KR100797082B1 - Method of treating a substrate - Google Patents

Method of treating a substrate Download PDF

Info

Publication number
KR100797082B1
KR100797082B1 KR1020060080591A KR20060080591A KR100797082B1 KR 100797082 B1 KR100797082 B1 KR 100797082B1 KR 1020060080591 A KR1020060080591 A KR 1020060080591A KR 20060080591 A KR20060080591 A KR 20060080591A KR 100797082 B1 KR100797082 B1 KR 100797082B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
container
rinse liquid
support member
processing surface
Prior art date
Application number
KR1020060080591A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
임정수
윤창로
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020060080591A priority Critical patent/KR100797082B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100797082B1 publication Critical patent/KR100797082B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

An apparatus and a method for processing a substrate are provided to improve efficiency of rinse and dry processes performed on the substrate and to prevent water mark phenomenon by blocking exposure of a processed surface of the substrate to outside air. A housing provides a space therein in which cleaning and dry processes are performed on a substrate. A supporting member(130) supports the substrate in the housing when the processes are performed. A nozzle member(150) supplies treatment fluid to a processed surface of the substrate supported by the supporting member when the processes are performed. An immersion member(200) is formed in the housing. The immersion member immerses the substrate supported by the supporting member into rinse liquid in the dry process. The immersion member includes a vessel and a rinse liquid supplying line. A upper portion of the vessel is opened. The vessel has a space where the rinse liquid is filled. The rinse liquid supplying line supplies the rinse liquid to the vessel.

Description

기판 처리 장치 및 방법{METHOD OF TREATING A SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and method {METHOD OF TREATING A SUBSTRATE}

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성도이다.1 is a configuration diagram of a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 지지부재 및 침지부재의 사시도이다.2 is a perspective view of the support member and the immersion member shown in FIG.

도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다.3 is a flowchart showing a substrate processing method according to the present invention.

도 4a 내지 도 4h는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.4A to 4H are views for explaining a process of the substrate processing apparatus according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 기판 처리 장치 200 : 침지 부재100 substrate processing apparatus 200 immersion member

110 : 하우징 210 : 용기110 housing 210 container

120 : 회수부재 220 : 승강기120: recovery member 220: elevator

130 : 지지부재 230 : 린스액 공급기130 support member 230 rinse liquid supply

140 : 구동부 240 : 배수부재140: drive unit 240: drain member

150 : 노즐부150: nozzle unit

160 : 노즐부 구동기160: nozzle unit driver

170 : 처리유체 공급부재170: treatment fluid supply member

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 매엽식으로 반도체 기판을 세정 및 린스, 그리고 건조하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate, and more particularly, to an apparatus and method for cleaning, rinsing, and drying a semiconductor substrate in a single sheet type.

일반적으로 반도체 제조 장치는 증착, 포토리소그래피, 식각, 화학적 기계적 연마, 그리고 세정 등과 같은 단위 공정들의 반복적인 수행에 의해 제조된다. 이러한 단위 공정들 중 세정 공정은 각각의 단위 공정들을 수행하는 동안 반도체 기판 표면에 잔류하는 이물질 또는 불필요한 막을 제거하는 공정이다.In general, semiconductor manufacturing apparatus are manufactured by repetitive performance of unit processes such as deposition, photolithography, etching, chemical mechanical polishing, and cleaning. Among these unit processes, a cleaning process is a process of removing foreign substances or unnecessary films remaining on the surface of the semiconductor substrate during each unit process.

세정 공정을 수행하는 장치는 다수의 기판을 동시에 세정하는 배치식 세정 장치와 낱장 단위로 기판을 세정하는 매엽식 세정 장치로 구분된다. 이 중 매엽식 세정 장치는 낱장의 기판을 지지하는 지지부재와 기판 처리면에 처리유체들을 공급하는 노즐이 구비된 노즐부를 포함한다. 매엽식 세정 장치의 공정이 개시되면, 상기 지지부재에 기판이 안착되고 상기 노즐부는 세정액, 린스액, 그리고 건조가스를 순차적으로 분사하여 기판을 세정 및 린스, 그리고 건조시킨다. The apparatus for performing the cleaning process is divided into a batch type cleaning apparatus for simultaneously cleaning a plurality of substrates and a sheet type cleaning apparatus for cleaning substrates in sheet units. Among them, the sheet cleaning apparatus includes a nozzle member having a support member for supporting a single substrate and a nozzle for supplying processing fluids to a substrate processing surface. When the process of the single wafer cleaning apparatus is started, the substrate is mounted on the support member, and the nozzle unit sequentially sprays the cleaning liquid, the rinse liquid, and the dry gas to clean, rinse, and dry the substrate.

그러나, 종래에는 상술한 기판의 린스 및 건조 공정이 수행되는 과정에서 기판 표면에 물반점(water mark)이 발생되었다. 물반점은 기판상에 형성된 패턴이 미세화되면서 린스 공정에 사용된 린스액이 완전히 제거되지 않고 미건조되어 발생된다. 또한, 기판 표면이 공기에 노출되면 기판 표면에 잔류하는 린스액 등이 공기 내 산소와 반응하여 기판 표면에 물반점이 발생한다. 기판 표면에 물반점이 발생되 면, 후속 공정에서 공정 오류가 발생되어 수율이 저하된다.However, in the related art, water marks have been generated on the surface of the substrate in the process of rinsing and drying the substrate. The water spots are generated when the pattern formed on the substrate is miniaturized, and the rinse liquid used in the rinsing process is not completely removed, but is dried. In addition, when the surface of the substrate is exposed to air, a rinse liquid or the like remaining on the surface of the substrate reacts with oxygen in the air to generate water spots on the surface of the substrate. If water spots occur on the substrate surface, process errors occur in subsequent processes, resulting in lower yields.

또한, 일반적인 매엽식 세정 장치는 기판의 린스 효율이 낮았다. 즉, 종래에는 노즐부가 회전되는 기판의 처리면으로 린스액을 분사하여 기판 표면에 잔류하는 세정액을 제거하였으나, 이러한 노즐부의 린스액 분사에 의한 린스 방식은 기판에 잔류하는 세정액이 완전히 제거되지 않는 현상이 발생되었다. 기판 표면에 세정액이 완전히 제거되지 않으면, 후속 공정에서 공정 오류가 발생되어 수율이 저하된다.In addition, the general sheet type cleaning apparatus has a low rinse efficiency of the substrate. That is, in the past, the rinse liquid was removed by spraying the rinse liquid onto the processing surface of the substrate on which the nozzle part is rotated. However, the rinse method by spraying the rinse liquid on the nozzle part does not completely remove the rinse liquid remaining on the substrate. This occurred. If the cleaning liquid is not completely removed from the surface of the substrate, a process error occurs in a subsequent process and the yield decreases.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 세정 및 린스, 그리고 건조 공정 효율을 향상시킨 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention for solving the above problems is to provide a substrate processing apparatus and method for improving the cleaning and rinsing and drying process efficiency.

또한, 본 발명은 기판의 린스 및 건조 공정시 기판 처리면에 물반점이 발생되는 것을 방지하는 매엽식 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a sheet type substrate processing apparatus and method for preventing water spots from occurring on the substrate processing surface during the rinsing and drying of the substrate.

또한, 본 발명은 기판의 린스 및 건조 공정시 기판의 처리면이 외부 공기와 접촉하는 것을 방지하는 매엽식 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a sheet type substrate processing apparatus and method for preventing the processing surface of the substrate from contacting the outside air during the rinsing and drying of the substrate.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 내부에 기판을 세정 및 건조 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징, 공정 진행시 상기 하우징 내부에서 기판을 지지하는 지지부재, 공정 진행시 상기 지지부재에 의해 지지된 기판의 처리면으로 처리유체를 공급하는 노즐부, 그리고 상기 하우징의 내부에 구비되어, 건조 공정시 상기 지지부재에 지지된 기판을 린스액에 침지시키는 침지부재를 포함하되, 상기 침지부재는 상부가 개방되는, 그리고 내부에 린스액이 채워지는 공간을 가지는 용기 및 상기 용기로 린스액을 공급하는 린스액 공급라인을 포함한다.Substrate processing apparatus according to the present invention for achieving the above object is a housing that provides a space for performing a cleaning and drying process the substrate therein, a support member for supporting the substrate in the housing during the process, the process progress It includes a nozzle unit for supplying the processing fluid to the processing surface of the substrate supported by the support member, and an immersion member provided inside the housing, to immerse the substrate supported on the support member in the rinse liquid during the drying process, The immersion member includes a container having an open top and a space in which a rinse liquid is filled, and a rinse liquid supply line for supplying a rinse liquid to the container.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 용기와 상기 지지부재의 상대 높이를 변화시키는 승강기를 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus further includes an elevator for changing the relative height of the container and the support member.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 지지부재는 공정시 상기 하우징 내부에서 기판을 지지 및 회전시키는 스핀헤드 및 상기 스핀헤드의 하부 중앙에 결합되어, 상기 스핀헤드를 구동시키는 구동축을 포함하고, 상기 용기는 상기 구동축을 따라 상하 이동되도록 상기 구동축에 결합된다.According to an embodiment of the present invention, the support member includes a spin head for supporting and rotating the substrate in the housing during the process and a drive shaft coupled to the lower center of the spin head to drive the spin head, wherein the container Is coupled to the drive shaft to move up and down along the drive shaft.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 린스액 공급라인은 상기 용기에 연결되고, 상기 침지부재는 상기 용기 내 린스액을 배수시키는 배수라인이 연결되되, 상기 린스액 공급라인 및 상기 배수라인은 상기 용기의 승하강 운동에 따라 플렉시블한 부분을 갖는다.According to an embodiment of the invention, the rinse liquid supply line is connected to the container, the immersion member is connected to the drain line for draining the rinse liquid in the container, the rinse liquid supply line and the drain line is the container It has a flexible part according to the lifting and lowering motion of the.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 하우징 및 상기 지지부재 사이에서 입구가 서로 적층되도록 제공되어, 공정 진행시 상기 스핀헤드에 의해 지지된 기판의 처리면으로 분사되는 상기 처리유체를 회수시키는 복수의 회수통들을 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus is provided such that the inlets are stacked on each other between the housing and the support member so that the processing fluid is injected into the processing surface of the substrate supported by the spin head during the process. It further comprises a plurality of recovery bins for recovery.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 기판을 지지 부재에 안착시킨 후 기판의 처리면으로 약액을 분사하여 기판을 세정하고, 상기 지지부재에 안착된 상태에서 기판을 린스액이 채워진 용기 내부에 침지시켜 린스한다.The substrate processing method according to the present invention for achieving the above object is to clean the substrate by spraying the chemical liquid to the processing surface of the substrate after mounting the substrate on the support member, the rinse liquid is Rinse by immersing in a filled container.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판의 린스는 상기 용기 내 린스액에 의해 기판의 처리면을 외부 공기로부터 차단시킨 상태에서 이루어지되, 상기 기판의 침지는 상기 용기를 상기 지지부재에 구비하여, 상기 용기 및 상기 지지부재의 상대 높이를 변화시켜 이루어진다.According to an embodiment of the present invention, the rinse of the substrate is made in a state in which the processing surface of the substrate is blocked from the outside air by the rinse liquid in the container, the immersion of the substrate is provided with the container in the support member, The relative height of the container and the support member is varied.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판의 린스는 기판을 회전시키고, 상기 용기 내 린스액이 상기 용기로부터 오버 플로우되도록 하여 이루어진다.According to an embodiment of the invention, the rinse of the substrate is achieved by rotating the substrate and causing the rinse liquid in the vessel to overflow from the vessel.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판의 건조는 상기 약액의 린스시의 기판의 회전 속도보다 빠르게 기판을 회전시켜, 회전되는 상기 기판의 원심력에 의해 상기 기판 처리면의 중앙영역으로부터 가장자리영역으로 린스액이 밀려나면서 상기 기판의 처리면이 외부에 노출될 때, 상기 기판 처리면의 노출되는 영역으로 상기 건조가스를 분사함으로써 이루어진다.According to an embodiment of the present invention, the drying of the substrate rotates the substrate faster than the rotational speed of the substrate during the rinsing of the chemical liquid, and rinses from the central region to the edge region of the substrate processing surface by the centrifugal force of the rotated substrate. When the liquid is pushed out and the processing surface of the substrate is exposed to the outside, the drying gas is sprayed onto the exposed area of the substrate processing surface.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판의 건조시에는 상기 용기 내 린스액의 점진적인 배수가 이루어진다.According to an embodiment of the present invention, when the substrate is dried, gradual drainage of the rinse liquid in the container is performed.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 매엽식으로 기판을 처리 방법은 (a)약액들을 회전되는 기판의 처리면으로 분사하여 상기 기판을 세정하는 단계, (b)상기 기판을 린스액이 채워진 용기에 침지시킨 후, 상기 용기 내 초순수를 상기 용기로부터 오버 플로우시키면서 상기 기판에 잔류하는 상기 약액들을 린스하는 단계, 그리 고 (c)상기 기판의 회전력에 의해 상기 기판 처리면의 중앙영역으로부터 가장자리영역으로 초순수가 밀려나가도록 상기 기판을 회전시키고, 상기 기판의 노출되는 영역으로 이소프로필 알코올 가스를 분사하여 상기 기판을 건조시키는 단계를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the method of treating the substrate by the single-leaf type comprises the steps of (a) spraying the chemical solution to the processing surface of the rotating substrate to clean the substrate, (b) the substrate in a container filled with the rinse liquid After immersion, rinsing the chemical liquids remaining on the substrate while overflowing the ultrapure water in the vessel from the vessel, and (c) the ultrapure water from the central region to the edge region of the substrate processing surface by the rotational force of the substrate. Rotating the substrate so that the substrate is pushed out, and spraying isopropyl alcohol gas into an exposed area of the substrate to dry the substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 (b)단계에서의 상기 기판의 회전속도는 상기 (c)단계에서의 상기 기판의 회전속도보다 저속이다.According to an embodiment of the present invention, the rotation speed of the substrate in the step (b) is lower than the rotation speed of the substrate in the step (c).

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 용기는 기판을 지지하는 지지부재를 따라 상하로 이동가능하도록 설치되고, 상기(b)단계는 상기 지지부재에 의해 지지된 기판의 처리면이 상기 용기의 측벽의 높이보다 낮도록 상기 용기를 위치시킨 후, 상기 용기로 초순수를 공급함으로써 이루어진다.According to an embodiment of the present invention, the container is installed to be movable up and down along a support member for supporting the substrate, and in step (b), the processing surface of the substrate supported by the support member is formed on the sidewall of the container. By placing the vessel lower than its height, and then supplying ultrapure water to the vessel.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기(c)단계는 상기 이소프로필 알코올 가스의 분사시에는 상기 용기 내 초순수의 점진적인 배수 및 상기 용기의 점진적인 하강 중 적어도 어느 하나가 이루어진다.According to an embodiment of the present invention, the step (c) is at least one of the gradual drainage of the ultrapure water in the vessel and the gradual falling of the vessel when the isopropyl alcohol gas is injected.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the spirit of the present invention to those skilled in the art will fully convey.

또한, 본 실시예에서는 반도체 기판, 즉 웨이퍼를 매엽식으로 세정, 린스, 그리고 건조 공정을 수행하는 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 소정의 처리액으로 기판을 세정, 린스, 그리고 건조 공정을 수행하는 모든 반도체 및 평판 디스플레이 제조 장치에 적용될 수 있다.In addition, in the present embodiment, a semiconductor substrate, that is, an apparatus for performing wafer cleaning, rinsing, and drying in a single sheet, has been described as an example. However, the present invention provides a process for cleaning, rinsing, and drying a substrate with a predetermined treatment liquid. It can be applied to any semiconductor and flat panel display manufacturing apparatus that performs.

(실시예)(Example)

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 지지부재 및 침지부재의 사시도이다.1 is a block diagram of a substrate processing apparatus according to the present invention, Figure 2 is a perspective view of the support member and the immersion member shown in FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(apparatus for treating substrate)(100)는 하우징(housing)(110), 회수부재(recycle member) (120), 지지부재(support member)(130), 구동부(140)(driven member), 노즐부(nozzle member)(150), 노즐부 구동기(nozzle-member driven part)(160), 처리유체 공급부재(treating-fluid supply member)(170), 그리고 침지부재(immersion member)(200)를 포함한다.1 and 2, an apparatus for treating substrate 100 according to the present invention includes a housing 110, a recycling member 120, and a support member. 130, a driven member 140, a nozzle member 150, a nozzle-member driven part 160, a treating-fluid supply member 170 And an immersion member 200.

하우징(110)은 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 여기서, 상기 기판 처리 공정은 기판(W) 표면에 잔류하는 이물질의 세정 및 기판의 건조 공정을 포함한다. 하우징(110)은 상부가 개방된 원통형상을 가진다. 하우징(110)의 개방된 상부는 공정시 기판(W)의 출입이 이루어지는 기판 출입구로 사용된다. 하우징(110)의 일측에는 배출라인(112)이 제공된다. 배출라인(112)은 회수부재(120)에 의해 회수되지 않고 하우징(110) 내 공간에 잔류하는 처리액들을 배출시킨다.The housing 110 provides a space in which the substrate treating process is performed. In this case, the substrate treating step includes a step of cleaning the foreign matter remaining on the surface of the substrate W and drying the substrate. The housing 110 has a cylindrical shape with an open top. The open upper portion of the housing 110 is used as a substrate entrance through which the substrate W is made to enter and exit during the process. A discharge line 112 is provided at one side of the housing 110. The discharge line 112 discharges the treatment liquids remaining in the space in the housing 110 without being recovered by the recovery member 120.

회수부재(120)는 공정시 기판(W)의 처리면으로 분사되는 처리액들을 회수한다. 회수부재(120)는 제1 내지 제3 회수통(122, 124, 126)을 가진다. 제1 내지 제3 회수통(122, 124, 126) 각각은 처리액이 유입되는 입구가 상하로 적층되도록 배치된다. 제 1 내지 제 3 회수통(122, 124, 126) 각각은 하우징(110)의 내측벽을 따라 환형으로 제공된다. The recovery member 120 recovers the processing liquids injected into the processing surface of the substrate W during the process. The recovery member 120 has first to third recovery containers 122, 124, and 126. Each of the first to third recovery containers 122, 124, and 126 is disposed such that an inlet through which the treatment liquid flows is stacked up and down. Each of the first to third recovery containers 122, 124, and 126 is provided annularly along the inner wall of the housing 110.

제1 회수통(122)은 세정 공정시 제1 세정액을 회수한다. 제 2 회수통(124)은 세정 공정시 제2 세정액을 회수한다. 그리고, 제3 회수통(126)은 린스 공정시 린스액을 회수한다. 또한, 회수통들(122, 124, 126) 각각은 기판(W)의 처리면으로 공급되는 제1 및 제2 세정액, 그리고 린스액이 유입되도록 일부가 개방된다. 제1 내지 제3 회수통(122, 124, 126) 각각에는 제1 내지 제3 회수라인(122a, 124a, 126a)이 제공된다.The first recovery container 122 recovers the first cleaning liquid during the cleaning process. The second recovery container 124 recovers the second cleaning liquid during the cleaning process. The third recovery container 126 recovers the rinse liquid during the rinsing step. In addition, each of the recovery containers 122, 124, and 126 is partially opened to allow the first and second cleaning liquids and the rinse liquid to be supplied to the processing surface of the substrate W. FIG. Each of the first to third recovery containers 122, 124, and 126 is provided with first to third recovery lines 122a, 124a, and 126a.

제1 회수라인(122a)은 제1 회수통(122) 내 제1 세정액을 처리액 재생부(treating-liquid recycle member)(미도시됨)로 회수한다. 제2 회수라인(124a)은 제2 회수통(124) 내 제2 세정액을 처리액 재생부로 회수한다. 그리고, 제3 회수라인(126a)은 제3 회수통(126) 내 린스액을 처리액 재생부로 회수한다. 여기서, 상기 처리액 재생부는 사용된 제1 및 제2 세정액, 그리고 린스액을 재사용이 가능하도록 재생시키는 설비이다. 처리액 재생부는 제1 및 제2 세정액, 그리고 린스액을 재생시켜 이를 처리유체 공급부재(170)로 회수시킨다. The first recovery line 122a recovers the first cleaning liquid in the first recovery container 122 to a treating-liquid recycle member (not shown). The second recovery line 124a recovers the second cleaning liquid in the second recovery container 124 to the treatment liquid regeneration unit. The third recovery line 126a recovers the rinse liquid in the third recovery barrel 126 to the processing liquid regeneration unit. Here, the treatment liquid regeneration unit is a facility for reusing the used first and second cleaning liquids and the rinse liquid to be reused. The treatment liquid regeneration unit regenerates the first and second cleaning liquids and the rinse liquid and recovers them to the treatment fluid supply member 170.

본 실시예에서는 제 1 내지 제 3 회수통(122, 124, 126)이 하우징(110) 내부에서 상부로부터 하부로 순차적으로 적층되는 구조를 예로 들어 설명하였지만, 제1 내지 제3 회수통(122, 124, 126)의 배치는 다양하게 변경될 수 있다. 예컨대, 제1 내지제 3 회수통(122, 124, 126)은 하우징(110)의 내부에서 하부로부터 상부로 순 차적으로 적층되는 구조일 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 제3 회수라인(126a)이 제3 회수통(126) 내 린스액을 처리액 재생부로 회수하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 린스액은 처리액 재생부로 회수되지 않고 배수(drain)될 수 있다.In the present embodiment, a structure in which the first to third recovery containers 122, 124, and 126 are sequentially stacked from the top to the bottom inside the housing 110 has been described as an example, but the first to third recovery containers 122, The arrangement of the 124 and 126 may be variously changed. For example, the first to third recovery containers 122, 124, and 126 may have a structure sequentially stacked from the bottom to the top in the housing 110. In this embodiment, the third recovery line 126a recovers the rinse liquid in the third recovery container 126 to the processing liquid regeneration unit, but the rinse liquid is not drained to the processing liquid regeneration unit. Can be

지지부재(130)는 공정시 기판(W)을 지지 및 회전한다. 지지부재(130)는 스핀헤드(spin head)(132) 및 구동축(driven shaft)(134)을 가진다. 스핀헤드(132)는 상부에 기판(W)을 지지한다. 구동축(134)은 하우징(110) 내부 중앙에서 회전가능하도록 설치된다. 스핀헤드(132)의 상부면에는 척킹핀(chucking pin)(132a)들이 설치된다. 각각의 척킹핀들(132a)은 공정시 기판(W)이 스핀헤드(132)로부터 이탈되지 않도록 기판(W)을 척킹(chucking)한다. 구동축(134)은 일단이 스핀헤드(132)의 중앙 하부에 결합되고, 타단은 구동부(140)에 결합된다. 구동축(134)은 구동부(140)의 회전력을 스핀헤드(132)로 전달한다.The support member 130 supports and rotates the substrate W during the process. The support member 130 has a spin head 132 and a driven shaft 134. The spin head 132 supports the substrate W thereon. The drive shaft 134 is installed to be rotatable in the center of the housing 110. Chucking pins 132a are installed on the upper surface of the spin head 132. Each of the chucking pins 132a chucks the substrate W such that the substrate W is not separated from the spin head 132 during the process. One end of the driving shaft 134 is coupled to the center lower portion of the spin head 132, and the other end thereof is coupled to the driving unit 140. The drive shaft 134 transmits the rotational force of the drive unit 140 to the spin head 132.

구동부(140)는 지지부재(130)를 구동한다. 구동부(140)는 구동축(134)을 회전시켜 스핀헤드(132)를 회전시키고, 구동축(134)을 승강시켜 스핀헤드(132)의 높이를 조절한다. 특히, 구동부(140)는 세정 및 건조 공정시 사용되는 처리액들이 효과적으로 제1 내지 제3 회수통(122, 124, 126)으로 회수되도록 스핀헤드(130)의 높이를 조절한다.The driving unit 140 drives the support member 130. The driver 140 rotates the drive shaft 134 to rotate the spin head 132, and lifts the drive shaft 134 to adjust the height of the spin head 132. In particular, the driving unit 140 adjusts the height of the spin head 130 so that the treatment liquids used in the cleaning and drying processes are effectively recovered to the first to third recovery containers 122, 124, and 126.

노즐부(150)는 공정시 지지부재(130)에 안착된 기판(W)의 처리면으로 처리액을 공급한다. 일 실시예로서, 노즐부(150)에는 세 개의 노즐(nozzle)(미도시됨)이 구비되고, 각각의 노즐은 제1 약액 및 제2 약액, 그리고 건조가스를 분사한다.The nozzle unit 150 supplies the processing liquid to the processing surface of the substrate W seated on the support member 130 during the process. In one embodiment, the nozzle unit 150 is provided with three nozzles (not shown), each nozzle injects the first chemical and the second chemical and dry gas.

노즐부 구동기(160)는 노즐부(150)를 구동한다. 노즐부 구동기(160)는 제1 아암(first arm)(162), 제2 아암(second arm)(164), 그리고 구동장치(driven part)(166)를 포함한다. 제1 아암(162)은 하우징(110)의 외부 상부에 수평으로 설치된다. 제1 아암(162)의 일단은 노즐부(150)와 결합하고, 타단은 제2 아암(164)의 일단과 결합된다. 제2 아암(164)은 하우징(110)의 외부 측부에 수직하게 설치된다. 제2 아암(164)의 일단은 제1 아암(162)의 타단과 결합되고, 타단은 구동장치(166)와 결합된다. 구동장치(166)는 제2 아암(164)을 회전 및 상하 운동시켜 노즐부(150)를 공정 위치(a) 및 대기 위치(b) 상호간에 노즐부(150)를 이동시킨다. 여기서, 공정 위치(a)는 공정 진행시 노즐부(150)가 지지부재(130)에 로딩(loading)된 기판(W)의 처리면으로 처리액들을 분사하기 위한 위치이고, 대기 위치(b)는 공정 위치(a)로 이동되기 전 노즐부(150)가 하우징(110) 외부 일측에서 대기하는 위치이다. The nozzle unit driver 160 drives the nozzle unit 150. The nozzle unit driver 160 includes a first arm 162, a second arm 164, and a driven part 166. The first arm 162 is horizontally installed on the outer upper portion of the housing 110. One end of the first arm 162 is coupled to the nozzle unit 150, and the other end is coupled to one end of the second arm 164. The second arm 164 is installed perpendicular to the outer side of the housing 110. One end of the second arm 164 is coupled to the other end of the first arm 162, and the other end is coupled to the driving device 166. The driving device 166 rotates and moves the second arm 164 to move the nozzle unit 150 between the process position (a) and the standby position (b). Here, the process position (a) is a position for injecting the processing liquids to the processing surface of the substrate (W) in which the nozzle unit 150 is loaded on the support member 130 during the process, the standby position (b) Is a position where the nozzle unit 150 waits at one side outside the housing 110 before moving to the process position (a).

처리유체 공급부재(170)는 노즐부(150)로 처리유체를 공급한다. 처리유체 공급부재(170)는 제1약액 공급기(first chemical supply part)(172), 제2약액 공급기(second chemical supply part)(174), 그리고 건조가스 공급기(dry gas supply part)(176)를 포함한다.The treatment fluid supply member 170 supplies the treatment fluid to the nozzle unit 150. The treatment fluid supply member 170 may include a first chemical supply part 172, a second chemical supply part 174, and a dry gas supply part 176. Include.

제1약액 공급기(172)는 제1약액 공급원(172a) 및 제1약액 공급라인(172b)을 가진다. 제1약액 공급원(172a)은 제1 약액을 수용하고, 제1약액 공급라인(172b)은 제1약액 공급원(172a)으로부터 노즐부(150)로 제1 약액을 공급한다. 제2약액 공급기(174)는 제2약액 공급원(174a) 및 제2약액 공급라인(174b)을 가진다. 제2약액 공급원(174a)은 제1 약액을 수용하고, 제2약액 공급라인(174b)은 제2약액 공급 원(174a)으로부터 노즐부(150)로 제2 약액을 공급한다. 그리고, 건조가스 공급기(176)는 건조가스 공급원(176a) 및 건조가스 공급라인(176b)을 가진다. 건조가스 공급원(176a)은 건조가스를 수용하고, 건조가스 공급라인(176b)은 건조가스 공급원(176a)으로부터 노즐부(150)로 건조가스를 공급한다. The first chemical liquid supplier 172 has a first chemical liquid supply source 172a and a first chemical liquid supply line 172b. The first chemical liquid supply source 172a receives the first chemical liquid, and the first chemical liquid supply line 172b supplies the first chemical liquid from the first chemical liquid supply source 172a to the nozzle unit 150. The second chemical liquid supplier 174 has a second chemical liquid supply source 174a and a second chemical liquid supply line 174b. The second chemical liquid source 174a receives the first chemical liquid, and the second chemical liquid supply line 174b supplies the second chemical liquid from the second chemical liquid supply source 174a to the nozzle unit 150. The dry gas supplier 176 has a dry gas supply source 176a and a dry gas supply line 176b. The dry gas supply source 176a receives the dry gas, and the dry gas supply line 176b supplies the dry gas from the dry gas supply source 176a to the nozzle unit 150.

여기서, 상기 제1 및 제2 약액은 기판(W)의 처리면에 잔류하는 이물질 및 불필요한 막을 제거하기 위한 세정액이고, 상기 건조가스는 기판(W) 표면을 건조하기 위한 가스이다. 예컨대, 제1 및 제2 약액은 불산(HF), 황산(H3SO4), 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 그리고 SC-1(standard clean-1) 용액으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 또한, 건조가스로는 이소프로필 알코올 가스(IPA:Isopropyl alcohol gas)가 사용될 수 있다. 본 실시예에서는 약액으로 상술한 용액들이 사용되고, 건조가스로는 이소프로필 알코올 가스가 사용되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 약액 및 건조가스로는 다양한 유체가 사용될 수 있다.Here, the first and second chemical liquids are cleaning liquids for removing foreign substances and unnecessary films remaining on the processing surface of the substrate W, and the drying gas is a gas for drying the surface of the substrate W. For example, the first and second chemicals may be at least one selected from the group consisting of hydrofluoric acid (HF), sulfuric acid (H3SO4), nitric acid (HNO3), phosphoric acid (H3PO4), and SC-1 (standard clean-1) solution. have. In addition, isopropyl alcohol gas (IPA: Isopropyl alcohol gas) may be used as the drying gas. In the present embodiment, the above-described solutions are used as the chemical liquid and isopropyl alcohol gas is used as the dry gas as an example, but various fluids may be used as the chemical liquid and the dry gas.

제어부(180)는 기판 처리 장치(100)의 공정 진행을 제어한다. 즉, 제어부(180)는 구동부(140)를 제어하여 지지부재(130)의 높이 및 회전속도를 제어한다. 제어부(180)는 구동장치(166)를 제어하여 노즐부(150)의 위치를 조절한다. 제어부(180)는 밸브(V1, V2, V3)의 개폐를 제어하여 처리유체 공급부재(170)의 처리유체 공급을 제어한다. 제어부(180)는 밸브(V4, V5, V6)의 개폐를 제어하여 사용된 처리액들의 회수를 제어한다. 그리고, 제어부(180)는 침지부재(200)를 제어하여 기판(W)의 린스 및 건조 공정을 제어한다.The controller 180 controls the process progress of the substrate processing apparatus 100. That is, the controller 180 controls the driving unit 140 to control the height and rotation speed of the support member 130. The controller 180 controls the driving device 166 to adjust the position of the nozzle unit 150. The controller 180 controls the supply of the processing fluid of the processing fluid supply member 170 by controlling the opening and closing of the valves V1, V2, and V3. The controller 180 controls the opening and closing of the valves V4, V5, and V6 to control the number of used treatment solutions. In addition, the controller 180 controls the immersion member 200 to control the rinsing and drying process of the substrate (W).

침지부재(200)는 기판(W)을 린스(rinse)하기 위해 제공된다. 침지부재(200) 는 용기(vessel)(210), 승강기(elevating part)(220), 린스액 공급기(rinse-liquid supply part)(230), 그리고 배수부재(drain member)(240)를 가진다.Immersion member 200 is provided to rinse the substrate (W). The immersion member 200 has a vessel 210, an elevating part 220, a rinse-liquid supply part 230, and a drain member 240.

용기(210)는 내부에 린스액이 채워지는 공간을 제공한다. 용기(210)는 상부가 개방된 원통형상을 가진다. 용기(210)는 하부벽(212) 및 측벽(214)을 가진다. 하부벽(212)은 원판형상을 가진다. 하부벽(212)의 중앙에는 지지부재(130)의 구동축(134)이 삽입될 수 있는 홀이 형성된다. 상기 홀에 구동축(134)이 삽입됨으로써, 용기(210)는 구동축(134)을 따라 상하로 이동가능하다. 측벽(214)은 하부벽(212)의 가장자리로부터 상부로 연장된다. 측벽(214)은 린스 진행시 용기(210)에 채워진 린스액에 스핀헤드(132)에 지지된 기판(W)이 충분히 침지될 수 있을 정도의 높이를 가진다.The container 210 provides a space in which the rinse liquid is filled. The container 210 has a cylindrical shape with an open top. The vessel 210 has a bottom wall 212 and a side wall 214. The bottom wall 212 has a disc shape. In the center of the lower wall 212 is formed a hole into which the drive shaft 134 of the support member 130 can be inserted. As the driving shaft 134 is inserted into the hole, the container 210 can move up and down along the driving shaft 134. Sidewall 214 extends upwards from the edge of bottom wall 212. The side wall 214 has a height such that the substrate W supported by the spin head 132 is sufficiently immersed in the rinse liquid filled in the container 210 during the rinsing process.

승강기(220)는 용기(210)를 승강 및 하강 운동시킨다. 승강기(220)는 승강축(lifting shaft)(222) 및 구동기(driven part)(214)를 가진다. 승강축(222)은 하우징(110)에 상하 운동이 가능하도록 설치된다. 승강축(222)의 일단은 용기(210)와 결합되고, 타단은 구동기(224)와 결합된다. 구동기(224)는 승강축(222)을 승강 및 하강 운동시켜, 용기(210)의 높이를 조절한다. 예컨대, 구동기(224)는 공정 진행시 용기(210)는 침지 위치(c) 및 대기 위치(d) 상호간에 직선 왕복 이동시킨다. 여기서, 침지 위치(c)는 린스 공정시 스핀헤드(132)에 의해 지지된 기판(W)이 용기(210) 내 처리액에 침지되는 용기(210)의 위치이고, 대기 위치(d)는 침지 위치(c)로 이동되기 전에 대기하는 위치이다.The elevator 220 lifts and lowers the container 210. The elevator 220 has a lifting shaft 222 and a driven part 214. The lifting shaft 222 is installed in the housing 110 to enable vertical movement. One end of the lifting shaft 222 is coupled to the container 210, the other end is coupled to the driver 224. The driver 224 lifts and lowers the lifting shaft 222 to adjust the height of the container 210. For example, the driver 224 causes the container 210 to linearly reciprocate between the immersion position (c) and the standby position (d) as the process proceeds. Here, the immersion position (c) is the position of the vessel 210 in which the substrate W supported by the spin head 132 is immersed in the processing liquid in the vessel 210 during the rinsing process, and the standby position d is the immersion position. The position to wait before moving to position (c).

본 실시예에서는 승강기(220)가 용기(210)의 높이를 조절하여, 스핀헤 드(132)에 의해 지지된 기판(W)을 용기(210) 린스액에 침지시키는 방식을 예로 들어 설명하였으나, 용기(210)와 지지부재(130)의 상대높이는 다양한 방식으로 조절이 가능하다. 예컨대, 기판(W)의 침지는 스핀헤드(132)의 높이를 조절함으로써 이루어질 수 있다. 또는, 기판(W)의 침지는 스핀헤드(132)와 용기(210)의 높이를 동시에 조절함으로써 이루어질 수도 있다.In the present exemplary embodiment, the elevator 220 adjusts the height of the container 210 to explain the example in which the substrate W supported by the spin head 132 is immersed in the container 210 rinse liquid. The relative height of the container 210 and the support member 130 can be adjusted in various ways. For example, the immersion of the substrate W may be performed by adjusting the height of the spin head 132. Alternatively, the immersion of the substrate W may be performed by simultaneously adjusting the height of the spin head 132 and the container 210.

린스액 공급기(230)는 용기(210)로 처리액을 공급한다. 린스액 공급기(230)는 린스액 공급원(232) 및 린스액 공급라인(234), 그리고 플렉시블한 부분(236)을 포함한다. 린스액 공급원(232)은 린스액을 수용하고, 린스액 공급라인(234)은 린스액 공급원(232)으로부터 용기(210)로 린스액을 공급한다. 플렉시블한 부분(236)은 린스액 공급라인(234)에 제공된다. 플렉시블한 부분(236)은 용기(210)의 상하 운동을 따라 신축가능하다. 따라서, 플렉시블한 부분(236)은 린스액 공급라인(234)이 용기(210)의 승강 및 하강 운동을 방해하지 않도록 한다. 여기서, 상기 린스액은 기판 표면에 잔류하는 약액들을 제거하는 처리액이다. 예컨대, 상기 린스액으로는 초순수(DIW:Deionized Water)가 사용될 수 있다. The rinse liquid supplier 230 supplies the treatment liquid to the vessel 210. The rinse liquid supply 230 includes a rinse liquid source 232 and a rinse liquid supply line 234, and a flexible portion 236. The rinse liquid source 232 receives the rinse liquid, and the rinse liquid supply line 234 supplies the rinse liquid from the rinse liquid source 232 to the container 210. The flexible portion 236 is provided to the rinse liquid supply line 234. The flexible portion 236 is stretchable along the up and down motion of the vessel 210. Accordingly, the flexible portion 236 prevents the rinse liquid supply line 234 from hindering the lifting and lowering movement of the container 210. Herein, the rinse liquid is a treatment liquid for removing chemical liquids remaining on the substrate surface. For example, ultrapure water (DIW) may be used as the rinse liquid.

본 실시예에서는 린스액으로 초순수가 사용되는 경우를 예로 들어 설명하나, 린스액으로는 다양한 처리액이 사용될 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 린스액 공급기(230)가 용기(210)에 연결되어, 용기(210)로 직접 린스액을 공급하는 방식을 예로 들어 설명하였으나, 용기(210)로 린스액의 공급은 다양한 방식이 적용될 수 있다. 예컨대, 린스액 공급기는 노즐부(150)로 린스액을 공급하도록 하여, 공정시 노즐부(150)를 통해 용기(210)로 린스액을 공급할 수 있다.In this embodiment, the case where ultrapure water is used as the rinse liquid is described as an example, but various treatment liquids may be used as the rinse liquid. In addition, in the present embodiment, the rinse liquid supply unit 230 is connected to the container 210 to explain the example of supplying the rinse liquid directly to the container 210, but the supply of the rinse liquid to the container 210 is various Manner may be applied. For example, the rinse liquid supplier may supply the rinse liquid to the nozzle unit 150, and thus, supply the rinse liquid to the container 210 through the nozzle unit 150 during the process.

배수부재(240)는 용기(210) 내 린스액을 배수(drain)한다. 배수부재(240)는 배수라인(242) 및 플렉시블한 부분(244)을 가진다. 배수라인(242)은 용기(210)와 연결되어, 용기(210) 내 린스액을 배수한다. 플렉시블한 부분(244)은 상술한 플렉시블한 부분(236)과 동일한 구성이며, 배수라인(242)이 용기(210)의 승강 및 하강 운동을 방해하지 않도록 한다.The drain member 240 drains the rinse liquid in the container 210. The drain member 240 has a drain line 242 and a flexible portion 244. The drain line 242 is connected to the vessel 210 to drain the rinse liquid in the vessel 210. The flexible portion 244 has the same configuration as the flexible portion 236 described above, such that the drain line 242 does not interfere with the lifting and lowering movement of the vessel 210.

이하, 상술한 기판 처리 장치(100)의 공정 과정을 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 구성들과 동일한 구성들에 대한 참조번호는 동일하게 병기하고, 그 구성들에 대한 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, the process of the substrate processing apparatus 100 described above will be described in detail. Here, the same reference numerals for the same components as the above-described components are the same, and detailed description of the components is omitted.

도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이고, 도 4a 내지 도 4g는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.3 is a flow chart showing a substrate processing method according to the present invention, Figures 4a to 4g are views for explaining the process of the substrate processing apparatus according to the present invention.

도 3 및 도 4a를 참조하면, 기판 처리 장치(100)의 기판처리공정이 개시되면, 지지부재(130)에 기판(W)을 로딩(loading)시킨다(S110). 즉, 제어부(180)는 구동부(140)를 제어하여, 스핀헤드(132)를 로딩/언로딩 위치(L1)에 위치시킨다. 로딩/언로딩 위치(L1)는 기판(W)이 스핀헤드(132)에 로딩(loading)시키거나, 언로딩(unloading)시키기 위한 스핀헤드(132)의 위치이다. 스핀헤드(132)가 로딩/언로딩 위치(L1)에 위치되면, 기판(W)은 스핀헤드(132)의 척킹핀들(132a)에 의해 척킹(chucking)되어 고정된다. 3 and 4A, when the substrate treating process of the substrate processing apparatus 100 is started, the substrate W is loaded on the support member 130 (S110). That is, the controller 180 controls the driver 140 to position the spin head 132 at the loading / unloading position L1. The loading / unloading position L1 is the position of the spinhead 132 for the substrate W to load or unload the spinhead 132. When the spin head 132 is positioned at the loading / unloading position L1, the substrate W is chucked and fixed by the chucking pins 132a of the spin head 132.

기판(W)이 로딩되면, 기판(W)의 세정 공정이 수행된다(S120). 기판(W)의 세정 공정은 다음과 같다. 도 4b를 참조하면, 제어부(180)는 구동부(140)를 제어하여, 스핀헤드(132)를 로딩/언로딩 위치(L1)로부터 제1 공정위치(L2)로 이동시킨 후 지지부재(130)를 회전시킨다. 제1 공정위치(L2)는 기판(W)을 제1 약액으로 세정하기 위한 지지부재(130)의 위치이다. 그리고, 제어부(180)는 구동장치(166)를 제어하여, 노즐부(150)를 대기 위치(b)로부터 공정 위치(a)로 이동시킨다. When the substrate W is loaded, a cleaning process of the substrate W is performed (S120). The cleaning process of the substrate W is as follows. Referring to FIG. 4B, the controller 180 controls the driving unit 140 to move the spin head 132 from the loading / unloading position L1 to the first process position L2 and then to the support member 130. Rotate The first process position L2 is a position of the support member 130 for cleaning the substrate W with the first chemical liquid. The controller 180 controls the driving device 166 to move the nozzle unit 150 from the standby position b to the process position a.

노즐부(150)가 공정 위치(a)에 위치되면, 제1 약액을 기판(W)의 처리면으로 분사하여 기판(W)을 세정한다. 즉, 제어부(180)는 밸브(V1)를 오픈시킨다. 따라서, 제1약액 공급기(172)의 제1약액 공급라인(172b)은 제1약액 공급원(172a)으로부터 노즐부(150)로 제1 약액을 공급한다. 노즐부(150)를 통해 분사된 제1 약액은 기판(W) 표면에 잔류하는 이물질을 일차적으로 세정한다. 기판(W)을 세정한 제1 약액은 회전되는 기판(W)의 원심력에 의해 기판(W)의 중앙영역으로부터 기판(W)의 가장자리영역으로 이동한 후 기판(W)으로부터 비산되어 제1 회수통(122)으로 회수된다. 제1 회수통(122)으로 회수된 제1 약액은 제1 회수라인(122a)을 통해 처리액 재생부(미도시됨)으로 회수된다.When the nozzle unit 150 is positioned at the process position a, the first chemical is sprayed onto the processing surface of the substrate W to clean the substrate W. That is, the controller 180 opens the valve V1. Therefore, the first chemical liquid supply line 172b of the first chemical liquid supplier 172 supplies the first chemical liquid from the first chemical liquid supply source 172a to the nozzle unit 150. The first chemical liquid sprayed through the nozzle unit 150 primarily cleans foreign substances remaining on the surface of the substrate (W). The first chemical liquid having cleaned the substrate W is moved from the center region of the substrate W to the edge region of the substrate W by the centrifugal force of the rotating substrate W, and is then scattered from the substrate W to recover the first. Recovered to barrel 122. The first chemical liquid recovered to the first recovery container 122 is recovered to the treatment liquid regeneration unit (not shown) through the first recovery line 122a.

기판(W)을 제1 약액을 사용하여 일차적으로 세정하면, 기판(W)을 제2 약액을 사용하여 이차적으로 세정한다. 즉, 도 4c를 참조하면, 제어부(180)는 밸브(V1)를 클로우즈하고, 구동부(140)를 제어하여 지지부재(130)를 제1 공정위치(L2)로부터 제2 공정위치(L3)로 이동시킨다. 여기서, 제2 공정위치(L3)는 제2 약액으로 기판(W)에 잔류하는 이물질을 세정하기 위한 지지부재(130)의 위치이다. 지지부재(130)가 제2 공정위치(L3)에 위치되면, 제어부(180)는 밸브(V2)를 오픈시켜, 제2약액 공급기(174)의 제1약액 공급라인(174b)이 제2약액 공급원(174a)으로부터 노즐부(150)로 제2 약액을 공급하도록 한다. When the substrate W is first cleaned using the first chemical liquid, the substrate W is secondarily cleaned using the second chemical liquid. That is, referring to FIG. 4C, the controller 180 closes the valve V1 and controls the driving unit 140 to move the support member 130 from the first process position L2 to the second process position L3. Move it. Here, the second process position L3 is a position of the support member 130 for cleaning the foreign matter remaining on the substrate W with the second chemical liquid. When the support member 130 is positioned at the second process position L3, the controller 180 opens the valve V2 so that the first chemical supply line 174b of the second chemical supply 174 is the second chemical. The second chemical liquid is supplied from the supply source 174a to the nozzle unit 150.

노즐부(150)를 통해 분사된 제2 약액은 기판(W) 표면에 잔류하는 이물질을 이차적으로 세정한다. 기판(W)을 세정한 제1 약액은 회전되는 기판(W)의 원심력에 의해 기판(W)의 중앙영역으로부터 기판(W)의 가장자리영역으로 이동한 후 기판(W)으로부터 비산되어 제2 회수통(124)으로 회수된다. 제2 회수통(124)으로 회수된 제2 약액은 제2 회수라인(124a)을 통해 처리액 재생부(미도시됨)으로 회수된다.The second chemical liquid sprayed through the nozzle unit 150 secondaryly cleans the foreign substances remaining on the surface of the substrate W. The first chemical liquid having cleaned the substrate W is moved from the center region of the substrate W to the edge region of the substrate W by the centrifugal force of the rotating substrate W, and is then scattered from the substrate W to recover the second. Recovered to barrel 124. The second chemical liquid recovered into the second recovery container 124 is recovered to the treatment liquid regeneration unit (not shown) through the second recovery line 124a.

기판(W)의 세정 공정이 완료되면, 린스액으로 기판을 린스(rinse)한다. 기판(W)의 린스 공정은 다음과 같다. 도 4d를 참조하면, 제어부(180)는 구동부(140)를 제어하여, 지지부재(130)의 회전을 중지시키고, 스핀헤드(132)를 제2 공정위치(L3)로부터 제3 공정위치(L4)로 이동시킨다. 상기 제3 공정위치(L4)는 기판(W)의 린스공정이 수행되는 지지부재(130)의 위치이다. When the cleaning process of the substrate W is completed, the substrate is rinsed with a rinse liquid. The rinse process of the substrate W is as follows. Referring to FIG. 4D, the controller 180 controls the driving unit 140 to stop the rotation of the support member 130, and moves the spin head 132 from the second process position L3 to the third process position L4. Move to). The third process position L4 is a position of the support member 130 on which the rinsing process of the substrate W is performed.

도 4e를 참조하면, 스핀헤드(132)가 제3 공정위치(L4)에 위치되면, 제어부(180)는 승강기(220)의 구동모터(224)를 제어하여, 용기(210)를 대기위치(d)로부터 침지위치(c)로 이동시킨다(S130). 침지위치(c)에 용기(210)가 위치되면, 제어부(180)는 밸브(V7)를 오픈시켜, 린스액 공급라인(234)이 린스액 공급원(232)으로부터 용기(210)로 린스액을 공급하도록 한다(S140). 용기(210)에 린스액이 채워지면, 스핀헤드(132)에 지지된 기판(W)은 처리액에 침지된다. 또한, 린스액 공급라인(234)은 계속적으로 린스액을 공급하여, 용기(210)로부터 린스액이 오버플로우(overflow)되도록 한다.Referring to FIG. 4E, when the spin head 132 is positioned at the third process position L4, the controller 180 controls the driving motor 224 of the elevator 220 to move the container 210 to the standby position ( It moves to the immersion position (c) from d) (S130). When the vessel 210 is positioned at the immersion position c, the controller 180 opens the valve V7 so that the rinse liquid supply line 234 transfers the rinse liquid from the rinse liquid supply source 232 to the vessel 210. To supply (S140). When the rinse liquid is filled in the container 210, the substrate W supported by the spin head 132 is immersed in the processing liquid. In addition, the rinse liquid supply line 234 continuously supplies the rinse liquid so that the rinse liquid overflows from the container 210.

기판(W)이 린스액에 침지되면, 제어부(180)는 구동부(140)를 제어하여, 지지부재(130)를 제1 회전속도로 회전시켜 기판(W)을 린스한다(S150). 상기 제1 회전속 도는 기판(W)에 잔류하는 약액이 용기(210) 내 린스액에 의해 효과적으로 제거되기 위한 기판(W)의 회전속도이다. 이때, 기판(W)의 회전속도는 용기(210) 내 린스액이 제1 및 제2 회수통(122, 124)으로 비산되지 않을 정도의 회전속도를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 기판(W)의 린스 공정에서는 기판(W) 처리면이 외부 공기에 노출되지 않도록 하는 것이 바람직하다.When the substrate W is immersed in the rinse liquid, the controller 180 controls the driving unit 140 to rotate the support member 130 at a first rotational speed to rinse the substrate W (S150). The first rotation speed is a rotation speed of the substrate W for effectively removing the chemical liquid remaining in the substrate W by the rinse liquid in the container 210. At this time, the rotation speed of the substrate W preferably has a rotation speed such that the rinse liquid in the container 210 is not scattered to the first and second recovery containers 122 and 124. In addition, in the rinsing step of the substrate W, it is preferable that the processing surface of the substrate W is not exposed to the outside air.

기판(W)이 제1 회전속도로 회전되고, 처리액 공급라인(234)이 지속적으로 용기(210)로 린스액을 공급하면, 린스액은 용기(210)로부터 오버 플로우되면서 기판(W) 처리면에 잔류하는 약액을 세정한다. 용기(210)로부터 오버 플로우되는 린스액은 제3 회수통(126) 및 하우징(110) 내 공간에 수용된다. 제3 회수통(126)으로 수용된 린스액은 제3 회수라인(126)을 통해 처리액 재생부로 회수되고, 하우징(110) 내 공간으로 수용된 린스액은 배출라인(112)을 통해 배출된다. 본 실시예에서는 기판(W)의 린스 공정시 기판(W)을 제1 회전속도로 회전시키는 방식을 예로 들어 설명하였으나, 린스 공정시에는 기판(W)을 회전을 중지시킨 상태에서 진행될 수도 있다.When the substrate W is rotated at the first rotational speed and the treatment liquid supply line 234 continuously supplies the rinse liquid to the vessel 210, the rinse liquid overflows from the vessel 210 to process the substrate W. Clean the chemical remaining on the cotton. The rinse liquid overflowed from the container 210 is accommodated in the space within the third recovery container 126 and the housing 110. The rinse liquid contained in the third recovery container 126 is recovered to the treatment liquid regeneration unit through the third recovery line 126, and the rinse liquid contained in the space in the housing 110 is discharged through the discharge line 112. In the present embodiment, a method of rotating the substrate W at a first rotational speed during the rinsing process of the substrate W has been described as an example. However, the rinsing process may be performed in a state where the rotation of the substrate W is stopped.

상술한 기판(W)의 린스가 일정 시간 수행되면, 제어부(180)는 밸브(V7)를 클로우즈하여 린스액의 공급을 중지하고, 구동부(140)를 제어하여 스핀헤드(132)를 제2 회전속도로 회전시킨다(S160). 상기 제2 회전속도는 용기(110) 내 린스액이 기판(W)의 중앙영역으로부터 가장자리영역으로 처리액이 밀려나면서 기판(W)의 처리면이 외부에 노출되도록 하기 위한 기판(W)의 회전속도이다. 예컨대, 제2 회전속도는 제1 회전속도보다 빠른 속도이며, 기판(W) 처리면이 중앙영역으로부터 가장자리 영역으로 점진적으로 외부 공기에 노출되도록 한다. When the above-described rinsing of the substrate W is performed for a predetermined time, the controller 180 closes the valve V7 to stop the supply of the rinse liquid, and controls the driving unit 140 to rotate the spin head 132 in the second rotation. Rotate at a speed (S160). The second rotational speed is the rotation of the substrate W so that the treatment surface of the substrate W is exposed to the outside while the rinse liquid in the container 110 is pushed from the center region of the substrate W to the edge region. Speed. For example, the second rotational speed is faster than the first rotational speed, and the substrate W processing surface is gradually exposed to the outside air from the center region to the edge region.

본 실시예에서는 린스액에 침지된 기판(W)의 처리면을 점차 노출시킬 때 기판(W)의 회전력을 이용하는 방식을 예로 들어 설명하였으나, 침지된 기판(W)을 노출시키는 방식은 다양한 방법이 적용될 수 있다. 예컨대, 용기(210) 내 린스액을 점진적으로 배수시킴으로써, 기판(W)을 노출시킬 수 있다. 또는, 용기(210)를 침지위치(c)로부터 대기위치(d)로 점진적으로 이동시킴으로써 스핀헤드(132)에 의해 지지된 기판(W)의 처리면이 점차 노출되도록 할 수 있다. 또는, 상술한 기판(W)의 회전과 용기(210)의 높이 변화를 동시에 수행함으로써, 기판(W)의 처리면을 외부에 노출시킬 수 있다. 이러한 기판(W)의 처리면을 노출시키는 방식은 두 가지 방식이 병행되어 이루어질 수도 있다.In the present embodiment, a method of using the rotational force of the substrate W when gradually exposing the processing surface of the substrate W immersed in the rinse liquid has been described as an example. However, various methods of exposing the immersed substrate W may be performed. Can be applied. For example, the substrate W may be exposed by gradually draining the rinse liquid in the container 210. Alternatively, the processing surface of the substrate W supported by the spin head 132 may be gradually exposed by gradually moving the container 210 from the immersion position c to the standby position d. Alternatively, by simultaneously performing the above-described rotation of the substrate W and the height change of the container 210, the processing surface of the substrate W may be exposed to the outside. The method of exposing the treatment surface of the substrate W may be performed in two ways in parallel.

기판(W) 처리면 중앙영역이 외부에 노출되기 시작하면, 기판(W)으로 건조가스를 분사하여 기판(W)을 건조시킨다(S170). 즉, 도 4f를 참조하면, 제어부(180)는 밸브(V3)을 오픈시켜, 건조가스 공급기(176)의 건조가스 공급라인(176b)이 건조가스 공급원(176a)으로부터 노즐부(150)로 건조가스를 공급하도록 한다. 노즐부(150)는 공급받은 건조가스를 기판(W)의 중앙영역으로 분사하고, 분사된 건조가스는 기판(W)의 중앙영역으로부터 가장자리영역으로 이동되면서 기판(W)의 처리면을 건조시킨다. 상술한 기판(W)의 건조공정이 수행되는 과정에서, 제어부(180)는 구동기(224)를 제어하여, 용기(210)를 침지위치(c)로부터 대기위치(d)로 이동시킨 후 밸브(V8)를 오픈시켜, 용기(210) 린스액을 배수시킨다.When the center surface of the substrate W processing surface starts to be exposed to the outside, the drying gas is sprayed onto the substrate W to dry the substrate W (S170). That is, referring to FIG. 4F, the controller 180 opens the valve V3 so that the dry gas supply line 176b of the dry gas supplier 176 is dried from the dry gas supply source 176a to the nozzle unit 150. Supply gas. The nozzle unit 150 injects the supplied dry gas into the center region of the substrate W, and the injected dry gas moves from the center region of the substrate W to the edge region to dry the processing surface of the substrate W. . In the process of drying the substrate W described above, the controller 180 controls the driver 224 to move the container 210 from the immersion position c to the standby position d and then the valve ( V8) is opened to drain the container 210 rinse liquid.

여기서, 상술한 기판(W)의 린스 공정과 기판(W)의 건조 공정시에는 기판(W) 의 처리면이 외부 공기 내 산소와 접촉되지 않도록 하는 것이 바람직하다. 즉, 기판(W) 처리면이 외부 공기에 노출되는 시점과, 기판(W)의 처리면으로 건조가스를 분사하는 시점은 동일하게 이루어져 기판(W) 처리면이 산소와 접촉하여 기판(W) 표면에 물반점이 발생되는 것을 방지한다.Here, during the rinsing step of the substrate W and the drying step of the substrate W, it is preferable that the processing surface of the substrate W is not in contact with oxygen in the outside air. That is, the time point at which the substrate W processing surface is exposed to the outside air and the time point at which the dry gas is injected to the processing surface of the substrate W are the same, so that the substrate W processing surface is in contact with oxygen so that the substrate W Prevents water spots on the surface.

상술한 기판(W)의 건조 공정이 완료되면, 기판(W)을 스핀헤드(132)로부터 언로딩(unloading)시킨다(S180). 즉, 도 4h를 참조하면, 제어부(180)는 밸브(V3)를 클로우즈하여 건조가스의 공급을 중단하고, 구동장치(166)를 제어하여 노즐부 구동기(160)가 노즐부(150)를 공정위치(a)로부터 대기위치(b)로 이동하도록 제어한다. 그리고, 제어부(180)는 구동부(140)를 제어하여, 스핀헤드(132)를 제3 공정위치(L3)로부터 로딩/언로딩 위치(L1)로 이동시킨다. 스핀헤드(132)가 로딩/언로딩 위치(L1)에 위치되면, 척킹핀들(132a)들은 기판(W)을 언척킹(unchucking)시키고, 기판(W)은 스핀헤드(132)로부터 언로딩되어 후속공정이 수행되는 설비(미도시됨)로 이동된다.When the drying process of the substrate W is completed, the substrate W is unloaded from the spin head 132 (S180). That is, referring to FIG. 4H, the controller 180 closes the valve V3 to stop supply of the dry gas, and controls the driving device 166 to process the nozzle unit 150 in the process of the nozzle unit 150. Control to move from the position (a) to the standby position (b). The controller 180 controls the driver 140 to move the spin head 132 from the third process position L3 to the loading / unloading position L1. When the spin head 132 is positioned in the loading / unloading position L1, the chucking pins 132a unchuck the substrate W, and the substrate W is unloaded from the spin head 132. It is then moved to a facility (not shown) where subsequent processes are performed.

상술한 기판 처리 장치(100) 및 방법은 기판(W)의 린스 공정이 수행되는 침지부재(200)가 구비되어, 기판(W) 표면에 잔류하는 약액들을 효과적으로 세정한다. 즉, 침지부재(200)는 기판(W)의 처리면 및 피처리면을 린스액이 채워진 용기(210)에 침지시킨 후 린스액을 오버 플로우함으로써 기판(W)의 린스 효율을 향상시킨다.The substrate processing apparatus 100 and the method described above are provided with an immersion member 200 in which a rinsing process of the substrate W is performed to effectively clean the chemical liquids remaining on the surface of the substrate W. That is, the immersion member 200 improves the rinse efficiency of the substrate W by immersing the processing surface and the processing surface of the substrate W in the container 210 filled with the rinse liquid and then overflowing the rinse liquid.

또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(100) 및 방법은 기판(W)의 린스 및 건조 공정시 기판(W)의 처리면이 외부 공기에 노출되지 않도록 한다. 따라서, 기판(W)의 외부 산소와 접촉하여 발생되는 물반점(water mark) 현상을 방지한다.In addition, the substrate processing apparatus 100 and the method according to the present invention may prevent the processing surface of the substrate W from being exposed to external air during the rinsing and drying process of the substrate W. FIG. Therefore, a water mark phenomenon caused by contact with external oxygen of the substrate W is prevented.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description merely shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and / or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments are for explaining the best state in carrying out the present invention, the use of other inventions such as the present invention in other state known in the art, and the specific fields of application and uses of the present invention. Various changes are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

상술한 바와 같이, 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 기판의 린스 및 건조 공정 효율을 향상시킨다.As mentioned above, as described above, the substrate processing apparatus and method according to the present invention improve the rinsing and drying process efficiency of the substrate.

또한, 본 발명에 기판 처리 장치 및 방법은 기판의 린스 및 건조 공정시 기판의 처리면이 외부 공기에 노출되는 것을 방지한다.In addition, the substrate processing apparatus and method of the present invention prevent the processing surface of the substrate from being exposed to external air during the rinsing and drying process of the substrate.

또한, 본 발명에 따른 기판 처리 및 방법은 기판 표면에 물반점이 생기는 것을 방지한다.In addition, the substrate treatment and method according to the present invention prevents water spots on the substrate surface.

Claims (14)

매엽식으로 기판을 처리하는 장치에 있어서,In the apparatus for processing a substrate by sheet type, 내부에 기판을 세정 및 건조 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징과,A housing providing a space therein for performing the cleaning and drying process of the substrate; 공정 진행시 상기 하우징 내부에서 기판을 지지하는 지지부재와,A support member supporting the substrate in the housing during the process; 공정 진행시 상기 지지부재에 의해 지지된 기판의 처리면으로 처리유체를 공급하는 노즐부, 그리고A nozzle unit for supplying a processing fluid to the processing surface of the substrate supported by the support member during the process; 상기 하우징의 내부에 구비되어, 건조 공정시 상기 지지부재에 지지된 기판을 린스액에 침지시키는 침지부재를 포함하되,It is provided inside the housing, and includes an immersion member for immersing the substrate supported by the support member in the rinse liquid during the drying process, 상기 침지부재는,The immersion member, 상부가 개방되는, 그리고 내부에 린스액이 채워지는 공간을 가지는 용기와,A container having an open top and a space filled with a rinse liquid therein, 상기 용기로 린스액을 공급하는 린스액 공급라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a rinse liquid supply line for supplying a rinse liquid to the container. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판 처리 장치는,The substrate processing apparatus, 상기 용기와 상기 지지부재의 상대 높이를 변화시키는 승강기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And an elevator for changing a relative height of said container and said support member. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 지지부재는,The support member, 공정시 상기 하우징 내부에서 기판을 지지 및 회전시키는 스핀헤드와,Spin head for supporting and rotating the substrate in the housing during the process, 상기 스핀헤드의 하부 중앙에 결합되어, 상기 스핀헤드를 구동시키는 구동축을 포함하고,A drive shaft coupled to a lower center of the spin head to drive the spin head; 상기 용기는,The container, 상기 구동축을 따라 상하 이동되도록 상기 구동축에 결합되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a driving shaft coupled to the driving shaft to move up and down along the driving shaft. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 린스액 공급라인은 상기 용기에 연결되고, The rinse liquid supply line is connected to the vessel, 상기 침지부재는 상기 용기 내 린스액을 배수시키는 배수라인이 연결되되,The immersion member is connected to the drain line for draining the rinse liquid in the container, 상기 린스액 공급라인 및 상기 배수라인은 상기 용기의 승하강 운동에 따라 플렉시블한 부분을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the rinse liquid supply line and the drain line have a flexible portion in accordance with the lifting and lowering motion of the container. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 기판 처리 장치는,The substrate processing apparatus, 상기 하우징 및 상기 지지부재 사이에서 입구가 서로 적층되도록 제공되어, 공정 진행시 상기 스핀헤드에 의해 지지된 기판의 처리면으로 분사되는 상기 처리유체를 회수시키는 복수의 회수통들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.Inlet is provided so that the inlet is laminated between each other between the housing and the support member, further comprising a plurality of recovery containers for recovering the processing fluid injected into the processing surface of the substrate supported by the spin head during the process Substrate processing apparatus. 매엽식으로 기판을 세정 및 건조하는 방법에 있어서,In the method of cleaning and drying the substrate by a single wafer, 기판을 지지부재에 안착시킨 후 기판의 처리면으로 약액을 분사하여 기판을 세정하고, 상기 지지부재에 안착된 상태에서 기판을 린스액이 채워진 용기 내부에 침지시켜 린스하되,After mounting the substrate on the support member to clean the substrate by spraying the chemical liquid to the processing surface of the substrate, and rinsed by immersing the substrate in a container filled with the rinse liquid in the state seated on the support member, 상기 기판의 세정은,The cleaning of the substrate, 상기 용기를 상기 용기 상단의 높이가 상기 지지부재에 놓여진 기판의 높이보다 낮은 위치에 위치시킨 상태에서 이루어지고,The container is made in a state where the height of the upper end of the container is located at a position lower than the height of the substrate placed on the support member, 상기 기판의 침지는,Immersion of the substrate, 상기 용기 내부에 린스액을 채운 후 상기 용기를 상기 용기 상단의 높이가 상기 지지부재에 놓여진 기판의 높이보다 낮은 위치로부터 상기 지지부재에 놓여진 기판의 높이보다 높은 위치로 상승시켜 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.After filling the inside of the container with a rinse liquid, the container is formed by raising the container from a position where the height of the upper end of the container is lower than the height of the substrate placed on the support member to a position higher than the height of the substrate placed on the support member. Treatment method. 매엽식으로 기판을 세정 및 건조하는 방법에 있어서,In the method of cleaning and drying the substrate by a single wafer, 기판을 지지부재에 안착시킨 후 기판의 처리면으로 약액을 분사하여 기판을 세정하고, 상기 지지부재에 안착된 상태에서 기판을 린스액이 채워진 용기 내부에 침지시켜 린스하되,After mounting the substrate on the support member to clean the substrate by spraying the chemical liquid to the processing surface of the substrate, and rinsed by immersing the substrate in a container filled with the rinse liquid in the state seated on the support member, 상기 기판의 린스는,Rinse the substrate, 상기 용기 내 린스액에 의해 기판의 처리면을 외부 공기로부터 차단시킨 상태에서 이루어지되,It is made in a state in which the processing surface of the substrate is blocked from the outside air by the rinse liquid in the container, 상기 기판의 침지는,Immersion of the substrate, 상기 용기를 상기 지지부재에 구비하여, 상기 용기 및 상기 지지부재의 상대 높이를 변화시켜 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And the container is provided in the support member to change relative heights of the container and the support member. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 기판의 린스는,Rinse the substrate, 기판을 회전시키고, 상기 용기 내 린스액이 상기 용기로부터 오버 플로우되도록 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And rotating the substrate to cause the rinse liquid in the vessel to overflow from the vessel. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 기판의 건조는,Drying of the substrate, 상기 약액의 린스시의 기판의 회전 속도보다 빠르게 기판을 회전시켜, 회전되는 상기 기판의 원심력에 의해 상기 기판 처리면의 중앙영역으로부터 가장자리영역으로 린스액이 밀려나면서 상기 기판의 처리면이 외부에 노출될 때, 상기 기판 처리면의 노출되는 영역으로 상기 건조가스를 분사함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The substrate is rotated faster than the rotational speed of the substrate at the time of rinsing of the chemical liquid, and the processing surface of the substrate is exposed to the outside while the rinse liquid is pushed from the center region to the edge region by the centrifugal force of the substrate being rotated. And spraying the dry gas onto an exposed area of the substrate processing surface. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 기판의 건조시에는,At the time of drying of the said board | substrate, 상기 용기 내 린스액의 점진적인 배수가 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And a gradual drainage of the rinse liquid in the vessel. 매엽식으로 기판을 세정 및 건조하는 방법에 있어서,In the method of cleaning and drying the substrate by a single wafer, 기판을 지지부재에 안착시킨 후 기판의 처리면으로 약액을 분사하여 기판을 세정하고, 상기 지지부재에 안착된 상태에서 기판을 린스액이 채워진 용기 내부에 침지시켜 린스하되,After mounting the substrate on the support member to clean the substrate by spraying the chemical liquid to the processing surface of the substrate, and rinsed by immersing the substrate in a container filled with the rinse liquid in the state seated on the support member, 상기 매엽식으로 기판을 처리 방법은,The method of treating the substrate by the sheet type, (a)약액들을 회전되는 기판의 처리면으로 분사하여 상기 기판을 세정하는 단계와,(a) spraying chemicals onto the processing surface of the rotating substrate to clean the substrate; (b)상기 기판을 린스액이 채워진 용기에 침지시킨 후, 상기 용기 내 초순수를 상기 용기로부터 오버 플로우시키면서 상기 기판에 잔류하는 상기 약액들을 린스하는 단계와,(b) immersing the substrate in a container filled with a rinse liquid, and then rinsing the chemical liquids remaining on the substrate while overflowing the ultrapure water in the container from the container; (c)상기 기판의 회전력에 의해 상기 기판 처리면의 중앙영역으로부터 가장자리영역으로 초순수가 밀려나가도록 상기 기판을 회전시키고, 상기 기판의 노출되는 영역으로 이소프로필 알코올 가스를 분사하여 상기 기판을 건조시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.(c) rotating the substrate such that ultrapure water is pushed from the center region of the substrate processing surface to the edge region by the rotational force of the substrate, and drying the substrate by injecting isopropyl alcohol gas into the exposed region of the substrate. Substrate processing method comprising a. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 (b)단계에서의 상기 기판의 회전속도는,The rotation speed of the substrate in the step (b), 상기 (c)단계에서의 상기 기판의 회전속도보다 저속인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.Substrate processing method characterized in that the lower speed than the rotational speed of the substrate in the step (c). 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,The method according to claim 11 or 12, 상기 용기는 기판을 지지하는 지지부재를 따라 상하로 이동가능하도록 설치되고,The container is installed to be movable up and down along a support member for supporting the substrate, 상기(b)단계는,In step (b), 상기 지지부재에 의해 지지된 기판의 처리면이 상기 용기의 측벽의 높이보다 낮도록 상기 용기를 위치시킨 후, 상기 용기로 초순수를 공급함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And positioning the container so that the processing surface of the substrate supported by the support member is lower than the height of the side wall of the container, and then supplying ultrapure water to the container. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기(c)단계는,In step (c), 상기 이소프로필 알코올 가스의 분사시에는,At the time of injection of the isopropyl alcohol gas, 상기 용기 내 초순수의 점진적인 배수 및 상기 용기의 점진적인 하강 중 적어도 어느 하나가 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.At least one of a gradual drainage of ultrapure water in the vessel and a gradual descent of the vessel.
KR1020060080591A 2006-08-24 2006-08-24 Method of treating a substrate KR100797082B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060080591A KR100797082B1 (en) 2006-08-24 2006-08-24 Method of treating a substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060080591A KR100797082B1 (en) 2006-08-24 2006-08-24 Method of treating a substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100797082B1 true KR100797082B1 (en) 2008-01-22

Family

ID=39218928

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060080591A KR100797082B1 (en) 2006-08-24 2006-08-24 Method of treating a substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100797082B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110211905A (en) * 2019-07-16 2019-09-06 广东先导先进材料股份有限公司 The processing unit and processing method of semiconductor substrate
CN115483135A (en) * 2022-09-16 2022-12-16 北京烁科精微电子装备有限公司 Substrate loading device and method with substrate protection function

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1041261A (en) 1996-07-18 1998-02-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treating apparatus and method thereof
JP2001038310A (en) * 1999-07-30 2001-02-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Sheet-fed rinsing by liquid chemical and its device
JP2006073753A (en) 2004-09-01 2006-03-16 Renesas Technology Corp Board cleaning device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1041261A (en) 1996-07-18 1998-02-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treating apparatus and method thereof
JP2001038310A (en) * 1999-07-30 2001-02-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Sheet-fed rinsing by liquid chemical and its device
JP2006073753A (en) 2004-09-01 2006-03-16 Renesas Technology Corp Board cleaning device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110211905A (en) * 2019-07-16 2019-09-06 广东先导先进材料股份有限公司 The processing unit and processing method of semiconductor substrate
CN115483135A (en) * 2022-09-16 2022-12-16 北京烁科精微电子装备有限公司 Substrate loading device and method with substrate protection function

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100850698B1 (en) Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, substrate processing system, and recorind medium
JP2009200524A (en) Substrate cleaning method and computer readable storage medium
KR20100100961A (en) Methods and apparatus for cleaning semiconductor wafers
KR20040028964A (en) Substrate treating device and substrate treating method
KR100797081B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR100797082B1 (en) Method of treating a substrate
KR101021544B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR20080009838A (en) Apparatus and method for treating substrate
KR100749549B1 (en) Method of treating a substrate in a single wafer type
KR100862703B1 (en) Support member, and apparatus and method for treating substrate with the same
JP5080885B2 (en) Substrate processing apparatus and processing chamber cleaning method
JP2022189627A (en) Substrate cleaning device and substrate cleaning method
KR100819019B1 (en) Apparatus for cleaning substrate
KR100794588B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR20130015637A (en) Apparatus for treating substrate
KR20100060094A (en) Method for cleanning back-side of substrate
KR100929814B1 (en) Injection unit and substrate processing apparatus having the same
JP3712552B2 (en) Substrate processing equipment
KR20200078791A (en) Apparatus for treating substrate, and nozzle cleaning method
KR102331356B1 (en) Apparatus for treating substrate, and nozzle cleaning method
KR100809591B1 (en) Method for cleaning substrate in single wafer
CN114721236B (en) Immersion type semiconductor developing device and developing method
KR100846690B1 (en) Substrate cleaning method and computer readable recording medium
JP2002075944A (en) Device for soaking substrate in liquid and method of soaking and treating substrate in liquid
KR20080009833A (en) Method for cleaning and drying substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130114

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140114

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150116

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160106

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170109

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180108

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190111

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200107

Year of fee payment: 13