KR20170077829A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

[과제] 컵의 둘레벽부의 상면에 부착된 이물질을 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.
[해결수단] 실시형태의 일 양태에 따른 기판 처리 장치는, 유지부와, 처리액 공급부와, 컵과, 세정액 공급부를 구비한다. 유지부는 기판을 유지한다. 처리액 공급부는 기판에 대하여 처리액을 공급한다. 컵은, 바닥부와, 바닥부로부터 세워져 설치되는 통형상의 둘레벽부와, 둘레벽부의 상측에 설치되어 기판으로부터 비산된 처리액을 받는 액수용부와, 둘레벽부의 상면에 둘레 방향을 따라서 형성된 홈부를 가지며, 유지부를 둘러싼다. 세정액 공급부는, 둘레벽부의 상면에 대하여 세정액을 공급한다. [PROBLEMS] To provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of removing foreign matter adhering to the upper surface of a peripheral wall portion of a cup.
[MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a holding portion, a processing liquid supply portion, a cup, and a cleaning liquid supply portion. The holding part holds the substrate. The treatment liquid supply part supplies the treatment liquid to the substrate. The cup includes a bottom portion, a tubular peripheral wall portion provided upright from the bottom portion, a liquid supply portion provided above the peripheral wall portion to receive the treatment liquid scattered from the substrate, and a groove formed on the upper surface of the peripheral wall portion, And surrounds the holding part. The cleaning liquid supply part supplies the cleaning liquid to the upper surface of the peripheral wall part.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus,

개시한 실시형태는, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. The disclosed embodiments relate to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

종래, 반도체 웨이퍼나 유리 기판과 같은 기판에 대하여, 정해진 처리액을 공급하여 각종 처리를 행하는 기판 처리 장치가 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 2. Description of the Related Art Conventionally, there is known a substrate processing apparatus for supplying a predetermined process liquid to a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate to perform various processes (see, for example, Patent Document 1).

상기 기판 처리 장치에 있어서는, 예를 들면, 기판으로부터 비산되는 처리액을, 기판의 주위를 둘러싸도록 설치된 컵으로 받아서 배출하도록 하고 있다. 이러한 컵은, 예를 들면, 바닥부로부터 세워져 설치되는 둘레벽부와, 둘레벽부의 상면에 설치되어 기판으로부터 비산된 처리액을 받는 액수용부를 구비하고, 액수용부가 둘레벽부에 대하여 승강 가능해지도록 구성된다. In the above-described substrate processing apparatus, for example, a processing liquid scattered from a substrate is received and discharged in a cup provided so as to surround the periphery of the substrate. The cup may include, for example, a peripheral wall portion provided upright from the bottom portion, and a liquid receiving portion provided on the upper surface of the peripheral wall portion to receive the processing liquid scattered from the substrate, do.

특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2013-089628호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2013-089628

그러나, 상기 종래 기술에 있어서는, 사용되는 처리액의 처리액 분위기나 비산된 처리액이, 예를 들면 액수용부와 둘레벽부의 간극에 침입하고, 침입된 처리액 분위기 등이 건조하여 컵의 둘레벽부의 상면에 처리액의 결정 등의 이물질이 부착되는 것을 알 수 있었다. However, in the above-mentioned conventional technique, the treatment liquid atmosphere of the used treatment liquid and the scattered treatment liquid penetrate into the gap between, for example, the liquid water portion and the peripheral wall portion, It was found that a foreign substance such as crystals of the treatment liquid adhered to the upper surface of the part.

실시형태의 일 양태는, 컵의 둘레벽부의 상면에 부착된 이물질을 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. An aspect of an embodiment of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of removing foreign matter adhering to an upper surface of a peripheral wall portion of a cup.

실시형태의 일 양태에 따른 기판 처리 장치는, 유지부와, 처리액 공급부와, 컵과, 세정액 공급부를 구비한다. 유지부는 기판을 유지한다. 처리액 공급부는 상기 기판에 대하여 처리액을 공급한다. 컵은, 바닥부와, 상기 바닥부로부터 세워져 설치되는 통형상의 둘레벽부와, 상기 둘레벽부의 상측에 설치되어 상기 기판으로부터 비산된 처리액을 받는 액수용부와, 상기 둘레벽부의 상면에 둘레 방향을 따라서 형성된 홈부를 가지며, 상기 유지부를 둘러싼다. 세정액 공급부는, 상기 둘레벽부의 상면에 대하여 세정액을 공급한다. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a holding portion, a processing liquid supply portion, a cup, and a cleaning liquid supply portion. The holding part holds the substrate. The process liquid supply unit supplies the process liquid to the substrate. The cup includes a bottom portion, a cylindrical peripheral wall portion provided upright from the bottom portion, a liquid supply portion provided on the upper side of the peripheral wall portion to receive the treatment liquid scattered from the substrate, And surrounds the holding portion. The cleaning liquid supply part supplies the cleaning liquid to the upper surface of the peripheral wall part.

실시형태의 일 양태에 의하면, 컵의 둘레벽부의 상면에 부착된 이물질을 제거할 수 있다. According to an aspect of the embodiment, it is possible to remove foreign matter adhering to the upper surface of the peripheral wall portion of the cup.

도 1은, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는, 처리 유닛의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은, 처리 유닛의 구체적인 구성예를 나타내는 모식 단면도이다.
도 4는, 제1 둘레벽부의 모식 평면도이다.
도 5는, 도 4의 V-V선 모식 단면도이다.
도 6a는, 도 4의 VI-VI선 모식 단면도이고, 또한 제1 액수용부가 하강한 상태에서의 세정의 모습을 나타내는 도면이다.
도 6b는, 제1 액수용부가 상승한 상태에서의 세정의 모습을 나타내는 도면이다.
도 7은, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템이 실행하는 처리의 처리 순서를 나타내는 플로우차트이다.
도 8은, 기판 처리 시스템에 있어서 실행되는 제1 둘레벽부의 세정 처리의 처리 순서의 일례를 나타내는 플로우차트이다.
도 9는, 제1 변형예에서의 제1 둘레벽부의 모식 평면도이다.
도 10은, 제2 변형예에서의 세정액 공급관의 토출구 부근을 확대하여 나타내는 종단면도이다.
도 11은, 세정하는 부위의 토출구로부터의 거리와 세정액의 유량의 관계의 일례를 나타내는 도면이다.
도 12a는, 제3 변형예에서의 제1 둘레벽부를 나타내는 모식 단면도이다.
도 12b는, 제4 변형예에서의 제1 둘레벽부를 나타내는 모식 단면도이다.
도 13은, 제2 실시형태에 따른 유지부의 이면의 모식 하면도이다.
도 14a는, 제1 고정부를 확대하여 나타내는 모식 하면도이다.
도 14b는, 비교예에 따른 제1 고정부를 나타내는 모식 하면도이다.
도 15는, 도 13의 XV-XV선 단면도이다.
도 16은, 제2 고정부를 확대하여 나타내는 모식 하면도이다.
도 17은, 도 13의 XVII-XVII선 단면도이다.
도 18은, 제3 실시형태에서의 제1 둘레벽부의 모식 평면도이다.
도 19는, 도 18의 모식 확대 평면도이다.
도 20은, 도 19의 XX-XX선 단면도이다.
도 21은, 제4 실시형태에서의 제1 둘레벽부의 모식 평면도이다.
도 22는, 도 21의 모식 확대 평면도이다.
도 23은, 도 22의 XXIII-XXIII선 단면도이다.
도 24는, 세정 처리의 처리 순서의 다른 예를 나타내는 플로우차트이다. 1 is a view showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the first embodiment.
2 is a diagram showing a schematic configuration of a processing unit.
3 is a schematic cross-sectional view showing a specific configuration example of the processing unit.
4 is a schematic plan view of the first peripheral wall portion.
5 is a cross-sectional view taken along the line VV in Fig.
FIG. 6A is a cross-sectional view taken along the line VI-VI of FIG. 4, and shows a state of cleaning in a state in which the first liquid is in the lowered state.
FIG. 6B is a view showing a state of cleaning in a state in which the first water amount is increased. FIG.
Fig. 7 is a flowchart showing a processing procedure of processing executed by the substrate processing system according to the first embodiment.
8 is a flowchart showing an example of a processing procedure of a cleaning process of the first peripheral wall portion executed in the substrate processing system.
9 is a schematic plan view of the first peripheral wall portion in the first modification.
10 is an enlarged longitudinal sectional view showing the vicinity of the discharge port of the cleaning liquid supply pipe in the second modification.
11 is a diagram showing an example of the relationship between the distance from the discharge port of the portion to be cleaned and the flow rate of the cleaning liquid.
12A is a schematic cross-sectional view showing a first peripheral wall portion in a third modification.
12B is a schematic sectional view showing the first peripheral wall portion in the fourth modification.
13 is a schematic bottom view of the back surface of the holding portion according to the second embodiment.
14A is a schematic bottom view showing an enlarged view of the first fixing portion.
14B is a schematic bottom view showing a first fixing portion according to a comparative example.
15 is a sectional view taken along the line XV-XV in Fig.
16 is a schematic bottom view showing an enlarged view of the second fixing portion.
Fig. 17 is a sectional view taken along line XVII-XVII in Fig. 13. Fig.
18 is a schematic plan view of the first peripheral wall portion in the third embodiment.
Fig. 19 is an enlarged plan view of Fig. 18; Fig.
20 is a sectional view taken along the line XX-XX in Fig.
21 is a schematic plan view of the first peripheral wall portion in the fourth embodiment.
22 is an enlarged plan view of the schematic of Fig.
Fig. 23 is a sectional view taken along line XXIII-XXIII in Fig. 22. Fig.
Fig. 24 is a flowchart showing another example of the processing procedure of the cleaning process.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시형태를 상세히 설명한다. 또, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 본 발명이 한정되지는 않는다. Hereinafter, embodiments of the substrate processing apparatus and the substrate processing method disclosed by the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is not limited to the embodiments described below.

<1. 기판 처리 시스템의 구성><1. Configuration of substrate processing system>

(제1 실시형태)(First Embodiment)

도 1은, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직(鉛直) 상향 방향으로 한다. 1 is a view showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the present embodiment. Hereinafter, in order to clarify the positional relationship, X-axis, Y-axis and Z-axis orthogonal to each other are defined, and the Z-axis normal direction is set to the vertical (vertical) direction.

도 1에 나타낸 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입 반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입 반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 설치된다. As shown in Fig. 1, the substrate processing system 1 includes a loading / unloading station 2 and a processing station 3. The loading and unloading station 2 and the processing station 3 are installed adjacent to each other.

반입 반출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수매의 기판, 본 실시형태에서는 반도체 웨이퍼(이하. 웨이퍼(W))를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다. The loading and unloading station 2 includes a carrier arrangement section 11 and a carry section 12. [ A plurality of carriers C for horizontally accommodating a plurality of substrates, in this embodiment, semiconductor wafers (hereinafter referred to as wafers W), are arranged in the carrier arrangement portion 11. [

반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 설치되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. The carry section 12 is provided adjacent to the carrier arrangement section 11 and includes a substrate transfer apparatus 13 and a transfer section 14 therein. The substrate transfer device 13 is provided with a wafer holding mechanism for holding the wafer W. The substrate transfer device 13 is capable of moving in the horizontal and vertical directions and turning around the vertical axis and is capable of transferring the wafer W between the carrier C and the transfer part 14 by using the wafer holding mechanism. .

처리 스테이션(3)은 반송부(12)에 인접하여 설치된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 나란히 설치된다. The processing station 3 is installed adjacent to the carry section 12. The processing station 3 includes a carry section 15 and a plurality of processing units 16. The plurality of processing units 16 are installed side by side on both sides of the carry section 15. [

반송부(15)는 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. The carry section (15) has a substrate transfer apparatus (17) therein. The substrate transfer device 17 is provided with a wafer holding mechanism for holding the wafer W. The substrate transfer apparatus 17 is capable of moving in the horizontal and vertical directions and turning around the vertical axis and is capable of transferring the wafer W between the transfer unit 14 and the processing unit 16 W).

처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 정해진 기판 처리를 행한다. The processing unit 16 performs predetermined substrate processing on the wafer W carried by the substrate transfer device 17. [

또한, 기판 처리 시스템(1)은 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 판독하여 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다. In addition, the substrate processing system 1 includes a control device 4. The control device 4 is, for example, a computer and includes a control unit 18 and a storage unit 19. [ In the storage unit 19, a program for controlling various processes executed in the substrate processing system 1 is stored. The control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 19. [

또, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것이며, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로는, 예를 들면 하드디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다. Such a program is recorded in a storage medium readable by a computer and may be installed in the storage unit 19 of the control apparatus 4 from the storage medium. Examples of the storage medium readable by a computer include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), a memory card and the like.

상기와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 우선 반입 반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어 처리 유닛(16)에 반입된다. The substrate transfer apparatus 13 of the loading and unloading station 2 takes out the wafer W from the carrier C arranged in the carrier arrangement section 11, And the taken-out wafer W is placed in the transfer part 14. [ The wafer W placed on the transfer section 14 is taken out of the transfer section 14 by the substrate transfer apparatus 17 of the processing station 3 and brought into the processing unit 16.

처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)로 복귀된다. The wafer W carried into the processing unit 16 is processed by the processing unit 16 and then taken out of the processing unit 16 by the substrate transfer device 17 and placed in the transfer part 14. [ The processed wafers W placed on the transfer unit 14 are returned to the carrier C of the carrier placement unit 11 by the substrate transfer device 13. [

다음으로, 기판 처리 시스템(1)의 처리 유닛(16)의 개략 구성에 관해 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는, 처리 유닛(16)의 개략 구성을 나타내는 도면이다. Next, a schematic configuration of the processing unit 16 of the substrate processing system 1 will be described with reference to Fig. Fig. 2 is a diagram showing a schematic configuration of the processing unit 16. Fig.

도 2에 나타낸 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 챔버(20)와, 기판 유지 기구(30)와, 처리 유체 공급부(40)와, 회수컵(50)을 구비한다. 2, the processing unit 16 includes a chamber 20, a substrate holding mechanism 30, a processing fluid supply unit 40, and a recovery cup 50.

챔버(20)는, 기판 유지 기구(30)와 처리 유체 공급부(40)와 회수컵(50)을 수용한다. 챔버(20)의 천장부에는, FFU(Fan Filter Unit)(21)이 설치된다. FFU(21)는 챔버(20) 내에 다운플로우를 형성한다. The chamber 20 accommodates the substrate holding mechanism 30, the processing fluid supply unit 40, and the recovery cup 50. An FFU (Fan Filter Unit) 21 is provided on the ceiling portion of the chamber 20. The FFU 21 forms a downflow in the chamber 20.

기판 유지 기구(30)는, 유지부(31)와, 지주부(32)와, 구동부(33)를 구비한다. 유지부(31)는 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 지주부(32)는, 연직 방향으로 연장되는 부재이며, 기단부(基端部)가 구동부(33)에 의해 회전 가능하게 지지되고, 선단부에 있어서 유지부(31)를 수평으로 지지한다. 구동부(33)는 지주부(32)를 연직축 둘레에 회전시킨다. 이러한 기판 유지 기구(30)는, 구동부(33)를 이용하여 지주부(32)를 회전시킴으로써 지주부(32)에 지지된 유지부(31)를 회전시키고, 이에 따라, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다. The substrate holding mechanism 30 includes a holding portion 31, a holding portion 32, and a driving portion 33. The holding portion 31 holds the wafer W horizontally. The support portion 32 is a member extending in the vertical direction and has a proximal end rotatably supported by the driving portion 33 and horizontally supporting the holding portion 31 at the distal end portion. The driving portion 33 rotates the support portion 32 around the vertical axis. The substrate holding mechanism 30 rotates the holding portion 31 supported by the holding portion 32 by rotating the holding portion 32 by using the driving portion 33 and thereby rotates the holding portion 31 Thereby rotating the held wafer W.

처리 유체 공급부(40)는, 웨이퍼(W)에 대하여 처리 유체를 공급한다. 처리 유체 공급부(40)는, 처리 유체 공급원(70)에 접속된다. The treatment fluid supply part 40 supplies a treatment fluid to the wafer W. The treatment fluid supply part 40 is connected to the treatment fluid supply source 70.

회수컵(50)은, 유지부(31)를 둘러싸도록 배치되어, 유지부(31)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산되는 처리액을 포집한다. 회수컵(50)의 바닥부에는 배액구(51)가 형성되어 있고, 회수컵(50)에 의해 포집된 처리액은, 이러한 배액구(51)로부터 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. 또한, 회수컵(50)의 바닥부에는, FFU(21)로부터 공급되는 기체를 처리 유닛(16)의 외부로 배출하는 배기구(52)가 형성된다. The recovery cup 50 is disposed so as to surround the holding portion 31 and collects the treatment liquid scattered from the wafer W by the rotation of the holding portion 31. A drain port 51 is formed at the bottom of the recovery cup 50. The treatment liquid trapped by the recovery cup 50 is discharged from the drain port 51 to the outside of the processing unit 16. An exhaust port 52 for discharging the gas supplied from the FFU 21 to the outside of the processing unit 16 is formed at the bottom of the recovery cup 50.

<2. 처리 유닛의 구체적 구성><2. Specific Configuration of Processing Unit>

다음으로, 상기 처리 유닛(16)의 구성에 관해 도 3을 참조하여 보다 구체적으로 설명한다. 도 3은, 처리 유닛(16)의 구체적인 구성예를 나타내는 모식 단면도이다.Next, the configuration of the processing unit 16 will be described more specifically with reference to FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a specific configuration example of the processing unit 16. As shown in Fig.

도 3에 나타낸 바와 같이, FFU(21)에는, 밸브(22)를 통해 불활성 가스 공급원(23)이 접속된다. FFU(21)는, 불활성 가스 공급원(23)으로부터 공급되는 N2 가스 등의 불활성 가스를 다운플로우 가스로서 챔버(20) 내에 토출한다. 이와 같이, 다운플로우 가스로서 불활성 가스를 이용함으로써, 웨이퍼(W)가 산화하는 것을 방지할 수 있다. As shown in Fig. 3, an inert gas supply source 23 is connected to the FFU 21 via a valve 22. The FFU 21 discharges an inert gas such as N 2 gas supplied from an inert gas supply source 23 as a downflow gas into the chamber 20. As described above, by using an inert gas as the downflow gas, it is possible to prevent the wafer W from being oxidized.

기판 유지 기구(30)의 유지부(31)의 상면에는, 웨이퍼(W)를 측면으로부터 유지하는 유지 부재(311)가 설치된다. 웨이퍼(W)는, 이러한 유지 부재(311)에 의해 유지부(31)의 상면으로부터 약간 이격된 상태로 수평 유지된다. On the upper surface of the holding portion 31 of the substrate holding mechanism 30, a holding member 311 for holding the wafer W from the side surface is provided. The wafer W is horizontally held by the holding member 311 in a state slightly spaced from the upper surface of the holding portion 31. [

처리 유체 공급부(40)는, 노즐(41)과, 노즐(41)을 수평으로 지지하는 아암(42)과, 아암(42)을 선회 및 승강시키는 선회 승강 기구(43)를 구비한다. 노즐(41)에는, 도시하지 않은 배관의 일단이 접속되고, 이러한 배관의 타단은 복수 개로 분기되어 있다. 그리고, 분기된 배관의 각 단부에는, 각각 알칼리계 처리액 공급원(70a), 산계(酸系) 처리액 공급원(70b), 유기계 처리액 공급원(70c) 및 DIW 공급원(70d)이 접속된다. 또한, 각 공급원(70a∼70d)과 노즐(41)의 사이에는 밸브(60a∼60d)가 설치된다. The processing fluid supply section 40 includes a nozzle 41, an arm 42 for horizontally supporting the nozzle 41, and a swirl lifting mechanism 43 for swinging and lifting the arm 42. One end of a pipe (not shown) is connected to the nozzle 41, and the other end of the pipe is branched into a plurality of pipes. An alkaline processing solution supply source 70a, an acid system processing solution supply source 70b, an organic processing solution supply source 70c and a DIW supply source 70d are connected to the respective ends of the branched piping. In addition, valves 60a to 60d are provided between the respective sources 70a to 70d and the nozzle 41, respectively.

처리 유체 공급부(40)는, 상기 각 공급원(70a∼70d)으로부터 공급되는 알칼리계 처리액, 산계 처리액, 유기계 처리액 및 DIW(상온의 순수)를 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 공급하여 웨이퍼(W)를 액처리한다. The processing fluid supply unit 40 supplies the alkaline processing solution, the acid processing solution, the organic processing solution and DIW (pure water at room temperature) supplied from the respective sources 70a to 70d to the surface of the wafer W So that the wafer W is subjected to liquid treatment.

또, 상기에서는, 웨이퍼(W)의 표면을 액처리하도록 했지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 웨이퍼(W)의 이면이나 주연부를 액처리하도록 구성해도 좋다. 또한, 본 실시형태에서는, 알칼리계 처리액, 산계 처리액, 유기계 처리액 및 DIW가 하나의 노즐(41)로부터 공급되는 것으로 하지만, 처리 유체 공급부(40)는, 각 처리액에 대응하는 복수의 노즐을 구비하고 있어도 좋다. In the above description, the surface of the wafer W is subjected to the liquid treatment. However, the present invention is not limited thereto. For example, the back surface and the peripheral portion of the wafer W may be subjected to liquid treatment. In this embodiment, although the alkali-based treatment liquid, the acid-based treatment liquid, the organic-based treatment liquid, and the DIW are supplied from one nozzle 41, the treatment fluid supply unit 40 is provided with a plurality of It may be provided with a nozzle.

유지부(31)의 주연부에는, 유지부(31)와 함께 일체적으로 회전하는 제1, 제2 회전컵(101, 102)이 설치된다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 제2 회전컵(102)은 제1 회전컵(101)보다 내측에 배치된다. First and second rotating cups 101 and 102 integrally rotating together with the holding portion 31 are provided on the peripheral portion of the holding portion 31. [ As shown in Fig. 3, the second rotating cup 102 is disposed inside the first rotating cup 101. As shown in Fig.

이들 제1 회전컵(101)이나 제2 회전컵(102)은, 전체적으로는 링형으로 형성된다. 제1, 제2 회전컵(101, 102)은, 유지부(31)와 함께 회전되면, 회전하는 웨이퍼(W)로부터 비산된 처리액을 회수컵(50)으로 안내한다. The first rotating cup 101 and the second rotating cup 102 are formed in a ring shape as a whole. The first and second rotating cups 101 and 102 guide the processing liquid scattered from the rotating wafer W to the recovery cup 50 when the first and second rotating cups 101 and 102 are rotated together with the holding portion 31.

회수컵(50)은, 유지부(31)에 의해 유지되어 회전하는 웨이퍼(W)의 회전 중심에 가까운 내측으로부터 순서대로, 제1 컵(50a)과 제2 컵(50b)과 제3 컵(50c)을 구비한다. 또한, 회수컵(50)은, 제1 컵(50a)의 내주측에, 웨이퍼(W)의 회전 중심을 중심으로 하는 원통형의 내벽부(54d)를 구비한다. The recovery cup 50 includes a first cup 50a, a second cup 50b, and a third cup 50b which are held by the holding portion 31 and arranged in this order from the inner side close to the rotation center of the rotating wafer W 50c. The recovery cup 50 also has a cylindrical inner wall portion 54d on the inner circumferential side of the first cup 50a with the center of rotation of the wafer W as the center.

제1∼제3 컵(50a∼50c) 및 내벽부(54d)는, 회수컵(50)의 바닥부(53)의 위에 설치된다. 구체적으로, 제1 컵(50a)은, 제1 둘레벽부(54a)와 제1 액수용부(55a)를 구비한다. The first to third cups 50a to 50c and the inner wall portion 54d are provided on the bottom portion 53 of the recovery cup 50. [ Specifically, the first cup 50a includes a first peripheral wall portion 54a and a first liquid supply portion 55a.

제1 둘레벽부(54a)는, 바닥부(53)로부터 세워져 설치되고, 통형상(예컨대, 원통형)으로 형성된다. 제1 둘레벽부(54a)와 내벽부(54d)의 사이에는 공간이 형성되고, 이러한 공간은, 처리액 등을 회수하여 배출하기 위한 제1 배액홈(501a)이 된다. 제1 액수용부(55a)는, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)의 상측에 설치된다. The first peripheral wall portion 54a is installed upright from the bottom portion 53 and is formed into a cylindrical shape (e.g., a cylindrical shape). A space is formed between the first peripheral wall portion 54a and the inner wall portion 54d, and this space becomes the first drainage groove 501a for recovering and discharging the processing liquid and the like. The first liquid supply portion 55a is provided on the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a.

또한, 제1 컵(50a)은 제1 승강 기구(56)를 구비하고, 이러한 제1 승강 기구(56)에 의해 승강 가능하게 구성된다. 자세하게는, 제1 승강 기구(56)는, 제1 지지 부재(56a)와 제1 승강 구동부(56b)를 구비한다. The first cup 50a is provided with a first lifting mechanism 56 and is configured to be movable up and down by the first lifting mechanism 56. [ Specifically, the first lifting mechanism 56 includes a first supporting member 56a and a first lifting drive portion 56b.

제1 지지 부재(56a)는, 복수(예컨대 3개. 도 3에서는 1개만 도시)의 길이가 긴 부재이다. 제1 지지 부재(56a)는, 제1 둘레벽부(54a) 내에 형성되는 삽입 관통 구멍에 이동 가능하게 삽입 관통된다. 또, 제1 지지 부재(56a)로는, 예를 들면 원기둥형의 로드를 이용할 수 있지만, 이것으로 한정되지는 않는다. The first supporting member 56a is a long member having a plurality of (for example, three, only one is shown in Fig. 3). The first support member 56a is movably inserted through the insertion hole formed in the first peripheral wall portion 54a. As the first support member 56a, for example, a cylindrical rod can be used, but the present invention is not limited to this.

제1 지지 부재(56a)는, 상단이 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)로부터 노출되도록 위치되고, 제1 액수용부(55a)의 하면에 접속되어 제1 액수용부(55a)를 하측으로부터 지지한다. 한편, 제1 지지 부재(56a)의 하단에는 제1 승강 구동부(56b)가 접속된다. The first support member 56a is positioned such that the upper end thereof is exposed from the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a and connected to the lower surface of the first liquid supply portion 55a to connect the first liquid supply portion 55a to the lower side . On the other hand, the first elevation drive part 56b is connected to the lower end of the first support member 56a.

제1 승강 구동부(56b)는 제1 지지 부재(56a)를 예를 들면 Z축 방향으로 승강시키고, 이에 따라 제1 지지 부재(56a)는 제1 액수용부(55a)를 제1 둘레벽부(54a)에 대하여 승강시킨다. 또, 제1 승강 구동부(56b)로는 에어 실린더를 이용할 수 있다. 또한, 제1 승강 구동부(56b)는 제어 장치(4)에 의해 제어된다. The first supporting member 56a moves the first supporting member 56a up and down in the Z axis direction and the first supporting member 56a moves the first liquid receiving portion 55a to the first peripheral wall portion 54a . An air cylinder may be used as the first lift driving part 56b. Further, the first elevation driving section 56b is controlled by the control device 4. [

제1 승강 구동부(56b)에 의해 구동되는 제1 액수용부(55a)는, 회전하는 웨이퍼(W)로부터 비산된 처리액을 받는 처리 위치와, 처리 위치로부터 하방측으로 후퇴한 후퇴 위치의 사이에서 이동되게 된다. The first liquid supply portion 55a driven by the first lift driving portion 56b is moved between a processing position for receiving the processing liquid scattered from the rotating wafer W and a retreat position for retracting downward from the processing position, .

자세하게는, 제1 액수용부(55a)가 처리 위치에 있을 때, 제1 액수용부(55a)의 상단의 내측에 개구가 형성되고, 개구로부터 제1 배액홈(501a)으로 통하는 유로가 형성된다. Specifically, when the first liquid supply portion 55a is in the processing position, an opening is formed inside the upper end of the first liquid supply portion 55a, and a flow path from the opening to the first liquid supply groove 501a is formed.

한편, 도 3에 나타낸 바와 같이, 내벽부(54d)는, 유지부(31)의 주연부를 향해 경사지도록 하여 연장되어 설치되는 연장 설치부(54d1)를 구비한다. 제1 액수용부(55a)는, 후퇴 위치에 있을 때, 내벽부(54d)의 연장 설치부(54d1)에 접촉하고, 상단 내측의 개구가 폐쇄되어 제1 배액홈(501a)으로 통하는 유로가 폐색된다. 3, the inner wall portion 54d includes an extending portion 54d1 which is extended to be inclined toward the peripheral edge of the holding portion 31. In addition, as shown in Fig. The first liquid supply portion 55a comes into contact with the extension portion 54d1 of the inner wall portion 54d when the first liquid supply portion 55a is at the retracted position and the opening at the upper end is closed to close the flow path to the first liquid supply groove 501a do.

제2 컵(50b)은, 제1 컵(50a)과 동일한 구성이다. 구체적으로는, 제2 컵(50b)은, 제2 둘레벽부(54b)와 제2 액수용부(55b)와 제2 승강 기구(57)를 구비하고, 제1 컵(50a)의 제1 둘레벽부(54a)측에 인접하여 배치된다. The second cup 50b has the same configuration as the first cup 50a. Specifically, the second cup 50b includes a second peripheral wall portion 54b, a second liquid supply portion 55b, and a second lifting mechanism 57, and the first cup 50a has a first peripheral wall portion 54b, (54a) side.

제2 둘레벽부(54b)는, 바닥부(53)에 있어서 제1 둘레벽부(54a)의 외주측에 세워져 설치되고, 통형상으로 형성된다. 그리고, 제2 둘레벽부(54b)와 제1 둘레벽부(54a) 사이에 형성되는 공간이, 처리액 등을 회수하여 배출하기 위한 제2 배액홈(501b)이 된다. The second peripheral wall portion 54b is disposed on the outer peripheral side of the first peripheral wall portion 54a at the bottom portion 53 and is formed in a cylindrical shape. A space formed between the second peripheral wall portion 54b and the first peripheral wall portion 54a serves as a second drainage groove 501b for recovering and discharging the processing liquid and the like.

제2 액수용부(55b)는, 제1 액수용부(55a)의 외주측에 위치되고, 제2 둘레벽부(54b)의 상면(54b1)의 상측에 설치된다. The second liquid supply portion 55b is located on the outer peripheral side of the first liquid supply portion 55a and is provided above the upper surface 54b1 of the second peripheral wall portion 54b.

제2 승강 기구(57)는, 제2 지지 부재(57a)와 제2 승강 구동부(57b)를 구비한다. 제2 지지 부재(57a)는, 복수(예컨대 3개. 도 3에서는 1개만 도시)의 길이가 긴 부재이며, 제2 둘레벽부(54b) 내에 형성되는 삽입 관통 구멍에 이동 가능하게 삽입 관통된다. 또, 제2 지지 부재(57a)로는, 예를 들면 원기둥형의 로드를 이용할 수 있지만, 이것으로 한정되지는 않는다. The second lifting mechanism 57 includes a second supporting member 57a and a second lifting drive portion 57b. The second support member 57a is a long member having a plurality of (for example, three, only one is shown in Fig. 3) and is inserted through the insertion through hole formed in the second peripheral wall portion 54b. As the second support member 57a, for example, a cylindrical rod can be used, but the present invention is not limited to this.

제2 지지 부재(57a)는, 상단이 제2 둘레벽부(54b)의 상면(54b1)으로부터 노출되도록 위치되고, 제2 액수용부(55b)의 하면에 접속되어 제2 액수용부(55b)를 하측으로부터 지지한다. 또, 제2 둘레벽부(54b)의 상면(54b1)은, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 대하여 연직 방향에 있어서 하측이 되도록 위치된다. The second support member 57a is positioned so that the upper end thereof is exposed from the upper surface 54b1 of the second peripheral wall portion 54b and connected to the lower surface of the second liquid supply portion 55b to connect the second liquid supply portion 55b to the lower side . The upper surface 54b1 of the second peripheral wall portion 54b is positioned below the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a in the vertical direction.

제2 지지 부재(57a)의 하단에는 제2 승강 구동부(57b)가 접속된다. 제2 승강 구동부(57b)는, 제2 지지 부재(57a)를 예를 들면 Z축 방향으로 승강시킨다. 이에 따라, 제2 지지 부재(57a)는, 제2 액수용부(55b)를 제2 둘레벽부(54b)에 대하여 승강시킨다. A second lift driving portion 57b is connected to the lower end of the second support member 57a. The second lifting and lowering drive portion 57b lifts the second supporting member 57a in the Z-axis direction, for example. Thus, the second support member 57a moves the second liquid supply portion 55b to the second peripheral wall portion 54b.

또, 제2 승강 구동부(57b)로는 에어 실린더를 이용할 수 있다. 또한, 제2 승강 구동부(57b)도 제어 장치(4)에 의해 제어된다. An air cylinder can be used as the second lifting and lowering drive portion 57b. Further, the second elevation driving section 57b is also controlled by the control device 4. [

그리고, 제2 액수용부(55b)도 처리 위치와 후퇴 위치의 사이에서 이동되게 된다. 자세하게는, 제2 액수용부(55b)가 처리 위치에 있고, 또한, 제1 액수용부(55a)가 후퇴 위치에 있을 때, 제2 액수용부(55b)의 상단의 내측에 개구가 형성되고, 개구로부터 제2 배액홈(501b)으로 통하는 유로가 형성된다. Then, the second liquid supply portion 55b is also moved between the processing position and the retreat position. More specifically, when the second liquid supply portion 55b is in the processing position and the first liquid supply portion 55a is in the retreat position, an opening is formed inside the upper end of the second liquid supply portion 55b, A flow path from the second drainage groove 501b to the second drainage groove 501b is formed.

한편, 도 3에 나타낸 바와 같이, 제2 액수용부(55b)는, 후퇴 위치에 있을 때 제1 액수용부(55a)에 접촉하고, 상단 내측의 개구가 폐쇄되어 제2 배액홈(501b)으로 통하는 유로가 폐색된다. 또, 상기에서는, 후퇴 위치의 제2 액수용부(55b)는 제1 액수용부(55a)에 접촉하도록 했지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 내벽부(54d)에 접촉하여 상단 내측의 개구를 폐쇄하도록 해도 좋다. On the other hand, as shown in Fig. 3, the second liquid supply portion 55b comes into contact with the first liquid supply portion 55a when it is in the retreat position, and the opening at the upper end inside is closed to pass through the second liquid supply groove 501b The flow path is closed. In the above, the second liquid supply portion 55b at the retreated position is in contact with the first liquid supply portion 55a, but the present invention is not limited thereto. For example, the second liquid supply portion 55b may be in contact with the inner wall portion 54d, It may be closed.

제3 컵(50c)은, 제3 둘레벽부(54c)와 제3 액수용부(55c)를 구비하고, 제2 컵(50b)에 대하여 제1 컵(50a)과는 반대측에 인접하여 배치된다. 제3 둘레벽부(54c)는, 바닥부(53)에 있어서 제2 둘레벽부(54b)의 외주측에 세워져 설치되고, 통형상으로 형성된다. 그리고, 제3 둘레벽부(54c)와 제2 둘레벽부(54b) 사이의 공간이, 처리액 등을 회수하여 배출하기 위한 제3 배액홈(501c)이 된다. The third cup 50c includes a third peripheral wall portion 54c and a third liquid receiving portion 55c and is disposed adjacent to the second cup 50b on the side opposite to the first cup 50a. The third peripheral wall portion 54c is provided on the outer peripheral side of the second peripheral wall portion 54b at the bottom portion 53 and is formed in a cylindrical shape. The space between the third peripheral wall portion 54c and the second peripheral wall portion 54b becomes the third drainage groove 501c for recovering and discharging the processing liquid and the like.

제3 액수용부(55c)는, 제3 둘레벽부(54c)의 상단으로부터 연속하도록 형성된다. 제3 액수용부(55c)는, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸고, 제1 액수용부(55a)나 제2 액수용부(55b)의 상측까지 연장되도록 형성된다. The third liquid supply portion 55c is formed continuously from the upper end of the third peripheral wall portion 54c. The third liquid supply portion 55c surrounds the periphery of the wafer W held by the holding portion 31 and is formed so as to extend to the upper side of the first liquid supply portion 55a and the second liquid supply portion 55b.

제3 액수용부(55c)는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 제1, 제2 액수용부(55a, 55b)가 함께 후퇴 위치에 있을 때, 제3 액수용부(55c)의 상단의 내측에 개구가 형성되고, 개구로부터 제3 배액홈(501c)으로 통하는 유로가 형성된다. 3, when the first and second liquid supply portions 55a and 55b are in the retracted position together, the third liquid supply portion 55c has an opening at the inside of the upper end of the third liquid supply portion 55c And a flow path from the opening to the third drainage groove 501c is formed.

한편, 제3 액수용부(55c)는, 제2 액수용부(55b)가 상승된 위치에 있는 경우, 또는 제1 액수용부(55a) 및 제2 액수용부(55b)의 양방이 상승된 위치에 있는 경우, 제2 액수용부(55b)가 접촉하고, 상단 내측의 개구가 폐쇄되어 제3 배액홈(501c)으로 통하는 유로가 폐색된다. On the other hand, when the second liquid supply portion 55b is in the raised position or both the first liquid supply portion 55a and the second liquid supply portion 55b are in the raised position , The second liquid supply portion 55b is brought into contact, and the opening at the upper end inside is closed to close the flow path to the third liquid supply groove 501c.

상기 제1∼제3 컵(50a∼50c)에 대응하는 바닥부(53), 정확하게는 제1∼제3 배액홈(501a∼501c)에 대응하는 바닥부(53)에는 각각, 배액구(51a∼51c)가 회수컵(50)의 원주 방향을 따라서 간격을 두면서 형성된다. The bottom part 53 corresponding to the first to third cups 50a to 50c and the bottom part 53 corresponding to the first to third draining grooves 501a to 501c are provided with a drain port 51a 51c are formed at intervals along the circumferential direction of the recovery cup 50. [

여기서, 배액구(51a)로부터 배출되는 처리액이 산계 처리액, 배액구(51b)로부터 배출되는 처리액이 알칼리계 처리액, 배액구(51c)로부터 배출되는 처리액이 유기계 처리액인 경우를 예를 들어 설명한다. 또, 상기 각 배액구(51a∼51c)로부터 배출되는 처리액의 종류는, 어디까지나 예시이며 한정되지는 않는다. Here, the case where the treatment liquid discharged from the liquid discharge port 51a is the acid-based treatment liquid, the treatment liquid discharged from the liquid discharge port 51b is the alkali-based treatment liquid, and the treatment liquid discharged from the liquid discharge port 51c is the organic- For example, The types of treatment liquids discharged from the respective drain ports 51a to 51c are merely exemplary and not limitative.

배액구(51a)는 배액관(91a)에 접속된다. 배액관(91a)은, 도중에 밸브(62a)가 개삽(介揷)되고, 이러한 밸브(62a)의 위치에서 제1 배액관(91a1)과 제2 배액관(91a2)으로 분기된다. 또, 밸브(62a)로는, 예를 들면, 폐밸브 위치와, 배출 경로를 제1 배액관(91a1)측으로 개방하는 위치와, 제2 배액관(91a2)측으로 개방하는 위치의 사이에서 전환 가능한 3방 밸브를 이용할 수 있다. The liquid drainage port 51a is connected to the drain pipe 91a. A valve 62a is interposed in the drain pipe 91a and branches to the first drain pipe 91a1 and the second drain pipe 91a2 at the position of the valve 62a. The valve 62a may be a three-way valve capable of switching between a position for opening the waste valve position and a discharge path to the first drain pipe 91a1 and a position for opening to the second drain pipe 91a2, for example, Can be used.

상기 산계 처리액이 재이용 가능한 경우, 제1 배액관(91a1)은 산계 처리액 공급원(70b)(예를 들면, 산계 처리액을 저류하는 탱크)에 접속되고, 배액을 산계 처리액 공급원(70b)으로 복귀시킨다. 즉, 제1 배액관(91a1)은 순환 라인으로서 기능한다. 또, 제2 배액관(91a2)에 관해서는 후술한다. When the acid-based treatment liquid is reusable, the first drainage pipe 91a1 is connected to the acid-based treatment liquid supply source 70b (for example, a tank for storing the acid-based treatment liquid), and the drain is connected to the acidic treatment liquid supply source 70b Return. That is, the first drain tube 91a1 functions as a circulation line. The second drain tube 91a2 will be described later.

배액구(51b)는 배액관(91b)에 접속된다. 배액관(91b)의 도중에는 밸브(62b)가 개삽된다. 또한, 배액구(51c)는 배액관(91c)에 접속된다. 배액관(91c)의 도중에는 밸브(62c)가 개삽(介揷)된다. 또, 밸브(62b, 62c)는 제어 장치(4)에 의해 제어된다. The liquid drainage port 51b is connected to the drain pipe 91b. A valve 62b is inserted in the middle of the drain tube 91b. Further, the liquid drainage port 51c is connected to the drain pipe 91c. A valve 62c is interposed in the middle of the drain tube 91c. The valves 62b and 62c are controlled by the control device 4. [

그리고, 처리 유닛(16)은, 기판 처리를 행할 때, 기판 처리중의 각 처리에서 사용하는 처리액의 종류 등에 따라서, 제1 컵(50a)의 제1 액수용부(55a)나 제2 컵(50b)의 제2 액수용부(55b)를 승강시켜 배액구(51a∼51c)의 전환을 실행한다. When the substrate processing is performed, the processing unit 16 controls the first liquid supply portion 55a and the second liquid supply portion 55a of the first cup 50a in accordance with the type of the processing liquid used in each processing during the processing of the substrate The second liquid supply portion 55b of the first liquid supply port 50b is moved up and down to switch the liquid supply ports 51a to 51c.

예를 들면, 산계 처리액을 웨이퍼(W)에 토출하여 웨이퍼(W)를 처리하는 경우, 제어 장치(4)는, 기판 유지 기구(30)의 구동부(33)를 제어하여 유지부(31)를 정해진 회전 속도로 회전시킨 상태로 밸브(60b)를 개방한다. The control device 4 controls the driving part 33 of the substrate holding mechanism 30 so as to move the holding part 31 to the position where the wafer W is to be processed, The valve 60b is opened in a state in which the valve 60b is rotated at a predetermined rotational speed.

이 때, 제어 장치(4)는 제1 컵(50a)을 상승시켜 놓는다. 즉, 제어 장치(4)는, 제1, 제2 승강 구동부(56b, 57b)를 통해 제1, 제2 지지 부재(56a, 57a)를 상승시키고, 제1 액수용부(55a)를 처리 위치까지 상승시킴으로써, 제1 액수용부(55a)의 상단 내측의 개구로부터 제1 배액홈(501a)으로 통하는 유로를 형성해 놓는다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 공급된 산계 처리액은, 하측으로 흘러 제1 배액홈(501a)에 유입되게 된다. At this time, the controller 4 raises the first cup 50a. That is, the control device 4 raises the first and second support members 56a and 57a through the first and second lift driving portions 56b and 57b and moves the first liquid supply portion 55a to the processing position So that a flow path from the opening at the upper end inside the first liquid supply portion 55a to the first liquid supply groove 501a is formed. As a result, the acid processing solution supplied to the wafer W flows downward and flows into the first drainage groove 501a.

또한, 제어 장치(4)는, 밸브(62a)를 제어하여 배출 경로를 제1 배액관(91a1)측으로 개방하도록 해 놓는다. 이에 따라, 제1 배액홈(501a)에 유입된 산계 처리액은, 배액관(91a) 및 제1 배액관(91a1)을 통해 산계 처리액 공급원(70b)으로 복귀된다. 그리고, 산계 처리액 공급원(70b)에 복귀된 산계 처리액은, 웨이퍼(W)에 다시 공급된다. 이와 같이, 제1 컵(50a)은, 회수한 산계 처리액을 순환시켜 웨이퍼(W)에 다시 공급하는 순환 라인에 접속된다. Further, the control device 4 controls the valve 62a to open the discharge path to the first drain tube 91a1 side. Thus, the acidic treatment liquid introduced into the first drainage groove 501a is returned to the acidic treatment liquid supply source 70b through the drain pipe 91a and the first drain pipe 91a1. Then, the acidic treatment liquid returned to the acidic treatment liquid supply source 70b is supplied again to the wafer W. Thus, the first cup 50a is connected to the circulation line for circulating the recovered acid-based treatment liquid to supply it to the wafer W again.

또한, 예를 들면 알칼리계 처리액을 웨이퍼(W)에 토출하여 웨이퍼(W)를 처리하는 경우, 제어 장치(4)는, 동일하게 구동부(33)를 제어하여 유지부(31)를 정해진 회전 속도로 회전시킨 상태로 밸브(60a)를 개방한다. When the wafer W is processed by discharging the alkaline processing solution onto the wafer W, the controller 4 controls the driving unit 33 to rotate the holding unit 31 in a predetermined rotation And the valve 60a is opened while being rotated at the speed.

이 때, 제어 장치(4)는 제2 컵(50b)만을 상승시켜 놓는다. 즉, 제어 장치(4)는, 제2 승강 구동부(57b)를 통해 제2 지지 부재(57a)를 상승시키고, 제2 액수용부(55b)를 처리 위치까지 상승시킴으로써, 제2 액수용부(55b)의 상단 내측의 개구로부터 제2 배액홈(501b)으로 통하는 유로를 형성해 놓는다. 또, 여기서 제1 컵(50a)은 하강하고 있는 것으로 한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 공급된 알칼리계 처리액은, 하측으로 흘러 제2 배액홈(501b)에 유입되게 된다. At this time, the control device 4 raises only the second cup 50b. That is, the control device 4 raises the second support member 57a through the second lift-up drive portion 57b and raises the second liquid supply portion 55b to the processing position so that the second liquid supply portion 55b, A flow path from the opening on the inside of the upper end to the second drainage groove 501b is formed. Here, it is assumed that the first cup 50a is descending. Thus, the alkali-based treatment liquid supplied to the wafer W flows downward and flows into the second drainage groove 501b.

또한, 제어 장치(4)는 밸브(62b)를 개방해 놓는다. 이에 따라, 제2 배액홈(501b)의 알칼리계 처리액은, 배액관(91b)을 통해 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. 이와 같이, 배액관(91b)은, 회수한 제2 처리액을 처리 유닛(16) 외부로 배출하는 배액 라인으로서 기능한다. 즉, 제2 컵(50b)은 배액 라인에 접속되어 있다. Further, the control device 4 opens the valve 62b. Thus, the alkaline processing solution in the second drainage groove 501b is discharged to the outside of the processing unit 16 through the drain pipe 91b. Thus, the drain pipe 91b functions as a drain line for discharging the recovered second process liquid to the outside of the processing unit 16. [ That is, the second cup 50b is connected to the drain line.

또한, 예를 들면 유기계 처리액을 웨이퍼(W)에 토출하여 웨이퍼(W)를 처리하는 경우, 제어 장치(4)는, 동일하게 구동부(33)를 제어하여 유지부(31)를 정해진 회전 속도로 회전시킨 상태로 밸브(60c)를 개방한다. When the wafer W is processed by discharging the organic processing solution onto the wafer W, the controller 4 controls the drive unit 33 to rotate the holding unit 31 at a predetermined rotation speed The valve 60c is opened.

이 때, 제어 장치(4)는 제1, 제2 컵(50a, 50b)을 하강시켜 놓는다(도 3 참조). 즉, 제어 장치(4)는, 제1, 제2 승강 구동부(56b, 57b)를 통해 제1, 제2 지지 부재(56a, 57a)를 하강시키고, 제1, 제2 액수용부(55a, 55b)를 후퇴 위치까지 하강시킨다. 이와 같이 함으로써, 제3 액수용부(55c)의 상단 내측의 개구로부터 제3 배액홈(501c)으로 통하는 유로를 형성해 놓는다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 공급된 유기계 처리액은, 하측으로 흘러 제3 배액홈(501c)에 유입되게 된다. At this time, the controller 4 moves down the first and second cups 50a and 50b (see FIG. 3). That is, the control device 4 descends the first and second support members 56a and 57a through the first and second lift driving portions 56b and 57b and moves the first and second liquid usage portions 55a and 55b ) To the retreat position. By doing so, a flow path from the opening at the upper end inside of the third liquid supply portion 55c to the third drainage groove 501c is formed. Thus, the organic-based treatment liquid supplied to the wafer W flows downward and flows into the third drainage groove 501c.

또한, 제어 장치(4)는 밸브(62c)를 개방해 놓고, 따라서 제3 배액홈(501c)의 유기계 처리액은, 배액관(91c)을 통해 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. 이와 같이, 제3 컵(50c)도, 회수한 제3 처리액을 처리 유닛(16) 외부로 배출하는 배액 라인(예를 들면, 배액관(91c))에 접속되어 있다. The control device 4 opens the valve 62c so that the organic processing solution in the third drainage groove 501c is discharged to the outside of the processing unit 16 through the drain pipe 91c. Thus, the third cup 50c is also connected to a drain line (for example, a drain pipe 91c) for discharging the recovered third process liquid to the outside of the processing unit 16.

또, 상기 산계 처리액, 알칼리계 처리액, 유기계 처리액 및 세정액의 배출 경로는 예시이며 한정되지는 않는다. 즉, 예를 들면, 각 배액구(51a∼51c)가 1개의 배액관에 접속되고, 1개의 배액관에, 산성이나 알칼리성과 같은 처리액의 성질에 따른 복수개의 밸브가 설치되고, 그 밸브의 위치로부터 배출 경로를 분기시켜도 좋다. The discharge path of the acid treatment solution, the alkali treatment solution, the organic treatment solution and the cleaning solution is not limited and is exemplified. That is, for example, the respective drain ports 51a to 51c are connected to one drain pipe, and a plurality of valves are provided in one drain pipe in accordance with the properties of a treatment liquid such as acidity or alkalinity, The discharge path may be branched.

또한, 배액관(91b)에는, 제1 둘레벽부(54a)에 있어서 제1 지지 부재(56a)가 삽입 관통된 삽입 관통 구멍과 연통하는 배액관(92a)이 접속된다. 배액관(92a)은, 제1 둘레벽부(54a)의 삽입 관통 구멍에 침입한 세정액(후술) 등을 배출하고, 이러한 세정액은, 배액관(91b)을 통해 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. The drain pipe 91b is connected to a drain pipe 92a communicating with the insertion through hole through which the first support member 56a is inserted in the first peripheral wall portion 54a. The drain pipe 92a discharges a cleaning liquid (described later) penetrating the insertion through hole of the first peripheral wall portion 54a and the cleaning liquid is discharged to the outside of the processing unit 16 through the drain pipe 91b.

또한, 배액관(91c)에도, 제2 둘레벽부(54b)에 있어서 제2 지지 부재(57a)가 삽입 관통된 삽입 관통 구멍과 연통하는 배액관(92b)이 접속된다. 배액관(92b)은, 제2 둘레벽부(54b)의 삽입 관통 구멍에 침입한 세정액 등을 배출하고, 이러한 세정액은, 배액관(91c)을 통해 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. The drain pipe 91c is also connected to a drain pipe 92b communicating with the insertion through hole through which the second support member 57a is inserted in the second peripheral wall portion 54b. The drain pipe 92b discharges the cleaning liquid or the like that has entered the insertion through hole of the second peripheral wall portion 54b and the cleaning liquid is discharged to the outside of the processing unit 16 through the drain pipe 91c.

회수컵(50)의 바닥부(53), 제1 둘레벽부(54a) 및 제2 둘레벽부(54b)에는 각각 배기구(52a, 52b, 52c)가 형성된다. 또한, 배기구(52a, 52b, 52c)는 1개의 배기관에 접속되고, 이러한 배기관은 배기의 하류측에 있어서 제1∼제3 배기관(93a∼93c)으로 분기된다. 또한, 제1 배기관(93a)에는 밸브(64a)가 개삽되고, 제2 배기관(93b)에는 밸브(64b)가, 제3 배기관(93c)에는 밸브(64c)가 개삽된다. Outlets 52a, 52b, and 52c are formed in the bottom portion 53, the first peripheral wall portion 54a, and the second peripheral wall portion 54b of the recovery cup 50, respectively. The exhaust ports 52a, 52b and 52c are connected to one exhaust pipe, and these exhaust pipes are branched to the first to third exhaust pipes 93a to 93c on the downstream side of the exhaust pipe. A valve 64a is inserted into the first exhaust pipe 93a and a valve 64b is inserted into the second exhaust pipe 93b and a valve 64c is inserted into the third exhaust pipe 93c.

제1 배기관(93a)은 산성의 배기용 배기관이고, 제2 배기관(93b)은 알칼리성의 배기용, 제3 배기관(93c)은 유기계 배기용의 배기관이다. 이들은, 기판 처리의 각 처리에 따라서 제어 장치(4)에 의해 전환된다. The first exhaust pipe 93a is an acidic exhaust pipe, the second exhaust pipe 93b is an alkaline exhaust pipe, and the third exhaust pipe 93c is an exhaust pipe for organic exhaust. These are switched by the control device 4 in accordance with each processing of the substrate processing.

예를 들면, 산성의 배기를 생성하는 처리의 실행시에는, 제1 배기관(93a)으로의 전환이 제어 장치(4)에 의해 행해지고, 밸브(64a)를 통해 산성의 배기가 배출된다. 마찬가지로, 알칼리성의 배기를 생성하는 처리의 경우, 제2 배기관(93b)으로의 전환이 제어 장치(4)에 의해 행해지고, 밸브(64b)를 통해 알칼리성의 배기가 배출된다. 또한, 유기계 배기를 생성하는 처리의 경우, 제3 배기관(93c)으로의 전환이 제어 장치(4)에 의해 행해지고, 밸브(64c)를 통해 유기계 배기가 배출된다. For example, at the time of executing the process of generating the acidic exhaust, the switching to the first exhaust pipe 93a is performed by the control device 4, and the acidic exhaust gas is discharged through the valve 64a. Similarly, in the case of the treatment for generating the alkaline exhaust, the switching to the second exhaust pipe 93b is performed by the control device 4, and the alkaline exhaust is discharged through the valve 64b. In the case of the treatment for generating the organic exhaust gas, the switching to the third exhaust pipe 93c is performed by the control device 4, and the organic exhaust gas is discharged through the valve 64c.

이하, 본 실시형태에서는, 산계 처리액으로서 BHF(플루오르화수소산과 불화암모늄 용액의 혼합액(완충 플루오르화수소산))이 이용되는 것으로 한다. 또한, 알칼리계 처리액으로는 SC1(암모니아, 과산화수소 및 물의 혼합액), 유기계 처리액으로는 IPA(이소프로필알콜)이 이용되는 것으로 한다. 또, 산계 처리액, 알칼리계 처리액 및 유기계 처리액의 종류는, 이들로 한정되지는 않는다. Hereinafter, in the present embodiment, it is assumed that BHF (mixed liquid of hydrogen fluoride acid and ammonium fluoride solution (buffered hydrofluoric acid)) is used as the acid treatment solution. SC1 (ammonia, a mixture of hydrogen peroxide and water) is used as the alkaline solution, and IPA (isopropyl alcohol) is used as the organic solution. In addition, the kinds of the acid treatment solution, the alkali treatment solution and the organic treatment solution are not limited to these.

그런데, 처리 유닛(16)에 있어서 BHF가 사용되면, BHF의 처리액 분위기나 비산된 BHF가, 예를 들면 제1 액수용부(55a)와 제1 둘레벽부(54a)의 간극에 침입하고, 침입한 BHF의 분위기 등이 건조하여, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 BHF의 결정 등의 이물질이 부착되는 것을 알 수 있었다. 또, 상기와 같은 이물질은, BHF에 한정되지 않고, 그 밖의 종류의 처리액의 경우도 부착될 우려가 있다. However, when BHF is used in the processing unit 16, the BHF processing solution atmosphere and the scattered BHF enter the gap between the first liquid supply portion 55a and the first peripheral wall portion 54a, A BHF atmosphere or the like was dried and foreign matter such as BHF crystals adhered to the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a. In addition, the above-mentioned foreign matter is not limited to BHF but may be adhered to other types of treatment liquids.

따라서, 본 실시형태에 따른 처리 유닛(16)에 있어서는, 제1 컵(50a)의 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 세정액을 공급하는 구성으로 했다. 이에 따라, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 부착된 결정 등의 이물질을 제거할 수 있다. Therefore, in the processing unit 16 according to the present embodiment, the cleaning liquid is supplied to the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a of the first cup 50a. Accordingly, it is possible to remove foreign matters such as crystals adhering to the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a.

<3. 세정액 공급부 및 제1 둘레벽부의 구체적 구성><3. Specific constitution of the cleaning liquid supply part and the first peripheral wall part>

이하, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 세정액을 공급하는 구성에 관해 도 4 이후를 참조하여 자세히 설명한다. 도 4는, 제1 둘레벽부(54a)를 Z축 상측으로부터 본 경우의 모식 평면도이다. 또한, 도 5는, 도 4의 V-V선 모식 단면도이다. 또, 도 5에 있어서는, 이해의 편의를 위해, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 설치되는 제1 액수용부(55a)를 상상선으로 나타냈다. Hereinafter, the structure for supplying the cleaning liquid to the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a will be described in detail with reference to FIG. 4 and subsequent figures. 4 is a schematic plan view of the first peripheral wall portion 54a viewed from the upper side of the Z-axis. 5 is a schematic cross-sectional view taken along line V-V of Fig. In Fig. 5, for convenience of understanding, the first liquid intake portion 55a provided on the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a is indicated by an imaginary line.

도 5에 나타낸 바와 같이, 처리 유닛(16)의 세정액 공급부(80)는, 세정액 공급관(84c)과 밸브(85c)를 더 구비한다. 세정액 공급관(84c)은, 일단이 세정액 공급원(83)에 접속되는 한편, 타단에는 세정액 토출구(85)(이하 「토출구(85)」라고 기재하는 경우가 있음)가 형성된다. 5, the cleaning liquid supply unit 80 of the processing unit 16 further includes a cleaning liquid supply pipe 84c and a valve 85c. One end of the cleaning liquid supply pipe 84c is connected to the cleaning liquid supply source 83 while the other end of the cleaning liquid supply port 84c is formed with a cleaning liquid discharge port 85 (hereinafter sometimes referred to as "discharge port 85").

또한, 도 4, 5에 나타낸 바와 같이, 제1 둘레벽부(54a)는 홈부(58)를 구비한다. 구체적으로는, 홈부(58)는, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)의 내주측에 형성되고, 상면(54a1)에 있어서 둘레 방향을 따라서 형성된다. 보다 구체적으로, 홈부(58)는, 평면시(平面視)에 있어서 고리형이 되도록 형성된다. 또, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 있어서 홈부(58)가 형성되는 위치는 적절히 변경 가능하고, 예를 들면 상면(54a1)의 외주측에 치우쳐 형성되도록 해도 좋다. As shown in Figs. 4 and 5, the first peripheral wall portion 54a has a groove portion 58. Fig. Specifically, the groove 58 is formed on the inner peripheral side of the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a, and is formed along the circumferential direction on the upper surface 54a1. More specifically, the groove 58 is formed to be annular in plan view (in a plan view). The position where the groove 58 is formed on the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a may be appropriately changed and may be formed to be shifted to the outer peripheral side of the upper surface 54a1, for example.

상기 세정액 공급관(84c)의 토출구(85)는, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1) 중, 예를 들면 홈부(58)에 복수개(예컨대 3개) 형성된다. 또한, 토출구(85)는, 유지부(31)의 회전 중심(C)을 중심으로 하여 원주 방향으로 대략 등간격이 되는 위치에 배치된다. 또, 상기 토출구(85)의 개수나 배치 위치는, 예시이며 한정되지는 않는다. A plurality of (for example, three) discharge ports 85 of the cleaning liquid supply pipe 84c are formed in, for example, the groove 58 of the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a. The discharge port 85 is disposed at a position which is substantially equidistant in the circumferential direction about the rotational center C of the holding portion 31. [ The number and position of the ejection openings 85 are illustrative and not restrictive.

밸브(85c)는, 도 5에 나타낸 바와 같이, 세정액 공급관(84c)에 설치되고, 제어 장치(4)에 의해 제어된다. 따라서, 제어 장치(4)는, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)의 세정 처리를 행할 때 밸브(85c)를 개방한다. 이에 따라, 세정액 공급원(83)의 세정액은, 밸브(85c), 세정액 공급관(84c)을 통과하여 토출구(85)로부터 토출된다. The valve 85c is provided in the cleaning liquid supply pipe 84c as shown in Fig. 5, and is controlled by the control device 4. [ Therefore, the control device 4 opens the valve 85c when performing the cleaning process on the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a. The cleaning liquid of the cleaning liquid supply source 83 is discharged from the discharge port 85 through the valve 85c and the cleaning liquid supply pipe 84c.

세정액 공급부(80)로부터 공급된 세정액, 자세하게는 토출구(85)로부터 토출된 세정액은, 홈부(58)를 흐르고, 홈부(58)로부터 흘러 넘치게 된다. 그리고, 홈부(58)로부터 흘러 넘친 세정액은, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)의 전체에 걸쳐 공급되어, 상면(54a1)을 세정하고 이물질을 제거한다. 또한, 상면(54a1)을 세정한 세정액은, 그 후 제1 둘레벽부(54a)의 측면(54a2)이나 배기구(52b) 등에도 유입되어 세정하고, 부착된 이물질을 제거한다. The cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply unit 80 and more specifically the cleaning liquid discharged from the discharge port 85 flows through the groove 58 and flows over the groove 58. [ The cleaning liquid flowing over the groove 58 is supplied over the entire upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a to clean the upper surface 54a1 and remove foreign matter. The cleaning liquid that has been cleaned by the upper surface 54a1 is then introduced into the side surface 54a2 and the exhaust port 52b of the first peripheral wall portion 54a and is cleaned to remove the attached foreign matter.

이와 같이, 제1 둘레벽부(54a)에 있어서는, 둘레 방향을 따라서 형성된 홈부(58)를 구비하도록 했기 때문에, 세정액을 홈부(58)를 통하여 상면(54a1)의 광범위에 걸쳐 공급하는 것이 가능해지고, 따라서 상면(54a1)을 효율적으로 세정할 수 있다. 또한, 홈부(58)에 토출구(85)가 형성되기 때문에, 세정액을 홈부(58)에 확실하게 공급하여 흘릴 수 있다. As described above, since the first peripheral wall portion 54a is provided with the groove portion 58 formed along the circumferential direction, it is possible to supply the cleaning liquid through the groove portion 58 over a wide range of the upper surface 54a1, Therefore, the upper surface 54a1 can be efficiently cleaned. Further, since the discharge port 85 is formed in the groove 58, the cleaning liquid can be reliably supplied to the groove 58 and allowed to flow.

또한, 도 5에 나타낸 바와 같이, 제1 액수용부(55a)를 후퇴 위치로 이동시킨 상태로, 세정 처리가 행해져도 좋다. 즉, 세정액 공급부(80)는, 제1 액수용부(55a)를 처리 위치보다 하측의 후퇴 위치로 이동시킨 상태로 세정액을 공급하도록 해도 좋다. Further, as shown in Fig. 5, a cleaning process may be performed while the first liquid supply portion 55a is moved to the retreat position. That is, the cleaning liquid supply unit 80 may supply the cleaning liquid in a state in which the first liquid supply unit 55a is moved to a retreat position lower than the processing position.

이에 따라, 제1 액수용부(55a)의 하면(55a1)이 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 근접하기 때문에, 상면(54a1)을 흐르는 세정액이 제1 액수용부(55a)의 하면(55a1)에도 공급되고, 따라서 하면(55a1)에 대해서도 이물질을 제거하여 세정할 수 있다. Thus, since the lower surface 55a1 of the first liquid supply portion 55a is close to the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a, the cleaning liquid flowing through the upper surface 54a1 is directed to the lower surface of the first liquid supply portion 55a So that the lower surface 55a1 can also be cleaned by removing foreign matter.

또한, 세정액 공급부(80)는, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)을 세정할 때와, 제1 액수용부(55a)의 하면(55a1)을 세정할 때에 있어서 세정액의 유량을 변경하도록 해도 좋다. 예컨대, 세정액 공급부(80)는, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)을 세정할 때의 세정액의 유량보다, 제1 액수용부(55a)의 하면(55a1)을 세정할 때의 세정액의 유량을 증가시키도록 해도 좋다. 이에 따라, 세정액을 제1 액수용부(55a)의 하면(55a1)에 확실하게 도달시키는 것이 가능해지고, 따라서 하면(55a1)을 효율적으로 세정할 수 있다. The cleaning liquid supply unit 80 is configured to change the flow rate of the cleaning liquid when cleaning the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a and cleaning the lower surface 55a1 of the first liquid supply portion 55a Maybe. For example, the cleaning liquid supply unit 80 may supply the cleaning liquid at the time of cleaning the lower surface 55a1 of the first liquid supply unit 55a to the cleaning liquid at the time of cleaning the upper surface 54a1 of the first peripheral wall 54a, The flow rate may be increased. This makes it possible to reliably reach the lower surface 55a1 of the first liquid supply portion 55a, and thus the lower surface 55a1 can be efficiently cleaned.

또한, 유지부(31) 및 제1, 제2 회전컵(101, 102)이 회전된 상태로, 세정 처리가 행해져도 좋다. 즉, 세정액 공급부(80)는, 유지부(31) 등이 회전된 상태로, 세정액을 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 공급하도록 해도 좋다. The cleaning process may be performed while the holding portion 31 and the first and second rotating cups 101 and 102 are rotated. That is, the cleaning liquid supply portion 80 may supply the cleaning liquid to the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a with the holding portion 31 or the like rotated.

이에 따라, 회수컵(50) 내에는, 유지부(31) 및 제1, 제2 회전컵(101, 102)의 회전에 의해 선회류가 발생한다. 이러한 선회류는, 토출구(85)로부터 토출된 세정액에 작용하여, 세정액을, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 있어서 둘레 방향을 따른 한방향(도 4에서는 우회전 방향(시계 방향))으로 흘리고, 세정액의 유속을 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 세정액은 상면(54a1)에 있어서 보다 광범위하게 퍼지고, 따라서 상면(54a1)을 효율적으로 세정할 수 있다. As a result, a swirling flow is generated in the recovery cup 50 by the rotation of the holding portion 31 and the first and second rotating cups 101, 102. This swirling flow acts on the cleaning liquid discharged from the discharge port 85 and causes the cleaning liquid to flow in one direction along the circumferential direction on the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a So that the flow rate of the cleaning liquid can be increased. Thus, the cleaning liquid spreads more widely in the upper surface 54a1, and therefore, the upper surface 54a1 can be efficiently cleaned.

도 6a는, 도 4의 VI-VI선 모식 단면도이고, 또한 제1 액수용부(55a)가 하강한 상태에서의 세정의 모습을 나타내는 도면이다. 또한, 도 6b는, 제1 액수용부(55a)가 상승한 상태에서의 세정의 모습을 나타내는 도면이다. 또, 본 실시형태에서는, 제1 액수용부(55a)가 상승한 상태 및 하강한 상태의 양방으로 세정이 행해지지만, 이것에 관해서는 후술한다. Fig. 6A is a cross-sectional view taken along the line VI-VI in Fig. 4, and shows a state of cleaning when the first liquid supply portion 55a is lowered. Fig. 6B is a view showing a state of cleaning in a state in which the first liquid supply portion 55a is lifted. In the present embodiment, cleaning is performed in both the rising and falling states of the first liquid supply portion 55a, which will be described later.

도 6a, 6b에 나타낸 바와 같이, 제1 둘레벽부(54a) 내에는, 상기와 같이 제1 지지 부재(56a)가 삽입 관통되는 삽입 관통 구멍(59)이 형성된다. 이러한 삽입 관통 구멍(59)은, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 형성되는 개구부(59a)를 갖고 있다. As shown in Figs. 6A and 6B, an insertion through-hole 59 through which the first support member 56a is inserted is formed in the first peripheral wall portion 54a. The insertion through hole 59 has an opening 59a formed in the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a.

그리고, 본 실시형태에 따른 삽입 관통 구멍(59)의 개구부(59a)는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 홈부(58)의 적어도 일부와 평면시(平面視)에 있어서 중복되도록 형성된다. 이에 따라, 세정액 공급부(80)에 있어서는, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)의 홈부(58)로부터 개구부(59a)를 통해 삽입 관통 구멍(59)에 세정액을 공급하게 된다. 4, the opening 59a of the insertion hole 59 according to the present embodiment is formed so as to overlap with at least a part of the groove 58 in plan view (in a plan view). The cleaning liquid is supplied from the groove 58 of the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a to the insertion through hole 59 through the opening 59a.

이에 따라, 도 6a, 6b에 나타낸 바와 같이, 제1 지지 부재(56a)의 외주 및 삽입 관통 구멍(59)을 세정하는 것이 가능해져, 제1 지지 부재(56a)의 외주나 삽입 관통 구멍(59)에 부착된 이물질도 제거할 수 있다. 또, 삽입 관통 구멍(59)에 유입된 세정액은, 배액관(92a), 밸브(62b)를 통해 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. 6A and 6B, the outer periphery of the first support member 56a and the insertion through hole 59 can be cleaned, and the outer periphery of the first support member 56a and the insertion through hole 59 May also be removed. The cleaning liquid flowing into the insertion through hole 59 is discharged to the outside of the processing unit 16 through the drain pipe 92a and the valve 62b.

<4. 기판 처리 시스템의 구체적 동작><4. Specific Operation of Substrate Processing System>

다음으로, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)이 실행하는 기판 처리의 내용에 관해 도 7을 참조하여 설명한다. Next, the contents of the substrate processing executed by the substrate processing system 1 according to the present embodiment will be described with reference to Fig.

도 7은, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)이 실행하는 처리의 처리 순서를 나타내는 플로우차트이다. 또, 도 7에 나타내는 각 처리 순서는, 제어 장치(4)의 제어부(18)의 제어에 따라서 실행된다. Fig. 7 is a flowchart showing the processing procedure of the processing executed by the substrate processing system 1 according to the present embodiment. 7 are executed under the control of the control unit 18 of the control device 4. [

도 7에 나타낸 바와 같이, 처리 유닛(16)에서는 우선 웨이퍼(W)의 반입 처리가 행해진다(단계 S1). 이러한 반입 처리에서는, 기판 반송 장치(17)(도 1 참조)에 의해 유지부(31) 상에 웨이퍼(W)가 배치된 후, 유지부(31)에 의해 웨이퍼(W)가 유지된다. As shown in Fig. 7, in the processing unit 16, first, the carrying-in process of the wafer W is carried out (step S1). In this carrying-in process, the wafer W is held by the holding portion 31 after the wafer W is placed on the holding portion 31 by the substrate transfer device 17 (see Fig. 1).

계속해서, 처리 유닛(16)에서는 제1 약액 처리가 행해진다(단계 S2). 제1 약액 처리에서, 제어부(18)는 우선 구동부(33)에 의해 유지부(31)를 회전시켜 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 계속해서, 제어부(18)는 밸브(60a)를 정해진 시간 개방하여, SC1을 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 공급한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면이 SC1에 의해 처리된다. Subsequently, the first chemical solution processing is performed in the processing unit 16 (step S2). In the first chemical solution processing, the control unit 18 first rotates the holding unit 31 by the driving unit 33 to rotate the wafer W. Subsequently, the control unit 18 opens the valve 60a for a predetermined time, and supplies the SC1 from the nozzle 41 to the surface of the wafer W. Then, Thus, the surface of the wafer W is processed by SC1.

계속해서, 처리 유닛(16)에서는 제1 린스 처리가 행해진다(단계 S3). 이러한 제1 린스 처리에서, 제어부(18)는 밸브(60d)를 정해진 시간 개방하여, DIW를 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)에 공급한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 잔존하는 SC1이 DIW에 의해 씻겨나간다.Subsequently, the first rinsing process is performed in the processing unit 16 (step S3). In this first rinsing process, the controller 18 opens the valve 60d for a predetermined time, and supplies the DIW from the nozzle 41 to the wafer W. As a result, the SC1 remaining on the wafer W is washed away by the DIW.

다음으로, 처리 유닛(16)에서는 제2 약액 처리가 행해진다(단계 S4). 이러한 제2 약액 처리에서, 제어부(18)는 밸브(60b)를 정해진 시간 개방하여, BHF를 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 공급한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면이 BHF에 의해 처리된다. Next, in the processing unit 16, the second chemical solution processing is performed (step S4). In this second chemical solution processing, the controller 18 opens the valve 60b for a predetermined time, and supplies the BHF from the nozzle 41 to the surface of the wafer W. Thus, the surface of the wafer W is processed by the BHF.

계속해서, 처리 유닛(16)에서는 제2 린스 처리가 행해진다(단계 S5). 제2 린스 처리에서, 제어부(18)는 밸브(60d)를 정해진 시간 개방하여, DIW를 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 공급한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 잔존하는 BHF가 DIW에 의해 씻겨나간다. Subsequently, the second rinsing process is performed in the processing unit 16 (step S5). In the second rinsing process, the control unit 18 opens the valve 60d for a predetermined time, and supplies DIW from the nozzle 41 to the surface of the wafer W. Thus, the BHF remaining on the wafer W is washed away by the DIW.

다음으로, 처리 유닛(16)에서는 건조 처리가 행해진다(단계 S6). 이러한 건조 처리에서, 제어부(18)는 밸브(60c)를 정해진 시간 개방하여, IPA를 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 공급한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하는 DIW가, DIW보다 휘발성이 높은 IPA로 치환된다. 그 후, 웨이퍼(W) 상의 IPA를 털어내어 웨이퍼(W)를 건조시킨다.Next, in the processing unit 16, drying processing is performed (step S6). In this drying process, the controller 18 opens the valve 60c for a predetermined time, and supplies the IPA from the nozzle 41 to the surface of the wafer W. As a result, DIW remaining on the surface of the wafer W is replaced with IPA having higher volatility than DIW. Thereafter, the IPA on the wafer W is removed to dry the wafer W.

계속해서, 처리 유닛(16)에서는 반출 처리가 행해진다(단계 S7). 이러한 반출 처리에서, 제어부(18)는 구동부(33)에 의한 웨이퍼(W)의 회전을 정지시킨 후, 웨이퍼(W)가 기판 반송 장치(17)(도 1 참조)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출된다. 이러한 반출 처리가 완료되면, 1장의 웨이퍼(W)에 관한 일련의 기판 처리가 완료된다.Subsequently, in the processing unit 16, the carry-out process is performed (step S7). The control unit 18 stops the rotation of the wafer W by the driving unit 33 and then the wafer W is transferred to the processing unit 16 by the substrate transfer device 17 . When such a carrying-out process is completed, a series of substrate processing for one wafer W is completed.

다음으로, 처리 유닛(16)에서는 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)을 세정하는 세정 처리가 행해진다(단계 S8). 또, 이 세정 처리는, 1장의 웨이퍼(W)가 반출될 때마다 실행되는 것을 요하지 않는다. 즉, 세정 처리가 실행되는 타이밍은 임의로 설정하는 것이 가능하고, 예를 들면 복수매의 웨이퍼(W)에 관한 기판 처리를 행한 후에, 세정 처리를 1번 행하도록 해도 좋다. 또한, 단계 S8의 처리시에, 상기 기판 유지 기구(30)의 세정도 행하도록 해도 좋다.Next, in the processing unit 16, a cleaning process for cleaning the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a is performed (Step S8). This cleaning process is not required to be executed each time one wafer W is taken out. That is, the timing at which the cleaning process is performed can be set arbitrarily. For example, the cleaning process may be performed once after performing the substrate process for a plurality of wafers W. The substrate holding mechanism 30 may also be cleaned during the processing of step S8.

제1 둘레벽부(54a)의 세정 처리에 관해, 도 8을 참조하여 설명한다. 도 8은, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 제1 둘레벽부(54a)의 세정 처리의 처리 순서의 일례를 나타내는 플로우차트이다.The cleaning process of the first peripheral wall portion 54a will be described with reference to Fig. Fig. 8 is a flowchart showing an example of the processing procedure of the cleaning process of the first peripheral wall portion 54a executed in the substrate processing system 1. Fig.

제어 장치(4)의 제어부(18)는, 제1 승강 구동부(56b)에 의해 제1 지지 부재(56a)를 상승시키고, 제1 액수용부(55a)를 상승시킨다(단계 S10. 도 6b 참조). 계속해서, 제어부(18)는 세정액 공급부(80)의 밸브(85c)를 개방하여, 세정액을 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 공급한다(단계 S11). The controller 18 of the control device 4 raises the first support member 56a and raises the first liquid intake portion 55a by the first lift driving portion 56b (see Step S10, see Fig. 6B) . Subsequently, the control unit 18 opens the valve 85c of the cleaning liquid supply unit 80 to supply the cleaning liquid to the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a (Step S11).

계속해서, 제어부(18)는, 세정액을 공급하고 나서 정해진 시간이 경과하면, 제1 승강 구동부(56b)에 의해 제1 지지 부재(56a)를 하강시키고, 제1 액수용부(55a)를 후퇴 위치로 이동시킨다(단계 S12. 도 6a 참조). Subsequently, when a predetermined time has elapsed since the supply of the cleaning liquid, the controller 18 lowers the first supporting member 56a by the first elevating and lowering driving portion 56b, and moves the first liquid sucking portion 55a to the retreat position (Step S12, see Fig. 6A).

이와 같이, 제1 액수용부(55a)를 후퇴 위치로 함으로써, 제1 액수용부(55a)의 하면(55a1)도 세정할 수 있다. 또한, 세정 처리시에, 제1 액수용부(55a)를 승강시킴으로써, 제1 지지 부재(56a)가 세정액으로 채워진 삽입 관통 구멍(59) 내를 이동하게 되고, 따라서 제1 지지 부재(56a)의 외주에 부착된 이물질을 효율적으로 제거할 수 있다. 또, 상기 제1 액수용부(55a)의 승강 동작을 복수회 반복하여 행하도록 해도 좋다. Thus, the lower surface 55a1 of the first liquid supply portion 55a can also be cleaned by setting the first liquid supply portion 55a to the retracted position. The first support member 56a is moved in the insertion through hole 59 filled with the cleaning liquid by moving the first liquid supply portion 55a up and down during the cleaning process, Foreign matter attached to the outer periphery can be efficiently removed. The elevating operation of the first liquid supply portion 55a may be repeated a plurality of times.

다음으로, 제어부(18)는, 제1 액수용부(55a)를 하강시키고 나서 정해진 시간이 경과하면, 세정액 공급부(80)의 밸브(85c)를 폐쇄하여, 세정액의 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)으로의 공급을 정지한다(단계 S13). 이에 따라, 제1 둘레벽부(54a)의 세정 처리가 완료한다. The controller 18 then closes the valve 85c of the cleaning liquid supply unit 80 to stop the cleaning of the first peripheral wall portion 54a of the cleaning liquid when the predetermined time has elapsed since the first liquid supply portion 55a was lowered. The supply to the upper surface 54a1 is stopped (step S13). Thus, the cleaning process of the first peripheral wall portion 54a is completed.

또, 제어부(18)는, 유지부(31) 및 제1, 제2 회전컵(101, 102)을 회전시킨 상태로 세정 처리를 행하도록 해도 좋다. 유지부(31) 등을 회전시킴으로써, 선회류가 생겨 세정액이 상면(54a1)에 있어서 광범위하게 퍼지는 것은 전술한 바와 같다. The control unit 18 may perform the cleaning process while the holding unit 31 and the first and second rotating cups 101 and 102 are rotated. By rotating the holding portion 31 or the like, a swirling flow is generated, and the cleaning liquid spreads widely on the upper surface 54a1 as described above.

전술한 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 처리 유닛(16)(「기판 처리 장치」의 일례에 상당)은, 유지부(31)와, 처리 유체 공급부(40)(「처리액 공급부」의 일례에 상당)와, 회수컵(50)과, 세정액 공급부(80)를 구비한다. 유지부(31)는 웨이퍼(W)를 유지한다. 처리 유체 공급부(40)는 웨이퍼(W)에 대하여 처리액을 공급한다.As described above, the processing unit 16 (corresponding to an example of the "substrate processing apparatus") according to the first embodiment includes the holding unit 31, the processing fluid supply unit 40 (an example of the "processing liquid supply unit" A recovery cup 50, and a cleaning liquid supply unit 80, as shown in Fig. The holding portion 31 holds the wafer W. The process fluid supply unit 40 supplies the process liquid to the wafer W. [

회수컵(50)의 제1 컵(50a)은, 바닥부(53)와, 바닥부(53)로부터 세워져 설치되는 통형상의 제1 둘레벽부(54a)와, 제1 둘레벽부(54a)의 상측에 설치되어 웨이퍼(W)로부터 비산된 처리액을 받는 제1 액수용부(55a)와, 제1 둘레벽부(54a)의 상면에 둘레 방향을 따라서 형성된 홈부(58)를 가지며, 유지부(31)를 둘러싼다. 세정액 공급부(80)는, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 대하여 세정액을 공급한다. 이에 따라, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 부착된 이물질을 제거할 수 있다. The first cup 50a of the recovery cup 50 includes a bottom portion 53, a cylindrical first peripheral wall portion 54a provided to stand up from the bottom portion 53, And a groove portion 58 formed on the upper surface of the first peripheral wall portion 54a along the circumferential direction. The first liquid supply portion 55a is provided on the upper surface of the holding portion 31 ). The cleaning liquid supply portion 80 supplies the cleaning liquid to the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a. As a result, it is possible to remove foreign matters adhered to the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a.

<5. 변형예><5. Modifications>

다음으로, 제1 실시형태에 따른 처리 유닛(16)의 제1∼제4 변형예에 관해 설명한다. 제1 변형예에서의 처리 유닛(16)에서는, 제1 실시형태에 있어서 고리형으로 형성되어 있던 홈부(58)의 형상을 변경하도록 했다. Next, the first to fourth modifications of the processing unit 16 according to the first embodiment will be described. In the processing unit 16 of the first modification, the shape of the groove 58 formed in the annular shape in the first embodiment is changed.

도 9는, 제1 변형예에서의 제1 둘레벽부(54a)를 Z축 상측으로부터 본 경우의 모식 평면도이다. 도 9에 나타낸 바와 같이, 제1 변형예에서는, 홈부(58)를 복수개(도 9의 예에서는 3개)로 분할하고, 분할된 홈부(58)가 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 있어서 둘레 방향을 따라서 형성된다. 9 is a schematic plan view of the first peripheral wall portion 54a in the first modification viewed from the upper side of the Z-axis. 9, the groove portion 58 is divided into the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a and the upper surface 54a1 of the second peripheral wall portion 54b. In the first modification, the groove 58 is divided into a plurality In the circumferential direction.

또한, 분할된 홈부(58)에는 각각, 상기 세정액의 토출구(85)가 형성되어 있다. 또, 토출구(85)가 형성되는 위치는, 예를 들면 홈부(58)에 있어서 세정액의 흐름 방향의 상류측의 단부(端部) 부근인 것이 바람직하다. 이에 따라, 세정액을 홈부(58)의 단부로부터 흘릴 수 있고, 따라서 홈부(58)를 흐르면서 홈부(58)로부터 흘러넘친 세정액은 상면(54a1)에 있어서 광범위하게 퍼지게 되어, 상면(54a1)을 효율적으로 세정할 수 있다. 또, 홈부(58)에 있어서 토출구(85)가 형성되는 위치는, 상기에 한정되지는 않는다. Each of the divided grooves 58 is provided with a discharge port 85 for the cleaning liquid. It is preferable that the position where the discharge port 85 is formed is, for example, near the end on the upstream side in the flow direction of the cleaning liquid in the groove 58. As a result, the cleaning liquid can flow from the end of the groove 58. Therefore, the cleaning liquid overflowing from the groove 58 as it flows through the groove 58 spreads widely on the upper surface 54a1, It can be cleaned. The position where the discharge port 85 is formed in the groove 58 is not limited to the above.

다음으로, 제2 변형예에 관해 설명한다. 제2 변형예에 따른 처리 유닛(16)에서는, 세정액 공급부(80)의 토출구(85)의 방향을 바꾸도록 했다. 도 10은, 제2 변형예에서의 세정액 공급관(84c)의 토출구(85) 부근을 확대하여 나타내는 종단면도이다. Next, the second modification will be described. In the processing unit 16 according to the second modification, the direction of the discharge port 85 of the cleaning liquid supply unit 80 is changed. 10 is an enlarged longitudinal sectional view showing the vicinity of the discharge port 85 of the cleaning liquid supply pipe 84c in the second modification.

도 10에 나타낸 바와 같이, 제2 변형예에 있어서, 토출구(85)에는, 세정액 공급관(84c)으로부터 공급된 세정액이 흐르는 세정액 공급로(84c1)가 접속된다. 세정액 공급로(84c1)는, 제1 둘레벽부(54a)의 둘레 방향(도 10에서는 지면 좌우 방향)을 따라서 경사지고, 토출구(85)의 토출 방향을 Z축 방향에 대하여 기울이도록 구성된다. 다시 말해서, 세정액 공급로(84c1)는, 토출구(85)로부터의 세정액의 토출 방향이 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 있어서 둘레 방향을 따른 한방향으로 향하도록 형성된다. 또, 여기서의 「한방향」은, 제1, 제2 회전컵(101, 102)의 선회류에 의해 세정액에 작용하는 힘의 방향과 동일한 방향, 즉 도 4에서의 시계 방향이다. 10, the cleaning liquid supply path 84c1 through which the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply pipe 84c flows is connected to the discharge port 85 in the second modification. The cleaning liquid supply path 84c1 is configured to be inclined along the circumferential direction of the first peripheral wall portion 54a (left and right direction in FIG. 10) and to tilt the discharge direction of the discharge port 85 with respect to the Z axis direction. In other words, the cleaning liquid supply path 84c1 is formed such that the discharge direction of the cleaning liquid from the discharge port 85 is directed in one direction along the circumferential direction on the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a. Here, the &quot; one-way direction &quot; is the same direction as the direction of the force acting on the cleaning liquid by the swirling flow of the first and second rotating cups 101 and 102, that is, the clockwise direction in Fig.

이에 따라, 선회류의 유무에 상관없이, 세정액을 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 있어서 둘레 방향을 따른 한방향으로 흘릴 수 있고, 따라서 세정액을 상면(54a1)에 있어서 한층 더 광범위하게 퍼지게 하여 효율적으로 세정할 수 있다. This allows the cleaning liquid to flow in one direction along the circumferential direction on the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a regardless of the presence or absence of the swirl flow so that the cleaning liquid can be supplied to the upper surface 54a1 more widely So that it can be efficiently cleaned.

또한, 처리 유닛(16)에 있어서는, 세정액 공급부(80)의 토출구(85)로부터 토출되는 세정액의 유량을, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1) 중 세정하는 부위에 따라서 변경하도록 해도 좋다. The flow rate of the cleaning liquid discharged from the discharge port 85 of the cleaning liquid supply portion 80 may be changed in the processing unit 16 in accordance with the portion of the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a to be cleaned .

도 11은, 세정하는 부위의 토출구(85)로부터의 거리와 세정액의 유량의 관계의 일례를 나타내는 도면이다. 도 11에 나타낸 바와 같이, 토출구(85)로부터 세정 부위까지의 거리가 비교적 짧은 경우, 즉, 예를 들면 토출구(85) 부근을 세정하는 경우, 세정액의 유량 A은 비교적 낮은 값이 된다. 이에 따라, 세정액은, 토출구(85) 부근에 비교적 많이 공급되게 되어, 토출구(85) 부근을 효율적으로 세정할 수 있다. 11 is a diagram showing an example of the relationship between the distance from the discharge port 85 of the portion to be cleaned and the flow rate of the cleaning liquid. As shown in Fig. 11, when the distance from the discharge port 85 to the cleaning part is relatively short, that is, for example, when the vicinity of the discharge port 85 is cleaned, the flow rate A of the cleaning liquid becomes a relatively low value. Accordingly, the cleaning liquid is supplied relatively to the vicinity of the discharge opening 85, so that the vicinity of the discharge opening 85 can be efficiently cleaned.

한편, 토출구(85)로부터 세정 부위까지의 거리가 비교적 긴 경우, 즉, 예를 들면 토출구(85)로부터 비교적 떨어져 있는 제1 지지 부재(56a) 부근을 세정하는 경우, 세정액의 유량 B는, 토출구(85) 부근을 세정하는 경우와 비교해서 높은 값이 된다. 이에 따라, 세정액은, 예를 들면 제1 지지 부재(56a) 부근에 비교적 많이 공급되게 되어, 제1 지지 부재(56a) 부근을 효율적으로 세정할 수 있다. On the other hand, when the distance from the discharge port 85 to the cleaning part is relatively long, that is, for example, in the vicinity of the first supporting member 56a which is relatively far from the discharge port 85, the flow rate B of the cleaning liquid, Is high as compared with the case where the vicinity of the surface 85 is cleaned. As a result, the cleaning liquid is supplied relatively to the vicinity of the first support member 56a, for example, so that the vicinity of the first support member 56a can be efficiently cleaned.

이와 같이, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1) 중 세정하는 부위에 따라서 토출구(85)로부터 토출되는 세정액의 유량을 변경함으로써, 상면(54a1)에 있어서 국소적인 세정을 행하는 것도 가능해진다. As described above, by changing the flow rate of the cleaning liquid discharged from the discharge port 85 along the portion to be cleaned in the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a, the top surface 54a1 can be locally cleaned.

또, 도 11에 나타내는 예에서는, 토출구(85)로부터 세정 부위까지의 거리가 길어짐에 따라서, 세정액의 유량을 연속적으로 증가시키도록 했지만, 이것은 예시이며 한정되지는 않는다. 즉, 예를 들면 세정액의 유량을 단계적으로(계단형으로) 증가시키는 등, 세정액의 유량을 증가시키는 수법은 임의로 변경하는 것이 가능하다. In the example shown in Fig. 11, the flow rate of the cleaning liquid is continuously increased as the distance from the discharge port 85 to the cleaning area becomes longer. However, this is not limitative. That is, for example, the method of increasing the flow rate of the cleaning liquid, such as increasing the flow rate of the cleaning liquid stepwise (stepwise), can be arbitrarily changed.

다음으로, 제3 변형예에 관해 설명한다. 도 12a는, 제3 변형예에서의 제1 둘레벽부(54a)를 나타내는 모식 단면도이다. Next, the third modification will be described. 12A is a schematic cross-sectional view showing the first peripheral wall portion 54a in the third modification.

도 12a에 나타낸 바와 같이, 제3 변형예에서의 제1 둘레벽부(54a)는 경사부(54a3)를 구비한다. 경사부(54a3)는, 상면(54a1)에 형성되고, 홈부(58)를 향해 내리막 구배가 되도록 형성된다. 이에 따라, 예를 들면 세정 처리후에 상면(54a1)에 세정액(A)이 잔류한 경우라 하더라도, 잔류한 세정액(A)은 경사부(54a3)를 타고 세정액 공급관(84c)에 유입된다. As shown in Fig. 12A, the first peripheral wall portion 54a in the third modification has an inclined portion 54a3. The inclined portion 54a3 is formed on the upper surface 54a1 and is formed so as to have a downward slope toward the groove portion 58. [ Thus, even if the cleaning liquid A remains on the upper surface 54a1 after the cleaning process, for example, the remaining cleaning liquid A flows into the cleaning liquid supply pipe 84c on the inclined portion 54a3.

이와 같이, 제3 변형예에서는, 경사부(54a3)를 설치함으로써, 잔류한 세정액(A)이 상면(54a1)에 머무르기 어렵도록 했다. 이에 따라, 세정 처리후에 행해지는 기판 처리에 있어서, 처리액의 농도가 저하되는 것을 억제할 수 있다. As described above, in the third modification, the inclined portion 54a3 is provided so that the remaining cleaning liquid A hardly remains on the upper surface 54a1. This makes it possible to suppress the concentration of the treatment liquid from lowering in the substrate treatment performed after the cleaning treatment.

즉, 예를 들면, 세정액(A)이 상면(54a1)에 남아 있으면, 세정 처리후의 기판 처리에 있어서 처리액에 세정액(A)이 혼입되어 처리액의 농도가 저하되는 경우가 있다. 그러나, 제3 변형예에서는, 상기와 같은 경사부(54a3)를 설치하기 때문에, 처리액의 농도의 저하를 억제할 수 있다. That is, for example, if the cleaning liquid A remains on the upper surface 54a1, the cleaning liquid A may be mixed with the processing liquid in the substrate processing after the cleaning processing, thereby lowering the concentration of the processing liquid. However, in the third modified example, since the inclined portion 54a3 as described above is provided, it is possible to suppress a decrease in the concentration of the treatment liquid.

다음으로, 제4 변형예에 관해 설명한다. 상기 제3 변형예에서는, 경사부(54a3)가 홈부(58)를 향해 내리막 구배가 되도록 형성되도록 했지만, 경사부의 형상은 이것으로 한정되지 않는다. 도 12b는, 제4 변형예에서의 제1 둘레벽부(54a)를 나타내는 모식 단면도이다. Next, a fourth modified example will be described. In the third modified example, the inclined portion 54a3 is formed so as to have a downward slope toward the groove portion 58, but the shape of the inclined portion is not limited thereto. 12B is a schematic cross-sectional view showing the first peripheral wall portion 54a in the fourth modification.

도 12b에 나타낸 바와 같이, 제4 변형예에 따른 경사부(54a4)는, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 형성되고, 제1 둘레벽부(54a)의 측면(54a2)을 향해 내리막 구배가 되도록 형성된다. 12B, the inclined portion 54a4 according to the fourth modified example is formed on the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a and extends toward the side surface 54a2 of the first peripheral wall portion 54a Downward slope.

이에 따라, 예를 들면 세정 처리후에 상면(54a1)에 잔류한 세정액(A)은, 경사부(54a4)를 타고 측면(54a2)으로 흘러 배출된다. 따라서, 제4 변형예에 있어서는, 제3 변형예와 마찬가지로 경사부(54a4)를 설치함으로써, 잔류한 세정액(A)이 상면(54a1)에 머무르기 어렵게 할 수 있고, 따라서 세정 처리후에 행해지는 기판 처리에 있어서 처리액의 농도가 저하되는 것을 억제할 수 있다. Thus, for example, the cleaning liquid A remaining on the upper surface 54a1 after the cleaning process flows on the inclined portion 54a4 to the side surface 54a2 and is discharged. Therefore, in the fourth modified example, by providing the inclined portion 54a4 in the same manner as the third modified example, it is possible to make the remaining cleaning liquid A hardly remain on the upper surface 54a1, It is possible to suppress the concentration of the treatment liquid from lowering.

(제2 실시형태)(Second Embodiment)

이어서, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 관해 설명한다. 또, 이하의 설명에서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부분에 관해서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부호를 붙이고, 중복 설명을 생략한다. Next, the substrate processing system 1 according to the second embodiment will be described. In the following description, the same portions as those already described are denoted by the same reference numerals as those already described, and redundant description is omitted.

제2 실시형태에 있어서는, 유지부(31)의 이면측에 있어서, 처리액이 회전 중심(C)측으로 튀어오르는 것을 억제하는 구성으로 했다. 이하, 이러한 구성에 관해 도 13 이후를 참조하여 설명한다. In the second embodiment, the processing liquid is inhibited from protruding toward the rotational center C on the back side of the holding portion 31. [ Hereinafter, such a configuration will be described with reference to FIG.

도 13은, 유지부(31)의 이면(31a)을 Z축 하측으로부터 본 경우의 모식 하면도이다. 도 13에 나타낸 바와 같이, 유지부(31)의 이면(31a)에는, 유지 부재(311)를 유지부(31)에 고정하는 제1 고정부(110)와, 웨이퍼(W)의 지지핀(312)(도 17 참조)을 유지부(31)에 고정하는 제2 고정부(120)가 설치된다. 13 is a schematic bottom view when the rear face 31a of the holding portion 31 is viewed from the lower side of the Z axis. 13, the rear surface 31a of the holding portion 31 is provided with a first fixing portion 110 for fixing the holding member 311 to the holding portion 31, 312) (see FIG. 17) to the holding portion 31 is provided.

제1 고정부(110) 및 제2 고정부(120)는, 각각 복수개(도 13의 예에서는 3개) 설치된다. 또한, 제1, 제2 고정부(110, 120)는, 유지부(31)의 회전 중심(C)을 중심으로 하여 원주 방향으로 대략 등간격이 되는 위치에 배치된다. 또, 상기 제1, 제2 고정부(110, 120)의 개수나 배치 위치는, 예시이며 한정되지는 않는다. A plurality of first fixing portions 110 and two second fixing portions 120 are provided (three in the example of FIG. 13). The first and second fixing portions 110 and 120 are disposed at positions substantially equidistant in the circumferential direction about the rotation center C of the holding portion 31. [ The number and arrangement positions of the first and second fixing portions 110 and 120 are illustrative and not restrictive.

도 14a는, 제1 고정부(110)를 확대하여 나타내는 모식 하면도이고, 도 14b는, 비교예에 따른 제1 고정부(210)를 나타내는 모식 하면도이다. 또한, 도 15는, 도 13의 XV-XV선 단면도이다. 14A is a schematic bottom view showing an enlarged view of the first fixing part 110, and FIG. 14B is a schematic bottom view showing a first fixing part 210 according to a comparative example. 15 is a sectional view taken along line XV-XV in Fig.

도 15에 나타낸 바와 같이, 유지 부재(311)는, 유지부(31)의 관통 구멍(31b)에 삽입 관통되도록 위치되고, 일단(311a)측의 절결 부분에서 웨이퍼(W)를 끼워 넣어 유지한다. 또한, 유지 부재(311)는, 타단(311b)이 유지부(31)의 이면(31a)측에 노출되고, 이러한 타단(311b)이 제1 고정부(110)에 의해 고정된다. As shown in Fig. 15, the holding member 311 is positioned so as to be inserted into the through hole 31b of the holding portion 31, and the wafer W is sandwiched and held in the notched portion on the one end 311a side . The other end 311b of the holding member 311 is exposed on the back surface 31a side of the holding portion 31 and the other end 311b is fixed by the first fixing portion 110. [

제1 고정부(110)의 설명을 계속하기 전에, 도 14b를 이용하여 비교예에 따른 제1 고정부(210)에 관해 설명한다. 도 14b에 나타낸 바와 같이, 비교예에서의 제1 고정부(210)는, 유지부(31)의 타단(311b)의 양 측면을 부분적으로 협지하는 본체부(211)와, 본체부(211)를 유지부(31)에 체결 고정하는 나사(212)를 구비한다. Before continuing with the description of the first fixing portion 110, the first fixing portion 210 according to the comparative example will be described with reference to Fig. 14B. 14B, the first fixing part 210 in the comparative example includes a main body part 211 for partly holding both sides of the other end 311b of the holding part 31, And a screw (212) for fastening and fixing to the holding portion (31).

본체부(211)에 있어서는, 유지부(31)의 타단(311b)을 협지하는 위치에 있어서, 타단(311b)이 유지부(31)의 회전 중심(C)(도 13 참조)측을 향해서 돌출되는 형상이 된다. 또한, 나사(212)로는 마이너스 나사가 이용된다. The other end 311b of the main body 211 protrudes toward the rotation center C of the holding portion 31 (see Fig. 13) at a position where the other end 311b of the holding portion 31 is held, . A minus screw is used as the screw 212.

제1 고정부(210)가 상기와 같이 구성되면, 예를 들면, 처리액은 유지부(31)의 회전 중심(C)측을 향해 튀어올라, 제1 고정부(210) 부근에 처리액의 결정 등의 이물질이 부착될 우려가 있었다. When the first fixing part 210 is configured as described above, for example, the processing liquid is protruded toward the rotation center C side of the holding part 31, Foreign substances such as crystals may be adhered.

즉, 유지부(31)가 회전 방향(D)으로 회전되면, 비산된 처리액은, 도 14b에 파선의 폐곡선(B1)으로 나타낸 바와 같이, 본체부(211)로부터 돌출된 부위에 접촉하여, 유지부(31)의 회전 중심(C)측을 향해 튀어오르는 경우가 있었다.That is, when the holding portion 31 is rotated in the rotation direction D, the scattered processing liquid comes into contact with a portion protruding from the main body portion 211, as indicated by the closed curve B1 in FIG. 14B, There is a case where the holding portion 31 protrudes toward the rotation center C side.

또한, 나사(212)가 마이너스 나사인 경우, 마이너스홈(212a)의 방향에 따라서는, 처리액이 마이너스홈(212a)을 통과하여 유지부(31)의 회전 중심(C)측을 향해 튀어오르는 경우가 있었다. 상기와 같이 튀어오른 처리액은, 유지부(31)의 이면(31a)에 있어서 건조되어, 결정 등의 이물질로서 부착되는 경우가 있었다. When the screw 212 is a negative screw, depending on the direction of the minus grooves 212a, the process liquid passes through the minus grooves 212a and protrudes toward the rotation center C side of the holding portion 31 There was a case. The processing solution spouted as described above was dried on the back surface 31a of the holding portion 31 and adhered as a foreign substance such as crystals in some cases.

따라서, 제2 실시형태에 따른 제1 고정부(110)에 있어서는, 상기와 같이 액이 튀어오르는 것을 억제할 수 있는 구성으로 했다. 구체적으로는, 도 14a에 나타낸 바와 같이, 제1 고정부(110)는, 본체부(111)와 나사(112)를 구비한다. Therefore, in the first fixing part 110 according to the second embodiment, the liquid can be prevented from being splashed as described above. Specifically, as shown in Fig. 14A, the first fixing part 110 includes a main body 111 and a screw 112. Fig.

본체부(111)는, 유지부(31)의 타단(311b)의 양 측면을 전체적으로 협지한다. 즉, 본체부(111)의 유지부(31)를 협지하는 위치에 있어서, 유지부(31)의 타단(311b)이 돌출되지 않는 형상으로 했다. 이에 따라, 처리액이 본체부(111)에 접촉하여 튀어오르는 것을 억제할 수 있다. The main body portion 111 sandwiches both sides of the other end 311b of the holding portion 31 as a whole. That is, the other end 311b of the holding portion 31 does not protrude at the position where the holding portion 31 of the main body 111 is held. As a result, it is possible to prevent the treatment liquid from coming into contact with the main body 111 and bouncing.

또한, 본체부(111)에 있어서, 비산된 처리액이 접촉하기 쉬운 측면, 즉, 회전 방향(D)측의 측면에는, 처리액을 유지부(31)의 외측으로 안내하기 위한 경사 안내부(111a)가 형성된다. 이에 따라, 비산된 처리액은, 경사 안내부(111a)에 의해 유지부(31)의 외측으로 흐르고, 따라서 처리액이 튀어오르는 것을 억제할 수 있다. In the side surface of the main body 111 on the side on which the scattered treatment liquid is likely to contact, that is, on the rotation direction D side, there are provided inclined guide portions (for guiding the treatment liquid to the outside of the holding portion 31 111a are formed. Thereby, the scattered processing liquid flows to the outside of the holding portion 31 by the inclined guide portion 111a, and therefore, the processing liquid can be prevented from being splashed.

또한, 나사(112)로는 육각 나사를 이용하도록 했다. 이에 따라, 처리액이 나사(112)의 헤드부의 홈을 통과하여 유지부(31)측의 회전 중심(C)측으로 튀어오르는 것을 억제할 수 있다. 또, 나사(112)는, 육각 나사에 한정되는 것이 아니라, 처리액이 흐르는 홈이 헤드부에 형성되어 있지 않은 나사라면, 어떠한 종류의 나사이어도 좋다. A hexagonal screw is used as the screw 112. Thus, it is possible to prevent the processing liquid from jumping up to the rotation center C side of the holding portion 31 side through the groove of the head portion of the screw 112. The screw 112 is not limited to a hexagonal screw, but may be any kind of screw as long as the groove through which the treatment liquid flows is not formed in the head portion.

또, 도 14a에 상상선으로 나타낸 바와 같이, 본체부(111)에 있어서, 경사 안내부(111a)가 형성되는 측면과는 반대측의 측면에도 경사 안내부(111c)를 형성하도록 해도 좋다. 이에 따라, 비산된 처리액은, 경사 안내부(111c)에 의해 유지부(31)의 외측으로 흐르고, 따라서 처리액이 튀어오르는 것을 한층 더 억제할 수 있다. 14A, the inclined guide portion 111c may be formed on the side surface of the main body portion 111 opposite to the side surface on which the inclined guide portion 111a is formed. Thereby, the scattered processing liquid flows to the outside of the holding portion 31 by the inclined guide portion 111c, and therefore, it is possible to further suppress the splashing of the processing liquid.

이어서, 제2 고정부(120)에 관해 도 16 및 도 17을 참조하여 설명한다. 도 16은, 제2 고정부(120)를 확대하여 나타내는 모식 하면도이고, 도 17은, 도 13의 XVII-XVII선 단면도이다. Next, the second fixing portion 120 will be described with reference to Figs. 16 and 17. Fig. Fig. 16 is a schematic bottom view showing an enlarged view of the second fixing portion 120, and Fig. 17 is a sectional view taken along line XVII-XVII in Fig.

도 17에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 지지핀(312)은, 웨이퍼(W)를 하면측으로부터 지지하는 부재이다. 구체적으로는, 지지핀(312)은, 유지부(31)의 관통 구멍(31c)에 삽입 관통되도록 위치되고, 일단(312a)측에서 웨이퍼(W)를 지지한다. 또한, 지지핀(312)은, 타단(312b)이 유지부(31)의 이면(31a)측으로 돌출되고, 이러한 타단(312b)이 제2 고정부(120)에 의해 고정된다. As shown in Fig. 17, the support pins 312 of the wafers W are members for supporting the wafers W from the bottom side. Specifically, the support pin 312 is positioned so as to be inserted into the through hole 31c of the holding portion 31, and supports the wafer W at the one end 312a side. The other end 312b of the support pin 312 protrudes toward the rear surface 31a of the holding portion 31 and the other end 312b is fixed by the second fixing portion 120. [

제2 실시형태에 따른 제2 고정부(120)에 있어서는, 상기와 같은 액이 튀어오르는 것의 발생을 억제할 수 있는 구성으로 했다. 구체적으로는, 도 16에 나타낸 바와 같이, 제2 고정부(120)는, 본체부(121)와 나사(122)를 구비한다. The second fixing part 120 according to the second embodiment has a configuration capable of suppressing the occurrence of the liquid jumping out. Specifically, as shown in Fig. 16, the second fixing portion 120 includes a main body portion 121 and a screw 122. As shown in Fig.

본체부(121)는, 하면시에 있어서 사각형으로 했다. 이에 따라, 처리액이 본체부(121)에 접촉하여 튀어오르는 것을 억제할 수 있다. The body portion 121 is formed in a rectangular shape at the time of lowering. As a result, it is possible to suppress the process liquid from coming into contact with the main body portion 121 and bouncing.

또한, 본체부(121)에 있어서, 비산된 처리액이 접촉하기 쉬운 측면, 즉, 회전 방향(D)측의 측면에는, 처리액을 유지부(31)의 외측으로 안내하기 위한 경사 안내부(121a)가 형성된다. 이에 따라, 비산된 처리액은, 경사 안내부(121a)에 의해 유지부(31)의 외측으로 흐르고, 따라서 처리액이 튀어오르는 것을 억제할 수 있다. In the main body portion 121, a slope guide portion (not shown) for guiding the treatment liquid to the outside of the holding portion 31 is provided on the side surface of the scattered treatment liquid, 121a are formed. Thereby, the scattered processing liquid flows to the outside of the holding portion 31 by the inclined guide portion 121a, and therefore, the processing liquid can be prevented from being splashed.

또한, 나사(122)로는 육각 나사를 이용하도록 했다. 이에 따라, 유지부(31)측의 회전 중심(C)측으로 액이 튀어오르는 것을 억제할 수 있다. 또, 나사(122)도, 나사(112)와 마찬가지로 육각 나사로 한정되지는 않는다. A hexagonal screw is used as the screw 122. As a result, it is possible to prevent the liquid from jumping up to the rotation center C side of the holding portion 31 side. The screw 122 is not limited to a hexagonal screw like the screw 112.

또, 도 16에 상상선으로 나타낸 바와 같이, 본체부(121)에 있어서, 경사 안내부(121a)가 형성되는 측면과는 반대측의 측면에도 경사 안내부(121c)를 형성하도록 해도 좋다. 이에 따라, 비산된 처리액은, 경사 안내부(121c)에 의해 유지부(31)의 외측으로 흐르고, 따라서 처리액이 튀는 것을 한층 더 억제할 수 있다. 16, the inclined guide portion 121c may be formed on a side surface of the main body portion 121 opposite to the side surface on which the inclined guide portion 121a is formed. Accordingly, the scattered processing liquid flows to the outside of the holding portion 31 by the inclined guide portion 121c, and thus the splash of the processing liquid can be further suppressed.

(제3 실시형태)(Third Embodiment)

이어서, 제3 실시형태에 따른 처리 유닛(16)의 세정액 공급부(80)에 관해 설명한다. 도 18은, 제3 실시형태에서의 제1 둘레벽부(54a)의 모식 평면도이다. 도 18에 나타낸 바와 같이, 제3 실시형태에서는, 토출구(85)는 홈부(58)의 저면에 미리 정해진 범위에 걸쳐 형성되는 개구이다. 토출구(85)와 홈부(58)와의 경계는, 세정액 공급로(84c1)의 경사진 부위의 상단(上端) 가장자리(84d)(후술하는 도 19, 20 참조)를 포함하지만, 이것으로 한정되지는 않는다. 또한, 토출구(85)는, 개구 면적이 세정액 공급관(84c)(도 20 참조)의 유로의 면적보다 커지도록 형성된다. Next, the cleaning liquid supply unit 80 of the processing unit 16 according to the third embodiment will be described. 18 is a schematic plan view of the first peripheral wall portion 54a in the third embodiment. As shown in Fig. 18, in the third embodiment, the discharge port 85 is an opening formed over a predetermined range on the bottom surface of the groove portion 58. As shown in Fig. The boundary between the discharge port 85 and the groove 58 includes the upper edge 84d of the inclined portion of the cleaning liquid supply path 84c1 (see FIGS. 19 and 20 to be described later), but is not limited thereto Do not. The discharge port 85 is formed such that the opening area is larger than the area of the flow path of the cleaning liquid supply pipe 84c (see FIG. 20).

그리고, 토출구(85)와 세정액 공급관(84c) 사이에 중간부(400)를 설치함으로써, 세정액 공급관(84c)으로부터의 세정액의 수세(水勢)를 약하게 하고, 토출구(85)의 토출 방향을 기울여, 세정액 공급관(84c)으로부터의 세정액의 유로를 홈부(58)로 향하도록 했다. 다시 말해서, 중간부(400)는, 세정액 공급관(84c)으로부터 공급되는 세정액의 수세를 상면(54a1)이나 홈부(58)에 공급하기에 적합한 수세로 약하게 하는 버퍼로서의 기능과, 세정액의 유로의 방향을 바꾸는 기능을 갖추도록 했다. The intermediate portion 400 is provided between the discharge port 85 and the cleaning liquid supply pipe 84c to weaken the water pressure of the cleaning liquid from the cleaning liquid supply pipe 84c and tilt the discharge direction of the discharge port 85, The flow path of the cleaning liquid from the cleaning liquid supply pipe 84c is directed to the groove portion 58. [ In other words, the intermediate portion 400 functions as a buffer that weakens the washing liquid supplied from the washing liquid supply pipe 84c by washing with water suitable for supplying the washing liquid to the upper surface 54a1 and the groove portion 58, To change the function.

이하, 중간부(400)의 상세한 구성에 관해, 도 19 및 도 20을 참조하면서 설명한다. 도 19는, 도 18에 일점쇄선으로 나타내는 폐곡선 E1 부근을 확대한 모식 확대 평면도이다. 또한, 도 20은 도 19의 XX-XX선 단면도이다. Hereinafter, the detailed configuration of the intermediate portion 400 will be described with reference to Figs. 19 and 20. Fig. Fig. 19 is a schematic enlarged plan view showing the vicinity of a closed curve E1 indicated by a one-dot chain line in Fig. 18. Fig. 20 is a sectional view taken along the line XX-XX in Fig.

도 19 및 도 20에 나타낸 바와 같이, 세정액 공급부(80)는 중간부(400)를 구비하고, 이러한 중간부(400)는, 오목부(402)와 유로(403)를 구비한 베이스부(401)에 의해 구성된다. 19 and 20, the cleaning liquid supply part 80 includes an intermediate part 400. The intermediate part 400 includes a base part 401 having a concave part 402 and a flow path 403 ).

베이스부(401)는, 원기둥형(기둥형의 일례)으로 형성되지만, 이것으로 한정되지는 않으며, 예를 들면 각기둥형 등의 그 밖의 형상이어도 좋다. 오목부(402)는, 베이스부(401)의 측면에 둘레 방향을 따라서 형성된다. 도 19, 20에 나타내는 예에서, 오목부(402)는, 베이스부(401)의 측면의 전체 둘레에 걸쳐 형성되지만, 이것으로 한정되지 않고, 베이스부(401)의 측면의 일부에 형성되도록 해도 좋다. Although the base portion 401 is formed in a cylindrical shape (an example of a columnar shape), it is not limited to this, and other shapes such as a prismatic shape may be used. The concave portion 402 is formed along the circumferential direction on the side surface of the base portion 401. In the example shown in Figs. 19 and 20, the concave portion 402 is formed over the entire circumference of the side surface of the base portion 401, but is not limited thereto. Even if the concave portion 402 is formed on a part of the side surface of the base portion 401 good.

또한, 오목부(402)와 제1 둘레벽부(54a) 사이에는 체류부(404)가 형성된다. 체류부(404)는, 중간부(400)가 제1 둘레벽부(54a)에 부착된 상태일 때에, 오목부(402)와 제1 둘레벽부(54a)에 의해 형성되는 공간이다. 체류부(404)에 있어서는, 후술하는 바와 같이 세정액 공급관(84c)으로부터 공급되는 세정액이 일단 체류되기 때문에, 세정액의 수세를 약하게 할 수 있고, 세정액이 비산되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 체류부(404)에 있어서는, 세정액의 체류에 의해 세정액의 유량을 늘리는 것이 가능해져, 세정액을 단시간에 홈부(58) 전체에 퍼지게 할 수 있다. A retaining portion 404 is formed between the concave portion 402 and the first peripheral wall portion 54a. The retaining portion 404 is a space formed by the concave portion 402 and the first peripheral wall portion 54a when the intermediate portion 400 is attached to the first peripheral wall portion 54a. In the retaining portion 404, since the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply pipe 84c is once retained as described later, the washing of the cleaning liquid can be weakened and the cleaning liquid can be prevented from scattering. In the retaining section 404, the flow rate of the cleaning liquid can be increased by the retention of the cleaning liquid, and the cleaning liquid can spread over the entire groove 58 in a short time.

유로(403)는 베이스부(401)의 내부에 형성되고, 세정액 공급관(84c)으로부터 공급된 세정액이 흐른다. 유로(403)에 있어서, 일단(一端)에는 유입구(403a)가 형성되는 한편, 타단(他端)에는 유출구(403b)가 형성된다. 또한, 유입구(403a)에 대향하는 면에 대향면(405)이 형성된다.The flow path 403 is formed inside the base portion 401, and the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply pipe 84c flows. In the flow path 403, an inlet 403a is formed at one end and an outlet 403b is formed at the other end. An opposite surface 405 is formed on the surface facing the inlet 403a.

유입구(403a)는, 베이스부(401)의 하면의 중심 부근에 형성되고, 세정액 공급관(84c)에 접속되어 세정액이 유입된다. 유출구(403b)는, 오목부(402)에 형성되고, 유입구(403a)에 유입된 세정액을 유출시킨다. 다시 말해서, 유출구(403b)는 베이스부(401)의 측면에 형성된다. 이와 같이, 유입구(403a)는 베이스부(401)의 하면에, 유출구(403b)는 베이스부(401)의 측면에 형성되고, 유입구(403a)에 대향하는 유로(403)의 상면에 대향면(405)이 형성되기 때문에, 유로(403)는 베이스부(401)의 내부에서 굴곡된 형상이 되며, 예를 들면 단면시(斷面視) 역 L자형으로 형성되지만, 형상 등은 이것으로 한정되지는 않는다. The inlet port 403a is formed in the vicinity of the center of the lower surface of the base portion 401 and connected to the cleaning liquid supply pipe 84c to introduce the cleaning liquid. The outlet 403b is formed in the concave portion 402 and causes the washing liquid flowing into the inlet 403a to flow out. In other words, the outlet 403b is formed on the side surface of the base portion 401. [ The inlet port 403a is formed on the lower surface of the base 401 and the outlet port 403b is formed on the side surface of the base 401. The outlet port 403b is formed on the upper surface of the flow path 403 opposite to the inlet port 403a The channel 403 has a bent shape inside the base portion 401 and is formed in an inverted L shape, for example, in cross section, but the shape and the like are not limited to this .

상기와 같이 구성된 중간부(400)는, 도 20에 나타낸 바와 같이, 제1 둘레벽부(54a)에 형성된 부착 구멍(86)에 부착된다. 이 때, 중간부(400)는, 원기둥형의 베이스부(401)의 축방향이 Z축 방향을 따르도록 하여 부착 구멍(86)에 부착된다. 또한, 중간부(400)는, 부착 구멍(86)에 부착된 상태로, 유입구(403a)가 세정액 공급관(84c)에 접속되고, 유출구(403b)가 세정액 공급로(84c1)의 경사진 부위로 향하도록 위치된다. The intermediate portion 400 configured as described above is attached to the attachment hole 86 formed in the first peripheral wall portion 54a, as shown in Fig. At this time, the intermediate portion 400 is attached to the attachment hole 86 such that the axial direction of the cylindrical base portion 401 is along the Z-axis direction. The middle portion 400 is connected to the cleaning liquid supply pipe 84c while the inlet port 403a is attached to the attachment hole 86 and the outlet port 403b is connected to the inclined portion of the cleaning liquid supply path 84c1 .

다음으로, 세정액의 흐름에 관해 설명하면, 도 20에 파선의 화살표로 나타낸 바와 같이, 세정액은 세정액 공급관(84c)으로부터 유입구(403a)에 유입되고, 계속해서 유로(403)를 통과하여 유출구(403b)로부터 토출된다. 이 때, 세정액은, 유로(403)의 상단인 대향면(405)에 접촉하고 나서 유출구(403b)로 흐르기 때문에, 수세가 적절하게 약해진다. 또한, 유출구(403b)는 오목부(402)에 형성되기 때문에, 유출구(403b)로부터 토출된 세정액은, 세정액 공급로(84c1)의 경사진 부위에 접촉하여 튀어오르거나 하여, 체류부(404)에서 일단 체류하여 유량이 증가한 상태가 된다. Next, referring to the flow of the cleaning liquid, the cleaning liquid flows from the cleaning liquid supply pipe 84c into the inlet port 403a, then passes through the oil line 403 and flows out through the outlet port 403b . At this time, since the cleaning liquid contacts the opposing face 405 which is the upper end of the flow path 403 and then flows to the outlet 403b, the washing is adequately weakened. Since the outlet 403b is formed in the recess 402, the cleaning liquid discharged from the outlet 403b comes into contact with the inclined portion of the cleaning liquid supply path 84c1, And the flow rate is increased.

그리고, 체류부(404)에서 유량이 증가한 세정액은, 세정액 공급로(84c1)의 경사진 부위로부터 상단 가장자리(84d)를 향해 흘러, 토출구(85)로부터 홈부(58)를 따르는 방향(도 20에서는 지면 좌측 방향)으로 토출하게 된다. 즉, 중간부(400)는, 토출구(85)의 토출 방향을 Z축 방향에 대하여 기울이고, 세정액을 토출구(85)로부터 홈부(58)를 따르는 방향을 향해서 토출시킨다. The cleaning liquid whose flow rate has increased in the retaining portion 404 flows from the inclined portion of the cleaning liquid supply path 84c1 toward the upper edge 84d and flows from the discharge port 85 in the direction along the groove portion 58 The left side in the drawing). That is, the intermediate portion 400 tilts the discharge direction of the discharge port 85 with respect to the Z-axis direction, and discharges the cleaning liquid from the discharge port 85 toward the groove portion 58.

이에 따라, 제3 실시형태에 있어서는, 도 18에 나타낸 바와 같이, 세정액을, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 있어서 둘레 방향을 따른 한방향으로 흘릴 수 있고, 따라서 세정액을 상면(54a1)에 있어서 한층 더 광범위하게 퍼지게 하여 효율적으로 세정할 수 있다. 18, the cleaning liquid can be flowed in one direction along the circumferential direction on the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a, so that the cleaning liquid can be supplied to the upper surface 54a1 ), It is possible to spread it more widely and efficiently clean it.

또한, 토출구(85)의 개구 면적이 세정액 공급관(84c)의 유로의 면적보다 커지도록 형성된다. 이에 따라, 홈부(58)에 대하여 비교적 많은 세정액을 공급하는 것이 가능해져, 세정액을 단시간에 홈부(58) 전체에 퍼지게 할 수 있다. 또한, 세정액이 과도한 수세가 되지 않도록 할 수도 있다. 또, 상기 중간부(400)는, 제1 둘레벽부(54a)와는 별개의 부재이지만, 일체로 구성되어도 좋다. The opening area of the discharge port 85 is formed to be larger than the area of the flow path of the cleaning liquid supply pipe 84c. As a result, it is possible to supply a relatively large amount of cleaning liquid to the groove 58, thereby spreading the cleaning liquid over the entire groove 58 in a short time. Further, the washing liquid may be prevented from being excessively washed with water. The intermediate portion 400 is a separate member from the first peripheral wall portion 54a, but may be integrally formed.

(제4 실시형태)(Fourth Embodiment)

이어서, 제4 실시형태에 따른 처리 유닛(16)의 세정액 공급부(80)에 관해 설명한다. 제4 실시형태에 따른 중간부(400)에 있어서는, 복수(예를 들면, 2개)의 유출구(403b)를 구비하도록 했다. Next, the cleaning liquid supply unit 80 of the processing unit 16 according to the fourth embodiment will be described. In the intermediate portion 400 according to the fourth embodiment, a plurality (for example, two) of outflow ports 403b are provided.

도 21은, 제4 실시형태에서의 제1 둘레벽부(54a)의 모식 평면도이다. 도 21에 나타낸 바와 같이, 제4 실시형태에서는, 토출구(85)는, 제3 실시형태의 토출구(85)와 비교하여, 평면시에 있어서의 개구 면적이 커지도록 형성된 개구이다.21 is a schematic plan view of the first peripheral wall portion 54a in the fourth embodiment. As shown in Fig. 21, in the fourth embodiment, the discharge port 85 is an opening formed so as to increase the opening area in plan view as compared with the discharge port 85 of the third embodiment.

또한, 토출구(85)에 접속되는 세정액 공급로(84c1)는, 제1 세정액 공급로(84c11)와 제2 세정액 공급로(84c12)를 구비하고, 제1 세정액 공급로(84c11)와 제2 세정액 공급로(84c12) 사이에 중간부(400)가 설치된다. The cleaning liquid supply path 84c1 connected to the discharge port 85 is provided with a first cleaning liquid supply path 84c11 and a second cleaning liquid supply path 84c12 and is connected to the first cleaning liquid supply path 84c11 and the second cleaning liquid And an intermediate portion 400 is provided between the supply paths 84c12.

도 22는, 도 21에 일점쇄선으로 나타내는 폐곡선 E2 부근을 확대한 모식 확대 평면도이며, 도 23은 도 22의 XXIII-XXIII선 단면도이다. Fig. 22 is a schematic enlarged plan view showing an enlarged view of the vicinity of a closed curve E2 indicated by a one-dot chain line in Fig. 21, and Fig. 23 is a sectional view taken along line XXIII-XXIII in Fig.

도 23에 나타내는 예에서, 제1 세정액 공급로(84c11)는 Z축 방향에 대하여 Y축 부방향측으로 경사진 부위를 구비하고, 제2 세정액 공급로(84c12)는 Z축 방향에 대하여 Y축 정방향측으로 경사진 부위를 구비한다. 즉, 제1 세정액 공급로(84c11)와 제2 세정액 공급로(84c12)는, 대략 좌우대칭이 되도록 형성된다. 또, 상기 제1, 제2 세정액 공급로(84c11, 84c12)의 경사진 방향이나 대략 좌우대칭인 형상으로 되는 것은, 어디까지나 예시이며 한정되지는 않는다. 또한, 토출구(85)와 홈부(58)의 경계는, 제1 세정액 공급로(84c11)의 경사진 부위의 상단 가장자리(84d1) 및 제2 세정액 공급로(84c12)의 경사진 부위의 상단 가장자리(84d2)를 포함하지만, 이것으로 한정되지는 않는다. In the example shown in Fig. 23, the first cleaning liquid supply path 84c11 has a portion inclined to the Y axis direction side with respect to the Z axis direction, and the second cleaning liquid supply path 84c12 has a Y axis positive direction As shown in Fig. That is, the first cleaning liquid supply path 84c11 and the second cleaning liquid supply path 84c12 are formed to be substantially symmetrical to each other. It should be noted that the first and second cleaning liquid supply paths 84c11 and 84c12 are inclined in the inclined direction or substantially symmetrical in the left and right directions. The boundary between the discharge port 85 and the groove 58 is the boundary between the upper edge 84d1 of the inclined portion of the first cleaning liquid supply path 84c11 and the upper edge of the inclined portion of the second cleaning liquid supply path 84c12 0.0 &gt; 84d2). &Lt; / RTI &gt;

세정액 공급부(80)의 중간부(400)는, 개구 방향이 상이한 복수(예를 들면, 2개)의 세정액의 유출구(403b1, 403b2)를 구비한다. 여기서는, 한쪽의 유출구(403b1)를 「제1 유출구(403b1)」, 다른 한쪽의 유출구(403b2)를 「제2 유출구(403b2)」로 기재하는 경우가 있다. The intermediate portion 400 of the cleaning liquid supply portion 80 has a plurality of (for example, two) cleaning liquid outflow ports 403b1 and 403b2 having different opening directions. Here, one outlet port 403b1 may be referred to as a "first outlet port 403b1" and the other outlet port 403b2 may be referred to as a "second outlet port 403b2".

자세하게는, 중간부(400)에 있어서 유로(403)는 도중에 분기되고, 분기된 유로(403)에 있어서 하류측의 일단에 제1 유출구(403b1)가, 타단에 제2 유출구(403b2)가 형성된다. 예를 들면, 제1 유출구(403b1)의 개구 방향은 도 23의 지면 좌측 방향, 제2 유출구(403b2)의 개구 방향은 도 23의 지면 우측 방향이다. 즉, 제1, 제2 유출구(403b1, 403b2)는, 서로 대향하는 위치에 형성되도록 해도 좋다. More specifically, in the intermediate portion 400, the flow path 403 is branched midway, and a first outlet 403b1 is formed at one end on the downstream side and a second outlet 403b2 is formed on the other end of the branched flow path 403 do. For example, the opening direction of the first outlet 403b1 is the left side of the drawing in Fig. 23, and the opening direction of the second outlet 403b2 is the right side of the drawing in Fig. That is, the first and second outlets 403b1 and 403b2 may be formed at positions facing each other.

다시 말해서, 제1, 제2 유출구(403b1, 403b2)는, 제1 둘레벽부(54a)의 둘레 방향을 따른 단면시(斷面視)에 있어서, 좌우대칭 형상 또는 대략 좌우대칭 형상이 되도록 개구되도록 해도 좋고, 이러한 경우, 유로(403)는 베이스부(401)의 내부에 있어 예를 들면 단면시 T자형으로 형성된다. 또, 상기 유로(403)나 제1, 제2 유출구(403b1, 403b2)의 형상이나 수 등은 예시이며 한정되지는 않는다. In other words, the first and second outflow ports 403b1 and 403b2 are formed so as to be opened symmetrically in the lateral direction or symmetrically in the lateral direction in the sectional view along the circumferential direction of the first peripheral wall portion 54a In this case, the flow path 403 is formed inside the base portion 401, for example, in a T-shape at a cross section. The shape and number of the flow path 403 and the first and second outflow ports 403b1 and 403b2 are illustrative and not limitative.

중간부(400)는, 부착 구멍(86)에 부착된 상태로, 제1 유출구(403b1)가 제1 세정액 공급로(84c11)의 경사진 부위로 향하도록, 제2 유출구(403b2)가 제2 세정액 공급로(84c12)의 경사진 부위로 향하도록 위치된다. The intermediate portion 400 is attached to the attachment hole 86 such that the first outlet 403b1 is directed to the inclined portion of the first cleaning liquid supply path 84c11 and the second outlet 403b2 is directed to the second And is directed to the inclined portion of the cleaning liquid supply path 84c12.

중간부(400) 및 제1, 제2 세정액 공급로(84c11, 84c12)가 상기와 같이 구성됨으로써, 세정액은 중간부(400)로부터 2방향으로 토출되게 된다. 즉, 파선의 화살표로 나타낸 바와 같이, 유로(403)를 통과하여 제1 유출구(403b1)로부터 토출되는 세정액은, 제1 세정액 공급로(84c11)의 경사진 부위로부터 상단 가장자리(84d1)를 향해서 흘러, 토출구(85)로부터 홈부(58)를 따르는 방향(도 23에서는 지면 좌측 방향)으로 토출되게 된다. Since the intermediate portion 400 and the first and second cleaning liquid supply paths 84c11 and 84c12 are configured as described above, the cleaning liquid is discharged from the intermediate portion 400 in two directions. That is, as indicated by the broken line arrow, the cleaning liquid that has passed through the flow path 403 and discharged from the first outlet 403b1 flows from the inclined portion of the first cleaning liquid supply path 84c11 toward the upper edge 84d1 , And is discharged from the discharge port 85 in the direction along the groove portion 58 (leftward in the drawing in Fig. 23).

한편, 일점쇄선의 화살표로 나타낸 바와 같이, 유로(403)를 통과하여 제2 유출구(403b2)로부터 토출되는 세정액은, 제2 세정액 공급로(84c12)의 경사진 부위로부터 상단 가장자리(84d2)를 향해서 흘러, 토출구(85)로부터 홈부(58)를 따르는 방향(도 23에서는 지면 우측 방향)으로 토출되게 된다. On the other hand, as indicated by one-dot chain line, the cleaning liquid that has passed through the flow path 403 and is discharged from the second outlet 403b2 flows from the inclined portion of the second cleaning liquid supply path 84c12 toward the upper edge 84d2 And is discharged from the discharge port 85 in the direction along the groove 58 (rightward in FIG. 23).

따라서, 제4 실시형태에 있어서는, 도 21에 나타낸 바와 같이, 토출구(85)는, 평면시에 있어서 양측에 인접하는 삽입 관통 구멍(59)을 향해서 세정액을 토출할 수 있기 때문에, 토출구(85)와 인접하는 삽입 관통 구멍(59) 사이의 상면(54a1)를 조기에 효율적으로 세정할 수 있다. 21, the discharge port 85 can discharge the cleaning liquid toward the insertion through-holes 59 adjacent to both sides in the plan view, so that the discharge port 85 is formed in the discharge port 85. Therefore, in the fourth embodiment, And the upper surface 54a1 between the adjacent insertion through holes 59 can be cleaned efficiently at an early stage.

또, 도시는 생략하지만, 중간부(400)에 있어서, 예를 들면 베이스부(401)의 상면에 세정액의 유출구를 형성하고, 이러한 유출구로부터 세정액이 유출됨으로써 베이스부(401)의 상면을 세정하도록 해도 좋다. Although not shown, an outlet port of the cleaning liquid is formed on the upper surface of the base 401, for example, in the intermediate portion 400, and the upper surface of the base 401 is cleaned by the outflow of the cleaning liquid Maybe.

<6. 세정 처리의 다른 예><6. Other Example of Cleaning Process>

다음으로, 세정 처리의 다른 예에 관해 설명한다. 세정 처리에 관해, 상기에서는 도 8을 참조하여 설명했지만 이것에 한정되지 않는다. 도 24는, 세정 처리의 처리 순서의 다른 예를 나타내는 플로우차트이다. 또, 도 24의 처리는, 예를 들면 제4 실시형태에 따른 처리 유닛(16)에서 행해지지만, 이것으로 한정되지는 않는다. Next, another example of the cleaning process will be described. The cleaning process has been described above with reference to Fig. 8, but the present invention is not limited to this. Fig. 24 is a flowchart showing another example of the processing procedure of the cleaning process. 24 is performed by, for example, the processing unit 16 according to the fourth embodiment, but the present invention is not limited to this.

도 24에 나타낸 바와 같이, 제어 장치(4)의 제어부(18)는, 제1 승강 구동부(56b)에 의해 제1 액수용부(55a)를 하강시켜 후퇴 위치로 이동시킨 후, 세정액을 공급한다(단계 S20). 이에 따라, 예를 들면 토출구(85)나 중간부(400) 부근의 세정을 행할 수 있다. 24, the controller 18 of the control device 4 moves the first liquid supply portion 55a downward to the retreat position by the first lift driving portion 56b, and then supplies the cleaning liquid ( Step S20). Thus, for example, cleaning near the discharge port 85 and the intermediate portion 400 can be performed.

계속해서, 제어부(18)는, 제1 액수용부(55a)를 상승시켜 처리 위치로 이동시킨 후, 구동부(33)에 의해 유지부(31)를 반시계 방향으로 회전시키면서 세정액을 공급한다(단계 S21). 이와 같이, 유지부(31)를 회전시킴으로써 선회류가 생기기 때문에, 홈부(58)를 타고 세정액을 토출구(85)로부터 비교적 떨어진 부위까지 광범위하게 널리 퍼지게 하여 세정할 수 있다. Subsequently, the controller 18 moves the first liquid supply portion 55a to the processing position and then supplies the cleaning liquid while rotating the holding portion 31 counterclockwise by the driving portion 33 S21). Since the swirling flow is generated by rotating the holding portion 31 as described above, the cleaning liquid can be wiped by spreading the cleaning liquid over the groove portion 58 widely from the discharge port 85 to a relatively remote portion.

다음으로, 제어부(18)는, 제1 액수용부(55a)를 하강시켜 후퇴 위치로 이동시킨 후, 유지부(31)를 반시계 방향으로 회전시키면서 세정액을 공급한다(단계 S22). 이에 따라, 제1 액수용부(55a)의 하면(55a1)이나 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)을 세정할 수 있다. 또, 제어부(18)는, 상기 단계 S20∼S22의 처리를 미리 정해진 횟수로 반복해도 좋다. Next, the controller 18 moves the first liquid supply portion 55a downward to the retreat position, and then supplies the cleaning liquid while rotating the holding portion 31 counterclockwise (Step S22). Thus, the lower surface 55a1 of the first liquid supply portion 55a and the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a can be cleaned. The control unit 18 may repeat the processes of steps S20 to S22 by a predetermined number of times.

다음으로, 제어부(18)는, 제1 액수용부(55a)를 상승시켜 처리 위치로 이동시킨 후, 유지부(31)를 반시계 방향으로 회전시키면서 세정액을 공급한다(단계 S23). Next, the controller 18 moves the first liquid supply portion 55a up to the processing position, and then supplies the cleaning liquid while rotating the holding portion 31 counterclockwise (Step S23).

다음으로, 제어부(18)는, 제1 액수용부(55a)를 상승시킨 채, 유지부(31)를 시계 방향으로 회전시키면서 세정액을 공급한다(단계 S24). 이와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 유지부(31)가 반시계 방향(미리 정해진 방향의 일례)으로 회전된 상태로 세정액을 공급한 후, 유지부(31)가 시계 방향(미리 정해진 방향과는 반대 방향의 일례)으로 회전된 상태로 세정액을 공급한다. Next, the control unit 18 supplies the cleaning liquid while rotating the holding unit 31 clockwise while raising the first liquid supply unit 55a (step S24). As described above, in the present embodiment, after the cleaning liquid is supplied in a state in which the holding portion 31 is rotated in the counterclockwise direction (an example of a predetermined direction), the holding portion 31 is rotated in the clockwise direction And the cleaning liquid is supplied in a rotated state.

이에 따라, 예를 들면 도 21에 나타낸 바와 같이, 유지부(31)가 반시계 방향으로 회전할 때에는, 세정액은 일점쇄선의 화살표 방향으로 많이 공급되고, 많이 공급된 부위를 중점적으로 세정할 수 있다. 한편, 유지부(31)가 시계 방향으로 회전할 때에는, 세정액은 파선의 화살표 방향으로 많이 공급되고, 많이 공급된 부위를 중점적으로 세정할 수 있다. 즉, 유지부(31)의 회전 방향을 세정 처리의 도중에 전환함으로써, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)을 한층 더 효율적으로 세정할 수 있다.21, when the holding portion 31 rotates in the counterclockwise direction, the cleaning liquid is supplied in a large amount in the arrow direction of the one-dotted chain line, and the largely supplied region can be cleaned mainly . On the other hand, when the holding portion 31 rotates in the clockwise direction, the cleaning liquid is supplied in a large amount in the arrow direction of the broken line, and the largely supplied portion can be cleaned intensively. That is, the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a can be more efficiently cleaned by switching the rotational direction of the holding portion 31 in the middle of the cleaning process.

도 24의 설명을 계속하면, 다음으로 제어부(18)는, 제1 액수용부(55a)를 하강시켜 후퇴 위치로 이동시킨 후, 유지부(31)를 시계 방향으로 회전시키면서 세정액을 공급한다(단계 S25). 또, 제어부(18)는, 상기 단계 S24, S25의 처리를 미리 정해진 횟수로 반복해도 좋다. Continuing with the description of Fig. 24, next, the control section 18 moves the first liquid supply section 55a downward to the retreat position, and then supplies the cleaning liquid while rotating the holding section 31 in the clockwise direction S25). The control unit 18 may repeat the processes of steps S24 and S25 by a predetermined number of times.

다음으로, 제어부(18)는, 제1 액수용부(55a)를 상승시켜 처리 위치로 이동시킨 후, 유지부(31)를 시계 방향으로 회전시키면서 세정액을 공급한다(단계 S26). Next, the controller 18 raises the first liquid supply portion 55a to move to the processing position, and then supplies the cleaning liquid while rotating the holding portion 31 clockwise (Step S26).

다음으로, 제1 액수용부(55a)의 외주측의 세정이 행해진다. 구체적으로는, 제어부(18)는, 제1 액수용부(55a)를 하강시켜 후퇴 위치로 이동시키고, 제2 액수용부(55b)를 상승시켜 처리 위치로 이동시킨다(도 3 참조). 이에 따라, 제1 액수용부(55a)와 제2 액수용부(55b)가 이격된다. Next, the outer peripheral side of the first liquid supply portion 55a is cleaned. Specifically, the control section 18 moves the first liquid intake portion 55a downward to the retreat position, and moves the second liquid intake portion 55b to the processing position (see Fig. 3). As a result, the first liquid supply portion 55a and the second liquid supply portion 55b are separated from each other.

그리고, 제어부(18)는, 처리 유체 공급부(40)의 노즐(41)을 제1 액수용부(55a) 부근까지 이동시킨 후, DIW를 세정액으로서 토출시킨다. 이에 따라, 세정액은, 제1 액수용부(55a)와 제2 액수용부(55b)의 간극으로부터, 제1 액수용부(55a)의 외주측에 공급되게 되고, 따라서 제1 액수용부(55a)의 외주측의 세정이 행해진다(단계 S27). The control unit 18 moves the nozzle 41 of the treatment fluid supply unit 40 to the vicinity of the first liquid supply unit 55a and then discharges the DIW as a cleaning liquid. Thus, the cleaning liquid is supplied from the clearance between the first liquid supply portion 55a and the second liquid supply portion 55b to the outer peripheral side of the first liquid supply portion 55a, and therefore the outer periphery of the first liquid supply portion 55a Is cleaned (step S27).

또, 제1 액수용부(55a)의 내주측의 세정에 관해서는, 예를 들면 도 7에 단계 S4에서 나타내는 제2 약액 처리 중에서 행하고 있기 때문에, 본 세정 처리에서는 행하지 않지만, 제1 액수용부(55a)의 외주측의 세정의 전후로 행하도록 해도 좋다. 또, 제1 액수용부(55a)의 내주측의 세정시에, 예를 들면, 제1 액수용부(55a)의 내주측에 제2 약액을 수초간 공급하여 결정 등을 씻어내도 좋다. 이 때, 제1 액수용부(55a)를 씻어낸 제2 약액에는 결정이 포함되어 있는 경우가 있기 때문에, 회수 라인에는 넣지 않고 배액 라인으로 흘리고, 그 후 미리 정해진 시간이 경과하여 결정이 포함되지 않게 된 시점에서 배액 라인으로부터 회수 라인으로 전환하여, 회수를 개시하도록 해도 좋다. The cleaning of the inner peripheral side of the first liquid supply portion 55a is performed in the second chemical liquid treatment shown in step S4 in Fig. 7, for example. Therefore, although not performed in this cleaning treatment, the first liquid supply portion 55a The cleaning may be performed before or after the cleaning on the outer peripheral side. In cleaning the inner peripheral side of the first liquid supply portion 55a, for example, the second chemical liquid may be supplied to the inner peripheral side of the first liquid supply portion 55a for a few seconds to wash the crystal or the like. At this time, since crystals are contained in the second chemical liquid from which the first liquid supply portion 55a is washed, the liquid is flowed into the liquid supply line without being introduced into the recovery line, and after the predetermined time has elapsed, The recovery line may be switched from the drain line to the recovery line.

또, 상기 제1 액수용부(55a)의 하면(55a1)이나 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1), 제1 액수용부(55a)의 외주측을 세정하면, 예를 들면 BHF의 결정 등을 포함한 세정액이 제2 배액홈(501b)(도 3 참조)에 유입되게 된다. 이러한 제2 배액홈(501b)은 알칼리계 처리액용의 배액홈이므로, 산계 처리액인 BHF의 결정을 포함한 세정액이 제2 배액홈(501b)으로부터 배액관(91b)을 통과하여 배액 라인으로 유입되는 것은 바람직하지 않다. When the lower surface 55a1 of the first liquid supply portion 55a, the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a and the outer peripheral side of the first liquid supply portion 55a are cleaned, for example, crystals of BHF Is introduced into the second drainage groove 501b (see FIG. 3). Since the second drainage groove 501b is a drainage groove for the alkaline processing solution, the cleaning liquid containing BHF crystals as an acid treatment solution flows from the second drainage groove 501b through the drainage pipe 91b to the drainage line It is not preferable.

따라서, 본 실시형태에 있어서는, BHF의 결정을 포함한 세정액이 제2 배액홈(501b)에 유입되는 경우, 도시는 생략하지만, 밸브(62b)를 전환하여, 유입된 세정액을 세정액의 배액 라인인 제2 배액관(91a2)으로 흘리도록 한다. 이에 따라, BHF의 결정 등을 포함한 세정액이 밸브(62b)의 하류측으로 흘러, 알칼리계 처리액의 배액 라인으로 유입되는 것을 방지할 수 있다. Therefore, in the present embodiment, when the cleaning liquid containing BHF crystals flows into the second drainage groove 501b, although the illustration is omitted, the valve 62b is switched so that the introduced cleaning liquid is discharged into the second drainage groove 501b 2 drain tube 91a2. Thus, it is possible to prevent the cleaning liquid including BHF crystals and the like from flowing to the downstream side of the valve 62b and flowing into the drain line of the alkaline processing solution.

도 24의 설명을 계속하면, 다음으로 제어부(18)는 건조 처리를 행한다(단계 S28). 구체적으로, 제어부(18)는 세정액의 공급을 정지하고, 유지부(31)를 시계 방향으로 회전시켜 선회류를 생기게 하여, 제1 둘레벽부(54a)나 제1 액수용부(55a)를 건조시킨다. 이러한 건조 처리가 종료되면, 일련의 세정 처리가 완료된다. Continuing with the description of Fig. 24, the control section 18 next performs drying processing (step S28). Specifically, the control unit 18 stops the supply of the cleaning liquid, rotates the holding unit 31 clockwise to generate the swirling flow, and dries the first peripheral wall portion 54a and the first liquid supply portion 55a . When the drying process is completed, a series of cleaning processes are completed.

또, 상기 실시형태에 있어서는, 세정액 공급관(84c)의 토출구(85)로부터 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 세정액을 공급하도록 했지만, 이것으로 한정되지는 않는다. 즉, 예를 들면 상면(54a1)을 향하는 위치에 세정액의 공급 노즐을 배치하고, 공급 노즐로부터 상면(54a1)에 세정액을 공급하도록 구성해도 좋다. In the above embodiment, the cleaning liquid is supplied from the discharge port 85 of the cleaning liquid supply pipe 84c to the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a. However, the present invention is not limited to this. That is, for example, the cleaning liquid supply nozzle may be disposed at a position facing the upper surface 54a1, and the cleaning liquid may be supplied to the upper surface 54a1 from the supply nozzle.

또한, 상기에서는, 세정액 공급부(80)는, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)을 세정하도록 했지만, 이것으로 한정되지는 않는다. 즉, 상면(54a1)의 세정을 대신하여 혹은 더하여, 세정액 공급부(80)가 제2 둘레벽부(54b)의 상면(54b1)을 세정하도록 구성해도 좋다. In the above, the cleaning liquid supply unit 80 is configured to clean the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a, but this is not restrictive. That is, the cleaning liquid supply portion 80 may be configured to clean the upper surface 54b1 of the second peripheral wall portion 54b instead of or in addition to the cleaning of the upper surface 54a1.

또, 세정액 공급관으로부터의 세정액의 수세를 약하게 하는 실시형태로는, 상기 제3 실시형태, 제4 실시형태에서의 중간부(400)로 한정되지 않는다. 세정액 공급관으로부터의 세정액의 유속을 약하게 하기 위해, 세정액 공급관(84c)의 토출구와, 세정액 토출구(85)와의 사이에 세정액을 일단 체류시키는 체류부를 부여함으로써, 세정액 공급관으로부터의 세정액의 수세를 약하게 할 수 있다. 또한, 세정액 공급관으로부터의 세정액의 유속을 약하게 하기 위해 세정액 공급관(84c)의 토출구에 대향하는 면을 설치하고, 세정액의 흐름을 바꾸는 것, 또한, 흐름을 변경한 세정액을 일단 체류시키는 체류부를 부여함으로써, 세정액 공급관으로부터의 세정액의 수세를 약하게 할 수 있다. In addition, the embodiment that weakens the washing of the cleaning liquid from the cleaning liquid supply pipe is not limited to the intermediate portion 400 in the third and fourth embodiments. It is possible to weaken the flushing of the cleaning liquid from the cleaning liquid supply pipe by providing a retention portion for temporarily retaining the cleaning liquid between the discharge port of the cleaning liquid supply pipe 84c and the cleaning liquid discharge port 85 to weaken the flow rate of the cleaning liquid from the cleaning liquid supply pipe have. Further, in order to weaken the flow rate of the cleaning liquid from the cleaning liquid supply pipe, a surface opposed to the discharge port of the cleaning liquid supply pipe 84c is provided to change the flow of the cleaning liquid and to provide a retention portion for temporarily retaining the cleaning liquid , It is possible to weaken the washing of the cleaning liquid from the cleaning liquid supply pipe.

또한, 상기 처리 유닛(16)에서는, 산계 처리액을 제1 배액관(91a1)을 통해 회수하여 재이용하도록 했지만, 이것으로 한정되지는 않고, 산계 처리액을 재이용하지 않는 구성이어도 좋다. 또한, 상기에서는, 제1 승강 구동부(56b)와 제2 승강 구동부(57b)를 별개의 부재로 했지만, 이것으로 한정되지 않고, 예를 들면 제1, 제2 승강 구동부(56b, 57b)를 공통화시키도록 해도 좋다. Further, in the processing unit 16, the acid-based treatment liquid is recovered through the first drain pipe 91a1 and reused, but the present invention is not limited to this and the acid treatment liquid may not be reused. In the above description, the first elevation driving portion 56b and the second elevation driving portion 57b are separate members, but the present invention is not limited to this. For example, the first and second elevation driving portions 56b and 57b may be standardized .

또 다른 효과나 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범위한 양태는, 이상과 같이 나타내고 기술한 특정한 상세 및 대표적인 실시형태로 한정되지는 않는다. 따라서, 첨부한 특허청구범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위에서 일탈하지 않고, 여러가지 변경이 가능하다. Other effects and modifications can be easily derived by those skilled in the art. Therefore, the broader aspects of the present invention are not limited to the specific details and representative embodiments described and shown above. Accordingly, various changes may be made without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents.

1 : 기판 처리 시스템 4 : 제어 장치
16 : 처리 유닛 18 : 제어부
30 : 기판 유지 기구 31 : 유지부
40 : 처리 유체 공급부 50 : 회수컵
50a : 제1 컵 50b : 제2 컵
50c : 제3 컵 53 : 바닥부
54a : 제1 둘레벽부 55a : 제1 액수용부
56 : 제1 승강 기구 56a : 제1 지지 부재
59 : 삽입 관통 구멍 70 : 처리 유체 공급원
101 : 제1 회전컵 102 : 제2 회전컵1: substrate processing system 4: control device
16: processing unit 18:
30: substrate holding mechanism 31:
40: treatment fluid supply part 50: recovery cup
50a: first cup 50b: second cup
50c: third cup 53: bottom part
54a: first peripheral wall portion 55a:
56: first elevating mechanism 56a: first supporting member
59: insertion hole 70: treatment fluid supply source
101: first rotating cup 102: second rotating cup

Claims (17)

기판을 유지하는 유지부와,
상기 기판에 대하여 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
바닥부와, 상기 바닥부로부터 세워져 설치되는 통형상의 둘레벽부와, 상기 둘레벽부의 상측에 설치되어 상기 기판으로부터 비산된 처리액을 받는 액수용부와, 상기 둘레벽부의 상면에 둘레 방향을 따라서 형성된 홈부를 가지며, 상기 유지부를 둘러싸는 컵과,
상기 둘레벽부의 상면에 대하여 세정액을 공급하는 세정액 공급부
를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. A holding portion for holding the substrate,
A processing liquid supply unit for supplying a processing liquid to the substrate;
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a bottom portion; a cylindrical peripheral wall portion provided upright from the bottom portion; a liquid supply portion provided above the peripheral wall portion to receive the treatment liquid scattered from the substrate; A cup having a groove portion and surrounding the holding portion,
A cleaning liquid supply portion for supplying a cleaning liquid to the upper surface of the peripheral wall portion,
And the substrate processing apparatus. 제1항에 있어서, 상기 컵은,
상기 액수용부를 지지하고, 상기 액수용부를 상기 둘레벽부에 대하여 승강시키는 지지 부재와,
상기 둘레벽부 내에 형성되고 상기 지지 부재가 삽입 관통되며, 상기 둘레벽부의 상면에 개구부를 갖는 삽입 관통 구멍
을 구비하고,
상기 개구부는,
상기 홈부의 적어도 일부와 평면시(平面視)에 있어서 중복되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 2. The apparatus of claim 1,
A supporting member for supporting the liquid holding portion and lifting the liquid holding portion against the peripheral wall portion,
An insertion hole formed in the peripheral wall portion and inserted through the support member, the insertion hole having an opening in an upper surface of the peripheral wall portion,
And,
The opening
Wherein the groove portion is formed so as to overlap with at least a part of the groove portion in a plan view (in plan view). 제1항에 있어서, 상기 세정액 공급부는,
상기 홈부에 형성되는 세정액 토출구
를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The cleaning apparatus according to claim 1,
The cleaning liquid discharge port
And the substrate processing apparatus. 제3항에 있어서, 상기 세정액 공급부는,
상기 세정액 토출구에 접속되는 세정액 공급로
를 구비하고,
상기 세정액 공급로는,
상기 둘레벽부의 둘레 방향을 따라서 경사져 있는 것
을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The cleaning apparatus according to claim 3,
A cleaning liquid supply path connected to the cleaning liquid discharge port,
And,
In the cleaning liquid supply path,
And is inclined along the circumferential direction of the peripheral wall portion
And the substrate processing apparatus. 제3항에 있어서, 상기 세정액 공급부는,
세정액 공급원에 접속되는 세정액 공급관
을 구비하고,
상기 세정액 공급관과 상기 세정액 토출구 사이에서, 상기 세정액 공급관으로부터의 세정액의 수세(水勢)를 약하게 하는 것
을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The cleaning apparatus according to claim 3,
A cleaning liquid supply pipe connected to the cleaning liquid supply source
And,
And to weaken the water pressure of the cleaning liquid from the cleaning liquid supply pipe between the cleaning liquid supply pipe and the cleaning liquid discharge port
And the substrate processing apparatus. 제5항에 있어서, 상기 세정액 토출구는,
개구 면적이 상기 세정액 공급관의 유로의 면적보다 큰 것
을 특징으로 하는 기판 처리 장치.6. The cleaning apparatus according to claim 5,
The opening area is larger than the area of the flow path of the cleaning liquid supply pipe
And the substrate processing apparatus. 제5항에 있어서, 상기 세정액 공급부는,
상기 세정액 공급관과 상기 세정액 토출구 사이에 설치되는 중간부
를 구비하고,
상기 중간부는,
기둥형으로 형성되는 베이스부와,
상기 베이스부의 측면에 둘레 방향을 따라서 형성되는 오목부와,
상기 베이스부에 형성되고, 상기 세정액 공급관에 접속되는 유입구와,
상기 오목부에 형성되고, 상기 유입구에 유입된 세정액을 유출시키는 유출구
를 구비하고,
상기 중간부에 의해 상기 세정액 공급관으로부터의 세정액의 수세를 약하게 하는 것
을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The cleaning apparatus according to claim 5,
And an intermediate portion provided between the cleaning liquid supply pipe and the cleaning liquid discharge opening
And,
In the intermediate portion,
A base portion formed in a columnar shape,
A concave portion formed along a circumferential direction on a side surface of the base portion,
An inlet port formed in the base portion and connected to the cleaning liquid supply pipe,
An outlet formed in the concave portion for discharging the washing liquid flowing into the inlet,
And,
The middle part being adapted to weaken the flushing of the cleaning liquid from the cleaning liquid supply pipe
And the substrate processing apparatus. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 둘레벽부는,
상기 상면에 형성되고, 상기 홈부를 향하여 내리막 구배가 되는 경사부
를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 8. The apparatus according to any one of claims 1 to 7,
An inclined portion formed on the upper surface and having a downward slope toward the groove portion,
And the substrate processing apparatus. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 둘레벽부는,
상기 상면에 형성되고, 측면을 향하여 내리막 구배가 되는 경사부
를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 9. The method according to any one of claims 1 to 8,
An inclined portion formed on the upper surface and having a downward slope toward the side surface,
And the substrate processing apparatus. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세정액 공급부 및 상기 액수용부를 제어하는 제어부
를 구비하고,
상기 제어부는,
상기 액수용부를 처리 위치보다 하측의 후퇴 위치로 이동시킨 상태로 상기 세정액 공급부로부터 세정액을 공급시키는 것
을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 10. The washing machine according to any one of claims 1 to 9, further comprising: a controller
And,
Wherein,
The cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid supply unit in a state in which the liquid supply unit is moved to a retreat position lower than the processing position
And the substrate processing apparatus. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세정액 공급부는,
상기 둘레벽부의 상면을 세정할 때와 액수용부의 하면을 세정할 때에 있어서 세정액의 유량을 변경하는 것
을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 11. The cleaning apparatus according to any one of claims 1 to 10,
And changing the flow rate of the cleaning liquid when cleaning the upper surface of the peripheral wall portion and cleaning the lower surface of the liquid water portion
And the substrate processing apparatus. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세정액 공급부 및 상기 유지부를 제어하는 제어부
를 구비하고,
상기 제어부는,
상기 유지부를 회전시킨 상태로 상기 세정액 공급부로부터 세정액을 공급시키는 것
을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 12. The cleaning apparatus according to any one of claims 1 to 11, wherein the control unit controls the cleaning liquid supply unit and the holding unit
And,
Wherein,
The cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid supply unit while the holding unit is rotated
And the substrate processing apparatus. 제12항에 있어서, 상기 세정액 공급부는,
개구 방향이 상이한 복수의 세정액의 유출구
를 구비하고,
상기 제어부는,
상기 유지부를 미리 정해진 방향으로 회전시킨 상태로 상기 세정액 공급부의 상기 복수의 유출구로부터 세정액을 공급시킨 후, 상기 유지부를 미리 정해진 방향과는 반대 방향으로 회전시킨 상태로 상기 세정액 공급부의 상기 복수의 유출구로부터 세정액을 공급시키는 것
을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 13. The cleaning apparatus according to claim 12,
An outlet of a plurality of cleaning liquids having different opening directions
And,
Wherein,
The cleaning liquid is supplied from the plurality of outlets of the cleaning liquid supply unit while the holding unit is rotated in a predetermined direction and then the cleaning liquid is supplied from the plurality of outlets of the cleaning liquid supply unit in a state of rotating the holding unit in a direction opposite to the predetermined direction Supplying the cleaning liquid
And the substrate processing apparatus. 제1항에 있어서, 상기 세정액 공급부는,
상기 홈부에 형성되는 세정액 토출구와,
상기 세정액 토출구에 접속되는 세정액 공급로를 구비하고,
상기 세정액 공급로는, 상기 둘레벽부의 둘레 방향을 따라서 경사져 있고,
상기 세정액 공급부는 또한, 세정액 공급원에 접속되는 세정액 공급관을 구비하고,
상기 세정액 토출구의 개구 면적은, 상기 세정액 공급관의 유로의 면적보다 크고,
상기 세정액 공급관과 상기 세정액 토출구 사이에, 세정액 체류부를 설치한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The cleaning apparatus according to claim 1,
A cleaning liquid discharge port formed in the groove portion,
And a cleaning liquid supply path connected to the cleaning liquid discharge port,
The cleaning liquid supply path is inclined along the circumferential direction of the peripheral wall portion,
The cleaning liquid supply portion may further include a cleaning liquid supply pipe connected to the cleaning liquid supply source,
The opening area of the cleaning liquid discharge port is larger than the area of the flow path of the cleaning liquid supply pipe,
Wherein the cleaning liquid retaining portion is provided between the cleaning liquid supply pipe and the cleaning liquid ejecting opening. 기판을 유지하는 기판 유지 공정과,
상기 기판에 대하여 처리액을 공급하는 처리액 공급 공정과,
바닥부와, 상기 바닥부로부터 세워져 설치되는 통형상의 둘레벽부와, 상기 둘레벽부의 상측에 설치되어 상기 기판으로부터 비산된 처리액을 받는 액수용부와, 상기 둘레벽부의 상면에 둘레 방향을 따라서 형성된 홈부를 가지며, 상기 기판을 유지하는 유지부를 둘러싸는 컵에 있어서, 상기 둘레벽부의 상면에 대하여 세정액을 공급하는 세정액 공급 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. A substrate holding step of holding a substrate;
A process liquid supply step of supplying a process liquid to the substrate;
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a bottom portion; a cylindrical peripheral wall portion provided upright from the bottom portion; a liquid supply portion provided above the peripheral wall portion to receive the treatment liquid scattered from the substrate; And a cleaning liquid supply step of supplying a cleaning liquid to the upper surface of the peripheral wall portion in a cup having a groove portion and surrounding a holding portion for holding the substrate,
The substrate processing method comprising: 제15항에 있어서, 상기 세정액 공급 공정은,
상기 액수용부를 처리 위치보다 하측의 후퇴 위치로 이동시킨 상태로 세정액을 공급한 후, 상기 액수용부를 처리 위치로 이동시키고 상기 유지부를 미리 정해진 방향으로 회전시킨 상태로 세정액을 공급하는 것
을 특징으로 하는 기판 처리 방법.16. The cleaning method according to claim 15,
The cleaning liquid is supplied in a state in which the liquid holding portion is moved to a lower retreat position lower than the processing position and then the cleaning liquid is supplied in a state in which the liquid holding portion is moved to a processing position and the holding portion is rotated in a predetermined direction
&Lt; / RTI &gt; 제16항에 있어서, 상기 세정액 공급 공정은 또한,
상기 액수용부를 상기 처리 위치로 한 채 상기 유지부를 미리 정해진 방향과는 반대 방향으로 회전시킨 상태로 세정액을 공급한 후, 상기 유지부를 상기 반대 방향으로 회전시킨 채 상기 액수용부를 상기 후퇴 위치로 이동시킨 상태로 세정액을 공급하는 것
을 특징으로 하는 기판 처리 방법.17. The cleaning method according to claim 16,
The cleaning liquid is supplied while the holding portion is rotated in a direction opposite to the predetermined direction while the liquid holding portion is in the processing position and then the holding portion is rotated in the opposite direction to move the liquid holding portion to the retreat position And supplying the cleaning liquid in a state
&Lt; / RTI &gt;
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