KR20190037479A

KR20190037479A - Substrate treating apparatus and substrate treating method

Info

Publication number: KR20190037479A
Application number: KR1020170126868A
Authority: KR
Inventors: 오승훈; 김종한; 이영일; 송길훈; 박귀수; 유진택; 최중봉
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2017-09-29
Filing date: 2017-09-29
Publication date: 2019-04-08
Also published as: KR102008311B1

Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. According to the present invention, the substrate processing apparatus includes: a support member supporting a substrate and rotationally provided; a laser irradiating unit movably irradiating a laser beam to a region where the laser beam is irradiated to the upper surface of the substrate; and a controller controlling the support member so that the substrate can be rotated in one direction and controlling the laser irradiating unit so that the region to which the laser beam is irradiate can be moved in the same direction with the rotation direction of the substrate.

Description

[0001] DESCRIPTION [0002] Substrate treating apparatus and substrate treating method [

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 박막 중 불필요한 영역을 제거하는 공정으로, 박막에 대한 높은 선택비 및 고 식각률이 요구된다.To fabricate semiconductor devices or liquid crystal displays, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning are performed on the substrate. Among them, the etching process is a process for removing an unnecessary region from a thin film formed on a substrate, and a high selection ratio and a high etching rate are required for the thin film.

일반적으로 기판의 식각 공정 또는 세정 공정은 크게 케미칼 처리 단계, 린스 처리 단계, 그리고 건조 처리 단계가 순차적으로 수행된다. 케미칼 처리 단계에는 기판 상에 형성된 박막을 식각 처리하거나 기판 상의 이물을 제거 하기 위한 케미칼을 기판으로 공급하고, 린스 처리 단계에는 기판 상에 순수와 같은 린스액이 공급된다.In general, the etching process or the cleaning process of the substrate is largely carried out in a chemical treatment stage, a rinsing treatment stage, and a drying treatment stage. In the chemical treatment step, a chemical for etching the thin film formed on the substrate or removing foreign substances on the substrate is supplied to the substrate, and in the rinsing step, a rinsing liquid such as pure water is supplied onto the substrate.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method for efficiently processing a substrate.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 공정 시간이 단축되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.It is still another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which the processing time for processing a substrate is shortened.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판을 지지하며 회전 가능하게 제공되는 지지 부재; 상기 기판의 상면으로 레이저가 조사되는 영역이 이동 가능하게 레이저를 조사하는 레이저 조사 유닛; 및 상기 기판이 일 방향으로 회전 되도록 상기 지지 부재를 제어하고, 상기 기판의 회전 방향과 동일한 방향으로 상기 레이저가 조사된 지점이 이동하도록 상기 레이저 조사 유닛을 제어하는 제어기를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a support member rotatably supported to support a substrate; A laser irradiating unit for irradiating a laser beam onto an upper surface of the substrate so as to move the laser irradiated region; And a controller for controlling the support member so that the substrate is rotated in one direction and controlling the laser irradiation unit such that a point irradiated with the laser is moved in the same direction as the rotation direction of the substrate .

또한, 상기 제어기는 상기 레이저가 상기 기판의 회전 중심을 중심으로 하는 원형의 궤적을 따라 이동하면서 조사되도록 상기 레이저 조사 유닛을 제어할 수 있다.Further, the controller may control the laser irradiation unit such that the laser is irradiated while moving along a circular trajectory about the center of rotation of the substrate.

또한, 상기 제어기는 상기 레이저의 회전 속력은 상기 기판의 회전 속력과 상이하게 되도록 상기 지지 부재와 상기 레이저 조사 유닛을 제어할 수 있다.The controller may control the support member and the laser irradiation unit such that the rotation speed of the laser is different from the rotation speed of the substrate.

또한, 상기 레이저 조사 유닛은 상기 기판의 수직 상방 외측에 위치되고, 상기 제어기는 상기 레이저 조사 유닛의 전단부가 타원 궤적을 따라 이동하면서 기판을 향해 레이저를 조사하도록 상기 레이저 조사 유닛을 제어할 수 있다.Further, the laser irradiation unit is positioned vertically above the substrate, and the controller can control the laser irradiation unit so that the front end of the laser irradiation unit irradiates the laser toward the substrate while moving along the elliptical trajectory.

또한, 상기 레이저 조사 유닛은 상기 기판의 회전 중심의 수직 상방에 위치되고, 상기 제어기는 레이저가 조사되는 상기 레이저 조사 유닛의 단부가 원형으로 이동하면서 레이저를 조사하도록 상기 레이저 조사 유닛을 제어할 수 있다.Further, the laser irradiation unit is located vertically above the rotation center of the substrate, and the controller can control the laser irradiation unit to irradiate the laser while the end of the laser irradiation unit to which the laser is irradiated moves circularly .

또한, 상기 레이저 조사 유닛은 상기 기판의 회전 중심축에서 반경 방향으로 설정 거리 이격되게 위치되고, 상기 제어기는 상기 레이저 조사 유닛이 상기 중심축을 중심으로 원형의 궤적을 따라 이동하면서 레이저를 조사하도록 상기 레이저 조사 유닛을 제어할 수 있다.The laser irradiation unit is positioned at a predetermined radial distance from the rotation center axis of the substrate. The controller controls the laser irradiation unit so that the laser irradiation unit irradiates the laser while moving along a circular trajectory about the central axis. The irradiation unit can be controlled.

또한, 상기 레이저 조사 유닛은, 레이저를 조사하는 레이저 조사 부재; 및 상기 레이저 조사 부재에서 조사된 레이저를 굴절시켜 기판으로 진행되도록 하고, 상하 방향 축을 기준으로 회전 가능하게 제공되는 프리즘을 포함할 수 있다.The laser irradiation unit may further comprise: a laser irradiation member for irradiating a laser; And a prism that refracts the laser beam irradiated from the laser irradiation member to proceed to the substrate and is rotatably provided with respect to the vertical axis.

또한, 상기 레이저 조사 유닛은 상기 기판의 회전 중심의 수직 상방에 위치될 수 있다.Further, the laser irradiation unit may be positioned vertically above the center of rotation of the substrate.

또한, 상기 프리즘의 축은 기판이 회전 중심을 지나게 제공될 수 있다.Further, the axis of the prism may be provided so that the substrate passes through the rotation center.

또한, 상기 레이저 조사 부재는 상기 프리즘의 축 방향으로 레이저를 조사하도록 제공될 수 있다.Further, the laser irradiation member may be provided to irradiate a laser in the axial direction of the prism.

또한, 상기 레이저 조사 유닛은 높이가 가변 되게 제공될 수 있다.Also, the laser irradiation unit can be provided with a variable height.

또한, 상기 레이저 조사 유닛은 기판의 외측 단부에 인접한 영역에 레이저를 조사할 수 있다.Further, the laser irradiation unit can irradiate a laser to an area adjacent to the outer end of the substrate.

또한, 상기 지지 부재에 위치된 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 노즐을 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a treatment liquid nozzle for supplying the treatment liquid to the substrate placed on the support member.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 회전 되는 기판으로 레이저를 조사하여 기판을 처리하되, 상기 레이저가 상기 기판에 조사되는 위치되는 상기 기판의 회전 방향과 동일한 방향으로 회전되는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method in which a substrate is processed by irradiating a laser to a substrate to be rotated, wherein the laser is rotated in the same direction as the rotational direction of the substrate on which the laser is irradiated .

또한, 상기 레이저는 상기 기판의 회전 중심을 중심으로 하는 원형 궤적을 따라 이동할 수 있다.In addition, the laser can move along a circular trajectory about the center of rotation of the substrate.

또한, 상기 레이저의 회전 속력은 상기 기판의 회전 속력과 상이하게 형성될 수 있다.Further, the rotational speed of the laser may be different from the rotational speed of the substrate.

또한, 상기 레이저는 상기 기판의 수직 상방 외측에서 상기 기판을 향해 조사될 수 있다.Further, the laser may be irradiated toward the substrate from outside the vertical upper side of the substrate.

또한, 상기 레이저는 타원 궤도를 따라 이동하며 조사될 수 있다.Further, the laser can be irradiated while moving along the elliptical orbit.

또한, 상기 레이저는 상기 기판의 회전 중심의 수직 상방에서 사선으로 조사될 수 있다.In addition, the laser may be irradiated obliquely above the vertical center of rotation of the substrate.

또한, 상기 레이저는 상기 기판의 회전 중심축에서 반경 방향으로 설정거리 이격된 지점에서 조사될 수 있다.In addition, the laser may be irradiated at a position spaced a predetermined distance radially from the rotational center axis of the substrate.

또한, 상기 레이저는 상기 기판의 외측 단부에 인접한 에지 영역에 조사될 수 있다.Further, the laser may be irradiated to an edge region adjacent to the outer end of the substrate.

또한, 상기 레이저가 조사될 때 상기 기판에 처리액을 공급할 수 있다.Further, the processing liquid can be supplied to the substrate when the laser is irradiated.

또한, 상기 처리액은 인산일 수 있다.Further, the treatment liquid may be phosphoric acid.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can efficiently process a substrate can be provided.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 처리하는 공정 시간이 단축되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.Further, according to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which a process time for processing a substrate is shortened can be provided.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 2는 공정 챔버의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 3은 기판에 조사되는 레이저의 궤적을 나타내는 도면이다.
도 4는 기판의 온도 분포를 나타내는 도면이다.
도 5는 온도에 따른 기판의 처리 정도를 나타내는 도면이다.
도 6은 일 실시 예에 따른 레이저 조사 유닛의 위치관계를 나타내는 도면이다.
도 7은 레이저 조사 유닛의 단부의 이동 궤적과 기판에 조사된 레이저의 관계를 나타내는 도면이다.
도 8은 제2 실시 예에 따른 레이저 조사 유닛을 나타내는 도면이다.
도 9는 다른 실시 예에 따른 레이저 조사 유닛의 레이저 조사 형태를 나타내는 도면이다.
도 10은 또 다른 실시 예에 따른 레이저 조사 유닛의 레이저 조사 형태를 나타내는 도면이다.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing an example of a process chamber.
3 is a view showing the locus of the laser irradiated to the substrate.
4 is a diagram showing the temperature distribution of the substrate.
5 is a view showing the degree of processing of the substrate according to the temperature.
6 is a view showing the positional relationship of the laser irradiation unit according to one embodiment.
7 is a diagram showing the relationship between the movement locus of the end portion of the laser irradiation unit and the laser irradiated to the substrate.
8 is a view showing the laser irradiation unit according to the second embodiment.
9 is a view showing a laser irradiation pattern of a laser irradiation unit according to another embodiment.
10 is a view showing a laser irradiation pattern of a laser irradiation unit according to another embodiment.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가진다. 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 위쪽에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 has an index module 10 and a process processing module 20. The index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. The direction in which the load port 120, the transfer frame 140 and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 Direction is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. [

로드포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 위치된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 변경될 수 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. In the load port 140, the carrier 130 housing the substrate W is positioned. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. The number of the load ports 120 can be changed according to the process efficiency and the footprint condition of the process module 20 or the like. A plurality of slots (not shown) are formed in the carrier 130 for accommodating the substrates W horizontally with respect to the paper surface. As the carrier 130, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버(260)들이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버(260)들은 이송챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정 챔버(260)들이 제공된다. 공정 챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정 챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 변경될 수 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed on both sides of the transfer chamber 240, respectively. At one side and the other side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. A plurality of process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are stacked together. That is, at one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B. Where A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may be varied. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and on both sides of the transfer chamber 240.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 마주보는 면 및 이송챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다.The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ In the buffer unit 220, a slot (not shown) in which the substrate W is placed is provided. A plurality of slots (not shown) are provided to be spaced along the third direction 16 from each other. The buffer unit 220 is opened on the side facing the transfer frame 140 and on the side facing the transfer chamber 240.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the carrier 130 that is seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 20 to the carrier 130 and another portion of the index arms 144c from the carrier 130 to the processing module 20, ). &Lt; / RTI > This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed so as to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. Body 244b is also provided to be rotatable on base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided for forward and backward movement relative to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided and each is provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16.

공정 챔버(260)는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행한다. 공정 챔버(260)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260)는 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.The process chamber 260 performs a cleaning process on the substrate W. The process chamber 260 may have a different structure depending on the type of cleaning process to be performed. Alternatively, each of the process chambers 260 may have the same structure. Alternatively, the process chambers 260 belonging to the same group may be the same, and the structures of the process chambers 260 belonging to different groups may be different from each other.

도 2는 공정 챔버의 일 예를 나타내는 도면이다.2 is a view showing an example of a process chamber.

도 2를 참조하면, 공정 챔버(260)는 컵(320), 지지 부재(340), 승강유닛(360), 처리액 노즐(380), 레이저 조사 유닛(390) 및 제어기(400)를 포함한다.2, the process chamber 260 includes a cup 320, a support member 340, a lift unit 360, a process liquid nozzle 380, a laser irradiation unit 390, and a controller 400 .

제어기(400)는 후술하는 바와 같이 공정 챔버(260)의 구성들이 동작하도록 공정 챔버(260)의 구성요소들을 제어한다.The controller 400 controls the components of the process chamber 260 such that the configurations of the process chamber 260 operate as described below.

컵(320)은 내부에 기판(W)이 처리되는 처리공간을 제공한다. 컵(320)은 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 컵(320)은 내부회수통(322), 중간회수통, 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 지지 부재(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 중간회수통(324)은 내부회수통(322)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이공간(326a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(322,324,326)의 저면 아래에는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수통(322,324,326)에 유입된 처리액들은 회수라인(322b,324b,326b)을 통해 외부의 처리액재생시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.The cup 320 provides a processing space in which the substrate W is processed. The cup 320 has a cylindrical shape with its top opened. The cup 320 has an inner recovery cylinder 322, an intermediate recovery cylinder, and an outer recovery cylinder 326. Each of the recovery cylinders 322, 324, and 326 recovers the different treatment liquids among the treatment liquids used in the process. The inner recovery cylinder 322 is provided in an annular ring shape surrounding the support member 340. The intermediate recovery bottle 324 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery bottle 322. The outer recovery cylinder 326 is provided in the form of an annular ring surrounding the intermediate recovery cylinder 324. A space 326a between the inner recovery bottle 322 and the intermediate recovery bottle 324 and a space 326b between the intermediate recovery bottle 324 and the outer recovery bottle 326. The inner space 322a of the inner recovery bottle 322, The intermediate recovery bottle 326a functions as an inlet through which the process liquid flows into the inner recovery bottle 322, the intermediate recovery bottle 324, and the outer recovery bottle 326, respectively. According to one example, each inlet may be located at a different height from each other. Collection lines 322b, 324b, and 326b are connected under the bottom of each of the collection bins 322, 324, and 326. The treatment liquids flowing into the respective recovery cylinders 322, 324 and 326 can be supplied to an external treatment liquid regeneration system (not shown) through the recovery lines 322b, 324b and 326b and reused.

지지 부재(340)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 지지 부재(340)는 스핀척(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 스핀척(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 스핀척(342)의 외측면은 단차지도록 제공된다. 스핀척(342)는 그 저면이 상부면에 비해 작은 직경을 가지도록 제공된다. 스핀척(342)의 외측면은 제1경사면(341), 수평면(343), 그리고 제2경사면(345)을 가진다. 제1경사면(341)은 스핀척(342)의 상부면으로부터 아래로 연장된다. 수평면(343)은 제1경사면(341)의 하단으로부터 내측방향으로 연장된다. 제2경사면(345)은 수평면(343)의 내측단으로부터 아래로 연장된다. 제1경사면(341) 및 제2경사면(345) 각각은 몸체의 중심축과 가까워질수록 하향경사진 방향을 향하도록 제공된다.The support member 340 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The support member 340 has a spin chuck 342, a support pin 344, a chuck pin 346, and a support shaft 348. The spin chuck 342 has an upper surface that is generally provided in a circular shape when viewed from above. The outer surface of the spin chuck 342 is provided to be stepped. The spin chuck 342 is provided such that its bottom surface has a smaller diameter than the upper surface. The outer surface of the spin chuck 342 has a first inclined surface 341, a horizontal surface 343, and a second inclined surface 345. The first inclined surface 341 extends downward from the upper surface of the spin chuck 342. The horizontal surface 343 extends inward from the lower end of the first inclined surface 341. The second inclined surface 345 extends downward from the inner end of the horizontal surface 343. Each of the first inclined surface 341 and the second inclined surface 345 is provided so as to be inclined downwardly toward the center axis of the body.

지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 스핀척(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 스핀척(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 스핀척(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. A plurality of support pins 344 are provided. The support pin 344 is spaced apart from the edge of the upper surface of the spin chuck 342 by a predetermined distance and protrudes upward from the spin chuck 342. The support pins 344 are arranged so as to have a generally annular ring shape in combination with each other. The support pin 344 supports the rear edge of the substrate W so that the substrate W is spaced apart from the upper surface of the spin chuck 342 by a predetermined distance.

척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 스핀척(342)의 중심축에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 스핀척(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 지지 부재(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 스핀척(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 스핀척(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 지지 부재(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.A plurality of the chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther away from the support pin 344 in the central axis of the spin chuck 342. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the spin chuck 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W is not laterally displaced in place when the support member 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided to allow linear movement between the standby position and the supporting position along the radial direction of the spin chuck 342. The standby position is a position far from the center of the spin chuck 342 as compared with the support position. The chuck pin 346 is placed in the standby position when the substrate W is loaded or unloaded on the support member 340 and the chuck pin 346 is placed in the support position when the substrate W is being processed. At the support position, the chuck pin 346 contacts the side of the substrate W.

지지축(348)은 스핀척(342)을 회전 가능하게 지지한다. 지지축(348)은 스핀척(342)의 아래에 위치된다. 지지축(348)은 회전축(347) 및 고정축(349)을 포함한다. 회전축(347)은 내축으로 제공되고, 고정축(349)은 외축으로 제공된다. 회전축(347)은 그 길이방향이 제3방향을 향하도록 제공된다. 회전축(347)은 스핀척(342)의 저면에 고정 결합된다. 회전축(347)은 구동부재(350)에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 스핀척(342)는 회전축(347)과 함께 회전되도록 제공된다. 고정축(349)은 회전축(347)을 감싸는 중공의 원통 형상을 가진다. 고정축(349)은 회전축(347)에 비해 큰 직경을 가지도록 제공된다. 고정축(349)의 내측면은 회전축(347)과 이격되게 위치된다. 고정축(349)은 회전축이 회전되는 중에 고정된 상태를 유지한다. The support shaft 348 rotatably supports the spin chuck 342. The support shaft 348 is positioned below the spin chuck 342. The support shaft 348 includes a rotation shaft 347 and a fixed shaft 349. The rotary shaft 347 is provided as an inner shaft, and the fixed shaft 349 is provided as an outer shaft. The rotary shaft 347 is provided such that its longitudinal direction is directed to the third direction. The rotating shaft 347 is fixedly coupled to the bottom surface of the spin chuck 342. The rotary shaft 347 is rotatably provided by the driving member 350. The spin chuck 342 is provided to rotate together with the rotation shaft 347. The fixed shaft 349 has a hollow cylindrical shape surrounding the rotation shaft 347. The fixed shaft 349 is provided so as to have a larger diameter than the rotating shaft 347. The inner surface of the fixed shaft 349 is positioned apart from the rotary shaft 347. The fixed shaft 349 maintains a fixed state while the rotating shaft is rotated.

승강유닛(360)은 컵(320)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(320)이 상하로 이동됨에 따라 지지 부재(340)에 대한 컵(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 컵(320)의 외벽에 설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 지지 부재(340)로부터 들어올려 질 때 지지 부재(340)가 컵(320)의 상부로 돌출되도록 컵(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기 설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 컵(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강유닛(360)은 지지 부재(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 360 moves the cup 320 in the vertical direction. As the cup 320 is moved up and down, the relative height of the cup 320 to the support member 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is installed on the outer wall of the cup 320 and the bracket 362 is coupled with a moving shaft 364 which is vertically moved by a driver 366. The cup 320 is lowered so that the support member 340 protrudes to the upper portion of the cup 320 when the substrate W is placed on the spin head 340 or lifted from the support member 340. [ In addition, the height of the cup 320 is adjusted so that the processing liquid can be introduced into the predetermined collection container 360 according to the type of the processing liquid supplied to the substrate W when the process is performed. Alternatively, the lifting unit 360 can move the support member 340 in the vertical direction.

처리액 노즐(380)은 기판(W)으로 처리액을 분사한다. 처리액 노즐(380)은 기판(W) 처리 효율을 증가시키기 위해 설정 온도로 가열된 처리액을 기판(W)에 분사할 수 있다. 처리액 노즐(380)은 복수 개로 제공될 수 있다. 각각의 처리액 노즐(380)은 서로 상이한 종류의 액을 공급할 수 있다. The treatment liquid nozzle 380 sprays the treatment liquid onto the substrate W. The treatment liquid nozzle 380 can spray the treatment liquid heated to the set temperature onto the substrate W to increase the treatment efficiency of the substrate W. [ The plurality of processing liquid nozzles 380 may be provided. Each of the treatment liquid nozzles 380 can supply different kinds of liquids.

처리액 노즐(380)은 위치가 변경 가능하게 제공될 수 있다. 처리액 노즐(380)은 공정위치와 대기위치로 이동 가능하다. 여기서 공정위치는 처리액 노즐(380)이 지지 부재(340)와 상하로 설정 거리 이격되어 마주 보는 위치이고, 대기위치는 처리액 노즐(380)이 공정위치를 벗어난 위치이다. 일 예에 의하면, 처리액은 케미칼, 린스액, 그리고 유기용제일 수 있다. 케미칼은 인산(H3PO4)일 수 있다. 린스액은 순수일 수 있다. 유기용제는 이소프로필알코올(IPA)액일 수 있다.The treatment liquid nozzle 380 can be provided in a position-changeable manner. The process liquid nozzle 380 is movable to the process position and the standby position. Here, the process position is a position where the process liquid nozzle 380 is opposed to the support member 340 at a predetermined distance away from the support member 340, and the standby position is a position where the process liquid nozzle 380 is out of the process position. According to one example, the treatment liquid may be a chemical, a rinsing liquid, and an organic solvent. The chemical may be phosphoric acid (H3PO4). The rinse liquid may be pure. The organic solvent may be an isopropyl alcohol (IPA) solution.

레이저 조사 유닛(390)은 지지 부재(340)에 위치된 기판(W)으로 레이저(L)(도 3의 L)를 조사한다. 레이저(L)가 조사되어 기판(W)이 공정 처리 될 때, 기판(W) 지지 부재(340)는 기판(W)을 회전 시킬 수 있다. 레이저(L)에 의한 기판(W)의 공정 처리는 레이저(L)에 의한 기판(W)의 가열 공정일 수 있다. 일 예로, 레이저(L)에 의한 기판(W)의 공정 처리는 케미컬, 기판(W) 세정을 위한 세정액 등과 같은 처리액이 기판(W)에 도포되기 전이나, 처리액이 도포된 상태의 기판(W)을 가열하여, 처리액에 의한 기판(W)의 처리를 보조하는 공정일 수 있다.The laser irradiating unit 390 irradiates the laser L (L in Fig. 3) to the substrate W placed on the supporting member 340. [ When the laser L is irradiated to process the substrate W, the substrate W supporting member 340 can rotate the substrate W. [ The process of processing the substrate W by the laser L may be the process of heating the substrate W by the laser L. [ For example, the processing of the substrate W by the laser L may be performed before the processing liquid such as the chemical liquid and the cleaning liquid for cleaning the substrate W is applied to the substrate W, And heating the wafer W to assist the processing of the substrate W by the processing solution.

도 3은 기판에 조사되는 레이저의 궤적을 나타내는 도면이다.3 is a view showing the locus of the laser irradiated on the substrate.

도 3을 참조하면, 레이저 조사 유닛(390)은 기판(W)의 상면을 향해 설정 면적을 갖는 레이저(L)를 조사한다. 기판(W)의 상면에 조사된 레이저(L)는 원, 다각형 등의 모양을 가질 수 있다. 레이저(L)는 기판(W)의 외측 단부에 인접한 에지 영역에 조사될 수 있다. 레이저(L)가 기판(W)의 회전 중심에서 반경방향으로 설정 거리 이격 된 지점에 조사된 상태로, 기판(W)이 일 방향(R1)으로 회전되면, 레이저(L)는 원형의 궤적을 따라 기판(W)에 조사된다. 기판(W) 처리 공정이 수행되는 동안, 지지 부재(340)는 설정 속력 또는 설정 범위의 속력으로 기판(W)을 회전 시킨다. 예를 들어, 처리액 노즐(380)이 기판(W)으로 처리액을 공급할 때, 기판(W)이 설정 속력으로 회전 되어야 처리액은 원심력에 의해 원활히 퍼져 나가면서 기판(W)에 효과적으로 도포될 수 있다.Referring to FIG. 3, the laser irradiation unit 390 irradiates a laser L having a set area toward the upper surface of the substrate W. As shown in FIG. The laser L irradiated on the upper surface of the substrate W may have a circular, polygonal, or other shape. The laser L may be irradiated to an edge region adjacent to the outer end of the substrate W. [ When the substrate W is rotated in the one direction R1 with the laser L being irradiated at a position spaced a predetermined distance in the radial direction from the rotation center of the substrate W, And is then irradiated onto the substrate W. While the substrate W processing process is being performed, the support member 340 rotates the substrate W at a set speed or a set speed. For example, when the processing liquid nozzle 380 supplies the processing liquid to the substrate W, the processing liquid must be effectively applied to the substrate W while the substrate W is rotated at the set speed so that the processing liquid spreads smoothly by the centrifugal force .

도 4는 기판의 온도 분포를 나타내는 도면이다.4 is a diagram showing the temperature distribution of the substrate.

도 4를 참조하면, 기판(W)이 회전됨에 따라 레이저(L)가 조사되는 지점을 포함하는 원형의 궤적은 설정 범위의 온도를 갖는다.Referring to Fig. 4, the circular locus including the point where the laser L is irradiated as the substrate W is rotated has a temperature in the set range.

레이저(L)가 조사되는 지점이 정지된 상태로 기판(W)이 설정 속력으로 회전되면, 레이저(L)가 조사되는 궤적의 온도 분포는 대비 분포 라인(L1)과 같이 형성될 수 있다. 궤적에 따른 온도 분포는 레이저(L)가 조사되는 지점이 가장 높고, 기판(W)의 회전에 따른 레이저(L)의 진행 방향 및 레이저(L)가 조사되는 지점의 뒤쪽이 낮게 형성된다. 이와 같은 온도 분포는 기판(W)의 회전에 따라 기판(W)의 주위에 형성되는 기류에 의한 냉각, 기판(W)에 도포된 처리액과의 열교환에 따른 기판(W)의 냉각으로 나타난다. 그러나, 지지 부재(340)는 상대적으로 고속으로 회전됨에 따라, 기판(W)의 일 지점에 레이저(L)가 조사된 후 다시 레이저(L)가 조사 되기까지의 시간이 짧게 형성되어, 원형 궤도 상의 온도의 편차는 작게 형성된다.When the substrate W is rotated at the set speed while the point where the laser L is irradiated is stopped, the temperature distribution of the locus irradiated with the laser L may be formed like the contrast distribution line L1. The temperature distribution along the trajectory is highest at the point where the laser L is irradiated and behind the point at which the laser L travels along with the rotation of the substrate W and the point where the laser L irradiates. Such a temperature distribution is indicated by the cooling by the air current formed around the substrate W in accordance with the rotation of the substrate W and the cooling of the substrate W by heat exchange with the processing liquid applied to the substrate W. However, as the support member 340 is rotated at a relatively high speed, the time from the irradiation of the laser L to one point of the substrate W to the irradiation of the laser L is shortened, The deviation of the temperature on the surface is made small.

본 발명에 따른 레이저 조사 유닛(390)은 지지 부재(340)에 의한 기판(W)의 회전과 동조하여 레이저(L)가 조사되는 지점이 일 방향(도 3의 R2)으로 회전되도록 레이저(L)를 조사한다.The laser irradiating unit 390 according to the present invention is a laser irradiating unit for irradiating a laser beam L so that the point where the laser L is irradiated is synchronized with the rotation of the substrate W by the support member 340 is rotated in one direction ).

레이저 조사 유닛(390)은 기판(W)의 회전 방향과 동일한 방향으로 회전되면서 회전 되는 형태로 레이저(L)를 조사한다. 따라서, 기판(W)의 상면에 대한 레이저(L)의 이동 속도는, 레이저(L)가 특정한 일 지점에 정지된 상태로 조사될 때에 비해, 느리게 형성된다. 레이저 조사 유닛(390)은 기판(W)의 회전 중심과 레이저(L)가 조사되는 지점의 거리를 반경으로 갖는 원을 따라 회전 되는 형태로 레이저(L)를 조사할 수 있다. 따라서, 레이저(L)는 기판(W)의 회전에 따른 궤적과 동일한 궤적을 따라 이동되면서 조사될 수 있다.The laser irradiation unit 390 irradiates the laser L in such a manner that it is rotated while being rotated in the same direction as the rotation direction of the substrate W. Therefore, the moving speed of the laser L with respect to the upper surface of the substrate W is formed to be slower than when the laser L is irradiated in a state where the laser L is stationary at a specific point. The laser irradiating unit 390 can irradiate the laser L in such a manner that the laser irradiating unit 390 is rotated along a circle having the radius of the distance between the center of rotation of the substrate W and the point where the laser L is irradiated. Therefore, the laser L can be irradiated while being moved along the same locus as the trajectory of the rotation of the substrate W.

레이저(L)가 기판(W)의 회전 방향(R1)으로 회전 되면서 조사되면, 레이저(L)가 조사되는 궤적의 온도 분포는 공정 분포 라인(L2)과 같이 형성된다. 궤적에 다른 온도 분포는 레이저(L)가 조사되는 지점이 가장 높고, 기판(W)의 회전에 따른 레이저(L)의 진행 방향 및 레이저(L)가 조사되는 지점의 뒤쪽이 낮게 형성된다. 공정 분포 라인(L2)을 대비 분포 라인(L1)과 비교하면, 레이저(L)가 조사되는 지점을 포함한 설정 영역은 공정 분포 라인(L2)의 온도가 대비 분포 라인(L1)보다 높게 형성된다. 그리고, 기판(W)의 회전 방향을 기준으로 레이저(L)가 조사되는 지점을 포함한 영역의 앞쪽 과 뒤쪽은 공정 분포 라인(L2)의 온도가 대비 분포 라인(L1)보다 낮게 형성된다. 이는, 기판(W)에 대한 레이저(L)의 상대 속력이 기판(W)의 회전 속력보다 느려짐에 따라, 기판(W)의 일 지점에 레이저(L)가 조사되는 시간이 증가되는 반면, 기판(W)의 일 지점에 레이저(L)가 조사된 후 다시 레이저(L)가 조사 되기까지의 시간이 길어지는 것에 따른 것이다.When the laser L is irradiated while being rotated in the rotation direction R1 of the substrate W, the temperature distribution of the locus irradiated with the laser L is formed like the process distribution line L2. The other temperature distribution in the trajectory has the highest point at which the laser L is irradiated and the trailing edge of the laser L traveling along the rotation of the substrate W and the point at which the laser L is irradiated is formed lower. When the process distribution line L2 is compared with the contrast distribution line L1, the setting region including the point where the laser L is irradiated is formed such that the temperature of the process distribution line L2 is higher than the contrast distribution line L1. The temperature of the process distribution line L2 is formed to be lower than the contrast distribution line L1 in the front and back of the region including the point where the laser L is irradiated with respect to the rotation direction of the substrate W. [ This is because the relative speed of the laser L relative to the substrate W is slower than the rotational speed of the substrate W so that the time during which the laser L is irradiated to one point of the substrate W is increased, The time from the irradiation of the laser L to one point of the wafer W to the irradiation of the laser L is prolonged.

도 5는 온도에 따른 기판의 처리 정도를 나타내는 도면이다.5 is a view showing the degree of processing of the substrate according to the temperature.

도 5를 참조하면, 처리액에 따른 기판(W)의 처리 정도는, 기판(W) 또는 처리액의 온도가 증가함에 따라 증가한다. 이는, 기판(W)과 처리액의 반응성이 온도가 증가함에 따른 것이다. 특히, 처리액이 기판(W)을 식각, 세정하기 위한 케미컬인 경우 온도에 따른 반응성의 차이가 명확이 나타난다. 또한, 온도의 증가에 따른 기판(W)의 처리 정도는 아래로 볼록한 고차 함수의 형태로 증가한다. 따라서, 본 발명에 따라 레이저(L)를 기판(W)의 회전 방향으로 이동 시키면서 기판(W)에 대한 레이저(L)의 상대속도를 감소시킨 상태로 조사하여, 레이저(L)가 조사되고 있는 영역의 온도를 높이면, 처리액에 의한 기판(W)의 처리 정도를 증가시키고, 공정 처리에 소요되는 시간을 줄일 수 있다. 또한, 기판(W)의 회전 속력과 레이저(L)의 회전 속력에 차이를 두면, 레이저(L)는 기판(W)의 상면에 대해 원형의 궤적을 따라 조사될 수 있다.Referring to Fig. 5, the degree of processing of the substrate W according to the processing liquid increases as the temperature of the substrate W or the processing liquid increases. This is because the reactivity of the substrate W with the treatment liquid increases as the temperature increases. Particularly, when the treatment liquid is a chemical for etching and cleaning the substrate W, the difference in reactivity with temperature becomes clear. In addition, the degree of processing of the substrate W as the temperature increases increases in the form of a convex higher order function. Therefore, according to the present invention, while the laser L is moved in the rotational direction of the substrate W while the relative speed of the laser L with respect to the substrate W is reduced, By increasing the temperature of the region, the degree of processing of the substrate W by the processing liquid can be increased and the time required for the processing can be reduced. The laser L can be irradiated along the circular trajectory with respect to the upper surface of the substrate W by making a difference between the rotation speed of the substrate W and the rotation speed of the laser L. [

도 6은 일 실시 예에 따른 레이저 조사 유닛의 위치관계를 나타내는 도면이고, 도 7은 레이저 조사 유닛의 단부의 이동 궤적과 기판에 조사된 레이저의 관계를 나타내는 도면이다.Fig. 6 is a diagram showing the positional relationship of the laser irradiation unit according to one embodiment, and Fig. 7 is a diagram showing the relationship between the movement locus of the end portion of the laser irradiation unit and the laser irradiated to the substrate.

도 6 및 도 7을 참조하면, 레이저 조사 유닛(390a)은 지지 부재(340) 및 지지 부재(340)에 위치된 기판(W)의 수직 상방 외측에 위치되도록 제공된다. 레이저 조사 유닛(390a)은 지지 부재(340)에 위치된 기판(W)의 상면 방향으로 사선으로 레이저(L)를 조사한다.6 and 7, the laser irradiation unit 390a is provided so as to be located vertically above the substrate W positioned on the support member 340 and the support member 340. As shown in Fig. The laser irradiating unit 390a irradiates the laser L obliquely in the direction of the upper surface of the substrate W placed on the supporting member 340. [

레이저 조사 유닛(390a)은 레이저(L)가 조사되는 전단부가 회전 되는 형태로 구동 되거나, 레이저 조사 유닛(390)이 설정 궤도를 회전 되는 형태로 구동될 수 있다. 이에 따라, 기판(W)에 조사된 레이저(L)는 기판(W)의 회전 방향(R1)을 따라 회전되면서 조사될 수 있다. 이 때, 레이저(L)가 조사되는 레이저 조사 유닛(390a)의 단부가 이동하는 궤적(OL)은 타원으로 제공된다. 위쪽에서 바라 볼 때, 타원 궤적(OL)은 기판(W)과 이격되는 방향이 단축이 되고, 기판(W)과 이격되는 방향에 대해 수직한 방향이 장축이 되게 형성된다. 레이저(L)가 조사되는 레이저 조사 유닛(390)의 단부가 이와 같은 타원 궤적(OL)을 따라 이동하면, 정사영의 원리에 의해 기판(W)에 조사된 레이저(L)는 원형의 궤적(R2)을 따라 이동할 수 있다.The laser irradiating unit 390a may be driven in such a manner that the front end portion irradiated with the laser L is rotated or the laser irradiating unit 390 may be driven in such a manner that the setting trajectory is rotated. The laser L irradiated onto the substrate W can be irradiated while being rotated along the rotation direction R1 of the substrate W. [ At this time, locus OL where the end of laser irradiation unit 390a irradiated with laser L moves is provided as an ellipse. The elliptic locus OL is formed such that the direction in which the oval locus OL is spaced apart from the substrate W is shortened and the direction perpendicular to the direction away from the substrate W is long. When the end of the laser irradiation unit 390 irradiated with the laser L moves along such an elliptic locus OL, the laser L irradiated on the substrate W by the principle of orthogonal projection forms a circular locus R2 ). &Lt; / RTI >

도 8은 제2 실시 예에 따른 레이저 조사 유닛을 나타내는 도면이다.8 is a view showing the laser irradiation unit according to the second embodiment.

도 8을 참조하면, 레이저 조사 유닛(390b)은 기판(W)이 회전 중심에서 위쪽으로 설정 거리 이격된 위치에서 기판(W)으로 레이저(L)를 조사한다.Referring to Fig. 8, the laser irradiation unit 390b irradiates the laser L to the substrate W at a position where the substrate W is spaced upward from the rotation center by a predetermined distance.

레이저 조사 유닛(390)은 프리즘(391) 및 레이저 조사 부재(397)를 포함한다.The laser irradiation unit 390 includes a prism 391 and a laser irradiation member 397.

프리즘(391)은 회전 구동부(393)가 제공하는 동력에 의해 상하 방향으로 제공되는 축을 기준으로 회전 가능하게 제공된다. 예를 들어, 프리즘(391)은 상부 및 하부가 개방된 회전 지지 부재(392)에 수용되는 형태로 제공될 수 있다. 회전 지지 부재(392)는 벨트, 로드 등으로 제공되는 회전 구동부(393)가 제공하는 동력에 의해 상하 방향으로 제공되는 축을 기준으로 회전 될 수 있다. 회전 지지 부재(392)의 외측에는 하우징(394)이 추가로 제공될 수 있다. 하우징(394)은 회전 지지 부재(392)를 내측에 수용하는 형태로 제공되어, 회전 지지 부재(392)가 회전 과정에서 설정 위치에서 이탈되는 것을 방지한다. 회전 지지 부재(392)의 외측 둘레와 하우징(394) 사이에는, 회전 지지 부재(392)가 원활히 회전되면서 지지되도록 베이링(395)이 위치될 수 있다.The prism 391 is rotatably provided with respect to an axis provided in the vertical direction by the power provided by the rotation drive unit 393. [ For example, the prism 391 may be provided in the form of being accommodated in a rotation support member 392 having upper and lower openings. The rotation support member 392 can be rotated about an axis provided in the up and down direction by the power provided by the rotation drive unit 393 provided by a belt, a rod or the like. A housing 394 may be further provided on the outside of the rotation support member 392. The housing 394 is provided to receive the rotation support member 392 inward to prevent the rotation support member 392 from being detached from the set position during the rotation process. Between the outer circumference of the rotation support member 392 and the housing 394, the bay ring 395 can be positioned such that the rotation support member 392 is smoothly rotated and supported.

레이저 조사 부재(397)는 프리즘(391)의 위쪽에 위치되어, 프리즘(391)으로 레이저(L)를 조사한다. 레이저 조사 부재(397)는 프리즘(391)의 회전 축 방향으로 프리즘(391)을 향해 레이저(L)를 조사할 수 있다. 프리즘(391)으로 입사된 레이저(L)는 프리즘(391)을 통과하는 과정에서 굴절되어, 상하 방향 축을 기준으로 외측으로 경사지게 진행한다. 그리고 프리즘(391)이 회전됨에 따라, 레이저(L)는 기판(W)의 회전 방향을 따라 회전되면서 기판(W)에 조사될 수 있다. 프리즘(391)의 회전 축은 기판(W)의 회전 중심을 지나도록 제공되어, 레이저(L)의 기판(W)의 중심에 대해 원형으로 조사될 수 있다.The laser irradiation member 397 is located above the prism 391 and irradiates the laser L with the prism 391. [ The laser irradiation member 397 can irradiate the laser L toward the prism 391 in the direction of the rotation axis of the prism 391. [ The laser L incident on the prism 391 is refracted in the process of passing through the prism 391 and advances obliquely outward with respect to the vertical axis. As the prism 391 is rotated, the laser L can be irradiated onto the substrate W while being rotated along the rotation direction of the substrate W. [ The rotation axis of the prism 391 is provided so as to pass through the rotation center of the substrate W and can be irradiated circularly with respect to the center of the substrate W of the laser L. [

레이저 조사 유닛(390b)은 지지 부재(340)에 대해 상하로 이격된 거리가 조절 가능하게 제공될 수 있다. 따라서, 기판(W)으로 조사된 레이저(L)가 기판(W)의 회전 중심에서 반경 방향으로 이격된 거리가 조절될 수 있다.The laser irradiating unit 390b can be provided with a distance that is vertically spaced relative to the support member 340 in an adjustable manner. Thus, the distance that the laser L irradiated to the substrate W is spaced radially from the center of rotation of the substrate W can be adjusted.

도 9는 다른 실시 예에 따른 레이저 조사 유닛의 레이저 조사 형태를 나타내는 도면이다.9 is a view showing a laser irradiation pattern of a laser irradiation unit according to another embodiment.

도 9를 참조하면, 레이저 조사 유닛(390c)은 기판(W)의 회전 중심의 수직 상방에 위치되도록 제공된다. 레이저 조사 유닛(390)은 상하 방향에 대해 외측으로 경사진 형태로 레이저(L)를 조사한다. 레이저 조사 유닛(390c)은 레이저(L)가 조사되는 단부가 원형 운동 가능하게 제공된다. 따라서, 레이저 조사 유닛(390c)에서 조사된 레이저(L)는 기판(W)의 회전 방향을 따라 회전 되는 형태로 기판(W)에 조사될 수 있다.9, the laser irradiation unit 390c is provided so as to be located vertically above the rotation center of the substrate W. [ The laser irradiation unit 390 irradiates the laser L in an inclined outward direction with respect to the vertical direction. The laser irradiation unit 390c is provided so that the end to which the laser L is irradiated is circularly movable. The laser L irradiated from the laser irradiation unit 390c can be irradiated onto the substrate W in such a manner that it is rotated along the rotation direction of the substrate W. [

레이저 조사 유닛(390c)은 조사되는 레이저(L)가 상하 방향에 대해 외측으로 경사진 정도가 조절 가능하게 제공될 수 있다. 또한, 레이저 조사 유닛(390c)은 지지 부재(340)에 대해 상하로 이격된 거리가 조절 가능하게 제공될 수 있다. 따라서, 기판(W)으로 조사된 레이저(L)가 기판(W)의 회전 중심에서 반경 방향으로 이격된 거리가 조절될 수 있다.The laser irradiation unit 390c may be provided so that the degree of inclination of the irradiated laser L outward with respect to the up-down direction is adjustable. Further, the laser irradiating unit 390c can be provided with a distance that is vertically spaced relative to the support member 340 in an adjustable manner. Thus, the distance that the laser L irradiated to the substrate W is spaced radially from the center of rotation of the substrate W can be adjusted.

도 10은 또 다른 실시 예에 따른 레이저 조사 유닛의 레이저 조사 형태를 나타내는 도면이다.10 is a view showing a laser irradiation pattern of a laser irradiation unit according to another embodiment.

도 10을 참조하면, 레이저 조사 유닛(390d)은 기판(W)의 회전 중심의 수직 상방에서 반경 방향으로 설정 거리 이격되게 위치된다. 레이저 조사 유닛(390)은 기판(W)의 회전 방향으로 회전 되면서 기판(W)으로 레이저(L)를 조사 가능하게 제공된다. 레이저 조사 유닛(390)은 기판(W)의 회전 중심을 지나는 상하 방향 축을 기준으로 반경 방향으로 이격된 거리가 조절 가능하게 제공될 수 있다.Referring to Fig. 10, the laser irradiation unit 390d is positioned at a predetermined distance radially above the rotation center of the substrate W vertically. The laser irradiation unit 390 is provided so as to irradiate the laser L to the substrate W while being rotated in the rotating direction of the substrate W. [ The laser irradiation unit 390 can be provided with a radially spaced distance adjustable with respect to the vertical axis passing through the center of rotation of the substrate W. [

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

10: 인덱스모듈 20: 공정처리모듈
120: 로드포트 140: 이송프레임
220: 버퍼유닛 240: 이송챔버
260: 공정챔버 320: 컵
340: 지지부재 342: 스핀척
348: 지지축 380: 처리액 노즐
390: 레이저 조사 유닛10: Index module 20: Process processing module
120: load port 140: transport frame
220: buffer unit 240: transfer chamber
260: Process chamber 320: Cup
340: support member 342: spin chuck
348: Support shaft 380: Process liquid nozzle
390: laser irradiation unit

Claims

A support member rotatably provided to support the substrate;
A laser irradiating unit for irradiating a laser beam onto an upper surface of the substrate so as to move the laser irradiated region; And
And a controller for controlling the support member so that the substrate is rotated in one direction and controlling the laser irradiation unit such that a point irradiated with the laser is moved in the same direction as the rotation direction of the substrate.

The method according to claim 1,
Wherein the controller controls the laser irradiation unit such that the laser is irradiated while moving along a circular trajectory about the center of rotation of the substrate.

3. The method of claim 2,
Wherein the controller controls the support member and the laser irradiation unit such that the rotation speed of the laser is different from the rotation speed of the substrate.

The method according to claim 1,
Wherein the laser irradiation unit is positioned vertically outside of the substrate,
Wherein the controller controls the laser irradiation unit so that the front end of the laser irradiation unit moves along the elliptical trajectory and irradiates the laser toward the substrate.

The method according to claim 1,
Wherein the laser irradiation unit is positioned vertically above the rotational center of the substrate,
Wherein the controller controls the laser irradiation unit such that an end of the laser irradiation unit to which the laser is irradiated irradiates the laser while moving in a circular shape.

The method according to claim 1,
Wherein the laser irradiation unit is positioned at a predetermined distance in the radial direction from a rotation center axis of the substrate,
Wherein the controller controls the laser irradiation unit so that the laser irradiation unit irradiates the laser while moving along a circular trajectory about the central axis.

The method according to claim 1,
The laser irradiation unit may include:
A laser irradiation member for irradiating a laser; And
And a prism that refracts the laser irradiated by the laser irradiation member to proceed to the substrate and is rotatably provided with respect to the vertical axis.

8. The method of claim 7,
Wherein the laser irradiation unit is located vertically above the rotational center of the substrate.

8. The method of claim 7,
Wherein the axis of the prism is provided so that the substrate passes through the center of rotation.

8. The method of claim 7,
Wherein the laser irradiation member is provided to irradiate a laser in the axial direction of the prism.

8. The method of claim 7,
Wherein the laser irradiation unit is provided with a variable height.

The method according to claim 1,
Wherein the laser irradiation unit irradiates a laser to an area adjacent to the outer end of the substrate.

The method according to claim 1,
And a processing liquid nozzle for supplying the processing liquid to the substrate positioned in the support member.

Wherein the substrate is rotated by irradiating a laser to the substrate to be rotated, wherein the laser is rotated in the same direction as the rotation direction of the substrate on which the laser is irradiated.

15. The method of claim 14,
Wherein the laser moves along a circular locus about a center of rotation of the substrate.

15. The method of claim 14,
Wherein the rotation speed of the laser is different from the rotation speed of the substrate.

15. The method of claim 14,
Wherein the laser is irradiated toward the substrate from outside the vertical upper side of the substrate.

18. The method of claim 17,
Wherein the laser is irradiated while moving along an elliptical orbit.

15. The method of claim 14,
Wherein the laser is irradiated obliquely above and perpendicularly to the center of rotation of the substrate.

13. The method of claim 12,
Wherein the laser is irradiated at a position spaced a predetermined distance radially from the rotational center axis of the substrate.

15. The method of claim 14,
Wherein the laser is irradiated to an edge region adjacent the outer end of the substrate.

15. The method of claim 14,
Wherein the processing liquid is supplied to the substrate when the laser is irradiated.

23. The method of claim 22,
Wherein the treatment liquid is phosphoric acid.