KR20170116044A - 화합물, 수지, 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막 형성용 조성물, 리소그래피용 하층막, 레지스트패턴 형성방법, 회로패턴 형성방법 및 화합물 또는 수지의 정제방법 - Google Patents

화합물, 수지, 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막 형성용 조성물, 리소그래피용 하층막, 레지스트패턴 형성방법, 회로패턴 형성방법 및 화합물 또는 수지의 정제방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20170116044A
KR20170116044A KR1020177022588A KR20177022588A KR20170116044A KR 20170116044 A KR20170116044 A KR 20170116044A KR 1020177022588 A KR1020177022588 A KR 1020177022588A KR 20177022588 A KR20177022588 A KR 20177022588A KR 20170116044 A KR20170116044 A KR 20170116044A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
acid
compound
layer film
lower layer
Prior art date
Application number
KR1020177022588A
Other languages
English (en)
Inventor
타쿠미 토이다
마사토시 에치고
타카시 사토
타카시 마키노시마
Original Assignee
미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 filed Critical 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드
Publication of KR20170116044A publication Critical patent/KR20170116044A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C43/00—Ethers; Compounds having groups, groups or groups
    • C07C43/02—Ethers
    • C07C43/257—Ethers having an ether-oxygen atom bound to carbon atoms both belonging to six-membered aromatic rings
    • C07C43/275—Ethers having an ether-oxygen atom bound to carbon atoms both belonging to six-membered aromatic rings having all ether-oxygen atoms bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C41/00—Preparation of ethers; Preparation of compounds having groups, groups or groups
    • C07C41/01—Preparation of ethers
    • C07C41/34—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives
    • C07C41/38—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives by liquid-liquid treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C43/00—Ethers; Compounds having groups, groups or groups
    • C07C43/02—Ethers
    • C07C43/20—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C43/205—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring the aromatic ring being a non-condensed ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C43/00—Ethers; Compounds having groups, groups or groups
    • C07C43/02—Ethers
    • C07C43/235—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring and to a carbon atom of a ring other than a six-membered aromatic ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G8/00—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G8/00—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C08G8/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes
    • C08G8/08—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes of formaldehyde, e.g. of formaldehyde formed in situ
    • C08G8/10—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes of formaldehyde, e.g. of formaldehyde formed in situ with phenol
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

하기 식(1)로 표시되는 화합물.
Figure pct00069

(식(1) 중, R1은, 탄소수 1~30의 2n가의 기이며, R2~R5는, 각각 독립적으로, 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 6~10의 아릴기, 탄소수 2~10의 알케닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 티올기 또는 수산기이며, 단, R4 중 적어도 1개 및/또는 R5 중 적어도 1개는 탄소수 1~30의 알콕시기이며, m2 및 m3은, 각각 독립적으로 0~8의 정수이며, m4 및 m5는, 각각 독립적으로 0~9의 정수이며, 단, m4와 m5는 동시에 0이 되는 일은 없고, n은, 1~4의 정수이며, p2~p5는 각각 독립적으로 0~2의 정수이다.)

Description

화합물, 수지, 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막 형성용 조성물, 리소그래피용 하층막, 레지스트패턴 형성방법, 회로패턴 형성방법 및 화합물 또는 수지의 정제방법
본 발명은, 특정 구조를 갖는 화합물 또는 수지에 관한 것이다. 또한, 이들을 함유하는 리소그래피용 하층막 형성재료, 이 재료를 포함하는 조성물, 이 조성물로부터 얻어지는 리소그래피용 하층막 및 이 조성물을 이용하는 레지스트 또는 회로패턴 형성방법에 관한 것이다. 나아가, 상기 화합물 또는 수지의 정제방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조에 있어서, 포토레지스트 재료를 이용한 리소그래피에 의한 미세가공이 행해지고 있으나, 최근, LSI의 고집적화와 고속도화에 수반하여, 패턴룰에 의한 추가적인 미세화가 요구되고 있다. 그리고, 현재 범용기술로서 이용되고 있는 광노광을 이용한 리소그래피에 있어서는, 광원의 파장에서 유래하는 본질적인 해상도의 한계에 다다르고 있다.
레지스트패턴 형성시에 사용하는 리소그래피용의 광원은, KrF 엑시머 레이저(248nm)로부터 ArF 엑시머 레이저(193nm)로 단파장화되고 있다. 그러나, 레지스트패턴의 미세화가 진행되면, 해상도의 문제 혹은 현상 후에 레지스트패턴이 무너지는 등의 문제가 발생하므로, 레지스트의 박막화가 요구되게 된다. 그런데, 단순히 레지스트의 박막화를 행하면, 기판 가공에 충분한 레지스트패턴의 막두께를 얻는 것이 어려워진다. 이 때문에, 레지스트패턴뿐만 아니라, 레지스트와 가공하는 반도체 기판과의 사이에 레지스트 하층막을 제작하고, 이 레지스트 하층막에도 기판 가공시의 마스크로서의 기능을 갖도록 하는 프로세스가 필요하게 되었다.
현재, 이러한 프로세스용의 레지스트 하층막으로서, 다양한 것이 알려져 있다. 예를 들어, 종래의 에칭속도가 빠른 레지스트 하층막과는 달리, 레지스트에 가까운 드라이에칭속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막을 실현하는 것으로서, 소정의 에너지가 인가됨으로써 말단기가 탈리하여 설폰산잔기를 발생시키는 치환기를 적어도 갖는 수지성분과 용매를 함유하는 다층 레지스트 프로세스용 하층막 형성재료가 제안되어 있다(하기 특허문헌 1: 일본특허공개 2004-177668호 공보 참조). 또한, 레지스트에 비해 작은 드라이에칭속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막을 실현하는 것으로서, 특정한 반복단위를 갖는 중합체를 포함하는 레지스트 하층막 재료가 제안되어 있다(하기 특허문헌 2: 일본특허공개 2004-271838호 공보 참조). 나아가, 반도체 기판에 비해 작은 드라이에칭속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막을 실현하는 것으로서, 아세나프틸렌류의 반복단위와, 치환 또는 비치환의 하이드록시기를 갖는 반복단위를 공중합하여 이루어진 중합체를 포함하는 레지스트 하층막 재료가 제안되어 있다(하기 특허문헌 3: 일본특허공개 2005-250434호 공보 참조).
한편, 이러한 레지스트 하층막에 있어서 높은 에칭내성을 갖는 재료로는, 메탄가스, 에탄가스, 아세틸렌가스 등을 원료에 이용한 CVD에 의해 형성된 아몰퍼스카본 하층막이 잘 알려져 있다. 그러나, 프로세스상의 관점에서, 스핀코트법이나 스크린인쇄 등의 습식 프로세스로 레지스트 하층막을 형성할 수 있는 레지스트 하층막 재료가 요구되고 있다.
또한, 본 발명자들은, 광학특성 및 에칭내성이 우수함과 함께, 용매에 가용이고 습식 프로세스가 적용 가능한 재료로서, 특정한 구성단위를 포함하는 나프탈렌포름알데히드 중합체 및 유기용매를 함유하는 리소그래피용 하층막 형성 조성물(특허문헌 4: 국제공개 제2009/072465 및 하기 특허문헌 5: 국제공개 제2011/034062를 참조.)을 제안하고 있다.
또한, 3층 프로세스에 있어서의 레지스트 하층막의 형성에 있어서 이용되는 중간층의 형성방법에 관해서는, 예를 들어, 실리콘 질화막의 형성방법(하기 특허문헌 6: 일본특허공개 2002-334869호 공보 참조)이나, 실리콘 질화막의 CVD 형성방법(하기 특허문헌 7: 국제공개 제2004/066377 참조)이 알려져 있다. 또한, 3층 프로세스용의 중간층 재료로는, 실세스퀴옥산 베이스의 규소 화합물을 포함하는 재료가 알려져 있다(특허문헌 8: 일본특허공개 2007-226170호 공보 및 하기 특허문헌 9: 일본특허공개 2007-226204호 공보 참조).
일본특허공개 2004-177668호 공보 일본특허공개 2004-271838호 공보 일본특허공개 2005-250434호 공보 국제공개 제2009/072465 국제공개 제2011/034062 일본특허공개 2002-334869호 공보 국제공개 제2004/066377 일본특허공개 2007-226170호 공보 일본특허공개 2007-226204호 공보
상기 서술한 바와 같이, 종래 수많은 리소그래피용 하층막 형성재료가 제안되어 있으나, 스핀코트법이나 스크린인쇄 등의 습식 프로세스가 적용 가능한 높은 용매용해성을 가질 뿐만 아니라, 내열성 및 에칭내성을 높은 차원으로 양립시킨 것은 없어, 새로운 재료의 개발이 요구되고 있다.
본 발명은, 상기의 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 특정 구조를 갖는 화합물 또는 수지, 습식 프로세스가 적용 가능하며, 내열성 및 에칭내성이 우수한 포토레지스트 하층막을 형성하기 위하여 유용한, 리소그래피용 하층막 형성재료, 이 재료를 포함하는 조성물, 이 조성물로부터 얻어지는 리소그래피용 하층막 및 이 조성물을 이용하는 레지스트 또는 회로패턴 형성방법, 그리고, 상기 화합물 또는 수지의 정제방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 검토를 거듭한 결과, 특정구조를 갖는 화합물 또는 수지를 이용함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 즉, 본 발명은, 다음과 같다.
[1] 하기 식(1)로 표시되는 화합물.
[화학식 1]
Figure pct00001
(식(1) 중, R1은 탄소수 1~30의 2n가의 기이며, R2~R5는 각각 독립적으로 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 6~10의 아릴기, 탄소수 2~10의 알케닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 티올기 또는 수산기이며, 단, R4 중 적어도 1개 및/또는 R5 중 적어도 1개는 탄소수 1~30의 알콕시기이며, m2 및 m3는 각각 독립적으로 0~8의 정수이며, m4 및 m5는 각각 독립적으로 0~9의 정수이며, 단, m4와 m5는 동시에 0이 되는 일은 없고, n은 1~4의 정수이며, p2~p5는 각각 독립적으로 0~2의 정수이다.)
[2] R2 중 적어도 1개 및/또는 R3 중 적어도 1개가, 탄소수 1~30의 알콕시기인 상기 [1]에 기재된 화합물.
[3] 상기 식(1)로 표시되는 화합물이, 하기 식(1a)로 표시되는 화합물인 상기 [1] 또는 [2]에 기재된 화합물.
[화학식 2]
Figure pct00002
(식(1a) 중, R1~R5 및 n은, 상기 식(1)에서 설명한 것과 동의이며, m2' 및 m3'는 각각 독립적으로 0~4의 정수이며, m4' 및 m5'는 각각 독립적으로 0~5의 정수이며, 단, m4'와 m5'가 동시에 0이 되는 일은 없다.)
[4] 상기 식(1a)로 표시되는 화합물이, 하기 식(1b)로 표시되는 화합물인 상기 [3]에 기재된 화합물.
[화학식 3]
Figure pct00003
(식(1b) 중, R1은 상기 식(1)에서 설명한 것과 동의이며, R6 및 R7은, 각각 독립적으로, 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 6~10의 아릴기, 탄소수 2~10의 알케닐기, 티올기 또는 수산기이며, R8~R11은, 각각 독립적으로, 탄소수 1~30의 알킬기 또는 수소원자이며, 단, R8~R11 중 적어도 1개는 탄소수 1~30의 알킬기이며, m6 및 m7은, 각각 독립적으로 0~7의 정수이다.)
[5] 상기 식(1b)로 표시되는 화합물이, 하기 식(BiF-1-CH)로 표시되는 상기 [4]에 기재된 화합물.
[화학식 4]
Figure pct00004
(식(BiF-1-CH) 중, R12는 각각 독립적으로 시클로헥실기 또는 수소원자이다. 단, R12 중 적어도 1개는 시클로헥실기이다.)
[6] 상기 [1]~[5] 중 어느 하나에 기재된 화합물을 모노머로서 얻어지는 수지.
[7] 상기 [1]~[5] 중 어느 하나에 기재된 화합물과 가교반응성이 있는 화합물의 반응에 의해 얻어지는 상기 [6]에 기재된 수지.
[8] 상기 가교반응성이 있는 화합물이, 알데히드, 케톤, 카르본산, 카르본산할라이드, 할로겐함유 화합물, 아미노 화합물, 이미노 화합물, 이소시아네이트 및 불포화탄화수소기함유 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1개인 상기 [7]에 기재된 수지.
[9] 하기 식(2)로 표시되는 구조를 갖는 상기 [6]에 기재된 수지.
[화학식 5]
Figure pct00005
(식(2) 중, R1은, 탄소수 1~30의 2n가의 기이며, R2~R5는, 각각 독립적으로, 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 6~10의 아릴기, 탄소수 2~10의 알케닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 티올기 또는 수산기이며, 단, R4 중 적어도 1개 및/또는 R5 중 적어도 1개는 탄소수 1~30의 알콕시기이며, L은, 탄소수 1~20의 직쇄상 혹은 분지상의 알킬렌기 또는 단결합이며, m2 및 m3은, 각각 독립적으로 0~8의 정수이며, m4 및 m5는, 각각 독립적으로 0~9의 정수이며, 단, m4와 m5는 동시에 0이 되는 일은 없고, n은, 1~4의 정수이며, p2~p5는 각각 독립적으로 0~2의 정수이다.)
[10] 상기 [1]~[5] 중 어느 하나에 기재된 화합물 및/또는 상기 [6]~[9] 중 어느 하나에 기재된 수지를 함유하는 리소그래피용 하층막 형성재료.
[11] 상기 [10]에 기재된 리소그래피용 하층막 형성재료와 용매를 함유하는 리소그래피용 하층막 형성용 조성물.
[12] 가교제를 추가로 함유하는 상기 [11]에 기재된 리소그래피용 하층막 형성용 조성물.
[13] 산발생제를 추가로 함유하는 상기 [11] 또는 [12]에 기재된 리소그래피용 하층막 형성용 조성물.
[14] 상기 [11]~[13] 중 어느 하나에 기재된 리소그래피용 하층막 형성용 조성물로부터 형성되는 리소그래피용 하층막.
[15] 기판 상에, 상기 [11]~[13] 중 어느 하나에 기재된 하층막 형성용 조성물을 이용하여 하층막을 형성하고, 이 하층막 상에, 적어도 1층의 포토레지스트층을 형성한 후, 이 포토레지스트층의 소요의 영역에 방사선을 조사하고, 현상을 행하는 레지스트패턴 형성방법.
[16] 기판 상에, 상기 [11]~[13] 중 어느 하나에 기재된 하층막 형성용 조성물을 이용하여 하층막을 형성하고, 상기 하층막 상에, 규소원자를 함유하는 레지스트 중간층막 재료를 이용하여 중간층막을 형성하고, 상기 중간층막 상에, 적어도 1층의 포토레지스트층을 형성한 후, 상기 포토레지스트층의 소요의 영역에 방사선을 조사하고, 현상하여 레지스트패턴을 형성하고, 그 후, 상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 중간층막을 에칭하고, 얻어진 중간층막 패턴을 에칭마스크로 하여 상기 하층막을 에칭하고, 얻어진 하층막 패턴을 에칭마스크로 하여 기판을 에칭함으로써 기판에 패턴을 형성하는 회로패턴 형성방법.
[17] 상기 [1]~[5] 중 어느 하나에 기재된 화합물 또는 상기 [6]~[9] 중 어느 하나에 기재된 수지와, 물과 임의로 혼화하지 않는 유기용매를 포함하는 용액과, 산성의 수용액을 접촉시켜 추출하는 공정을 포함하는, 화합물 또는 수지의 정제방법.
[18] 상기 산성의 수용액이, 염산, 황산, 질산 및 인산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 무기산 수용액, 또는 아세트산, 프로피온산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 푸마르산, 말레산, 주석산, 구연산, 메탄설폰산, 페놀설폰산, p-톨루엔설폰산 및 트리플루오로아세트산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 유기산 수용액인 상기 [17]에 기재된 정제방법.
[19] 상기 물과 임의로 혼화하지 않는 유기용매가, 톨루엔, 2-헵탄온, 시클로헥산온, 시클로헵탄온, 메틸이소부틸케톤, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 또는 아세트산에틸인 상기 [17] 또는 [18]에 기재된 정제방법.
[20] 상기 용액과 산성의 수용액을 접촉시켜 추출처리를 행한 후, 추가로 물에 의한 추출처리를 행하는 공정을 포함하는 상기 [17]~[19] 중 어느 하나에 기재된 정제방법.
본 발명에 따르면, 특정 구조를 갖는 화합물 또는 수지, 습식 프로세스가 적용 가능하며, 내열성 및 에칭내성이 우수한 포토레지스트 하층막을 형성하기 위하여 유용한, 리소그래피용 하층막 형성재료, 이 재료를 포함하는 조성물, 이 조성물로부터 얻어지는 리소그래피용 하층막 및 이 조성물을 이용하는 레지스트 또는 회로패턴 형성방법, 그리고, 상기 화합물 또는 수지의 정제방법을 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시의 형태에 대하여 설명한다. 또한, 이하의 실시의 형태는, 본 발명을 설명하기 위한 예시이며, 본 발명은 그 실시의 형태만으로 한정되지 않는다.
[본 발명의 화합물 및 수지]
본 발명의 화합물은, 하기 식(1)로 표시된다. 본 발명의 화합물은, 이와 같이 구성되어 있으므로, 내열성이 높고, 탄소농도가 비교적 높고, 산소농도가 비교적 낮고, 용매용해성도 높다.
[화학식 6]
Figure pct00006
상기 식(1) 중, R1은, 탄소수 1~30의 2n가의 기이며, 이 R1을 개재하여 각각의 방향환이 결합되어 있다. 이 2n가의 기란, n=1일 때에는, 탄소수 1~30의 알킬렌기, n=2일 때에는, 탄소수 1~30의 알칸테트라일기, n=3일 때에는, 탄소수 2~30의 알칸헥사일기, n=4일 때에는, 탄소수 3~30의 알칸옥타일기인 것을 나타낸다. 이 2n가의 기로는, 예를 들어, 직쇄상 탄화수소기, 분지상 탄화수소기 또는 지환식 탄화수소기를 갖는 것 등을 들 수 있다. 여기서, 상기 지환식 탄화수소기에 대해서는 유교지환식 탄화수소기도 포함된다. 또한, 이 2n가의 기는, 이중결합, 헤테로원자 또는 탄소수 6~30의 방향족기를 가질 수도 있다.
식(1) 중, R2~R5는, 각각 독립적으로, 탄소수 1~10의 알킬기; 탄소수 6~10의 아릴기; 탄소수 2~10의 알케닐기; 탄소수 1~30의 알콕시기; 티올기 및 수산기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1가의 기이다. 단, R4 중 적어도 1개 및/또는 R5 중 적어도 1개는 탄소수 1~30의 알콕시기이다.
식(1) 중, m2 및 m3은, 각각 독립적으로 0~8의 정수이며, m4 및 m5는, 각각 독립적으로 0~9의 정수이나, m4 및 m5는, 동시에 0이 되는 일은 없다.
식(1) 중, n은, 1~4의 정수이다.
식(1) 중, p2~p5는 각각 독립적으로 0~2의 정수이다. 또한, 예를 들어 p2가 0인 경우, 대응하는 방향환은 벤젠환이 되고, p2가 1인 경우에는 대응하는 방향환이 나프탈렌환이 된다. 나아가, p2가 3인 경우에는 대응하는 방향환이 안트라센 등의 삼원환의 방향환이 된다.
식(1) 중, 탄소수 1~10의 알킬기 및 탄소수 2~10의 알케닐기는, 직쇄상, 분지상 혹은 환상의 알킬기 또는 알케닐기를 포함한다.
또한 탄소수 1~30의 알콕시기란, 직쇄상 탄화수소기, 분지상 탄화수소기 또는 지환식 탄화수소기, 방향족 탄화수소기 및 이들 2 이상의 조합으로 이루어진 기로부터 선택되는 기와, 산소원자로 구성되는 기이다. 여기서, 상기 지환식 탄화수소기에 대해서는, 유교지환식 탄화수소기도 포함된다. 또한, 이 알콕시기는, 이중결합, 헤테로원자, 할로겐원자를 가질 수도 있다.
탄소수 1~30의 알콕시기로는, 바람직하게는, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 시클로부틸옥시기, 시클로펜틸옥시기, 시클로헥실옥시기, 시클로헥세닐옥시기, 이소포로닐옥시기, 노보나닐옥시기, 아다만틸옥시기, 트리시클로데카닐옥시기, 피리디닐옥시기, 페닐옥시기, 메틸페닐옥시기, 디메틸페닐옥시기, 에틸페닐옥시기, 플루오로페닐옥시기, 클로로페닐옥시기, 브로모페닐옥시기, 요오드페닐옥시기, 하이드록시페닐옥시기, 메톡시페닐옥시기, 아미노페닐옥시기, 니트로페닐옥시기, 시아노페닐옥시기, 페닐페닐옥시기, 페닐옥시페닐옥시기, 나프틸옥시기, 메틸나프틸옥시기, 디메틸나프틸옥시기, 에틸나프틸옥시기, 플루오로나프틸옥시기, 클로로나프틸옥시기, 브로모나프틸옥시기, 요오드나프틸옥시기, 하이드록시나프틸옥시기, 메톡시나프틸옥시기, 아미노나프틸옥시기, 니트로나프틸옥시기, 시아노나프틸옥시기, 페닐나프틸옥시기, 페닐옥시나프틸옥시기, 안트라세닐옥시기, 피레닐옥시기, 플루오레닐옥시기이며, 보다 바람직하게는, 시클로부틸옥시기, 시클로펜틸옥시기, 시클로헥실옥시기, 시클로헥세닐옥시기, 이소포로닐옥시기, 노보나닐옥시기, 아다만틸옥시기, 트리시클로데카닐옥시기, 피리디닐옥시기, 페닐옥시기, 메틸페닐옥시기, 디메틸페닐옥시기, 에틸페닐옥시기, 플루오로페닐옥시기, 클로로페닐옥시기, 브로모페닐옥시기, 요오드페닐옥시기, 하이드록시페닐옥시기, 메톡시페닐옥시기, 아미노페닐옥시기, 니트로페닐옥시기, 시아노페닐옥시기, 페닐페닐옥시기, 페닐옥시페닐옥시기, 나프틸옥시기, 메틸나프틸옥시기, 디메틸나프틸옥시기, 에틸나프틸옥시기, 플루오로나프틸옥시기, 클로로나프틸옥시기, 브로모나프틸옥시기, 요오드나프틸옥시기, 하이드록시나프틸옥시기, 메톡시나프틸옥시기, 아미노나프틸옥시기, 니트로나프틸옥시기, 시아노나프틸옥시기, 페닐나프틸옥시기, 페닐옥시나프틸옥시기, 안트라세닐옥시기, 피레닐옥시기, 플루오레닐옥시기이며, 더욱 바람직하게는, 시클로부틸옥시기, 시클로펜틸옥시기, 시클로헥실옥시기, 시클로헥세닐옥시기, 이소포로닐옥시기, 노보나닐옥시기, 아다만틸옥시기, 트리시클로데카닐옥시기, 피리디닐옥시기, 페닐옥시기, 메틸페닐옥시기, 디메틸페닐옥시기, 에틸페닐옥시기, 메톡시페닐옥시기, 페닐페닐옥시기, 페닐옥시페닐옥시기, 나프틸옥시기, 메틸나프틸옥시기, 디메틸나프틸옥시기, 에틸나프틸옥시기, 메톡시나프틸옥시기, 페닐나프틸옥시기, 페닐옥시나프틸옥시기, 안트라세닐옥시기, 피레닐옥시기, 플루오레닐옥시기이며, 특히 바람직하게는, 시클로헥실옥시기, 페닐옥시기를 들 수 있다.
상기 식(1)로 표시되는 화합물은, 비교적 저분자량이면서도, 그 구조의 강직함에 의해 높은 내열성을 가지므로, 고온베이크 조건으로도 사용 가능하다. 또한, 비교적 저분자량이고 저점도인 점에서, 단차를 갖는 기판(특히, 미세한 스페이스나 홀패턴 등)이어도, 그 단차의 구석까지 균일하게 충진시키는 것이 용이하며, 그 결과, 이것을 이용한 리소그래피용 하층막 형성재료는 매립특성 및 평탄화특성이 비교적 유리하게 높아질 수 있다. 또한, 비교적 높은 탄소농도를 갖는 화합물인 점에서, 높은 에칭내성도 부여된다. 더 나아가 탄소수 1~30의 알콕시기를 가지므로, 추가적인 용매용해성 및 품질안정화가 이루어진다.
상기 식(1)로 표시되는 화합물은, 가교의 용이함과 유기용매에 대한 용해성의 관점에서, R2 중 적어도 1개 및/또는 R3 중 적어도 1개가 탄소수 1~30의 알콕시기인 것이 바람직하다. 또한, R2 및 R3이, 치환기를 갖는 탄소수 6~10의 아릴기의 경우, 해당 치환기는 산소원자를 포함하지 않는 치환기인 것이 바람직하다.
또한, 상기 식(1)로 표시되는 화합물은, 원료의 공급성의 관점에서, 하기 식(1a)로 표시되는 화합물인 것이 보다 바람직하다.
[화학식 7]
Figure pct00007
상기 식(1a) 중, R1~R5 및 n은, 상기 식(1)에서 설명한 것과 동의이다.
m2' 및 m3'는 각각 독립적으로 0~4의 정수이며, m4' 및 m5'는 각각 독립적으로 0~5의 정수이다. 단, m4' 및 m5'는 동시에 0이 되는 일은 없다.
상기 식(1a)로 표시되는 화합물은, 유기용매에 대한 용해성의 관점에서, 하기 식(1b)로 표시되는 화합물인 것이 더욱 바람직하다.
[화학식 8]
Figure pct00008
상기 식(1b) 중, R1은, 상기 식(1)에서 설명한 것과 동의이다. 즉, 식(1b)에 있어서, 식(1)에 있어서 R1이 n=1인 경우에 해당하고, 식(1)의 R1에 있어서의 탄소수 1~30의 2가의 기가 된다.
식(1b) 중, R6 및 R7은, 각각 독립적으로, 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 6~10의 아릴기, 탄소수 2~10의 알케닐기, 티올기 또는 수산기이며, R8~R11은, 각각 독립적으로, 탄소수 1~30의 알킬기 또는 수소원자이다. 단, R8~R11 중 적어도 1개는 탄소수 1~30의 알킬기이다. 상기 서술한 알킬기 및 알케닐기는, 직쇄상, 분지상 또는 환상 중 어느 하나일 수도 있다.
m6 및 m7은, 각각 독립적으로 0~7의 정수이다.
상기 식(1b)로 표시되는 화합물은, 추가적인 유기용매에 대한 용해성의 관점에서, 하기 식(BiF-1-CH)로 표시되는 화합물인 것이 특히 바람직하다.
[화학식 9]
Figure pct00009
상기 식(BiF-1-CH) 중, R12는, 품질안정화의 관점에서, 각각 독립적으로, 시클로헥실기 또는 수소원자이다. 단, R12 중 적어도 1개는 시클로헥실기이다.
이하에, 상기 식(1)로 표시되는 화합물의 구체예를 예시하나, 여기서 열거한 것에 한정되지 않는다.
[화학식 10]
Figure pct00010
[화학식 11]
Figure pct00011
[화학식 12]
Figure pct00012
[화학식 13]
Figure pct00013
[화학식 14]
Figure pct00014
[화학식 15]
Figure pct00015
[화학식 16]
Figure pct00016
[화학식 17]
Figure pct00017
상기 서술한 화합물 중, R2~R5는, 상기 식(1)에서 설명한 것과 동의이며, m8 및 m9는, 각각 독립적으로 0~6의 정수이며, m10 및 m11은, 각각 독립적으로 0~7의 정수이다. 단, m10 및 m11은, 동시에 0이 되는 일은 없다.
[화학식 18]
Figure pct00018
[화학식 19]
Figure pct00019
[화학식 20]
Figure pct00020
[화학식 21]
Figure pct00021
상기 화합물 중, R2~R5는, 상기 식(1)에서 설명한 것과 동의이다. m2 ' 및 m3'는 각각 독립적으로 0~4의 정수이며, m4' 및 m5'는 각각 독립적으로 0~5의 정수이다. 단, m4' 및 m5'는 동시에 0이 되는 일은 없다.
[화학식 22]
Figure pct00022
[화학식 23]
Figure pct00023
[화학식 24]
Figure pct00024
상기 화합물 중, R2~R5는, 상기 식(1)에서 설명한 것과 동의이며, m8 및 m9는, 각각 독립적으로 0~6의 정수이며, m10 및 m11은, 각각 독립적으로 0~7의 정수이다. 단, m10 및 m11은, 동시에 0이 되는 일은 없다.
[화학식 25]
Figure pct00025
[화학식 26]
Figure pct00026
[화학식 27]
Figure pct00027
상기 화합물 중, R2~R5는, 상기 식(1)에서 설명한 것과 동의이다.
m2' 및 m3'는 각각 독립적으로 0~4의 정수이며, m4' 및 m5'는 각각 독립적으로 0~5의 정수이다. 단, m4' 및 m5'는 동시에 0이 되는 일은 없다.
[화학식 28]
Figure pct00028
[화학식 29]
Figure pct00029
[화학식 30]
Figure pct00030
[화학식 31]
Figure pct00031
[화학식 32]
Figure pct00032
[화학식 33]
Figure pct00033
[화학식 34]
Figure pct00034
[화학식 35]
Figure pct00035
[화학식 36]
Figure pct00036
[화학식 37]
Figure pct00037
[화학식 38]
Figure pct00038
[화학식 39]
Figure pct00039
[화학식 40]
Figure pct00040
[화학식 41]
Figure pct00041
[화학식 42]
Figure pct00042
[화학식 43]
Figure pct00043
[화학식 44]
Figure pct00044
[화학식 45]
Figure pct00045
상기 화합물 중, R12는, 상기 식(BiF-1-CH)에서 설명한 것과 동의이다.
본 발명에서 사용되는 식(1)로 표시되는 화합물은, 공지의 수법을 응용하여 적당히 합성할 수 있고, 그 합성수법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 상압하, 비페놀류, 비티오페놀류, 비나프톨류, 비티오나프톨류 또는 비안트라센올과, 대응하는 알데히드류 또는 케톤류를 산촉매하에서 중축합반응시킴으로써, 상기 식(1)로 표시되는 화합물의 전구체가 되는 화합물(상기 식(1)에 있어서 탄소수 1~30의 알콕시기가 되는 R4 중 적어도 1개 및/또는 R5 중 적어도 1개가 수산기인 화합물)을 얻을 수 있다. 또한, 필요에 따라, 가압하에서 행할 수도 있다.
상기 비페놀류로는, 예를 들어, 비페놀, 메틸비페놀, 메톡시비나프톨 등을 들 수 있으나, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 이들은, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 비페놀을 이용하는 것이 원료의 안정공급성의 점에서 보다 바람직하다.
상기 비티오페놀류로는, 예를 들어, 비티오페놀, 메틸비티오페놀, 메톡시비티오페놀 등을 들 수 있으나, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 이들은, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 비티오페놀을 이용하는 것이 원료의 안정공급성의 점에서 보다 바람직하다.
상기 비나프톨류로는, 예를 들어, 비나프톨, 메틸비나프톨, 메톡시비나프톨 등을 들 수 있으나, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 비나프톨을 이용하는 것이, 탄소원자농도를 높이고, 내열성을 향상시키는 점에서 보다 바람직하다.
상기 비티오나프톨류로는, 예를 들어, 비티오나프톨, 메틸비티오나프톨, 메톡시비티오나프톨 등을 들 수 있으나, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 비티오나프톨을 이용하는 것이, 탄소원자농도를 높이고, 내열성을 향상시키는 점에서 보다 바람직하다.
상기 알데히드류로는, 예를 들어, 포름알데히드, 트리옥산, 파라포름알데히드, 아세토알데히드, 프로필알데히드, 부틸알데히드, 헥실알데히드, 데실알데히드, 운데실알데히드, 페닐아세토알데히드, 페닐프로필알데히드, 푸르푸랄, 벤즈알데히드, 하이드록시벤즈알데히드, 플루오로벤즈알데히드, 클로로벤즈알데히드, 니트로벤즈알데히드, 메틸벤즈알데히드, 디메틸벤즈알데히드, 에틸벤즈알데히드, 프로필벤즈알데히드, 부틸벤즈알데히드, 시클로헥실벤즈알데히드, 벤즈알데히드, 하이드록시벤즈알데히드, 플루오로벤즈알데히드, 클로로벤즈알데히드, 니트로벤즈알데히드, 메틸벤즈알데히드, 디메틸벤즈알데히드, 에틸벤즈알데히드, 프로필벤즈알데히드, 부틸벤즈알데히드, 시클로헥실벤즈알데히드, 비페닐알데히드, 나프토알데히드, 안트라센카르복시알데히드, 페난트렌카르복시알데히드, 피렌카르복시알데히드, 글리옥살, 글루타르알데히드, 프탈알데히드, 나프탈렌디카르복시알데히드, 비페닐디카르복시알데히드, 안트라센디카르복시알데히드, 비스(디포밀페닐)메탄, 비스(디포밀페닐)프로판, 벤젠트리카르복시알데히드를 이용하는 것이, 높은 내열성을 부여하는 점에서 바람직하다.
상기 케톤류로는, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로부탄온, 시클로헵탄온, 시클로헥산온, 노보나논, 트리시클로헥산온, 트리시클로데칸온, 아다만타논, 플루오레논, 벤조플루오레논, 아세나프텐퀴논, 아세나프테논, 안트라퀴논 등을 들 수 있으나, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 시클로헵탄온, 시클로헥산온, 노보나논, 트리시클로헥산온, 트리시클로데칸온, 아다만타논, 플루오레논, 벤조플루오레논, 아세나프텐퀴논, 아세나프테논, 안트라퀴논을 이용하는 것이, 높은 내열성을 부여하는 점에서 바람직하다.
상기 반응에 이용하는 산촉매에 대해서는, 공지의 것으로부터 적당히 선택하여 이용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 이러한 산촉매로는, 무기산이나 유기산이 널리 알려져 있고, 예를 들어, 염산, 황산, 인산, 브롬화수소산, 불산 등의 무기산이나, 옥살산, 말론산, 숙신산, 아디프산, 세바스산, 구연산, 푸마르산, 말레산, 포름산, p-톨루엔설폰산, 메탄설폰산, 트리플루오로아세트산, 디클로로아세트산, 트리클로로아세트산, 트리플루오로메탄설폰산, 벤젠설폰산, 나프탈렌설폰산, 나프탈렌디설폰산 등의 유기산이나, 염화아연, 염화알루미늄, 염화철, 삼불화붕소 등의 루이스산, 혹은 규텅스텐산, 인텅스텐산, 규몰리브덴산 또는 인몰리브덴산 등의 고체산 등을 들 수 있으나, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 이들 중에서도, 제조상의 관점에서, 유기산 및 고체산이 바람직하고, 입수의 용이함이나 취급의 용이함 등의 제조상의 관점에서, 염산 또는 황산을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 산촉매에 대해서는, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 또한, 산촉매의 사용량은, 사용하는 원료 및 사용하는 촉매의 종류, 더 나아가 반응조건 등에 따라 적당히 설정할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 반응원료 100질량부에 대하여, 0.01~100질량부인 것이 바람직하다.
상기 반응시에는, 반응용매를 이용할 수도 있다. 반응용매로는, 이용하는 알데히드류 또는 케톤류와, 비페놀류, 비티오페놀류, 비나프톨류, 비티오나프톨류 또는 비안트라센디올과의 반응이 진행되는 것이면, 특별히 한정되지 않고, 공지의 것 중에서 적당히 선택하여 이용할 수 있다. 예를 들어, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 테트라하이드로푸란, 디옥산, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르 또는 이들의 혼합용매 등이 예시된다. 또한, 용매는, 1종을 단독으로 혹은 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
또한, 이들의 용매의 사용량은, 사용하는 원료 및 사용하는 촉매의 종류, 더 나아가 반응조건 등에 따라 적당히 설정할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 반응원료 100질량부에 대하여 0~2000질량부의 범위인 것이 바람직하다. 나아가, 상기 반응에 있어서의 반응온도는, 반응원료의 반응성에 따라 적당히 선택할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 통상 10~200℃의 범위이다.
본 실시형태의 식(1)로 표시되는 화합물의 전구체가 되는 화합물을 얻기 위해서는, 반응온도는 높은 편이 바람직하고, 구체적으로는 60~200℃의 범위가 바람직하다. 또한, 반응방법은, 공지의 수법을 적당히 선택하여 이용할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 비페놀류, 비티오페놀류, 비나프톨류, 비티오나프톨류 또는 비안트라센디올, 알데히드류 혹은 케톤류, 촉매를 일괄로 투입하는 방법이나, 비페놀류, 비티오페놀류, 비나프톨류, 비티오나프톨류 또는 비안트라센디올이나 알데히드류 또는 케톤류를 촉매존재하에서 적하하는 방법이 있다. 중축합 반응종료 후, 얻어진 화합물의 단리는, 상법에 따라 행할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 계내에 존재하는 미반응원료나 촉매 등을 제거하기 위하여, 반응솥의 온도를 130~230℃까지 상승시키고, 1~50mmHg 정도로 휘발분을 제거하는 등의 일반적 수법을 채용함으로써, 목적물인 화합물을 얻을 수 있다.
바람직한 반응조건으로는, 알데히드류 또는 케톤류 1몰에 대하여, 비페놀류, 비티오페놀류, 비나프톨류, 비티오나프톨류 또는 비안트라센디올을 1.0몰~과잉량, 및 산촉매를 0.001~1몰 사용하고, 상압에서, 50~150℃에서 20분간~100시간 정도 반응시킴으로써 진행한다.
반응종료 후, 공지의 방법에 의해 목적물을 단리할 수 있다. 예를 들어, 반응액을 농축하고, 순수를 첨가하여 반응생성물을 석출시키고, 실온까지 냉각한 후, 여과를 행하여 분리시키고, 얻어진 고형물을 여과하고, 건조시킨 후, 칼럼크로마토에 의해, 부생성물과 분리정제하고, 용매유거, 여과, 건조를 행하여 목적물인 상기 식(1)로 표시되는 화합물의 전구체가 되는 화합물을 얻을 수 있다.
상기 얻어진 전구체 화합물에, 공지의 방법에 의해, 예를 들어, 페놀성 수산기의 수소원자를 탄소수 1~30의 1가의 기로 치환함으로써, 목적물인 상기 식(1)로 표시되는 화합물을 얻을 수 있다.
페놀성 수산기의 수소원자를 탄소수 1~30의 1가의 기로 치환하는 방법은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 상기 전구체 화합물에, 염기촉매 존재하에서, 할로겐화 탄화수소 화합물을 반응시키는 것에 의한 탈할로겐화 수소반응으로 얻을 수 있다.
상기 할로겐화 탄화수소 화합물로는, 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1~30의 할로겐화 탄화수소 화합물이 호적하게 이용된다. 할로겐화 탄화수소 화합물은, 직쇄상 탄화수소기, 분지상 탄화수소기, 지환식 탄화수소기, 방향족 탄화수소기 및 이들의 2 이상의 조합으로 이루어진 기와 할로겐원자로 구성된다. 여기서, 상기 지환식 탄화수소기에 대해서는, 유교지환식 탄화수소기도 포함된다. 이 할로겐화 탄화수소 화합물은, 이중결합, 헤테로원자 또는 별종의 할로겐원자를 가질 수도 있다.
할로겐화 탄화수소 화합물은, 예를 들어, 염화메틸, 브롬화메틸, 요오드화메틸, 염화프로필, 브롬화프로필, 요오드화프로필, 염화부틸, 브롬화부틸, 요오드화부틸, 염화헵틸, 브롬화헵틸, 요오드화헵틸, 염화헥실, 브롬화헥실, 요오드화헥실, 염화데실, 브롬화데실, 요오드화데실 및 하기 식(5)로 표시되는 군으로부터 선택되는 화합물 등을 들 수 있으나, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 이들은, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
[화학식 46]
Figure pct00046
(상기 식(5) 중, Y는, 염소원자, 브롬원자 또는 요오드원자를 나타낸다.)
전구체 화합물 중의 적어도 1개의 페놀성 수산기를 알콕실기로 변환하기 위해서는, 예를 들어, 디메틸포름아미드 등의 유기용매 중, 염기촉매(탄산나트륨, 탄산칼륨, 트리에틸아민, 암모니아 또는 수산화나트륨 등)의 존재하에서, 상기 전구체 화합물 1몰에 대하여, 할로겐화 탄화수소 화합물 0.1~10몰을 0~150℃에서 0.5~20시간 정도 반응시킬 수 있다. 이 반응에 의해, 전구체 화합물 중의 적어도 1개의 페놀성 수산기를 알콕실기로 변환할 수 있다. 이어서, 여과, 메탄올 등의 알코올류에 의한 세정, 수세, 여과에 의한 분리 후, 건조시킴으로써 상기 식(1)로 표시되는 화합물을 얻을 수 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서 이용되는 식(1)로 표시되는 화합물은, 비페놀류 등에 알콕시기를 도입한 후에, 알데히드류나 케톤류와 반응시킴으로써도 얻을 수 있고, 그 합성수법은 특별히 한정되지 않는다.
상기 식(1)로 표시되는 화합물은, 리소그래피용 하층막 형성재료로서, 그대로 사용할 수 있다. 또한, 상기 식(1)로 표시되는 화합물을 모노머로서 얻어지는 수지로도 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 식(1)로 표시되는 화합물과 가교반응성이 있는 화합물을 반응시켜 얻어지는 수지로도 사용할 수 있다. 상기 식(1)로 표시되는 화합물을 모노머로서 얻어지는 수지로는, 예를 들어, 이하의 식(2)로 표시되는 구조를 갖는 것을 들 수 있다. 즉, 본 실시형태의 리소그래피용 하층막 형성재료는, 하기 식(2)로 표시되는 구조를 갖는 수지를 함유하는 것일 수도 있다.
[화학식 47]
Figure pct00047
식(2) 중, R1~R5는, m2~m5, n, p2~p5는 상기 식(1)에서 설명한 것과 동의이다.
식(2) 중, L은, 탄소수 1~20의 직쇄상 혹은 분지상의 알킬렌기 또는 단결합이다.
상기 가교반응성이 있는 화합물로는, 상기 식(1)로 표시되는 화합물을 올리고머화 또는 폴리머화할 수 있는 것인 한, 공지의 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 가교반응성이 있는 화합물의 구체예로는, 예를 들어, 알데히드, 케톤, 카르본산, 카르본산할라이드, 할로겐함유 화합물, 아미노 화합물, 이미노 화합물, 이소시아네이트, 불포화탄화수소기함유 화합물 등을 들 수 있으나, 이것들로 특별히 한정되지 않는다.
상기 식(2)로 표시되는 구조를 갖는 수지의 구체예로는, 예를 들어, 상기 식(1)로 표시되는 화합물을 가교반응성이 있는 화합물인 알데히드와의 축합반응 등에 의해 노볼락화한 수지를 들 수 있다.
여기서, 상기 식(1)로 표시되는 화합물을 노볼락화할 때에 이용하는 알데히드로는, 예를 들어, 포름알데히드, 트리옥산, 파라포름알데히드, 벤즈알데히드, 아세토알데히드, 프로필알데히드, 페닐아세토알데히드, 페닐프로필알데히드, 하이드록시벤즈알데히드, 클로로벤즈알데히드, 니트로벤즈알데히드, 메틸벤즈알데히드, 에틸벤즈알데히드, 부틸벤즈알데히드, 비페닐알데히드, 나프토알데히드, 안트라센카르보알데히드, 페난트렌카르보알데히드, 피렌카르보알데히드, 푸르푸랄 등을 들 수 있으나, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 이들 중에서도, 포름알데히드가 보다 바람직하다. 또한, 이들의 알데히드류는, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 또한, 상기 알데히드류의 사용량은, 특별히 한정되지 않으나, 상기 식(1)로 표시되는 화합물 1몰에 대하여, 0.2~5몰이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5~2몰이다.
상기 식(1)로 표시되는 화합물과 알데히드의 축합반응에 있어서, 촉매를 이용할 수도 있다. 여기서 사용하는 산촉매에 대해서는, 공지의 것으로부터 적당히 선택하여 이용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 이러한 산촉매로는, 무기산이나 유기산이 널리 알려져 있고, 예를 들어, 염산, 황산, 인산, 브롬화수소산, 불산 등의 무기산이나, 옥살산, 말론산, 숙신산, 아디프산, 세바스산, 구연산, 푸마르산, 말레산, 포름산, p-톨루엔설폰산, 메탄설폰산, 트리플루오로아세트산, 디클로로아세트산, 트리클로로아세트산, 트리플루오로메탄설폰산, 벤젠설폰산, 나프탈렌설폰산, 나프탈렌디설폰산 등의 유기산이나, 염화아연, 염화알루미늄, 염화철, 삼불화붕소 등의 루이스산, 혹은 규텅스텐산, 인텅스텐산, 규몰리브덴산 또는 인몰리브덴산 등의 고체산 등을 들 수 있으나, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 이들 중에서도, 제조상의 관점에서, 유기산 및 고체산이 바람직하고, 입수의 용이함이나 취급의 용이함 등의 제조상의 관점에서, 염산 또는 황산이 바람직하다. 또한, 산촉매에 대해서는, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 또한, 산촉매의 사용량은, 사용하는 원료 및 사용하는 촉매의 종류, 더 나아가 반응조건 등에 따라 적당히 설정할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 반응원료 100질량부에 대하여, 0.01~100질량부인 것이 바람직하다. 단, 인덴, 하이드록시인덴, 벤조푸란, 하이드록시안트라센, 아세나프틸렌, 비페닐, 비스페놀, 트리스페놀, 디시클로펜타디엔, 테트라하이드로인덴, 4-비닐시클로헥센, 노보나디엔, 5-비닐노보나-2-엔, α-피넨, β-피넨, 리모넨 등의 비공역이중결합을 갖는 화합물과의 공중합반응의 경우는, 반드시 알데히드류는 필요 없다(가 필요한 것은 아니다).
상기 식(1)로 표시되는 화합물과 알데히드의 축합반응에 있어서, 반응용매를 이용할 수도 있다. 이 중축합에 있어서의 반응용매로는, 공지의 것 중에서 적당히 선택하여 이용할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 테트라하이드로푸란, 디옥산 또는 이들의 혼합용매 등이 예시된다. 또한, 용매는, 1종을 단독으로 혹은 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
또한, 이들의 용매의 사용량은, 사용하는 원료 및 사용하는 촉매의 종류, 더 나아가 반응조건 등에 따라 적당히 설정할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 반응원료 100질량부에 대하여 0~2000질량부의 범위인 것이 바람직하다. 나아가, 반응온도는, 반응원료의 반응성에 따라 적당히 선택할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 통상 10~200℃의 범위이다. 또한, 반응방법은, 공지의 수법을 적당히 선택하여 이용할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 상기 식(1)로 표시되는 화합물, 알데히드류, 촉매를 일괄로 투입하는 방법이나, 상기 식(1)로 표시되는 화합물이나 알데히드류를 촉매존재하에서 적하하는 방법이 있다.
중축합반응종료 후, 얻어진 화합물의 단리는, 상법에 따라서 행할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 계내에 존재하는 미반응원료나 촉매 등을 제거하기 위하여, 반응솥의 온도를 130~230℃까지 상승시키고, 1~50mmHg 정도로 휘발분을 제거하는 등의 일반적 수법을 채용함으로써, 목적물인 노볼락화한 수지를 얻을 수 있다.
여기서, 상기 식(2)로 표시되는 구조를 갖는 수지는, 상기 식(1)로 표시되는 화합물의 단독중합체일 수도 있으나, 다른 페놀류와의 공중합체일 수도 있다. 여기서 공중합가능한 페놀류로는, 예를 들어, 페놀, 크레졸, 디메틸페놀, 트리메틸페놀, 부틸페놀, 페닐페놀, 디페닐페놀, 나프틸페놀, 레조르시놀, 메틸레조르시놀, 카테콜, 부틸카테콜, 메톡시페놀, 메톡시페놀, 프로필페놀, 피로갈롤, 티몰 등을 드나, 이것들로 특별히 한정되지 않는다.
또한, 상기 식(2)로 표시되는 구조를 갖는 수지는, 상기 서술한 다른 페놀류 이외에, 중합가능한 모노머와 공중합시킨 것일 수도 있다. 이러한 공중합 모노머로는, 예를 들어, 나프톨, 메틸나프톨, 메톡시나프톨, 디하이드록시나프탈렌, 인덴, 하이드록시인덴, 벤조푸란, 하이드록시안트라센, 아세나프틸렌, 비페닐, 비스페놀, 트리스페놀, 디시클로펜타디엔, 테트라하이드로인덴, 4-비닐시클로헥센, 노보나디엔, 비닐노보나엔, 피넨, 리모넨 등을 들 수 있으나, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 또한, 상기 식(2)로 표시되는 구조를 갖는 수지는, 상기 식(1)로 표시되는 화합물과 상기 서술한 페놀류와의 2원 이상의(예를 들어, 2~4원계) 공중합체여도, 상기 식(1)로 표시되는 화합물과 상기 서술한 공중합 모노머의 2원 이상(예를 들어, 2~4원계) 공중합체여도, 상기 식(1)로 표시되는 화합물과 상기 서술한 페놀류와 상기 서술한 공중합 모노머의 3원 이상의(예를 들어, 3~4원계) 공중합체여도 상관없다.
또한, 상기 식(2)로 표시되는 구조를 갖는 수지의 분자량은, 특별히 한정되지 않으나, 폴리스티렌 환산의 중량평균 분자량(Mw)이 500~30,000인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 750~20,000이다. 또한, 가교효율을 높임과 함께 베이크 중의 휘발성분을 억제하는 관점에서, 상기 식(2)로 표시되는 구조를 갖는 수지는, 분산도(중량평균 분자량Mw/수평균 분자량Mn)가 1.2~7의 범위내인 것이 바람직하다. 또한, 상기 Mn은, 후술하는 실시예에 기재된 방법에 의해 구할 수 있다.
상기 식(1)로 표시되는 구조를 갖는 화합물 및 식(2)로 표시되는 구조를 갖는 수지 등의 상기 화합물을 모노머로서 얻어지는 상기 수지는, 습식 프로세스의 적용이 보다 용이해지는 등의 관점에서, 용매에 대한 용해성이 높은 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 이들 화합물 및/또는 수지는, 1-메톡시-2-프로판올(PGME) 및/또는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)를 용매로 하는 경우, 해당 용매에 대한 용해도가 10질량% 이상인 것이 바람직하다. 여기서, PGME 및/또는 PGMEA에 대한 용해도는, 「합물 또는 수지의 질량÷(화합물 또는 수지의 질량+용매의 질량)×100(질량%)」라고 정의된다. 예를 들어, 상기 화합물 또는 수지 10g이 PGMEA 90g에 대하여 용해하는 경우는, 상기 수지의 PGMEA에 대한 용해도는, 「10질량% 이상」이 되고, 용해하지 않는 경우는, 「10질량% 미만」이 된다.
[리소그래피용 하층막 형성재료]
본 실시형태의 리소그래피용 하층막 형성재료는, 상기 식(1)로 표시되는 화합물 및 이 화합물을 모노머로서 얻어지는 상기 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 물질을 적어도 1개 함유하는 것이다.
본 실시형태에 있어서 상기 물질은 리소그래피용 하층막 형성재료 중, 25~100질량%인 것이 바람직하고, 50~100질량%인 것이 보다 바람직하고, 75~100질량%인 것이 더욱 바람직하고, 100질량%인 것이 특히 바람직하다.
또한, 본 실시형태의 리소그래피용 하층막 형성재료는, 본 발명의 효과가 손상되지 않는 범위에 있어서, 이미 알려져 있는 리소그래피용 하층막 형성재료 등을 포함할 수도 있다.
[리소그래피용 하층막 형성용 조성물]
본 실시형태에 있어서 리소그래피용 하층막 형성용 조성물은, 상기 리소그래피용 하층막 형성재료와 용매를 함유한다.
[용매]
본 실시형태에 있어서 이용하는 용매로는, 상기 리소그래피용 하층막 형성재료가, 적어도 용해하는 것이면 공지의 것을 적당히 이용할 수 있다. 용매의 구체예로는, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥산온 등의 케톤계 용매, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 등의 셀로솔브계 용매, 유산에틸, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 아세트산이소아밀, 유산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 하이드록시이소부티르산메틸 등의 에스테르계 용매, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 1-에톡시-2-프로판올(PGME) 등의 알코올계 용매, 톨루엔, 자일렌, 아니솔 등의 방향족계 탄화수소 등을 들 수 있으나, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 이들의 용매는, 1종을 단독으로, 혹은 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
상기 용매 중에서, 안전성의 점에서, 시클로헥산온, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 유산에틸, 하이드록시이소부티르산메틸, 1-메톡시-2-프로판올, 아니솔이 특히 바람직하다.
용매의 함유량은, 특별히 한정되지 않으나, 용해성 및 제막상의 관점에서, 상기 하층막 형성재료 100질량부에 대하여, 100~10,000질량부인 것이 바람직하고, 200~5,000질량부인 것이 보다 바람직하고, 300~1,000질량부인 것이 더욱 바람직하다.
본 실시형태의 리소그래피용 하층막 형성용 조성물은, 필요에 따라, 가교제, 산발생제 등의 성분를 포함할 수도 있다. 이하, 이들의 임의성분에 대하여 설명한다.
[가교제]
본 실시형태의 리소그래피용 하층막 형성용 조성물은, 인터믹싱을 억제하는 등의 관점에서, 필요에 따라 가교제를 함유할 수도 있다. 본 실시형태에서 사용가능한 가교제의 구체예로는, 예를 들어, 멜라민 화합물, 구아나민 화합물, 글리콜우릴 화합물 또는 우레아 화합물, 에폭시 화합물, 티오에폭시 화합물, 이소시아네이트 화합물, 아지드 화합물, 알케닐에테르기 등의 2중결합을 포함하는 화합물로서, 메틸올기, 알콕시메틸기, 아실옥시메틸기로부터 선택되는 적어도 1개의 기로 치환된 것 등을 드나, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 또한, 이들의 가교제는, 1종을 단독으로, 혹은 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 또한, 이들은 첨가제로서 이용할 수도 있으나, 이들 가교성기를 폴리머측쇄에 펜던트기로서 도입할 수도 있다. 또한, 하이드록시기를 포함하는 화합물도 가교제로서 이용할 수 있다.
멜라민 화합물의 구체예로는, 예를 들어, 헥사메틸올멜라민, 헥사메톡시메틸멜라민, 헥사메틸올멜라민의 1~6개의 메틸올기가 메톡시메틸화한 화합물 또는 그 혼합물, 헥사메톡시에틸멜라민, 헥사아실옥시메틸멜라민, 헥사메틸올멜라민의 메틸올기의 1~6개가 아실옥시메틸화한 화합물 또는 그 혼합물 등을 들 수 있다. 에폭시 화합물의 구체예로는, 예를 들어, 트리스(2,3-에폭시프로필)이소시아누레이트, 트리메틸올메탄트리글리시딜에테르, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르, 트리에틸올에탄트리글리시딜에테르 등을 들 수 있다.
구아나민 화합물의 구체예로는, 예를 들어, 테트라메틸올구아나민, 테트라메톡시메틸구아나민, 테트라메틸올구아나민의 1~4개의 메틸올기가 메톡시메틸화한 화합물 또는 그 혼합물, 테트라메톡시에틸구아나민, 테트라아실옥시구아나민, 테트라메틸올구아나민의 1~4개의 메틸올기가 아실옥시메틸화한 화합물 또는 그 혼합물 등을 들 수 있다. 글리콜우릴 화합물의 구체예로는, 예를 들어, 테트라메틸올글리콜우릴, 테트라메톡시글리콜우릴, 테트라메톡시메틸글리콜우릴, 테트라메틸올글리콜우릴의 메틸올기의 1~4개가 메톡시메틸화한 화합물 또는 그 혼합물, 테트라메틸올글리콜우릴의 메틸올기의 1~4개가 아실옥시메틸화한 화합물 또는 그 혼합물 등을 들 수 있다. 우레아 화합물의 구체예로는, 예를 들어, 테트라메틸올우레아, 테트라메톡시메틸우레아, 테트라메틸올우레아의 1~4개의 메틸올기가 메톡시메틸화한 화합물 또는 그 혼합물, 테트라메톡시에틸우레아 등을 들 수 있다.
알케닐에테르기를 포함하는 화합물의 구체예로는, 예를 들어, 에틸렌글리콜디비닐에테르, 트리에틸렌글리콜디비닐에테르, 1,2-프로판디올디비닐에테르, 1,4-부탄디올디비닐에테르, 테트라메틸렌글리콜디비닐에테르, 네오펜틸글리콜디비닐에테르, 트리메틸올프로판트리비닐에테르, 헥산디올디비닐에테르, 1,4-시클로헥산디올디비닐에테르, 펜타에리스리톨트리비닐에테르, 펜타에리스리톨테트라비닐에테르, 솔비톨테트라비닐에테르, 솔비톨펜타비닐에테르, 트리메틸올프로판트리비닐에테르 등을 들 수 있다.
본 실시형태의 리소그래피용 하층막 형성용 조성물에 있어서, 가교제의 함유량은, 특별히 한정되지 않으나, 상기 리소그래피용 하층막 형성재료 100질량부에 대하여, 5~50질량부인 것이 바람직하고, 10~40질량부인 것이 보다 바람직하고, 15~35질량부인 것이 더욱 바람직하다. 상기 범위로 함으로써, 레지스트층과의 믹싱현상의 발생이 억제되는 경향이 있고, 또한, 반사방지효과가 높아지고, 가교후의 막형성성이 높아지는 경향이 있다.
[산발생제]
본 실시형태의 리소그래피용 하층막 형성용 조성물은, 열에 의한 가교반응을 더욱 촉진시키는 등의 관점에서, 필요에 따라 산발생제를 함유할 수도 있다. 당업계에 있어서 산발생제로는, 열분해에 의해 산을 발생하는 것, 광조사에 의해 산을 발생하는 것 등이 알려져 있으나, 어떠한 것이나 사용할 수 있다.
산발생제로는,
1) 하기 일반식(P1a-1), (P1a-2), (P1a-3) 또는 (P1b)의 오늄염,
2) 하기 일반식(P2)의 디아조메탄유도체,
3) 하기 일반식(P3)의 글리옥심유도체,
4) 하기 일반식(P4)의 비스설폰유도체,
5) 하기 일반식(P5)의 N-하이드록시이미드 화합물의 설폰산에스테르,
6) β-케토설폰산유도체,
7) 디설폰유도체,
8) 니트로벤질설포네이트유도체,
9) 설폰산에스테르유도체
등을 들 수 있으나, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 또한, 이들 산발생제는, 1종을 단독으로, 혹은 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
[화학식 48]
Figure pct00048
상기 식 중, R101a, R101b, R101c는 각각 독립적으로 탄소수 1~12의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기, 알케닐기, 옥소알킬기 또는 옥소알케닐기, 탄소수 6~20의 아릴기, 또는 탄소수 7~12의 아랄킬기 또는 아릴옥소알킬기를 나타내고, 이들 기의 수소원자의 일부 또는 전부가 알콕시기 등에 의해 치환될 수도 있다. 또한, R101b와 R101c는 환을 형성할 수도 있고, 환을 형성하는 경우에는, R101b, R101c는 각각 독립적으로 탄소수 1~6의 알킬렌기를 나타낸다. K-는 비구핵성 대향이온을 나타낸다. R101d, R101e, R101f, R101g는, 각각 독립적으로 R101a, R101b, R101c에 수소원자를 첨가하여 나타낸다. R101d와 R101e, R101d와 R101e와 R101f는 환을 형성할 수도 있고, 환을 형성하는 경우에는, R101d와 R101e 및 R101d와 R101e와 R101f는 탄소수 3~10의 알킬렌기를 나타내고, 또는, 식 중의 질소원자를 환 중에 갖는 복소방향족환을 나타낸다.
상기의 R101a, R101b, R101c, R101d, R101e, R101f, R101g는 서로 동일할 수도 상이할 수도 있다. 구체적으로는, 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로프로필메틸기, 4-메틸시클로헥실기, 시클로헥실메틸기, 노보닐기, 아다만틸기 등을 들 수 있다. 알케닐기로는, 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 부테닐기, 헥세닐기, 시클로헥세닐기 등을 들 수 있다. 옥소알킬기로는, 2-옥소시클로펜틸기, 2-옥소시클로헥실기 등을 들 수 있고, 2-옥소프로필기, 2-시클로펜틸-2-옥소에틸기, 2-시클로헥실-2-옥소에틸기, 2-(4-메틸시클로헥실)-2-옥소에틸기 등을 들 수 있다. 옥소알케닐기로는, 2-옥소-4-시클로헥세닐기, 2-옥소-4-프로페닐기 등을 들 수 있다. 아릴기로는, 페닐기, 나프틸기 등이나, p-메톡시페닐기, m-메톡시페닐기, o-메톡시페닐기, 에톡시페닐기, p-tert-부톡시페닐기, m-tert-부톡시페닐기 등의 알콕시페닐기, 2-메틸페닐기, 3-메틸페닐기, 4-메틸페닐기, 에틸페닐기, 4-tert-부틸페닐기, 4-부틸페닐기, 디메틸페닐기 등의 알킬페닐기, 메틸나프틸기, 에틸나프틸기 등의 알킬나프틸기, 메톡시나프틸기, 에톡시나프틸기 등의 알콕시나프틸기, 디메틸나프틸기, 디에틸나프틸기 등의 디알킬나프틸기, 디메톡시나프틸기, 디에톡시나프틸기 등의 디알콕시나프틸기 등을 들 수 있다. 아랄킬기로는 벤질기, 페닐에틸기, 페네틸기 등을 들 수 있다. 아릴옥소알킬기로는, 2-페닐-2-옥소에틸기, 2-(1-나프틸)-2-옥소에틸기, 2-(2-나프틸)-2-옥소에틸기 등의 2-아릴-2-옥소에틸기 등을 들 수 있다. K-의 비구핵성 대향이온으로는 염화물이온, 브롬화물이온 등의 할라이드이온, 트리플레이트, 1,1,1-트리플루오로에탄설포네이트, 노나플루오로부탄설포네이트 등의 플루오로알킬설포네이트, 토실레이트, 벤젠설포네이트, 4-플루오로벤젠설포네이트, 1,2,3,4,5-펜타플루오로벤젠설포네이트 등의 아릴설포네이트, 메실레이트, 부탄설포네이트 등의 알킬설포네이트 등을 들 수 있다.
또한, R101d, R101e, R101f, R101g가 식 중의 질소원자를 환 중에 갖는 복소방향족환인 경우, 그 복소방향족환으로는, 이미다졸유도체(예를 들어 이미다졸, 4-메틸이미다졸, 4-메틸-2-페닐이미다졸 등), 피라졸유도체, 푸라잔유도체, 피롤린유도체(예를 들어 피롤린, 2-메틸-1-피롤린 등), 피롤리딘유도체(예를 들어 피롤리딘, N-메틸피롤리딘, 피롤리디논, N-메틸피롤리돈 등), 이미다졸린유도체, 이미다졸리딘유도체, 피리딘유도체(예를 들어 피리딘, 메틸피리딘, 에틸피리딘, 프로필피리딘, 부틸피리딘, 4-(1-부틸펜틸)피리딘, 디메틸피리딘, 트리메틸피리딘, 트리에틸피리딘, 페닐피리딘, 3-메틸-2-페닐피리딘, 4-tert-부틸피리딘, 디페닐피리딘, 벤질피리딘, 메톡시피리딘, 부톡시피리딘, 디메톡시피리딘, 1-메틸-2-피리돈, 4-피롤리디노피리딘, 1-메틸-4-페닐피리딘, 2-(1-에틸프로필)피리딘, 아미노피리딘, 디메틸아미노피리딘 등), 피리다진유도체, 피리미딘유도체, 피라진유도체, 피라졸린유도체, 피라졸리딘유도체, 피페리딘유도체, 피페라진유도체, 모르폴린유도체, 인돌유도체, 이소인돌유도체, 1H-인다졸유도체, 인돌린유도체, 퀴놀린유도체(예를 들어 퀴놀린, 3-퀴놀린카르보니트릴 등), 이소퀴놀린유도체, 신놀린유도체, 퀴나졸린유도체, 퀴녹살린유도체, 프탈라진유도체, 푸린유도체, 프테리딘유도체, 카바졸유도체, 페난트리딘유도체, 아크리딘유도체, 페나진유도체, 1,10-페난트롤린유도체, 아데닌유도체, 아데노신유도체, 구아닌유도체, 구아노신유도체, 우라실유도체, 우리딘유도체 등이 예시된다.
상기 식(P1a-1)과 식(P1a-2)는, 광산발생제, 열산발생제의 양방의 효과가 있으나, 상기 식(P1a-3)은 열산발생제로서 작용한다.
[화학식 49]
Figure pct00049
상기 식(P1b) 중, R102a, R102b는 각각 독립적으로 탄소수 1~8의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기를 나타낸다. R103은 탄소수 1~10의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬렌기를 나타낸다. R104a, R104b는 각각 독립적으로 탄소수 3~7의 2-옥소알킬기를 나타낸다. K-는 비구핵성 대향이온을 나타낸다.
상기 R102a, R102b로서 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로프로필메틸기, 4-메틸시클로헥실기, 시클로헥실메틸기 등을 들 수 있다. R103으로는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기, 헵틸렌기, 옥틸렌기, 노닐렌기, 1,4-시클로헥실렌기, 1,2-시클로헥실렌기, 1,3-시클로펜틸렌기, 1,4-시클로옥틸렌기, 1,4-시클로헥산디메틸렌기 등을 들 수 있다. R104a, R104b로는, 2-옥소프로필기, 2-옥소시클로펜틸기, 2-옥소시클로헥실기, 2-옥소시클로헵틸기 등을 들 수 있다. K-는 식(P1a-1), (P1a-2) 및 (P1a-3)에서 설명한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
[화학식 50]
Figure pct00050
상기 식(P2) 중, R105, R106은 각각 독립적으로 탄소수 1~12의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기 또는 할로겐화알킬기, 탄소수 6~20의 아릴기 또는 할로겐화아릴기, 또는 탄소수 7~12의 아랄킬기를 나타낸다.
R105, R106의 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 아밀기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 노보닐기, 아다만틸기 등을 들 수 있다. 할로겐화알킬기로는, 트리플루오로메틸기, 1,1,1-트리플루오로에틸기, 1,1,1-트리클로로에틸기, 노나플루오로부틸기 등을 들 수 있다. 아릴기로는, 페닐기, p-메톡시페닐기, m-메톡시페닐기, o-메톡시페닐기, 에톡시페닐기, p-tert-부톡시페닐기, m-tert-부톡시페닐기 등의 알콕시페닐기, 2-메틸페닐기, 3-메틸페닐기, 4-메틸페닐기, 에틸페닐기, 4-tert-부틸페닐기, 4-부틸페닐기, 디메틸페닐기 등의 알킬페닐기를 들 수 있다. 할로겐화아릴기로는, 플루오로페닐기, 클로로페닐기, 1,2,3,4,5-펜타플루오로페닐기 등을 들 수 있다. 아랄킬기로는, 벤질기, 페네틸기 등을 들 수 있다.
[화학식 51]
Figure pct00051
상기 식(P3) 중, R107, R108, R109는 각각 독립적으로 탄소수 1~12의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기 또는 할로겐화알킬기, 탄소수 6~20의 아릴기 또는 할로겐화아릴기, 또는 탄소수 7~12의 아랄킬기를 나타낸다. R108, R109는 서로 결합하여 환상구조를 형성할 수도 있고, 환상구조를 형성하는 경우, R108, R109는 각각 탄소수 1~6의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기를 나타낸다.
R107, R108, R109의 알킬기, 할로겐화알킬기, 아릴기, 할로겐화아릴기, 아랄킬기로는, R105, R106에서 설명한 것과 동일한 기를 들 수 있다. 또한, R108, R109의 알킬렌기로는 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 헥실렌기 등을 들 수 있다.
[화학식 52]
Figure pct00052
식(P4) 중, R101a, R101b는 상기와 동일하다.
[화학식 53]
Figure pct00053
상기 식(P5) 중, R110은 탄소수 6~10의 아릴렌기, 탄소수 1~6의 알킬렌기 또는 탄소수 2~6의 알케닐렌기를 나타내고, 이들 기의 수소원자의 일부 또는 전부는 추가로 탄소수 1~4의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기 또는 알콕시기, 니트로기, 아세틸기, 또는 페닐기로 치환될 수도 있다. R111은 탄소수 1~8의 직쇄상, 분지상 또는 치환의 알킬기, 알케닐기 또는 알콕시알킬기, 페닐기, 또는 나프틸기를 나타내고, 이들 기의 수소원자의 일부 또는 전부는 추가로 탄소수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기; 탄소수 1~4의 알킬기, 알콕시기, 니트로기 또는 아세틸기로 치환될 수도 있는 페닐기; 탄소수 3~5의 헤테로방향족기; 또는 염소원자, 불소원자로 치환될 수도 있다.
여기서, R110의 아릴렌기로는, 1,2-페닐렌기, 1,8-나프틸렌기 등을 들 수 있다. 알킬렌기로는, 메틸렌기, 에틸렌기, 트리메틸렌기, 테트라메틸렌기, 페닐에틸렌기, 노보난-2,3-디일기 등을 들 수 있다. 알케닐렌기로는, 1,2-비닐렌기, 1-페닐-1,2-비닐렌기, 5-노보넨-2,3-디일기 등을 들 수 있다. R111의 알킬기로는, R101a~R101c와 동일한 것을 들 수 있다. 알케닐기로는, 비닐기, 1-프로페닐기, 알릴기, 1-부테닐기, 3-부테닐기, 이소프레닐기, 1-펜테닐기, 3-펜테닐기, 4-펜테닐기, 디메틸알릴기, 1-헥세닐기, 3-헥세닐기, 5-헥세닐기, 1-헵테닐기, 3-헵테닐기, 6-헵테닐기, 7-옥테닐기 등을 들 수 있다. 알콕시알킬기로는, 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 프로폭시메틸기, 부톡시메틸기, 펜틸옥시메틸기, 헥실옥시메틸기, 헵틸옥시메틸기, 메톡시에틸기, 에톡시에틸기, 프로폭시에틸기, 부톡시에틸기, 펜틸옥시에틸기, 헥실옥시에틸기, 메톡시프로필기, 에톡시프로필기, 프로폭시프로필기, 부톡시프로필기, 메톡시부틸기, 에톡시부틸기, 프로폭시부틸기, 메톡시펜틸기, 에톡시펜틸기, 메톡시헥실기, 메톡시헵틸기 등을 들 수 있다.
또한, 추가로 치환될 수도 있는 탄소수 1~4의 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기 등을 들 수 있다. 탄소수 1~4의 알콕시기로는, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, 이소부톡시기, tert-부톡시기 등을 들 수 있다. 탄소수 1~4의 알킬기, 알콕시기, 니트로기 또는 아세틸기로 치환될 수도 있는 페닐기로는, 페닐기, 톨릴기, p-tert-부톡시페닐기, p-아세틸페닐기, p-니트로페닐기 등을 들 수 있다. 탄소수 3~5의 헤테로방향족기로는, 피리딜기, 푸릴기 등을 들 수 있다.
구체적으로는, 예를 들어 트리플루오로메탄설폰산테트라메틸암모늄, 노나플루오로부탄설폰산테트라메틸암모늄, 노나플루오로부탄설폰산트리에틸암모늄, 노나플루오로부탄설폰산피리디늄, 캠퍼설폰산트리에틸암모늄, 캠퍼설폰산피리디늄, 노나플루오로부탄설폰산테트라n-부틸암모늄, 노나플루오로부탄설폰산테트라페닐암모늄, p-톨루엔설폰산테트라메틸암모늄, 트리플루오로메탄설폰산디페닐요오드늄, 트리플루오로메탄설폰산(p-tert-부톡시페닐)페닐요오드늄, p-톨루엔설폰산디페닐요오드늄, p-톨루엔설폰산(p-tert-부톡시페닐)페닐요오드늄, 트리플루오로메탄설폰산트리페닐설포늄, 트리플루오로메탄설폰산(p-tert-부톡시페닐)디페닐설포늄, 트리플루오로메탄설폰산비스(p-tert-부톡시페닐)페닐설포늄, 트리플루오로메탄설폰산트리스(p-tert-부톡시페닐)설포늄, p-톨루엔설폰산트리페닐설포늄, p-톨루엔설폰산(p-tert-부톡시페닐)디페닐설포늄, p-톨루엔설폰산비스(p-tert-부톡시페닐)페닐설포늄, p-톨루엔설폰산트리스(p-tert-부톡시페닐)설포늄, 노나플루오로부탄설폰산트리페닐설포늄, 부탄설폰산트리페닐설포늄, 트리플루오로메탄설폰산트리메틸설포늄, p-톨루엔설폰산트리메틸설포늄, 트리플루오로메탄설폰산시클로헥실메틸(2-옥소시클로헥실)설포늄, p-톨루엔설폰산시클로헥실메틸(2-옥소시클로헥실)설포늄, 트리플루오로메탄설폰산디메틸페닐설포늄, p-톨루엔설폰산디메틸페닐설포늄, 트리플루오로메탄설폰산디시클로헥실페닐설포늄, p-톨루엔설폰산디시클로헥실페닐설포늄, 트리플루오로메탄설폰산트리나프틸설포늄, 트리플루오로메탄설폰산시클로헥실메틸(2-옥소시클로헥실)설포늄, 트리플루오로메탄설폰산(2-노보닐)메틸(2-옥소시클로헥실)설포늄, 에틸렌비스[메틸(2-옥소시클로펜틸)설포늄트리플루오로메탄설포네이트], 1,2'-나프틸카르보닐메틸테트라하이드로티오페늄트리플레이트 등의 오늄염, 비스(벤젠설포닐)디아조메탄, 비스(p-톨루엔설포닐)디아조메탄, 비스(자일렌설포닐)디아조메탄, 비스(시클로헥실설포닐)디아조메탄, 비스(시클로펜틸설포닐)디아조메탄, 비스(n-부틸설포닐)디아조메탄, 비스(이소부틸설포닐)디아조메탄, 비스(sec-부틸설포닐)디아조메탄, 비스(n-프로필설포닐)디아조메탄, 비스(이소프로필설포닐)디아조메탄, 비스(tert-부틸설포닐)디아조메탄, 비스(n-아밀설포닐)디아조메탄, 비스(이소아밀설포닐)디아조메탄, 비스(sec-아밀설포닐)디아조메탄, 비스(tert-아밀설포닐)디아조메탄, 1-시클로헥실설포닐-1-(tert-부틸설포닐)디아조메탄, 1-시클로헥실설포닐-1-(tert-아밀설포닐)디아조메탄, 1-tert-아밀설포닐-1-(tert-부틸설포닐)디아조메탄 등의 디아조메탄유도체, 비스-(p-톨루엔설포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-(p-톨루에설포닐)-α-디페닐글리옥심, 비스-(p-톨루엔설포닐)-α-디시클로헥실글리옥심, 비스-(p-톨루엔설포닐)-2,3-펜탄디온글리옥심, 비스-(p-톨루엔설포닐)-2-메틸-3,4-펜탄디온글리옥심, 비스-(n-부탄설포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-(n-부탄설포닐)-α-디페닐글리옥심, 비스-(n-부탄설포닐)-α-디시클로헥실글리옥심, 비스-(n-부탄설포닐)-2,3-펜탄디온글리옥심, 비스-(n-부탄설포닐)-2-메틸-3,4-펜탄디온글리옥심, 비스-(메탄설포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-(트리플루오로메탄설포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-(1,1,1-트리플루오로에탄설포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-(tert-부탄설포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-(퍼플루오로옥탄설포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-(시클로헥산설포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-(벤젠설포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-(p-플루오로벤젠설포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-(p-tert-부틸벤젠설포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-(자일렌설포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-(캠퍼설포닐)-α-디메틸글리옥심 등의 글리옥심유도체, 비스나프틸설포닐메탄, 비스트리플루오로메틸설포닐메탄, 비스메틸설포닐메탄, 비스에틸설포닐메탄, 비스프로필설포닐메탄, 비스이소프로필설포닐메탄, 비스-p-톨루엔설포닐메탄, 비스벤젠설포닐메탄 등의 비스설폰유도체, 2-시클로헥실카르보닐-2-(p-톨루엔설포닐)프로판, 2-이소프로필카르보닐-2-(p-톨루엔설포닐)프로판 등의 β-뮬설폰유도체, 디페닐디설폰유도체, 디시클로헥실디설폰유도체 등의 디설폰유도체, p-톨루엔설폰산2,6-디니트로벤질, p-톨루엔설폰산2,4-디니트로벤질 등의 니트로벤질설포네이트유도체, 1,2,3-트리스(메탄설포닐옥시)벤젠, 1,2,3-트리스(트리플루오로메탄설포닐옥시)벤젠, 1,2,3-트리스(p-톨루엔설포닐옥시)벤젠 등의 설폰산에스테르유도체, N-하이드록시석신이미드메탄설폰산에스테르, N-하이드록시석신이미드트리플루오로메탄설폰산에스테르, N-하이드록시석신이미드에탄설폰산에스테르, N-하이드록시석신이미드1-프로판설폰산에스테르, N-하이드록시석신이미드2-프로판설폰산에스테르, N-하이드록시석신이미드1-펜탄설폰산에스테르, N-하이드록시석신이미드1-옥탄설폰산에스테르, N-하이드록시석신이미드p-톨루엔설폰산에스테르, N-하이드록시석신이미드p-메톡시벤젠설폰산에스테르, N-하이드록시석신이미드2-클로로에탄설폰산에스테르, N-하이드록시석신이미드벤젠설폰산에스테르, N-하이드록시석신이미드-2,4,6-트리메틸벤젠설폰산에스테르, N-하이드록시석신이미드1-나프탈렌설폰산에스테르, N-하이드록시석신이미드2-나프탈렌설폰산에스테르, N-하이드록시-2-페닐석신이미드메탄설폰산에스테르, N-하이드록시말레이미드메탄설폰산에스테르, N-하이드록시말레이미드에탄설폰산에스테르, N-하이드록시-2-페닐말레이미드메탄설폰산에스테르, N-하이드록시글루타르이미드메탄설폰산에스테르, N-하이드록시글루타르이미드벤젠설폰산에스테르, N-하이드록시프탈이미드메탄설폰산에스테르, N-하이드록시프탈이미드벤젠설폰산에스테르, N-하이드록시프탈이미드트리플루오로메탄설폰산에스테르, N-하이드록시프탈이미드p-톨루엔설폰산에스테르, N-하이드록시나프탈이미드메탄설폰산에스테르, N-하이드록시나프탈이미드벤젠설폰산에스테르, N-하이드록시-5-노보넨-2,3-디카르복시이미드메탄설폰산에스테르, N-하이드록시-5-노보넨-2,3-디카르복시이미드트리플루오로메탄설폰산에스테르, N-하이드록시-5-노보넨-2,3-디카르복시이미드p-톨루엔설폰산에스테르 등의 N-하이드록시이미드 화합물의 설폰산에스테르유도체 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 특히, 트리플루오로메탄설폰산트리페닐설포늄, 트리플루오로메탄설폰산(p-tert-부톡시페닐)디페닐설포늄, 트리플루오로메탄설폰산트리스(p-tert-부톡시페닐)설포늄, p-톨루엔설폰산트리페닐설포늄, p-톨루엔설폰산(p-tert-부톡시페닐)디페닐설포늄, p-톨루엔설폰산트리스(p-tert-부톡시페닐)설포늄, 트리플루오로메탄설폰산트리나프틸설포늄, 트리플루오로메탄설폰산시클로헥실메틸(2-옥소시클로헥실)설포늄, 트리플루오로메탄설폰산(2-노보닐)메틸(2-옥소시클로헥실)설포늄, 1,2'-나프틸카르보닐메틸테트라하이드로티오페늄트리플레이트 등의 오늄염, 비스(벤젠설포닐)디아조메탄, 비스(p-톨루엔설포닐)디아조메탄, 비스(시클로헥실설포닐)디아조메탄, 비스(n-부틸설포닐)디아조메탄, 비스(이소부틸설포닐)디아조메탄, 비스(sec-부틸설포닐)디아조메탄, 비스(n-프로필설포닐)디아조메탄, 비스(이소프로필설포닐)디아조메탄, 비스(tert-부틸설포닐)디아조메탄 등의 디아조메탄유도체, 비스-(p-톨루엔설포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-(n-부탄설포닐)-α-디메틸글리옥심 등의 글리옥심유도체, 비스나프틸설포닐메탄 등의 비스설폰유도체, N-하이드록시석신이미드메탄설폰산에스테르, N-하이드록시석신이미드트리플루오로메탄설폰산에스테르, N-하이드록시석신이미드1-프로판설폰산에스테르, N-하이드록시석신이미드2-프로판설폰산에스테르, N-하이드록시석신이미드1-펜탄설폰산에스테르, N-하이드록시석신이미드p-톨루엔설폰산에스테르, N-하이드록시나프탈이미드메탄설폰산에스테르, N-하이드록시나프탈이미드벤젠설폰산에스테르 등의 N-하이드록시이미드 화합물의 설폰산에스테르유도체가 바람직하게 이용된다.
본 실시형태의 리소그래피용 하층막 형성용 조성물에 있어서, 산발생제의 함유량은, 특별히 한정되지 않으나, 상기 리소그래피용 하층막 형성재료 100질량부에 대하여, 0.1~50질량부인 것이 바람직하고, 0.5~40질량부인 것이 보다 바람직하고, 1.0~30질량부인 것이 더욱 바람직하다. 상기 범위로 함으로써, 산발생량이 많아져 가교반응이 높아지는 경향이 있으며, 또한, 레지스트층과의 믹싱현상의 발생이 억제되는 경향이 있다.
나아가, 본 실시형태의 리소그래피용 하층막 형성용 조성물은, 보존안정성을 향상시키는 등의 관점에서, 염기성 화합물을 함유할 수도 있다.
[염기성 화합물]
염기성 화합물은, 산발생제로부터 미량으로 발생한 산이 가교반응을 진행시키는 것을 방지하기 위한, 산에 대한 ??쳐의 역할을 한다. 이러한 염기성 화합물로는, 제1급, 제2급, 제3급의 지방족 아민류, 혼성아민류, 방향족 아민류, 복소환아민류, 카르복시기를 갖는 함질소 화합물, 설포닐기를 갖는 함질소 화합물, 수산기를 갖는 함질소 화합물, 하이드록시페닐기를 갖는 함질소 화합물, 알코올성 함질소 화합물, 아미드유도체, 이미드유도체 등을 들 수 있으나, 이것들로 특별히 한정되지 않는다.
구체적으로는, 제1급의 지방족 아민류의 구체예로는, 암모니아, 메틸아민, 에틸아민, n-프로필아민, 이소프로필아민, n-부틸아민, 이소부틸아민, sec-부틸아민, tert-부틸아민, 펜틸아민, tert-아밀아민, 시클로펜틸아민, 헥실아민, 시클로헥실아민, 헵틸아민, 옥틸아민, 노닐아민, 데실아민, 도데실아민, 세틸아민, 메틸렌디아민, 에틸렌디아민, 테트라에틸렌펜타민 등이 예시된다. 제2급의 지방족 아민류의 구체예로는, 디메틸아민, 디에틸아민, 디-n-프로필아민, 디이소프로필아민, 디-n-부틸아민, 디이소부틸아민, 디-sec-부틸아민, 디펜틸아민, 디시클로펜틸아민, 디헥실아민, 디시클로헥실아민, 디헵틸아민, 디옥틸아민, 디노닐아민, 디데실아민, 디도데실아민, 디세틸아민, N,N-디메틸메틸렌디아민, N,N-디메틸에틸렌디아민, N,N-디메틸테트라에틸렌펜타민 등이 예시된다. 제3급의 지방족 아민류의 구체예로는, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리-n-프로필아민, 트리이소프로필아민, 트리-n-부틸아민, 트리이소부틸아민, 트리-sec-부틸아민, 트리펜틸아민, 트리시클로펜틸아민, 트리헥실아민, 트리시클로헥실아민, 트리헵틸아민, 트리옥틸아민, 트리노닐아민, 트리데실아민, 트리도데실아민, 트리세틸아민, N,N,N',N'-테트라메틸메틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라메틸테트라에틸렌펜타민 등이 예시된다.
또한, 혼성아민류의 구체예로는, 예를 들어 디메틸에틸아민, 메틸에틸프로필아민, 벤질아민, 페네틸아민, 벤질디메틸아민 등이 예시된다. 방향족 아민류 및 복소환아민류의 구체예로는, 아닐린유도체(예를 들어 아닐린, N-메틸아닐린, N-에틸아닐린, N-프로필아닐린, N,N-디메틸아닐린, 2-메틸아닐린, 3-메틸아닐린, 4-메틸아닐린, 에틸아닐린, 프로필아닐린, 트리메틸아닐린, 2-니트로아닐린, 3-니트로아닐린, 4-니트로아닐린, 2,4-디니트로아닐린, 2,6-디니트로아닐린, 3,5-디니트로아닐린, N,N-디메틸톨루이딘 등), 디페닐(p-톨릴)아민, 메틸디페닐아민, 트리페닐아민, 페닐렌디아민, 나프틸아민, 디아미노나프탈렌, 피롤유도체(예를 들어 피롤, 2H-피롤, 1-메틸피롤, 2,4-디메틸피롤, 2,5-디메틸피롤, N-메틸피롤 등), 옥사졸유도체(예를 들어 옥사졸, 이소옥사졸 등), 티아졸유도체(예를 들어 티아졸, 이소티아졸 등), 이미다졸유도체(예를 들어이미다졸, 4-메틸이미다졸, 4-메틸-2-페닐이미다졸 등), 피라졸유도체, 푸라잔유도체, 피롤린유도체(예를 들어 피롤린, 2-메틸-1-피롤린 등), 피롤리딘유도체(예를 들어 피롤리딘, N-메틸피롤리딘, 피롤리디논, N-메틸피롤리돈 등), 이미다졸린유도체, 이미다졸리딘유도체, 피리딘유도체(예를 들어 피리딘, 메틸피리딘, 에틸피리딘, 프로필피리딘, 부틸피리딘, 4-(1-부틸펜틸)피리딘, 디메틸피리딘, 트리메틸피리딘, 트리에틸피리딘, 페닐피리딘, 3-메틸-2-페닐피리딘, 4-tert-부틸피리딘, 디페닐피리딘, 벤질피리딘, 메톡시피리딘, 부톡시피리딘, 디메톡시피리딘, 1-메틸-2-피리돈, 4-피롤리디노피리딘, 1-메틸-4-페닐피리딘, 2-(1-에틸프로필)피리딘, 아미노피리딘, 디메틸아미노피리딘 등), 피리다진유도체, 피리미딘유도체, 피라진유도체, 피라졸린유도체, 피라졸리딘유도체, 피페리딘유도체, 피페라진유도체, 모르폴린유도체, 인돌유도체, 이소인돌유도체, 1H-인다졸유도체, 인돌린유도체, 퀴놀린유도체(예를 들어 퀴놀린, 3-퀴놀린카르보니트릴 등), 이소퀴놀린유도체, 신놀린유도체, 퀴나졸린유도체, 퀴녹살린유도체, 프탈라진유도체, 푸린유도체, 프테리딘유도체, 카바졸유도체, 페난트리딘유도체, 아크리딘유도체, 페나진유도체, 1,10-페난트롤린유도체, 아데닌유도체, 아데노신유도체, 구아닌유도체, 구아노신유도체, 우라실유도체, 우리딘유도체 등이 예시된다.
나아가, 카르복시기를 갖는 함질소 화합물의 구체예로는, 예를 들어 아미노안식향산, 인돌카르본산, 아미노산유도체(예를 들어 니코틴산, 알라닌, 아르지닌, 아스파라긴산, 글루타민산, 글리신, 히스티딘, 이소류신, 글리실류신, 류신, 메티오닌, 페닐알라닌, 트레오닌, 라이신, 3-아미노피라진-2-카르본산, 메톡시알라닌) 등이 예시된다. 설포닐기를 갖는 함질소 화합물의 구체예로는, 3-피리딘설폰산, p-톨루엔설폰산피리디늄 등이 예시된다. 수산기를 갖는 함질소 화합물, 하이드록시페닐기를 갖는 함질소 화합물, 알코올성 함질소 화합물의 구체예로는, 2-하이드록시피리딘, 아미노크레졸, 2,4-퀴놀린디올, 3-인돌메탄올하이드레이트, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, N-에틸디에탄올아민, N,N-디에틸에탄올아민, 트리이소프로판올아민, 2,2'-이미노디에탄올, 2-아미노에탄올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 4-(2-하이드록시에틸)모르폴린, 2-(2-하이드록시에틸)피리딘, 1-(2-하이드록시에틸)피페라진, 1-[2-(2-하이드록시에톡시)에틸]피페라진, 피페리딘에탄올, 1-(2-하이드록시에틸)피롤리딘, 1-(2-하이드록시에틸)-2-피롤리디논, 3-피페리디노-1,2-프로판디올, 3-피롤리디노-1,2-프로판디올, 8-하이드록시유롤리딘 3-퀴누클리디놀, 3-트로판올, 1-메틸-2-피롤리딘에탄올, 1-아지리딘에탄올, N-(2-하이드록시에틸)프탈이미드, N-(2-하이드록시에틸)이소니코틴아미드 등이 예시된다. 아미드유도체의 구체예로는, 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 프로피온아미드, 벤즈아미드 등이 예시된다. 이미드유도체의 구체예로는, 프탈이미드, 석신이미드, 말레이미드 등이 예시된다.
본 실시형태의 리소그래피용 하층막 형성용 조성물에 있어서, 염기성 화합물의 함유량은, 특별히 한정되지 않으나, 상기 리소그래피용 하층막 형성재료 100질량부에 대하여, 0.001~2질량부인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.01~1질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.05~0.5질량부인 것이 더욱 바람직하다. 상기 범위로 함으로써, 가교반응을 과도하게 손상시키는 일 없이 보존안정성이 높아지는 경향이 있다.
[기타 성분]
또한, 본 실시형태의 리소그래피용 하층막 형성용 조성물은, 열경화성의 부여나 흡광도를 컨트롤하는 목적으로, 다른 수지 및/또는 화합물을 함유할 수도 있다. 이러한 다른 수지 및/또는 화합물로는, 나프톨수지, 자일렌수지 나프톨변성 수지, 나프탈렌수지의 페놀변성 수지, 폴리하이드록시스티렌, 디시클로펜타디엔수지, (메트)아크릴레이트, 디메타크릴레이트, 트리메타크릴레이트, 테트라메타크릴레이트, 비닐나프탈렌, 폴리아세나프틸렌 등의 나프탈렌환, 페난트렌퀴논, 플루오렌 등의 비페닐환, 티오펜, 인덴 등의 헤테로원자를 갖는 복소환을 포함하는 수지나 방향족 환을 포함하지 않는 수지; 로진계 수지, 시클로덱스트린, 아다만탄(폴리)올, 트리시클로데칸(폴리)올 및 이들 유도체 등의 지환구조를 포함하는 수지 또는 화합물 등을 들 수 있으나, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 나아가, 본 실시형태의 리소그래피용 하층막 형성용 조성물은, 당업계에서 공지의 첨가제, 예를 들어, 자외선흡수제, 계면활성제, 착색제, 비이온계 계면활성제 등을 함유할 수도 있다.
[리소그래피용 하층막 및 다층레지스트패턴의 형성방법]
본 실시형태의 리소그래피용 하층막은, 상기 서술한 리소그래피용 하층막 형성용 조성물을 이용하여 형성되는 것이다.
또한, 본 실시형태의 다층레지스트패턴의 형성방법은, 기판 상에, 상기 서술한 리소그래피용 하층막 형성용 조성물을 이용하여 하층막을 형성하고, 이 하층막 상에, 적어도 1층의 포토레지스트층을 형성한 후, 이 포토레지스트층의 소요의 영역에 방사선을 조사하고, 현상을 행할 수 있다.
나아가, 본 실시형태의 다층레지스트패턴의 형성방법은, 기판 상에, 상기 서술한 리소그래피용 하층막 형성재료를 이용하여 하층막을 형성하고, 이 하층막 상에, 규소원자를 함유하는 레지스트 중간층막 재료를 이용하여 중간층막을 형성하고, 이 중간층막 상에, 적어도 1층의 포토레지스트층을 형성한 후, 이 포토레지스트층의 소요의 영역에 방사선을 조사하고, 현상하여 레지스트패턴을 형성 후, 이 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 중간층막을 에칭하고, 얻어진 중간층막 패턴을 에칭마스크로 하여 상기 하층막을 에칭하고, 얻어진 하층막 패턴을 에칭마스크로 하여 기판을 에칭함으로써 기판에 패턴을 형성할 수 있다.
본 실시형태의 리소그래피용 하층막은, 상기 서술한 리소그래피용 하층막 형성용 조성물로부터 형성되는 것이면, 그 형성방법은 특별히 한정되지 않고, 당업계에서 공지의 수법을 적용할 수 있다. 예를 들어, 상기 서술한 리소그래피용 하층막 형성용 조성물을 스핀코트나 스크린인쇄 등의 공지의 도포법 혹은 인쇄법 등으로 기판 상에 부여한 후, 유기용매를 휘발시키는 등 하여 제거함으로써, 하층막을 형성할 수 있다. 하층막의 형성시에는, 상층레지스트와의 믹싱현상의 발생을 억제함과 함께 가교반응을 촉진시키기 위하여, 베이크를 하는 것이 바람직하다. 이 경우, 베이크온도는, 특별히 한정되지 않으나, 80~450℃의 범위내인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 200~400℃이다. 또한, 베이크시간도, 특별히 한정되지 않으나, 10~300초의 범위내인 것이 바람직하다. 또한, 하층막의 두께는, 요구성능에 따라 적당히 선정할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 통상, 30~20,000nm 정도인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50~15,000nm로 하는 것이 바람직하다. 하층막을 제작한 후, 2층 프로세스의 경우는 그 위에 규소함유 레지스트층, 혹은 통상의 탄화수소로 이루어진 단층레지스트, 3층 프로세스의 경우는 그 위에 규소함유 중간층, 다시 그 위에 규소를 포함하지 않는 단층레지스트층을 제작한다. 이 경우, 이 레지스트층을 형성하기 위한 포토레지스트 재료로는 공지의 것을 사용할 수 있다.
기판 상에 하층막을 제작한 후, 2층 프로세스의 경우는 그 하층막 상에 규소함유 레지스트층 혹은 통상의 탄화수소로 이루어진 단층레지스트를, 3층 프로세스의 경우는 그 하층막 상에 규소함유 중간층, 다시 그 규소함유 중간층 상에 규소를 포함하지 않는 단층레지스트층을 제작할 수 있다. 이들 경우에 있어서, 레지스트층을 형성하기 위한 포토레지스트 재료는, 공지의 것으로부터 적당히 선택하여 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다.
2층 프로세스용의 규소함유 레지스트재료로는, 산소가스 에칭내성의 점에서, 베이스폴리머로서 폴리실세스퀴옥산유도체 또는 비닐실란유도체 등의 규소원자함유 폴리머를 사용하고, 다시 유기용매, 산발생제, 필요에 따라 염기성 화합물 등을 포함하는 포지티브형의 포토레지스트 재료가 바람직하게 이용된다. 여기서 규소원자함유 폴리머로는, 이러한 레지스트재료에 있어서 이용되고 있는 공지의 폴리머를 사용할 수 있다.
3층 프로세스용의 규소함유 중간층로는 폴리실세스퀴옥산 베이스의 중간층이 바람직하게 이용된다. 중간층에 반사방지막으로서 효과를 갖도록 함으로써, 반사를 억제할 수 있다. 예를 들어 193nm 노광용 프로세스에 있어서, 하층막으로서 방향족기를 많이 포함하고 기판에칭내성이 높은 재료를 이용하면, k값이 높아지고, 기판반사가 높아지는 경향이 있으나, 중간층에서 반사를 억제함으로써, 기판반사를 0.5% 이하로 할 수 있다. 이러한 반사방지효과가 있는 중간층으로는, 193nm 노광용으로는 페닐기 또는 규소-규소결합을 갖는 흡광기가 도입된, 산 혹은 열로 가교하는 폴리실세스퀴옥산이 바람직하게 이용된다.
또한, Chemical Vapour Deposition(CVD)법으로 형성한 중간층을 이용할 수도 있다. CVD법으로 제작한 반사방지막으로서의 효과가 높은 중간층으로는, 예를 들어 SiON막이 알려져 있다. 일반적으로는, CVD법보다 스핀코트법이나 스크린인쇄 등의 습식 프로세스에 의한 중간층의 형성이, 간편하고 비용적인 메리트가 있다. 또한, 3층 프로세스에 있어서의 상층레지스트는, 포지티브형이나 네가티브형이나 어느 쪽이어도 되고, 또한, 통상 이용되고 있는 단층레지스트와 동일한 것을 이용할 수 있다.
나아가, 본 실시형태의 하층막은, 통상의 단층레지스트용 반사방지막 혹은 패턴붕괴억제를 위한 하지재로서 이용할 수도 있다. 본 실시형태의 하층막은, 하지가공을 위한 에칭내성이 우수하므로, 하지가공을 위한 하드마스크로서의 기능도 기대할 수 있다.
상기 포토레지스트 재료에 의해 레지스트층을 형성하는 경우에 있어서는, 상기 하층막을 형성하는 경우와 마찬가지로, 스핀코트법이나 스크린인쇄 등의 습식 프로세스가 바람직하게 이용된다. 또한, 레지스트재료를 스핀코트법 등으로 도포한 후, 통상, 프리베이크가 행해지나, 이 프리베이크는, 80~180℃에서 10~300초의 범위에서 행하는 것이 바람직하다. 그 후, 상법에 따라서, 노광을 행하고, 포스트 익스포져 베이크(PEB), 현상을 행함으로써, 레지스트패턴을 얻을 수 있다. 또한, 레지스트막의 두께는 특별히 제한되지 않으나, 일반적으로는, 30~500nm가 바람직하고, 보다 바람직하게는 50~400nm이다.
또한, 노광광은, 사용하는 포토레지스트 재료에 따라 적당히 선택하여 이용하면 된다. 일반적으로는, 파장 300nm 이하의 고에너지선, 구체적으로는 248nm, 193nm, 157nm의 엑시머 레이저, 3~20nm의 연X선, 전자빔, X선 등을 들 수 있다.
상기의 방법에 의해 형성되는 레지스트패턴은, 본 실시형태의 하층막에 의해 패턴붕괴가 억제된 것이 된다. 이 때문에, 본 실시형태의 하층막을 이용함으로써, 보다 미세한 패턴을 얻을 수 있고, 또한, 그 레지스트패턴을 얻기 위하여 필요한 노광량을 저하시킬 수 있다.
이어서, 얻어진 레지스트패턴을 마스크로 하여 에칭을 행한다. 2층 프로세스에 있어서의 하층막의 에칭으로는, 가스에칭이 바람직하게 이용된다. 가스에칭으로는, 산소가스를 이용한 에칭이 호적하다. 산소가스에 더하여, He, Ar 등의 불활성 가스나, CO, CO2, NH3, SO2, N2, NO2, H2가스를 첨가하는 것도 가능하다. 또한, 산소가스를 이용하지 않고, CO, CO2, NH3, N2, NO2, H2가스만으로 가스에칭을 행할 수도 있다. 특히 후자의 가스는, 패턴측벽의 언더컷 방지를 위한 측벽보호를 위하여 이용된다. 한편, 3층 프로세스에 있어서의 중간층의 에칭에 있어서도, 가스에칭이 바람직하게 이용된다. 가스에칭으로는, 상기의 2층 프로세스에 있어서 설명한 것과 동일한 것이 적용가능하다. 특히, 3층 프로세스에 있어서의 중간층의 가공은, 프론계의 가스를 이용하여 레지스트패턴을 마스크로 하여 행하는 것이 바람직하다. 그 후, 상기 서술한 바와 같이 중간층패턴을 마스크로 하여, 예를 들어 산소가스에칭을 행함으로써, 하층막의 가공을 행할 수 있다.
여기서 중간층으로서, 무기 하드마스크 중간층막을 형성하는 경우는, CVD법이나 ALD법 등으로, 규소산화막, 규소질화막, 규소산화질화막(SiON막)이 형성된다. 질화막의 형성방법으로는, 예를 들어, 일본특허공개 2002-334869호 공보(특허문헌 6), WO2004/066377(특허문헌 7)에 기재되어 있다.
이러한 중간층막 상에 직접 포토레지스트막을 형성할 수 있으나, 중간층막 상에 유기반사방지막(BARC)을 스핀코트로 형성하고, 그 위에 포토레지스트막을 형성할 수도 있다.
중간층으로서, 폴리실세스퀴옥산 베이스의 중간층도 바람직하게 이용된다. 레지스트 중간층막에 반사방지막으로서 효과를 갖도록 함으로써, 반사를 억제할 수 있다. 폴리실세스퀴옥산 베이스의 중간층의 재료에 대해서는, 예를 들어, 구체적으로는, 일본특허공개 2007-226170호(상기 서술한 특허문헌 8), 일본특허공개 2007-226204호(상기 서술한 특허문헌 9)에 기재되어 있다.
또한, 다음의 기판의 에칭도, 상법에 따라 행할 수 있고, 예를 들어 기판이 SiO2, SiN이면 프론계 가스를 주체로 한 에칭, p-Si나 Al, W에서는 염소계, 브롬계 가스를 주체로 한 에칭을 행할 수 있다. 기판 가공을 프론계 가스로 에칭한 경우, 2층 레지스트 프로세스의 규소함유 레지스트와 3층 프로세스의 규소함유 중간층은, 기판 가공과 동시에 박리된다. 한편, 염소계 혹은 브롬계 가스로 기판을 에칭한 경우는, 규소함유 레지스트층 또는 규소함유 중간층의 박리가 별도 행해지고, 일반적으로는, 기판 가공 후에 프론계 가스에 의한 드라이에칭박리가 행해진다.
본 실시형태의 하층막은, 이들 기판의 에칭내성이 우수하다.
또한, 기판은, 당업계에서 공지의 것을 적당히 선택하여 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, Si, α-Si, p-Si, SiO2, SiN, SiON, W, TiN, Al 등을 들 수 있다. 또한, 기판은, 기재(지지체) 상에 피가공막(피가공기판)을 갖는 적층체일 수도 있다. 이러한 피가공막으로는, Si, SiO2, SiON, SiN, p-Si, α-Si, W, W-Si, Al, Cu, Al-Si 등 다양한 Low-k막 및 그 스토퍼막 등을 들 수 있고, 통상, 기재(지지체)와는 상이한 재질의 것이 이용된다. 또한, 가공대상이 되는 기판 혹은 피가공막의 두께는, 특별히 한정되지 않으나, 통상, 50~10,000nm 정도인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 75~5,000nm이다.
[화합물 또는 수지의 정제방법]
본 실시형태에 있어서의 화합물 또는 수지의 정제방법은, 물과 임의로 혼화하지 않는 유기용매 및 상기 식(1)로 표시되는 화합물 또는 이 화합물을 모노머로서 얻어지는 수지를 포함하는 용액(이하, 용액(A)이라 칭하기도 함)과, 산성의 수용액을 접촉시켜 추출하는 공정을 포함한다. 본 실시형태의 정제방법에 따르면, 상기 화합물 또는 상기 수지에 불순물로서 포함될 수 있는 다양한 금속의 함유량을 저감할 수 있다.
보다 상세하게는, 본 실시형태에 있어서는, 상기 화합물 또는 상기 수지를 물과 임의로 혼화하지 않는 유기용매에 용해시키고, 다시 그 용액을 산성 수용액과 접촉시켜 추출처리를 행하는 것으로 할 수 있다. 이에 따라, 상기 화합물 또는 상기 수지를 포함하는 용액(A)에 포함되는 금속분을 수상으로 이행시킨 후, 유기상과 수상을 분리하여 금속함유량이 저감된 상기 화합물 또는 상기 수지를 얻을 수 있다.
본 실시형태에서 사용하는 상기 화합물 또는 상기 수지는 단독일 수도 있으나, 2종 이상 혼합할 수도 있다. 또한, 상기 화합물 또는 상기 수지는, 각종 계면활성제, 각종 가교제, 각종 산발생제, 각종 안정제 등을 함유한 것일 수도 있다.
본 발명에서 사용되는 물과 임의로 혼화하지 않는 유기용매로는, 특별히 한정되지 않으나, 반도체제조 프로세스에 안전하게 적용할 수 있는 유기용매가 바람직하다. 사용하는 유기용매의 양은, 상기 화합물 또는 상기 수지에 대하여 통상 1~100질량배 정도 사용된다.
사용되는 용매의 구체예로는, 디에틸에테르, 디이소프로필에테르 등의 에테르류, 아세트산에틸, 아세트산n-부틸, 아세트산이소아밀 등의 에스테르류, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 에틸이소부틸케톤, 시클로헥산온, 시클로헵탄온, 2-헵탄온, 2-헵탄온 등의 케톤류, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 글리콜에테르아세테이트류, n-헥산, n-헵탄 등의 지방족 탄화수소류, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소류, 염화메틸렌, 클로로포름 등의 할로겐화 탄화수소류 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 톨루엔, 2-헵탄온, 시클로헥산온, 시클로헵탄온, 메틸이소부틸케톤, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 아세트산에틸 등이 바람직하고, 메틸이소부틸케톤, 아세트산에틸, 시클로헥산온, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트가 보다 바람직하고, 메틸이소부틸케톤, 아세트산에틸이 보다 더욱 바람직하다. 메틸이소부틸케톤, 아세트산에틸 등은 상기 화합물 또는 상기 수지의 포화용해도가 비교적 높고, 비점이 비교적 낮은 점에서, 공업적으로 용매를 유거하는 경우나 건조에 의해 제거하는 공정에서의 부하를 저감하는 것이 가능해진다.
이들의 용매는 각각 단독으로 이용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 이용할 수도 있다.
본 발명에서 사용되는 산성의 수용액으로는, 일반적으로 알려진 유기, 무기계 화합물을 물에 용해시킨 수용액 중에서 적당히 선택된다. 예를 들어, 염산, 황산, 질산, 인산 등의 무기산을 물에 용해시킨 수용액(무기산 수용액), 또는, 아세트산, 프로피온산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 푸마르산, 말레산, 주석산, 구연산, 메탄설폰산, 페놀설폰산, p-톨루엔설폰산, 트리플루오로아세트산 등의 유기산을 물에 용해시킨 수용액(유기산 수용액)을 들 수 있다. 이들 산성의 수용액은, 각각 단독으로 이용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다. 이들 산성의 수용액 중에서도, 황산, 질산, 및 아세트산, 옥살산, 주석산, 구연산 등의 카르본산의 수용액이 바람직하고, 또한, 황산, 옥살산, 주석산, 구연산의 수용액이 바람직하고, 특히 옥살산의 수용액이 바람직하다. 옥살산, 주석산, 구연산 등의 다가카르본산은 금속이온에 배위하고, 킬레이트효과가 발생하므로, 보다 금속을 제거할 수 있는 것으로 생각된다. 또한, 여기서 이용하는 물은, 본 발명의 목적에 따라, 금속함유량이 적은 것, 예를 들어 이온교환수 등이 바람직하다.
본 발명에서 사용하는 산성의 수용액의 pH는 특별히 제한되지 않으나, 수용액의 산성도가 너무 커지면 상기 화합물 또는 상기 수지에 악영향을 미치는 경우가 있어 바람직하지 않다. 통상, pH범위는 0~5 정도이며, 보다 바람직하게는 pH0~3 정도이다.
본 발명에서 사용하는 산성의 수용액의 사용량은 특별히 제한되지 않으나, 그 양이 너무 적으면, 금속제거를 위한 추출횟수가 많아질 필요가 있으며, 반대로 수용액의 양이 너무 많으면 전체의 액량이 많아지고 조작상의 문제가 발생하는 경우가 있다. 수용액의 사용량은, 통상, 유기용매에 용해한 상기 화합물 또는 상기 수지의 용액에 대하여 10~200질량%이며, 바람직하게는 20~100질량%이다.
본 발명의 정제방법에서는 상기와 같은 산성의 수용액과, 상기 화합물 또는 상기 수지, 및 물과 임의로 혼화하지 않는 유기용매를 포함하는 용액(A)을 접촉시킴으로써 금속분을 추출한다.
본 발명의 정제방법에서는, 상기 용액(A)에, 다시 물과 임의로 혼화하는 유기용매를 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명의 정제방법에 있어서, 용액(A)에 물과 임의로 혼화하는 유기용매를 포함함으로써, 상기 화합물 또는 상기 수지의 투입량을 증가시킬 수 있고, 또한 분액성이 향상되어, 높은 솥효율로 정제를 행할 수 있다. 용액(A)에 물과 임의로 혼화하는 유기용매를 첨가하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 미리 물과 임의로 혼화하는 유기용매를, 물과 임의로 혼화하지 않는 유기용매를 포함하는 용액에 첨가하는 방법; 미리 물과 임의로 혼화하는 유기용매를 물 또는 산성의 수용액에 첨가하는 방법; 물과 임의로 혼화하지 않는 유기용매를 포함하는 용액과 물 또는 산성의 수용액을 접촉시킨 후에 물과 임의로 혼화하는 유기용매를 첨가하는 방법 중 어느 것이나 채용하는 것이 가능하나, 미리 물과 임의로 혼화하는 유기용매를, 물과 임의로 혼화하지 않는 유기용매를 포함하는 용액에 첨가하는 방법이 조작의 작업성이나 투입량의 관리가 용이한 점에서 바람직하다.
상기 “물과 임의로 혼화하는 유기용매”로는, 특별히 한정되지 않으나, 물과 임의로 혼화하고, 반도체 제조프로세스에 안전하게 적용할 수 있는 유기용매가 바람직하다. 상기 “물과 임의로 혼화하는 유기용매”의 함유량은, 용액상과 수상이 분리하는 범위이면 특별히 한정되지 않으나, 사용하는 식(1)로 표시되는 화합물 또는 식(2)로 표시되는 구조를 갖는 수지의 총량에 대하여, 통상 0.1~100질량배 정도 사용할 수 있다.
물과 임의로 혼화하는 유기용매의 구체예로는, 예를 들어, 테트라하이드로푸란, 1,3-디옥솔란 등의 에테르류; 메탄올, 에탄올, 이소프로판올 등의 알코올류; 아세톤, N-메틸피롤리돈 등의 케톤류; 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME), 프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 글리콜에테르류 등의 지방족 탄화수소류를 들 수 있다. 이들 중에서도, N-메틸피롤리돈, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등이 바람직하고, 특히 N-메틸피롤리돈, 프로필렌글리콜모노메틸에테르가 바람직하다. 이들의 용매는 각각 단독으로 이용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 이용할 수도 있다.
본 실시형태에 있어서, 용액(A)과 산성의 수용액의 접촉시, 즉, 추출처리를 행할 때의 온도는 통상, 20~90℃이며, 바람직하게는 30~80℃의 범위이다. 추출조작은, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 교반 등에 의해, 잘 혼합시킨 후, 정치함으로써 행해진다. 이에 따라, 상기 화합물 또는 상기 수지와, 유기용매를 포함하는 용액에 포함되어 있는 금속분이 수상으로 이행한다. 또한, 본 조작에 의해, 용액의 산성도가 저하되어, 상기 화합물 또는 상기 수지의 변질을 억제할 수 있다.
혼합용액은 정치에 의해, 상기 화합물 또는 상기 수지와 유기용매를 포함하는 용액상과, 수상으로 분리하므로, 디캔테이션 등에 의해 상기 화합물 또는 상기 수지와 유기용매를 포함하는 용액을 회수한다. 정치하는 시간은 특별히 한정되지 않으나, 유기용매를 포함하는 용액상과 수상의 분리를 보다 양호하게 하는 관점에서, 해당 정치하는 시간을 조정하는 것이 바람직하다. 통상, 정치하는 시간은 1분간 이상이며, 바람직하게는 10분간 이상이며, 보다 바람직하게는 30분간 이상이다. 또한, 추출처리는 1회만으로도 상관없으나, 혼합, 정치, 분리라는 조작을 복수회 반복하여 행하는 것도 유효하다.
본 실시형태에 있어서, 용액(A)과 산성의 수용액을 접촉시키는 공정에 의한 추출처리를 행한 후, 다시 물에 의한 추출처리를 행하는 공정을 포함하는 것으로 하는 것이 바람직하다. 즉, 산성의 수용액을 이용하여 상기 추출처리를 행한 후에, 이 수용액으로부터 추출되고, 회수된 상기 화합물 또는 상기 수지와 유기용매를 포함하는 용액을, 다시 물에 의한 추출처리에 제공하는 것이 바람직하다. 상기의 물에 의한 추출처리는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 교반 등에 의해, 잘 혼합시킨 후, 정치함으로써 행할 수 있다. 해당 정치후에 얻어지는 용액은, 상기 화합물 또는 상기 수지와 유기용매를 포함하는 용액상과 수상으로 분리하므로 디캔테이션 등에 의해 상기 화합물 또는 상기 수지와 유기용매를 포함하는 용액상을 회수할 수 있다.
또한, 여기서 이용하는 물은, 본 실시형태의 목적에 따라, 금속함유량이 적은 것, 예를 들어 이온교환수 등인 것이 바람직하다. 추출처리는 1회만으로도 상관없으나, 혼합, 정치, 분리라는 조작을 복수회 반복하여 행하는 것도 유효하다. 또한, 추출처리에 있어서의 양자의 사용비율이나, 온도, 시간 등의 조건은 특별히 한정되지 않으나, 앞선 산성의 수용액과의 접촉처리의 경우와 마찬가지로 상관없다.
이리 하여 얻어진 상기 화합물 또는 상기 수지와 유기용매를 포함하는 용액에 혼입할 수 있는 수분에 대해서는, 감압증류 등의 조작을 실시함으로써 용이하게 제거할 수 있다. 또한, 필요에 따라 유기용매를 첨가하고, 상기 화합물 또는 상기 수지의 농도를 임의의 농도로 조정할 수 있다.
얻어진 상기 화합물 또는 상기 수지와 유기용매를 포함하는 용액으로부터, 상기 화합물 또는 상기 수지를 단리하는 방법은, 특별히 한정되지 않고, 감압제거, 재침전에 의한 분리, 및 이들의 조합 등, 공지의 방법으로 행할 수 있다. 필요에 따라, 농축조작, 여과조작, 원심분리조작, 건조조작 등의 공지의 처리를 행할 수 있다.
실시예
이하, 본 발명을 합성예 및 실시예에 의해 더욱 상세히 설명하나, 본 발명은, 이들의 예에 의해 전혀 한정되는 것은 아니다.
(탄소농도 및 산소농도의 측정)
유기원소 분석에 의해 탄소농도 및 산소농도(질량%)를 측정하였다.
장치: CHN코더 MT-6(야나코분석 공업(주)제)
(분자량)
LC-MS분석에 의해, Water사제 Acquity UPLC/MALDI-Synapt HDMS를 이용하여 측정하였다.
(분자량의 측정)
겔침투크로마토그래피(GPC) 분석에 의해, 폴리스티렌 환산의 중량평균 분자량(Mw), 수평균 분자량(Mn)을 구하고, 분산도(Mw/Mn)를 구하였다.
장치: Shodex GPC-101형(쇼와덴코(주)제)
칼럼: KF-80M×3
용리액: THF 1ml/min
온도: 40℃
(내열성의 평가)
SII·나노테크놀로지사제 EXSTAR6000DSC장치를 사용하고, 시료 약 5mg을 알루미늄제 비밀봉용기에 넣고, 질소가스(30ml/min) 기류중 승온속도 10℃/min로 500℃까지 승온하였다. 그때, 베이스라인에 감소부분이 나타나는 온도를 열분해온도(Tg)로 하고, 이하의 기준으로 내열성을 평가하였다.
평가A: 열분해온도가 ≥≥150℃
평가C: 열분해온도가 <150℃
(용매용해성의 평가)
23℃에서, 화합물을 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME)에 대하여 5질량% 용액이 되도록 용해시키고, 그 후, 5℃에서 30일간 정치하고, 결과를 이하의 기준으로 평가하였다.
평가A: 육안으로 석출물 없음을 확인
평가C: 육안으로 석출물 있음을 확인
(제조예 1) BisF-1의 합성
교반기, 냉각관 및 뷰렛을 구비한 내용적 200mL의 용기를 준비하였다. 이 용기에, 4,4'-비페놀(도쿄화성사제 시약) 30g(161mmol)과, 4-비페닐알데히드(미쯔비시가스화학사제) 15g(82mmol)과, 아세트산부틸 100mL를 투입하고, p-톨루엔설폰산(관동화학사제 시약) 3.9g(21mmol)을 첨가하여, 반응액을 조제하였다. 이 반응액을 90℃에서 3시간 교반하여 반응을 행하였다. 이어서, 반응액을 농축하고, 헵탄 50g을 첨가하여 반응생성물을 석출시키고, 실온까지 냉각한 후, 여과를 행하여 분리하였다. 여과에 의해 얻어진 고형물을 건조시킨 후, 칼럼크로마토에 의한 분리정제를 행함으로써, 하기 식으로 표시되는 목적화합물(BisF-1) 5.8g을 얻었다.
또한, 400MHz-1H-NMR에 의해 이하의 피크가 발견되고, 하기 식의 화학구조를 갖는 것을 확인하였다.
1H-NMR: (d-DMSO, 내부표준TMS)
δ(ppm)9.4(4H,O-H), 6.8~7.8(22H,Ph-H), 6.2(1H,C-H)
얻어진 화합물에 대하여, 상기 방법에 의해 분자량을 측정한 결과, 536이었다.
[화학식 54]
Figure pct00054
(제조예 2) BisF-2의 합성
4,4'-비페놀을 2,2'-비페놀로 변경한 것 이외는, 제조예 1과 동일하게 하고, 하기 식으로 표시되는 목적혼합물(BisF-2)을 3.0g 얻었다.
또한, 400MHz-1H-NMR에 의해 이하의 피크가 발견되고, 하기 식의 화학구조를 갖는 것을 확인하였다.
1H-NMR: (d-DMSO, 내부표준TMS)
δ(ppm)9.3(4H,O-H), 6.8~7.8(22H,Ph-H), 6.3(1H,C-H)
얻어진 화합물에 대하여, 상기 방법에 의해 분자량을 측정한 결과, 536이었다.
[화학식 55]
Figure pct00055
(BisF-2)
(합성실시예 1) BisF-1-CH4의 합성
교반기, 냉각관 및 뷰렛을 구비한 내용적 1000mL의 용기에, 상기에서 얻어진 BisF-1을 6.7g(12.5mmol)과, 탄산칼륨을 108g(810mmol)과, 디메틸포름아미드 200mL를 투입하고, 브로모시클로헥산 250g(1.53mol)을 첨가하여, 반응액을 110℃에서 24시간 교반하여 반응을 행하였다. 이어서, 반응액을 농축하고, 순수 500g을 첨가하여 반응생성물을 석출시키고, 실온까지 냉각한 후, 여과를 행하여 분리하였다. 얻어진 고형물을 여과하고, 건조시킨 후, 칼럼크로마토에 의한 분리정제를 행함으로써, 하기 식으로 표시되는 목적화합물(BisF-1-CH4)을 5.0g 얻었다.
얻어진 화합물에 대하여, 상기 측정조건으로 NMR측정을 행한 결과, 이하의 피크가 발견되고, 하기 식의 화학구조를 갖는 것을 확인하였다.
1H-NMR: (d-DMSO, 내부표준TMS)
δ(ppm)6.8~7.8(22H,Ph-H), 6.2(1H,C-H), 1.4~4.5(44H,Cy-H)/Cy-H
얻어진 BisF-1-CH4의 분자량은, 865였다. 또한, 탄소농도는 84.7질량%, 산소농도는 7.4질량%였다.
[화학식 56]
Figure pct00056
(BisF-1-CH4)
(합성실시예 2) BisF-1-CH2의 합성
탄산칼륨을 54g(405mmol), 브로모시클로헥산을 125g(0.77mol)으로 변경한 것 이외는, 합성실시예 1과 동일하게 하고, 하기 식으로 표시되는 목적혼합물(BisF-1-CH2)을 2.0g 얻었다.
얻어진 화합물에 대하여, 상기 측정조건으로 NMR측정을 행한 결과, 이하의 피크가 발견되고, 하기 식의 화학구조를 갖는 것을 확인하였다.
1H-NMR: (d-DMSO, 내부표준TMS)
δ(ppm)9.4(2H,O-H), 6.8~7.8(22H,Ph-H), 6.2(1H,C-H), 1.4~4.5(22H,Cy-H)/Cy-H
[화학식 57]
Figure pct00057
(BisF-1-CH2)
(합성실시예 3) BisF-1-ME4의 합성
브로모시클로헥산을 요오드화메틸 217g(1.53mol)으로 변경한 것 이외는, 합성실시예 1과 동일하게 하고, 하기 식으로 표시되는 목적화합물(BisF-1-ME4)을 2.0g 얻었다.
얻어진 화합물에 대하여, 상기 측정조건으로 NMR측정을 행한 결과, 이하의 피크가 발견되고, 하기 식의 화학구조를 갖는 것을 확인하였다.
1H-NMR: (d-DMSO, 내부표준TMS)
δ(ppm)6.8~7.8(22H,Ph-H), 6.2(1H,C-H), 3.8(12H,CH3)
얻어진 BisF-2-ME4의 분자량은, 592였다. 또한, 탄소농도는 83.1질량%, 산소농도는 10.8질량%였다.
[화학식 58]
Figure pct00058
(BisF-1-ME4)
(합성실시예 4) BisF-1-PH4의 합성
교반기, 냉각관 및 뷰렛을 구비한 내용적 1000mL의 용기에, 상기 서술에서 얻어진 BisF-1: 3.4g(6.3mmol)과, 탄산세슘 26g(80mmol)과, 요오드화구리 0.8g(4mmol)과, 디메틸글리신염산염 1.7g(12mmol)과, 디옥산 80mL를 투입하고, 요오드화벤젠 8.2g(40mmol)을 첨가하여, 반응액을 90℃에서 96시간 교반하여 반응을 행하였다. 이어서, 아세트산에틸 500mL를 첨가하여 반응생성물을 석출시키고, 실온까지 냉각한 후, 여과를 행하여 분리하였다. 얻어진 고형물을 여과하고, 건조시킨 후, 칼럼크로마토에 의한 분리정제를 행함으로써, 하기 식으로 표시되는 목적화합물(BisF-1-PH4) 1.9g을 얻었다.
얻어진 화합물에 대하여, 상기 측정조건으로 NMR측정을 행한 결과, 이하의 피크가 발견되고, 하기 식의 화학구조를 갖는 것을 확인하였다.
1H-NMR: (d-DMSO, 내부표준TMS)
δ(ppm)6.8~7.8(42H,Ph-H), 6.2(1H,C-H)
얻어진 BisF-1-PH4의 분자량은, 840이었다. 또한, 탄소농도는 87.1질량%, 산소농도는 7.6질량%였다.
[화학식 59]
Figure pct00059
(BisF-1-PH4)
(합성실시예 5) BisF-2-CH4의 합성
BisF-1을 BisF-2로 변경한 것 이외는, 합성실시예 1과 동일하게 하고, 하기 식으로 표시되는 목적물(BisF-2-CH4)을 2.0g 얻었다.
얻어진 화합물에 대하여, 상기 측정조건으로 NMR측정을 행한 결과, 이하의 피크가 발견되고, 하기 식의 화학구조를 갖는 것을 확인하였다.
1H-NMR: (d-DMSO, 내부표준TMS)
δ(ppm)6.8~7.8(22H,Ph-H), 6.3(1H,C-H), 1.4~4.5(44H,Cy-H)/Cy-H
얻어진 BisF-2-CH4의 분자량은, 865였다. 또한, 탄소농도는 84.7질량%, 산소농도는 7.4질량%였다.
[화학식 60]
Figure pct00060
(BisF-2-CH4)
(제조예 3)
딤로스냉각관, 온도계 및 교반날개를 구비한, 바닥부 분리가 가능한 내용적 10L의 4개구 플라스크를 준비하였다. 이 4개구 플라스크에, 질소기류 중, 1,5-디메틸나프탈렌 1.09kg(7mol, 미쯔비시가스화학(주)제), 40질량% 포르말린 수용액 2.1kg(포름알데히드로서 28mol, 미쯔비시가스화학(주)제) 및 98질량% 황산(관동화학(주)제) 0.97mL를 투입하고, 상압하, 100℃에서 환류시키면서 7시간 반응시켰다. 그 후, 희석용매로서 에틸벤젠(와코순약공업(주)제 시약특급) 1.8kg을 반응액에 첨가하고, 정치 후, 하상의 수상을 제거하였다. 나아가, 중화 및 수세를 행하고, 에틸벤젠 및 미반응의 1,5-디메틸나프탈렌을 감압하에서 유거함으로써, 담갈색 고체의 디메틸나프탈렌포름알데히드 수지 1.25kg을 얻었다.
얻어진 디메틸나프탈렌포름알데히드 수지의 분자량은, Mn: 562, Mw: 1168, Mw/Mn: 2.08이었다. 또한, 탄소농도는 84.2질량%, 산소농도는 8.3질량%였다.
계속해서, 딤로스냉각관, 온도계 및 교반날개를 구비한 내용적 0.5L의 4개구 플라스크를 준비하였다. 이 4개구 플라스크에, 질소기류하에서, 상기와 같이 하여 얻어진 디메틸나프탈렌포름알데히드 수지 100g(0.51mol)과 파라톨루엔설폰산 0.05g을 투입하고, 190℃까지 승온시켜 2시간 가열한 후, 교반하였다. 그 후 다시, 1-나프톨 52.0g(0.36mol)을 첨가하고, 다시 220℃까지 승온시켜 2시간 반응시켰다. 용제희석 후, 중화 및 수세를 행하고, 용제를 감압하에서 제거함으로써, 흑갈색 고체의 변성 수지(CR-1) 126.1g을 얻었다.
얻어진 수지(CR-1)는, Mn: 885, Mw: 2220, Mw/Mn: 4.17이었다. 또한, 탄소농도는 89.1질량%, 산소농도는 4.5질량%였다.
(실시예 1~5, 비교예 1~2)
상기 BisF-1-CH4, BisF-1-CH2, BisF-1-ME4, BisF-1-PH4, BisF-2-CH4, BisF-1 및 CR-1을 이용하여 내열성의 평가 및 용매용해성의 평가를 행하였다. 결과를 제1표에 나타낸다.
또한, 제1표에 나타낸 조성의 리소그래피용 하층막 형성용 조성물을 각각 조제하였다. 이어서, 이들의 하층막 형성용 조성물을 실리콘기판 상에 회전도포하고, 그 후, 240℃에서 60초간, 다시 400℃에서 120초간 베이크하여, 막두께 200nm의 하층막을 각각 제작하였다. 산발생제, 가교제 및 유기용매에 대해서는 다음의 것을 이용하였다.
산발생제: 미도리화학사제 디터셔리부틸디페닐요오드늄노나플루오로메탄설포네이트(DTDPI)
가교제: 산와케미칼사제 니카락 MX270(니카락)
유기용매: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트아세테이트(PGMEA)
노볼락: 군에이화학사제 PSM4357
그리고, 하기에 나타낸 조건으로 에칭시험을 행하고, 에칭내성을 평가하였다. 평가결과를 제1표에 나타낸다.
[에칭시험]
에칭장치: 삼코인터내셔널사제 RIE-10NR
출력: 50W
압력: 20Pa
시간: 2min
에칭가스
Ar가스유량:CF4가스유량:O2가스유량=50:5:5(sccm)
[에칭내성평가]
에칭내성평가는, 이하의 순서로 행하였다.
우선, 실시예 1에 있어서 이용하는 화합물(BisF-1-CH4)을 대신하여 노볼락(군에이화학사제: PSM4357)을 이용하는 것 이외는, 실시예 1과 동일한 조건으로, 노볼락의 하층막을 제작하였다. 그리고, 이 노볼락의 하층막을 대상으로서, 상기의 에칭시험을 행하고, 그 때의 에칭레이트를 측정하였다.
이어서, 실시예 1~5 및 비교예 1~2의 하층막을 대상으로서, 상기 에칭시험을 마찬가지로 행하고, 그 때의 에칭레이트를 측정하였다.
그리고, 노볼락의 하층막의 에칭레이트를 기준으로서, 이하의 평가기준으로 에칭내성을 평가하였다.
[평가기준]
A: 노볼락의 하층막에 비해 에칭레이트가, -10% 미만
B: 노볼락의 하층막에 비해 에칭레이트가, -10%~+5%
C: 노볼락의 하층막에 비해 에칭레이트가, +5% 초과
이어서, BisF-1-CH4, BisF-1-CH2, BisF-1-ME4, BisF-1-PH4, BisF-2-CH4, BisF-1, CR-1을 각각 포함하는 각 리소그래피용 하층막 형성용 조성물을 막두께 300nm의 SiO2기판 상에 도포하여, 240℃에서 60초간, 다시 400℃에서 120초간 베이크함으로써, 막두께 70nm의 하층막을 형성하였다. 이 하층막 상에, ArF용 레지스트용액을 도포하고, 130℃에서 60초간 베이크함으로써, 막두께 140nm의 포토레지스트층을 형성하였다. 또한, ArF레지스트용액으로는, 하기 식(11)의 화합물: 5질량부, 트리페닐설포늄노나플루오로메탄설포네이트: 1질량부, 트리부틸아민: 2질량부, 및 PGMEA: 92질량부를 배합하여 조제한 것을 이용하였다.
식(11)의 화합물은, 2-메틸-2-메타크릴로일옥시아다만탄 4.15g, 메타크릴로일옥시-γ-부티로락톤 3.00g, 3-하이드록시-1-아다만틸메타크릴레이트 2.08g, 아조비스이소부티로니트릴 0.38g을, 테트라하이드로푸란 80mL에 용해시켜 반응용액으로 하였다. 이 반응용액을, 질소분위기하, 반응온도를 63℃로 유지하여, 22시간 중합시킨 후, 반응용액을 400mL의 n-헥산 중에 적하하였다. 이와 같이 하여 얻어지는 생성수지를 응고정제시키고, 생성된 백색분말을 여과하고, 감압하 40℃에서 하룻밤 건조시켜 얻었다.
[화학식 61]
Figure pct00061
식(11)
상기 식(11) 중, 40, 40, 20이란, 각 구성단위의 비율을 나타내는 것이며, 블록공중합체를 나타내는 것은 아니다.
이어서, 전자선 묘화장치(엘리오닉스사제; ELS-7500, 50keV)를 이용하여, 포토레지스트층을 노광하고, 115℃에서 90초간 베이크(PEB)하고, 2.38질량% 테트라메틸암모늄하이드록시드(TMAH) 수용액으로 60초간 현상함으로써, 포지티브형의 레지스트패턴을 얻었다.
각 실시예 및 비교예의 각각에 대하여, 얻어진 레지스트패턴의 형상을 (주)히다찌제작소제 전자현미경(S-4800)을 이용하여 관찰하였다. 현상 후의 레지스트패턴의 형상에 대해서는, 패턴붕괴가 없고, 직사각형성이 양호한 것을 “양호”로 하고, 그렇지 않은 것을 “불량”으로서 평가하였다. 또한, 해당 관찰의 결과, 패턴붕괴가 없고, 직사각형성이 양호한 최소의 선폭을 해상성으로서 평가의 지표로 하였다. 나아가, 양호한 패턴형상을 묘화 가능한 최소의 전자선 에너지량을 감도로 하여, 평가의 지표로 하였다. 결과를, 제1표에 나타낸다.
(비교예 3)
하층막의 형성을 행하지 않는 것 이외는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 포토레지스트층을 SiO2기판 상에 직접 형성하고, 포지티브형의 레지스트패턴을 얻어 동일한 평가를 행하였다. 결과를 제1표에 나타낸다.
Figure pct00062
표 1로부터 명백한 바와 같이, 본 발명의 화합물인 BisF-1-CH4를 이용한 실시예 1에서는, 내열성, 용매용해성 및 에칭내성 중 어떠한 점에서도 양호한 것이 확인되었다. 한편, 폴리페놀 화합물 BisF-1을 이용한 비교예 1에서는, 내열성 및 에칭내성은 좋았으나, 용매용해성이 불량하였다. 또한, CR-1(페놀변성 디메틸나프탈렌포름알데히드 수지)을 이용한 비교예 2에서는, 내열성, 용매용해성 및 에칭내성 모두 불량하며, 레지스트성능 평가를 행하지 않았다.
또한, 실시예 1에서는, 현상 후의 레지스트패턴 형상이 양호하며, 결함도 보이지 않는 것이 확인되었다. 한편, 비교예 1은, 현상 후의 레지스트패턴 형상이 불량하며, 결함도 많은 것이 확인되었다. 이는, 비교예 1에서 이용한 BisF-1이 도포용매에 대하여 저용해성이기 때문으로 추찰된다.
또한, 실시예 1은, 하층막의 형성을 생략한 비교예 3에 비해, 해상성 및 감도 모두 유의하게 우수한 것이 확인되었다.
현상 후의 레지스트패턴 형상의 상위로부터, 실시예 1의 리소그래피용 하층막 형성재료는, 레지스트재료와의 밀착성이 좋은 것이 나타났다.
(실시예 6)
실시예 1에 있어서 이용한 리소그래피용 하층막 형성용 조성물을 막두께 300nm의 SiO2기판 상에 도포하여, 240℃에서 60초간, 다시 400℃에서 120초간 베이크함으로써, 막두께 80nm의 하층막을 형성하였다. 이 하층막 상에, 규소함유 중간층재료를 도포하고, 200℃에서 60초간 베이크함으로써, 막두께 35nm의 중간층막을 형성하였다. 또한, 이 중간층막 상에, 상기 ArF용 레지스트용액을 도포하고, 130℃에서 60초간 베이크함으로써, 막두께 150nm의 포토레지스트층을 형성하였다. 또한, 규소함유 중간층재료로는, 일본특허공개 2007-226170호 공보의 <합성예 1>에 기재된 규소원자함유 폴리머를 이용하였다.
이어서, 전자선 묘화장치(엘리오닉스사제; ELS-7500, 50keV)를 이용하여, 포토레지스트층을 마스크노광하고, 115℃에서 90초간 베이크(PEB)하고, 2.38질량% 테트라메틸암모늄하이드록시드(TMAH) 수용액으로 60초간 현상함으로써, 55nmL/S(1:1)의 포지티브형의 레지스트패턴을 얻었다.
그 후, 삼코인터내셔널사제의 RIE-10NR을 이용하여, 얻어진 레지스트패턴을 마스크로 하여 규소함유 중간층막(SOG)의 드라이에칭가공을 행하고, 계속해서, 얻어진 규소함유 중간층막 패턴을 마스크로 한 하층막의 드라이에칭가공과, 얻어진 하층막 패턴을 마스크로 한 SiO2막의 드라이에칭가공을 순차 행하였다.
각각의 에칭조건은, 하기에 나타낸 바와 같다.
(레지스트패턴의 레지스트 중간층막에 대한 에칭조건)
출력: 50W
압력: 20Pa
시간: 1min
에칭가스
Ar가스유량:CF4가스유량:O2가스유량=50:8:2(sccm)
(레지스트 중간막패턴의 레지스트 하층막에 대한 에칭조건)
출력: 50W
압력: 20Pa
시간: 2min
에칭가스
Ar가스유량:CF4가스유량:O2가스유량=50:5:5(sccm)
(레지스트 하층막 패턴의 SiO2막에 대한 에칭조건)
출력: 50W
압력: 20Pa
시간: 2min
에칭가스
Ar가스유량:C5F12가스유량:C2F6가스유량:O2가스유량=50:4:3:1(sccm)
[평가]
상기와 같이 하여 얻어진 실시예 6의 패턴단면(에칭 후의 SiO2막의 형상)을, (주)히다찌제작소제 전자현미경(S-4800)을 이용하여 관찰한 결과, 본 발명의 하층막을 이용한 실시예는, 다층 레지스트가공에 있어서의 에칭 후의 SiO2막의 형상은 직사각형이며, 결함도 보이지 않고 양호한 것이 확인되었다.
(실시예 7) BisF-1-CH4의 정제
1000mL 용량의 4개구 플라스크(바닥 분리형)에, 실시예 1에서 이용한 BisF-1-CH4를 PGMEA에 용해시킨 용액(10질량%)을 150g 투입하고, 교반하면서 80℃까지 가열하였다. 이어서, 옥살산 수용액(pH1.3) 37.5g을 첨가하고, 5분간 교반 후, 30분 정치하였다. 이에 따라 유상과 수상으로 분리하고, 수상을 제거하였다. 이 조작을 1회 반복한 후, 얻어진 유상에, 초순수 37.5g을 투입하고, 5분간 교반 후, 30분간 정치하고, 수상을 제거하였다. 이 조작을 3회 반복한 후, 80℃로 가열하면서 플라스크내를 200hPa 이하로 감압함으로써, 잔류수분 및 PGMEA를 농축 유거하였다. 그 후, EL그레이드의 PGMEA(관동화학사제 시약)를 희석하고, 10질량%로 농도조정을 행함으로써, 금속함유량이 저감된 BisF-1-CH4의 PGMEA용액을 얻었다.
(비교예 4) 이온교환수지에 의한 정제방법
이온교환수지(미쯔비시화학 다이아이온: SMT100-믹스수지) 25g을 시클로헥산온으로 팽윤 후, 테플론(등록상표) 칼럼에 충진하고, 1,3-디옥솔란을 500mL 통액함으로써 용매치환하였다. 이어서, 실시예 1에서 얻어진 BisP-1-CH4를 1,3-디옥솔란에 용해시킨 용액(10질량%) 500g을 통액함으로써 BisF-1-CH4의 디옥솔란 용액을 얻었다.
처리 전의 BisF-1-CH4의 10질량% PGMEA용액, 실시예 7 및 비교예 4에 있어서 얻어진 용액에 대하여, 각종 금속함유량을 ICP-MS에 의해 측정하였다. 측정결과를 제2표에 나타낸다.
Figure pct00063
상기 서술한 바와 같이, 본 발명은, 상기 실시형태 및 실시예로 한정되는 것이 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위내에 있어서 적당히 변경을 가하는 것이 가능하다.
2015년 2월 12일에 출원된 일본국특허출원 2015-025371호의 개시는, 그 전체가 참조에 의해 본 명세서에 편입된다.
또한, 명세서에 기재된 모든 문헌, 특허출원, 및 기술규격은, 개개의 문헌, 특허출원, 및 기술규격이 참조에 의해 편입되는 것이 구체적이고 개개에 기재된 경우와 동일 정도로, 본 명세서 중에 참조에 의해 편입된다.
본 발명의 화합물 및 수지는, 탄소농도가 비교적 높고, 산소농도가 비교적 낮으며, 내열성이 비교적 높고, 용매용해성도 비교적 높아, 습식 프로세스가 적용가능하다. 그리고, 이 리소그래피용 하층막 형성재료는, 내열성이 높고, 탄소농도가 비교적 높으며, 산소농도가 비교적 낮고, 용매용해성도 높아, 특정구조를 갖는 화합물 또는 수지를 이용하고 있으므로, 고온베이크시의 막의 열화가 억제되고, 산소플라즈마 에칭 등에 대한 에칭내성도 우수한 하층막을 형성할 수 있다. 더 나아가, 레지스트층과의 밀착성도 우수하므로, 우수한 레지스트패턴을 형성할 수 있다.
이 때문에, 본 발명의 화합물 또는 수지를 포함하는 리소그래피용 하층막 형성재료 및 이 재료를 포함하는 하층막 형성용 조성물은 이들 성능이 요구되는 각종 용도에 있어서, 넓고 또한 유효하게 이용가능하다. 따라서, 본 발명은, 예를 들어, 전기용 절연재료, 레지스트용 수지, 반도체용 봉지수지, 프린트배선판용 접착제, 전기기기·전자기기·산업기기 등에 탑재되는 전기용 적층판, 전기기기·전자기기·업기기 등에 탑재되는 프리프레그의 매트릭스수지, 빌트업적층판 재료, 섬유강화 플라스틱용 수지, 액정표시패널의 봉지용 수지, 도료, 각종 코팅제, 접착제, 반도체용 코팅제, 반도체용 레지스트용 수지, 하층막 형성용 수지 등에 있어서, 넓고 또한 유효하게 이용가능하다. 특히, 본 발명은, 리소그래피용 하층막 및 다층레지스트용 하층막의 분야에 있어서, 특히 유효하게 이용가능하다.

Claims (20)

  1. 하기 식(1)로 표시되는 화합물.
    [화학식 1]
    Figure pct00064

    (식(1) 중, R1은 탄소수 1~30의 2n가의 기이며, R2~R5는 각각 독립적으로 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 6~10의 아릴기, 탄소수 2~10의 알케닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 티올기 또는 수산기이며, 단, R4 중 적어도 1개 및/또는 R5 중 적어도 1개는 탄소수 1~30의 알콕시기이며, m2 및 m3은 각각 독립적으로 0~8의 정수이며, m4 및 m5는 각각 독립적으로 0~9의 정수이며, 단, m4와 m5는 동시에 0이 되는 일은 없고, n은 1~4의 정수이며, p2~p5는 각각 독립적으로 0~2의 정수이다.)
  2. 제1항에 있어서,
    R2 중 적어도 1개 및/또는 R3 중 적어도 1개가, 탄소수 1~30의 알콕시기인 화합물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 식(1)로 표시되는 화합물이, 하기 식(1a)로 표시되는 화합물인 화합물.
    [화학식 2]
    Figure pct00065

    (식(1a) 중, R1~R5 및 n은, 상기 식(1)에서 설명한 것과 동의이며, m2' 및 m3'은 각각 독립적으로 0~4의 정수이며, m4' 및 m5'는 각각 독립적으로 0~5의 정수이며, 단, m4'와 m5'가 동시에 0이 되는 일은 없다.)
  4. 제3항에 있어서,
    상기 식(1a)로 표시되는 화합물이, 하기 식(1b)로 표시되는 화합물인 화합물.
    [화학식 3]
    Figure pct00066

    (식(1b) 중, R1은 상기 식(1)에서 설명한 것과 동의이며, R6 및 R7은, 각각 독립적으로, 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 6~10의 아릴기, 탄소수 2~10의 알케닐기, 티올기 또는 수산기이며, R8~R11은, 각각 독립적으로, 탄소수 1~30의 알킬기 또는 수소원자이며, 단, R8~R11 중 적어도 1개는 탄소수 1~30의 알킬기이며, m6 및 m7은, 각각 독립적으로 0~7의 정수이다.)
  5. 제4항에 있어서,
    상기 식(1b)로 표시되는 화합물이, 하기 식(BiF-1-CH)로 표시되는 화합물.
    [화학식 4]
    Figure pct00067

    (식(BiF-1-CH) 중, R12는 각각 독립적으로 시클로헥실기 또는 수소원자이다. 단, R12 중 적어도 1개는 시클로헥실기이다.)
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 모노머로서 얻어지는 수지.
  7. 제6항에 있어서,
    제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 화합물과 가교반응성이 있는 화합물의 반응에 의해 얻어지는 수지.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 가교반응성이 있는 화합물이, 알데히드, 케톤, 카르본산, 카르본산할라이드, 할로겐함유 화합물, 아미노 화합물, 이미노 화합물, 이소시아네이트 및 불포화탄화수소기함유 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1개인 수지.
  9. 제6항에 있어서,
    하기 식(2)로 표시되는 구조를 갖는 수지.
    [화학식 5]
    Figure pct00068

    식(2)
    (식(2) 중, R1은, 탄소수 1~30의 2n가의 기이며, R2~R5는, 각각 독립적으로, 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 6~10의 아릴기, 탄소수 2~10의 알케닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 티올기 또는 수산기이며, 단, R4 중 적어도 1개 및/또는 R5 중 적어도 1개는 탄소수 1~30의 알콕시기이며, L은, 탄소수 1~20의 직쇄상 혹은 분지상의 알킬렌기 또는 단결합이며, m2 및 m3은, 각각 독립적으로 0~8의 정수이며, m4 및 m5는, 각각 독립적으로 0~9의 정수이며, 단, m4와 m5는 동시에 0이 되는 일은 없고, n은, 1~4의 정수이며, p2~p5는 각각 독립적으로 0~2의 정수이다.)
  10. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 화합물 및/또는 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 수지를 함유하는 리소그래피용 하층막 형성재료.
  11. 제10항에 기재된 리소그래피용 하층막 형성재료와 용매를 함유하는 리소그래피용 하층막 형성용 조성물.
  12. 제11항에 있어서,
    가교제를 추가로 함유하는 리소그래피용 하층막 형성용 조성물.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    산발생제를 추가로 함유하는 리소그래피용 하층막 형성용 조성물.
  14. 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 리소그래피용 하층막 형성용 조성물로부터 형성되는 리소그래피용 하층막.
  15. 기판 상에, 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 하층막 형성용 조성물을 이용하여 하층막을 형성하고, 상기 하층막 상에, 적어도 1층의 포토레지스트층을 형성한 후, 상기 포토레지스트층의 소요의 영역에 방사선을 조사하고, 현상을 행하는 레지스트패턴 형성방법.
  16. 기판 상에, 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 하층막 형성용 조성물을 이용하여 하층막을 형성하고, 상기 하층막 상에, 규소원자를 함유하는 레지스트 중간층막 재료를 이용하여 중간층막을 형성하고, 상기 중간층막 상에, 적어도 1층의 포토레지스트층을 형성한 후, 상기 포토레지스트층의 소요의 영역에 방사선을 조사하고, 현상하여 레지스트패턴을 형성하고, 그 후, 상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 중간층막을 에칭하고, 얻어진 중간층막 패턴을 에칭마스크로 하여 상기 하층막을 에칭하고, 얻어진 하층막 패턴을 에칭마스크로 하여 기판을 에칭함으로써 기판에 패턴을 형성하는 회로패턴 형성방법.
  17. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 화합물 또는 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 수지와, 물과 임의로 혼화하지 않는 유기용매를 포함하는 용액과, 산성의 수용액을 접촉시켜 추출하는 공정을 포함하는, 화합물 또는 수지의 정제방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 산성의 수용액이, 염산, 황산, 질산 및 인산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 무기산 수용액, 또는 아세트산, 프로피온산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 푸마르산, 말레산, 주석산, 구연산, 메탄설폰산, 페놀설폰산, p-톨루엔설폰산 및 트리플루오로아세트산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 유기산 수용액인 정제방법.
  19. 제17항 또는 제18항에 있어서,
    상기 물과 임의로 혼화하지 않는 유기용매가, 톨루엔, 2-헵탄온, 시클로헥산온, 시클로헵탄온, 메틸이소부틸케톤, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 또는 아세트산에틸인 정제방법.
  20. 제17항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 용액과 상기 산성의 수용액을 접촉시켜 추출처리를 행한 후, 추가로 물에 의한 추출처리를 행하는 공정을 포함하는 정제방법.

KR1020177022588A 2015-02-12 2016-02-12 화합물, 수지, 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막 형성용 조성물, 리소그래피용 하층막, 레지스트패턴 형성방법, 회로패턴 형성방법 및 화합물 또는 수지의 정제방법 KR20170116044A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2015-025371 2015-02-12
JP2015025371 2015-02-12
PCT/JP2016/054159 WO2016129679A1 (ja) 2015-02-12 2016-02-12 化合物、樹脂、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜、レジストパターン形成方法、回路パターン形成方法及び化合物又は樹脂の精製方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170116044A true KR20170116044A (ko) 2017-10-18

Family

ID=56614461

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177022588A KR20170116044A (ko) 2015-02-12 2016-02-12 화합물, 수지, 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막 형성용 조성물, 리소그래피용 하층막, 레지스트패턴 형성방법, 회로패턴 형성방법 및 화합물 또는 수지의 정제방법

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20180029968A1 (ko)
EP (1) EP3257835A4 (ko)
JP (1) JP6670453B2 (ko)
KR (1) KR20170116044A (ko)
CN (1) CN107250089A (ko)
IL (1) IL253822A0 (ko)
SG (1) SG11201706304YA (ko)
TW (1) TW201702740A (ko)
WO (1) WO2016129679A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200139503A (ko) 2019-06-04 2020-12-14 에스케이하이닉스 주식회사 하드마스크용 화합물, 상기 화합물을 포함하는 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6515919B2 (ja) * 2014-03-13 2019-05-22 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
EP3118183B1 (en) 2014-03-13 2021-07-21 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, pattern forming method, and method for purifying the compound or resin
KR102552910B1 (ko) * 2015-03-06 2023-07-10 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 화합물, 수지, 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막, 패턴 형성방법 및 화합물 또는 수지의 정제방법
CN107533290B (zh) 2015-03-30 2021-04-09 三菱瓦斯化学株式会社 抗蚀基材、抗蚀剂组合物及抗蚀图案形成方法
JP6939544B2 (ja) 2015-03-30 2021-09-22 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、樹脂、及びそれらの精製方法、リソグラフィー用の下層膜形成材料、下層膜形成用組成物、及び下層膜、並びに、レジストパターン形成方法、及び回路パターン形成方法
SG11201707780TA (en) * 2015-04-07 2017-10-30 Mitsubishi Gas Chemical Co Material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and pattern forming method
EP3327005A4 (en) * 2015-07-22 2019-09-25 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. COMPOUND, RESIN, LITHOGRAPHY-BASED UNDERLAYER FILM FORMING MATERIAL, COMPOSITION FOR FORMING LITHOGRAPHY-BASED UNDERLAYER FILM, LITHOGRAPHY-BASED FILM FORMING, PHOTOSENSITIVE RESIN PATTERN FORMING METHOD, PATTERN FORMING METHOD CIRCUIT, AND PURIFICATION METHOD
US20210070683A1 (en) * 2016-11-30 2021-03-11 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, resin, composition, resist pattern formation method and circuit pattern formation method
CN110023277A (zh) * 2016-11-30 2019-07-16 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、树脂、组合物以及抗蚀图案形成方法及电路图案形成方法
CN110325500A (zh) * 2017-02-28 2019-10-11 三菱瓦斯化学株式会社 化合物或树脂的纯化方法、及组合物的制造方法
JP7054459B2 (ja) * 2017-05-15 2022-04-14 三菱瓦斯化学株式会社 リソグラフィー用膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法
KR20200116460A (ko) * 2018-01-31 2020-10-12 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 화합물, 수지, 조성물, 레지스트패턴 형성방법, 회로패턴 형성방법 및 수지의 정제방법
EP3805191A4 (en) * 2018-05-28 2021-08-11 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. COMPOUND, RESIN, COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMATION PROCESS, CIRCUIT PATTERN FORMATION PROCESS, AND RESIN CLEANING PROCESS
EP3816728A4 (en) * 2018-06-26 2021-08-11 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. FILM-FORMING MATERIAL FOR LITHOGRAPHY, FILM-FORMING COMPOSITION FOR LITHOGRAPHY, UNDER-LAYER FILM FOR LITHOGRAPHY AND METHOD FOR FORMING PATTERNS
WO2020026879A1 (ja) * 2018-07-31 2020-02-06 三菱瓦斯化学株式会社 下層膜形成組成物

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04297430A (ja) * 1991-03-15 1992-10-21 Idemitsu Kosan Co Ltd ポリフェニル誘導体及びその製造方法
JP3052449B2 (ja) * 1991-07-17 2000-06-12 住友化学工業株式会社 レジストの金属低減化方法
US5281689A (en) * 1992-12-11 1994-01-25 General Electric Company Polycarbonate from bis[4'-(4-hydroxyphenyl)-phenyl]alkanes
WO2004037879A2 (en) * 2002-10-24 2004-05-06 South Dakota School Of Mines And Technology Monomers containing at least one biaryl unit and polymers and derivatives prepared therefrom
US7452658B2 (en) * 2006-02-16 2008-11-18 Cornell University Molecular glass photoresists
JP5317609B2 (ja) * 2008-09-24 2013-10-16 株式会社東芝 感光性化合物、感光性組成物、およびパターン形成方法
KR101411737B1 (ko) * 2009-09-29 2014-06-25 제이에스알 가부시끼가이샤 패턴 형성 방법 및 레지스트 하층막 형성용 조성물
US8741553B2 (en) * 2010-12-28 2014-06-03 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Aromatic hydrocarbon resin, underlayer film forming composition for lithography, and method for forming multilayer resist pattern
JP5977842B2 (ja) * 2012-03-16 2016-08-24 中国科学院化学研究所 ビスフェノールａ骨格構造含有の分子性ガラスフォトレジスト及びその製造方法並びに応用
US9244353B2 (en) * 2012-08-10 2016-01-26 Nissan Chemical Industries, Ltd. Resist underlayer film forming composition
CN103804196B (zh) * 2012-11-06 2016-08-31 中国科学院理化技术研究所 星形金刚烷衍生物分子玻璃及其制备方法、应用
CN104557552B (zh) * 2013-10-22 2016-08-31 中国科学院理化技术研究所 一种星形四苯基乙烯衍生物分子玻璃、正性光刻胶、正性光刻胶涂层及其应用
EP3118183B1 (en) * 2014-03-13 2021-07-21 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, pattern forming method, and method for purifying the compound or resin
JP6515919B2 (ja) * 2014-03-13 2019-05-22 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200139503A (ko) 2019-06-04 2020-12-14 에스케이하이닉스 주식회사 하드마스크용 화합물, 상기 화합물을 포함하는 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP3257835A4 (en) 2018-10-03
JP6670453B2 (ja) 2020-03-25
JPWO2016129679A1 (ja) 2017-11-24
EP3257835A1 (en) 2017-12-20
TW201702740A (zh) 2017-01-16
WO2016129679A1 (ja) 2016-08-18
CN107250089A (zh) 2017-10-13
US20180029968A1 (en) 2018-02-01
SG11201706304YA (en) 2017-09-28
IL253822A0 (en) 2017-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6670453B2 (ja) 化合物、樹脂、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜、レジストパターン形成方法、回路パターン形成方法及び化合物又は樹脂の精製方法
KR102318654B1 (ko) 화합물, 수지, 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막, 패턴 형성방법, 및 화합물 또는 수지의 정제방법
JP7026439B2 (ja) 化合物、樹脂、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜、パターン形成方法及び精製方法
EP2716671B1 (en) Phenolic resin and material for forming underlayer film for lithography
KR101907481B1 (ko) 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막 및 패턴형성방법
KR102643950B1 (ko) 화합물, 수지, 및 이들의 정제방법, 리소그래피용 하층막 형성재료, 하층막 형성용 조성물, 및 하층막, 그리고, 레지스트패턴 형성방법, 및 회로패턴 형성방법
JP6880537B2 (ja) 化合物、樹脂、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びレジストパターン形成方法、回路パターン形成方法、及び、精製方法
KR102154109B1 (ko) 화합물, 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막 및 패턴 형성방법
KR102552910B1 (ko) 화합물, 수지, 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막, 패턴 형성방법 및 화합물 또는 수지의 정제방법
KR20140090144A (ko) 플루오렌 구조를 가지는 수지 및 리소그래피용 하층막 형성재료