JP2010034249A - Processing apparatus for semiconductor wafer - Google Patents

Processing apparatus for semiconductor wafer Download PDF

Info

Publication number
JP2010034249A
JP2010034249A JP2008194336A JP2008194336A JP2010034249A JP 2010034249 A JP2010034249 A JP 2010034249A JP 2008194336 A JP2008194336 A JP 2008194336A JP 2008194336 A JP2008194336 A JP 2008194336A JP 2010034249 A JP2010034249 A JP 2010034249A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
spinner
cleaning
wafer
grinding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008194336A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5184242B2 (en
Inventor
Shuzo Mitani
修三 三谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2008194336A priority Critical patent/JP5184242B2/en
Publication of JP2010034249A publication Critical patent/JP2010034249A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5184242B2 publication Critical patent/JP5184242B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a processing apparatus such as a grinding apparatus which positions a semiconductor wafer in a predetermined direction, then carries the semiconductor wafer out to a next process. <P>SOLUTION: The processing apparatus for the semiconductor wafer which grinds or polishes a reverse surface of the semiconductor wafer having a mark indicating crystal orientation at an outer periphery includes a positioning means having a rotatable holding table and detecting the mark of the semiconductor wafer to position the semiconductor wafer in the predetermined direction, and a spinner cleaning device having a spinner table for cleaning or spin-drying the semiconductor wafer having been ground or polished. The cleaning device stops the spinner table at the same position as a position for conveyance to the spinner table after cleaning and spin-drying the wafer, and then carries the wafer out to the next process by a carrying-out means. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、外周に結晶方位を示すマークを備えた半導体ウエーハを研削又は研磨した後に次工程へ搬出する半導体ウエーハの加工装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor wafer processing apparatus for grinding or polishing a semiconductor wafer having a crystal orientation mark on its outer periphery and then carrying it out to the next process.

IC、LSI等のデバイスが表面に形成され、個々のデバイスが分割予定ラインによって区画された半導体ウエーハは研削・研磨装置によって裏面が研削又は研磨されて所望の厚みへ加工された後、ダイシング装置等によって分割予定ラインが切削されて個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の電気機器に広く利用されている。   A semiconductor wafer in which devices such as IC and LSI are formed on the surface, and each device is defined by lines to be divided is ground or polished by a grinding / polishing device and processed to a desired thickness, and then a dicing device or the like The line to be divided is cut and divided into individual devices, and the divided devices are widely used in electric devices such as mobile phones and personal computers.

近年、電気機器の軽量化、小型化を達成するために、これら半導体ウエーハ等の被加工物を例えば、100μm以下更には50μm以下と非常に薄く研削することが要求されている。   In recent years, in order to achieve weight reduction and miniaturization of electrical equipment, it has been required to grind these workpieces such as semiconductor wafers to a very thin thickness of, for example, 100 μm or less and further 50 μm or less.

しかし、例えば50μm以下と非常に薄く研削された半導体ウエーハは破損し易く、ハンドリングが困難になるという問題がある。通常、裏面が研削又は研磨された半導体ウエーハは研削・研磨装置から搬出された後、ダイシング後のチップピックアップを容易にするために、ダイシングの前に環状フレームに装着されたダイシングテープに貼着される。   However, there is a problem that a semiconductor wafer ground to be very thin, for example, 50 μm or less, is easily damaged and is difficult to handle. Usually, a semiconductor wafer whose back surface is ground or polished is taken out from a grinding / polishing apparatus and then attached to a dicing tape mounted on an annular frame before dicing to facilitate chip pick-up after dicing. The

一方、ダイシング装置で半導体ウエーハを切削する際に、装置が自動で切削位置を検出できるようにダイシングテープへの貼着時にウエーハの向きを揃える必要がある。   On the other hand, when cutting a semiconductor wafer with a dicing machine, it is necessary to align the direction of the wafer when sticking to a dicing tape so that the machine can automatically detect the cutting position.

そこで一般に、研削又は研磨されたウエーハはテープ貼着装置へと搬送された後、テープ貼着装置の位置合わせテーブル上に載置されて所定の向きへ位置合わせされてから、テープマウント用テーブルへと搬送されてダイシングテープが貼着される。
特開2006−21264号公報
Therefore, in general, the ground or polished wafer is transported to a tape sticking device, and then placed on a positioning table of the tape sticking device and aligned in a predetermined direction, and then transferred to a tape mounting table. And the dicing tape is attached.
JP 2006-21264 A

ところが、薄い半導体ウエーハでは抗折強度が十分でないため、テーブルへ載置する際に破損してしまうことが多く、テーブルへの載置回数が多ければそれだけ破損の可能性は高くなる。   However, since the bending strength of a thin semiconductor wafer is not sufficient, it is often damaged when it is placed on a table, and the possibility of breakage increases as the number of times of placement on the table increases.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、研削又は研磨された半導体ウエーハを所定の向きに位置合わせした後、次工程へ搬出可能な半導体ウエーハの加工装置を提供することである。   The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to process a semiconductor wafer that can be taken out to the next process after the ground or polished semiconductor wafer is aligned in a predetermined direction. Is to provide a device.

請求項1記載の発明によると、外周に結晶方位を示すマークを備えた半導体ウエーハの裏面を研削又は研磨する半導体ウエーハの加工装置であって、回転可能な保持テーブルを有し、半導体ウエーハの該マークを検出して半導体ウエーハを所定の向きに位置付ける位置合わせ手段と、該位置合わせ手段で所定方向へ位置付けられた半導体ウエーハを回転可能に保持するチャックテーブルと、該位置合わせ手段から該チャックテーブルへ半導体ウエーハを搬入すると共に加工済のウエーハを該チャックテーブルから搬出する旋回可能な搬入・搬出手段と、該チャックテーブルに保持された半導体ウエーハの裏面を所望の厚みに研削又は研磨する加工手段と、研削又は研磨された半導体ウエーハを洗浄及びスピン乾燥するスピンナテーブルを有するスピンナ洗浄手段と、該スピンナ洗浄手段により洗浄及びスピン乾燥された半導体ウエーハを該スピンナテーブル上から次工程へ搬出する旋回可能な搬出手段とを備え、前記チャックテーブルは研削又は研磨終了時に一定位置で回転を停止させる第1定点停止手段を有し、前記スピンナ洗浄手段は半導体ウエーハの洗浄及びスピン乾燥終了時に該スピンナテーブルの回転を一定位置で停止させる第2定点停止手段を有しており、前記洗浄手段は該第2定点停止手段により前記スピンナテーブルの回転位置を検出して、半導体ウエーハの洗浄及びスピン乾燥後に該スピンナテーブルへの搬入時と同一位置に該スピンナテーブルを停止させた後、前記搬出手段で半導体ウエーハを該スピンナテーブル上から次工程へ搬出することを特徴とする半導体ウエーハの加工装置が提供される。   According to the first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor wafer processing apparatus for grinding or polishing the back surface of a semiconductor wafer having a crystal orientation mark on its outer periphery, the semiconductor wafer processing apparatus having a rotatable holding table, Positioning means for detecting the mark and positioning the semiconductor wafer in a predetermined direction, a chuck table for rotatably holding the semiconductor wafer positioned in a predetermined direction by the positioning means, and the positioning means to the chuck table A swivelable loading / unloading means for loading a semiconductor wafer and unloading the processed wafer from the chuck table; a processing means for grinding or polishing the back surface of the semiconductor wafer held by the chuck table to a desired thickness; Has a spinner table for cleaning and spin drying ground or polished semiconductor wafers A spinner cleaning means; and a swivelable unloading means for unloading the semiconductor wafer cleaned and spin-dried by the spinner cleaning means from the spinner table to the next process. First fixed point stopping means for stopping rotation, and the spinner cleaning means has second fixed point stopping means for stopping rotation of the spinner table at a fixed position at the end of cleaning and spin drying of the semiconductor wafer, The cleaning means detects the rotation position of the spinner table by the second fixed point stop means, stops the spinner table at the same position as when the semiconductor wafer is loaded into the spinner table after cleaning and spin drying, and The semiconductor wafer is unloaded from the spinner table to the next process by unloading means. Processing apparatus body wafer is provided.

請求項2記載の発明によると、位置合わせ手段では半導体ウエーハのマークは検出するが、半導体ウエーハの所定方向への位置付けは実施しない。半導体ウエーハの所定方向への位置付けは洗浄手段で実施する。即ち洗浄手段では、半導体ウエーハの洗浄及びスピン乾燥終了時にスピンナテーブル上への半導体ウエーハの搬入時と同一方向にマークを位置付けた後、位置合わせ手段で検出された半導体ウエーハのマークの位置に基づいて、スピンナテーブル上で保持された半導体ウエーハを所定の向きに位置付けて搬出手段で次工程へ搬出する。   According to the second aspect of the present invention, the alignment means detects the mark of the semiconductor wafer, but does not position the semiconductor wafer in a predetermined direction. The semiconductor wafer is positioned in a predetermined direction by a cleaning means. That is, the cleaning means positions the mark in the same direction as when the semiconductor wafer is loaded onto the spinner table at the end of cleaning and spin drying of the semiconductor wafer, and then based on the position of the mark on the semiconductor wafer detected by the alignment means. Then, the semiconductor wafer held on the spinner table is positioned in a predetermined direction and is carried out to the next process by the carrying-out means.

好ましくは、半導体ウエーハの結晶方位を示すマークは半導体ウエーハの外周に形成された切欠き又は平坦部から構成される。位置合わせ手段は、保持テーブルに保持された半導体ウエーハの外周部の上方と下方に対峙して配設された発光部と受光部とからなる光検知器を備えている。   Preferably, the mark indicating the crystal orientation of the semiconductor wafer is formed by a notch or a flat portion formed on the outer periphery of the semiconductor wafer. The alignment means includes a light detector that includes a light emitting portion and a light receiving portion that are disposed above and below the outer peripheral portion of the semiconductor wafer held by the holding table.

請求項1記載の発明によると、位置合わせ手段で半導体ウエーハを所定の向きに位置付けることが可能であるため、ダイシングテープを貼着するテープマウント工程等の次工程で、再度半導体ウエーハの向きを揃えるステップを省略でき、半導体ウエーハの破損を低減できる。   According to the first aspect of the present invention, since the semiconductor wafer can be positioned in a predetermined direction by the alignment means, the direction of the semiconductor wafer is aligned again in the next process such as a tape mounting process for adhering the dicing tape. Steps can be omitted and damage to the semiconductor wafer can be reduced.

請求項2記載の発明によると、位置合わせ手段で半導体ウエーハのマークを検出し、このマークの位置に基づいて、スピンナテーブル上で半導体ウエーハを所定の向きに位置付けることが可能であるため、ダイシングテープを貼着するテープマウント工程等の次工程で、再度半導体ウエーハの向きを揃えるステップを省略でき、半導体ウエーハの破損を低減できる。   According to the second aspect of the present invention, since the mark of the semiconductor wafer is detected by the alignment means, and the semiconductor wafer can be positioned on the spinner table in a predetermined direction based on the position of the mark, the dicing tape In the next process such as a tape mounting process for attaching the semiconductor wafer, the step of aligning the direction of the semiconductor wafer again can be omitted, and the damage of the semiconductor wafer can be reduced.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は所定の厚さに加工される前の第1実施形態の半導体ウエーハ11の斜視図である。図1に示す半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハから成っており、表面11aに複数のストリート13が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート13によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of the semiconductor wafer 11 of the first embodiment before being processed to a predetermined thickness. The semiconductor wafer 11 shown in FIG. 1 is made of, for example, a silicon wafer having a thickness of 700 μm, and a plurality of streets 13 are formed in a lattice shape on the surface 11a, and a plurality of streets partitioned by the plurality of streets 13 are formed. A device 15 such as an IC or LSI is formed in the region.

このように構成された半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19を備えている。また、半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ(切欠き)21が形成されている。このノッチ21の方向は、一方の方向のストリート13に平行である。   The semiconductor wafer 11 configured as described above includes a device region 17 in which the device 15 is formed, and an outer peripheral surplus region 19 that surrounds the device region 17. Further, a notch (notch) 21 as a mark indicating the crystal orientation of the silicon wafer is formed on the outer periphery of the semiconductor wafer 11. The direction of the notch 21 is parallel to the street 13 in one direction.

半導体ウエーハ11の表面11aには、保護テープ貼着工程により保護テープ23が貼着される。従って、半導体ウエーハ11の研削時には、半導体ウエーハ11の表面11aは、保護テープ23によって保護され、図2に示すように裏面11bが露出する形態となる。   A protective tape 23 is attached to the surface 11a of the semiconductor wafer 11 by a protective tape attaching process. Therefore, when the semiconductor wafer 11 is ground, the front surface 11a of the semiconductor wafer 11 is protected by the protective tape 23, and the back surface 11b is exposed as shown in FIG.

図3を参照すると、所定の厚さに加工される前の第2実施形態の半導体ウエーハ11Aの斜視図が示されている。半導体ウエーハ11Aは、第1実施形態の半導体ウエーハ11のノッチ21に代わり、オリエンテーションフラット部(平坦部)25を有している。この平坦部25もシリコンウエーハ11Aの結晶方位を示すマークとして機能する。平坦部25は一方の方向のストリート13と平行に形成されている。   Referring to FIG. 3, a perspective view of the semiconductor wafer 11A of the second embodiment before being processed to a predetermined thickness is shown. The semiconductor wafer 11A has an orientation flat part (flat part) 25 instead of the notch 21 of the semiconductor wafer 11 of the first embodiment. The flat portion 25 also functions as a mark indicating the crystal orientation of the silicon wafer 11A. The flat portion 25 is formed in parallel with the street 13 in one direction.

以下、このように形成された半導体ウエーハ11の裏面11bを所定厚さに研削する研削装置2を図4を参照して説明する。4は研削装置2のハウジングであり、ハウジング4の後方には二つのコラム6a6bが垂直に立設されている。   Hereinafter, a grinding apparatus 2 for grinding the back surface 11b of the semiconductor wafer 11 thus formed to a predetermined thickness will be described with reference to FIG. Reference numeral 4 denotes a housing of the grinding apparatus 2, and two columns 6 a 6 b are erected vertically at the rear of the housing 4.

コラム6aには、上下方向に伸びる一対のガイドレール(一本のみ図示)8が固定されている。この一対のガイドレール8に沿って粗研削ユニット10が上下方向に移動可能に装着されている。粗研削ユニット10は、そのハウジング20が一対のガイドレール8に沿って上下方向に移動する移動基台12に取り付けられている。   A pair of guide rails (only one is shown) 8 extending in the vertical direction is fixed to the column 6a. A rough grinding unit 10 is mounted along the pair of guide rails 8 so as to be movable in the vertical direction. The rough grinding unit 10 is attached to a moving base 12 whose housing 20 moves up and down along a pair of guide rails 8.

粗研削ユニット10は、ハウジング20と、ハウジング20中に回転可能に収容された図示しないスピンドルと、スピンドルを回転駆動するサーボモータ22と、スピンドルの先端に固定された複数の粗研削用の研削砥石26を有する研削ホイール24を含んでいる。   The rough grinding unit 10 includes a housing 20, a spindle (not shown) rotatably accommodated in the housing 20, a servo motor 22 that rotationally drives the spindle, and a plurality of rough grinding grinding wheels fixed to the tip of the spindle. A grinding wheel 24 having 26 is included.

粗研削ユニット10は、粗研削ユニット10を一対の案内レール8に沿って上下方向に移動するボールねじ14とパルスモータ16とから構成される粗研削ユニット移動機構18を備えている。パルスモータ16をパルス駆動すると、ボールねじ14が回転し、移動基台12が上下方向に移動される。   The rough grinding unit 10 includes a rough grinding unit moving mechanism 18 including a ball screw 14 and a pulse motor 16 that move the rough grinding unit 10 up and down along a pair of guide rails 8. When the pulse motor 16 is pulse-driven, the ball screw 14 rotates and the moving base 12 is moved in the vertical direction.

他方のコラム6bにも、上下方向に伸びる一対のガイドレール(一本のみ図示)19が固定されている。この一対のガイドレール19に沿って仕上げ研削ユニット28が上下方向に移動可能に装着されている。   A pair of guide rails 19 (only one is shown) 19 extending in the vertical direction are also fixed to the other column 6b. A finish grinding unit 28 is mounted along the pair of guide rails 19 so as to be movable in the vertical direction.

仕上げ研削ユニット28は、そのハウジング36が一対のガイドレール19に沿って上下方向に移動する図示しない移動基台に取り付けられている。仕上げ研削ユニット28は、ハウジング36と、ハウジング36中に回転可能に収容された図示しないスピンドルと、スピンドルを回転駆動するサーボモータ38と、スピンドルの先端に固定された仕上げ研削用の研削砥石42を有する研削ホイール40を含んでいる。   The finish grinding unit 28 is attached to a moving base (not shown) in which the housing 36 moves in the vertical direction along the pair of guide rails 19. The finish grinding unit 28 includes a housing 36, a spindle (not shown) rotatably accommodated in the housing 36, a servo motor 38 that rotationally drives the spindle, and a grinding wheel 42 for finish grinding fixed to the tip of the spindle. A grinding wheel 40 is included.

仕上げ研削ユニット28は、仕上げ研削ユニット28を一対の案内レール19に沿って上下方向に移動するボールねじ30とパルスモータ32とから構成される仕上げ研削ユニット移動機構34を備えている。パルスモータ32を駆動すると、ボールねじ30が回転し、仕上げ研削ユニット28が上下方向に移動される。   The finish grinding unit 28 includes a finish grinding unit moving mechanism 34 including a ball screw 30 and a pulse motor 32 that move the finish grinding unit 28 in the vertical direction along the pair of guide rails 19. When the pulse motor 32 is driven, the ball screw 30 rotates and the finish grinding unit 28 is moved in the vertical direction.

研削装置2は、コラム6a,6bの前側においてハウジング4の上面と略面一となるように配設されたターンテーブル44を具備している。ターンテーブル44は比較的大径の円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によって矢印45で示す方向に回転される。   The grinding device 2 includes a turntable 44 disposed so as to be substantially flush with the upper surface of the housing 4 on the front side of the columns 6a and 6b. The turntable 44 is formed in a relatively large-diameter disk shape, and is rotated in a direction indicated by an arrow 45 by a rotation drive mechanism (not shown).

ターンテーブル44には、互いに円周方向に120°離間して3個のチャックテーブル46が水平面内で回転可能に配置されている。チャックテーブル46は、ポーラスセラミック材によって円盤状に形成された吸着チャックを有しており、吸着チャックの保持面上に載置されたウエーハを真空吸引手段を作動することにより吸引保持する。   On the turntable 44, three chuck tables 46 are arranged so as to be rotatable in a horizontal plane, spaced from each other by 120 ° in the circumferential direction. The chuck table 46 has a suction chuck formed in a disk shape by a porous ceramic material, and sucks and holds the wafer placed on the holding surface of the suction chuck by operating a vacuum suction means.

各チャックテーブル46は回転角度位置を検出する図示しないエンコーダを有している。各エンコーダは半導体ウエーハの研削又は研磨終了時にチャックテーブル46を一定位置で停止させる定点停止手段として機能する。   Each chuck table 46 has an encoder (not shown) that detects the rotational angle position. Each encoder functions as a fixed point stopping means for stopping the chuck table 46 at a fixed position at the end of grinding or polishing of the semiconductor wafer.

ターンテーブル44に配設された3個のチャックテーブル46は、ターンテーブル44が適宜回転することにより、ウエーハ搬入・搬出領域A、粗研削加工領域B、仕上げ研削加工領域C、及びウエーハ搬入・搬出領域Aに順次移動される。   The three chuck tables 46 arranged on the turntable 44 are rotated in accordance with the turntable 44, so that the wafer loading / unloading area A, rough grinding area B, finish grinding area C, and wafer loading / unloading are performed. The region A is sequentially moved.

ハウジング4の前側部分には、ウエーハカセット50と、リンク51及びハンド52を有するウエーハ搬送ロボット54と、ウエーハを位置合わせする位置合わせ手段56が配設されている。   A wafer cassette 50, a wafer transfer robot 54 having a link 51 and a hand 52, and an alignment means 56 for aligning the wafer are disposed on the front portion of the housing 4.

位置合わせ手段56は、回転可能な保持テーブル(位置合わせテーブル)58と、保持テーブル58の回転角度位置を検出する図示しないエンコーダと、半径方向に移動可能な複数の位置決めピン59と、光検知器72とを含んでいる。   The positioning means 56 includes a rotatable holding table (positioning table) 58, an encoder (not shown) that detects the rotational angle position of the holding table 58, a plurality of positioning pins 59 that are movable in the radial direction, and a photodetector. 72.

図5に示すように、光検知器72は支持部材74と、半導体ウエーハの外周部の上方と下方に対峙して配設されるように支持部材74に取り付けられた発光部76と受光部78を含んでいる。発光部76は例えばレーザダイオード(LD)等の発光素子から構成され、受光部78は例えばフォトダイオード(PD)等の受光素子から構成される。   As shown in FIG. 5, the light detector 72 includes a support member 74, and a light emitting unit 76 and a light receiving unit 78 attached to the support member 74 so as to be disposed above and below the outer peripheral portion of the semiconductor wafer. Is included. The light emitting unit 76 is composed of a light emitting element such as a laser diode (LD), and the light receiving unit 78 is composed of a light receiving element such as a photodiode (PD).

ハウジング4の前側部分には更に、ウエーハ搬入機構(ローディングアーム)60と、ウエーハ搬出機構(アンローディングアーム)62と、研削されたウエーハを洗浄及びスピン乾燥するスピンナ洗浄装置64と、スピンナ洗浄装置64で洗浄及びスピン乾燥された研削後のウエーハを次工程へ搬出する搬出手段66が配設されている。   The front portion of the housing 4 further includes a wafer loading mechanism (loading arm) 60, a wafer unloading mechanism (unloading arm) 62, a spinner cleaning device 64 that cleans and spin-drys the ground wafer, and a spinner cleaning device 64. An unloading means 66 for unloading the cleaned and spin-dried wafer to the next process is provided.

スピンナ洗浄装置64は、研削された半導体ウエーハを吸引保持して回転するスピンナテーブル68と、スピンナテーブル68の回転角度位置を検出する図示しないエンコーダと、スピンナテーブル68に吸着保持された研削済みのウエーハに向けて洗浄水を供給する図示しない洗浄水供給ノズルと、カバー70とを有している。該エンコーダは、ウエーハの洗浄及びスピン乾燥終了時にスピンナテーブル68を一定位置で停止させる定点停止手段として機能する。   The spinner cleaning device 64 includes a spinner table 68 that rotates by sucking and holding a ground semiconductor wafer, an encoder (not shown) that detects a rotation angle position of the spinner table 68, and a ground wafer that is sucked and held by the spinner table 68. A cleaning water supply nozzle (not shown) for supplying cleaning water toward the head and a cover 70 are provided. The encoder functions as a fixed point stopping means for stopping the spinner table 68 at a fixed position at the end of wafer cleaning and spin drying.

このように構成された研削装置2の研削作業について以下に説明する。ウエーハカセット50中に収容された半導体ウエーハは、ウエーハ搬送ロボット54の上下動作及び進退動作によって搬送され、位置合わせ手段56の保持テーブル58上に載置される。   The grinding operation of the grinding device 2 configured as described above will be described below. The semiconductor wafer accommodated in the wafer cassette 50 is transported by the vertical motion and the forward / backward motion of the wafer transport robot 54 and placed on the holding table 58 of the alignment means 56.

位置合わせ手段56の保持テーブル58上に載置されたウエーハは、複数の位置決めピン59によって中心合わせが行われた後、保持テーブル58を回転して発光部76からの光をノッチ21を通して受光部78で受光することによりノッチ21の位置を検出する。   The wafer placed on the holding table 58 of the positioning means 56 is centered by a plurality of positioning pins 59, and then rotates the holding table 58 so that the light from the light emitting unit 76 passes through the notch 21. By receiving light at 78, the position of the notch 21 is detected.

このようにノッチ21の位置を検出した後、保持テーブル58を回転して半導体ウエーハ11を所定の向きに、即ち一連の研削工程を終えて搬出手段66でウエーハを次工程へ搬出する際、再度半導体ウエーハの向きを揃える必要のない向きに位置付ける。   After detecting the position of the notch 21 in this way, the holding table 58 is rotated to move the semiconductor wafer 11 in a predetermined direction, that is, when the wafer is carried out to the next process by the carrying-out means 66 after completing a series of grinding processes. Position the semiconductor wafer in a direction that does not need to be aligned.

保持テーブル58上で所定の向きに位置付けられたウエーハは、ローディングアーム60の旋回動作によって、ウエーハ搬入・搬出領域Aに位置せしめられているチャックテーブル46に載置され、チャックテーブル46によって吸引保持される。   The wafer positioned in a predetermined direction on the holding table 58 is placed on the chuck table 46 positioned in the wafer loading / unloading area A by the swinging operation of the loading arm 60 and sucked and held by the chuck table 46. The

次いで、ターンテーブル44が120度回転されて、ウエーハを保持したチャックテーブル46は粗研削加工領域Bに位置付けられる。このように位置付けられたウエーハに対して、チャックテーブル46を例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール24をチャックテーブル46と同一方向に例えば6000rpmで回転させるとともに粗研削ユニット移動機構18を作動して、粗研削用の研削砥石26をウエーハの裏面に接触させる。   Next, the turntable 44 is rotated 120 degrees, and the chuck table 46 holding the wafer is positioned in the rough grinding region B. For the wafer thus positioned, while rotating the chuck table 46 at, for example, 300 rpm, the grinding wheel 24 is rotated in the same direction as the chuck table 46, for example, at 6000 rpm, and the coarse grinding unit moving mechanism 18 is operated, A grinding wheel 26 for rough grinding is brought into contact with the back surface of the wafer.

そして、研削ホイール24を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りして、ウエーハの粗研削を実施する。図示しない接触式の厚み測定ゲージによってウエーハの厚みを測定しながらウエーハを所望の厚みに仕上げる。   Then, the grinding wheel 24 is ground and fed by a predetermined amount at a predetermined grinding feed speed to perform rough grinding of the wafer. The wafer is finished to a desired thickness while measuring the thickness of the wafer with a contact-type thickness measurement gauge (not shown).

粗研削が終了したウエーハを保持したチャックテーブル46は、ターンテーブル44を120度回転することにより、仕上げ研削加工領域Cに位置付けられ、仕上げ研削用の研削砥石42を有する仕上げ研削ユニット28による仕上げ研削が実施される。   The chuck table 46 holding the wafer after the rough grinding is positioned in the finish grinding region C by rotating the turntable 44 by 120 degrees, and finish grinding by the finish grinding unit 28 having the grinding wheel 42 for finish grinding. Is implemented.

仕上げ研削を終了した半導体ウエーハを保持したチャックテーブル46は、ターンテーブル44を120度回転することにより、ウエーハ搬入・搬出領域Aに再び位置付けられる。   The chuck table 46 holding the semiconductor wafer after finish grinding is positioned again in the wafer loading / unloading area A by rotating the turntable 44 by 120 degrees.

チャックテーブル46に保持されているウエーハの吸引保持が解除されてから、ウエーハ搬出機構(アンローディングアーム)62の搬送パッド62bでウエーハが吸着されて、アンローディングアーム62が旋回することによりスピンナ洗浄装置64のスピンナテーブル68上にウエーハが搬送される。   After the suction and holding of the wafer held on the chuck table 46 is released, the wafer is adsorbed by the transfer pad 62b of the wafer unloading mechanism (unloading arm) 62, and the unloading arm 62 is rotated to rotate the spinner cleaning device. The wafer is conveyed onto 64 spinner tables 68.

本実施形態の研削装置2では、粗研削領域B及び仕上げ研削領域Cでの研削加工が終了すると、エンコーダによりチャックテーブル46の回転角度位置を検出して、チャックテーブル46は研削開始時と同一位置で停止される。   In the grinding apparatus 2 of this embodiment, when the grinding process in the rough grinding region B and the finish grinding region C is completed, the rotation angle position of the chuck table 46 is detected by the encoder, and the chuck table 46 is located at the same position as when the grinding is started. Stopped at.

ローディングアーム60の旋回角度及びアンローディングアーム62の旋回角度は予め決められているため、粗研削及び仕上げ研削を終了してアンローディングアーム62でスピンナテーブル68上に搬送されたウエーハは、所定の向きに位置付けられていることになる。ここで注意すべきは、スピンナテーブル68上の所定の向きは、位置合わせ手段56での所定の向きとは必ずしも一致する必要はない。   Since the turning angle of the loading arm 60 and the turning angle of the unloading arm 62 are determined in advance, the rough grinding and finish grinding are finished, and the wafer conveyed on the spinner table 68 by the unloading arm 62 has a predetermined orientation. Will be positioned. It should be noted here that the predetermined direction on the spinner table 68 does not necessarily coincide with the predetermined direction in the alignment means 56.

スピンナ洗浄装置64では、研削後の半導体ウエーハが洗浄されるとともにスピン乾燥される。本実施形態では、エンコーダによりスピンナテーブル68の回転角度位置を常に検出しているため、スピン乾燥終了後のウエーハの向きはアンローディングアーム62でスピンナテーブル68上に搬入されたウエーハの向きと一致するように制御される。   In the spinner cleaning device 64, the ground semiconductor wafer is cleaned and spin-dried. In the present embodiment, since the rotation angle position of the spinner table 68 is always detected by the encoder, the direction of the wafer after the spin drying is finished coincides with the direction of the wafer carried on the spinner table 68 by the unloading arm 62. To be controlled.

ウエーハのスピン乾燥終了後、搬出手段66は所定の向きに位置付けられたウエーハを吸着して、例えばテープ貼着装置のテープマウント用テーブルへと搬送する。   After the spin drying of the wafer is completed, the carry-out means 66 sucks the wafer positioned in a predetermined direction and conveys it to, for example, a tape mount table of a tape sticking apparatus.

このテープ貼着装置では、図6に示すように、環状フレームFに外周部が貼着されたダイシングテープTに、ウエーハ11のノッチ21の向きが両側に切欠き88,90を有する環状フレームFの直線部分86に概略直交するように半導体ウエーハ11を貼着する。   In this tape applicator, as shown in FIG. 6, an annular frame F having notches 88 and 90 on both sides of a notch 21 of the wafer 11 on a dicing tape T having an outer peripheral portion attached to the annular frame F. The semiconductor wafer 11 is attached so as to be substantially orthogonal to the straight line portion 86 of FIG.

上述した実施形態では、位置合わせ手段56で半導体ウエーハ11のノッチ21を検出するとともに、このノッチ21の位置に基づいて半導体ウエーハ11を所定の向きに位置付けているが、位置合わせ手段56ではノッチ21の位置のみを検出するようにしても良い。   In the embodiment described above, the alignment unit 56 detects the notch 21 of the semiconductor wafer 11 and positions the semiconductor wafer 11 in a predetermined direction based on the position of the notch 21. Only the position of may be detected.

この場合には、半導体ウエーハ11の洗浄及びスピン乾燥終了時に、スピンナテーブル68上への半導体ウエーハの搬入時と同一方向にノッチ21を位置付けた後、位置合わせ手段56で検出された半導体ウエーハのノッチ21の位置に基づいて、スピンナ洗浄装置64がスピンナテーブル68上で保持された半導体ウエーハ11を所定の向きに位置付ける。   In this case, at the end of cleaning and spin drying of the semiconductor wafer 11, the notch 21 is positioned in the same direction as when the semiconductor wafer is loaded onto the spinner table 68, and then the notch of the semiconductor wafer detected by the alignment means 56 is detected. Based on the position 21, the spinner cleaning device 64 positions the semiconductor wafer 11 held on the spinner table 68 in a predetermined direction.

上述した各実施形態では、位置合わせ手段56でノッチ21の位置を検出して半導体ウエーハ11を所定の向きに位置付けるか、或いは位置合わせ手段56ではノッチ21のみを検出して、スピンナ洗浄装置64で半導体ウエーハ11を所定の向きに位置付けることができるため、従来テープ貼着装置で必要であった位置合わせ用テーブルを省略することができる。よって、テープ貼着工程等の次工程で再度ウエーハの向きを揃えるステップを省略することができ、半導体ウエーハの破損を低減することができる。   In each of the embodiments described above, the position of the notch 21 is detected by the alignment means 56 and the semiconductor wafer 11 is positioned in a predetermined direction, or only the notch 21 is detected by the alignment means 56 and the spinner cleaning device 64 is used. Since the semiconductor wafer 11 can be positioned in a predetermined direction, it is possible to omit an alignment table that has been conventionally required for a tape sticking apparatus. Therefore, it is possible to omit the step of aligning the direction of the wafer again in the next process such as a tape sticking process, and the damage of the semiconductor wafer can be reduced.

尚、上述した実施形態の研削装置2は、粗研削ユニット10と仕上げ研削ユニット28を具備しているが、仕上げ研削ユニット28にかえて研磨バフが先端に装着された研磨ユニットを設けるようにすれば、研削されたウエーハの裏面を鏡面に研磨することもできる。   The grinding device 2 of the above-described embodiment includes the rough grinding unit 10 and the finish grinding unit 28. However, instead of the finish grinding unit 28, a grinding unit having a grinding buff attached at the tip is provided. For example, the back surface of the ground wafer can be polished to a mirror surface.

また、上述した実施形態では、ウエーハ搬入機構(ローディングアーム)60及びウエーハ搬出機構(アンローディングアーム)62が設けられているが、ウエーハの搬入及び搬出を一つのウエーハ搬入・搬出機構で実施するようにしても良い。   In the above-described embodiment, the wafer carry-in mechanism (loading arm) 60 and the wafer carry-out mechanism (unloading arm) 62 are provided. However, the wafer carry-in and carry-out mechanisms are carried out by one wafer carry-in / out mechanism. Anyway.

第1実施形態の半導体ウエーハの表面側斜視図である。It is a surface side perspective view of the semiconductor wafer of a 1st embodiment. 保護テープが貼着された半導体ウエーハの裏面側斜視図である。It is a back surface side perspective view of the semiconductor wafer where the protective tape was stuck. 第2実施形態の半導体ウエーハの表面側斜視図である。It is a surface side perspective view of the semiconductor wafer of a 2nd embodiment. 本発明実施形態に係る研削装置の外観斜視図である。1 is an external perspective view of a grinding apparatus according to an embodiment of the present invention. 位置合わせ手段の保持テーブルに保持された半導体ウエーハと光検知器との関係を示す側面図である。It is a side view which shows the relationship between the semiconductor wafer hold | maintained at the holding table of the alignment means, and a photodetector. 環状フレームに装着された状態の半導体ウエーハの斜視図である。It is a perspective view of the semiconductor wafer of the state with which the annular frame was mounted | worn.

符号の説明Explanation of symbols

2 研削装置
10 粗研削ユニット
11 半導体ウエーハ
13 ストリート
15 デバイス
21 ノッチ
28 仕上げ研削ユニット
44 ターンテーブル
46 チャックテーブル
56 位置合わせ手段
58 保持テーブル
60 ウエーハ搬入機構(ローディングアーム)
62 ウエーハ搬出機構(アンローディングアーム)
64 スピンナ洗浄装置
66 搬出手段
68 スピンナテーブル
2 Grinding device 10 Rough grinding unit 11 Semiconductor wafer 13 Street 15 Device 21 Notch 28 Finish grinding unit 44 Turntable 46 Chuck table 56 Positioning means 58 Holding table 60 Wafer loading mechanism (loading arm)
62 Wafer unloading mechanism (unloading arm)
64 Spinner cleaning device 66 Unloading means 68 Spinner table

Claims (5)

外周に結晶方位を示すマークを備えた半導体ウエーハの裏面を研削又は研磨する半導体ウエーハの加工装置であって、
回転可能な保持テーブルを有し、半導体ウエーハの該マークを検出して半導体ウエーハを所定の向きに位置付ける位置合わせ手段と、
該位置合わせ手段で所定方向へ位置付けられた半導体ウエーハを回転可能に保持するチャックテーブルと、
該位置合わせ手段から該チャックテーブルへ半導体ウエーハを搬入すると共に加工済のウエーハを該チャックテーブルから搬出する旋回可能な搬入・搬出手段と、
該チャックテーブルに保持された半導体ウエーハの裏面を所望の厚みに研削又は研磨する加工手段と、
研削又は研磨された半導体ウエーハを洗浄及びスピン乾燥するスピンナテーブルを有するスピンナ洗浄手段と、
該スピンナ洗浄手段により洗浄及びスピン乾燥された半導体ウエーハを該スピンナテーブル上から次工程へ搬出する旋回可能な搬出手段とを備え、
前記チャックテーブルは研削又は研磨終了時に一定位置で回転を停止させる第1定点停止手段を有し、
前記スピンナ洗浄手段は半導体ウエーハの洗浄及びスピン乾燥終了時に該スピンナテーブルの回転を一定位置で停止させる第2定点停止手段を有しており、
前記洗浄手段は該第2定点停止手段により前記スピンナテーブルの回転位置を検出して、半導体ウエーハの洗浄及びスピン乾燥後に該スピンナテーブルへの搬入時と同一位置に該スピンナテーブルを停止させた後、前記搬出手段で半導体ウエーハを該スピンナテーブル上から次工程へ搬出することを特徴とする半導体ウエーハの加工装置。
A semiconductor wafer processing apparatus for grinding or polishing a back surface of a semiconductor wafer having a crystal orientation mark on its outer periphery,
A positioning means having a rotatable holding table, detecting the mark of the semiconductor wafer and positioning the semiconductor wafer in a predetermined direction;
A chuck table for rotatably holding the semiconductor wafer positioned in a predetermined direction by the alignment means;
Turnable loading / unloading means for loading the semiconductor wafer from the positioning means to the chuck table and unloading the processed wafer from the chuck table;
Processing means for grinding or polishing the back surface of the semiconductor wafer held on the chuck table to a desired thickness;
A spinner cleaning means having a spinner table for cleaning and spin drying a ground or polished semiconductor wafer;
A turnable unloading means for unloading the semiconductor wafer cleaned and spin-dried by the spinner cleaning means from the spinner table to the next process;
The chuck table has first fixed point stop means for stopping rotation at a fixed position at the end of grinding or polishing,
The spinner cleaning means has a second fixed point stop means for stopping the rotation of the spinner table at a fixed position when the semiconductor wafer cleaning and spin drying are completed.
The cleaning means detects the rotation position of the spinner table by the second fixed point stop means, and stops the spinner table at the same position as when the semiconductor wafer is loaded into the spinner table after cleaning and spin drying. An apparatus for processing a semiconductor wafer, wherein the semiconductor wafer is unloaded from the spinner table to the next process by the unloading means.
外周に結晶方位を示すマークを備えた半導体ウエーハの裏面を研削又は研磨する半導体ウエーハの加工装置であって、
半導体ウエーハの該マークを検出し、該半導体ウエーハの中心を所定位置に位置付ける保持テーブルを有する位置合わせ手段と、
半導体ウエーハを回転可能に保持するチャックテーブルと、
該位置合わせ手段から半導体ウエーハを該チャックテーブルに搬入すると共に加工済のウエーハを該チャックテーブルから搬出する旋回可能な搬入・搬出手段と、
該チャックテーブルに保持された半導体ウエーハの裏面を所望の厚みに研削又は研磨する加工手段と、
研削又は研磨された半導体ウエーハを洗浄及びスピン乾燥するスピンナテーブルを有するスピンナ洗浄手段と、
該スピンナ洗浄手段により洗浄及びスピン乾燥された半導体ウエーハを該スピンナテーブル上から次工程へ搬出する旋回可能な搬出手段とを具備し、
前記チャックテーブルは研削又は研磨終了時に一定位置で回転を停止させる第1定点停止手段を有し、
前記スピンナ洗浄手段は半導体ウエーハの洗浄及びスピン乾燥終了時に該スピンナテーブルの回転を一定位置で停止させる第2定点停止手段を有しており、
前記洗浄手段は、半導体ウエーハの洗浄及びスピン乾燥終了時に該スピンナテーブル上への半導体ウエーハの搬入時と同一方向に該マークを位置付けた後、前記位置合わせ手段で検出された半導体ウエーハの前記マークの位置に基づいて、該スピンナテーブル上で保持された半導体ウエーハを所定の向きに位置付けて該搬送手段で次工程へ搬出することを特徴とする半導体ウエーハの加工装置。
A semiconductor wafer processing apparatus for grinding or polishing a back surface of a semiconductor wafer having a crystal orientation mark on its outer periphery,
Alignment means having a holding table for detecting the mark of the semiconductor wafer and positioning the center of the semiconductor wafer at a predetermined position;
A chuck table for rotatably holding a semiconductor wafer;
A swivelable loading / unloading means for loading the semiconductor wafer from the positioning means into the chuck table and unloading the processed wafer from the chuck table;
Processing means for grinding or polishing the back surface of the semiconductor wafer held on the chuck table to a desired thickness;
A spinner cleaning means having a spinner table for cleaning and spin drying a ground or polished semiconductor wafer;
A rotatable unloading means for unloading the semiconductor wafer cleaned and spin-dried by the spinner cleaning means from the spinner table to the next process;
The chuck table has first fixed point stop means for stopping rotation at a fixed position at the end of grinding or polishing,
The spinner cleaning means has a second fixed point stop means for stopping the rotation of the spinner table at a fixed position when the semiconductor wafer cleaning and spin drying are completed.
The cleaning means positions the mark in the same direction as when the semiconductor wafer is loaded onto the spinner table at the end of cleaning and spin drying of the semiconductor wafer, and then detects the mark of the semiconductor wafer detected by the alignment means. An apparatus for processing a semiconductor wafer, wherein the semiconductor wafer held on the spinner table is positioned in a predetermined direction based on the position, and is carried out to the next process by the transfer means.
半導体ウエーハの結晶方位を示す前記マークは半導体ウエーハの外周に形成された切欠き又は平坦部から構成され、前記位置合わせ手段は、該保持テーブルに保持された半導体ウエーハの外周部の上方と下方に対峙して配設された発光部と受光部とからなる光検知器を備え、
該保持テーブルに半導体ウエーハが保持されるとともに回転される状態で該発光部からの光を該受光部で受光することにより該マークの位置を検出することを特徴とする請求項1又は2記載の半導体ウエーハの加工装置。
The mark indicating the crystal orientation of the semiconductor wafer is composed of a notch or a flat portion formed on the outer periphery of the semiconductor wafer, and the alignment means is above and below the outer peripheral portion of the semiconductor wafer held on the holding table. Provided with a light detector composed of a light emitting portion and a light receiving portion arranged opposite to each other,
3. The position of the mark is detected by receiving light from the light emitting unit with the light receiving unit while the semiconductor wafer is held and rotated on the holding table. Semiconductor wafer processing equipment.
前記第1及び第2定点停止手段はエンコーダから構成されることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の半導体ウエーハの加工装置。   The semiconductor wafer processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the first and second fixed point stopping means are constituted by encoders. 半導体ウエーハの前記所定の向きへの位置付け角度は次工程で設定された角度情報に基づき決定される請求項1〜4の何れかに記載の半導体ウエーハの加工装置。   The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 1, wherein a positioning angle of the semiconductor wafer in the predetermined direction is determined based on angle information set in a next process.
JP2008194336A 2008-07-29 2008-07-29 Semiconductor wafer processing equipment Active JP5184242B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008194336A JP5184242B2 (en) 2008-07-29 2008-07-29 Semiconductor wafer processing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008194336A JP5184242B2 (en) 2008-07-29 2008-07-29 Semiconductor wafer processing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010034249A true JP2010034249A (en) 2010-02-12
JP5184242B2 JP5184242B2 (en) 2013-04-17

Family

ID=41738391

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008194336A Active JP5184242B2 (en) 2008-07-29 2008-07-29 Semiconductor wafer processing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5184242B2 (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102152190A (en) * 2011-01-26 2011-08-17 金华久隆机械有限公司 Full-automatic ornament grinding and polishing machine
JP2011253936A (en) * 2010-06-02 2011-12-15 Disco Abrasive Syst Ltd Grinder device
JP2011253937A (en) * 2010-06-02 2011-12-15 Disco Abrasive Syst Ltd Correction value acquisition method
CN104772687A (en) * 2015-04-25 2015-07-15 福州大学 Rotary type multi-station crystal grinding and polishing all-in-one machine
CN111843675A (en) * 2020-07-15 2020-10-30 郑州龙华机电工程有限公司 Power equipment on-line monitoring system
JP2021015894A (en) * 2019-07-12 2021-02-12 株式会社ディスコ Processing method of wafer
CN114758969A (en) * 2022-04-18 2022-07-15 无锡九霄科技有限公司 Wafer back visual detection structure, detection method and related equipment

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11145253A (en) * 1997-11-10 1999-05-28 Toshiba Corp Apparatus and method for centering semiconductor wafer
JP2001358096A (en) * 2000-06-15 2001-12-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Thinning device and method of flat object
JP2004079569A (en) * 2002-08-09 2004-03-11 Sipec Corp Substrate transport apparatus and substrate transport method
JP2005011917A (en) * 2003-06-18 2005-01-13 Disco Abrasive Syst Ltd Processing equipment of semiconductor wafer
JP2008053432A (en) * 2006-08-24 2008-03-06 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer machining device
JP2008124292A (en) * 2006-11-14 2008-05-29 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer positioning jig of processing apparatus

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11145253A (en) * 1997-11-10 1999-05-28 Toshiba Corp Apparatus and method for centering semiconductor wafer
JP2001358096A (en) * 2000-06-15 2001-12-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Thinning device and method of flat object
JP2004079569A (en) * 2002-08-09 2004-03-11 Sipec Corp Substrate transport apparatus and substrate transport method
JP2005011917A (en) * 2003-06-18 2005-01-13 Disco Abrasive Syst Ltd Processing equipment of semiconductor wafer
JP2008053432A (en) * 2006-08-24 2008-03-06 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer machining device
JP2008124292A (en) * 2006-11-14 2008-05-29 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer positioning jig of processing apparatus

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011253936A (en) * 2010-06-02 2011-12-15 Disco Abrasive Syst Ltd Grinder device
JP2011253937A (en) * 2010-06-02 2011-12-15 Disco Abrasive Syst Ltd Correction value acquisition method
CN102152190A (en) * 2011-01-26 2011-08-17 金华久隆机械有限公司 Full-automatic ornament grinding and polishing machine
CN104772687A (en) * 2015-04-25 2015-07-15 福州大学 Rotary type multi-station crystal grinding and polishing all-in-one machine
CN104772687B (en) * 2015-04-25 2017-04-12 福州大学 Rotary type multi-station crystal grinding and polishing all-in-one machine
JP2021015894A (en) * 2019-07-12 2021-02-12 株式会社ディスコ Processing method of wafer
JP7325903B2 (en) 2019-07-12 2023-08-15 株式会社ディスコ Wafer processing method
CN111843675A (en) * 2020-07-15 2020-10-30 郑州龙华机电工程有限公司 Power equipment on-line monitoring system
CN111843675B (en) * 2020-07-15 2021-09-07 郑州龙华机电工程有限公司 Power equipment on-line monitoring system
CN114758969A (en) * 2022-04-18 2022-07-15 无锡九霄科技有限公司 Wafer back visual detection structure, detection method and related equipment
CN114758969B (en) * 2022-04-18 2023-09-12 无锡九霄科技有限公司 Wafer back vision detection structure, detection method and related equipment

Also Published As

Publication number Publication date
JP5184242B2 (en) 2013-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5184242B2 (en) Semiconductor wafer processing equipment
KR101757932B1 (en) Wafer transfer mechanism
JP2002343756A (en) Water planarizing apparatus
JP2008155292A (en) Method and apparatus for machining substrate
JP2008290201A (en) Grinding method of wafer
JP5101267B2 (en) Wafer processing method
JP2013004726A (en) Processing method of plate-like object
JP5455609B2 (en) Grinding apparatus and wafer grinding method using the grinding apparatus
JP2017056523A (en) Grinding device
JP2013202704A (en) Grinding apparatus and grinding method
JP2009135254A (en) Method of sticking adhesive tape
JP2011143516A (en) Machining device
JP2009160705A (en) Grinding method and grinding apparatus of wafer
JP2009302369A (en) Method and apparatus for processing plate-like object
JP5350127B2 (en) Workpiece grinding method
JP2010021330A (en) Method of processing wafer
JP5700988B2 (en) Wafer grinding method
TW201250922A (en) Wafer supporting plate and method for using wafer supporting plate
JP5875224B2 (en) Grinding equipment
JP2010114125A (en) Semiconductor wafer processing apparatus
JP6574373B2 (en) Disc-shaped workpiece grinding method
JP5384246B2 (en) Grinding equipment
JP2011245571A (en) Machining device
JP2010005717A (en) Machining apparatus
JP2013222712A (en) Processing device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110620

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120426

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120515

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120531

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121009

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121128

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130115

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130116

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5184242

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160125

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160125

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250