있어, 반도체 장치를 제조하기 위한 생산성의 향상에 기여할 수 있다.
즉, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는, 실리콘 웨이퍼 상에 접착막을 형성하기 위한 접착막 형성용 시트로 할 수도 있다.
〔수지막 형성용 복합 시트의 구성〕
본 발명의 수지막 형성용 복합 시트(이하, 간단히 「복합 시트」라고도 함)는 본 발명의 수지막 형성용 시트와, 지지체를 갖는다.
또한 본 발명의 일 형태의 복합 시트의 형태에 대해서는 특별히 제한은 없으며, 예를 들어 긴 테이프 형상, 단엽의 라벨 등의 형태여도 된다.
도 1은, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 복합 시트의 단면도이다.
본 발명의 일 형태의 복합 시트로서는, 도 1의 (a)에 도시한 바와 같은, 지지체(11) 상에 수지막 형성용 시트(10)가 직접 적층된 구성을 갖는 복합 시트(1a)를 들 수 있다.
본 발명의 일 형태의 복합 시트의 수지막 형성용 시트(10)의 형상으로서는, 피착체인 실리콘 웨이퍼와 대략 동일한 형상 또는 실리콘 웨이퍼의 형상을 포함할 수 있는 형상이면 된다.
또한 도 1 (a)의 복합 시트(1a)는, 지지체(11)와 수지막 형성용 시트(10)가 대략 동일한 형상이지만, 도 1의 (b)에 도시한 바와 같이, 수지막 형성용 시트(10)의 형상이, 지지체(11)의 형상보다도 작은 복합 시트(1b)여도 된다.
또한 본 발명의 일 형태의 복합 시트로서는, 도 1의 (c)에 도시한 바와 같이, 링 형상의 지그 접착층(12)을 갖는 복합 시트(1c)를 들 수 있다.
링 형상의 지그 접착층(12)은, 링 프레임 등의 지그와 접착할 때 당해 지그에 대한 접착력을 향상시킬 목적으로 설치되는 것이며, 기재(코어재)를 갖는 양면 점착 시트나, 점착제로부터 형성할 수 있다.
또한 도 1의 (c)에 도시된 복합 시트(1c)에서는, 도 1 (a)의 복합 시트(1a)에 대하여 지그 접착층(12)을 더 설치한 구성을 나타내고 있는데, 본 발명의 일 형태의 복합 시트로서는, 도 1의 (b)의 복합 시트(1b)의 지지체(11)의 면 상에, 지그 접착층(12)을 설치한 구성의 복합 시트도 들 수 있다.
본 발명의 일 형태의 복합 시트로서는, 도 1의 (d)에 도시한 바와 같이, 수지막 형성용 시트(10)가 2개의 지지체(11, 11')에 협지된 구성을 갖는 복합 시트(1d)로 해도 된다.
또한 복합 시트(1d)의 구성과 마찬가지로, 도 1의 (b)의 복합 시트(1b)의 표출하고 있는 수지막 형성용 시트(10)의 면 상에, 지지체(11)와는 다른 지지체를 설치해도 된다.
또한 마찬가지로, 도 1의 (c)에 도시하는 복합 시트(1c)의 수지막 형성용 시트(10)의 면 상 및 지그 접착층(12)의 면 상에, 지지체(11)와는 다른 지지체를 설치해도 된다.
<지지체>
본 발명의 일 형태의 복합 시트가 갖는 지지체는, 수지막 형성용 시트의 표면에 먼지 등의 부착을 방지하는 박리 시트, 또는 다이싱 공정 등에서 수지막 형성용 시트의 표면을 보호하기 위한 다이싱 시트 등의 역할을 하는 것이다.
본 발명에서 사용하는 지지체는, 수지 필름을 갖는 구성인 것이 바람직하다.
당해 수지 필름으로서는, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 필름이나 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE) 필름 등의 폴리에틸렌 필름, 에틸렌·프로필렌 공중합체 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌·아세트산비닐 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름, 에틸렌·(메트)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌·(메트)아크릴산에스테르 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카르보네이트 필름, 폴리이미드 필름, 불소 수지 필름 등을 들 수 있다.
본 발명의 일 형태에서 사용하는 기재는, 1종의 수지 필름을 포함하는 단층 필름이어도 되고, 2종 이상의 수지 필름을 적층한 적층 필름이어도 된다.
또한 상기 수지 필름은 가교 필름이어도 된다.
또한 이들 수지 필름을 착색한 것, 또는 인쇄를 실시한 것 등도 사용할 수 있다.
또한 수지 필름은, 열가소성 수지를 압출 성형에 의하여 시트화한 것이어도 되고, 연신된 것이어도 되며, 경화성 수지를 소정 수단에 의하여 박막화 및 경화시켜 시트화한 것이 사용되어도 된다.
이들 수지 필름 중에서도, 내열성이 우수하고, 또한 적당한 유연성을 갖기 때문에 익스팬드 적성을 갖고, 픽업 적성도 유지되기 쉽다는 관점에서, 폴리프로필렌 필름을 포함하는 기재가 바람직하다.
또한 폴리프로필렌 필름을 포함하는 기재의 구성으로서는, 폴리프로필렌 필름만을 포함하는 단층 구조여도 되고, 폴리프로필렌 필름과 다른 수지 필름을 포함하는 복층 구조여도 된다.
수지막 형성용 시트가 열경화성인 경우, 기재를 구성하는 수지 필름이 내열성을 가짐으로써, 기재의 열에 의한 손상을 억제하여, 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서의 문제의 발생을 억제할 수 있다.
지지체를, 수지막 형성용 시트의 표면에 먼지 등의 부착을 방지하는 박리 시트로서 사용하는 경우, 당해 지지체로서는, 실리콘 웨이퍼와의 부착 시나 다이싱 공정 시에 용이하게 수지막 형성용 시트로부터 박리할 수 있는 수지 필름이 바람직하다.
또한 당해 지지체로서는, 상술한 수지 필름의 표면에 박리 처리를 실시한 수지 필름을 사용해도 된다.
당해 박리 처리의 방법으로서는, 상술한 수지 필름의 표면 상에, 박리제로부터 형성한 박리막을 설치하는 방법이 바람직하다.
당해 박리제로서는, 예를 들어 아크릴계 수지, 알키드계 수지, 실리콘계 수지, 불소계 수지, 불포화 폴리에스테르계 수지, 폴리올레핀계 수지, 왁스계 수지 등으로부터 선택되는 수지를 포함하는 박리제 등을 들 수 있다.
지지체를, 다이싱 공정 등에서 수지막 형성용 시트를 고정하기 위한 다이싱 시트로서 사용하는 경우, 당해 지지체로서는, 상술한 수지 필름 상에, 점착제로부터 형성된 점착제층을 갖는 점착 시트가 바람직하다.
당해 점착제에 포함되는 점착성 수지로서는, 점착성 수지의 구조에 착안했을 경우, 예를 들어 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 고무계 수지, 실리콘계 수지, 비닐에테르계 수지 등을 들 수 있고, 기능에 착안했을 경우, 예를 들어 에너지선 경화형 수지 등을 들 수 있다.
본 발명의 일 형태에 있어서, 픽업성을 양호하게 하는 관점에서, 에너지선 경화형 수지를 포함하는 점착제가 바람직하다.
지지체의 두께로서는, 용도에 따라 적절히 선택되지만, 바람직하게는 10 내지 500㎛, 보다 바람직하게는 20 내지 350㎛, 더욱 바람직하게는 30 내지 200㎛이다.
또한 상기 지지체의 두께에는, 지지체를 구성하는 수지 필름의 두께뿐만 아니라, 점착제층 또는 박리막을 갖는 경우에는, 당해 점착제층 또는 박리막의 두께도 포함한다.
<지그 접착층>
지그 접착층은, 기재(코어재)를 갖는 양면 점착 시트나, 점착제를 포함하는 점착제 조성물로부터 형성할 수 있다.
당해 기재(코어재)로서는, 상술한 기재로서 사용할 수 있는 수지 필름을 들 수 있으며, 폴리프로필렌 필름이 바람직하다.
또한 상기 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 고무계 수지, 실리콘계 수지, 비닐에테르계 수지 등을 들 수 있다.
지그 접착층의 두께는 바람직하게는 1 내지 80㎛, 보다 바람직하게는 5 내지 60㎛, 더욱 바람직하게는 10 내지 40㎛이다.
〔본 발명의 다른 형태의 수지막 형성용 복합 시트〕
본 발명의 다른 형태로서, 이하의 수지막 형성용 복합 시트(이하, 「복합 시트 (1)」이라고도 함)를 들 수 있다.
본 발명의 일 형태인 복합 시트 (1)은 실리콘 웨이퍼에 부착되어, 당해 실리콘 웨이퍼 상에 수지막을 형성하기 위한 수지막 형성용 시트와, 지지체 (Ⅰ)을 갖는 것이며, 상술한 도 1에 도시하는 복합 시트(1a 내지 1d)와 동일한 구성이다.
단, 복합 시트 (1)은, 실리콘 웨이퍼와 부착되는 측의 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (α)와, 표면 조도가 40㎚ 이상인 지지체 (Ⅰ)의 표면 (ⅰ)이 직접 적층된 구성을 갖는다.
복합 시트 (1)로부터 지지체 (Ⅰ)을 제거했을 때 표출되는 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (α)에는, 지지체 (Ⅰ)의 표면 (ⅰ) 상에 형성된 표면 조도 (Ra)가 40㎚ 이상인 요철이 동일한 정도로, 또는 지지체 (Ⅰ)의 표면 (ⅰ) 상에 형성된 표면 조도 (Ra)보다도 작은 표면 조도 (Ra)를 나타내도록, 이행되는 것으로 생각된다.
그 때문에, 복합 시트 (1)로부터 지지체 (Ⅰ)을 제거한 후의 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)는 리워크성의 개선 효과가 발휘될 정도의 소정값 이상이라고 생각되며, 상술한 본 발명의 수지막 형성용 시트와 마찬가지로 리워크성의 개선 효과를 갖는다.
본 발명의 일 형태인 복합 시트 (1)이 갖는 수지막 형성용 시트는 열경화성을 갖고 있는 것이 바람직하다.
열경화성을 갖는 수지막 형성용 시트이면, 당해 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼에 부착한 후의 가열 공정에 있어서, 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 요철 형상이 변형되기 쉽고, 실리콘 웨이퍼와의 계면에, 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 요철 형상에 기인한 공극이 발생하기 어렵다. 그 결과, 실리콘 웨이퍼 상에 형성된 수지막에 있어서, 당해 공극에 기인한 광선의 산란을 억제할 수 있어, 육안이나 적외선 등의 전자파에 의하여, 수지막을 갖는 실리콘 웨이퍼나 칩의 검사 등의 관찰이 용이해진다.
본 발명의 일 형태인 복합 시트 (1)이 갖는 수지막 형성용 시트는, 열경화성을 부여하는 관점에서, 상술한 열경화성 성분 (B1)을 함유하는 것이 바람직하다.
복합 시트 (1)이 갖는 지지체 (Ⅰ)을 제거한 후의 수지막 형성용 시트의 표면 조도 (Ra)로서는 바람직하게는 40㎚ 이상, 보다 바람직하게는 45㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 50㎚ 이상, 보다 더욱 바람직하게는 53㎚ 이상, 보다 더욱 바람직하게는 55㎚ 이상이고, 또한, 바람직하게는 200㎚ 이하, 보다 바람직하게는 150㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 100㎚ 이하이다.
또한 지지체 (Ⅰ)의 표면 (ⅰ)의 표면 조도 (Ra)로서는 바람직하게는 40㎚ 이상, 보다 바람직하게는 70㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 100㎚ 이상, 보다 더욱 바람직하게는 200㎚ 이상, 보다 더욱 바람직하게는 300㎚ 이상이고, 또한, 바람직하게는 1000㎚ 이하, 보다 바람직하게는 800㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 500㎚ 이하이다.
복합 시트 (1)이 갖는 지지체 (Ⅰ)로서는, 표면 조도 (Ra)가 상기 범위가 되도록 표면 처리되고, 박리 가능한 지지체이면 특별히 제한은 없지만, 종이 또는 수지 필름으로 구성되어 있는 것이 바람직하고, 진애의 발생 가능성을 저감시키는 관점에서 수지 필름으로 구성되어 있는 것이 보다 바람직하다.
지지체 (Ⅰ)의 표면 (ⅰ)의 표면 조도 (Ra)를 조정하는 방법으로서는, 예를 들어 지지체 (Ⅰ)을 구성하는 수지 필름 중에 충전재를 함유하는 방법이나, 충전재를 포함하는 박리제로부터 형성된 박리막을 형성하는 방법 등을 들 수 있다.
또한 지지체 (Ⅰ)이, 용융 압출에 의하여 제조되는 수지 필름으로 구성되어 있는 경우, 용융된 수지를 거친 표면 형상의 롤 상에 사출하여, 표면 조도 (Ra)를 상기 범위로 조정한 수지 필름으로 해도 된다.
그 외에, 지지체 (Ⅰ)의 형성 재료로서, 종이나 부직포 등의 그의 성질상 표면이 거칠어지는 재료를 사용하여, 지지체 (Ⅰ)의 표면 (ⅰ)의 표면 조도 (Ra)를 조정해도 된다.
또한 복합 시트 (1)은 도 1의 (d)에 도시하는 복합 시트(1d)와 같이, 수지막 형성용 시트의 표면 (α)와는 반대측의 표면 (β) 상에, 추가로 제2 지지체 (Ⅱ)가 직접 적층된 구성을 갖는 복합 시트로 해도 된다.
이 복합 시트가 갖는 수지막 형성용 시트는 열경화성을 갖는 것이 바람직하다. 그 때문에, 당해 수지막 형성용 시트는, 상술한 열경화성 성분 (B1)을 함유하는 것이 바람직하다.
또한 도 1의 (d)에 도시한 바와 같이, 수지막 형성용 시트가 지지체 (Ⅰ) 및 지지체 (Ⅱ)로 협지된 구성을 갖는 복합 시트 (1)에 있어서, 수지막 형성용 시트의 표면 (α)를 실리콘 웨이퍼에 부착 후, 지지체 (Ⅱ)를 박리하지 않고, 당해 지지체 (Ⅱ)와 수지막 형성용 시트가 적층된 상태에서, 당해 수지막 형성용 시트를 열경화시켜, 형성된 수지막의 당해 실리콘 웨이퍼와는 반대측의 표면 (β')으로부터 측정한 글로스값은, 높아지는 경향이 있다. 당해 글로스값은, 지지체 (Ⅱ)를 갖지 않는 복합 시트를 사용하여 형성한 수지막의 표면 (β')의 글로스값이나, 지지체 (Ⅱ)를 박리하여, 수지막 형성용 시트의 표면 (β)를 표출시킨 상태에서 열경화시켜 형성한 수지막의 표면 (β')의 글로스값보다도 높아진다.
즉, 예를 들어 충전재 (C)로서 평균 입경이 큰 충전재를 사용한 것 등에 기인하여 수지막의 표면 (β')의 글로스값이 낮아지는 경우에도, 복합 시트 (1)을 실리콘 웨이퍼에 부착 후, 지지체 (Ⅱ)를 박리하지 않고, 당해 지지체 (Ⅱ)와 수지막 형성용 시트가 적층된 상태에서, 당해 수지막 형성용 시트를 열경화시킴으로써, 레이저 인자의 시인성이 높은 수지막을 형성할 수 있다.
수지막 형성용 시트를, 열경화성을 갖는 것으로 하기 위해서는, 수지막 형성용 시트에 상술한 열경화성 성분 (B1)을 함유시키면 된다.
지지체 (Ⅱ)로서는, 상술한 본 발명의 복합 시트가 갖는 지지체와 동일한 것을 들 수 있으며, 구체적으로는 상술한 수지 필름, 박리막을 갖는 수지 필름, 점착제층을 갖는 점착 시트 등을 들 수 있다.
또한 지지체 (Ⅱ)가, 점착제층을 갖는 점착 시트인 경우, 복합 시트 (1)은 당해 점착제층과 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (β)가 직접 적층된 구성을 갖는 것이 바람직하다. 당해 구성에 있어서, 점착제층을, 에너지선 경화형 수지를 포함하는 점착제로부터 형성하고, 미리 에너지선 조사를 행하여 경화시켜 점착제층으로 하고, 당해 지지체 (Ⅱ)와 수지막 형성용 시트가 적층된 상태에서, 당해 수지막 형성용 시트를 열경화시킴으로써, 형성되는 수지막의 표면 (β')의 글로스값을 향상시킬 수 있다.
〔실리콘 웨이퍼의 재생 방법〕
실리콘 웨이퍼와 본 발명의 수지막 형성용 시트의 표면 (α)가 부착된 적층체로부터 당해 수지막 형성용 시트를 박리하여 실리콘 웨이퍼를 재생하는 방법으로서는, 예를 들어 하기 공정 (1) 내지 (2)를 갖는 실리콘 웨이퍼의 재생 방법을 들 수 있다.
공정 (1): 기재 및 점착제층을 갖는 점착 시트의 당해 점착제층을, 상기 적층체의 수지막 형성용 시트의 실리콘 웨이퍼와 부착된 표면 (α)와는 반대측의 표면 (β) 상에 부착하는 공정
공정 (2): 공정 (1)에서 부착한 상기 점착 시트를 잡아당겨, 상기 실리콘 웨이퍼에 부착된 상기 수지막 형성용 시트를 박리하는 공정
상기 실리콘 웨이퍼의 재생 방법은, 실리콘 웨이퍼에 부착한 후에 박리하려고 할 때 실리콘 웨이퍼를 파손시키지 않고, 또한 잔사를 발생시키지 않고 박리할 수 있다는, 우수한 리워크성을 갖는 본 발명의 수지막 형성용 시트의 성질을 이용한 것이다.
또한 이 실리콘 웨이퍼의 재생 방법은, 실리콘 웨이퍼와 본 발명의 수지막 형성용 시트의 표면 (α)를 부착한 직후의 적층체뿐만 아니라, 부착하고 나서 24시간 정도 경과하여, 실리콘 웨이퍼와 수지막 형성용 시트의 밀착성이 향상된 상태의 적층체에 대해서도 적용할 수 있다.
<공정 (1)>
공정 (1)에서는, 기재 및 점착제층을 갖는 점착 시트의 당해 점착제층을, 상기 적층체의 수지막 형성용 시트의 실리콘 웨이퍼와 부착된 표면 (α)와는 반대측의 표면 (β) 상에 부착하는 공정이다.
실리콘 웨이퍼는, 개편화(個片化)하기 전의 웨이퍼에 한정되지 않으며, 예를 들어 선(先) 다이싱법, 즉, 실리콘 웨이퍼가 연삭되는 면과는 반대측의 면으로부터 홈을 형성하고, 홈에 도달하기까지 연삭을 행함으로써 실리콘 웨이퍼를 칩으로 개편화하는 방법에 의하여, 이미 개편화되어 있는 것이어도 된다.
본 공정에서 사용하는 점착 시트로서는, 기재 및 점착제층을 갖는 것이다. 또한 점착 시트를 포함하는 지지체 (Ⅱ)를 갖는 복합 시트 (1)을 실리콘 웨이퍼에 부착했을 경우에는, 지지체 (Ⅱ)를, 본 공정에서 말하는 「점착 시트」로서 사용해도 된다.
당해 기재로서는 수지 필름이 바람직하며, 상술한 지지체의 항목에서 예시한 수지 필름을 들 수 있다.
당해 점착제층을 형성하는 점착제로서는, 공정 (2)에 있어서 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼로부터 박리할 수 있을 정도의 점착력을 갖는 것이면 특별히 제한은 없다.
구체적인 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 점착제, 우레탄계 점착제, 실리콘계 점착제 등을 들 수 있다.
당해 점착 시트의 형상으로서는 특별히 한정은 없지만, 다음의 공정 (2)에서의 조작성의 관점에서, 수지막 형성용 시트와 동일한 형상, 또는 수지막 형성용 시트보다도 큰 형상의 점착 시트가 바람직하다.
본 공정에서의, 표면 (β)와 점착 시트의 점착제층과의 부착 방법으로서는, 기계를 사용하여 부착해도 되고, 수작업으로 행해도 된다.
또한 상술한 본 발명의 일 형태의 복합 시트가 갖는 수지막 형성용 시트의 표면 (α)를 실리콘 웨이퍼에 부착하고, 표면 (β)측에, 지지체로서 다이싱 시트 등의 점착 시트가 이미 적층되어 있는 경우에는, 당해 점착 시트를 본 공정의 점착 시트로서 이용할 수도 있다.
<공정 (2)>
공정 (2)에서는, 공정 (1)에서 부착한 상기 점착 시트를 잡아당겨, 상기 실리콘 웨이퍼에 부착된 상기 수지막 형성용 시트를 박리하는 공정이다.
본 공정에 있어서는, 본 발명의 수지막 형성용 시트의 실리콘 웨이퍼에 부착된 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)가 상기 범위로 조정되어 있기 때문에, 공정 (1)에서 표면 (β)에 부착한 점착 시트를 잡아당김으로써 수지막 형성용 시트도 함께 끌려가, 당해 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼로부터 박리할 수 있다.
점착 시트의 박리 속도 및 박리 각도로서는 특별히 제한은 없으며, 적절히 설정할 수 있다.
또한 본 공정에 있어서, 기계를 사용하여 점착 시트를 잡아당겨도 되지만, 조작성의 관점에서 수작업으로 점착 시트를 잡아당겨 상기 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼로부터 박리하는 것이 바람직하다.
또한 본 공정에 있어서, 수지막 형성용 시트의 박리 후, 필요에 따라, 에탄올 등의 유기 용매로 실리콘 웨이퍼의 표면을 세정해도 된다.
이상의 공정을 거침으로써, 한번 수지막 형성용 시트가 부착된 실리콘 웨이퍼를 재생할 수 있다.
실시예
<질량 평균 분자량(Mw), 수 평균 분자량(Mn)의 측정>
겔 침투 크로마토그래프 장치(도소 가부시키가이샤 제조, 제품명 「HLC-8220GPC」)를 사용하여, 하기 조건 하에서 측정하여, 표준 폴리스티렌 환산으로 측정한 값을 사용하였다.
(측정 조건)
·칼럼: 「TSK guard column HXL-L」, 「TSK gel GMHXL(×2)」, 「TSK gel G2000HXL」(모두 도소 가부시키가이샤 제조)을 순차 연결한 것
·칼럼 온도: 40℃
·전개 용매: 테트라히드로푸란
·유속: 1.0mL/min
<수지막 형성용 조성물 중의 성분의 평균 입경>
동적 광 산란식 입도 분포계(닛키소 가부시키가이샤 제조, 제품명 「Nanotrack Wave-UT151」)를 사용하여 측정하였다.
<표면 조도 (Ra)의 측정>
광 간섭식 표면 형상 측정 장치(Veeco Metrology Group사 제조, 제품명 「WYKOWT1100」)를 사용하여, PSI 모드에서 배율 10배로, 측정 대상의 표면의 표면 조도 (Ra)를 측정하였다.
<수지막 형성용 시트의 리워크성의 평가>
실시예 및 비교예에서 제작한 수지막 형성용 복합 시트가 갖는 지지체 (Ⅰ)을 제거하여, 표출된 수지막 형성용 시트의 표면 (α)를, #2000 연마한 실리콘 웨이퍼(직경: 200㎜, 두께: 280㎛)의 연마면 상에 적층하고, 테이프 마운터(린텍 가부시키가이샤 제조, 제품명 「Adwill RAD-3600 F/12」)를 사용하여, 70℃로 가열하면서 부착하였다.
부착 후, 실온(25℃)에서, 수지막 형성용 복합 시트의 지지체 (Ⅱ)도 제거하여, 표출된 수지막 형성용 시트의 표면 상에, 시판 중인 범용 다이싱 테이프(린텍 가부시키가이샤 제조, 상품명 「AdwillD-510T」)의 점착제층면을 부착하였다.
그리고 수작업으로 당해 범용 다이싱 테이프를 잡아당김으로써, 함께 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼로부터 박리할 수 있었는지 여부, 및 박리 후의 실리콘 웨이퍼의 표면 잔존물 유무를 관찰하여, 이하의 기준에 의하여 수지막 형성용 시트의 리워크성을 평가하였다.
A: 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼로부터 완전히 박리할 수 있었다. 박리 후의 실리콘 웨이퍼에는 육안으로 확인할 수 있는 수지막 형성용 시트의 잔존물은 보이지 않았다.
B: 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼로부터 박리할 수 있었다. 박리 후의 실리콘 웨이퍼에는 약간의 수지막 형성용 시트의 잔존물이 보였지만, 에탄올로 닦아내면 완전히 제거할 수 있는 정도였다.
C: 박리 중에 실리콘 웨이퍼가 파손되어 버리거나, 또는 실리콘 웨이퍼를 파손시키지 않고 박리했다고 하더라도, 박리 후의 실리콘 웨이퍼에는 에탄올로 닦아내는 것이 어려울 정도의 수지막 형성용 시트의 잔존물이 확인되었다.
<수지막의 글로스값의 측정>
실시예 및 비교예에서 제작한 수지막 형성용 복합 시트가 갖는 지지체 (Ⅰ)을 제거하여, 표출된 수지막 형성용 시트의 표면 (α)를, #2000 연마한 실리콘 웨이퍼(직경 200㎜, 두께 280㎛)의 연마면 상에 적층하고, 테이프 마운터(린텍 가부시키가이샤 제조, 제품명 「Adwill RAD-3600 F/12」)를 사용하여, 70℃로 가열하면서 부착하였다.
부착 후, 수지막 형성용 복합 시트의 지지체 (Ⅱ)도 제거하고, 130℃의 가열 오븐에 2시간 투입하여 수지막 형성용 시트를 경화시켜, 실리콘 웨이퍼 상에 수지막을 형성하였다.
그리고 광택계(닛폰 덴쇼쿠 고교 가부시키가이샤 제조, 제품명 「VG2000」)를 사용하여, JIS Z 8741에 준하여, 실리콘 웨이퍼가 있는 측과는 반대측으로부터 형성한 수지막의 표면 60도의 경면 광택도를 측정하였다. 당해 경면 광택도의 값을 수지막의 글로스값으로 하였다.
<수지막의 파장 1250㎚의 광선 투과율의 측정>
실시예 및 비교예에서 제작한 수지막 형성용 복합 시트가 갖는 지지체 (Ⅰ)을 제거하여, 표출된 수지막 형성용 시트의 표면 (α)를 두께 2㎜의 유리판의 평탄면 상에 적층하고, 라미네이터를 사용하여, 70℃로 가열하면서 부착하였다.
부착 후, 수지막 형성용 복합 시트의 지지체 (Ⅱ)도 제거하고, 130℃의 가열 오븐에 2시간 투입하여 수지막 형성용 시트를 경화시켜, 유리판 상에 수지막을 형성하였다.
그리고 분광 광도계(가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조, 제품명 「UV-VIS-NIR SPECTROPHOTOMETER UV-3600」)를 사용하여, 상기 유리판 상의 수지막의 투과율을 측정하여, 파장 1250㎚의 광선 투과율(%)을 추출하였다.
측정에는, 상기 분광 광도계에 부속된 대형 시료실 「MPC-3100」(제품명)을 사용하되, 내장된 적분구를 사용하지 않고 측정을 행하였다. 미리 측정한 유리판만의 파장 1250㎚의 광선 투과율과의 차분을 취하여, 수지막의 파장 1250㎚의 광선 투과율을 산출하였다.
실시예 1
표 1에 나타내는 종류 및 배합량의 각 성분을 첨가하고 메틸에틸케톤으로 희석하여, 유효 성분 농도 51질량%의 수지막 형성용 조성물의 용액을 조제하였다.
그리고 지지체 (Ⅱ)로서, 박리 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(린텍 가부시키가이샤 제조, 상품명 「SP-PET381031」, 두께:38㎛)의 박리 처리면 상에 상기 수지막 형성용 조성물의 용액을 도포하고 건조하여, 두께 25㎛의 수지막 형성용 시트를 형성하였다.
또한, 형성한 수지막 형성용 시트의 표출되어 있는 표면 상에, 지지체 (Ⅰ)로서, 박리지(린텍 가부시키가이샤 제조, 상품명 「SP-8LK 아오」, 두께: 88㎛, 글라신지를 폴리올레핀 피복하고 실리콘 박리 처리를 실시한 것, 박리 처리면의 표면 조도 (Ra)=370㎚)의 박리 처리면을 접합하고, 라미네이터(다이세이 라미네이터 가부시키가이샤 제조, 제품명 「VA-400」)를 사용하여, 실온(25℃)에서 라미네이트하여, 지지체 (Ⅰ)/수지막 형성용 시트/지지체 (Ⅱ)로 구성된 수지막 형성용 복합 시트를 제작하였다.
비교예 1
실시예 1과 마찬가지로서 형성한 수지막 형성용 시트의 표출되어 있는 표면 상에, 지지체 (Ⅰ)로서, 박리 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(린텍 가부시키가이샤 제조, 상품명 「SP-PET251130」, 두께: 25㎛)의 박리 처리면을 접합한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 지지체 (Ⅰ)/수지막 형성용 시트/지지체 (Ⅱ)로 구성된 수지막 형성용 복합 시트를 제작하였다.
수지막 형성용 조성물의 조제에 사용한, 표 1에 기재된 각 성분의 상세는 이하와 같다.
<중합체 성분 (A)>
·(A-1): 메틸아크릴레이트(MA), n-부틸아크릴레이트(BA), 글리시딜메타크릴레이트(GMA) 및 2-히드록시에틸아크릴레이트(HEA)를 공중합하여 얻어지는 아크릴 공중합체(BA/MA/GMA/HEA=37/28/20/15(질량%), Mw=80만, Tg=-10.1℃).
<경화성 성분 (B)>
·(B-1): 비스페놀 A형 에폭시 수지(미쓰비시 가가쿠 가부시키가이샤 제조, 상품명 「jER828」, 에폭시 당량=184 내지 194g/eq, Mn=370, 25℃에서의 점도=120 내지 150P(12 내지 15㎩·s), 액상 에폭시 수지, 상기 성분 (B11)에 해당하는 화합물).
·(B-2): 비스페놀 A형 에폭시 수지(미쓰비시 가가쿠 가부시키가이샤 제조, 상품명 「jER1055」, 에폭시 당량=800 내지 900g/eq, Mn=1600, 고체 에폭시 수지, 상기 성분 (B11)에 해당하는 화합물).
·(B-3) 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC 가부시키가이샤 제조, 상품명 「에피클론 HP-7200HH」, 에폭시 당량=255 내지 260g/eq, Mw가 2만 미만인 화합물, 고체 에폭시 수지, 상기 성분 (B11)에 해당하는 화합물).
·(B-4): 디시안디아미드(가부시키가이샤 아데카(ADEKA) 제조, 상품명 「아데카 하드너 EH-3636AS」, 아민계 경화제, 활성 수소량=21g/eq, 상기 성분 (B12)에 해당하는 화합물).
·(B-5): 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(시코쿠 가세이 고교 가부시키가이샤 제조, 상품명 「큐어졸 2PHZ」, 경화 촉진제, 상기 성분 (B13)에 해당하는 화합물).
<충전재 (C)>
·(C-1): 실리카 필러(가부시키가이샤 애드마텍스 제조, 상품명 「SC2050MA」, 평균 입경=500㎚).
<착색제 (D)>
·(D-1): 카본 블랙(미쓰비시 가가쿠 가부시키가이샤 제조, 상품명 「#MA650」, 평균 입경=28㎚).
<실란 커플링제 (E)>
·(E-1): 실란 커플링제(3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 신에쓰 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조, 상품명 「KBM-402」, Mn=220.3).
상술한 방법에 기초하여, 실시예 및 비교예에서 제작한 수지막 형성용 시트의 물성 측정 및 평가를 행한 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pct00002
표 1에 의하여, 본 발명의 일 형태인 실시예 1에서 제작한 수지막 형성용 복합 시트가 갖는 수지막 형성용 시트는, 리워크성이 우수한 결과가 되었다. 또한 당해 수지막 형성용 시트로부터 형성된 수지막은, 글로스값 및 파장 1250㎚의 광선 투과율도 높은 값이 되었다.
한편, 비교예 1에서 제작한 수지막 형성용 복합 시트가 갖는 수지막 형성용 시트는, 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)의 값이 작기 때문에, 실리콘 웨이퍼에 부착 후에 박리하는 것이 어려워, 리워크성이 떨어지는 결과가 되었다.
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는, 반도체 칩의 이면을 보호하는 보호막의 형성 재료로서, 혹은 다이 패드부 또는 다른 부위 상에 접착 가능한 접착막의 형성 재료로서 적합하다.
1a, 1b, 1c, 1d: 수지막 형성용 복합 시트
10: 수지막 형성용 시트
11, 11': 지지체
12: 지그 접착층

Claims (15)

  1. 실리콘 웨이퍼에 부착되어, 당해 실리콘 웨이퍼 상에 수지막을 형성하기 위한 시트이며,
    실리콘 웨이퍼와 부착되는 측의 당해 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)가 40㎚ 이상인, 수지막 형성용 시트.
  2. 제1항에 있어서, 중합체 성분 (A) 및 경화성 성분 (B)를 포함하는, 수지막 형성용 시트.
  3. 제2항에 있어서, 중합체 성분 (A)가 아크릴계 중합체 (A1)을 포함하는, 수지막 형성용 시트.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 열경화성 성분 (B1)을 포함하는, 수지막 형성용 시트.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 충전재 (C)를 포함하는, 수지막 형성용 시트.
  6. 제5항에 있어서, 충전재 (C)의 함유량이 상기 수지막 형성용 시트의 전량에 대하여 10 내지 80질량%인, 수지막 형성용 시트.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 충전재 (C)의 평균 입자 직경이 100 내지 1000㎚인, 수지막 형성용 시트.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 실리콘 웨이퍼 상에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 시트인, 수지막 형성용 시트.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (α)를 실리콘 웨이퍼에 부착 후, 당해 수지막 형성용 시트로부터 형성된 수지막의 당해 실리콘 웨이퍼와는 반대측의 표면 (β')으로부터 측정한 글로스값이 25 이상이 되는, 수지막 형성용 시트.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 수지막 형성용 시트와, 지지체를 갖는, 수지막 형성용 복합 시트.
  11. 실리콘 웨이퍼에 부착되어, 당해 실리콘 웨이퍼 상에 수지막을 형성하기 위한 수지막 형성용 시트와, 지지체 (Ⅰ)을 갖고,
    실리콘 웨이퍼와 부착되는 측의 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (α)와, 표면 조도가 40㎚ 이상인 지지체 (Ⅰ)의 표면 (ⅰ)이 직접 적층된 구성을 갖는, 수지막 형성용 복합 시트.
  12. 제11항에 있어서, 상기 수지막 형성용 복합 시트가 갖는 지지체 (Ⅰ)을 제거했을 때 표출되는 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)가 40㎚ 이상인, 수지막 형성용 복합 시트.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 수지막 형성용 시트가 열경화성 성분 (B1)을 포함하는, 수지막 형성용 복합 시트.
  14. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (α)와는 반대측의 표면 (β) 상에 추가로 제2 지지체 (Ⅱ)가 직접 적층된 구성을 갖고,
    상기 수지막 형성용 시트가 열경화성 성분 (B1)을 함유하는, 수지막 형성용 복합 시트.
  15. 제14항에 있어서, 지지체 (Ⅱ)가, 점착제층을 갖는 점착 시트이고, 당해 점착제층과 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (β)가 직접 적층된 구성을 갖는, 수지막 형성용 복합 시트.
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