JP5274919B2 - Grinding device and scratch detection device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a scratch detection device of a wafer, and also to provide a grinding device equipped with the same. <P>SOLUTION: The grinding device is provided with a chuck table for holding the wafer and a grinding means having a grinding wheel for grinding the wafer held at the chuck table. The grinding device is further provided with a scratch detection means for detecting a scratch caused on the grinding face of the wafer. The scratch detection means includes a light beam irradiating means for irradiating light beam to the wafer, a converging means for converging a reflective light from an area where the light beam is irradiated, a light receiving means for receiving the reflective light which is converged by the converging means, and a determining means for determining the existence of the scratch when a light amount detected by the light receiving means exceeds a predetermined threshold value. The light receiving means is configured to be a shape to follow a direction where the scratch is formed. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、ウエーハ研削面のスクラッチを検出可能なスクラッチ検出装置及び該スクラッチ検出装置を具備した研削装置に関する。   The present invention relates to a scratch detection device capable of detecting a scratch on a wafer grinding surface and a grinding device provided with the scratch detection device.

IC、LSI等の数多くのデバイスが表面に形成され、且つ個々のデバイスが分割予定ライン(ストリート)によって区画された半導体ウエーハは、研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに加工された後、ダイシング装置によって分割予定ラインを切削して個々のデバイスに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。   A semiconductor wafer in which a number of devices such as IC and LSI are formed on the surface, and each device is partitioned by a line to be divided (street), the back surface is ground by a grinding machine and processed to a predetermined thickness. The division line is cut by a dicing machine and divided into individual devices, which are used for electric devices such as mobile phones and personal computers.

ウエーハの裏面を研削する研削装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削砥石が配設された研削ホイールを回転可能に支持する研削手段と、研削領域に研削水を供給する研削水供給手段とを具備しており、ウエーハを所定の厚みに加工することができる。   A grinding apparatus for grinding a back surface of a wafer includes a chuck table for holding a wafer, a grinding means for rotatably supporting a grinding wheel provided with a grinding wheel for grinding the wafer held by the chuck table, and a grinding region And a grinding water supply means for supplying the grinding water to the wafer, and the wafer can be processed to a predetermined thickness.

ところで、ウエーハの厚みが100μm以下、更には50μm以下と薄くなると、ウエーハの裏面に生じた研削歪がデバイスの抗折強度を低下させる原因にもなり、抗折強度を向上させるためにエッチング等で歪を除去すると、今度はウエーハの内部で遊動する重金属を裏面側に保持するゲッタリング効果がなくなりデバイスの品質を著しく低下させることになる。   By the way, when the thickness of the wafer is reduced to 100 μm or less, and further to 50 μm or less, grinding distortion generated on the back surface of the wafer may cause a decrease in the bending strength of the device. When the distortion is removed, the gettering effect for holding the heavy metal floating inside the wafer on the back surface side is lost, and the quality of the device is remarkably deteriorated.

そこで、本出願人は、主に仕上げ研削用砥石として、研削歪を抑制して抗折強度を維持できるとともに、ゲッタリング効果も維持できるビトリファイドボンド砥石を特開2006−1007号公報で提案した。
特開2006−1007号公報
In view of this, the present applicant has proposed a vitrified bond grindstone in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-1007, which can maintain grinding strength by suppressing grinding distortion, and can also maintain a gettering effect, mainly as a grinding wheel for finish grinding.
JP 2006-1007 A

ところが、特許文献1に開示されたビトリファイドボンド砥石を使用して研削したウエーハの研削面を観察すると、40〜50枚に1枚の割合でスクラッチの入ったウエーハが存在することがあり、かかるウエーハにおいてはスクラッチの入った部分での抗折強度が低下するという問題がある。   However, when the grinding surface of the wafer ground using the vitrified bond grindstone disclosed in Patent Document 1 is observed, there may be a wafer containing scratches at a ratio of 1 to 40 to 50 wafers. However, there is a problem that the bending strength at the scratched portion is lowered.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハの研削面に生じるスクラッチを検出可能なスクラッチ検出装置及び該スクラッチ検出装置を具備した研削装置を提供することである。   The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a scratch detection device capable of detecting a scratch generated on a grinding surface of a wafer, and a grinding device equipped with the scratch detection device. That is.

請求項1記載の発明によると、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削ホイールを有する研削手段とを備えた研削装置であって、ウエーハの研削面に生じるスクラッチを検出するスクラッチ検出手段を更に具備し、該スクラッチ検出手段は、ウエーハに対して光ビームを照射する光ビーム照射手段と、光ビームが照射される領域からの反射光を集光する集光手段と、該集光手段で集光された反射光を受光する受光手段と、該受光手段で検出される光量が所定の閾値を越えた際スクラッチ有りと判定する判定手段とを含み、該受光手段はウエーハの半径方向に伸長するスクラッチに倣った形状に構成されていることを特徴とする研削装置が提供される。 According to the first aspect of the present invention, there is provided a grinding apparatus comprising a chuck table for holding a wafer and a grinding means having a grinding wheel for grinding the wafer held by the chuck table, which is generated on a grinding surface of the wafer. The apparatus further comprises scratch detection means for detecting scratches, the scratch detection means for condensing the reflected light from the light beam irradiation means for irradiating the wafer with the light beam and the region irradiated with the light beam. Means, a light receiving means for receiving the reflected light collected by the light collecting means, and a determination means for determining that there is a scratch when the amount of light detected by the light receiving means exceeds a predetermined threshold. A grinding device is provided in which the means is formed in a shape following a scratch extending in the radial direction of the wafer .

好ましくは、研削装置は、前記集光手段と前記受光手段との間に配設されたビームスプリッタと、該ビームスプリッタにより一方に分岐された反射光が入射する撮像手段と、該撮像手段に接続されたモニターとを更に具備し、該ビームスプリッタで分岐した他方の反射光は前記受光手段に導かれ、前記モニター上のスクラッチを観察して前記スクラッチ判定手段の前記閾値を設定する。   Preferably, the grinding apparatus includes a beam splitter disposed between the light collecting unit and the light receiving unit, an imaging unit on which reflected light branched to one side by the beam splitter is incident, and is connected to the imaging unit The other reflected light branched by the beam splitter is guided to the light receiving means, and the threshold value of the scratch determination means is set by observing the scratch on the monitor.

好ましくは、受光手段はラインセンサから構成され、ラインセンサはウエーハの半径方向に伸長するスクラッチに倣った形状で位置付けられている。代替案として、受光手段はスリットが形成されたスリットマスクと、受光素子とから構成され、スリットマスクのスリットはウエーハの半径方向に伸長するスクラッチに倣った形状で位置付けられている。 Preferably, the light receiving means is constituted by a line sensor, and the line sensor is positioned in a shape following a scratch extending in the radial direction of the wafer . As an alternative, the light receiving means comprises a slit mask having a slit and a light receiving element, and the slit of the slit mask is positioned in a shape following a scratch extending in the radial direction of the wafer .

好ましくは、チャックテーブルは、ウエーハを着脱する着脱位置とウエーハを研削手段で研削する研削位置との間で移動可能であり、スクラッチ検出手段は着脱位置又は研削位置の何れかに配設されている。   Preferably, the chuck table is movable between an attachment / detachment position where the wafer is attached / detached and a grinding position where the wafer is ground by the grinding means, and the scratch detection means is disposed at either the attachment / detachment position or the grinding position. .

好ましくは、研削装置は集光手段を囲繞しウエーハ側に開放した枠体と、該枠体内に水を供給する水供給手段とを更に具備し、枠体とウエーハとで仕切られる空間が水で満たされている。   Preferably, the grinding device further includes a frame body surrounding the light collecting means and opened to the wafer side, and a water supply means for supplying water into the frame body, and a space partitioned by the frame body and the wafer is made of water. be satisfied.

請求項8記載の発明によると、チャックテーブルに保持されたウエーハの研削面に生じるスクラッチを検出するスクラッチ検出装置であって、該ウエーハに対して光ビームを照射する光ビーム照射手段と、光ビームが照射される領域からの反射光を集光する集光手段と、該集光手段で集光された反射光を受光する受光手段と、該受光手段で検出される光量が所定の閾値を超えた際スクラッチ有りと判定するスクラッチ判定手段とを具備し、該受光手段は、ウエーハの半径方向に伸長するスクラッチに倣った形状に構成されていることを特徴とするスクラッチ検出装置が提供される。 According to the eighth aspect of the present invention, there is provided a scratch detection device for detecting a scratch generated on a grinding surface of a wafer held on a chuck table, the light beam irradiation means for irradiating the wafer with a light beam, and the light beam. The light collecting means for collecting the reflected light from the region irradiated with the light, the light receiving means for receiving the reflected light collected by the light collecting means, and the amount of light detected by the light receiving means exceeds a predetermined threshold value. There is provided a scratch detection device including a scratch determination unit that determines that there is a scratch, and the light receiving unit is configured to follow a scratch extending in the radial direction of the wafer .

本発明の研削装置によると、受光手段がウエーハの半径方向に伸長するスクラッチに倣った形状に構成されているスクラッチ検出装置を具備しているので、ウエーハの研削面からスクラッチを直ちに検出でき、スクラッチが有る場合は研削を続行し、又はスクラッチ除去研削を遂行してスクラッチのないウエーハを次工程に搬送するようにしたので、スクラッチのないウエーハを効率良く生産することができる。 According to the grinding device of the present invention, since the light receiving means includes the scratch detection device configured to follow the scratch extending in the radial direction of the wafer, the scratch can be immediately detected from the grinding surface of the wafer, and the scratch is detected. If there is, the grinding is continued or the scratch removal grinding is performed so that the wafer without the scratch is conveyed to the next process, so that the wafer without the scratch can be produced efficiently.

又、本発明のスクラッチ検出装置によると、研削面に形成されたスクラッチを確実に検出することができる。   Further, according to the scratch detection device of the present invention, it is possible to reliably detect the scratch formed on the grinding surface.

以下、本発明実施形態のウエーハの研削方法及び研削装置を図面を参照して詳細に説明する。図1は所定の厚さに加工される前の半導体ウエーハの斜視図である。図1に示す半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数のストリート13が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート13によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。   Hereinafter, a wafer grinding method and a grinding apparatus according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor wafer before being processed to a predetermined thickness. A semiconductor wafer 11 shown in FIG. 1 is made of, for example, a silicon wafer having a thickness of 700 μm, and a plurality of streets 13 are formed in a lattice shape on the surface 11a, and a plurality of streets partitioned by the plurality of streets 13 are formed. A device 15 such as an IC or LSI is formed in the region.

このように構成された半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19を備えている。また、半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。   The semiconductor wafer 11 configured as described above includes a device region 17 in which the device 15 is formed, and an outer peripheral surplus region 19 that surrounds the device region 17. A notch 21 is formed on the outer periphery of the semiconductor wafer 11 as a mark indicating the crystal orientation of the silicon wafer.

半導体ウエーハ11の表面11aには、保護テープ貼着工程により保護テープ23が貼着される。従って、半導体ウエーハ11の表面11aは保護テープ23によって保護され、図2に示すように裏面11bが露出する形態となる。   A protective tape 23 is attached to the surface 11a of the semiconductor wafer 11 by a protective tape attaching process. Therefore, the front surface 11a of the semiconductor wafer 11 is protected by the protective tape 23, and the back surface 11b is exposed as shown in FIG.

以下、このように構成された半導体ウエーハ11の裏面11bを所定厚さに研削する研削装置2を、図3を参照して説明する。研削装置2のハウジング4は、水平ハウジング部分6と、垂直ハウジング部分8から構成される。   Hereinafter, a grinding apparatus 2 for grinding the back surface 11b of the semiconductor wafer 11 thus configured to a predetermined thickness will be described with reference to FIG. The housing 4 of the grinding device 2 is composed of a horizontal housing part 6 and a vertical housing part 8.

垂直ハウジング部分8には上下方向に伸びる1対のガイドレール12,14が固定されている。この一対のガイドレール12,14に沿って研削手段(研削ユニット)16が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット16は支持部20を介して一対のガイドレール12,14に沿って上下方向に移動する移動基台18に取り付けられている。   A pair of guide rails 12 and 14 extending in the vertical direction are fixed to the vertical housing portion 8. A grinding means (grinding unit) 16 is mounted along the pair of guide rails 12 and 14 so as to be movable in the vertical direction. The grinding unit 16 is attached to a moving base 18 that moves up and down along a pair of guide rails 12 and 14 via a support portion 20.

研削ユニット16は、支持部20に取り付けられたスピンドルハウジング22と、スピンドルハウジング22中に回転可能に収容されたスピンドル24と、スピンドル24を回転駆動するサーボモータ26を含んでいる。   The grinding unit 16 includes a spindle housing 22 attached to the support portion 20, a spindle 24 rotatably accommodated in the spindle housing 22, and a servo motor 26 that rotationally drives the spindle 24.

図6に最も良く示されるように、スピンドル24の先端部にはマウンター28が固定されており、このマウンター28には研削ホイール30がねじ止めされている。例えば、研削ホイール30はホイール基台32の自由端部に粒径0.3〜1.0μmのダイヤモンド砥粒をビトリファイドボンドで固めた複数の研削砥石34が固着されて構成されている。よって、研削面は鏡面となる。   As best shown in FIG. 6, a mounter 28 is fixed to the tip of the spindle 24, and a grinding wheel 30 is screwed to the mounter 28. For example, the grinding wheel 30 is configured by affixing a plurality of grinding wheels 34 in which diamond abrasive grains having a grain size of 0.3 to 1.0 μm are hardened by vitrified bonds to a free end portion of a wheel base 32. Therefore, the grinding surface is a mirror surface.

研削手段(研削ユニット)16にはホース36を介して研削水が供給される。好ましくは、研削水としては純水が使用される。図6に示すように、ホース36から供給された研削水が、スピンドル24に形成された研削水供給穴38、マウンター28に形成された空間40及び研削ホイール30のホイール基台32に形成された複数の研削水供給ノズル42を介して研削砥石34及びチャックテーブル54に保持されたウエーハ11に供給される。   Grinding water is supplied to the grinding means (grinding unit) 16 via a hose 36. Preferably, pure water is used as the grinding water. As shown in FIG. 6, the grinding water supplied from the hose 36 is formed in the grinding water supply hole 38 formed in the spindle 24, the space 40 formed in the mounter 28, and the wheel base 32 of the grinding wheel 30. It is supplied to the wafer 11 held on the grinding wheel 34 and the chuck table 54 via a plurality of grinding water supply nozzles 42.

図3を再び参照すると、研削装置2は、研削ユニット16を一対の案内レール12,14に沿って上下方向に移動する研削ユニット送り機構44を備えている。研削ユニット送り機構44は、ボールねじ46と、ボールねじ46の一端部に固定されたパルスモータ48から構成される。パルスモータ48をパルス駆動すると、ボールねじ46が回転し、移動基台18の内部に固定されたボールねじ46のナットを介して移動基台18が上下方向に移動される。   Referring back to FIG. 3, the grinding apparatus 2 includes a grinding unit feed mechanism 44 that moves the grinding unit 16 in the vertical direction along the pair of guide rails 12 and 14. The grinding unit feed mechanism 44 includes a ball screw 46 and a pulse motor 48 fixed to one end of the ball screw 46. When the pulse motor 48 is pulse-driven, the ball screw 46 rotates and the moving base 18 is moved in the vertical direction via the nut of the ball screw 46 fixed inside the moving base 18.

水平ハウジング部分6の凹部10には、チャックテーブルユニット50が配設されている。チャックテーブルユニット50は、図4に示すように、支持基台52と、支持基台52に回転自在に配設されたチャックテーブル54を含んでいる。チャックテーブルユニット50は更に、チャックテーブル54を挿通する穴を有したカバー56を備えている。   A chuck table unit 50 is disposed in the recess 10 of the horizontal housing portion 6. As shown in FIG. 4, the chuck table unit 50 includes a support base 52 and a chuck table 54 that is rotatably disposed on the support base 52. The chuck table unit 50 further includes a cover 56 having a hole through which the chuck table 54 is inserted.

チャックテーブルユニット50は、チャックテーブル移動機構58により研削装置2の前後方向に移動される。チャックテーブル移動機構58は、ボールねじ60と、ボールねじ60のねじ軸62の一端に連結されたパルスモータ64から構成される。   The chuck table unit 50 is moved in the front-rear direction of the grinding apparatus 2 by the chuck table moving mechanism 58. The chuck table moving mechanism 58 includes a ball screw 60 and a pulse motor 64 connected to one end of a screw shaft 62 of the ball screw 60.

パルスモータ64をパルス駆動すると、ボールねじ60のねじ軸62が回転し、このねじ軸62に螺合したナットを有する支持基台52が研削装置2の前後方向に移動する。よって、チャックテーブル54もパルスモータ64の回転方向に応じて、前後方向に移動する。   When the pulse motor 64 is pulse-driven, the screw shaft 62 of the ball screw 60 rotates, and the support base 52 having a nut screwed to the screw shaft 62 moves in the front-rear direction of the grinding device 2. Therefore, the chuck table 54 also moves in the front-rear direction according to the rotation direction of the pulse motor 64.

図3に示されているように、図4に示した一対のガイドレール66,68及びチャックテーブル移動機構58は蛇腹70,72により覆われている。すなわち、蛇腹70の前端部は凹部10を画成する前壁に固定され、後端部がカバー56の前端面に固定されている。また、蛇腹72の後端は垂直ハウジング部分8に固定され、その前端はカバー56の後端面に固定されている。   As shown in FIG. 3, the pair of guide rails 66 and 68 and the chuck table moving mechanism 58 shown in FIG. 4 are covered with bellows 70 and 72. That is, the front end portion of the bellows 70 is fixed to the front wall that defines the recess 10, and the rear end portion is fixed to the front end surface of the cover 56. The rear end of the bellows 72 is fixed to the vertical housing portion 8, and the front end thereof is fixed to the rear end surface of the cover 56.

ハウジング4の水平ハウジング部分6には、第1のウエーハカセット74と、第2のウエーハカセット76と、ウエーハ搬送手段78と、ウエーハ仮載置手段80と、ウエーハ搬入手段82と、ウエーハ搬出手段84と、洗浄手段86が配設されている。更に、ハウジング4の前方にはオペレータが研削条件等を入力する操作手段88及びモニター89が設けられている。   In the horizontal housing portion 6 of the housing 4, a first wafer cassette 74, a second wafer cassette 76, a wafer transfer means 78, a wafer temporary mounting means 80, a wafer carry-in means 82, and a wafer carry-out means 84 are provided. A cleaning means 86 is provided. Further, an operation means 88 and a monitor 89 are provided in front of the housing 4 for an operator to input grinding conditions and the like.

また、水平ハウジング部分6の概略中央部には、チャックテーブル54を洗浄する洗浄水噴射ノズル90が設けられている。この洗浄水噴射ノズル90は、チャックテーブルユニット54がウエーハ搬入・搬出領域に位置づけられた状態において、チャックテーブル54に保持された研削加工後のウエーハに向けて洗浄水を噴出する。   Further, a cleaning water spray nozzle 90 for cleaning the chuck table 54 is provided at the approximate center of the horizontal housing portion 6. The cleaning water jet nozzle 90 ejects cleaning water toward the wafer after grinding held by the chuck table 54 in a state where the chuck table unit 54 is positioned in the wafer carry-in / carry-out region.

チャックテーブルユニット50は、チャックテーブル移動機構58のパルスモータ64をパルス駆動することにより、図3に示した装置奥側の研削領域と、ウエーハ搬入手段82からウエーハを受け取りウエーハ搬出手段84にウエーハを受け渡す手前側のウエーハ搬入・搬出領域との間で移動される。   The chuck table unit 50 pulse-drives the pulse motor 64 of the chuck table moving mechanism 58 to receive the wafer from the grinding area on the back side of the apparatus and the wafer carry-in means 82 shown in FIG. It is moved to and from the wafer loading / unloading area on the near side.

ウエーハ搬入・搬出領域(ウエーハ着脱領域)の上方にはスクラッチ検出装置94が配設されている。代替案として、スクラッチ検出装置94を研削領域の上方に配設するようにしても良い。   A scratch detection device 94 is disposed above the wafer carry-in / out region (wafer attach / detach region). As an alternative, the scratch detection device 94 may be disposed above the grinding region.

スクラッチ検出装置94は、図7に示すように、ハウジング96と、ハウジング96の先端部に取り付けられたレーザーダイオード(LD)98と、ウエーハ11で散乱された反射光をコリメートビームにする対物レンズ100と、コリメートビームを分岐するビームスプリッタ102とを含んでいる。   As shown in FIG. 7, the scratch detection device 94 includes a housing 96, a laser diode (LD) 98 attached to the tip of the housing 96, and an objective lens 100 that converts reflected light scattered by the wafer 11 into a collimated beam. And a beam splitter 102 for branching the collimated beam.

スクラッチ検出装置94は更に、ビームスプリッタ102で反射されたコリメートビームを集光する集光レンズ104と、集光レンズ104の焦点位置にスリット105が位置付けられたスリットマスク106と、受光素子108と、受光素子108に接続されたスクラッチ判定部110を含んでいる。   The scratch detector 94 further includes a condenser lens 104 that condenses the collimated beam reflected by the beam splitter 102, a slit mask 106 in which a slit 105 is positioned at the focal position of the condenser lens 104, a light receiving element 108, A scratch determination unit 110 connected to the light receiving element 108 is included.

スクラッチ検出装置94は更に、ビームスプリッタ102を透過したコリメートビームを集光する集光レンズ132と、CCDカメラ等の撮像手段134を含んでいる。撮像手段134で撮像された画像は、モニター89上に表示される。   The scratch detection device 94 further includes a condenser lens 132 that condenses the collimated beam that has passed through the beam splitter 102, and an imaging means 134 such as a CCD camera. An image picked up by the image pickup means 134 is displayed on the monitor 89.

スクラッチ検出装置94のハウジング96の下端近傍には隔壁136が設けられており、ハウジング96の先端部分と隔壁96及びチャックテーブル54に保持されたウエーハ11との間に水充填室138が画成されている。   A partition wall 136 is provided near the lower end of the housing 96 of the scratch detection device 94, and a water filling chamber 138 is defined between the front end portion of the housing 96 and the wafer 11 held by the partition wall 96 and the chuck table 54. ing.

管路140の一端140aは水源142に接続され、他端140bは水充填室138に開口している。144は切替弁、146は水圧計である。ハウジング96の先端とウエーハ11との間の間隔は約0.5〜1mmに維持するのが好ましい。   One end 140 a of the pipeline 140 is connected to the water source 142, and the other end 140 b opens to the water filling chamber 138. 144 is a switching valve, and 146 is a water pressure gauge. The distance between the tip of the housing 96 and the wafer 11 is preferably maintained at about 0.5-1 mm.

LD98からウエーハ11に対して傾斜して出射されたレーザビームが、対物レンズ100直下のウエーハ11に照射されるようにLD98がハウジング96に取り付けられている。図示の実施形態では、2個のLD98が設けられているが、LD98は1個でも又は3個以上配設するようにしても良い。   The LD 98 is attached to the housing 96 so that the laser beam emitted from the LD 98 with an inclination with respect to the wafer 11 is irradiated onto the wafer 11 immediately below the objective lens 100. In the illustrated embodiment, two LDs 98 are provided, but one LD 98 or three or more LDs 98 may be provided.

図8に示すように、ウエーハ11の裏面研削中に形成されるスクラッチ148は半径方向に長く伸長して形成される場合が多い。150はLD98で光ビームが照射される測定位置である。   As shown in FIG. 8, the scratch 148 formed during the back surface grinding of the wafer 11 is often formed to extend long in the radial direction. Reference numeral 150 denotes a measurement position where the light beam is irradiated by the LD 98.

よって、本実施形態のスクラッチ検出装置94におけるスリットマスク106のスリット105はスクラッチが形成される方向に倣った方向、即ち紙面に垂直な方向に伸長している。図9に示すように、スリットマスク106のスリット105はその幅が0.1〜0.3mmで長さが2mm程度が好ましい。   Therefore, the slit 105 of the slit mask 106 in the scratch detection device 94 of the present embodiment extends in a direction following the direction in which the scratch is formed, that is, in a direction perpendicular to the paper surface. As shown in FIG. 9, the slit 105 of the slit mask 106 preferably has a width of 0.1 to 0.3 mm and a length of about 2 mm.

受光素子108も、スクラッチが形成される方向に倣った形状に構成されるのが好ましい。受光素子108としては、例えば光電子増倍管を使用するのが好ましい。受光手段を構成する他の実施形態としては、スリットマスク106が設けられた位置にラインセンサを配置するようにしても良い。この場合には、受光素子108は省略され、ラインセンサはスクラッチが形成される方向に倣った方向に伸長しており、ラインセンサからの出力信号がスクラッチ判定部110に入力される。   The light receiving element 108 is also preferably configured in a shape that follows the direction in which the scratch is formed. As the light receiving element 108, for example, a photomultiplier tube is preferably used. As another embodiment constituting the light receiving means, a line sensor may be arranged at a position where the slit mask 106 is provided. In this case, the light receiving element 108 is omitted, the line sensor extends in a direction following the direction in which the scratch is formed, and an output signal from the line sensor is input to the scratch determination unit 110.

このように構成された研削装置2の研削作業について以下に説明する。第1のウエーハカセット74中に収容されるウエーハは、保護テープが表面側(回路が形成されている側の面)に装着された半導体ウエーハであり、従ってウエーハは裏面が上側に位置する状態で第1のカセット74中に収容されている。このように複数の半導体ウエーハを収容した第1のウエーハカセット74は、ハウジング4の所定のカセットを搬入領域に載置される。   The grinding operation of the grinding device 2 configured as described above will be described below. The wafer housed in the first wafer cassette 74 is a semiconductor wafer having a protective tape mounted on the front surface side (surface on which the circuit is formed), and therefore the wafer is positioned with the back surface positioned on the upper side. Housed in the first cassette 74. As described above, the first wafer cassette 74 that accommodates a plurality of semiconductor wafers is mounted with a predetermined cassette of the housing 4 in the carry-in area.

そして、カセット搬入領域に載置された第1のウエーハカセット74に収容されていた研削加工前の半導体ウエーハが全て搬出されると、空のウエーハカセット74に変えて複数個の半導体ウエーハを収容した新しい第1のウエーハカセット74が手動でカセット搬入領域に載置される。   When all of the unprocessed semiconductor wafers contained in the first wafer cassette 74 placed in the cassette carry-in area are carried out, a plurality of semiconductor wafers are accommodated in place of the empty wafer cassette 74. A new first wafer cassette 74 is manually placed in the cassette loading area.

一方、ハウジング4の所定のカセット搬出領域に載置された第2のウエーハカセット76に所定枚数の研削加工後の半導体ウエーハが搬入されると、かかる第2のウエーハカセット76は手動で搬出されて、新しい空の第2のウエーハカセット76がカセット搬出領域に載置される。   On the other hand, when a predetermined number of ground semiconductor wafers are loaded into the second wafer cassette 76 placed in the predetermined cassette unloading area of the housing 4, the second wafer cassette 76 is manually unloaded. A new empty second wafer cassette 76 is placed in the cassette unloading area.

第1のウエーハカセット74に収容された半導体ウエーハは、ウエーハ搬送手段78の上下動作及び進退動作により搬送され、ウエーハ仮載置手段80に載置される。ウエーハ仮載置手段80に載置されたウエーハは、ここで中心合わせが行われた後にウエーハ搬入手段82の旋回動作によって、ウエーハ搬入・搬出領域に位置せしめられているチャックテーブルユニット50のチャックテーブル54に載置され、チャックテーブル54によって吸引保持される。   The semiconductor wafer accommodated in the first wafer cassette 74 is conveyed by the vertical movement and forward / backward movement of the wafer conveyance means 78 and is placed on the wafer temporary placement means 80. The wafer placed on the temporary wafer placement means 80 is centered here, and then the chuck table of the chuck table unit 50 positioned in the wafer carry-in / out area by the turning operation of the wafer carry-in means 82. 54 and is sucked and held by the chuck table 54.

このようにチャックテーブル54がウエーハを吸引保持したならば、チャックテーブル移動機構58を作動して、チャックテーブルユニット54を移動して装置後方の研削領域に位置づける。   When the chuck table 54 sucks and holds the wafer in this way, the chuck table moving mechanism 58 is operated to move the chuck table unit 54 and position it in the grinding area behind the apparatus.

チャックテーブルユニット50が研削領域に位置づけられると、チャックテーブル54に保持されたウエーハの中心が研削ホイール30の外周円を僅かに超えた位置に位置づけられる。   When the chuck table unit 50 is positioned in the grinding area, the center of the wafer held by the chuck table 54 is positioned slightly beyond the outer circumference circle of the grinding wheel 30.

次に、チャックテーブル54を例えば100〜300rpm程度で回転し、サーボモータ26を駆動して研削ホイール30を4000〜7000rpmで回転するとともに、研削ユニット送り機構44のパルスモータ48を正転駆動して研削ユニット16を下降させる。   Next, the chuck table 54 is rotated at, for example, about 100 to 300 rpm, the servo motor 26 is driven to rotate the grinding wheel 30 at 4000 to 7000 rpm, and the pulse motor 48 of the grinding unit feed mechanism 44 is driven to rotate forward. The grinding unit 16 is lowered.

そして、図6に示すように、研削ホイール30の研削砥石34をチャックテーブル54上のウエーハ11の裏面(被研削面)に所定の荷重で押圧することにより、ウエーハ11の裏面が研削される。このようにして所定時間研削することにより、ウエーハ11が所定の厚さに研削される。   Then, as shown in FIG. 6, the back surface of the wafer 11 is ground by pressing the grinding wheel 34 of the grinding wheel 30 against the back surface (surface to be ground) of the wafer 11 on the chuck table 54 with a predetermined load. By grinding in this way for a predetermined time, the wafer 11 is ground to a predetermined thickness.

研削が終了すると、チャックテーブル移動機構58を駆動してチャックテーブル54を装置手前側のウエーハ搬入・搬出領域に位置付ける。チャックテーブル54がウエーハ搬入・搬出領域に位置付けられたならば、洗浄水噴射ノズル90から洗浄水を噴射して、チャックテーブル54に保持されている研削加工されたウエーハ11の被研削面(裏面)を洗浄する。   When grinding is completed, the chuck table moving mechanism 58 is driven to position the chuck table 54 in the wafer loading / unloading area on the front side of the apparatus. If the chuck table 54 is positioned in the wafer loading / unloading area, the cleaning water is sprayed from the cleaning water spray nozzle 90 and the ground surface (back surface) of the ground wafer 11 held by the chuck table 54 is held. Wash.

このようにウエーハ11の被研削面(裏面)を洗浄した後、チャックテーブル54を回転しながらLD98を駆動してスクラッチ検出装置94で被研削面のスクラッチを検出する。   After the surface to be ground (back surface) of the wafer 11 is cleaned in this manner, the LD 98 is driven while the chuck table 54 is rotated, and the scratch detection device 94 detects scratches on the surface to be ground.

本実施形態のスクラッチ検出装置94でウエーハ11に形成されたスクラッチの検出を行うには、まず、水源142から水充填室138に水を供給し、水充填室138を水で充満する。   In order to detect a scratch formed on the wafer 11 by the scratch detection device 94 of the present embodiment, first, water is supplied from the water source 142 to the water filling chamber 138 and the water filling chamber 138 is filled with water.

ウエーハ11とハウジング96の先端との間には僅かな隙間があるため、この隙間から流れ出た水を常に補給するために水源142から常に一定量の水を水充填室138に供給する。   Since there is a slight gap between the wafer 11 and the front end of the housing 96, a constant amount of water is always supplied from the water source 142 to the water filling chamber 138 in order to constantly replenish the water flowing out from this gap.

ウエーハ11の研削は研削水を供給しながら実施されるため、研削を実行するとウエーハ11の研削面は汚染されるが、本実施形態では常に水充填室138内に水を満たしながらスクラッチの検出を行うため、水充填室138内に充填された水はあまり汚染されていない綺麗な水である。   Since the grinding of the wafer 11 is performed while supplying grinding water, the grinding surface of the wafer 11 is contaminated when the grinding is performed. In this embodiment, however, the water filling chamber 138 is always filled with water to detect scratches. For this purpose, the water filled in the water filling chamber 138 is clean water that is not very contaminated.

ウエーハ11に対して傾斜してレーザビームが照射されると、ウエーハ11の研削面は鏡面となっているため、ほとんどの反射光は鏡面加工されたウエーハ11により正反射されて対物レンズ100に入らないが、スクラッチで散乱した散乱光が符号112で示すように対物レンズ100に入射し、対物レンズ100でコリメートビームに変換される。   When the wafer 11 is irradiated with a laser beam inclined, most of the reflected light is specularly reflected by the mirror-finished wafer 11 and enters the objective lens 100 because the ground surface of the wafer 11 is a mirror surface. Although not scattered, the scattered light scattered by the scratch enters the objective lens 100 as indicated by reference numeral 112 and is converted into a collimated beam by the objective lens 100.

このコリメートビームはビームスプリッタ102により2つのビームに分岐される。ビームスプリッタ102で反射されたコリメートビームは集光レンズ104により集光されて、スリットマスク106のスリット105を通して受光素子108に入力され、入力された光量に応じて電流値に変換されてスクラッチ判定部110に出力される。   This collimated beam is split into two beams by the beam splitter 102. The collimated beam reflected by the beam splitter 102 is condensed by the condenser lens 104, and is input to the light receiving element 108 through the slit 105 of the slit mask 106, and is converted into a current value according to the input light quantity, and a scratch determination unit. 110 is output.

スクラッチ判定部110では、図10に示すように、この散乱光はバックグラウンド電流114として検出される。LD98から出射されたレーザビームがスクラッチを検出すると、レーザビームはスクラッチにより大きく散乱されて対物レンズ100に入力される。   In the scratch determination unit 110, the scattered light is detected as a background current 114 as shown in FIG. When the laser beam emitted from the LD 98 detects a scratch, the laser beam is greatly scattered by the scratch and input to the objective lens 100.

よって、スクラッチ判定部110では、スパイク電流118,120として検出される。116はスクラッチ有り無しを判定するための所定の閾値であり、これより電流値が大きい場合にはスクラッチ有りと判定し、小さい場合にはスクラッチ無しと判定する。   Therefore, the scratch determination unit 110 detects the spike currents 118 and 120. Reference numeral 116 denotes a predetermined threshold for determining whether or not there is a scratch. If the current value is larger than this, it is determined that there is a scratch, and if it is smaller, it is determined that there is no scratch.

スクラッチ判定部110でブロック122に示すようにスクラッチ無しと判定されると、ブロック124に示すウエーハ洗浄工程を遂行する。すなわち、チャックテーブル54に保持されているウエーハの吸引保持が解除されてから、ウエーハはウエーハ搬出手段84により洗浄手段86に搬送される。   When the scratch determination unit 110 determines that there is no scratch as shown in block 122, the wafer cleaning process shown in block 124 is performed. In other words, after the wafer held by the chuck table 54 is released, the wafer is transferred to the cleaning means 86 by the wafer unloading means 84.

洗浄手段86に搬送されたウエーハは、ここで洗浄されると共にスピン乾燥される。次いで、ウエーハがウエーハ搬送手段78により第2のウエーハカセット76の所定位置に収納される。   The wafer conveyed to the cleaning means 86 is cleaned and spin-dried here. Next, the wafer is stored in a predetermined position of the second wafer cassette 76 by the wafer transport means 78.

スクラッチ判定部110でブロック126で示すようにスクラッチ有りと判定された場合には、ブロック128のスクラッチ除去研削工程を実施する。すなわち、チャックテーブル移動機構58を駆動してチャックテーブル54を再度研削領域に位置付け、研削ホイール30による約1μm研削を実施する。   When the scratch determination unit 110 determines that there is a scratch as indicated by block 126, the scratch removal grinding process of block 128 is performed. That is, the chuck table moving mechanism 58 is driven to position the chuck table 54 again in the grinding region, and grinding with about 1 μm by the grinding wheel 30 is performed.

研削が終了したウエーハは、チャックテーブル移動機構58により再度ウエーハ搬入・搬出領域に位置付けられて、ブロック130のスクラッチ検出工程が実施される。すなわち、チャックテーブル54によりウエーハ11を回転させながらLD98からレーザビームをウエーハ11に照射して、スクラッチ判定部110でスクラッチの有り無しを再度判定する。そして、最終的にスクラッチ無しと判定された場合に、ブロック124のウエーハ洗浄工程を実施する。   After the grinding, the wafer is positioned again in the wafer loading / unloading area by the chuck table moving mechanism 58, and the scratch detection process of the block 130 is performed. That is, the wafer 11 is irradiated with a laser beam from the LD 98 while rotating the wafer 11 by the chuck table 54, and the scratch determination unit 110 determines again whether or not there is a scratch. When it is finally determined that there is no scratch, a wafer cleaning process of block 124 is performed.

図7を再び参照すると、ビームスプリッタ102を透過したコリメートビームは集光レンズ132により集光されてCCDカメラ等の撮像手段134に入力される。撮像手段134で撮像されたスクラッチ152はモニター89上に表示され、研削装置2のオペレータはモニター89上のスクラッチ152を観察してスクラッチ判定部110の閾値116を好ましい値に設定する。   Referring to FIG. 7 again, the collimated beam transmitted through the beam splitter 102 is condensed by the condenser lens 132 and input to the imaging means 134 such as a CCD camera. The scratch 152 imaged by the imaging means 134 is displayed on the monitor 89, and the operator of the grinding apparatus 2 observes the scratch 152 on the monitor 89 and sets the threshold value 116 of the scratch determination unit 110 to a preferable value.

上述した本実施形態によると、スクラッチの方向に倣うようにスリットマスク106及び受光素子108からなる受光部を有するスクラッチ検出装置94を設けたので、ウエーハの研削面からスクラッチを直ちに検出でき、スクラッチが有る場合は研削を続行し、又はスクラッチ除去研削を遂行してスクラッチの無いウエーハを次工程に搬送するようにしたので、スクラッチのないウエーハを効率良く生産することができる。   According to the above-described embodiment, since the scratch detection device 94 having the light receiving portion including the slit mask 106 and the light receiving element 108 is provided so as to follow the scratch direction, the scratch can be immediately detected from the ground surface of the wafer. If there is, the grinding is continued or the scratch removal grinding is performed so that the wafer without scratch is conveyed to the next process, so that the wafer without scratch can be produced efficiently.

半導体ウエーハの表面側斜視図である。It is a surface side perspective view of a semiconductor wafer. 保護テープが貼着された半導体ウエーハの裏面側斜視図である。It is a back surface side perspective view of the semiconductor wafer where the protective tape was stuck. 本発明実施形態に係る研削装置の外観斜視図である。1 is an external perspective view of a grinding apparatus according to an embodiment of the present invention. チャックテーブルユニット及びチャックテーブル送り機構の斜視図である。It is a perspective view of a chuck table unit and a chuck table feed mechanism. 下側から見た研削ホイールの斜視図である。It is a perspective view of the grinding wheel seen from the lower side. 研削ホイールの縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of a grinding wheel. 本発明実施形態に係るスクラッチ検出装置の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the scratch detection apparatus which concerns on this invention embodiment. ウエーハに形成されたスクラッチを説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the scratch formed in the wafer. スリットマスクの寸法説明図である。It is dimension explanatory drawing of a slit mask. 本発明実施形態のスクラッチ判定部及びスクラッチ判定後の工程を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the process after the scratch determination part and scratch determination of embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

2 研削装置
11 半導体ウエーハ
16 研削手段(研削ユニット)
24 スピンドル
26 サーボモータ
30 研削ホイール
34 研削砥石
54 チャックテーブル
94 スクラッチ検出装置
98 レーザーダイオード(LD)
100 対物レンズ
102 ビームスプリッタ
104,132 集光レンズ
106 スリットマスク
108 受光素子
110 スクラッチ判定部
134 撮像手段
138 水充填室
152 スクラッチ
2 Grinding machine 11 Semiconductor wafer 16 Grinding means (grinding unit)
24 Spindle 26 Servo motor 30 Grinding wheel 34 Grinding wheel 54 Chuck table 94 Scratch detector 98 Laser diode (LD)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Objective lens 102 Beam splitter 104,132 Condensing lens 106 Slit mask 108 Light receiving element 110 Scratch determination part 134 Imaging means 138 Water filling chamber 152 Scratch

Claims (8)

ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削ホイールを有する研削手段とを備えた研削装置であって、
ウエーハの研削面に生じるスクラッチを検出するスクラッチ検出手段を更に具備し、
該スクラッチ検出手段は、ウエーハに対して光ビームを照射する光ビーム照射手段と、光ビームが照射される領域からの反射光を集光する集光手段と、該集光手段で集光された反射光を受光する受光手段と、該受光手段で検出される光量が所定の閾値を越えた際スクラッチ有りと判定する判定手段とを含み、
該受光手段はウエーハの半径方向に伸長するスクラッチに倣った形状に構成されていることを特徴とする研削装置。
A grinding apparatus comprising a chuck table for holding a wafer and a grinding means having a grinding wheel for grinding a wafer held on the chuck table,
It further comprises a scratch detection means for detecting a scratch generated on the ground surface of the wafer,
The scratch detecting means includes a light beam irradiating means for irradiating the wafer with a light beam, a condensing means for condensing reflected light from a region irradiated with the light beam, and the light collected by the condensing means. A light receiving means for receiving the reflected light, and a determination means for determining that there is a scratch when the amount of light detected by the light receiving means exceeds a predetermined threshold,
2. A grinding apparatus according to claim 1, wherein the light receiving means is configured to follow a scratch extending in a radial direction of the wafer .
前記集光手段と前記受光手段との間に配設されたビームスプリッタと、
該ビームスプリッタにより一方に分岐された反射光が入射する撮像手段と、
該撮像手段に接続されたモニターとを更に具備し、
該ビームスプリッタで分岐した他方の反射光は前記受光手段に導かれ、前記モニター上のスクラッチを観察して前記スクラッチ判定手段の前記閾値を設定可能であることを特徴とする請求項1記載の研削装置。
A beam splitter disposed between the light collecting means and the light receiving means;
Imaging means on which the reflected light branched to one side by the beam splitter is incident;
A monitor connected to the imaging means,
2. The grinding according to claim 1, wherein the other reflected light branched by the beam splitter is guided to the light receiving means, and the threshold value of the scratch determination means can be set by observing a scratch on the monitor. apparatus.
前記受光手段はラインセンサから構成され、該ラインセンサはウエーハの半径方向に伸長するスクラッチに倣った形状で位置付けられていることを特徴とする請求項1又は2記載の研削装置。 3. The grinding apparatus according to claim 1, wherein the light receiving means is composed of a line sensor, and the line sensor is positioned in a shape following a scratch extending in a radial direction of the wafer . 前記受光手段はスリットが形成されたスリットマスクと、受光素子とから構成され、
該スリットマスクのスリットはウエーハの半径方向に伸長するスクラッチに倣った形状で位置付けられていることを特徴とする請求項1又は2記載の研削装置。
The light receiving means is composed of a slit mask having a slit and a light receiving element,
3. The grinding apparatus according to claim 1, wherein the slit of the slit mask is positioned in a shape following a scratch extending in the radial direction of the wafer .
前記受光素子は光電子増倍管であることを特徴とする請求項4記載の研削装置。   5. The grinding apparatus according to claim 4, wherein the light receiving element is a photomultiplier tube. 前記チャックテーブは、ウエーハを着脱する着脱位置と、ウエーハを前記研削手段で研削する研削位置との間で移動可能であり、
前記スクラッチ検出手段は該着脱位置又は該研削位置の何れかに配設されていることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の研削装置。
The chuck table has a detaching position for detaching the wafer is a wafer movable between a grinding position for grinding by the grinding means,
The grinding apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the scratch detection means is disposed at either the attaching / detaching position or the grinding position.
前記集光手段を囲繞しウエーハ側に開放した枠体と、該枠体内に水を供給する水供給手段とを更に具備し、
該枠体とウエーハとで仕切られる空間が水で満たされていることを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載の研削装置。
A frame body that surrounds the light collecting means and is open to the wafer side; and a water supply means for supplying water into the frame body,
The grinding apparatus according to claim 1, wherein a space partitioned by the frame body and the wafer is filled with water.
チャックテーブルに保持されたウエーハの研削面に生じるスクラッチを検出するスクラッチ検出装置であって、
該ウエーハに対して光ビームを照射する光ビーム照射手段と、
光ビームが照射される領域からの反射光を集光する集光手段と、
該集光手段で集光された反射光を受光する受光手段と、
該受光手段で検出される光量が所定の閾値を超えた際スクラッチ有りと判定するスクラッチ判定手段とを具備し、
該受光手段は、ウエーハの半径方向に伸長するスクラッチに倣った形状に構成されていることを特徴とするスクラッチ検出装置。
A scratch detection device for detecting a scratch generated on a grinding surface of a wafer held on a chuck table,
A light beam irradiation means for irradiating the wafer with a light beam;
Condensing means for condensing the reflected light from the region irradiated with the light beam;
A light receiving means for receiving the reflected light collected by the light collecting means;
Comprising a scratch determination means for determining that there is a scratch when the amount of light detected by the light receiving means exceeds a predetermined threshold,
The scratch detection apparatus, wherein the light receiving means is configured to follow a scratch extending in the radial direction of the wafer .
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