JP2017056523A - Grinding device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To grind a workpiece adhering to a substrate in a predetermined thickness, with a simple constitution.SOLUTION: A grinding device comprises rough grinding means (46) for roughly grinding a workpiece (W) adhering to a substrate (S), finish grinding means (51) for finish-grinding, a first gauge (91) for measuring a height (H1) of an upper surface (82) of the substrate positioned in the rough grinding means, a second gauge (92) for measuring a height (H2) of an upper surface (81) of the workpiece, a third gauge (93) for measuring a height (H3) of an upper surface (42) of a chuck table positioned in the finish grinding means, a fourth gauge (94) for measuring a height (H4) of an upper surface of the workpiece and a calculation part (86) for calculating a thickness of the substrate from a difference between a value of the first gauge and a value of the third gauge, and is constituted so as to calculate a thickness of the workpiece by subtracting a thickness of the substrate from a difference between a value of the fourth gauge and the value of the third gauge.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、サブストレートに接着された被加工物の厚みを算出し被加工物を研削する研削装置に関する。   The present invention relates to a grinding apparatus that calculates the thickness of a workpiece bonded to a substrate and grinds the workpiece.

ウエーハなどの被加工物を研削加工する研削装置では、ウエーハの研削時に、ウエーハの被研削面の反対面に保護テープを接着し、保護テープを介してウエーハをチャックテーブルの保持面に吸引保持する。そして、ウエーハを保持するチャックテーブルの保持面高さとウエーハの被研削面高さとを2つの接触式のリニアゲージで測定して、その差を仕上げ研削の厚みとし、所定の仕上げの厚みになるまでウエーハを研削して薄化している(例えば、特許文献1)。   In a grinding machine that grinds a workpiece such as a wafer, when a wafer is ground, a protective tape is bonded to the opposite surface of the wafer to be ground, and the wafer is sucked and held on the holding surface of the chuck table via the protective tape. . Then, the height of the holding surface of the chuck table for holding the wafer and the surface of the wafer to be ground are measured with two contact type linear gauges, and the difference is set as the thickness of the finish grinding until a predetermined finish thickness is obtained. The wafer is ground and thinned (for example, Patent Document 1).

ウエーハを50μm以下に薄化するときには、ハンドリングを容易にするために、ウエーハの被研削面の反対面に保護テープを接着する代わりに、サブストレートをワックスで接着し、ウエーハが接着されたサブストレートをチャックテーブルの保持面で保持する場合がある。また、SiC基板やサファイア基板のように研削荷重を必要とする場合にも、基板に保護テープの代わりにサブストレートを接着してチャックテーブルに保持して、保護テープの沈み込みによる測定誤差を防止している。   When thinning the wafer to 50 μm or less, in order to facilitate handling, instead of attaching a protective tape to the opposite surface of the wafer to be ground, the substrate is bonded with wax and the wafer is bonded to the wafer. May be held by the holding surface of the chuck table. Also, even when grinding load is required like SiC substrate or sapphire substrate, a substrate is bonded to the substrate instead of the protective tape and held on the chuck table to prevent measurement errors due to the sinking of the protective tape. doing.

サブストレートは個体ごとに厚みが異なっている。このため、ウエーハの被研削面高さとチャックテーブルの保持面高さとの差から、サブストレートの厚みとウエーハの厚みとの合計値が算出され、合計値が仕上げ研削の厚みに達するまで研削を行うと、サブストレートの厚みに個体差があるためウエーハを所定の厚みにすることができない。よって、サブストレートの厚みを測定する必要がある。サブストレートに接着させたウエーハを研削する場合には、ウエーハより広い面積のサブストレートを準備し、チャックテーブルの保持面高さ、サブストレートの上面高さ、ウエーハの被研削面高さを測定できる3つのリニアゲージを設けた研削装置が知られている(例えば、特許文献2)。これらのリニアゲージを用いて、サブストレートの上面高さとチャックテーブルの保持面高さの差からサブストレートの厚みを正確に測定し、ウエーハの厚みが正確になるように研削している。   Substrates vary in thickness from individual to individual. Therefore, the total value of the thickness of the substrate and the thickness of the wafer is calculated from the difference between the surface to be ground of the wafer and the holding surface height of the chuck table, and grinding is performed until the total value reaches the thickness of the finish grinding. In addition, the wafer cannot be set to a predetermined thickness because there are individual differences in the thickness of the substrate. Therefore, it is necessary to measure the thickness of the substrate. When grinding a wafer bonded to a substrate, prepare a substrate with a larger area than the wafer, and measure the holding surface height of the chuck table, the upper surface height of the substrate, and the height of the surface to be ground of the wafer. A grinding apparatus provided with three linear gauges is known (for example, Patent Document 2). Using these linear gauges, the thickness of the substrate is accurately measured from the difference between the height of the upper surface of the substrate and the height of the holding surface of the chuck table, and is ground so that the thickness of the wafer is accurate.

また、特許文献2の研削装置では、仕上げ精度が異なる粗研削手段と、仕上げ研削手段とを有している。粗研削手段、及び仕上げ研削手段には、それぞれ3つのリニアゲージが設けられている。   In addition, the grinding device of Patent Document 2 includes rough grinding means and finish grinding means having different finishing accuracy. Each of the coarse grinding means and the finish grinding means is provided with three linear gauges.

特開2008−073785号公報JP 2008-073785 A 特開2013−202704号公報JP 2013-202704 A

しかしながら、チャックテーブルの保持面高さ、サブストレートの上面高さ、ウエーハの被研削面高さを測定するリニアゲージを設けると、研削装置における粗研削手段、及び仕上げ研削手段の両方にリニアゲージを3つ設けることになる。よって、粗研削手段、及び仕上げ研削手段に設けられるリニアゲージは合計6つとなり、部品点数が多くなる。このため、装置構成は複雑になり、コストが高くなってしまうという問題があった。   However, if a linear gauge that measures the holding surface height of the chuck table, the height of the upper surface of the substrate, and the height of the surface to be ground of the wafer is provided, the linear gauge is applied to both the rough grinding means and the finish grinding means in the grinding machine. Three will be provided. Therefore, the total number of linear gauges provided in the rough grinding means and the finish grinding means is six, and the number of parts increases. For this reason, there is a problem that the apparatus configuration becomes complicated and the cost becomes high.

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、簡略な構成によって、サブストレートに接着された被加工物を所定の厚みに研削することができる研削装置を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of this point, and it aims at providing the grinding apparatus which can grind the workpiece adhere | attached on the substrate to predetermined thickness by simple structure.

本発明の研削装置は、被加工物より面積の大きいサブストレートを被加工物の外周からはみ出させて接着させ、被加工物が接着されたサブストレートを保持するチャックテーブルを有し、チャックテーブルに保持されたサブストレートに接着した被加工物を研削砥石で研削する研削装置であって、チャックテーブルに保持されたサブストレートに接着した被加工物を粗研削する粗研削手段と、チャックテーブルに保持されたサブストレートに接着した被加工物を仕上げ研削する仕上げ研削手段と、均等間隔で複数のチャックテーブルを備え粗研削手段に対応した粗研削位置と、仕上げ研削手段に対応した仕上げ研削位置とに、チャックテーブルを位置づけるターンテーブルと、粗研削手段に位置づけられたチャックテーブルが保持するサブストレートの上面高さを測定する第1のゲージと、粗研削手段に位置づけられたチャックテーブルが保持するサブストレートに接着された被加工物の上面高さを測定する第2のゲージと、仕上げ研削手段に位置づけられたチャックテーブルの上面高さを測定する第3のゲージと、仕上げ研削手段に位置づけられたチャックテーブルが保持するサブストレートに接着された被加工物の上面高さを測定する第4のゲージと、第1のゲージの値と第3のゲージの値との差からサブストレートの厚みを算出する算出部と、を備え、仕上げ研削手段が研削する仕上げ研削では、第4のゲージの値と第3のゲージの値との差から算出部が算出したサブストレートの厚みを差し引いた被加工物の厚みが所定の厚みになるまで研削する。   A grinding apparatus according to the present invention has a chuck table that holds a substrate to which a workpiece is bonded, by sticking a substrate having a larger area than the workpiece to protrude from the outer periphery of the workpiece, and holding the substrate to which the workpiece is bonded. A grinding device for grinding a workpiece bonded to a held substrate with a grinding wheel, and a rough grinding means for roughly grinding the workpiece bonded to the substrate held on the chuck table, and the chuck table holding the workpiece. Finish grinding means for finish grinding the workpiece bonded to the formed substrate, a rough grinding position corresponding to the rough grinding means provided with a plurality of chuck tables at equal intervals, and a finish grinding position corresponding to the finish grinding means. The turntable for positioning the chuck table and the sub-table held by the chuck table positioned in the rough grinding means A first gauge for measuring the upper surface height of the rate, a second gauge for measuring the upper surface height of the workpiece bonded to the substrate held by the chuck table positioned in the rough grinding means, and finish grinding A third gauge for measuring the upper surface height of the chuck table positioned in the means, and a fourth gauge for measuring the upper surface height of the workpiece bonded to the substrate held by the chuck table positioned in the finish grinding means. And a calculation unit that calculates the thickness of the substrate from the difference between the first gauge value and the third gauge value, and in finish grinding in which the finish grinding means grinds, Grinding is performed until the thickness of the workpiece obtained by subtracting the thickness of the substrate calculated by the calculation unit from the difference between the value and the value of the third gauge becomes a predetermined thickness.

この構成によれば、サブストレートの上面高さを測定する第1のゲージと被加工物の上面高さを測定する第2のゲージとの2つのリニアゲージが、粗研削手段に位置づけられている。また、チャックテーブルの上面高さを測定する第3のゲージと被加工物の上面高さを測定する第4のゲージとの2つのリニアゲージが、仕上げ研削手段に位置づけられている。第1のゲージの値と第3のゲージの値との差からサブストレートの厚みを算出する。第4のゲージの値と第3のゲージの値との差からこのサブストレートの厚みを差し引くことによって、被加工物の厚みが出されるので、サブストレートの厚みが変わっても、仕上げ研削手段において被加工物を所定の厚みになるまで研削することができる。このように、粗研削手段、及び仕上げ研削手段においてそれぞれ2つのリニアゲージを設けることにより被加工物を正確に研削できるため、粗研削手段、及び仕上げ研削手段の両方にリニアゲージを3つ設ける場合よりも部品点数を減らすことができる。このため、装置構成は簡単になり、コストを安くすることができる。   According to this configuration, the two linear gauges of the first gauge for measuring the upper surface height of the substrate and the second gauge for measuring the upper surface height of the workpiece are positioned in the rough grinding means. . Two linear gauges, a third gauge for measuring the upper surface height of the chuck table and a fourth gauge for measuring the upper surface height of the workpiece, are positioned in the finish grinding means. The thickness of the substrate is calculated from the difference between the value of the first gauge and the value of the third gauge. By subtracting the thickness of the substrate from the difference between the value of the fourth gauge and the value of the third gauge, the thickness of the workpiece is obtained, so even if the thickness of the substrate changes, the finish grinding means The workpiece can be ground to a predetermined thickness. In this way, since the workpiece can be accurately ground by providing two linear gauges in each of the coarse grinding means and the finish grinding means, three linear gauges are provided in both the coarse grinding means and the finish grinding means. It is possible to reduce the number of parts. For this reason, the apparatus configuration is simplified and the cost can be reduced.

本発明によれば、簡略な構成によって、サブストレートに接着された被加工物を所定の厚みに研削することができる。   According to the present invention, the workpiece bonded to the substrate can be ground to a predetermined thickness with a simple configuration.

本実施の形態に係る研削装置の斜視図である。It is a perspective view of the grinding device concerning this embodiment. 本実施の形態に係る粗研削手段における第1のゲージ及び第2のゲージの測定動作の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the measurement operation | movement of the 1st gauge and the 2nd gauge in the rough-grinding means which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係る仕上げ研削手段における第3のゲージ及び第4のゲージの測定動作の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the measurement operation | movement of the 3rd gauge and the 4th gauge in the finish grinding means which concerns on this Embodiment.

以下、添付図面を参照して、本実施の形態に係る研削装置について説明する。図1は、本実施の形態に係る研削装置の斜視図である。なお、本実施の形態に係る研削装置は、図1に示すように研削加工専用の装置構成に限定されず、例えば、研磨加工装置や、研削加工、研磨加工、洗浄加工等の一連の加工が全自動で実施されるフルオートタイプの加工装置に組み込まれてもよい。   Hereinafter, the grinding apparatus according to the present embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view of a grinding apparatus according to the present embodiment. Note that the grinding apparatus according to the present embodiment is not limited to the apparatus configuration dedicated to the grinding process as shown in FIG. 1. For example, the grinding apparatus and a series of processes such as a grinding process, a polishing process, and a cleaning process are performed. You may incorporate in the fully automatic type processing apparatus implemented fully automatically.

図1に示すように、研削装置1は、フルオートタイプの加工装置であり、被加工物であるウエーハWに対して搬入処理、粗研削加工、仕上げ研削加工、洗浄処理、搬出処理からなる一連の作業を全自動で実施するように構成されている。ウエーハWは、略円板状に形成されており、カセットCに収容された状態で研削装置1に搬入される。ウエーハWには後述するように接着部材でサブストレートSが接着されている(図2及び図3参照)。なお、ウエーハWは、研削対象になる板状のウエーハであればよく、シリコン、ガリウムヒ素等の半導体基板でもよいし、セラミック、ガラス、サファイア等の無機材料基板でもよいし、さらに半導体製品のパッケージ基板等でもよい。   As shown in FIG. 1, the grinding device 1 is a full-auto type processing device, and is a series of carry-in processing, rough grinding processing, finish grinding processing, cleaning processing, and carry-out processing for a wafer W that is a workpiece. This operation is configured to be fully automatic. The wafer W is formed in a substantially disk shape and is carried into the grinding apparatus 1 while being accommodated in the cassette C. As will be described later, the substrate S is bonded to the wafer W by an adhesive member (see FIGS. 2 and 3). The wafer W may be a plate-like wafer to be ground, and may be a semiconductor substrate such as silicon or gallium arsenide, an inorganic material substrate such as ceramic, glass, or sapphire, or a package of semiconductor products. A substrate or the like may be used.

研削装置1の基台11の前側には、複数のウエーハWが収容された一対のカセットCが載置されている。一対のカセットCの後方には、カセットCに対してウエーハWを出し入れするカセットロボット16が設けられている。カセットロボット16の両斜め後方には、加工前のウエーハWを位置決めする位置決め機構21と、加工済みのウエーハWを洗浄する洗浄機構26とが設けられている。位置決め機構21と洗浄機構26の間には、加工前のウエーハWをチャックテーブル41に搬入する搬入手段31と、チャックテーブル41から加工済みのウエーハWを搬出する搬出手段36とが設けられている。   A pair of cassettes C in which a plurality of wafers W are accommodated are placed on the front side of the base 11 of the grinding apparatus 1. Behind the pair of cassettes C, a cassette robot 16 for taking wafers W in and out of the cassettes C is provided. A positioning mechanism 21 that positions the unprocessed wafer W and a cleaning mechanism 26 that cleans the processed wafer W are provided on both diagonally rear sides of the cassette robot 16. Between the positioning mechanism 21 and the cleaning mechanism 26, a loading means 31 for loading the unprocessed wafer W into the chuck table 41 and an unloading means 36 for unloading the processed wafer W from the chuck table 41 are provided. .

カセットロボット16は、多節リンクからなるロボットアーム17の先端にハンド部18を設けて構成されている。カセットロボット16では、カセットCから位置決め機構21に加工前のウエーハWが搬送される他、洗浄機構26からカセットCに加工済みのウエーハWが搬送される。   The cassette robot 16 is configured by providing a hand portion 18 at the tip of a robot arm 17 composed of a multi-node link. In the cassette robot 16, the unprocessed wafer W is transferred from the cassette C to the positioning mechanism 21, and the processed wafer W is transferred from the cleaning mechanism 26 to the cassette C.

位置決め機構21は、仮置きテーブル22の周囲に、仮置きテーブル22の中心に対して進退可能な複数の位置決めピン23を配置して構成される。位置決め機構21では、仮置きテーブル22上に載置されたウエーハWの外周縁に複数の位置決めピン23が突き当てられることで、ウエーハWの中心が仮置きテーブル22の中心に位置決めされる。   The positioning mechanism 21 is configured by arranging a plurality of positioning pins 23 that can move forward and backward with respect to the center of the temporary table 22 around the temporary table 22. In the positioning mechanism 21, the center of the wafer W is positioned at the center of the temporary placement table 22 by a plurality of positioning pins 23 being abutted against the outer peripheral edge of the wafer W placed on the temporary placement table 22.

搬入手段31は、基台11上で旋回可能な搬入アーム32の先端に搬入パッド33を設けて構成される。搬入手段31では、搬入パッド33によって仮置きテーブル22からウエーハWが持ち上げられ、搬入アーム32によって搬入パッド33が旋回されることでチャックテーブル41にウエーハWが搬入される。   The carry-in means 31 is configured by providing a carry-in pad 33 at the tip of a carry-in arm 32 that can turn on the base 11. In the carry-in means 31, the wafer W is lifted from the temporary placement table 22 by the carry-in pad 33, and the carry-in pad 33 is turned by the carry-in arm 32, so that the wafer W is carried into the chuck table 41.

搬出手段36は、基台11上で旋回可能な搬出アーム37の先端に搬出パッド38を設けて構成される。搬出手段36では、搬出パッド38によってチャックテーブル41からウエーハWが持ち上げられ、搬出アーム37によって搬出パッド38が旋回されることでチャックテーブル41からウエーハWが搬出される。   The carry-out means 36 is configured by providing a carry-out pad 38 at the tip of a carry-out arm 37 that can turn on the base 11. In the unloading means 36, the wafer W is lifted from the chuck table 41 by the unloading pad 38, and the unloading pad 38 is turned by the unloading arm 37, whereby the wafer W is unloaded from the chuck table 41.

洗浄機構26は、スピンナーテーブル27に向けて洗浄水及び乾燥エアーを噴射する各種ノズル(不図示)を設けて構成される。洗浄機構26では、ウエーハWを保持したスピンナーテーブル27が基台11内に降下され、基台11内で洗浄水が噴射されてウエーハWがスピンナー洗浄された後、乾燥エアーが吹き付けられてウエーハWが乾燥される。   The cleaning mechanism 26 is configured by providing various nozzles (not shown) that spray cleaning water and dry air toward the spinner table 27. In the cleaning mechanism 26, the spinner table 27 holding the wafer W is lowered into the base 11, and cleaning water is sprayed in the base 11 to clean the wafer W, and then dry air is blown to blow the wafer W. Is dried.

搬入手段31及び搬出手段36の後方には、3つのチャックテーブル41が周方向に均等間隔で備えられたターンテーブル40が設けられている。チャックテーブル41の下方にはチャックテーブル41を回転させる回転手段(不図示)が設けられている。各チャックテーブル41の上面には、ウエーハWの下面を保持する保持面42が形成されている。   Behind the carry-in means 31 and the carry-out means 36 is provided a turntable 40 provided with three chuck tables 41 at equal intervals in the circumferential direction. A rotating means (not shown) for rotating the chuck table 41 is provided below the chuck table 41. A holding surface 42 that holds the lower surface of the wafer W is formed on the upper surface of each chuck table 41.

ターンテーブル40が回転することで、チャックテーブル41に保持されたウエーハWが搬入及び搬出される搬入出位置、粗研削手段46に対応する粗研削位置、仕上げ研削手段51に対応する仕上げ研削位置に順に位置づけられる。   As the turntable 40 rotates, the wafer W held on the chuck table 41 is brought into and out of the carry-in position, the coarse grinding position corresponding to the coarse grinding means 46, and the finish grinding position corresponding to the finish grinding means 51. Positioned in order.

また、ターンテーブル40の周囲には、コラム12、13が立設されている。コラム12には、粗研削手段46を上下動させる移動機構61が設けられている。移動機構61は、コラム12の前面に配置されたZ軸方向に平行な一対のガイドレール62と、一対のガイドレール62にスライド可能に設置されたモータ駆動のZ軸テーブル63とを有している。   In addition, columns 12 and 13 are erected around the turntable 40. The column 12 is provided with a moving mechanism 61 that moves the rough grinding means 46 up and down. The moving mechanism 61 includes a pair of guide rails 62 arranged in front of the column 12 and parallel to the Z-axis direction, and a motor-driven Z-axis table 63 slidably installed on the pair of guide rails 62. Yes.

Z軸テーブル63の前面には、ハウジング64を介して粗研削手段46が支持されている。Z軸テーブル63の背面側にはボールネジ65が螺合されており、ボールネジ65の一端には駆動モータ66が連結されている。駆動モータ66によってボールネジ65が回転駆動され、粗研削手段46がガイドレール62に沿ってZ軸方向に移動される。   A rough grinding means 46 is supported on the front surface of the Z-axis table 63 via a housing 64. A ball screw 65 is screwed to the back side of the Z-axis table 63, and a drive motor 66 is connected to one end of the ball screw 65. The ball screw 65 is rotationally driven by the drive motor 66, and the rough grinding means 46 is moved along the guide rail 62 in the Z-axis direction.

同様に、コラム13には、仕上げ研削手段51を上下動させる移動機構71が設けられている。移動機構71は、コラム13の前面に配置されたZ軸方向に平行な一対のガイドレール72と、一対のガイドレール72にスライド可能に設置されたモータ駆動のZ軸テーブル73とを有している。   Similarly, the column 13 is provided with a moving mechanism 71 that moves the finish grinding means 51 up and down. The moving mechanism 71 includes a pair of guide rails 72 arranged in front of the column 13 and parallel to the Z-axis direction, and a motor-driven Z-axis table 73 slidably installed on the pair of guide rails 72. Yes.

Z軸テーブル73の前面には、ハウジング74を介して仕上げ研削手段51が支持されている。Z軸テーブル73の背面側にはボールネジ75が螺合されており、ボールネジ75の一端には駆動モータ76が連結されている。駆動モータ76によってボールネジ75が回転駆動され、仕上げ研削手段51がガイドレール72に沿ってZ軸方向に移動される。   A finish grinding means 51 is supported on the front surface of the Z-axis table 73 via a housing 74. A ball screw 75 is screwed to the back side of the Z-axis table 73, and a drive motor 76 is connected to one end of the ball screw 75. The ball screw 75 is rotationally driven by the drive motor 76, and the finish grinding means 51 is moved along the guide rail 72 in the Z-axis direction.

粗研削手段46及び仕上げ研削手段51は、円筒状のスピンドルの下端にマウント47、52を設けて構成されている。粗研削手段46では、チャックテーブル41に保持されたサブストレートSに接着したウエーハWを粗研削する。粗研削手段46のマウント47の下面には、複数の粗研削砥石48が環状に配設された研削ホイール49が回転可能に装着される。粗研削砥石48は、例えば、ダイヤモンド砥粒をレジンボンドやビトリファイドボンド等の結合剤で固めたダイヤモンド砥石で構成される。   The rough grinding means 46 and the finish grinding means 51 are configured by providing mounts 47 and 52 at the lower end of a cylindrical spindle. In the rough grinding means 46, the wafer W adhered to the substrate S held on the chuck table 41 is roughly ground. On the lower surface of the mount 47 of the rough grinding means 46, a grinding wheel 49 in which a plurality of rough grinding wheels 48 are annularly arranged is rotatably mounted. The rough grinding wheel 48 is composed of, for example, a diamond grinding stone in which diamond abrasive grains are hardened with a binder such as resin bond or vitrified bond.

また、仕上げ研削手段51では、チャックテーブル41に保持されたサブストレートSに接着したウエーハWを仕上げ研削する。仕上げ研削手段51のマウント52の下面には、複数の仕上げ研削砥石53が環状に配設された仕上げ研削用の加工具としての研削ホイール54が装着される。仕上げ研削砥石53は、粗研削砥石48よりも粒径が細かい砥粒で形成される。粗研削加工及び仕上げ研削加工では、研削砥石48、53によってサブストレートSに接着したウエーハWが所定の厚みまで研削されて薄化される。   The finish grinding means 51 finish-grinds the wafer W adhered to the substrate S held on the chuck table 41. On the lower surface of the mount 52 of the finish grinding means 51, a grinding wheel 54 is mounted as a finish grinding processing tool in which a plurality of finish grinding wheels 53 are annularly arranged. The finish grinding wheel 53 is formed of abrasive grains having a smaller particle diameter than the coarse grinding wheel 48. In the rough grinding process and the finish grinding process, the wafer W bonded to the substrate S by the grinding wheels 48 and 53 is ground and thinned to a predetermined thickness.

このような研削装置1では、カセットC内からウエーハWが位置決め機構21に搬送されて、位置決め機構21でウエーハWがセンタリングされる。次に、チャックテーブル41上にウエーハWが搬入され、ターンテーブル40の回転によって、チャックテーブル41に保持されたサブストレートSに接着したウエーハWが粗研削位置、仕上げ研削位置の順に位置づけられる。粗研削位置ではウエーハWが粗研削加工され、仕上げ研削位置ではウエーハWが仕上げ研削加工される。そして、洗浄機構26でウエーハWが洗浄され、洗浄機構26からカセットCへウエーハWが搬出される。   In such a grinding apparatus 1, the wafer W is transported from the cassette C to the positioning mechanism 21, and the wafer W is centered by the positioning mechanism 21. Next, the wafer W is loaded onto the chuck table 41, and the wafer W adhered to the substrate S held on the chuck table 41 is positioned in the order of the rough grinding position and the finish grinding position by the rotation of the turntable 40. The wafer W is roughly ground at the rough grinding position, and the wafer W is finish ground at the finish grinding position. Then, the wafer W is cleaned by the cleaning mechanism 26, and the wafer W is carried out from the cleaning mechanism 26 to the cassette C.

本実施の形態では、粗研削位置の近傍には、チャックテーブル41が保持するサブストレートSの上面高さ(図2参照)を測定する第1のゲージ91と、チャックテーブル41が保持するサブストレートSに接着されたウエーハWの上面(被研削面)高さを測定する第2のゲージ92とが設けられている。第1のゲージ91及び第2のゲージ92は接触式のゲージで構成される。第1のゲージ91及び第2のゲージ92によって得られた各値(測定値)は、装置各部を統括制御する制御部85に出力される。   In the present embodiment, in the vicinity of the rough grinding position, a first gauge 91 for measuring the upper surface height (see FIG. 2) of the substrate S held by the chuck table 41, and the substrate held by the chuck table 41. A second gauge 92 for measuring the height of the upper surface (surface to be ground) of the wafer W bonded to S is provided. The 1st gauge 91 and the 2nd gauge 92 are comprised with a contact-type gauge. Each value (measured value) obtained by the first gauge 91 and the second gauge 92 is output to the control unit 85 that performs overall control of each part of the apparatus.

また、仕上げ研削位置の近傍には、チャックテーブル41の上面(保持面)高さを測定する第3のゲージ93と、チャックテーブル41が保持するサブストレートSに接着されたウエーハWの上面高さを測定する第4のゲージ94とが設けられている。第3のゲージ93及び第4のゲージ94は、接触式のゲージで構成される。第3のゲージ93及び第4のゲージ94によって得られた各値(測定値)は、制御部85に出力される。   Further, in the vicinity of the finish grinding position, the upper surface height of the wafer W bonded to the third gauge 93 for measuring the upper surface (holding surface) height of the chuck table 41 and the substrate S held by the chuck table 41. And a fourth gauge 94 for measuring. The third gauge 93 and the fourth gauge 94 are constituted by contact type gauges. Each value (measured value) obtained by the third gauge 93 and the fourth gauge 94 is output to the control unit 85.

制御部85には、算出部86が設けられている。算出部86では、各ゲージ91、92、93、94から測定された値からウエーハWの厚みを算出する。制御部85は、各種処理を実行するプロセッサやメモリ等により構成される。メモリは、用途に応じてROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)等の一つ又は複数の記憶媒体で構成される。制御部85は、算出部86からの出力結果に応じ、粗研削手段46及び仕上げ研削手段51のZ軸方向に移動量を制御する。なお、ウエーハWの厚みの算出方法については後述する。   The control unit 85 is provided with a calculation unit 86. The calculation unit 86 calculates the thickness of the wafer W from the values measured from the gauges 91, 92, 93, 94. The control unit 85 includes a processor that executes various processes, a memory, and the like. The memory is composed of one or a plurality of storage media such as a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random Access Memory) depending on the application. The control unit 85 controls the amount of movement of the rough grinding unit 46 and the finish grinding unit 51 in the Z-axis direction according to the output result from the calculation unit 86. A method for calculating the thickness of the wafer W will be described later.

以下、図2及び図3を参照して、ウエーハWの厚みを測定する際の測定動作について詳細に説明する。図2は、本実施の形態に係る粗研削手段における第1のゲージ及び第2のゲージの測定動作の一例を示す図である。図3は、本実施の形態に係る仕上げ研削手段における第3のゲージ及び第4のゲージの測定動作の一例を示す図である。   Hereinafter, the measurement operation when measuring the thickness of the wafer W will be described in detail with reference to FIGS. FIG. 2 is a diagram showing an example of the measuring operation of the first gauge and the second gauge in the rough grinding means according to the present embodiment. FIG. 3 is a diagram showing an example of the measurement operation of the third gauge and the fourth gauge in the finish grinding means according to the present embodiment.

図2に示すように、ウエーハWの下面(上面81の反対面)には、ウエーハWより面積の大きいサブストレートSがワックスで接着固定されている。サブストレートSは、ガラスウエーハ、シリコンウエーハ等から形成される。チャックテーブル41上にウエーハWが載置されると、サブストレートSを介してウエーハWをチャックテーブル41の上面42に吸引保持する。   As shown in FIG. 2, a substrate S having a larger area than the wafer W is bonded and fixed to the lower surface of the wafer W (the surface opposite to the upper surface 81) with wax. The substrate S is formed from a glass wafer, a silicon wafer, or the like. When the wafer W is placed on the chuck table 41, the wafer W is sucked and held on the upper surface 42 of the chuck table 41 via the substrate S.

チャックテーブル41がウエーハWの搬入位置から粗研削位置に移動して、研削ホイール49の外周がウエーハWの中心を通過する位置に位置づけられると、サブストレートSの上面82のウエーハWよりもはみ出た部分には第1のゲージ91が接触し、サブストレートSの上面82の高さH1を測定する。ウエーハWの上面81には第2のゲージ92が接触し、ウエーハWの上面81の高さH2を測定する。測定結果は算出部86(図1参照)に出力され、第2のゲージ92で測定されたH2の値と、第1のゲージ91で測定されたH1の値との差ΔH1からウエーハWの厚みが算出される。   When the chuck table 41 is moved from the loading position of the wafer W to the rough grinding position and the outer periphery of the grinding wheel 49 is positioned so as to pass the center of the wafer W, the chuck table 41 protrudes beyond the wafer W on the upper surface 82 of the substrate S. The first gauge 91 is in contact with the portion, and the height H1 of the upper surface 82 of the substrate S is measured. A second gauge 92 is in contact with the upper surface 81 of the wafer W, and the height H2 of the upper surface 81 of the wafer W is measured. The measurement result is output to the calculation unit 86 (see FIG. 1), and the thickness of the wafer W is calculated from the difference ΔH1 between the value of H2 measured by the second gauge 92 and the value of H1 measured by the first gauge 91. Is calculated.

次に、第1のゲージ91をサブストレートSから離す。第1のゲージ91が離れると、チャックテーブル41が回転しつつ研削ホイール49が回転し、研削ホイール49がウエーハWの上面81に近付けられ、研削ホイール49がウエーハWの上面81に接触されて、ウエーハWの上面81が研削ホイール49によって粗研削される。第2のゲージ92によってウエーハWの上面81の高さH2がリアルタイムに測定され、ウエーハWの粗研削開始直前にチャックテーブル41を回転させないで測定したサブストレートSの上面82の高さH1との差ΔH1からウエーハWの厚みが算出される。算出したウエーハWの厚みにより制御部85によって粗研削手段46の移動量が制御される。この制御によって、ウエーハWの厚みが所定の厚みになるまでウエーハWの粗研削が続けられ、所定の厚みになると粗研削手段46が上昇し、ウエーハWから研削ホイール49が離されてウエーハWの粗研削が完了する。なお、ウエーハWを粗研削する前に第3のゲージ93でチャックテーブル41の上面42の高さH3を測定し、測定結果を算出部86で記憶しておく。算出部86で高さH3を記憶しておくことで、ウエーハWを粗研削するときに、後述するサブストレートSの厚みΔH2を算出してもよい。   Next, the first gauge 91 is separated from the substrate S. When the first gauge 91 is separated, the grinding wheel 49 is rotated while the chuck table 41 is rotated, the grinding wheel 49 is brought close to the upper surface 81 of the wafer W, and the grinding wheel 49 is brought into contact with the upper surface 81 of the wafer W. The upper surface 81 of the wafer W is roughly ground by the grinding wheel 49. The height H2 of the upper surface 81 of the wafer W is measured in real time by the second gauge 92, and the height H1 of the upper surface 82 of the substrate S measured without rotating the chuck table 41 immediately before the rough grinding of the wafer W is started. The thickness of the wafer W is calculated from the difference ΔH1. The movement amount of the rough grinding means 46 is controlled by the control unit 85 according to the calculated thickness of the wafer W. By this control, the rough grinding of the wafer W is continued until the thickness of the wafer W reaches a predetermined thickness, and when the predetermined thickness is reached, the rough grinding means 46 is raised, the grinding wheel 49 is separated from the wafer W, and the wafer W is removed. Rough grinding is completed. Before roughing the wafer W, the height H3 of the upper surface 42 of the chuck table 41 is measured with the third gauge 93, and the measurement result is stored in the calculation unit 86. By storing the height H3 in the calculation unit 86, the thickness ΔH2 of the substrate S described later may be calculated when the wafer W is roughly ground.

図3に示すように、粗研削が行われた後、ターンテーブル40(図1参照)の回転によってチャックテーブル41に保持されたサブストレートSに接着したウエーハWが仕上げ研削位置に位置づけられる。研削ホイール54の外周がウエーハWの中心を通過する位置に位置づけられると、チャックテーブル41の上面42には第3のゲージ93が接触し、チャックテーブル41の上面42の高さH3を測定する。ウエーハWの上面81には第4のゲージ94が接触し、ウエーハWの上面81の高さH4を測定する。測定結果は算出部86に出力される。このとき算出部86では、チャックテーブル41が粗研削位置に位置づけられた際に第1のゲージ91で測定したH1の値と、第3のゲージ93で測定されたH3の値との差からサブストレートSの厚みΔH2を算出する。   As shown in FIG. 3, after rough grinding is performed, the wafer W adhered to the substrate S held on the chuck table 41 by the rotation of the turntable 40 (see FIG. 1) is positioned at the finish grinding position. When the outer periphery of the grinding wheel 54 is positioned so as to pass through the center of the wafer W, the third gauge 93 comes into contact with the upper surface 42 of the chuck table 41, and the height H3 of the upper surface 42 of the chuck table 41 is measured. The fourth gauge 94 is in contact with the upper surface 81 of the wafer W, and the height H4 of the upper surface 81 of the wafer W is measured. The measurement result is output to the calculation unit 86. At this time, the calculation unit 86 calculates the subtraction based on the difference between the value of H1 measured by the first gauge 91 and the value of H3 measured by the third gauge 93 when the chuck table 41 is positioned at the rough grinding position. The thickness ΔH2 of the straight S is calculated.

次に、チャックテーブル41が回転しつつ研削ホイール54が回転し、研削ホイール54がウエーハWの上面81に近付けられ、研削ホイール54がウエーハWの上面81に接触されて、ウエーハWの上面81が研削ホイール54によって仕上げ研削される。第3のゲージ93よってチャックテーブル41の上面42の高さH3が、第4のゲージ94によってウエーハWの上面81の高さH4がリアルタイムに測定される。   Next, the grinding wheel 54 is rotated while the chuck table 41 is rotated, the grinding wheel 54 is brought close to the upper surface 81 of the wafer W, the grinding wheel 54 is brought into contact with the upper surface 81 of the wafer W, and the upper surface 81 of the wafer W is moved. Finish grinding is performed by the grinding wheel 54. The height H3 of the upper surface 42 of the chuck table 41 is measured by the third gauge 93, and the height H4 of the upper surface 81 of the wafer W is measured by the fourth gauge 94 in real time.

このとき算出部86では、第4のゲージ94で測定されたH4の値と第3のゲージ93で測定されたH3の値との差から、ウエーハWの上面81の高さH4とチャックテーブル41の上面42の高さH3との差ΔH3が算出される。そして、このΔH3から、予め算出しておいたサブストレートSの厚みΔH2を差し引き、ウエーハWの厚みΔH4とする。算出されたウエーハWの厚みΔH4により、制御部85によって仕上げ研削手段51の移動量が制御される。この制御によって、算出されたウエーハWの厚みが所定の厚みになるまでウエーハWの仕上げ研削が続けられ、所定の厚みになると仕上げ研削手段51が上昇し、ウエーハWから研削ホイール54が離されてウエーハWの仕上げ研削が完了する。   At this time, the calculation unit 86 calculates the height H4 of the upper surface 81 of the wafer W and the chuck table 41 from the difference between the value of H4 measured by the fourth gauge 94 and the value of H3 measured by the third gauge 93. A difference ΔH3 from the height H3 of the upper surface 42 is calculated. Then, a thickness ΔH2 of the substrate S calculated in advance is subtracted from this ΔH3 to obtain a thickness ΔH4 of the wafer W. The movement amount of the finish grinding means 51 is controlled by the control unit 85 based on the calculated thickness ΔH4 of the wafer W. By this control, the finish grinding of the wafer W is continued until the calculated thickness of the wafer W reaches a predetermined thickness, and when the predetermined thickness is reached, the finish grinding means 51 is raised and the grinding wheel 54 is separated from the wafer W. The finish grinding of the wafer W is completed.

本実施の形態においては、第1のゲージ91で測定されたH1の値と第3のゲージ93で測定されたH3値との差からサブストレートSの厚みΔH2を算出する。そして第4のゲージ94で測定されたH4の値と第3のゲージ93で測定されたH3の値との差から、このサブストレートSの厚みΔH2を差し引くことによってウエーハWの厚みΔH4が算出される。これにより、仕上げ研削手段51においてウエーハWを所定の厚みになるまで研削することができる。このため、ウエーハWに接着されたサブストレートSの厚みが固体ごとに相違しても、この相違に応じて、仕上げ研削手段51の移動量を調節するように制御でき、ウエーハWを正確に研削できる。また、粗研削手段46、及び仕上げ研削手段51においてそれぞれ2つのリニアゲージを設けることによりウエーハWを正確に研削できるため、粗研削手段46、及び仕上げ研削手段51の両方にリニアゲージを3つ設ける場合よりも装置構成を簡単にすることができる。   In the present embodiment, the thickness ΔH2 of the substrate S is calculated from the difference between the H1 value measured by the first gauge 91 and the H3 value measured by the third gauge 93. Then, the thickness ΔH4 of the wafer W is calculated by subtracting the thickness ΔH2 of the substrate S from the difference between the value of H4 measured by the fourth gauge 94 and the value of H3 measured by the third gauge 93. The Thus, the finish grinding means 51 can grind the wafer W until it reaches a predetermined thickness. For this reason, even if the thickness of the substrate S bonded to the wafer W is different for each solid, the movement amount of the finish grinding means 51 can be controlled according to this difference, and the wafer W can be accurately ground. it can. Further, since the wafer W can be accurately ground by providing two linear gauges in each of the rough grinding means 46 and the finish grinding means 51, three linear gauges are provided in both the rough grinding means 46 and the finish grinding means 51. The apparatus configuration can be simplified as compared with the case.

また、本実施の形態においては、ウエーハWの研削中にチャックテーブル41が回転している間は、サブストレートSから第1のゲージ91を離して、サブストレートSの上面82の高さH1を測定しない構成とすることができる。これにより、サブストレートSが静止した状態で第1のゲージ91をサブストレートSの上面82に接触させてサブストレートSの上面82の高さH1を測定できる。したがって、チャックテーブル41が回転することにより、サブストレートSの表面に存在する凹凸で第1のゲージ91が跳びはね正確に測定できない状態になることを防止でき、サブストレートSの上面82の高さH1を正確に測定することができる。このため、ウエーハWの厚みΔH4をより正確に算出することができる。   In the present embodiment, while the chuck table 41 is rotating during the grinding of the wafer W, the first gauge 91 is separated from the substrate S, and the height H1 of the upper surface 82 of the substrate S is set. It can be set as the structure which does not measure. Thus, the height H1 of the upper surface 82 of the substrate S can be measured by bringing the first gauge 91 into contact with the upper surface 82 of the substrate S while the substrate S is stationary. Therefore, when the chuck table 41 rotates, it is possible to prevent the first gauge 91 from jumping and being unable to accurately measure due to the unevenness present on the surface of the substrate S, and the height of the upper surface 82 of the substrate S can be prevented. The height H1 can be accurately measured. For this reason, the thickness ΔH4 of the wafer W can be calculated more accurately.

以上のように、本実施の形態に係る研削装置1では、サブストレートSの上面高さH1を測定する第1のゲージ91とウエーハWの上面高さH2を測定する第2のゲージ92との2つのリニアゲージが、粗研削手段46に位置づけられている。また、チャックテーブル41の上面高さH3を測定する第3のゲージ93とウエーハWの上面高さH4を測定する第4のゲージ94との2つのリニアゲージが、仕上げ研削手段51に位置づけられている。第1のゲージ91の値H1と第3のゲージ93の値H3との差からサブストレートSの厚みΔH2を算出する。第4のゲージ94の値H4と第3のゲージ93の値H3との差ΔH3からこのサブストレートSの厚みΔH2を差し引くことによって、ウエーハWの厚みΔH4が出されるので、サブストレートSの厚みΔH2が変わっても、仕上げ研削手段51においてウエーハWを所定の厚みになるまで研削することができる。このように、粗研削手段46、及び仕上げ研削手段51においてそれぞれ2つのリニアゲージを設けることによりウエーハWを正確に研削できるため、粗研削手段46、及び仕上げ研削手段51の両方にリニアゲージを3つ設ける場合よりも部品点数を減らすことができる。このため、装置構成は簡単になり、コストを安くすることができる。   As described above, in the grinding apparatus 1 according to the present embodiment, the first gauge 91 that measures the upper surface height H1 of the substrate S and the second gauge 92 that measures the upper surface height H2 of the wafer W. Two linear gauges are positioned on the rough grinding means 46. In addition, two linear gauges, a third gauge 93 for measuring the upper surface height H3 of the chuck table 41 and a fourth gauge 94 for measuring the upper surface height H4 of the wafer W, are positioned in the finish grinding means 51. Yes. The thickness ΔH2 of the substrate S is calculated from the difference between the value H1 of the first gauge 91 and the value H3 of the third gauge 93. By subtracting the thickness ΔH2 of the substrate S from the difference ΔH3 between the value H4 of the fourth gauge 94 and the value H3 of the third gauge 93, the thickness ΔH4 of the wafer W is obtained, so the thickness ΔH2 of the substrate S Even if changes, the finish grinding means 51 can grind the wafer W until it reaches a predetermined thickness. Thus, since the wafer W can be accurately ground by providing two linear gauges in each of the rough grinding means 46 and the finish grinding means 51, 3 linear gauges are provided to both the rough grinding means 46 and the finish grinding means 51. The number of parts can be reduced as compared with the case of providing two. For this reason, the apparatus configuration is simplified and the cost can be reduced.

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状、方向などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。   In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It can change and implement variously. In the above-described embodiment, the size, shape, direction, and the like illustrated in the accompanying drawings are not limited to this, and can be appropriately changed within a range in which the effect of the present invention is exhibited. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the object of the present invention.

例えば、ウエーハWの研削中にチャックテーブル41が回転している間も、第1のゲージ91をサブストレートSの上面82に接触させてサブストレートSの上面82の高さH1をリアルタイムに測定する構成としてもよい。   For example, while the chuck table 41 is rotating during the grinding of the wafer W, the height H1 of the upper surface 82 of the substrate S is measured in real time by bringing the first gauge 91 into contact with the upper surface 82 of the substrate S. It is good also as a structure.

例えば、ターンテーブル40には、3つ以上のチャックテーブル41が備えられていてもよい。   For example, the turntable 40 may be provided with three or more chuck tables 41.

以上説明したように、本発明は、簡略な構成によって、サブストレートに接着された被加工物を所定の厚みに研削することができるという効果を有し、特に、サブストレートに接着された被加工物の厚みを算出する研削装置に有用である。   As described above, the present invention has an effect that a workpiece bonded to a substrate can be ground to a predetermined thickness with a simple configuration, and in particular, a workpiece bonded to the substrate. This is useful for a grinding apparatus that calculates the thickness of an object.

1 研削装置
40 ターンテーブル
41 チャックテーブル
42 チャックテーブルの上面(保持面)
46 粗研削手段
48、53 研削砥石
51 仕上げ研削手段
81 被加工物の上面(被研削面)
82 サブストレートの上面
86 算出部
91 第1のゲージ
92 第2のゲージ
93 第3のゲージ
94 第4のゲージ
H1 サブストレートの上面高さ
H2 被加工物の上面高さ
H3 チャックテーブルの上面高さ
H4 被加工物の上面高さ
S サブストレート
W ウエーハ(被加工物)
1 Grinding device 40 Turntable 41 Chuck table 42 Upper surface of chuck table (holding surface)
46 Coarse grinding means 48, 53 Grinding wheel 51 Finish grinding means
81 Upper surface of workpiece (grinding surface)
82 Upper surface of substrate 86 Calculation unit 91 First gauge 92 Second gauge 93 Third gauge 94 Fourth gauge H1 Upper surface height of substrate H2 Upper surface height of workpiece H3 Upper surface height of chuck table H4 Workpiece top surface height S Substrate W Wafer (workpiece)

Claims (1)

被加工物より面積の大きいサブストレートを被加工物の外周からはみ出させて接着させ、被加工物が接着された該サブストレートを保持するチャックテーブルを有し、該チャックテーブルに保持された該サブストレートに接着した被加工物を研削砥石で研削する研削装置であって、
該チャックテーブルに保持された該サブストレートに接着した被加工物を粗研削する粗研削手段と、
該チャックテーブルに保持された該サブストレートに接着した被加工物を仕上げ研削する仕上げ研削手段と、
均等間隔で複数の該チャックテーブルを備え該粗研削手段に対応した粗研削位置と、仕上げ研削手段に対応した仕上げ研削位置とに、該チャックテーブルを位置づけるターンテーブルと、
該粗研削手段に位置づけられた該チャックテーブルが保持する該サブストレートの上面高さを測定する第1のゲージと、
該粗研削手段に位置づけられた該チャックテーブルが保持する該サブストレートに接着された被加工物の上面高さを測定する第2のゲージと、
該仕上げ研削手段に位置づけられた該チャックテーブルの上面高さを測定する第3のゲージと、
該仕上げ研削手段に位置づけられた該チャックテーブルが保持する該サブストレートに接着された被加工物の上面高さを測定する第4のゲージと、
該第1のゲージの値と該第3のゲージの値との差から該サブストレートの厚みを算出する算出部と、を備え、
仕上げ研削手段が研削する仕上げ研削では、該第4のゲージの値と該第3のゲージの値との差から該算出部が算出した該サブストレートの厚みを差し引いた被加工物の厚みが所定の厚みになるまで研削する研削装置。
A substrate having a larger area than the workpiece is protruded from the outer periphery of the workpiece and bonded to the substrate, and has a chuck table for holding the substrate to which the workpiece is bonded, and the substrate held by the chuck table. A grinding device that grinds a workpiece bonded straight with a grinding wheel,
Coarse grinding means for roughly grinding a workpiece bonded to the substrate held by the chuck table;
Finish grinding means for finish grinding the workpiece bonded to the substrate held by the chuck table;
A turntable for positioning the chuck table at a rough grinding position corresponding to the rough grinding means and a finish grinding position corresponding to the finish grinding means, comprising a plurality of the chuck tables at equal intervals;
A first gauge for measuring an upper surface height of the substrate held by the chuck table positioned on the rough grinding means;
A second gauge for measuring the upper surface height of the workpiece bonded to the substrate held by the chuck table positioned in the rough grinding means;
A third gauge for measuring the height of the upper surface of the chuck table positioned in the finish grinding means;
A fourth gauge for measuring the upper surface height of the workpiece bonded to the substrate held by the chuck table positioned in the finish grinding means;
A calculation unit that calculates the thickness of the substrate from the difference between the value of the first gauge and the value of the third gauge,
In the finish grinding performed by the finish grinding means, the thickness of the workpiece obtained by subtracting the thickness of the substrate calculated by the calculation unit from the difference between the value of the fourth gauge and the value of the third gauge is predetermined. Grinding device that grinds to the thickness of.
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