JP2002075944A - Device for soaking substrate in liquid and method of soaking and treating substrate in liquid - Google Patents

Device for soaking substrate in liquid and method of soaking and treating substrate in liquid

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JP2002075944A
JP2002075944A JP2000259592A JP2000259592A JP2002075944A JP 2002075944 A JP2002075944 A JP 2002075944A JP 2000259592 A JP2000259592 A JP 2000259592A JP 2000259592 A JP2000259592 A JP 2000259592A JP 2002075944 A JP2002075944 A JP 2002075944A
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Japan
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substrate
liquid
ultrasonic vibration
pure water
tank
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JP2000259592A
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Japanese (ja)
Inventor
Tadao Okamoto
伊雄 岡本
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a means which enhances the treatment capacity to a substrate without increasing the time required for substrate treatment. SOLUTION: A substrate washer for washing a substrate after CMP treatment is equipped with a submerged loader 10. The submerged loader 10 has a tank 12, and a cassette C which has stored a substrate W before washing by brush is soaked in pure water reserved in a tank 12. An ultrasonic diaphragm 30 is arranged at the outside surface of the sidewall 12A of the tank 12. The ultrasonic vibration generated from this ultrasonic diaphragm 30 is transmitted to the sidewall 12A and the surface of the substrate W by the pure water within the tank 12. A pure water supply nozzle 31 is arranged on the inner surface of the sidewall 12A, and it forms a water stream going from the sidewall 12A to the substrate W within the tank 12. Hereby, the transmission efficiency of the ultrasonic vibration is enhanced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、CMP(化学的
機械的研磨)処理後の基板に対して処理を施すための液
中基板浸漬装置および液中基板浸漬処理方法に関する。
処理対象の基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置およ
びプラズマディスプレイ用ガラス基板、ならびに光およ
び光磁気ディスク用基板などの各種のものが含まれる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a submerged substrate immersion apparatus and a submerged substrate immersion processing method for performing a process on a substrate after a CMP (Chemical Mechanical Polishing) process.
The substrates to be processed include various substrates such as semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystal display devices and plasma displays, and substrates for optical and magneto-optical disks.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置の製造工程では、半導体ウエ
ハ(以下単に「ウエハ」という。)の表面(ウエハ自身
の表面またはウエハの表面に形成された薄膜の表面)を
平坦化するためのCMP処理が行われる場合がある。こ
のCMP処理では、スラリー(研磨剤)が用いられるの
で、次の工程の前に、ウエハ上のスラリーを除去するた
めの基板洗浄処理が必要になる。
2. Description of the Related Art In a manufacturing process of a semiconductor device, a CMP process for flattening a surface of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as "wafer") (a surface of the wafer itself or a surface of a thin film formed on the surface of the wafer). May be performed. Since a slurry (abrasive) is used in the CMP process, a substrate cleaning process for removing the slurry on the wafer is required before the next step.

【0003】この目的のための基板洗浄装置は、たとえ
ば、処理前のウエハを水中に浸漬して保持するととも
に、ウエハを1枚ずつ払い出すための水中ローダと、水
中ローダから払い出されたウエハの両面をスクラブ洗浄
する両面洗浄ユニットと、このスクラブ洗浄後のウエハ
の表面を自公転ブラシによって精密洗浄する表面洗浄ユ
ニットと、表面洗浄処理後のウエハを水洗し、さらに水
切り乾燥を行う水洗・乾燥ユニットとを備えている。
[0003] A substrate cleaning apparatus for this purpose includes, for example, an underwater loader for immersing unprocessed wafers in water and discharging the wafers one by one, and a wafer discharged from the underwater loader. A double-sided cleaning unit that scrubs both sides of the wafer, a surface cleaning unit that precisely cleans the surface of the wafer after the scrub cleaning with a revolving brush, and a water-washing / drying method that rinses the wafer after the surface-cleaning processing, and further drains and dries. Unit.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】この基板洗浄装置にお
いて、洗浄能力のさらなる向上が望まれる場合には、両
面洗浄ユニットおよび表面洗浄ユニットの他に、さらに
洗浄ユニットを追加する必要がある。しかし、洗浄ユニ
ットを追加すると、1枚のウエハの洗浄処理に要する時
間が長くなるから、生産性の悪化という問題に直面す
る。そこで、この発明の目的は、基板処理に要する時間
を増加させることなく基板に対する処理能力(とくに洗
浄能力)を向上する手段を提供する液中基板浸漬装置お
よび液中基板浸漬処理方法を提供することである。
In the substrate cleaning apparatus, if further improvement in cleaning performance is desired, it is necessary to add a cleaning unit in addition to the double-sided cleaning unit and the surface cleaning unit. However, when the cleaning unit is added, the time required for the cleaning process for one wafer is lengthened, so that there is a problem that productivity is deteriorated. Therefore, an object of the present invention is to provide a submerged substrate immersion apparatus and a submerged substrate immersion processing method which provide means for improving the processing capability (particularly, cleaning capability) of a substrate without increasing the time required for substrate processing. It is.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項1記載の発明は、CMP処
理後の基板(W)を液体中を浸漬する液中基板浸漬装置
(10,80)であって、液体を貯留し、この液体中に
基板を浸漬するための液槽(12)と、この液槽内に貯
留される液体中に浸漬された基板に対して、上記液槽中
に貯留された液体を介して、超音波振動を付与する超音
波振動板(30)とを含むことを特徴とする液中基板浸
漬装置である。なお、括弧内の英数字は、後述の実施形
態における対応構成要素を表す。以下、この項において
同じ。
Means for Solving the Problems and Effects of the Invention According to the first aspect of the present invention, there is provided an apparatus for immersing a substrate (W) in a liquid, wherein the substrate (W) after the CMP treatment is immersed in a liquid. , 80), wherein a liquid tank (12) for storing a liquid and immersing the substrate in the liquid, and the substrate immersed in the liquid stored in the liquid tank, An apparatus for immersing a substrate in a liquid, comprising: an ultrasonic vibration plate (30) for applying ultrasonic vibration via a liquid stored in a tank. It should be noted that the alphanumeric characters in parentheses represent corresponding components in the embodiments described later. Hereinafter, the same applies in this section.

【0006】この構成によれば、液槽に浸漬された基板
に対して、当該液槽に貯留された液体を介して、超音波
振動が付与される。これにより、CMP処理後の基板の
表面に付着しているスラリーなどの異物が、超音波振動
により基板表面から除去される。このようにして、簡単
な構成で、基板に対する処理を行える。この発明の構成
は、たとえば、CMP処理後の基板を洗浄する基板洗浄
装置に適用することができる。より具体的には、基板洗
浄装置が、処理前の基板を待機させておく液中ローダ
(たとえば、水中ローダ)(10)と、この液中ローダ
から払い出された基板を洗浄する基板洗浄ユニット(5
0,60,70)とを有している場合に、液中ローダに
対してこの発明の構成を適用することができる。すなわ
ち、液中ローダが有する液槽(12)内の基板に対して
超音波振動を付与することによって、待機中の基板に対
して超音波洗浄処理を行うことができる。
[0006] According to this configuration, the ultrasonic vibration is applied to the substrate immersed in the liquid tank via the liquid stored in the liquid tank. Thus, foreign substances such as slurry adhering to the surface of the substrate after the CMP processing are removed from the substrate surface by ultrasonic vibration. In this way, processing on the substrate can be performed with a simple configuration. The configuration of the present invention can be applied to, for example, a substrate cleaning apparatus for cleaning a substrate after a CMP process. More specifically, the substrate cleaning apparatus includes a submerged loader (for example, a submerged loader) (10) for holding a substrate before processing, and a substrate cleaning unit for cleaning the substrate discharged from the submerged loader. (5
0, 60, 70), the configuration of the present invention can be applied to a submerged loader. That is, by applying ultrasonic vibration to the substrate in the liquid tank (12) of the submerged loader, the ultrasonic cleaning process can be performed on the substrate in standby.

【0007】これにより、洗浄ユニットを増加すること
なくCMP処理後の基板に対する洗浄効果を高めること
ができる。しかも、基板の洗浄処理に要する時間が長く
なることもないから、生産性が低下するおそれもない。
請求項2記載の発明は、上記液槽は、上記液体としての
アンモニア水を貯留するものであることを特徴とする請
求項1記載の液中基板浸漬装置である。この構成によれ
ば、アンモニア水に浸漬された基板に対して超音波振動
を付与することができるので、CMP処理後の基板の表
面に対する洗浄効果をさらに高めることができる。
Thus, the cleaning effect on the substrate after the CMP processing can be enhanced without increasing the number of cleaning units. In addition, since the time required for the cleaning process of the substrate does not become long, the productivity does not decrease.
The invention according to claim 2 is the apparatus for immersing a substrate in liquid according to claim 1, wherein the liquid tank stores the aqueous ammonia as the liquid. According to this configuration, since the ultrasonic vibration can be applied to the substrate immersed in the ammonia water, the cleaning effect on the surface of the substrate after the CMP processing can be further enhanced.

【0008】請求項3記載の発明は、上記液槽中におい
て複数枚の基板をほぼ平行に整列させて保持する基板保
持機構(11,C)をさらに含み、上記超音波振動板
は、上記基板保持機構に保持された基板の表面に沿う方
向から、当該基板に向けて超音波振動を発生するように
配置されていることを特徴とする請求項1または2記載
の液中基板浸漬装置である。この構成によれば、液槽内
において、複数枚の基板がほぼ平行に整列した状態で保
持される。そして、超音波振動は、基板に平行な方向か
ら与えられるから、超音波振動板からの超音波振動が他
の基板によって遮られることがない。これにより、複数
枚の基板に対して超音波振動を良好に与えることができ
る。
The invention according to claim 3 further includes a substrate holding mechanism (11, C) for aligning and holding a plurality of substrates in the liquid tank in a substantially parallel manner. 3. The submerged substrate immersion apparatus according to claim 1, wherein the substrate is immersed in the substrate so as to generate ultrasonic vibrations from a direction along a surface of the substrate held by the holding mechanism. . According to this configuration, in the liquid tank, the plurality of substrates are held in a state of being substantially aligned in parallel. Since the ultrasonic vibration is applied in a direction parallel to the substrate, the ultrasonic vibration from the ultrasonic vibration plate is not blocked by another substrate. Thereby, ultrasonic vibration can be satisfactorily applied to a plurality of substrates.

【0009】請求項4記載の発明は、上記液槽内におい
て、上記超音波振動板から基板に向かう方向への液流を
形成する液流形成手段(31)をさらに含むことを特徴
とする請求項1ないし3のいずれかに記載の液中基板浸
漬装置である。この構成では、超音波振動板から基板に
向かう液流の働きにより、超音波振動をさらに確実に基
板まで到達させることができる。請求項5記載の発明
は、CMP処理後の基板(W)を液体中に浸漬する工程
と、超音波振動板(30)からの超音波振動を、上記液
体を介して上記基板に付与する工程とを含むことを特徴
とする液中基板浸漬処理方法である。
The invention according to claim 4 further comprises a liquid flow forming means (31) for forming a liquid flow in a direction from the ultrasonic vibration plate toward the substrate in the liquid tank. Item 4. An apparatus for immersing a substrate in a liquid according to any one of Items 1 to 3. With this configuration, the ultrasonic vibration can more reliably reach the substrate by the action of the liquid flowing from the ultrasonic vibration plate to the substrate. The invention according to claim 5 is a step of immersing the substrate (W) after the CMP processing in a liquid and a step of applying ultrasonic vibration from the ultrasonic vibration plate (30) to the substrate through the liquid. And a substrate immersion treatment in a liquid.

【0010】この方法により、請求項1に関連して説明
した効果を達成できる。この方法についても、液中基板
浸漬装置に関連して述べたのと同様な変形を施すことが
可能である。
According to this method, the effects described in relation to the first aspect can be achieved. This method can also be modified in the same manner as described in connection with the submerged substrate immersion apparatus.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、この
発明の一実施形態に係る液中基板浸漬装置が適用された
基板洗浄装置の内部構成を簡略化して示す平面図であ
る。この基板洗浄装置は、CMP(化学的機械的研磨)
処理後の基板(たとえば半導体ウエハ)Wを洗浄するた
めの装置である。CMP処理後の基板Wの表面には、C
MP処理において用いられるスラリー(研磨剤)などの
パーティクルが付着している。スラリーは、半導体装置
や晶表示装置などの製造工程における次のプロセスの前
に、基板Wの表面から取り除かれなければならない。こ
のスラリーの除去を目的とした基板洗浄装置が図1に示
されている。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a simplified plan view showing an internal configuration of a substrate cleaning apparatus to which a submerged substrate immersion apparatus according to an embodiment of the present invention is applied. This substrate cleaning device uses CMP (chemical mechanical polishing).
This is an apparatus for cleaning a processed substrate (for example, a semiconductor wafer) W. The surface of the substrate W after the CMP process has C
Particles such as a slurry (abrasive) used in the MP treatment are attached. The slurry must be removed from the surface of the substrate W before the next process in a manufacturing process of a semiconductor device, a crystal display device, or the like. FIG. 1 shows a substrate cleaning apparatus for removing the slurry.

【0012】この基板洗浄装置では、前面パネル21の
背後に、水中ローダ10と、アンローダ23とが配置さ
れている。水中ローダ10は、CMP処理後の複数枚の
基板Wを保持し、これらの基板Wを1枚ずつ払い出すた
めのものであって、CMP処理前の基板Wを複数枚収容
したカセットCを水槽12に貯留された水中に浸漬させ
てことができるものである。また、アンローダ23は、
この基板洗浄装置によって洗浄された後の基板Wが収容
されるカセット27を載置することができるようになっ
ている。
In this substrate cleaning apparatus, an underwater loader 10 and an unloader 23 are arranged behind a front panel 21. The underwater loader 10 is for holding a plurality of substrates W after the CMP processing and paying out the substrates W one by one. The cassette C containing a plurality of the substrates W before the CMP processing is placed in a water tank. 12 can be immersed in the water stored. In addition, the unloader 23
A cassette 27 in which the substrates W cleaned by the substrate cleaning device are stored can be placed.

【0013】この基板洗浄装置は、水中ローダ10から
アンローダ23に至る、平面視においてほぼU字状の経
路40を通って搬送され、その過程で、洗浄処理および
乾燥処理が行われるようになっている。すなわち、この
経路40に沿って、この発明の一実施形態に係る液中基
板浸漬装置である水中ローダ10側から順に、両面ブラ
シ洗浄部50、表面ブラシ洗浄部60、水洗・乾燥処理
部70が配置されている。
The substrate cleaning apparatus is transported through a substantially U-shaped path 40 from the underwater loader 10 to the unloader 23 in plan view, and in the process, a cleaning process and a drying process are performed. I have. That is, along the path 40, the double-sided brush cleaning unit 50, the surface brush cleaning unit 60, and the water cleaning / drying processing unit 70 are sequentially arranged from the underwater loader 10 which is the submerged substrate immersion apparatus according to the embodiment of the present invention. Are located.

【0014】さらに、経路40上には、水中ローダ10
と両面ブラシ洗浄部50との間にローダ搬送ロボット4
1が配置され、両面ブラシ洗浄部50と表面ブラシ洗浄
部60との間に、第1中間搬送ロボット81が配置さ
れ、表面ブラシ洗浄部60と水洗・乾燥処理部70との
間に第2中間搬送ロボット82が配置され、水洗・乾燥
処理部70とアンローダ23との間に、アンローダ搬送
ロボット42が配置されている。すなわち、これらの搬
送ロボット41,81,82,40によって、水中ロー
ダ10からアンローダ23に至る処理部間での基板Wの
移送が行われることによって、基板WはU字状の経路4
0を搬送されつつ、両面ブラシ洗浄、表面洗浄および水
洗・乾燥処理などの処理を受けて、アンローダ23に配
置されたカセット27に収容される。
Further, on the path 40, the underwater loader 10
Transfer robot 4 between the printer and the double-sided brush cleaning unit 50
1, a first intermediate transfer robot 81 is disposed between the double-sided brush cleaning unit 50 and the surface brush cleaning unit 60, and a second intermediate transfer robot 81 is disposed between the surface brush cleaning unit 60 and the water washing / drying processing unit 70. The transfer robot 82 is disposed, and the unloader transfer robot 42 is disposed between the washing / drying processing unit 70 and the unloader 23. That is, the transfer of the substrate W between the processing units from the underwater loader 10 to the unloader 23 is performed by the transfer robots 41, 81, 82, and 40, so that the substrate W moves in the U-shaped path 4.
While being conveyed, it is subjected to processing such as double-sided brush cleaning, surface cleaning, and water washing / drying processing, and is accommodated in a cassette 27 arranged in the unloader 23.

【0015】水中ローダ10に隣接して配置されたロー
ダ搬送ロボット41は、水中ローダ10から1枚の基板
Wを受け取り、両面ブラシ洗浄部50に受け渡す。この
ローダ搬送ロボット41は、水平面に沿って回動自在な
下アームLAと、このアームLAの先端において水平面
に沿う回動が自在であるように設けられた上アームUA
とを有する屈伸型ロボットによって構成されている。す
なわち、下アームLAが回動すると、上アームUAは、
下アームLAの回動方向とは反対方向に、下アームLA
の回動角度の2倍の角度だけ回動するように構成されて
いる。これにより、下アームLAと上アームUAとは、
両アームが上下に重なり合った収縮状態と、両アームが
経路40に沿って水中ローダ10または両面ブラシ洗浄
部50に向かって展開された伸張状態とをとることがで
きる。
The loader transport robot 41 disposed adjacent to the underwater loader 10 receives one substrate W from the underwater loader 10 and transfers it to the double-sided brush cleaning unit 50. The loader transport robot 41 includes a lower arm LA rotatable along a horizontal plane, and an upper arm UA provided at a tip of the arm LA so as to be rotatable along a horizontal plane.
And a bending-stretching robot having the following. That is, when the lower arm LA rotates, the upper arm UA
In a direction opposite to the rotation direction of the lower arm LA, the lower arm LA
The rotation angle is twice as large as the rotation angle. Thereby, the lower arm LA and the upper arm UA are
A contracted state in which both arms overlap one another vertically, and an extended state in which both arms are deployed toward the underwater loader 10 or the double-sided brush cleaning unit 50 along the path 40 can be taken.

【0016】第1中間搬送ロボット81および第2中間
搬送ロボット82は、ローダ搬送ロボット41と同様に
構成されているので、これらのロボット81,82の各
部には、ローダ搬送ロボット41の対応部分の参照符号
を付して表すこととし、説明を省略する。アンローダ搬
送ロボット42は、上下一対のアーム43,44で構成
された屈伸式ロボットと、この屈伸式ロボットを経路4
0に沿って往復直線移動させるための直線搬送機構(図
示せず)と、さらに、屈伸式ロボットを昇降させるため
の昇降機構(図示せず)とを組み合わせて構成されてい
る。すなわち、屈伸式ロボットの下アーム44は、水平
面に沿って回動自在とされており、上アーム43は、下
アーム44の先端において、水平面に沿う回動が自在で
あるように取り付けられている。そして、下アーム44
が回動すると、上アーム43は、下アーム44の回動方
向とは反対方向に下アーム44の回動角度の2倍の角度
だけ回動するように構成されている。この屈伸式ロボッ
トの全体が、上記昇降機構に保持されており、この昇降
機構が、上記直線搬送機構のキャリッジ(図示せず)に
支持されている。直線搬送機構は、たとえば、ボールね
じ機構であってもよい。
Since the first intermediate transfer robot 81 and the second intermediate transfer robot 82 are configured in the same manner as the loader transfer robot 41, each part of these robots 81 and 82 has the corresponding part of the loader transfer robot 41. It will be denoted by reference numerals, and description thereof will be omitted. The unloader transfer robot 42 includes a bending / stretching robot constituted by a pair of upper and lower arms 43 and 44, and a path 4 extending through the bending / stretching robot.
It is configured by combining a linear transport mechanism (not shown) for reciprocating linear movement along 0 and an elevating mechanism (not shown) for elevating the bending / stretching robot. That is, the lower arm 44 of the bending and stretching robot is rotatable along a horizontal plane, and the upper arm 43 is mounted at the tip of the lower arm 44 so as to be rotatable along the horizontal plane. . And the lower arm 44
Is rotated, the upper arm 43 is configured to rotate by twice the rotation angle of the lower arm 44 in a direction opposite to the rotation direction of the lower arm 44. The entire bending and stretching robot is held by the elevating mechanism, and the elevating mechanism is supported by a carriage (not shown) of the linear transport mechanism. The linear transport mechanism may be, for example, a ball screw mechanism.

【0017】図2は、水中ローダ10に関連する構成を
簡略化して示す斜視図である。水中ローダ10は、カセ
ットCを位置決め部材15によって位置決めした状態で
載置することができる昇降ステージ11と、この昇降ス
テージ11上に載置されたカセットCを水没させること
ができる水槽12と、昇降ステージ11を昇降させるた
めの昇降駆動機構13と、昇降ステージ11の上方から
カセットCに保持された基板Wに純水を供給するための
純水シャワーノズル14とを備えている。この場合、昇
降ステージ11および昇降駆動機構13などにより、カ
セット昇降機構が構成されている。
FIG. 2 is a simplified perspective view showing a configuration related to the underwater loader 10. As shown in FIG. The underwater loader 10 includes an elevating stage 11 on which the cassette C can be placed while being positioned by the positioning member 15, a water tank 12 capable of submerging the cassette C mounted on the elevating stage 11, An elevating drive mechanism 13 for elevating the stage 11 and a pure water shower nozzle 14 for supplying pure water to the substrate W held in the cassette C from above the elevating stage 11 are provided. In this case, the elevating stage 11 and the elevating drive mechanism 13 constitute a cassette elevating mechanism.

【0018】水槽12には純水が満たされており、昇降
駆動機構13によって昇降ステージ11を下降させるこ
とにより、カセットC内の基板Wを純水中に浸漬するこ
とができる。また、昇降駆動機構13によって昇降ステ
ージ11を上昇させることにより、昇降ステージ11を
水槽12中の水面よりも上方の上昇位置まで導くことが
できる。昇降駆動機構13は、たとえば、ボールねじ機
構13aと、これに駆動力を与えるモータ13bとを備
えている。
The water tank 12 is filled with pure water, and the substrate W in the cassette C can be immersed in pure water by lowering the elevating stage 11 by the elevating drive mechanism 13. In addition, by lifting the lifting stage 11 by the lifting drive mechanism 13, the lifting stage 11 can be guided to a raised position above the water surface in the water tank 12. The lifting drive mechanism 13 includes, for example, a ball screw mechanism 13a and a motor 13b for applying a driving force to the ball screw mechanism 13a.

【0019】ローダ搬送ロボット41により基板Wの取
り出しを行うときには、昇降駆動機構13は昇降ステー
ジ11を上昇させ、処理対象の基板Wを所定の高さにま
で上昇させる。その後に、ローダ搬送ロボット41の上
アームUAによって、その基板Wが取り出されることに
なる。その後、昇降駆動機構13は昇降ステージ11を
下降させ、次の基板Wの取り出しまでの期間中、カセッ
トC内の基板Wを水槽12内の純水中に浸漬させて待機
させる。
When the substrate W is taken out by the loader transport robot 41, the elevation drive mechanism 13 raises the elevation stage 11 to raise the substrate W to be processed to a predetermined height. Thereafter, the substrate W is taken out by the upper arm UA of the loader transfer robot 41. Thereafter, the elevating drive mechanism 13 lowers the elevating stage 11, and immerses the substrate W in the cassette C in pure water in the water tank 12 and waits until the next substrate W is taken out.

【0020】基板洗浄装置にカセットCを投入するとき
には、昇降ステージ11は、水槽12よりも上方の上昇
位置にある。純水シャワーノズル14は、カセットCが
投入された後に、速やかに純水の供給を開始するように
なっており、これにより、昇降ステージ11に載置され
たカセットC内の基板Wの乾燥が防がれる。カセットC
は、その内壁面に複数段の棚(基板収容部)が一定の間
隔で形成されており、これにより、複数枚の基板Wを鉛
直方向に沿って一定の間隔でほぼ平行に整列した積層状
態で保持することができるようになっている。
When the cassette C is loaded into the substrate cleaning apparatus, the elevating stage 11 is at a position above the water tank 12. The pure water shower nozzle 14 starts supplying pure water promptly after the cassette C is inserted, so that the substrate W in the cassette C placed on the elevating stage 11 is dried. Can be prevented. Cassette C
Has a plurality of shelves (substrate accommodating portions) formed at regular intervals on its inner wall surface, whereby a plurality of substrates W are arranged substantially in parallel at regular intervals along the vertical direction. It can be held by.

【0021】水槽12において、カセットCから基板W
を取り出すときの基板取り出し方向側(すなわち、ロー
ダ搬送ロボット41側)の側壁12Aの外面には、超音
波振動板30が配置されている。この超音波振動板30
を取り囲むように、側壁12Aに沿って補助水槽17が
形成されている。図3は、超音波振動板30に関連する
構成を説明するための図解図である。超音波振動板30
は、側壁12Aの外面に密着して取り付けられている。
これにより、超音波振動板30から発生した超音波振動
は、水槽12の側壁12Aに伝達され、さらに、水槽1
2内に貯留された純水を介して、この純水中に浸漬され
た基板Wへと伝達される。超音波振動板30が側壁12
Aの外面に取り付けられていることにより、ほぼ水平な
姿勢で平行に配列されて保持されている基板Wには、そ
の表面に平行な方向から超音波振動が伝達されることに
なる。したがって、個々の基板Wに付与される超音波振
動は、他の基板Wによって遮られることなくそれぞれの
表面に到達する。これによって、減衰の少ない超音波振
動が個々の基板Wに与えられることになる。その結果、
基板Wの表面に付着しているスラリー等の異物は、基板
Wおよびその近傍の純水の振動によって、基板Wの表面
から効率的に除去される。
In the water tank 12, the substrate W is removed from the cassette C.
An ultrasonic vibration plate 30 is arranged on the outer surface of the side wall 12A on the substrate removal direction side (ie, the loader transfer robot 41 side) when removing the substrate. This ultrasonic vibration plate 30
Auxiliary water tank 17 is formed along side wall 12A so as to surround. FIG. 3 is an illustrative view for explaining a configuration related to the ultrasonic vibration plate 30. Ultrasonic vibration plate 30
Is attached in close contact with the outer surface of the side wall 12A.
Thereby, the ultrasonic vibration generated from the ultrasonic vibration plate 30 is transmitted to the side wall 12A of the water tank 12, and
Via the pure water stored in 2, it is transmitted to the substrate W immersed in this pure water. The ultrasonic vibration plate 30 has the side wall 12
By being attached to the outer surface of A, ultrasonic vibrations are transmitted from the direction parallel to the surface to the substrate W held in parallel and arranged in a substantially horizontal posture. Therefore, the ultrasonic vibration applied to each substrate W reaches each surface without being interrupted by the other substrates W. As a result, ultrasonic vibration with little attenuation is applied to each substrate W. as a result,
Foreign matter such as slurry adhering to the surface of the substrate W is efficiently removed from the surface of the substrate W by the vibration of the substrate W and pure water in the vicinity thereof.

【0022】側壁12Aの内面には、水槽12中の純水
に浸漬された基板Wに向けて純水を放出する純水供給ノ
ズル31が設けられている。この実施形態では、純水供
給ノズル31は、水槽12の深さ方向に関して間隔を開
けて複数個設けられている。この複数個の純水供給ノズ
ル31には、純水供給源32から純水供給バルブ33を
介して、純水が供給されるようになっている。また、補
助水槽17には、純水供給源32から純水供給バルブ3
4および純水供給配管35を介して、純水を供給できる
ようになっている。
A pure water supply nozzle 31 for discharging pure water toward the substrate W immersed in pure water in the water tank 12 is provided on the inner surface of the side wall 12A. In this embodiment, a plurality of pure water supply nozzles 31 are provided at intervals in the depth direction of the water tank 12. The plurality of pure water supply nozzles 31 are supplied with pure water from a pure water supply source 32 via a pure water supply valve 33. The auxiliary water tank 17 is provided with a pure water supply valve 3 from a pure water supply source 32.
4 and pure water supply piping 35, pure water can be supplied.

【0023】水槽12および補助水槽17の底面には、
排水配管36,37がそれぞれ接続されている。これら
の排水配管36,37の途中部には、それぞれ、排水バ
ルブ38,39が介装されている。超音波振動板30に
は、ドライバ回路18からの電力が供給される。さら
に、補助水槽17において超音波振動板30の上端より
も高い位置には、補助水槽17内の液面を検出するため
の液面センサ19が配置されている。この液面センサ1
9の出力は、コントローラ25に与えられるようになっ
ている。このコントローラ25は、液面センサ19が、
補助水槽17内の液面が液面センサ19の設置位置以上
であることを検出している(すなわち、液面センサ19
が液体(純水)を検出している)期間に、ドライバ回路
18から超音波振動板30への給電を行わせる。これに
より、超音波振動板30が、負荷が存在しない状態で作
動させられることを防止している。コントローラ25
は、さらに、純水供給バルブ33,34、排水バルブ3
8,39および昇降駆動機構13(図2参照)などの動
作を制御する。
On the bottom of the water tank 12 and the auxiliary water tank 17,
Drainage pipes 36 and 37 are connected respectively. Drain valves 38 and 39 are interposed in the middle of these drain pipes 36 and 37, respectively. The ultrasonic vibration plate 30 is supplied with electric power from the driver circuit 18. Further, a liquid level sensor 19 for detecting the liquid level in the auxiliary water tank 17 is disposed at a position higher than the upper end of the ultrasonic vibration plate 30 in the auxiliary water tank 17. This liquid level sensor 1
The output of 9 is provided to the controller 25. The controller 25 is configured such that the liquid level sensor 19
It is detected that the liquid level in the auxiliary water tank 17 is equal to or higher than the installation position of the liquid level sensor 19 (that is, the liquid level sensor 19
During the period in which the liquid (pure water) is detected, the power supply from the driver circuit 18 to the ultrasonic vibration plate 30 is performed. This prevents the ultrasonic diaphragm 30 from being operated in a state where no load exists. Controller 25
Further includes pure water supply valves 33 and 34 and a drain valve 3
8, 39 and the operation of the lifting drive mechanism 13 (see FIG. 2) are controlled.

【0024】このように、この実施形態の構成によれ
ば、両面ブラシ洗浄部50などによる基板洗浄処理の前
の基板Wを待機させておく水中ローダ10において、水
槽12内の純水中に浸漬された複数枚の基板Wに対し
て、超音波振動板30からの超音波を付与することがで
きる。これにより、水中ローダ10に基板Wを待機させ
ておく期間に、基板Wの表面の異物を取り除く超音波洗
浄処理を行うことができる。これによって、洗浄ユニッ
トの数を増やすことなく、基板洗浄装置の洗浄能力を向
上することができる。
As described above, according to the configuration of this embodiment, in the underwater loader 10 for holding the substrate W before the substrate cleaning processing by the double-sided brush cleaning unit 50 or the like, the substrate W is immersed in pure water in the water tank 12. Ultrasonic waves from the ultrasonic vibration plate 30 can be applied to the plurality of substrates W thus processed. Thereby, while the substrate W is kept on standby in the underwater loader 10, an ultrasonic cleaning process for removing foreign substances on the surface of the substrate W can be performed. Thus, the cleaning capability of the substrate cleaning apparatus can be improved without increasing the number of cleaning units.

【0025】しかも、基板Wを待機させておく期間に超
音波洗浄を行う構成であるので、基板一枚あたりの処理
時間(処理タクト)が長くなることがない。したがっ
て、生産性が低下するおそれもない。また、超音波振動
は、基板Wの上下表面および端面の至るところに到達す
るから、基板表面に形成されている薄膜パターンの窪み
部や、基板Wの端面に付着している異物をも除去するこ
とができる。
Moreover, since the ultrasonic cleaning is performed during the period in which the substrate W is kept on standby, the processing time (processing tact) per substrate does not increase. Therefore, there is no possibility that the productivity is reduced. Further, since the ultrasonic vibration reaches all over the upper and lower surfaces and the end surface of the substrate W, it also removes the dents of the thin film pattern formed on the substrate surface and foreign substances adhering to the end surface of the substrate W. be able to.

【0026】また、この実施形態では、平行に配列され
て保持された基板Wに対して、基板Wの表面に沿う方向
から超音波振動が伝達されるようになっている。しか
も、水槽12内には、純水供給ノズル31から吐出され
る純水によって、超音波振動板30から基板Wに向かう
方向の水流が形成されている。このような構成によっ
て、超音波振動を極めて効果的に基板Wに伝達すること
ができる。純水供給ノズル31は、当該基板洗浄装置の
稼働中において、常時、開放状態とされる。これによっ
て、純水供給ノズル31からは、常時、純水が吐出され
るので、水槽12内には、超音波振動板30から基板W
に向かう水流が安定して形成される。そして、水槽12
の上端の四辺から純水がオーバーフローさせられる。こ
れによって、基板Wの表面から取り除かれた異物は、オ
ーバーフローする純水によって水槽12の外へと運び去
られる。しかも、水槽12内の汚染された純水は、純水
供給ノズル31から供給される新鮮な純水と置換される
から、基板Wから取り除かれた異物が基板Wに再付着す
ることもない。
In this embodiment, ultrasonic vibrations are transmitted to the substrates W arranged in parallel and held in a direction along the surface of the substrate W. Moreover, in the water tank 12, a water flow in a direction from the ultrasonic vibration plate 30 to the substrate W is formed by the pure water discharged from the pure water supply nozzle 31. With such a configuration, the ultrasonic vibration can be transmitted to the substrate W very effectively. The pure water supply nozzle 31 is always open during the operation of the substrate cleaning apparatus. As a result, pure water is constantly discharged from the pure water supply nozzle 31, so that the substrate W
The water stream heading toward is stably formed. And the water tank 12
Pure water overflows from the four sides at the upper end of the. As a result, the foreign matter removed from the surface of the substrate W is carried out of the water tank 12 by the overflowing pure water. Moreover, the contaminated pure water in the water tank 12 is replaced with fresh pure water supplied from the pure water supply nozzle 31, so that the foreign matter removed from the substrate W does not adhere to the substrate W again.

【0027】補助水槽17に純水を供給するための純水
供給バルブ34は、補助水槽17内の純水の壁面が液面
センサ19に達した時点で閉じることとし、補助水槽1
7内の水面が液面センサ19よりも低くなるたびに開成
されればよい。ただし、水槽12からの純水のオーバー
フローによって補助水槽17に純水を供給することがで
きるから、補助水槽17への純水供給のための純水供給
バルブ34および純水供給配管35は必ずしも必要では
ない。
The pure water supply valve 34 for supplying pure water to the auxiliary water tank 17 is closed when the wall surface of the pure water in the auxiliary water tank 17 reaches the liquid level sensor 19.
It may be opened each time the water level in the chamber 7 becomes lower than the liquid level sensor 19. However, since pure water can be supplied to the auxiliary water tank 17 by overflow of the pure water from the water tank 12, a pure water supply valve 34 and a pure water supply pipe 35 for supplying pure water to the auxiliary water tank 17 are necessarily required. is not.

【0028】次に、図1に示された基板洗浄装置の他の
構成部分について概説する。両面ブラシ洗浄部50は、
複数本(この実施形態では6本)の保持ローラ51A,
52Aによって、基板W(とくに円形の基板)の端面を
保持するとともに、この基板Wを水平面内で回転させ
る。それとともに、基板Wの上下に配置されたディスク
ブラシ53によって基板Wの上下面をスクラブ洗浄す
る。たとえば6本の保持ローラ51A,52Aのうちの
3本の保持ローラ51Aは保持機構51に保持されてい
て、残る3本の保持ローラ52Aは保持機構52に保持
されている。保持機構51,52は、互いに近接したり
離反したりすることができるようになっている。これに
より、基板Wを保持した状態と、基板Wの保持を解放し
た状態とをとることができる。
Next, other components of the substrate cleaning apparatus shown in FIG. 1 will be outlined. The double-sided brush cleaning unit 50 includes:
A plurality of (six in this embodiment) holding rollers 51A,
The end surface of the substrate W (especially a circular substrate) is held by 52A, and the substrate W is rotated in a horizontal plane. At the same time, the upper and lower surfaces of the substrate W are scrubbed by the disk brushes 53 arranged above and below the substrate W. For example, three of the six holding rollers 51A, 52A are held by the holding mechanism 51, and the remaining three holding rollers 52A are held by the holding mechanism 52. The holding mechanisms 51 and 52 can move close to and away from each other. Thus, a state where the substrate W is held and a state where the holding of the substrate W is released can be taken.

【0029】表面ブラシ洗浄部60は、複数本(たとえ
ば6本)の保持ピン61で基板Wの裏面の周縁部を支持
するスピンチャック62を備えている。スピンチャック
62は、保持ピン61によって水平に保持された基板W
を、鉛直軸線まわりに回転させる。スピンチャック62
に保持された基板Wの上方には、表面スクラブ洗浄機構
としてのスキャンブラシ63が備えられている。スキャ
ンブラシ63は、基板Wの表面に対してほぼ垂直な方向
に沿う回転軸まわりに回転駆動されるディスク型ブラシ
を先端に有する揺動アーム63Aを備えている。この揺
動アーム63Aが揺動することによって、基板Wの回転
中心位置と、その周縁部との間の範囲でディスク型ブラ
シが繰り返し往復し、これにより、基板Wの表面の洗浄
が行われる。
The surface brush cleaning section 60 includes a spin chuck 62 that supports the peripheral edge of the back surface of the substrate W with a plurality of (for example, six) holding pins 61. The spin chuck 62 holds the substrate W held horizontally by the holding pins 61.
Is rotated about a vertical axis. Spin chuck 62
A scan brush 63 as a surface scrub cleaning mechanism is provided above the substrate W held on the substrate W. The scan brush 63 includes an oscillating arm 63 </ b> A having a disk type brush that is driven to rotate about a rotation axis along a direction substantially perpendicular to the surface of the substrate W at its tip. As the swing arm 63A swings, the disk-type brush repeatedly reciprocates in a range between the rotation center position of the substrate W and the peripheral edge thereof, thereby cleaning the surface of the substrate W.

【0030】水洗・乾燥処理部70は、基板Wを水平に
保持して回転させるスピンチャック71と、このスピン
チャック71に保持された基板Wに対して純水を供給す
る純水供給ノズル(図示せず)とを備えている。この構
成によって、基板Wを高速回転させながら水洗が行わ
れ、さらに、純水の供給を停止して、基板Wの表裏面に
付着した水分を振り切る水切り乾燥が行われる。スピン
チャック71の上方には、基板Wの上方の空間を制限す
るための遮蔽板75が配置されている。この遮蔽板75
と基板Wの上面との間の空間には、乾燥時において、不
活性ガス(たとえば、窒素ガス)が供給され、これによ
り、乾燥処理の効率化が図られている。
The washing / drying processing unit 70 includes a spin chuck 71 for horizontally holding and rotating the substrate W, and a pure water supply nozzle (FIG. 1) for supplying pure water to the substrate W held on the spin chuck 71. (Not shown). With this configuration, water washing is performed while rotating the substrate W at a high speed, and further, the supply of pure water is stopped, and draining / drying is performed to shake off moisture adhering to the front and back surfaces of the substrate W. Above the spin chuck 71, a shielding plate 75 for limiting a space above the substrate W is arranged. This shielding plate 75
An inert gas (for example, nitrogen gas) is supplied to the space between the substrate and the upper surface of the substrate W during drying, thereby improving the efficiency of the drying process.

【0031】図4は、この発明の第2の実施形態に係る
水中ローダ80の構成を説明するための図解的な断面図
である。この水中ローダ80は、図1の構成において、
上述の水中ローダ10に代えて用いられるべきものであ
る。なお、図4において、上述の図3に示された各部に
対応する部分には、図3の場合と同一の参照を付して示
す。この実施形態では、超音波振動板30は、水槽12
の底板12Bの外面(すなわち、下面)に密着して配置
されている。この超音波振動板30を純水中に浸漬した
状態とするために、超音波振動板30を取り囲む補助水
槽90が、底板12Bの下方に形成されている。この補
助水槽90に、純水供給源からの純水が純水供給バルブ
34を介して供給されるようになっている。また、補助
水槽90の排水は、排水配管37および排水バルブ39
を介して行えるようになっている。
FIG. 4 is an illustrative sectional view for illustrating the configuration of an underwater loader 80 according to a second embodiment of the present invention. This underwater loader 80 has the structure of FIG.
It should be used in place of the underwater loader 10 described above. In FIG. 4, portions corresponding to the respective portions shown in FIG. 3 described above are denoted by the same reference numerals as in FIG. 3. In this embodiment, the ultrasonic vibration plate 30 is
Is arranged in close contact with the outer surface (that is, the lower surface) of the bottom plate 12B. In order to immerse the ultrasonic vibration plate 30 in pure water, an auxiliary water tank 90 surrounding the ultrasonic vibration plate 30 is formed below the bottom plate 12B. Pure water from a pure water supply source is supplied to the auxiliary water tank 90 via a pure water supply valve 34. The drainage of the auxiliary water tank 90 is performed by the drainage pipe 37 and the drainage valve 39.
It can be done via.

【0032】このような構成によって、超音波振動板3
0から発生した超音波振動は、底板12Bを介し、さら
に水槽12に貯留された純水中を伝達して、この水槽1
2内の純水中に浸漬された基板Wに到達する。こうし
て、上述の第1の実施形態の場合と同様に、水中ローダ
80で基板Wを待機させておく期間に、この基板Wの表
面から異物を取り除くための超音波洗浄処理を行うこと
ができる。なお、補助水槽90に純水を供給するために
は、純水供給バルブ34および純水供給配管35を補助
水槽90に接続する代わりに、底板12Bに、水槽12
と補助水槽90とを連通させる開口を形成しておくよう
にしてもよい。これにより、水槽12内の純水を補助水
槽90に導くことができるから、水槽12内に純水が存
在する限りにおいて、超音波振動板30が無負荷状態で
駆動されることを防止できる。
With such a configuration, the ultrasonic vibration plate 3
The ultrasonic vibration generated from the water tank 1 is transmitted to the pure water stored in the water tank 12 through the bottom plate 12B.
2 reaches the substrate W immersed in the pure water. Thus, as in the case of the above-described first embodiment, the ultrasonic cleaning process for removing foreign matter from the surface of the substrate W can be performed while the substrate W is kept on standby by the underwater loader 80. In order to supply pure water to the auxiliary water tank 90, instead of connecting the pure water supply valve 34 and the pure water supply pipe 35 to the auxiliary water tank 90, the water tank 12
An opening may be formed to allow the communication between the and the auxiliary water tank 90. Thereby, since the pure water in the water tank 12 can be guided to the auxiliary water tank 90, the ultrasonic vibration plate 30 can be prevented from being driven in a no-load state as long as the pure water exists in the water tank 12.

【0033】以上、この発明の2つの実施形態について
説明したが、この発明は他の形態で実施することもでき
る。たとえば、上述の2つの実施形態では、水槽12の
外面に超音波振動板30を配置することとしたが、水槽
12の内表面に超音波振動板30を配置して、この超音
波振動板30の振動面を水槽12内の純水と接触させる
ようにしてもよい。この構成を採用すれば、超音波振動
板30で発生した超音波振動をより効果的に基板Wに伝
達することができる。これによって、超音波振動による
洗浄効率を向上することができる。ただし、昇降ステー
ジ11がカセットCを昇降させる際に、水槽12内の液
面が上下動することになるから、超音波振動板30の少
なくとも一部が水槽12内の水面上に現れるときには、
超音波振動板30の駆動を停止することが好ましい。た
とえば、超音波振動板30の上端の高さに対応した位置
に水槽12内の液面の高さを検知する液面センサを設
け、この液面センサが液体を検知しなくなったことに応
答して、超音波振動板30の駆動を停止すればよい。ま
た、昇降ステージ11が下降位置にあって、カセットC
が水槽12内の純水中に浸漬されていれば、水槽12内
の水面は高い位置にある。したがって、液面センサを用
いる代わりに、または液面センサを用いるとともに、カ
セットCが下降位置にある場合にのみ、超音波振動板3
0を駆動することとしてもよい。
Although the two embodiments of the present invention have been described above, the present invention can be embodied in other forms. For example, in the above two embodiments, the ultrasonic vibration plate 30 is disposed on the outer surface of the water tank 12, but the ultrasonic vibration plate 30 is disposed on the inner surface of the water tank 12, and the ultrasonic vibration plate 30 is disposed. May be brought into contact with the pure water in the water tank 12. With this configuration, the ultrasonic vibration generated by the ultrasonic vibration plate 30 can be transmitted to the substrate W more effectively. Thereby, the cleaning efficiency by the ultrasonic vibration can be improved. However, when the elevating stage 11 raises and lowers the cassette C, the liquid surface in the water tank 12 moves up and down. Therefore, when at least a part of the ultrasonic vibration plate 30 appears on the water surface in the water tank 12,
It is preferable to stop driving the ultrasonic vibration plate 30. For example, a liquid level sensor for detecting the liquid level in the water tank 12 is provided at a position corresponding to the height of the upper end of the ultrasonic vibration plate 30, and responds to the fact that the liquid level sensor stops detecting liquid. Then, the driving of the ultrasonic vibration plate 30 may be stopped. Further, when the elevating stage 11 is in the lowered position and the cassette C
Is immersed in pure water in the water tank 12, the water surface in the water tank 12 is at a high position. Therefore, instead of using the liquid level sensor or using the liquid level sensor and only when the cassette C is in the lowered position, the ultrasonic vibration plate 3
0 may be driven.

【0034】また、上述の実施形態では、水槽12に純
水が貯留されることとしたけれども、CMP処理後の基
板Wの表面の異物をより効果的に除去するために、たと
えばアンモニア水などの薬液を水槽12内に供給するこ
ととしてもよい。さらに、上述の実施形態では、この発
明が水中ローダに適用された例について説明したが、こ
の発明は、CMP処理後の基板を液体中に浸漬する装置
であれば適用が可能であり、水中ローダ以外にも、たと
えば、CMP処理後の基板を一時的に保管しておくため
の保管用水槽に適用することができる。
In the above-described embodiment, pure water is stored in the water tank 12. However, in order to more effectively remove foreign matter on the surface of the substrate W after the CMP processing, for example, ammonia water or the like is used. The chemical may be supplied into the water tank 12. Furthermore, in the above-described embodiment, an example in which the present invention is applied to an underwater loader has been described. However, the present invention can be applied to any apparatus that immerses a substrate after CMP processing in a liquid. Besides, for example, the present invention can be applied to a storage water tank for temporarily storing a substrate after the CMP processing.

【0035】その他、特許請求の範囲に記載された事項
の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
In addition, various design changes can be made within the scope of the matters described in the claims.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施形態に係る液中基板浸漬装置
が適用された基板洗浄装置の内部構成を簡略化して示す
平面図である。
FIG. 1 is a simplified plan view showing an internal configuration of a substrate cleaning apparatus to which a submerged substrate immersion apparatus according to an embodiment of the present invention is applied.

【図2】水中ローダに関連する構成を簡略化して示す斜
視図である。
FIG. 2 is a simplified perspective view showing a configuration related to an underwater loader.

【図3】超音波振動板に関連する構成を説明するための
図解図である。
FIG. 3 is an illustrative view for explaining a configuration related to the ultrasonic vibration plate;

【図4】この発明の第2の実施形態に係る水中ローダの
構成を説明するための図解的な断面図である。
FIG. 4 is an illustrative sectional view for explaining a configuration of an underwater loader according to a second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 水中ローダ 11 昇降ステージ 12 水槽 12A 側壁 12B 底板 13 昇降駆動機構 17 補助水槽 18 ドライバ回路 19 液面センサ 25 コントローラ 30 超音波振動板 31 純水供給ノズル 32 純水供給源 33 純水供給バルブ 34 純水供給バルブ 35 純水供給配管 50 両面ブラシ洗浄部 60 表面ブラシ洗浄部 70 水洗・乾燥処理部 80 水中ローダ 90 補助水槽 C カセット W 基板 Reference Signs List 10 underwater loader 11 elevating stage 12 water tank 12A side wall 12B bottom plate 13 elevating drive mechanism 17 auxiliary water tank 18 driver circuit 19 liquid level sensor 25 controller 30 ultrasonic vibration plate 31 pure water supply nozzle 32 pure water supply source 33 pure water supply valve 34 pure Water supply valve 35 Pure water supply pipe 50 Double-sided brush cleaning unit 60 Surface brush cleaning unit 70 Rinse / dry processing unit 80 Underwater loader 90 Auxiliary water tank C Cassette W Substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3B201 AA03 AB08 AB23 BA02 BB22 BB42 BB52 BB83 BB87 BB93 CB15 CB22 CC11 4G075 AA30 BB10 BD16 CA23 CA57 DA02 EB01 ED15  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page F term (reference) 3B201 AA03 AB08 AB23 BA02 BB22 BB42 BB52 BB83 BB87 BB93 CB15 CB22 CC11 4G075 AA30 BB10 BD16 CA23 CA57 DA02 EB01 ED15

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】CMP処理後の基板を液体中を浸漬する液
中基板浸漬装置であって、 液体を貯留し、この液体中に基板を浸漬するための液槽
と、 この液槽内に貯留される液体中に浸漬された基板に対し
て、上記液槽中に貯留された液体を介して、超音波振動
を付与する超音波振動板とを含むことを特徴とする液中
基板浸漬装置。
1. A submerged substrate immersion apparatus for immersing a substrate after a CMP process in a liquid, wherein the liquid is stored, and a liquid tank for immersing the substrate in the liquid is stored in the liquid tank. An ultrasonic vibration plate for applying ultrasonic vibration to a substrate immersed in a liquid to be performed via the liquid stored in the liquid tank.
【請求項2】上記液槽は、上記液体としてのアンモニア
水を貯留するものであることを特徴とする請求項1記載
の液中基板浸漬装置。
2. The apparatus according to claim 1, wherein the liquid tank stores the aqueous ammonia as the liquid.
【請求項3】上記液槽中において複数枚の基板をほぼ平
行に整列させて保持する基板保持機構をさらに含み、 上記超音波振動板は、上記基板保持機構に保持された基
板の表面に沿う方向から、当該基板に向けて超音波振動
を発生するように配置されていることを特徴とする請求
項1または2記載の液中基板浸漬装置。
3. The apparatus according to claim 1, further comprising a substrate holding mechanism for holding a plurality of substrates in the liquid tank in a substantially parallel arrangement, wherein the ultrasonic vibration plate extends along a surface of the substrate held by the substrate holding mechanism. 3. The submerged substrate immersion apparatus according to claim 1, wherein the substrate is disposed so as to generate ultrasonic vibrations from the direction toward the substrate.
【請求項4】上記液槽内において、上記超音波振動板か
ら基板に向かう方向への液流を形成する液流形成手段を
さらに含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれ
かに記載の液中基板浸漬装置。
4. A liquid flow forming device according to claim 1, further comprising a liquid flow forming means for forming a liquid flow in a direction from said ultrasonic vibration plate toward said substrate in said liquid tank. Submerged substrate immersion equipment.
【請求項5】CMP処理後の基板を液体中に浸漬する工
程と、 超音波振動板からの超音波振動を、上記液体を介して上
記基板に付与する工程とを含むことを特徴とする液中基
板浸漬処理方法。
5. A liquid comprising: a step of immersing a substrate after a CMP process in a liquid; and a step of applying ultrasonic vibration from an ultrasonic vibration plate to the substrate via the liquid. Medium substrate immersion treatment method.
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WO2015000199A1 (en) * 2013-07-01 2015-01-08 深圳市华星光电技术有限公司 Ultrasonic cleaning device
WO2018030254A1 (en) * 2016-08-10 2018-02-15 株式会社荏原製作所 Technique for substrate washing after chemical-mechanical planarization
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