JP2014154708A - Method and device for detecting crack of wafer - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and a device capable of detecting crack of a wafer in a simple method.SOLUTION: A method for detecting crack of a wafer comprises the steps of: preparing wafer holding means with a transparent or translucent holding member which holds the whole surface of a wafer and a luminous body arranged on the side opposite to a holding surface of the holding member; holding the wafer on the holding surface of the wafer holding means; making the luminous body emit light while holding the wafer by the holding means (light emitting step); imaging the wafer by the imaging means arranged facing the wafer held by the wafer holding means when the light emitting step is being performed; and detecting a location from which light from the luminous body leaks in the region in which the wafer is located from the image acquired by the imaging step as the crack of the wafer (crack detecting step).

Description

本発明は、ウエーハの割れを検出する割れ検出方法及び割れ検出装置に関する。   The present invention relates to a crack detection method and a crack detection apparatus for detecting a crack in a wafer.

IC、LSI等の数多くのデバイスが表面に形成され、且つ個々のデバイスが格子状に形成された分割予定ライン(ストリート)によって区画された半導体ウエーハは、研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに加工された後、ダイシング装置によって分割予定ラインを切削して個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電気機器に広く利用されている。   Semiconductor wafers defined by dividing lines (streets) in which a number of devices such as ICs and LSIs are formed on the surface and each device is formed in a lattice shape are ground to a predetermined thickness by a grinding machine. After being processed, the line to be divided is cut by a dicing apparatus to be divided into individual devices, and the divided devices are widely used in various electric devices such as mobile phones and personal computers.

ウエーハの裏面を研削する研削装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削砥石を有する研削ホイールが回転可能に装着された研削手段とを備えていて、ウエーハを高精度に所望の厚みに研削できる。   A grinding apparatus for grinding a back surface of a wafer includes a chuck table for holding a wafer, and a grinding means on which a grinding wheel having a grinding wheel for grinding the wafer held on the chuck table is rotatably mounted. The wafer can be ground to a desired thickness with high accuracy.

しかし、ウエーハを研削している際、又はウエーハを乾式或いは湿式で研磨している際に、研削砥石、研磨布に目詰まりが生じたり、研削砥石を構成する砥粒を含む塊が研削砥石から脱落したり、或いは研削水、研磨液の掛かり具合が変化したりするのに起因して、ウエーハに予測しえない負荷がかかり、肉眼では確認できない微細な割れがウエーハの内部又は外部に生じるという問題がある。   However, when grinding the wafer, or when polishing the wafer dry or wet, clogging occurs in the grinding wheel and polishing cloth, or a lump containing abrasive grains constituting the grinding wheel is removed from the grinding wheel. Due to falling off or changing the degree of application of grinding water or polishing liquid, unpredictable load is applied to the wafer, and minute cracks that cannot be confirmed with the naked eye occur inside or outside the wafer. There's a problem.

特開2005−153090号公報JP 2005-153090 A

ウエーハに微細な割れが発生すると、ウエーハをダイシングテープに貼着して環状フレームで支持する際にウエーハが完全に割れて作業の効率を低下させたり、ダイシングテープを介して環状フレームで支持されたウエーハをダイシングしている際にウエーハが割れ、その結果分割予定ラインにずれが生じて不良デバイスを多量に発生させたりするという問題がある。   When fine cracks occur in the wafer, when the wafer is attached to the dicing tape and supported by the annular frame, the wafer is completely broken to reduce the work efficiency, or the wafer is supported by the annular frame via the dicing tape. There is a problem that the wafer is cracked when dicing the wafer, and as a result, a line to be divided is displaced and a large number of defective devices are generated.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、簡単な方法でウエーハの割れを検出可能なウエーハの割れ検出方法及び割れ検出装置を提供することである。   The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to provide a wafer crack detection method and a crack detection apparatus capable of detecting a wafer crack by a simple method.

請求項1記載の発明によると、ウエーハの割れを検出するウエーハの割れ検出方法であって、ウエーハの全面を保持する透明又は半透明な保持部材と、該保持部材の保持面と反対側に配設された発光体とを備えたウエーハ保持手段を準備するウエーハ保持手段準備ステップと、該ウエーハ保持手段の該保持面でウエーハを保持するウエーハ保持ステップと、該保持手段でウエーハを保持しながら該発光体を発光させる発光ステップと、該発光ステップを実施中に、該ウエーハ保持手段に保持されたウエーハに対面して配設された撮像手段で該ウエーハを撮像する撮像ステップと、該撮像ステップで得られた撮像画像から、該ウエーハが位置する領域中で該発光体からの光が漏れる箇所を該ウエーハの割れ目として検出する割れ目検出ステップと、を備えたことを特徴とするウエーハの割れ検出方法が提供される。   According to the first aspect of the present invention, there is provided a wafer crack detection method for detecting a wafer crack, wherein a transparent or translucent holding member that holds the entire surface of the wafer is disposed on the opposite side of the holding surface of the holding member. A wafer holding means preparing step for preparing a wafer holding means provided with a light emitter, a wafer holding step for holding the wafer on the holding surface of the wafer holding means, and holding the wafer by the holding means. A light emission step for causing the light emitter to emit light, an imaging step for imaging the wafer with an imaging means disposed facing the wafer held by the wafer holding means during the light emission step, and an imaging step A crack detection step for detecting, as a crack in the wafer, a portion where light from the light emitter leaks from the obtained captured image in a region where the wafer is located Cracking method for detecting a wafer, characterized in that it comprises a are provided.

請求項3記載の発明によると、ウエーハの割れ検出装置であって、ウエーハの全面を保持する透明又は半透明な保持部材と、該保持部材の保持面と反対側に配設された発光体と、を有するウエーハ保持手段と、該ウエーハ保持手段の該保持面と対面し、該発光体が発光した状態で該保持面に保持されたウエーハを撮像する撮像手段と、該撮像手段で撮像した撮像画像を解析する画像解析手段と、を備え、該画像解析手段は、該撮像画像から該ウエーハが位置する領域中で該発光体からの光が漏れる箇所を該ウエーハの割れ目として検出することを特徴とするウエーハの割れ検出装置が提供される。   According to a third aspect of the present invention, there is provided a wafer crack detection device, comprising: a transparent or translucent holding member that holds the entire surface of the wafer; and a light emitter disposed on the opposite side of the holding surface of the holding member; A wafer holding means, an imaging means that faces the holding surface of the wafer holding means and images the wafer held on the holding surface in a state where the light emitter emits light, and an image picked up by the imaging means Image analysis means for analyzing an image, and the image analysis means detects a portion where light from the light emitter leaks as a crack in the wafer in a region where the wafer is located from the captured image. A wafer crack detection device is provided.

本発明によると、ウエーハの割れ目から光が漏れることを利用して、下側に発光体が配設されたウエーハ保持手段で保持したウエーハを撮像手段で撮像し、撮像画像の漏れ光を検出することで、容易に自動的にウエーハの割れを検出することができる。   According to the present invention, utilizing the fact that light leaks from the cracks in the wafer, the wafer held by the wafer holding means having the light emitter disposed on the lower side is imaged by the imaging means, and the leaked light in the captured image is detected. As a result, it is possible to easily and automatically detect cracks in the wafer.

これによって、自動的に割れたウエーハをより分けることが可能となるため、例えば研削後に割れの確認のために作業者を充てる必要がなくなり、次工程へ割れたウエーハが送られることもなくなるという効果を奏する。   This makes it possible to automatically separate the broken wafers, so that it is not necessary to allocate workers to confirm the cracks after grinding, for example, and the broken wafers are not sent to the next process. Play.

本発明の割れ検出装置を備えた研削装置の斜視図である。It is a perspective view of the grinding device provided with the crack detection device of the present invention. 本発明実施形態に係るウエーハの割れ検出装置の斜視図である。1 is a perspective view of a wafer crack detection device according to an embodiment of the present invention. ウエーハの割れ検出装置の一部断面側面図である。It is a partial cross section side view of a wafer crack detection device. 撮像画像の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a captured image.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明実施形態に係るウエーハの割れ検出装置を具備した研削装置2の斜視図が示されている。4は研削装置2のベースであり、ベース4の後方にはコラム6が立設されている。コラム6には、上下方向に延びる一対のガイドレール(一本のみ図示)8が固定されている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, there is shown a perspective view of a grinding apparatus 2 equipped with a wafer crack detection apparatus according to an embodiment of the present invention. Reference numeral 4 denotes a base of the grinding apparatus 2, and a column 6 is erected on the rear side of the base 4. A pair of guide rails (only one is shown) 8 extending in the vertical direction is fixed to the column 6.

この一対のガイドレール8に沿って研削ユニット(研削手段)10が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット10は、そのハウジング20が一対のガイドレール8に沿って上下方向に移動する移動基台12に取り付けられている。   A grinding unit (grinding means) 10 is mounted along the pair of guide rails 8 so as to be movable in the vertical direction. The grinding unit 10 is attached to a moving base 12 whose housing 20 moves in the vertical direction along a pair of guide rails 8.

研削ユニット10は、ハウジング20と、ハウジング20中に回転可能に収容された図示しないスピンドルと、スピンドルを回転駆動するサーボモーター22と、スピンドルの先端に固定された複数の研削砥石26を有する研削ホイール24を含んでいる。   The grinding unit 10 includes a housing 20, a spindle (not shown) rotatably accommodated in the housing 20, a servo motor 22 that rotationally drives the spindle, and a plurality of grinding wheels 26 fixed to the tip of the spindle. 24.

研削ユニット10は、研削ユニット10を一対の案内レール8に沿って上下方向に移動するボールねじ14とパルスモーター16とから構成される研削ユニット送り機構18を備えている。パルスモーター16を駆動すると、ボールねじ14が回転し、移動基台12が上下方向に移動される。   The grinding unit 10 includes a grinding unit feed mechanism 18 including a ball screw 14 and a pulse motor 16 that move the grinding unit 10 up and down along a pair of guide rails 8. When the pulse motor 16 is driven, the ball screw 14 rotates and the moving base 12 is moved in the vertical direction.

ベース4の中間部分にはチャックテーブル機構28が配設されており、チャックテーブル機構28は図示しないチャックテーブル移動機構によりY軸方向に移動される。32はチャックテーブル機構28をカバーする蛇腹である。   A chuck table mechanism 28 is disposed at an intermediate portion of the base 4, and the chuck table mechanism 28 is moved in the Y-axis direction by a chuck table moving mechanism (not shown). A bellows 32 covers the chuck table mechanism 28.

チャックテーブル機構28は回転駆動されるチャックテーブル30を備えている。チャックテーブル30は、枠体30aと、枠体30aの上面とその保持面が面一に形成されたポーラスセラミックス等の吸引保持部30bとから構成される。   The chuck table mechanism 28 includes a chuck table 30 that is rotationally driven. The chuck table 30 includes a frame body 30a, and an upper surface of the frame body 30a and a suction holding portion 30b made of porous ceramics or the like in which the holding surface is formed flush with each other.

チャックテーブル30に隣接して、第1厚み測定器34と第2厚み測定器36が配設されている。第1厚み測定器34の測定針はチャックテーブル30の枠体30aの上面に接触して枠体30aの高さを検出する。第2厚み測定器36の測定針はチャックテーブル30に吸引保持されたウエーハの表面に接触してウエーハの表面の高さを検出する。   A first thickness measuring device 34 and a second thickness measuring device 36 are disposed adjacent to the chuck table 30. The measuring needle of the first thickness measuring device 34 contacts the upper surface of the frame body 30a of the chuck table 30 to detect the height of the frame body 30a. The measuring needle of the second thickness measuring device 36 contacts the surface of the wafer sucked and held by the chuck table 30 to detect the height of the surface of the wafer.

第2厚み測定器36で検出したウエーハの表面の高さから第1厚み測定器34で検出したチャックテーブル30の高さを減算することにより、ウエーハの厚みを算出することができる。   By subtracting the height of the chuck table 30 detected by the first thickness measuring device 34 from the height of the surface of the wafer detected by the second thickness measuring device 36, the thickness of the wafer can be calculated.

ベース4の前側部分には、加工前ウエーハ収容カセット38と、加工済みウエーハ収容カセット40と、割れウエーハ収容カセット42が配設されている。ベース4の前側部分には更に、ウエーハ搬送ロボット44と、複数の位置決めピン48を有する位置決め機構46と、ウエーハ搬入機構(ローディングアーム)50と、ウエーハ搬出機構(アンローディングアーム)52と、スピンナ洗浄ユニット54が配設されている。   A pre-processed wafer storage cassette 38, a processed wafer storage cassette 40, and a broken wafer storage cassette 42 are disposed in the front portion of the base 4. The front portion of the base 4 further includes a wafer transfer robot 44, a positioning mechanism 46 having a plurality of positioning pins 48, a wafer carry-in mechanism (loading arm) 50, a wafer carry-out mechanism (unloading arm) 52, and a spinner cleaning. A unit 54 is provided.

スピンナ洗浄ユニット54はウエーハの割れ検出装置を兼用しており、ウエーハ保持手段として作用する回転可能な保持テーブル56を有している。58は研削装置2の外装カバーであり、この外装カバー58には保持テーブル56に保持されたウエーハを撮像する撮像ユニット(撮像手段)60が取り付けられている。   The spinner cleaning unit 54 also serves as a wafer crack detection device, and has a rotatable holding table 56 that acts as a wafer holding means. Reference numeral 58 denotes an exterior cover of the grinding apparatus 2, and an imaging unit (imaging unit) 60 that captures an image of the wafer held on the holding table 56 is attached to the exterior cover 58.

以下、本実施形態の研削装置の作用について説明する。加工前ウエーハ収容カセット38中に収容された加工前のウエーハ11(図3参照)は、ウエーハ搬送ロボット44によりカセット38中から取り出されて、位置決め機構46により中心位置決めが実施される。   Hereinafter, the operation of the grinding apparatus of this embodiment will be described. The unprocessed wafer 11 (see FIG. 3) accommodated in the unprocessed wafer storage cassette 38 is taken out from the cassette 38 by the wafer transfer robot 44 and is centered by the positioning mechanism 46.

次いで、ウエーハ搬入機構50の旋回動作により、ウエーハ搬入・搬出位置に位置付けられたチャックテーブル30にウエーハ11が搬入され、チャックテーブル30によりウエーハ11が吸引保持され、チャックテーブル30がY軸方向に移動されて研削位置に位置付けられる。   Next, by the turning operation of the wafer carry-in mechanism 50, the wafer 11 is carried into the chuck table 30 positioned at the wafer carry-in / out position, the wafer 11 is sucked and held by the chuck table 30, and the chuck table 30 moves in the Y-axis direction. And positioned in the grinding position.

研削位置に位置付けられたチャックテーブル30を例えば300rpmで回転しつつ、サーボモーター22を駆動して研削ホイール24を例えば6000rpmで回転するとともに、研削ユニット送り機構18のパルスモーター16を駆動して研削ユニット15を所定の送り速度で下降させる。   While rotating the chuck table 30 positioned at the grinding position at, for example, 300 rpm, the servo motor 22 is driven to rotate the grinding wheel 24 at, for example, 6000 rpm, and the pulse motor 16 of the grinding unit feeding mechanism 18 is driven to drive the grinding unit. 15 is lowered at a predetermined feed rate.

第2厚み測定器36でウエーハ11の高さを検出しながら、研削ホイール24の研削砥石26をチャックテーブル30に保持されたウエーハ11に所定の加重で押圧することにより、ウエーハ11を所望の厚みに研削する。   While detecting the height of the wafer 11 with the second thickness measuring device 36, the grinding wheel 26 of the grinding wheel 24 is pressed against the wafer 11 held on the chuck table 30 with a predetermined load, thereby causing the wafer 11 to have a desired thickness. To grind.

研削終了後、チャックテーブル30をウエーハ搬入・搬出位置に戻した後、ウエーハ搬出機構52の旋回動作により研削済みのウエーハ11をスピンナ洗浄ユニット兼ウエーハの割れ検出装置54の保持テーブル56上に搬送し、保持テーブル56で研削済みのウエーハ11を吸引保持する。洗浄水を供給しながら保持テーブル56を回転させてウエーハ11を洗浄した後、洗浄水の供給を絶ってウエーハ11をスピン乾燥する。   After grinding, the chuck table 30 is returned to the wafer carry-in / carry-out position, and then the wafer 11 that has been ground by the turning operation of the wafer carry-out mechanism 52 is transferred onto the holding table 56 of the spinner cleaning unit / wafer crack detection device 54. The ground wafer 11 is sucked and held by the holding table 56. The wafer 11 is cleaned by rotating the holding table 56 while supplying the cleaning water, and then the wafer 11 is spin-dried without supplying the cleaning water.

スピン乾燥後、撮像ユニット60で保持テーブル56に保持されたウエーハ11を撮像し、図2乃至図4を参照して詳細に説明するウエーハの割れ検出装置54によりウエーハに割れがあるか否かを検出する。   After the spin drying, the imaging unit 60 images the wafer 11 held on the holding table 56, and the wafer crack detection device 54 described in detail with reference to FIGS. To detect.

割れが発生してないと検出された研削済みのウエーハは、ウエーハ搬送ロボット44により加工済みウエーハ収容カセット40に収容され、割れが検出されたウエーハはウエーハ搬送ロボット44により割れウエーハ収容カセット42に収容される。   The ground wafer that has been detected as having no cracks is housed in the processed wafer storage cassette 40 by the wafer transport robot 44, and the wafer in which the crack has been detected is stored in the cracked wafer storage cassette 42 by the wafer transport robot 44. Is done.

以下、図2乃至図4を参照して、ウエーハの割れ検出装置54について詳細に説明する。ウエーハの割れ検出装置54の保持テーブル56は、図3に最もよく示されるように、基台62に形成された円形凹部63中に例えばLED等からなる複数の発光体64が配設されている。   Hereinafter, the wafer crack detection device 54 will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 4. As best shown in FIG. 3, the holding table 56 of the wafer crack detection device 54 is provided with a plurality of light emitters 64 made of, for example, LEDs or the like in a circular recess 63 formed in the base 62. .

円形凹部63の上に形成された嵌合部65には、石英等の透明体からなる保持部材66が嵌合されている。保持部材66には複数の貫通穴68が形成されており、これらの貫通穴68は吸引路70を介して図示しない吸引源に接続されている。   A holding member 66 made of a transparent material such as quartz is fitted into the fitting portion 65 formed on the circular recess 63. A plurality of through holes 68 are formed in the holding member 66, and these through holes 68 are connected to a suction source (not shown) through a suction path 70.

ウエーハ11はその表面に保護テープTが貼着されており、この状態でウエーハ11の裏面の研削が実施される。スピンナ洗浄ユニット兼ウエーハの割れ検出装置54の保持テーブル56で保護テープTを介して研削済みのウエーハ11を吸引保持した後、ウエーハ11の洗浄及びスピン乾燥が実施される。   The wafer 11 has a protective tape T attached to the surface thereof, and the back surface of the wafer 11 is ground in this state. After the wafer 11 that has been ground is sucked and held via the protective tape T by the holding table 56 of the spinner cleaning unit / wafer crack detection device 54, the wafer 11 is cleaned and spin-dried.

スピン乾燥後、発光体64を点灯して撮像ユニット60でウエーハ11を撮像する。撮像ユニット60は画像解析手段72に接続されており、画像解析手段72は図4に示すモニタ74に接続されている。   After the spin drying, the light emitter 64 is turned on and the wafer 11 is imaged by the imaging unit 60. The imaging unit 60 is connected to an image analysis means 72, and the image analysis means 72 is connected to a monitor 74 shown in FIG.

保護テープTは半透明な素材から形成されているため、発光体64からの光は透明な保持部材66及び保護テープTを透過してウエーハ11に入射する。ウエーハ11はシリコンやテープ側に膜が付けられた光デバイスウエーハ等の不透明部材から形成されているため、発光体64からの光はウエーハ11を透過することはなく、撮像ユニット60で撮像したウエーハ11の撮像画像は、画像解析手段72で解析すると、ウエーハが位置する領域はその全体が黒く表示される。   Since the protective tape T is made of a translucent material, the light from the light emitter 64 passes through the transparent holding member 66 and the protective tape T and enters the wafer 11. Since the wafer 11 is formed of an opaque member such as an optical device wafer having a film formed on the silicon or tape side, the light from the light emitter 64 does not pass through the wafer 11 and the wafer imaged by the imaging unit 60. When the 11 imaged images are analyzed by the image analysis means 72, the entire region where the wafer is located is displayed in black.

しかし、研削後のウエーハ11に割れ目13が存在すると、この割れ13から漏れ光15が出射するため、図4のモニタ74に表示された撮像画像では、割れ目13に対応した漏れ光15が白く表示される。よって、漏れ光15を検出することにより、研削後のウエーハ11に割れがあると検出できる。   However, if there is a crack 13 in the ground wafer 11, the leakage light 15 is emitted from the crack 13. Therefore, in the captured image displayed on the monitor 74 in FIG. 4, the leakage light 15 corresponding to the crack 13 is displayed in white. Is done. Therefore, by detecting the leakage light 15, it can be detected that there is a crack in the wafer 11 after grinding.

上述した実施形態では、本発明の割れ検出装置を、研削装置2のスピンナ洗浄ユニット部分に配置した例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、割れ検出装置単体としても利用することができる。   In the embodiment described above, the example in which the crack detection device of the present invention is arranged in the spinner cleaning unit portion of the grinding device 2 has been described. However, the present invention is not limited to this, and is used as a single crack detection device. can do.

2 研削装置
10 研削ユニット
11 ウエーハ
13 割れ目
15 漏れ光
24 研削ホイール
30 チャックテーブル
38 加工前ウエーハ収容カセット
40 加工済みウエーハ収容カセット
42 割れウエーハ収容カセット
54 洗浄ユニット兼割れ検出装置
56 保持テーブル
60 撮像ユニット
64 発光体
66 透明保持部材
T 保護テープ
72 画像解析手段
74 モニタ
2 Grinding device 10 Grinding unit 11 Wafer 13 Crack 15 Leakage light 24 Grinding wheel 30 Chuck table 38 Wafer housing cassette 40 before processing Wafer housing cassette 42 Wafer housing cassette 54 Cracked wafer housing cassette 54 Cleaning unit / crack detection device 56 Holding table 60 Imaging unit 64 Light emitter 66 Transparent holding member T Protective tape 72 Image analysis means 74 Monitor

Claims (3)

ウエーハの割れを検出するウエーハの割れ検出方法であって、
ウエーハの全面を保持する透明又は半透明な保持部材と、該保持部材の保持面と反対側に配設された発光体とを備えたウエーハ保持手段を準備するウエーハ保持手段準備ステップと、
該ウエーハ保持手段の該保持面でウエーハを保持するウエーハ保持ステップと、
該保持手段でウエーハを保持しながら該発光体を発光させる発光ステップと、
該発光ステップを実施中に、該ウエーハ保持手段に保持されたウエーハに対面して配設された撮像手段で該ウエーハを撮像する撮像ステップと、
該撮像ステップで得られた撮像画像から、該ウエーハが位置する領域中で該発光体からの光が漏れる箇所を該ウエーハの割れ目として検出する割れ目検出ステップと、
を備えたことを特徴とするウエーハの割れ検出方法。
A wafer crack detection method for detecting wafer cracks,
A wafer holding means preparing step for preparing a wafer holding means comprising a transparent or translucent holding member for holding the entire surface of the wafer, and a light emitter disposed on the opposite side of the holding surface of the holding member;
A wafer holding step for holding the wafer on the holding surface of the wafer holding means;
A light emission step of causing the light emitter to emit light while holding the wafer by the holding means;
An imaging step of imaging the wafer with imaging means disposed facing the wafer held by the wafer holding means during the light emission step;
From the captured image obtained in the imaging step, a crack detection step of detecting a location where light from the light emitter leaks in a region where the wafer is located as a crack of the wafer;
A method for detecting cracks in a wafer, comprising:
前記ウエーハは片面に保護テープが貼着されている請求項1記載のウエーハの割れ検出方法。   2. The wafer crack detection method according to claim 1, wherein a protective tape is attached to one side of the wafer. ウエーハの割れ検出装置であって、
ウエーハの全面を保持する透明又は半透明な保持部材と、該保持部材の保持面と反対側に配設された発光体と、を有するウエーハ保持手段と、
該ウエーハ保持手段の該保持面と対面し、該発光体が発光した状態で該保持面に保持されたウエーハを撮像する撮像手段と、
該撮像手段で撮像した撮像画像を解析する画像解析手段と、を備え、
該画像解析手段は、該撮像画像から該ウエーハが位置する領域中で該発光体からの光が漏れる箇所を該ウエーハの割れ目として検出することを特徴とするウエーハの割れ検出装置。
A wafer crack detection device,
A wafer holding means having a transparent or translucent holding member for holding the entire surface of the wafer, and a light emitter disposed on the opposite side of the holding surface of the holding member;
Imaging means for facing the holding surface of the wafer holding means and imaging the wafer held on the holding surface in a state where the light emitter emits light;
Image analysis means for analyzing a captured image captured by the imaging means,
The apparatus for detecting cracks in a wafer, wherein the image analysis means detects, as a crack in the wafer, a portion where light from the light emitter leaks in a region where the wafer is located from the captured image.
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