KR20170078657A - 수평 공정 라인의 디스미어 모듈 및 그러한 디스미어 모듈로부터 디스미어 입자를 분리 및 제거하는 방법 - Google Patents

수평 공정 라인의 디스미어 모듈 및 그러한 디스미어 모듈로부터 디스미어 입자를 분리 및 제거하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 침전물의 제거를 위한 피처리 기판상에서의 금속, 특히 구리 퇴적을 위한 수평 갈바닉 또는 습식-화학 공정 라인을 위한 디스미어 모듈에 관한 것으로, 이는 디스미어 유닛에 연결될 수 있는 디스미어 용기, 펌프 및 상기 펌프를 상기 디스미어 유닛에 연결하기 위한 적어도 제 1 액체 연결 요소를 포함하고, 상기 펌프는 상기 적어도 제 1 액체 연결 요소에 의해 상기 디스미어 유닛과 연관되고, 상기 디스미어 모듈의 내부에 상기 펌프의 흡입 영역의 위에 있는 처리 액체 레벨이 제공되고, 상기 디스미어 모듈은, 추가로, 적어도 제 1 액체 영역, 상기 펌프의 상기 흡입 영역을 포함하는 인접한 적어도 제 2 액체 영역, 및 상기 적어도 제 1 액체 영역과 상기 적어도 제 2 액체 영역 사이에 배열된 적어도 제 1 분리 요소를 포함한다.
본 발명은 추가로, 상기 디스미어 모듈로부터 디스미어 입자를 선택적으로 분리하고 후속하여 제거하는 방법에 관한 것이다.

Description

수평 공정 라인의 디스미어 모듈 및 그러한 디스미어 모듈로부터 디스미어 입자를 분리 및 제거하는 방법{DESMEAR MODULE OF A HORIZONTAL PROCESS LINE AND A METHOD FOR SEPARATION AND REMOVAL OF DESMEAR PARTICLES FROM SUCH A DESMEAR MODULE}
본 발명은 침전물의 제거를 위한 피처리 기판상에서의 금속, 특히 구리 퇴적을 위한 수평 갈바닉 또는 습식-화학 공정 라인을 위한 디스미어 모듈에 관한 것으로, 이는 디스미어 유닛에 연결될 수 있는 디스미어 용기, 펌프 및 펌프를 디스미어 유닛에 연결하기 위한 적어도 제 1 액체 연결 요소를 포함하고, 펌프는 적어도 제 1 액체 연결 요소에 의해 디스미어 유닛과 연관되고, 디스미어 모듈의 내부에 펌프의 흡입 영역의 위에 있는 처리 액체 레벨이 제공된다.
본 발명은 추가로, 디스미어 모듈로부터 디스미어 입자를 선택적으로 분리하고 후속하여 제거하는 방법에 관한 것이다.
과망간산 나트륨 또는 과망간산 칼륨, 크롬산 또는 황산과 같은 디스미어 화학물질은 인쇄 회로 기판 생산에서 천공된 관통 도관을 세정하기 위해 인쇄 회로 기판 업계에서 잘 알려져 있다. 특히, 이러한 디스미어 세정 공정에 과망간산 나트륨 또는 과망간산 칼륨이 사용된 경우, 인쇄 회로 기판의 천공된 관통 도관의 부위에서 수지 잔류물과의 디스미어 화학물질의 화학 반응에 의해 다량의 디스미어 입자가 생성된다.
이러한 생성된 디스미어 입자는, 과망간산 나트륨 또는 과망간산 칼륨의 경우, 디스미어 모듈의 각각의 디스미어 용기의 바닥에서 응집되는 것으로 알려진 이산화망간 입자이다.
그러나, 상기 디스미어 입자를 특히 디스미어 액체 흐름에 의해서만 각각의 디스미어 용기의 바닥으로부터 다시 기계적으로 제거하는 것, 특히 디스미어 처리 액체에서의 이산화망간 입자의 서스펜션의 고밀도 때문에 처리되는 각각의 기판의 수평 프로세싱 중에 이들을 연속적으로 제거하는 것은 종종 어렵다.
적절한 부가적인 화학물질을 사용함으로써 화학적 환원 공정에 의해 상기 이산화망간 입자를 제거하려는 시도가 과거에도 있었다. 그러나, 상기 발명의 목적은 상기 디스미어 입자를 제거하기 위한 새롭고 독창적인 기계적 해법을 찾는 것이었다.
상기 디스미어 입자를 기계적으로 제거하기 위한 지금까지의 시도는 부분적으로만 성공적이었고, 디스미어 용기의 개별적인 세정을 허용하기 위해 전체 수평 프로세싱 라인을 정지시키는 불리한 필요성으로 인해 야기되는 문제로 어려움을 겪었다. 이러한 정지는 중단 시간의 증가 및 효율의 손실을 야기하며, 이는 다시 상기 수평 프로세싱 라인의 보다 높은 비용을 초래한다.
이 문제를 완화하기 위해, 유지보수 문제로 인해 처리되는 기판의 수평 프로세싱이 방해받지 않도록 과거에 복잡한 자동 세정 절차를 설치했었다. 그러나, 이러한 해법은 일반적으로 그러한 수평 프로세싱 라인의 비용 및 복잡성을 증가시킨다.
문헌 DE3813518 A1 은 그러한 디스미어 입자를 기계적으로 제거하기 위한 장치를 개시하고 있다. 여기서는, 한 쌍의 노즐들, 즉 천공된 관통 도관 바로 위에 배열된 압력 노즐 및 동일한 천공된 관통 도관 바로 아래에 배열된 흡입 노즐이 천공된 관통 도관을 통해 디스미어 처리 액체를 직접 가압하는데 사용되었고, 각각의 천공된 관통 도관의 디스미어 입자를 포함하는 통과하는 디스미어 처리 액체는 흡입 노즐에 직접 진입한다. 따라서, 디스미어 입자는 디스미어 모듈로부터 직접 제거될 수 있다. 그러나, 그러한 해법은 충분한 고유 강성을 제공하는 두꺼운 인쇄 회로 기판에만 적합한 것으로 밝혀졌다. 요즘 처리되는 기판은 감소된 두께 및 증가된 유연성으로 인해 훨씬 더 어려워서 이러한 절차의 적용을 방해한다.
통상의 수평 프로세싱 라인에서 마주치는 또 다른 문제점은, 디스미어 입자가 필요한 침지 펌프의 하부 부분의 흡입 영역으로 진입하는 것을 회피하기 위해, 큰 디스미어 용기 체적을 갖는 대형 디스미어 용기를 제공할 필요가 있다는 것이다. 따라서, 큰 디스미어 처리 액체 체적이 제공되어야 하며, 이는 다시 공정을 비싸게 만든다.
따라서, 종래 기술을 감안하여, 본 발명의 목적은 당업계에 공지된 디스미어 모듈의 전술한 단점을 나타내지 않는 수평 공정 라인용의 디스미어 모듈을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 디스미어 입자가 필요한 침지 펌프의 하부 부분의 흡입 영역으로 진입하는 위험을 최소화하거나 바람직하게는 완전히 회피하는 디스미어 모듈을 제공하는 것이다.
특히, 본 발명의 목적은 디스미어 처리 액체의 수명을 연장시키는 동시에 디스미어 처리 액체의 순환 부피를 대폭 줄일 수 있는 디스미어 모듈을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 이미 고객 현장에서 작동중인 수평 프로세싱 라인에 설치하기 위한 디스미어 모듈을 제공하는 것이다.
따라서, 필요한 것은 설계가 복잡하지 않고 적은 공간을 필요로 하며 기존의 프로세싱 라인에 쉽게 통합될 수 있는 디스미어 모듈이다.
이들 목적은 청구항 1 의 모든 특징들을 갖는 디스미어 모듈에 의해 달성된다. 본 발명의 디스미어 모듈의 적절한 변형예는 종속 청구항 2 내지 14 에서 보호된다. 또한, 청구항 15 는 그러한 디스미어 모듈로부터 디스미어 입자를 선택적으로 분리하고 후속하여 제거하는 방법을 포함한다.
따라서, 본 발명은 침전물의 제거를 위한 피처리 기판상에서의 금속, 특히 구리 퇴적을 위한 수평 갈바닉 또는 습식-화학 공정 라인을 위한 디스미어 모듈로서, 디스미어 유닛에 연결될 수 있는 디스미어 용기, 펌프 및 상기 펌프를 상기 디스미어 유닛에 연결하기 위한 적어도 제 1 액체 연결 요소를 포함하고, 상기 펌프는 상기 적어도 제 1 액체 연결 요소에 의해 상기 디스미어 유닛과 연관되고, 상기 디스미어 모듈의 내부에 상기 펌프의 흡입 영역의 위에 있는 처리 액체 레벨이 제공되고, 상기 디스미어 모듈은, 추가로, 적어도 제 1 액체 영역, 상기 펌프의 상기 흡입 영역을 포함하는 인접한 적어도 제 2 액체 영역, 및 상기 적어도 제 1 액체 영역과 상기 적어도 제 2 액체 영역 사이에 배열된 적어도 제 1 분리 요소를 포함하는, 디스미어 모듈을 제공한다.
따라서, 공지된 종래 기술의 디스미어 모듈의 전술한 단점을 나타내지 않는 디스미어 모듈을 제공하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명의 디스미어 모듈에서는, 디스미어 입자가 필요한 침지 펌프의 하부 부분의 흡입 영역으로 진입하는 위험이 최소화되거나 바람직하게는 완전히 회피된다.
본 발명의 디스미어 모듈에 의해 제공되는 디스미어 입자의 효과적인 기계적 제거는, 후속 처리되는 처리 대상 기판의 표면에서 필요한 침지 펌프에 의해 디스미어 처리 액체와 함께 디스미어 입자가 순환하는 것을 회피함으로써 더 높은 제품 품질을 보장한다.
이는 펌프의 더 낮은 요구되는 디스미어 처리 액체 부피 전달 속도로 인해 보다 작은 침지 펌프가 선택될 수 있다는 추가적인 이점을 제공한다.
특히, 본 발명의 디스미어 모듈은 디스미어 처리 액체 배스의 수명을 연장시킬 수 있는 동시에 디스미어 처리 액체의 부피를 크게 감소시킬 수 있다. 일반적으로, 사용자는 디스미어 용기의 내부에 항상 존재해야 하는 디스미어 처리 액체 배스의 부피의 약 3 내지 5배 정도 순환되는 부피가 필요하다. 본 발명의 디스미어 모듈은 디스미어 처리 액체 배스의 약 10 내지 50 부피% 만을 필요로 한다. 따라서, 본 발명의 디스미어 모듈의 경제적 이득은 엄청나다.
또한, 본 발명의 디스미어 모듈은, 수정된 디스미어 모듈이 이미 고객 현장에서 작동중인 수평 프로세싱 라인에 용이하게 설치될 수 있고 설계가 복잡하지 않고 적은 공간을 필요로 한다는 이점을 제공한다.
본 발명의 보다 완전한 이해를 위해, 첨부 도면과 관련하여 고려되는 다음의 발명의 상세한 설명을 참조한다.
도 1a 및 도 1b 는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 디스미어 모듈을 나타낸다.
도 2a 및 도 2b 는 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 디스미어 모듈을 나타낸다.
도 3 은 도 1a 에 도시된 본 발명의 제 1 실시형태에 기초한 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 디스미어 모듈을 나타낸다.
본원에 사용된 용어 "디스미어 모듈" 은, 본 발명에 따라 적용될 때, 피처리 기판에서 관통 도관의 천공으로부터 스미어를 제거하기 위해 내부에서 발생하는 디스미어 처리 단계를 허용할 수 있는 임의의 수평 프로세싱 모듈을 말한다.
본원에 사용된 용어 "금속 퇴적을 위한 수평 갈바닉 또는 습식-화학 공정 라인" 은, 본 발명에 따라 적용될 때, 갈바닉 및/또는 습식-화학 공정중에 금속이 피처리 기판상에 퇴적되는 임의의 종류의 수평 공정을 말한다.
본원에 사용된 용어 "디스미어 유닛" 은, 본 발명에 따라 적용될 때, 천공된 관통 도관으로부터 피처리 기판의 원재료의 잔류 스미어를 제거하기 위해, 피처리 기판의 일 표면 또는 양 표면에 디스미어 처리 액체의 흐름을 각각 보내는 플러딩 디바이스 요소들에 의해 디스미어 처리 액체가 적용되는 일반적인 수평 공정 라인의 모듈을 말한다. 천공된 관통 도관의 헹굼 후, 제거된 디스미어 입자와 디스미어 처리 액체의 슬러리는 디스미어 유닛으로부터 유출되어 디스미어 용기의 제 1 액체 영역에서 수집된다.
이러한 디스미어 유닛은 디스미어 용기의 내부 또는 외부에 배치될 수 있다.
디스미어 유닛이 디스미어 용기의 내부에 위치하는 경우, 디스미어 유닛은 디스미어 모듈 내부의 처리 액체 레벨보다 더 높은 레벨에 배열된다. 그러면, 슬러리는 디스미어 모듈의 제 1 액체 영역에서 직접 흐를 것이다.
디스미어 유닛이 디스미어 용기의 외부에 위치하는 경우, 슬러리를 디스미어 유닛으로부터 디스미어 모듈의 디스미어 용기로 안내하기 위해 제 3 액체 연결 요소가 구성되어야 한다. 이는 슬러리가 최종적으로 디스미어 모듈의 제 1 액체 영역에 도달하는 방식으로 수행되어야 한다.
침지 펌프를 사용하는 것이 바람직할 수 있으며, 침지 펌프의 흡입 영역을 포함하는 침지 펌프의 하부 부분은 디스미어 용기의 내부의 처리 액체 레벨보다 더 낮은 레벨에서 디스미어 모듈의 제 2 액체 영역에 직접 배치된다. 침지 펌프의 상부 부분은 디스미어 모듈의 디스미어 용기의 외부에 배치된다.
대안적으로, 디스미어 모듈의 디스미어 용기의 외부에 배치된 원심 펌프를 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 따라서, 디스미어 모듈의 제 2 액체 영역의 내부의 흡입 영역을 원심 펌프에 연결하기 위한 제 4 액체 연결 요소가 추가로 구성되어야 한다. 상기 제 4 액체 연결 요소는, 처리 액체가 후속하여 제 1 액체 연결 요소에 의해 디스미어 유닛으로 보내지기 전에, 처리 액체를 먼저 원심 펌프에 보낸다.
최대로, 흡입 영역은 디스미어 모듈의 제 2 액체 영역과 동일할 수 있다.
본원에서 사용되는 용어 "금속" 은, 본 발명에 따라 적용될 때, 갈바닉 또는 습식-화학 금속 퇴적 공정에 일반적으로 적합한 것으로 알려진 금속을 말한다. 이러한 금속은 특히 금, 니켈 및 구리, 바람직하게는 구리를 포함할 수 있다.
본원에서 사용되는 "피처리 기판" 은 둥근, 바람직하게는 원형, 또는 각형, 바람직하게는 다각형, 예컨대 직사각형, 사각형 또는 삼각형, 또는 둥글고 각형인 구조 요소들의 혼합에 의해 형성된, 예컨대 반원형이고; 그리고/또는 피처리 기판은, 둥근 구조의 경우에 50 mm 내지 1000 mm, 바람직하게는 100 mm 내지 700 mm, 보다 바람직하게는 120 mm 내지 500 mm 의 직경을 갖거나; 또는, 각형, 바람직하게는 다각형 구조의 경우에 10 mm 내지 1000 mm, 바람직하게는 25 mm 내지 700 mm, 보다 바람직하게는 50 mm 내지 500 mm 의 사이드 길이를 갖고 그리고/또는 피처리 기판은 인쇄 회로 기판, 인쇄 회로 포일, 반도체 웨이퍼, 웨이퍼, 태양 전지, 광전지, 평면 패널 디스플레이 또는 모니터 셀일 수 있다. 평평한 피처리 기판은 유리, 플라스틱, 성형된 콤파운드 또는 세라믹과 같은 상이한 재료들의 혼합물로 또는 하나의 재료로 구성될 수 있다.
바람직한 실시형태에서, 평평한 기판은 전체 수평 장치를 통해 연속적으로 프로세싱되는 무단 컨베이어 형태의 엔드리스 기판일 수 있다. 이 경우, 평평한 기판은 가요성 재료로 구성되는데, 이는 프로세싱 전에 원재료의 코일을 와인딩업하고 프로세싱 후에 최종 재료의 코일을 와인딩인할 수 있게 한다.
일반적으로, 디스미어 용기로부터 디스미어 유닛으로의 그리고 뒤로의 처리 액체 순환을 살아 있게 유지하기 위해서는 충분한 부피 흐름의 처리 액체가 펌프의 흡입 영역에 제공되도록 보장되어야 한다. 바람직하게는, 이를 위해 처리 액체 레벨 모니터링 시스템이 적용될 수 있다.
본원에서 사용되는 용어 "처리 액체" 는, 본 발명에 따라 적용될 때, 바람직하게는 과망간산 나트륨 또는 과망간산 칼륨인 디스미어 공정을 수행하기에 적합한 것으로 일반적으로 밝혀진 디스미어 처리 액체를 말한다.
제 1 실시형태에서, 제 1 분리 요소는 처리 액체를 제 1 액체 영역으로부터 제 2 액체 영역으로 흐르게 하도록 오버플로우 에지를 포함하며 디스미어 모듈의 내부의 처리 액체 레벨 아래에 배열된 비투과성 액체 위어 (weir) 이다.
오버플로우 에지에 의하면, 펌프를 계속 작동시키기 위해 충분한 처리 액체가 제 2 액체 영역에 도달하는 것이 보장된다. 한편, 디스미어 입자는 제 1 분리 요소의 전방에서 제 1 액체 영역에 유지될 수 있다. 따라서, 디스미어 입자는 펌프의 흡입 영역에 도달할 수 없고, 디스미어 입자는 디스미어 유닛으로 다시 반송될 수 있고 거기에서 후속적으로 프로세싱된 기판의 표면을 오염시킬 수 있다. 이는 오버플로우 에지에 의해 완전히 회피될 수 있다.
제 1 실시형태에서, 디스미어 모듈은 제 1 분리 요소에 대해 평행하게 배열된, 바람직하게는 제 1 분리 요소와 동일한 적어도 제 2 분리 요소를 더 포함하는 것이 바람직할 수 있다.
제 1 실시형태에서, 디스미어 모듈은 각각의 오버플로우 에지의 상이한 절대 높이를 갖는, 바람직하게는 제 1 액체 영역으로부터 제 2 액체 영역으로의 증가하는 높이를 갖는 적어도 제 1 분리 요소 및 제 2 분리 요소를 포함하는 것이 특히 바람직하다.
이러한 복수의 분리 요소들은, 디스미어 입자가 분리 요소(들)의 오버플로우 에지를 통과하는 것을 효율적인 방식으로 방지할 수 있다는 이점을 제공한다. 디스미어 입자는 제 1 액체 영역에 축적된다. 이들의 고밀도 때문에, 특히 MnO2의 경우, 디스미어 입자는 분리 요소들의 전방에서 디스미어 용기의 각각의 바닥에 상대적으로 빠르게 가라앉는다. 디스미어 모듈은 각각의 분리 요소들의 오버플로우 에지의 상이한 절대 높이를 제공함으로써 수평 공정 라인의 디스미어 유닛에서 생성되는 디스미어 입자 크기에 적응될 수 있다. 따라서, 디스미어 입자들이 제 1 분리 요소를 오버플로잉하는 때라도, 이들은 제 2 분리 요소의 전방에서 축적됨으로써 여전히 수집될 수 있다. 특히, 제 2 분리 요소가 제 1 분리 요소보다 더 높은 증가된 절대 높이를 가질 때, 디스미어 입자는 디스미어 모듈의 제 2 액체 영역에 도달하도록 모든 각각의 분리 요소들에 걸쳐 흐르는 것이 효율적으로 방지될 수 있다.
제 2 실시형태에서, 제 1 분리 요소는 디스미어 용기의 바닥으로부터 디스미어 모듈의 내부의 처리 액체 레벨 위의 절대 높이까지 연장하는 투과성 액체 위어이다.
그러나, 제 2 실시형태는, 처리 액체가 제 1 실시형태에서와 같이 오버플로우 에지에 걸쳐 흐르는 대신에 투과성 분리 요소(들)를 통해 흐르게 함으로써 충분한 처리 액체가 제 2 액체 영역에 도달하는 것을 또한 보장한다.
양 실시형태들은 펌프를 작동 상태로 유지하기 위해 충분한 양의 처리 액체가 디스미어 모듈의 제 2 액체 영역에 도달하는 것을 보장한다.
제 2 실시형태에서, 디스미어 모듈은 제 1 분리 요소에 대해 평행하게 배열된, 바람직하게는 제 1 분리 요소와 동일한 적어도 제 2 분리 요소를 더 포함하는 것이 바람직할 수 있다.
다수의 평행한 투과성 액체 위어들을 배열함으로써, 디스미어 모듈은 분리 요소로서의 투과성 액체 위어를 여전히 통과하는 각각의 디스미어 유닛에서 생성되는 디스미어 입자들의 크기에 다시 적응될 수 있다.
각각의 디스미어 모듈은 분리 요소로서의 투과성 액체 위어들을 변경함으로써 공정 라인 조건 및 재료에 따라 제어 그리고/또는 조절될 수 있다.
제 2 실시형태에서, 디스미어 모듈은 복수의 개구들, 포어들, 관통 도관들 및/또는 갭들을 각각 가지는 적어도 제 1 분리 요소 및/또는 적어도 제 1 분리 요소 및 제 2 분리 요소를 포함하는 것이 바람직할 수 있다.
이는 특정 개별 분리 요소에 따라 통과하도록 허용된 상이한 디스미어 입자 크기들을 선택할 수 있는 가능성을 제공한다.
제 2 실시형태에서, 복수의 개구들, 포어들, 관통 도관들 및/또는 갭들은 적어도 제 1 분리 요소 및/또는 제 2 분리 요소에서 균질 또는 비균질 분포, 바람직하게는 비균질 분포를 갖는 것이 특히 바람직하다.
제 2 실시형태에서, 각각의 분리 요소의 복수의 개구들, 포어들, 관통 도관들 및/또는 갭들은 동일한 그리고/또는 동일하지 않은 평균 직경을 가질 수 있고, 개구들, 포어들, 관통 도관들 및/또는 갭들은 둥근, 바람직하게는 원형인 단면, 또는 각형, 바람직하게는 다각형 단면, 예컨대 직사각형, 사각형 또는 삼각형 단면, 또는 둥글고 각형인 구조 요소들의 혼합에 의해 형성된 단면, 예컨대 반원형 단면을 포함한다.
제 2 실시형태에서, 각각의 분리 요소의 개구들, 포어들, 관통 도관들 및/또는 갭들의 평균 직경은 디스미어 용기의 바닥으로부터 디스미어 모듈의 내부의 처리 액체 레벨 위의 절대 높이까지 연속적으로 증가 또는 감소, 바람직하게는 증가할 수 있다.
모든 실시형태들에서, 디스미어 용기의 바닥 벽은 두 개의 부분들, 즉 제 1 액체 영역의 제 1 바닥 벽 부분 및 제 2 액체 영역의 제 2 바닥 벽 부분으로 세분화되고, 바닥 벽 부분들간의 전이 지점은 적어도 제 1 분리 요소 아래에 있고, 쌍방의 바닥 벽 부분들은 수평하게 직선형으로 연장될 수 있거나, 쌍방의 바닥 벽 부분들 중의 적어도 하나의 바닥 벽 부분은 수평 방향과 관련하여 적어도 부분적으로 상향 또는 하향 경사져서 연장되는 것이 바람직할 수 있다.
제 1 바닥 벽 부분이 제 1 바닥 벽 부분의 단부에 대한 전이 지점에 가깝거나 동일한 위치로부터 적어도 부분적으로 상향 경사져서 연장하는 경우, 디스미어 용기에서는 더 적은 디스미어 처리 부피 액체가 사용되어야 한다. 이에 의해 비용과 화학물질이 절약된다.
제 1 바닥 벽 부분이 제 1 바닥 벽 부분의 단부에 대한 전이 지점에 가깝거나 동일한 위치로부터 적어도 부분적으로 하향 경사져서 연장하는 경우, 더 적은 디스미어 입자가 분리 요소 및 펌프의 방향으로 흐른다. 이는, 디스미어 입자들이 각각의 제 1 분리 요소의 전방에서 디스미어 용기의 바닥에 축적되기 전에 제 2 액체 영역에 도달할 위험을 감소시킨다.
제 1 바닥 벽 부분은 디스미어 입자를 축적시키기 위한 적어도 제 1 공동을 적어도 제 1 분리 요소의 전방에 포함하고, 적어도 제 1 공동의 바닥은 디스미어 용기로부터 디스미어 입자를 제거하기 위한 처리 액체 출구를 포함하는 것이 특히 바람직할 수 있다.
공동은 유리하게는, 디스미어 입자, 바람직하게는 MnO2 입자가 제 1 분리 요소의 전방에서 공동의 내부에 축적될 수 있도록 한다. 디스미어 입자의 후속 제거는 그러한 공동을 사용하지 않는 것보다 더 효율적이며, 디스미어 입자는 그러한 공동에서 선택적으로 축적되는 대신에 제 1 바닥 벽 부분의 큰 영역에 분포하게 된다.
일 실시형태에서, 디스미어 모듈은 적어도 제 1 처리 액체 순환 시스템을 더 포함하고, 제 1 처리 액체 순환 시스템은, 디스미어 용기로부터 디스미어 입자를 제거하기 위해 제 1 액체 영역 내의 적어도 제 1 분리 요소의 전방에 배열된 처리 액체 출구로부터 거친 필터 유닛을 가지는 제 1 필터 디바이스까지 연장하는 적어도 제 2 액체 연결 요소를 포함하고, 디스미어 입자는 여과액으로부터 분리되고, 제 2 액체 연결 요소는 디스미어 용기의 제 2 액체 영역으로 연이어 더 연장된다.
대안적으로, 사이클론 캐스케이드가 이러한 목적으로 사용될 수 있다.
그러한 거친 필터 유닛이 적용되면, 더 적고 더 작은 디스미어 입자가 제 2 액체 영역에 도달할 수 있다. 따라서, 전달된 디스미어 입자에 의한 디스미어 유닛에서의 후속 프로세싱되는 피처리 기판의 후속 오염이 회피될 수 있다.
거친 필터 유닛으로서는, 스테인레스강 필터 유닛의 경우처럼 40 마이크로미터까지 대신에 25 마이크로미터까지 필터링 용량을 바람직하게 제공하는 에지 스필트 필터, 바람직하게는 자가-세정 필터가 적용된다.
거친 필터 유닛은 15 내지 70 마이크로미터, 바람직하게는 20 내지 60 마이크로미터, 보다 바람직하게는 25 내지 50 마이크로미터 범위의 잔류 디스미어 입자의 최종 입도 분포를 제공한다.
일 실시형태에서, 디스미어 모듈은 적어도 제 2 처리 액체 순환 시스템을 더 포함하고, 제 2 처리 액체 순환 시스템은 적어도 제 1 액체 연결 요소를 포함하고, 미세 필터 유닛을 가지는 제 2 필터 디바이스가 상호연결된다.
더 미세한 필터 유닛을 갖는 이러한 제 2 필터 디바이스는, 거친 필터 유닛을 갖는 제 1 필터 디바이스에 의해 제거될 수 없는 잔류하는 작은 디스미어 입자를 심지어 제거할 수 있게 한다. 따라서, 일종의 필터 시리즈는 순환하는 처리 액체로부터 방해되는 디스미어 입자의 주요 부분 또는 이상적으로는 모두를 제거하기 위해 본 발명의 디스미어 모듈에 유리하게 적용될 수 있다.
제 3 실시형태에서, 본 발명은 침전물의 제거를 위한 피처리 기판상에서의 금속, 특히 구리 퇴적을 위한 수평 갈바닉 또는 습식-화학 공정 라인을 위한 디스미어 모듈에 관한 것으로, 이는 디스미어 유닛에 연결될 수 있는 디스미어 용기, 침지 펌프 및 침지 펌프를 디스미어 유닛에 연결하기 위한 적어도 제 1 액체 연결 요소를 포함하고, 침지 펌프는 적어도 제 1 액체 연결 요소에 의해 디스미어 유닛과 연관되고, 디스미어 모듈의 내부에 침지 펌프의 하부 부분의 흡입 영역의 위와 디스미어 유닛의 아래에 있는 처리 액체 레벨이 제공되고, 디스미어 모듈은, 추가로, 디스미어 유닛 아래에 배열된 적어도 제 1 액체 영역, 침지 펌프의 하부 부분을 포함하는 인접한 적어도 제 2 액체 영역, 및 적어도 제 1 액체 영역과 적어도 제 2 액체 영역 사이에 배열된 제 1 분리 요소로서의 적어도 비투과성 액체 위어를 포함한다.
제 3 실시형태에서, 비투과성 액체 위어는 처리 액체를 제 1 액체 영역으로부터 제 2 액체 영역으로 흐르게 하도록 오버플로우 에지를 포함하며 디스미어 모듈의 내부의 처리 액체 레벨 아래에 배열된다.
제 3 실시형태의 디스미어 모듈에서는 또한, 디스미어 용기의 바닥 벽은 두 개의 부분들, 즉 제 1 액체 영역의 제 1 바닥 벽 부분 및 제 2 액체 영역의 제 2 바닥 벽 부분으로 세분화되고, 바닥 벽 부분들간의 전이 지점은 적어도 제 1 분리 요소 아래에 있고, 쌍방의 바닥 벽 부분들은 수평하게 직선형으로 연장될 수 있거나, 쌍방의 바닥 벽 부분들 중의 적어도 하나의 바닥 벽 부분은 수평 방향과 관련하여 적어도 부분적으로 상향 또는 하향 경사져서 연장된다.
제 3 실시형태에서, 제 1 바닥 벽 부분은 디스미어 입자를 축적시키기 위한 적어도 제 1 공동을 적어도 제 1 분리 요소의 전방에 포함하고, 적어도 제 1 공동의 바닥은 디스미어 용기로부터 디스미어 입자를 제거하기 위한 처리 액체 출구를 포함한다.
제 3 실시형태는 적어도 제 1 처리 액체 순환 시스템을 더 포함하고, 제 1 처리 액체 순환 시스템은, 디스미어 용기로부터 디스미어 입자를 제거하기 위해 제 1 액체 영역 내의 적어도 제 1 분리 요소의 전방에 배열된 처리 액체 출구로부터 거친 필터 유닛을 가지는 제 1 필터 디바이스까지 연장하는 적어도 제 2 액체 연결 요소를 포함하고, 디스미어 입자는 여과액으로부터 분리되고, 제 2 액체 연결 요소는 디스미어 용기의 제 2 액체 영역으로 연이어 더 연장되고, 제 3 실시형태는 적어도 제 2 처리 액체 순환 시스템을 더 포함하고, 제 2 처리 액체 순환 시스템은 적어도 제 1 액체 연결 요소를 포함하고, 미세 필터 유닛을 가지는 제 2 필터 디바이스가 상호연결된다.
또한, 본 발명은 디스미어 모듈로부터 디스미어 입자를 선택적으로 분리하고 후속하여 제거하기 위한 방법에 관한 것으로, 이 방법은 다음의 방법 단계들을 특징으로 한다:
i) 전술한 바에 따른 수평 갈바닉 또는 습식-화학 공정 라인의 본 발명의 디스미어 모듈을 제공하는 단계,
ii) 디스미어 입자를 시간에 따라 축적시킴으로써 적어도 제 1 분리 요소의 전방에서 디스미어 용기의 바닥으로부터 디스미어 입자를 선택적으로 분리하는 단계,
iii) 적어도 거친 필터 유닛을 가지는 필터 디바이스를 통해 용액을 운반함으로써, 수집된 디스미어 입자를 제거하는 단계,
iv) 여과된 처리 액체를 필터 디바이스로부터 디스미어 용기로 다시 보내는 단계.
따라서, 상기 방법에 따른 본 발명은 디스미어 처리 액체 배스의 수명을 연장시키는 문제를 해결한다. 또한, 디스미어 처리 액체의 순환 체적을 크게 저감할 수 있다. 특히, MnO2 디스미어 입자를 초래하는 디스미어 처리 액체로서 과망간산 나트륨 또는 과망간산 칼륨을 적용하는 것이 본 발명의 독창적인 디스미어 모듈에 의해 유리하게 실시될 수 있다.
이제 도면들을 참조하면, 도 1a 는 본 발명의 제 1 실시형태를 도시하며, 피처리 기판상에서의 금속, 특히 구리 퇴적을 위한 수평 갈바닉 또는 습식-화학 공정 라인의 디스미어 모듈 (1) 은 디스미어 용기 (2), 디스미어 유닛 (3), 침지 펌프 (4) 및 침지 펌프 (4) 로부터 디스미어 유닛 (3) 으로 진행하는 제 1 액체 연결 요소 (5) 를 포함한다.
침지 펌프 (4) 는 제 1 액체 연결 요소 (5) 에 의해 디스미어 유닛 (3) 과 연관되어 있다.
디스미어 모듈 (1) 의 내부에서 디스미어 유닛 (3) 의 아래 및 침지 펌프 (4) 의 하부 부분의 흡입 영역 (7) 의 위에 있는 처리 액체 레벨 (6) 이 제공된다.
디스미어 모듈 (1) 은, 추가로, 디스미어 유닛 (3) 아래에 배열된 제 1 액체 영역 (9), 침지 펌프 (4) 의 하부 부분을 포함하는 인접한 제 2 액체 영역 (10), 및 제 1 액체 영역 (9) 과 제 2 액체 영역 (10) 사이에 배열된 제 1 분리 요소 (11) 를 포함한다.
본 발명의 제 1 실시형태에서, 제 1 분리 요소 (11) 는 처리 액체를 제 1 액체 영역 (9) 으로부터 제 2 액체 영역 (10) 으로 흐르게 하도록 오버플로우 에지 (12) 를 포함하며 디스미어 모듈 (1) 의 내부의 처리 액체 레벨 (6) 아래에 배열된 비투과성 액체 위어이다.
또한, 디스미어 용기 (2) 의 바닥 벽은 두 개의 부분들, 즉 제 1 액체 영역 (9) 의 제 1 바닥 벽 부분 및 제 2 액체 영역 (10) 의 제 2 바닥 벽 부분으로 세분화되고, 바닥 벽 부분들간의 전이 지점은 제 1 분리 요소 (11) 아래에 있다. 제 2 바닥 벽은 여기서는 수평하게 직선형으로 연장되는 한편, 제 1 바닥 벽은 수평 방향과 관련하여 상향 경사져서 연장된다.
처리 액체 내의 디스미어 입자, 특히 MnO2 입자의 서스펜션의 슬러리 액체 레벨 (8) 은 슬러리없는 (slurry free) 제 2 액체 영역 (10) 으로 이끄는 제 1 액체 영역 (9) 에서 배타적으로 도시된다. 슬러리 액체 레벨 (8) 은 오버플로우 에지 (12) 아래에 머무르며, 따라서 디스미어 입자가 침지 펌프 (4) 의 흡입 영역 (7) 에 도달할 위험이 없다.
도 1b 는 약간 변형된 제 1 실시형태를 도시하며, 디스미어 모듈 (1) 은 제 1 분리 요소 (11) 에 대해 평행하게 배열된, 제 1 분리 요소 (11) 와 동일한 제 2 분리 요소를 더 포함한다. 여기서, 디스미어 모듈 (1) 은 제 1 액체 영역 (9) 으로부터 제 2 액체 영역 (10) 으로의 증가하는 높이를 갖는 각각의 오버플로우 에지 (12) 의 상이한 절대 높이를 갖는 제 1 분리 요소 (11) 및 제 2 분리 요소를 포함한다.
이 변형은 디스미어 입자가 제 2 액체 영역 (10) 에 도달할 위험을 더 감소시킨다.
도 2a 는 본 발명의 제 2 실시형태를 도시하며, 피처리 기판상에서의 금속, 특히 구리 퇴적을 위한 수평 갈바닉 또는 습식-화학 공정 라인의 디스미어 모듈 (1') 은 디스미어 용기 (2'), 디스미어 유닛 (3'), 침지 펌프 (4') 및 침지 펌프 (4') 로부터 디스미어 유닛 (3') 으로 진행하는 제 1 액체 연결 요소 (5') 를 포함한다.
침지 펌프 (4') 는 제 1 액체 연결 요소 (5') 에 의해 디스미어 유닛 (3') 과 연관되어 있다.
디스미어 모듈 (1') 의 내부에서 디스미어 유닛 (3') 의 아래 및 침지 펌프 (4') 의 하부 부분의 흡입 영역 (7') 의 위에 있는 처리 액체 레벨 (6') 이 제공된다.
디스미어 모듈 (1') 은, 추가로, 디스미어 유닛 (3') 아래에 배열된 제 1 액체 영역 (9'), 침지 펌프 (4') 의 하부 부분을 포함하는 인접한 제 2 액체 영역 (10'), 및 제 1 액체 영역 (9') 과 제 2 액체 영역 (10') 사이에 배열된 제 1 분리 요소 (11') 를 포함한다.
제 1 실시형태와는 달리, 본 발명의 제 2 실시형태에서는, 제 1 분리 요소 (11') 는 디스미어 용기 (2') 의 바닥으로부터 디스미어 모듈 (1') 의 내부의 처리 액체 레벨 (6') 위의 절대 높이까지 연장하는 투과성 액체 위어이다.
제 1 분리 요소 (11') 는 여기서 제 2 액체 영역 (10') 에 처리 액체는 도달시키지만 디스미어 입자는 도달시키지 않도록 하기 위해 단일 갭 또는 개구 (13) 를 구비한다.
처리 액체 중의 서스펜딩된 디스미어 입자, 특히 MnO2 입자의 슬러리 액체 레벨은 도 2a 또는 도 2b 에는 나타나 있지 않다. 슬러리 액체 레벨은 원칙적으로 처리 액체 레벨 (6') 과 동일할 수 있다. 모든 디스미어 입자는 제 1 액체 영역 (9') 에서만 발견될 수 있으며, 모든 디스미어 입자는 제 1 분리 요소 (11') 의 전방이 아니라 디스미어 용기 (2') 의 바닥에 축적된다. 갭 (13) 의 위치는 디스미어 입자가 갭 (13) 을 통과하는 것이 회피되도록, 적용된 수평 공정 시스템에 따라 주의깊게 선택되어야 한다.
또한, 디스미어 용기 (2') 의 바닥 벽은 두 개의 부분들, 즉 제 1 액체 영역 (9') 의 제 1 바닥 벽 부분 및 제 2 액체 영역 (10') 의 제 2 바닥 벽 부분으로 세분화되고, 바닥 벽 부분들간의 전이 지점은 제 1 분리 요소 (11') 아래에 있다. 제 2 바닥 벽은 여기서는 수평하게 직선형으로 연장되는 한편, 제 1 바닥 벽은 수평 방향과 관련하여 상향 경사져서 연장된다.
도 2b 는 약간 변형된 제 2 실시형태를 도시하며, 디스미어 모듈 (1') 은 복수의 개구들, 포어들, 관통 도관들 및/또는 갭들 (13) 을 가지는 제 1 분리 요소 (11') 를 포함하고, 제 1 분리 요소 (11') 의 개구들, 포어들, 관통 도관들 및/또는 갭들 (13) 의 평균 직경은 디스미어 용기 (2') 의 바닥으로부터 디스미어 모듈 (1') 의 내부의 처리 액체 레벨 (6) 위의 절대 높이까지 연속적으로 증가한다.
이는, 디스미어 용기의 바닥의 표면에 축적되는 가장 큰 디스미어 입자가 상대적으로 작은 개구들, 포어들, 관통 도관들 및/또는 갭들 (13) 을 통과할 수 없다는 이점을 제공한다.
마지막으로, 도 3 은 도 1a 에 도시된 제 1 실시형태에 주로 기초한 본 발명의 디스미어 모듈의 제 3 실시형태를 도시한다. 도 3 의 디스미어 모듈 (1) 은 제 1 액체 영역, 제 2 액체 영역, 제 1 분리 요소 및 오버플로우 에지를 포함하지만, 이들 기술적 특징들은 각각의 참조 부호들 (9, 10, 11, 및 12) 로 표시되지 않았다. 상기 참조 부호들은 도 3 자체의 더 높은 명료성을 제공하기 위해 도시되지 않았다.
도 1a 의 전체 설명, 특히 참조 부호 1 내지 8 로 표시된 기술적 특징들의 설명은, 다시 불필요한 반복을 피하기 위해 도 1a 의 각각의 설명이 생략된 경우에도, 마찬가지로 여기에 개시되고 포함되는 것으로 의도된다.
도 1a 의 제 1 실시형태에 추가하여, 도 3 은 제 1 바닥 벽 부분이 디스미어 입자들을 축적하기 위해 제 1 분리 요소의 전방에 제 1 공동 (14) 을 포함하고, 제 1 공동 (14) 의 바닥이 디스미어 용기 (2) 로부터 디스미어 입자들을 제거하기 위한 처리 액체 출구를 포함하는 것을 나타낸다.
여기서, 제 1 액체 영역의 제 1 바닥 벽 부분은 제 1 공동 (14) 의 제 1 벽에 도달할 때까지 먼저 수평하게 직선형으로 연장하고, 다음으로 제 1 공동 (14) 의 다른 벽으로부터 수평선에 대해 상향 경사져서 연속적으로 연장된다.
도 3 의 디스미어 모듈 (1) 은 제 1 처리 액체 순환 시스템을 더 포함하고, 이 제 1 처리 액체 순환 시스템은, 제 1 액체 영역 내의 제 1 분리 요소의 전방에 배열된 제 1 공동 (14) 의 바닥에서의 처리 액체 출구로부터 거친 필터 유닛을 가지는 제 1 필터 디바이스 (16) 까지 연장하는 제 2 액체 연결 요소 (18) 를 포함한다. 처리 액체 중에 서스펜딩된 디스미어 입자들의 슬러리를 공동 (14) 의 바닥으로부터 제 1 필터 디바이스 (16) 의 거친 필터 유닛까지 전달하기 위해 슬러리 펌프 (15) 가 사용된다.
여기서, 디스미어 입자들은 여과액으로부터 분리된다. 제 2 액체 연결 요소 (18) 는 디스미어 용기 (2) 의 제 2 액체 영역으로 연이어 더 연장된다.
도 3 은, 추가로, 제 1 액체 연결 요소 (5) 를 포함하는 제 2 처리 액체 순환 시스템을 나타내고, 미세 필터 유닛을 갖는 제 2 필터 디바이스 (17) 가 상호연결된다.
본 발명의 원리는 특정 실시형태와 관련하여 설명되고 설명의 목적으로 제공되었지만, 본 명세서를 읽을 때 당업자에게는 다양한 변형이 명백하다는 것을 이해해야 한다. 따라서, 본 명세서에 개시된 발명은 첨부된 청구범위의 범위 내에 속하는 그러한 변형을 포함하도록 의도된 것이라는 것을 이해해야 한다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구범위의 범위에 의해서만 한정된다.
1, 1': 디스미어 모듈
2, 2: 디스미어 용기
3, 3': 디스미어 유닛
4, 4': 침지 펌프
5, 5': 제 1 액체 연결 요소
6, 6': 처리 액체 레벨
7, 7': 침지 펌프의 하부 부분의 흡입 영역
8, 8': 슬러리 액체 레벨
9, 9': 제 1 액체 영역
10, 10': 제 2 액체 영역
11, 11': 제 1 분리 요소
12: 오버플로우 에지
13: 개구들, 포어들, 관통 도관들 및/또는 갭들
14: 제 1 바닥 벽 부분의 제 1 공동
15: 슬러리 펌프
16: 제 1 필터 디바이스
17: 제 2 필터 디바이스
18: 제 2 액체 연결 요소

Claims (15)

  1. 침전물의 제거를 위한 피처리 기판상에서의 금속, 특히 구리 퇴적을 위한 수평 갈바닉 또는 습식-화학 공정 라인용의 디스미어 모듈 (desmear module: 1,1') 로서,
    디스미어 유닛 (3,3') 에 연결될 수 있는 디스미어 용기 (2,2'), 펌프 (4,4') 및 상기 펌프 (4,4') 를 상기 디스미어 유닛 (3,3') 에 연결하기 위한 적어도 제 1 액체 연결 요소 (5,5') 를 포함하고,
    상기 펌프 (4,4') 는 상기 적어도 제 1 액체 연결 요소 (5,5') 에 의해 상기 디스미어 유닛 (3,3') 과 연관되고,
    상기 디스미어 모듈 (1,1') 의 내부에서 상기 펌프 (4,4') 의 흡입 영역 (7,7') 의 위에 있는 처리 액체 레벨 (6,6') 이 제공되고,
    상기 디스미어 모듈 (1,1') 은, 추가로, 적어도 제 1 액체 영역 (9,9'), 상기 펌프 (4,4') 의 상기 흡입 영역 (7,7') 을 포함하는 인접한 적어도 제 2 액체 영역 (10,10'), 및 상기 적어도 제 1 액체 영역 (9,9') 과 상기 적어도 제 2 액체 영역 (10,10') 사이에 배열된 적어도 제 1 분리 요소 (11,11') 를 포함하는, 디스미어 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 분리 요소 (11) 는 처리 액체를 상기 제 1 액체 영역 (9) 으로부터 상기 제 2 액체 영역 (10) 으로 흐르게 하도록 오버플로우 에지 (12) 를 포함하며 상기 디스미어 모듈 (1) 의 내부의 처리 액체 레벨 (6) 아래에 배열된 비투과성 액체 위어 (weir) 인 것을 특징으로 하는 디스미어 모듈.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 디스미어 모듈 (1) 은 상기 제 1 분리 요소 (11) 에 대해 평행하게 배열된, 바람직하게는 상기 제 1 분리 요소 (11) 와 동일한 적어도 제 2 분리 요소를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스미어 모듈.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 디스미어 모듈 (1) 은 바람직하게는 상기 제 1 액체 영역 (9) 으로부터 상기 제 2 액체 영역 (10) 으로의 증가하는 높이를 갖는 각각의 오버플로우 에지 (12) 의 상이한 절대 높이를 갖는 적어도 제 1 분리 요소 (11) 및 제 2 분리 요소를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스미어 모듈.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 분리 요소 (11') 는 상기 디스미어 용기 (2') 의 바닥으로부터 상기 디스미어 모듈 (1') 의 내부의 상기 처리 액체 레벨 (6) 위의 절대 높이까지 연장하는 투과성 액체 위어인 것을 특징으로 하는 디스미어 모듈.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 디스미어 모듈 (1') 은 상기 제 1 분리 요소 (11') 에 대해 평행하게 배열된, 바람직하게는 상기 제 1 분리 요소 (11') 와 동일한 적어도 제 2 분리 요소를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스미어 모듈.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 디스미어 모듈 (1') 은 복수의 개구들, 포어들, 관통 도관들 및/또는 갭들 (13) 을 각각 가지는 적어도 제 1 분리 요소 (11') 및/또는 적어도 제 1 분리 요소 (11') 및 제 2 분리 요소를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스미어 모듈.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 복수의 개구들, 포어들, 관통 도관들 및/또는 갭들 (13) 은 상기 적어도 제 1 분리 요소 (11') 및/또는 제 2 분리 요소에서 비균질 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 디스미어 모듈.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    각각의 분리 요소 (11') 의 상기 복수의 개구들, 포어들, 관통 도관들 및/또는 갭들 (13) 은 동일한 그리고/또는 동일하지 않은 평균 직경을 갖고,
    상기 개구들, 포어들, 관통 도관들 및/또는 갭들 (13) 은 둥근, 바람직하게는 원형인 단면, 또는 각형, 바람직하게는 다각형 단면, 예컨대 직사각형, 사각형 또는 삼각형 단면, 또는 둥글고 각형인 구조 요소들의 혼합에 의해 형성된 단면, 예컨대 반원형 단면을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스미어 모듈.
  10. 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    각각의 분리 요소 (11') 의 상기 개구들, 포어들, 관통 도관들 및/또는 갭들 (13) 의 평균 직경은 상기 디스미어 용기 (2') 의 바닥으로부터 상기 디스미어 모듈 (1') 의 내부의 상기 처리 액체 레벨 (6) 위의 절대 높이까지 연속적으로 증가하는 것을 특징으로 하는 디스미어 모듈.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 디스미어 용기 (2,2') 의 바닥 벽은 두 개의 부분들, 즉 상기 제 1 액체 영역 (9,9') 의 제 1 바닥 벽 부분 및 상기 제 2 액체 영역 (10,10') 의 제 2 바닥 벽 부분으로 세분화되고,
    바닥 벽 부분들간의 전이 지점은 상기 적어도 제 1 분리 요소 (11,11') 아래에 있고,
    쌍방의 바닥 벽 부분들은 수평하게 직선형으로 연장될 수 있거나, 쌍방의 바닥 벽 부분들 중의 적어도 하나의 바닥 벽 부분은 수평 방향과 관련하여 적어도 부분적으로 상향 또는 하향 경사져서 연장되는 것을 특징으로 하는 디스미어 모듈.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 바닥 벽 부분은 디스미어 입자를 축적시키기 위한 적어도 제 1 공동 (14) 을 상기 적어도 제 1 분리 요소 (11,11') 의 전방에 포함하고,
    상기 적어도 제 1 공동 (14) 의 바닥은 상기 디스미어 용기 (2,2') 로부터 상기 디스미어 입자를 제거하기 위한 처리 액체 출구를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스미어 모듈.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 디스미어 모듈 (1,1') 은 적어도 제 1 처리 액체 순환 시스템을 더 포함하고,
    상기 제 1 처리 액체 순환 시스템은, 상기 디스미어 용기 (2,2') 로부터 디스미어 입자를 제거하기 위해 상기 제 1 액체 영역 (9,9') 내의 상기 적어도 제 1 분리 요소 (11,11') 의 전방에 배열된 처리 액체 출구로부터 거친 필터 유닛을 가지는 제 1 필터 디바이스 (16) 까지 연장하는 적어도 제 2 액체 연결 요소 (18) 를 포함하고,
    상기 디스미어 입자는 여과액으로부터 분리되고,
    상기 제 2 액체 연결 요소 (18) 는 상기 디스미어 용기 (2,2') 의 상기 제 2 액체 영역 (10,10') 으로 연이어 더 연장되는 것을 특징으로 하는 디스미어 모듈.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 디스미어 모듈 (1,1') 은 적어도 제 2 처리 액체 순환 시스템을 더 포함하고,
    상기 제 2 처리 액체 순환 시스템은 적어도 상기 제 1 액체 연결 요소 (5,5') 를 포함하고,
    미세 필터 유닛을 가지는 제 2 필터 디바이스 (17) 가 상호연결되는 것을 특징으로 하는 디스미어 모듈.
  15. 디스미어 모듈 (1,1') 로부터 디스미어 입자를 선택적으로 분리하고 후속하여 제거하기 위한 방법으로서,
    다음의 방법 단계들,
    i) 제 1 항 내지 제 14 항 중의 어느 한 항에 따른 수평 갈바닉 또는 습식-화학 공정 라인의 디스미어 모듈 (1,1') 을 제공하는 단계,
    ii) 적어도 제 1 분리 요소 (11,11') 의 전방에서 디스미어 입자를 시간에 따라 축적시킴으로써 디스미어 용기 (2,2') 의 바닥으로부터 디스미어 입자를 선택적으로 분리하는 단계,
    iii) 적어도 거친 필터 유닛을 가지는 필터 디바이스 (16) 를 통해 용액을 운반함으로써, 수집된 디스미어 입자를 제거하는 단계,
    iv) 여과된 처리 액체를 필터 디바이스 (16) 로부터 디스미어 용기 (2,2') 로 다시 보내는 단계
    를 특징으로 하는, 디스미어 모듈 (1,1') 로부터 디스미어 입자를 선택적으로 분리하고 후속하여 제거하기 위한 방법.
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