JP2010010267A - Working device for semiconductor wafer - Google Patents

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JP2010010267A JP2008165690A JP2008165690A JP2010010267A JP 2010010267 A JP2010010267 A JP 2010010267A JP 2008165690 A JP2008165690 A JP 2008165690A JP 2008165690 A JP2008165690 A JP 2008165690A JP 2010010267 A JP2010010267 A JP 2010010267A
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Ken Kimura
Takeru Kobayashi
Yasutaka Mizomoto
Takahiko Tsuno
長 小林
謙 木村
貴彦 津野
康隆 溝本
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Disco Abrasive Syst Ltd
株式会社ディスコ
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a working device such as a grinding device that can carry out a semiconductor wafer to a next process after positioning it in a predetermined direction. <P>SOLUTION: The working device for the semiconductor wafer having a mark indicating a crystal orientation at an outer periphery has a spinner cleaning device 64 which cleans and spin-dries the semiconductor wafer having been ground or polished. The spin cleaning device includes a spinner table 68, an encoder which detects the rotation angle of the spinner table, a cleaning water supply nozzle, and an imaging means which images an outer peripheral part of the semiconductor wafer having been cleaned and spin-dried to detect the mark indicating the crystal orientation of the semiconductor wafer and includes a lighting means. A control means rotates the spinner table based upon the detected mark to position the semiconductor wafer in the predetermined direction, and then a carrying-out means 66 carries out the semiconductor wafer having been positioned in the predetermined direction. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、外周に結晶方位を示すマークを備えた半導体ウエーハを研削又は研磨した後に次工程へ搬出する半導体ウエーハの加工装置に関する。 The present invention relates to a processing apparatus of a semiconductor wafer to be carried out to the next step of the semiconductor wafer after grinding or polishing with a mark indicating the crystal orientation in the outer periphery.

IC、LSI等のデバイスが表面に形成され、個々のデバイスが分割予定ラインによって区画された半導体ウエーハは研削・研磨装置によって裏面が研削又は研磨されて所望の厚みへ加工された後、ダイシング装置等によって分割予定ラインが切削されて個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の電気機器に広く利用されている。 IC, devices such as an LSI is formed on the surface, after the back surface has been machined ground or polished to the desired thickness by individual devices semiconductor wafer grinding and polishing apparatus partitioned by dividing lines, a dicing apparatus or the like the dividing line is cut is divided into individual devices, split device is a mobile phone, which are widely used in electrical equipment such as a personal computer by.

近年、電気機器の軽量化、小型化を達成するために、これら半導体ウエーハ等の被加工物を例えば、100μm以下更には50μm以下と非常に薄く研削することが要求されている。 Recently, weight reduction of electrical appliances, in order to achieve miniaturization, a workpiece such as these semiconductor wafers for example, 100 [mu] m or less and more are required to be very thin grinding and 50μm or less.

しかし、例えば50μm以下と非常に薄く研削された半導体ウエーハは破損し易く、ハンドリングが困難になるという問題がある。 However, for example, 50μm or less and a very thin ground semiconductor wafer is easily broken, there is a problem that handling becomes difficult. 通常、裏面が研削又は研磨された半導体ウエーハは研削・研磨装置から搬出された後、ダイシング後のチップピックアップを容易にするために、ダイシングの前に環状フレームに装着されたダイシングテープに貼着される。 Normally, the semiconductor wafer back surface is ground or polished after being unloaded from the grinding and polishing apparatus, in order to facilitate the chip pickup after dicing, is affixed to a dicing tape mounted on an annular frame before dicing that.

一方、ダイシング装置で半導体ウエーハを切削する際に、装置が自動で切削位置を検出できるようにダイシングテープへの貼着時にウエーハの向きを揃える必要がある。 On the other hand, when cutting the semiconductor wafer in the dicing apparatus, it is necessary to align the orientation of the wafer when adhering to the dicing tape so as to detect a cutting position device automatically.

そこで一般に、研削又は研磨されたウエーハはテープ貼着装置へと搬送された後、テープ貼着装置の位置合わせテーブル上に載置されて所定の向きへ位置合わせされてから、テープマウント用テーブルへと搬送されてダイシングテープが貼着される。 Therefore in general, after the grinding or polished wafer is conveyed to the tape sticking device, is placed on a positioning table of the tape sticking device after being aligned in a predetermined direction, the tape mount table is conveyed to the dicing tape is stuck.
特開2006−21264号公報 JP 2006-21264 JP

ところが、薄い半導体ウエーハでは抗折強度が十分でないため、テーブルへ載置する際に破損してしまうことが多く、テーブルへの載置回数が多ければそれだけ破損の可能性は高くなる。 However, since the transverse rupture strength is not sufficient for a thin semiconductor wafer, often being damaged when placing the table, the possibility of much damage the more 置回 number mounting to a table is increased.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、研削又は研磨された半導体ウエーハを所定の向きに位置合わせした後、次工程へ搬出可能な半導体ウエーハの加工装置を提供することである。 The present invention has been made in view of such points, and an object, after aligning the grinding or polishing semiconductor wafer in a predetermined orientation, processing of the unloading possible semiconductor wafer to the next step it is to provide an apparatus.

本発明によると、外周に結晶方位を示すマークを備えた半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された半導体ウエーハの裏面を所望の厚みに研削又は研磨する加工手段と、研削又は研磨された半導体ウエーハを洗浄及びスピン乾燥するスピンナ洗浄装置と、該スピンナ洗浄装置を制御する制御手段と、洗浄及びスピン乾燥された半導体ウエーハを該スピンナ洗浄装置から次工程へ搬出する搬出手段とを備えた半導体ウエーハの加工装置であって、前記スピンナ洗浄装置は、半導体ウエーハと略同径以上の径を有し半導体ウエーハを保持して回転するスピンナテーブルと、該スピンナテーブルの回転角を検出するエンコーダと、半導体ウエーハへ洗浄水を供給する洗浄水供給ノズルと、該スピンナテーブルの According to the present invention, a chuck table for holding a semiconductor wafer having a mark indicating the crystal orientation in the outer periphery, a machining means for grinding or polishing the back surface of the semiconductor wafer held on the chuck table to a desired thickness, grinding or a spinner cleaning apparatus for cleaning and spin drying the polished semiconductor wafer, and a control means for controlling the spinner cleaning device, the cleaning and spin drying semiconductor wafer and unloading means for unloading from the spinner cleaning device to the next step a working apparatus of a semiconductor wafer having the spinner cleaning apparatus includes a spinner table which holds and rotates the semiconductor wafer has a diameter on the semiconductor wafer and substantially the same diameter or, for detecting the rotation angle of the spinner table an encoder, a cleaning water supply nozzle for supplying cleaning water to the semiconductor wafer, of the spinner table エーハ保持面より上方に配置され、洗浄及びスピン乾燥された半導体ウエーハの外周部を撮像して、半導体ウエーハの結晶方位を示す前記マークを検出する照明手段を含む撮像手段とを具備し、検出した該マークを元に前記制御手段が前記スピンナテーブルを回転させることで半導体ウエーハを所定の向きに位置付けた後に、前記搬出手段が所定の向きに位置付けられた半導体ウエーハを搬出することを特徴とする半導体ウエーハの加工装置が提供される。 It is disposed above the Eha holding surface, by imaging the outer peripheral portion of the washing and spin-dried semiconductor wafer, comprising an imaging means including illumination means for detecting the mark indicating the crystal orientation of the semiconductor wafer, and detects semiconductor, characterized in that said control means based on the mark after positioning the semiconductor wafer in a predetermined direction by rotating the spinner table, carries out the semiconductor wafer in which the discharge means is positioned in a predetermined direction processing apparatus of the wafer is provided.

請求項2記載の発明によると、請求項1記載の発明において、スピンナテーブルは半導体ウエーハを吸着保持するポーラス吸着部と、ポーラス吸着部を囲繞する外周部を有する基台とから構成され、外周部は撮像手段で撮像した際に照明手段からの光を乱反射させる乱反射面を有している。 According to the second aspect of the invention, in the invention according to the first aspect, spinner table is composed of a porous suction portion for sucking and holding the semiconductor wafer, a base having an outer peripheral portion surrounding the porous suction portion, the outer peripheral portion has a diffuse reflection surface for diffuse reflection of light from the illumination means when captured by the imaging means.

請求項1記載の発明によると、スピンナテーブル上で半導体ウエーハを所定の向きに揃えることが可能であるため、ダイシングテープを貼着するテープマウント工程等の次工程で、再度半導体ウエーハの向きを揃えるステップを省略でき、半導体ウエーハの破損を低減できる。 According to the first aspect of the invention, since it is possible to align the semiconductor wafer in a predetermined orientation on spinner table, at the next step such as a tape mounting step of attaching the dicing tape, aligning the orientation of the re semiconductor wafer step can be omitted, it is possible to reduce the damage of the semiconductor wafer.

請求項2記載の発明によると、スピンナテーブルの外周が撮像手段からの光を乱反射する乱反射面を有しているため、半導体ウエーハを撮像した際に半導体ウエーハ外周を明瞭に検出することができる。 According to the second aspect of the invention, since the outer periphery of the spinner table has a diffuse reflection surface that diffusely reflects light from the imaging means, it is possible to clearly detect the semiconductor wafer periphery when capturing a semiconductor wafer.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, detailed description of the embodiments of the present invention with reference to the drawings. 図1は所定の厚さに加工される前の半導体ウエーハ11の斜視図である。 Figure 1 is a perspective view of a front of the semiconductor wafer 11 to be processed to a predetermined thickness. 図1に示す半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハから成っており、表面11aに複数のストリート13が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート13によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。 The semiconductor wafer 11 shown in FIG. 1, for example, comprises a thickness from a silicon wafer of 700 .mu.m, with a plurality of streets 13 are formed in a lattice pattern on the surface 11a, a plurality of partitioned by the plurality of streets 13 IC, the device 15 of the LSI or the like is formed in the region.

このように構成された半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19を備えている。 The semiconductor wafer 11 having such a structure includes a device region 17 the device 15 is formed, a peripheral marginal region 19 surrounding the device region 17. また、半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。 Further, the outer periphery of the semiconductor wafer 11, a notch 21 as a mark indicating the crystal orientation of the silicon wafer is formed. このノッチ21の方向は、ストリート13に平行である。 The direction of the notch 21 is parallel to the street 13.

半導体ウエーハ11の表面11aには、保護テープ貼着工程により保護テープ23が貼着される。 The surface 11a of the semiconductor wafer 11, a protective tape 23 is stuck by a protective tape applying process. 従って、半導体ウエーハ11の研削時には、半導体ウエーハ11の表面11aは、保護テープ23によって保護され、図2に示すように裏面11bが露出する形態となる。 Therefore, when the grinding of the semiconductor wafer 11, the surface 11a of the semiconductor wafer 11 is protected by a protective tape 23, the form in which the back surface 11b are exposed as shown in FIG.

以下、このように形成された半導体ウエーハ11の裏面11bを所定厚さに研削する研削装置2を図3を参照して説明する。 Hereinafter, it will be explained such a grinding device 2 for grinding to a predetermined thickness of the back surface 11b of the semiconductor wafer 11 which is formed with reference to FIG. 4は研削装置2のハウジングであり、ハウジング4の後方には二つのコラム6a6bが垂直に立設されている。 4 is a housing of the grinding device 2, the rear of the housing 4 two columns 6a6b is erected vertically.

コラム6aには、上下方向に伸びる一対のガイドレール(一本のみ図示)8が固定されている。 The column 6a, a pair of guide rails (only one) 8 extending in the vertical direction is fixed. この一対のガイドレール8に沿って粗研削ユニット10が上下方向に移動可能に装着されている。 Rough grinding unit 10 is movably mounted in the vertical direction along the pair of guide rails 8. 粗研削ユニット10は、そのハウジング20が一対のガイドレール8に沿って上下方向に移動する移動基台12に取り付けられている。 Rough grinding unit 10 is attached to the moving base 12 to which the housing 20 is moved vertically along the pair of guide rails 8.

粗研削ユニット10は、ハウジング20と、ハウジング20中に回転可能に収容された図示しないスピンドルと、スピンドルを回転駆動するサーボモータ22と、スピンドルの先端に固定された複数の粗研削用の研削砥石26を有する研削ホイール24を含んでいる。 Rough grinding unit 10 includes a housing 20, a spindle (not shown) which is rotatably accommodated in the housing 20, a servo motor 22 for rotating the spindle, grinding wheel for multiple rough grinding, which is fixed to the distal end of the spindle It contains grinding wheel 24 having 26.

粗研削ユニット10は、粗研削ユニット10を一対の案内レール8に沿って上下方向に移動するボールねじ14とパルスモータ16とから構成される粗研削ユニット移動機構18を備えている。 Rough grinding unit 10 includes a configured rough grinding unit moving mechanism 18 of the rough grinding unit 10 from the ball screw 14 and the pulse motor 16 for moving up and down along a pair of guide rails 8. パルスモータ16をパルス駆動すると、ボールねじ14が回転し、移動基台12が上下方向に移動される。 When the pulse motor 16 is pulse-driven, the ball screw 14 is rotated, the moving base 12 is moved in the vertical direction.

他方のコラム6bにも、上下方向に伸びる一対のガイドレール(一本のみ図示)19が固定されている。 Also other column 6b, a pair of guide rails (only one) 19 extending in the vertical direction is fixed. この一対のガイドレール19に沿って仕上げ研削ユニット28が上下方向に移動可能に装着されている。 Finish grinding unit 28 is movably mounted in the vertical direction along the pair of guide rails 19.

仕上げ研削ユニット28は、そのハウジング36が一対のガイドレール19に沿って上下方向に移動する図示しない移動基台に取り付けられている。 Finish grinding unit 28, the housing 36 is attached to the movable base (not shown) to move vertically along the pair of guide rails 19. 仕上げ研削ユニット28は、ハウジング36と、ハウジング36中に回転可能に収容された図示しないスピンドルと、スピンドルを回転駆動するサーボモータ38と、スピンドルの先端に固定された仕上げ研削用の研削砥石42を有する研削ホイール40を含んでいる。 Finish grinding unit 28 includes a housing 36, a spindle (not shown) which is rotatably accommodated in the housing 36, a servo motor 38 for rotating the spindle, a grinding wheel 42 for finish grinding which is fixed to the tip of the spindle It contains grinding wheel 40 having.

仕上げ研削ユニット28は、仕上げ研削ユニット28を一対の案内レール19に沿って上下方向に移動するボールねじ30とパルスモータ32とから構成される仕上げ研削ユニット移動機構34を備えている。 Finish grinding unit 28 includes a finish grinding unit moving mechanism 34 consists of a ball screw 30 and the pulse motor 32 for moving up and down along the finish grinding unit 28 to the pair of guide rails 19. パルスモータ32を駆動すると、ボールねじ30が回転し、仕上げ研削ユニット28が上下方向に移動される。 Driving the stepping motor 32, the ball screw 30 rotates, the finishing grinding unit 28 is moved in the vertical direction.

研削装置2は、コラム6a,6bの前側においてハウジング4の上面と略面一となるように配設されたターンテーブル44を具備している。 Grinding apparatus 2 is provided with a turntable 44 disposed so as to be upper surface substantially flush housing 4 in front of the column 6a, 6b. ターンテーブル44は比較的大径の円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によって矢印45で示す方向に回転される。 Turntable 44 is formed in a relatively large diameter disc-shaped and is rotated in the direction indicated by the arrow 45 by a not-shown rotation driving mechanism.

ターンテーブル44には、互いに円周方向に120°離間して3個のチャックテーブル46が水平面内で回転可能に配置されている。 The turntable 44, three chuck tables 46 spaced 120 ° circumferentially from each other are rotatably arranged in a horizontal plane. チャックテーブル46は、ポーラスセラミック材によって円盤状に形成された吸着チャックを有しており、吸着チャックの保持面上に載置されたウエーハを真空吸引手段を作動することにより吸引保持する。 The chuck table 46 has a suction chuck formed in a disk shape of the porous ceramic material is sucked and held by operating the vacuum suction means wafers placed on the holding surface of the vacuum chuck.

ターンテーブル44に配設された3個のチャックテーブル46は、ターンテーブル44が適宜回転することにより、ウエーハ搬入・搬出領域A、粗研削加工領域B、仕上げ研削加工領域C、及びウエーハ搬入・搬出領域Aに順次移動される。 Three chuck table 46 disposed on the turntable 44, by the turn table 44 is rotated appropriately, the wafer loading and unloading areas A, rough grinding area B, finish grinding area C, and the wafer loading and unloading It is sequentially moved to the area a.

ハウジング4の前側部分には、ウエーハカセット50と、リンク51及びハンド52を有するウエーハ搬送ロボット54と、複数の位置決めピン58を有する位置決めテーブル56と、ウエーハ搬入機構(ローディングアーム)60と、ウエーハ搬出機構(アンローディングアーム)62と、研削されたウエーハを洗浄及びスピン乾燥するスピンナ洗浄装置64と、スピンナ洗浄装置64で洗浄及びスピン乾燥された研削後のウエーハを次工程へ搬出する搬出手段66が配設されている。 The front portion of the housing 4, the wafer cassette 50, the wafer transfer robot 54 has a link 51 and hand 52, the positioning table 56 having a plurality of positioning pins 58, the wafer carrying mechanism (loading arm) 60, a wafer out a mechanism (unloading arm) 62, a spinner cleaning device 64 for cleaning and spin drying the grinded wafer is unloaded means 66 for unloading the wafer after grinding was washed and spin dried spinner cleaning device 64 to the next step It is disposed.

スピンナ洗浄装置64は、研削された半導体ウエーハを吸引保持して回転するスピンナテーブル68を有している。 Spinner cleaning device 64 has a spinner table 68 which rotates suction-holding the ground semiconductor wafer. スピンナテーブル68は半導体ウエーハの直径と概略同径以上の直径を有している。 Spinner table 68 has a diameter on the diameter and approximately the same size or less of the semiconductor wafer.

図4に示すように、スピンナテーブル68はウエーハ11を吸着保持するポーラス吸着部70と、ポーラス吸着部70を囲繞する外周部72を有する基台71とから構成される。 As shown in FIG. 4, spinner table 68 and the porous suction portions 70 for attracting and holding the wafer 11 and a base 71 and having an outer peripheral portion 72 surrounding the porous suction portion 70. 外周部72を有する基台71は例えば白色セラミックから形成されており、その上面72aは乱反射面に形成されている。 Base 71 having an outer peripheral portion 72 is formed, for example, from white ceramic, the upper surface 72a is formed on the irregular reflection surface.

代替案として、外周部72をSUS等の金属から形成することもできる。 Alternatively, the outer peripheral portion 72 may be formed from a metal such as SUS. この場合、その上面72aは粗研削加工が施されて乱反射面とされている。 In this case, the upper surface 72a is rough grinding is a decorated with by irregular reflection surface. 外周部72を、例えば明色に着色された樹脂から形成することもでき、上面72aは同じく乱反射面とされている。 The outer peripheral portion 72 can also be formed from, for example, lightening the colored resin, the upper surface 72a is the same diffuse reflection surface.

あるいは、外周部72を金属、セラミック、樹脂の組み合わせから形成するようにしても良い。 Alternatively, the outer peripheral portion 72 of metal, ceramic, may be formed from a combination of the resin. ポーラス吸着部70の上面(ウエーハ保持面)と外周部72の上面72aは面一に形成されている。 Upper surface 72a of the outer peripheral portion 72 and the upper surface (wafer holding surface) of the porous suction portions 70 are flush.

スピンナ洗浄装置64は、スピンナテーブル68に吸着保持された研削済みのウエーハに向けて洗浄水を供給する図示しない洗浄水供給ノズルを有している。 Spinner cleaning device 64 includes a cleaning water supply nozzle (not shown) for supplying washing water toward the ground already wafer attracted to and held on the spinner table 68. スピンナ洗浄装置64のカバー74には、半導体ウエーハ11の結晶方位を示すマーク21を撮像して検出する撮像手段76が下向きに取り付けられている。 The cover 74 of the spinner cleaning unit 64, imaging unit 76 for detecting by imaging the mark 21 indicating the crystal orientation of the semiconductor wafer 11 is attached downward.

図4に示すように、撮像手段76には撮像時にウエーハ11の外周部及びスピンナテーブル68の外周部72の上面72aを照明する照明手段78が取り付けられている。 As shown in FIG. 4, the illumination means 78 for illuminating the upper surface 72a of the outer peripheral portion 72 of the outer peripheral portion and the spinner table 68 of the wafer 11 during imaging is attached to the imaging unit 76. 撮像手段76は、半導体ウエーハ11の外周部及びスピンナテーブル68の外周部72の上面72aを撮像可能なようにカバー74に取り付けられている。 Imaging means 76 is attached to the outer peripheral portion and the cover 74 to allow imaging the top surface 72a of the outer peripheral portion 72 of the spinner table 68 of the semiconductor wafer 11. スピンナ洗浄装置64はスピンナテーブル68の回転角を検出するエンコーダを有している。 Spinner cleaning device 64 has an encoder for detecting the rotation angle of the spinner table 68.

仕上げ研削の終了したウエーハが、ターンテーブル44を回転することによりウエーハ搬入・搬出領域Aに位置付けられると、ウエーハ搬出機構(アンローディングアーム)62の吸着パッド62bがウエーハを吸着し、アンローディングアーム62が旋回することにより、ウエーハはスピンナ洗浄装置64のスピンナテーブル68に搬送され、スピンナテーブル68により吸引保持される。 Finished wafer finish grinding, when positioned in a wafer loading and unloading area A by rotating the turntable 44, the suction pad 62b of the wafer unloading mechanism (unloading arm) 62 adsorbs wafer unloading arm 62 There by pivoting, the wafer is conveyed to the spinner table 68 of the spinner cleaning device 64, it is sucked and held by the spinner table 68.

スピンナテーブル68に保持されたウエーハは、洗浄水供給ノズルから洗浄水を供給しながらスピンナテーブル68を約800rpmで回転しながら洗浄され、洗浄後には洗浄水供給ノズルからの洗浄水の供給を絶ってスピンナテーブル68を約3000rpm等の高速で回転させて洗浄後のウエーハをスピン乾燥する。 The wafer held on the spinner table 68, while supplying the cleaning water from the cleaning water supply nozzles are cleaned while rotating the spinner table 68 at approximately 800 rpm, after washing stand the supply of the cleaning water from the cleaning water supply nozzle rotating the spinner table 68 at a high speed of about 3000rpm such a wafer after washing is spin-dried.

洗浄及びスピン乾燥されたウエーハ11の外周エッジ部は、照明手段78から照明光80をウエーハ11の外周エッジ部及びスピンナテーブル68の外周部72の上面72aに照射しながら撮像手段76で撮像される。 The outer peripheral edge portion of the cleaning and spin dried wafer 11 is imaged by the imaging unit 76 while illuminating the illumination light 80 on the upper surface 72a of the outer peripheral portion 72 of the outer peripheral edge portion and the spinner table 68 of the wafer 11 from the illumination means 78 .

ウエーハ11の裏面は鏡面加工されているため、照明光80は符号82で示すようにウエーハ11の外周エッジ部で鏡面反射される。 Since the back surface of the wafer 11 is mirror-finished, the illumination light 80 is specularly reflected by the outer peripheral edge portion of the wafer 11 as indicated by reference numeral 82. 一方、スピンナテーブル68の外周部72の上面72aは乱反射加工されているため、照明光80は符号84で示すようにスピンナテーブル68の外周部72の上面72aにより乱反射される。 Meanwhile, since the upper surface 72a of the outer peripheral portion 72 of the spinner table 68 is irregularly reflected processed, the illumination light 80 is diffusely reflected by the upper surface 72a of the outer peripheral portion 72 of the spinner table 68 as indicated by reference numeral 84.

その結果、ウエーハ11の外周エッジ部は白っぽく撮像され、スピンナテーブル68の外周部72の上面72aは乱反射のために黒っぽく撮像されるため、ウエーハ11の外周エッジ部を明瞭に検出することができる。 As a result, the outer peripheral edge portion of the wafer 11 is whitish imaging, the upper surface 72a of the outer peripheral portion 72 of the spinner table 68 to be darker imaging for irregular reflection, it is possible to clearly detect the circumferential edge of the wafer 11.

スピンナテーブル68を回転しながら撮像手段76により連続的に撮像することにより、ウエーハ11の外周に形成された結晶方位を示すノッチ21を容易に検出することができる。 By continuously imaged by the imaging unit 76 while rotating the spinner table 68, a notch 21 indicating the crystal orientation formed on the outer periphery of the wafer 11 can be easily detected.

検出したノッチ21に基づいて、研削装置2のコントローラがスピンナテーブル68を所定量回転させることで半導体ウエーハ11を所定の向きへ位置付けた後に、搬出手段66が所定の向きに位置付けられたウエーハを吸着して、例えばテープ貼着装置のテープマウント用テーブルへと搬送する。 Based on the detected notch 21, after the controller of the grinding apparatus 2 is positioned semiconductor wafer 11 by causing a predetermined amount of rotation of the spinner table 68 to a predetermined direction, adsorb out means 66 is positioned in a predetermined orientation wafer and, for example, to convey to the tape mounting table tape adhering apparatus.

このテープ貼着装置では、環状フレームFに外周部が貼着されたダイシングテープTに、ウエーハ11のノッチ21の向きが両側に切欠き88、90を有する環状フレームFの直線部分86に概略直交するように半導体ウエーハ11を貼着する。 In this tape sticking device, the dicing tape T outer peripheral portion to the annular frame F is attached, generally perpendicular to the straight portion 86 of the annular frame F orientation notch 21 of the wafer 11 has a notch 88, 90 on both sides adhering the semiconductor wafer 11 so as to.

本実施形態では、スピナ洗浄装置64が撮像手段76を具備していて、撮像手段76で撮像して検出したウエーハ11のノッチ21に基づいてスピンナテーブル68で半導体ウエーハを所定の向きへ位置付けることができるため、従来テープ貼着装置で必要であった位置合わせ用テーブルを省略することができる。 In this embodiment, spinner cleaning device 64 is not imaging means 76, is to position the semiconductor wafer in a spinner table 68 based on the notch 21 of the wafer 11 detected by imaging by the imaging unit 76 in a predetermined direction it is therefore possible to omit the positioning table which was necessary in the prior art tape adhering apparatus. よって、テープ貼着工程等の次工程で再度ウエーハの向きを揃えるステップを省略することができ、半導体ウエーハの破損を低減することができる。 Therefore, it is possible to omit the step of aligning the orientation of the re wafer in the next process such as a tape affixing step, it is possible to reduce damage to the semiconductor wafer.

なお、上述した実施形態の研削装置2は、粗研削ユニット10と仕上げ研削ユニット28を具備しているが、仕上げ研削ユニット28に替えて研磨バフが先端に装着された研磨ユニットを設けるようにすれば、研削されたウエーハの裏面を鏡面に研磨することもできる。 Incidentally, the grinding apparatus 2 of the embodiment described above, although provided with a rough grinding unit 10 and the finishing grinding unit 28, by so providing the polishing unit polishing buff instead for finish grinding unit 28 is mounted on the distal end if, it is also possible to polish the rear surface of the grinded wafer a mirror surface.

半導体ウエーハの表面側斜視図である。 A surface side perspective view of a semiconductor wafer. 保護テープが貼着された半導体ウエーハの裏面側斜視図である。 Protective tape is a back side perspective view of a bonded semiconductor wafer. 本発明実施形態に係る研削装置の外観斜視図である。 It is an external perspective view of a grinding apparatus according to the present invention embodiment. 半導体ウエーハの外周エッジ部の撮像時の状態を示す模式図である。 It is a schematic view showing a state at the time of imaging of the peripheral edge portion of the semiconductor wafer. 環状フレームに装着された状態の半導体ウエーハの斜視図である。 It is a perspective view of a semiconductor wafer in a state of being mounted on an annular frame.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

2 研削装置10 粗研削ユニット11 半導体ウエーハ13 ストリート15 デバイス21 ノッチ28 仕上げ研削ユニット44 ターンテーブル46 チャックテーブル60 ウエーハ搬入機構(ローディングアーム) 2 grinding apparatus 10 rough grinding unit 11 semiconductor wafer 13 streets 15 device 21 notch 28 finish grinding unit 44 turntable 46 the chuck table 60 the wafer loading mechanism (loading arm)
62 ウエーハ搬出機構(アンローディングアーム) 62 wafer carry-out mechanism (unloading arm)
64 スピンナ洗浄装置66 搬出手段68 スピンナテーブル76 撮像手段78 照明手段 64 spinner cleaning device 66 out means 68 spinner table 76 imaging unit 78 illuminating means

Claims (3)

  1. 外周に結晶方位を示すマークを備えた半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された半導体ウエーハの裏面を所望の厚みに研削又は研磨する加工手段と、研削又は研磨された半導体ウエーハを洗浄及びスピン乾燥するスピンナ洗浄装置と、該スピンナ洗浄装置を制御する制御手段と、洗浄及びスピン乾燥された半導体ウエーハを該スピンナ洗浄装置から次工程へ搬出する搬出手段とを備えた半導体ウエーハの加工装置であって、 A chuck table for holding a semiconductor wafer having a mark indicating the crystal orientation in the outer periphery, and the grinding or polishing processing means on the rear surface of the desired thickness of the semiconductor wafer held on the chuck table, grinding or polishing semiconductor wafers a spinner cleaning apparatus for cleaning and spin drying, and control means for controlling the spinner cleaning device, the cleaning and spin drying semiconductor wafers from the spinner cleaning device for a semiconductor wafer that includes a carrying-out means for carrying out the next step a processing apparatus,
    前記スピンナ洗浄装置は、半導体ウエーハと略同径以上の径を有し半導体ウエーハを保持して回転するスピンナテーブルと、 The spinner cleaning apparatus includes a spinner table which holds and rotates the semiconductor wafer has a diameter on the semiconductor wafer and substantially the same size or less,
    該スピンナテーブルの回転角を検出するエンコーダと、 An encoder for detecting the rotation angle of the spinner table,
    半導体ウエーハへ洗浄水を供給する洗浄水供給ノズルと、 A cleaning water supply nozzle for supplying cleaning water to the semiconductor wafer,
    該スピンナテーブルのウエーハ保持面より上方に配置され、洗浄及びスピン乾燥された半導体ウエーハの外周部を撮像して、半導体ウエーハの結晶方位を示す前記マークを検出する照明手段を含む撮像手段とを具備し、 It is disposed above the wafer holding surface of the spinner table, by imaging the outer peripheral portion of the washing and spin-dried semiconductor wafer, comprising an imaging unit including an illumination means for detecting the mark indicating the crystal orientation of the semiconductor wafer and,
    検出した該マークを元に前記制御手段が前記スピンナテーブルを回転させることで半導体ウエーハを所定の向きに位置付けた後に、前記搬出手段が所定の向きに位置付けられた半導体ウエーハを搬出することを特徴とする半導体ウエーハの加工装置。 After the control unit based on the mark detected is positioned at the spinner table the semiconductor wafer predetermined by rotating the orientation, said unloading means and characterized in that unloading the semiconductor wafer positioned in a predetermined direction processing apparatus of a semiconductor wafer to be.
  2. 前記スピンナテーブルは半導体ウエーハを吸着保持するポーラス吸着部と、 The spinner table and porous suction portions for attracting and holding the semiconductor wafer,
    該ポーラス吸着部を囲繞する外周部を有する基台とから構成され、 Is composed of a base having an outer peripheral portion surrounding the porous adsorption unit,
    該外周部は前記撮像手段で撮像した際に前記照明手段からの光を乱反射させる乱反射面を有することを特徴とする請求項1記載の半導体ウエーハの加工装置。 The outer peripheral portion processing apparatus for a semiconductor wafer according to claim 1, characterized in that it has a diffuse reflection surface for diffuse reflection of light from the illuminating means when imaged by the imaging unit.
  3. 前記外周部は金属、セラミック及び樹脂からなる群から選択された物質及びその組み合わせから構成されることを特徴とする請求項2記載の半導体ウエーハの加工装置。 The outer peripheral portion of the metal, ceramic and processing device material selected from the group consisting of a resin and a semiconductor wafer according to claim 2, characterized in that they are composed of combinations thereof.
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