KR20170094497A - Grinding apparatus - Google Patents

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Abstract

The purpose of the present invention is to reliably and efficiently remove grinding chips on a holding surface of a holding table and to prevent accuracy of a finished thickness after grinding of a wafer from being reduced due to changes in the shape of the holding surface. A grinding apparatus comprises: a cleaning means (8) that causes a cleaning wheel (82) to be in contact with a holding surface (2a) and presses the same to remove grinding chips; a crack detection means (90) that detects a crack generated on a ground surface of the wafer; and a control unit (91) that cleans the holding surface (2a) with the cleaning means (8) when a crack is detected. The grinding chips dropped into the holding surface (2a) are discharged only when a crack is detected on the ground surface of the wafer, thereby reliably and efficiently removing the grinding chips on the holding surface (2a), and preventing accuracy of a finished thickness after grinding of the wafer from being reduced due to changes in the shape of the holding surface (2a).

Description

연삭 장치{GRINDING APPARATUS}GRINDING APPARATUS

본 발명은 웨이퍼를 연삭하는 연삭 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a grinding apparatus for grinding a wafer.

다공형으로 형성된 유지 테이블에 웨이퍼를 유지하고, 웨이퍼의 피연삭면에 연삭 지석을 접촉시켜 압박하여 그 피연삭면을 연삭하는 연삭 장치에 있어서는, 유지 테이블의 유지면과 연삭 지석의 연삭면을 평행하게 함으로써, 연삭후의 웨이퍼의 두께 정밀도 향상을 도모하고 있다. In a grinding apparatus for holding a wafer on a holding table formed in a porous form and pressing the grinding stone against the grinding target surface of the wafer to grind the grinding target surface, the holding surface of the holding table and the grinding surface of the grinding stone are parallel So as to improve the precision of the thickness of the wafer after the grinding.

그러나, 연삭에 의해 생긴 연삭 부스러기가 유지면에 부착되고, 그 상태로 웨이퍼를 유지하여 연삭 지석을 압박하면, 웨이퍼에 크랙이 발생한다고 하는 문제가 있다. 따라서, 연삭 장치에서는, 유지 테이블의 유지면을 세정하는 세정 기구를 설치하고, 1장의 웨이퍼의 연삭이 종료하여 유지 테이블로부터 이격된 타이밍에, 즉 1장의 웨이퍼를 연삭할 때마다 유지면을 세정하여, 연삭 부스러기가 유지면에 부착된 상태로 웨이퍼의 연삭이 행해지는 것을 방지하고 있다. 세정 기구로는, 예컨대 브러시나 스톤(예컨대 특허문헌 1 참조), 유지면에 유체를 분출하는 유체 세정 기구(예컨대 특허문헌 2 참조) 등이 있다. However, there is a problem in that, when grinding chips generated by grinding are attached to the holding surface, and holding the wafer in this state to press the grinding stone, a crack occurs in the wafer. Therefore, in the grinding apparatus, a cleaning mechanism for cleaning the holding surface of the holding table is provided, and the holding surface is cleaned each time the grinding of one wafer ends and the grinding of one wafer is performed at a timing apart from the holding table , And grinding of the wafer is prevented from being performed with the grinding chips attached to the holding surface. As the cleaning mechanism, there are, for example, a brush or a stone (see Patent Document 1, for example), and a fluid cleaning mechanism (see, for example, Patent Document 2)

특허문헌 1 : 일본 특허 제4079289호 공보Patent Document 1: Japanese Patent No. 4079289 특허문헌 2 : 일본 특허 제5538971호 공보Patent Document 2: Japanese Patent No. 5538971

그러나, 유지면에 유체를 분출하는 유체 세정 기구에서는, 다공형으로 형성된 유지 테이블의 유지면에 들어간 연삭 부스러기를 배출하는 것이 어렵다. 한편, 브러시나 스톤에 의한 유지면의 세정을 행하면, 유지면의 형상이 변화하기 때문에, 유지면과 연삭 지석의 연삭면의 평행도의 정밀도가 저하되어, 웨이퍼 연삭후의 마무리 두께 정밀도가 저하된다고 하는 문제가 있다. 특히, 1장의 웨이퍼를 연삭할 때마다 유지면을 세정하면, 유지면과 연삭 지석의 연삭면의 평행도의 정밀도가 저하되기 쉽고, 또한 생산성을 저하시키는 요인도 되고 있다. However, in the fluid cleaning mechanism that ejects the fluid onto the holding surface, it is difficult to discharge the grinding chips contained in the holding surface of the holding table formed in a porous form. On the other hand, when the holding surface is cleaned by the brush or the stone, the shape of the holding surface changes, so that the accuracy of the parallelism between the holding surface and the grinding surface of the grinding stone is lowered and the accuracy of the finish thickness after the wafer grinding is lowered . Particularly, when the holding surface is cleaned each time one wafer is ground, the accuracy of the parallelism between the holding surface and the grinding surface of the grinding stone tends to be lowered, and also the productivity is lowered.

본 발명은, 이러한 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 유지면 상의 연삭 부스러기를 확실하고 또한 효율적으로 제거함과 함께, 유지 테이블의 유지면의 형상이 변화하여 웨이퍼 연삭후의 마무리 두께 정밀도가 저하되는 것을 방지하는 것을 과제로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such a problem, and it is an object of the present invention to reliably and efficiently remove grinding debris on the holding surface, and to prevent the precision of the finishing thickness after the grinding of the wafer from being lowered by changing the shape of the holding surface of the holding table We will do it.

본 발명은, 다공성판을 구비하고 웨이퍼를 유지하는 유지면을 갖는 유지 테이블과, 그 유지 테이블의 그 유지면에 의해 유지된 웨이퍼를 지석의 연삭면으로 연삭하는 연삭 수단과, 그 유지면을 세정하는 세정 수단을 구비하는 연삭 장치로서, 그 세정 수단은, 그 유지면에 접촉하여 그 유지면으로부터 돌출된 연삭 부스러기를 깎아내는 판형의 세정 지석과, 그 세정 지석을 그 유지면에 압박하는 압박 수단과, 그 유지 테이블을 그 유지면의 중심을 축으로 회전시키는 유지 테이블 회전 수단을 포함하고, 그 연삭 수단에 의해 연삭되고 그 유지 테이블에 유지된 웨이퍼의 피연삭면측으로부터 웨이퍼에 발생한 크랙을 검출하는 크랙 검출 수단과, 그 크랙 검출 수단이 웨이퍼에 발생한 크랙을 검출했을 때에, 그 세정 수단으로 그 유지면을 세정시켜 그 유지면과 그 연삭면의 평행도를 유지하는 제어부를 포함한다. The present invention relates to a polishing apparatus comprising a holding table having a porous plate and a holding surface for holding a wafer, a grinding means for grinding the wafer held by the holding surface of the holding table with the grinding surface of the grinding stone, The cleaning means includes a plate-shaped cleaning grinding wheel which contacts the holding surface and carries out grinding debris protruding from the holding surface thereof, and a pressurizing means for pressing the cleaning grinding stone against the holding surface of the grinding wheel, And a holding table rotating means for rotating the holding table about the center of the holding surface. A crack generated on the wafer from the grinding surface side of the wafer ground by the grinding means and held on the holding table is detected And when the crack detecting means detects a crack occurring in the wafer, the holding surface is cleaned by the cleaning means, And a control unit to maintain the parallelism of the grinding surface.

이 연삭 장치는, 상기 크랙 검출 수단이 검출한 크랙의 위치를 기억하는 기억부를 구비하고, 상기 제어부는, 그 기억부가 기억하는 크랙의 위치에 해당하는 그 유지면에서의 위치를 그 세정 수단으로 세정시키는 것이 바람직하다. The grinding apparatus includes a storage section for storing a position of a crack detected by the crack detecting section, and the control section cleans the position on the holding surface corresponding to the position of the crack stored in the storage section by the cleaning section .

본 발명에서는, 세정 지석을 유지면에 접촉시켜 압박하여 연삭 부스러기를 깎아내는 세정 수단과, 웨이퍼의 피연삭면에 생긴 크랙을 검출하는 크랙 검출 수단과, 크랙을 검출했을 때에 세정 수단으로 유지면을 세정시키는 제어부를 구비하기 때문에, 웨이퍼의 피연삭면에 크랙이 검출되었을 때에만 유지면에 들어간 연삭 부스러기를 배출할 수 있다. 따라서, 유지면 상의 연삭 부스러기를 확실하고 또한 효율적으로 제거할 수 있음과 함께, 유지면의 형상이 변화하여 웨이퍼 연삭후의 마무리 두께 정밀도가 저하되는 것을 방지할 수 있다. According to the present invention, there is provided a cleaning apparatus comprising: cleaning means for pressing a cleaning stone against a holding surface to cut off grinding chips; crack detecting means for detecting a crack occurring on a surface to be grounded of the wafer; It is possible to discharge the grinding chips contained in the holding surface only when a crack is detected on the grinding target surface of the wafer. Therefore, it is possible to reliably and efficiently remove the grinding debris on the holding surface, and the shape of the holding surface can be changed to prevent the accuracy of the finishing thickness after the wafer grinding from being lowered.

또한, 웨이퍼에 발생한 크랙의 위치를 기억하는 기억부를 구비하고, 제어부가, 기억부가 기억하는 크랙의 위치에 해당하는 유지면에서의 위치를 세정 수단으로 세정시킴으로써 유지면 중 연삭 부스러기가 부착되어 있는 장소만을 세정할 수 있기 때문에, 세정 효율이 더욱 높아지고, 생산성이 보다 향상된다. Further, the present invention provides a storage unit for storing the position of cracks in the wafer, and the control unit cleans the position on the holding surface corresponding to the position of the crack stored in the storage unit by the cleaning means, The cleaning efficiency is further increased, and the productivity is further improved.

도 1은 연삭 장치의 예를 나타내는 사시도이다.
도 2는 유지 테이블 및 세정 수단을 나타내는 단면도이다.
도 3은 크랙 검출 수단의 예를 나타내는 단면도이다.
도 4는 웨이퍼의 예를 나타내는 사시도이다.
도 5는 유지 테이블의 예를 나타내는 평면도이다.
도 6은 웨이퍼 상에서 검출된 크랙의 위치를 나타내는 평면도이다.
도 7은 유지 테이블의 유지면에 연삭 부스러기가 부착되어 있는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 8은 세정 수단에 의해 연삭 부스러기를 제거하는 상태를 나타내는 단면도이다. 1 is a perspective view showing an example of a grinding apparatus.
2 is a sectional view showing the holding table and the cleaning means.
3 is a cross-sectional view showing an example of crack detecting means.
4 is a perspective view showing an example of a wafer.
5 is a plan view showing an example of the holding table.
6 is a plan view showing the position of cracks detected on the wafer.
7 is a cross-sectional view showing a state in which grinding debris is attached to the holding surface of the holding table.
8 is a cross-sectional view showing a state where grinding chips are removed by a cleaning means.

도 1에 나타내는 연삭 장치(1)는, 유지 테이블(2)에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 연삭 수단(3a, 3b)이 연삭 가공을 행하는 장치이다. The grinding apparatus 1 shown in Fig. 1 is a device for grinding the grinding means 3a and 3b with respect to the wafer W held on the holding table 2. Fig.

연삭 장치(1)의 전방부측에는, 연삭전의 웨이퍼(W)를 수용하는 카세트(40a)와 연삭후의 웨이퍼(W)를 수용하는 카세트(40b)가 각각 배치되는 카세트 배치 영역(4a, 4b)이 설치되어 있다. Cassette arrangement regions 4a and 4b in which a cassette 40a for accommodating the wafer W before grinding and a cassette 40b for accommodating the wafer W after grinding are respectively disposed on the front side of the grinding apparatus 1 Is installed.

카세트 배치 영역(4a, 4b)의 근방에는, 카세트(40a, 40b)에 대한 웨이퍼(W)의 반입 반출을 행하는 반입 반출 수단(5)이 설치되어 있다. 반입 반출 수단(5)에 의해 카세트(40a)로부터 반출된 웨이퍼(W)는 위치 맞춤 테이블(50)에 배치되고, 여기서 웨이퍼(W)의 중심이 일정한 위치에 위치 맞춤된다. 위치 맞춤 테이블(50)에는 회전 수단(51)을 구비하고 있어, 위치 맞춤 테이블(50)에 배치된 웨이퍼(W)를 회전시킬 수 있다. 또한, 위치 맞춤 테이블(50)의 측방에는, 결정 방위를 나타내는 마크로서 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에 형성된 노치(N)를 검지하는 검지부(52)를 구비하고 있다. 검지부(52)는, 예컨대 카메라, 투과형 센서 또는 반사형 센서이다. A carrying-out means 5 for carrying in and carrying out the wafers W to / from the cassettes 40a and 40b is provided in the vicinity of the cassette placement areas 4a and 4b. The wafer W carried out of the cassette 40a by the loading and unloading means 5 is placed on the alignment table 50 and the center of the wafer W is aligned at a predetermined position. The alignment table 50 is provided with the rotation means 51 so that the wafer W arranged on the alignment table 50 can be rotated. A detecting section 52 for detecting a notch N formed in a peripheral edge portion of the wafer W as a mark indicating the crystal orientation is provided on the side of the alignment table 50. The detection unit 52 is, for example, a camera, a transmission type sensor, or a reflection type sensor.

위치 맞춤 테이블(50)의 근방에는 제1 반송 수단(6a)이 설치되어 있고, 위치 맞춤 테이블(50)에 있어서 위치 맞춤된 웨이퍼(W)는, 제1 반송 수단(6a)에 의해 3개의 유지 테이블(2) 중 어느 것에 반송된다. 3개의 유지 테이블(2)은, 각각이 자전 가능함과 함께, 턴테이블(20)의 회전에 따라 공전한다. The first transfer means 6a is provided in the vicinity of the alignment table 50 and the wafer W aligned in the alignment table 50 is held by the first transfer means 6a, To the table (2). The three holding tables 2 each revolve and revolve according to the rotation of the turntable 20.

턴테이블(20)의 회전에 따르는 유지 테이블(2)의 공전 이동 경로의 상측에는, 연삭 수단(3a, 3b)이 설치되어 있다. 연삭 수단(3a, 3b)은, 연삭 지석(34)의 종류를 제외하고 동일하게 구성되기 때문에, 공통의 부호를 붙여 설명한다. 연삭 수단(3a, 3b)은, 수직 방향의 축심을 갖는 회전축(30)의 하단에 휠마운트(31)를 통해 연삭휠(32)이 장착되고, 회전축(30)의 상단에 연결된 모터(33)에 의해 회전축(30)이 회전 구동됨으로써 연삭휠(32)이 회전하는 구성으로 되어 있고, 연삭휠(32)의 하부에는 연삭 지석(34)이 고착되어 있다. 연삭 지석(34)의 하면은, 웨이퍼(W)를 연삭하는 연삭면으로 되어 있다. 연삭 수단(3a)을 구성하는 연삭 지석(34)은, 예컨대 거친 연삭 지석이며, 연삭 수단(3b)을 구성하는 연삭 지석(34)은, 예컨대 마무리 연삭 지석이다. Above the idle movement path of the holding table 2 following the rotation of the turntable 20, grinding means 3a and 3b are provided. Since the grinding means 3a and 3b are constituted identically except for the type of the grinding stone 34, they are denoted by common reference numerals. The grinding means 3a and 3b are each provided with a grinding wheel 32 mounted on the lower end of a rotary shaft 30 having a vertical axis and through a wheel mount 31 and a motor 33 connected to the upper end of the rotary shaft 30, The grinding wheel 32 is rotated by the rotation of the rotating shaft 30 by the grinding wheel 32 and the grinding wheel 34 is fixed to the lower portion of the grinding wheel 32. [ The lower surface of the grinding wheel 34 is a grinding surface for grinding the wafer W. The grinding wheel 34 constituting the grinding means 3a is, for example, a rough grinding stone, and the grinding wheel 34 constituting the grinding means 3b is, for example, a finishing grinding stone.

연삭 수단(3a, 3b)은, 수직 방향으로 신장하는 가이드 레일(35)에 미끄럼 접촉하는 승강판(36)에 고정되어 있고, 모터(37)에 의해 구동되어 승강판(36)이 승강함에 따라, 연삭 수단(3a, 3b)도 승강하는 구성으로 되어 있다. The grinding means 3a and 3b are fixed to a vertical steel plate 36 slidably contacting a guide rail 35 extending in the vertical direction and are driven by the motor 37 to move up and down the vertical steel plate 36 , And the grinding means (3a, 3b) also ascend and descend.

카세트 배치 영역(4b)에 인접하는 위치에는, 웨이퍼(W)를 세정하는 웨이퍼 세정 수단(7)이 설치되어 있다. 웨이퍼 세정 수단(7)은, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 스피너 테이블(70)을 구비하고 있다. 또한, 웨이퍼 세정 수단(7)의 근방에는, 연삭후의 웨이퍼(W)를 유지 테이블(2)로부터 웨이퍼 세정 수단(7)에 반송하는 제2 반송 수단(6b)이 설치되어 있다. A wafer cleaning means 7 for cleaning the wafer W is provided at a position adjacent to the cassette arrangement region 4b. The wafer cleaning means 7 is provided with a spinner table 70 for holding and rotating the wafer W. A second transfer means 6b for transferring the wafer W after grinding from the holding table 2 to the wafer cleaning means 7 is provided in the vicinity of the wafer cleaning means 7.

유지 테이블(2)의 이동 경로의 상측에는, 유지 테이블(2)의 유지면(2a)을 세정하는 세정 수단(8)이 설치되어 있다. 이 세정 수단(8)은, 도 2에 도시한 바와 같이, 수직 방향의 축심을 갖는 회전축(80)과, 회전축(80)을 회전 가능하게 지지하는 하우징(81)과, 회전축(80)의 하단에 설치된 세정 지석(82)과, 하우징(81)을 승강시키는 승강 수단(83)과, 유지 테이블(2)을 유지면(2a)의 중심을 축으로 회전시키는 유지 테이블 회전 수단(84)을 구비하고 있다. On the upper side of the movement path of the holding table 2, a cleaning means 8 for cleaning the holding surface 2a of the holding table 2 is provided. 2, the cleaning means 8 includes a rotary shaft 80 having an axis in the vertical direction, a housing 81 for rotatably supporting the rotary shaft 80, A lifting means 83 for lifting and lifting the housing 81 and a holding table rotating means 84 for rotating the holding table 2 about the center of the holding surface 2a .

세정 지석(82)은, 예컨대 레진 본드 지석, 수지재 또는 세라믹스재를 판형으로 형성한 것이다. 승강 수단(83)은, 하우징(81)에 미끄럼 접촉하는 레일(830)과, 예컨대 하우징(81)의 내부에 설치되는 리니어 모터 등을 구비하고, 하우징(81)을 승강시킬 수 있다. 유지 테이블 회전 수단(84)은, 모터(840)와, 인코더(841)와, 모터(840)에 의해 구동되어 회전하는 축(842)과, 축(842)의 선단에 형성된 풀리(843)와, 풀리(843)에 권취된 벨트(844)와, 벨트(844)가 권취된 종동 풀리(845)를 구비하고 있다. The cleaning grindstone 82 is formed of, for example, a resin bond stone, a resin material, or a ceramics material in a plate shape. The elevating means 83 includes a rail 830 slidably contacting with the housing 81 and a linear motor or the like installed inside the housing 81 to raise and lower the housing 81, for example. The holding table rotating means 84 includes a motor 840, an encoder 841, a shaft 842 driven and rotated by the motor 840, a pulley 843 formed at the tip of the shaft 842, A belt 844 wound around a pulley 843 and a driven pulley 845 around which a belt 844 is wound.

각각의 유지 테이블(2)은, 다공성판(21)과, 다공성판(21)을 지지하는 프레임(22)과, 프레임(22)이 부착되는 베이스(23)를 구비하고 있다. 프레임(22) 및 베이스(23)에는, 다공성판(21)에 연통하는 흡인로(24)가 형성되어 있다. 이 흡인로(24)는 흡인원(25)에 연통하고 있다. 프레임(22)은, 종동 풀리(845)에 연결되어 있고, 모터(840)가 벨트(844)를 통해 종동 풀리(845)를 회전시킴으로써 유지 테이블(2)을 회전시킬 수 있다. Each holding table 2 includes a porous plate 21, a frame 22 for supporting the porous plate 21, and a base 23 to which the frame 22 is attached. On the frame 22 and the base 23, a suction passage 24 communicating with the porous plate 21 is formed. The suction path 24 communicates with the suction source 25. The frame 22 is connected to a driven pulley 845 and the motor 840 can rotate the holding table 2 by rotating the driven pulley 845 through the belt 844. [

하우징(81)의 측부에는 크랙 검출 수단(90)이 설치되어 있다. 크랙 검출 수단(90)은, 예컨대 도 3에 도시한 바와 같이, 수직 방향의 광축을 갖는 카메라(900)와, 카메라(900)의 주위에 위치하여 웨이퍼(W)를 비추는 링조명(901)을 구비하고 있다. 링조명(901)은, 수직 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 또, 링조명 대신에, 카메라(900)의 광축을 따라서 광을 떨어뜨려, 그 광의 반사광으로 렌즈가 결상하는 낙사 조명을 이용해도 좋다. 또한, 크랙 검출 수단(90)으로서, 예컨대 레이저나 LED를 이용한 광량 센서를 이용해도 좋다. A crack detection means (90) is provided on the side of the housing (81). The crack detecting means 90 includes a camera 900 having an optical axis in the vertical direction and a ring light 901 located around the camera 900 and illuminating the wafer W Respectively. The ring illumination 901 is movable in the vertical direction. Alternatively, instead of the ring illumination, a light may be dropped along the optical axis of the camera 900, and a sub illumination illuminating the lens by the reflected light of the light may be used. As the crack detecting means 90, for example, a light amount sensor using a laser or an LED may be used.

크랙 검출 수단(90)의 카메라(900)는, 도 2에 도시한 제어부(91)에 접속되어 있고, 크랙 검출 수단(90)이 취득한 화상 정보가 제어부(91)에 전송된다. 또한, 제어부(91)에는 기억부(92)가 접속되어 있고, 필요에 따라서 화상 정보를 기억부(92)에 기억시킬 수 있다. 제어부(91)는, 연삭 장치(1)의 각 부위의 위치 및 움직임을 X-Y-Z 좌표에 의해 관리하고 있고, 각 부위를 원하는 위치로 이동시킬 수 있다. The camera 900 of the crack detecting means 90 is connected to the control unit 91 shown in Fig. 2 and the image information acquired by the crack detecting means 90 is transferred to the control unit 91. [ The storage unit 92 is connected to the control unit 91, and image information can be stored in the storage unit 92 as necessary. The control unit 91 manages the position and movement of each part of the grinding apparatus 1 by the X-Y-Z coordinates, and can move each part to a desired position.

도 1에 도시한 바와 같이, 턴테이블(20)을 걸치도록 하여 가이드 레일(85)이 설치되어 있고, 승강 수단(83)은, 예컨대 내부에 리니어 모터 등을 구비하며, 가이드 레일(85)을 따라서 수평 이동 가능하게 되어 있다. 따라서, 세정 지석(82)은, 수평 방향 및 수직 방향으로 이동 가능하다. 승강 수단(83)은, 세정 지석(82)을 유지면(2a)에 압박하는 압박 수단으로서 기능한다. 1, a guide rail 85 is provided so as to extend over a turntable 20, and the elevating means 83 includes, for example, a linear motor or the like, and is disposed along the guide rail 85 And is horizontally movable. Therefore, the cleaning grindstone 82 is movable in the horizontal direction and the vertical direction. The elevating means 83 functions as an urging means for urging the cleaning grindstone 82 against the holding surface 2a.

이상과 같이 구성되는 연삭 장치(1)를 이용하여, 도 1에 도시한 웨이퍼(W)의 이면(Wb)을 연삭하는 경우는, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 보호 테이프(T)가 접착되고, 웨이퍼(W)가 카세트(40a)에 수용된다. 그리고, 반입 반출 수단(5)에 의해 웨이퍼를 카세트(40a)로부터 반출하고, 위치 맞춤 테이블(50)에 배치한다. 위치 맞춤 테이블(50)에 있어서 웨이퍼(W)의 중심 위치가 일정한 위치에 위치 맞춤된 후, 웨이퍼(W)는, 제1 반송 수단(6a)에 의해 유지 테이블(2)에 반송된다. 이 때, 제1 반송 수단(6a)은, 유지 테이블(2)의 중심과 웨이퍼(W)의 중심이 합치하도록, 웨이퍼(W)를 유지 테이블(2)에 반송한다. When grinding the back surface Wb of the wafer W shown in Fig. 1 by using the grinding apparatus 1 configured as described above, the protective tape T is applied to the surface Wa of the wafer W And the wafer W is accommodated in the cassette 40a. Then, the wafer is taken out from the cassette 40a by the carry-in / carry-out means 5 and placed in the alignment table 50. [ The wafer W is conveyed to the holding table 2 by the first conveying means 6a after the center position of the wafer W is aligned at a fixed position in the alignment table 50. [ At this time, the first transfer means 6a transfers the wafer W to the holding table 2 so that the center of the holding table 2 and the center of the wafer W coincide with each other.

도 4에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에는, 결정 방위를 나타내는 마크로서 노치(N)가 형성되어 있고, 도 5에 도시한 바와 같이, 유지 테이블(2)에는, 웨이퍼(W)가 배치되었을 때에 노치(N)와 위치 맞춤하기 위한 노치 맞춤부(26)가 형성되어 있다. 노치 맞춤부(26)는, 다공성판(21)의 외주부를 덮는 배리어(27)에 형성되어 있다. 또한, 프레임(22)에는, 프레임(22)을 도 2에 도시한 베이스(23)에 고정하기 위한 나사가 삽입 관통되는 나사 구멍(28)이 복수 형성되어 있다. 유지 테이블(2)에 있어서는, 웨이퍼(W)의 노치(N)와 유지 테이블(2)의 노치 맞춤부(26)를 위치 맞춤하고, 보호 테이프(T)측이 유지면(2a)에 배치되어 유지되고, 이면(Wb)이 상측에 노출된 상태가 된다. 또, 회전 수단(51)이 웨이퍼(W)를 회전시키고 검지부(52)가 노치(N)를 검지한 위치에서 웨이퍼(W)의 회전을 멈추고, 제1 반송 수단(6a)이, 그 위치에 위치하는 웨이퍼를 유지하여 유지 테이블(2)에 반송하면, 유지 테이블(2)의 노치 맞춤부(26)에 노치(N)를 일치시켜 반송할 수 있다. 즉, 제1 반송 수단(6a)이 웨이퍼를 유지했을 때의 웨이퍼(W)의 노치(N)의 위치는, 위치 맞춤 테이블(50)로부터 웨이퍼(W)를 유지하여 반출할 때에 정해져 있어, 유지 테이블(2)을 회전시켜 제1 반송 수단(6a)이 유지한 웨이퍼(W)의 노치(N)의 위치와 유지 테이블(2)의 노치 맞춤부(26)가 일치하도록 위치를 맞춘다.4, a notch N is formed as a mark indicating the crystal orientation on the periphery of the wafer W. As shown in Fig. 5, the holding table 2 is provided with a notch N A notch fitting portion 26 for positioning with the notch N is formed. The notch fitting portion 26 is formed in the barrier 27 covering the outer peripheral portion of the porous plate 21. [ The frame 22 has a plurality of screw holes 28 through which screws for fixing the frame 22 to the base 23 shown in Fig. 2 are inserted. The notch N of the wafer W and the notch fitting portion 26 of the holding table 2 are aligned with each other in the holding table 2 and the protective tape T side is arranged on the holding surface 2a And the back surface Wb is exposed on the upper side. The rotation of the wafer W is stopped at the position where the rotation unit 51 rotates the wafer W and the detection unit 52 detects the notch N. When the first transfer unit 6a is rotated The notches N can be conveyed to the notch alignment portions 26 of the holding table 2 in a state where the notches N are held by the holding table 2 and conveyed to the holding table 2. [ That is, the position of the notch N of the wafer W when the first transfer means 6a holds the wafer is determined when the wafer W is held and carried out from the alignment table 50, The table 2 is rotated so that the position of the notch N of the wafer W held by the first transfer means 6a is aligned with the notch fitting portion 26 of the holding table 2.

또, 위치 맞춤 테이블(50)로부터 제1 반송 수단(6a)이 웨이퍼를 유지하여 반출할 때의 웨이퍼(W)의 위치는, 검지부(52)가 노치(N)를 검지한 위치로 했지만, 검지부(52)가 노치(N)를 검지하여 소정 각도 회전시킨 위치이어도 좋다. The positions of the wafers W when the first carrying means 6a holds and carry the wafers from the alignment table 50 are set such that the detecting portions 52 detect the notches N, (52) may detect the notch (N) and rotate at a predetermined angle.

다음으로, 턴테이블(20)의 반시계 방향의 회전에 의해 웨이퍼(W)가 연삭 수단(3a)의 바로 아래에 위치 설정된다. 그리고, 유지 테이블(2)이 회전함과 함께, 연삭휠(32)의 회전에 따라 연삭 지석(34)이 회전하면서 연삭 수단(3a)이 하강하고, 회전하는 연삭 지석(34)이 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 접촉하여 연삭이 이루어진다. 여기서는 예컨대 거친 연삭이 행해진다. Next, the counterclockwise rotation of the turntable 20 positions the wafer W directly below the grinding means 3a. As the holding table 2 rotates and the grinding wheel 34 rotates in accordance with the rotation of the grinding wheel 32, the grinding means 3a is lowered and the rotating grinding wheel 34 is rotated by the rotation of the wafer W And the grinding is performed. Here, coarse grinding is performed, for example.

거친 연삭이 종료한 후에는, 턴테이블(20)의 회전에 의해 웨이퍼(W)가 연삭 수단(3b)의 바로 아래에 위치 설정된다. 그리고, 유지 테이블(2)이 반시계 방향으로 회전함과 함께, 연삭휠(32)의 회전에 따라 연삭 지석(34)이 회전하면서 연삭 수단(3b)이 하강하고, 회전하는 연삭 지석(34)이 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 접촉하여 연삭이 이루어진다. 여기서는 예컨대 마무리 연삭이 행해진다. After the coarse grinding is completed, the wafer W is positioned just below the grinding means 3b by the rotation of the turntable 20. The holding table 2 rotates in the counterclockwise direction and the grinding wheel 34 is rotated in accordance with the rotation of the grinding wheel 32 to descend the grinding means 3b, Is brought into contact with the back surface Wb of the wafer W to perform grinding. Here, for example, finish grinding is performed.

이와 같이 하여 웨이퍼를 연삭하면, 유지 테이블(2)의 유지면(2a)과 웨이퍼(W)에 접착된 보호 테이프(T) 사이에 연삭 부스러기가 들어가, 그 연삭 부스러기가 유지면(2a)에 부착되는 경우가 있다. 그 부착 부스러기가 유지면(2a) 상에 남아 있는 상태로 웨이퍼(W)의 이면(Wb)이 연삭되면, 웨이퍼(W)에 크랙이 발생한다고 하는 문제가 있다. When grinding the wafer in this manner, grinding chips enter between the holding surface 2a of the holding table 2 and the protective tape T adhered to the wafer W, and the grinding chips are attached to the holding surface 2a . There is a problem that a crack occurs in the wafer W if the back surface Wb of the wafer W is ground with the attached debris remaining on the holding surface 2a.

따라서, 마무리 연삭 종료후에는, 턴테이블(20)의 반시계 방향의 회전에 의해, 유지 테이블(2)에 유지된 연삭후의 웨이퍼(W)를 크랙 검출 수단(90)의 하측으로 이동시킨다. 그리고, 크랙 검출 수단(90)에 의해 웨이퍼(W)의 피연삭면인 이면(Wb)의 전체면을 촬상하여, 취득한 화상을 제어부(91)에 전송한다. 제어부(91)에서는, 화상을 구성하는 화소 정보에 의해, 웨이퍼(W)에 크랙이 발생했는지 아닌지를 검사한다. Therefore, after finishing grinding, the grinding wafer W held by the holding table 2 is moved to the lower side of the crack detecting means 90 by the rotation of the turntable 20 in the counterclockwise direction. The crack detecting means 90 picks up the entire surface of the back surface Wb of the wafer W to be ground and transmits the acquired image to the control unit 91. [ The control unit 91 checks whether or not a crack has occurred in the wafer W based on the pixel information constituting the image.

제어부(91)가 크랙을 검출하지 않은 경우는, 제2 반송 수단(6b)이 웨이퍼(W)를 유지하여, 웨이퍼 세정 수단(7)의 스피너 테이블(70)에 반송한다. 그리고, 스피너 테이블(70)의 회전과 함께 고압수가 웨이퍼(W)에 대하여 분사되어 세정이 행해지고, 또한 스피너 테이블(70)의 회전과 함께 고압 에어가 웨이퍼(W)에 대하여 분사되어 건조가 행해진다. 그리고, 그 후 반입 반출 수단(5)에 의해, 세정 및 건조가 행해진 웨이퍼(W)가 카세트(40b)에 반송되어 수용된다. The second conveying means 6b holds the wafer W and conveys the wafer W to the spinner table 70 of the wafer cleaning means 7 when the control unit 91 does not detect a crack. As the spinner table 70 rotates, high pressure water is jetted against the wafer W to perform cleaning, and high-pressure air is jetted to the wafer W together with rotation of the spinner table 70 to perform drying . Thereafter, the wafer W, which has been cleaned and dried by the loading / unloading means 5, is conveyed to and received by the cassette 40b.

한편, 제어부(91)가 크랙(C)을 검출한 경우는, 크랙(C)의 위치를, 웨이퍼(W)의 중심(WO) 및 노치(N)와의 위치 관계에 의해 특정한다. 구체적 처리는 이하와 같다. On the other hand, when the control section 91 detects the crack C, the position of the crack C is specified by the positional relationship with the center WO of the wafer W and the notch N. [ The concrete process is as follows.

화상 중에서의 도 6에 나타내는 웨이퍼(W)의 중심 좌표(WO)를 구하는 경우는, 유지 테이블(2)을 회전시키면서, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리의 3개소를 촬상하여 각각에 관한 화상을 취득한다. 그리고, 각각의 화상에 있어서, 화소치가 어떤 임계치 이상 변화한 부분을 엣지로서 인식하는 화상 처리를 행함으로써, 3점의 X-Y 좌표를 구한다. 6 in the image can be obtained by picking up three images of the peripheral edge of the wafer W while rotating the holding table 2 and acquiring images relating to each of them do. Then, in each image, by performing image processing for recognizing a portion where the pixel value has changed by a certain threshold or more as an edge, three-point X-Y coordinates are obtained.

웨이퍼(W)의 중심(WO)의 좌표를 (XO, YO)로 하고, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리의 3점의 좌표를 각각 (x1, y1), (x2, y2), (x3, y3)으로 하면, 중심(WO)의 좌표(XO, YO)는, 제어부(91)에 의해 이하의 식(1)에 의해 구해진다. The coordinates of the three points on the peripheral edge of the wafer W are represented by (x1, y1), (x2, y2), (x3, y3) , The coordinate (XO, YO) of the center (WO) is obtained by the following equation (1) by the control unit 91. [

Figure pat00001
Figure pat00001

도 6의 예에서는, 노치(N)의 좌표(XN, YN)는, 예컨대 웨이퍼(W)를 원형으로 가정한 경우의 원호와, 중심(WO)과 노치(N)를 연결하는 선의 연장선의 교점으로 하고 있다. 또한, 이하의 식(2)에 의해 웨이퍼(W)의 반경(R)을 구하고, 중심(WO)으로부터 노치(N)의 방향을 향해 반경(R)만큼 변위한 위치를 노치(N)의 좌표로 할 수도 있다.6, the coordinates (XN, YN) of the notch N are set to be the same as the coordinates (XN, YN) of the notch N, . The radius R of the wafer W is obtained by the following formula (2) and the position displaced by the radius R from the center WO to the direction of the notch N is defined as the coordinates of the notch N .

Figure pat00002
Figure pat00002

이와 같이 하여, 웨이퍼의 중심(WO)의 좌표(XO, YO)와, 노치(N)의 좌표(XN, YN)가 구해지면, 이들과 크랙(C) 사이에 있는 화소수에 의해, 크랙(C)의 위치를, 웨이퍼(W)의 중심(WO)으로부터의 X축 방향의 변위(XC) 및 노치(N)로부터의 Y축 방향의 변위(YC)로서 구할 수 있다. 이렇게 해서 구한 크랙(C)의 위치 정보는 기억부(92)에 기억된다. When the coordinates XO and YO of the wafer center W0 and the coordinates XN and YN of the notch N are obtained in this manner, C can be obtained as the displacement XC in the X axis direction from the center WO of the wafer W and the displacement YC in the Y axis direction from the notch N. [ The positional information of the crack C thus obtained is stored in the storage unit 92. [

크랙(C)은, 유지면(2a)에 있어서 유지되어 있던 위치에서 형성된 것으로 간주할 수 있다. 즉, 예컨대 도 7에 도시한 바와 같이, 유지면(2a)의 위에 연삭 부스러기(100)가 부착되어 있는 경우는, 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 연삭 지석(34)에 의한 압박력이 가해지는 것에 의해, 웨이퍼(W) 중 연삭 부스러기(100)의 상측에 위치하는 부분에서 크랙(C)이 생겼다고 생각된다. 따라서, 제어부(91)가 인식하는 유지 테이블(2)의 회전 중심으로부터 X축 방향으로 XC만큼 이격됨과 함께 도 5에 도시한 노치 맞춤부(26)로부터 Y 방향으로 YC만큼 이격된 위치에, 연삭 부스러기가 부착되어 있다고 간주할 수 있다. The crack C can be regarded as being formed at the position held on the holding surface 2a. 7, in the case where the grinding chip 100 is attached to the holding surface 2a, the pressing force by the grinding stone 34 is applied to the held wafer W It is considered that a crack C is generated in a portion of the wafer W located on the upper side of the grinding chip 100. [ Therefore, at a position spaced apart from the center of rotation of the holding table 2 recognized by the control section 91 by XC in the X-axis direction and spaced by YC in the Y direction from the notch fitting section 26 shown in Fig. 5, It can be considered that debris is attached.

따라서, 제어부(91)에 의한 제어에 의해 승강 수단(83)이 가이드 레일(85)을 따라서 수평 이동하고, 연삭 부스러기가 부착되어 있는 위치의 상측에 세정 지석(82)을 위치 설정한다. 그리고, 도 8에 도시한 바와 같이, 유지 테이블 회전 수단(84)이 유지 테이블(2)을 회전시킴과 함께, 세정 지석(82)을 회전시키면서 승강 수단(83)이 세정 지석(82)을 하강시켜, 유지면(2a)에 세정 지석(82)을 압박한다. 그렇게 하면, 유지면(2a)으로부터 상측으로 돌출된 연삭 부스러기가 깎여, 유지면(2a)이 연삭 지석(34)의 연삭면(하면)과 평행해진다.Therefore, the elevation means 83 moves horizontally along the guide rails 85 under the control of the control unit 91, and positions the cleaning grindstone 82 above the position where the grinding debris is attached. 8, the holding table rotating means 84 rotates the holding table 2 and the elevating means 83 moves the cleaning grindstone 82 downward while rotating the cleaning grindstone 82 And presses the cleaning grindstone 82 against the holding surface 2a. As a result, the grinding chips protruding upward from the holding surface 2a are cut, and the holding surface 2a becomes parallel to the grinding surface (lower surface) of the grinding stone 34. [

이와 같이 하여, 제어부(91)는, 기억부(92)가 기억하는 크랙의 위치에 해당하는 유지면(2a)의 위치를 세정 수단(8)으로 세정시킨다. 유지면(2a)의 전체면을 세정할 필요가 없기 때문에 효율적이다. 또한, 필요 최저한의 세정만 하면 되기 때문에, 유지면(2a)과 연삭 지석(34)의 연삭면의 평행도를 유지하여, 유지면(2a)의 형상이 변화하여 웨이퍼(W) 연삭후의 마무리 두께 정밀도가 저하되는 것을 방지할 수 있다. In this way, the control unit 91 cleans the position of the holding surface 2a corresponding to the position of the crack stored in the storage unit 92 by the cleaning unit 8. [ Since it is not necessary to clean the entire surface of the holding surface 2a. The degree of parallelism between the holding surface 2a and the grinding surface of the grinding stone 34 is maintained so that the shape of the holding surface 2a changes and the finishing thickness precision after the grinding of the wafer W becomes Can be prevented from deteriorating.

또, 본 실시형태의 세정 지석(82)은, 유지면(2a)의 반경 정도의 직경을 갖는 크기로 형성했지만, 상기와 같이 유지면(2a) 상에서의 연삭 부스러기(100)의 부착 위치를 특정하여 연삭 부스러기를 제거하는 경우는, 세정 지석(82)보다 작은 세정 지석을 이용해도 좋다. The cleaning grindstone 82 of the present embodiment is formed to have a diameter of about the radius of the holding surface 2a. However, as described above, the mounting position of the grinding chip 100 on the holding surface 2a is specified In order to remove the grinding chips, a cleaning stone smaller than the cleaning stone 82 may be used.

또한, 본 실시형태의 유지 테이블(2)이 노치 맞춤부(26)를 구비하고, 노치 맞춤부(26)와 웨이퍼(W)에 형성되어 있는 노치(N)의 위치를 맞춤으로써, 크랙(C)과 노치(N)의 위치 관계에 기초하여 유지면(2a) 상에서의 연삭 부스러기(100)의 위치를 특정하는 것으로 했지만, 웨이퍼에 노치가 형성되어 있지 않고 배향판(orientation flat)이 형성되어 있는 경우는, 유지 테이블에 배향판 맞춤부를 설치하여, 웨이퍼에 형성되어 있는 배향판과 유지 테이블에 배향판 맞춤부를 맞춤으로써, 크랙과 배향판의 위치 관계에 기초하여, 유지면(2a) 상에서의 연삭 부스러기의 위치를 특정할 수 있다. The holding table 2 of this embodiment is provided with the notch fitting portion 26 and the position of the notch N formed on the wafer W is aligned with the notch fitting portion 26, The position of the grinding chip 100 on the holding surface 2a is specified on the basis of the positional relationship between the notch N and the notch N. However, The alignment plate alignment portion is provided on the holding table to fit the alignment plate portion to the alignment plate and the holding table formed on the wafer so as to perform the grinding on the holding surface 2a based on the positional relationship between the crack and the alignment plate The location of the debris can be specified.

또한, 유지 테이블에 노치 맞춤부도 배향판 맞춤부도 구비하지 않은 경우는, 웨이퍼의 중심으로부터 크랙까지의 거리를 제어부(91)가 구하고, 유지 테이블(2)의 중심으로부터 구한 거리만큼 이격된 위치에 세정 지석을 접촉시켜 유지 테이블(2)을 1회전시킴으로써, 크랙에 대응하는 위치에 있는 연삭 부스러기를 제거할 수 있다. If the notch alignment portion or the alignment plate alignment portion is not provided in the holding table, the control portion 91 obtains the distance from the center of the wafer to the crack, and the distance from the center of the wafer to the crack By grinding the grinding stone and rotating the holding table 2 once, it is possible to remove the grinding debris at the position corresponding to the crack.

1 : 세정 장치 2 : 유지 테이블
2a : 유지면 20 : 턴테이블
21 : 다공성판 22 : 프레임
23 : 베이스 24 : 흡인로
25 : 흡인원 26 : 노치 맞춤부
27 : 배리어 28 : 나사 구멍
3a, 3b : 연삭 수단 30 : 회전축
31 : 휠마운트 32 : 연삭휠
33 : 모터 34 : 연삭 지석
35 : 가이드 레일 36 : 승강판
37 : 모터 4a, 4b : 카세트 배치 영역
40a, 40b : 카세트 5 : 반입 반출 수단
50 : 위치 맞춤 테이블 6a : 제1 반송 수단
6b : 제2 반송 수단 7 : 웨이퍼 세정 수단
70 : 스피너 테이블 8 : 세정 수단
80 : 회전축 81 : 하우징
82 : 세정 지석 83 : 승강 수단(압박 수단)
830 : 레일 84 : 유지 테이블 회전 수단
840 : 모터 841 : 인코더
842 : 축 843 : 풀리
844 : 벨트 845 : 종동 풀리
85 : 가이드 레일 90 : 크랙 검출 수단
900 : 카메라 901 : 링조명
91 : 제어부 92 : 기억부
W : 웨이퍼 Wa : 표면
Wb : 이면 WO : 중심
N : 노치 C : 크랙
T : 보호 테이프 100 : 연삭 부스러기1: Cleaning device 2: Holding table
2a: holding surface 20: turntable
21: Porous plate 22: Frame
23: Base 24: Suction path
25: suction source 26: notch fitting portion
27: Barrier 28: Screw hole
3a, 3b: Grinding means 30:
31: Wheel mount 32: Grinding wheel
33: motor 34: grinding wheel
35: guide rail 36:
37: motors 4a, 4b: cassette arrangement area
40a, 40b: cassette 5: carry-in and carry-out means
50: alignment table 6a:
6b: second transfer means 7: wafer cleaning means
70: Spinner table 8: Cleaning means
80: rotating shaft 81: housing
82: cleaning stone 83: elevating means (pressing means)
830: rail 84: retaining table rotating means
840: Motor 841: Encoder
842: shaft 843: pulley
844: belt 845: driven pulley
85: Guide rail 90: Crack detection means
900: Camera 901: Ring light
91: Control unit 92:
W: Wafer Wa: Surface
Wb: If WO: Center
N: notch C: crack
T: protective tape 100: grinding chip

Claims (2)

다공성판을 구비하고 웨이퍼를 유지하는 유지면을 갖는 유지 테이블과, 상기 유지 테이블의 상기 유지면에 의해 유지된 웨이퍼를 지석의 연삭면으로 연삭하는 연삭 수단과, 상기 유지면을 세정하는 세정 수단을 구비하는 연삭 장치로서,
상기 세정 수단은, 상기 유지면에 접촉하여 상기 유지면으로부터 돌출된 연삭 부스러기를 깎아내는 판형의 세정 지석과, 상기 세정 지석을 상기 유지면에 압박하는 압박 수단과, 상기 유지 테이블을 상기 유지면의 중심을 축으로 회전시키는 유지 테이블 회전 수단을 포함하고,
상기 연삭 수단에 의해 연삭되고 상기 유지 테이블에 유지된 웨이퍼의 피연삭면측으로부터 웨이퍼에 발생한 크랙을 검출하는 크랙 검출 수단과,
상기 크랙 검출 수단이 웨이퍼에 발생한 크랙을 검출했을 때에, 상기 세정 수단으로 상기 유지면을 세정시켜 상기 유지면과 상기 연삭면의 평행도를 유지하는 제어부
를 포함하는 연삭 장치.A grinding means for grinding the wafer held by the holding surface of the holding table to the grinding surface of the grinding wheel; and a cleaning means for cleaning the holding surface, A grinding apparatus comprising:
The cleaning means includes a plate-shaped cleaning grindstone which is in contact with the holding surface and carries out grinding debris protruding from the holding surface, pressing means for pressing the washing grindstone against the holding surface, And holding table rotating means for rotating the center about the axis,
Crack detection means for detecting a crack generated on the wafer from the grinding surface side of the wafer ground by the grinding means and held on the holding table,
Wherein when the crack detection means detects a crack in the wafer, the control means cleans the holding surface with the cleaning means to maintain the parallelism between the holding surface and the grinding surface,
. 제1항에 있어서, 상기 크랙 검출 수단이 검출한 크랙의 위치를 기억하는 기억부를 포함하고, 상기 제어부는 상기 기억부가 기억하는 크랙의 위치에 해당하는 상기 유지면에서의 위치를 상기 세정 수단으로 세정시키는 것인 연삭 장치. The apparatus according to claim 1, further comprising a storage unit for storing a position of a crack detected by the crack detecting unit, wherein the control unit cleans the position on the holding surface corresponding to the position of the crack stored in the storage unit, .
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