JP2003320323A - Substrate cleaning method - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板、液
晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイパネル
（ＰＤＰ）用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディ
スク用基板、光磁気ディスク用基板およびセラミック基
板などの各種の被処理基板に対して洗浄処理を施す基板
洗浄方法に関する。The present invention relates to a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a plasma display panel (PDP), an optical disc substrate, a magnetic disc substrate, a magneto-optical disc substrate, a ceramic substrate, and the like. The present invention relates to a substrate cleaning method for performing a cleaning process on various substrates to be processed.
【０００２】[0002]
【従来の技術】たとえば、半導体装置の製造工程では、
半導体ウエハ（以下単に「ウエハ」という。）の表面に
種々の薄膜がパターン形成され、必要に応じて、表面を
平坦化するための平坦化処理が行われる。たとえば、ウ
エハ上に多層配線を形成するためのダマシンプロセスで
は、微細な配線溝等を形成した層間絶縁膜を金属膜で被
覆した後に、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishin
g）処理による平坦化処理が施される。2. Description of the Related Art For example, in a semiconductor device manufacturing process,
Various thin films are patterned on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as “wafer”), and if necessary, a flattening process for flattening the surface is performed. For example, in a damascene process for forming a multi-layer wiring on a wafer, a CMP (Chemical Mechanical Polishing) is performed after an interlayer insulating film having fine wiring grooves and the like is covered with a metal film.
g) A flattening process is performed.
【０００３】このＣＭＰ処理後のウエハ表面には、ＣＭ
Ｐ処理において用いられる研磨スラリーや研磨に伴って
除去された金属が残留しているため、次の処理をウエハ
に施す前に、ウエハ表面を洗浄する必要がある。ＣＭＰ
処理後のウエハの洗浄は、従来から、ウエハ表面への薬
液（ふっ酸など）の供給、ウエハ表面への純水の供給、
ウエハ表面への超音波振動水（超音波振動が付与された
純水）の供給、またはウエハ表面のブラシスクラブ処理
によって行われている。On the surface of the wafer after this CMP processing, CM is
Since the polishing slurry used in the P process and the metal removed by the polishing remain, it is necessary to clean the wafer surface before performing the next process on the wafer. CMP
The cleaning of the wafer after processing has conventionally been performed by supplying a chemical liquid (hydrofluoric acid, etc.) to the wafer surface, supplying pure water to the wafer surface,
This is performed by supplying ultrasonic vibration water (pure water to which ultrasonic vibration is applied) to the wafer surface or by brush scrubbing the wafer surface.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ＣＭＰ処理後のウエハ
の表面は、疎水性表面となっていることが多い。たとえ
ば、半導体集積回路素子の高速化のために、低抵抗の銅
配線を低誘電率絶縁膜（いわゆるＬｏｗ−ｋ膜。比誘電
率が酸化シリコンよりも小さな材料からなる絶縁膜をい
う。）と組み合わせて多層配線を形成する場合に、Ｌｏ
ｗ−ｋ膜の表面は疎水性表面をなす。The surface of the wafer after the CMP process is often a hydrophobic surface. For example, in order to increase the speed of a semiconductor integrated circuit device, a low-resistance copper wiring is used as a low dielectric constant insulating film (so-called Low-k film; an insulating film made of a material having a relative dielectric constant smaller than that of silicon oxide). When combined to form multi-layer wiring, Lo
The surface of the wk film is a hydrophobic surface.
【０００５】ところが、疎水性表面においては、その表
面から離脱した異物が、当該表面に容易に再付着するた
め、ウエハの表面外に異物を除去することが困難であ
る。そのため、上記のような洗浄処理では、ウエハ表面
の精密な洗浄が困難であり、ウエハの処理品質が必ずし
もよくならない。そこで、この発明の目的は、疎水性の
表面を有する基板の洗浄を良好に行うことができる基板
洗浄方法を提供することである。On the hydrophobic surface, however, it is difficult to remove the foreign matter from the surface of the wafer because the foreign matter separated from the surface easily reattaches to the surface. Therefore, in the above-mentioned cleaning process, it is difficult to precisely clean the surface of the wafer, and the processing quality of the wafer is not necessarily improved. Therefore, an object of the present invention is to provide a substrate cleaning method capable of favorably cleaning a substrate having a hydrophobic surface.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、疎水性の
表面を有する基板（Ｗ）の表面に対して、この基板を回
転させない状態で、親水化処理液を供給することによ
り、上記基板の表面を親水化する親水化工程（３１，４
１，５０，８１，６０）と、この親水化工程の後に、上
記基板を回転させている状態で、この基板の表面に洗浄
液を供給することにより、この基板を洗浄する洗浄工程
（５０，６０）とを含むことを特徴とする基板洗浄方法
である。なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態にお
ける対応構成要素または当該工程が実行される構成部分
等を表す。以下、この項において同じ。Means for Solving the Problems and Effects of the Invention According to the invention of claim 1 for achieving the above object, the substrate is not rotated with respect to the surface of the substrate (W) having a hydrophobic surface. In this state, a hydrophilic treatment liquid is supplied to make the surface of the substrate hydrophilic.
1, 50, 81, 60) and a cleaning step (50, 60) for cleaning the substrate by supplying a cleaning liquid to the surface of the substrate after the hydrophilicizing step while rotating the substrate. ) And a substrate cleaning method. The alphanumeric characters in the parentheses represent corresponding constituent elements in the embodiments described later or constituent parts in which the process is executed. The same applies in this section below.
【０００７】この発明によれば、基板の表面を親水化し
た後に、この基板の表面に洗浄液を供給するようにして
いるから、基板の表面を離脱した異物は、この基板の表
面に再付着することなく、基板外へと良好に除去され
る。これにより、基板表面を良好に洗浄できる。基板の
表面を親水化するための親水化工程では、基板を回転さ
せない状態で、この基板の表面に親水化処理液を供給す
ることによって行われるから、基板の表面に良好な親水
性層を形成することができる。これによって、その後の
洗浄工程における異物除去効率が向上される。According to the present invention, since the cleaning liquid is supplied to the surface of the substrate after making the surface of the substrate hydrophilic, the foreign matter that has left the surface of the substrate reattaches to the surface of the substrate. Without being removed, it is well removed to the outside of the substrate. Thereby, the substrate surface can be cleaned well. In the hydrophilization step for hydrophilizing the surface of the substrate, the hydrophilic treatment liquid is supplied to the surface of the substrate without rotating the substrate, so that a good hydrophilic layer is formed on the surface of the substrate. can do. This improves the foreign matter removal efficiency in the subsequent cleaning process.
【０００８】洗浄工程では、基板を回転させている状態
で、この基板の表面に洗浄液が供給されるので、基板表
面の全域に対して、くまなく良好な洗浄処理を施すこと
ができる。請求項２記載の発明は、上記親水化処理液
は、界面活性剤を含む溶液であることを特徴とする請求
項１記載の基板洗浄方法である。基板の表面に界面活性
剤を含む溶液を供給することによって、この基板表面を
良好に親水化することができる。なお、界面活性剤と
は、構造的には、親水性原子団と親油性（疎水性）原子
団とを同時に持つようないわゆる両親媒性物質である。In the cleaning step, since the cleaning liquid is supplied to the surface of the substrate while the substrate is being rotated, the entire surface of the substrate can be subjected to a good cleaning treatment throughout. The invention according to claim 2 is the substrate cleaning method according to claim 1, wherein the hydrophilic treatment liquid is a solution containing a surfactant. By supplying the solution containing the surfactant to the surface of the substrate, the surface of the substrate can be favorably rendered hydrophilic. The surfactant is structurally a so-called amphiphilic substance having a hydrophilic atomic group and a lipophilic (hydrophobic) atomic group at the same time.
【０００９】上記界面活性剤は、請求項３に記載のよう
に、非イオン性界面活性剤および陰イオン性界面活性剤
のうちの少なくとも１つを含むものであってもよい。非
イオン系界面活性剤は、水溶液中でイオンに解離しない
界面活性剤であり、たとえば、下記一般式（Ａ）によっ
て表されるポリオキシエチレングリコール系非イオン性
界面活性剤であってもよい。このような界面活性剤の具
体例は、芳香族環を有するオクチルフェニルポリオキシ
エチレンエーテルである。その他、非イオン性界面活性
剤の例として、ポリオキシアルキレンアルキルフェニル
エーテルやポリオキシアルキレンアルキルエーテルを挙
げることができ、これらの水溶液を親水化処理液として
用いることができる。The surface active agent may contain at least one of a nonionic surface active agent and an anionic surface active agent as described in claim 3. The nonionic surfactant is a surfactant that does not dissociate into ions in an aqueous solution, and may be, for example, a polyoxyethylene glycol nonionic surfactant represented by the following general formula (A). A specific example of such a surfactant is octylphenyl polyoxyethylene ether having an aromatic ring. Other examples of nonionic surfactants include polyoxyalkylene alkyl phenyl ethers and polyoxyalkylene alkyl ethers, and aqueous solutions of these can be used as the hydrophilic treatment liquid.
【００１０】Ｒ−Ｏ−（ＣmＨ2mＯ）n−Ｘ
ただし、Ｒは炭化水素基、Ｘは水素原子または炭化水素
基、ｍおよびｎは自然数である。また、陰イオン性界面
活性剤は、水溶液中でイオンに解離してアニオン部分が
界面活性を示す界面活性剤であり、下記一般式（Ｂ）、
（Ｃ）および（Ｄ）のいずれかの親水基を有するものを
挙げることができる。これらの具体例としては、硫酸ド
デシル塩やアルキルベンゼンスルホン酸塩等が挙げられ
る。R—O— (C m H 2m O) n —X where R is a hydrocarbon group, X is a hydrogen atom or a hydrocarbon group, and m and n are natural numbers. Further, the anionic surfactant is a surfactant which dissociates into ions in an aqueous solution so that the anion portion exhibits surface activity, and is represented by the following general formula (B):
Examples thereof include those having a hydrophilic group of either (C) or (D). Specific examples of these include dodecyl sulfate and alkylbenzene sulfonate.
【００１１】−ＣＯＯＹ （Ｂ）
−ＳＯ3Ｙ （Ｃ）
−ＯＳＯ3Ｙ （Ｄ）
ただし、Ｙは水素原子、金属原子またはアンモニウム基
である。請求項４記載の発明は、上記基板の表面には、
Ｌｏｗ−ｋ膜が形成されていることを特徴とする請求項
１ないし３のいずれかに記載の基板洗浄方法である。--COOY (B) --SO 3 Y (C) --OSO 3 Y (D) wherein Y is a hydrogen atom, a metal atom or an ammonium group. According to a fourth aspect of the present invention, on the surface of the substrate,
4. The substrate cleaning method according to claim 1, wherein a Low-k film is formed.
【００１２】基板の表面にＬｏｗ−ｋ膜が形成されてい
る場合には、このＬｏｗ−ｋ膜の表面は疎水性表面とな
るが、この発明を適用することによって、この疎水性の
表面の洗浄を良好に行うことができる。請求項５記載の
発明は、上記親水化工程は、上記基板を回転も移動もさ
せない静止状態で行われることを特徴とする請求項１な
いし４のいずれかに記載の基板洗浄方法である。When the low-k film is formed on the surface of the substrate, the surface of the low-k film becomes a hydrophobic surface. By applying the present invention, the hydrophobic surface is cleaned. Can be done well. The invention according to claim 5 is the method for cleaning a substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein the hydrophilic step is performed in a stationary state in which the substrate is neither rotated nor moved.
【００１３】この発明により、基板を回転も移動もさせ
ない静止状態で、この基板の表面に親水化処理液が供給
されるので、基板表面の親水化処理を良好に行うことが
できる。上記親水化工程は、請求項６記載のように、親
水化処理液が貯留された貯留槽（１２）内に基板を浸漬
させる工程を含んでいてもよい。たとえば、上記貯留槽
は、洗浄処理前の基板を液中に保持して待機させておく
ための液中ローダ（３１）に備えられたものであってよ
い。According to the present invention, since the hydrophilic treatment liquid is supplied to the surface of the substrate in a stationary state in which the substrate is neither rotated nor moved, it is possible to favorably perform the hydrophilic treatment on the substrate surface. The hydrophilization step may include a step of immersing the substrate in a storage tank (12) in which the hydrophilization treatment liquid is stored. For example, the storage tank may be provided in an in-liquid loader (31) for holding the substrate before the cleaning process in the liquid and keeping the substrate in the standby state.
【００１４】また、上記親水化工程は、請求項７に記載
されているように、基板保持手段（ＵＡ；５１ａ，５１
ｂ，５１ｃ，５２ａ，５２ｂ，５２ｃ；６２）に保持さ
れた基板の表面に親水化処理液を液盛りする工程（４
１，５０，８１，６０）を含んでいてもよい。この場合
に、上記基板保持手段は、請求項８に記載のように、基
板搬送ハンド（ＵＡ）を含むものであってもよい。In the hydrophilic step, the substrate holding means (UA; 51a, 51a, 51a, 51a, 51a, 51a, 51a, 51a, 51a, 51a, 51a, 51a, 51a) are provided.
b, 51c, 52a, 52b, 52c; 62), the step of placing a hydrophilic treatment liquid on the surface of the substrate (4)
1, 50, 81, 60) may be included. In this case, the substrate holding means may include a substrate transfer hand (UA) as described in claim 8.
【００１５】たとえば、基板搬送ハンドが、上記貯留槽
内から基板を搬出して、上記洗浄工程を行うための洗浄
槽（５０Ｃ，６０Ｃ）へと基板を搬送するものである場
合、この基板搬送ハンドに保持された基板の表面に親水
化処理液を供給することによって、貯留槽内における親
水化処理の不足を補うことができる。基板搬送ハンドに
保持された基板表面への親水化処理液の供給は、基板搬
送ハンドによって基板を移動させている過程で行われて
もよいし、基板搬送ハンドによる基板の搬送を一旦停止
させ、基板を回転も移動させない静止状態として行われ
てよい。For example, in the case where the substrate transfer hand carries the substrate out of the storage tank and transfers the substrate to the cleaning tank (50C, 60C) for performing the cleaning step, the substrate transfer hand is used. By supplying the hydrophilic treatment liquid to the surface of the substrate held by the substrate, the shortage of the hydrophilic treatment in the storage tank can be compensated. The supply of the hydrophilic treatment liquid to the substrate surface held by the substrate transfer hand may be performed during the process of moving the substrate by the substrate transfer hand, or the substrate transfer by the substrate transfer hand is temporarily stopped, It may be performed in a stationary state in which the substrate is neither rotated nor moved.
【００１６】請求項９記載の発明は、上記洗浄工程は、
洗浄槽（５０Ｃ，６０Ｃ）内で行われ、上記親水化工程
は、上記洗浄槽内に収容された基板の表面に親水化処理
液を供給する工程（５０，６０）を含むことを特徴とす
る請求項１ないし８のいずれかに記載の基板洗浄方法で
ある。この発明では、洗浄槽内に収容された基板の表面
に親水化処理液が供給されることによって親水化工程が
行われる。すなわち、洗浄槽内において、親水化工程お
よび洗浄工程が行われる。この間に、洗浄槽内における
基板の回転を開始する前に、親水化処理液を基板に供給
するとよい。また、洗浄工程中において、親水化処理液
と洗浄液とを基板の表面に同時供給するようにしてもよ
い。According to a ninth aspect of the present invention, the cleaning step is
It is performed in a cleaning tank (50C, 60C), and the hydrophilicizing step includes a step (50, 60) of supplying a hydrophilic treatment liquid to the surface of the substrate housed in the cleaning tank. The substrate cleaning method according to any one of claims 1 to 8. In the present invention, the hydrophilic treatment step is performed by supplying the hydrophilic treatment liquid to the surface of the substrate housed in the cleaning tank. That is, the hydrophilization step and the washing step are performed in the washing tank. During this period, the hydrophilic treatment liquid may be supplied to the substrate before the rotation of the substrate in the cleaning tank is started. Further, during the cleaning step, the hydrophilic treatment liquid and the cleaning liquid may be simultaneously supplied to the surface of the substrate.
【００１７】請求項１０記載の発明は、上記洗浄工程の
後に、上記基板表面に疎水化処理液を供給して、基板表
面を疎水性表面に戻す疎水化工程（６０）をさらに含む
ことを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の
基板洗浄方法である。この発明によって、基板の表面に
形成された親水性層を除去して、基板表面を疎水性の状
態に戻すことができる。上記疎水化処理液は、請求項１
１に記載のように、ふっ酸を含む溶液であってよい。The invention according to claim 10 further comprises a hydrophobicizing step (60) for returning the substrate surface to a hydrophobic surface by supplying a hydrophobic treatment liquid to the substrate surface after the cleaning step. The substrate cleaning method according to any one of claims 1 to 9. According to the present invention, the hydrophilic layer formed on the surface of the substrate can be removed to return the substrate surface to the hydrophobic state. The hydrophobizing treatment liquid according to claim 1.
It may be a solution containing hydrofluoric acid as described in 1.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態の基板洗浄方法を実施するための基板
洗浄装置の内部の構成を簡略化して示す平面図である。
この基板洗浄装置２０は、ＣＭＰ（化学的機械的研磨）
処理後の基板（たとえば半導体ウエハ）Ｗを洗浄するた
めの装置である。ＣＭＰ処理後の基板Ｗの表面には、Ｃ
ＭＰ処理において用いられるスラリー（研磨剤）などの
パーティクルが付着している。スラリーは、半導体装置
や晶表示装置などの製造工程における次のプロセスの前
に、基板Ｗの表面から取り除かれなければならない。こ
のスラリーの除去を目的とした基板洗浄装置が図１に示
されている。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a plan view showing a simplified internal configuration of a substrate cleaning apparatus for carrying out a substrate cleaning method according to an embodiment of the present invention.
This substrate cleaning apparatus 20 is CMP (Chemical Mechanical Polishing)
This is an apparatus for cleaning a processed substrate (for example, a semiconductor wafer) W. On the surface of the substrate W after the CMP treatment, C
Particles such as a slurry (polishing agent) used in the MP process are attached. The slurry must be removed from the surface of the substrate W before the next process in the manufacturing process of semiconductor devices, crystal display devices and the like. A substrate cleaning apparatus for the purpose of removing this slurry is shown in FIG.
【００１９】この実施形態では、たとえば、いわゆるＬ
ｏｗ−ｋ膜が表面に形成された基板Ｗに対するＣＭＰ処
理後の洗浄が行われる。基板洗浄装置２０の前面パネル
２１の背後には、ＣＭＰ処理後の複数枚の基板Ｗを保持
し、これらの基板Ｗを一枚ずつ供給するための液中ロー
ダ３１と、洗浄処理済みの基板Ｗが収容されるカセット
３７が載置されるアンローダ３２とが設けられている。
液中ローダ３１は、洗浄処理済みの基板Ｗを収容するた
めの処理前の基板Ｗが複数枚収容されるカセットＣを貯
留槽１２に貯留された液中に浸漬させておくことができ
るものである。In this embodiment, for example, the so-called L
The substrate W having the ow-k film formed on its surface is cleaned after the CMP process. Behind the front panel 21 of the substrate cleaning apparatus 20, a plurality of substrates W after the CMP process are held, the submersible loader 31 for supplying these substrates W one by one, and the substrate W after the cleaning process And an unloader 32 on which a cassette 37 for accommodating is stored.
The submerged loader 31 is capable of immersing a cassette C in which a plurality of unprocessed substrates W for accommodating the cleaned substrate W are accommodated in the liquid stored in the storage tank 12. is there.
【００２０】この実施形態では、貯留槽１２には、親水
化処理液として、界面活性剤を含む溶液（界面活性剤
液）が貯留される。基板洗浄装置２０によって処理され
る基板Ｗは、液中ローダ３１からアンローダ３２に至
る、平面視においてＵ字状の経路４０を通って搬送さ
れ、その過程で、洗浄処理および乾燥処理が行われるよ
うになっている。すなわち、この経路４０に沿って、液
中ローダ３１側から順に、両面ブラシ洗浄部５０、表面
ブラシ洗浄部６０、水洗・乾燥処理部７０が配置されて
いる。In this embodiment, a solution containing a surfactant (surfactant liquid) is stored in the storage tank 12 as a hydrophilic treatment liquid. The substrate W to be processed by the substrate cleaning apparatus 20 is conveyed through the U-shaped path 40 in a plan view from the submersible loader 31 to the unloader 32, and the cleaning process and the drying process are performed in the process. It has become. That is, along this path 40, the double-sided brush cleaning unit 50, the front surface brush cleaning unit 60, and the water cleaning / drying processing unit 70 are arranged in order from the submerged loader 31 side.
【００２１】さらに、経路４０上には、液中ローダ３１
と両面ブラシ洗浄部５０との間に、ローダ搬送ロボット
４１が配置され、両面ブラシ洗浄部５０と表面ブラシ洗
浄部６０との間に、第１中間搬送ロボット８１が配置さ
れ、表面ブラシ洗浄部６０と水洗・乾燥処理部７０との
間に、第２中間搬送ロボット８２が配置され、水洗・乾
燥処理部７０とアンローダ３２との間に、アンローダ搬
送ロボット４２が配置されている。すなわち、これらの
搬送ロボット４１，８１，８２，４２によって、液中ロ
ーダ３１からアンローダ３２に至る処理部間での基板Ｗ
の移送が行われることにより、基板ＷはＵ字状の経路４
０を搬送されつつ、両面ブラシ洗浄、表面洗浄および水
洗・乾燥処理などの処理を受けて、アンローダ３２に配
置されたカセット３７に収容される。Further, the submerged loader 31 is provided on the path 40.
And the double-sided brush cleaning unit 50, the loader transfer robot 41 is disposed, and the first intermediate transfer robot 81 is disposed between the double-sided brush cleaning unit 50 and the front surface brush cleaning unit 60. The second intermediate transfer robot 82 is disposed between the cleaning / drying processing unit 70 and the unloader 32, and the second intermediate transfer robot 82 is disposed between the cleaning / drying processing unit 70 and the unloader 32. That is, the transfer robots 41, 81, 82, 42 are used to transfer the substrate W between the processing units from the submersible loader 31 to the unloader 32.
Is transferred, the substrate W is transferred to the U-shaped path 4
While being transported 0, it is stored in a cassette 37 arranged in the unloader 32 after being subjected to processing such as double-sided brush cleaning, surface cleaning, and water washing / drying processing.
【００２２】液中ローダ３１に隣接して配置されたロー
ダ搬送ロボット４１は、液中ローダ３１から１枚の基板
Ｗを受け取り、両面ブラシ洗浄部５０に受け渡す。この
ローダ搬送ロボット４１は、水平面に沿って回動自在な
下アームＬＡと、この下アームＬＡの先端において水平
面に沿う回動が自在であるように設けられた上アームＵ
Ａとを有する屈伸式ロボットによって構成されている。
すなわち、下アームＬＡが回動すると、上アームＵＡ
は、下アームＬＡの回動方向とは反対方向に、下アーム
ＬＡの回動角度の２倍の角度だけ回動するように構成さ
れている。これにより、下アームＬＡと上アームＵＡと
は、両アームが上下に重なりあった収縮状態と、両アー
ムが経路４０に沿って、液中ローダ３１側または両面ブ
ラシ洗浄部５０に向かって展開された伸長状態とをとる
ことができる。The loader transfer robot 41 disposed adjacent to the submersible loader 31 receives one substrate W from the submersible loader 31 and transfers it to the double-sided brush cleaning unit 50. The loader transfer robot 41 includes a lower arm LA that is rotatable along a horizontal plane, and an upper arm U that is provided so that the tip of the lower arm LA is rotatable along the horizontal plane.
It is composed of a bending and stretching robot having A and A.
That is, when the lower arm LA rotates, the upper arm UA
Is configured to rotate in a direction opposite to the rotation direction of the lower arm LA by an angle that is twice the rotation angle of the lower arm LA. As a result, the lower arm LA and the upper arm UA are in a contracted state in which both arms are vertically overlapped, and both arms are deployed along the path 40 toward the submersible loader 31 side or the double-sided brush cleaning unit 50. It can be in a stretched state.
【００２３】第１中間搬送ロボット８１および第２中間
搬送ロボット８２は、ローダ搬送ロボット４１と同様に
構成されているので、これらのロボット８１，８２の各
部には、ローダ搬送ロボット４１の対応部分の参照符号
を付して表すこととし、説明を省略する。ローダ搬送ロ
ボット４１および第１中間搬送ロボット８１の上方に
は、上アームＵＡに保持された基板Ｗの表面（上面）に
親水化処理液としての界面活性剤を含む溶液（界面活性
剤液）を液盛り（パドル）するための界面活性剤液供給
ノズル４１Ｎ，８１Ｎが備えられている。ローダ搬送ロ
ボット４１および第１中間搬送ロボット８１は、基板Ｗ
を搬送する過程で、界面活性剤液供給ノズル４１Ｎ，８
１Ｎの下方で基板Ｗの搬送を一旦停止させる。こうし
て、基板Ｗを回転も移動もさせない静止状態で、この基
板Ｗの表面に界面活性剤液が液盛りされ、この基板Ｗ
は、液盛りされた界面活性剤液による親水化処理を受け
る。その後、所定のタイミング（たとえば、液盛り後一
定時間経過後のタイミング）で、ローダ搬送ロボット４
１および第１中間搬送ロボット８１は、基板Ｗの搬送を
再開する。Since the first intermediate transfer robot 81 and the second intermediate transfer robot 82 are configured in the same manner as the loader transfer robot 41, each part of these robots 81, 82 corresponds to the corresponding part of the loader transfer robot 41. The reference numerals will be given to the description, and the description thereof will be omitted. Above the loader transfer robot 41 and the first intermediate transfer robot 81, a solution (surfactant solution) containing a surfactant as a hydrophilizing treatment solution is applied to the surface (upper surface) of the substrate W held by the upper arm UA. Surface active agent liquid supply nozzles 41N and 81N for puddle (paddle) are provided. The loader transfer robot 41 and the first intermediate transfer robot 81 use the substrate W.
In the process of transporting the liquid, the surfactant liquid supply nozzles 41N, 8
The transport of the substrate W is temporarily stopped below 1N. Thus, the surface of the substrate W is filled with the surfactant liquid in a stationary state in which the substrate W is neither rotated nor moved.
Undergoes a hydrophilization treatment with the surface-active surfactant liquid. After that, at a predetermined timing (for example, a timing after a lapse of a certain time after the liquid is filled), the loader transport robot 4
The first and first intermediate transfer robots 81 restart the transfer of the substrate W.
【００２４】アンローダ搬送ロボット４２は、上下一対
のアーム４３，４４で構成された屈伸式ロボットと、こ
の屈伸式ロボットを経路４０に沿って往復直線移動させ
るための直線搬送機構（図示せず）と、さらに、屈伸式
ロボットを昇降させるための昇降機構（図示せず）とを
組み合わせて構成されている。すなわち、屈伸式ロボッ
トの下アーム４４は、水平面に沿って回動自在とされて
おり、上アーム４３は、下アーム４４の先端において、
水平面に沿う回動が自在であるように取り付けられてい
る。そして、下アーム４４が回動すると、上アーム４３
は、下アーム４４の回動方向とは反対方向に、下アーム
４４の回動角度の２倍だけ回動するように構成されてい
る。この屈伸式ロボット全体が、上記昇降機構に保持さ
れており、この昇降機構が、上記直線搬送機構のキャリ
ッジ（図示せず）に支持されている。直線搬送機構は、
たとえば、ボールねじ機構であってもよい。The unloader transfer robot 42 includes a bending / extending robot composed of a pair of upper and lower arms 43 and 44, and a linear transfer mechanism (not shown) for reciprocating the bending / extending robot along the path 40. Further, it is configured by combining with an elevating mechanism (not shown) for elevating the bending / stretching robot. That is, the lower arm 44 of the bending / stretching robot is rotatable along the horizontal plane, and the upper arm 43 has the tip of the lower arm 44.
It is mounted so that it can freely rotate along a horizontal plane. Then, when the lower arm 44 rotates, the upper arm 43
Is configured to rotate in a direction opposite to the rotation direction of the lower arm 44 by twice the rotation angle of the lower arm 44. The entire bending / stretching robot is held by the lifting mechanism, and the lifting mechanism is supported by a carriage (not shown) of the linear transport mechanism. The linear transport mechanism is
For example, a ball screw mechanism may be used.
【００２５】図２は、液中ローダ３１に関連する構成を
簡略化して示す斜視図である。液中ローダ３１は、カセ
ットＣを位置決め部材１５によって位置決めした状態で
載置することができる昇降ステージ１１と、この昇降ス
テージ１１上に載置されたカセットＣを液没させること
ができる貯留槽１２と、昇降ステージ１１を昇降させる
ための昇降駆動機構１３と、昇降ステージ１１の上方か
らカセットＣに保持された基板Ｗに界面活性剤液を供給
するための界面活性剤液シャワーノズル１４とを備えて
いる。この場合、昇降ステージ１１および昇降駆動機構
１３などにより、カセット昇降機構が構成されている。FIG. 2 is a perspective view showing a simplified configuration of the submerged loader 31. The submerged loader 31 is capable of mounting the cassette C while the cassette C is positioned by the positioning member 15, and a storage tank 12 capable of submerging the cassette C mounted on the lift stage 11. And an elevating drive mechanism 13 for elevating the elevating stage 11, and a surfactant liquid shower nozzle 14 for supplying the surfactant liquid to the substrate W held in the cassette C from above the elevating stage 11. ing. In this case, the raising / lowering stage 11 and the raising / lowering drive mechanism 13 constitute a cassette raising / lowering mechanism.
【００２６】貯留槽１２には界面活性剤液が満たされて
おり、昇降駆動機構１３によって昇降ステージ１１を下
降させることにより、カセットＣ内の基板Ｗを界面活性
剤液中に浸漬することができる。また、昇降駆動機構１
３によって昇降ステージ１１を上昇させることにより、
昇降ステージ１１を貯留槽１２中の液面よりも上方の上
昇位置まで導くことができる。昇降駆動機構１３は、た
とえば、ボールねじ機構１３ａと、これに駆動力を与え
るモータ１３ｂとを備えている。The storage tank 12 is filled with a surfactant liquid, and by lowering the raising / lowering stage 11 by the raising / lowering drive mechanism 13, the substrate W in the cassette C can be immersed in the surfactant liquid. . Also, the lifting drive mechanism 1
By raising the elevating stage 11 by 3,
The elevating stage 11 can be guided to a rising position above the liquid level in the storage tank 12. The elevation drive mechanism 13 includes, for example, a ball screw mechanism 13a and a motor 13b that gives a driving force to the ball screw mechanism 13a.
【００２７】ローダ搬送ロボット４１により基板Ｗの取
り出しを行うときには、昇降駆動機構１３は昇降ステー
ジ１１を上昇させ、処理対象の基板Ｗを所定の高さまで
上昇させる。その後に、ローダ搬送ロボット４１の上ア
ームＵＡによって、その基板Ｗが取り出されることにな
る。その後、昇降駆動機構１３は昇降ステージ１１を下
降させ、次の基板Ｗの取り出しまでの期間中、カセット
Ｃ内の基板Ｗを貯留槽１２内の界面活性剤液中に浸漬さ
せて待機させる。この期間、基板Ｗは、回転も移動もさ
せない静止状態で、界面活性剤液による親水化処理を受
ける。When the substrate W is taken out by the loader transfer robot 41, the elevating / lowering drive mechanism 13 elevates the elevating / lowering stage 11 to elevate the substrate W to be processed to a predetermined height. After that, the substrate W is taken out by the upper arm UA of the loader transfer robot 41. After that, the elevating / lowering drive mechanism 13 lowers the elevating / lowering stage 11, and immerses the substrate W in the cassette C in the surfactant liquid in the storage tank 12 and waits until the next substrate W is taken out. During this period, the substrate W is subjected to the hydrophilic treatment with the surfactant liquid in a stationary state in which neither rotation nor movement is performed.
【００２８】この基板洗浄装置２０にカセットＣを投入
するときには、昇降ステージ１１は、貯留槽１２よりも
上方の上昇位置にある。界面活性剤液シャワーノズル１
４は、カセットＣが投入された後に、速やかに界面活性
剤液の供給を開始するようになっており、これにより、
昇降ステージ１１に載置されたカセットＣ内の基板Ｗの
乾燥が防がれる。カセットＣは、その内壁面に複数段の
棚（基板収容部）が一定の間隔で形成されており、これ
により、複数枚の基板Ｗを鉛直方向に沿って一定の間隔
でほぼ平行に整列した積層状態で保持することができる
ようになっている。When the cassette C is loaded into the substrate cleaning apparatus 20, the elevating stage 11 is in a raised position above the storage tank 12. Surfactant liquid shower nozzle 1
In No. 4, the supply of the surfactant liquid is promptly started after the cassette C is loaded.
The substrate W in the cassette C placed on the elevating stage 11 is prevented from drying. The cassette C has a plurality of shelves (substrate accommodating portions) formed on the inner wall surface thereof at regular intervals, whereby a plurality of substrates W are aligned substantially parallel to each other at regular intervals along the vertical direction. It can be held in a laminated state.
【００２９】図３は、両面ブラシ洗浄部５０の構成を示
す図解的な斜視図である。両面ブラシ洗浄部５０は、洗
浄槽５０Ｃ（図１参照）内において、ローダ搬送ロボッ
ト４１によって搬入された基板Ｗを水平に保持し、か
つ、水平面内で回転させるための複数本（この実施例で
は６本）の保持ローラ５１ａ，５１ｂ，５１ｃ；５２
ａ，５２ｂ，５２ｃを有しており、これらが基板保持部
を構成している。保持ローラ５１ａ，５１ｂ，５１ｃ；
５２ａ，５２ｂ，５２ｃによって水平に保持された基板
Ｗを上下から挟むように、上ディスクブラシ５３Ｕおよ
び下ディスクブラシ５３Ｌ（洗浄ブラシ）が設けられて
おり、これらは、基板Ｗの両面をスクラブ洗浄する両面
スクラブ洗浄機構５３を構成している。FIG. 3 is a schematic perspective view showing the structure of the double-sided brush cleaning section 50. In the cleaning tank 50C (see FIG. 1), the double-sided brush cleaning unit 50 holds a plurality of substrates W loaded by the loader transfer robot 41 horizontally and rotates them in a horizontal plane (in this embodiment, a plurality of them). 6) holding rollers 51a, 51b, 51c; 52
a, 52b, 52c, which constitute a substrate holding portion. Holding rollers 51a, 51b, 51c;
An upper disk brush 53U and a lower disk brush 53L (cleaning brush) are provided so as to sandwich the substrate W held horizontally by 52a, 52b, and 52c from above and below, and these scrub clean both sides of the substrate W. A double-sided scrub cleaning mechanism 53 is configured.
【００３０】６本の保持ローラのうちの３本の保持ロー
ラ５１ａ，５１ｂ，５１ｃの組と、残る３本の保持ロー
ラ５２ａ，５２ｂ，５２ｃの組とは、基板Ｗを挟んでほ
ぼ対向して配置されている。各保持ローラ５１ａ，５１
ｂ，５１ｃ；５２ａ，５２ｂ，５２ｃは、鉛直方向に沿
って立設されており、かつ、それぞれ基板Ｗの端面に当
接している。一方の組を構成する３本の保持ローラ５１
ａ，５１ｂ，５１ｃのうちの中央の保持ローラ５１ｂに
は、モータＭ１からの回転力がベルトＢ１を介して伝達
されている。そして、保持ローラ５１ｂの回転が、ベル
トＢ２およびＢ３を介して、保持ローラ５１ａおよび５
１ｃにそれぞれ伝達されるようになっている。Of the six holding rollers, the set of three holding rollers 51a, 51b and 51c and the remaining set of three holding rollers 52a, 52b and 52c are substantially opposed to each other with the substrate W interposed therebetween. It is arranged. Each holding roller 51a, 51
b, 51c; 52a, 52b, 52c are provided upright along the vertical direction and are in contact with the end surface of the substrate W, respectively. Three holding rollers 51 forming one set
The rotational force from the motor M1 is transmitted to the central holding roller 51b of the a, 51b, and 51c via the belt B1. Then, the rotation of the holding roller 51b is changed via the belts B2 and B3 to the holding rollers 51a and 5b.
1c, respectively.
【００３１】他方の組を構成する３本の保持ローラ５２
ａ，５２ｂ，５２ｃについても同様であり、中央の保持
ローラ５２ｂにモータＭ２からの回転力がベルトＢ４を
介して伝達され、保持ローラ５２ｂの回転が、ベルトＢ
５およびＢ６を介して他の２本の保持ローラ５２ａおよ
び５２ｃに伝達されるようになっている。一方の組を構
成する３本の保持ローラ５１ａ，５１ｂ，５１ｃと、他
方の組を構成する３本の保持ローラ５２ａ，５２ｂ，５
２ｃとは、それぞれ図１に示す保持機構５１，５２に保
持されており、互いに近接したり離反したりすることが
できるようになっている。これにより、基板Ｗを保持し
た状態と、基板Ｗの保持を開放した状態とをとることが
できる。Three holding rollers 52 constituting the other set
The same applies to a, 52b, and 52c. The rotational force from the motor M2 is transmitted to the central holding roller 52b via the belt B4, and the rotation of the holding roller 52b is changed to the belt B.
It is adapted to be transmitted to the other two holding rollers 52a and 52c via 5 and B6. Three holding rollers 51a, 51b, 51c forming one set, and three holding rollers 52a, 52b, 5 forming the other set
2c are held by the holding mechanisms 51 and 52 shown in FIG. 1, respectively, so that they can come close to or separate from each other. Accordingly, it is possible to take a state in which the substrate W is held and a state in which the substrate W is released.
【００３２】両面スクラブ洗浄機構５３の上ディスクブ
ラシ５３Ｕおよび下ディスクブラシ５３Ｌは、基板Ｗの
中心から周縁までの領域をスクラブできる様に円板状に
形成されている。上ディスクブラシ５３Ｕは、鉛直方向
に沿って配設された回転軸５５の下端に固定されてお
り、この回転軸５５には、モータＭ３からの回転力がベ
ルトＢ７を介して伝達されている。同様に、下ディスク
ブラシ５３Ｌは、鉛直方向に沿って配設された回転軸５
６の上端に固定されており、モータＭ４からの回転力が
ベルトＢ８を介して与えられることによって、鉛直軸線
まわりに回転駆動されるようになっている。さらに、上
ディスクブラシ５３Ｕおよび下ディスクブラシ５３Ｌ
が、基板Ｗの表面および裏面に対して近接／離反するこ
とができるように、上ディスクブラシ５３Ｕおよび下デ
ィスクブラシ５３Ｌを昇降するための昇降機構１０１，
１０２がそれぞれ備えられている。The upper disk brush 53U and the lower disk brush 53L of the double-sided scrubbing mechanism 53 are formed in a disk shape so that the area from the center to the peripheral edge of the substrate W can be scrubbed. The upper disc brush 53U is fixed to the lower end of a rotating shaft 55 arranged along the vertical direction, and the rotating force from the motor M3 is transmitted to the rotating shaft 55 via a belt B7. Similarly, the lower disk brush 53L includes a rotating shaft 5 arranged along the vertical direction.
It is fixed to the upper end of 6, and is rotationally driven about the vertical axis by being given a rotational force from the motor M4 via the belt B8. Further, the upper disc brush 53U and the lower disc brush 53L
, An elevating mechanism 101 for elevating and lowering the upper disc brush 53U and the lower disc brush 53L so that they can approach and separate from the front surface and the back surface of the substrate W.
102 are provided respectively.
【００３３】回転軸５５，５６は、いずれも中空の軸で
構成されており、その内部には、ディスクブラシ５３
Ｕ，５３Ｌの表面の近傍にまで至る処理液供給管５７
Ｕ，５７Ｌ（洗浄液供給路。これらの先端が洗浄液ノズ
ルを形成している。）が挿通している。この処理液供給
管５７Ｕ，５７Ｌには、それぞれ、薬液供給弁５８Ａを
介する薬液（たとえば、ふっ酸、硫酸、硝酸、塩酸、リ
ン酸、酢酸、アンモニア、過酸化水素水、クエン酸、蓚
酸、ＴＭＡＨなどのうちの少なくともいずれか１つを含
む液体）、純水供給弁５８Ｂを介する純水、および界面
活性剤液供給弁５８Ｃを介する界面活性剤液の一種また
は二種以上を、選択的に供給することができるようにな
っている。The rotary shafts 55 and 56 are both hollow shafts, and the disk brush 53 is inside the shafts.
Processing liquid supply pipe 57 reaching near the surface of U, 53L
U and 57L (cleaning liquid supply passages, the tips of which form the cleaning liquid nozzle) are inserted. Chemical liquids (for example, hydrofluoric acid, sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, acetic acid, ammonia, hydrogen peroxide solution, citric acid, oxalic acid, TMAH, and the like via the chemical liquid supply valve 58A are respectively connected to the processing liquid supply pipes 57U and 57L. Liquid containing at least one of the above), pure water via the pure water supply valve 58B, and one or more kinds of surfactant liquid via the surfactant liquid supply valve 58C are selectively supplied. You can do it.
【００３４】モータＭ３，Ｍ４を付勢して上下のディス
クブラシ５３Ｕ，５３Ｌを回転し、この回転状態のディ
スクブラシ５３Ｕ，５３Ｌを基板Ｗの表面および裏面に
それぞれ接触させると、基板Ｗの表面および裏面をスク
ラブ洗浄することができる。その際、保持ローラ５１
ａ，５１ｂ，５１ｃ；５２ａ，５２ｂ，５２ｃにより基
板Ｗが低速回転されるため、保持ローラ５１ａ，５１
ｂ，５１ｃ；５２ａ，５２ｂ，５２ｃと基板Ｗとが当接
する位置は刻々と変化し、また、スクラブ洗浄される位
置も刻々と変化する。これにより、基板Ｗの中心から周
縁までの領域をカバーするように設けられたディスクブ
ラシ５３Ｕ，５３Ｌは、基板Ｗの表面および裏面の全域
を隈無くスクラブすることができる。When the upper and lower disk brushes 53U and 53L are rotated by energizing the motors M3 and M4 and the disk brushes 53U and 53L in this rotating state are brought into contact with the front surface and the back surface of the substrate W, respectively, The back side can be scrub cleaned. At that time, the holding roller 51
a, 51b, 51c; 52a, 52b, 52c rotate the substrate W at a low speed, so that the holding rollers 51a, 51c
b, 51c; 52a, 52b, 52c and the position at which the substrate W abuts change every moment, and the position where scrub cleaning is performed also changes every moment. As a result, the disk brushes 53U and 53L provided so as to cover the area from the center to the peripheral edge of the substrate W can scrub the entire front surface and back surface of the substrate W.
【００３５】スクラブ洗浄を行う際、処理液供給管５７
Ｕ，５７Ｌには、薬液、純水または界面活性剤液が供給
され、これらの処理液を供給しながら、基板Ｗの表面お
よび裏面をスクラブすることによって、ＣＭＰ処理後の
基板Ｗの表面のスラリーのうち、比較的粒子径の大きな
ものを除去することができる。この実施形態では、上下
のディスクブラシ５３Ｕ，５３Ｌを基板Ｗに接触させる
のに先だって、保持ローラ５１ａ，５１ｂ，５１ｃ；５
２ａ，５２ｂ，５２ｃを停止状態として、基板Ｗを回転
させない静止状態としておいて、上側の処理液供給管５
７Ｕに結合された界面活性剤液供給弁５８Ｃを開いて、
界面活性剤液を基板Ｗの上面に供給して液盛りすること
ができる。これにより、基板Ｗの両面洗浄処理に先だっ
て、基板Ｗの表面の親水化処理を行うことができる。When performing scrub cleaning, the processing liquid supply pipe 57
A chemical liquid, pure water or a surfactant liquid is supplied to U and 57L, and the front surface and the back surface of the substrate W are scrubbed while supplying these processing liquids, so that the slurry on the surface of the substrate W after the CMP process is performed. Among them, those having a relatively large particle diameter can be removed. In this embodiment, the holding rollers 51a, 51b, 51c; 5 are placed before the upper and lower disc brushes 53U, 53L are brought into contact with the substrate W.
2a, 52b, 52c are in a stopped state and the substrate W is in a stationary state in which the substrate W is not rotated.
Open the surfactant liquid supply valve 58C connected to 7U,
The surfactant liquid can be supplied to the upper surface of the substrate W to fill the surface. This allows the surface of the substrate W to be hydrophilized prior to the double-sided cleaning process of the substrate W.
【００３６】さらに、上下のディスクブラシ５３Ｕ，５
３Ｌを基板Ｗに接触させ、かつ、保持ローラ５１ａ，５
１ｂ，５１ｃ；５２ａ，５２ｂ，５２ｃを回転状態とし
て基板Ｗを回転させて、この基板Ｗの両面のスクラブ洗
浄を行うときに、基板Ｗの上面および／または下面（好
ましくは少なくともＬｏｗ−ｋ膜が形成された上面）に
対して、処理液供給管５７Ｕ，５７Ｌに結合された薬液
供給弁５８Ａおよび界面活性剤液供給弁５８Ｃの両方を
開いて、薬液および界面活性剤液の両方を基板Ｗに供給
することもできる。これにより、基板Ｗの表面から離脱
した異物が当該基板Ｗの表面に再付着することを、より
効果的に防止することができるので、洗浄効率が向上す
る。Further, the upper and lower disc brushes 53U, 5
3L is brought into contact with the substrate W and holding rollers 51a, 5
1b, 51c; 52a, 52b, 52c are rotated, and when the substrate W is rotated and scrub cleaning of both surfaces of the substrate W is performed, the upper surface and / or the lower surface of the substrate W (preferably at least the Low-k film is Both the chemical liquid supply valve 58A and the surfactant liquid supply valve 58C connected to the processing liquid supply pipes 57U and 57L are opened with respect to the formed upper surface), so that both the chemical liquid and the surfactant liquid are applied to the substrate W. It can also be supplied. As a result, it is possible to more effectively prevent the foreign matter separated from the surface of the substrate W from reattaching to the surface of the substrate W, so that the cleaning efficiency is improved.
【００３７】図４は、表面ブラシ洗浄部６０の概念的な
構成を示す図解図である。この表面ブラシ洗浄部６０
は、両面ブラシ洗浄部５０での処理によって、比較的大
きな粒径の異物が除去された後の基板Ｗの表面に残る小
粒径の異物を除去するための精密洗浄を行うためのもの
である。この表面ブラシ洗浄部６０は、洗浄槽６０Ｃ
（図１参照）内において、たとえば６本の保持ピン６１
で基板Ｗの裏面の周縁部付近を支持する構成のスピンチ
ャック６２（基板保持部）を備えている。たとえば、６
本の保持ピンのうち、１本おきに配設された３本の保持
ピン６１は、鉛直軸線周りに回動することができるよう
になっており、基板Ｗの端面に対して、保持面を選択的
に当接させることができるように構成されている。これ
により、基板Ｗは、結果として、６本の保持ピン６１に
よって強固に握持される。FIG. 4 is an illustrative view showing a conceptual configuration of the surface brush cleaning unit 60. This surface brush cleaning unit 60
Is for performing precision cleaning for removing foreign matters having a small particle diameter remaining on the surface of the substrate W after the foreign matters having a relatively large particle diameter are removed by the processing in the double-sided brush cleaning unit 50. . This surface brush cleaning unit 60 is a cleaning tank 60C.
(See FIG. 1), for example, six holding pins 61
Is provided with a spin chuck 62 (substrate holding portion) configured to support the periphery of the back surface of the substrate W. For example, 6
Of the three holding pins, every other three holding pins 61 are arranged so as to be rotatable about the vertical axis, and the holding surface is set with respect to the end surface of the substrate W. It is configured to be selectively brought into contact with each other. As a result, the substrate W is firmly gripped by the six holding pins 61.
【００３８】スピンチャック６２は、この６本の保持ピ
ン６１によって水平保持された基板Ｗを、鉛直軸線まわ
りに回転させるために、保持ピン６１を保持するスピン
ベース６５と、このスピンベース６５の中央の下面に鉛
直方向に沿って固定された中空の回転軸６６と、この回
転軸６６を回転駆動するための回転駆動機構６７とを備
えている。スピンチャック６２に保持された基板Ｗの上
方には、表面スクラブ洗浄機構としてのスキャンブラシ
６３が備えられている。スキャンブラシ６３は、基板Ｗ
の表面に対してほぼ垂直な方向に沿う回転軸まわりに回
転駆動されるディスク型ブラシである自転ブラシ６３ａ
（洗浄ブラシ）と、この自転ブラシ６３ａを先端におい
て下方に向けて支持する揺動腕６３ｂと、この揺動腕６
３ｂを、スピンチャック６２に保持された基板Ｗよりも
外側に設定された鉛直軸線まわりに揺動させる揺動駆動
機構６３ｃとを備えている。The spin chuck 62 holds the holding pin 61 in order to rotate the substrate W horizontally held by the six holding pins 61 about the vertical axis, and the center of the spin base 65. A hollow rotary shaft 66 fixed to the lower surface of the rotary shaft along the vertical direction, and a rotary drive mechanism 67 for rotationally driving the rotary shaft 66. A scan brush 63 as a surface scrub cleaning mechanism is provided above the substrate W held by the spin chuck 62. The scan brush 63 is the substrate W
Rotation brush 63a, which is a disk type brush, which is driven to rotate about a rotation axis along a direction substantially perpendicular to the surface of the disk.
(Cleaning brush), swing arm 63b that supports the rotating brush 63a downward at the tip, and swing arm 6
3b is provided with a swing drive mechanism 63c that swings 3b around a vertical axis set outside the substrate W held by the spin chuck 62.
【００３９】この構成により、揺動腕６３ｂを揺動させ
ることにより、基板Ｗの半径方向に沿って、その中心位
置から周縁部までの範囲で、自転ブラシ６３ａを繰り返
し往復させることができる。自転ブラシ６３ａが、基板
Ｗの中心から周縁部に向かう際には、自転ブラシ６３ａ
は下方位置にあって、基板Ｗの表面をスクラブ洗浄す
る。その際、スピンチャック６２によって基板Ｗが回転
されているので、基板Ｗの表面のほぼ全域をスクラブす
ることができる。自転ブラシ６３ａが基板Ｗの周縁部か
ら中心位置に戻されるときには、自転ブラシ６３ａは、
上方位置とされ、基板Ｗから離間した状態とされる。こ
れを数回繰り返すことにより、基板Ｗの表面の小粒径の
異物を、スクラブすることによって浮き出させ、さらに
その異物を基板Ｗの外側に向かって掃き出すことができ
る。With this structure, by swinging the swing arm 63b, the rotating brush 63a can be repeatedly reciprocated along the radial direction of the substrate W in the range from the center position to the peripheral portion. When the rotating brush 63a moves from the center of the substrate W toward the peripheral portion, the rotating brush 63a
Is in the lower position and scrubs the surface of the substrate W. At that time, since the substrate W is rotated by the spin chuck 62, almost the entire surface of the substrate W can be scrubbed. When the rotating brush 63a is returned from the peripheral portion of the substrate W to the center position, the rotating brush 63a is
The upper position is set and the substrate W is separated from the substrate W. By repeating this several times, it is possible to scrub the foreign particles having a small particle size on the surface of the substrate W to scoop them out, and further sweep the foreign particles toward the outside of the substrate W.
【００４０】スピンチャック６２に関連して、薬液を基
板Ｗの表面に供給するための薬液供給ノズルＣＮ（洗浄
液ノズル）、純水を基板Ｗの表面に供給するための純水
供給ノズルＤＮ、超音波振動が付与された純水を基板Ｗ
の表面に供給するための超音波洗浄ノズルＤＳＮ、およ
び界面活性剤液を基板Ｗの表面に供給するための界面活
性剤液供給ノズルＳＡＮが備えられている。薬液供給ノ
ズルＣＮから基板Ｗの表面に供給される薬液としては、
ふっ酸、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、酢酸、アンモニ
ア、過酸化水素水、クエン酸、蓚酸、ＴＭＡＨなどのう
ちの少なくともいずれか１つを含む液体が挙げられる。With respect to the spin chuck 62, a chemical solution supply nozzle CN (cleaning solution nozzle) for supplying a chemical solution onto the surface of the substrate W, a pure water supply nozzle DN for supplying pure water onto the surface of the substrate W, The pure water to which the sonic vibration has been applied is the substrate W
An ultrasonic cleaning nozzle DSN for supplying the surface of the substrate W and a surfactant liquid supply nozzle SAN for supplying the surface active agent liquid to the surface of the substrate W are provided. As the chemical liquid supplied from the chemical liquid supply nozzle CN to the surface of the substrate W,
Examples of the liquid include at least one of hydrofluoric acid, sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, acetic acid, ammonia, hydrogen peroxide solution, citric acid, oxalic acid, TMAH and the like.
【００４１】この構成により、スキャンブラシ６３によ
る基板Ｗの表面のスクラブ洗浄の際に、薬液、純水、超
音波振動が付与された純水、および界面活性剤液を、そ
れぞれ単独で、または組み合わせて供給することによ
り、基板Ｗの表面の異物を効果的に除去することができ
る。この実施形態では、スキャンブラシ６３を基板Ｗに
接触させるのに先だって、スピンチャック６２を停止状
態として基板Ｗを回転させない静止状態とし、界面活性
剤液供給ノズルＳＡＮから界面活性剤液を吐出して、基
板Ｗの上面に液盛りすることができる。これにより、基
板Ｗの表面洗浄処理に先だって、基板Ｗの表面の親水化
処理を行うことができる。With this configuration, when scrub cleaning the surface of the substrate W by the scan brush 63, the chemical liquid, pure water, pure water to which ultrasonic vibration is applied, and the surfactant liquid are used alone or in combination. The foreign matter on the surface of the substrate W can be effectively removed by supplying the foreign matter. In this embodiment, prior to bringing the scan brush 63 into contact with the substrate W, the spin chuck 62 is stopped so that the substrate W does not rotate, and the surfactant liquid is discharged from the surfactant liquid supply nozzle SAN. The liquid can be placed on the upper surface of the substrate W. This allows the surface of the substrate W to be hydrophilized prior to the surface cleaning process of the substrate W.
【００４２】さらに、スキャンブラシ６３を基板Ｗに接
触させ、かつ、スピンチャック６２を回転状態として基
板Ｗを回転させ、この基板Ｗの上面の精密洗浄を行うと
きに、基板Ｗの上面に対して、ノズルＣＮ，ＤＮ，ＤＳ
Ｎからの薬液、純水および超音波振動が付与された純水
のうちの少なくとも１種とともに、界面活性剤液供給ノ
ズルＳＡＮから界面活性剤液を併せて供給することもで
きる。これにより、基板Ｗの表面から離脱した異物が当
該基板Ｗの表面に再付着することを、より効果的に防止
することができる。Further, when the scan brush 63 is brought into contact with the substrate W and the spin chuck 62 is rotated to rotate the substrate W and the upper surface of the substrate W is precision cleaned, the upper surface of the substrate W is not cleaned. , Nozzles CN, DN, DS
It is also possible to simultaneously supply the surfactant liquid from the surfactant liquid supply nozzle SAN together with at least one of the chemical liquid from N, pure water and pure water to which ultrasonic vibration is applied. This makes it possible to more effectively prevent the foreign matter separated from the surface of the substrate W from reattaching to the surface of the substrate W.
【００４３】スピンチャック６２に保持された基板Ｗの
下面側には、処理液供給管６８から処理液を供給するこ
とができる。この処理液供給管６８は、回転軸６６を挿
通し、スピンベース６５の上面において上方に向けて開
口している。処理液供給管６８には、薬液供給弁６９Ａ
からの薬液、純水供給弁６９Ｂからの純水および界面活
性剤液供給弁６９Ｃからの界面活性剤液のうちの一種ま
たは２種以上を供給することができる。たとえば、薬液
または純水の供給と界面活性剤液の供給とを併せて行え
ば、異物の除去効率を高めることができる。The processing liquid can be supplied from the processing liquid supply pipe 68 to the lower surface side of the substrate W held by the spin chuck 62. The processing liquid supply pipe 68 is inserted through the rotary shaft 66 and opens upward on the upper surface of the spin base 65. A chemical liquid supply valve 69A is provided in the processing liquid supply pipe 68.
It is possible to supply one or more of the chemical liquid from the above, the pure water from the pure water supply valve 69B, and the surfactant liquid from the surfactant liquid supply valve 69C. For example, if the supply of the chemical liquid or pure water and the supply of the surfactant liquid are performed at the same time, the efficiency of removing foreign matter can be increased.
【００４４】基板Ｗの洗浄処理の末期には、薬液供給ノ
ズルＣＮから疎水化処理液としてのふっ酸水溶液が基板
Ｗに向けて供給される。これにより、基板Ｗの表面の親
水性層が除去され、基板Ｗの表面状態が、洗浄処理前の
疎水性表面へと戻される。その後、ふっ酸水溶液の供給
を停止して、純水供給ノズルＤＮから基板Ｗの表面に純
水が供給され、ふっ酸水溶液が洗い流される。むろん、
基板Ｗの表面を疎水性表面に戻す必要がなければ、この
工程は省かれてもよい。At the end of the cleaning process of the substrate W, the aqueous solution of hydrofluoric acid as the hydrophobizing treatment liquid is supplied toward the substrate W from the chemical liquid supply nozzle CN. As a result, the hydrophilic layer on the surface of the substrate W is removed, and the surface state of the substrate W is returned to the hydrophobic surface before the cleaning process. After that, the supply of the hydrofluoric acid aqueous solution is stopped, pure water is supplied to the surface of the substrate W from the pure water supply nozzle DN, and the hydrofluoric acid aqueous solution is washed away. Of course,
This step may be omitted if it is not necessary to return the surface of the substrate W to a hydrophobic surface.
【００４５】図５は、水洗・乾燥処理部７０の概念的な
構成を示す図解図である。水洗・乾燥処理部７０は、基
板Ｗを水平に保持して回転させるスピンチャック７１
と、このスピンチャック７１の上方に設けられた不活性
ガス供給機構７２とを有している。不活性ガス供給機構
７２に関連して、スピンチャック７１に保持された基板
Ｗの表面に純水を供給するための純水供給ノズルＤＮ１
が設けられており、この純水供給ノズルＤＮ１には、純
水供給源７３から純水が供給されるようになっている。FIG. 5 is an illustrative view showing a conceptual configuration of the water washing / drying processing unit 70. The water washing / drying processing unit 70 includes a spin chuck 71 that holds the substrate W horizontally and rotates it.
And an inert gas supply mechanism 72 provided above the spin chuck 71. In connection with the inert gas supply mechanism 72, a pure water supply nozzle DN1 for supplying pure water to the surface of the substrate W held by the spin chuck 71.
Is provided, and pure water is supplied from the pure water supply source 73 to the pure water supply nozzle DN1.
【００４６】スピンチャック７１は、図４に示された表
面ブラシ洗浄部６０のスピンチャック６２と同様の構成
を有しており、６本の保持ピン８４によって、基板Ｗの
裏面の周縁部を支持し、かつ、端面を握持するようにな
っている。このスピンチャック７１も、スピンチャック
６２と同様に、保持ピン８４を保持するスピンベース８
５と、このスピンベース８５の下面に鉛直方向に沿って
固定された中空の回転軸８６と、この回転軸８６を回転
駆動するための回転駆動機構８７とを備えている。The spin chuck 71 has the same structure as the spin chuck 62 of the front surface brush cleaning section 60 shown in FIG. 4, and supports the peripheral portion of the back surface of the substrate W by six holding pins 84. In addition, it is designed to hold the end face. Like the spin chuck 62, the spin chuck 71 also holds the holding pin 84.
5, a hollow rotary shaft 86 fixed to the lower surface of the spin base 85 along the vertical direction, and a rotary drive mechanism 87 for rotationally driving the rotary shaft 86.
【００４７】回転軸８６には、基板Ｗの裏面に純水を供
給するための純水供給管８８が挿通されている。この純
水供給管８８には、純水供給バルブ８９から純水が供給
されるようになっており、その上端は、スピンベース８
５の上面に至っていて、上方に向けて開口している。不
活性ガス供給機構７２は、遮蔽円板７５と、この遮蔽円
板７５を支持する支持部材７６と、この遮蔽円板７５の
中央付近に設けられた不活性ガス供給ノズル７７と、こ
の不活性ガス供給ノズル７７に不活性ガスとしての加熱
された窒素ガスを供給する不活性ガス供給源７８とを有
している。上記の純水供給ノズルＤＮ１も、遮蔽円板７
５の中央付近に設けられている。A pure water supply pipe 88 for supplying pure water to the back surface of the substrate W is inserted through the rotary shaft 86. Pure water is supplied to the pure water supply pipe 88 from a pure water supply valve 89, and the upper end of the pure water supply valve 88 has a spin base 8
It reaches the upper surface of 5 and opens upward. The inert gas supply mechanism 72 includes a shield disc 75, a support member 76 that supports the shield disc 75, an inert gas supply nozzle 77 provided near the center of the shield disc 75, and the inert gas supply nozzle 77. The gas supply nozzle 77 has an inert gas supply source 78 for supplying heated nitrogen gas as an inert gas. The deionized water supply nozzle DN1 is also the shielding disk 7
It is provided near the center of 5.
【００４８】支持部材７６は、昇降駆動機構７９によっ
て昇降されるようになっている。この昇降駆動機構７９
は、基板Ｗの表面および裏面を水洗するときには、遮蔽
円板７５を基板Ｗから所定距離だけ上方に離間した上位
置に位置させ、基板Ｗの表面および裏面を乾燥させると
きには、遮蔽円板７５を上記上位置よりも基板Ｗの表面
に近接した下位置に位置させるように、支持部材７６を
昇降する。この構成により、スピンチャック６２を低速
回転させつつ純水供給ノズルＤＮ１および純水供給管８
８から基板Ｗに向けて純水を供給することにより、リン
ス工程が行われる。すなわち、前工程において使用され
た薬液や、基板Ｗの表面および裏面に残留している付着
物が洗い流される。このリンス工程中、遮蔽円板７５は
上位置にある。The support member 76 is moved up and down by a lift drive mechanism 79. This lifting drive mechanism 79
When the front surface and the back surface of the substrate W are washed with water, the shield disk 75 is positioned at an upper position separated by a predetermined distance from the substrate W, and when the front surface and the back surface of the substrate W are dried, the shield disk 75 is removed. The support member 76 is moved up and down so as to be located at a lower position closer to the surface of the substrate W than the upper position. With this configuration, the pure water supply nozzle DN1 and the pure water supply pipe 8 are rotated while rotating the spin chuck 62 at a low speed.
The rinse step is performed by supplying pure water from 8 to the substrate W. That is, the chemical solution used in the previous step and the deposits remaining on the front and back surfaces of the substrate W are washed away. The shield disk 75 is in the upper position during this rinse step.
【００４９】リンス工程の後、純水供給ノズルＤＮ１お
よび純水供給管８８からの純水の供給が停止され、遮蔽
円板７５が下位置とされる。そして、不活性ガス供給ノ
ズル７７から窒素ガスが基板Ｗへ向けて供給されるとと
もに、スピンチャック６２が高速回転されて、基板Ｗの
表面の水分が振り切られる。以上のように、この実施形
態においては、液中ローダ３１の貯留槽１２において、
基板Ｗが界面活性剤液中に浸漬される。これによって、
基板Ｗの疎水性表面には、基板Ｗを回転も移動もさせな
い静止状態で界面活性剤液が供給され、良好な親水化処
理が施される。すなわち、基板Ｗの表面は親水性層で覆
われることになる。この状態の基板Ｗが、両面ブラシ洗
浄部５０および表面ブラシ洗浄部６０による洗浄処理を
受けることによって、基板Ｗの表面から異物を効率的に
除去することができる。その結果、ブラシ洗浄処理時間
を短縮できるうえ、基板Ｗの洗浄処理品質を向上するこ
とができる。After the rinse step, the supply of pure water from the pure water supply nozzle DN1 and the pure water supply pipe 88 is stopped, and the shield disc 75 is set to the lower position. Then, the nitrogen gas is supplied toward the substrate W from the inert gas supply nozzle 77, and the spin chuck 62 is rotated at a high speed to shake off the moisture on the surface of the substrate W. As described above, in this embodiment, in the storage tank 12 of the submerged loader 31,
The substrate W is immersed in the surfactant solution. by this,
The surfactant liquid is supplied to the hydrophobic surface of the substrate W in a stationary state in which the substrate W is neither rotated nor moved, and is subjected to a favorable hydrophilic treatment. That is, the surface of the substrate W is covered with the hydrophilic layer. By subjecting the substrate W in this state to the cleaning processing by the double-sided brush cleaning unit 50 and the front surface brush cleaning unit 60, foreign matter can be efficiently removed from the surface of the substrate W. As a result, the brush cleaning processing time can be shortened and the cleaning processing quality of the substrate W can be improved.
【００５０】また、この実施形態では、ローダ搬送ロボ
ット４１および第１中間搬送ロボット８１において、基
板Ｗを静止状態に保持し、この基板Ｗ上に界面活性剤液
を液盛りすることができるになっている。したがって、
液中ローダ３１における親水化処理に不足があるときに
は、ローダ搬送ロボット４１および第１中間搬送ロボッ
ト８１における液盛り処理によって、この不足を補うこ
とができる。よって、両面ブラシ洗浄部５０および表面
ブラシ洗浄部６０に供給される基板Ｗは、その表面が確
実に親水性表面となっているから、両面ブラシ洗浄部５
０における洗浄処理および表面ブラシ洗浄部６０におけ
るその後の洗浄処理を良好に行うことができる。Further, in this embodiment, in the loader transfer robot 41 and the first intermediate transfer robot 81, the substrate W can be held stationary and the surface of the substrate W can be filled with the surfactant liquid. ing. Therefore,
When there is a shortage of the hydrophilic treatment in the submerged loader 31, this shortage can be compensated by the liquid piling process in the loader transport robot 41 and the first intermediate transport robot 81. Therefore, the surface of the substrate W supplied to the double-sided brush cleaning unit 50 and the front-side brush cleaning unit 60 is surely a hydrophilic surface.
The cleaning process at 0 and the subsequent cleaning process at the surface brush cleaning unit 60 can be performed well.
【００５１】さらに、この実施形態では、両面ブラシ洗
浄部５０および表面ブラシ洗浄部６０において、洗浄処
理液の開始に先立って、基板Ｗを回転も移動もさせない
静止状態で、その表面に界面活性剤液を液盛りすること
ができるようになっている。したがって、この界面活性
剤の液盛処理による基板Ｗの表面の親水化処理をブラシ
洗浄処理に先立って行えば、基板Ｗに対する洗浄処理を
より効果的に行うことができる。また、両面ブラシ洗浄
部５０および表面ブラシ洗浄部６０では、基板Ｗの洗浄
のための薬液等と共に界面活性剤液を基板Ｗに供給する
ことができるので、これによっても、洗浄効率の向上が
図られることになる。Further, in this embodiment, in the double-sided brush cleaning unit 50 and the front surface brush cleaning unit 60, the surface of the substrate W is kept in a stationary state in which the substrate W is neither rotated nor moved prior to the start of the cleaning treatment liquid. It is possible to puddle the liquid. Therefore, if the hydrophilic treatment of the surface of the substrate W by the liquid deposition treatment of the surfactant is performed before the brush cleaning treatment, the cleaning treatment on the substrate W can be more effectively performed. Further, since the double-sided brush cleaning unit 50 and the front surface brush cleaning unit 60 can supply the surfactant liquid to the substrate W together with the chemical liquid or the like for cleaning the substrate W, this also improves the cleaning efficiency. Will be done.
【００５２】また、表面ブラシ洗浄部６０では、基板Ｗ
の表面にふっ酸を薬液として供給することができるよう
になっており、これによって、基板Ｗの表面の親水性層
を除去して、基板Ｗの表面を元の疎水性表面に戻すこと
ができる。これにより、洗浄処理の前後で基板Ｗの表面
状態が、疎水性から親水性へと変わることなく、かつ、
基板Ｗの表面の洗浄処理を極めて精密に行うことができ
る。以上、この発明の一実施形態について説明したが、
この発明は他の形態で実施することもできる。たとえ
ば、上述の実施形態では、液中ローダ３１、ローダ搬送
ロボット４１、両面ブラシ洗浄部５０、第１中間搬送ロ
ボット８１および表面ブラシ洗浄部６０において基板Ｗ
の表面の親水化処理が可能とされているが、少なくとも
液中ローダ３１、ローダ搬送ロボット４１または両面ブ
ラシ洗浄部５０のいずれかにおいて基板Ｗの表面の親水
化処理が可能であれば、基板Ｗのブラシ洗浄に先だっ
て、その表面を親水化しておくことができる。In the surface brush cleaning section 60, the substrate W
Hydrofluoric acid can be supplied to the surface of the substrate as a chemical solution, whereby the hydrophilic layer on the surface of the substrate W can be removed and the surface of the substrate W can be returned to the original hydrophobic surface. . As a result, the surface state of the substrate W does not change from hydrophobic to hydrophilic before and after the cleaning process, and
The cleaning process of the surface of the substrate W can be performed extremely accurately. The embodiment of the present invention has been described above.
The present invention can be implemented in other forms. For example, in the above-described embodiment, the substrate W is used in the submersible loader 31, the loader transfer robot 41, the double-sided brush cleaning unit 50, the first intermediate transfer robot 81, and the front surface brush cleaning unit 60.
The surface of the substrate W can be hydrophilized. If at least one of the submerged loader 31, the loader transfer robot 41, and the double-sided brush cleaning unit 50 can hydrophilize the surface of the substrate W, the substrate W can be hydrophilized. The surface can be hydrophilized prior to the brush cleaning.
【００５３】さらに、処理対象の基板は、半導体ウエハ
に限らず、他の種類の半導体基板、液晶表示装置用ガラ
ス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、ハードデ
ィスク装置用セラミック基板など、各種の被処理基板に
対して、半導体ウエハの場合と同様にこの発明を適用す
ることができる。その他、特許請求の範囲に記載された
技術的事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能で
ある。Further, the substrate to be processed is not limited to a semiconductor wafer, but may be any other type of substrate such as a semiconductor substrate of another type, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a plasma display, a ceramic substrate for a hard disk device, etc. On the contrary, the present invention can be applied similarly to the case of the semiconductor wafer. In addition, various design changes can be made within the scope of technical matters described in the claims.
【図１】この発明の一実施形態に係る基板洗浄方法を実
施するための基板洗浄装置の内部構成を示す平面図であ
る。FIG. 1 is a plan view showing an internal configuration of a substrate cleaning apparatus for carrying out a substrate cleaning method according to an embodiment of the present invention.
【図２】液中ローダの構成を説明するための斜視図であ
る。FIG. 2 is a perspective view for explaining the configuration of an in-liquid loader.
【図３】両面ブラシ洗浄部の構成を示す図解的な斜視図
である。FIG. 3 is a schematic perspective view showing a configuration of a double-sided brush cleaning unit.
【図４】表面ブラシ洗浄部の概念的な構成を示す図解図
である。FIG. 4 is an illustrative view showing a conceptual configuration of a surface brush cleaning unit.
【図５】水洗・乾燥処理部の概念的な構成を示す図解図
である。FIG. 5 is an illustrative view showing a conceptual configuration of a water washing / drying processing unit.
１１ 昇降ステージ
１２ 貯留槽
１３ 昇降駆動機構
１４ 界面活性剤液シャワーノズル
２０ 基板洗浄装置
３１ 液中ローダ
４１ ローダ搬送ロボット
４１Ｎ 界面活性剤液供給ノズル
５０ 両面ブラシ洗浄部
５０Ｃ 洗浄槽
５１ 保持機構
５１ａ，５１ｂ，５１ｃ；５２ａ，５２ｂ，５２ｃ
保持ローラ
５３ 両面スクラブ洗浄機構
５３Ｌ 下ディスクブラシ
５３Ｕ 上ディスクブラシ
５７Ｕ 処理液供給管
５８Ａ 薬液供給弁
５８Ｂ 純水供給弁
５８Ｃ 界面活性剤液供給弁
６０ 表面ブラシ洗浄部
６０Ｃ 洗浄槽
６１ 保持ピン
６２ スピンチャック
６３ スキャンブラシ
６５ スピンベース
６６ 回転軸
６７ 回転駆動機構
６８ 処理液供給管
６９Ａ 薬液供給弁
６９Ｂ 純水供給弁
６９Ｃ 界面活性剤液供給弁
８１ 第１中間搬送ロボット
８２ 第２中間搬送ロボット
Ｃ カセット
ＣＮ 薬液供給ノズル
ＤＮ 純水供給ノズル
ＤＮ１ 純水供給ノズル
ＤＳＮ 超音波洗浄ノズル
ＬＡ 下アーム
ＵＡ 上アーム
ＳＡＮ 界面活性剤液供給ノズル
Ｗ 基板11 Elevating Stage 12 Storage Tank 13 Elevating Driving Mechanism 14 Surfactant Liquid Shower Nozzle 20 Substrate Cleaning Device 31 Submersible Loader 41 Loader Transfer Robot 41N Surfactant Liquid Supply Nozzle 50 Double-sided Brush Cleaning Section 50C Cleaning Tank 51 Holding Mechanisms 51a, 51b , 51c; 52a, 52b, 52c
Holding roller 53 Double-sided scrub cleaning mechanism 53L Lower disk brush 53U Upper disk brush 57U Processing liquid supply pipe 58A Chemical liquid supply valve 58B Pure water supply valve 58C Surfactant liquid supply valve 60 Surface brush cleaning unit 60C Cleaning tank 61 Holding pin 62 Spin chuck 63 Scan brush 65 Spin base 66 Rotation shaft 67 Rotation drive mechanism 68 Treatment liquid supply pipe 69A Chemical liquid supply valve 69B Pure water supply valve 69C Surfactant liquid supply valve 81 First intermediate transfer robot 82 Second intermediate transfer robot C Cassette CN Chemical liquid Supply nozzle DN Pure water supply nozzle DN1 Pure water supply nozzle DSN Ultrasonic cleaning nozzle LA Lower arm UA Upper arm SAN Surfactant liquid supply nozzle W Substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 9/02 Ｈ０１Ｊ 9/02 Ｆ ５Ｃ０４０ 11/02 11/02 Ｂ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２Ｑ ６４２ ６４２Ａ (72)発明者 和田 卓也 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁 目天神北町１番地の１ 大日本スクリーン 製造株式会社内 Ｆターム(参考） 2H088 FA17 FA21 HA01 MA20 2H090 JB02 JC19 3B116 AA02 AB13 AB34 AB47 BA02 BB02 BB24 CA01 CC03 3B201 AA02 AA03 AB13 AB34 AB47 BA02 BB02 BB24 CA01 CB22 5C027 AA10 5C040 FA10 GA09 JA23 MA30 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H01J 9/02 H01J 9/02 F 5C040 11/02 11/02 B H01L 21/304 622 H01L 21/304 622Q 642 642A (72) Inventor Takuya Wada 1 No. 1 Tenjin Kitacho 4-chome, Horikawa-dori Teranouchi, Kyogyo-ku, Kyoto Prefecture Dai-Nippon Screen Mfg. Co., Ltd. F-term (reference) 2H088 FA17 FA21 HA01 MA20 2H090 JB02 JC19 3B116 AA02 AB13 AB34 AB47 BA02 BB02 BB24 CA01 CC03 3B201 AA02 AA03 AB13 AB34 AB47 BA02 BB02 BB24 CA01 CB22 5C027 AA10 5C040 FA10 GA09 JA23 MA30
Claims (11)
て、この基板を回転させない状態で、親水化処理液を供
給することにより、上記基板の表面を親水化する親水化
工程と、 この親水化工程の後に、上記基板を回転させている状態
で、この基板の表面に洗浄液を供給することにより、こ
の基板を洗浄する洗浄工程とを含むことを特徴とする基
板洗浄方法。1. A hydrophilization step of hydrophilizing the surface of a substrate having a hydrophobic surface by supplying a hydrophilization treatment liquid to the surface of the substrate without rotating the substrate, After the hydrophilization step, a cleaning step of cleaning the substrate by supplying a cleaning liquid to the surface of the substrate while the substrate is being rotated, is included.
液であることを特徴とする請求項１記載の基板洗浄方
法。2. The substrate cleaning method according to claim 1, wherein the hydrophilic treatment liquid is a solution containing a surfactant.
および陰イオン性界面活性剤のうちの少なくとも１つを
含むことを特徴とする請求項２記載の基板洗浄方法。3. The substrate cleaning method according to claim 2, wherein the surface active agent contains at least one of a nonionic surface active agent and an anionic surface active agent.
されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれ
かに記載の基板洗浄方法。4. The substrate cleaning method according to claim 1, wherein a Low-k film is formed on the surface of the substrate.
もさせない静止状態で行われることを特徴とする請求項
１ないし４のいずれかに記載の基板洗浄方法。5. The substrate cleaning method according to claim 1, wherein the hydrophilizing step is performed in a stationary state in which the substrate is neither rotated nor moved.
れた貯留槽内に基板を浸漬させる工程を含むことを特徴
とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板洗浄方
法。6. The substrate cleaning method according to claim 1, wherein the hydrophilization step includes a step of immersing the substrate in a storage tank in which the hydrophilization treatment liquid is stored.
れた基板の表面に親水化処理液を液盛りする工程を含む
ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の
基板洗浄方法。7. The substrate according to claim 1, wherein the hydrophilization step includes a step of piling a hydrophilization treatment liquid on the surface of the substrate held by the substrate holding means. Cleaning method.
ことを特徴とする請求項７記載の基板洗浄方法。8. The substrate cleaning method according to claim 7, wherein the substrate holding means includes a substrate transfer hand.
面に親水化処理液を供給する工程を含むことを特徴とす
る請求項１ないし８のいずれかに記載の基板洗浄方法。9. The cleaning step is performed in a cleaning tank, and the hydrophilicizing step includes a step of supplying a hydrophilic treatment liquid to the surface of the substrate contained in the cleaning tank. The substrate cleaning method according to claim 1.
水化処理液を供給して、基板表面を疎水性表面に戻す疎
水化工程をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし
９のいずれかに記載の基板洗浄方法。10. The method according to claim 1, further comprising, after the washing step, a step of supplying a hydrophobic treatment liquid to the substrate surface to return the substrate surface to a hydrophobic surface. A method for cleaning a substrate according to claim 1.
であることを特徴とする請求項１０記載の基板洗浄方
法。11. The substrate cleaning method according to claim 10, wherein the hydrophobizing treatment solution is a solution containing hydrofluoric acid.
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