JP2010030007A - Grinder and scratch detection apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a scratch detection apparatus for a wafer and a grinder equipped with the scratch detection device. <P>SOLUTION: The grinder includes a chuck table for holding a wafer and a grinding means having a grinding wheel for grinding the wafer held on the chuck table. The grinder further includes a scratch detection means for detecting a scratch produced on a ground surface of the wafer. The scratch detection means includes an oblique light beam irradiation means for obliquely irradiating the wafer onto a region corresponding to a radius of the wafer with a light beam, a line scan lens for forming an image of the region corresponding to the radius of the wafer, a line scan camera for photographing the image formed by the line scan lens, and a scratch determination means for determining presence/absence of the scratch based on the image photographed by the line scan camera, and detects the scratch during at least one revolution of the chuck table. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、ウエーハ研削面のスクラッチを検出可能なスクラッチ検出装置及び該スクラッチ検出装置を具備した研削装置に関する。   The present invention relates to a scratch detection device capable of detecting a scratch on a wafer grinding surface and a grinding device provided with the scratch detection device.

IC、LSI等の数多くのデバイスが表面に形成され、且つ個々のデバイスが分割予定ライン(ストリート)によって区画された半導体ウエーハは、研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに加工された後、ダイシング装置によって分割予定ラインを切削して個々のデバイスに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。   A semiconductor wafer in which a number of devices such as IC and LSI are formed on the surface, and each device is partitioned by a line to be divided (street), the back surface is ground by a grinding machine and processed to a predetermined thickness. The division line is cut by a dicing machine and divided into individual devices, which are used for electric devices such as mobile phones and personal computers.

ウエーハの裏面を研削する研削装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削砥石が配設された研削ホイールを回転可能に支持する研削手段と、研削領域に研削水を供給する研削水供給手段とを具備しており、ウエーハを所定の厚みに加工することができる。   A grinding apparatus for grinding a back surface of a wafer includes a chuck table for holding a wafer, a grinding means for rotatably supporting a grinding wheel provided with a grinding wheel for grinding the wafer held by the chuck table, and a grinding region And a grinding water supply means for supplying the grinding water to the wafer, and the wafer can be processed to a predetermined thickness.

ところで、ウエーハの厚みが100μm以下、更には50μm以下と薄くなると、ウエーハの裏面に生じた研削歪がデバイスの抗折強度を低下させる原因にもなり、抗折強度を向上させるためにエッチング等で歪を除去すると、今度はウエーハの内部で遊動する重金属を裏面側に保持するゲッタリング効果がなくなりデバイスの品質を著しく低下させることになる。   By the way, when the thickness of the wafer is reduced to 100 μm or less, and further to 50 μm or less, grinding distortion generated on the back surface of the wafer may cause a decrease in the bending strength of the device, and etching or the like may be performed to improve the bending strength. When the distortion is removed, the gettering effect for holding the heavy metal floating inside the wafer on the back surface side is lost, and the quality of the device is remarkably deteriorated.

そこで、本出願人は、主に仕上げ研削用砥石として、研削歪を抑制して抗折強度を維持できるとともに、ゲッタリング効果も維持できるビトリファイドボンド砥石を特開2006−1007号公報で提案した。
特開2006−1007号公報
In view of this, the present applicant has proposed a vitrified bond grindstone in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-1007, which mainly suppresses grinding distortion and maintains the bending strength while maintaining the gettering effect as a grindstone for finish grinding.
JP 2006-1007 A

ところが、特許文献1に開示されたビトリファイドボンド砥石を使用して研削したウエーハの研削面を観察すると、40〜50枚に1枚の割合でスクラッチの入ったウエーハが存在することがあり、かかるウエーハにおいてはスクラッチの入った部分での抗折強度が低下するという問題がある。   However, when the ground surface of the wafer ground using the vitrified bond grindstone disclosed in Patent Document 1 is observed, there may be a wafer containing scratches at a ratio of 1 to 40-50 wafers. However, there is a problem that the bending strength at the scratched portion is lowered.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハの研削面に生じるスクラッチを検出可能なスクラッチ検出装置及び該スクラッチ検出装置を具備した研削装置を提供することである。   The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a scratch detection device capable of detecting a scratch generated on a grinding surface of a wafer, and a grinding device equipped with the scratch detection device. That is.

請求項1記載の発明によると、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削ホイールを有する研削手段とを備えた研削装置であって、ウエーハの研削面に生じるスクラッチを検出するスクラッチ検出手段を更に具備し、該スクラッチ検出手段は、ウエーハに対してウエーハの半径に対応した領域に光を傾斜して照射する斜光照射手段と、ウエーハの半径に対応した領域を結像するラインスキャンレンズと、該ラインスキャンレンズで結像された像を撮像するラインスキャンカメラと、該ラインスキャンカメラによって撮像された画像からスクラッチの有り無しを判定するスクラッチ判定手段とを含み、該チャックテーブルを少なくとも1回転する間にスクラッチを検出することを特徴とする研削装置が提供される。   According to the first aspect of the present invention, there is provided a grinding apparatus comprising a chuck table for holding a wafer and a grinding means having a grinding wheel for grinding the wafer held by the chuck table, which is generated on a grinding surface of the wafer. The apparatus further comprises scratch detecting means for detecting scratches, and the scratch detecting means includes oblique light irradiating means for irradiating light to an area corresponding to the wafer radius with respect to the wafer, and an area corresponding to the wafer radius. A line scan lens that forms an image, a line scan camera that captures an image formed by the line scan lens, and a scratch determination unit that determines whether or not there is a scratch from an image captured by the line scan camera, A scratch is detected during at least one rotation of the chuck table. Grinding device is provided that.

好ましくは、研削装置のスクラッチ検出手段は、ラインスキャンレンズを囲繞しウエーハ側に開放した枠体と、該枠体に水を供給する水供給手段とを更に含み、該枠体とウエーハとで仕切られる空間が水で満たされている。   Preferably, the scratch detection means of the grinding apparatus further includes a frame body that surrounds the line scan lens and is open to the wafer side, and a water supply means that supplies water to the frame body, and the frame body and the wafer are partitioned. Space is filled with water.

好ましくは、研削装置のスクラッチ検出手段は、ウエーハの半径に対応した領域に配設されたウエーハの中心から外周に行くに連れてウエーハの表面で反射された反射光の透過強度が比例して増大する傾斜フィルタを更に含んでいる。   Preferably, the scratch detection means of the grinding apparatus increases the transmission intensity of the reflected light reflected on the surface of the wafer in proportion to going from the center of the wafer disposed in the region corresponding to the radius of the wafer to the outer periphery. And a gradient filter.

請求項5記載の発明によると、チャックテーブルに保持されたウエーハの研削面に生じるスクラッチを検出するスクラッチ検出装置であって、ウエーハに対して少なくともウエーハの半径に対応した領域に光を傾斜して照射する斜光照射手段と、少なくともウエーハの半径に対応した領域を結像するラインスキャンレンズと、該ラインスキャンレンズで結像された像を撮像するラインスキャンカメラと、該ラインスキャンカメラによって撮像された画像からスクラッチの有り無しを判定するスクラッチ判定手段とを具備し、前記チャックテーブルを少なくとも1回転する間にスクラッチを検出することを特徴とするスクラッチ検出装置が提供される。   According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a scratch detection device for detecting a scratch generated on a grinding surface of a wafer held on a chuck table, wherein the light is inclined at least in a region corresponding to the wafer radius with respect to the wafer. Oblique light irradiating means for irradiating, a line scan lens for imaging an area corresponding to at least the radius of the wafer, a line scan camera for imaging an image formed by the line scan lens, and an image captured by the line scan camera There is provided a scratch detection device comprising a scratch determination means for determining presence / absence of a scratch from an image, and detecting the scratch during at least one rotation of the chuck table.

本発明の研削装置によると、スクラッチの方向に倣うように配設されたラインスキャンカメラを有するスクラッチ検出装置を備えているので、ウエーハの研削面からスクラッチを直ちに検出でき、スクラッチがある場合は研削を続行し、又はスクラッチ除去研削を遂行してスクラッチの無いウエーハを次工程へ搬送するようにしたので、スクラッチの無いウエーハを効率良く生産することができる。   According to the grinding device of the present invention, since the scratch detection device having the line scan camera arranged so as to follow the direction of the scratch is provided, the scratch can be immediately detected from the grinding surface of the wafer. Or the scratch removal grinding is performed to transport the scratch-free wafer to the next process, so that the scratch-free wafer can be produced efficiently.

また、本発明のスクラッチ検出装置によると、研削面に形成されたスクラッチを確実に検出することができる。   Further, according to the scratch detection device of the present invention, it is possible to reliably detect a scratch formed on the grinding surface.

以下、本発明実施形態のウエーハの研削方法及び研削装置を図面を参照して詳細に説明する。図1は所定の厚さに加工される前の半導体ウエーハの斜視図である。図1に示す半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数のストリート13が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート13によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。   Hereinafter, a wafer grinding method and a grinding apparatus according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor wafer before being processed to a predetermined thickness. A semiconductor wafer 11 shown in FIG. 1 is made of, for example, a silicon wafer having a thickness of 700 μm, and a plurality of streets 13 are formed in a lattice shape on the surface 11a, and a plurality of streets partitioned by the plurality of streets 13 are formed. A device 15 such as an IC or LSI is formed in the region.

このように構成された半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19を備えている。また、半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。   The semiconductor wafer 11 configured as described above includes a device region 17 in which the device 15 is formed, and an outer peripheral surplus region 19 that surrounds the device region 17. A notch 21 is formed on the outer periphery of the semiconductor wafer 11 as a mark indicating the crystal orientation of the silicon wafer.

半導体ウエーハ11の表面11aには、保護テープ貼着工程により保護テープ23が貼着される。従って、半導体ウエーハ11の表面11aは保護テープ23によって保護され、図2に示すように裏面11bが露出する形態となる。   A protective tape 23 is attached to the surface 11a of the semiconductor wafer 11 by a protective tape attaching process. Therefore, the front surface 11a of the semiconductor wafer 11 is protected by the protective tape 23, and the back surface 11b is exposed as shown in FIG.

以下、このように構成された半導体ウエーハ11の裏面11bを所定厚さに研削する研削装置2を、図3を参照して説明する。研削装置2のハウジング4は、水平ハウジング部分6と、垂直ハウジング部分8から構成される。   Hereinafter, a grinding apparatus 2 for grinding the back surface 11b of the semiconductor wafer 11 thus configured to a predetermined thickness will be described with reference to FIG. The housing 4 of the grinding device 2 is composed of a horizontal housing part 6 and a vertical housing part 8.

垂直ハウジング部分8には上下方向に伸びる1対のガイドレール12,14が固定されている。この一対のガイドレール12,14に沿って研削手段(研削ユニット)16が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット16は支持部20を介して一対のガイドレール12,14に沿って上下方向に移動する移動基台18に取り付けられている。   A pair of guide rails 12 and 14 extending in the vertical direction are fixed to the vertical housing portion 8. A grinding means (grinding unit) 16 is mounted along the pair of guide rails 12 and 14 so as to be movable in the vertical direction. The grinding unit 16 is attached to a moving base 18 that moves up and down along a pair of guide rails 12 and 14 via a support portion 20.

研削ユニット16は、支持部20に取り付けられたスピンドルハウジング22と、スピンドルハウジング22中に回転可能に収容されたスピンドル24と、スピンドル24を回転駆動するサーボモータ26を含んでいる。   The grinding unit 16 includes a spindle housing 22 attached to the support portion 20, a spindle 24 rotatably accommodated in the spindle housing 22, and a servo motor 26 that rotationally drives the spindle 24.

図6に最も良く示されるように、スピンドル24の先端部にはマウンター28が固定されており、このマウンター28には研削ホイール30がねじ止めされている。例えば、研削ホイール30はホイール基台32の自由端部に粒径0.3〜1.0μmのダイヤモンド砥粒をビトリファイドボンドで固めた複数の研削砥石34が固着されて構成されている。よって、研削面は鏡面となる。   As best shown in FIG. 6, a mounter 28 is fixed to the tip of the spindle 24, and a grinding wheel 30 is screwed to the mounter 28. For example, the grinding wheel 30 is configured by affixing a plurality of grinding wheels 34 in which diamond abrasive grains having a grain size of 0.3 to 1.0 μm are hardened by vitrified bonds to a free end portion of a wheel base 32. Therefore, the grinding surface is a mirror surface.

研削手段(研削ユニット)16にはホース36を介して研削水が供給される。好ましくは、研削水としては純水が使用される。図6に示すように、ホース36から供給された研削水が、スピンドル24に形成された研削水供給穴38、マウンター28に形成された空間40及び研削ホイール30のホイール基台32に形成された複数の研削水供給ノズル42を介して研削砥石34及びチャックテーブル54に保持されたウエーハ11に供給される。   Grinding water is supplied to the grinding means (grinding unit) 16 via a hose 36. Preferably, pure water is used as the grinding water. As shown in FIG. 6, the grinding water supplied from the hose 36 is formed in the grinding water supply hole 38 formed in the spindle 24, the space 40 formed in the mounter 28, and the wheel base 32 of the grinding wheel 30. It is supplied to the wafer 11 held on the grinding wheel 34 and the chuck table 54 via a plurality of grinding water supply nozzles 42.

図3を再び参照すると、研削装置2は、研削ユニット16を一対の案内レール12,14に沿って上下方向に移動する研削ユニット送り機構44を備えている。研削ユニット送り機構44は、ボールねじ46と、ボールねじ46の一端部に固定されたパルスモータ48から構成される。パルスモータ48をパルス駆動すると、ボールねじ46が回転し、移動基台18の内部に固定されたボールねじ46のナットを介して移動基台18が上下方向に移動される。   Referring back to FIG. 3, the grinding apparatus 2 includes a grinding unit feed mechanism 44 that moves the grinding unit 16 in the vertical direction along the pair of guide rails 12 and 14. The grinding unit feed mechanism 44 includes a ball screw 46 and a pulse motor 48 fixed to one end of the ball screw 46. When the pulse motor 48 is pulse-driven, the ball screw 46 rotates and the moving base 18 is moved in the vertical direction via the nut of the ball screw 46 fixed inside the moving base 18.

水平ハウジング部分6の凹部10には、チャックテーブルユニット50が配設されている。チャックテーブルユニット50は、図4に示すように、支持基台52と、支持基台52に回転自在に配設されたチャックテーブル54を含んでいる。チャックテーブルユニット50は更に、チャックテーブル54を挿通する穴を有したカバー56を備えている。   A chuck table unit 50 is disposed in the recess 10 of the horizontal housing portion 6. As shown in FIG. 4, the chuck table unit 50 includes a support base 52 and a chuck table 54 that is rotatably disposed on the support base 52. The chuck table unit 50 further includes a cover 56 having a hole through which the chuck table 54 is inserted.

チャックテーブルユニット50は、チャックテーブル移動機構58により研削装置2の前後方向に移動される。チャックテーブル移動機構58は、ボールねじ60と、ボールねじ60のねじ軸62の一端に連結されたパルスモータ64から構成される。   The chuck table unit 50 is moved in the front-rear direction of the grinding apparatus 2 by the chuck table moving mechanism 58. The chuck table moving mechanism 58 includes a ball screw 60 and a pulse motor 64 connected to one end of a screw shaft 62 of the ball screw 60.

パルスモータ64をパルス駆動すると、ボールねじ60のねじ軸62が回転し、このねじ軸62に螺合したナットを有する支持基台52が研削装置2の前後方向に移動する。よって、チャックテーブル54もパルスモータ64の回転方向に応じて、前後方向に移動する。   When the pulse motor 64 is pulse-driven, the screw shaft 62 of the ball screw 60 rotates, and the support base 52 having a nut screwed to the screw shaft 62 moves in the front-rear direction of the grinding device 2. Therefore, the chuck table 54 also moves in the front-rear direction according to the rotation direction of the pulse motor 64.

図3に示されているように、図4に示した一対のガイドレール66,68及びチャックテーブル移動機構58は蛇腹70,72により覆われている。すなわち、蛇腹70の前端部は凹部10を画成する前壁に固定され、後端部がカバー56の前端面に固定されている。また、蛇腹72の後端は垂直ハウジング部分8に固定され、その前端はカバー56の後端面に固定されている。   As shown in FIG. 3, the pair of guide rails 66 and 68 and the chuck table moving mechanism 58 shown in FIG. 4 are covered with bellows 70 and 72. That is, the front end portion of the bellows 70 is fixed to the front wall that defines the recess 10, and the rear end portion is fixed to the front end surface of the cover 56. The rear end of the bellows 72 is fixed to the vertical housing portion 8, and the front end thereof is fixed to the rear end surface of the cover 56.

ハウジング4の水平ハウジング部分6には、第1のウエーハカセット74と、第2のウエーハカセット76と、ウエーハ搬送手段78と、ウエーハ仮載置手段80と、ウエーハ搬入手段82と、ウエーハ搬出手段84と、洗浄手段86が配設されている。更に、ハウジング4の前方にはオペレータが研削条件等を入力する操作手段88及びモニター89が設けられている。   In the horizontal housing portion 6 of the housing 4, a first wafer cassette 74, a second wafer cassette 76, a wafer transfer means 78, a wafer temporary mounting means 80, a wafer carry-in means 82, and a wafer carry-out means 84 are provided. A cleaning means 86 is provided. Further, an operation means 88 and a monitor 89 are provided in front of the housing 4 for an operator to input grinding conditions and the like.

また、水平ハウジング部分6の概略中央部には、チャックテーブル54を洗浄する洗浄水噴射ノズル90が設けられている。この洗浄水噴射ノズル90は、チャックテーブルユニット54がウエーハ搬入・搬出領域に位置づけられた状態において、チャックテーブル54に保持された研削加工後のウエーハに向けて洗浄水を噴出する。   Further, a cleaning water spray nozzle 90 for cleaning the chuck table 54 is provided at the approximate center of the horizontal housing portion 6. The cleaning water jet nozzle 90 ejects cleaning water toward the wafer after grinding held by the chuck table 54 in a state where the chuck table unit 54 is positioned in the wafer carry-in / carry-out region.

チャックテーブルユニット50は、チャックテーブル移動機構58のパルスモータ64をパルス駆動することにより、図3に示した装置奥側の研削領域と、ウエーハ搬入手段82からウエーハを受け取りウエーハ搬出手段84にウエーハを受け渡す手前側のウエーハ搬入・搬出領域との間で移動される。   The chuck table unit 50 pulse-drives the pulse motor 64 of the chuck table moving mechanism 58 to receive the wafer from the grinding area on the back side of the apparatus and the wafer carry-in means 82 shown in FIG. It is moved to and from the wafer loading / unloading area on the near side.

ウエーハ搬入・搬出領域(ウエーハ着脱領域)の上方にはスクラッチ検出装置94が配設されている。代替案として、図4に示すようにスクラッチ検出装置94を研削領域の上方に配設するようにしても良い。   A scratch detection device 94 is disposed above the wafer carry-in / out region (wafer attach / detach region). As an alternative, as shown in FIG. 4, a scratch detection device 94 may be disposed above the grinding region.

図4に最もよく示されるように、スクラッチ検出装置94は光学系を収容した枠体96と、枠体96を支持する支持部材98と、支持部材98の基端部が固定された回転円筒100と、水平部分ハウジング6の上面に固定された固定円筒102とを含んでおり、スクラッチ検出装置94の枠体96は図3及び図4に示された検出位置と、時計周り方向に概略90度回転された退避位置との間で回転可能なようにハウジング4の水平部分6に取り付けられている。   As best shown in FIG. 4, the scratch detection device 94 includes a frame body 96 containing an optical system, a support member 98 that supports the frame body 96, and a rotating cylinder 100 to which the base end portion of the support member 98 is fixed. And a fixed cylinder 102 fixed to the upper surface of the horizontal partial housing 6. The frame body 96 of the scratch detection device 94 is approximately 90 degrees in the clockwise direction with respect to the detection position shown in FIGS. It is attached to the horizontal portion 6 of the housing 4 so as to be rotatable between the rotated retracted position.

図8に示すように、スクラッチ検出装置94の枠体96は、チャックテーブル54に対して概略垂直方向に伸長する垂直枠体部分96aと、チャックテーブル54に対して傾斜した傾斜枠体部分96bを含んでいる。   As shown in FIG. 8, the frame body 96 of the scratch detection device 94 includes a vertical frame body portion 96 a extending in a substantially vertical direction with respect to the chuck table 54 and an inclined frame body portion 96 b inclined with respect to the chuck table 54. Contains.

垂直枠体部分96aと傾斜枠体部分96bとの間にはガラス板104が配設されており、垂直枠体部分96aの下端部近傍にはガラス板106が配設されている。これらのガラス板104,106と、垂直ハウジング部分96aの先端部及び傾斜ハウジング部分96bの先端部とで水充填室108が画成されている。   A glass plate 104 is disposed between the vertical frame portion 96a and the inclined frame portion 96b, and a glass plate 106 is disposed in the vicinity of the lower end portion of the vertical frame portion 96a. A water filling chamber 108 is defined by the glass plates 104 and 106 and the tip of the vertical housing portion 96a and the tip of the inclined housing portion 96b.

110は水供給口であり、水供給口110は管路を介して図示しない水源に接続されている。ハウジング96の先端とウエーハ11との間の間隔は約0.5〜1mmに維持するのが好ましい。   Reference numeral 110 denotes a water supply port, and the water supply port 110 is connected to a water source (not shown) via a pipeline. The distance between the tip of the housing 96 and the wafer 11 is preferably maintained at about 0.5-1 mm.

図7に示されるように、枠体96の垂直枠体部分96aはチャックテーブル54に保持されたウエーハ11の半径方向に伸長しており、少なくともウエーハ11の半径に対応した領域をカバーするようなサイズを有している。傾斜枠体部分96bもウエーハ11の半径方向について同様なサイズを有している。11cはウエーハ11の中心である。   As shown in FIG. 7, the vertical frame portion 96 a of the frame 96 extends in the radial direction of the wafer 11 held on the chuck table 54, and covers at least a region corresponding to the radius of the wafer 11. Have a size. The inclined frame body portion 96b has a similar size in the radial direction of the wafer 11. 11 c is the center of the wafer 11.

図8を再び参照すると、傾斜枠体部分96bには、ウエーハ11に対してウエーハの半径に対応した領域に光を傾斜して一様に照射する斜光照射ユニット112が取り付けられている。斜光照射ユニット112は、例えばハロゲンランプ等の点光源と、点光源からの光をラインビームに変換する光学素子とから構成される。或いは、斜光照射ユニット112を多数個のLEDから構成するようにしても良い。   Referring to FIG. 8 again, the inclined frame body portion 96b is attached with an oblique light irradiation unit 112 that uniformly irradiates light to a region corresponding to the wafer radius with respect to the wafer 11. The oblique light irradiation unit 112 includes a point light source such as a halogen lamp and an optical element that converts light from the point light source into a line beam. Alternatively, the oblique light irradiation unit 112 may be composed of a large number of LEDs.

ガラス板106上には傾斜フィルタ114が配設されている。傾斜フィルタ114はウエーハ11の中心から外周に至る領域をカバーするように配設され、ウエーハ11の中心から外周に行くに連れてウエーハ11で反射された反射光の透過強度が比例して増大するような特性を有している。これは、ウエーハ11の外周ほど周速度が速いため反射光量が中心に比べて少なくなるので、これを傾斜フィルタ114で一様な光量に補正するためである。   An inclined filter 114 is disposed on the glass plate 106. The inclined filter 114 is disposed so as to cover the region from the center of the wafer 11 to the outer periphery, and the transmission intensity of the reflected light reflected by the wafer 11 increases in proportion as it goes from the center of the wafer 11 to the outer periphery. It has the following characteristics. This is because the amount of reflected light is smaller than the center because the peripheral speed of the wafer 11 is faster, and the inclined filter 114 corrects this to a uniform amount of light.

傾斜フィルタ114の上方にはウエーハ11の半径に対応した領域を結像可能な従来公知のラインスキャンレンズ116が設けられている。ラインスキャンレンズ116はウエーハ11の中心と外周との間の中間部分に配置されるように垂直枠体部分96aに取り付けられている。   A conventionally known line scan lens 116 capable of forming an image corresponding to the radius of the wafer 11 is provided above the inclined filter 114. The line scan lens 116 is attached to the vertical frame portion 96a so as to be disposed at an intermediate portion between the center and the outer periphery of the wafer 11.

118は多数の画素(例えば1024個の画素)がウエーハ11の半径方向に一列に配列されたラインスキャンCCDカメラであり、ラインスキャンレンズ116で結像された像を撮像する。ラインスキャンCCDカメラ118の画素の配列方向はスクラッチが形成される方向に倣っており、ウエーハ11の半径方向に一列に配列されている。   Reference numeral 118 denotes a line scan CCD camera in which a large number of pixels (for example, 1024 pixels) are arranged in a line in the radial direction of the wafer 11 and picks up an image formed by the line scan lens 116. The pixel scanning direction of the line scan CCD camera 118 follows the direction in which scratches are formed, and is arranged in a line in the radial direction of the wafer 11.

このように構成された研削装置2の研削作業について以下に説明する。第1のウエーハカセット74中に収容されるウエーハは、保護テープが表面側(回路が形成されている側の面)に装着された半導体ウエーハであり、従ってウエーハは裏面が上側に位置する状態で第1のカセット74中に収容されている。このように複数の半導体ウエーハを収容した第1のウエーハカセット74は、ハウジング4の所定のカセットを搬入領域に載置される。   The grinding operation of the grinding device 2 configured as described above will be described below. The wafer housed in the first wafer cassette 74 is a semiconductor wafer having a protective tape mounted on the front surface side (surface on which the circuit is formed), and therefore the wafer is positioned with the back surface positioned on the upper side. Housed in the first cassette 74. As described above, the first wafer cassette 74 that accommodates a plurality of semiconductor wafers is mounted with a predetermined cassette of the housing 4 in the carry-in area.

そして、カセット搬入領域に載置された第1のウエーハカセット74に収容されていた研削加工前の半導体ウエーハが全て搬出されると、空のウエーハカセット74に変えて複数個の半導体ウエーハを収容した新しい第1のウエーハカセット74が手動でカセット搬入領域に載置される。   When all of the unprocessed semiconductor wafers contained in the first wafer cassette 74 placed in the cassette carry-in area are carried out, a plurality of semiconductor wafers are accommodated in place of the empty wafer cassette 74. A new first wafer cassette 74 is manually placed in the cassette loading area.

一方、ハウジング4の所定のカセット搬出領域に載置された第2のウエーハカセット76に所定枚数の研削加工後の半導体ウエーハが搬入されると、かかる第2のウエーハカセット76は手動で搬出されて、新しい空の第2のウエーハカセット76がカセット搬出領域に載置される。   On the other hand, when a predetermined number of ground semiconductor wafers are loaded into the second wafer cassette 76 placed in the predetermined cassette unloading area of the housing 4, the second wafer cassette 76 is manually unloaded. A new empty second wafer cassette 76 is placed in the cassette unloading area.

第1のウエーハカセット74に収容された半導体ウエーハは、ウエーハ搬送手段78の上下動作及び進退動作により搬送され、ウエーハ仮載置手段80に載置される。ウエーハ仮載置手段80に載置されたウエーハは、ここで中心合わせが行われた後にウエーハ搬入手段82の旋回動作によって、ウエーハ搬入・搬出領域に位置せしめられているチャックテーブルユニット50のチャックテーブル54に載置され、チャックテーブル54によって吸引保持される。   The semiconductor wafer accommodated in the first wafer cassette 74 is conveyed by the vertical movement and forward / backward movement of the wafer conveyance means 78 and is placed on the wafer temporary placement means 80. The wafer placed on the temporary wafer placement means 80 is centered here, and then the chuck table of the chuck table unit 50 positioned in the wafer carry-in / out area by the turning operation of the wafer carry-in means 82. 54 and is sucked and held by the chuck table 54.

このようにチャックテーブル54がウエーハを吸引保持したならば、チャックテーブル移動機構58を作動して、チャックテーブルユニット54を移動して装置後方の研削領域に位置づける。   When the chuck table 54 sucks and holds the wafer in this way, the chuck table moving mechanism 58 is operated to move the chuck table unit 54 and position it in the grinding area behind the apparatus.

チャックテーブルユニット50が研削領域に位置づけられると、チャックテーブル54に保持されたウエーハの中心が研削ホイール30の外周円を僅かに超えた位置に位置づけられる。   When the chuck table unit 50 is positioned in the grinding area, the center of the wafer held by the chuck table 54 is positioned slightly beyond the outer circumference circle of the grinding wheel 30.

次に、チャックテーブル54を例えば100〜300rpm程度で回転し、サーボモータ26を駆動して研削ホイール30を4000〜7000rpmで回転するとともに、研削ユニット送り機構44のパルスモータ48を正転駆動して研削ユニット16を下降させる。   Next, the chuck table 54 is rotated at, for example, about 100 to 300 rpm, the servo motor 26 is driven to rotate the grinding wheel 30 at 4000 to 7000 rpm, and the pulse motor 48 of the grinding unit feed mechanism 44 is driven to rotate forward. The grinding unit 16 is lowered.

そして、図6に示すように、研削ホイール30の研削砥石34をチャックテーブル54上のウエーハ11の裏面(被研削面)に所定の荷重で押圧することにより、ウエーハ11の裏面が研削される。このようにして所定時間研削することにより、ウエーハ11が所定の厚さに研削される。   Then, as shown in FIG. 6, the back surface of the wafer 11 is ground by pressing the grinding wheel 34 of the grinding wheel 30 against the back surface (surface to be ground) of the wafer 11 on the chuck table 54 with a predetermined load. By grinding in this way for a predetermined time, the wafer 11 is ground to a predetermined thickness.

研削が終了すると、チャックテーブル移動機構58を駆動してチャックテーブル54を装置手前側のウエーハ搬入・搬出領域に位置付ける。チャックテーブル54がウエーハ搬入・搬出領域に位置付けられたならば、洗浄水噴射ノズル90から洗浄水を噴射して、チャックテーブル54に保持されている研削加工されたウエーハ11の被研削面(裏面)を洗浄する。   When grinding is completed, the chuck table moving mechanism 58 is driven to position the chuck table 54 in the wafer loading / unloading area on the front side of the apparatus. If the chuck table 54 is positioned in the wafer loading / unloading area, the cleaning water is sprayed from the cleaning water spray nozzle 90 and the ground surface (back surface) of the ground wafer 11 held by the chuck table 54 is held. Wash.

このようにウエーハ11の被研削面(裏面)を洗浄した後、チャックテーブル54を回転しながら斜光照射ユニット112を駆動してスクラッチ検出装置94で被研削面のスクラッチを検出する。   After the surface to be ground (back surface) of the wafer 11 is cleaned in this way, the oblique light irradiation unit 112 is driven while the chuck table 54 is rotated, and the scratch detection device 94 detects the scratch on the surface to be ground.

本実施形態のスクラッチ検出装置94でウエーハ11に形成されたスクラッチの検出を行うには、まず、水源から水供給口110を介して水充填室108に水を供給し、水充填室108を水で充満する。ウエーハ11と枠体96の先端との間には僅かな隙間があるため、この隙間から流れ出た水を常に補給するために水源から常に一定量の水を水充填室108に供給する。   In order to detect the scratch formed on the wafer 11 by the scratch detection device 94 of the present embodiment, first, water is supplied from the water source to the water filling chamber 108 through the water supply port 110, and the water filling chamber 108 is made into water. To fill. Since there is a slight gap between the wafer 11 and the front end of the frame body 96, a constant amount of water is always supplied from the water source to the water filling chamber 108 in order to constantly replenish the water flowing out from the gap.

ウエーハ11の研削は研削水を供給しながら実施されるため、研削を実行するとウエーハ11の研削面は汚染されるが、本実施形態では常に水充填室108内に水を満たしながらスクラッチの検出を行うため、水充填室108に充填された水はあまり汚染されていない綺麗な水である。   Since the grinding of the wafer 11 is performed while supplying the grinding water, the grinding surface of the wafer 11 is contaminated when the grinding is performed. In this embodiment, however, the water filling chamber 108 is always filled with water to detect the scratch. For this purpose, the water filled in the water filling chamber 108 is clean water that is not so contaminated.

斜光照射ユニット112からウエーハ11に対してウエーハの半径に対応した領域に一様に光が照射されると、ウエーハ11の研削面は鏡面となっているため、殆どの反射光は鏡面加工されたウエーハ11により正反射されてラインスキャンレンズ116に入らないが、スクラッチで散乱した散乱光はガラス板106、傾斜フィルタ114を介してラインスキャンレンズ116に入射し、ラインスキャンレンズ116によりウエーハ11の半径に対応した領域が結像される。   When light is evenly irradiated from the oblique light irradiation unit 112 to the wafer 11 in a region corresponding to the radius of the wafer, the ground surface of the wafer 11 becomes a mirror surface, so that most of the reflected light is mirror-finished. Although the light is regularly reflected by the wafer 11 and does not enter the line scan lens 116, the scattered light scattered by the scratch enters the line scan lens 116 through the glass plate 106 and the inclined filter 114, and the radius of the wafer 11 is made by the line scan lens 116. A region corresponding to is imaged.

ラインスキャンレンズ116で結像された像はラインスキャンCCDカメラ118で撮像される。ラインスキャンCCDカメラ118の出力はスクラッチ判定部120及びモニタ89に入力される。スクラッチ判定部120に入力される信号は、ラインスキャンCCDカメラ118の出力を適当に画像処理した信号である。   The image formed by the line scan lens 116 is picked up by the line scan CCD camera 118. The output of the line scan CCD camera 118 is input to the scratch determination unit 120 and the monitor 89. The signal input to the scratch determination unit 120 is a signal obtained by appropriately image-processing the output of the line scan CCD camera 118.

スクラッチ判定部120では、ウエーハ11で反射された散乱光はバックグラウンド電圧122として検出される。スクラッチが検出されると、斜光照射ユニット112から出射された光はより大きく散乱されてラインスキャンレンズ116に入力される。   In the scratch determination unit 120, the scattered light reflected by the wafer 11 is detected as the background voltage 122. When the scratch is detected, the light emitted from the oblique light irradiation unit 112 is more scattered and input to the line scan lens 116.

よって、スクラッチ判定部120では、スパイク電圧126として検出される。124はスクラッチ有り無しを判定するための所定の閾値であり、閾値より電圧値が大きい場合にはスクラッチ有りと判定し、小さい場合にはスクラッチ無しと判定する。   Therefore, the scratch determination unit 120 detects the spike voltage 126. Reference numeral 124 denotes a predetermined threshold value for determining whether or not there is a scratch. If the voltage value is larger than the threshold value, it is determined that there is a scratch, and if it is smaller, it is determined that there is no scratch.

スクラッチ判定部120では、ブロック128で閾値を越えたか否かが判定され、否定判定の場合には、即ちスクラッチ無しと判定された場合には、ブロック130に示すウエーハ洗浄工程を遂行する。即ち、チャックテーブル54に保持されているウエーハの吸引保持が解除されてから、ウエーハはウエーハ搬出手段84により洗浄手段86に搬送される。   The scratch determination unit 120 determines whether or not the threshold value is exceeded in block 128. If the determination is negative, that is, if it is determined that there is no scratch, the wafer cleaning process shown in block 130 is performed. That is, after the wafer held by the chuck table 54 is released, the wafer is transferred to the cleaning means 86 by the wafer unloading means 84.

洗浄手段86に搬送されたウエーハは、ここで洗浄されるとともにスピン乾燥される。次いで、ウエーハがウエーハ搬送手段78により第2のウエーハカセット76の所定位置に収納される。   The wafer conveyed to the cleaning means 86 is cleaned and spin-dried here. Next, the wafer is stored in a predetermined position of the second wafer cassette 76 by the wafer transport means 78.

ブロック128で閾値を越えたと判定された場合には、ブロック132に進んでラインスキャンCCDカメラ118の画素が30以上連続しているか否かが判定される。即ち、この判定ブロック132では、所定以上の長さをスクラッチと判定している。ブロック132が否定判定の場合にはスクラッチ無しと判定されたことになり、ブロック130のウエーハ洗浄工程を遂行する。   If it is determined in block 128 that the threshold value has been exceeded, the process proceeds to block 132 where it is determined whether or not 30 or more pixels of the line scan CCD camera 118 are continuous. That is, in this determination block 132, a length of a predetermined length or more is determined as a scratch. If the block 132 is negative, it is determined that there is no scratch, and the wafer cleaning process of the block 130 is performed.

一方、判定ブロック132が肯定判定の場合には、スクラッチ有りと判定されたことになり、ブロック134のスクラッチ除去研削工程を実施する。即ち、チャックテーブル移動機構58を駆動してチャックテーブル54を再度研削領域に位置付け、研削ホイール30による約1μm研削を実施する。   On the other hand, if the determination block 132 is affirmative, it is determined that there is a scratch, and the scratch removal grinding process of block 134 is performed. That is, the chuck table moving mechanism 58 is driven to position the chuck table 54 again in the grinding region, and grinding by about 1 μm is performed by the grinding wheel 30.

一方、ラインスキャンCCDカメラ118で撮像されたスクラッチ136はモニタ89上に表示され、研削装置2のオペレータはモニタ89上のスクラッチ36を観察してスクラッチ判定部120の閾値122を好ましい値に設定する。   On the other hand, the scratch 136 imaged by the line scan CCD camera 118 is displayed on the monitor 89, and the operator of the grinding apparatus 2 observes the scratch 36 on the monitor 89 and sets the threshold value 122 of the scratch determination unit 120 to a preferable value. .

本実施形態のスクラッチ検出装置94では、チャックテーブル54を30〜100rpmで回転しながらスクラッチの検出を実施する。好ましくは、チャックテーブル54を少なくとも一回転する間にスクラッチの検出を完了する。   In the scratch detection device 94 of this embodiment, scratch detection is performed while the chuck table 54 is rotated at 30 to 100 rpm. Preferably, the scratch detection is completed while the chuck table 54 is rotated at least once.

上述した実施形態によると、スクラッチの方向に倣うようにラインスキャンCCDカメラ118を配設したスクラッチ検出装置94を設けたので、ウエーハの研削面からスクラッチを直ちに検出でき、スクラッチが有る場合は研削を続行し、又はスクラッチ除去研削を遂行してスクラッチのないウエーハを次工程に搬送するようにしたので、スクラッチのないウエーハを効率良く生産することができる。   According to the above-described embodiment, since the scratch detection device 94 provided with the line scan CCD camera 118 is provided so as to follow the direction of the scratch, the scratch can be immediately detected from the grinding surface of the wafer, and if there is a scratch, the grinding is performed. Continuing or performing scratch removal grinding to transport the scratch-free wafer to the next process, so that a wafer without scratch can be produced efficiently.

半導体ウエーハの表面側斜視図である。It is a surface side perspective view of a semiconductor wafer. 保護テープが貼着された半導体ウエーハの裏面側斜視図である。It is a back surface side perspective view of the semiconductor wafer where the protective tape was stuck. 本発明実施形態に係る研削装置の外観斜視図である。1 is an external perspective view of a grinding apparatus according to an embodiment of the present invention. チャックテーブルユニット及びチャックテーブル送り機構の斜視図である。It is a perspective view of a chuck table unit and a chuck table feed mechanism. 下側から見た研削ホイールの斜視図である。It is a perspective view of the grinding wheel seen from the lower side. 研削ホイールの縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of a grinding wheel. ウエーハに対するスクラッチ検出装置の枠体の配置関係を説明する図である。It is a figure explaining the arrangement | positioning relationship of the frame of the scratch detection apparatus with respect to a wafer. 本発明実施形態に係るスクラッチ検出装置の枠体の縦断面図及びスクラッチ判定部のブロック図である。It is the longitudinal cross-sectional view of the frame of the scratch detection apparatus which concerns on this invention embodiment, and the block diagram of a scratch determination part.

符号の説明Explanation of symbols

2 研削装置
11 半導体ウエーハ
16 研削手段(研削ユニット)
24 スピンドル
26 サーボボータ
30 研削ホイール
34 研削砥石
54 チャックテーブル
94 スクラッチ検出装置
96 枠体
112 斜光照射ユニット
114 傾斜フィルタ
116 ラインスキャンレンズ
118 ラインスキャンCCDカメラ
120 スクラッチ判定部
136 スクラッチ
2 Grinding machine 11 Semiconductor wafer 16 Grinding means (grinding unit)
24 Spindle 26 Servo voter 30 Grinding wheel 34 Grinding wheel 54 Chuck table 94 Scratch detection device 96 Frame body 112 Oblique light irradiation unit 114 Inclination filter 116 Line scan lens 118 Line scan CCD camera 120 Scratch determination unit 136 Scratch

Claims (6)

ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削ホイールを有する研削手段とを備えた研削装置であって、
ウエーハの研削面に生じるスクラッチを検出するスクラッチ検出手段を更に具備し、
該スクラッチ検出手段は、ウエーハに対してウエーハの半径に対応した領域に光を傾斜して照射する斜光照射手段と、ウエーハの半径に対応した領域を結像するラインスキャンレンズと、該ラインスキャンレンズで結像された像を撮像するラインスキャンカメラと、該ラインスキャンカメラによって撮像された画像からスクラッチの有り無しを判定するスクラッチ判定手段とを含み、
該チャックテーブルを少なくとも1回転する間にスクラッチを検出することを特徴とする研削装置。
A grinding apparatus comprising a chuck table for holding a wafer and a grinding means having a grinding wheel for grinding a wafer held on the chuck table,
It further comprises a scratch detection means for detecting a scratch generated on the ground surface of the wafer,
The scratch detection means includes oblique light irradiating means for inclining and irradiating light onto an area corresponding to the wafer radius, a line scan lens for forming an image corresponding to the wafer radius, and the line scan lens. A line scan camera that picks up an image formed in step Scratch determination means for determining the presence or absence of scratches from the image picked up by the line scan camera,
A grinding apparatus for detecting a scratch during at least one rotation of the chuck table.
前記スクラッチ検出手段は、前記ラインスキャンレンズを囲繞しウエーハ側に開放した枠体と、該枠体に水を供給する水供給手段とを更に含み、
該枠体とウエーハとで仕切られる空間が水で満たされていることを特徴とする請求項1記載の研削装置。
The scratch detection means further includes a frame body that surrounds the line scan lens and is open to the wafer side, and a water supply means that supplies water to the frame body,
2. The grinding apparatus according to claim 1, wherein a space partitioned by the frame body and the wafer is filled with water.
前記スクラッチ検出手段は、ウエーハの半径に対応した領域に配設されたウエーハの中心から外周に行くに連れてウエーハで反射された反射光の透過強度が比例して増大する傾斜フィルタを更に含むことを特徴とする請求項1又は2記載の研削装置。   The scratch detection means further includes a tilt filter in which the transmission intensity of the reflected light reflected by the wafer increases proportionally from the center to the outer periphery of the wafer disposed in a region corresponding to the radius of the wafer. The grinding apparatus according to claim 1 or 2. 前記ラインスキャンカメラに接続されたモニタを更に具備し、
該モニタ上のスクラッチを観察して前記スクラッチ判定手段におけるスクラッチの有り無しの閾値を設定可能であることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の研削装置。
A monitor connected to the line scan camera;
The grinding apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein a scratch threshold value in the scratch determination means can be set by observing scratches on the monitor.
チャックテーブルに保持されたウエーハの研削面に生じるスクラッチを検出するスクラッチ検出装置であって、
ウエーハに対して少なくともウエーハの半径に対応した領域に光を傾斜して照射する斜光照射手段と、
少なくともウエーハの半径に対応した領域を結像するラインスキャンレンズと、
該ラインスキャンレンズで結像された像を撮像するラインスキャンカメラと、
該ラインスキャンカメラによって撮像された画像からスクラッチの有り無しを判定するスクラッチ判定手段とを具備し、
前記チャックテーブルを少なくとも1回転する間にスクラッチを検出することを特徴とするスクラッチ検出装置。
A scratch detection device for detecting a scratch generated on a grinding surface of a wafer held on a chuck table,
Oblique light irradiating means for irradiating light to the wafer at an angle corresponding to at least the area corresponding to the radius of the wafer;
A line scan lens that images at least a region corresponding to the radius of the wafer;
A line scan camera that captures an image formed by the line scan lens;
Scratch determining means for determining the presence or absence of scratches from the image captured by the line scan camera,
A scratch detection device that detects a scratch during at least one rotation of the chuck table.
ウエーハの半径に対応した領域に配設されたウエーハの中心から外周に行くに連れてウエーハ表面で反射した反射光の透過強度が比例して増大する傾斜フィルタを更に具備したことを特徴とする請求項5記載のスクラッチ検出装置。   A tilt filter is further provided in which the transmission intensity of the reflected light reflected from the wafer surface increases proportionally from the center of the wafer disposed in a region corresponding to the radius of the wafer toward the outer periphery. Item 6. The scratch detection device according to Item 5.
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