JP5274919B2 - Grinding device and scratch detection device - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 121
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
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- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
本発明は、ウエーハ研削面のスクラッチを検出可能なスクラッチ検出装置及び該スクラッチ検出装置を具備した研削装置に関する。 The present invention relates to a scratch detection device capable of detecting a scratch on a wafer grinding surface and a grinding device provided with the scratch detection device.
IC、LSI等の数多くのデバイスが表面に形成され、且つ個々のデバイスが分割予定ライン(ストリート)によって区画された半導体ウエーハは、研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに加工された後、ダイシング装置によって分割予定ラインを切削して個々のデバイスに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。 A semiconductor wafer in which a number of devices such as IC and LSI are formed on the surface, and each device is partitioned by a line to be divided (street), the back surface is ground by a grinding machine and processed to a predetermined thickness. The division line is cut by a dicing machine and divided into individual devices, which are used for electric devices such as mobile phones and personal computers.
ウエーハの裏面を研削する研削装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削砥石が配設された研削ホイールを回転可能に支持する研削手段と、研削領域に研削水を供給する研削水供給手段とを具備しており、ウエーハを所定の厚みに加工することができる。 A grinding apparatus for grinding a back surface of a wafer includes a chuck table for holding a wafer, a grinding means for rotatably supporting a grinding wheel provided with a grinding wheel for grinding the wafer held by the chuck table, and a grinding region And a grinding water supply means for supplying the grinding water to the wafer, and the wafer can be processed to a predetermined thickness.
ところで、ウエーハの厚みが100μm以下、更には50μm以下と薄くなると、ウエーハの裏面に生じた研削歪がデバイスの抗折強度を低下させる原因にもなり、抗折強度を向上させるためにエッチング等で歪を除去すると、今度はウエーハの内部で遊動する重金属を裏面側に保持するゲッタリング効果がなくなりデバイスの品質を著しく低下させることになる。 By the way, when the thickness of the wafer is reduced to 100 μm or less, and further to 50 μm or less, grinding distortion generated on the back surface of the wafer may cause a decrease in the bending strength of the device. When the distortion is removed, the gettering effect for holding the heavy metal floating inside the wafer on the back surface side is lost, and the quality of the device is remarkably deteriorated.
そこで、本出願人は、主に仕上げ研削用砥石として、研削歪を抑制して抗折強度を維持できるとともに、ゲッタリング効果も維持できるビトリファイドボンド砥石を特開2006−1007号公報で提案した。
ところが、特許文献1に開示されたビトリファイドボンド砥石を使用して研削したウエーハの研削面を観察すると、40〜50枚に1枚の割合でスクラッチの入ったウエーハが存在することがあり、かかるウエーハにおいてはスクラッチの入った部分での抗折強度が低下するという問題がある。 However, when the grinding surface of the wafer ground using the vitrified bond grindstone disclosed in Patent Document 1 is observed, there may be a wafer containing scratches at a ratio of 1 to 40 to 50 wafers. However, there is a problem that the bending strength at the scratched portion is lowered.
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハの研削面に生じるスクラッチを検出可能なスクラッチ検出装置及び該スクラッチ検出装置を具備した研削装置を提供することである。 The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a scratch detection device capable of detecting a scratch generated on a grinding surface of a wafer, and a grinding device equipped with the scratch detection device. That is.
請求項1記載の発明によると、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削ホイールを有する研削手段とを備えた研削装置であって、ウエーハの研削面に生じるスクラッチを検出するスクラッチ検出手段を更に具備し、該スクラッチ検出手段は、ウエーハに対して光ビームを照射する光ビーム照射手段と、光ビームが照射される領域からの反射光を集光する集光手段と、該集光手段で集光された反射光を受光する受光手段と、該受光手段で検出される光量が所定の閾値を越えた際スクラッチ有りと判定する判定手段とを含み、該受光手段はウエーハの半径方向に伸長するスクラッチに倣った形状に構成されていることを特徴とする研削装置が提供される。 According to the first aspect of the present invention, there is provided a grinding apparatus comprising a chuck table for holding a wafer and a grinding means having a grinding wheel for grinding the wafer held by the chuck table, which is generated on a grinding surface of the wafer. The apparatus further comprises scratch detection means for detecting scratches, the scratch detection means for condensing the reflected light from the light beam irradiation means for irradiating the wafer with the light beam and the region irradiated with the light beam. Means, a light receiving means for receiving the reflected light collected by the light collecting means, and a determination means for determining that there is a scratch when the amount of light detected by the light receiving means exceeds a predetermined threshold. A grinding device is provided in which the means is formed in a shape following a scratch extending in the radial direction of the wafer .
好ましくは、研削装置は、前記集光手段と前記受光手段との間に配設されたビームスプリッタと、該ビームスプリッタにより一方に分岐された反射光が入射する撮像手段と、該撮像手段に接続されたモニターとを更に具備し、該ビームスプリッタで分岐した他方の反射光は前記受光手段に導かれ、前記モニター上のスクラッチを観察して前記スクラッチ判定手段の前記閾値を設定する。 Preferably, the grinding apparatus includes a beam splitter disposed between the light collecting unit and the light receiving unit, an imaging unit on which reflected light branched to one side by the beam splitter is incident, and is connected to the imaging unit The other reflected light branched by the beam splitter is guided to the light receiving means, and the threshold value of the scratch determination means is set by observing the scratch on the monitor.
好ましくは、受光手段はラインセンサから構成され、ラインセンサはウエーハの半径方向に伸長するスクラッチに倣った形状で位置付けられている。代替案として、受光手段はスリットが形成されたスリットマスクと、受光素子とから構成され、スリットマスクのスリットはウエーハの半径方向に伸長するスクラッチに倣った形状で位置付けられている。 Preferably, the light receiving means is constituted by a line sensor, and the line sensor is positioned in a shape following a scratch extending in the radial direction of the wafer . As an alternative, the light receiving means comprises a slit mask having a slit and a light receiving element, and the slit of the slit mask is positioned in a shape following a scratch extending in the radial direction of the wafer .
好ましくは、チャックテーブルは、ウエーハを着脱する着脱位置とウエーハを研削手段で研削する研削位置との間で移動可能であり、スクラッチ検出手段は着脱位置又は研削位置の何れかに配設されている。 Preferably, the chuck table is movable between an attachment / detachment position where the wafer is attached / detached and a grinding position where the wafer is ground by the grinding means, and the scratch detection means is disposed at either the attachment / detachment position or the grinding position. .
好ましくは、研削装置は集光手段を囲繞しウエーハ側に開放した枠体と、該枠体内に水を供給する水供給手段とを更に具備し、枠体とウエーハとで仕切られる空間が水で満たされている。 Preferably, the grinding device further includes a frame body surrounding the light collecting means and opened to the wafer side, and a water supply means for supplying water into the frame body, and a space partitioned by the frame body and the wafer is made of water. be satisfied.
請求項8記載の発明によると、チャックテーブルに保持されたウエーハの研削面に生じるスクラッチを検出するスクラッチ検出装置であって、該ウエーハに対して光ビームを照射する光ビーム照射手段と、光ビームが照射される領域からの反射光を集光する集光手段と、該集光手段で集光された反射光を受光する受光手段と、該受光手段で検出される光量が所定の閾値を超えた際スクラッチ有りと判定するスクラッチ判定手段とを具備し、該受光手段は、ウエーハの半径方向に伸長するスクラッチに倣った形状に構成されていることを特徴とするスクラッチ検出装置が提供される。 According to the eighth aspect of the present invention, there is provided a scratch detection device for detecting a scratch generated on a grinding surface of a wafer held on a chuck table, the light beam irradiation means for irradiating the wafer with a light beam, and the light beam. The light collecting means for collecting the reflected light from the region irradiated with the light, the light receiving means for receiving the reflected light collected by the light collecting means, and the amount of light detected by the light receiving means exceeds a predetermined threshold value. There is provided a scratch detection device including a scratch determination unit that determines that there is a scratch, and the light receiving unit is configured to follow a scratch extending in the radial direction of the wafer .
本発明の研削装置によると、受光手段がウエーハの半径方向に伸長するスクラッチに倣った形状に構成されているスクラッチ検出装置を具備しているので、ウエーハの研削面からスクラッチを直ちに検出でき、スクラッチが有る場合は研削を続行し、又はスクラッチ除去研削を遂行してスクラッチのないウエーハを次工程に搬送するようにしたので、スクラッチのないウエーハを効率良く生産することができる。 According to the grinding device of the present invention, since the light receiving means includes the scratch detection device configured to follow the scratch extending in the radial direction of the wafer, the scratch can be immediately detected from the grinding surface of the wafer, and the scratch is detected. If there is, the grinding is continued or the scratch removal grinding is performed so that the wafer without the scratch is conveyed to the next process, so that the wafer without the scratch can be produced efficiently.
又、本発明のスクラッチ検出装置によると、研削面に形成されたスクラッチを確実に検出することができる。 Further, according to the scratch detection device of the present invention, it is possible to reliably detect the scratch formed on the grinding surface.
以下、本発明実施形態のウエーハの研削方法及び研削装置を図面を参照して詳細に説明する。図1は所定の厚さに加工される前の半導体ウエーハの斜視図である。図1に示す半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数のストリート13が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート13によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。
Hereinafter, a wafer grinding method and a grinding apparatus according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor wafer before being processed to a predetermined thickness. A
このように構成された半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19を備えている。また、半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。
The
半導体ウエーハ11の表面11aには、保護テープ貼着工程により保護テープ23が貼着される。従って、半導体ウエーハ11の表面11aは保護テープ23によって保護され、図2に示すように裏面11bが露出する形態となる。
A
以下、このように構成された半導体ウエーハ11の裏面11bを所定厚さに研削する研削装置2を、図3を参照して説明する。研削装置2のハウジング4は、水平ハウジング部分6と、垂直ハウジング部分8から構成される。
Hereinafter, a
垂直ハウジング部分8には上下方向に伸びる1対のガイドレール12,14が固定されている。この一対のガイドレール12,14に沿って研削手段(研削ユニット)16が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット16は支持部20を介して一対のガイドレール12,14に沿って上下方向に移動する移動基台18に取り付けられている。
A pair of
研削ユニット16は、支持部20に取り付けられたスピンドルハウジング22と、スピンドルハウジング22中に回転可能に収容されたスピンドル24と、スピンドル24を回転駆動するサーボモータ26を含んでいる。
The
図6に最も良く示されるように、スピンドル24の先端部にはマウンター28が固定されており、このマウンター28には研削ホイール30がねじ止めされている。例えば、研削ホイール30はホイール基台32の自由端部に粒径0.3〜1.0μmのダイヤモンド砥粒をビトリファイドボンドで固めた複数の研削砥石34が固着されて構成されている。よって、研削面は鏡面となる。
As best shown in FIG. 6, a
研削手段(研削ユニット)16にはホース36を介して研削水が供給される。好ましくは、研削水としては純水が使用される。図6に示すように、ホース36から供給された研削水が、スピンドル24に形成された研削水供給穴38、マウンター28に形成された空間40及び研削ホイール30のホイール基台32に形成された複数の研削水供給ノズル42を介して研削砥石34及びチャックテーブル54に保持されたウエーハ11に供給される。
Grinding water is supplied to the grinding means (grinding unit) 16 via a
図3を再び参照すると、研削装置2は、研削ユニット16を一対の案内レール12,14に沿って上下方向に移動する研削ユニット送り機構44を備えている。研削ユニット送り機構44は、ボールねじ46と、ボールねじ46の一端部に固定されたパルスモータ48から構成される。パルスモータ48をパルス駆動すると、ボールねじ46が回転し、移動基台18の内部に固定されたボールねじ46のナットを介して移動基台18が上下方向に移動される。
Referring back to FIG. 3, the
水平ハウジング部分6の凹部10には、チャックテーブルユニット50が配設されている。チャックテーブルユニット50は、図4に示すように、支持基台52と、支持基台52に回転自在に配設されたチャックテーブル54を含んでいる。チャックテーブルユニット50は更に、チャックテーブル54を挿通する穴を有したカバー56を備えている。
A
チャックテーブルユニット50は、チャックテーブル移動機構58により研削装置2の前後方向に移動される。チャックテーブル移動機構58は、ボールねじ60と、ボールねじ60のねじ軸62の一端に連結されたパルスモータ64から構成される。
The
パルスモータ64をパルス駆動すると、ボールねじ60のねじ軸62が回転し、このねじ軸62に螺合したナットを有する支持基台52が研削装置2の前後方向に移動する。よって、チャックテーブル54もパルスモータ64の回転方向に応じて、前後方向に移動する。
When the
図3に示されているように、図4に示した一対のガイドレール66,68及びチャックテーブル移動機構58は蛇腹70,72により覆われている。すなわち、蛇腹70の前端部は凹部10を画成する前壁に固定され、後端部がカバー56の前端面に固定されている。また、蛇腹72の後端は垂直ハウジング部分8に固定され、その前端はカバー56の後端面に固定されている。
As shown in FIG. 3, the pair of
ハウジング4の水平ハウジング部分6には、第1のウエーハカセット74と、第2のウエーハカセット76と、ウエーハ搬送手段78と、ウエーハ仮載置手段80と、ウエーハ搬入手段82と、ウエーハ搬出手段84と、洗浄手段86が配設されている。更に、ハウジング4の前方にはオペレータが研削条件等を入力する操作手段88及びモニター89が設けられている。
In the horizontal housing portion 6 of the housing 4, a
また、水平ハウジング部分6の概略中央部には、チャックテーブル54を洗浄する洗浄水噴射ノズル90が設けられている。この洗浄水噴射ノズル90は、チャックテーブルユニット54がウエーハ搬入・搬出領域に位置づけられた状態において、チャックテーブル54に保持された研削加工後のウエーハに向けて洗浄水を噴出する。
Further, a cleaning
チャックテーブルユニット50は、チャックテーブル移動機構58のパルスモータ64をパルス駆動することにより、図3に示した装置奥側の研削領域と、ウエーハ搬入手段82からウエーハを受け取りウエーハ搬出手段84にウエーハを受け渡す手前側のウエーハ搬入・搬出領域との間で移動される。
The
ウエーハ搬入・搬出領域(ウエーハ着脱領域)の上方にはスクラッチ検出装置94が配設されている。代替案として、スクラッチ検出装置94を研削領域の上方に配設するようにしても良い。
A
スクラッチ検出装置94は、図7に示すように、ハウジング96と、ハウジング96の先端部に取り付けられたレーザーダイオード(LD)98と、ウエーハ11で散乱された反射光をコリメートビームにする対物レンズ100と、コリメートビームを分岐するビームスプリッタ102とを含んでいる。
As shown in FIG. 7, the
スクラッチ検出装置94は更に、ビームスプリッタ102で反射されたコリメートビームを集光する集光レンズ104と、集光レンズ104の焦点位置にスリット105が位置付けられたスリットマスク106と、受光素子108と、受光素子108に接続されたスクラッチ判定部110を含んでいる。
The
スクラッチ検出装置94は更に、ビームスプリッタ102を透過したコリメートビームを集光する集光レンズ132と、CCDカメラ等の撮像手段134を含んでいる。撮像手段134で撮像された画像は、モニター89上に表示される。
The
スクラッチ検出装置94のハウジング96の下端近傍には隔壁136が設けられており、ハウジング96の先端部分と隔壁96及びチャックテーブル54に保持されたウエーハ11との間に水充填室138が画成されている。
A
管路140の一端140aは水源142に接続され、他端140bは水充填室138に開口している。144は切替弁、146は水圧計である。ハウジング96の先端とウエーハ11との間の間隔は約0.5〜1mmに維持するのが好ましい。
One
LD98からウエーハ11に対して傾斜して出射されたレーザビームが、対物レンズ100直下のウエーハ11に照射されるようにLD98がハウジング96に取り付けられている。図示の実施形態では、2個のLD98が設けられているが、LD98は1個でも又は3個以上配設するようにしても良い。
The
図8に示すように、ウエーハ11の裏面研削中に形成されるスクラッチ148は半径方向に長く伸長して形成される場合が多い。150はLD98で光ビームが照射される測定位置である。
As shown in FIG. 8, the
よって、本実施形態のスクラッチ検出装置94におけるスリットマスク106のスリット105はスクラッチが形成される方向に倣った方向、即ち紙面に垂直な方向に伸長している。図9に示すように、スリットマスク106のスリット105はその幅が0.1〜0.3mmで長さが2mm程度が好ましい。
Therefore, the
受光素子108も、スクラッチが形成される方向に倣った形状に構成されるのが好ましい。受光素子108としては、例えば光電子増倍管を使用するのが好ましい。受光手段を構成する他の実施形態としては、スリットマスク106が設けられた位置にラインセンサを配置するようにしても良い。この場合には、受光素子108は省略され、ラインセンサはスクラッチが形成される方向に倣った方向に伸長しており、ラインセンサからの出力信号がスクラッチ判定部110に入力される。
The
このように構成された研削装置2の研削作業について以下に説明する。第1のウエーハカセット74中に収容されるウエーハは、保護テープが表面側(回路が形成されている側の面)に装着された半導体ウエーハであり、従ってウエーハは裏面が上側に位置する状態で第1のカセット74中に収容されている。このように複数の半導体ウエーハを収容した第1のウエーハカセット74は、ハウジング4の所定のカセットを搬入領域に載置される。
The grinding operation of the grinding
そして、カセット搬入領域に載置された第1のウエーハカセット74に収容されていた研削加工前の半導体ウエーハが全て搬出されると、空のウエーハカセット74に変えて複数個の半導体ウエーハを収容した新しい第1のウエーハカセット74が手動でカセット搬入領域に載置される。
When all of the unprocessed semiconductor wafers contained in the
一方、ハウジング4の所定のカセット搬出領域に載置された第2のウエーハカセット76に所定枚数の研削加工後の半導体ウエーハが搬入されると、かかる第2のウエーハカセット76は手動で搬出されて、新しい空の第2のウエーハカセット76がカセット搬出領域に載置される。
On the other hand, when a predetermined number of ground semiconductor wafers are loaded into the
第1のウエーハカセット74に収容された半導体ウエーハは、ウエーハ搬送手段78の上下動作及び進退動作により搬送され、ウエーハ仮載置手段80に載置される。ウエーハ仮載置手段80に載置されたウエーハは、ここで中心合わせが行われた後にウエーハ搬入手段82の旋回動作によって、ウエーハ搬入・搬出領域に位置せしめられているチャックテーブルユニット50のチャックテーブル54に載置され、チャックテーブル54によって吸引保持される。
The semiconductor wafer accommodated in the
このようにチャックテーブル54がウエーハを吸引保持したならば、チャックテーブル移動機構58を作動して、チャックテーブルユニット54を移動して装置後方の研削領域に位置づける。
When the chuck table 54 sucks and holds the wafer in this way, the chuck
チャックテーブルユニット50が研削領域に位置づけられると、チャックテーブル54に保持されたウエーハの中心が研削ホイール30の外周円を僅かに超えた位置に位置づけられる。
When the
次に、チャックテーブル54を例えば100〜300rpm程度で回転し、サーボモータ26を駆動して研削ホイール30を4000〜7000rpmで回転するとともに、研削ユニット送り機構44のパルスモータ48を正転駆動して研削ユニット16を下降させる。
Next, the chuck table 54 is rotated at, for example, about 100 to 300 rpm, the
そして、図6に示すように、研削ホイール30の研削砥石34をチャックテーブル54上のウエーハ11の裏面(被研削面)に所定の荷重で押圧することにより、ウエーハ11の裏面が研削される。このようにして所定時間研削することにより、ウエーハ11が所定の厚さに研削される。
Then, as shown in FIG. 6, the back surface of the
研削が終了すると、チャックテーブル移動機構58を駆動してチャックテーブル54を装置手前側のウエーハ搬入・搬出領域に位置付ける。チャックテーブル54がウエーハ搬入・搬出領域に位置付けられたならば、洗浄水噴射ノズル90から洗浄水を噴射して、チャックテーブル54に保持されている研削加工されたウエーハ11の被研削面(裏面)を洗浄する。
When grinding is completed, the chuck
このようにウエーハ11の被研削面(裏面)を洗浄した後、チャックテーブル54を回転しながらLD98を駆動してスクラッチ検出装置94で被研削面のスクラッチを検出する。
After the surface to be ground (back surface) of the
本実施形態のスクラッチ検出装置94でウエーハ11に形成されたスクラッチの検出を行うには、まず、水源142から水充填室138に水を供給し、水充填室138を水で充満する。
In order to detect a scratch formed on the
ウエーハ11とハウジング96の先端との間には僅かな隙間があるため、この隙間から流れ出た水を常に補給するために水源142から常に一定量の水を水充填室138に供給する。
Since there is a slight gap between the
ウエーハ11の研削は研削水を供給しながら実施されるため、研削を実行するとウエーハ11の研削面は汚染されるが、本実施形態では常に水充填室138内に水を満たしながらスクラッチの検出を行うため、水充填室138内に充填された水はあまり汚染されていない綺麗な水である。
Since the grinding of the
ウエーハ11に対して傾斜してレーザビームが照射されると、ウエーハ11の研削面は鏡面となっているため、ほとんどの反射光は鏡面加工されたウエーハ11により正反射されて対物レンズ100に入らないが、スクラッチで散乱した散乱光が符号112で示すように対物レンズ100に入射し、対物レンズ100でコリメートビームに変換される。
When the
このコリメートビームはビームスプリッタ102により2つのビームに分岐される。ビームスプリッタ102で反射されたコリメートビームは集光レンズ104により集光されて、スリットマスク106のスリット105を通して受光素子108に入力され、入力された光量に応じて電流値に変換されてスクラッチ判定部110に出力される。
This collimated beam is split into two beams by the
スクラッチ判定部110では、図10に示すように、この散乱光はバックグラウンド電流114として検出される。LD98から出射されたレーザビームがスクラッチを検出すると、レーザビームはスクラッチにより大きく散乱されて対物レンズ100に入力される。
In the
よって、スクラッチ判定部110では、スパイク電流118,120として検出される。116はスクラッチ有り無しを判定するための所定の閾値であり、これより電流値が大きい場合にはスクラッチ有りと判定し、小さい場合にはスクラッチ無しと判定する。
Therefore, the
スクラッチ判定部110でブロック122に示すようにスクラッチ無しと判定されると、ブロック124に示すウエーハ洗浄工程を遂行する。すなわち、チャックテーブル54に保持されているウエーハの吸引保持が解除されてから、ウエーハはウエーハ搬出手段84により洗浄手段86に搬送される。
When the
洗浄手段86に搬送されたウエーハは、ここで洗浄されると共にスピン乾燥される。次いで、ウエーハがウエーハ搬送手段78により第2のウエーハカセット76の所定位置に収納される。
The wafer conveyed to the cleaning means 86 is cleaned and spin-dried here. Next, the wafer is stored in a predetermined position of the
スクラッチ判定部110でブロック126で示すようにスクラッチ有りと判定された場合には、ブロック128のスクラッチ除去研削工程を実施する。すなわち、チャックテーブル移動機構58を駆動してチャックテーブル54を再度研削領域に位置付け、研削ホイール30による約1μm研削を実施する。
When the
研削が終了したウエーハは、チャックテーブル移動機構58により再度ウエーハ搬入・搬出領域に位置付けられて、ブロック130のスクラッチ検出工程が実施される。すなわち、チャックテーブル54によりウエーハ11を回転させながらLD98からレーザビームをウエーハ11に照射して、スクラッチ判定部110でスクラッチの有り無しを再度判定する。そして、最終的にスクラッチ無しと判定された場合に、ブロック124のウエーハ洗浄工程を実施する。
After the grinding, the wafer is positioned again in the wafer loading / unloading area by the chuck
図7を再び参照すると、ビームスプリッタ102を透過したコリメートビームは集光レンズ132により集光されてCCDカメラ等の撮像手段134に入力される。撮像手段134で撮像されたスクラッチ152はモニター89上に表示され、研削装置2のオペレータはモニター89上のスクラッチ152を観察してスクラッチ判定部110の閾値116を好ましい値に設定する。
Referring to FIG. 7 again, the collimated beam transmitted through the
上述した本実施形態によると、スクラッチの方向に倣うようにスリットマスク106及び受光素子108からなる受光部を有するスクラッチ検出装置94を設けたので、ウエーハの研削面からスクラッチを直ちに検出でき、スクラッチが有る場合は研削を続行し、又はスクラッチ除去研削を遂行してスクラッチの無いウエーハを次工程に搬送するようにしたので、スクラッチのないウエーハを効率良く生産することができる。
According to the above-described embodiment, since the
2 研削装置
11 半導体ウエーハ
16 研削手段(研削ユニット)
24 スピンドル
26 サーボモータ
30 研削ホイール
34 研削砥石
54 チャックテーブル
94 スクラッチ検出装置
98 レーザーダイオード(LD)
100 対物レンズ
102 ビームスプリッタ
104,132 集光レンズ
106 スリットマスク
108 受光素子
110 スクラッチ判定部
134 撮像手段
138 水充填室
152 スクラッチ
2 Grinding
24
DESCRIPTION OF
Claims (8)
ウエーハの研削面に生じるスクラッチを検出するスクラッチ検出手段を更に具備し、
該スクラッチ検出手段は、ウエーハに対して光ビームを照射する光ビーム照射手段と、光ビームが照射される領域からの反射光を集光する集光手段と、該集光手段で集光された反射光を受光する受光手段と、該受光手段で検出される光量が所定の閾値を越えた際スクラッチ有りと判定する判定手段とを含み、
該受光手段はウエーハの半径方向に伸長するスクラッチに倣った形状に構成されていることを特徴とする研削装置。 A grinding apparatus comprising a chuck table for holding a wafer and a grinding means having a grinding wheel for grinding a wafer held on the chuck table,
It further comprises a scratch detection means for detecting a scratch generated on the ground surface of the wafer,
The scratch detecting means includes a light beam irradiating means for irradiating the wafer with a light beam, a condensing means for condensing reflected light from a region irradiated with the light beam, and the light collected by the condensing means. A light receiving means for receiving the reflected light, and a determination means for determining that there is a scratch when the amount of light detected by the light receiving means exceeds a predetermined threshold,
2. A grinding apparatus according to claim 1, wherein the light receiving means is configured to follow a scratch extending in a radial direction of the wafer .
該ビームスプリッタにより一方に分岐された反射光が入射する撮像手段と、
該撮像手段に接続されたモニターとを更に具備し、
該ビームスプリッタで分岐した他方の反射光は前記受光手段に導かれ、前記モニター上のスクラッチを観察して前記スクラッチ判定手段の前記閾値を設定可能であることを特徴とする請求項1記載の研削装置。 A beam splitter disposed between the light collecting means and the light receiving means;
Imaging means on which the reflected light branched to one side by the beam splitter is incident;
A monitor connected to the imaging means,
2. The grinding according to claim 1, wherein the other reflected light branched by the beam splitter is guided to the light receiving means, and the threshold value of the scratch determination means can be set by observing a scratch on the monitor. apparatus.
該スリットマスクのスリットはウエーハの半径方向に伸長するスクラッチに倣った形状で位置付けられていることを特徴とする請求項1又は2記載の研削装置。 The light receiving means is composed of a slit mask having a slit and a light receiving element,
3. The grinding apparatus according to claim 1, wherein the slit of the slit mask is positioned in a shape following a scratch extending in the radial direction of the wafer .
前記スクラッチ検出手段は該着脱位置又は該研削位置の何れかに配設されていることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の研削装置。 The chuck table has a detaching position for detaching the wafer is a wafer movable between a grinding position for grinding by the grinding means,
The grinding apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the scratch detection means is disposed at either the attaching / detaching position or the grinding position.
該枠体とウエーハとで仕切られる空間が水で満たされていることを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載の研削装置。 A frame body that surrounds the light collecting means and is open to the wafer side; and a water supply means for supplying water into the frame body,
The grinding apparatus according to claim 1, wherein a space partitioned by the frame body and the wafer is filled with water.
該ウエーハに対して光ビームを照射する光ビーム照射手段と、
光ビームが照射される領域からの反射光を集光する集光手段と、
該集光手段で集光された反射光を受光する受光手段と、
該受光手段で検出される光量が所定の閾値を超えた際スクラッチ有りと判定するスクラッチ判定手段とを具備し、
該受光手段は、ウエーハの半径方向に伸長するスクラッチに倣った形状に構成されていることを特徴とするスクラッチ検出装置。 A scratch detection device for detecting a scratch generated on a grinding surface of a wafer held on a chuck table,
A light beam irradiation means for irradiating the wafer with a light beam;
Condensing means for condensing the reflected light from the region irradiated with the light beam;
A light receiving means for receiving the reflected light collected by the light collecting means;
Comprising a scratch determination means for determining that there is a scratch when the amount of light detected by the light receiving means exceeds a predetermined threshold,
The scratch detection apparatus, wherein the light receiving means is configured to follow a scratch extending in the radial direction of the wafer .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008178966A JP5274919B2 (en) | 2008-07-09 | 2008-07-09 | Grinding device and scratch detection device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008178966A JP5274919B2 (en) | 2008-07-09 | 2008-07-09 | Grinding device and scratch detection device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010017792A JP2010017792A (en) | 2010-01-28 |
JP5274919B2 true JP5274919B2 (en) | 2013-08-28 |
Family
ID=41703173
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008178966A Active JP5274919B2 (en) | 2008-07-09 | 2008-07-09 | Grinding device and scratch detection device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5274919B2 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6723633B2 (en) * | 2015-12-10 | 2020-07-15 | 株式会社ディスコ | Inspection equipment |
JP6791551B2 (en) * | 2016-11-01 | 2020-11-25 | 株式会社ディスコ | Grinding device |
JP6760820B2 (en) * | 2016-11-01 | 2020-09-23 | 株式会社ディスコ | Scratch detection method |
JP2018140469A (en) | 2017-02-28 | 2018-09-13 | 株式会社ディスコ | Method for testing workpiece, apparatus for testing and processing workpiece |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6242039A (en) * | 1985-08-19 | 1987-02-24 | Toshiba Corp | Surface inspecting device |
JP2000180426A (en) * | 1998-12-15 | 2000-06-30 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Method and apparatus for on-line roll surface flaw inspection |
JP2001264262A (en) * | 2000-03-14 | 2001-09-26 | Nikon Corp | Surface foreign matter inspecting method and surface foreign matter inspecting device |
JP2004330375A (en) * | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Plenty:Kk | Disk storage medium polishing device |
JP2005244027A (en) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Renesas Technology Corp | Semiconductor wafer polishing state identifying apparatus, semiconductor wafer polishing apparatus, and semiconductor wafer polishing method |
JP4908925B2 (en) * | 2006-02-08 | 2012-04-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Wafer surface defect inspection apparatus and method |
-
2008
- 2008-07-09 JP JP2008178966A patent/JP5274919B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010017792A (en) | 2010-01-28 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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