KR102188353B1 - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 에지 영역으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛과; 상기 기판의 에지 영역에서 발생하는 부산물을 외부로 배출하는 배출 유닛을 포함하되, 상기 배출 유닛은, 원주 방향으로 구부러진 통 형상을 가지며, 기판의 에지 영역이 삽입되는 개구가 형성된 관을 포함하고, 상기 관은, 상기 처리액이 기판으로 공급되어 발생하는 부산물을 배출하는 제1관을 포함할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate includes: a support unit for supporting and rotating the substrate; A liquid supply unit for supplying a processing liquid to an edge region of the substrate supported by the support unit; And a discharge unit for discharging by-products generated in the edge region of the substrate to the outside, wherein the discharge unit has a cylindrical shape bent in a circumferential direction, and includes a tube having an opening into which the edge region of the substrate is inserted, the The tube may include a first tube for discharging by-products generated by supplying the processing liquid to the substrate.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and method for treating substrate}Substrate processing apparatus and method {Apparatus and method for treating substrate}

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate.

일반적으로 반도체 소자는 기판 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 막을 평탄화 하기 위한 화학적/기계적 연마 공정과, 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 포토레지스트 패턴을 이용하여 막이 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 기판의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 기판 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 막 또는 패턴이 형성된 기판의 표면 또는 막의 성분 및 농도 등을 검사기 위한 검사 공정 등을 반복하여 수행되어 제조된다.In general, semiconductor devices include a deposition process to form a film on a substrate, a chemical/mechanical polishing process to planarize a film, a photolithography process to form a photoresist pattern on the film, and a photoresist pattern to make the film electrical. An etching process for forming a pattern having a characteristic characteristic, an ion implantation process for implanting specific ions into a predetermined region of the substrate, a cleaning process for removing impurities on the substrate, and the surface or film of the substrate on which the film or pattern is formed. It is manufactured by repeating an inspection process for inspecting components and concentrations.

또한, 반도체 소자를 제조하기 공정은 기판 상에 형성된 막 또는 패턴의 에지 부위를 제거하기 위한 에지 비드 제거(edge bead removal, 이하 'EBR') 공정을 포함할 수 있다. EBR 공정이 수행되면서, 기판의 에지 부위에 형성된 막 또는 패턴은 제거된다. In addition, the process of manufacturing a semiconductor device may include an edge bead removal (EBR) process for removing an edge portion of a film or pattern formed on a substrate. While the EBR process is performed, the film or pattern formed on the edge of the substrate is removed.

EBR 공정 중에는, 기판의 에지 부위에 형성된 막 또는 패턴이 제거되면서 부산물 등의 오염 물질이 발생한다. 이러한 오염 물질은 기판으로부터 제거되지 않거나, 기판으로부터 제거된 이후 기판으로 재부착될 수 있다. 오염 물질이 기판으로부터 제거되지 않거나, 기판에 재부착되는 경우, 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다.During the EBR process, contaminants such as by-products are generated while the film or pattern formed on the edge of the substrate is removed. These contaminants may not be removed from the substrate or may reattach to the substrate after being removed from the substrate. When contaminants are not removed from the substrate or reattached to the substrate, the characteristics of the device and the production yield are greatly affected.

본 발명은 기판의 에지 영역을 처리하면서 발생하는 부산물을 효과적으로 배출할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of effectively discharging by-products generated while processing an edge region of a substrate.

또한, 본 발명은 기판의 에지 영역 처리를 효과적으로 수행할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다. Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of effectively performing edge region processing of a substrate.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 에지 영역으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 에지 영역으로 레이저를 조사하는 레이저 조사 유닛과; 상기 기판의 에지 영역에서 발생하는 부산물을 외부로 배출하는 배출 유닛을 포함하되, 상기 배출 유닛은, 원주 방향으로 구부러진 통 형상을 가지며, 기판의 에지 영역이 삽입되는 개구가 형성된 관을 포함하고, 상기 관은, 상기 처리액이 기판으로 공급되어 발생하는 부산물을 배출하는 제1관을 포함할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate includes: a support unit for supporting and rotating the substrate; A liquid supply unit for supplying a processing liquid to an edge region of the substrate supported by the support unit; A laser irradiation unit for irradiating a laser to an edge region of the substrate supported by the support unit; And a discharge unit for discharging by-products generated in the edge region of the substrate to the outside, wherein the discharge unit has a cylindrical shape bent in a circumferential direction, and includes a tube having an opening into which the edge region of the substrate is inserted, the The tube may include a first tube for discharging by-products generated by supplying the processing liquid to the substrate.

일 실시예에 의하면, 상기 개구는 슬릿 형상을 가질 수 있다.According to an embodiment, the opening may have a slit shape.

일 실시예에 의하면, 상기 제1관에는 기판에 공급되는 상기 처리액이 통하여 흐르는 제1홀이 형성될 수 있다.According to an embodiment, a first hole through which the processing liquid supplied to the substrate flows may be formed in the first tube.

일 실시예에 의하면, 상기 제1홀은 상기 개구로부터 상기 제1관의 상단으로 연장되어 형성될 수 있다.According to an embodiment, the first hole may be formed to extend from the opening to an upper end of the first tube.

일 실시예에 의하면, 상기 배출 유닛은, 상기 제1관의 내부 공간으로 유입된 상기 처리액을 배출하는 액 배출 라인을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the discharge unit may include a liquid discharge line for discharging the treatment liquid introduced into the inner space of the first pipe.

일 실시예에 의하면, 상기 관은, 상기 레이저가 기판으로 조사되어 발생하는 부산물을 배출하는 제2관을 더 포함하고, 상기 제2관에는 기판에 조사되는 상기 레이저가 관통하는 제2홀이 형성될 수 있다.According to an embodiment, the tube further includes a second tube for discharging by-products generated by the laser irradiation to the substrate, and a second hole through which the laser irradiated to the substrate penetrates is formed. Can be.

일 실시예에 의하면, 상기 제2홀은 상기 개구로부터 상기 제2관의 상단으로 연장되어 형성될 수 있다.According to an embodiment, the second hole may be formed to extend from the opening to an upper end of the second tube.

일 실시예에 의하면, 상기 배출 유닛은, 상기 제2관에 연결되어, 상기 제2관의 내부 공간으로 비활성 가스를 공급하는 가스 공급 라인과; 상기 제2관에 연결되어, 상기 제2관에 공급된 상기 비활성 가스 및 부산물을 배출하는 가스 배출 라인을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the discharge unit includes: a gas supply line connected to the second pipe to supply an inert gas to the inner space of the second pipe; A gas discharge line connected to the second pipe to discharge the inert gas and by-products supplied to the second pipe may be included.

일 실시예에 의하면, 상기 제1관과 상기 제2관은, 서로 이격되어 제공되며, 상부에서 바라볼 때 각각 호 형상을 가질 수 있다.According to an embodiment, the first pipe and the second pipe are provided to be spaced apart from each other, and each may have an arc shape when viewed from above.

일 실시예에 의하면, 상기 제1관과 상기 제2관은, 상부에서 바라볼 때, 서로 조합되어 반원의 원주보다 작거나 같은 원주를 가질 수 있다.According to an embodiment, the first pipe and the second pipe may be combined with each other to have a circumference smaller than or equal to the circumference of a semicircle when viewed from above.

일 실시예에 의하면, 상기 제1관과 상기 제2관은, 일체로 제공되며, 상부에서 바라볼 때, 반원의 원주보다 작거나 같은 원주를 가질 수 있다.According to an embodiment, the first tube and the second tube are provided integrally, and when viewed from above, may have a circumference smaller than or equal to the circumference of a semicircle.

일 실시예에 의하면, 상기 장치는, 상기 지지 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 기판의 회전 방향이 상기 기판의 에지 영역에 상기 레이저가 조사된 이후에 상기 처리액이 공급되도록 상기 지지 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the apparatus further includes a controller for controlling the support unit, wherein the controller is supplied with the processing liquid after the laser is irradiated to the edge region of the substrate in a rotation direction of the substrate It is possible to control the support unit as possible.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은, 상기 기판의 에지 영역으로 레이저를 조사하여 기판 상의 막 또는 패턴을 제거하고, 상기 기판의 에지 영역으로 처리액을 공급하여 기판 상의 막 또는 패턴을 제거할 수 있다.In addition, the present invention provides a method of processing a substrate. In a method of treating a substrate, a film or pattern on the substrate may be removed by irradiating a laser to an edge region of the substrate, and a treatment liquid may be supplied to the edge region of the substrate to remove the film or pattern on the substrate.

일 실시예에 의하면, 상기 기판의 에지 영역에 상기 레이저가 조사된 이후에 상기 처리액이 공급되도록 상기 기판을 회전 시킬 수 있다.According to an embodiment, the substrate may be rotated so that the processing liquid is supplied after the laser is irradiated to the edge region of the substrate.

본 발명은 기판의 에지 영역을 처리하면서 발생하는 부산물을 효과적으로 배출할 수 있다.The present invention can effectively discharge by-products generated while processing the edge region of the substrate.

또한, 본 발명은 기판의 에지 영역 처리를 효과적으로 수행할 수 있다.Further, the present invention can effectively perform edge region treatment of a substrate.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 배출 유닛의 모습을 보여주는 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 배출 유닛의 모습을 보여주는 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 배출 유닛에 기판이 삽입되어 회전하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 6 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 기판이 지지 유닛에 지지되는 모습을 보여주는 도면이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 배출 유닛의 모습을 보여주는 사시도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 배출 유닛의 모습을 보여주는 사시도이다.1 is a plan view showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 1.
3 is a perspective view showing a state of a discharge unit according to an embodiment of the present invention.
4 is a plan view showing a state of a discharge unit according to an embodiment of the present invention.
5 is a view showing a state in which a substrate is inserted and rotated in a discharge unit according to an embodiment of the present invention.
6 to 9 are views showing a state in which a substrate is supported by a support unit in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
10 is a perspective view showing a state of a discharge unit according to another embodiment of the present invention.
11 is a perspective view showing a state of a discharge unit according to another embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art may easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in various forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in describing a preferred embodiment of the present invention in detail, when it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for portions having similar functions and functions.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다."Including" a certain component means that other components may be further included, rather than excluding other components unless specifically stated to the contrary. Specifically, terms such as "comprises" or "have" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but one or more other features or It is to be understood that the presence or addition of numbers, steps, actions, components, parts or combinations thereof does not preclude the possibility of preliminary exclusion.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In addition, shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer explanation.

이하, 도 1 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 10.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(10)는 인덱스 모듈(100)과 공정 처리 모듈(200)을 가진다. 인덱스 모듈(100)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 1 is a plan view showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a substrate processing facility 10 includes an index module 100 and a process processing module 200. The index module 100 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 200 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 200 are arranged is referred to as the first direction 12, and when viewed from above, perpendicular to the first direction 12 The direction is referred to as the second direction 14, and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16.

로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(200)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판들(W)을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is mounted on the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. The number of load ports 120 may increase or decrease according to process efficiency and footprint conditions of the process processing module 200. A plurality of slots (not shown) are formed in the carrier 130 to accommodate the substrates W in a state horizontally disposed with respect to the ground. As the carrier 130, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(200)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260a, 260b)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버(260a, 260b)들이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버(260a, 260b)들은 이송 챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정챔버(260a, 260b)들이 제공된다. 공정 챔버(260a, 260b)들 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버(260a, 260b)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 공정 챔버(260a, 260b)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260a, 260b)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260a, 260b)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260a, 260b)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버(260a, 260b)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260a, 260b)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260a, 260b)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260a, 260b)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process processing module 200 includes a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and process chambers 260a and 260b. The transfer chamber 240 is disposed in a longitudinal direction parallel to the first direction 12. Process chambers 260a and 260b are disposed on both sides of the transfer chamber 240, respectively. On one side and the other side of the transfer chamber 240, the process chambers 260a and 260b are provided to be symmetric with respect to the transfer chamber 240. A plurality of process chambers 260a and 260b are provided on one side of the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260a and 260b are disposed along the length direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260a and 260b are disposed to be stacked on each other. That is, on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260a and 260b may be arranged in an A X B arrangement. Here, A is the number of process chambers 260a and 260b provided in a row along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260a and 260b provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260a and 260b are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260a and 260b may be arranged in a 2 X 2 or 3 X 2 arrangement. The number of process chambers 260a and 260b may increase or decrease. Unlike the above, the process chambers 260a and 260b may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, the process chambers 260a and 260b may be provided in a single layer on one side and both sides of the transfer chamber 240.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space in which the substrate W stays between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140 before the substrate W is transferred. A slot (not shown) in which the substrate W is placed is provided inside the buffer unit 220. A plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16. The buffer unit 220 has a surface facing the transfer frame 140 and a surface facing the transfer chamber 240 open.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(200)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(200)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the carrier 130 seated on the load port 120 and the buffer unit 220. The transport frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided in its longitudinal direction parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and moves linearly in the second direction 14 along the index rail 142. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. In addition, the body (144b) is provided to be rotatable on the base (144a). The index arm 144c is coupled to the body 144b, and is provided to move forward and backward with respect to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are disposed to be stacked apart from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the process processing module 200 to the carrier 130, and other parts of the index arms 144c are used when the substrate W is transferred from the carrier 130 to the process processing module 200. ) Can be used when returning. This may prevent particles generated from the substrate W before the process treatment from adhering to the substrate W after the process treatment during the process of the index robot 144 carrying in and carrying out the substrate W.

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 챔버(260a, 260b) 간에, 그리고 공정 챔버(260a, 260b)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chambers 260a and 260b, and between the process chambers 260a and 260b. A guide rail 242 and a main robot 244 are provided in the transfer chamber 240. The guide rail 242 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rail 242 and moves linearly along the first direction 12 on the guide rail 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. In addition, the body 244b is provided to be rotatable on the base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided to be movable forward and backward with respect to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided to be individually driven. The main arms 244c are disposed to be stacked apart from each other along the third direction 16.

공정 챔버(260a, 260b)는, 세정 처리 챔버(260a)와 에지 처리 챔버(260b)를 포함할 수 있다. The process chambers 260a and 260b may include a cleaning processing chamber 260a and an edge processing chamber 260b.

세정 처리 챔버(260a)는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행할 수 있다. 세정 처리 챔버(260a)는 회전하는 기판(W)의 중심 영역에 세정액을 공급하여 세정 공정을 수행할 수 있다. 세정 처리 챔버(260a)는 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리, 세정 처리 챔버(260a)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 세정 처리 챔버(260a)는 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 세정 처리 챔버(260a)는 서로 동일한 구조를 가지고, 서로 상이한 그룹에 속하는 세정 처리 챔버(260a)는 서로 상이한 구조를 가질 수 있다.The cleaning processing chamber 260a may perform a cleaning process on the substrate W. The cleaning processing chamber 260a may perform a cleaning process by supplying a cleaning solution to a central region of the rotating substrate W. The cleaning processing chamber 260a may have a different structure depending on the type. Alternatively, the cleaning processing chamber 260a may have the same structure. Optionally, the cleaning processing chamber 260a is divided into a plurality of groups, so that the cleaning processing chambers 260a belonging to the same group have the same structure, and the cleaning processing chambers 260a belonging to different groups have different structures. I can.

에지 처리 챔버(260b)는 기판(W)의 에지 영역을 처리할 수 있다. 에지 처리 챔버(260b)는 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리, 에지 처리 챔버(260b)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 에지 처리 챔버(260b)는 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 에지 처리 챔버(260b)는 서로 동일한 구조를 가지고, 서로 상이한 그룹에 속하는 에지 처리 챔버(260b)는 서로 상이한 구조를 가질 수 있다.The edge processing chamber 260b may process an edge region of the substrate W. The edge processing chamber 260b may have a different structure depending on the type. Alternatively, the edge processing chamber 260b may have the same structure. Optionally, the edge processing chamber 260b is divided into a plurality of groups, so that the edge processing chambers 260b belonging to the same group have the same structure, and the edge processing chambers 260b belonging to different groups have different structures. I can.

에지 처리 챔버(260b)는 기판(W)의 에지 영역에 대한 처리 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 지지 유닛(310), 처리 용기(320), 승강 유닛(330), 액 공급 유닛(340), 레이저 조사 유닛(350), 배출 유닛(400), 그리고 제어기를 포함할 수 있다.The edge processing chamber 260b is provided with a substrate processing apparatus 300 that performs a processing process on an edge region of the substrate W. 2 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 1. Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 300 includes a support unit 310, a processing container 320, an elevating unit 330, a liquid supply unit 340, a laser irradiation unit 350, and a discharge unit 400. , And may include a controller.

지지 유닛(310)은 기판(W)을 지지 및 회전 시킨다. 지지 유닛(310)은 지지 플레이트(312) 및 회전 구동 부재(313)를 포함한다. 지지 플레이트(312)는 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(312)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 지지 플레이트(312)는 기판(W)보다 작은 직경을 가질 수 있다. 지지 플레이트(312)의 지지면에는 흡착홀(316)이 형성되며, 흡착홀(316)에는 음압이 제공될 수 있다. 기판(W)은 음압에 의해 지지면에 진공 흡착될 수 있다.The support unit 310 supports and rotates the substrate W. The support unit 310 includes a support plate 312 and a rotation drive member 313. The support plate 312 supports the substrate W. The support plate 312 may be provided to have a circular plate shape. The support plate 312 may have a diameter smaller than that of the substrate W. An adsorption hole 316 is formed on the support surface of the support plate 312, and a negative pressure may be provided to the adsorption hole 316. The substrate W may be vacuum-adsorbed on the support surface by negative pressure.

회전 구동 부재(313)는 지지 플레이트(312)를 회전시킨다. 회전 구동 부재(313)는 회전축(314) 및 구동기(315)를 포함한다. 회전축(314)은 그 길이 방향이 상하 방향을 향하는 통 형상을 가지도록 제공된다. 회전축(314)은 지지 플레이트(312)의 저면에 결합된다. 구동기(315)는 회전축(314)에 회전력을 전달한다. 회전축(314)은 구동기(315)로부터 제공된 회전력에 의해 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 지지 플레이트(312)는 회전축(314)과 함께 회전 가능하다. 회전축(314)은 구동기(315)에 의해 그 회전 속도가 조절되어 기판(W)의 회전 속도를 조절 가능하다. 예컨대, 구동기(315)는 모터일 수 있다. The rotation driving member 313 rotates the support plate 312. The rotation drive member 313 includes a rotation shaft 314 and a driver 315. The rotation shaft 314 is provided so as to have a cylindrical shape whose longitudinal direction faces up and down. The rotation shaft 314 is coupled to the bottom surface of the support plate 312. The driver 315 transmits a rotational force to the rotation shaft 314. The rotation shaft 314 is rotatable about a central axis by a rotational force provided from the driver 315. The support plate 312 is rotatable together with the rotation shaft 314. The rotation speed of the rotation shaft 314 is adjusted by the driver 315 to control the rotation speed of the substrate W. For example, the driver 315 may be a motor.

처리 용기(320)는 내부에 처리 공간(322)을 제공한다. 처리 용기(320)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(320)는 지지 유닛(310)을 감싸도록 제공될 수 있다. 처리 용기(320)는 바닥부(324), 측면부(326), 그리고 상면부(328)를 포함한다. 바닥부(324)는 중공을 가지는 원판 형상으로 제공된다.The processing container 320 provides a processing space 322 therein. The processing container 320 is provided to have a cup shape with an open top. The processing container 320 may be provided to surround the support unit 310. The processing vessel 320 includes a bottom portion 324, a side portion 326, and an upper surface portion 328. The bottom portion 324 is provided in the shape of a disk having a hollow.

바닥부(324)에는 회수 라인(325)이 형성된다. 회수 라인(325)은 처리 공간(322)을 통해 회수된 처리액을 외부의 액 재생 시스템(미도시)으로 제공할 수 있다. 측면부(326)는 중공을 가지는 원통 형상으로 제공된다. 측면부(326)는 바닥부(324)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측면부(326)는 바닥부(324)로부터 위로 연장된다. 상면부(328)는 측면부(326)의 상단으로부터 연장된다. 상면부(328)는 지지 유닛(310)에 가까워질수록 상향 경사진 방향을 향한다.A recovery line 325 is formed in the bottom portion 324. The recovery line 325 may provide the treatment liquid recovered through the treatment space 322 to an external liquid recovery system (not shown). The side portion 326 is provided in a cylindrical shape having a hollow. The side portion 326 extends in a vertical direction from the side end of the bottom portion 324. The side portion 326 extends upward from the bottom portion 324. The upper surface portion 328 extends from the upper end of the side portion 326. The upper surface portion 328 faces an upward inclined direction as it approaches the support unit 310.

승강 유닛(330)은 지지 유닛(310)과 처리 용기(320) 간에 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(330)은 처리 용기(320)를 승강 이동시킨다. 승강 유닛(330)은 브라켓(332), 이동축(334), 그리고 구동 부재(336)를 포함한다. 구동 부재(336)는 모터 일 수 있다. 브라켓(332)은 처리 용기(320)의 측면부(326)에 고정 결합된다. 이동축(334)은 브라켓(332)을 지지한다. 이동축(334)은 그 길이 방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 구동 부재(336)는 이동축(334)을 상하 방향으로 이동시킨다. 이에 따라 브라켓(332)과 처리 용기(320)는 상하 방향으로 이동 가능하다.The lifting unit 330 adjusts the relative height between the support unit 310 and the processing container 320. The lifting unit 330 lifts and moves the processing container 320. The lifting unit 330 includes a bracket 332, a moving shaft 334, and a driving member 336. The driving member 336 may be a motor. The bracket 332 is fixedly coupled to the side portion 326 of the processing container 320. The moving shaft 334 supports the bracket 332. The moving shaft 334 is provided so that its longitudinal direction faces up and down. The driving member 336 moves the moving shaft 334 in the vertical direction. Accordingly, the bracket 332 and the processing container 320 can be moved in the vertical direction.

액 공급 유닛(340)은 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(340)은 기판(W)의 에지 영역으로 처리액을 공급할 수 있다. 예컨대, 액 공급 유닛(340)은 지지 유닛(310)에 지지되어, 회전하는 기판(W)의 상면의 에지 영역으로 처리액을 공급할 수 있다. 기판(W)의 에지 영역으로 공급된 처리액은 후술하는 레이저에 의해 발생하는 부산물을 기판(W)으로부터 제거할 수 있다. 또한, 기판(W)의 에지 영역으로 공급된 처리액은 기판(W) 상에 형성된 막 또는 패턴을 제거할 수 있다.The liquid supply unit 340 supplies the processing liquid to the substrate W. The liquid supply unit 340 may supply the processing liquid to the edge region of the substrate W. For example, the liquid supply unit 340 may be supported by the support unit 310 to supply the processing liquid to the edge region of the upper surface of the rotating substrate W. The processing liquid supplied to the edge region of the substrate W may remove by-products generated by a laser to be described later from the substrate W. Also, the processing liquid supplied to the edge region of the substrate W may remove a film or pattern formed on the substrate W.

액 공급 유닛(340)은 기판(W)으로 처리액을 공급하는 노즐을 가질 수 있다. 액 공급 유닛(340)이 가지는 노즐은 원형의 토출구를 가질 수 있다. 이와 달리, 액 공급 유닛(340)이 가지는 노즐의 토출구는 후술하는 제1홀(412)에 대응하는 형상을 가질 수 있다. The liquid supply unit 340 may have a nozzle that supplies a processing liquid to the substrate W. A nozzle of the liquid supply unit 340 may have a circular discharge port. Alternatively, the discharge port of the nozzle of the liquid supply unit 340 may have a shape corresponding to the first hole 412 to be described later.

액 공급 유닛(340)이 공급하는 처리액은 처리액은 산 또는 염기 성질을 가지는 액일 수 있다. 또한, 처리액은 불산(HF), SC1, SC2, DIW(Deinoized Water) 등을 포함할 수 있다. The treatment liquid supplied by the liquid supply unit 340 may be a liquid having acid or basic properties. In addition, the treatment liquid may include hydrofluoric acid (HF), SC1, SC2, DIW (Deinoized Water), and the like.

또한, 액 공급 유닛(340)은 공급 위치 및 대기 위치로 이동될 수 있다. 일 예에 의하면, 공급 위치는 기판(W)의 상면에 처리액을 토출하는 위치일 수 있다. 또한, 공급 위치는 기판(W)의 상면 중 기판의 에지 영역에 처리액을 토출하는 위치일 수 있다. 대기 위치는 기판(W)에 공정 처리 전 또는 공정 처리가 완료된 이후에 액 공급 유닛(340)이 대기하는 위치일 수 있다.In addition, the liquid supply unit 340 may be moved to a supply position and a standby position. According to an example, the supply position may be a position for discharging the processing liquid on the upper surface of the substrate W. Also, the supply position may be a position for discharging the processing liquid to the edge region of the substrate among the upper surface of the substrate W. The standby position may be a position at which the liquid supply unit 340 waits before or after the processing of the substrate W is completed.

레이저 조사 유닛(350)은 기판(W)으로 레이저를 조사한다. 레이저 조사 유닛(350)은 기판(W)의 에지 영역으로 레이저를 조사할 수 있다. 예컨대, 레이저 조사 유닛(350)은 지지 유닛(310)에 지지되어, 회전하는 기판(W)의 상면의 에지 영역으로 레이저를 조사할 수 있다. 또한, 레이저 조사 유닛(350)이 기판(W)의 에지 영역으로 조사한 레이저는 기판(W) 상에 형성된 막 또는 패턴을 제거할 수 있다.The laser irradiation unit 350 irradiates a laser onto the substrate W. The laser irradiation unit 350 may irradiate a laser to an edge region of the substrate W. For example, the laser irradiation unit 350 may be supported by the support unit 310 to irradiate the laser to the edge region of the upper surface of the rotating substrate W. In addition, the laser irradiated by the laser irradiation unit 350 to the edge region of the substrate W may remove a film or pattern formed on the substrate W.

레이저 조사 유닛(350)이 조사하는 레이저는 펄스로 조사될 수 있다. 예컨대, 레이저 조사 유닛(350)이 조사하는 레이저는 복수의 단위 펄스 레이저로 기판(W)을 처리할 수 있다. 또한, 펄스 레이저는 기판(W) 상의 제거 대상 물질의 융발 임계치(ablation threshold)에 해당하는 펄스 에너지를 가질 수 있다. 예컨대, 펄스 레이저는 기판(W) 상에 형성된 막의 융발 임계치에 해당하는 펄스 에너지를 가질 수 있다. 또한, 펄스 레이저의 폭은 수십 ns ~ 수백 fs의 범위를 가질 수 있다. 또한, 펄스 레이저의 파장대는 150nm ~ 1200nm의 범위를 가질 수 있다.The laser irradiated by the laser irradiation unit 350 may be irradiated with a pulse. For example, the laser irradiated by the laser irradiation unit 350 may process the substrate W with a plurality of unit pulse lasers. In addition, the pulsed laser may have a pulse energy corresponding to an ablation threshold of a material to be removed on the substrate W. For example, the pulsed laser may have pulse energy corresponding to a melting threshold of a film formed on the substrate W. In addition, the width of the pulsed laser may range from several tens of ns to several hundred fs. In addition, the wavelength band of the pulsed laser may have a range of 150 nm to 1200 nm.

또한, 레이저 조사 유닛(350)은 조사 위치 및 대기 위치로 이동될 수 있다. 일 예에 의하면, 조사 위치는 기판(W)의 상면에 레이저를 조사하는 위치일 수 있다. 또한, 조사 위치는 기판(W)의 상면 중 기판의 에지 영역에 레이저를 조사하는 위치일 수 있다. 대기 위치는 기판(W)에 공정 처리 전 또는 공정 처리가 완료된 이후에 레이저 조사 유닛(350)이 대기하는 위치일 수 있다.In addition, the laser irradiation unit 350 may be moved to the irradiation position and the standby position. According to an example, the irradiation position may be a position where a laser is irradiated on the upper surface of the substrate W. In addition, the irradiation position may be a position in which the laser is irradiated to the edge region of the substrate among the upper surface of the substrate W. The standby position may be a position at which the laser irradiation unit 350 waits before or after processing is completed on the substrate W.

또한, 레이저 조사 유닛(350)이 레이저를 조사하는 조사 위치와, 액 공급 유닛(340)이 처리액을 공급하는 공급 위치는 서로 상이한 위치일 수 있다.In addition, an irradiation position at which the laser irradiation unit 350 irradiates a laser and a supply position at which the liquid supply unit 340 supplies the processing liquid may be different positions.

배출 유닛(400)은 기판(W)에 대한 처리 공정 중 발생하는 부산물을 외부로 배출할 수 있다. 예컨대, 배출 유닛(400)은 처리액과 기판(W)의 에지 영역에 처리액을 공급하면서 발생하는 부산물을 함께 외부로 배출할 수 있다. 또한, 배출 유닛(400)은 후술하는 비활성 가스와 기판(W)의 에지 영역에 레이저를 조사하면서 발생하는 부산물을 함께 외부로 배출할 수 있다. 또한, 배출 유닛(400)은 기판(W)에 대한 처리 공정 중 발생하는 부산물이 기판(W)에 재부착되는 것을 최소화 할 수 있다. The discharge unit 400 may discharge by-products generated during a processing process for the substrate W to the outside. For example, the discharge unit 400 may discharge the treatment liquid and by-products generated while supplying the treatment liquid to the edge region of the substrate W to the outside. In addition, the discharge unit 400 may discharge an inert gas to be described later and a by-product generated by irradiating a laser to the edge region of the substrate W to the outside together. In addition, the discharge unit 400 may minimize reattachment of by-products generated during the processing process to the substrate W to the substrate W.

제어기(미도시)는 기판 처리 장치(300)를 제어할 수 있다. 제어기는 기판 처리 장치(300)가 가지는 구성들을 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기는 지지 유닛(310), 승강 유닛(330), 액 공급 유닛(340), 레이저 조사 유닛(350)을 제어할 수 있다. 또한, 제어기는 후술하는 기판 반입 방법을 기판 처리 장치(300)가 수행할 수 있도록 수행할 수 있도록 기판 처리 장치(300)를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기는 후술하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 기판 처리 장치(300)를 제어할 수 있다.A controller (not shown) may control the substrate processing apparatus 300. The controller may control components of the substrate processing apparatus 300. For example, the controller may control the support unit 310, the lifting unit 330, the liquid supply unit 340, and the laser irradiation unit 350. In addition, the controller may control the substrate processing apparatus 300 so that the substrate processing apparatus 300 may perform a method of carrying a substrate to be described later. For example, the controller may control the substrate processing apparatus 300 to perform the substrate processing method described later.

이하에서는 도 3과 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 배출 유닛(400)에 대하여 상세히 설명한다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 배출 유닛의 모습을 보여주는 사시도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 배출 유닛의 모습을 보여주는 평면도이다.Hereinafter, the discharge unit 400 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4. 3 is a perspective view showing a state of a discharge unit according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a plan view showing the state of the discharge unit according to an embodiment of the present invention.

도 3과 도 4를 참조하면, 배출 유닛(400)은 제1관(410), 그리고 제2관(420)을 포함할 수 있다. 제1관(410)은 기판(W)에 대한 에지 처리 중 발생하는 부산물이 기판(W)에 재부착되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1관(410)은 부산물과 기판(W)의 에지 영역에 공급되는 처리액을 장치의 외부로 배출할 수 있다.3 and 4, the discharge unit 400 may include a first pipe 410 and a second pipe 420. The first tube 410 may prevent by-products generated during edge processing of the substrate W from being reattached to the substrate W. In addition, the first pipe 410 may discharge by-products and a treatment liquid supplied to the edge region of the substrate W to the outside of the apparatus.

제1관(410)은 통 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 제1관(410)은 원주 방향으로 구부러진 원통의 형상을 가질 수 있다. 제1관(410)은 그 일단과 타단이 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 제1관(410)에는 기판(W)의 에지 영역이 삽입되는 개구가 형성될 수 있다. 제1관(410)에 형성된 개구는 원주 방향을 따라 제1관(410)의 일단과 타단까지 연장되어 형성될 수 있다. 기판(W)이 제1관(410)에 삽입되면 기판(W)의 에지 영역은 제1관(410)에 둘러싸일 수 있다. 제1관(410)에 형성된 개구는 슬릿 형상을 가질 수 있다. The first tube 410 may have a cylindrical shape. For example, the first tube 410 may have a cylindrical shape bent in a circumferential direction. The first tube 410 may have a cylindrical shape in which one end and the other end are open. An opening into which an edge region of the substrate W is inserted may be formed in the first tube 410. The opening formed in the first tube 410 may be formed to extend to one end and the other end of the first tube 410 along a circumferential direction. When the substrate W is inserted into the first tube 410, the edge region of the substrate W may be surrounded by the first tube 410. The opening formed in the first tube 410 may have a slit shape.

또한, 제1관(410)에는 기판(W)에 공급되는 처리액이 통하여 흐르는 제1홀(412)이 형성될 수 있다. 제1홀(412)은 제1관(410)에 형성된 개구로부터 제1관(410)의 상단으로 연장되어 형성될 수 있다. 이에, 액 공급 유닛(340)이 기판(W)의 에지 영역 중 내측과 외측 사이를 이동하면서 처리액을 공급할 수 있다. In addition, a first hole 412 through which the processing liquid supplied to the substrate W flows may be formed in the first tube 410. The first hole 412 may be formed by extending from an opening formed in the first tube 410 to an upper end of the first tube 410. Accordingly, the liquid supply unit 340 may supply the processing liquid while moving between the inside and the outside of the edge region of the substrate W.

제1관(410)에는 액 배출 라인(414, 419)이 연결될 수 있다. 액 배출 라인(414, 419)는 제1관(410)의 내부 공간으로 유입된 처리액을 외부로 배출할 수 있다. 액 배출 라인(414, 419)은 제1액 배출 라인(414)과 제2액 배출 라인(419)을 포함할 수 있다. 제1액 배출 라인(414)은 제1관(410)의 일 단 아래에 연결되고, 제2액 배출 라인(419)은 제1관(410)의 타 단 아래에 연결될 수 있다. 또한, 제1액 배출 라인(414)과 제2액 배출 라인(4190은 제1관(410)을 지지할 수 있다.Liquid discharge lines 414 and 419 may be connected to the first pipe 410. The liquid discharge lines 414 and 419 may discharge the treatment liquid introduced into the inner space of the first pipe 410 to the outside. The liquid discharge lines 414 and 419 may include a first liquid discharge line 414 and a second liquid discharge line 419. The first liquid discharge line 414 may be connected under one end of the first pipe 410, and the second liquid discharge line 419 may be connected under the other end of the first pipe 410. In addition, the first liquid discharge line 414 and the second liquid discharge line 4190 may support the first pipe 410.

제2관(420)은 기판(W)에 대한 에지 처리 중 발생하는 부산물이 기판(W)에 재부착되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제2관(420)은 부산물과 제2관(420)의 내부 공간으로 공급되는 가스를 장치의 외부로 배출할 수 있다.The second tube 420 may prevent by-products generated during edge processing of the substrate W from being reattached to the substrate W. In addition, the second pipe 420 may discharge by-products and gas supplied to the inner space of the second pipe 420 to the outside of the device.

제2관(420)은 통 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 제2관(420)은 원주 방향으로 구부러진 원통의 형상을 가질 수 있다. 제2관(420)은 그 일단과 타단이 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 제2관(420)에는 기판(W)의 에지 영역이 삽입되는 개구가 형성될 수 있다. 제2관(420)에 형성된 개구는 원주 방향을 따라 제2관(420)의 일단과 타단까지 연장되어 형성될 수 있다. 기판(W)이 제2관(420)에 삽입되면 기판(W)의 에지 영역은 제2관(420)에 둘러싸일 수 있다. 제2관(420)에 형성된 개구는 슬릿 형상을 가질 수 있다. The second tube 420 may have a cylindrical shape. For example, the second pipe 420 may have a cylindrical shape bent in a circumferential direction. The second pipe 420 may have a cylindrical shape with one end and the other end open. An opening into which an edge region of the substrate W is inserted may be formed in the second tube 420. The opening formed in the second pipe 420 may be formed to extend to one end and the other end of the second pipe 420 along a circumferential direction. When the substrate W is inserted into the second tube 420, the edge region of the substrate W may be surrounded by the second tube 420. The opening formed in the second tube 420 may have a slit shape.

또한, 제2관(420)에는 기판(W)에 조사되는 레이저가 관통되는 제2홀(422)이 형성될 수 있다. 제2홀(422)은 제2관(420)에 형성된 개구로부터 제2관(420)의 상단으로 연장되어 형성될 수 있다. 이에, 레이저 조사 유닛(350)이 기판(W)의 에지 영역 중 내측과 외측 사이를 이동하면서 레이저를 조사할 수 있다. In addition, a second hole 422 through which a laser irradiated to the substrate W passes may be formed in the second tube 420. The second hole 422 may be formed by extending from an opening formed in the second tube 420 to an upper end of the second tube 420. Accordingly, the laser irradiation unit 350 may irradiate the laser while moving between the inside and the outside of the edge region of the substrate W.

제2관(420)에는 가스 공급 라인(424)과 가스 배출 라인(426)이 연결될 수 있다. 가스 공급 라인(424)은 제2관(420)의 내부 공간으로 비활성 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 라인(424)이 공급하는 비활성 가스는 질소, 아르곤, 헬륨 등의 가스를 포함할 수 있다. 가스 공급 라인(424)이 제2관(420)의 내부 공간으로 공급하는 가스는, 레이저 조사 유닛(350)이 기판(W)의 에지 영역에 조사되면서 발생하는 부산물을 가스 배출 라인(426) 쪽으로 이동시킬 수 있다. 가스 배출 라인(426)은 제2관(420)의 내부 공간으로 유입된 가스와 레이저의 조사로 발생하는 부산물을 외부로 배출할 수 있다. 가스 배출 라인(426)에는 감압 부재(427)가 설치될 수 있다. 감압 부재(427)는 제2관(420)의 내부 공간에 감압을 제공하여 제2관(420)의 내부 공간에 공급된 가스와 에지 처리 중 발생하는 부산물을 외부로 배출한다. 또한, 가스 배출 라인(426)은 제2관(420)의 일 단 아래에 연결되고, 가스 공급 라인(424)은 제2관(420)의 타 단 아래에 연결될 수 있다. 또한, 가스 공급 라인(424)과 가스 배출 라인(426)은 제2관(420)을 지지할 수 있다.A gas supply line 424 and a gas discharge line 426 may be connected to the second pipe 420. The gas supply line 424 may supply an inert gas to the inner space of the second pipe 420. The inert gas supplied by the gas supply line 424 may include gas such as nitrogen, argon, or helium. The gas supplied by the gas supply line 424 to the inner space of the second pipe 420 is a by-product generated when the laser irradiation unit 350 irradiates the edge region of the substrate W toward the gas discharge line 426. Can be moved. The gas discharge line 426 may discharge gas introduced into the inner space of the second pipe 420 and by-products generated by irradiation of the laser to the outside. A pressure reducing member 427 may be installed in the gas discharge line 426. The depressurizing member 427 provides a decompression in the inner space of the second pipe 420 to discharge gas supplied to the inner space of the second pipe 420 and by-products generated during edge processing to the outside. In addition, the gas discharge line 426 may be connected under one end of the second pipe 420, and the gas supply line 424 may be connected under the other end of the second pipe 420. In addition, the gas supply line 424 and the gas discharge line 426 may support the second pipe 420.

또한, 제1관(410)과 제2관(420)은 서로 이격되어 제공될 수 있다. 제1관(410)과 제2관(420)은 상부에서 바라볼 때, 각각 호 형상을 가질 수 있다. 또한, 제1관(410)과 제2관(420)은 상부에서 바라볼 때, 서로 조합되어 반원의 원주보다 작거나 같은 원주를 가질 수 있다. In addition, the first pipe 410 and the second pipe 420 may be provided to be spaced apart from each other. When viewed from the top, the first pipe 410 and the second pipe 420 may each have an arc shape. In addition, the first pipe 410 and the second pipe 420 may be combined with each other to have a circumference smaller than or equal to the circumference of a semicircle when viewed from the top.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 배출 유닛에 기판이 삽입되어 회전하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 액 공급 유닛(340)은 제1관(410)에 형성된 제1홀(412)으로 처리액을 공급할 수 있다. 액 공급 유닛(340)이 공급한 처리액은 제1홀(412)을 통하여 기판(W)의 에지 영역에 공급될 수 있다. 또한, 레이저 조사 유닛(350)은 제2관(420)에 형성된 제2홀(422)으로 레이저를 조사할 수 있다. 레이저 조사 유닛(350)이 조사하는 레이저는 제2홀(422)을 관통하여 기판(W)의 에지 영역에 조사될 수 있다.5 is a view showing a state in which a substrate is inserted and rotated in a discharge unit according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5, the liquid supply unit 340 may supply the treatment liquid to the first hole 412 formed in the first pipe 410. The processing liquid supplied by the liquid supply unit 340 may be supplied to the edge region of the substrate W through the first hole 412. In addition, the laser irradiation unit 350 may irradiate a laser into the second hole 422 formed in the second tube 420. The laser irradiated by the laser irradiation unit 350 may pass through the second hole 422 and be irradiated to the edge region of the substrate W.

또한, 제어기(미도시)는 기판(W)의 회전 방향이, 기판(W)의 에지 영역에 레이저가 조사된 후, 처리액이 공급될 수 있도록 지지 유닛(310)을 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기는 도 5에 도시된 바와 같이, 제1관(410)과 제2관(420)이 반시계 방향을 따라 배치되어, 레이저와 처리액이 기판(W)의 에지 영역에 시계 방향으로 순차적으로 조사 및 공급되는 경우, 기판(W)의 회전 방향이 시계 방향이 되도록 지지 유닛(310)을 제어할 수 있다. 도 5에 도시된 것과 달리, 제1관(410)과 제2관(420)이 시계 방향을 따라 배치되는 경우, 기판(W)의 회전 방향이 반시계 방향이 되도록 지지 유닛(310)을 제어할 수 있다. 즉, 제어기가 기판(W)의 회전 방향을 제어하여, 기판(W)의 에지 영역은 1차적으로 레이저가 조사되고, 2차적으로 처리액이 공급되도록 할 수 있다.In addition, the controller (not shown) may control the support unit 310 so that the processing liquid may be supplied after the laser is irradiated to the edge region of the substrate W in the rotation direction of the substrate W. For example, as shown in FIG. 5, the controller has the first tube 410 and the second tube 420 arranged in a counterclockwise direction, so that the laser and the processing liquid are clockwise at the edge region of the substrate W. When sequentially irradiated and supplied, the support unit 310 may be controlled so that the rotation direction of the substrate W is clockwise. Unlike shown in FIG. 5, when the first tube 410 and the second tube 420 are arranged in a clockwise direction, the support unit 310 is controlled so that the rotation direction of the substrate W is counterclockwise. can do. That is, the controller controls the rotation direction of the substrate W, so that the edge region of the substrate W is primarily irradiated with a laser, and a processing liquid is secondarily supplied.

일반적으로, 기판(W)의 에지 영역에 대한 처리가 수행되는 경우, 에지 처리시 발생하는 부산물이 기판(W)의 상면으로 재부착 될 수 있다. 부산물이 기판(W)의 상면으로 재부착되는 경우, 이는 기판(W)의 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판(W)의 에지 영역은 제1관(410)과 제2관(420)에 둘러 쌓인 상태로 에지 처리가 수행된다. 이에 에지 처리 중 발생하는 부산물이 기판(W)에 재부착되는 것을 최소화 할 수 있다.In general, when processing is performed on the edge region of the substrate W, by-products generated during the edge processing may be reattached to the upper surface of the substrate W. When the by-product is reattached to the upper surface of the substrate W, this has a great influence on the characteristics of the device of the substrate W and the production yield. However, according to an embodiment of the present invention, the edge region of the substrate W is edge-treated while being surrounded by the first tube 410 and the second tube 420. Accordingly, it is possible to minimize reattachment of by-products generated during edge processing to the substrate W.

또한, 기판(W)의 에지 영역에 레이저가 조사된 이후 처리액이 공급되도록 기판(W)의 회전 방향이 제어됨으로써, 에지 처리 효율을 높일 수 있다. 예컨대, 기판(W)의 에지 영역에 1차적으로 레이저가 조사되어, 기판(W) 상의 막 또는 패턴을 제거할 수 있다. 또한, 기판(W)의 에지 영역에 2차적으로 처리액이 공급되어 기판(W) 상의 막 또는 패턴을 제거하거나, 레이저가 조사되어 발생하는 부산물을 세정할 수 있다. 이에, 기판(W)의 에지 영역에 부산물이 잔류하거나, 미처 제거되지 못한 기판(W) 상의 막 또는 패턴을 제거할 수 있다.In addition, since the rotation direction of the substrate W is controlled so that the processing liquid is supplied after the laser is irradiated to the edge region of the substrate W, the edge processing efficiency can be improved. For example, a laser is primarily irradiated to the edge region of the substrate W, so that the film or pattern on the substrate W may be removed. In addition, a processing liquid is secondarily supplied to the edge region of the substrate W to remove a film or pattern on the substrate W, or to clean a by-product generated by irradiation of a laser. Accordingly, by-products remain in the edge region of the substrate W, or a film or pattern on the substrate W that has not been removed may be removed.

또한, 액 배출 라인(414, 419)이 제1관(410)의 일단과 타단에 설치됨으로써, 제1관(410)의 내부 공간으로 유입된 처리액과 에지 처리 중 발생하는 부산물을 효과적으로 배출할 수 있다. 예컨대, 제1관(410)의 내부 공간에 유입된 처리액과, 부산물 등은 기판(W)의 회전 방향에 따라 이동할 수 있다. 일 예로, 도 5에 도시된 바와 같이 기판(W)이 시계 방향으로 회전하는 경우, 제1관(410)의 내부 공간에 유입된 처리액과 부산물은 기판(W) 회전의 원심력에 의하여 시계 방향으로 이동된다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 제1액 배출 라인(414)이 제1관(410)의 일 단 아래에 연결되어 있기 때문에, 이러한 처리액과 부산물을 효과적으로 배출할 수 있다. 또한, 제1액 배출 라인(414)이 미처 배출하지 못하는 처리액과 부산물은 제2액 배출 라인(419)을 통해 배출하여, 제1관(410)의 내부 공간에 처리액과 부산물이 잔류하는 것을 최소화 할 수 있다.In addition, since the liquid discharge lines 414 and 419 are installed at one end and the other end of the first pipe 410, the treatment liquid introduced into the inner space of the first pipe 410 and by-products generated during edge treatment can be effectively discharged. I can. For example, the processing liquid and by-products introduced into the inner space of the first pipe 410 may move according to the rotation direction of the substrate W. For example, when the substrate W rotates clockwise as shown in FIG. 5, the processing liquid and by-products flowing into the inner space of the first tube 410 are clockwise due to the centrifugal force of the rotation of the substrate W. Is moved to. According to an embodiment of the present invention, since the first liquid discharge line 414 is connected below one end of the first pipe 410, such treatment liquid and by-products can be effectively discharged. In addition, the treatment liquid and by-products that cannot be discharged by the first liquid discharge line 414 are discharged through the second liquid discharge line 419, so that the treatment liquid and by-products remain in the internal space of the first pipe 410. Can be minimized.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 가스 공급 라인(424)과 가스 배출 라인(426)은 기판(W)의 회전 방향에 따라 배치될 수 있다. 예컨대, 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(W)이 시계 방향으로 회전하는 경우, 가스 공급 라인(424)과 가스 배출 라인(426)은 시계 방향을 따라 배치될 수 있다. 이에, 가스 공급 라인(424)이 제2관(420)으로 공급하는 가스는 기판(W) 회전의 원심력에 의해 더 빠르게 유동할 수 있다. 이에, 제2관(420)의 내부 공간에 잔류하는 부산물을 더욱 효과적으로 배출할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the gas supply line 424 and the gas discharge line 426 may be disposed according to the rotation direction of the substrate W. For example, as illustrated in FIG. 5, when the substrate W rotates in a clockwise direction, the gas supply line 424 and the gas discharge line 426 may be disposed along the clockwise direction. Accordingly, the gas supplied by the gas supply line 424 to the second pipe 420 may flow faster due to the centrifugal force of rotation of the substrate W. Accordingly, by-products remaining in the inner space of the second pipe 420 can be more effectively discharged.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 에지 처리 챔버(260b)와 세정 처리 챔버(260a)가 하나의 기판 처리 설비(10)에 제공됨으로써, 에지 처리 전 후에 곧바로 세정 처리를 수행할 수 있어 기판(W)이 반송되면서 소요되는 택트 타임을 최소화 할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, since the edge processing chamber 260b and the cleaning processing chamber 260a are provided in one substrate processing facility 10, the cleaning process can be performed immediately before and after the edge processing. It is possible to minimize the tact time required while (W) is conveyed.

이하에는, 도 6 내지 도 9를 참조하여, 기판(W)이 지지 유닛(310)에 안착되는 방법을 자세히 설명한다. 도 6 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 기판이 지지 유닛에 지지되는 모습을 보여주는 도면이다. Hereinafter, a method in which the substrate W is mounted on the support unit 310 will be described in detail with reference to FIGS. 6 to 9. 6 to 9 are views showing a state in which a substrate is supported by a support unit in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 6 내지 도 9를 참조하면, 처리 용기(320)는 승강 유닛(330)에 의해 하강한다. 이에, 상대적으로 지지 유닛(310)은 처리 용기(320)보다 상부에 위치되게 된다. 이후, 기판(W)이 지지 플레이트(312)의 상면과 수평한 방향으로 반송된다. 이에, 기판(W)의 에지 영역은 제1관(410)과 제2관(420)이 가지는 개구에 삽입되고, 기판(W)의 중심 영역은 지지 플레이트(312)의 상부에 위치하게 된다. 이후, 기판(W)은 지지 플레이트(312)의 상면에 안착된다. 지지 플레이트(312)의 상면에 기판(W)이 안착되면 흡착홀(316)은 기판(W)을 흡착한다. 이후, 승강 유닛(330)은 처리 용기(320)를 상승 시킨다. 처리 용기(320)가 상승되면, 액 공급 유닛(340)과 레이저 조사 유닛(350)은 각각 기판에 처리액과 레이저를 조사하여 기판(W)에 대한 에지 처리를 수행할 수 있다.6 to 9, the processing container 320 is lowered by the lifting unit 330. Accordingly, the support unit 310 is relatively positioned above the processing container 320. Thereafter, the substrate W is transported in a direction horizontal to the upper surface of the support plate 312. Accordingly, the edge region of the substrate W is inserted into the opening of the first pipe 410 and the second pipe 420, and the central region of the substrate W is positioned above the support plate 312. Thereafter, the substrate W is mounted on the upper surface of the support plate 312. When the substrate W is seated on the upper surface of the support plate 312, the adsorption hole 316 adsorbs the substrate W. Then, the lifting unit 330 raises the processing container 320. When the processing container 320 is raised, the liquid supply unit 340 and the laser irradiation unit 350 may perform edge processing on the substrate W by irradiating a processing liquid and a laser to the substrate, respectively.

상술한 예에서는, 제1관(410)과 제2관(420)이 서로 구분되고, 이격되어 제공되는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 10에 도시된 바와 같이 관(410a)은 분리되지 않고 일체로 제공될 수 있다. 관(410a)이 일체로 제공되는 것을 제외하고, 제1홀(412a), 제2홀(422a), 제1액 배출 라인(414a), 제2액 배출 라인(419a), 가스 공급 라인(424a), 가스 배출 라인(426a), 그리고 감압 부재(427a)의 구성과 기능은 상술한 내용과 동일 또는 유사하므로 자세한 설명은 생략한다.In the above-described example, the first tube 410 and the second tube 420 have been described as being separated from each other and provided spaced apart from each other, but the present disclosure is not limited thereto. For example, as shown in FIG. 10, the tube 410a may be provided integrally without being separated. Except that the pipe 410a is provided integrally, the first hole 412a, the second hole 422a, the first liquid discharge line 414a, the second liquid discharge line 419a, the gas supply line 424a ), the gas discharge line 426a, and the decompression member 427a have the same or similar configurations and functions as described above, and thus detailed description thereof will be omitted.

상술한 예에서는, 제1관(410)이 액 배출 라인(414, 419)에 지지되고, 제2관(420)이 가스 공급 라인(424), 가스 배출 라인(426)에 지지되는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 11에 도시된 바와 같이 배출 유닛(400b)은 별도의 이동 부재(418b, 428b)를 가질 수 있다. 이동 부재(418b, 428b)는 제1이동 부재(418b)와 제2이동 부재(428b)를 포함할 수 있다. 제1이동 부재(418b)는 제1관(410b)과 결합될 수 있다. 제2이동 부재(428b)는 제2관(420b)과 연결될 수 있다. 제1이동 부재(418b)와 제2이동 부재(428b)는 각각 제1관(410b)과 제2관(420b)을 지지하고, 수평 방향으로 이동시킬 수 있다. 또한, 액 배출 라인(414b, 419b), 가스 공급 라인(424b), 그리고 가스 배출 라인(426b)은 탄성을 가지는 재질로 제공될 수 있다. 이에, 액 배출 라인(414b, 419b), 가스 공급 라인(424b), 그리고 가스 배출 라인(426b)의 형상은 자유롭게 변형될 수 있다.In the above-described example, for example, the first pipe 410 is supported by the liquid discharge lines 414 and 419, and the second pipe 420 is supported by the gas supply line 424 and the gas discharge line 426. Although described, it is not limited thereto. For example, as shown in FIG. 11, the discharge unit 400b may have separate moving members 418b and 428b. The moving members 418b and 428b may include a first moving member 418b and a second moving member 428b. The first moving member 418b may be coupled to the first tube 410b. The second moving member 428b may be connected to the second pipe 420b. The first moving member 418b and the second moving member 428b support the first pipe 410b and the second pipe 420b, respectively, and may move in a horizontal direction. In addition, the liquid discharge lines 414b and 419b, the gas supply line 424b, and the gas discharge line 426b may be made of a material having elasticity. Accordingly, the shapes of the liquid discharge lines 414b and 419b, the gas supply line 424b, and the gas discharge line 426b can be freely modified.

상술한 예에서는, 세정 처리 챔버(260a)와 에지 처리 챔버(260b)가 서로 구분되는 구성인 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 세정 처리 챔버(260a)와 에지 처리 챔버(260b)에 제공되는 기판 처리 장치는 서로 동일한 구조를 가질 수 있다.In the above-described example, a configuration in which the cleaning processing chamber 260a and the edge processing chamber 260b are separated from each other has been described as an example, but the present invention is not limited thereto. For example, substrate processing apparatuses provided in the cleaning processing chamber 260a and the edge processing chamber 260b may have the same structure.

상술한 예에서는 기판 처리 장치(300)가 세정 공정을 수행하는 장치인 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 상술한 기판 처리 방법 및 장치는 기판을 처리하는 모든 공정에 적용될 수 있다.In the above-described example, the substrate processing apparatus 300 has been described as an example that performs a cleaning process, but is not limited thereto. For example, the substrate processing method and apparatus described above can be applied to all processes of processing a substrate.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The detailed description above is to illustrate the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the skill or knowledge of the art. The above-described embodiments describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application fields and uses of the present invention are possible. Therefore, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiment. In addition, the appended claims should be construed as including other embodiments.

310: 지지 유닛
320: 처리 용기
330: 승강 유닛
340: 액 공급 유닛
350: 레이저 조사 유닛
400: 배출 유닛310: support unit
320: processing vessel
330: elevating unit
340: liquid supply unit
350: laser irradiation unit
400: discharge unit

Claims (14)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판의 에지 영역으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판의 에지 영역으로 레이저를 조사하는 레이저 조사 유닛과;
상기 기판의 에지 영역에서 발생하는 부산물을 외부로 배출하는 배출 유닛을 포함하되,
상기 배출 유닛은,
원주 방향으로 구부러진 통 형상을 가지며, 기판의 에지 영역이 삽입되는 개구가 형성된 관을 포함하고,
상기 관은,
상기 처리액이 기판으로 공급되어 발생하는 부산물을 배출하는 제1관; 및
상기 레이저가 기판으로 조사되어 발생하는 부산물을 배출하는 제2관을 포함하고,
상기 제1관과 상기 제2관은,
서로 이격되어 제공되며, 상부에서 바라볼 때 각각 호 형상을 가지는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
A support unit for supporting and rotating the substrate;
A liquid supply unit for supplying a processing liquid to an edge region of the substrate supported by the support unit;
A laser irradiation unit for irradiating a laser to an edge region of the substrate supported by the support unit;
Including a discharge unit for discharging by-products generated in the edge region of the substrate to the outside,
The discharge unit,
It has a cylindrical shape bent in the circumferential direction, and includes a tube formed with an opening into which the edge region of the substrate is inserted,
The tube,
A first pipe for discharging by-products generated by supplying the processing liquid to the substrate; And
It includes a second tube for discharging by-products generated by the laser irradiation to the substrate,
The first tube and the second tube,
A substrate processing apparatus provided spaced apart from each other and each having an arc shape when viewed from the top. 제1항에 있어서,
상기 개구는 슬릿 형상을 가지는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The opening is a substrate processing apparatus having a slit shape. 제1항에 있어서,
상기 제1관에는 기판에 공급되는 상기 처리액이 통하여 흐르는 제1홀이 형성되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
A substrate processing apparatus in which a first hole through which the processing liquid supplied to the substrate flows is formed in the first tube. 제3항에 있어서,
상기 제1홀은 상기 개구로부터 상기 제1관의 상단으로 연장되어 형성되는 기판 처리 장치. The method of claim 3,
The first hole is formed to extend from the opening to an upper end of the first tube. 제3항에 있어서,
상기 배출 유닛은,
상기 제1관의 내부 공간으로 유입된 상기 처리액을 배출하는 액 배출 라인을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
The discharge unit,
And a liquid discharge line for discharging the treatment liquid introduced into the inner space of the first pipe. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2관에는 기판에 조사되는 상기 레이저가 관통하는 제2홀이 형성되는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 5,
A substrate processing apparatus in which a second hole through which the laser irradiated to the substrate passes is formed in the second tube. 제6항에 있어서,
상기 제2홀은 상기 개구로부터 상기 제2관의 상단으로 연장되어 형성되는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
The second hole is formed to extend from the opening to an upper end of the second tube. 제6항에 있어서,
상기 배출 유닛은,
상기 제2관에 연결되어, 상기 제2관의 내부 공간으로 비활성 가스를 공급하는 가스 공급 라인과;
상기 제2관에 연결되어, 상기 제2관에 공급된 상기 비활성 가스 및 부산물을 배출하는 가스 배출 라인을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
The discharge unit,
A gas supply line connected to the second pipe and supplying an inert gas to the inner space of the second pipe;
And a gas discharge line connected to the second pipe to discharge the inert gas and by-products supplied to the second pipe. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1관과 상기 제2관은,
상부에서 바라볼 때, 서로 조합되어 반원의 원주보다 작거나 같은 원주를 가지는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The first tube and the second tube,
A substrate processing apparatus having a circumference less than or equal to the circumference of a semicircle in combination with each other when viewed from above. 삭제delete 제6항에 있어서,
상기 장치는,
상기 지지 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하고,
상기 제어기는,
상기 기판의 회전 방향이 상기 기판의 에지 영역에 상기 레이저가 조사된 이후에 상기 처리액이 공급되도록 상기 지지 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
The device,
Further comprising a controller for controlling the support unit,
The controller,
A substrate processing apparatus configured to control the support unit such that the rotation direction of the substrate is supplied with the processing liquid after the laser is irradiated to the edge region of the substrate. 제1항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 기판의 에지 영역으로 레이저를 조사하여 기판 상의 막 또는 패턴을 제거하고,
상기 기판의 에지 영역으로 처리액을 공급하여 기판 상의 막 또는 패턴을 제거하는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate using the substrate processing apparatus of claim 1,
Irradiating a laser to the edge region of the substrate to remove the film or pattern on the substrate,
A substrate processing method in which a film or pattern on the substrate is removed by supplying a processing liquid to an edge region of the substrate. 제13항에 있어서,
상기 기판의 에지 영역에 상기 레이저가 조사된 이후에 상기 처리액이 공급되도록 상기 기판을 회전 시키는 기판 처리 방법.

The method of claim 13,
A substrate processing method of rotating the substrate so that the processing liquid is supplied after the laser is irradiated to the edge region of the substrate.
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