KR102186068B1 - Method and Apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은, 회전하는 기판 상에 노즐로부터 처리액을 토출하여 기판을 처리하되, 상기 노즐이 대기하는 홈포트로부터 상기 기판에 처리액을 토출하는 위치로 상기 노즐이 이동하는 도중에 상기 기판으로부터 이격된 상기 기판의 외측 영역부터 상기 처리액의 토출을 시작할 수 있다.The present invention provides a method of processing a substrate. The substrate processing method includes processing a substrate by discharging a processing liquid from a nozzle on a rotating substrate, and while the nozzle is moving from a home port where the nozzle is waiting to discharge the processing liquid to the substrate, the substrate Discharge of the processing liquid may be started from an outer region of the substrate spaced apart from.

Description

기판 처리 방법 및 장치{Method and Apparatus for treating substrate}Substrate processing method and apparatus TECHNICAL FIELD [Method and Apparatus for treating substrate}

본 발명은 기판 처리 방법 및 장치에 관한 것으로 더욱 상세하게는 기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 방법 및 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method and apparatus, and more particularly, to a method and apparatus for processing a substrate by supplying a processing liquid to the substrate.

반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 세정 처리는 분사 노즐이 회전하는 기판에 세정액을 공급하여 실시한다. 분사 노즐이 세정액 토출을 시작하거나 정지할 때에는 분사 노즐과 연결된 밸브를 온/오프한다.As semiconductor devices become high-density, high-integration, and high-performance, circuit patterns are rapidly miniaturized, and contaminants such as particles, organic contaminants, and metal contaminants remaining on the surface of the substrate have a great influence on the characteristics of the device and production yield. do. For this reason, a cleaning process that removes various contaminants adhering to the substrate surface is very important in the semiconductor manufacturing process, and a process of cleaning the substrate is carried out in steps before and after each unit process of manufacturing a semiconductor. The cleaning treatment is performed by supplying a cleaning liquid to the substrate on which the spray nozzle rotates. When the spray nozzle starts or stops discharging the cleaning liquid, the valve connected to the spray nozzle is turned on/off.

도 1은 종래의 세정 공정에서 시간에 따른 단위 시간당 세정액 토출 유량의 변화를 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 종래의 세정 공정에서는, 제1시기(0 ~ t01) 동안에 분사 노즐이 기판의 중심 상부로 이동한다. 이후 제2시기(t01 ~ t02) 동안에는 분사 노즐과 연결된 밸브를 온(On)하여 회전하는 기판으로 세정액을 공급한다. 제2시기가 끝나는 시점(t02)에는 밸브를 오프(off)하여 세정액의 공급을 중단한다. 그런데, 밸브를 온/오프하는 과정에서 밸브 내부의 다이어프램(Diaphrgm)의 마찰이 발생한다. 다이어프램(Diaphrgm)의 마찰로 밸브 내부에는 파티클(Particle) 등의 불순물이 발생한다. 즉, 제1시기가 시작하는 시점(t01)에는 밸브 내부에 발생된 파티클(Particle)이 발생한다. 밸브 내부에서 발생된 파티클(Particle)은 세정액과 함께 기판으로 공급된다. 기판으로 공급된 파티클(Particle)은 세정 처리의 효율과 생산 수율을 떨어뜨린다.1 is a diagram showing a change in a cleaning liquid discharge flow rate per unit time according to time in a conventional cleaning process. Referring to FIG. 1, in a conventional cleaning process, during a first period (0 to t01), the spray nozzle moves to the upper center of the substrate. Thereafter, during the second period (t01 to t02), the valve connected to the spray nozzle is turned on to supply the cleaning liquid to the rotating substrate. At the end of the second period (t02), the valve is turned off to stop supply of the cleaning liquid. However, in the process of turning on/off the valve, friction of the diaphragm inside the valve occurs. Impurities such as particles are generated inside the valve due to friction of the diaphragm. That is, particles generated inside the valve are generated at the time t01 when the first period starts. Particles generated inside the valve are supplied to the substrate together with the cleaning liquid. Particles supplied to the substrate reduce the efficiency of cleaning treatment and production yield.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 방법 및 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide a substrate processing method and apparatus capable of efficiently processing a substrate.

또한, 본 발명은 기판으로 공급되는 처리액이 비산되어 기판에 불순물이 부착되는 것을 최소화 하는 기판 처리 방법 및 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a substrate processing method and apparatus that minimizes adhesion of impurities to a substrate due to scattering of a processing liquid supplied to a substrate.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은, 회전하는 기판 상에 노즐로부터 처리액을 토출하여 기판을 처리하되, 상기 노즐이 대기하는 홈포트로부터 상기 기판에 처리액을 토출하는 위치로 상기 노즐이 이동하는 도중에 상기 기판으로부터 이격된 상기 기판의 외측 영역부터 상기 처리액의 토출을 시작할 수 있다.The present invention provides a method of processing a substrate. The substrate processing method includes processing a substrate by discharging a processing liquid from a nozzle on a rotating substrate, and while the nozzle is moving from a home port where the nozzle is waiting to discharge the processing liquid to the substrate, the substrate Discharge of the processing liquid may be started from an outer region of the substrate spaced apart from.

일 실시예에 의하면, 상기 노즐은 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하되, 상기 노즐이 상기 처리액을 토출하면서 이동되는 도중 상기 기판의 회전속도가 변경될 수 있다.According to an embodiment, the nozzle is moved from the home port to a position where the processing liquid is discharged from the home port to the central region of the substrate, and the rotation speed of the substrate is changed while the nozzle is moving while discharging the processing liquid. I can.

일 실시예에 의하면, 상기 노즐이 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하였을 때 상기 기판의 회전속도는 상기 이동이 이루어지는 도중의 상기 기판의 회전속도보다 높을 수 있다.According to an embodiment, when the nozzle moves from the home port to the position where the processing liquid is discharged to the central region of the substrate, the rotation speed of the substrate may be higher than the rotation speed of the substrate during the movement. have.

일 실시예에 의하면, 상기 노즐이 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하면서 상기 기판의 회전 속도는 점진적으로 증가할 수 있다.According to an embodiment, the rotation speed of the substrate may be gradually increased while the nozzle moves to a position where the processing liquid is discharged to the central region of the substrate.

일 실시예에 의하면, 상기 노즐이 상기 기판의 외측 영역에서 상기 기판의 가장자리 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동시 상기 기판의 회전속도는 일정할 수 있다.According to an embodiment, when the nozzle moves from an outer region of the substrate to a position where the processing liquid is discharged from an edge region of the substrate, the rotation speed of the substrate may be constant.

일 실시예에 의하면, 상기 노즐은 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하되, 상기 노즐이 상기 처리액을 토출하면서 이동되는 도중 상기 기판으로 토출되는 상기 처리액의 단위시간당 토출량이 변경될 수 있다.According to an embodiment, the nozzle is moved from the home port to a position where the processing liquid is discharged from the home port to the central region of the substrate, and the processing liquid is discharged to the substrate while the nozzle is moving while discharging the processing liquid. The discharge amount per unit time of can be changed.

일 실시예에 의하면, 상기 노즐이 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하였을 때 상기 기판으로 토출되는 상기 처리액의 단위시간당 토출량은 상기 이동이 이루어지는 도중에 상기 기판으로 토출되는 상기 처리액의 단위시간당 토출량보다 클 수 있다.According to an embodiment, when the nozzle moves from the home port to a position where the processing liquid is discharged to the central region of the substrate, the amount of discharge per unit time of the processing liquid discharged to the substrate is the substrate during the movement. It may be greater than the discharge amount per unit time of the treatment liquid discharged as a.

일 실시예에 의하면, 상기 노즐이 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하면서 상기 기판으로 공급되는 상기 처리액의 단위시간당 토출량은 점진적으로 증가할 수 있다.According to an embodiment, while the nozzle moves to a position where the processing liquid is discharged to the central region of the substrate, the amount of discharge per unit time of the processing liquid supplied to the substrate may gradually increase.

일 실시예에 의하면, 상기 기판은 상기 기판을 감싸는 처리 용기 내의 처리 공간에 배치되고, 상기 처리액의 토출되는 토출 시작 지점은 상기 처리액이 상기 기판을 감싸는 처리 용기 내일 수 있다.According to an embodiment, the substrate is disposed in a processing space in a processing container surrounding the substrate, and a discharge start point of the processing liquid may be inside a processing container in which the processing liquid surrounds the substrate.

일 실시예에 의하면, 상기 처리액이 상기 기판의 상면에 토출되기 전 상기 기판에 웨팅액을 공급할 수 있다.According to an embodiment, the wetting liquid may be supplied to the substrate before the treatment liquid is discharged to the upper surface of the substrate.

일 실시예에 의하면, 상기 노즐은 상기 기판의 반경방향 외측을 향하도록 하향 경사진 상태로 상기 기판의 중심을 향하는 방향으로 이동하면서 상기 처리액을 토출할 수 있다.According to an exemplary embodiment, the nozzle may discharge the treatment liquid while moving in a direction toward the center of the substrate in a downwardly inclined state toward the outer side in the radial direction of the substrate.

일 실시예에 의하면, 상기 처리액은 케미칼이고 상기 웨팅액은 순수일 수 있다.According to an embodiment, the treatment liquid may be a chemical and the wetting liquid may be pure water.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 내부에 상부가 개방된 처리 공간을 가지는 처리 용기와; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지되고, 회전하는 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐을 가지는 액 공급 유닛과; 상기 처리액 공급 노즐이 대기하는 홈 포트와; 제어기를 포함하되, 상기 제어기는, 상기 홈 포트로부터 상기 기판에 처리액을 토출하는 위치로 상기 처리액 공급 노즐을 이동시키고, 상기 처리액 공급 노즐이 이동하는 도중에 상기 기판으로부터 이격된 상기 기판의 외측 영역으로부터 상기 처리액의 공급을 시작하도록 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다.Further, the present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate, comprising: a processing container having an open processing space therein; A support unit for supporting and rotating the substrate in the processing space; A liquid supply unit supported by the support unit and having a treatment liquid supply nozzle for supplying a treatment liquid to the rotating substrate; A groove port in which the treatment liquid supply nozzle waits; Including a controller, wherein the controller moves the processing liquid supply nozzle from the home port to a position for discharging the processing liquid to the substrate, and the outside of the substrate spaced apart from the substrate while the processing liquid supply nozzle is moving The liquid supply unit can be controlled to start supply of the treatment liquid from the region.

일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 처리액 공급 노즐을 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중영 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동시키되, 상기 처리액 공급 노즐이 상기 처리액을 토출하면서 이동하는 도중 상기 기판의 회전 속도를 변경하도록 상기 액 공급 유닛과 상기 지지 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller moves the treatment liquid supply nozzle from the home port to a position where the treatment liquid is discharged from the home port to a middle area of the substrate, and the treatment liquid supply nozzle moves while discharging the treatment liquid. During operation, the liquid supply unit and the support unit may be controlled to change the rotation speed of the substrate.

일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 처리액 공급 노즐이 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하였을 때 상기 기판의 회전속도가 상기 이동이 이루어지는 도중의 상기 기판의 회전속도보다 높도록 상기 액 공급 유닛과 상기 지지 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, when the processing liquid supply nozzle moves from the home port to a position to discharge the processing liquid from the home port to the central region of the substrate, the rotational speed of the substrate is The liquid supply unit and the support unit may be controlled to be higher than the rotational speed of the substrate.

일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하면서 상기 기판의 회전 속도가 점진적으로 증가하도록 상기 액 공급 유닛과 상기 지지 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller includes the liquid supply unit and the support unit so that the rotational speed of the substrate gradually increases while the processing liquid supply nozzle moves to a position where the processing liquid is discharged to the central region of the substrate. Can be controlled.

일 실시예에 의하면, 상기 제어기는 상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판의 외측 영역에서 상기 기판의 가장자리 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동시 상기 기판을 일정한 속도로 회전시키도록 상기 액 공급 유닛과 상기 지지 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller includes the liquid supply unit and the liquid supply unit to rotate the substrate at a constant speed when the treatment liquid supply nozzle moves from an outer region of the substrate to a position to discharge the treatment liquid from an edge region of the substrate. It is possible to control the support unit.

일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 처리액 공급 노즐이 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하되, 상기 처리액 공급 노즐이 상기 처리액을 토출하면서 이동하는 도중 상기 기판으로 토출하는 상기 처리액의 단위시간당 토출량을 변경시키도록 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller moves to a position where the processing liquid supply nozzle discharges the processing liquid from the home port to the central region of the substrate, and the processing liquid supply nozzle moves while discharging the processing liquid. During operation, the liquid supply unit may be controlled to change a discharge amount per unit time of the processing liquid discharged to the substrate.

일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 처리액 공급 노즐이 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하였을 때 상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판으로 토출하는 상기 처리액의 단위시간당 토출량이 상기 이동이 이루어지는 도중에 상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판으로 토출하는 상기 처리액의 단위시간당 토출량보다 크도록 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller is configured to discharge the treatment liquid supply nozzle to the substrate when the treatment liquid supply nozzle moves from the home port to a position to discharge the treatment liquid from the home port to the central region of the substrate. The liquid supply unit may be controlled such that the amount of liquid discharged per unit time is greater than the amount of the treatment liquid discharged to the substrate by the treatment liquid supply nozzle during the movement.

일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하면서 상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판으로 공급하는 상기 처리액의 단위시간당 토출량을 점진적으로 증가시키도록 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller includes a discharge amount per unit time of the treatment liquid supplied by the treatment liquid supply nozzle to the substrate while the treatment liquid supply nozzle moves to a position to discharge the treatment liquid to the central region of the substrate. It is possible to control the liquid supply unit to increase gradually.

일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 처리액 공급 노즐이 토출하는 상기 처리액의 토출 시작 지점이 상기 처리 공간이 되도록 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller may control the liquid supply unit such that a discharge start point of the treatment liquid discharged by the treatment liquid supply nozzle is the treatment space.

일 실시예에 의하면, 상기 액 공급 유닛은, 상기 기판으로 웨팅액을 공급하는 웨팅 노즐을 포함하되, 상기 제어기는, 상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판의 상면에 상기 처리액을 토출하기 전 상기 기판에 상기 웨팅액을 공급하도록 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the liquid supply unit includes a wetting nozzle for supplying a wetting liquid to the substrate, wherein the controller includes the substrate before the treatment liquid supply nozzle discharges the treatment liquid to the upper surface of the substrate. It is possible to control the liquid supply unit to supply the wetting liquid to.

일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판의 반경방향 외측을 향하도록 하향 경사진 상태로 상기 기판의 중심을 향하는 방향으로 이동하면서 상기 처리액을 토출하도록 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller includes the liquid supply unit to discharge the treatment liquid while moving in a direction toward the center of the substrate in a downwardly inclined state so that the treatment liquid supply nozzle faces radially outward of the substrate. Can be controlled.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 종래의 세정 공정에서 시간에 따른 단위 시간당 세정액 토출 유량의 변화를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 3의 처리액 공급 노즐이 기판에 처리액을 토출하는 일 실시예를 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 처리 공정에서 시간에 따른 단위 시간당 처리액 토출 유량의 변화를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 3의 웨팅 노즐이 기판에 웨팅액을 토출하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 7은 도 3의 처리액 공급 노즐이 기판에 처리액을 토출하는 다른 실시예를 보여주는 도면이다.
도 8은 도 3의 처리액 공급 노즐이 기판에 처리액을 토출하는 다른 실시예를 보여주는 도면이다.
도 9는 처리액 공급 노즐의 토출 위치에 따른 기판의 회전 속도 변화를 보여주는 도면이다.
도 10은 처리액 공급 노즐의 토출 위치에 따른 단위시간당 처리액 토출 유량의 변화를 보여주는 도면이다.1 is a diagram showing a change in a cleaning liquid discharge flow rate per unit time according to time in a conventional cleaning process.
2 is a plan view showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 2.
FIG. 4 is a diagram illustrating an embodiment in which the treatment liquid supply nozzle of FIG. 3 discharges a treatment liquid to a substrate.
5 is a view showing a change in a treatment liquid discharge flow rate per unit time over time in a treatment process according to an embodiment of the present invention.
6 is a view showing a state in which the wetting nozzle of FIG. 3 discharges a wetting liquid onto a substrate.
7 is a view showing another embodiment in which the processing liquid supply nozzle of FIG. 3 discharges the processing liquid to the substrate.
FIG. 8 is a diagram illustrating another embodiment in which the processing liquid supply nozzle of FIG. 3 discharges a processing liquid onto a substrate.
9 is a view showing a change in rotation speed of a substrate according to a discharge position of a treatment liquid supply nozzle.
10 is a view showing a change in a treatment liquid discharge flow rate per unit time according to a discharge position of a treatment liquid supply nozzle.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art may easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in various forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in describing a preferred embodiment of the present invention in detail, when it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for portions having similar functions and functions.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다."Including" a certain component means that other components may be further included, rather than excluding other components unless specifically stated to the contrary. Specifically, terms such as "comprises" or "have" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but one or more other features or It is to be understood that the presence or addition of numbers, steps, actions, components, parts or combinations thereof does not preclude the possibility of preliminary exclusion.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In addition, shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer explanation.

이하, 도 2 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 10.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(10)는 인덱스 모듈(100)과 공정 처리 모듈(200)을 가진다. 인덱스 모듈(100)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 2 is a plan view showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a substrate processing facility 10 includes an index module 100 and a process processing module 200. The index module 100 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 200 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 200 are arranged is referred to as the first direction 12, and when viewed from above, perpendicular to the first direction 12 The direction is referred to as the second direction 14, and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16.

로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(200)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판들(W)을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is mounted on the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. The number of load ports 120 may increase or decrease according to process efficiency and footprint conditions of the process processing module 200. A plurality of slots (not shown) are formed in the carrier 130 to accommodate the substrates W in a state horizontally disposed with respect to the ground. As the carrier 130, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(200)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버(260)들이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버(260)들은 이송 챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정챔버(260)들이 제공된다. 공정 챔버(260)들 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 공정 챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process processing module 200 includes a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed in a longitudinal direction parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are respectively disposed on both sides of the transfer chamber 240. The process chambers 260 on one side and the other side of the transfer chamber 240 are provided to be symmetric with respect to the transfer chamber 240. A plurality of process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the length direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are disposed to be stacked on each other. That is, on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an A X B arrangement. Here, A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12, and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an arrangement of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, the process chamber 260 may be provided in a single layer on one side and both sides of the transfer chamber 240.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space in which the substrate W stays between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140 before the substrate W is transferred. A slot (not shown) in which the substrate W is placed is provided inside the buffer unit 220. A plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16. The buffer unit 220 has a surface facing the transfer frame 140 and a surface facing the transfer chamber 240 open.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(200)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(200)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the carrier 130 seated on the load port 120 and the buffer unit 220. The transport frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided in its longitudinal direction parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and moves linearly in the second direction 14 along the index rail 142. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. In addition, the body (144b) is provided to be rotatable on the base (144a). The index arm 144c is coupled to the body 144b, and is provided to move forward and backward with respect to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are disposed to be stacked apart from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the process processing module 200 to the carrier 130, and other parts of the index arms 144c are used when the substrate W is transferred from the carrier 130 to the process processing module 200. ) Can be used when returning. This may prevent particles generated from the substrate W before the process treatment from adhering to the substrate W after the process treatment during the process of the index robot 144 carrying in and carrying out the substrate W.

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. A guide rail 242 and a main robot 244 are provided in the transfer chamber 240. The guide rail 242 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rail 242 and moves linearly along the first direction 12 on the guide rail 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. In addition, the body 244b is provided to be rotatable on the base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided to be movable forward and backward with respect to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided to be individually driven. The main arms 244c are disposed to be stacked apart from each other along the third direction 16.

공정 챔버(260)에는 기판(W)에 대해 액 처리하는 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.The process chamber 260 is provided with a substrate processing apparatus 300 that performs a liquid processing process on the substrate W. The substrate processing apparatus 300 may have a different structure depending on the type of cleaning process to be performed. Unlike this, the substrate processing apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups, and the substrate processing apparatuses 300 in the process chambers 260 belonging to the same group are the same, and the substrate processing provided in the process chambers 260 belonging to different groups. The structure of the device 300 may be provided differently from each other.

기판 처리 장치(300)는 기판(W)을 액 처리한다. 본 실시예에는 기판의 액 처리 공정을 세정 공정으로 설명한다. 이러한 액 처리 공정은 세정 공정에 한정되지 않으며, 사진, 애싱, 그리고 식각 등 다양하게 적용 가능하다. The substrate processing apparatus 300 liquid-processes the substrate W. In this embodiment, the liquid treatment process of the substrate is described as a cleaning process. This liquid treatment process is not limited to the cleaning process, and can be applied in various ways, such as photography, ashing, and etching.

도 3는 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 처리 용기(320), 지지 유닛(340), 승강 유닛(360), 액 공급 유닛(380), 홈포트(400), 그리고 제어기(600)를 포함한다. 3 is a cross-sectional view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 2. 2, the substrate processing apparatus 300 includes a processing container 320, a support unit 340, an elevating unit 360, a liquid supply unit 380, a home port 400, and a controller 600. Include.

처리 용기(320)는 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(320)는 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 처리 용기(320)는 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 기판 지지 유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(326)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(322)의 내측공간(322a) 및 내부 회수통(322)은 내부 회수통(322)으로 처리액이 유입되는 제1유입구(322a)로서 기능한다. 내부 회수통(322)과 외부 회수통(326)의 사이공간(326a)은 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 제2유입구(326a)로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구(322a,326a)는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(322,326)의 저면 아래에는 회수 라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수통(322,326)에 유입된 처리액들은 회수 라인(322b,326b)을 통해 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.The processing container 320 provides a processing space in which a substrate is processed. The processing container 320 has a cylindrical shape with an open top. The processing container 320 has an internal recovery container 322 and an external recovery container 326. Each of the recovery vessels 322 and 326 recovers different treatment liquids among treatment liquids used in the process. The internal recovery container 322 is provided in an annular ring shape surrounding the substrate support unit 340, and the external recovery container 326 is provided in an annular ring shape surrounding the internal recovery container 326. The inner space 322a and the internal recovery container 322 of the internal recovery container 322 function as a first inlet 322a through which the treatment liquid flows into the internal recovery container 322. The space 326a between the internal recovery container 322 and the external recovery container 326 functions as a second inlet 326a through which the treatment liquid flows into the external recovery container 326. According to an example, each of the inlets 322a and 326a may be located at different heights. Recovery lines 322b and 326b are connected under the bottom of each of the recovery bins 322 and 326. The treatment liquids introduced into each of the recovery bins 322 and 326 may be provided to an external treatment liquid regeneration system (not shown) through recovery lines 322b and 326b and may be reused.

지지 유닛(340)은 처리 공간에서 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 지지 유닛(340)은 지지판(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 회전 구동 부재(348,349)를 가진다. 지지판(342)은 대체로 원형의 판 형상으로 제공되며, 상면 및 저면을 가진다. 하부면은 상부면에 비해 작은 직경을 가진다. 상면 및 저면은 그 중심축이 서로 일치하도록 위치된다. The support unit 340 supports the substrate W in the processing space. The support unit 340 supports and rotates the substrate W during the process. The support unit 340 has a support plate 342, a support pin 344, a chuck pin 346, and rotation drive members 348 and 349. The support plate 342 is provided in a generally circular plate shape, and has an upper surface and a lower surface. The lower surface has a smaller diameter than the upper surface. The upper and lower surfaces are positioned so that their central axes coincide with each other.

지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 지지판(342)의 상면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 지지판(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 지지판(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are disposed to be spaced apart at predetermined intervals at the edge of the upper surface of the support plate 342 and protrude upward from the support plate 342. The support pins 344 are arranged to have an annular ring shape as a whole by combination with each other. The support pin 344 supports the rear edge of the substrate W so that the substrate W is spaced apart from the upper surface of the support plate 342 by a predetermined distance.

척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 지지판(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 지지판(342)의 상면으로부터 위로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 지지판(342)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 지지판(342)의 반경 방향을 따라 외측 위치와 내측 위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 외측 위치는 내측 위치에 비해 지지판(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 지지판(342)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 외측 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 내측 위치에 위치된다. 내측 위치는 척핀(346)과 기판(W)의 측부가 서로 접촉되는 위치이고, 외측 위치는 척핀(346)과 기판(W)이 서로 이격되는 위치이다.A plurality of chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther from the center of the support plate 342 than the support pin 344. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the upper surface of the support plate 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W does not deviate laterally from the original position when the support plate 342 is rotated. The chuck pin 346 is provided to allow linear movement between the outer position and the inner position along the radial direction of the support plate 342. The outer position is a position farther from the center of the support plate 342 compared to the inner position. When the substrate W is loaded or unloaded on the support plate 342, the chuck pin 346 is positioned at an outer position, and when a process is performed on the substrate W, the chuck pin 346 is positioned at an inner position. The inner position is a position where the side portions of the chuck pin 346 and the substrate W are in contact with each other, and the outer position is a position where the chuck pin 346 and the substrate W are separated from each other.

회전 구동 부재(348,349)는 지지판(342)을 회전시킨다. 지지판(342)은 회전 구동 부재(348,349)에 의해 자기 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 회전 구동 부재(348,349)는 지지축(348) 및 구동부(349)를 포함한다. 지지축(348)은 제3방향(16)을 향하는 통 형상을 가진다. 지지축(348)의 상단은 지지판(342)의 저면에 고정 결합된다. 일 예에 의하면, 지지축(348)은 지지판(342)의 저면 중심에 고정 결합될 수 있다. 구동부(349)는 지지축(348)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 지지축(348)은 구동부(349)에 의해 회전되고, 지지판(342)은 지지축(348)과 함께 회전 가능하다. The rotation driving members 348 and 349 rotate the support plate 342. The support plate 342 is rotatable about a magnetic center axis by rotation driving members 348 and 349. The rotation driving members 348 and 349 include a support shaft 348 and a driving part 349. The support shaft 348 has a cylindrical shape facing the third direction 16. The upper end of the support shaft 348 is fixedly coupled to the bottom surface of the support plate 342. According to an example, the support shaft 348 may be fixedly coupled to the center of the bottom surface of the support plate 342. The driving unit 349 provides a driving force to rotate the support shaft 348. The support shaft 348 is rotated by the driving part 349, and the support plate 342 is rotatable together with the support shaft 348.

승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 지지판(342)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 기판(W)이 지지판(342)에 로딩되거나, 언로딩될 때 지지판(342)이 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(322,326)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 선택적으로, 승강 유닛(360)은 지지판(342)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 360 linearly moves the processing container 320 in the vertical direction. As the processing container 320 is moved up and down, the relative height of the processing container 320 with respect to the support plate 342 is changed. In the lifting unit 360, when the substrate W is loaded onto or unloaded from the support plate 342, the processing vessel 320 is lowered so that the support plate 342 protrudes from the upper portion of the processing vessel 320. In addition, when the process is in progress, the height of the processing container 320 is adjusted so that the processing liquid can flow into the preset collection bins 322 and 326 according to the type of the processing liquid supplied to the substrate W. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixedly installed on the outer wall of the processing container 320, and a moving shaft 364, which is moved in the vertical direction by the actuator 366, is fixedly coupled to the bracket 362. Optionally, the lifting unit 360 may move the support plate 342 in the vertical direction.

액 공급 유닛(380)은 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(380)은 복수 개로 제공되며, 각각은 서로 상이한 종류의 처리액들을 공급할 수 있다. 처리액은 케미칼, 린스액, 웨팅액 그리고 유기용제일 수 있다. 케미칼은 산 또는 염기 성질을 가지는 액일 수 있다. 케미칼은 황산(H2SO4), 인산(P2O5), 불산(HF) 그리고 수산화 암모늄(NH4OH)을 포함할 수 있다. 케미칼은 DSP(Diluted Sulfuric acid Peroxide) 혼합액일 수 있다. 린스액, 그리고 웨팅액은 순수(H20)일 수 있다. 유기용제는 이소프로필알코올(IPA) 액일 수 있다. 액 공급 유닛(380)은 이동 부재(381), 처리액 공급 노즐(391), 그리고 웨팅 노즐(392)을 포함 할 수 있다.The liquid supply unit 380 supplies the processing liquid to the substrate W. The liquid supply unit 380 is provided in plural, each of which may supply different types of processing liquids. The treatment liquid may be a chemical, a rinse liquid, a wetting liquid, and an organic solvent. The chemical may be a liquid having acid or basic properties. The chemical may include sulfuric acid (H 2 SO 4 ), phosphoric acid (P 2 O 5 ), hydrofluoric acid (HF) and ammonium hydroxide (NH 4 OH). The chemical may be a mixture of Diluted Sulfuric Acid Peroxide (DSP). The rinse liquid and the wetting liquid may be pure (H 2 0). The organic solvent may be an isopropyl alcohol (IPA) liquid. The liquid supply unit 380 may include a moving member 381, a treatment liquid supply nozzle 391, and a wetting nozzle 392.

이동 부재(381)는 처리액 공급 노즐(391)을 공정 위치 및 대기 위치로 이동시킨다. 공정 위치는 처리액 공급 노즐(391)이 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 기판(W)의 상면에 처리액을 토출하는 위치이다. 또한 공정 위치는 전처리 위치 및 후처리 위치를 포함한다. 전처리 위치는 처리액 공급 노즐(391)이 제1공급 위치에 처리액을 공급하는 위치이고, 후처리 위치는 처리액 공급 노즐(391)이 제2공급 위치에 처리액을 공급하는 위치로 제공된다. 제1공급 위치는 제2공급 위치보다 기판(W)의 중심에 더 가까운 위치이고, 제2공급 위치는 기판의 단부를 포함하는 위치일 수 있다. 선택적으로 제2공급 위치는 기판의 단부에 인접한 영역일 수 있다. 대기 위치는 처리액 공급 노즐(391)이 공정 위치를 벗어난 위치로 정의한다. 일 예에 의하면, 대기 위치는 기판(W)에 공정 처리 전 또는 공정 처리가 완료된 이후에 처리액 공급 노즐(391)이 대기하는 위치일 수 있다. 대기 위치는 기판(W)에 공정 처리 전 또는 공정 처리가 완료된 이후에 홈포트(400)에서 대기하는 위치일 수 있다.The moving member 381 moves the processing liquid supply nozzle 391 to the process position and the standby position. The process position is a position where the processing liquid supply nozzle 391 faces the substrate W supported by the support unit 340. According to an example, the process position is a position for discharging the processing liquid on the upper surface of the substrate W. In addition, the process location includes a pre-treatment location and a post-treatment location. The pretreatment position is a position where the treatment liquid supply nozzle 391 supplies the treatment liquid to the first supply position, and the post treatment position is a position where the treatment liquid supply nozzle 391 supplies the treatment liquid to the second supply position. . The first supply position may be a position closer to the center of the substrate W than the second supply position, and the second supply position may be a position including the end of the substrate. Optionally, the second supply position may be a region adjacent to the end of the substrate. The standby position is defined as a position where the processing liquid supply nozzle 391 deviates from the process position. According to an example, the standby position may be a position at which the processing liquid supply nozzle 391 waits before or after processing is completed on the substrate W. The standby position may be a position waiting at the home port 400 before processing on the substrate W or after processing is completed.

이동 부재(381)는 지지축(386), 아암(382), 그리고 구동기(388)를 포함한다. 지지축(386)은 바울(320)의 일측에 위치된다. 지지축(386)은 그 길이방향이 제3방향을 향하는 로드 형상을 가진다. 지지축(386)은 구동기(388)에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 지지축(386)은 승강 이동이 가능하도록 제공된다. 아암(382)은 지지축(386)의 상단에 결합된다. 아암(382)은 지지축(386)으로부터 수직하게 연장된다. 아암(382)의 끝단에는 처리액 공급 노즐(391)이 결합된다. 아암(382)의 내부에는 처리액을 처리액 공급 노즐(391)로 공급하는 처리액 공급 라인(미도시)이 제공될 수 있다. 또한, 처리액 공급 라인(미도시)에는 처리액 공급 노즐(391)의 처리액 토출을 조절하는 밸브(미도시)가 설치될 수 있다. 밸브(미도시)는 온/오프 밸브 또는 유량 조절 밸브로 제공될 수 있다. 또한, 처리액 공급 노즐(391)은 기판(W)의 상면에 대한 처리액 토출 각도를 조절 가능하도록 아암(382)에 결합될 수 있다. 지지축(386)이 회전됨에 따라 처리액 공급 노즐(391)은 아암(382)과 함께 스윙 이동 가능하다. 처리액 공급 노즐(391)은 스윙 이동되어 공정 위치 및 대기 위치로 이동될 수 있다. 선택적으로 아암(382)은 그 길이방향을 향해 전진 및 후진 이동이 가능하도록 제공될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 처리액 공급 노즐(391)이 이동되는 경로는 공정 위치에서 기판(W)의 중심축과 일치될 수 있다. The moving member 381 includes a support shaft 386, an arm 382, and a driver 388. Support shaft 386 is located on one side of the Paul (320). The support shaft 386 has a rod shape whose longitudinal direction faces a third direction. The support shaft 386 is provided to be rotatable by a driver 388. The support shaft 386 is provided so as to be able to move up and down. The arm 382 is coupled to the upper end of the support shaft 386. The arm 382 extends vertically from the support shaft 386. A treatment liquid supply nozzle 391 is coupled to the end of the arm 382. A treatment liquid supply line (not shown) for supplying the treatment liquid to the treatment liquid supply nozzle 391 may be provided inside the arm 382. In addition, a valve (not shown) for controlling the discharge of the treatment liquid from the treatment liquid supply nozzle 391 may be installed in the treatment liquid supply line (not shown). The valve (not shown) may be provided as an on/off valve or a flow control valve. In addition, the treatment liquid supply nozzle 391 may be coupled to the arm 382 to adjust the treatment liquid discharge angle with respect to the upper surface of the substrate W. As the support shaft 386 is rotated, the treatment liquid supply nozzle 391 can swing together with the arm 382. The treatment liquid supply nozzle 391 may swing to move to a process position and a standby position. Optionally, the arm 382 may be provided to enable forward and backward movement toward its longitudinal direction. When viewed from above, the path through which the treatment liquid supply nozzle 391 moves may coincide with the central axis of the substrate W at the process position.

또한, 이동 부재(381)는 복수로 제공될 수 있다. 복수의 이동 부재(381) 중 어느 하나는 처리액 공급 노즐(391)과 결합되고, 복수의 이동 부재(381) 중 다른 하나는 웨팅 노즐(392)과 결합될 수 있다. 복수의 이동 부재(381)들은 서로 독립적으로 구동될 수 있다. 또한, 처리액 공급 노즐(391)과 이동 부재(381)의 결합 관계는 웨팅 노즐(392)과 결합되는 이동 부재에 마찬가지로 적용될 수 있다.In addition, the moving member 381 may be provided in plural. One of the plurality of moving members 381 may be coupled to the treatment liquid supply nozzle 391, and the other one of the plurality of moving members 381 may be coupled to the wetting nozzle 392. The plurality of moving members 381 may be driven independently of each other. In addition, the coupling relationship between the processing liquid supply nozzle 391 and the moving member 381 can be similarly applied to the moving member coupled with the wetting nozzle 392.

상술한 예에서는 이동 부재(381)가 복수로 제공되고, 각각의 이동 부재(381)에 처리액 공급 노즐(391)과 웨팅 노즐(392)이 결합되는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 이동 부재(381)는 단수로 제공될 수 있다. 또한, 단수의 이동 부재(381)가 가지는 아암(382)에 처리액 공급 노즐(391), 그리고 웨팅 노즐(392)이 결합될 수 있다.In the above-described example, the moving member 381 is provided in plurality, and the treatment liquid supply nozzle 391 and the wetting nozzle 392 are coupled to each of the moving members 381 as an example, but the present invention is not limited thereto. For example, the moving members 381 may be provided in a single number. In addition, the treatment liquid supply nozzle 391 and the wetting nozzle 392 may be coupled to the arm 382 of the single moving member 381.

홈포트(400)는 처리 공정을 수행하지 않는 노즐(391, 392)들이 대기 및 보관되는 장소로 제공된다. 홈호트(400)에는 대기 중인 각 노즐(391, 392)들이 처리액을 토출할 수 있다. 홈포트(400)에는 처리액을 외부로 배출하는 배출 라인(미도시)이 연결될 수 있다. 이에, 노즐(391, 392)들이 홈포트(400)로 토출한 처리액을 외부로 배출할 수 있다. The home port 400 is provided as a place where nozzles 391 and 392 that do not perform a treatment process are waiting and stored. Each of the nozzles 391 and 392 waiting in the home host 400 may discharge a treatment liquid. A discharge line (not shown) for discharging the treatment liquid to the outside may be connected to the home port 400. Accordingly, the treatment liquid discharged to the home port 400 by the nozzles 391 and 392 may be discharged to the outside.

제어기(600)는 기판 처리 장치(300)를 제어할 수 있다. 제어기(600)는 기판 처리 장치(300)가 가지는 구성들을 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(600)는 지지 유닛(340), 그리고 액 공급 유닛(380)을 제어할 수 있다. 또한, 제어기(600)는 후술하는 기판 처리 방법을 기판 처리 장치(300)가 수행할 수 있도록 수행할 수 있도록 기판 처리 장치(300)를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(600)는 후술하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 지지 유닛(340), 그리고 액 공급 유닛(380)을 제어할 수 있다.The controller 600 may control the substrate processing apparatus 300. The controller 600 may control components of the substrate processing apparatus 300. For example, the controller 600 may control the support unit 340 and the liquid supply unit 380. Also, the controller 600 may control the substrate processing apparatus 300 so that the substrate processing apparatus 300 may perform a substrate processing method described later. For example, the controller 600 may control the support unit 340 and the liquid supply unit 380 to perform a substrate processing method described later.

이하에서는 도 4 와 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판을 처리하는 방법에 대하여 상세히 설명한다. Hereinafter, a method of processing a substrate according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 4 and 5.

도 4는 도 3의 처리액 공급 노즐이 기판에 처리액(C)을 토출하는 일 실시예를 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 처리액 공급 노즐(391)은 처리액 공급 노즐(391)이 대기하는 홈포트(400)로부터 기판(W)의 상면에 처리액(C)을 토출하는 공정 위치로 이동한다. 예컨대, 처리액 공급 노즐(391)은 홈포트(400)로부터 기판(W)의 중앙 영역으로 처리액(C)을 토출하는 위치로 이동할 수 있다. 처리액 공급 노즐(391)은 기판(W)에 처리액(C)을 토출하는 공정 위치로 이동하는 도중에 기판(W)으로부터 이격된 위치부터 처리액(C) 토출을 시작할 수 있다. 예컨대, 처리액 공급 노즐(391)은 기판(W)으로부터 이격된 기판(W)의 외측 영역부터 처리액(C)의 토출을 시작할 수 있다. 또한, 처리액(C)의 토출이 시작되는 토출 시작 지점은 기판(W)의 외측 영역이고, 기판(W)을 감싸는 처리 용기(320) 내의 처리 공간일 수 있다. 즉, 처리액 공급 노즐(391)은 기판(W)으로부터 이격된 기판(W)의 외측 영역부터 처리액(C) 토출을 시작하되 토출 시작 지점은 처리 공간 내이고, 처리액(C) 토출을 계속하는 상태로 기판(W)의 상부로 진입할 수 있다. 또한, 처리액 공급 노즐(391)이 토출하는 처리액은 케미칼 또는 유기 용제 일 수 있다. FIG. 4 is a diagram illustrating an embodiment in which the treatment liquid supply nozzle of FIG. 3 discharges the treatment liquid C to a substrate. Referring to FIG. 4, the treatment liquid supply nozzle 391 moves from the home port 400 where the treatment liquid supply nozzle 391 waits to a process position for discharging the treatment liquid C on the upper surface of the substrate W. . For example, the treatment liquid supply nozzle 391 may move from the home port 400 to a position for discharging the treatment liquid C to the central region of the substrate W. The treatment liquid supply nozzle 391 may start discharging the treatment liquid C from a position spaced apart from the substrate W while moving to a process position for discharging the treatment liquid C to the substrate W. For example, the treatment liquid supply nozzle 391 may start to discharge the treatment liquid C from an outer region of the substrate W spaced apart from the substrate W. In addition, a discharge start point at which the treatment liquid C starts to be discharged is an outer region of the substrate W, and may be a treatment space in the treatment container 320 surrounding the substrate W. That is, the treatment liquid supply nozzle 391 starts to discharge the treatment liquid C from the outer region of the substrate W separated from the substrate W, but the discharge start point is in the treatment space, and discharges the treatment liquid C. It is possible to enter the upper portion of the substrate W in a continuous state. In addition, the treatment liquid discharged by the treatment liquid supply nozzle 391 may be a chemical or an organic solvent.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 처리 공정에서 시간에 따른 단위 시간당 처리액 토출 유량의 변화를 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 처리액 공급 노즐(391)이 처리액 토출을 시작하는 시점(t11)에는 처리액 공급 노즐(391)과 연결된 밸브가 열린다. 처리액 공급 노즐(391)이 처리액 토출을 중단하는 시점(t13)에는 처리액 공급 노즐(391)과 연결된 밸브가 닫힌다. 밸브가 열고 닫히면서 밸브 내 다이어프램(Diaphrgm)의 마찰이 발생한다. 다이어프램(Diaphrgm)의 마찰로 밸브 내부에는 파티클(Particle)이 유발된다. 즉, 처리액 공급 노즐(391)이 처리액 토출을 시작하는 시점(t11)에는 밸브 내에 파티클(Particle)이 유발된다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 밸브 내에서 유발된 파티클(Particle)은 기판(W)으로 공급되지 않고, 처리액(C)과 함께 기판(W)으로부터 이격된 기판(W)의 외측 영역으로 토출된다. 이에, 기판(W)의 상면으로 처리액(C)이 토출되기 시작하는 시점(t12)에는 청정한 상태의 처리액(C)이 기판(W)으로 토출될 수 있다.5 is a view showing a change in a treatment liquid discharge flow rate per unit time over time in a treatment process according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5, at a time point t11 when the treatment liquid supply nozzle 391 starts to discharge the treatment liquid, a valve connected to the treatment liquid supply nozzle 391 is opened. At a time point t13 when the treatment liquid supply nozzle 391 stops discharging the treatment liquid, the valve connected to the treatment liquid supply nozzle 391 is closed. As the valve opens and closes, friction of the diaphragm in the valve occurs. Particles are induced inside the valve due to friction of the diaphragm. That is, at the time point t11 when the treatment liquid supply nozzle 391 starts discharging the treatment liquid, particles are generated in the valve. According to an embodiment of the present invention, particles induced in the valve are not supplied to the substrate W, but are directed to the outer region of the substrate W separated from the substrate W together with the processing liquid C. Is ejected. Accordingly, the processing liquid C in a clean state may be discharged to the substrate W at a time t12 when the processing liquid C starts to be discharged to the upper surface of the substrate W.

이하에는, 도 6 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판을 처리하는 방법에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of processing a substrate according to another embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 6 to 10.

도 6은 도 3의 웨팅 노즐이 기판에 웨팅액을 토출하는 모습을 보여주는 도면이고, 도 7은 도 3의 처리액 공급 노즐이 기판에 처리액을 토출하는 다른 실시예를 보여주는 도면이다. 도 6과 도 7을 참조하면, 웨팅 노즐(392)은 회전하는 기판(W)으로 웨팅액(R)을 토출할 수 있다. 웨팅액(R)은 순수일 수 있다. 웨팅 노즐(392)은 처리액 공급 노즐(391)이 기판(W)의 상면에 처리액(C)을 토출하기 이전에 웨팅액(R)을 토출할 수 있다. 기판(W)으로 토출된 웨팅액(R)은 액막을 형성할 수 있다. 처리액 공급 노즐(391)은 기판(W)에 웨팅액(R)의 액막이 형성된 이후, 기판(W)의 외측 영역에서 처리액(C)의 토출을 시작할 수 있다. 예컨대, 처리액 공급 노즐(391)은 기판(W)의 외측 영역에서 처리액(C)의 토출을 시작하고 처리액(C) 토출을 계속하면서 기판(W)의 상부로 진입할 수 있다. 6 is a view showing a state in which the wetting nozzle of FIG. 3 discharges a wetting liquid onto a substrate, and FIG. 7 is a view showing another embodiment in which the treatment liquid supply nozzle of FIG. 3 discharges a treatment liquid to the substrate. 6 and 7, the wetting nozzle 392 may discharge the wetting liquid R to the rotating substrate W. Wetting liquid (R) may be pure. The wetting nozzle 392 may discharge the wetting liquid R before the treatment liquid supply nozzle 391 discharges the treatment liquid C on the upper surface of the substrate W. The wetting liquid R discharged to the substrate W may form a liquid film. After the liquid film of the wetting liquid R is formed on the substrate W, the treatment liquid supply nozzle 391 may start to discharge the treatment liquid C from the outer region of the substrate W. For example, the treatment liquid supply nozzle 391 may enter the upper portion of the substrate W while starting to discharge the treatment liquid C in the outer region of the substrate W and continuing to discharge the treatment liquid C.

처리액 공급 노즐(391)이 기판(W)의 외측 영역에서부터 처리액(C) 토출을 시작하고 토출을 계속하여 회전하는 기판(W)의 상부로 진입하는 경우, 기판(W)에 토출되는 처리액(C)은 비산될 수 있다. 비산된 처리액(C)은 처리 용기(320)의 내측면과 부딪히고, 이에 처리 용기(320)의 내측면에 부착되어 있는 불순물들이 기판(W)으로 떨어질 수 있다. 그러나, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 기판(W)에 웨팅액(R)이 토출된 이후 처리액(C)을 토출한다. 더 상세하게는 기판(W)에 공급된 웨팅액(R)이 액막을 형성한 이후 처리액(C)을 토출한다. 이에 처리 용기(320)에 부착되어 있던 불순물들은 기판(W)에 형성된 웨팅액(R)의 액막으로 떨어진다. 웨팅액(R)의 액막으로 떨어진 불순물들은 이후에 공급되는 처리액(C)과 함께 처리 공간 내로 씻겨져 내려간다. 이에 기판(W)에 불순물이 부착되는 것을 최소화 할 수 있다. When the treatment liquid supply nozzle 391 starts to discharge the treatment liquid C from the outer region of the substrate W and continues to discharge and enters the upper part of the rotating substrate W, the treatment is discharged to the substrate W Liquid (C) can be scattered. The scattered processing liquid C collides with the inner surface of the processing container 320, and impurities attached to the inner surface of the processing container 320 may fall onto the substrate W. However, according to another embodiment of the present invention, after the wetting liquid R is discharged to the substrate W, the processing liquid C is discharged. In more detail, the processing liquid C is discharged after the wetting liquid R supplied to the substrate W forms a liquid film. Accordingly, impurities adhered to the processing vessel 320 fall into the liquid film of the wetting liquid R formed on the substrate W. Impurities falling into the liquid film of the wetting liquid R are washed down into the treatment space together with the treatment liquid C supplied later. Accordingly, adhesion of impurities to the substrate W can be minimized.

또한, 웨팅액(R)의 액막이 형성된 이후 처리액(C)이 토출되기 때문에, 처리액(C)이 비산되는 정도를 최소화 할 수 있다. 이에 비산된 처리액(C)에 의해 기판(W)에 불순물이 부착되는 것을 최소화 할 수 있다.In addition, since the treatment liquid C is discharged after the liquid film of the wetting liquid R is formed, the degree to which the treatment liquid C is scattered can be minimized. Accordingly, it is possible to minimize the adhesion of impurities to the substrate W by the scattered treatment liquid C.

도 8은 도 3의 처리액 공급 노즐이 기판에 처리액을 토출하는 다른 실시예를 보여주는 도면이다. 도 8을 참고하면, 처리액 공급 노즐(391)은 기판(W)의 반경방향 외측을 향하도록 하향 경사진 상태로 기판(W)의 중심을 향하는 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 처리액 공급 노즐(391)은 기판(W)의 중심을 향하는 방향으로 이동하면서 처리액(C)을 토출할 수 있다. 이때, 처리액 공급 노즐(391)이 처리액(C)의 토출을 시작하는 토출 시작 지점은 기판(W)으로부터 이격된 기판(W)의 외측 영역이면서 처리 용기(320)가 가지는 처리 공간 내일 수 있다. 처리액 공급 노즐(391)이 기판(W)의 반경방향 외측을 향하도록 하향 경사진 상태로 이동하면서 처리액(C)이 비산되는 것을 더욱 최소화 할 수 있다.FIG. 8 is a diagram illustrating another embodiment in which the processing liquid supply nozzle of FIG. 3 discharges a processing liquid onto a substrate. Referring to FIG. 8, the treatment liquid supply nozzle 391 may move in a direction toward the center of the substrate W in a downwardly inclined state to face the outer side in the radial direction of the substrate W. Further, the processing liquid supply nozzle 391 can discharge the processing liquid C while moving in a direction toward the center of the substrate W. At this time, the discharge start point at which the treatment liquid supply nozzle 391 starts to discharge the treatment liquid C is an outer region of the substrate W separated from the substrate W and may be within the treatment space of the treatment container 320. have. It is possible to further minimize the scattering of the treatment liquid C while the treatment liquid supply nozzle 391 moves in a downwardly inclined state to face the outer side in the radial direction of the substrate W.

도 9는 처리액 공급 노즐의 토출 위치에 따른 기판의 회전 속도 변화를 보여주는 도면이다. 도 9를 참조하면, 처리액 공급 노즐(391)은 홈포트(400)로부터 처리액 공급 노즐(391)은 처리액의 토출을 시작하는 토출 시작 위치(L2), 기판의 가장 자리 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L1), 그리고 기판의 중앙 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L0)를 순차적으로 이동 수 있다. 토출 시작 지점(L2)은 기판으로부터 이격된 기판(W)의 외측 영역이면서 처리 용기(320)가 가지는 처리 공간인 지점일 수 있다. 또한, 처리액 토출 노즐(391)은 처리액을 토출하면서 이동할 수 있다. 9 is a view showing a change in rotation speed of a substrate according to a discharge position of a treatment liquid supply nozzle. 9, the treatment liquid supply nozzle 391 is from the home port 400, the treatment liquid supply nozzle 391 is the discharge start position (L2) at which the treatment liquid starts to be discharged, and the treatment liquid to the edge region of the substrate. The position L1 for discharging is and the position L0 for discharging the processing liquid to the central region of the substrate may be sequentially moved. The discharge start point L2 may be a point which is an outer area of the substrate W spaced apart from the substrate and is a processing space of the processing container 320. Further, the processing liquid discharge nozzle 391 can move while discharging the processing liquid.

처리액 공급 노즐(391)이 기판의 중앙 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L0)까지 이동하는 도중 기판(W)의 회전 속도는 변경될 수 있다. 처리액 공급 노즐(391)이 기판의 중앙 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L0)까지 이동하였을 때의 기판의 회전 속도(V2)는 이동이 이루어지는 도중의 기판(W)의 회전속도보다 높을 수 있다. 또한, 처리액 공급 노즐(391)이 기판의 중앙 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L0)까지 이동하면서 기판의 회전 속도는 점진적으로 증가할 수 있다. 예컨대, 처리액 공급 노즐(391)이 기판의 가장 자리 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L1)에서 기판의 중앙 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L0)로 이동함에 따라 기판의 회전 속도는 점진적으로 증가할 수 있다. 기판의 회전 속도는 기판의 가장자리 영역이 기판의 중앙 영역보다 크다. 이는 기판의 가장자리 영역의 반경 길이가 더 크기 때문이다. 처리액 공급 노즐(391)이 기판의 가장 자리 영역에 처리액을 토출할 때에는 기판의 회전 속도를 낮춤으로써 처리액이 비산되는 것을 최소화 할 수 있다. The rotation speed of the substrate W may be changed while the processing liquid supply nozzle 391 moves to the position L0 at which the processing liquid is discharged to the central region of the substrate. The rotational speed V2 of the substrate when the treatment liquid supply nozzle 391 is moved to the position L0 to discharge the treatment liquid to the central region of the substrate may be higher than the rotational speed of the substrate W during the movement. have. Further, the rotational speed of the substrate may gradually increase as the processing liquid supply nozzle 391 moves to the position L0 at which the processing liquid is discharged to the central region of the substrate. For example, as the processing liquid supply nozzle 391 moves from the position L1 to discharge the processing liquid to the edge region of the substrate to the position L0 where the processing liquid is discharged to the central region of the substrate, the rotational speed of the substrate gradually increases. Can be increased by The rotational speed of the substrate is that the edge region of the substrate is greater than the central region of the substrate. This is because the radius length of the edge region of the substrate is larger. When the treatment liquid supply nozzle 391 discharges the treatment liquid to the edge region of the substrate, it is possible to minimize scattering of the treatment liquid by lowering the rotational speed of the substrate.

또한, 토출 시작 위치(L2)에서 기판 가장자리 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L1)까지 이동시 기판의 회전속도는 일정할 수 있다. 또한, 처리액 공급 노즐(391)이 토출 시작 위치(L2)에 위치하면 기판의 회전이 시작될 수 있다. 이후, 기판은 설정된 속도(V1)에 도달할 수 있다. 이후, 처리액 공급 노즐(391)이 기판의 가장자리 영역에 처리액을 토출하는 위치(L1)에 위치할 때까지 기판의 회전속도는 설정된 속도(V1)로 일정하게 유지될 수 있다.In addition, when moving from the discharge start position L2 to the position L1 where the processing liquid is discharged to the edge region of the substrate, the rotational speed of the substrate may be constant. Further, when the treatment liquid supply nozzle 391 is positioned at the discharge start position L2, rotation of the substrate may be started. Thereafter, the substrate may reach the set speed V1. Thereafter, the rotational speed of the substrate may be kept constant at the set speed V1 until the treatment liquid supply nozzle 391 is positioned at the position L1 for discharging the treatment liquid in the edge region of the substrate.

도 10은 처리액 공급 노즐의 토출 위치에 따른 단위시간당 처리액 토출 유량의 변화를 보여주는 도면이다. 도 10을 참조하면, 처리액 공급 노즐(391)은 홈포트(400)로부터 처리액 공급 노즐(391)이 처리액의 토출을 시작하는 토출 시작 위치(L2), 기판의 가장 자리 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L1), 그리고 기판의 중앙 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L0)를 순차적으로 이동 수 있다. 토출 시작 지점(L2)은 기판으로부터 이격된 기판의 외측 영역이면서 처리 용기(320)가 가지는 처리 공간인 지점일 수 있다. 또한, 처리액 토출 노즐(391)은 처리액을 토출하면서 이동할 수 있다.10 is a view showing a change in a treatment liquid discharge flow rate per unit time according to a discharge position of a treatment liquid supply nozzle. Referring to FIG. 10, the treatment liquid supply nozzle 391 is a treatment liquid from the home port 400 to a discharge start position L2 at which the treatment liquid supply nozzle 391 starts to discharge the treatment liquid, and the edge region of the substrate. The position L1 for discharging is and the position L0 for discharging the processing liquid to the central region of the substrate may be sequentially moved. The discharge start point L2 may be a point that is an outer region of the substrate spaced apart from the substrate and a processing space of the processing container 320. Further, the processing liquid discharge nozzle 391 can move while discharging the processing liquid.

처리액 공급 노즐(391)이 기판(W)의 중앙 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L0)까지 이동하는 도중 기판으로 토출되는 처리액의 단위시간당 토출량이 변경될 수 있다. 처리액 공급 노즐(391)이 기판의 중앙 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L0)까지 이동하였을 때의 기판으로 토출되는 처리액의 단위시간당 토출량(D2)은 이동이 이루어지는 도중의 기판으로 토출되는 처리액의 단위시간당 토출량보다 클 수 있다. 또한, 처리액 공급 노즐(391)이 기판의 중앙 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L0)까지 이동하면서 기판으로 토출되는 처리액의 단위시간당 토출량은 점진적으로 증가할 수 있다. 예컨대, 처리액 공급 노즐(391)이 기판의 가장 자리 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L1)에서 기판의 중앙 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L0)로 이동됨에 따라 기판으로 토출되는 처리액의 단위시간당 토출량은 점진적으로 증가할 수 있다. 기판의 회전 속도는 기판의 가장 자리 영역이 기판의 중앙 영역보다 크다. 이는 기판의 가장자리 영역의 반경 길이가 더 크기 때문이다. 처리액 공급 노즐(391)이 기판의 가장 자리 영역에 처리액을 토출할 때에는 기판으로 토출되는 처리액의 단위시간당 토출량을 낮춰 처리액이 비산되는 것을 최소화 할 수 있다. While the processing liquid supply nozzle 391 moves to the position L0 where the processing liquid is discharged to the central region of the substrate W, the amount of the processing liquid discharged to the substrate per unit time may be changed. When the treatment liquid supply nozzle 391 moves to the position L0 to discharge the treatment liquid to the central region of the substrate, the discharge amount D2 per unit time of the treatment liquid discharged to the substrate is discharged to the substrate during the movement. It may be larger than the discharge amount per unit time of the treatment liquid. Further, as the processing liquid supply nozzle 391 moves to the position L0 to discharge the processing liquid to the central region of the substrate, the amount of the processing liquid discharged to the substrate per unit time may be gradually increased. For example, the processing liquid discharged to the substrate as the processing liquid supply nozzle 391 is moved from the position L1 to discharge the processing liquid to the edge region of the substrate to the position L0 to discharge the processing liquid to the central region of the substrate. The discharge amount per unit time of can be gradually increased. The rotational speed of the substrate is such that the edge region of the substrate is greater than the central region of the substrate. This is because the radius length of the edge region of the substrate is larger. When the treatment liquid supply nozzle 391 discharges the treatment liquid to the edge region of the substrate, the amount of the treatment liquid discharged to the substrate per unit time may be reduced to minimize scattering of the treatment liquid.

또한, 토출 시작 위치(L2)에서 기판의 가장자리 영역으로 처리액을 토출하는 위치(L1)까지 이동시 기판으로 토출되는 처리액의 단위시간당 토출량은 일정할 수 있다. 또한, 처리액 공급 노즐(391)이 토출 시작 위치(L2)에 위치하면 처리액 토출이 시작될 수 있다. 이후, 기판으로 토출되는 처리액의 단위시간당 토출량은 설정된 토출량(D1)에 도달할 수 있다. 이후, 처리액 공급 노즐(391)이 기판의 가장자리 영역에 처리액을 토출하는 위치(L1)에 위치할 때까지 기판으로 토출되는 처리액의 단위시간당 토출량는 설정된 유량(D1)으로 일정하게 유지될 수 있다.In addition, when moving from the discharge start position L2 to the position L1 to discharge the treatment liquid to the edge region of the substrate, the amount of discharge per unit time of the treatment liquid discharged to the substrate may be constant. Also, when the treatment liquid supply nozzle 391 is positioned at the discharge start position L2, discharge of the treatment liquid may be started. Thereafter, the discharge amount per unit time of the treatment liquid discharged to the substrate may reach the set discharge amount D1. Thereafter, the discharge amount per unit time of the treatment liquid discharged to the substrate may be kept constant at the set flow rate D1 until the treatment liquid supply nozzle 391 is positioned at the position L1 to discharge the treatment liquid in the edge region of the substrate. have.

상술한 예에서 처리액의 비산을 최소화 할 수 있는 방법에 대해서 설명하였다. 상술한 예에서는 처리액의 비산을 최소화 할 수 있는 방법을 각각 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상술한 예에서 설명한 처리액의 비산을 최소화 할 수 있는 방법은 단독으로 사용되거나 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예컨대, 처리액 공급 노즐(391)이 반경방향 외측을 향하도록 하향 경사진 상태로 이동하면서 기판의 회전 속도를 변경할 수 있다. 또는 처리액 공급 노즐(391)이 반경방향 외측을 향하도록 하향 경사진 상태로 이동하면서 처리액의 단위시간당 토출유량을 변경할 수 있다. In the above example, a method for minimizing scattering of the treatment liquid has been described. In the above-described example, a method for minimizing scattering of the treatment liquid has been described, but is not limited thereto. The method for minimizing scattering of the treatment liquid described in the above-described example may be used alone or in combination with each other. For example, the processing liquid supply nozzle 391 may change the rotational speed of the substrate while moving in a downwardly inclined state to face outward in the radial direction. Alternatively, the treatment liquid supply nozzle 391 may change the discharge flow rate per unit time of the treatment liquid while moving in a downwardly inclined state so as to face radially outward.

상술한 예에서는 기판 처리 장치(300)가 세정 공정을 수행하는 장치인 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 상술한 기판 처리 방법 및 장치는 기판을 처리하는 모든 공정에 적용될 수 있다.In the above-described example, the substrate processing apparatus 300 has been described as an example that performs a cleaning process, but is not limited thereto. For example, the substrate processing method and apparatus described above can be applied to all processes of processing a substrate.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The detailed description above is to illustrate the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the skill or knowledge of the art. The above-described embodiments describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application fields and uses of the present invention are possible. Therefore, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiment. In addition, the appended claims should be construed as including other embodiments.

380: 액 공급 유닛
391: 처리액 공급 노즐
392: 웨팅 노즐
600: 제어기380: liquid supply unit
391: treatment liquid supply nozzle
392: wetting nozzle
600: controller

Claims (23)

기판을 처리하는 방법에 있어서,
회전하는 기판 상에 노즐로부터 처리액을 토출하여 기판을 처리하되,
상기 노즐이 대기하는 홈포트로부터 상기 기판에 처리액을 토출하는 위치로 상기 노즐이 이동하는 도중에 상기 기판으로부터 이격된 상기 기판의 외측 영역부터 상기 처리액의 토출을 시작하고,
상기 노즐은 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하되,
상기 노즐이 상기 처리액을 토출하면서 이동되는 도중 상기 기판의 회전속도가 변경되고,
상기 노즐이 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하였을 때 상기 기판의 회전속도는 상기 이동이 이루어지는 도중의 상기 기판의 회전속도보다 큰 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate,
Treat the substrate by discharging the processing liquid from the nozzle on the rotating substrate,
While the nozzle is moving from a home port at which the nozzle is waiting to discharge a processing liquid to the substrate, discharging of the processing liquid starts from an outer region of the substrate spaced apart from the substrate,
The nozzle moves from the home port to a position where the processing liquid is discharged to the central region of the substrate,
While the nozzle is moving while discharging the processing liquid, the rotational speed of the substrate is changed,
When the nozzle moves from the home port to a position where the processing liquid is discharged to a central region of the substrate, the rotational speed of the substrate is greater than the rotational speed of the substrate during the movement. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 노즐이 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하면서 상기 기판의 회전 속도는 점진적으로 증가하는 기판 처리 방법.The method of claim 1,
The substrate processing method in which the rotational speed of the substrate gradually increases while the nozzle moves to a position where the processing liquid is discharged to a central region of the substrate. 제4항에 있어서,
상기 노즐이 상기 기판의 외측 영역에서 상기 기판의 가장자리 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동시 상기 기판의 회전속도는 일정한 기판 처리 방법.The method of claim 4,
When the nozzle moves from an outer region of the substrate to a position where the processing liquid is discharged to an edge region of the substrate, the rotational speed of the substrate is constant. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
회전하는 기판 상에 노즐로부터 처리액을 토출하여 기판을 처리하되,
상기 노즐이 대기하는 홈포트로부터 상기 기판에 처리액을 토출하는 위치로 상기 노즐이 이동하는 도중에 상기 기판으로부터 이격된 상기 기판의 외측 영역부터 상기 처리액의 토출을 시작하고,
상기 노즐은 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하되,
상기 노즐이 상기 처리액을 토출하면서 이동되는 도중 상기 기판으로 토출되는 상기 처리액의 단위시간당 토출량이 변경되고,
상기 노즐이 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하였을 때 상기 기판으로 토출되는 상기 처리액의 단위시간당 토출량은 상기 이동이 이루어지는 도중에 상기 기판으로 토출되는 상기 처리액의 단위시간당 토출량보다 큰 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate,
Treat the substrate by discharging the processing liquid from the nozzle on the rotating substrate,
While the nozzle is moving from a home port at which the nozzle is waiting to discharge a processing liquid to the substrate, discharging of the processing liquid starts from an outer region of the substrate spaced apart from the substrate,
The nozzle moves from the home port to a position where the processing liquid is discharged to the central region of the substrate,
While the nozzle is moving while discharging the treatment liquid, the discharge amount per unit time of the treatment liquid discharged to the substrate is changed,
When the nozzle moves from the home port to the position where the processing liquid is discharged to the central region of the substrate, the amount of the processing liquid discharged to the substrate per unit time is the processing liquid discharged to the substrate during the movement A substrate processing method that is larger than the discharge amount per unit time of 삭제delete 제6항에 있어서,
상기 노즐이 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하면서 상기 기판으로 공급되는 상기 처리액의 단위시간당 토출량은 점진적으로 증가하는 기판 처리 방법.The method of claim 6,
A substrate processing method in which the discharge amount per unit time of the processing liquid supplied to the substrate gradually increases while the nozzle moves to a position where the processing liquid is discharged to the central region of the substrate. 제1항, 제4항 내지 제6항 및 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판은 상기 기판을 감싸는 처리 용기 내의 처리 공간에 배치되고, 상기 처리액의 토출되는 토출 시작 지점은 상기 처리액이 상기 기판을 감싸는 처리 용기 내인 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 1, 4 to 6, and 8,
The substrate is disposed in a processing space in a processing container surrounding the substrate, and a discharge start point at which the processing liquid is discharged is in a processing container in which the processing liquid surrounds the substrate. 제1항, 제4항 내지 제6항 및 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리액이 상기 기판의 상면에 토출되기 전 상기 기판에 웨팅액을 공급하는 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 1, 4 to 6, and 8,
A substrate processing method of supplying a wetting liquid to the substrate before the processing liquid is discharged onto the upper surface of the substrate. 제1항, 제4항 내지 제6항 및 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 노즐은 상기 기판의 반경방향 외측을 향하도록 하향 경사진 상태로 상기 기판의 중심을 향하는 방향으로 이동하면서 상기 처리액을 토출하는 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 1, 4 to 6, and 8,
The substrate processing method for discharging the processing liquid while the nozzle is inclined downward to face the outer side in the radial direction of the substrate and moves in a direction toward the center of the substrate. 제10항에 있어서,
상기 처리액은 케미칼이고 상기 웨팅액은 순수인 기판 처리 방법.The method of claim 10,
The processing liquid is a chemical and the wetting liquid is pure water. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 상부가 개방된 처리 공간을 가지는 처리 용기와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 지지되고, 회전하는 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐을 가지는 액 공급 유닛과;
상기 처리액 공급 노즐이 대기하는 홈 포트와;
제어기를 포함하되,
상기 제어기는,
상기 홈 포트로부터 상기 기판에 처리액을 토출하는 위치로 상기 처리액 공급 노즐을 이동시키고,
상기 처리액 공급 노즐이 이동하는 도중에 상기 기판으로부터 이격된 상기 기판의 외측 영역으로부터 상기 처리액의 공급을 시작하도록 상기 액 공급 유닛을 제어하고,
상기 처리액 공급 노즐을 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중영 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동시키되,
상기 처리액 공급 노즐이 상기 처리액을 토출하면서 이동하는 도중 상기 기판의 회전 속도를 변경하도록 상기 액 공급 유닛과 상기 지지 유닛을 제어하고,
상기 처리액 공급 노즐이 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하였을 때 상기 기판의 회전속도가 상기 이동이 이루어지는 도중의 상기 기판의 회전속도보다 크도록 상기 액 공급 유닛과 상기 지지 유닛을 제어하는 기판 처리 장치. In the apparatus for processing a substrate,
A processing container having an open processing space therein;
A support unit for supporting and rotating the substrate in the processing space;
A liquid supply unit supported by the support unit and having a treatment liquid supply nozzle for supplying a treatment liquid to the rotating substrate;
A groove port in which the treatment liquid supply nozzle waits;
Including a controller,
The controller,
Moving the treatment liquid supply nozzle from the home port to a position to discharge the treatment liquid to the substrate,
Controlling the liquid supply unit to start supply of the treatment liquid from an outer region of the substrate spaced apart from the substrate while the treatment liquid supply nozzle is moving,
Moving the treatment liquid supply nozzle from the home port to a position where the treatment liquid is discharged to a neutral region of the substrate,
Controlling the liquid supply unit and the support unit to change the rotational speed of the substrate while the treatment liquid supply nozzle is moving while discharging the treatment liquid,
When the processing liquid supply nozzle moves from the home port to a position where the processing liquid is discharged, the liquid is supplied so that the rotational speed of the substrate is greater than the rotational speed of the substrate during the movement. A substrate processing apparatus that controls a unit and the support unit. 삭제delete 삭제delete 제13항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하면서 상기 기판의 회전 속도가 점진적으로 증가하도록 상기 액 공급 유닛과 상기 지지 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 13,
The controller,
A substrate processing apparatus for controlling the liquid supply unit and the support unit so that the rotational speed of the substrate gradually increases while the processing liquid supply nozzle moves to a position at which the processing liquid is discharged to a central region of the substrate. 제16항에 있어서,
상기 제어기는
상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판의 외측 영역에서 상기 기판의 가장자리 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동시 상기 기판을 일정한 속도로 회전시키도록 상기 액 공급 유닛과 상기 지지 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 16,
The controller is
A substrate processing apparatus that controls the liquid supply unit and the support unit to rotate the substrate at a constant speed when the processing liquid supply nozzle moves from an outer region of the substrate to a position where the processing liquid is discharged to an edge region of the substrate. . 기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 상부가 개방된 처리 공간을 가지는 처리 용기와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 지지되고, 회전하는 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐을 가지는 액 공급 유닛과;
상기 처리액 공급 노즐이 대기하는 홈 포트와;
제어기를 포함하되,
상기 제어기는,
상기 홈 포트로부터 상기 기판에 처리액을 토출하는 위치로 상기 처리액 공급 노즐을 이동시키고,
상기 처리액 공급 노즐이 이동하는 도중에 상기 기판으로부터 이격된 상기 기판의 외측 영역으로부터 상기 처리액의 공급을 시작하도록 상기 액 공급 유닛을 제어하고,
상기 제어기는,
상기 처리액 공급 노즐이 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하되,
상기 처리액 공급 노즐이 상기 처리액을 토출하면서 이동하는 도중 상기 기판으로 토출하는 상기 처리액의 단위시간당 토출량을 변경시키도록 상기 액 공급 유닛을 제어하고,
상기 처리액 공급 노즐이 상기 홈포트로부터 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하였을 때 상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판으로 토출하는 상기 처리액의 단위시간당 토출량이 상기 이동이 이루어지는 도중에 상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판으로 토출하는 상기 처리액의 단위시간당 토출량보다 크도록 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
A processing container having an open processing space therein;
A support unit for supporting and rotating the substrate in the processing space;
A liquid supply unit supported by the support unit and having a treatment liquid supply nozzle for supplying a treatment liquid to the rotating substrate;
A groove port in which the treatment liquid supply nozzle waits;
Including a controller,
The controller,
Moving the treatment liquid supply nozzle from the home port to a position to discharge the treatment liquid to the substrate,
Controlling the liquid supply unit to start supply of the treatment liquid from an outer region of the substrate spaced apart from the substrate while the treatment liquid supply nozzle is moving,
The controller,
The processing liquid supply nozzle moves from the home port to a position where the processing liquid is discharged to the central region of the substrate,
Controlling the liquid supply unit to change a discharge amount per unit time of the treatment liquid discharged to the substrate while the treatment liquid supply nozzle is moving while discharging the treatment liquid,
When the treatment liquid supply nozzle moves from the home port to a position to discharge the treatment liquid to the central region of the substrate, the discharge amount per unit time of the treatment liquid discharged by the treatment liquid supply nozzle to the substrate is performed. A substrate processing apparatus configured to control the liquid supply unit so that the processing liquid supply nozzle is larger than a discharge amount per unit time of the processing liquid discharged to the substrate. 삭제delete 제18항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판의 중앙 영역으로 상기 처리액을 토출하는 위치까지 이동하면서 상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판으로 공급하는 상기 처리액의 단위시간당 토출량을 점진적으로 증가시키도록 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 18,
The controller,
The liquid supply unit so that the treatment liquid supply nozzle gradually increases the discharge amount per unit time of the treatment liquid supplied to the substrate while the treatment liquid supply nozzle moves to a position to discharge the treatment liquid to the central region of the substrate Substrate processing apparatus for controlling the. 제13항, 제16항 내지 제18항 및 제20항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 처리액 공급 노즐이 토출하는 상기 처리액의 토출 시작 지점이 상기 처리 공간이 되도록 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 13, 16 to 18 and 20,
The controller,
A substrate processing apparatus for controlling the liquid supply unit such that a discharge start point of the processing liquid discharged by the processing liquid supply nozzle becomes the processing space. 제13항, 제16항 내지 제18항 및 제20항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 액 공급 유닛은,
상기 기판으로 웨팅액을 공급하는 웨팅 노즐을 포함하되,
상기 제어기는,
상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판의 상면에 상기 처리액을 토출하기 전 상기 기판에 상기 웨팅액을 공급하도록 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 13, 16 to 18 and 20,
The liquid supply unit,
Including a wetting nozzle for supplying a wetting liquid to the substrate,
The controller,
A substrate processing apparatus for controlling the liquid supply unit to supply the wetting liquid to the substrate before the processing liquid supply nozzle discharges the processing liquid onto the upper surface of the substrate. 제13항, 제16항 내지 제18항 및 제20항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 처리액 공급 노즐이 상기 기판의 반경방향 외측을 향하도록 하향 경사진 상태로 상기 기판의 중심을 향하는 방향으로 이동하면서 상기 처리액을 토출하도록 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
The method according to any one of claims 13, 16 to 18 and 20,
The controller,
A substrate processing apparatus configured to control the liquid supply unit to discharge the processing liquid while the processing liquid supply nozzle is inclined downwardly toward the outer side in the radial direction of the substrate and moves in a direction toward the center of the substrate.
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