KR100749549B1 - Method of treating a substrate in a single wafer type - Google Patents

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이택엽
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세메스 주식회사
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Abstract

A substrate processing apparatus and method is provided to increase the reuse ratio of a process solution by enhancing the efficiency in a process solution collecting process using an auxiliary collecting part with a collecting plate. A substrate processing apparatus includes a housing(110) having an upper opening portion, a plurality of collecting units, a spin chuck and a process fluid supply member. The plurality of collecting units are installed like an annular type structure along an inner surface of the housing. The collecting units are stacked with each other. The spin chuck(120) is used for loading and rotating a substrate. The spin chuck is capable of moving the collecting units up and down. The process fluid supply member is used for supplying a process solution onto a treatment object surface of the substrate. The lowermost collecting unit includes an auxiliary collecting part(220) with a collecting plate. The collecting part is capable of being prolonged from a lower end portion of an inlet of the lowermost collecting unit toward a lower region of the spin chuck when the spin chuck becomes located at the height corresponding to the lowermost collecting unit.

Description

기판 처리 장치 및 방법{METHOD OF TREATING A SUBSTRATE IN A SINGLE WAFER TYPE}Substrate processing apparatus and method {METHOD OF TREATING A SUBSTRATE IN A SINGLE WAFER TYPE}

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성도이다.1 is a configuration diagram of a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다.2 is a flow chart showing a substrate processing method according to the present invention.

도 3a 내지 도 3e는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.3A to 3E are diagrams for describing a process of a substrate processing apparatus according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 기판 처리 장치100: substrate processing apparatus

110 : 하우징110: housing

120 : 스핀척120: spin chuck

130 : 구동부130: drive unit

140 : 노즐부140: nozzle unit

150 : 노즐부 구동기150: nozzle unit driver

160 : 처리유체 공급부재160: treatment fluid supply member

170 : 제어부170: control unit

200 : 회수부재200: recovery member

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 반도체 기판상에 처리유체를 공급하여 세정 및 린스, 그리고 건조하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate, and more particularly, to an apparatus and method for supplying a processing fluid on a semiconductor substrate to clean, rinse and dry.

반도체 제조 공정은 일련의 단위 공정들을 연속적 및 반복적으로 수행함으로써 반도체 집적회로 칩을 생산하는 공정이다. 이러한 단위 공정들 중 식각 공정 및 세정 공정은 웨이퍼 상에 잔류하는 이물질을 제거하는 공정이다.The semiconductor manufacturing process is a process for producing a semiconductor integrated circuit chip by performing a series of unit processes continuously and repeatedly. Among these unit processes, an etching process and a cleaning process are processes for removing foreign substances remaining on the wafer.

일반적으로 식각 공정 및 세정 공정을 수행하는 장치는 건식 처리 장치와 습식 처리 장치로 나뉜다. 이 중 습식 처리 장치는 하우징, 스핀척, 처리유체 공급부재, 그리고 회수부재를 가진다. 하우징은 내부에 식각 및 세정 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 스핀척은 공정시 하우징 내부에서 기판을 지지 및 회전시킨다. 처리유체 공급부재는 회전되는 웨이퍼의 처리면으로 처리유체들을 순차적 또는 선택적으로 분사한다. 분사된 처리유체들은 웨이퍼 표면에 잔류하는 이물질을 제거한다. 그리고, 회수부재는 처리액들의 재사용을 위해, 공정시 기판의 원심력으로 인해 기판으로부터 비산되는 처리액들을 회수한다. 상술한 습식 처리 장치는 공정시 처리유체 공급부재가 스핀척에 의해 지지 및 회전되는 기판의 처리면으로 세정액, 린스액, 그리고 건조가스를 순차적으로 분사하여 기판을 처리하고, 사용된 세정액은 회수부재에 의해 회수된다.In general, the apparatus for performing the etching process and the cleaning process is divided into a dry processing device and a wet processing device. Among these, the wet treatment apparatus has a housing, a spin chuck, a treatment fluid supply member, and a recovery member. The housing provides a space therein in which etching and cleaning processes are performed. The spin chuck supports and rotates the substrate inside the housing during the process. The processing fluid supply member sprays the processing fluids sequentially or selectively onto the processing surface of the rotating wafer. The injected treatment fluids remove foreign matter remaining on the wafer surface. Then, the recovery member recovers the processing liquids scattered from the substrate due to the centrifugal force of the substrate in the process for reuse of the processing liquids. The above-described wet processing apparatus processes the substrate by sequentially spraying the cleaning liquid, the rinse liquid, and the dry gas onto the processing surface of the substrate on which the processing fluid supply member is supported and rotated by the spin chuck during the process, and the used cleaning liquid is a recovery member. Is recovered by.

그러나, 일반적인 습식 처리 장치는 공정시 사용된 세정액 및 린스액 등의 처리액이 회수부재로 완전히 회수되지 않았다. 예컨대, 기판의 처리면으로 분사된 처리액은 회전되는 기판의 원심력에 의해 기판으로부터 비산되어 회수부재로 회수되지만, 스핀척의 회전속도가 저속인 경우에는 기판으로부터 회수부재로 비산되지 못하고 스핀척의 표면을 따라 흘러내린다. 따라서, 처리액이 완전히 회수되지 않아 처리액의 재사용률이 낮고, 하우징 내 잔류하는 처리액 및 처리액으로부터 발생되는 흄(fume)에 의해 장치가 오염된다.However, in the general wet treatment apparatus, treatment liquids such as a washing liquid and a rinse liquid used in the process were not completely recovered by the recovery member. For example, the processing liquid sprayed onto the processing surface of the substrate is scattered from the substrate by the centrifugal force of the rotating substrate and recovered to the recovery member. However, when the spin chuck has a low rotational speed, the processing liquid is not scattered from the substrate to the recovery member, and the surface of the spin chuck is removed. Flow down. Therefore, the treatment liquid is not completely recovered, so the reuse rate of the treatment liquid is low, and the apparatus is contaminated by the treatment liquid remaining in the housing and the fume generated from the treatment liquid.

상술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 사용된 처리액의 회수율을 향상시킨 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method which improves the recovery rate of a used processing liquid.

또한, 본 발명은 처리액 및 처리액으로부터 발생되는 흄에 의한 설비 오염을 방지하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Moreover, an object of this invention is to provide the processing liquid and the substrate processing apparatus and method which prevent the installation contamination by the fume which arises from a processing liquid.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공하며, 상부가 개방된 하우징, 상기 하우징의 내측면을 따라 환형으로 구비되며, 사용된 처리액이 유입되는 입구가 상하로 적층되도록 배치되는 복수의 회수통들, 공정 진행시 기판을 지지 및 회전시키고, 상기 회수통들 내측에서 상하로 이동가능한 스핀척, 그리고 공정 진행시 상기 스핀척에 지지된 기판의 처리면으로 처리액들을 공급하는 처리유체 공급부재를 포함하되, 상기 회수통들 중 가장 아래에 위치되는 회수통은 상기 스핀척이 상기 가장 아래에 위치 되는 회수통과 대응되는 높이에 위치되었을 때, 처리액이 유입되는 상기 가장 아래에 위치되는 회수통의 입구 하단으로부터 상기 스핀척의 하부영역까지 연장되는 회수판을 가지는 보조 회수통이 구비된다.The substrate processing apparatus according to the present invention for achieving the above object provides a space for performing a substrate processing process therein, the housing is open in the upper, it is provided in an annular shape along the inner surface of the housing, the processing liquid used A plurality of recovery containers arranged such that the inlet is stacked up and down, a spin chuck supporting and rotating the substrate during the process and moving up and down inside the recovery containers, and supported by the spin chuck during the process; And a processing fluid supply member for supplying the processing liquids to the processing surface of the substrate, wherein the recovery vessel located at the bottom of the recovery vessels is positioned at a height corresponding to the recovery vessel located at the bottom of the spin chuck. And a recovery plate extending from a lower end of an inlet of the lowestly located recovery container into which the processing liquid flows into the lower region of the spin chuck. The recovered auxiliary tube is provided.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공하며, 상부가 개방된 하우징, 공정 진행시, 상기 하우징 내부에서 기판을 지지 및 회전시키는 스핀척, 공정 진행시, 상기 스핀척에 지지된 기판의 처리면으로 처리액들을 공급하는 처리유체 공급부재, 상기 하우징의 내측면을 따라 환형으로 구비되는, 그리고 공정시 기판의 회전속도가 기설정된 회전속도 이상으로 요구되는 공정에 사용된 처리액을 회수시키는 제1 회수통, 그리고 상기 하우징의 내측면을 따라 환형으로 구비되는, 그리고 공정시 기판의 회전속도가 기설정된 회전속도 이하로 요구되는 공정에 사용된 처리액을 회수시키는 제2 회수통을 포함하되, 상기 제2 회수통은 상기 제1 회수통의 아래에 제공되어 사용된 처리액을 회수하는 주 회수통 및 상기 스핀척이 상기 주 회수통과 대응되는 높이에 위치되었을 때, 처리액이 유입되는 상기 주 회수통의 입구 하단으로부터 상기 스핀척의 하부영역까지 연장되는 회수판을 가지는 보조 회수통을 제공된다.The substrate processing apparatus according to the present invention for achieving the above object provides a space for performing a substrate processing process therein, a housing having an open top, during the process, a spin chuck to support and rotate the substrate in the housing A process fluid supply member for supplying process liquids to a process surface of the substrate supported by the spin chuck during the process, and provided in an annular shape along an inner surface of the housing, wherein the process speed of the substrate is predetermined The first recovery container for recovering the processing liquid used in the process required above, and used in the process is provided in an annular shape along the inner surface of the housing, and the rotational speed of the substrate during the process is required to be less than the predetermined rotational speed A second recovery container for recovering the used processing liquid, wherein the second recovery container is provided under the first recovery container to recover the used processing liquid; An auxiliary recovery container having a main recovery container and a recovery plate having a recovery plate extending from the lower end of the inlet of the main recovery container into which the processing liquid flows to the lower region of the spin chuck when the spin chuck is positioned at a height corresponding to the main recovery container. Is provided.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 보조 회수통은 상기 스핀척이 상기 가장 아래에 제공되는 회수통과 대응되는 높이에 위치되었을 때, 처리액이 유입되는 입구의 하단으로부터 상기 스핀척의 하부영역까지 연장되는 회수판이 구비된다.According to an embodiment of the present invention, the auxiliary recovery container extends from the lower end of the inlet through which the processing liquid flows to the lower region of the spin chuck when the spin chuck is located at a height corresponding to the recovery container provided at the bottom. A recovery plate is provided.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 회수판은 상기 스핀척의 하부영역으로부터 상기 입구의 하단으로 갈수록 하향 경사진다.According to an embodiment of the invention, the recovery plate is inclined downward toward the lower end of the inlet from the lower region of the spin chuck.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 스핀척의 저면에는 상기 스핀척이 상기 가장 아래에 있는 회수통과 대응되는 높이에 위치되었을 때, 상기 회수판의 끝단이 삽입되는 삽입홈이 형성된다.According to an embodiment of the present invention, an insertion groove into which the end of the recovery plate is inserted is formed at the bottom of the spin chuck when the spin chuck is positioned at a height corresponding to the bottom of the recovery container.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 스핀척에 안착되어 회전되는 기판의 처리면으로 복수의 처리액들을 분사하고, 분사된 처리액들은 회전되는 기판의 회전력에 의해 기판의 측부에 제공된 환형의 회수통들로 비산시켜 분리회수함으로써 기판을 처리하되, 공정상 요구되는 기판의 회전속도가 상기 처리액이 상기 회수통으로 유입되지 않을 정도로 낮은 경우에는 상기 회수통들 중 가장 아래에 위치되는 회수통으로 상기 처리액이 회수되도록 상기 스핀척의 높이를 제어한다.The substrate processing method according to the present invention for achieving the above object is spraying a plurality of processing liquids to the processing surface of the substrate is rotated and mounted on the spin chuck, the injected processing liquid is the side portion of the substrate by the rotational force of the rotating substrate The substrate is processed by scattering and collecting the annular waste container provided in the container. If the rotation speed of the substrate required by the process is low enough that the processing liquid does not flow into the waste container, it is located at the bottom of the waste container. The height of the spin chuck is controlled so that the treatment liquid is recovered by the recovery container.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 가장 아래에 위치되는 회수통은 상기 가장 아래에 위치되는 회수통으로 회수되지 않아 상기 스핀척의 표면을 따라 흘러내리는 처리액을 회수시킨다.According to an embodiment of the present invention, the bottommost recovery bin is not recovered to the bottommost recovery bin to recover the processing liquid flowing along the surface of the spin chuck.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the spirit of the present invention to those skilled in the art will fully convey. Portions denoted by like reference numerals denote like elements throughout the specification.

또한, 본 발명의 실시예에서는 낱장의 웨이퍼를 세정 및 린스, 그리고 건조 하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나, 본 발명은 소정의 처리액으로 기판을 처리하는 모든 반도체 및 평판 디스플레이 제조 장치에 적용될 수 있다.In the embodiment of the present invention, an apparatus for cleaning, rinsing and drying a single wafer will be described. However, the present invention can be applied to all semiconductor and flat panel display manufacturing apparatuses that treat a substrate with a predetermined treatment liquid.

(실시예)(Example)

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(apparatus for treating substrate)(100)는 하우징(housing)(110), 스핀척(spin chuck)(120), 구동부(driven member)(130), 노즐부(nozzle member)(140), 노즐부 구동기(nozzle member driven part)(150), 처리유체 공급부재(treating-liquid supply member)(160), 제어부(controller)(170), 그리고 회수부재(200)를 포함한다.1 is a configuration diagram of a substrate processing apparatus according to the present invention. Referring to FIG. 1, the apparatus for treating substrate 100 according to the present invention includes a housing 110, a spin chuck 120, a driven member 130, Nozzle member 140, nozzle member driven part 150, treating-liquid supply member 160, controller 170, and recovery member ( 200).

하우징(110)은 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 여기서, 상기 기판 처리 공정은 기판(W) 표면에 잔류하는 이물질의 세정 및 기판의 건조 공정을 포함한다. 하우징(110)은 상부가 개방된 원통형상을 가진다. 하우징(110)의 개방된 상부는 공정시 기판(W)의 출입이 이루어지는 기판 출입구로 사용된다.The housing 110 provides a space in which the substrate treating process is performed. In this case, the substrate treating step includes a step of cleaning the foreign matter remaining on the surface of the substrate W and drying the substrate. The housing 110 has a cylindrical shape with an open top. The open upper portion of the housing 110 is used as a substrate entrance through which the substrate W is made to enter and exit during the process.

스핀척(120)은 공정시 기판(W)을 지지 및 회전한다. 스핀척(120)은 스핀헤드(spin head)(122) 및 구동축(driven shaft)(124)을 가진다. 스핀헤드(122)는 상부에 기판(W)을 지지한다. 구동축(124)은 하우징(110) 내부 중앙에서 회전가능하도록 설치된다. 스핀헤드(122)의 상부면에는 척킹핀(chucking pin)(122a)들이 설치된다. 각각의 척킹핀들(122a)은 공정시 기판(W)이 스핀헤드(122)로부터 이탈되지 않도록 기판(W)을 척킹(chucking)한다. 스핀헤드(122)의 저면에는 삽입홈(122b)에 형 성된다. 삽입홈(122b)은 공정시 후술할 보조 회수통(220)의 회수판(224)의 끝단(224a)이 삽입되기 위해 제공된다.The spin chuck 120 supports and rotates the substrate W during the process. Spin chuck 120 has a spin head 122 and a driven shaft 124. The spin head 122 supports the substrate W thereon. The drive shaft 124 is installed to be rotatable in the center of the housing 110. Chucking pins 122a are installed on the upper surface of the spin head 122. Each of the chucking pins 122a chucks the substrate W such that the substrate W is not separated from the spin head 122 during the process. The bottom of the spin head 122 is formed in the insertion groove (122b). The insertion groove 122b is provided to insert the end 224a of the recovery plate 224 of the auxiliary recovery container 220 to be described later in the process.

구동부(130)는 스핀척(120)을 구동한다. 구동부(130)는 구동축(124)을 회전시켜 스핀헤드(122)를 회전시키고, 구동축(124)을 승강시켜 스핀헤드(122)의 높이를 조절한다. 특히, 구동부(140)는 세정 및 건조 공정시 사용되는 처리액들이 효과적으로 제1 내지 제3 회수통(122, 124, 126)으로 회수되도록 스핀헤드(122)의 높이를 조절한다. 즉, 구동부(130)는 로딩/언로딩 위치(도 3a의(L1)), 제1 공정위치(도3b의(L2)), 그리고 제2 공정위치(도 3c의(L3)) 상호간에 스핀척(120)을 이동시킨다. 로딩/언로딩 위치(L1)는 공정시 기판(W)의 로딩(loading) 및 언로딩(unloading)이 이루어지는 스핀척(120)의 위치이다. 제1 공정위치(L2)는 세정액으로 기판(W)을 세정하기 위한 위치이고, 제2 공정위치(L3)는 린스액으로 기판(W)을 린스하기 위한 위치이다.The driver 130 drives the spin chuck 120. The driver 130 rotates the drive shaft 124 to rotate the spin head 122, and lifts the drive shaft 124 to adjust the height of the spin head 122. In particular, the driving unit 140 adjusts the height of the spin head 122 so that the treatment liquids used in the cleaning and drying processes are effectively recovered to the first to third recovery containers 122, 124, and 126. That is, the drive unit 130 spins between the loading / unloading positions (FIG. 3A (L1)), the first process position (L2 of FIG. 3B), and the second process position (L3 of FIG. 3C). Move the chuck 120. The loading / unloading position L1 is a position of the spin chuck 120 in which the loading and unloading of the substrate W is performed during the process. The first process position L2 is a position for cleaning the substrate W with the cleaning liquid, and the second process position L3 is a position for rinsing the substrate W with the rinse liquid.

노즐부(140)는 공정시 스핀척(120)에 안착된 기판(W)의 처리면으로 처리액을 공급한다. 일 실시예로서, 노즐부(140)에는 세 개의 노즐(nozzle)(미도시됨)이 구비되고, 각각의 노즐은 세정액 및 린스액, 그리고 건조가스를 분사한다.The nozzle unit 140 supplies the processing liquid to the processing surface of the substrate W seated on the spin chuck 120 during the process. In one embodiment, the nozzle unit 140 is provided with three nozzles (not shown), each nozzle sprays a cleaning liquid, a rinse liquid, and a dry gas.

노즐부 구동기(150)는 노즐부(140)를 구동한다. 노즐부 구동기(150)는 제1 아암(first arm)(152), 제2 아암(second arm)(154), 그리고 구동장치(driven part)(156)를 포함한다. 제1 아암(152)은 하우징(110)의 외부 상부에 수평으로 설치되고, 제2 아암(154)은 하우징(110)의 외부 측부에 수직하게 설치된다. 그리고, 구동장치(156)는 제2 아암(154)을 회전 및 상하 운동시켜 노즐부(140)를 분사 위 치(a) 및 대기 위치(b) 상호간에 노즐부(140)를 이동시킨다. 여기서, 분사 위치(a)는 공정 진행시 노즐부(140)가 지지부재(130)에 로딩(loading)된 기판(W)의 처리면으로 처리액들을 분사하기 위한 위치이고, 대기 위치(b)는 분사 위치(a)로 이동되기 전 노즐부(140)가 하우징(110) 외부 일측에서 대기하는 위치이다. The nozzle unit driver 150 drives the nozzle unit 140. The nozzle unit driver 150 includes a first arm 152, a second arm 154, and a driven part 156. The first arm 152 is installed horizontally on the outer top of the housing 110, and the second arm 154 is installed perpendicular to the outer side of the housing 110. In addition, the driving device 156 rotates and moves the second arm 154 up and down to move the nozzle unit 140 between the injection position (a) and the standby position (b). Here, the injection position (a) is a position for injecting the processing liquids to the processing surface of the substrate (W) in which the nozzle unit 140 is loaded on the support member 130 during the process, the standby position (b) Is a position where the nozzle unit 140 waits at one side outside the housing 110 before moving to the injection position (a).

처리유체 공급부재(160)는 노즐부(140)로 처리유체를 공급한다. 처리유체 공급부재(160)는 세정액 공급기(first chemical supply part)(162), 린스액 공급기(second chemical supply part)(164), 그리고 건조가스 공급기(dry gas supply part)(166)를 포함한다.The treatment fluid supply member 160 supplies the treatment fluid to the nozzle unit 140. The treatment fluid supply member 160 includes a first chemical supply part 162, a rinse liquid supply part 164, and a dry gas supply part 166.

세정액 공급기(162)는 세정액 공급원(162a) 및 세정액 공급라인(162b)을 가진다. 세정액 공급원(162a)은 세정액을 수용하고, 세정액 공급라인(162b)은 세정액 공급원(162a)으로부터 노즐부(140)로 세정액을 공급한다. 린스액 공급기(164)는 린스액 공급원(164a) 및 린스액 공급라인(164b)을 가진다. 린스액 공급원(164a)은 린스액을 수용하고, 린스액 공급라인(164b)은 린스액 공급원(164a)으로부터 노즐부(140)로 린스액을 공급한다. 그리고, 건조가스 공급기(166)는 건조가스 공급원(166a) 및 건조가스 공급라인(166b)을 가진다. 건조가스 공급원(166a)은 건조가스를 수용하고, 건조가스 공급라인(166b)은 건조가스 공급원(166a)으로부터 노즐부(140)로 건조가스를 공급한다. The cleaning liquid supply 162 has a cleaning liquid supply source 162a and a cleaning liquid supply line 162b. The cleaning liquid supply source 162a receives the cleaning liquid, and the cleaning liquid supply line 162b supplies the cleaning liquid from the cleaning liquid supply source 162a to the nozzle unit 140. The rinse liquid supplier 164 has a rinse liquid supply source 164a and a rinse liquid supply line 164b. The rinse liquid supply source 164a receives the rinse liquid, and the rinse liquid supply line 164b supplies the rinse liquid from the rinse liquid supply source 164a to the nozzle unit 140. And, the dry gas supplier 166 has a dry gas supply source 166a and a dry gas supply line 166b. The dry gas supply source 166a receives the dry gas, and the dry gas supply line 166b supplies the dry gas from the dry gas supply source 166a to the nozzle unit 140.

여기서, 세정액은 기판(W)의 처리면에 잔류하는 이물질 및 불필요한 막을 제거하기 위한 처리액이고, 상기 린스액은 기판(W) 표면에 잔류하는 세정액을 제거하기 위한 처리액이다. 그리고, 상기 건조가스는 기판(W) 표면을 건조하기 위한 가스 이다. 예컨대, 제1 및 제2 약액은 불산(HF), 황산(H3SO4), 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 그리고 SC-1(standard clean-1) 용액으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 린스액으로는 초순수(DIW:Deionized Water)가 사용될 수 있다. 그리고, 건조가스로는 이소프로필 알코올 가스(IPA:Isopropyl alcohol gas)가 사용될 수 있다.Here, the cleaning liquid is a processing liquid for removing foreign matter and unnecessary film remaining on the processing surface of the substrate W, and the rinse liquid is a processing liquid for removing the cleaning liquid remaining on the surface of the substrate W. In addition, the dry gas is a gas for drying the surface of the substrate (W). For example, the first and second chemicals may be at least one selected from the group consisting of hydrofluoric acid (HF), sulfuric acid (H3SO4), nitric acid (HNO3), phosphoric acid (H3PO4), and SC-1 (standard clean-1) solution. have. Ultra rinse water (DIW) may be used as the rinse liquid. As the dry gas, isopropyl alcohol gas (IPA) may be used.

제어부(170)는 기판 처리 장치(100)의 공정 진행을 제어한다. 즉, 제어부(170)는 구동부(130)를 제어하여 스핀척(120)의 높이 및 회전속도를 제어한다. 제어부(170)는 구동장치(156)를 제어하여 노즐부(140)의 위치를 조절한다. 제어부(170)는 밸브(V1, V2, V3)의 개폐를 제어하여 처리유체 공급부재(160)의 처리유체 공급을 제어한다. 그리고, 제어부(180)는 회수부재(200)의 처리액 회수를 제어한다.The controller 170 controls the process progress of the substrate processing apparatus 100. That is, the controller 170 controls the driving unit 130 to control the height and rotation speed of the spin chuck 120. The controller 170 controls the driving device 156 to adjust the position of the nozzle unit 140. The controller 170 controls the opening and closing of the valves V1, V2, and V3 to control the processing fluid supply of the processing fluid supply member 160. The controller 180 controls the recovery of the processing liquid of the recovery member 200.

회수부재(200)는 공정시 기판(W)의 처리면으로 분사되는 처리액들을 회수한다. 회수부재(200)는 주 회수통(main recycle canister)(210) 및 보조 회수통(supplement recycle canister)(220), 그리고 회수통(230)을 포함한다. 주 회수통(210) 및 보조 회수통(220), 그리고 회수통(230) 각각은 하우징(110)의 내측벽을 따라 환형으로 제공되며, 처리액이 유입되는 입구(212, 221, 232)가 상하로 적층되도록 배치된다. The recovery member 200 recovers the processing liquids injected into the processing surface of the substrate W during the process. The recovery member 200 includes a main recycle canister 210, a supplement recycle canister 220, and a recovery bin 230. Each of the main collecting container 210, the auxiliary collecting container 220, and the collecting container 230 are provided in an annular shape along the inner wall of the housing 110, and the inlets 212, 221, and 232 through which the treatment liquid flows are provided. It is arranged to be stacked up and down.

주 회수통(210) 및 보조 회수통(220)은 세정액을 회수한다. 보조 회수통(220)은 몸체(222) 및 회수판(224)을 가진다. 몸체(222)는 내부에 사용된 린스액이 수용되는 공간을 가진다. 회수판(224)은 입구(221)의 하단으로부터 연장되어 스 핀척(120)의 하부 영역까지 연장된다. 회수판(224)은 끝단(224a)은 공정시 스핀척(120)이 제2 공정위치(L2)에 위치될 때, 스핀척(120)에 제공된 삽입홈(122b)에 삽입되도록 형성된다. 회수판(224)은 스핀척(120)으로부터 입구(221)의 하단으로 갈수록 하향경사지도록 형성된다. 따라서, 공정시 스핀척(120)의 표면을 따라 흐르는 린스액은 경사진 회수판(224)을 따라 이동되어 몸체(232)로 유입된다.The main recovery container 210 and the auxiliary recovery container 220 recover the cleaning liquid. The auxiliary recovery container 220 has a body 222 and a recovery plate 224. The body 222 has a space in which the rinse liquid used therein is accommodated. The recovery plate 224 extends from the bottom of the inlet 221 to the lower region of the spin chuck 120. The recovery plate 224 is formed so that the end 224a is inserted into the insertion groove 122b provided in the spin chuck 120 when the spin chuck 120 is positioned at the second process position L2 during the process. The recovery plate 224 is formed to be inclined downward from the spin chuck 120 toward the lower end of the inlet 221. Therefore, the rinse liquid flowing along the surface of the spin chuck 120 during the process is moved along the inclined recovery plate 224 and flows into the body 232.

회수통(230)은 공정시 린스액을 회수한다. 회수통(230)은 주 회수통(210)의 상부에 설치된다. 여기서, 주 회수(210) 및 회수통(230) 각각에 형성된 입구(212, 232)의 끝단과 스핀척(120)과의 거리는 동일하도록 배치된다.Recovery container 230 recovers the rinse liquid during the process. Recovery container 230 is installed on the top of the main recovery container 210. Here, the distance between the end of the inlet (212, 232) formed in each of the main recovery 210 and the recovery container 230 and the spin chuck 120 is the same.

주 회수통(210) 및 보조 회수통(220)에는 제1 회수라인(214)이 제공되고, 회수통(230)에는 제2 회수라인(234)이 제공된다. 제1 회수라인(214)은 공정시 주 회수통(210) 및 보조 회수통(220)으로 유입된 세정액을 처리액 재생부(treating-liquid recycle member)(미도시됨)으로 회수시키고, 제2 회수라인(234)은 공정시 회수통(230)으로 유입된 린스액을 처리액 재생부로 회수시킨다. 여기서, 상기 처리액 재생부는 사용된 세정액 및 린스액의 농도 및 온도 조절, 그리고 오염물질의 필터링(filtering) 등을 수행하여 재사용이 가능하도록 재싱시키는 장치이다. 본 실시예에서는 제2 회수라인(234)이 린스액을 처리액 재생부로 회수하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 제1 회수라인(214)은 린스액 처리액 재생부로 회수시키지 않고 배수(drain)할 수도 있다.The first recovery line 214 is provided to the main recovery container 210 and the auxiliary recovery container 220, and the second recovery line 234 is provided to the recovery container 230. The first recovery line 214 recovers the cleaning liquid introduced into the main recovery container 210 and the auxiliary recovery container 220 to a treating-liquid recycle member (not shown) during the process, and the second The recovery line 234 recovers the rinse liquid introduced into the recovery container 230 to the treatment liquid regeneration unit during the process. Here, the treatment liquid regeneration unit is a device for ashing to be reused by performing the concentration and temperature control of the used washing liquid and the rinse liquid, filtering the contaminants, and the like. In the present embodiment, the second recovery line 234 recovers the rinse liquid to the treatment liquid regeneration unit as an example, but the first recovery line 214 may drain without recovering the rinse liquid treatment liquid to the regeneration unit. have.

본 실시예에서는 회수부재(200)가 주 회수통(210), 보조 회수통(220), 그리고, 회수통(230)을 가지는 구조를 예로 들어 설명하였으나, 회수통들은 공정시 사 용된 처리액들을 회수하기 위해 제공되는 것으로, 회수통들의 개수 및 구조는 다양하게 변형 및 변경이 가능하다. 단, 보조 회수통(230)은 각각의 회수통들 중 가장 아래에 위치된 회수통의 하부에 배치되는 것이 바람직하다.In this embodiment, the recovery member 200 has a structure having a main recovery container 210, an auxiliary recovery container 220, and a recovery container 230 as an example. It is provided to recover, the number and structure of the recovery can be variously modified and changed. However, the auxiliary recovery container 230 is preferably disposed below the recovery container located at the bottom of each recovery container.

이하, 상술한 구성을 가지는 기판 처리 장치(100)의 공정 과정을 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 구성들과 동일한 구성들에 대한 참조번호는 동일하게 병기하고, 그 구성들에 대한 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, the process of the substrate processing apparatus 100 having the above-described configuration will be described in detail. Here, the same reference numerals for the same components as the above-described components are the same, and detailed description of the components is omitted.

도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다. 도 3a 내지 도 3e는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.2 is a flow chart showing a substrate processing method according to the present invention. 3A to 3E are diagrams for describing a process of a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(100)의 공정이 개시되면, 스핀척(120)에 기판(W)이 로딩(loading)된다(S110). 즉, 도 3a를 참조하면, 제어부(170)는 스핀척(120)의 위치를 로딩/언로딩 위치(L1)로 이동시킨다. 그리고, 기판(W)은 스핀척(120)에 제공된 척킹핀들(122a)에 안착된 후 척킹핀들(122a)에 의해 척킹(chucking)된다.Referring to FIG. 2, when the process of the substrate processing apparatus 100 is started, the substrate W is loaded on the spin chuck 120 (S110). That is, referring to FIG. 3A, the controller 170 moves the position of the spin chuck 120 to the loading / unloading position L1. Subsequently, the substrate W is seated on the chucking pins 122a provided on the spin chuck 120 and then chucked by the chucking pins 122a.

기판(W)이 로딩되면, 기판(W)을 세정액으로 세정한다. 세정 공정은 다음과 같다. 도 3b를 참조하면, 제어부(170)는 스핀척(120)을 로딩/언로딩 위치(L1)로부터 제1 공정위치(L2)로 이동시킨다. 그리고, 제어부(170)는 구동장치(156)를 제어하여, 노즐부 구동기(150)가 노즐부(140)를 대기 위치(b)로부터 분사 위치(a)로 이동되도록 제어한다. 노즐부(140)가 분사 위치(a)에 위치되면, 제어부(170)는 밸브(V1, V4)를 오픈시키고, 구동부(130)를 제어하여 스핀척(120)을 제1 회전속도로 회전시킨다(S120). 따라서, 세정액 공급라인(162b)은 세정액 공급원(162a)으로부터 노즐부(140)로 세정액을 공급하고, 노즐부(140)는 공급받은 세정액을 기판(W)의 처리면으로 분사한다(S130).When the substrate W is loaded, the substrate W is cleaned with a cleaning liquid. The cleaning process is as follows. Referring to FIG. 3B, the controller 170 moves the spin chuck 120 from the loading / unloading position L1 to the first process position L2. In addition, the controller 170 controls the driving device 156 to control the nozzle unit driver 150 to move the nozzle unit 140 from the standby position b to the injection position a. When the nozzle unit 140 is located at the injection position a, the controller 170 opens the valves V1 and V4, and controls the driving unit 130 to rotate the spin chuck 120 at a first rotational speed. (S120). Therefore, the cleaning liquid supply line 162b supplies the cleaning liquid from the cleaning liquid supply source 162a to the nozzle unit 140, and the nozzle unit 140 sprays the supplied cleaning liquid onto the processing surface of the substrate W (S130).

분사된 세정액은 기판(W)의 중앙영역으로부터 가장자리영역으로 이동되면서, 기판(W) 표면에 잔류하는 이물질 또는 불필요한 막을 제거한다. 사용된 세정액 중 일부는 회전되는 기판(W)의 원심력에 의해 기판(W)으로부터 비산되어 주 회수통(210)으로 회수된다. 그리고, 사용된 세정액 중 주 회수통(210)으로 회수되지 않은 세정액은 보조 회수통(220)으로 회수된다. 즉, 사용된 세정액 중 주 회수통(210)으로 비산되지 않고 스핀척(120)과 주 회수통(210) 사이 공간으로 유출되는 세정액은 회수판(224)을 따라 흘러 보조 회수통(220) 내 공간으로 회수된다. 주 회수통(210) 및 보조 회수통(220)으로 유입된 세정액은 제1 회수라인(214)을 통해 처리액 재생부로 회수된다(S140).The sprayed cleaning liquid is moved from the center region of the substrate W to the edge region, thereby removing foreign substances or unnecessary films remaining on the surface of the substrate W. Some of the used cleaning liquid is scattered from the substrate W by the centrifugal force of the rotating substrate W and is recovered to the main recovery container 210. And, the cleaning liquid not recovered to the main recovery container 210 of the used cleaning liquid is recovered to the auxiliary recovery container 220. That is, the cleaning liquid flowing out into the space between the spin chuck 120 and the main recovery container 210 without being scattered to the main recovery container 210 among the used cleaning liquids flows along the recovery plate 224 in the auxiliary recovery container 220. It is recovered to space. The cleaning liquid introduced into the main recovery container 210 and the auxiliary recovery container 220 is recovered to the treatment liquid regeneration unit through the first recovery line 214 (S140).

세정 공정이 완료되면, 기판(W) 표면에 잔류하는 세정액을 린스(rinse)한다. 린스 공정은 다음과 같다. 제어부(170)는 밸브(V1, V4)를 클로우즈하고, 스핀척(120)을 제1 공정위치(L2)로부터 제2 공정위치(L3)로 이동시킨다. 스핀척(120)이 제2 공정위치(L3)에 위치되면, 제어부(170)는 밸브(V2, V5)를 오픈시키고, 구동부(130)를 제어하여 스핀척(120)을 제2 회전속도로 회전시킨다(S150). 따라서, 린스액 공급라인(164b)은 린스액 공급원(164a)으로부터 노즐부(140)로 린스액을 공급하고, 노즐부(140)는 공급받은 린스액을 기판(W)의 처리면으로 린스액을 분사한다(S160).When the cleaning process is completed, the cleaning liquid remaining on the surface of the substrate W is rinsed. The rinse process is as follows. The controller 170 closes the valves V1 and V4, and moves the spin chuck 120 from the first process position L2 to the second process position L3. When the spin chuck 120 is positioned at the second process position L3, the controller 170 opens the valves V2 and V5 and controls the driving unit 130 to move the spin chuck 120 at the second rotation speed. Rotate (S150). Therefore, the rinse liquid supply line 164b supplies the rinse liquid from the rinse liquid supply source 164a to the nozzle unit 140, and the nozzle unit 140 rinses the supplied rinse liquid to the processing surface of the substrate W. (S160).

분사된 린스액은 기판(W)의 중앙영역으로부터 가장자리영역으로 이동되면서, 기판(W) 표면에 잔류하는 세정액을 제거한다. 사용된 린스액의 일부는 회전되는 기판(W)의 원심력에 의해 기판(W)으로부터 비산되어 회수통(230)에 유입된다(S170). 회수통(230)으로 유입된 린스액은 제2 회수라인(234)을 통해 처리액 재생부로 회수된다.The sprayed rinse liquid is moved from the central region of the substrate W to the edge region, thereby removing the cleaning liquid remaining on the surface of the substrate W. A part of the rinse liquid used is scattered from the substrate W by the centrifugal force of the rotating substrate W and flows into the recovery container 230 (S170). The rinse liquid introduced into the recovery container 230 is recovered to the treatment liquid regeneration unit through the second recovery line 234.

여기서, 세정 공정시의 기설정된 제1 회전속도는 린스 공정시의 기설정된 제2 회전속도보다 저속이다. 예컨대, 제1 회전속도는 100rpm이하이다. 일반적으로 기판(W)의 세정 공정시에는 세정액의 종류에 따라 기판(W)의 회전속도를 변화시켜야 한다. 만약, 기판(W)의 회전속도가 100rpm이하인 경우에는 스핀척(120)의 원심력이 작아서 처리액이 모두 회수부재(200)로 비산되지 않고, 일부가 스핀척(120)의 표면을 따라 흐르게 된다. 또한, 점도가 높은 약액(chemical)을 사용하는 경우에는 스핀척(120)으로부터 회수부재(200)로 비산되지 않고 스핀척(120) 표면에 잔류하는 약액이 발생된다. 따라서, 주 회수통(210) 및 보조 회수통(220)은 상술한 저속회전이 요구되는 세정 공정시나, 점도가 높은 약액을 사용하는 경우에 효과적인 처리액의 회수를 수행할 수 있다.Here, the first preset rotational speed in the washing process is lower than the second preset rotational speed in the rinsing process. For example, the first rotational speed is 100 rpm or less. In general, in the cleaning process of the substrate W, the rotation speed of the substrate W should be changed according to the type of cleaning liquid. If the rotational speed of the substrate W is 100 rpm or less, the centrifugal force of the spin chuck 120 is small, so that all of the processing liquid does not scatter to the recovery member 200, but a part flows along the surface of the spin chuck 120. . In addition, in the case of using a chemical having a high viscosity, the chemical liquid remaining on the surface of the spin chuck 120 is generated without being scattered from the spin chuck 120 to the recovery member 200. Therefore, the main recovery container 210 and the auxiliary recovery container 220 can perform an effective recovery of the treatment liquid during the cleaning process requiring the low-speed rotation described above or when a chemical liquid having a high viscosity is used.

린스 공정이 완료되면, 기판(W)을 건조한다(S180). 건조 공정은 다음과 같다. 도 3d를 참조하면, 제어부(170)는 스핀척(120)을 제3 회전속도로 회전시키고, 밸브(V3)을 오픈시킨다. 따라서, 건조가스 공급라인(166b)은 건조가스 공급원(166a)으로부터 노즐부(140)로 건조가스를 공급하고, 노즐부(140)는 공급받은 건조가스를 기판(W)의 처리면으로 분사한다. 분사된 건조가스는 기판(W)의 중앙영역으로부터 가장자리영역으로 이동되면, 기판(W)의 처리면을 건조(dry)시킨다.When the rinsing process is completed, the substrate W is dried (S180). The drying process is as follows. Referring to FIG. 3D, the controller 170 rotates the spin chuck 120 at a third rotational speed and opens the valve V3. Therefore, the dry gas supply line 166b supplies the dry gas from the dry gas supply source 166a to the nozzle unit 140, and the nozzle unit 140 injects the supplied dry gas to the processing surface of the substrate W. . When the injected dry gas is moved from the center region of the substrate W to the edge region, the dry gas is dried on the processing surface of the substrate W.

건조 공정이 완료되면, 기판(W)을 언로딩(unloading)시킨다(S190). 도 3e를 참조하면, 제어부(170)는 스핀척(120)의 회전을 중지하고, 구동부(130)를 제어하여 스핀척(120)을 제2 공정위치(L3)로부터 로딩/언로딩 위치(L1)로 이동시킨다. 스핀척(120)이 로딩/언로딩 위치(L1)에 위치되면, 척킹핀들(122a)은 기판(W)을 언척킹(unchucking)하고, 기판(W)은 스핀척(120)으로부터 언로딩되어 후속 공정이 수행되는 설비(미도시됨)으로 반송된다.When the drying process is completed, the substrate W is unloaded (S190). Referring to FIG. 3E, the controller 170 stops the rotation of the spin chuck 120 and controls the driving unit 130 to load / unload the spin chuck 120 from the second process position L3. Move to). When the spin chuck 120 is positioned at the loading / unloading position L1, the chucking pins 122a unchuck the substrate W, and the substrate W is unloaded from the spin chuck 120. And returned to a facility (not shown) where subsequent processing is performed.

상술한 기판 처리 장치 및 방법은 기판의 세정 및 린스 공정시 사용된 처리액의 회수율을 향상시킨다. 특히, 종래에 스핀척의 저속 회전이 요구되는 공정에서 처리액이 회수되지 않는 처리액을 모두 회수할 수 있어 처리액의 회수율을 증가시켜, 처리액의 재사용률을 향상시킨다.The substrate processing apparatus and method described above improve the recovery rate of the processing liquid used in the process of cleaning and rinsing the substrate. In particular, it is possible to recover all of the processing liquids in which the processing liquid is not recovered in a process that requires a slow rotation of the spin chuck in the related art, thereby increasing the recovery rate of the processing liquid and improving the reuse rate of the processing liquid.

또한, 상술한 기판 처리 장치 및 방법은 기판의 세정 및 린스 공정시 사용된 처리액이 하우징 내부 공간에 잔류하지 않도록 하여 처리액 및 처리액으로부터 발생되는 흄(fume)에 의해 장치가 오염되는 것을 방지한다.In addition, the above-described substrate processing apparatus and method prevents the processing liquid used during the cleaning and rinsing process of the substrate from remaining in the interior space of the housing to prevent the apparatus from being contaminated by the processing liquid and the fumes generated from the processing liquid. do.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용 도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description merely shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and / or the skill or knowledge in the art. The foregoing embodiments are intended to illustrate the best state in carrying out the invention, and to utilize other inventions, such as the invention, to other conditions known in the art, and to the specific fields and applications of the invention. Various changes are possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 사용된 처리액의 회수율을 향상시켜 처리액의 재사용률을 증가시킨다.As described above, the substrate processing apparatus and method according to the present invention improve the recovery rate of the processing liquid used to increase the reuse rate of the processing liquid.

또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 처리액 및 처리액으로부터 발생되는 흄에 의한 장치의 오염을 방지한다.Further, the substrate processing apparatus and method according to the present invention prevent the contamination of the apparatus by the treatment liquid and the fume generated from the treatment liquid.

Claims (6)

기판 처리 장치에 있어서,In the substrate processing apparatus, 내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공하며, 상부가 개방된 하우징과,It provides a space for performing a substrate processing process therein, the upper housing is open, 상기 하우징의 내측면을 따라 환형으로 구비되며, 사용된 처리액이 유입되는 입구가 상하로 적층되도록 배치되는 복수의 회수통들과,A plurality of recovery containers provided in an annular shape along the inner surface of the housing and arranged such that an inlet through which the used processing liquid flows is stacked up and down; 공정 진행시 기판을 지지 및 회전시키고, 상기 회수통들 내측에서 상하로 이동가능한 스핀척과,A spin chuck which supports and rotates the substrate during the process and is movable up and down inside the recovery containers, 공정 진행시 상기 스핀척에 지지된 기판의 처리면으로 처리액들을 공급하는 처리유체 공급부재를 포함하되,It includes a processing fluid supply member for supplying the processing liquids to the processing surface of the substrate supported by the spin chuck during the process, 상기 회수통들 중 가장 아래에 위치되는 회수통은,The recovery container located at the bottom of the recovery containers, 상기 스핀척이 상기 가장 아래에 위치되는 회수통과 대응되는 높이에 위치되었을 때, 처리액이 유입되는 상기 가장 아래에 위치되는 회수통의 입구 하단으로부터 상기 스핀척의 하부영역까지 연장되는 회수판을 가지는 보조 회수통이 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.An auxiliary plate having a recovery plate extending from a lower end of an inlet of the lowestly located recovery container into which a processing liquid flows, when the spin chuck is located at a height corresponding to the lowest recovery container; A recovery apparatus is provided, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 매엽식으로 기판을 처리하는 장치에 있어서,In the apparatus for processing a substrate by sheet type, 내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공하며, 상부가 개방된 하우징과,It provides a space for performing a substrate processing process therein, the upper housing is open, 공정 진행시, 상기 하우징 내부에서 기판을 지지 및 회전시키는 스핀척과,A spin chuck for supporting and rotating the substrate in the housing during the process; 공정 진행시, 상기 스핀척에 지지된 기판의 처리면으로 처리액들을 공급하는 처리유체 공급부재와,A processing fluid supply member for supplying processing liquids to the processing surface of the substrate supported by the spin chuck during the process; 상기 하우징의 내측면을 따라 환형으로 구비되는, 그리고 공정시 기판의 회전속도가 기설정된 회전속도 이상으로 요구되는 공정에 사용된 처리액을 회수시키는 제1 회수통과,A first recovery passage provided in an annular shape along an inner surface of the housing and for recovering a processing liquid used in a process requiring a rotation speed of the substrate to be equal to or greater than a predetermined rotation speed in a process; 상기 하우징의 내측면을 따라 환형으로 구비되는, 그리고 공정시 기판의 회전속도가 기설정된 회전속도 이하로 요구되는 공정에 사용된 처리액을 회수시키는 제2 회수통을 포함하되,And a second recovery container provided in an annular shape along the inner surface of the housing and recovering the processing liquid used in the process in which the rotational speed of the substrate is required to be equal to or less than a predetermined rotational speed. 상기 제2 회수통은,The second recovery container, 상기 제1 회수통의 아래에 제공되어 사용된 처리액을 회수하는 주 회수통과,A main recovery passage provided below the first recovery vessel for recovering the used treatment liquid; 상기 스핀척이 상기 주 회수통과 대응되는 높이에 위치되었을 때, 처리액이 유입되는 상기 주 회수통의 입구 하단으로부터 상기 스핀척의 하부영역까지 연장되는 회수판을 가지는 보조 회수통을 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.When the spin chuck is located at a height corresponding to the main recovery container, an auxiliary recovery container having a recovery plate extending from the lower end of the inlet of the main recovery container into which the processing liquid flows from the lower region of the spin chuck is provided. Substrate processing apparatus. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 회수판은,The recovery plate, 상기 스핀척의 하부영역으로부터 상기 입구의 하단으로 갈수록 하향 경사지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a downward slope from the lower region of the spin chuck toward the lower end of the inlet. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 스핀척의 저면에는,On the bottom of the spin chuck, 상기 스핀척이 상기 가장 아래에 있는 회수통과 대응되는 높이에 위치되었을 때, 상기 회수판의 끝단이 삽입되는 삽입홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And an insertion groove into which an end of the recovery plate is inserted when the spin chuck is positioned at a height corresponding to the bottom of the recovery container. 매엽식으로 기판을 처리하는 방법에 있어서,In the method of processing the substrate by a single sheet, 스핀척에 안착되어 회전되는 기판의 처리면으로 복수의 처리액들을 분사하고, 분사된 처리액들은 회전되는 기판의 회전력에 의해 기판의 측부에 제공된 환형의 회수통들로 비산시켜 분리회수함으로써 기판을 처리하되, 공정상 요구되는 기판의 회전속도가 상기 처리액이 상기 회수통으로 유입되지 않을 정도로 낮은 경우에는 상기 회수통들 중 가장 아래에 위치되는 회수통으로 상기 처리액이 회수되도록 상기 스핀척의 높이를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.A plurality of processing liquids are sprayed onto the processing surface of the substrate rotated on the spin chuck, and the sprayed processing liquids are separated and recovered by scattering them to the annular recovery vessels provided on the side of the substrate by the rotational force of the rotating substrate. If the rotation speed of the substrate required in the process is low enough that the processing liquid does not flow into the recovery container, the height of the spin chuck is controlled so that the processing liquid is recovered to the recovery container located at the bottom of the recovery containers. The substrate processing method characterized by the above-mentioned. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 가장 아래에 위치되는 회수통은,The bottom of the recovery container is located, 상기 가장 아래에 위치되는 회수통으로 회수되지 않아 상기 스핀척의 표면을 따라 흘러내리는 처리액을 회수시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And recovering the processing liquid flowing along the surface of the spin chuck without being recovered to the bottommost recovery container.
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