KR100862703B1 - Support member, and apparatus and method for treating substrate with the same - Google Patents

Support member, and apparatus and method for treating substrate with the same Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판을 지지하는 지지부재 및 상기 지지부재를 구비하여 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 지지부재는 공정시 기판의 하부면 가장자리 영역과 선접촉 또는 면접촉하여 기판을 지지하는 지지체를 구비한다. 상기 지지체는 공정시 기판의 정밀한 수평이 이루어지도록 기판을 지지하며, 공정시 사용된 처리액이 기판의 하부면을 오염시키는 것을 방지한다.The present invention relates to a support member for supporting a substrate and an apparatus and method for treating the substrate with the support member. The support member according to the present invention includes a support for supporting the substrate in line or surface contact with the lower edge region of the substrate during the process. The support supports the substrate so that the substrate is precisely leveled during the process, and prevents the treatment liquid used during the process from contaminating the lower surface of the substrate.

기판, 현상, 세정, 건조, 척, 스핀척, 지지부재, 지지체, Substrate, development, cleaning, drying, chuck, spin chuck, support member, support,

Description

지지부재 및 상기 지지부재를 구비하는 기판 처리 장치 및 방법{SUPPORT MEMBER, AND APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE WITH THE SAME}SUPPORT MEMBER, AND APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE WITH THE SAME

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 사시도이다.1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 구성들을 보여주는 도면이다.FIG. 2 is a diagram illustrating configurations of the substrate processing apparatus illustrated in FIG. 1.

도 3은 도 2에 도시된 스핀척 및 지지체의 사시도이다.3 is a perspective view of the spin chuck and the support shown in FIG. 2.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 지지체의 사시도이다.4 is a perspective view of a support according to another embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 도면이다.5 is a view showing a substrate processing method according to the present invention.

도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.6A to 6D are diagrams for describing a process of a substrate processing apparatus according to the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명** Description of symbols on the main parts of the drawings *

1 : 기판 처리 장치1: substrate processing apparatus

10 : 공정처리부10: process processing unit

12 : 하우징12: housing

14 : 스핀척14: spin chuck

20 : 처리액 공급부20: treatment liquid supply unit

22 : 슬릿노즐22: slit nozzle

24 : 세정노즐24: cleaning nozzle

100 : 지지부재100: support member

110 : 플레이트110: plate

120 : 스핀척120: spin chuck

130 : 지지체130: support

140 : 구동기140: driver

본 발명은 기판을 지지하는 부재 및 상기 지지부재를 구비하여 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a member for supporting a substrate and an apparatus and method for treating the substrate with the support member.

일반적인 기판 처리 장치는 반도체 집적회로 칩의 제조를 위한 웨이퍼 및 평판 디스플레이의 제조를 위한 유리 기판 등의 기판을 처리하는 장치이다. 이러한 기판 처리 장치는 보통 지지부재(support member)에 기판을 안착시켜 공정을 수행한다. 지지부재로는 공정시 기계적 클램프를 사용하는 지지부재와, 정전기력을 이용하여 기판을 지지하는 정전척(electrode chuck), 그리고 진공에 의한 흡입력을 이용하여 기판을 지지하는 진공척(vacuum chuck) 등이 사용된다.A general substrate processing apparatus is a device for processing a substrate such as a wafer for manufacturing a semiconductor integrated circuit chip and a glass substrate for manufacturing a flat panel display. Such a substrate processing apparatus usually performs a process by mounting a substrate on a support member. The support member includes a support member using a mechanical clamp during the process, an electrostatic chuck supporting the substrate using electrostatic force, and a vacuum chuck supporting the substrate using suction force by vacuum. Used.

상술한 지지부재들 중 현상공정을 수행하는 장치에 구비되는 지지부재는 하우징, 스핀척, 그리고 지지체를 포함한다. 하우징은 내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 스핀척은 공정시 하우징 내부에서 기판을 지지 및 회전시킨 다. 그리고, 지지체는 현상공정시 기판의 수평이 이루어지도록 기판을 지지한다. 지지체는 복수의 지지핀들(support pins)을 가진다. 각각의 지지핀들의 상부 끝단의 높이를 서로 동일한 높이를 가진다. 따라서, 각각의 지지핀들은 공정시 기판의 하부면과 점접촉하여 기판의 수평이 이루어지도록 기판을 지지한다.Among the support members described above, the support member provided in the apparatus for performing the developing process includes a housing, a spin chuck, and a support. The housing provides a space therein for performing a substrate processing process. The spin chuck supports and rotates the substrate inside the housing during the process. The support supports the substrate so that the substrate is horizontal in the developing process. The support has a plurality of support pins. The heights of the upper ends of the respective support pins have the same height as each other. Accordingly, each of the support pins supports the substrate so that the substrate is horizontal in point contact with the lower surface of the substrate during the process.

현상공정은 현상액(developer)와 같은 처리액을 기판 표면에 균일하게 도포시켜야 하므로, 현상공정시 기판은 완전한 수평이 이루어지도록 하여야 한다. 그러나, 상술한 구조의 지지체는 각각의 지지핀들이 기판과 점접촉하여 기판을 지지하는 구조이므로, 공정시 기판의 수평을 정밀하게 유지시키기 어려웠다. 특히, 기판이 대형화될수록 기판 지지시 지지핀들에 의해 지지되지 않는 기판의 영역들은 지지핀들에 의해 지지된 영역에 비해 아래로 쳐지는 현상이 발생된다. 또한, 각각의 지지핀들의 높이가 일정하지 않는 경우에는 기판이 한쪽으로 기우는 현상이 발생된다. 이러한 현상들을 방지하기 위해서는 많은 수의 지지핀들을 구비하여 기판의 보다 세밀한 영역들을 지지하도록 할 수 있으나, 지지핀들의 수가 증가하면 장치의 구조가 복잡해지고, 유지 보수시 작업자는 각각의 지지핀들의 높이를 조정하여야 하므로, 작업자의 유지 보수 작업 부담이 커진다.In the developing process, a processing liquid such as a developer should be uniformly applied to the surface of the substrate, so that the substrate should be completely horizontal during the developing process. However, the support of the above-described structure has a structure in which each of the support pins are in point contact with the substrate to support the substrate, so that it is difficult to precisely maintain the level of the substrate during the process. In particular, as the substrate becomes larger in size, regions of the substrate that are not supported by the support pins when the substrate is supported are struck down compared to the regions supported by the support pins. In addition, when the height of each support pin is not constant, the phenomenon that the substrate is tilted to one side occurs. In order to prevent these phenomena, a large number of support pins may be provided to support more detailed areas of the substrate. However, as the number of support pins increases, the structure of the device becomes complicated, and the maintenance of the height of each support pin Because of this, the maintenance work burden on the operator is increased.

또한, 상술한 구조의 지지체는 현상공정시 기판의 상부면으로 공급되는 현상액이 기판을 지지하는 지지핀들 사이를 통해 기판의 하부면으로 유입되므로, 현상액에 의해 기판의 하부면이 오염될 수 있다. 기판의 하부면이 오염되면 후속 공정시 오류가 발생될 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치에는 현상공정 후 기판의 하부면을 세정하기 위한 별도의 세정장치가 구비되어야 하나, 이러한 세정장치의 부가 로 인해 기판 처리 장치의 내부 구조가 복잡해지고, 장치의 제작 비용이 증가하는 문제점이 있다.In addition, since the developer supplied to the upper surface of the substrate is introduced into the lower surface of the substrate through the support pins supporting the substrate during the developing process, the lower surface of the substrate may be contaminated by the developer. If the lower surface of the substrate is contaminated, errors may occur in subsequent processes. Therefore, the substrate processing apparatus should be provided with a separate cleaning apparatus for cleaning the lower surface of the substrate after the developing process, but the addition of such a cleaning apparatus complicates the internal structure of the substrate processing apparatus and increases the manufacturing cost of the apparatus. There is a problem.

본 발명은 기판 처리 공정의 효율을 향상시키는 지지부재 및 상기 지지부재를 구비하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a support member for improving the efficiency of a substrate processing process and a substrate processing apparatus and method including the support member.

또한, 본 발명은 공정시 기판의 수평이 이루어지도록 기판을 지지하는 지지부재 및 상기 지지부재를 구비하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a support member for supporting a substrate so that the substrate is horizontal during the process, and a substrate processing apparatus and method including the support member.

또한, 본 발명은 공정시 기판의 하부면이 처리액에 의해 오염되는 것을 방지하는 지지부재 및 상기 지지부재를 구비하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a support member for preventing the lower surface of the substrate from being contaminated by the treatment liquid during the process and a substrate processing apparatus and method having the support member.

또한, 본 발명은 장치의 구조가 단순화하고 작업자의 유지 보수가 용이한 지지부재 및 상기 지지부재를 구비하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to provide a support member having a simplified structure of the apparatus and easy maintenance of an operator, and a substrate processing apparatus and method including the support member.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 지지부재는 플레이트, 상기 플레이트에 설치되며, 스핀처리공정시 기판을 지지하는 스핀척, 그리고 상기 스핀척의 외측면을 감싸도록 상기 플레이트에 설치되고 도포공정시 기판의 하부면과 선접촉 또는 면접촉하도록 상부면이 링형상으로 형상지어지는 지지체를 포함한다.The support member according to the present invention for achieving the above object is a plate, a spin chuck which is installed on the plate, and supports the substrate during the spin treatment process, and is installed on the plate to surround the outer surface of the spin chuck and during the coating process It includes a support that is shaped in a ring shape so that the upper surface is in line contact or surface contact with the lower surface of the substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 지지체는 사각틀 형상의 몸체를 가진다.According to an embodiment of the invention, the support has a rectangular frame body.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 지지부재는 상기 스핀척과 상기 지지체의 상대 높이를 조절하는 구동기를 더 포함한다.According to an embodiment of the invention, the support member further comprises a driver for adjusting the relative height of the spin chuck and the support.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 지지체의 상부면에는 실링부재가 제공된다.According to an embodiment of the present invention, a sealing member is provided on the upper surface of the support.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 내부에 기판을 처리하는 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징, 공정시 상기 하우징 내부에서 기판을 지지하는 지지부재, 그리고 공정시 상기 지지부재에 의해 지지된 기판으로 처리유체를 분사하는 처리유체 공급부를 포함하되, 상기 지지부재는 플레이트, 상기 플레이트에 설치되며 스핀처리공정시 기판을 지지하는 스핀척, 그리고 상기 스핀척의 외측면을 감싸도록 상기 플레이트에 설치되고 현상공정시 기판의 하부면과 선접촉 또는 면접촉하도록 상부면이 링형상으로 형상지어지는 지지체를 포함한다.The substrate processing apparatus according to the present invention for achieving the above object is a housing that provides a space for performing a process for processing the substrate therein, a support member for supporting the substrate in the housing during the process, and the support member during the process And a processing fluid supply unit for injecting a processing fluid to a substrate supported by the substrate, wherein the support member is provided on a plate, a spin chuck installed on the plate to support a substrate during a spin treatment process, and surrounding an outer surface of the spin chuck. It includes a support that is installed in the plate and the upper surface is shaped in a ring shape so that the line contact or surface contact with the lower surface of the substrate during the development process.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 처리유체 공급부는 현상액을 공급하는 현상노즐 및 세정액을 공급하는 세정노즐을 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the processing fluid supply unit includes a developing nozzle for supplying a developing solution and a cleaning nozzle for supplying a cleaning solution.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 지지체는 사각틀 형상의 몸체를 가진다.According to an embodiment of the invention, the support has a rectangular frame body.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 지지체는 원통형상의 몸체를 가진다.According to an embodiment of the invention, the support has a cylindrical body.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 지지부재는 상기 스핀척와 상기 지지체의 상대 높이를 조절하는 구동기를 더 포함한다.According to an embodiment of the invention, the support member further comprises a driver for adjusting the relative height of the spin chuck and the support.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 구동기는 상기 스핀척을 상하로 승강 및 하강시키는 승강기를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the driver includes an elevator for lifting and lowering the spin chuck up and down.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 지지체의 상부면에는 실링부재가 제공된다.According to an embodiment of the present invention, a sealing member is provided on the upper surface of the support.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 플레이트 및 상기 플레이트의 중앙에 설치되어 스핀처리공정시 기판을 지지하는 스핀척, 그리고 현상공정시 기판을 지지하는 지지체를 구비하여 기판을 처리하는 방법에 있어서, 현상액을 도포하는 공정시에는 상기 지지체의 높이가 상기 스핀척의 높이보다 높도록 상기 지지체와 상기 스핀척의 상대높이가 조절되어 공정을 진행하고, 기판을 세정하는 공정시에는 상기 스핀척의 높이가 상기 지지체의 높이보다 높도록 상기 지지체와 상기 스핀척의 상대높이를 조절되어 공정을 진행하되, 상기 지지체는 상기 현상공정시 상기 기판 하부면과 선접촉 또는 점접촉하여 기판을 지지한다.The substrate processing method according to the present invention for achieving the above object is provided with a plate and a spin chuck installed in the center of the plate to support the substrate during the spin treatment process, and a support for supporting the substrate during the development process to process the substrate In the method of applying a developer, the relative height of the support and the spin chuck is adjusted so that the height of the support is higher than the height of the spin chuck, the process is carried out, and the process of cleaning the substrate The relative height between the support and the spin chuck is adjusted so that the height is higher than the height of the support, and the support supports the substrate by line contact or point contact with the lower surface of the substrate during the developing process.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 방법은 상기 지지체에 의해 지지된 기판으로 현상액을 도포하여 기판 표면에 현상액을 도포하되, 상기 지지체의 상부면에 실링부재를 제공함으로써 상기 기판으로 도포된 현상액은 상기 지지체에 의해 기판의 하부면의 중앙영역으로 유입되는 것이 방지된다.According to an embodiment of the present invention, the substrate treatment method is to apply the developer to the substrate supported by the support to apply the developer on the surface of the substrate, the developer applied to the substrate by providing a sealing member on the upper surface of the support Is prevented from entering the central region of the lower surface of the substrate by the support.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 오히려, 여기서 소개되는 일 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해지도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달되도록 하기 위해 제공되는 것이다. 또한, 본 실시예에서는 평판 디스플레이 제조용 유리 기판을 처리하는 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 기판을 지지시키는 지 지부재를 구비하는 모든 기판 처리 장치에 적용이 가능하다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, one embodiment introduced herein is provided so that the disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the spirit of the invention to those skilled in the art. In addition, in this embodiment, the apparatus for processing a glass substrate for flat panel display manufacturing has been described as an example, but the present invention is applicable to all substrate processing apparatuses having a supporting member for supporting the substrate.

(실시예)(Example)

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 구성들을 보여주는 도면이다. 그리고, 도 3은 도 2에 도시된 스핀척 및 지지체의 사시도이다.FIG. 1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a view showing the configurations of the substrate processing apparatus shown in FIG. 3 is a perspective view of the spin chuck and the support shown in FIG. 2.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(apparatus for treating substrate)(1)는 공정처리부(process treating member)(10) 및 처리유체공급부(treating-fluid supply member)(20)를 포함한다. 공정처리부(10)는 기판 처리 공정을 수행하고, 처리유체 공급부(20)는 기판 처리 공정에 필요한 유체를 공정처리부(10)로 공급한다. 공정처리부(10)는 하우징(housing)(12) 및 지지부재(support member)(100)를 포함하고, 처리유체 공급부(20)는 슬릿노즐(slit nozzle)(22) 및 세정노즐(cleaning nozzle)(24)을 포함한다.1 to 3, an apparatus for treating substrate 1 according to the present invention includes a process treating member 10 and a treating-fluid supply member 20. It includes. The process processor 10 performs a substrate treatment process, and the treatment fluid supply unit 20 supplies the fluid required for the substrate treatment process to the process processor 10. The process processor 10 includes a housing 12 and a support member 100, and the process fluid supply unit 20 includes a slit nozzle 22 and a cleaning nozzle. (24).

하우징(12)은 내부에 기판(s)을 처리하는 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 여기서, 상기 기판 처리 공정은 기판(s)표면에 현상액(developer)을 도포하는 현상공정(develop process) 및 기판(s) 표면에 잔류하는 현상액 및 기타 이물질을 제거하는 세정공정(cleaning process)을 포함한다. 하우징(12)은 상부가 개방된 원통형상을 가진다. 하우징(12)의 개방된 상부는 공정시 하우징(12)의 외부와 상기 공간 상호간에 기판(s)이 이동되기 위한 통로로 사용된다. 하우징(12)에는 공정시 사용된 처리액을 하우징(12)으로부터 배수시키는 배수라인(12a)이 제공된다.The housing 12 provides a space for performing a process of processing the substrate s therein. The substrate treating process may include a developing process of applying a developer to a surface of the substrate s, and a cleaning process of removing developer and other foreign matter remaining on the surface of the substrate s. do. The housing 12 has a cylindrical shape with an open top. The open upper part of the housing 12 is used as a passage for moving the substrate s between the outside of the housing 12 and the space during the process. The housing 12 is provided with a drain line 12a for draining the processing liquid used in the process from the housing 12.

슬릿노즐(22)은 공정시 기판(s)의 처리면으로 현상액을 공급한다. 슬릿노즐(22)은 공정위치(a) 및 대기위치(b) 상호간에 이동된다. 공정위치(a)는 현상공정시 지지체(130)에 의해 지지된 기판(s)의 처리면으로 현상액을 공급하기 위한 슬릿노즐(22)의 위치이고, 대기위치(b)는 공정위치(a)로 이동되기 전에 하우징(12) 외부에서 대기하는 슬릿노즐(22)의 위치이다. 공정위치(a)는 제1 위치(a1) 및 제2 위치(a2)를 가진다. 제1 위치(a1)는 기판(s)의 일끝단으로 현상액을 도포하기 위한 슬릿노즐(22)의 위치이고, 제2 위치(a2)는 기판(s)의 타끝단으로 현상액을 도포하기 위한 슬릿노즐(22)의 위치이다. 본 실시예에서는 현상액을 분사하는 노즐(현상노즐)로 슬릿노즐이 사용되는 것을 예로 들었으나, 현상노즐로는 다양한 노즐이 사용될 수 있다.The slit nozzle 22 supplies the developer to the processing surface of the substrate s during the process. The slit nozzle 22 is moved between the process position (a) and the standby position (b). The process position a is the position of the slit nozzle 22 for supplying the developer to the processing surface of the substrate s supported by the support 130 during the developing process, and the standby position b is the process position a This is the position of the slit nozzle 22 waiting outside the housing 12 before moving to. The process position a has a first position a1 and a second position a2. The first position a1 is the position of the slit nozzle 22 for applying the developer to one end of the substrate s, and the second position a2 is the slit for applying the developer to the other end of the substrate s. This is the position of the nozzle 22. In the present embodiment, the slit nozzle is used as the nozzle (developing nozzle) for injecting the developer, but various nozzles may be used as the developing nozzle.

세정노즐(24)은 공정시 기판(s)의 처리면으로 세정액을 공급한다. 세정노즐(24)은 노즐부(24a) 및 이송부재(24b)를 가진다. 노즐부(24a)는 공정시 세정유체를 토출한다. 상기 세정유체로는 린스액 및 건조가스를 포함한다. 예컨대, 린스액으로는 초순수(DIW:Deionized Water)가 사용되고, 건조가스로는 질소가스가 사용될 수 있다. 이송부재(24b)는 노즐부(24a)를 분사위치(c) 및 대기위치(d) 상호간에 이동한다. 분사위치(c)는 공정시 스핀척(120)에 의해 지지된 기판(s)으로 세정유체를 분사하기 위한 노즐부(24a)의 위치이고, 대기위치(d)는 공정위치(c)로 이동하기 전에 하우징(12)의 외부에서 대기하는 노즐부(24a)의 위치이다.The cleaning nozzle 24 supplies the cleaning liquid to the processing surface of the substrate s during the process. The cleaning nozzle 24 has a nozzle portion 24a and a conveying member 24b. The nozzle portion 24a discharges the cleaning fluid during the process. The cleaning fluid includes a rinse liquid and a dry gas. For example, ultra pure water (DIW: Deionized Water) may be used as a rinse liquid, and nitrogen gas may be used as a dry gas. The transfer member 24b moves the nozzle portion 24a between the injection position c and the standby position d. The injection position c is a position of the nozzle portion 24a for injecting the cleaning fluid to the substrate s supported by the spin chuck 120 during the process, and the standby position d moves to the process position c. It is the position of the nozzle part 24a waiting outside of the housing 12 before doing so.

지지부재(100)는 공정시 하우징(12) 내부에서 기판(s)을 지지한다. 지지부재(100)는 플레이트(plate)(110), 스핀척(spin chuck)(120) 및 지지체(support body)(130), 그리고 구동기(driving part)(140)를 포함한다. The support member 100 supports the substrate s in the housing 12 during the process. The support member 100 includes a plate 110, a spin chuck 120 and a support body 130, and a driving part 140.

플레이트(110)는 하우징(12) 내부 중앙 하부면에 설치된다. 플레이트(110)는 대체로 원판형상을 가진다. 플레이트(110)의 중앙에는 스핀척(120)이 상하로 승강 및 하강운동하기 위한 개구가 형성된다.The plate 110 is installed on the central lower surface inside the housing 12. The plate 110 has a generally disc shape. In the center of the plate 110, an opening for lifting and lowering the spin chuck 120 is formed.

스핀척(120)은 세정공정시 기판(s)을 지지한다. 스핀척(120)은 대체로 원통형상을 가진다. 스핀척(120)은 하우징(12)의 중앙에 회전가능하도록 설치된다. 또한, 스핀척(120)은 상하로 승강 및 하강이 가능하도록 설치된다. 스핀척(120)에는 공정시 기판(s)을 스핀척(120)의 상부면에 흡착고정시키기 위한 수단이 제공된다. 예컨대, 상기 수단으로는 상기 스핀척(120)의 상부면에 형성되는 진공홀들(122)과 상기 진공홀들(122)과 연결되는 진공라인(미도시됨)을 포함한다. 공정시 기판(s)이 스핀척(120)의 상부면에 안착되면, 진공라인은 진공홀들(122)에 흡입압력을 제공하여 기판(s)이 스핀척(120)에 의해 흡착고정시킨다.The spin chuck 120 supports the substrate s during the cleaning process. Spin chuck 120 has a generally cylindrical shape. The spin chuck 120 is rotatably installed in the center of the housing 12. In addition, the spin chuck 120 is installed to enable the lifting and lowering up and down. The spin chuck 120 is provided with means for adsorbing and fixing the substrate s on the upper surface of the spin chuck 120 during the process. For example, the means includes vacuum holes 122 formed on the upper surface of the spin chuck 120 and a vacuum line (not shown) connected to the vacuum holes 122. When the substrate s is seated on the upper surface of the spin chuck 120 during the process, the vacuum line provides suction pressure to the vacuum holes 122 to fix the substrate s by the spin chuck 120.

지지체(130)는 현상공정시 기판(s)을 지지한다. 지지체(130)는 플레이트(110)의 상부에 고정설치된다. 지지체(130)는 스핀척(120)의 외부면을 감싸는 링(ring) 형상의 몸체(132)를 가진다. 몸체(132)에는 기판(s) 지지시 기판(s)과 접촉하는 상부면(134)을 가진다. 몸체(132)의 상부면(134)은 완전한 수평을 이룬다. 따라서, 공정시 기판(s)이 지지체(130)에 안착되면, 기판(s)은 수평을 이룬다. 또한, 몸체(132)의 상부면(132)은 공정시 기판(s)의 하부면 가장자리 영역과 선접촉 또는 면접촉한다. 이를 위해, 몸체(132)는 사각틀 형상을 가진다. The support 130 supports the substrate s in the developing process. The support 130 is fixedly installed on the upper portion of the plate 110. The support 130 has a ring shaped body 132 surrounding the outer surface of the spin chuck 120. The body 132 has an upper surface 134 that contacts the substrate s when supporting the substrate s. The upper surface 134 of the body 132 is completely horizontal. Therefore, when the substrate s is seated on the support 130 during the process, the substrate s is horizontal. In addition, the upper surface 132 of the body 132 is in line or surface contact with the lower edge region of the substrate (s) during the process. To this end, the body 132 has a rectangular frame shape.

몸체(132)의 상부면(132)에는 실링부재(136)가 제공된다. 실링부재(136)는 지지체(130)가 기판(s)을 지지할 때, 몸체(130)와 기판(s)의 접촉부분이 밀폐되기 위해 제공된다. 따라서, 현상공정시에는 실링부재(136)에 의해 지지체(130)과 기판(s)의 접촉부분이 밀폐되므로, 지지체(130)는 기판(s)으로 공급된 현상액이 기판(s)의 하부면 중앙영역으로 유입되는 것을 방지한다. 실링부재(136)로는 오링(O-ring)이 사용될 수 있다. 여기서, 몸체(132)는 기판(s)의 가장자리 영역과 선접촉하여 기판(s)을 지지하므로, 기판(s)의 형상에 따라 그 형상이 변형된다. 예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(w)이 웨이퍼(wafer)와 같은 원판 형상의 기판인 경우에는, 몸체(132')는 환형으로 형상지어진다.The upper surface 132 of the body 132 is provided with a sealing member 136. The sealing member 136 is provided to seal the contact portion between the body 130 and the substrate s when the support 130 supports the substrate s. Therefore, during the development process, since the contact portion between the support 130 and the substrate s is sealed by the sealing member 136, the support 130 has the developer supplied to the substrate s at the lower surface of the substrate s. Prevent entry into the central area. As the sealing member 136, an O-ring may be used. Here, since the body 132 supports the substrate s in line contact with the edge region of the substrate s, the shape of the body 132 is changed according to the shape of the substrate s. For example, as shown in FIG. 4, when the substrate w is a disk-shaped substrate such as a wafer, the body 132 'is formed in an annular shape.

구동기(140)는 공정시 스핀척(120) 및 지지체(130)를 구동한다. 즉, 구동기(130)는 공정시 스핀척(120)을 회전시켜 스핀척(120)에 안착된 기판(s)을 기설정된 공정속도로 회전시킨다. 또한, 구동기(130)는 스핀척(120)과 지지체(130)의 상대높이를 조절한다. 예컨대, 구동기(130)는 스핀척(120)을 승강 및 하강시켜 스핀척(120)과 지지체(130)의 상대높이를 조절한다. 이를 위해, 구동기(130)는 스핀척(120)을 승강 및 하강시키는 승강기(미도시됨)를 구비한다.The driver 140 drives the spin chuck 120 and the support 130 during the process. That is, the driver 130 rotates the spin chuck 120 during the process to rotate the substrate s mounted on the spin chuck 120 at a predetermined process speed. In addition, the driver 130 adjusts the relative height of the spin chuck 120 and the support 130. For example, the driver 130 adjusts the relative height of the spin chuck 120 and the support 130 by raising and lowering the spin chuck 120. To this end, the driver 130 has an elevator (not shown) that lifts and lowers the spin chuck 120.

본 실시예에서는 구동기(140)가 스핀척(120)을 승강 및 하강시켜 스핀척(120)과 지지체(130)의 상대높이를 조절하는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 스핀척(120)과 지지체(130)의 상대높이는 다양한 방식으로 조절될 수 있다. 예컨대, 구동기(140)는 스핀척(120)의 높이를 일정하게 유지시키고 지지체(130)를 승강 및 하강시켜 스핀척(120)과 지지체(130)의 상대높이를 조절할 수 있다. 또는, 구동 기(140)는 스핀척(120)과 지지체(130) 모두의 높이를 승강 및 하강시켜 스핀척(120)과 지지체(130)의 상대높이를 조절할 수 있다.In the present exemplary embodiment, the driver 140 lifts and lowers the spin chuck 120 to adjust the relative height of the spin chuck 120 and the support 130, but the spin chuck 120 and the support ( The relative height of 130 can be adjusted in various ways. For example, the driver 140 may maintain a constant height of the spin chuck 120 and raise and lower the support 130 to adjust the relative height of the spin chuck 120 and the support 130. Alternatively, the driver 140 may adjust the relative height of the spin chuck 120 and the support 130 by raising and lowering the heights of both the spin chuck 120 and the support 130.

이하, 상술한 구성을 가지는 기판 처리 장치의 공정 과정을 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 구성들과 동일한 구성들에 대한 참조번호는 동일하게 병기하고, 그 구성들에 대한 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, the process of the substrate processing apparatus having the above-described configuration will be described in detail. Here, the same reference numerals for the same components as the above-described components are the same, and detailed description of the components is omitted.

도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 도면이고, 도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.5 is a view showing a substrate processing method according to the present invention, Figures 6a to 6d are views for explaining the process of the substrate processing apparatus according to the present invention.

도 5를 참조하면, 기판 처리 공정이 개시되면, 로봇암(robot arm)과 같은 기판이송장치(미도시됨)는 지지부재(100)에 기판(s)을 로딩시킨다(S110). 즉, 도 6a를 참조하면, 구동기(140)는 스핀척(120)의 상부면이 하우징(12)의 개방된 상부를 통해 하우징(12) 외부로 노출되도록 스핀척(120)을 상승시키고, 기판이송장치는 상승된 스핀척(120)의 상부면에 기판(s)을 안착시킨다.  Referring to FIG. 5, when a substrate processing process is started, a substrate transfer device (not shown) such as a robot arm loads the substrate s onto the support member 100 (S110). That is, referring to FIG. 6A, the driver 140 raises the spin chuck 120 so that the upper surface of the spin chuck 120 is exposed to the outside of the housing 12 through the open upper portion of the housing 12, and the substrate. The transfer device seats the substrate s on the upper surface of the raised spin chuck 120.

기판(s)이 로딩되면, 기판(s)의 현상공정이 개시된다. 즉, 도 6b를 참조하면, 구동기(140)는 스핀척(120)을 하강시켜, 스핀척(120)의 상부면 높이보다 지지체(130)의 상부면 높이가 더 높도록 한다. 스핀척(120)이 하강되는 과정에서 스핀척(120)의 상부면 높이가 지지체(130)의 상부면 높이보다 낮아지면, 스핀척(120)에 놓여졌던 기판(s)은 지지체(130)의 상부면에 안착된다(S120). 지지체(130)는 기판(s) 하부면의 가장자리 영역과 선접촉 또는 면접촉되어 기판(s)을 지지한다. 지지체(130)에 놓여진 기판(s)은 수평을 이루며, 기판(s)의 지지체(130)의 접촉부분은 실링부재(134)에 의해 밀폐된다.When the substrate s is loaded, the developing process of the substrate s is started. That is, referring to FIG. 6B, the driver 140 lowers the spin chuck 120 so that the height of the upper surface of the support 130 is higher than the height of the upper surface of the spin chuck 120. If the height of the upper surface of the spin chuck 120 is lower than the height of the upper surface of the support 130 while the spin chuck 120 is lowered, the substrate s placed on the spin chuck 120 is formed of the support 130. It is seated on the upper surface (S120). The support 130 is in line or surface contact with the edge region of the lower surface of the substrate s to support the substrate s. The substrate s placed on the support 130 is horizontal, and the contact portion of the support 130 of the substrate s is sealed by the sealing member 134.

기판(s)이 지지체(130)에 안착되면, 처리유체 공급부(20)는 기판(s)의 처리면으로 현상액을 공급한다(S130). 즉, 도 6b를 참조하면, 슬릿노즐(22)은 대기위치(b)로부터 공정위치(a)의 제1 위치(a1)로 이동된다. 그리고, 슬릿노즐(22)은 제1 위치(a1)로부터 제2 위치(a2)로 이동되면서 기판(s)의 처리면으로 현상액을 도포한다. 기판(s) 표면에 현상액이 도포되면, 기판(s) 표면의 박막과 현상액이 반응하도록 일정시간 동안 대기한다.When the substrate s is seated on the support 130, the processing fluid supply unit 20 supplies the developer to the processing surface of the substrate s (S130). That is, referring to FIG. 6B, the slit nozzle 22 is moved from the standby position b to the first position a1 of the process position a. Then, the slit nozzle 22 is applied to the processing surface of the substrate s while moving from the first position a1 to the second position a2. When the developer is applied to the surface of the substrate s, the thin film on the surface of the substrate s and the developer are allowed to react for a predetermined time.

현상액 도포가 완료되면, 기판(s)의 린스 공정이 개시된다(S140). 즉, 도 6c를 참조하면, 슬릿노즐(22)은 공정위치(a)로부터 대기위치(b)로 이동되고, 구동기(140)는 스핀척(120)을 승강시켜 스핀척(120)의 상부면 높이가 지지체(130)의 상부면 높이보다 높도록 한다. 스핀척(120)을 승강하는 과정에서 스핀척(120)의 상부면 높이가 지지체(130)의 상부면 높이보다 높아지면, 지지체(130)에 놓여졌던 기판(s)은 스핀척(120)에 놓여지게 된다. 기판(s)이 스핀척(120)에 놓여지면, 진공라인(미도시됨)은 진공홀들(122)에 흡입압력을 제공하여 기판(s)을 스핀척(120)에 흡착고정시킨다.When the developer solution is completed, the rinsing process of the substrate s is started (S140). That is, referring to FIG. 6C, the slit nozzle 22 is moved from the process position (a) to the standby position (b), and the driver 140 raises and lowers the spin chuck 120 to form an upper surface of the spin chuck 120. The height is higher than the height of the upper surface of the support 130. If the height of the upper surface of the spin chuck 120 becomes higher than the height of the upper surface of the support 130 in the process of lifting the spin chuck 120, the substrate s placed on the support 130 is attached to the spin chuck 120. To be placed. When the substrate s is placed on the spin chuck 120, a vacuum line (not shown) provides suction pressure to the vacuum holes 122 to fix the substrate s to the spin chuck 120.

기판(s)이 스핀척(120)에 고정되면, 구동기(140)는 스핀척(120)을 회전시켜 기판(s)을 기설정된 공정속도로 회전시킨다. 기판(s)이 회전되면, 세정노즐(24)은 대기위치(d)로부터 공정위치(c)로 이동된 후 기판(s)의 처리면으로 린스액을 분사한다. 분사된 린스액은 기판(s) 표면의 현상액 및 현상액과 반응한 박막을 제거한 후 기판(s)으로부터 비산된다. 비산된 린스액은 하우징(12) 내 공간에 수용된 후 배수라인(12a)을 통해 하우징(12)으로부터 배수된다. When the substrate s is fixed to the spin chuck 120, the driver 140 rotates the spin chuck 120 to rotate the substrate s at a predetermined process speed. When the substrate s is rotated, the cleaning nozzle 24 is moved from the standby position d to the process position c and then sprays the rinse liquid onto the processing surface of the substrate s. The sprayed rinse liquid is scattered from the substrate s after removing the developer on the surface of the substrate s and the thin film reacted with the developer. The scattered rinse liquid is received in the space in the housing 12 and then drained from the housing 12 through the drain line 12a.

기판(s)의 린스공정이 완료되면, 기판(s)의 건조공정이 개시된다(S150). 즉, 세정노즐(24)은 린스액의 공급을 중단한 후 기판(s)의 처리면으로 건조가스를 분사한다. 분사된 건조가스는 기판(s) 표면을 건조시킨다. 기판(s)의 세정 공정이 완료되면, 기판(s)은 도 6d에 도시된 바와 같이, 하우징(12) 상부로 스핀척(120)을 상승시키고, 기판 이송 장치(미도시됨)에 의해 스핀척(120)으로부터 언로딩(unlaoding)된 후 후속 공정이 이루어지는 설비로 이송된다(S160).When the rinse process of the substrate s is completed, the drying process of the substrate s is started (S150). That is, the cleaning nozzle 24 stops the supply of the rinse liquid and then sprays dry gas to the processing surface of the substrate s. The injected dry gas dries the surface of the substrate s. When the cleaning process of the substrate s is completed, the substrate s raises the spin chuck 120 above the housing 12 and spins by a substrate transfer device (not shown), as shown in FIG. 6D. After unloading (unlaoding) from the chuck 120 is transferred to a facility that the subsequent process is performed (S160).

상술한 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 공정시 기판(s)의 가장자리 영역과 선접촉하여 기판(s)을 지지하는 지지체(130)를 구비함으로써, 공정시 기판(s)의 수평이 효과적으로 이루어지도록 한다. 즉, 본 발명의 지지체(130)는 종래의 복수의 지지핀들을 사용하여 기판을 지지하는 방식에 비해, 기판(s)을 안정적으로 지지할 수 있어 기판(s)이 한쪽으로 기울거나 기판(s)의 특정 부분이 아래로 쳐지는 현상 등을 방지한다. 또한, 본 발명은 종래의 각각의 지지핀들의 높이를 일일히 조정하여 각각의 지지핀들의 수평을 조절하는 방식에 비해, 지지체(130)의 단일 구성의 높이만을 조정하여 방식이므로, 지지체(130)의 수평을 용이하게 조절할 수 있다.The substrate processing apparatus and method according to the present invention described above includes a support 130 for supporting the substrate s in line contact with the edge region of the substrate s during the process, so that the horizontality of the substrate s during the process is effectively To be done. That is, the support body 130 of the present invention can stably support the substrate s as compared to the conventional method of supporting the substrate using a plurality of support pins, so that the substrate s is inclined to one side or the substrate s. ) To prevent certain parts from hitting down. In addition, the present invention adjusts the height of each support pin by adjusting the height of each of the conventional support pins, as compared to the method of adjusting only the height of a single configuration of the support 130, the support 130 The horizontal level can be easily adjusted.

또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 지지체(130)가 기판(s)의 하부면 가장자리 영역과 선접촉 또는 면접촉하면서 기판(s)을 지지하므로, 공정시 기판(s)으로 분사되는 처리액이 기판(s)의 하부면으로 유입되는 것을 방지할 수 있어 기판(s)의 오염을 방지한다. 특히, 종래에는 공정시 기판(s)의 하부면이 처리액에 의해 오염되므로, 기판(s)의 하부면을 세정하는 장치가 필수적으로 부가되나 본 발명은 기판(s)의 하부면을 세정하는 장치가 필수적으로 구비되지 않는다.In addition, in the substrate processing apparatus and method according to the present invention, since the support 130 supports the substrate s while being in line or surface contact with the lower surface edge region of the substrate s, the substrate 130 is sprayed onto the substrate s during processing. The processing liquid can be prevented from flowing into the lower surface of the substrate s to prevent contamination of the substrate s. In particular, in the conventional process, since the lower surface of the substrate s is contaminated by the treatment liquid during the process, an apparatus for cleaning the lower surface of the substrate s is essentially added, but the present invention provides a method for cleaning the lower surface of the substrate s. The device is not necessarily provided.

또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 지지체(130)는 종래의 복수의 지지핀들을 구비하는 방식에 비해 구조를 단순화시킬 수 있고, 작업자의 유지 보수 작업을 효율적으로 수행할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus and method according to the present invention can simplify the structure compared to the method having a plurality of support pins of the prior art, it is possible to efficiently perform the maintenance work of the operator.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and / or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, the use of other inventions such as the present invention in other state known in the art, and the specific fields of application and uses of the invention. Various changes required are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 지지부재 및 상기 지지부재를 구비하는 기판 처리 장치 및 방법은 공정시 기판의 정밀한 수평이 이루어지도록 기판을 지지하여 기판 처리 공정, 특히 도포공정의 효율을 향상시킨다. As described above, the support member and the substrate processing apparatus and method including the support member according to the present invention support the substrate to achieve a precise horizontal level of the substrate during the process to improve the efficiency of the substrate processing process, in particular the coating process.

또한, 본 발명에 따른 지지부재 및 상기 지지부재를 구비하는 기판 처리 장치 및 방법은 도포공정시 기판의 하부면이 처리액에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.In addition, the support member and the substrate processing apparatus and method including the support member according to the present invention can prevent the lower surface of the substrate from being contaminated by the treatment liquid during the coating process.

또한, 본 발명에 따른 지지부재 및 상기 지지부재를 구비하는 기판 처리 장치 및 방법은 장치의 구조를 단순화하고 작업자의 유지 보수가 용이하다.In addition, the support member and the substrate processing apparatus and method including the support member according to the present invention simplify the structure of the apparatus and facilitate the maintenance of the operator.

Claims (13)

기판을 지지하는 부재에 있어서,In a member for supporting a substrate, 플레이트와,With plates, 상기 플레이트에 설치되며, 스핀처리공정시 기판을 지지하는 스핀척과,A spin chuck installed on the plate and supporting the substrate during the spin treatment process; 상기 스핀척의 외측면을 감싸도록 상기 플레이트에 설치되는, 그리고 도포공정시 기판의 하부면과 선접촉 또는 면접촉하도록 상부면이 링형상으로 형상지어지는 지지체 및;A support provided on the plate to surround the outer surface of the spin chuck, and having an upper surface formed in a ring shape such that the upper surface is in line or surface contact with the lower surface of the substrate during an application process; 상기 스핀척과 상기 지지체의 상대 높이를 조절하는 구동기를 포함하는 것을 특징으로 하는 지지부재.And a driver for adjusting the relative height of the spin chuck and the support. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 지지체는,The support, 사각틀 형상의 몸체를 가지는 것을 특징으로 하는 지지부재.A support member, characterized in that it has a rectangular frame body. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 지지체의 상부면에는,On the upper surface of the support, 실링부재가 제공되는 것을 특징으로 하는 지지부재.Support member, characterized in that the sealing member is provided. 기판을 처리하는 장치에 있어서,In the apparatus for processing a substrate, 내부에 기판을 처리하는 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징과,A housing providing a space therein for performing a process of processing a substrate; 공정시 상기 하우징 내부에서 기판을 지지하는 지지부재와,A support member supporting the substrate in the housing during the process; 공정시 상기 지지부재에 의해 지지된 기판으로 처리유체를 분사하는 처리유체 공급부를 포함하되,Including a processing fluid supply unit for injecting the processing fluid to the substrate supported by the support member during the process, 상기 지지부재는,The support member, 플레이트와,With plates, 상기 플레이트에 설치되며, 스핀처리공정시 기판을 지지하는 스핀척과,A spin chuck installed on the plate and supporting the substrate during the spin treatment process; 상기 스핀척의 외측면을 감싸도록 상기 플레이트에 설치되는, 그리고 현상공정시 기판의 하부면과 선접촉 또는 면접촉하도록 상부면이 링형상으로 형상지어지는 지지체 및,A support provided on the plate to surround the outer surface of the spin chuck, and having an upper surface formed in a ring shape such that the upper surface is in line or surface contact with the lower surface of the substrate during the development process; 상기 스핀척과 상기 지지체의 상대 높이를 조절하는 구동기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a driver for adjusting a relative height of the spin chuck and the support. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 처리유체 공급부는,The treatment fluid supply unit, 현상액을 공급하는 현상노즐 및 세정액을 공급하는 세정노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A developing nozzle for supplying a developing solution and a cleaning nozzle for supplying a cleaning solution. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 지지체는,The support, 사각틀 형상의 몸체를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising a body having a rectangular frame shape. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 지지체는,The support, 원통형상의 몸체를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus characterized by having a cylindrical body. 삭제delete 제 5 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 5 to 8, 상기 구동기는,The driver, 상기 스핀척을 상하로 승강 및 하강시키는 승강기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And an elevator for elevating and lowering the spin chuck up and down. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 지지체의 상부면에는,On the upper surface of the support, 실링부재가 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus, characterized in that the sealing member is provided. 스핀처리공정시 기판을 지지하는 스핀척, 그리고 현상공정시 기판을 지지하는 지지체를 구비하는 기판 처리 장치의 기판 처리 방법에 있어서,In the substrate processing method of the substrate processing apparatus provided with the spin chuck which supports a board | substrate at a spin processing process, and the support body which supports a board | substrate at a developing process, 현상액을 도포하는 공정시에는 상기 지지체의 높이가 상기 스핀척의 높이보다 높도록 상기 지지체와 상기 스핀척의 상대높이가 조절되어 공정을 진행하고,In the process of applying the developer, the relative heights of the support and the spin chuck are adjusted so that the height of the support is higher than the height of the spin chuck. 기판을 세정하는 공정시에는 상기 스핀척의 높이가 상기 지지체의 높이보다 높도록 상기 지지체와 상기 스핀척의 상대높이를 조절되어 공정을 진행하되,In the process of cleaning the substrate, the relative height of the support and the spin chuck is adjusted so that the height of the spin chuck is higher than the height of the support, 상기 지지체는,The support, 상기 현상공정시 상기 기판 하부면과 선접촉 또는 점접촉하여 기판을 지지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The substrate processing method, characterized in that for supporting the substrate in line or point contact with the lower surface of the substrate during the development step. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 기판 처리 방법은,The substrate processing method, 상기 지지체에 의해 지지된 기판으로 현상액을 도포하여 기판 표면에 현상액을 도포하되, 상기 지지체의 상부면에 실링부재를 제공함으로써 상기 기판으로 도포된 현상액은 상기 지지체에 의해 기판의 하부면의 중앙영역으로 유입되는 것이 방지되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The developer is applied to the substrate supported by the support to apply the developer to the surface of the substrate, and the developer applied to the substrate is provided to the center area of the lower surface of the substrate by providing the sealing member on the upper surface of the support. Substrate processing method characterized in that the inflow is prevented.
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