KR20200078791A - Apparatus for treating substrate, and nozzle cleaning method - Google Patents

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KR20200078791A
KR20200078791A KR1020180167714A KR20180167714A KR20200078791A KR 20200078791 A KR20200078791 A KR 20200078791A KR 1020180167714 A KR1020180167714 A KR 1020180167714A KR 20180167714 A KR20180167714 A KR 20180167714A KR 20200078791 A KR20200078791 A KR 20200078791A
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전명아
이용희
이성수
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세메스 주식회사
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Abstract

The present invention provides a substrate treating device capable of efficiently treating a substrate. The substrate treating device comprises: a bowl having an internal treatment space with open top; a support unit supporting a substrate in the treatment space; a liquid supply unit having a nozzle for supplying a treatment liquid to the substrate supported by the support unit; and a cleaning unit cleaning the nozzle. The cleaning unit may include a cleaning bracket installed outside the upper surface of the bowl and forming accommodation space in which the cleaning liquid is accommodated.

Description

기판 처리 장치, 그리고 노즐 세정 방법{Apparatus for treating substrate, and nozzle cleaning method}Apparatus for treating substrate, and nozzle cleaning method

본 발명은 기판 처리 장치, 그리고 노즐 세정 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a nozzle cleaning method.

반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 일반적으로 포토레지스트를 제거하기 위해 다양한 약액이 사용되며 약액은 분사 노즐을 통해 기판으로 공급된다. 이와 같이 약액을 공급하여 기판을 처리하는 공정을 하는 경우, 분사 노즐의 토출단이 오염된다. 그 원인으로 분사 노즐의 토출단은 약액의 비산, 약액 흄(Fume)의 누적 등이 있다. As semiconductor devices become highly dense, highly integrated, and high-performance, miniaturization of circuit patterns rapidly progresses, and contaminants such as particles, organic contaminants, and metal contaminants remaining on the substrate surface have a great influence on device characteristics and production yield. do. For this reason, a cleaning process for removing various contaminants attached to the surface of the substrate is very important in the semiconductor manufacturing process, and a process of cleaning the substrate at a stage before and after each unit process for manufacturing the semiconductor is being performed. In general, various chemicals are used to remove the photoresist, and the chemicals are supplied to the substrate through a spray nozzle. When the process of processing the substrate by supplying the chemical liquid as described above, the discharge end of the injection nozzle is contaminated. As the cause, the discharge end of the injection nozzle includes scattering of chemicals and accumulation of chemical fumes.

이러한 분사 노즐의 토출단을 세정하기 위해서는 유지 보수 단계에서 분사 노즐을 세정하는 방법이 있다. 그러나, 유지 보수 단계가 수행되기 전 분사 노즐의 토출단에 부착된 오염 물질은 기판 처리의 불량을 야기한다.In order to clean the discharge end of such a spray nozzle, there is a method of cleaning the spray nozzle in a maintenance step. However, contaminants adhered to the discharge end of the spray nozzle before the maintenance step is performed cause poor substrate processing.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치, 그리고 노즐 세정 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of efficiently processing a substrate, and a nozzle cleaning method.

또한, 본 발명은 노즐 세정 후 이동되면서 노즐에 파티클 등의 오염물질이 부착되는 것을 최소화 할 수 있는 기판 처리 장치, 그리고 노즐 세정 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a nozzle cleaning method capable of minimizing the attachment of contaminants such as particles to the nozzle while moving after the nozzle cleaning.

또한, 본 발명은 노즐 세정 시간을 단축할 수 있는 기판 처리 장치, 그리고 노즐 세정 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a nozzle cleaning method capable of shortening the nozzle cleaning time.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited to this, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 내부에 상부가 개방된 처리 공간을 가지는 바울과; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 노즐을 가지는 액 공급 유닛과; 상기 노즐을 세정하는 세정 유닛을 포함하되, 상기 세정 유닛은, 상기 바울의 상면 외측에 설치되고, 세정액이 수용되는 수용 공간을 형성하는 세정 브라켓을 포함할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. The apparatus for processing a substrate includes: a Paul having a processing space with an open top therein; A support unit supporting a substrate in the processing space; A liquid supply unit having a nozzle for supplying a processing liquid to the substrate supported on the support unit; It includes a cleaning unit for cleaning the nozzle, the cleaning unit may be provided on the outside of the upper surface of the Paul, and may include a cleaning bracket forming an accommodation space in which the cleaning liquid is accommodated.

일 실시예에 의하면, 상기 세정 유닛은, 상기 수용 공간으로 상기 세정액을 공급하는 세정액 공급 라인을 포함하고, 상기 바울에는 상기 수용 공간에 수용된 세정액이 회수되는 회수홀이 형성될 수 있다.According to an embodiment, the cleaning unit may include a cleaning liquid supply line for supplying the cleaning liquid to the accommodation space, and a recovery hole in which the cleaning liquid accommodated in the accommodation space is recovered may be formed in the paul.

일 실시예에 의하면, 상기 세정 유닛은, 상기 수용 공간으로 건조 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the cleaning unit may further include a gas supply line supplying dry gas to the accommodation space.

일 실시예에 의하면, 상기 노즐은 기판에 대해 처리액을 토출하는 공정 위치와 기판에 공정 처리 전 또는 공정 처리가 완료된 이후에 상기 노즐이 대기하는 대기 위치 간에 이동되고, 상기 세정 브라켓은, 상기 노즐이 상기 공정 위치에서 상기 대기 위치로 이동되는 경로 상에 설치되고, 상기 수용 공간은 그 상부가 개방될 수 있다.According to one embodiment, the nozzle is moved between the process position for discharging the processing liquid to the substrate and the standby position where the nozzle waits before or after the process processing is completed on the substrate, and the cleaning bracket is the nozzle It is installed on a path that is moved from the process position to the standby position, and the upper portion of the accommodation space can be opened.

일 실시예에 의하면, 상기 장치는, 상기 액 공급 유닛과 상기 세정 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고, 상기 제어기는, 상기 노즐이 상기 공정 위치에서 상기 대기 위치 사이를 도중에 상기 수용 공간에서 상기 노즐의 토출단이 세정되도록 상기 액 공급 유닛과 상기 세정 유닛을 제어할 수 있다.According to one embodiment, the apparatus includes a controller that controls the liquid supply unit and the cleaning unit, and the controller includes the nozzle in the receiving space halfway between the process position and the standby position. The liquid supply unit and the cleaning unit can be controlled so that the discharge end is cleaned.

일 실시예에 의하면, 상기 바울은, 상기 지지 유닛을 감싸는 내부 회수통과; 상기 내부 회수통을 감싸는 외부 회수통을 포함하되, 상기 세정 브라켓은 상기 외부 회수통의 외측 상부에 제공되고, 상기 회수홀은 상기 내부 회수통과 상기 외부 회수통의 사이 공간과 연통될 수 있다.According to one embodiment, the Paul, the internal recovery passage surrounding the support unit; An external recovery container surrounding the internal recovery container is included, and the cleaning bracket is provided on an outer upper portion of the external recovery container, and the recovery hole may communicate with a space between the internal recovery container and the external recovery container.

일 실시예에 의하면, 상기 장치는, 상기 세정 유닛과 상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는, 상기 수용 공간에서 상기 세정액이 설정 높이까지 차오르도록 상기 세정액 공급 라인이 상기 세정액을 공급하고, 상기 노즐이 이동 중에 상기 수용 공간에 수용된 세정액에 상기 노즐의 토출단이 잠기도록 상기 세정 유닛과 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다.According to one embodiment, the apparatus includes a controller for controlling the washing unit and the liquid supply unit, wherein the controller, the washing liquid supply line is the washing liquid so that the washing liquid fills up to a set height in the receiving space And the cleaning unit and the liquid supply unit such that the discharge end of the nozzle is immersed in the cleaning liquid accommodated in the accommodation space while the nozzle is moving.

일 실시예에 의하면, 상기 수용 공간 내 세정액은 상기 회수홀을 통해 상기 바울의 상면을 관통하여 상기 상면의 아래로 흐르고, 상기 제어기는, 상기 세정액이 상기 설정 높이까지 차오른 이후, 상기 세정액 공급 라인이 공급하는 상기 세정액의 단위 시간당 공급 유량과 상기 회수홀로 유출되는 세정액의 단위 시간당 유출 유량이 같도록 상기 세정 유닛을 제어할 수 있다. According to an embodiment, the cleaning liquid in the accommodation space passes through the upper surface of the Paul through the recovery hole and flows down the upper surface, and after the cleaning liquid is filled to the set height, the controller supplies the cleaning liquid supply line. The cleaning unit may be controlled such that the supply flow rate per unit time of the cleaning liquid to be supplied is the same as the flow rate per unit time of the cleaning liquid flowing out to the recovery hole.

또한, 본 발명은 기판에 처리액을 공급하는 노즐을 세정하는 방법을 제공한다. 노즐을 세정하는 방법은, 기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 바울의 외측 상면에 설치되는 세정 브라켓이 형성하는 수용 공간에 세정액을 공급하고, 상기 노즐의 토출단을 상기 수용 공간에 공급된 세정액에 잠겨 상기 노즐을 세정할 수 있다.In addition, the present invention provides a method of cleaning a nozzle that supplies a processing liquid to a substrate. In the method of cleaning the nozzle, a cleaning solution is supplied to an accommodation space formed by a cleaning bracket installed on an outer upper surface of Paul having a processing space for processing a substrate, and the discharge end of the nozzle is immersed in the cleaning solution supplied to the accommodation space The nozzle can be cleaned.

일 실시예에 의하면, 상기 바울에는 상기 수용 공간에 수용된 세정액이 회수되는 회수홀이 형성되고, 상기 수용 공간에 상기 세정액이 설정 높이까지 차오르도록 상기 세정액을 공급하고, 상기 세정액이 상기 설정 높이까지 차오른 이후 상기 수용 공간으로 공급되는 상기 세정액의 단위 시간당 공급 유량과 상기 회수홀로 유출되는 상기 세정액의 단위 시간당 유출 유량이 같을 수 있다.According to an embodiment, a recovery hole in which the cleaning liquid accommodated in the accommodation space is recovered is formed in the Paul, and the cleaning liquid is supplied to the accommodation space so that the cleaning liquid fills up to a set height, and the cleaning liquid reaches the set height. After filling up, the supply flow rate per unit time of the cleaning liquid supplied to the receiving space may be the same as the flow rate per unit time of the cleaning liquid flowing out of the recovery hole.

일 실시예에 의하면, 상기 수용 공간에 상기 세정액의 공급을 중단하고 설정된 시간이 경과한 이후 상기 노즐의 토출단에 건조 가스를 분사할 수 있다.According to an embodiment, the supply of the cleaning liquid to the accommodation space may be stopped and a dry gas may be injected to the discharge end of the nozzle after a predetermined time has elapsed.

일 실시예에 의하면, 상기 노즐은 기판에 대해 처리액을 토출하는 공정 위치와 기판에 공정 처리 전 또는 공정 처리가 완료된 이후에 상기 노즐이 대기하는 대기 위치 간에 이동되고, 상기 노즐이 상기 공정 위치와 상기 대기 위치 간에 이동되는 도중에 상기 노즐의 세정이 이루어질 수 있다.According to one embodiment, the nozzle is moved between the process position for discharging the processing liquid to the substrate and the standby position where the nozzle waits before or after the process processing is completed on the substrate, and the nozzle The nozzle may be cleaned while moving between the standby positions.

일 실시예에 의하면, 상기 노즐이 상기 공정 위치와 상기 대기 위치 간에 이동되는 도중에 아래로 이동되어 상기 수용 공간 내의 세정액에 상기 토출단이 잠길 수 있다.According to an embodiment, the discharge end may be immersed in the cleaning liquid in the receiving space by moving downward while the nozzle is moved between the process position and the standby position.

일 실시예에 의하면, 상기 세정액의 수면의 상단은 상기 세정 브라켓의 상단보다 높게 위치되고, 상기 노즐은 그 토출단이 상기 세정 브라켓의 상단보다 높고 상기 세정액의 수면의 상단보다 낮은 높이에 위치된 상태로 이동되면서 상기 세정액에 잠길 수 있다.According to one embodiment, the top of the water surface of the cleaning liquid is positioned higher than the top of the cleaning bracket, and the nozzle has a discharge end higher than the top of the cleaning bracket and located at a height lower than the top of the water surface of the cleaning liquid. It can be immersed in the cleaning solution while being moved to.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the substrate can be efficiently processed.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 노즐을 세정한 이후 이동하면서 노즐에 파티클 등의 오염 물질이 재부착되는 것을 최소화 할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to minimize the re-attachment of contaminants such as particles to the nozzle while moving after cleaning the nozzle.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 노즐을 세정하는데 소요되는 시간을 최소화 할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to minimize the time required to clean the nozzle.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 일부분을 확대한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐 세정 방법을 보여주는 플로우 차트이다.
도 6은 도 5의 세정액 공급 단계에서 세정 유닛의 모습을 보여주는 도면이다.
도 7은 도 5의 유지 단계에서 세정 유닛의 모습을 보여주는 도면이다.
도 8은 도 5의 노즐 세정 단계에서 세정 유닛의 일 예을 보여주는 도면이다.
도 9는 도 5의 세정액 배출 단계에서 세정 유닛의 모습을 보여주는 도면이다.
도 10은 도 5의 건조 단계에서 세정 유닛의 모습을 보여주는 도면이다.
도 11은 도 5의 노즐 세정 단계에서 세정 유닛의 다른 예를 보여주는 보여주는 도면이다.1 is a plan view showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 1.
3 is a plan view showing the substrate processing apparatus of FIG. 1.
4 is an enlarged view of a portion of the substrate processing apparatus of FIG. 2.
5 is a flow chart showing a nozzle cleaning method according to an embodiment of the present invention.
6 is a view showing a state of the cleaning unit in the cleaning liquid supply step of FIG.
7 is a view showing a state of the cleaning unit in the maintenance step of FIG. 5.
8 is a view showing an example of a cleaning unit in the nozzle cleaning step of FIG. 5.
9 is a view showing a state of the cleaning unit in the cleaning liquid discharge step of FIG.
10 is a view showing a state of the cleaning unit in the drying step of FIG. 5.
11 is a view showing another example of a cleaning unit in the nozzle cleaning step of FIG. 5.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art to which the present invention pertains may easily practice. However, the present invention can be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in the detailed description of the preferred embodiment of the present invention, when it is determined that detailed descriptions of related known functions or configurations may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, detailed descriptions thereof will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for parts having similar functions and functions.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.“Including” a component means that other components may be further included instead of excluding other components, unless otherwise stated. Specifically, the terms “include” or “have” are intended to indicate that a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification exists, or that one or more other features or It should be understood that the presence or addition possibilities of numbers, steps, actions, components, parts or combinations thereof are not excluded in advance.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In addition, the shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for a more clear description.

이하, 도 1 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 11.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(10)는 인덱스 모듈(100)과 공정 처리 모듈(200)을 가진다. 인덱스 모듈(100)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 1 is a plan view showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the substrate processing facility 10 has an index module 100 and a process processing module 200. The index module 100 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 200 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 200 are arranged is referred to as a first direction 12, and when viewed from the top, perpendicular to the first direction 12 The direction is called the second direction 14 and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is called the third direction 16.

로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(200)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판들(W)을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is mounted on the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided and they are arranged in a line along the second direction 14. The number of load ports 120 may increase or decrease depending on the process efficiency of the process processing module 200 and footprint conditions. The carrier 130 is formed with a plurality of slots (not shown) for accommodating the substrates W in a horizontal arrangement with respect to the ground. A front opening unified pod (FOUP) may be used as the carrier 130.

공정 처리 모듈(200)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버(260)들이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버(260)들은 이송 챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정챔버(260)들이 제공된다. 공정 챔버(260)들 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 공정 챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process processing module 200 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed in the longitudinal direction parallel to the first direction (12). Process chambers 260 are disposed on both sides of the transfer chamber 240, respectively. The process chambers 260 on one side and the other side of the transfer chamber 240 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. A plurality of process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are arranged to be stacked with each other. That is, the process chambers 260 may be disposed on one side of the transfer chamber 240 in the arrangement of A X B. Where A is the number of process chambers 260 provided in a line along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a line along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an arrangement of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may be increased or decreased. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and both sides of the transfer chamber 240.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space where the substrate W stays before the substrate W is transferred between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. A slot (not shown) on which the substrate W is placed is provided inside the buffer unit 220. A plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16. The buffer unit 220 has a surface facing the transfer frame 140 and a surface facing the transfer chamber 240 open.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(200)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(200)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transports the substrate W between the carrier 130 mounted on the load port 120 and the buffer unit 220. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided with its longitudinal direction parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142, and is linearly moved in the second direction 14 along the index rail 142. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Further, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b, and is provided to move forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are arranged to be stacked in a spaced apart state from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transport the substrate W from the process processing module 200 to the carrier 130, and other parts of the index arms 144c are transferred from the carrier 130 to the process processing module 200. ). This can prevent particles generated from the substrate W prior to the process processing from being attached to the substrate W after the process processing in the process of the index robot 144 carrying in and out of the substrate W.

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. The transfer chamber 240 transports the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rail 242 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rail 242, and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rail 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. Further, the body 244b is provided to be rotatable on the base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided to move forward and backward relative to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided to be individually driven. The main arms 244c are arranged to be stacked apart from each other along the third direction 16.

공정 챔버(260)에는 기판(W)에 대해 액 처리하는 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.The process chamber 260 is provided with a substrate processing apparatus 300 that performs a process of liquid-processing the substrate W. The substrate processing apparatus 300 may have a different structure depending on the type of cleaning process to be performed. Alternatively, the substrate processing apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups, and the substrate processing apparatuses 300 in the process chamber 260 belonging to the same group are the same as each other, and the substrate processing provided in the process chambers 260 belonging to different groups is different. The structures of the devices 300 may be provided differently from each other.

기판 처리 장치(300)는 기판(W)을 액 처리한다. 본 실시예에는 기판의 액 처리 공정을 세정 공정으로 설명한다. 이러한 액 처리 공정은 세정 공정에 한정되지 않으며, 사진, 애싱, 그리고 식각 등 다양하게 적용 가능하다. The substrate processing apparatus 300 liquid-processes the substrate W. In this embodiment, the liquid treatment process of the substrate is described as a cleaning process. The liquid treatment process is not limited to the cleaning process, and various applications such as photography, ashing, and etching may be applied.

도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이고, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다. 도 2와 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 바울(320), 지지 유닛(340), 승강 유닛(360), 액 공급 유닛(380), 세정 유닛(400), 그리고 제어기(600)를 포함한다. 2 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 1, and FIG. 3 is a plan view showing the substrate processing apparatus of FIG. 1. 2 and 3, the substrate processing apparatus 300 includes a Paul 320, a support unit 340, an elevation unit 360, a liquid supply unit 380, a cleaning unit 400, and a controller 600 ).

바울(320)은 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 제공한다. 바울(320)은 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 바울(320)은 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 기판 지지 유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(326)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(322)의 내측공간(322a) 및 내부 회수통(322)은 내부 회수통(322)으로 처리액이 유입되는 제1유입구(322a)로서 기능한다. 내부 회수통(322)과 외부 회수통(326)의 사이공간(326a)은 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 제2유입구(326a)로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구(322a,326a)는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(322,326)의 저면 아래에는 회수 라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수통(322,326)에 유입된 처리액들은 회수 라인(322b,326b)을 통해 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.Paul 320 provides a processing space in which the substrate is processed. Paul 320 has a cylindrical shape with an open top. The Paul 320 has an inner collection container 322 and an outer collection container 326. Each of the collection bins 322 and 326 recovers different treatment liquids among the treatment liquids used in the process. The inner collection container 322 is provided in an annular ring shape surrounding the substrate support unit 340, and the outer collection container 326 is provided in an annular ring shape surrounding the inner collection container 326. The inner space 322a and the inner recovery cylinder 322 of the inner recovery cylinder 322 function as a first inlet 322a through which the processing liquid flows into the inner recovery cylinder 322. The space 326a between the inner collecting container 322 and the outer collecting container 326 functions as a second inlet 326a through which the processing liquid flows into the outer collecting container 326. According to an example, each of the inlets 322a and 326a may be located at different heights from each other. The recovery lines 322b and 326b are connected below the bottom surface of each of the recovery containers 322 and 326. The treatment liquids introduced into the respective collection containers 322 and 326 may be provided to an external treatment liquid regeneration system (not shown) through the recovery lines 322b and 326b and reused.

지지 유닛(340)은 처리 공간에서 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 지지 유닛(340)은 지지판(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 회전 구동 부재(348,349)를 가진다. 지지판(342)은 대체로 원형의 판 형상으로 제공되며, 상면 및 저면을 가진다. 하부면은 상부면에 비해 작은 직경을 가진다. 상면 및 저면은 그 중심축이 서로 일치하도록 위치된다. The support unit 340 supports the substrate W in the processing space. The support unit 340 supports and rotates the substrate W during the process. The support unit 340 has a support plate 342, a support pin 344, a chuck pin 346, and rotation drive members 348 and 349. The support plate 342 is provided in a generally circular plate shape, and has a top surface and a bottom surface. The lower surface has a smaller diameter than the upper surface. The top and bottom surfaces are positioned such that their central axes coincide with each other.

지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 지지판(342)의 상면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 지지판(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 지지판(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are arranged to be spaced apart at predetermined intervals at the edge of the upper surface of the support plate 342 and protrude upward from the support plate 342. The support pins 344 are arranged to have an annular ring shape as a whole by combination with each other. The support pin 344 supports the rear edge of the substrate W so that the substrate W is spaced a predetermined distance from the upper surface of the support plate 342.

척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 지지판(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 지지판(342)의 상면으로부터 위로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 지지판(342)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 지지판(342)의 반경 방향을 따라 외측 위치와 내측 위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 외측 위치는 내측 위치에 비해 지지판(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 지지판(342)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 외측 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 내측 위치에 위치된다. 내측 위치는 척핀(346)과 기판(W)의 측부가 서로 접촉되는 위치이고, 외측 위치는 척핀(346)과 기판(W)이 서로 이격되는 위치이다.A plurality of chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther than the support pin 344 from the center of the support plate 342. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the upper surface of the support plate 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W does not deviate in the lateral direction from the normal position when the support plate 342 is rotated. The chuck pin 346 is provided to enable linear movement between the outer position and the inner position along the radial direction of the support plate 342. The outer position is a position farther from the center of the support plate 342 than the inner position. When the substrate W is loaded or unloaded on the support plate 342, the chuck pin 346 is positioned at an outer position, and when performing a process for the substrate W, the chuck pin 346 is positioned at an inner position. The inner position is a position where the side portions of the chuck pin 346 and the substrate W contact each other, and the outer position is a position where the chuck pin 346 and the substrate W are spaced apart from each other.

회전 구동 부재(348,349)는 지지판(342)을 회전시킨다. 지지판(342)은 회전 구동 부재(348,349)에 의해 자기 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 회전 구동 부재(348,349)는 지지축(348) 및 구동부(349)를 포함한다. 지지축(348)은 제3방향(16)을 향하는 통 형상을 가진다. 지지축(348)의 상단은 지지판(342)의 저면에 고정 결합된다. 일 예에 의하면, 지지축(348)은 지지판(342)의 저면 중심에 고정 결합될 수 있다. 구동부(349)는 지지축(348)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 지지축(348)은 구동부(349)에 의해 회전되고, 지지판(342)은 지지축(348)과 함께 회전 가능하다. The rotation drive members 348 and 349 rotate the support plate 342. The support plate 342 is rotatable about the magnetic center axis by the rotation drive members 348 and 349. The rotation drive members 348 and 349 include a support shaft 348 and a drive part 349. The support shaft 348 has a cylindrical shape facing the third direction 16. The upper end of the support shaft 348 is fixedly coupled to the bottom surface of the support plate 342. According to an example, the support shaft 348 may be fixedly coupled to the center of the bottom surface of the support plate 342. The driving unit 349 provides a driving force so that the support shaft 348 is rotated. The support shaft 348 is rotated by the driving unit 349, and the support plate 342 is rotatable together with the support shaft 348.

승강 유닛(360)은 바울(320)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 바울(320)이 상하로 이동됨에 따라 지지판(342)에 대한 바울(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 기판(W)이 지지판(342)에 로딩되거나, 언로딩될 때 지지판(342)이 바울(320)의 상부로 돌출되도록 바울(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(322,326)으로 유입될 수 있도록 바울(320)의 높이가 조절한다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 바울(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 선택적으로, 승강 유닛(360)은 지지판(342)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 360 linearly moves the paul 320 in the vertical direction. As the Paul 320 moves up and down, the relative height of the Paul 320 relative to the support plate 342 is changed. The lifting unit 360 is lowered so that the substrate W is loaded on the support plate 342, or when the unloading, the support plate 342 protrudes to the top of the Paul 320. In addition, when the process is in progress, the height of the paul 320 is adjusted so that the treatment liquid can be introduced into the predetermined collection containers 322 and 326 according to the type of treatment liquid supplied to the substrate W. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixedly installed on the outer wall of the Paul 320, and the moving shaft 364 moving in the vertical direction by the driver 366 is fixedly coupled to the bracket 362. Optionally, the lifting unit 360 may move the support plate 342 in the vertical direction.

액 공급 유닛(380)은 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 처리 유닛(380)은 복수 개로 제공되며, 각각은 서로 상이한 종류의 처리액들을 공급할 수 있다. 처리액은 케미칼, 린스액, 그리고 유기용제일 수 있다. 케미칼은 산 또는 염기 성질을 가지는 액일 수 있다. 케미칼은 황산(H2SO4), 인산(P2O5), 불산(HF) 그리고 수산화 암모늄(NH4OH)을 포함할 수 있다. 케미칼은 DSP(Diluted Sulfuric acid Peroxide) 혼합액일 수 있다. 린스액은 순수(H20)일 수 있다. 유기용제는 이소프로필알코올(IPA) 액일 수 있다. 액 공급 유닛(380)은 이동 부재(381), 그리고 노즐(389)을 포함할 수 있다. The liquid supply unit 380 supplies the processing liquid to the substrate W. A plurality of processing units 380 are provided, each of which can supply different types of processing liquids. The treatment liquid may be a chemical, a rinse liquid, and an organic solvent. The chemical may be an acid or base liquid. Chemicals may include sulfuric acid (H 2 SO 4 ), phosphoric acid (P 2 O 5 ), hydrofluoric acid (HF) and ammonium hydroxide (NH 4 OH). The chemical may be a DSP (Diluted Sulfuric acid Peroxide) mixed solution. The rinse liquid may be pure water (H 2 0). The organic solvent may be an isopropyl alcohol (IPA) solution. The liquid supply unit 380 may include a moving member 381 and a nozzle 389.

이동 부재(381)는 노즐(389)을 공정 위치 및 대기 위치로 이동시킨다. 공정 위치는 노즐(389)이 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 기판(W)에 대해 처리액을 토출하는 위치이다. 또한 공정 위치는 전처리 위치 및 후처리 위치를 포함한다. 전처리 위치는 노즐(389)이 제1공급 위치에 처리액을 공급하는 위치이고, 후처리 위치는 노즐(389)이 제2공급 위치에 처리액을 공급하는 위치로 제공된다. 제1공급 위치는 제2공급 위치보다 기판(W)의 중심에 더 가까운 위치이고, 제2공급 위치는 기판의 단부를 포함하는 위치일 수 있다. 선택적으로 제2공급 위치는 기판의 단부에 인접한 영역일 수 있다. 대기 위치는 노즐(390)이 공정 위치를 벗어난 위치로 정의한다. 일 예에 의하면, 대기 위치는 기판(W)에 공정 처리 전 또는 공정 처리가 완료된 이후에 노즐(389)이 대기하는 위치일 수 있다.The moving member 381 moves the nozzle 389 to the process position and the standby position. The process position is a position where the nozzle 389 is opposed to the substrate W supported by the support unit 340. According to an example, the process position is a position for discharging the processing liquid to the substrate W. Also, the process location includes a pre-treatment location and a post-treatment location. The pre-processing position is a position where the nozzle 389 supplies the processing liquid to the first supply position, and the post-processing position is provided as a position where the nozzle 389 supplies the processing liquid to the second supply position. The first supply position may be a position closer to the center of the substrate W than the second supply position, and the second supply position may be a position including an end of the substrate. Optionally, the second supply location can be an area adjacent the end of the substrate. The standby position is defined as the position where the nozzle 390 is outside the process position. According to an example, the standby position may be a position where the nozzle 389 waits before or after the process processing is completed on the substrate W.

이동 부재(381)는 지지축(386), 아암(382), 그리고 구동기(388)를 포함한다. 지지축(386)은 바울(320)의 일측에 위치된다. 지지축(386)은 그 길이방향이 제3방향을 향하는 로드 형상을 가진다. 지지축(386)은 구동기(388)에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 지지축(386)은 승강 이동이 가능하도록 제공된다. 아암(382)은 지지축(386)의 상단에 결합된다. 아암(382)은 지지축(386)으로부터 수직하게 연장된다. 아암(382)의 끝단에는 노즐(390)이 고정 결합된다. 지지축(386)이 회전됨에 따라 노즐(390)은 아암(382)과 함께 스윙 이동 가능하다. 노즐(390)은 스윙 이동되어 공정 위치 및 대기 위치로 이동될 수 있다. 선택적으로 아암(382)은 그 길이방향을 향해 전진 및 후진 이동이 가능하도록 제공될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 노즐(389)이 이동되는 경로는 공정 위치에서 기판(W)의 중심축과 일치될 수 있다. The moving member 381 includes a support shaft 386, an arm 382, and a driver 388. The support shaft 386 is located on one side of the Paul 320. The support shaft 386 has a rod shape whose longitudinal direction is toward the third direction. The support shaft 386 is provided to be rotatable by the driver 388. The support shaft 386 is provided to allow the lifting movement. Arm 382 is coupled to the top of the support shaft (386). The arm 382 extends vertically from the support shaft 386. A nozzle 390 is fixedly coupled to the end of the arm 382. As the support shaft 386 is rotated, the nozzle 390 is swingable with the arm 382. The nozzle 390 may be moved by swinging to a process position and a standby position. Optionally, the arm 382 may be provided to enable forward and backward movement toward its longitudinal direction. The path through which the nozzle 389 moves when viewed from the top may coincide with the central axis of the substrate W at the process position.

세정 유닛(400)은 노즐(389)을 세정한다. 세정 유닛(400)은 세정액으로 노즐(389)을 세정하고, 이후 건조 가스를 공급하여 노즐(389)을 건조할 수 있다. 세정 유닛(400)은 바울(320)의 상면 외측에 설치될 수 있다. 세정 유닛(400)은 상부에서 바라 볼 때, 노즐(389)이 공정 위치에서 대기 위치로 이동되는 경로 상에 설치될 수 있다. The cleaning unit 400 cleans the nozzle 389. The cleaning unit 400 may clean the nozzle 389 with a cleaning solution, and then supply the drying gas to dry the nozzle 389. The cleaning unit 400 may be installed outside the upper surface of the paul 320. The cleaning unit 400 may be installed on a path where the nozzle 389 is moved from the process position to the standby position when viewed from the top.

도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 일부분을 확대한 도면이다. 도 4를 참조하면, 세정 유닛(400)은 세정 브라켓(410), 세정액 공급 라인(420), 그리고 가스 공급 라인(430)을 포함할 수 있다.4 is an enlarged view of a portion of the substrate processing apparatus of FIG. 2. Referring to FIG. 4, the cleaning unit 400 may include a cleaning bracket 410, a cleaning liquid supply line 420, and a gas supply line 430.

세정 브라켓(410)은 바울(320)의 상면 외측에 설치된다. 일 예로, 세정 브라켓(410)은 바울(320)의 외부 회수통(326)의 상면 외측에 설치될 수 있다. 세정 브라켓(410)은 외부 회수통(326)이 지지 유닛(340)을 향하는 방향으로 상향 경사지게 절곡되는 부분에 설치될 수 있다. 세정 브라켓(410)은 상부에서 바라볼 때, 액 공급 유닛(380)의 노즐(389)이 공정 위치에서 대기 위치로 이동되는 경로 상에 설치될 수 있다. 세정 브라켓(410)은 바울(320)의 상면과 서로 조합되어 수용 공간(412)을 형성할 수 있다. 예컨대, 세정 브라켓(410)은 외부 회수통(326)의 상면과 서로 조합되어 수용 공간(412)을 형성할 수 있다. 세정 브라켓(410)이 형성하는 수용 공간(412)은 그 상부가 개방되어 제공될 수 있다. The cleaning bracket 410 is installed outside the upper surface of the Paul 320. For example, the cleaning bracket 410 may be installed outside the upper surface of the outer collection container 326 of the Paul 320. The cleaning bracket 410 may be installed in a portion in which the external recovery container 326 is bent upwardly in a direction toward the support unit 340. When viewed from the top, the cleaning bracket 410 may be installed on a path where the nozzle 389 of the liquid supply unit 380 is moved from the process position to the standby position. The cleaning bracket 410 may be combined with the upper surface of the Paul 320 to form an accommodation space 412. For example, the cleaning bracket 410 may be combined with the upper surface of the external recovery container 326 to form a receiving space 412. The receiving space 412 formed by the cleaning bracket 410 may be provided with its top open.

수용 공간(412)은 바울(320)에 형성된 회수홀(329)과 연통될 수 있다. 수용 공간(412) 내로 공급된 세정액은 회수홀(329)을 통해 바울(320)의 상면을 관통하여 바울(320)의 상면 아래로 흐를 수 있다. 일 예로, 회수홀(329)은 바울(320)의 외부 회수통(326)에 형성될 수 있다. 수용 공간(412)은 회수홀(329)과 연통되고, 회수홀(329)은 내부 회수통(322)과 외부 회수통(326)의 사이 공간과 연통될 수 있다. 이에, 수용 공간(412) 내로 공급된 세정액은 외부 회수통(326)에 형성된 회수홀(329)을 통해 외부 회수통(326)의 상면 아래로 흐를 수 있다. The accommodation space 412 may communicate with the recovery hole 329 formed in the Paul 320. The cleaning liquid supplied into the accommodation space 412 may pass through the upper surface of the Paul 320 through the recovery hole 329 and flow below the upper surface of the Paul 320. For example, the recovery hole 329 may be formed in the external recovery container 326 of the Paul 320. The accommodation space 412 communicates with the recovery hole 329, and the recovery hole 329 may communicate with a space between the inner recovery container 322 and the outer recovery container 326. Accordingly, the cleaning liquid supplied into the receiving space 412 may flow down the upper surface of the external recovery container 326 through the recovery hole 329 formed in the external recovery container 326.

세정액 공급 라인(420)은 수용 공간(412)으로 세정액을 공급할 수 있다. 세정액은 순수 또는 유기 용제일 수 있다. 세정액 공급 라인(420)은 세정액 공급 부재(422)로부터 세정액을 공급 받아 수용 공간(412)으로 세정액을 공급할 수 있다. 세정액 공급 라인(420)에는 세정액 공급 밸브(433)가 설치될 수 있다. 세정액 공급 밸브(423)는 유량 조절 밸브로 제공될 수 있다. 제어기(600)는 세정액 공급 라인(420)에서 수용 공간(412)으로 공급되는 세정액의 단위 시간당 공급 유량을 조절하기 위해 세정액 공급 밸브(423)의 개폐율을 조절할 수 있다.The cleaning liquid supply line 420 may supply the cleaning liquid to the receiving space 412. The cleaning liquid may be pure water or an organic solvent. The cleaning liquid supply line 420 may receive the cleaning liquid from the cleaning liquid supply member 422 and supply the cleaning liquid to the receiving space 412. A washing liquid supply valve 433 may be installed in the washing liquid supply line 420. The cleaning liquid supply valve 423 may be provided as a flow control valve. The controller 600 may adjust the opening/closing rate of the cleaning liquid supply valve 423 to adjust the supply flow rate per unit time of the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply line 420 to the receiving space 412.

가스 공급 라인(430)은 수용 공간(412)으로 건조 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 라인(430)은 세정액으로 세정된 노즐(389)의 토출단에 건조 가스를 공급할 수 있다. 건조 가스는 비활성 가스일 수 있다. 비활성 가스는 질소 가스, 아르곤 가스, 헬륨 가스 중 선택된 가스이거나 이들이 혼합된 가스일 수 있다. 가스 공급 라인(430)은 가스 공급 부재(432)로부터 건조 가스를 공급 받아 수용 공간(412)으로 건조 가스를 토출할 수 있다. 가스 공급 라인(430)에는 가스 공급 밸브(433)가 설치될 수 있다. 가스 공급 밸브(433)는 유량 조절 밸브로 제공될 수 있다. 제어기(600)는 가스 공급 라인(430)에서 수용 공간(412)으로 토출되는 건조 가스의 단위 시간당 공급 유량을 조절하기 위해 가스 공급 밸브(433)의 개폐율을 조절할 수 있다.The gas supply line 430 may supply dry gas to the accommodation space 412. The gas supply line 430 may supply dry gas to the discharge end of the nozzle 389 cleaned with the cleaning liquid. The dry gas can be an inert gas. The inert gas may be a gas selected from nitrogen gas, argon gas, and helium gas, or a gas mixture of them. The gas supply line 430 may receive dry gas from the gas supply member 432 and discharge dry gas to the accommodation space 412. A gas supply valve 433 may be installed in the gas supply line 430. The gas supply valve 433 may be provided as a flow control valve. The controller 600 may adjust the opening/closing rate of the gas supply valve 433 to adjust the supply flow rate per unit time of the dry gas discharged from the gas supply line 430 to the accommodation space 412.

제어기(600)는 기판 처리 설비(10)에 구비된 구성들을 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(600)는 기판 처리 장치(300)에서 액 공급 유닛(380), 그리고 세정 유닛(400)을 제어할 수 있다. 제어기(600)는 액 공급 유닛(380), 그리고 세정 유닛(400)이 가지는 구성들을 제어할 수 있다. 또한, 제어기(600)는 기판 처리 장치(300)가 후술하는 노즐 세정 방법을 수행할 수 있도록 액 공급 유닛(380), 그리고 세정 유닛(400)을 제어할 수 있다. The controller 600 may control components provided in the substrate processing facility 10. For example, the controller 600 may control the liquid supply unit 380 and the cleaning unit 400 in the substrate processing apparatus 300. The controller 600 may control components of the liquid supply unit 380 and the cleaning unit 400. In addition, the controller 600 may control the liquid supply unit 380 and the cleaning unit 400 so that the substrate processing apparatus 300 can perform the nozzle cleaning method described later.

이하에는 도 5 내지 도 10을 참조하여, 본 발명의 노즐 세정 방법에 대하여 상세히 설명한다. Hereinafter, the nozzle cleaning method of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 5 to 10.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐 세정 방법을 보여주는 플로우 차트이다. 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐 세정 방법은, 세정액 공급 단계(S01), 유지 단계(S02), 노즐 세정 단계(S03), 세정액 배출 단계(S04), 건조 단계(S05)를 포함할 수 있다.5 is a flow chart showing a nozzle cleaning method according to an embodiment of the present invention. Referring to Figure 5, the nozzle cleaning method according to an embodiment of the present invention, the cleaning liquid supply step (S01), the holding step (S02), the nozzle cleaning step (S03), the cleaning liquid discharge step (S04), drying step (S05) ).

세정액 공급 단계(S01)는 수용 공간(412)으로 세정액을 공급한다. 세정액 공급 단계(S01)에는 도 6에 도시된 바와 같이, 세정액 공급 단계(S01)에는 세정액 공급 라인(420)에 설치된 세정액 공급 밸브(423)를 개방하여 수용 공간(412)으로 세정액(L)을 공급한다. 세정액 공급 단계(S01)에는 수용 공간(412)에서 세정액(L)이 설정 높이까지 차오르도록 세정액(L)을 공급할 수 있다. 이때, 세정액 공급 라인(420)이 공급하는 세정액(L)의 단위 시간당 공급 유량은 회수홀(329)에서 유출되는 세정액(L)의 단위 시간당 유출 유량보다 클 수 있다.In the cleaning liquid supply step S01, the cleaning liquid is supplied to the receiving space 412. As shown in FIG. 6 in the cleaning liquid supply step (S01), the cleaning liquid supply valve (423) installed in the cleaning liquid supply line (420) is opened in the cleaning liquid supply step (S01), and the cleaning liquid (L) is supplied to the receiving space (412). To supply. In the cleaning liquid supply step S01, the cleaning liquid L may be supplied in the accommodation space 412 so that the cleaning liquid L fills up to a set height. At this time, the supply flow rate per unit time of the cleaning liquid L supplied by the cleaning liquid supply line 420 may be greater than the flow rate per unit time of the cleaning liquid L flowing out of the recovery hole 329.

유지 단계(S02)는 수용 공간(412)에서 세정액(L)이 설정 높이까지 차오른 이후 수행될 수 있다. 유지 단계(S02)에는 세정액 공급 단계(S01)에서 수용 공간(412)으로 공급된 세정액(L)의 수면을 설정 높이로 유지시키는 단계이다. 유지 단계(S2)에는 도 7에 도시된 바와 같이 세정액 공급 라인(420)이 공급하는 세정액(L)의 단위 시간당 공급 유량이 회수홀(329)에서 유출되는 세정액(L)의 단위 시간당 유출 유량과 같을 수 있다. 유지 단계(S02)에서 수용 공간(412)으로 세정액(L)을 계속하여 공급하고, 회수홀(329)로 세정액(L)이 계속하여 유출됨으로써, 수용 공간(412)에 수용된 세정액(L)은 청정한 상태로 유지될 수 있다.The holding step S02 may be performed after the cleaning liquid L is filled up to the set height in the accommodation space 412. In the holding step S02, the surface of the cleaning liquid L supplied to the receiving space 412 in the cleaning liquid supplying step S01 is maintained at a set height. In the holding step (S2), the supply flow rate per unit time of the cleaning liquid (L) supplied by the cleaning liquid supply line 420 is as shown in FIG. 7 and the flow rate per unit time of the cleaning liquid (L) flowing out of the recovery hole (329). It can be the same. In the holding step S02, the cleaning liquid L is continuously supplied to the receiving space 412, and the cleaning liquid L continues to flow out to the recovery hole 329, so that the cleaning liquid L accommodated in the receiving space 412 is It can be kept clean.

노즐 세정 단계(S03)는 노즐(389)을 세정하는 단계이다. 일 예로, 노즐 세정 단계(S03)는 유지 단계(S02) 이후에 수행될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고, 노즐 세정 단계(S03)는 세정액 공급 단계(S01)가 수행됨과 동시에 수행될 수 있다. 노즐 세정 단계(S03)는 노즐(389)이 공정 위치와 대기 위치 사이를 이동하는 도중에 수용 공간(412)에서 노즐(389)의 토출단이 세정될 수 있다. 일 예로, 노즐(389)이 공정 위치에서 기판(W)에 대해 처리액을 토출하고, 기판에 대한 공정 처리가 완료된 이후 대기 위치로 이동되는 도중에 노즐(389)의 세정이 이루어질 수 있다. 또한, 기판(W)에 대한 공정 처리가 수행되기 전 노즐(389)이 대기 위치에서 공정 위치로 이동하는 도중에 노즐(389)의 세정이 이루어질 수 있다.The nozzle cleaning step S03 is a step of cleaning the nozzle 389. For example, the nozzle cleaning step S03 may be performed after the maintenance step S02. However, the present invention is not limited thereto, and the nozzle cleaning step S03 may be performed simultaneously with the cleaning liquid supply step S01. In the nozzle cleaning step S03, the discharge end of the nozzle 389 may be cleaned in the accommodation space 412 while the nozzle 389 moves between the process position and the standby position. For example, cleaning of the nozzle 389 may be performed while the nozzle 389 discharges the processing liquid to the substrate W at the process position, and is moved to the standby position after the process processing for the substrate is completed. In addition, the cleaning of the nozzle 389 may be performed while the nozzle 389 moves from the standby position to the process position before the process processing for the substrate W is performed.

노즐 세정 단계(S03)에는 수용 공간(412)에 수용된 세정액(L)에 노즐(389)의 토출단이 잠길 수 있다. 예컨대, 노즐 세정 단계(S03)에는 도 8에 도시된 바와 같이, 노즐(389)이 수용 공간(412)의 상부에 위치하고 이후 수용 공간(412)을 향해 노즐(389)이 아래 방향으로 이동하여 세정액(L)에 잠길 수 있다. 노즐(389)의 토출단이 세정액(L)에 잠기는 것은 1회 또는 노즐(389)이 상하 방향으로 반복하여 이동하면서 복수 회 잠길 수 있다. 또한, 노즐 세정 단계(S03)에는 유지 단계(S02)와 마찬 가지로 수용 공간(412)으로 공급되는 세정액(L)의 단위 시간당 공급 유량과 회수홀(329)을 통해 유출되는 세정액(L)의 단위 시간당 유출 유량이 서로 같을 수 있다.In the nozzle cleaning step S03, the discharge end of the nozzle 389 may be locked in the cleaning liquid L accommodated in the accommodation space 412. For example, in the nozzle cleaning step S03, as shown in FIG. 8, the nozzle 389 is located above the receiving space 412, and then the nozzle 389 moves toward the receiving space 412 in the downward direction, and the cleaning liquid (L). When the discharge end of the nozzle 389 is immersed in the cleaning liquid L, it can be locked once or multiple times while the nozzle 389 is repeatedly moved in the vertical direction. In addition, in the nozzle cleaning step S03, the supply flow rate per unit time of the cleaning liquid L supplied to the accommodating space 412 and the cleaning liquid L flowing out through the recovery hole 329 in the same manner as in the holding step S02. The flow rate per unit time may be the same.

세정액 배출 단계(S04)는 수용 공간(412)에 수용된 세정액(L)을 배출하는 단계이다. 세정액 배출 단계(S04)는 노즐 세정 단계(S03) 이후에 수행될 수 있다. 세정액 배출 단계(S04)에는 도 9에 도시된 바와 같이 세정액 공급 라인(420)에 설치된 세정액 공급 밸브(423)를 잠글 수 있다. 이에, 수용 공간(412)에 수용된 세정액(L)은 회수홀(329)을 통해 바울(320)의 상면을 관통하여 바울(320)의 상면 아래로 흐를 수 있다. 이에, 수용 공간(412)에 수용된 세정액(L)의 수면 높이는 점차 낮아진다.The washing liquid discharge step S04 is a step of discharging the washing liquid L accommodated in the receiving space 412. The cleaning liquid discharge step S04 may be performed after the nozzle cleaning step S03. In the cleaning liquid discharge step S04, the cleaning liquid supply valve 423 installed in the cleaning liquid supply line 420 may be closed as illustrated in FIG. 9. Accordingly, the cleaning liquid L accommodated in the accommodation space 412 may pass through the upper surface of the Paul 320 through the recovery hole 329 and flow below the upper surface of the Paul 320. Accordingly, the height of the water surface of the cleaning liquid L accommodated in the accommodation space 412 gradually decreases.

건조 단계(S05)는 노즐(389)의 토출단을 향해 건조 가스를 토출하여 노즐(389)을 건조시키는 단계이다. 건조 단계(S05)는 세정액 배출 단계(S04) 이후에 수행될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 건조 단계(S05)는 세정액 배출 단계(S04)가 수행되는 도중 실시될 수 있다. 구체적으로, 세정액 배출 단계(S04)를 수행하는 도중 세정액(L)에 잠긴 노즐(389)이 세정액(L)으로부터 드러나는 시점부터 수행될 수 있다. 다른 예로, 건조 단계(S05)는 수용 공간(412)에 세정액(L)의 공급을 중단하고 설정된 시간이 경과한 이후 수행될 수 있다.The drying step S05 is a step of drying the nozzle 389 by discharging a drying gas toward the discharge end of the nozzle 389. The drying step S05 may be performed after the washing liquid discharge step S04. However, it is not limited thereto. For example, the drying step S05 may be performed while the cleaning liquid discharge step S04 is performed. Specifically, the nozzle 389 immersed in the cleaning liquid L during the cleaning liquid discharging step S04 may be performed from the time when the nozzle 389 is exposed from the cleaning liquid L. As another example, the drying step S05 may be performed after the supply of the cleaning liquid L to the receiving space 412 is stopped and a set time has elapsed.

건조 단계(S05)에는 도 10에 도시된 바와 같이, 세정액 공급 밸브(423)를 닫고, 가스 공급 밸브(333)를 개방한다. 가스 공급 라인(430)은 노즐(389)의 토출단을 향해 건조 가스를 토출할 수 있다. 건조 가스는 비활성 가스 일 수 있다. 비활성 가스는 질소 가스, 아르곤 가스, 헬륨 가스 중 선택된 가스이거나 이들이 혼합된 가스일 수 있다.In the drying step S05, as shown in FIG. 10, the cleaning liquid supply valve 423 is closed, and the gas supply valve 333 is opened. The gas supply line 430 may discharge dry gas toward the discharge end of the nozzle 389. The dry gas can be an inert gas. The inert gas may be a gas selected from nitrogen gas, argon gas, and helium gas, or a gas mixture of them.

종래에는 노즐의 토출단을 세정하기 위해서는 유지 보수 단계에서 노즐을 세정하였다. 그러나, 이러한 방법은 노즐을 세정하는데 있어서 많은 시간이 소요된다. 또한, 유지 보수 단계가 수행되기 이전에 노즐에 부착된 오염 물질들을 세정할 수 없는 문제점이 있었다. 이 경우, 노즐에 부착된 오염 물질은 지속적으로 기판에 공급되어, 기판의 처리가 적절히 이루어지지 못하도록 한다.Conventionally, in order to clean the discharge end of the nozzle, the nozzle was cleaned in a maintenance step. However, this method takes a long time to clean the nozzle. In addition, there was a problem in that it was impossible to clean contaminants attached to the nozzle before the maintenance step was performed. In this case, the contaminants attached to the nozzle are continuously supplied to the substrate, preventing the substrate from being properly processed.

그러나, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 세정 유닛(300)이 바울(320)의 상면 외측에 설치되고, 노즐(389)이 공정 위치와 대기 위치 사이를 이동하면서 노즐(389)에 부착된 오염 물질 등을 세정할 수 있다. 즉, 별도의 유지 보수 단계를 거치지 않고, 노즐(389)을 세정할 수 있다.However, according to one embodiment of the present invention, the cleaning unit 300 is installed on the outside of the upper surface of the Paul 320, and the nozzle 389 is moved between the process position and the standby position, the contamination attached to the nozzle 389 Materials and the like can be cleaned. That is, the nozzle 389 can be cleaned without going through a separate maintenance step.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 세정 유닛(300)이 바울(320)의 상면 외측에 설치되기 때문에, 노즐(389)이 세정되기 위해 이동하는 거리, 시간을 단축할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, since the cleaning unit 300 is installed outside the upper surface of the paul 320, the distance and time for the nozzle 389 to move to be cleaned can be shortened.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 유지 단계(S02)와 노즐 세정 단계(S03)에서 세정액의 공급이 지속하여 이루어지기 때문에, 수용 공간(412)에 공급된 세정액을 청정한 상태로 유지할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, since the supply of the cleaning solution is continuously made in the holding step S02 and the nozzle cleaning step S03, the cleaning solution supplied to the receiving space 412 can be kept in a clean state. .

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 세정 유닛(300)이 바울(320)의 상면 외측에 설치되기 때문에, 노즐(389)이 세정된 이후 공정 위치까지 이동하는 거리를 단축할 수 있다. 즉, 노즐(389)이 세정된 이후에 이동하는 거리가 짧아져 세정된 노즐(389)에 파티클이 재부착되는 것을 최소화 할 수 있다. In addition, according to an embodiment of the present invention, since the cleaning unit 300 is installed outside the upper surface of the paul 320, it is possible to shorten the distance to move to the process position after the nozzle 389 is cleaned. That is, the distance traveled after the nozzle 389 is cleaned is shortened, so that it is possible to minimize the re-attachment of particles to the cleaned nozzle 389.

상술한 예에서는, 노즐 세정 단계(S03)에서 노즐(389)이 상하 방향으로 이동하고, 이에 노즐(389)의 토출단이 세정액(L)에 잠기면서 세정되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 11과 같이 수용 공간(412)에 공급된 세정액(L)은 표면장력 등을 이유로 그 수면이 위로 볼록한 형태를 가질 수 있다. 즉, 세정액(L)의 수면의 상단이 세정 브라켓(410)의 상단 보다 높게 위치될 수 있다. 이 경우 노즐(389)은 세정 브라켓(410)의 상단보다 높고 세정액(L)의 수면의 상단 보다 낮은 높이에 위치된 상태로 이동되면서 그 토출단이 세정액(L)에 잠길 수 있다. 이러한, 방법은 세정액(L)에 노즐(389)의 토출단이 잠기기 위하여 노즐(389)이 상하 방향으로 이동하는 동작이 요구 되지 않기 때문에, 더욱 신속히 노즐(389)의 토출단을 세정할 수 있다.In the above-described example, the nozzle 389 is moved up and down in the nozzle cleaning step (S03), and the discharge end of the nozzle 389 is immersed in the cleaning liquid (L) as an example. It is not. For example, as shown in FIG. 11, the cleaning liquid L supplied to the accommodation space 412 may have a convex shape with its surface upward due to surface tension or the like. That is, the upper end of the water surface of the cleaning liquid L may be positioned higher than the upper end of the cleaning bracket 410. In this case, while the nozzle 389 is moved to a position higher than the upper end of the cleaning bracket 410 and lower than the upper end of the water surface of the cleaning liquid L, the discharge end thereof may be immersed in the cleaning liquid L. In this method, since the operation of moving the nozzle 389 in the vertical direction is not required to lock the discharge end of the nozzle 389 in the cleaning liquid L, the discharge end of the nozzle 389 can be cleaned more quickly. .

상술한 예에서는, 기판 처리 장치(300)를 세정 공정을 수행하는 액 처리 장치인 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에서 기재하고 있는 발명은 반도체 또는 액정표시패널 등의 기판을 처리하는 모든 장치에 적용될 수 있다.In the above example, the substrate processing apparatus 300 is described as an example of a liquid processing apparatus for performing a cleaning process, but is not limited thereto. The invention described in the present invention can be applied to any device for processing a substrate such as a semiconductor or liquid crystal display panel.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is to illustrate the present invention. In addition, the above-described content is to describe and describe preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications and environments. That is, it is possible to change or modify the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the scope of technology or knowledge in the art. The embodiments described describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in specific application fields and uses of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. In addition, the appended claims should be construed to include other embodiments.

320: 바울 380: 액 공급 유닛
400: 세정 유닛 410: 세정 브라켓
420: 세정액 공급 라인 430: 가스 공급 라인
600: 제어기320: Paul 380: liquid supply unit
400: cleaning unit 410: cleaning bracket
420: cleaning liquid supply line 430: gas supply line
600: controller

Claims (14)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 상부가 개방된 처리 공간을 가지는 바울과;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 노즐을 가지는 액 공급 유닛과;
상기 노즐을 세정하는 세정 유닛을 포함하되,
상기 세정 유닛은,
상기 바울의 상면 외측에 설치되고, 세정액이 수용되는 수용 공간을 형성하는 세정 브라켓을 포함하는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
Paul having a treatment space with an open top therein;
A support unit supporting a substrate in the processing space;
A liquid supply unit having a nozzle for supplying a processing liquid to the substrate supported on the support unit;
It includes a cleaning unit for cleaning the nozzle,
The cleaning unit,
It is installed on the outside of the upper surface of the Paul, the substrate processing apparatus including a cleaning bracket to form a receiving space for receiving the cleaning liquid. 제1항에 있어서,
상기 세정 유닛은,
상기 수용 공간으로 상기 세정액을 공급하는 세정액 공급 라인을 포함하고,
상기 바울에는 상기 수용 공간에 수용된 세정액이 회수되는 회수홀이 형성되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The cleaning unit,
A cleaning liquid supply line for supplying the cleaning liquid to the receiving space,
A substrate processing apparatus in which a recovery hole in which the cleaning liquid accommodated in the accommodation space is recovered is formed in the paul. 제2항에 있어서,
상기 세정 유닛은,
상기 수용 공간으로 건조 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 더 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 2,
The cleaning unit,
And a gas supply line supplying dry gas to the accommodation space. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 노즐은 기판에 대해 처리액을 토출하는 공정 위치와 기판에 공정 처리 전 또는 공정 처리가 완료된 이후에 상기 노즐이 대기하는 대기 위치 간에 이동되고,
상기 세정 브라켓은,
상기 노즐이 상기 공정 위치에서 상기 대기 위치로 이동되는 경로 상에 설치되고,
상기 수용 공간은 그 상부가 개방되는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 3,
The nozzle is moved between the process position for discharging the processing liquid to the substrate and the standby position where the nozzle waits before or after the process processing is completed on the substrate,
The cleaning bracket,
The nozzle is installed on the path from the process position to the standby position,
The accommodation space is a substrate processing apparatus whose upper portion is opened. 제4항에 있어서,
상기 장치는,
상기 액 공급 유닛과 상기 세정 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고,
상기 제어기는,
상기 노즐이 상기 공정 위치에서 상기 대기 위치 사이를 이동하는 도중에 상기 수용 공간에서 상기 노즐의 토출단이 세정되도록 상기 액 공급 유닛과 상기 세정 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.According to claim 4,
The device,
It includes a controller for controlling the liquid supply unit and the cleaning unit,
The controller,
A substrate processing apparatus for controlling the liquid supply unit and the cleaning unit such that the discharge end of the nozzle is cleaned in the accommodation space while the nozzle moves between the process position and the standby position. 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 바울은,
상기 지지 유닛을 감싸는 내부 회수통과;
상기 내부 회수통을 감싸는 외부 회수통을 포함하되,
상기 세정 브라켓은 상기 외부 회수통의 외측 상부에 제공되고,
상기 회수홀은 상기 내부 회수통과 상기 외부 회수통의 사이 공간과 연통되는 기판 처리 장치.The method of claim 2 or 3,
Paul said,
An internal recovery passage surrounding the support unit;
It includes an outer collection container surrounding the inner collection container,
The cleaning bracket is provided on the outer upper portion of the outer collection container,
The recovery hole is a substrate processing apparatus in communication with the space between the inner and the outer recovery barrel. 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 장치는,
상기 세정 유닛과 상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 제어기는,
상기 수용 공간에서 상기 세정액이 설정 높이까지 차오르도록 상기 세정액 공급 라인이 상기 세정액을 공급하고,
상기 노즐이 이동 중에 상기 수용 공간에 수용된 세정액에 상기 노즐의 토출단이 잠기도록 상기 세정 유닛과 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 2 or 3,
The device,
It includes a controller for controlling the cleaning unit and the liquid supply unit,
The controller,
The washing liquid supply line supplies the washing liquid so that the washing liquid fills up to a set height in the receiving space,
A substrate processing apparatus for controlling the cleaning unit and the liquid supply unit so that the discharge end of the nozzle is immersed in the cleaning liquid accommodated in the accommodation space while the nozzle is moving. 제8항에 있어서,
상기 수용 공간 내 세정액은 상기 회수홀을 통해 상기 바울의 상면을 관통하여 상기 상면의 아래로 흐르고,
상기 제어기는,
상기 세정액이 상기 설정 높이까지 차오른 이후, 상기 세정액 공급 라인이 공급하는 상기 세정액의 단위 시간당 공급 유량과 상기 회수홀로 유출되는 세정액의 단위 시간당 유출 유량이 같도록 상기 세정 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 8,
The cleaning liquid in the accommodation space passes through the upper surface of the Paul through the recovery hole and flows down the upper surface,
The controller,
After the cleaning liquid has risen to the set height, the substrate processing apparatus for controlling the cleaning unit so that the supply flow rate per unit time of the cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supply line and the flow rate per unit time of the cleaning liquid flowing into the recovery hole are the same. 기판에 처리액을 공급하는 노즐을 세정하는 방법에 있어서,
기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 바울의 외측 상면에 설치되는 세정 브라켓이 형성하는 수용 공간에 세정액을 공급하고,
상기 노즐의 토출단을 상기 수용 공간에 공급된 세정액에 잠겨 상기 노즐을 세정하는 노즐 세정 방법.A method for cleaning a nozzle for supplying a processing liquid to a substrate,
The cleaning liquid is supplied to the receiving space formed by the cleaning bracket installed on the outer upper surface of the Paul having the processing space for processing the substrate,
A nozzle cleaning method for cleaning the nozzle by immersing the discharge end of the nozzle in a cleaning solution supplied to the accommodation space. 제9항에 있어서,
상기 바울에는 상기 수용 공간에 수용된 세정액이 회수되는 회수홀이 형성되고,
상기 수용 공간에 상기 세정액이 설정 높이까지 차오르도록 상기 세정액을 공급하고,
상기 세정액이 상기 설정 높이까지 차오른 이후 상기 수용 공간으로 공급되는 상기 세정액의 단위 시간당 공급 유량과 상기 회수홀로 유출되는 상기 세정액의 단위 시간당 유출 유량이 같은 노즐 세정 방법.The method of claim 9,
A recovery hole in which the cleaning liquid accommodated in the accommodation space is recovered is formed in the Paul,
The cleaning solution is supplied to the accommodation space so that the cleaning solution fills up to a set height,
A nozzle cleaning method in which the supply flow rate per unit time of the cleaning liquid supplied to the accommodation space and the outflow flow rate per unit time of the cleaning liquid flowing out to the recovery hole are the same after the cleaning liquid is raised to the set height. 제10항에 있어서,
상기 수용 공간에 상기 세정액의 공급을 중단하고 설정된 시간이 경과한 이후 상기 노즐의 토출단에 건조 가스를 분사하는 노즐 세정 방법.The method of claim 10,
The nozzle cleaning method of stopping supply of the cleaning liquid to the accommodation space and spraying dry gas to the discharge end of the nozzle after a predetermined time has elapsed. 제9항에 있어서,
상기 노즐은 기판에 대해 처리액을 토출하는 공정 위치와 기판에 공정 처리 전 또는 공정 처리가 완료된 이후에 상기 노즐이 대기하는 대기 위치 간에 이동되고,
상기 노즐이 상기 공정 위치와 상기 대기 위치 간에 이동되는 도중에 상기 노즐의 세정이 이루어지는 노즐 세정 방법.The method of claim 9,
The nozzle is moved between the process position for discharging the processing liquid to the substrate and the standby position where the nozzle waits before or after the process processing is completed on the substrate,
The nozzle cleaning method in which the nozzle is cleaned while the nozzle is moved between the process position and the standby position. 제12항에 있어서,
상기 노즐이 상기 공정 위치와 상기 대기 위치 간에 이동되는 도중에 아래로 이동되어 상기 수용 공간 내의 세정액에 상기 토출단이 잠기는 노즐 세정 방법.The method of claim 12,
A nozzle cleaning method in which the discharge end is locked in the cleaning liquid in the accommodation space by moving downward while the nozzle is moved between the process position and the standby position. 제9항에 있어서,
상기 세정액의 수면의 상단은 상기 세정 브라켓의 상단보다 높게 위치되고,
상기 노즐은 그 토출단이 상기 세정 브라켓의 상단보다 높고 상기 세정액의 수면의 상단보다 낮은 높이에 위치된 상태로 이동되면서 상기 세정액에 잠기는 노즐 세정 방법.
The method of claim 9,
The upper end of the water surface of the cleaning solution is positioned higher than the upper end of the cleaning bracket,
The nozzle cleaning method of the nozzle is immersed in the cleaning solution while the discharge end is moved to a position higher than the upper end of the cleaning bracket and lower than the upper end of the water surface of the cleaning solution.
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