KR20150076817A - Apparatus for treating substrate - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 노즐을 세정 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for cleaning a nozzle.
반도체소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위한 공정으로는, 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등 다양한 공정들을 포함한다. 이 중 사진공정은 도포, 노광, 그리고 현상 공정을 포함하며, 도포공정에는 기판 상에 감광액을 도포하고, 노광공정에는 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하며, 현상공정에는 기판의 노광처리된 영역을 선택적으로 현상한다. Processes for fabricating semiconductor devices or liquid crystal displays include various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning. The photolithography process includes a coating process, an exposure process, and a developing process. In the coating process, a photosensitive liquid is coated on a substrate. In the exposure process, a circuit pattern is exposed on a substrate having a photosensitive film. Area is selectively developed.
일반적으로 도포공정에는 노즐이 기판의 중앙영역으로 감광액을 도포하고, 감광액이 분사된 노즐의 끝단을 세정처리한다. 이는 노즐의 끝단에 감광액이 고착되는 것을 방지하기 위한 과정이다. 노즐을 세정처리하는 과정으로는, 노즐이 대기포트로 이동되면, 대기포트에 제공된 분사구를 통해 세정액이 공급된다. 도1은 일반적으로 대기포트를 보여주는 단면도이다. 도1을 참조하면, 노즐(2)이 수용되는 대기포트(4)의 내측면에는 세정액을 분사하는 분사구(6)가 형성된다. 세정액은 노즐(2)의 외측면으로 공급된다. 분사된 세정액은 노즐(2)의 외측면을 타고 아래로 흘러 그 끝단에 부착된 감광액을 제거한다. Generally, in a coating process, a nozzle applies a photosensitive liquid to a central region of a substrate, and cleans the end of the nozzle to which the photosensitive liquid is sprayed. This is a process for preventing the photosensitive liquid from sticking to the end of the nozzle. In the process of cleaning the nozzle, when the nozzle is moved to the standby port, the cleaning liquid is supplied through the nozzle provided in the standby port. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Figure 1 is a cross-sectional view generally showing a standby port. Referring to Fig. 1, a
그러나 도포공정을 수행하기 위해 노즐(2)을 기판의 상부로 이동시키는 과정 또는 감광액을 공급하는 중에 노즐에 잔류된 세정액은 그 노즐의 외측면을 타고 떨어져 공정 불량을 야기한다. However, the cleaning liquid remaining on the nozzle during the process of moving the
또한 노즐(2)의 세정은 세정액이 노즐(2)의 외측면을 타고 아래로 흘러 그 저면에 형성된 토출구를 세정하는 방식으로, 토출구의 중앙영역을 완전히 세정하지 못한다. Also, the cleaning of the
본 발명은 노즐을 세정 시 사용된 세정액이 공정불량을 야기시키는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.The present invention intends to provide an apparatus and a method that can prevent a cleaning liquid used in cleaning a nozzle from causing a process failure.
또한 본 발명은 노즐의 토출구의 세정력을 향상시킬 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and a method for improving the cleaning power of the discharge port of the nozzle.
본 발명의 실시예는 노즐을 세정 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판처리장치는 내부에 처리공간을 제공하는 용기, 상기 처리공간에 배치되며, 기판을 지지하는 지지플레이트, 상기 지지플레이트에 지지되는 기판 상으로 처리액을 공급하는 노즐을 가지는 액 공급 유닛, 그리고 상기 용기의 일측에 위치되며, 상기 노즐이 대기하는 대기 포트를 구비하되, 상기 대기포트는 상부가 개방되고, 내부에 상기 노즐이 수용가능한 수용공간을 가지며, 상기 수용공간과 접하는 측벽에 분사라인이 형성되는 하우징 및 상기 분사라인에 세정액을 공급하는 세정액 공급유닛을 포함하되, 상기 분사라인은 아래에서 위를 향하는 방향으로 상향 경사지게 세정액을 분사한다. An embodiment of the present invention provides an apparatus and method for cleaning a nozzle. The substrate processing apparatus includes a container for providing a processing space therein, a liquid supply unit disposed in the processing space, the liquid supply unit having a support plate for supporting the substrate, a nozzle for supplying the processing solution onto the substrate supported by the support plate, The air conditioner according to any one of
상기 세정액공급유닛은 상기 분사라인과 연결되는 세정액공급원 및 상기 분사라인에 제공되는 세정액의 유량을 조절하는 유량조절밸브를 포함하되, 상기 유량조절밸브는 세정액이 상기 수용공간에서 포물선을 그리는 방향으로 분사되도록 세정액의 유량을 조절할 수 있다. 상기 유량조절밸브는 상기 포물선의 꼭지점이 상기 노즐의 저면 또는 이와 인접한 영역에 위치되도록 세정액의 유량을 조절할 수 있다. 상기 분사부재는 세정액이 상기 노즐의 저면을 향해 분사되도록 제공될 수 있다.Wherein the cleaning liquid supply unit includes a rinse solution supply source connected to the injection line and a flow control valve for regulating the flow rate of the rinse liquid provided in the injection line, wherein the rinse liquid is injected in a direction of drawing a parabola in the accommodation space, The flow rate of the cleaning liquid can be adjusted as much as possible. The flow control valve may adjust the flow rate of the cleaning liquid so that the vertex of the parabolic curve is located at the bottom of the nozzle or in the vicinity thereof. The jetting member may be provided so that the cleaning liquid is jetted toward the bottom surface of the nozzle.
기판 상에 처리액을 공급한 노즐을 세정 처리하는 방법으로는 상기 노즐이 대기포트 내에 제공된 수용공간에 위치되면, 상기 수용공간과 접하는 상기 대기포트의 측벽에 형성된 분사라인을 통해 상기 노즐로 세정액을 분사하되, 상기 노즐은 그 하단이 상기 분사라인보다 위에 위치되도록 상기 수용공간에 제공되고, 세정액은 상향경사진 방향으로 분사되게 제공한다.A method of cleaning a nozzle supplying a treatment liquid onto a substrate is characterized in that when the nozzle is located in a housing space provided in the standby port, the cleaning liquid is supplied to the nozzle through a spray line formed in the side wall of the standby port, Wherein the nozzle is provided in the receiving space such that a lower end thereof is positioned above the jetting line, and the cleaning liquid is jetted in an upward oblique direction.
세정액은 상기 수용공간에서 포물선을 그리는 방향으로 분사될 수 있다. 세정액은 상기 포물선의 꼭지점이 상기 노즐의 저면 또는 이와 인접하게 위치되도록 분사될 수 있다. 세정액은 상기 노즐의 저면을 향해 분사될 수 있다. 상기 처리액은 감광액이고, 상기 세정액은 신나로 제공될 수 있다.The cleaning liquid may be sprayed in the direction of drawing the parabolic curve in the accommodation space. The rinsing liquid may be injected such that the apex of the parabola is located at or near the bottom of the nozzle. The cleaning liquid may be injected toward the bottom surface of the nozzle. The treatment liquid may be a sensitizing liquid, and the cleaning liquid may be provided as a thinner.
본 발명의 실시예에 의하면, 세정액은 노즐의 저면을 향해 분사되므로, 노즐의 외측면에 세정액이 잔류되는 것을 방지할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, since the cleaning liquid is jetted toward the bottom surface of the nozzle, it is possible to prevent the cleaning liquid from remaining on the outer surface of the nozzle.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 세정액은 노즐의 저면으로 직접 분사되므로, 그 토출구의 세정력을 향상시킬 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, since the cleaning liquid is directly sprayed to the bottom surface of the nozzle, the cleaning ability of the discharge port can be improved.
도1은 일반적인 대기포트를 보여주는 단면도이다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도3은 도2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도4는 도2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도5는 도2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도6은 도2의 레지스트 도포 챔버를 보여주는 평면도이다.
도7은 도6의 용기를 보여주는 단면도이다.
도8은 도6의 대기포트를 보여주는 단면도이다.
도9는 도8의 대기포트의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a general standby port.
2 is a top view of a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 2 viewed in the AA direction.
Fig. 4 is a cross-sectional view of the facility of Fig. 2 viewed from the BB direction.
5 is a cross-sectional view of the installation of FIG.
Fig. 6 is a plan view showing the resist application chamber of Fig. 2;
Figure 7 is a cross-sectional view of the container of Figure 6;
8 is a cross-sectional view of the standby port of FIG.
9 is a cross-sectional view showing another embodiment of the standby port of FIG.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.
본 실시예는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용된다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다. 또한 본 실시예는 도포공정에 사용된 노즐을 세정처리하는 장치 및 방법에 대해 설명한다. 그러나 이에 한정되지 않고, 처리액을 공급하는 노즐을 세정처리하는 공정이라면, 현상, 식각, 애싱 등 다양하게 적용 가능하다.This embodiment is used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. Hereinafter, a case where a wafer is used as a substrate will be described as an example. The present embodiment also describes an apparatus and a method for cleaning a nozzle used in a coating process. However, the present invention is not limited to this, and various processes such as development, etching, and ashing can be applied as long as the process of cleaning the nozzle for supplying the process liquid is performed.
도 2 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. 2 to 9 are schematic views illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a view of the substrate processing apparatus viewed from above, FIG. 3 is a view of the apparatus of FIG. 2 viewed from the AA direction, FIG. 4 is a view of the apparatus of FIG. 2 viewed from the BB direction, In the CC direction.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 2 to 5, the
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the
웨이퍼(W)는 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The wafer W is moved in a state accommodated in the
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the
로드 포트(100)는 웨이퍼들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 웨이퍼(W)를 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The
제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 웨이퍼들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 웨이퍼(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 웨이퍼(W)를 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The
냉각 챔버(350)는 각각 웨이퍼(W)를 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 웨이퍼(W)가 놓이는 상면 및 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 웨이퍼(W)를 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling
도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 웨이퍼(W)를 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The coating and developing
도포 모듈(401)은 웨이퍼(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The
반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The
레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 기판처리장치로 제공된다. 도6은 도2의 기판처리장치를 보여주는 평면도이고, 도7은 도6의 용기를 보여주는 단면도이다. 도6 및 도7을 참조하면, 기판처리장치(800)는 용기(850), 기판지지유닛(820), 승강유닛(880), 처리액공급유닛(890), 그리고 대기포트(900)을 포함한다. The resist
용기(850)는 내부에 현상공정이 수행되는 처리공간을 제공한다. 용기(850)는 상부가 개방된 통 형상을 가지도록 제공된다, 용기(850)는 회수통(860) 및 안내벽(870)을 포함한다. 회수통(860)은 기판지지유닛(820)을 감싸는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 회수통(860)은 제1경사벽(862), 수직벽(864), 그리고 바닥벽(866)을 포함한다. 제1경사벽(862)은 기판지지유닛(820)을 둘러싸도록 제공된다. 제1경사벽(862)은 기판지지유닛(820)으로부터 멀어지는 방향으로 하향 경사지게 제공된다. 수직벽(864)은 제1경사벽(862)의 하단으로부터 아래 방향으로 연장된다. 수직벽(864)은 지면과 수직한 길이방향을 가질 수 있다. 바닥벽(866)은 수직벽(864)의 하단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 바닥멱은 기판지지유닛(820)의 중심축을 향하는 방향을 수평하게 제공된다. 바닥벽(866)에는 회수라인(868)이 연결된다. 회수라인(868)은 회수통(860)에 유입된 처리액을 외부로 배출한다. 배출된 처리액은 처리액재생시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다. 회수라인(868)은 바닥벽(866)에서 안내벽(870)과 수직벽(864) 사이에 위치될 수 있다.The
안내벽(870)은 제1경사벽(862)과 바닥벽(866) 사이에 위치된다. 안내벽(870)은 회수통(860)의 내측에서 기판지지유닛(820)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 안내벽(870)은 제2경사벽(872) 및 사이벽(874)을 포함한다. 제2경사벽(872)은 기판지지유닛(820)을 감싸도록 제공된다. 제2경사벽(872)은 기판지지유닛(820)으로부터 멀어지는 방향으로 하향 경사지게 제공된다. 제2경사벽(872)과 제1경사벽(862)의 사이공간은 처리액이 회수되는 회수공간(865)으로 제공된다. 제2경사벽(872)의 상단은 제1경사벽(862)의 상단과 상하방향으로 일치되게 제공될 수 있다. 사이벽(874)은 제2경사벽(872)과 바닥벽(866)을 연결한다. 사이벽(874)은 제2경사벽(872)의 상단으로부터 아래방향으로 연장된다. The
승강유닛(880)은 용기(850)을 상하방향으로 승강 이동시킨다. 승강유닛(880)은 용기(850)과 기판지지유닛(820) 간의 상대 높이를 조절한다. 승강유닛(880)은 브라켓(882), 이동축(884), 그리고 구동기(886)를 포함한다. 브라켓(882)은 제1경사벽(862)의 외측면에 고정설치된다. 브라켓(882)에는 구동기(886)에 의해 상하방향으로 이동 가능한 이동축(884)이 고정 결합된다.The elevating
처리액공급유닛(890)은 지지플레이트(820)에 로딩된 웨이퍼(W)에 처리액을 공급한다. 처리액공급유닛(890)은 아암이동부재(895), 아암(893), 그리고 노즐(894)을 포함한다. 아암(893)은 그 길이방향이 제2방향을 향하는 바 형상으로 제공된다. 아암(893)의 끝단에는 노즐(894)이 결합된다. 아암이동부재(895)는 용기(850)의 일측에 위치된다. 아암이동부재(895)는 아암(893)을 제1방향으로 직선 이동시킨다. 이에 따라 아암(893)에 결합된 노즐(894)은 함께 이동된다. 아암이동부재(895)에 의해 노즐(894)은 공정위치 및 대기위치로 이동된다. 여기서 공정위치는 노즐(894)이 용기(850)와 대향되는 위치이고, 대기위치는 노즐(894)이 대기포트에 대기되는 위치이다. 예컨대, 아암이동부재(895)는 가이드레일(895)일 수 있다. 선택적으로 아암이동부재(895)는 아암(894) 및 노즐(894)을 스윙 이동시키는 지지축으로 제공될 수 있다. 또한 처리액은 감광액일 수 있다. 감광액은 포토레지스트일 수 있다. 추가적으로 처리액공급유닛(890)은 처리액의 확산을 위해 유기용제를 공급하는 노즐(894)이 더 제공될 수 있다. The treatment
대기포트(900)는 용기(850)의 타측에 위치된다. 일 예에 의하면, 용기(850) 및 대기포트(900)는 제1방향(12)을 따라 순차적으로 배열될 수 있다. 대기포트(900)(413)는 웨이퍼(W) 상에 처리액을 공급하는 노즐(894)들(810)이 대기 및 세정되는 장치로 제공된다. 도8은 도6의 대기포트를 보여주는 단면도이다. 도8을 참조하면, 대기포트(900)는 하우징(910) 및 세정액공급유닛(930)을 포함한다. 하우징(910)은 내부에 노즐(894)이 수용 가능한 수용공간(912)을 가진다. 하우징(910)은 상부가 개방되도록 제공된다. 하우징(910)의 내부에는 분사라인(914) 및 드레인라인(916)이 형성된다. 분사라인(914)은 수용공간(912)과 접하는 하우징(910)의 측벽에 형성된다. 분사라인(914)은 수용공간(912)에 위치된 노즐(894)보다 아래에 형성된다. 분사라인(914)은 수용공간(912)과 통하도록 제공된다. 분사라인(914)은 그 길이방향이 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 분사라인(914)은 세정액이 아래에서 위를 향하는 방향으로 세정액을 분사하도록 제공된다. 분사라인(914)은 수용공간(912)과 가까워질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 분사라인(914)의 끝단은 수용공간(912)에 위치된 노즐(894)의 토출구를 향하도록 제공될 수 있다. 드레인라인(916)은 수용공간(912)과 접하는 하우징(910)의 하부벽에 형성된다. 드레인라인(916)은 세정액에 의해 세정처리된 처리액을 외부로 배출한다.The
세정액공급유닛(930)은 세정액공급원(932) 및 유량조절밸브(934)를 포함한다. 세정액공급원(932)은 분사라인(914)에 세정액을 공급한다. 세정액공급원(932)에서 제공된 세정액은 분사라인(914)을 통해 수용공간(912)으로 분사된다. 유량조절밸브(934)는 세정액의 유량을 조절한다. 유량조절밸브(934)는 세정액이 수용공간(912)에서 포물선을 그리며 분사되도록 그 유량을 조절한다. 일 예에 의하면, 유량조절밸브(934)는 포물선의 꼭지점이 수용공간(912)에 위치된 노즐(894)의 토출구 또는 이와 인접하도록 그 유량을 조절할 수 있다. 세정액은 신나일 수 있다.The cleaning
다음은 상술한 기판처리장치(800)를 이용하여 웨이퍼(W)를 처리하는 과정을 설명한다. 기판지지유닛(820)에 웨이퍼(W)가 놓이면, 노즐(894)은 공정위치로 이동된다. 웨이퍼(W)는 기판지지유닛(820)에 의해 회전되고, 노즐(894)은 웨이퍼의 중앙영역에 처리액을 공급한다. 처리액은 웨이퍼(W)의 원심력에 의해 그 중앙영역에서 가장자리영역으로 확산된다. 처리액 도포가 완료되면, 노즐(894)은 대기위치로 이동된다. 노즐(894)은 그 하단에 제공된 토출구가 수용공간(912)에 위치되도록 대기포트(900)에 대기된다. 노즐(894)은 토출구가 형성된 하단이 분사라인(914)보다 높게 위치되도록 대기포트(900)에 대기된다. 노즐(894)이 수용공간(912)에 위치되면, 분사라인(914)을 통해 세정액을 분사한다. 세정액은 수용공간(912)에서 포물선을 그리며 분사된다. 세정액은 그 포물선의 꼭지점이 노즐(894)의 토출구가 접촉되도록 분사된다. 세정액에 의해 세정처리된 처리액은 노즐(894)에서 수용공간(912)을 형성하는 하우징(910)의 바닥멱으로 떨어진다. 이에 의해 처리액 및 세정액은 드레인라인(916)을 통해 배출된다.Next, a process of processing the wafer W using the above-described
상술한 실시예에 의하면, 세정액은 노즐(894)의 하단의 아래에서 분사된다. 이로 인해 그 하단에 형성된 토출구는 세정액에 의해 직접 세정되고, 처리액이 경화되는 것을 방지할 수 있다. 또한 세정액은 노즐(894)의 외측면에 공급되지 않으므로, 노즐(894)의 세정 처리하는 과정에서 세정액이 노즐(894)의 외측면에 잔류하는 것을 방지할 수 있다.According to the above-described embodiment, the cleaning liquid is injected under the lower end of the
또한 상술한 실시예에는 분사라인(914)이 수용공간(912)과 접하는 하우징(910)의 측벽에 형성되는 것으로 설명하였다. 그러나 분사라인(914)은 도9와 같이, 수용공간(912)과 접하는 하우징(910)의 하부벽에 형성될 수 있다. Also, in the above-described embodiment, the
다시 도2 내지 도5를 참조하면, 베이크 챔버(420)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열하여 웨이퍼(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 웨이퍼(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다. 2 to 5, the
현상 모듈(402)은 웨이퍼(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The developing
반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The
현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 웨이퍼(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The
현상 챔버(460)는 용기(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 용기(461)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 용기(461) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The
베이크 챔버(470)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 웨이퍼(W)를 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 웨이퍼(W)를 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. The
상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and
제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 웨이퍼(W)가 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 웨이퍼(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The
제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 웨이퍼(W)를 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 웨이퍼들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The
노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 웨이퍼(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 웨이퍼(W)를 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. The pre- and
노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The
반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The
보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 웨이퍼(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective
베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 웨이퍼(W)를 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The
후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The
반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The
세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 웨이퍼(W)를 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 웨이퍼(W)가 회전되는 동안 노즐(663)은 웨이퍼(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The
노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 웨이퍼(W)를 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. The
상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, the
인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The
인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The
제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The
다음에는 상술한 기판 처리 설비(1)를 이용하여 공정을 수행하는 일 예를 설명한다.Next, an example of performing the process using the above-described
웨이퍼들(W)이 수납된 카세트(20)는 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인다. 도어 오프너에 의해 카세트(20)의 도어가 개방된다. 인덱스 로봇(220)은 카세트(20)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 2 버퍼(330)로 운반한다. The
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330)에 보관된 웨이퍼(W)를 제 1 버퍼(320)로 운반한다. 도포부 로봇(432)은 제 1 버퍼(320)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 도포 모듈(401)의 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 프리 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 레지스트 도포 챔버(410)로 운반한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 이후 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트가 도포되면, 도포부 로봇(432)은 웨이퍼(W)를 레지스트 도포 챔버(410)로부터 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 웨이퍼(W)에 대해 소프트 베이크 공정을 수행한다. The
도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)로 운반한다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 웨이퍼(W)에 대해 냉각 공정이 수행된다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)는 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 에지 노광 챔버(550)로 운반된다. 에지 노광 챔버(550)는 웨이퍼(W)의 가장자리 영역을 노광하는 공정을 수행한다. 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)는 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 버퍼(520)로 운반된다.The
전처리 로봇(632)은 버퍼(520)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 전처리 모듈(601)의 보호막 도포 챔버(610)로 운반한다. 보호막 도포 챔버(610)는 웨이퍼(W) 상에 보호막을 도포한다. 이후 전처리 로봇(632)은 웨이퍼(W)를 보호막 도포 챔버(610)로부터 베이크 챔버(620)로 운반한다. 베이크 챔버(620)는 웨이퍼(W)에 대해 가열 및 냉각 등과 같은 열처리를 수행한다. The
전처리 로봇(632)은 베이크 챔버(620)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720)로 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720)로부터 처리 모듈(800)의 반전 유닛(840)으로 웨이퍼를 운반한다. 반전 유닛(840)은 웨이퍼의 제 1 면(패턴 면)이 아래 방향을 향하도록 웨이퍼를 반전시킨다. 반전된 웨이퍼는 스핀 척(810) 상에 로딩되고, 로딩된 웨이퍼는 핀 부재들(811a, 811b)에 의해 척킹된다.The
스핀 척(810)의 지지판(812) 형성된 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면으로 질소 가스와 같은 불활성 가스가 분사되고, 이후 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면으로 탈이온수와 같은 린스액이 분사된다. 린스액은 가스와 함께 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면에 분사될 수도 있다. 웨이퍼의 제 1 면으로의 가스 및/또는 린스액의 분사시, 스핀 척(810)은 회전될 수 있으며, 이와 달리 회전되지 않을 수도 있다. 그리고, 린스액 분사 유닛(860)은 웨이퍼의 제 2 면에 린스액을 분사한다.An inert gas such as nitrogen gas is injected onto the first surface of the wafer through the injection holes 852 formed in the support plate 812 of the spin chuck 810 and then is injected into the first surface of the wafer through the injection holes 852 with deionized water The rinsing liquid is sprayed. The rinse liquid may be sprayed onto the first side of the wafer through the injection holes 852 with the gas. Upon injection of the gas and / or rinse liquid to the first side of the wafer, the spin chuck 810 may be rotated and otherwise not rotated. Then, the rinse
이후 웨이퍼는 인터페이스 로봇(740)에 의해 처리 모듈(800)로부터 제 1 버퍼(720)로 운반된 후, 제 1 버퍼(720)로부터 노광 장치(900)로 운반된다. 노광 장치(900)는 웨이퍼의 제 1 면에 대해 노광 공정, 예를 들어 액침 노광 공정을 수행한다. 노광 장치(900)에서 웨이퍼(W)에 대해 노광 공정이 완료되면, 인터페이스 로봇(740)은 노광 장치(900)에서 웨이퍼(W)를 제 2 버퍼(730)로 운반한다. The wafer is then transferred from the
후처리 로봇(682)은 제 2 버퍼(730)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 후처리 모듈(602)의 세정 챔버(660)로 운반한다. 세정 챔버(660)는 웨이퍼(W)의 표면에 세정액을 공급하여 세정 공정을 수행한다. 세정액을 이용한 웨이퍼(W)의 세정이 완료되면 후처리 로봇(682)은 곧바로 세정 챔버(660)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 노광 후 베이크 챔버(670)로 웨이퍼(W)를 운반한다. 노광 후 베이크 챔버(670)의 가열 플레이트(672)에서 웨이퍼(W)의 가열에 의해 웨이퍼(W) 상에 부착된 세정액이 제거되고, 이와 동시에 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화가 완성된다. 후처리 로봇(682)은 노광 후 베이크 챔버(670)로부터 웨이퍼(W)를 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)로 운반한다. 제 2 냉각 챔버(540)에서 웨이퍼(W)의 냉각이 수행된다.The
현상부 로봇(482)은 제 2 냉각 챔버(540)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 현상 모듈(402)의 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 포스트 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 현상 챔버(460)로 운반한다. 현상 챔버(460)는 웨이퍼(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. 이후 현상부 로봇(482)은 웨이퍼(W)를 현상 챔버(460)로부터 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 웨이퍼(W)에 대해 하드 베이크 공정을 수행한다. The developing
현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)로 운반한다. 냉각 챔버(350)는 웨이퍼(W)를 냉각하는 공정을 수행한다. 인덱스 로봇(360)은 냉각 챔버(350)부터 웨이퍼(W)를 카세트(20)로 운반한다. 이와 달리, 현상부 로봇(482)는 베이크 챔버(470)에서 웨이퍼(W)를 꺼내 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)으로 운반하고, 이후 인덱스 로봇(360)에 의해 카세트(20)로 운반될 수 있다.The developing
다음은 상술한 기판처리설비(1)의 다양한 변형 예들을 예시한다. The following illustrates various modifications of the
도포 및 현상 모듈(400)은 서로 층으로 구획된 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402) 대신 하나의 모듈만을 구비할 수 있다. 이 경우, 하나의 모듈 내에 도포 챔버, 현상 챔버, 베이크 챔버, 그리고 반송 챔버들이 제공될 수 있다. 이 경우, 제 1 버퍼 모듈(300)에 제 1 버퍼(320), 제 1 버퍼 로봇(360)은 제공되지 않을 수 있다.The application and
또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 제공되지 않고, 노광 전후 처리 모듈(600)과 도포 및 현상 모듈(400)이 인접하게 배치될 수 있다.Also, the
또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 서로 층으로 구획된 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602) 대신 하나의 모듈만을 구비할 수 있다. 이 경우, 하나의 모듈 내에, 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670)가 모두 제공될 수 있다.In addition, the pre- and
또한, 세정 챔버(660)에는 세정액을 공급하는 노즐 이외에 추가적으로 건조 가스를 공급하는 노즐을 더 제공될 수 있다. 이 경우, 노광 후 베이크 챔버(670)에서 웨이퍼(W)의 가열이 이루어지기 전에 웨이퍼(W) 상에 부착된 세정액을 제거할 수 있다. Further, the
또한, 노광 장치(900)가 액침 노광 방식 이외의 방식으로 공정을 수행하는 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 제공되지 않을 수 있다.Further, when the
또한, 에지 노광 챔버(550)는 인터페이스 모듈(700)에 제공될 수 있다. 또한, 에지 노광 공정은 웨이퍼 상에 보호막을 도포하는 공정 이후에 수행되거나, 노광 공정과 웨이퍼를 세정하는 공정 사이에 수행되거나, 노광 후 베이크 공정과 현상 공정 사이에 수행될 수 있다.
In addition, the
Claims (2)
상기 처리공간에 배치되며, 기판을 지지하는 지지플레이트와;
상기 지지플레이트에 지지되는 기판 상으로 처리액을 공급하는 노즐을 가지는 액 공급 유닛과;
상기 용기의 일측에 위치되며, 상기 노즐이 대기하는 대기 포트를 구비하되,
상기 대기포트는,
상부가 개방되고, 내부에 상기 노즐이 수용가능한 수용공간을 가지며, 상기 수용공간과 접하는 측벽에 분사라인이 형성되는 하우징과;
상기 분사라인에 세정액을 공급하는 세정액 공급유닛을 포함하되,
상기 분사라인은 아래에서 위를 향하는 방향으로 상향 경사지게 세정액을 분사하는 기판처리장치.A vessel for providing a processing space therein;
A support plate disposed in the processing space and supporting the substrate;
A liquid supply unit having a nozzle for supplying a treatment liquid onto a substrate supported by the support plate;
A container positioned at one side of the container and having an atmospheric port waiting for the nozzle,
The standby port may include:
A housing in which an upper portion is opened, a housing having a receiving space in which the nozzle is accommodated, and a jetting line formed in a side wall in contact with the receiving space;
And a cleaning liquid supply unit for supplying a cleaning liquid to the spray line,
Wherein the spraying line injects a cleaning liquid upwardly inclined in a direction from below to upward.
상기 세정액공급유닛은,
상기 분사라인과 연결되는 세정액공급원과;
상기 분사라인에 제공되는 세정액의 유량을 조절하는 유량조절밸브를 포함하되,
상기 유량조절밸브는 세정액이 상기 수용공간에서 포물선을 그리는 방향으로 분사되도록 세정액의 유량을 조절하는 기판처리장치.
The method according to claim 1,
The cleaning liquid supply unit includes:
A cleaning liquid supply source connected to the injection line;
And a flow control valve for controlling a flow rate of the cleaning liquid supplied to the injection line,
Wherein the flow control valve adjusts the flow rate of the cleaning liquid so that the cleaning liquid is sprayed in the direction of drawing the parabola in the accommodation space.
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KR20230100831A (en) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | 세메스 주식회사 | A home pot and an apparatus for treating a substrate |
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- 2013-12-27 KR KR1020130165430A patent/KR102223764B1/en active IP Right Grant
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