JP6622610B2 - Grinding equipment - Google Patents
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Description
本発明は、ウエーハを研削する研削装置に関する。 The present invention relates to a grinding apparatus for grinding a wafer.
ポーラス状に形成された保持テーブルにウエーハを保持し、ウエーハの被研削面に研削砥石を接触させて押圧して当該被研削面を研削する研削装置においては、保持テーブルの保持面と研削砥石の研削面とを平行にすることにより、研削後のウエーハの厚さ精度向上を図っている。 In a grinding apparatus that holds a wafer on a holding table formed in a porous shape and presses a grinding wheel in contact with the surface to be ground of the wafer to press and grind the surface to be ground, the holding surface of the holding table and the grinding wheel By making the grinding surface parallel, the thickness accuracy of the wafer after grinding is improved.
しかし、研削により生じた研削屑が保持面に付着し、その状態でウエーハを保持して研削砥石を押圧すると、ウエーハにクラックが発生するという問題がある。そこで、研削装置では、保持テーブルの保持面を洗浄する洗浄機構を設け、1枚のウエーハの研削が終了し保持テーブルから離間したタイミングで、すなわち1枚のウエーハを研削するごとに、保持面を洗浄し、研削屑が保持面に付着した状態でウエーハの研削が行われるのを防止している。洗浄機構としては、例えばブラシやストーン(例えば、特許文献1参照)、保持面に流体を噴出する流体洗浄機構(例えば、特許文献2参照)などがある。 However, there is a problem that cracks occur in the wafer when grinding waste generated by grinding adheres to the holding surface and the wafer is held in this state and the grinding wheel is pressed. Therefore, the grinding apparatus is provided with a cleaning mechanism for cleaning the holding surface of the holding table, and the holding surface is removed at the timing when the grinding of one wafer is finished and separated from the holding table, that is, every time one wafer is ground. Washing is performed to prevent the wafer from being ground in a state where the grinding scraps adhere to the holding surface. Examples of the cleaning mechanism include a brush and a stone (for example, see Patent Document 1), a fluid cleaning mechanism for ejecting a fluid onto a holding surface (for example, see Patent Document 2), and the like.
しかし、保持面に流体を噴出する流体洗浄機構では、ポーラス状に形成された保持テーブルの保持面に入り込んだ研削屑を排出することが困難である。一方、ブラシやストーンによる保持面の洗浄を行うと、保持面の形状が変化するため、保持面と研削砥石の研削面との平行度の精度が低下し、ウエーハの研削後の仕上がり厚さ精度が低下するという問題がある。特に、1枚のウエーハを研削するごとに保持面を洗浄すると、保持面と研削砥石の研削面との平行度の精度が低下しやすく、また、生産性を低下させる要因にもなっている。 However, in the fluid cleaning mechanism that ejects fluid to the holding surface, it is difficult to discharge grinding waste that has entered the holding surface of the holding table formed in a porous shape. On the other hand, when the holding surface is cleaned with a brush or stone, the shape of the holding surface changes, so the accuracy of the parallelism between the holding surface and the grinding surface of the grinding wheel decreases, and the finished thickness accuracy after grinding the wafer There is a problem that decreases. In particular, if the holding surface is washed every time one wafer is ground, the accuracy of the parallelism between the holding surface and the grinding surface of the grinding wheel tends to be lowered, and this is also a factor of reducing productivity.
本発明は、このような問題にかんがみなされたもので、保持面上の研削屑を確実かつ効率よく除去するとともに、保持テーブルの保持面の形状が変化してウエーハの研削後の仕上がり厚さ精度が低下するのを防ぐことを課題とする。 The present invention has been considered in view of such problems, and it is possible to reliably and efficiently remove grinding dust on the holding surface, and to change the shape of the holding surface of the holding table to obtain a finished thickness accuracy after grinding the wafer. It is an object to prevent the decrease in the temperature.
本発明は、ポーラス板を備えウエーハを保持する保持面を有する保持テーブルと、該保持テーブルの該保持面で保持されるウエーハを砥石の研削面で研削する研削手段と、該保持面を洗浄する洗浄手段と、を備える研削装置であって、該洗浄手段は、該保持面に接触して該保持面より突出した研削屑を削り取る板状の洗浄砥石と、該洗浄砥石を該保持面に押圧する押圧手段と、該保持テーブルを該保持面の中心を軸に回転させる保持テーブル回転手段とを備え、該研削手段によって研削され該保持テーブルに保持されるウエーハの被研削面側からウエーハに発生したクラックを検出するクラック検出手段と、該クラック検出手段がウエーハに発生したクラックを検出したときに、該洗浄手段に該保持面を洗浄させ該保持面と該研削面との平行度を維持する制御部と、を備える。
この研削装置は、前記クラック検出手段が検出したクラックの位置を記憶する記憶部を備え、前記制御部は、該記憶部が記憶するクラックの位置に相当する該保持面の位置を該洗浄手段に洗浄させることが好ましい。
The present invention provides a holding table having a holding surface that includes a porous plate and holds a wafer, a grinding means for grinding a wafer held by the holding surface of the holding table with a grinding surface of a grindstone, and cleaning the holding surface A grinding device comprising: a cleaning means, wherein the cleaning means contacts the holding surface and scrapes off grinding waste protruding from the holding surface; and presses the cleaning grindstone against the holding surface. And a holding table rotating means for rotating the holding table about the center of the holding surface, and is generated on the wafer from the surface to be ground of the wafer ground by the grinding means and held on the holding table. A crack detecting means for detecting the crack, and when the crack detecting means detects a crack generated on the wafer, the cleaning surface is cleaned by the cleaning means so that the holding surface is parallel to the ground surface. And a control unit to maintain.
The grinding apparatus includes a storage unit that stores the position of the crack detected by the crack detection unit, and the control unit sets the position of the holding surface corresponding to the position of the crack stored in the storage unit to the cleaning unit. It is preferable to wash.
本発明では、洗浄砥石を保持面に接触させ押圧して研削屑を削り取る洗浄手段と、ウエーハの被研削面に生じたクラックを検出するクラック検出手段と、クラックを検出したときに洗浄手段に保持面を洗浄させる制御部とを備えるため、ウエーハの被研削面にクラックが検出されたときのみ保持面に入り込んだ研削屑を排出することができる。したがって、保持面上の研削屑を確実かつ効率よく除去することができるとともに、保持面の形状が変化してウエーハの研削後の仕上がり厚さ精度が低下するのを防ぐことができる。
また、ウエーハに発生したクラックの位置を記憶する記憶部を備え、制御部が、記憶部が記憶するクラックの位置に相当する保持面の位置を洗浄手段に洗浄させることで、保持面のうち研削屑を付着している場所のみを洗浄することができるため、洗浄効率がさらに高くなり、生産性がより向上する。
In the present invention, the cleaning means that contacts and presses the cleaning grindstone with the holding surface to scrape the grinding scraps, the crack detection means that detects cracks generated on the surface to be ground of the wafer, and the cleaning means that holds the crack when it is detected. Since the control unit for cleaning the surface is provided, grinding scraps that have entered the holding surface can be discharged only when a crack is detected on the surface to be ground of the wafer. Therefore, it is possible to reliably and efficiently remove grinding scraps on the holding surface, and it is possible to prevent the shape of the holding surface from changing and the finished thickness accuracy after grinding of the wafer from being lowered.
In addition, a storage unit that stores the position of the crack generated in the wafer is provided, and the control unit causes the cleaning unit to clean the position of the holding surface corresponding to the position of the crack stored in the storage unit, thereby grinding the holding surface. Since only the place where the debris is attached can be cleaned, the cleaning efficiency is further increased and the productivity is further improved.
図1に示す研削装置1は、保持テーブル2に保持されたウエーハWに対して研削手段3a、3bが研削加工を施す装置である。
A
研削装置1の前部側には、研削前のウエーハWを収容するカセット40aと研削後のウエーハWを収容するカセット40bとがそれぞれ載置されるカセット載置領域4a、4bが設けられている。
On the front side of the
カセット載置領域4a、4bの近傍には、カセット40a、40bに対するウエーハWの搬出入を行う搬出入手段5が配設されている。搬出入手段5によってカセット40aから搬出されたウエーハWは、位置合わせテーブル50に載置され、ここでウエーハWの中心が一定の位置に位置合わせされる。位置合わせテーブル50には回転手段51を備えており、位置合わせテーブル50に載置されたウエーハWを回転させることができる。また、位置合わせテーブル50の側方には、結晶方位を示すマークとしてウエーハWの周縁部に形成されたノッチNを検知する検知部52を備えている。検知部52は、例えば、カメラ、透過型センサまたは反射型センサである。
A loading / unloading means 5 for loading / unloading the wafer W to / from the
位置合わせテーブル50の近傍には第一の搬送手段6aが配設されており、位置合わせテーブル50において位置合わせされたウエーハWは、第一の搬送手段6aによって3つの保持テーブル2のいずれかに搬送される。3つの保持テーブル2は、それぞれが自転可能であるとともに、ターンテーブル20の回転に伴って公転する。
A
ターンテーブル20の回転に伴う保持テーブル2の公転移動経路の上方には、研削手段3a、3bが配設されている。研削手段3a、3bは、研削砥石34の種類を除き同様に構成されるため、共通の符号を付して説明する。研削手段3a、3bは、鉛直方向の軸心を有する回転軸30の下端にホイールマウント31を介して研削ホイール32が装着され、回転軸30の上端に連結されたモータ33によって回転軸30が回転駆動されることにより研削ホイール32が回転する構成となっており、研削ホイール32の下部には研削砥石34が固着されている。研削砥石34の下面は、ウエーハWを研削する研削面となっている。研削手段3aを構成する研削砥石34は、例えば粗研削砥石であり、研削手段3bを構成する研削砥石34は、例えば仕上げ研削砥石である。
Grinding means 3a and 3b are disposed above the revolution movement path of the holding table 2 as the
研削手段3a、3bは、鉛直方向にのびるガイドレール35に摺接する昇降板36に固定されており、モータ37によって駆動されて昇降板36が昇降するのにともない、研削手段3a、3bも昇降する構成となっている。
The grinding means 3a and 3b are fixed to an
カセット載置領域4bに隣接する位置には、ウエーハWを洗浄するウエーハ洗浄手段7が配設されている。ウエーハ洗浄手段7は、ウエーハWを保持して回転するスピンナーテーブル70を備えている。また、ウエーハ洗浄手段7の近傍には、研削後のウエーハWを保持テーブル2からウエーハ洗浄手段7に搬送する第二の搬送手段6bが配設されている。
Wafer cleaning means 7 for cleaning the wafer W is disposed at a position adjacent to the
保持テーブル2の移動経路の上方には、保持テーブル2の保持面2aを洗浄する洗浄手段8が配設されている。この洗浄手段8は、図2に示すように、鉛直方向の軸心を有する回転軸80と、回転軸80を回転可能に支持するハウジング81と、回転軸80の下端に配設された洗浄砥石82と、ハウジング81を昇降させる昇降手段83と、保持テーブル2を保持面2aの中心を軸に回転させる保持テーブル回転手段84とを備えている。
Cleaning means 8 for cleaning the
洗浄砥石82は、例えば、レジンボンド砥石、樹脂材又はセラミックス材を板状に形成したものである。昇降手段83は、ハウジング81に摺接するレール830と、例えばハウジング81の内部に設けられるリニアモータ等とを備え、ハウジング81を昇降させることができる。保持テーブル回転手段84は、モータ840と、エンコーダ841と、モータ840によって駆動されて回転する軸842と、軸842の先端に形成されたプーリ843と、プーリ843に巻回されたベルト844と、ベルト844が巻回された従動プーリ845とを備えている。
The
それぞれの保持テーブル2は、ポーラス板21と、ポーラス板21を支持する枠体22と、枠体22が取り付けられるベース23を備えている。枠体22及びベース23には、ポーラス板21に連通する吸引路24が形成されている。この吸引路24は、吸引源25に連通している。枠体22は、従動プーリ845に連結されており、モータ840がベルト844を介して従動プーリ845を回転させることにより保持テーブル2を回転させることができる。
Each holding table 2 includes a
ハウジング81の側部には、クラック検出手段90が配設されている。クラック検出手段90は、例えば図3に示すように、鉛直方向の光軸を有するカメラ900と、カメラ900の周囲に位置しウエーハWを照らすリング照明901とを備えている。リング照明901は、鉛直方向に移動可能となっている。なお、リング照明に代えて、カメラ900の光軸に沿って光を落とし、その光の反射光でレンズが像を結ぶ落射照明を用いてもよい。また、クラック検出手段90として、例えば、レーザやLEDを用いた光量センサを用いてもよい。
On the side of the
クラック検出手段90のカメラ900は、図2に示した制御部91に接続されており、クラック検出手段90が取得した画像情報が制御部91に転送される。また、制御部91には記憶部92が接続されており、必要に応じて画像情報を記憶部92に記憶させることができる。制御部91は、研削装置1の各部位の位置及び動きをX−Y−Z座標により管理しており、各部位を所望の位置に移動させることができる。
The
図1に示すように、ターンテーブル20を跨ぐようにしてガイドレール85が配設されており、昇降手段83は、例えば内部にリニアモータ等を備え、ガイドレール85に沿って水平移動可能となっている。したがって、洗浄砥石82は、水平方向及び鉛直方向に移動可能である。昇降手段83は、洗浄砥石82を保持面2aに押圧する押圧手段として機能する。
As shown in FIG. 1, a
以上のように構成される研削装置1を用いて、図1に示したウエーハWの裏面Wbを研削する場合は、ウエーハWの表面Waに保護テープTが貼着され、ウエーハWがカセット40aに収容される。そして、搬出入手段5によってウエーハをカセット40aから搬出し、位置合わせテーブル50に載置する。位置合わせテーブル50においてウエーハWの中心位置が一定の位置に位置合わせされた後、ウエーハWは、第一の搬送手段6aによって保持テーブル2に搬送される。このとき、第一の搬送手段6aは、保持テーブル2の中心とウエーハWの中心とが合致するように、ウエーハWを保持テーブル2に搬送する。
When grinding the back surface Wb of the wafer W shown in FIG. 1 using the grinding
図4に示すように、ウエーハWの周縁部には、結晶方位を示すマークとしてノッチNが形成されており、図5に示すように、保持テーブル2には、ウエーハWが載置されたときにノッチNと位置合わせするためのノッチ合わせ部26が形成されている。ノッチ合わせ部26は、ポーラス板21の外周部を覆うバリア27に形成されている。また、枠体22には、枠体22を図2に示したベース23に固定するためのネジが挿通されるねじ穴28が複数形成されている。保持テーブル2においては、ウエーハWのノッチNと保持テーブル2のノッチ合わせ部26とを位置合わせし、保護テープT側が保持面2aに載置されて保持され、裏面Wbが上方に露出した状態となる。なお、回転手段51がウエーハWを回転させ検知部52がノッチNを検知した位置でウエーハWの回転を止め、第一の搬送手段6aが、その位置に位置するウエーハを保持して保持テーブル2に搬送すると、保持テーブル2のノッチ合わせ部26にノッチNを一致させ搬送することができる。つまり、第一の搬送手段6aがウエーハを保持したときのウエーハWのノッチNの位置は、位置合わせテーブル50からウエーハWを保持し搬出する時に決められていて、保持テーブル2を回転させ第一の搬送手段6aが保持したウエーハWのノッチNの位置と保持テーブル2のノッチ合わせ部26とが一致するように位置あわせをする。
なお、位置合わせテーブル50から第一の搬送手段6aがウエーハを保持し搬出するときのウエーハWの位置は、検知部52がノッチNを検知した位置としたが、検知部52がノッチNを検知して所定角度回転させた位置でもよい。
As shown in FIG. 4, a notch N is formed as a mark indicating the crystal orientation at the peripheral edge of the wafer W. When the wafer W is placed on the holding table 2 as shown in FIG. A
The position of the wafer W when the first conveying
次に、ターンテーブル20の反時計回りの回転によってウエーハWが研削手段3aの直下に位置付けられる。そして、保持テーブル2aが回転すると共に、研削ホイール32の回転に伴い研削砥石34が回転しながら研削手段3aが下降し、回転する研削砥石34がウエーハWの裏面Wbに接触して研削がなされる。ここでは例えば粗研削が行われる。
Next, the wafer W is positioned directly below the grinding means 3 a by the counterclockwise rotation of the
粗研削が終了した後は、ターンテーブル20の回転によりウエーハWが研削手段3bの直下に位置付けられる。そして、保持テーブル2が反時計回りに回転すると共に、研削ホイール32の回転に伴い研削砥石34が回転しながら研削手段3bが下降し、回転する研削砥石34がウエーハWの裏面Wbに接触して研削がなされる。ここでは例えば仕上げ研削が行われる。
After the rough grinding is finished, the wafer W is positioned directly below the grinding means 3b by the rotation of the
このようにしてウエーハの研削を行うと、保持テーブル2の保持面2aとウエーハWに貼着された保護テープTとの間に研削屑が入り込み、その研削屑が保持面2aに付着することがある。その付着屑が保持面2a上に残ったままの状態で、ウエーハWの裏面Wbが研削されると、ウエーハWにクラックが発生するという問題がある。
When the wafer is ground in this way, grinding waste may enter between the holding
そこで、仕上げ研削終了後は、ターンテーブル20の反時計回りの回転によって、保持テーブル2に保持された研削後のウエーハWをクラック検出手段90の下方に移動させる。そして、クラック検出手段90によってウエーハWの被研削面である裏面Wbの全面を撮像し、取得した画像を制御部91に転送する。制御部91では、画像を構成する画素情報によって、ウエーハWにクラックが発生しているか否かを検査する。
Therefore, after finishing grinding, the ground wafer W held on the holding table 2 is moved below the
制御部91がクラックを検出しなかった場合は、第二の搬送装置6bがウエーハWを保持し、ウエーハ洗浄手段7のスピンナーテーブル70に搬送する。そして、スピンナーテーブル70の回転とともに高圧水がウエーハWに対して噴射されて洗浄が行われ、さらにスピンナーテーブル70の回転とともに高圧エアーがウエーハWに対して噴射されて乾燥が行われる。そしてその後、搬出入手段5によって、洗浄及び乾燥が行われたウエーハWがカセット40bに搬送され収容される。
If the controller 91 does not detect a crack, the second transfer device 6b holds the wafer W and transfers it to the spinner table 70 of the wafer cleaning means 7. Then, high-pressure water is jetted onto the wafer W along with the rotation of the spinner table 70 to perform cleaning, and further, high-pressure air is jetted onto the wafer W along with the rotation of the spinner table 70 to perform drying. After that, the wafer W that has been cleaned and dried by the loading / unloading means 5 is transported and accommodated in the
一方、制御部91がクラックCを検出した場合は、クラックCの位置を、ウエーハWの中心WO及びノッチNとの位置関係により特定する。具体的処理は、以下のとおりである。 On the other hand, when the control unit 91 detects the crack C, the position of the crack C is specified by the positional relationship with the center WO and the notch N of the wafer W. The specific process is as follows.
画像中における図6に示すウエーハWの中心座標WOを求める場合は、保持テーブル2を回転させながら、ウエーハWの周縁の3箇所を撮像してそれぞれについての画像を取得する。そして、それぞれの画像において、画素値があるしきい値以上変化した部分をエッジとして認識する画像処理を行うことによって、3点のX−Y座標を求める。 When obtaining the center coordinates WO of the wafer W shown in FIG. 6 in the image, while rotating the holding table 2, three positions on the periphery of the wafer W are imaged and images for each are acquired. Then, in each image, image processing for recognizing a portion where the pixel value has changed by a certain threshold value or more as an edge is performed to obtain three XY coordinates.
ウエーハWの中心WOの座標を(XO,YO)とし、ウエーハWの周縁の3点の座標をそれぞれ(x1,y1)、(x2,y2)、(x3,y3)とすると、中心WOの座標(XO,YO)は、制御手段91によって以下の式(1)により求められる。 If the coordinates of the center WO of the wafer W are (XO, YO) and the coordinates of the three points on the periphery of the wafer W are (x1, y1), (x2, y2) and (x3, y3), respectively, the coordinates of the center WO (XO, YO) is obtained by the following formula (1) by the control means 91.
図6の例では、ノッチNの座標(XN,YN)は、例えば、ウエーハWを円形と仮定した場合の円弧と、中心WOとノッチNとを結ぶ線の延長線との交点としている。また、以下の式(2)により、ウエーハWの半径Rを求め、中心WOからノッチNの方向に向けて半径Rだけ変位した位置をノッチNの座標とすることもできる。 In the example of FIG. 6, the coordinates (XN, YN) of the notch N are, for example, the intersection of an arc when the wafer W is assumed to be circular and an extension of a line connecting the center WO and the notch N. Further, the radius R of the wafer W can be obtained by the following equation (2), and the position displaced by the radius R from the center WO in the direction of the notch N can be used as the coordinates of the notch N.
このようにして、ウエーハの中心WOの座標(XO,YO)と、ノッチNの座標(XN,YN)とが求まると、これらとクラックCとの間にある画素数により、クラックCの位置を、ウエーハWの中心WOからのX軸方向の変位XC及びノッチNからのY軸方向の変位YCとして求めることができる。こうして求めたクラックCの位置情報は、記憶部92に記憶される。 Thus, when the coordinates (XO, YO) of the wafer center WO and the coordinates (XN, YN) of the notch N are obtained, the position of the crack C is determined by the number of pixels between these and the crack C. The displacement XC in the X-axis direction from the center WO of the wafer W and the displacement YC in the Y-axis direction from the notch N can be obtained. The position information of the crack C thus obtained is stored in the storage unit 92.
クラックCは、保持面2aにおいて保持されていた位置で形成されたものとみなすことができる。すなわち、例えば図7に示すように、保持面2aの上に研削屑100が付着している場合は、保持されたウエーハWに対して研削砥石34による押圧力が加えられることにより、ウエーハWのうち研削屑100の上方に位置する部分でクラックCが生じたと考えられる。したがって、制御部91が認識する保持テーブル2の回転中心からX軸方向にXCだけ離間するとともに図5に示したノッチ合わせ部26からY方向にYCだけ離間した位置に、研削屑が付着しているとみなすことができる。
The crack C can be regarded as being formed at the position held on the holding
そこで、制御部91による制御によって昇降手段83がガイドレール85に沿って水平移動し、研削屑が付着している位置の上方に洗浄砥石82を位置付ける。そして、図8に示すように、保持テーブル回転手段84が保持テーブル2を回転させるとともに、洗浄砥石82を回転させながら昇降手段83が洗浄砥石82を下降させ、保持面2aに洗浄砥石82を押圧する。そうすると、保持面2aから上方に突出した研削屑が削り取られ、保持面2aが、研削砥石34の研削面(下面)と平行になる。
Then, the raising / lowering means 83 moves horizontally along the
このようにして、制御部91は、記憶部92が記憶するクラックの位置に相当する保持面2aの位置を洗浄手段8に洗浄させる。保持面2aの全面を洗浄する必要がないため、効率的である。また、必要最低限の洗浄のみで済むため、保持面2aと研削砥石34の研削面との平行度を維持し、保持面2aの形状が変化してウエーハWの研削後の仕上がり厚さ精度が低下するのを防ぐことができる。
In this manner, the control unit 91 causes the
なお、本実施形態の洗浄砥石82は、保持面2aの半径程度の直径を有する大きさに形成しているが、上記のように保持面2a上における研削屑100の付着位置を特定して研削屑を除去する場合は、洗浄砥石82よりも小さい洗浄砥石を用いてもよい。
In addition, although the
また、本実施形態の保持テーブル2がノッチ合わせ部26を備え、ノッチ合わせ部26とウエーハWに形成されているノッチNとの位置を合わせることで、クラックCとノッチNとの位置関係に基づき保持面2a上における研削屑100の位置を特定することとしたが、ウエーハにノッチが形成されておらず、オリエンテーションフラットが形成されている場合は、保持テーブルにオリエンテーションフラット合わせ部を設け、ウエーハに形成されているオリエンテーションフラットと保持テーブルにオリエンテーションフラット合わせ部とを合わせることにより、クラックとオリエンテーションフラットとの位置関係に基づき、保持面2a上における研削屑の位置を特定することができる。
Further, the holding table 2 of the present embodiment includes a
さらに、保持テーブルにノッチ合わせ部もオリエンテーションフラット合わせ部も備えていない場合は、ウエーハの中心からクラックまでの距離を制御部91が求め、保持テーブル2の中心から求めた距離だけ離間した位置に洗浄砥石を接触させて保持テーブル2を1回転させることにより、クラックに対応する位置にある研削屑を除去することができる。 Further, when the holding table has neither a notch alignment portion nor an orientation flat alignment portion, the control unit 91 obtains the distance from the center of the wafer to the crack, and is washed at a position separated from the center of the holding table 2 by the obtained distance. By making the grindstone contact and rotating the holding table 2 once, grinding debris at a position corresponding to the crack can be removed.
1:洗浄装置
2:保持テーブル 2a:保持面 20:ターンテーブル 21:ポーラス板
22:枠体 23:ベース 24:吸引路 25:吸引源 26:ノッチ合わせ部
27:バリア 28:ねじ穴
3a、3b:研削手段
30:回転軸 31:ホイールマウント 32:研削ホイール 33:モータ
34:研削砥石 35:ガイドレール 36:昇降板 37:モータ
4a、4b:カセット載置領域 40a、4b:カセット
5:搬出入手段 50:位置合わせテーブル
6a:第一の搬送手段 6b:第二の搬送手段
7:ウエーハ洗浄手段 70:スピンナーテーブル
8:洗浄手段
80:回転軸 81:ハウジング 82:洗浄砥石
83:昇降手段(押圧手段) 830:レール
84:保持テーブル回転手段
840:モータ 841:エンコーダ 842:軸 843:プーリ 844:ベルト
845:従動プーリ
85:ガイドレール
90:クラック検出手段 900:カメラ 901:リング照明
91:制御部 92:記憶部
W:ウエーハ Wa:表面 Wb:裏面 WO:中心 N:ノッチ C:クラック
T:保護テープ
100:研削屑
1: Cleaning device 2: Holding table 2a: Holding surface 20: Turntable 21: Porous plate 22: Frame body 23: Base 24: Suction path 25: Suction source 26: Notch alignment part 27: Barrier 28:
Claims (2)
該洗浄手段は、該保持面に接触して該保持面より突出した研削屑を削り取る板状の洗浄砥石と、該洗浄砥石を該保持面に押圧する押圧手段と、該保持テーブルを該保持面の中心を軸に回転させる保持テーブル回転手段とを備え、
該研削手段によって研削され該保持テーブルに保持されるウエーハの被研削面側からウエーハに発生したクラックを検出するクラック検出手段と、
該クラック検出手段がウエーハに発生したクラックを検出したときに、該洗浄手段に該保持面を洗浄させ該保持面と該研削面との平行度を維持する制御部と、
を備える研削装置。 A holding table comprising a porous plate and holding a wafer; a grinding means for grinding the wafer held by the holding surface of the holding table with a grinding surface of a grindstone; and a cleaning means for cleaning the holding surface; A grinding apparatus comprising:
The cleaning means includes a plate-shaped cleaning grindstone that contacts the holding surface and scrapes off grinding waste protruding from the holding surface, a pressing means that presses the cleaning grindstone against the holding surface, and the holding table that holds the holding table. Holding table rotating means for rotating about the center of the shaft,
Crack detecting means for detecting cracks generated in the wafer from the ground surface side of the wafer ground by the grinding means and held on the holding table;
A controller that cleans the holding surface by the cleaning means when the crack detecting means detects a crack generated in the wafer, and maintains parallelism between the holding surface and the grinding surface;
A grinding apparatus comprising:
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