KR102548765B1 - Supporting unit, apparatus for treating substrate including the same and method for treating substrate using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 예에서, 기판 처리 장치는, 상부가 개방된 통 형상으로 제공되며 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와; 처리 공간 내에서 기판을 지지하며 기판을 회전시키는 지지 유닛과; 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 분사하는 처리액 공급 부재; 그리고, 기판 상의 처리액이 지지 유닛 내부로 침투하는 것을 방지하는 침액 방지 부재를 포함하고, 침액 방지 부재는, 기판 상으로 처리액이 공급되는 동안 기판의 외주면을 둘러싸도록 제공될 수 있다.The present invention provides a substrate processing apparatus. In one example, a substrate processing apparatus includes a processing container provided in a cylindrical shape with an open top and having a processing space therein; a support unit which supports and rotates the substrate within the processing space; a treatment liquid supply member for injecting a treatment liquid onto the substrate supported by the support unit; And, a immersion prevention member that prevents the treatment liquid on the substrate from penetrating into the support unit, wherein the immersion prevention member may be provided to surround an outer circumferential surface of the substrate while the treatment liquid is supplied onto the substrate.

Description

지지 유닛, 기판 처리 장치 및 방법{SUPPORTING UNIT, APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE INCLUDING THE SAME AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE USING THE SAME}Supporting unit, substrate processing apparatus and method

본 발명은 기판을 지지하는 지지 유닛과 이를 포함하는 기판 처리 장치와 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a support unit for supporting a substrate, a substrate processing apparatus including the support unit, and a substrate processing method.

일반적으로 평판 표시 소자 제조나 반도체 제조 공정에서 유리 기판이나 웨이퍼를 처리하는 공정에는 감광액 도포 공정(photoresist coating process), 현상 공정(developing process), 식각 공정(etching process), 애싱 공정(ashing process) 등 다양한 공정이 수행된다.In general, processes for processing glass substrates or wafers in flat panel display device manufacturing or semiconductor manufacturing processes include a photoresist coating process, a developing process, an etching process, an ashing process, and the like. Various processes are performed.

각 공정에는 기판에 부착된 각종 오염물을 제거하기 위해, 약액(chemical) 또는 순수(deionized water)를 이용한 세정 공정(wet cleaning process)과 기판 표면에 잔류하는 약액 또는 순수를 건조시키기 위한 건조(drying process) 공정이 수행된다. 최근에는 황산이나 인산과 같은 고온에서 사용되는 케미칼 수용액을 이용하여 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막을 선택적으로 제거하는 식각 공정을 진행하고 있다.Each process includes a wet cleaning process using chemical or deionized water to remove various contaminants attached to the substrate and a drying process to dry the chemical or deionized water remaining on the substrate surface. ) process is performed. Recently, an etching process for selectively removing a silicon nitride film and a silicon oxide film has been performed using an aqueous chemical solution used at a high temperature such as sulfuric acid or phosphoric acid.

고온의 케미칼 수용액을 이용한 기판 처리 장치에서는 식각률 및 유니포미티를 개선하기 위해 기판을 가열하는 기판 가열 장치가 적용되어 활용되고 있다. 기판 가열 장치에는 복수 개의 램프와 같은 발열체가 제공된다. 도 1은, 일반적인 기판 가열 장치(60)를 나타낸다. 기판 가열 장치(60)는, 기판 상으로 액을 공급하는 상부 액 공급 노즐(61)과 하부 액 공급 노즐(65)을 가진다. 하부 액 공급 노즐(65)은, 기판의 저면을 세척하거나 상부 액 공급 노즐(61)에 의해 토출된 액이 기판 지지 유닛(63)의 내부로 침투하는 것을 방지한다. 하부 액 공급 노즐(65)로 액을 공급하기 위해 기판 지지 유닛(63) 내에 형성된 중공 축(64) 내에는 액 공급 라인 등의 부재가 제공된다.In a substrate processing apparatus using a high-temperature chemical aqueous solution, a substrate heating apparatus for heating a substrate is applied and utilized in order to improve an etching rate and uniformity. The substrate heating device is provided with a heating element such as a plurality of lamps. 1 shows a general substrate heating device 60 . The substrate heating device 60 has an upper liquid supply nozzle 61 and a lower liquid supply nozzle 65 that supply liquid onto the substrate. The lower liquid supply nozzle 65 cleans the lower surface of the substrate or prevents the liquid discharged from the upper liquid supply nozzle 61 from penetrating into the substrate support unit 63 . A member such as a liquid supply line is provided in the hollow shaft 64 formed in the substrate support unit 63 to supply liquid to the lower liquid supply nozzle 65 .

다만, 진공을 이용하여 기판을 고정하는 진공 척이나, 내부에 발광 소재 등을 포함하여 하부 액 공급 노즐(65)을 설치할 수 없는 경우 기판의 저면을 타고 액이 기판 지지 유닛(63) 내부로 침투하는 것을 방지하기 어려운 문제가 있다.However, if the vacuum chuck for fixing the substrate using vacuum or the lower liquid supply nozzle 65 including the light emitting material inside cannot be installed, the liquid penetrates into the substrate support unit 63 along the bottom surface of the substrate. There are problems that are difficult to prevent.

본 발명은, 기판을 지지하는 지지 유닛의 내부로 기판을 처리하기 위한 처리액이 침투하는 것을 방지하기 위한 지지 유닛, 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.The present invention provides a support unit, a substrate processing apparatus, and a method for preventing a processing liquid for processing a substrate from permeating into the support unit supporting the substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited thereto, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 예에서, 기판 처리 장치는, 상부가 개방된 통 형상으로 제공되며 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와; 처리 공간 내에서 기판을 지지하며 기판을 회전시키는 지지 유닛과; 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 분사하는 처리액 공급 부재; 그리고, 기판 상의 처리액이 지지 유닛 내부로 침투하는 것을 방지하는 침액 방지 부재를 포함하고, 침액 방지 부재는, 기판 상으로 처리액이 공급되는 동안 기판의 외주면을 둘러싸도록 제공될 수 있다.The present invention provides a substrate processing apparatus. In one example, a substrate processing apparatus includes a processing container provided in a cylindrical shape with an open top and having a processing space therein; a support unit which supports and rotates the substrate within the processing space; a treatment liquid supply member for injecting a treatment liquid onto the substrate supported by the support unit; And, a immersion prevention member that prevents the treatment liquid on the substrate from penetrating into the support unit, wherein the immersion prevention member may be provided to surround an outer circumferential surface of the substrate while the treatment liquid is supplied onto the substrate.

일 예에서, 침액 방지 부재는, 지지 유닛에 결합된 베이스와; 베이스 상에 안착되어 회전하는 회전 플레이트와; 회전 플레이트의 회전에 따라 기판과 근접한 제1위치와 기판과 이격된 제2위치로 이동되는 블레이드와; 회전 플레이트를 회전하는 구동기를 더 포함할 수 있다.In one example, the anti-immersion member includes a base coupled to a support unit; a rotating plate seated on the base and rotating; a blade that is moved to a first position close to the substrate and a second position spaced apart from the substrate according to the rotation of the rotary plate; A driver for rotating the rotation plate may be further included.

일 예에서, 구동기를 제어하는 제어기를 더 포함하고, 제어기는, 기판이 제1속도로 회전하는 경우 블레이드를 제1위치에 위치시키고, 기판이 제1속도보다 빠른 제2속도로 회전하는 경우 블레이드를 제2위치에 위치시키도록 구동기를 제어할 수 있다.In one example, the controller further includes a controller for controlling the driver, the controller positions the blade in the first position when the substrate rotates at the first speed, and the blade when the substrate rotates at a second speed higher than the first speed. It is possible to control the driver to position the second position.

일 예에서, 제1위치에서, 블레이드와 기판 사이에 미세한 틈이 형성될 수 있다.In one example, in the first position, a fine gap may be formed between the blade and the substrate.

일 예에서, 제1위치는 제2위치로부터 상향 경사진 방향일 수 있다.In one example, the first position may be in an upwardly inclined direction from the second position.

일 예에서, 침액 방지 부재는 지지 유닛과 함께 회전되도록 제공될 수 있다.In one example, the anti-drip member may be provided for rotation with the support unit.

일 예에서, 처리 용기의 하부에 처리액을 배수하는 배수 라인이 제공되고, 침액 방지 부재는 처리 공간 내에 제공될 수 있다.In one example, a drain line for draining the treatment liquid may be provided at a lower portion of the treatment container, and a soaking prevention member may be provided in the treatment space.

일 예에서, 지지 유닛은, 석영 윈도우와; 석영 윈도우 상에 제공되어 기판을 지지하는 지지핀을 더 포함하고, 침액 방지 부재는 석영 윈도우를 감싸되, 기판을 향하는 방향으로 상향 경사지도록 제공될 수 있다.In one example, the support unit includes a quartz window; A support pin provided on the quartz window to support the substrate may be further included, and the immersion prevention member surrounds the quartz window and is inclined upward in a direction toward the substrate.

일 예에서, 지지 유닛은 진공 척 또는 중공 척으로 제공될 수 있다.In one example, the support unit may be provided as a vacuum chuck or hollow chuck.

일 예에서, 기판에 레이저 빔을 조사하여 기판을 가열하기 위한 레이저 빔 조사 유닛을 더 포함하고, 지지 유닛은, 레이저 빔 조사 유닛에서 조사되는 레이저 빔이 투과 가능한 소재로 제공되고, 기판의 하부에 제공되는 윈도우 부재와; 기판의 측부를 지지하며 윈도우 부재와 기판을 소정 간격 이격시키는 척핀과; 윈도우 부재와 결합되고 상하 방향으로 관통되어 레이저 빔이 전달되는 경로를 제공하는 스핀 하우징과; 스핀 하우징을 회전시키는 구동 부재를 포함하고, 레이저 빔 조사 유닛은 윈도우 부재의 하부에 제공되고, 침액 방지 부재는 스핀 하우징에 결합될 수 있다.In one example, the substrate further includes a laser beam irradiation unit for heating the substrate by irradiating a laser beam, and the support unit is provided with a material capable of transmitting the laser beam irradiated from the laser beam irradiation unit, and is disposed on the lower portion of the substrate. a window member provided; a chuck pin that supports the side of the substrate and separates the window member from the substrate by a predetermined interval; a spin housing coupled to the window member and penetrated in the vertical direction to provide a path through which the laser beam is transmitted; A drive member for rotating the spin housing may be included, a laser beam irradiation unit may be provided below the window member, and a immersion prevention member may be coupled to the spin housing.

또한, 본 발명은 지지 유닛을 제공한다. 일 예에서, 지지 유닛은, 처리 공간 내에서 기판을 지지하며 기판을 회전시키는 지지 유닛에 있어서, 석영 윈도우와; 석영 윈도우 상에 제공되어 기판을 지지하는 지지핀과; 석영 윈도우를 둘러싸도록 제공되며 기판 상의 처리액이 기판의 저면을 타고 흐르는 것을 방지하는 침액 방지 부재를 포함하고, 침액 방지 부재는, 기판 상으로 처리액이 공급되는 동안 기판의 외주면에 근접하도록 제공될 수 있다.In addition, the present invention provides a support unit. In one example, a support unit for supporting and rotating a substrate in a processing space includes: a quartz window; a support pin provided on the quartz window to support the substrate; A immersion preventing member provided to surround the quartz window and preventing a processing liquid on the substrate from flowing down the bottom surface of the substrate, wherein the immersion preventing member is provided to be close to an outer circumferential surface of the substrate while the processing liquid is supplied onto the substrate. can

일 예에서, 침액 방지 부재는, 석영 윈도우 외측에 결합된 베이스와; 베이스 상에 안착되어 회전하는 회전 플레이트와; 회전 플레이트의 회전에 따라 기판과 근접한 제1위치와 기판과 이격된 제2위치로 이동되는 블레이드와; 회전 플레이트를 회전하는 구동기를 더 포함할 수 있다.In one example, the anti-immersion member includes a base coupled to the outside of the quartz window; a rotating plate seated on the base and rotating; a blade that is moved to a first position close to the substrate and a second position spaced apart from the substrate according to the rotation of the rotary plate; A driver for rotating the rotation plate may be further included.

일 예에서, 구동기를 제어하는 제어기를 더 포함하고, 제어기는, 기판이 제1속도로 회전하는 경우 블레이드를 제1위치에 위치시키고, 기판이 제1속도보다 빠른 제2속도로 회전하는 경우 블레이드를 제2위치에 위치시키도록 구동기를 제어할 수 있다.In one example, the controller further includes a controller for controlling the driver, the controller positions the blade in the first position when the substrate rotates at the first speed, and the blade when the substrate rotates at a second speed higher than the first speed. It is possible to control the driver to position the second position.

일 예에서, 제1위치에서, 블레이드와 기판 사이에 미세한 틈이 형성될 수 있다.In one example, in the first position, a fine gap may be formed between the blade and the substrate.

일 예에서, 제1위치는 제2위치로부터 상향 경사진 방향일 수 있다.In one example, the first position may be in an upwardly inclined direction from the second position.

일 예에서, 침액 방지 부재는 석영 윈도우와 함께 회전되도록 제공될 수 있다.In one example, an anti-drip member may be provided for rotation with the quartz window.

일 예에서, 지지 유닛은 진공 척 또는 중공 척으로 제공될 수 있다.In one example, the support unit may be provided as a vacuum chuck or hollow chuck.

또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 일 예에서, 제2항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서, 기판이 제1속도로 회전하는 경우 블레이드를 제1위치에 위치시키고, 기판이 제1속도보다 빠른 제2속도로 회전하는 경우 블레이드를 제2위치에 위치시킬 수 있다.In addition, the present invention provides a substrate processing method. In one example, in the method of processing a substrate using the substrate processing apparatus of claim 2, when the substrate rotates at a first speed, the blade is positioned at the first position, and the substrate rotates at a second speed higher than the first speed. When rotating, the blade may be positioned in the second position.

일 예에서, 제1위치에서 기판과 블레이드 사이에 미세한 틈이 형성될 수 있다.In one example, a fine gap may be formed between the substrate and the blade at the first position.

일 예에서, 지지 유닛은 진공 척 또는 중공 척으로 제공될 수 있다.In one example, the support unit may be provided as a vacuum chuck or hollow chuck.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 지지하는 지지 유닛의 내부로 기판을 처리하기 위한 처리액이 침투하는 것을 방지할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, it is possible to prevent a treatment liquid for processing a substrate from permeating into the support unit supporting the substrate.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 처리 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이다.
도 3은 본 발명에 따른 처리 장치의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다.
도 4는 지지 유닛의 단면도이다.
도 5는 발열 부재 제어 방법을 순차적으로 나타내는 플로우 차트이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan configuration diagram showing the configuration of the processing device shown in FIG. 1 .
3 is a cross-sectional side view showing the configuration of a processing device according to the present invention.
4 is a cross-sectional view of the support unit.
5 is a flow chart sequentially showing a heating member control method.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following examples. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes of elements in the figures are exaggerated to emphasize clearer description.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템(1000)은 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)를 포함할 수 있다. 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부는 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)가 배열된 방향을 제 1 방향이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제 1 방향의 수직인 방향을 제 2 방향이라 하며, 제 1 방향과 제 2 방향을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향이라 정의한다.Referring to FIG. 1 , a substrate processing system 1000 of the present invention may include an index unit 10 , a buffer unit 20 and a processing unit 50 . The index unit 10, the buffer unit 20 and the processing unit are arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the index unit 10, the buffer unit 20, and the processing unit 50 are arranged is referred to as a first direction, and a direction perpendicular to the first direction when viewed from above is referred to as a second direction. A direction perpendicular to the plane including the first direction and the second direction is defined as a third direction.

인덱스부(10)는 기판 처리 시스템(1000)의 제 1 방향의 전방에 배치된다. 인덱스부(10)는 4개의 로드 포트(12) 및 1개의 인덱스 로봇(13)을 포함한다. 4개의 로드 포트(12)는 제 1 방향으로 인덱스부(10)의 전방에 배치된다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향을 따라 배치된다. 로드 포트(12)의 개수는 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 로드 포트(12)들에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(예컨대, 카세트, FOUP등)가 안착된다. 캐리어(16)에는 기판들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다.The index unit 10 is disposed in the front of the substrate processing system 1000 in the first direction. The index unit 10 includes four load ports 12 and one index robot 13. The four load ports 12 are disposed in front of the index unit 10 in the first direction. A plurality of load ports 12 are provided and they are arranged along the second direction. The number of load ports 12 may increase or decrease depending on process efficiency and footprint conditions of the substrate processing system 1000 . A carrier (eg, a cassette, a FOUP, etc.) accommodating a substrate W to be provided to the process and a substrate W after the process process is seated in the load ports 12 . The carrier 16 is formed with a plurality of slots for accommodating substrates in a state in which they are arranged horizontally with respect to the ground.

인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 이웃하여 제 1 방향으로 배치된다. 인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 버퍼부(20) 사이에 설치된다. 인덱스 로봇(13)은 버퍼부(20)의 상층에 대기하는 기판(W)을 캐리어(16)로 이송하거나, 캐리어(16)에서 대기하는 기판(W)을 버퍼부(20)의 하층으로 이송한다.The index robot 13 is disposed adjacent to the load port 12 in the first direction. The index robot 13 is installed between the load port 12 and the buffer unit 20 . The index robot 13 transfers the substrate W waiting on the upper layer of the buffer unit 20 to the carrier 16 or transfers the substrate W waiting on the carrier 16 to the lower layer of the buffer unit 20. do.

버퍼부(20)는 인덱스부(10)와 처리부 사이에 설치된다. 버퍼부(20)는 인덱스 로봇(13)에 의해 이송되기 전에 공정에 제공될 기판(W) 또는 메인 이송 로봇(30)에 의해 이송되기 전에 공정 처리가 완료된 기판(W)이 일시적으로 수납되어 대기하는 장소이다.The buffer unit 20 is installed between the index unit 10 and the processing unit. The buffer unit 20 temporarily accommodates a substrate W to be provided to a process before being transferred by the index robot 13 or a substrate W whose process has been completed before being transferred by the main transfer robot 30 is stored and waits. is a place to

메인 이송 로봇(30)은 이동 통로(40)에 설치되며, 각 처리 장치(1)들 및 버퍼부(20) 간에 기판을 이송한다. 메인 이송 로봇(30)은 버퍼부(20)에서 대기하는 공정에 제공될 기판을 각 처리 장치(1)으로 이송하거나, 각 처리 장치(1)에서 공정 처리가 완료된 기판을 버퍼부(20)로 이송한다.The main transfer robot 30 is installed in the moving passage 40 and transfers substrates between each processing device 1 and the buffer unit 20 . The main transfer robot 30 transfers substrates to be provided for a process waiting in the buffer unit 20 to each processing unit 1 or transfers substrates processed in each processing unit 1 to the buffer unit 20. transfer

이동 통로(40)는 처리부 내의 제 1 방향을 따라 배치되며, 메인 이송 로봇(30)이 이동하는 통로를 제공한다. 이동 통로(40)의 양측에는 처리 장치(1)들이 서로 마주보며 제 1 방향을 따라 배치된다. 이동 통로(40)에는 메인 이송 로봇(30)이 제 1 방향을 따라 이동하며, 처리 장치(1)의 상하층, 그리고 버퍼부(20)의 상하층으로 승강할 수 있는 이동 레일이 설치된다.The moving passage 40 is disposed along the first direction in the processing unit and provides a passage through which the main transfer robot 30 moves. On both sides of the moving passage 40, processing devices 1 are disposed facing each other along the first direction. Moving rails are installed in the moving passage 40 so that the main transfer robot 30 can move along the first direction and move up and down to the upper and lower floors of the processing device 1 and to the upper and lower floors of the buffer unit 20 .

처리 장치(1)은 메인 이송 로봇(30)이 설치되는 이동통로(40)의 양측에 서로 마주하게 배치된다. 기판 처리 시스템(1000)은 상하층으로 된 다수개의 처리 장치(1)을 구비하나, 처리 장치(1)의 개수는 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 각각의 처리 장치(1)은 독립적인 하우징으로 구성되며, 이에 각각의 처리 장치 내에서는 독립적인 형태로 기판을 처리하는 공정이 이루어질 수 있다.The processing device 1 is disposed facing each other on both sides of the moving passage 40 where the main transfer robot 30 is installed. The substrate processing system 1000 includes a plurality of upper and lower processing devices 1, but the number of processing devices 1 may increase or decrease depending on the process efficiency and footprint conditions of the substrate processing system 1000. there is. Each processing device 1 is composed of an independent housing, and thus, a process of processing a substrate in an independent form can be performed in each processing device.

이하, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 다양한 처리 유체들을 사용하여 가열된 기판 표면에 잔류하는 이물질 및 막질을 제거하는 장치로 설명한다. 아래의 실시예에서는 고온의 황산, 알카리성 약액(오존수 포함), 산성 약액, 린스액, 그리고 건조가스(IPA가 포함된 가스)와 같은 처리유체들을 사용하여 기판을 세정하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나, 본 발명은 기판을 진공을 이용해서 고정하는 진공 척, 또는 내부에 기판의 저면에 노즐을 제공할 수 없는 구조의 중공 척에 모두 적용될 수 있다.Hereinafter, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention will be described as a device for removing foreign substances and film quality remaining on the surface of a heated substrate using various processing fluids. In the following embodiment, an apparatus for cleaning a substrate using processing fluids such as high-temperature sulfuric acid, alkaline chemical solution (including ozone water), acidic chemical solution, rinsing liquid, and dry gas (gas containing IPA) will be described as an example. However, the present invention can be applied to both a vacuum chuck for fixing a substrate using a vacuum or a hollow chuck having a structure in which nozzles cannot be provided on the bottom surface of the substrate inside.

그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다. 본 발명은 기판을 세정, 건조 등과 같은 다양한 처리를 하기 위해 기판을 가열하는 다른 장치에 적용될 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 기판 처리 장치(1)가 처리하는 기판으로 반도체 기판을 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED(Field Emission Display)용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광학 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다.However, the technical spirit of the present invention is not limited thereto. The present invention can be applied to other apparatuses for heating substrates in order to subject the substrates to various treatments such as cleaning, drying, and the like. In addition, in this embodiment, a semiconductor substrate has been shown and described as an example as a substrate processed by the substrate processing apparatus 1, but the present invention is not limited thereto, and a substrate for a liquid crystal display device, a substrate for a plasma display, a FED (Field Emission Emission It can also be applied to various types of substrates such as display substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, optical magnetic disk substrates, photomask substrates, ceramic substrates, and solar cell substrates.

도 2는 본 발명에 따른 처리 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이고, 도 3은 본 발명에 따른 처리 장치의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 하우징(800), 처리 용기(100), 공정 배기부(500), 지지 유닛(200), 발열 부재, 처리액 공급 부재(310) 그리고 침액 방지 부재(2000)를 포함한다.2 is a plan view showing the configuration of a processing device according to the present invention, and FIG. 3 is a side cross-sectional view showing the configuration of the processing device according to the present invention. Referring to FIGS. 2 and 3 , the substrate processing apparatus 1 includes a housing 800, a processing container 100, a process exhaust unit 500, a support unit 200, a heat generating member, and a processing liquid supply member 310. And it includes the immersion prevention member 2000 .

하우징(800)는 밀폐된 내부 공간을 제공하며, 상부에는 팬필터유닛(810)이 설치된다. 팬필터유닛(810)은 하우징(800) 내부에 하강 기류를 발생시킨다. 일 예에서, 팬필터유닛(810)은 필터와 공기공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 장치이다. 팬필터유닛(810)은, 고습도 외기를 필터링하여 하우징(800) 내부로 공급한다. 고습도 외기는 팬필터유닛(810)을 통과하여 챔버 내부로 공급되어 수직 기류를 형성하게 된다. 이러한 수직 기류는 기판 상부에 균일한 기류를 제공하게 되며, 처리 유체에 의해 기판 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질(흄)들은 공기와 함께 처리 용기(100)의 흡입 덕트들을 통해 공정 배기부(500)로 배출되어 제거됨으로써 처리 용기 내부의 고청정도를 유지하게 된다.The housing 800 provides a sealed inner space, and a fan filter unit 810 is installed on the top. The fan filter unit 810 generates a downward air current inside the housing 800 . In one example, the fan filter unit 810 is a device in which a filter and an air supply fan are modularized as one unit. The fan filter unit 810 filters high humidity outside air and supplies it to the inside of the housing 800 . High humidity outside air passes through the fan filter unit 810 and is supplied into the chamber to form a vertical airflow. This vertical airflow provides a uniform airflow over the substrate, and contaminants (fume) generated in the process of processing the substrate surface by the processing fluid pass through the intake ducts of the processing container 100 together with the air to the process exhaust port. By being discharged to 500 and removed, high cleanliness inside the processing vessel is maintained.

도 3에 도시된 바와 같이, 하우징(800)는 수평 격벽(814)에 의해 공정 영역(816)과 유지보수 영역(818)으로 구획된다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 유지보수 영역(818)에는 처리 용기(100)와 연결되는 배출라인(141,143,145), 배기라인(510) 이외에도 다른 구성이 제공될 수 있다. 일 예에서, 유지보수 영역(818)에는, 승강 유닛(600)의 구동부과, 처리액 공급 부재(310)의 노즐들과 연결되는 구동부, 공급라인 등이 위치할 수 있다. 유지보수 영역(818)은, 기판 처리가 이루어지는 공정 영역(816)으로부터 격리된다. 바람직하다.As shown in FIG. 3 , the housing 800 is divided into a process area 816 and a maintenance area 818 by a horizontal partition wall 814 . Although only a portion is shown in the drawing, the maintenance area 818 may be provided with other configurations in addition to the discharge lines 141 , 143 , and 145 connected to the processing container 100 and the exhaust line 510 . In one example, a driving unit of the lifting unit 600 , a driving unit connected to nozzles of the treatment liquid supply member 310 , and a supply line may be located in the maintenance area 818 . The maintenance area 818 is isolated from the process area 816 where substrate processing takes place. desirable.

처리 용기(100)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(W)을 처리하기 위한 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개구된 상면은 기판(W)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 처리 공간에는 지지 유닛(200)이 위치된다. 처리 용기(100)는 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기덕트(190)가 연결된 하부공간을 제공한다. 처리 용기(100)에는 회전되는 기판상에서 비산되는 약액과 기체를 유입 및 흡입하는 환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)가 다단으로 배치된다. 환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 하나의 공통된 환형공간(용기의 하부공간에 해당)과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. 하부공간에는 배기부재(400)와 연결되는 배기덕트(190)가 제공된다. 구체적으로, 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 구비한다. 제2 흡입덕트(120)는 제1 흡입덕트(110)를 둘러싸고, 제1 흡입덕트(110)로부터 이격되어 위치한다. 제3 흡입덕트(130)는 제2 흡입덕트(120)를 둘러싸고, 제2 흡입덕트(120)로부터 이격되어 위치한다. 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 기판(W)으로부터 비산된 처리액 및 흄이 포함된 기류가 유입되는 제1 내지 제3 회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1 회수 공간(RS1)은 제1 흡입덕트(110)에 의해 정의되고, 제2 회수공간(RS2)은 제1 흡입덕트(110)와 제2 흡입덕트(120) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3 회수공간(RS3)은 제2 흡입덕트(120)와 제3 흡입덕트(130) 간의 이격 공간에 의해 정의된다. 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 각 상면은 중앙부가 개구되고, 연결된 측벽으로부터 개구부측으로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 이루어진다. 이에 따라, 기판(W)으로부터 비산된 처리액은 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 상면들을 따라 회수 공간들(RS1, RS2, RS3) 안으로 흘러간다. 제1 회수공간(RS1)에 유입된 제1 처리액은 제1 회수라인(141)을 통해 외부로 배출된다. 제2 회수공간(RS2)에 유입된 제2 처리액은 제2 회수라인(143)을 통해 외부로 배출된다. 제3 회수공간(RS3)에 유입된 제3 처리액은 제3 회수라인(145)을 통해 외부로 배출된다.The processing container 100 has a cylindrical shape with an open top and provides a processing space for processing the substrate W. The open upper surface of the processing container 100 serves as a path for transporting and transporting the substrate W. A support unit 200 is positioned in the processing space. The processing vessel 100 provides a lower space to which the exhaust duct 190 is connected at the lower end so that forced exhaust is performed. In the processing container 100, first, second, and third annular suction ducts 110, 120, and 130 are disposed in multiple stages to introduce and suck in chemical liquid and gas scattered on a rotating substrate. The annular first, second and third suction ducts 110, 120 and 130 have exhaust ports H communicating with one common annular space (corresponding to the lower space of the container). An exhaust duct 190 connected to the exhaust member 400 is provided in the lower space. Specifically, the first to third suction ducts 110, 120, and 130 each have a bottom surface having an annular ring shape and a side wall extending from the bottom surface and having a cylindrical shape. The second suction duct 120 surrounds the first suction duct 110 and is spaced apart from the first suction duct 110 . The third suction duct 130 surrounds the second suction duct 120 and is spaced apart from the second suction duct 120 . The first to third suction ducts 110, 120, and 130 provide first to third recovery spaces RS1, RS2, and RS3 into which airflow containing the treatment liquid and fumes scattered from the substrate W flows. . The first recovery space RS1 is defined by the first suction duct 110, and the second recovery space RS2 is defined by the separation space between the first suction duct 110 and the second suction duct 120, , The third recovery space RS3 is defined by the separation space between the second suction duct 120 and the third suction duct 130. The upper surfaces of each of the first to third suction ducts 110, 120, and 130 have an open central portion, and are formed of inclined surfaces gradually increasing in distance from the corresponding bottom surface toward the opening from the connected sidewall. Accordingly, the treatment liquid scattered from the substrate W flows into the recovery spaces RS1 , RS2 , and RS3 along the upper surfaces of the first to third suction ducts 110 , 120 , and 130 . The first treatment liquid introduced into the first recovery space RS1 is discharged to the outside through the first recovery line 141 . The second treatment liquid introduced into the second recovery space RS2 is discharged to the outside through the second recovery line 143 . The third treatment liquid introduced into the third recovery space RS3 is discharged to the outside through the third recovery line 145 .

일 예에서, 처리 용기(100)는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)와 결합될 수 있다. 승강 유닛(600)은 처리 용기(100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(100)가 상하로 이동됨에 따라 지지 유닛(200)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 가진다. 브라켓(612)은 처리 용기(100)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 고정결합된다. 기판(W)이 척 스테이지(210)에 로딩 또는 척 스테이지(210)로부터 언로딩될 때 척 스테이지(210)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(100)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 흡입덕트(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 처리 용기(100)의 높이가 조절된다. 이에 따라, 처리 용기(100)와 기판(W) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 따라서, 처리 용기(100)는 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다.In one example, the processing vessel 100 may be coupled with an elevation unit 600 that changes the vertical position of the processing vessel 100 . The lifting unit 600 linearly moves the processing container 100 in the vertical direction. As the processing container 100 moves up and down, the relative height of the processing container 100 with respect to the support unit 200 is changed. The lifting unit 600 has a bracket 612, a moving shaft 614, and an actuator 616. The bracket 612 is fixedly installed on an outer wall of the processing container 100, and a moving shaft 614 moved in a vertical direction by a driver 616 is fixedly coupled to the bracket 612. When the substrate W is loaded onto or unloaded from the chuck stage 210 , the processing container 100 descends so that the chuck stage 210 protrudes upward from the processing container 100 . In addition, when the process is in progress, the height of the processing container 100 is adjusted so that the processing liquid can flow into the predetermined suction ducts 110, 120, and 130 according to the type of the processing liquid supplied to the substrate W. Accordingly, the relative vertical position between the processing container 100 and the substrate W is changed. Accordingly, the treatment chamber 100 may have different types of treatment liquid and pollutant gas recovered for each of the recovery spaces RS1 , RS2 , and RS3 .

선택적으로, 처리 용기(100)는 고정되고, 지지 유닛(200)을 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 가열 유닛(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수 있다.Optionally, the processing vessel 100 may be fixed, and the relative vertical position between the processing vessel 100 and the substrate heating unit 200 may be changed by vertically moving the support unit 200 .

공정 배기부(500)는 처리 용기(100) 내부를 배기한다. 일 예에서, 공정 배기부(500)는 공정 진행 시, 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)중 처리액을 회수하는 흡입덕트에 배기압력(흡입압력)을 제공한다. 공정 배기부(500)는 배기덕트(190)와 연결되는 배기라인(510) 그리고 댐퍼(520)를 포함한다. 배기라인(510)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인의 바닥 공간에 매설된 메인 배기라인과 연결된다.The process exhaust unit 500 exhausts the inside of the processing container 100 . In one example, the process exhaust unit 500 provides exhaust pressure (suction pressure) to a suction duct recovering the treatment liquid among the first to third suction ducts 110, 120, and 130 during the process. The process exhaust unit 500 includes an exhaust line 510 connected to the exhaust duct 190 and a damper 520 . The exhaust line 510 receives exhaust pressure from an exhaust pump (not shown) and is connected to a main exhaust line buried in the floor space of a semiconductor production line.

지지 유닛(200)은 공정 진행 시 기판(W)을 지지한 상태에서 기판을 회전시킨다. 지지 유닛(200)에 관하여 이하에서 자세히 후술한다.The support unit 200 rotates the substrate W while supporting the substrate W during the process. The support unit 200 will be described in detail below.

처리액 공급 부재(310)는 기판으로 처리액을 공급한다. 일 예에서, 처리액은, 기판(W) 표면을 식각하기 위한 고온의 케미칼일 수 있다. 예컨대, 케미컬은 황산, 인산, 또는 황산과 인산의 혼합액일 수 있다.The treatment liquid supply member 310 supplies the treatment liquid to the substrate. In one example, the treatment liquid may be a high-temperature chemical for etching the surface of the substrate W. For example, the chemical may be sulfuric acid, phosphoric acid, or a mixture of sulfuric acid and phosphoric acid.

처리액 공급 부재(310)는 노즐(311), 노즐 암(313), 지지 로드(315), 노즐 구동기(317) 그리고 공급부(320)를 포함한다. 노즐(311)은 공급부(320)를 통해 인산을 공급받는다. 노즐(311)은 기판(W)의 표면으로 인산을 토출한다. 노즐 암(313)의 선단에 노즐(311)이 장착된다. 노즐 암(313)은 노즐(311)을 지지한다. 노즐 암(313)의 후단에는 지지 로드(315)가 장착된다. 지지 로드(315)는 노즐 암(313)의 하부에 위치하며, 노즐 암(313)에 수직하게 배치된다. 노즐 구동기(317)는 지지 로드(315)의 하단에 제공된다. 일 예에서, 노즐 구동기(317)는 지지 로드(315)의 길이 방향 축을 중심으로 지지 로드(315)를 회전시킨다. 일 예에서, 지지 로드(315)의 회전으로 노즐 암(313)과 노즐(311)이 지지 로드(315)를 축으로 스윙 이동한다. 노즐(311)은 처리 용기(100)의 외측과 내측 사이를 스윙 이동할 수 있다. 그리고, 노즐(311)은 기판(W)의 중심과 가장 자리영역 사이 구간을 스윙 이동하며 인산을 토출할 수 있다.The treatment liquid supply member 310 includes a nozzle 311 , a nozzle arm 313 , a support rod 315 , a nozzle driver 317 and a supply unit 320 . The nozzle 311 is supplied with phosphoric acid through the supply unit 320 . The nozzle 311 discharges phosphoric acid to the surface of the substrate W. The nozzle 311 is mounted on the tip of the nozzle arm 313. The nozzle arm 313 supports the nozzle 311 . A support rod 315 is mounted at the rear end of the nozzle arm 313 . The support rod 315 is located below the nozzle arm 313 and is disposed perpendicular to the nozzle arm 313 . The nozzle driver 317 is provided at the lower end of the support rod 315 . In one example, the nozzle driver 317 rotates the support rod 315 about the longitudinal axis of the support rod 315 . In one example, rotation of the support rod 315 swings the nozzle arm 313 and the nozzle 311 about the support rod 315 . The nozzle 311 may swing between the outside and the inside of the processing container 100 . Also, the nozzle 311 may eject phosphoric acid while swinging in a section between the center and the edge region of the substrate W.

도 4는 지지 유닛(200)의 단면도이다. 도 4를 참조하면, 지지 유닛(200)은, 척 스테이지(210), 석영 윈도우(220), 회전부(230)를 포함한다.4 is a cross-sectional view of the support unit 200 . Referring to FIG. 4 , the support unit 200 includes a chuck stage 210 , a quartz window 220 , and a rotation unit 230 .

척 스테이지(210)는 원형의 상부면을 갖으며, 회전부(230)에 결합되어 회전된다. 척 스테이지(210)의 가장자리에는 척킹 핀(212)들이 설치된다. 척킹 핀(212)들은 석영 윈도우(220)를 관통해서 석영 윈도우(220) 상측으로 돌출되도록 제공된다. 척킹 핀(212)들은 다수의 지지 핀(214)들에 의해 지지된 기판(W)이 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬한다. 또한, 공정 진행시 척킹 핀(212)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다. 일 예에서, 회전부(230)는 중공형의 형상을 갖고, 척 스테이지(210)와 결합하여 척 스테이지(210)를 회전시킨다.The chuck stage 210 has a circular upper surface, and is coupled to the rotation unit 230 to rotate. Chucking pins 212 are installed at the edges of the chuck stage 210 . The chucking pins 212 penetrate the quartz window 220 and protrude upward from the quartz window 220 . The chucking pins 212 align the substrate W so that the substrate W supported by the plurality of support pins 214 is placed in the correct position. In addition, during the process, the chucking pins 212 come into contact with the side of the substrate (W) to prevent the substrate (W) from being separated from its original position. In one example, the rotation unit 230 has a hollow shape and is coupled with the chuck stage 210 to rotate the chuck stage 210 .

일 예에서, 척 스테이지(210)에는 기판을 가열하기 위한 발열 부재가 제공될 수 있다. 예컨대, 발열 부재는 LED램프 또는 IR램프로 제공된다.In one example, a heating member for heating a substrate may be provided on the chuck stage 210 . For example, the heating member is provided as an LED lamp or an IR lamp.

일 예에서, 발열 부재와 기판(W) 사이에는 발열 부재들을 보호하기 위한 석영 윈도우(220)가 설치될 수 있다. 석영 윈도우(220)는 투명할 수 있으며 척 스테이지(210)와 함께 회전될 수 있다. 석영 윈도우(220)는 지지 핀(224)들을 포함한다. 지지 핀(224)들은 석영 윈도우(220)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 일정 배열로 배치되며, 석영 윈도우(220)로부터 상측으로 돌출되도록 구비된다. 지지 핀(224)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 석영 윈도우(220)로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다.In one example, a quartz window 220 may be installed between the heating member and the substrate W to protect the heating member. The quartz window 220 may be transparent and may rotate with the chuck stage 210 . Quartz window 220 includes support pins 224 . The support pins 224 are arranged in a regular arrangement at a predetermined distance apart from each other on the edge of the upper surface of the quartz window 220 and protrude upward from the quartz window 220 . The support pins 224 support the lower surface of the substrate W so that the substrate W is supported while being spaced apart from the quartz window 220 in an upward direction.

침액 방지 부재(2000)는, 기판(W) 상의 처리액이 지지 유닛(200) 내부로 침투하는 것을 방지한다. 도 4는 본 발명의 침액 방지 부재(2000)의 평면도이다. 도 3 내지 도4를 참조하면, 침액 방지 부재(2000)는, 고정 부재(2600), 베이스(2200), 회전 플레이트(2300), 블레이드(2400), 커버(2500) 그리고 구동기를 갖는다. 일 예에서, 고정 부재(2600)와 베이스(2200)는 지지 유닛(200)에 결합된다. 예컨대, 고정 부재(2600)는 척 스테이지(220)에 결합되어 침액 방지 부재(2000)의 위치를 고정시킨다. 베이스(2200)에는 회전 플레이트(2300)가 결합된다. 이에, 지지 유닛(200)의 회전과 함께 침액 방지 부재(2000)가 회전한다. 회전 플레이트(2300)는 베이스(2200) 상에 안착되어 회전한다.The anti-immersion member 2000 prevents the treatment liquid on the substrate W from penetrating into the support unit 200 . 4 is a plan view of the immersion prevention member 2000 of the present invention. Referring to FIGS. 3 to 4 , the soaking prevention member 2000 includes a fixing member 2600, a base 2200, a rotating plate 2300, a blade 2400, a cover 2500, and an actuator. In one example, the fixing member 2600 and the base 2200 are coupled to the support unit 200 . For example, the fixing member 2600 is coupled to the chuck stage 220 to fix the position of the soaking prevention member 2000 . A rotating plate 2300 is coupled to the base 2200. Accordingly, the immersion prevention member 2000 rotates along with the rotation of the support unit 200 . The rotation plate 2300 is seated on the base 2200 and rotates.

회전 플레이트(2300)는 구동기에 의해 회전한다. 회전 플레이트(2300)는 블레이드(2400)를 회전시킨다. 예컨대, 회전 플레이트(2300)에는 블레이드(2400)에 형성된 돌기가 결합 가능한 홈이 제공된다. 선택적으로, 회전 플레이트(2300)와 블레이드(2400)는 회전 플레이트(2300) 그리고 블레이드(2400)를 관통하는 핀에 의해 연결될 수 있다. 일 예에서, 블레이드(2400)는 회전 플레이트(2300)의 회전에 따라 기판(W)과 근접한 제1위치와 기판(W)과 이격된 제2위치로 이동된다. 블레이드(2400)가 노출되는 것을 방지하기 위해 커버(2500)가 제공된다. 일 예에서, 침액 방지 부재(2000)는 기판(W)을 향하여 상향 경사진 방향으로 제공된다.The rotating plate 2300 is rotated by a driver. The rotating plate 2300 rotates the blade 2400. For example, the rotating plate 2300 is provided with a groove into which a protrusion formed on the blade 2400 can be coupled. Optionally, the rotation plate 2300 and the blade 2400 may be connected by pins penetrating the rotation plate 2300 and the blade 2400 . In one example, the blade 2400 is moved to a first position close to the substrate W and a second position spaced apart from the substrate W according to the rotation of the rotation plate 2300 . A cover 2500 is provided to prevent the blade 2400 from being exposed. In one example, the anti-immersion member 2000 is provided in an upwardly inclined direction toward the substrate W.

일 예에서, 도 3 내지 도 4는 침액 방지 부재(2000)가 제2위치에 놓인 모습을 나타낸다. 제2위치에서 블레이드(2400)는 커버(2500)와 회전 플레이트(2300)가 사이에 수납된다.In one example, FIGS. 3 and 4 show a state in which the immersion prevention member 2000 is placed in the second position. In the second position, the blade 2400 is accommodated between the cover 2500 and the rotating plate 2300.

이하, 도 5 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 기판 처리 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, the substrate processing method of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 to 9 .

침액 방지 부재(2000)는, 기판(W) 상으로 처리액이 공급되는 동안 기판(W)의 외주면을 둘러싸도록 제공될 수 있다. 이에, 기판(W)을 타고 흐르는 처리액이 지지 유닛(200) 내부로 침투하지 않고, 처리 용기(100)에 제공된 배수 라인을 통해 배출되도록 한다. 일 예에서, 기판(W) 상으로 처리액이 공급되기 이전에, 도 5 및 도 7에 도시된 바와 같이, 침액 방지 부재(2000)가 제1위치로 이동된다. 일 예에서, 제1위치는 제2위치로부터 상향 경사진 방향일 수 있다.The anti-immersion member 2000 may be provided to surround an outer circumferential surface of the substrate W while the treatment liquid is supplied onto the substrate W. Accordingly, the processing liquid flowing along the substrate W is discharged through the drain line provided in the processing container 100 without penetrating into the support unit 200 . In one example, before the treatment liquid is supplied onto the substrate W, as shown in FIGS. 5 and 7 , the immersion prevention member 2000 is moved to a first position. In one example, the first position may be in an upwardly inclined direction from the second position.

일 예에서, 제1위치에서, 블레이드(2400)와 기판(W) 사이에 미세한 틈이 형성될 수 있다. 이에, 침액 방지 부재(2000)는 기판(W)의 회전을 방해하지 않는다. 블레이드(2400)와 기판(W) 사이에 형성된 미세한 틈은 처리액이 워터 브릿지(water bridge) 현상에 의해 처리액이 블레이드(2400)를 타고 흐를 수 있을 정도의 간격으로 제공된다. 이후, 기판(W) 상으로 처리액이 공급되면, 도 6에 도시된 바와 같이 처리액이 블레이드(2400)의 외면을 타고 하방으로 흐른다.In one example, a fine gap may be formed between the blade 2400 and the substrate W at the first position. Thus, the immersion prevention member 2000 does not interfere with the rotation of the substrate W. The minute gap formed between the blade 2400 and the substrate W is provided at an interval sufficient for the treatment liquid to flow along the blade 2400 due to a water bridge phenomenon. Then, when the processing liquid is supplied onto the substrate W, the processing liquid flows downward along the outer surface of the blade 2400 as shown in FIG. 6 .

일 예에서, 도 9에 도시된 바와 같이 기판(W)이 제1속도(V2)로 회전하는 경우 블레이드(2400)를 제1위치에 위치시키고, 기판(W)이 제1속도(V2)보다 빠른 제2속도(V1)로 회전하는 경우 도 8에 도시된 바와 같이 블레이드(2400)를 제2위치에 위치시킬 수 있다. 예컨대, 기판(W)의 회전 속도가 도 8과 같이 충분히 크게 제공되는 경우, 처리액은 기판(W)의 저면을 타고 흐르지 않고 처리 용기(100)를 향하는 방향으로 비산될 수 있다. 이에, 블레이드(2400)가 기판(W)에 근접하지 않더라도 처리액이 기판(W)의 저면으로 흐르지 않을 수 있다. 그러나, 도 9에 도시된 바와 같이, 기판(W)이 느린 속도로 회전하는 경우, 처리액은 기판(W)의 저면을 타고 흐를 수 있다. 이에, 본 발명은, 기판(W)의 회전 속도가 느리게 제공되는 경우, 블레이드(2400)를 제1위치에 위치시킬 수 있다. 선택적으로, 기판(W)의 회전 속도와는 무관하게, 기판(W)으로 처리액을 공급하기 이전에 블레이드(2400)를 제1위치에 위치시킬 수 있다.In one example, as shown in FIG. 9 , when the substrate W rotates at the first speed V2, the blade 2400 is positioned at the first position, and the substrate W moves faster than the first speed V2. When rotating at the fast second speed V1, as shown in FIG. 8, the blade 2400 may be positioned at the second position. For example, when the rotational speed of the substrate W is sufficiently high as shown in FIG. 8 , the processing liquid may be scattered toward the processing container 100 without flowing along the lower surface of the substrate W. Thus, even if the blade 2400 is not close to the substrate W, the processing liquid may not flow to the lower surface of the substrate W. However, as shown in FIG. 9 , when the substrate W rotates at a slow speed, the treatment liquid may flow along the lower surface of the substrate W. Accordingly, in the present invention, when the rotational speed of the substrate W is provided slowly, the blade 2400 may be positioned at the first position. Optionally, regardless of the rotational speed of the substrate (W), the blade 2400 may be positioned in the first position before supplying the treatment liquid to the substrate (W).

상술한 예에서는, 석영 윈도우(220) 내에 발열 부재가 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리, 기판(W)을 가열하기 위한 가열 부재가 상이한 위치에 제공될 수 있다. 도 10은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸다.In the above example, it has been described that the heating member is provided within the quartz window 220 . Alternatively, however, heating members for heating the substrate W may be provided at different positions. 10 shows a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 기판 처리 장치(3000)는 처리 용기(3200), 기판(W) 지지 유닛(3400), 승강 유닛(3600), 액 공급 유닛(3900)을 포함한다.Referring to FIG. 10 , a substrate processing apparatus 3000 includes a processing container 3200, a substrate W support unit 3400, an elevating unit 3600, and a liquid supply unit 3900.

처리 용기(3200)는 상부가 개방된 통 형상을 포함한다. 처리 용기(3200)는 제1 회수통(3210) 및 제2 회수통(3220)을 포함한다. 제2 회수통(3220)은 제1 가드부(3260)와 제2 가드부(3240)를 포함할 수 있다. 제1 가드부(3260)는 제2 회수통(3220)의 최상부에 제공될 수 있다. 제2 회수통(3220)에서 제2 가드부(3240)는 제1 가드부(3260)에서 하부로 이격된 위치에 제공될 수 있다. 제2 가드부(3240)는 기판(W) 지지 유닛(3400) 방향으로 향할수록 상향 경사지게 형성될 수 있다. 제1 가드부(3260)와 제2 가드부(3240)의 사이에는 처리액이 유입되는 제1유입구(3240a)로 기능한다. 제2 가드부(3240)의 하부에는 제2 유입구(3220a)가 제공된다. 제2 가드부(3240)에는 홀(미도시)이 형성되어 제1 유입구(3240a)로 유입된 처리액이 제2 회수통(3220)의 하부에 제공된 제2 회수 라인(3220b)로 흐르도록 구성할 수 있다. 제1 회수통(3210)으로 회수된 처리액은 제1 회수통(3210)의 저면에 연결된 제1 회수 라인(3210b)로 흐르도록 구성된다. 각각의 회수통(321, 3220)에 유입된 처리액들은 각각의 회수라인(321b, 3220b)을 통해 외부의 처리액재생시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.The processing vessel 3200 has a cylindrical shape with an open top. The processing container 3200 includes a first collection container 3210 and a second collection container 3220 . The second collection container 3220 may include a first guard part 3260 and a second guard part 3240 . The first guard part 3260 may be provided at the top of the second collection container 3220 . In the second collection container 3220, the second guard part 3240 may be provided at a position spaced downward from the first guard part 3260. The second guard part 3240 may be inclined upward toward the substrate W support unit 3400 . Between the first guard part 3260 and the second guard part 3240 functions as a first inlet 3240a through which the treatment liquid flows. A second inlet 3220a is provided below the second guard part 3240 . A hole (not shown) is formed in the second guard part 3240 so that the treatment liquid flowing into the first inlet 3240a flows into the second recovery line 3220b provided at the bottom of the second recovery container 3220. can do. The treatment liquid recovered by the first collection container 3210 is configured to flow through the first collection line 3210b connected to the bottom of the first collection container 3210 . The treatment liquids flowing into the respective recovery containers 321 and 3220 may be supplied to an external treatment liquid regeneration system (not shown) through respective recovery lines 321b and 3220b and reused.

승강 유닛(3600)은 처리 용기(3200)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 승강 유닛(3600)은 브라켓(3620), 이동축(3640), 그리고 구동기(3660)를 포함한다. 브라켓(3620)은 처리 용기(3200)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(3620)에는 구동기(3660)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(3640)이 고정 결합된다. 승강 유닛(3600)은 처리 용기(3200)와 기판(W) 지지 유닛(3400)의 상대 높이를 조절하기 위해 제공된다.The lifting unit 3600 linearly moves the processing container 3200 in the vertical direction. The lifting unit 3600 includes a bracket 3620, a moving shaft 3640, and an actuator 3660. The bracket 3620 is fixedly installed on an outer wall of the processing container 3200, and a moving shaft 3640 moved in a vertical direction by a driver 3660 is fixedly coupled to the bracket 3620. The lifting unit 3600 is provided to adjust the relative heights of the processing container 3200 and the substrate W support unit 3400 .

기판(W) 지지 유닛(3400)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 기판(W) 지지 유닛(3400)은 윈도우 부재(3480), 스핀 하우징(3420), 척핀(3460), 구동 부재(3490)를 포함한다.The substrate W support unit 3400 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The substrate W support unit 3400 includes a window member 3480, a spin housing 3420, a chuck pin 3460, and a driving member 3490.

윈도우 부재(3480)는 기판(W)의 하부에 위치된다. 윈도우 부재(3480)는 기판(W)과 대체로 대응되는 형상으로 제공될 수 있다. 윈도우 부재(3480)는 레이저 빔이 투과되어 기판(W)으로 도달하도록 하며, 약액으로부터 기판(W) 지지 부재(3400)의 구성을 보호하는 구성으로서, 설계에 따라 다양한 크기와 형상으로 제공될 수 있다. 지지 부재(1130)는 웨이퍼의 직경보다 큰 직경으로 이루어질 수 있다. 윈도우 부재(3480)는 투광성이 높은 소재로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 빔 조사 유닛(4000)에서 조사되는 레이저 빔이 윈도우 부재(3480)를 투과할 수 있다. 윈도우 부재(3480)는 약액과 반응하지 않도록 내식성이 우수한 소재일 수 있다. 이를 위한 윈도우 부재(3480)의 소재는 일례로, 석영, 유리 또는 사파이어(Sapphire) 등 일 수 있다.A window member 3480 is positioned below the substrate W. The window member 3480 may be provided in a shape substantially corresponding to that of the substrate W. The window member 3480 allows the laser beam to pass through and reach the substrate W and protects the structure of the substrate W support member 3400 from the chemical solution, and may be provided in various sizes and shapes according to design. there is. The support member 1130 may have a larger diameter than the diameter of the wafer. The window member 3480 may be made of a material having high light transmission properties. Accordingly, the laser beam irradiated from the beam irradiation unit 4000 may pass through the window member 3480 . The window member 3480 may be made of a material having excellent corrosion resistance so as not to react with the chemical solution. The material of the window member 3480 for this purpose may be, for example, quartz, glass, or sapphire.

스핀 하우징(3420)는 윈도우 부재(3490)의 저면에 제공될 수 있다. 스핀 하우징(3420)은 윈도우 부재(3490)의 가장자리를 지지한다. 일 예에서, 침액 방지 부재(2000)는 스핀 하우징(3420)에 결합될 수 있다. 스핀 하우징(3420)은 내부에 회전 부재(1110)는 상하 방향으로 관통된 빈 공간을 제공한다. 스핀 하우징(3420)이 형성하는 빈 공간은 빔 조사 유닛(4000)이 인접한 부분으로부터 윈도우 부재(3490)로 갈수록 내경이 증가하게 형성될 수 있다. 스핀 하우징(3420)는 하단에서 상단으로 갈수록 내경이 증가되는 원통 형상일 수 있다. 스핀 하우징(3420)은 내부의 빈 공간에 의해 후술할 빔 조사 유닛(4000)에서 생성된 레이저 빔이 스핀 하우징(3420)에 의해 간섭되지 않고 기판(W)까지 조사될 수 있다. 기판(W)에 공급된 약액이 빔 조사 유닛(4000) 방향으로 침투하지 않도록 스핀 하우징(3420)과 윈도우 부재(3490)의 연결 부분은 밀폐 구조일 수 있다.The spin housing 3420 may be provided on the lower surface of the window member 3490. The spin housing 3420 supports the edge of the window member 3490. In one example, the anti-immersion member 2000 may be coupled to the spin housing 3420. The spin housing 3420 provides an empty space through which the rotating member 1110 vertically penetrates. An empty space formed by the spin housing 3420 may have an inner diameter that increases from a portion adjacent to the beam irradiation unit 4000 toward the window member 3490 . The spin housing 3420 may have a cylindrical shape with an inner diameter increasing from the bottom to the top. Due to the empty space inside the spin housing 3420, a laser beam generated by the beam irradiation unit 4000, which will be described later, can be irradiated to the substrate W without being interfered with by the spin housing 3420. A connection portion between the spin housing 3420 and the window member 3490 may have a closed structure so that the liquid chemical supplied to the substrate W does not penetrate toward the beam irradiation unit 4000 .

구동 부재(3490)는 스핀 하우징(3420)과 결합되어, 스핀 하우징(3420)을 회전시킬 수 있다. 구동 부재(3490)는 스핀 하우징(3420)을 회전시킬 수 있는 것이면, 어느 것이든 사용될 수 있다. 일 예로 구동 부재(3490)는 중공 모터로 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면 구동 부재(3490)는 고정자(3490a)와 회전자(3490b)를 포함한다. 고정자(3490a)는 일 위치에 고정되어 제공되고, 회전자(3490b)는 스핀 하우징(3420)과 결합된다. 스핀 하우징(3490)의 저부는 회전자(3490b)와 결합되어 회전자(3490b)의 회전에 의해 회전될 수 있다. 구동 부재(3490)로서 중공 모터가 이용될 경우 스핀 하우징(3490)의 저부가 좁게 제공될수록 중공 모터의 중공을 작은 것으로 선택할 수 있음에 따라, 제조 단가를 감소시킬 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 구동 부재(3490)를 약액으로부터 보호하는 커버(2500) 부재(3430)를 더 포함할 수 있다.The driving member 3490 may be coupled to the spin housing 3420 to rotate the spin housing 3420. As the driving member 3490, any one capable of rotating the spin housing 3420 may be used. For example, the driving member 3490 may be provided as a hollow motor. According to one embodiment, the driving member 3490 includes a stator 3490a and a rotor 3490b. The stator 3490a is provided fixed at one position, and the rotor 3490b is coupled to the spin housing 3420. The bottom of the spin housing 3490 may be coupled to the rotor 3490b and rotated by the rotation of the rotor 3490b. When a hollow motor is used as the drive member 3490, the manufacturing cost can be reduced because the hollow of the hollow motor can be selected to be smaller as the lower portion of the spin housing 3490 is provided narrower. According to an embodiment, a member 3430 of the cover 2500 protecting the driving member 3490 from chemical liquid may be further included.

액 공급 유닛(3900)은 기판(W) 상부에서 기판(W)으로 약액을 토출하기 위한 구성으로, 하나 이상의 약액 토출 노즐을 포함할 수 있다. 액 공급 유닛(3900)에서 기판(W)으로 공급되는 약액은 기판 처리 공정에 따라 다양할 수 있다. 기판 처리 공정이 실리콘 질화막 식각 공정인 경우, 약액은 인산(H3PO40)을 포함하는 약액일 수 있다. 액 공급 유닛(3900)은 식각 공정 진행 후 기판(W) 표면을 린스하기 위한 탈이온수(DIW0) 공급 노즐, 린스 후 건조 공정을 진행하기 위한 이소프로필 알코올(IPA: Isopropyl Alcohol0) 토출 노즐 및 질소(N20) 토출 노즐을 더 포함할 수 있다.The liquid supply unit 3900 is configured to discharge a chemical liquid from above the substrate W to the substrate W, and may include one or more chemical liquid ejection nozzles. The chemical solution supplied from the liquid supply unit 3900 to the substrate W may vary according to substrate processing processes. When the substrate treatment process is a silicon nitride film etching process, the chemical solution may be a chemical solution containing phosphoric acid (H3PO40). The liquid supply unit 3900 includes a deionized water (DIW0) supply nozzle for rinsing the surface of the substrate (W) after the etching process, an isopropyl alcohol (IPA) discharge nozzle and nitrogen (IPA) for a drying process after rinsing. N20) A discharge nozzle may be further included.

빔 조사 유닛(4000)은 기판(W) 지지 유닛(3400) 상에 위치된 기판(W)을 향하여 레이저 빔을 조사할 수 있다. 레이저 빔 생성기(5000)는 레이저 빔을 생성할 수 있다.The beam irradiation unit 4000 may irradiate a laser beam toward the substrate W positioned on the substrate W support unit 3400 . The laser beam generator 5000 may generate a laser beam.

상술한 예에서는, 지지 유닛(200)에 발열 부재가 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리 지지 유닛(200) 내에는 발열 부재가 제공되지 않을 수 있다.In the above example, it has been described that a heating member is provided in the support unit 200 . However, unlike this, a heating member may not be provided in the support unit 200 .

상술한 예에서는, 침액 방지 부재(2000)가 경사진 방향으로 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리 침액 방지 부재(2000)는 지지 유닛(200)에 놓인 기판(W)과 수직한 “‡향으로 제공될 수 있다.In the above example, it has been described that the soaking prevention member 2000 is provided in an inclined direction. However, unlike this, the anti-immersion member 2000 may be provided in a direction perpendicular to the substrate W placed on the support unit 200 .

본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판(W)의 저면으로 액을 공급하는 노즐을 제공할 수 없는 경우에도, 기판(W)의 저면을 타고 액이 흘러 지지 유닛(200) 내부로 침투하는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.According to one embodiment of the present invention, even when a nozzle for supplying liquid to the bottom of the substrate (W) cannot be provided, the liquid flows along the bottom of the substrate (W) and penetrates into the support unit 200. There are benefits to avoiding it.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and describe preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope equivalent to the written disclosure and / or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are also possible. Therefore, the above detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to cover other embodiments as well.

Claims (20)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
상부가 개방된 통 형상으로 제공되며 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하며 상기 기판을 회전시키는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 분사하는 처리액 공급 부재; 그리고,
상기 기판 상의 상기 처리액이 상기 지지 유닛 내부로 침투하는 것을 방지하는 침액 방지 부재를 포함하고,
상기 침액 방지 부재는,
상기 기판 상으로 상기 처리액이 공급되는 동안 상기 기판의 외주면을 둘러싸도록 제공되고, 상기 기판을 향하는 방향으로 상향 경사지도록 제공되는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing the substrate,
a processing container provided in a tubular shape with an open top and having a processing space therein;
a support unit for supporting and rotating the substrate within the processing space;
a treatment liquid supply member for spraying a treatment liquid to the substrate supported by the support unit; and,
a immersion prevention member preventing the treatment liquid on the substrate from penetrating into the support unit;
The soaking prevention member,
A substrate processing apparatus provided to surround an outer circumferential surface of the substrate while the treatment liquid is supplied onto the substrate and inclined upward in a direction toward the substrate. 제1항에 있어서,
상기 침액 방지 부재는,
상기 지지 유닛에 결합된 베이스와;
상기 베이스 상에 안착되어 회전하는 회전 플레이트와;
상기 회전 플레이트의 회전에 따라 상기 기판과 근접한 제1위치와 상기 기판과 이격된 제2위치로 이동되는 블레이드와;
상기 회전 플레이트를 회전하는 구동기를 더 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The soaking prevention member,
a base coupled to the support unit;
a rotating plate seated on the base and rotating;
a blade moving to a first position close to the substrate and a second position spaced apart from the substrate according to rotation of the rotation plate;
A substrate processing apparatus further comprising a driver for rotating the rotation plate. 제2항에 있어서,
상기 구동기를 제어하는 제어기를 더 포함하고,
상기 제어기는,
상기 기판이 제1속도로 회전하는 경우 상기 블레이드를 제1위치에 위치시키고,
상기 기판이 상기 제1속도보다 빠른 제2속도로 회전하는 경우 상기 블레이드를 제2위치에 위치시키도록 상기 구동기를 제어하는 기판 처리 장치.According to claim 2,
Further comprising a controller for controlling the driver,
The controller,
Positioning the blade at a first position when the substrate rotates at a first speed;
A substrate processing apparatus controlling the driver to position the blade at a second position when the substrate rotates at a second speed faster than the first speed. 제2항에 있어서,
상기 제1위치에서,
상기 블레이드와 상기 기판 사이에 미세한 틈이 형성되는 기판 처리 장치.According to claim 2,
In the first position,
A substrate processing apparatus in which a fine gap is formed between the blade and the substrate. 제2항에 있어서,
상기 제1위치는 상기 제2위치로부터 상향 경사진 방향인 기판 처리 장치.According to claim 2,
The first position is a substrate processing apparatus in a direction inclined upward from the second position. 제1항에 있어서,
상기 침액 방지 부재는 상기 지지 유닛과 함께 회전되도록 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The immersion prevention member is provided to rotate together with the support unit. 제1항에 있어서,
상기 처리 용기의 하부에 상기 처리액을 배수하는 배수 라인이 제공되고,
상기 침액 방지 부재는 상기 처리 공간 내에 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
A drain line for draining the treatment liquid is provided at a lower portion of the treatment container;
The substrate processing apparatus of claim 1 , wherein the immersion prevention member is provided within the processing space. 제1항에 있어서,
상기 지지 유닛은,
석영 윈도우와;
상기 석영 윈도우 상에 제공되어 상기 기판을 지지하는 지지핀을 더 포함하고,
상기 침액 방지 부재는 상기 석영 윈도우를 감싸는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The support unit is
a quartz window;
Further comprising a support pin provided on the quartz window to support the substrate,
The immersion prevention member surrounds the quartz window. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지 유닛은 진공 척 또는 중공 척으로 제공되는 기판 처리 장치.According to any one of claims 1 to 8,
The support unit is provided as a vacuum chuck or a hollow chuck. 제9항에 있어서,
상기 기판에 레이저 빔을 조사하여 상기 기판을 가열하기 위한 레이저 빔 조사 유닛을 더 포함하고,
상기 지지 유닛은,
상기 레이저 빔 조사 유닛에서 조사되는 레이저 빔이 투과 가능한 소재로 제공되고, 상기 기판의 하부에 제공되는 윈도우 부재와;
상기 기판의 측부를 지지하며 상기 윈도우 부재와 상기 기판을 소정 간격 이격시키는 척핀과;
상기 윈도우 부재와 결합되고 상하 방향으로 관통되어 상기 레이저 빔이 전달되는 경로를 제공하는 스핀 하우징과;
상기 스핀 하우징을 회전시키는 구동 부재를 포함하고,
상기 레이저 빔 조사 유닛은 상기 윈도우 부재의 하부에 제공되고,
상기 침액 방지 부재는 상기 스핀 하우징에 결합되는 기판 처리 장치.According to claim 9,
Further comprising a laser beam irradiation unit for irradiating the substrate with a laser beam to heat the substrate;
The support unit is
a window member made of a material capable of transmitting the laser beam emitted from the laser beam irradiation unit and provided under the substrate;
a chuck pin that supports a side portion of the substrate and separates the window member from the substrate by a predetermined interval;
a spin housing coupled to the window member and penetrating in a vertical direction to provide a path through which the laser beam is transmitted;
And a driving member for rotating the spin housing,
The laser beam irradiation unit is provided below the window member,
The substrate processing apparatus of claim 1 , wherein the anti-immersion member is coupled to the spin housing. 처리 공간 내에서 기판을 지지하며 상기 기판을 회전시키는 지지 유닛에 있어서,
석영 윈도우와;
상기 석영 윈도우 상에 제공되어 상기 기판을 지지하는 지지핀과;
상기 석영 윈도우를 둘러싸도록 제공되며 상기 기판 상의 처리액이 상기 기판의 저면을 타고 흐르는 것을 방지하는 침액 방지 부재를 포함하고,
상기 침액 방지 부재는,
상기 기판 상으로 상기 처리액이 공급되는 동안 상기 기판의 외주면에 근접하도록 제공되고, 상기 기판을 향하는 방향으로 상향 경사지도록 제공되는 지지 유닛.A support unit for supporting a substrate in a processing space and rotating the substrate,
a quartz window;
a support pin provided on the quartz window to support the substrate;
An immersion prevention member provided to surround the quartz window and prevent the treatment liquid on the substrate from flowing down the bottom surface of the substrate;
The soaking prevention member,
A support unit provided to be close to an outer circumferential surface of the substrate while the treatment liquid is supplied onto the substrate, and provided to be inclined upward in a direction toward the substrate. 제11항에 있어서,
상기 침액 방지 부재는,
상기 석영 윈도우 외측에 결합된 베이스와;
상기 베이스 상에 안착되어 회전하는 회전 플레이트와;
상기 회전 플레이트의 회전에 따라 상기 기판과 근접한 제1위치와 상기 기판과 이격된 제2위치로 이동되는 블레이드와;
상기 회전 플레이트를 회전하는 구동기를 더 포함하는 지지 유닛.According to claim 11,
The soaking prevention member,
a base coupled to the outside of the quartz window;
a rotating plate seated on the base and rotating;
a blade moving to a first position close to the substrate and a second position spaced apart from the substrate according to rotation of the rotation plate;
A support unit further comprising an actuator for rotating the rotation plate. 제12항에 있어서,
상기 구동기를 제어하는 제어기를 더 포함하고,
상기 제어기는,
상기 기판이 제1속도로 회전하는 경우 상기 블레이드를 제1위치에 위치시키고,
상기 기판이 상기 제1속도보다 빠른 제2속도로 회전하는 경우 상기 블레이드를 제2위치에 위치시키도록 상기 구동기를 제어하는 지지 유닛.According to claim 12,
Further comprising a controller for controlling the driver,
The controller,
Positioning the blade at a first position when the substrate rotates at a first speed;
A support unit for controlling the actuator to position the blade at a second position when the substrate rotates at a second speed higher than the first speed. 제12항에 있어서,
상기 제1위치에서,
상기 블레이드와 상기 기판 사이에 미세한 틈이 형성되는 지지 유닛.According to claim 12,
In the first position,
A support unit in which a fine gap is formed between the blade and the substrate. 제12항에 있어서,
상기 제1위치는 상기 제2위치로부터 상향 경사진 방향인 지지 유닛.According to claim 12,
The first position is a support unit in a direction inclined upward from the second position. 제11항에 있어서,
상기 침액 방지 부재는 상기 석영 윈도우와 함께 회전되도록 제공되는 지지 유닛.According to claim 11,
wherein the anti-immersion member is provided to rotate together with the quartz window. 제11항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지 유닛은 진공 척 또는 중공 척으로 제공되는 지지 유닛.According to any one of claims 11 to 16,
The support unit is provided as a vacuum chuck or a hollow chuck. 제2항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 기판이 제1속도로 회전하는 경우 상기 블레이드를 제1위치에 위치시키고,
상기 기판이 상기 제1속도보다 빠른 제2속도로 회전하는 경우 상기 블레이드를 제2위치에 위치시키는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate using the substrate processing apparatus of claim 2,
Positioning the blade at a first position when the substrate rotates at a first speed;
Positioning the blade at a second position when the substrate rotates at a second speed faster than the first speed. 제18항에 있어서,
상기 제1위치에서 상기 기판과 상기 블레이드 사이에 미세한 틈이 형성되는 기판 처리 방법.According to claim 18,
A substrate processing method in which a fine gap is formed between the substrate and the blade at the first position. 제18항 또는 제19항에 있어서,
상기 지지 유닛은 진공 척 또는 중공 척으로 제공되는 기판 처리 방법.
The method of claim 18 or 19,
The support unit is provided as a vacuum chuck or a hollow chuck.
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