JP3377414B2 - Processing equipment - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は，例えばＬＣＤ基板
や半導体ウェハのような基板の表面及び裏面を処理する
処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus for processing the front and back surfaces of substrates such as LCD substrates and semiconductor wafers.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては，
例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という）の基板
の表面及び裏面を清浄な状態にすることが極めて重要で
ある。そのため，ウェハの表面及び裏面に付着したパー
ティクル，有機汚染物，金属不純物等のコンタミネーシ
ョンを除去するために洗浄処理システムが使用されてい
る。ウェハを洗浄する洗浄処理システムの一つして，枚
葉型の処理装置を用いた洗浄処理システムが知られてい
る。2. Description of the Related Art In the manufacturing process of semiconductor devices,
For example, it is extremely important to clean the front and back surfaces of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) substrate. Therefore, a cleaning system is used to remove contaminants such as particles, organic contaminants, and metal impurities attached to the front and back surfaces of the wafer. A cleaning processing system using a single wafer processing apparatus is known as one of cleaning processing systems for cleaning a wafer.
【０００３】この洗浄処理システムには，例えばウェハ
を収納したキャリアを載置する載置部と，載置部に載置
されたキャリアから洗浄前のウェハを取り出し，また，
洗浄後のウェハをキャリアに搬入する取出搬入部と，ウ
ェハの表面と裏面を洗浄処理及び乾燥処理する洗浄処理
部と，これら取出搬入部と洗浄処理部との間でウェハの
搬送を行う搬送部が設けられている。さらに，洗浄処理
部内には，アンモニア，フッ酸，硫酸等の薬液や純水と
いった各種の処理液を用いて洗浄処理する洗浄処理装置
が配置されている。In this cleaning processing system, for example, a mounting portion on which a carrier containing a wafer is mounted, a wafer before cleaning is taken out from the carrier mounted on the mounting portion, and
A loading / unloading section for loading the cleaned wafer into the carrier, a cleaning processing section for cleaning and drying the front and back surfaces of the wafer, and a transfer section for transferring the wafer between the loading / unloading section and the cleaning processing section. Is provided. Further, in the cleaning processing section, a cleaning processing device is disposed which performs cleaning processing using various processing liquids such as chemical liquids such as ammonia, hydrofluoric acid, sulfuric acid and pure water.
【０００４】ここで，図１０は従来の裏面洗浄処理装置
の典型例の断面図であり，図１１はその平面図である。
図１０で示すように，裏面洗浄処理装置１００はスピン
チャク１０１を備えており，このスピンチャック１０１
は，モータ１０２と，モータ１０２の回転駆動によって
回転する回転軸１０３と，回転軸１０３の上部に取り付
けられた載置板１０４と，載置板１０４の周縁部に配置
された保持部１０５とから構成されている。さらに，載
置板１０４の下方には，ウェハＷの裏面に洗浄処理液を
吐出する裏面処理ノズル１０６が回転軸１０３の外側に
配置されている。また，図１１に示すように，載置板１
０４には複数の隙間１１０が形成されており，この隙間
１１０から裏面処理ノズル１０６のノズル本体１０７が
ウェハＷの裏面を覗いているような構成になっている。
そして，ウェハＷは処理容器１０８内で裏面を洗浄処理
される。以上のように構成された従来の裏面洗浄処理装
置１００で行われる洗浄処理では，スピンチャック１０
１に保持され回転しているウェハＷの裏面に，裏面処理
ノズル１０６から洗浄処理液を吐出して洗浄処理を行
う。Here, FIG. 10 is a sectional view of a typical example of a conventional back surface cleaning processing apparatus, and FIG. 11 is a plan view thereof.
As shown in FIG. 10, the back surface cleaning processing device 100 includes a spin chuck 101.
Is composed of the motor 102, the rotating shaft 103 rotated by the rotational driving of the motor 102, the mounting plate 104 attached to the upper part of the rotating shaft 103, and the holding portion 105 arranged on the peripheral portion of the mounting plate 104. It is configured. Further, below the mounting plate 104, a back surface processing nozzle 106 for ejecting a cleaning processing liquid onto the back surface of the wafer W is arranged outside the rotation shaft 103 . In addition, as shown in FIG.
A plurality of gaps 110 are formed in 04, and the nozzle body 107 of the back surface processing nozzle 106 looks into the back surface of the wafer W through the gaps 110.
Then, the back surface of the wafer W is cleaned in the processing container 108. In the cleaning processing performed by the conventional back surface cleaning processing apparatus 100 configured as described above, the spin chuck 10
The cleaning processing liquid is discharged from the back surface processing nozzle 106 onto the back surface of the wafer W held and held at 1 to perform cleaning processing.
【０００５】また，スピンチャックに保持され回転して
いるウェハの表面や裏面に洗浄処理液を供給しつつ，ブ
ラシやスポンジ等の処理部材を回転させながら基板の表
面や裏面に付着したパーティクル等をこすり落として除
去するスクラブ洗浄が知られている。そして，ウェハの
表面をスクラブ洗浄した後に，適当なウェハ反転機構を
用いて，ウェハの表裏を反転させ，ウェハの裏面を上に
した状態でスピンチャックに再び保持させウェハの裏面
をスクラブ洗浄することが行われている。Further, while supplying a cleaning liquid to the front and back surfaces of a wafer held by a spin chuck and rotating, particles such as particles adhering to the front and back surfaces of the substrate are rotated while rotating a processing member such as a brush or sponge. Scrub cleaning is known in which scrubbing and removal are performed. Then, after scrub cleaning the front surface of the wafer, the front and back surfaces of the wafer are reversed by using an appropriate wafer reversing mechanism, and the back surface of the wafer is held again on the spin chuck to scrub clean the back surface of the wafer. Is being done.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで，従来の処理
装置では，ウェハの表面と裏面を別々に洗浄するために
処理時間が長くなると共に，表面洗浄と裏面洗浄の２種
類の処理装置が必要となるので洗浄処理システム自体を
大型化させてしまう。また，図１０に示すように，従来
の裏面洗浄処理装置１００は，裏面処理ノズル１０６か
ら吐出される洗浄処理液にとって，洗浄処理中に回転し
ている載置台１０４が障害物となる。このため，ウェハ
Ｗの裏面の所定の箇所では洗浄処理液の吐出が妨げら
れ，洗浄不良が発生する。また，中途半端に濡れた状態
のウェハの裏面箇所においては気液界面が多数発生す
る。この気液界面は外部雰囲気中のパーティクルを吸い
寄せ，ウェハＷの裏面に付着するパーティクルを増加さ
せてしまう。By the way, in the conventional processing apparatus, since the front surface and the back surface of the wafer are separately cleaned, the processing time becomes long, and two kinds of processing apparatuses for the front surface cleaning and the back surface cleaning are required. Therefore, the cleaning processing system itself becomes large. Further, as shown in FIG. 10, in the conventional back surface cleaning processing apparatus 100 , the mounting table 104 rotating during the cleaning processing is an obstacle for the cleaning processing liquid ejected from the back surface processing nozzle 106. For this reason, at a predetermined position on the back surface of the wafer W, the discharge of the cleaning treatment liquid is hindered and a cleaning failure occurs. In addition, a large number of gas-liquid interfaces are generated at the backside of the wafer that is partially wet. This gas-liquid interface attracts particles in the external atmosphere and increases the particles attached to the back surface of the wafer W.
【０００７】また，スクラブ洗浄を適応させた処理装置
では，ウェハ反転機構を介して，ウェハの表面と裏面を
別々に洗浄するため処理時間が長くなると共に，処理装
置毎にウェハ反転機構を設ける必要があるため，浄処理
システム自体を大型化させてしまう。Further, in the processing apparatus adapted for scrub cleaning, the front surface and the back surface of the wafer are separately cleaned through the wafer reversing mechanism, so that the processing time becomes long and it is necessary to provide the wafer reversing mechanism for each processing apparatus. Therefore, the purification system itself becomes large.
【０００８】本発明の目的は，基板の表面及び裏面を同
時に処理でき，特に基板の裏面をむらなく処理できる処
理装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a processing apparatus capable of simultaneously processing the front surface and the back surface of a substrate, and in particular, processing the back surface of the substrate evenly.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明にあっては，基板
を回転自在に保持する回転保持手段と，前記回転保持手
段に保持された基板の表面を処理する表面処理手段と，
前記回転保持手段に保持された基板の裏面を処理する裏
面処理手段を備えた処理装置において，前記回転保持手
段の回転軸を中空に形成し，この中空に形成された回転
軸の内部に，基板の裏面に向かって高圧な処理液を吐出
するジェットノズルと，このジェットノズルを少なくと
も基板の裏面中央から任意の周縁部の間で移動させる水
平関節型ロボットとを配置し，前記ジェットノズルを移
動させる水平関節型ロボットは，第１のアームと第２の
アームを備え，前記第１のアームの基端部にはモータの
動力によって正逆回転する回転軸が接続され，前記第２
のアームの先端部には前記ジェットノズルが設けられて
いることを特徴とする。 また，本発明にあっては，基板
を回転自在に保持する回転保持手段と，前記回転保持手
段に保持された基板の表面を処理する表面処理手段と，
前記回転保持手段に保持された基板の裏面を処理する裏
面処理手段を備えた処理装置において，前記回転保持手
段の回転軸を中空に形成し，この中空に形成された回転
軸の内部に，励振器が内蔵されたメガソニックノズル
と，このメガソニックノズルを少なくとも基板の裏面中
央から任意の周縁部の間で移動させる水平関節型ロボッ
トとを配置し，前記メガソニックノズルを移動させる水
平関節型ロボットは，第１のアームと第２のアームを備
え，前記第１のアームの基端部にはモータの動力によっ
て正逆回転する回転軸が接続され，前記第２のアームの
先端部には前記メガソニックノズルが設けられているこ
とを特徴とする。 更に，前記中空に形成された回転軸の
内部に，基板の裏面に接触する処理体と，この処理体を
少なくとも基板の裏面中央から任意の周縁部の間で移動
させる水平関節型ロボットとを配置し，前記処理体を移
動させる水平関節型ロボットは，第１のアームと第２の
アームを備え，前記第１のアームの基端部には回転昇降
機構の動力によって正逆回転する回転軸が接続され，前
記第２のアームの先端部には前記処理体が設けられてい
ても良い。 この場合，前記処理体は上下動自在であり，
上昇して前記基板の裏面に接触し た状態と，前記基板の
裏面の下方に下がった状態とに切り換えられるように構
成されている。 According to the present invention, a rotation holding means for rotatably holding a substrate, a surface treatment means for treating the surface of the substrate held by the rotation holding means,
In a processing apparatus including a back surface processing means for processing the back surface of a substrate held by the rotation holding means, a rotation shaft of the rotation holding means is formed hollow, and the substrate is provided inside the hollow rotation shaft. Discharge high-pressure processing liquid toward the back of the
With a jet nozzle that does
Water to be moved between the center of the back surface of the substrate and any peripheral edge
Place the joint robot and move the jet nozzle.
The horizontal articulated robot that moves is composed of a first arm and a second arm.
An arm is provided, and the base end of the first arm has a motor
A rotary shaft that rotates forward and reverse by power is connected, and the second
The jet nozzle is provided at the tip of the arm of
It is characterized by being In the present invention, the substrate
Holding means for rotatably holding the
Surface treatment means for treating the surface of the substrate held on the step,
A back side for processing the back side of the substrate held by the rotation holding means.
In a processing device including a surface processing means, the rotation holding hand
The rotation shaft of the step is formed in the hollow, and the rotation formed in this hollow
Megasonic nozzle with a built-in exciter inside the shaft
And this megasonic nozzle at least on the back side of the substrate
A horizontal articulated robot that moves between the center and any peripheral edge.
And water to move the megasonic nozzle.
The flat joint type robot has a first arm and a second arm.
By the power of the motor, the base end of the first arm is
Of the second arm is connected to a rotating shaft that rotates forward and backward.
The megasonic nozzle is installed at the tip.
And are characterized. In addition, the rotary shaft formed in the hollow
Inside, the processing body that contacts the back surface of the substrate and this processing body
Move at least from the center of the backside of the board to any peripheral edge
And a horizontal joint robot to move the processing body.
The horizontal articulated robot that moves is composed of a first arm and a second arm.
An arm is provided, and the base end of the first arm is rotated up and down.
The rotating shaft that rotates forward and backward by the power of the mechanism is connected.
The processing body is provided at the tip of the second arm.
May be. In this case, the processing body is vertically movable,
Ascending and contacting the back surface of the substrate,
It is designed so that it can be switched to the state in which it is lowered below the back surface.
Is made.
【００１０】本発明によれば，中空に形成された回転軸
の内部にジェットノズルやメガソニックノズル，処理体
を配置しているので，それらによる処理を回転保持手段
が邪魔することはない。従って，基板の裏面に対して有
効な処理を行える。障害物が存在しないため，ジェット
ノズルやメガソニックノズルは常に処理液を基板の裏面
に吐出することができる。基板の裏面は処理液の液膜に
覆われ，基板の裏面にパーティクルを付着させる気液界
面を発生させることがない。 また，基板を回転させなが
ら，基板の裏面中央から任意の周縁部まで処理液を吐出
し，基板の裏面全体に処理液を供給することができる。
また，処理体と基板の裏面との間に障害物となるものが
ないので，基板を回転させながら処理体を基板の裏面に
接触させて洗浄処理することができる。 また，基板を回
転させながら，処理体を基板の裏面中央から任意の周縁
部まで往復移動させる。これより，処理体を基板の裏面
全体に漏れなく接触させることができる。 According to the present invention , since the jet nozzle, the megasonic nozzle, and the processing body are arranged inside the hollow rotating shaft, the rotation holding means does not interfere with the processing by them. There is no. Therefore, effective processing can be performed on the back surface of the substrate. Jet because there are no obstacles
Nozzles and megasonic nozzles always process liquid on the back side of the substrate.
Can be discharged. The back surface of the substrate is a liquid film of the processing liquid
A liquid-gas field that is covered and attaches particles to the backside of the substrate
No surface is generated. Also, while rotating the substrate
The processing liquid from the center of the back surface of the substrate to the peripheral edge of your choice.
However, the processing liquid can be supplied to the entire back surface of the substrate.
Also, if there is an obstacle between the processing object and the back surface of the substrate,
Since there is no such
It can be contacted and washed. Also, turn the substrate
While rotating the processing body from the center of the back surface of the substrate
Move back and forth to the department. From this, the processing body is placed on the back side of the substrate.
The whole can be contacted without leakage.
【００１１】[0011]
【００１２】[0012]
【００１３】[0013]
【００１４】[0014]
【００１５】[0015]
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て説明する。本発明の実施の形態はキャリア単位でのウ
ェハの搬入，洗浄，乾燥，キャリア単位での搬出までを
一貫して行うように構成された洗浄処理システムとして
構成されたものである。図１は，本発明の好ましい実施
の形態を説明するための洗浄処理システム１の平面図で
あり，図２はその斜視図である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below. The embodiment of the present invention is configured as a cleaning processing system that is configured to consistently carry in loading, cleaning, and drying of wafers in carrier units, and unloading in carrier units. FIG. 1 is a plan view of a cleaning processing system 1 for explaining a preferred embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view thereof.
【００１７】この洗浄処理システム１は，ウェハＷを収
納したキャリアＣを載置させる載置部２と，載置部２に
載置されたキャリアＣに対してウェハＷを取り出し又は
搬入する取出搬入アーム３が設けられた取出搬入部５
と，ウェハＷに対して所定の洗浄処理及び乾燥処理を行
う洗浄処理部６と，取出搬入部５と洗浄処理部６との間
でウェハＷを搬送する搬送アーム８が設けられた搬送部
１０とを備えている。This cleaning processing system 1 includes a mounting section 2 on which a carrier C containing a wafer W is mounted, and a loading / unloading for loading or unloading the wafer W to / from the carrier C mounted on the mounting section 2. Unloading / carrying-in section 5 provided with arm 3
A cleaning unit 6 for performing a predetermined cleaning process and a drying process on the wafer W, and a transfer unit 10 provided with a transfer arm 8 for transferring the wafer W between the loading / unloading unit 5 and the cleaning process unit 6. It has and.
【００１８】載置部２は，ウェハを２５枚収納したキャ
リアＣを３個分載置できる構成になっている。そして，
洗浄前のウェアＷをキャリアＣ単位で洗浄処理システム
１の載置部２に搬入し，また，洗浄後のウェハＷをキャ
リアＣ単位で洗浄処理システム１の載置部２から搬出す
るように構成されている。The mounting portion 2 is constructed so that three carriers C containing 25 wafers can be mounted. And
The wafer W before cleaning is carried into the mounting unit 2 of the cleaning processing system 1 in carrier C units, and the wafer W after cleaning is carried out from the mounting unit 2 of the cleaning processing system 1 in carrier C units. Has been done.
【００１９】取出搬入部５に設けられた取出搬入アーム
３は，水平（Ｘ，Ｙ）方向に移動すると共に，昇降自在
であり，かつ鉛直軸を中心に回転できるように構成され
ている。また，取出搬入部５の両側の空間には，一方側
に搬入・バッファ機構１１が設けられており，他方側に
搬出・バッファ機構１２がそれぞれ設けられている。ま
た，取出搬入アーム３には，２本のアーム３ａ，３ｂが
上下２段に取り付けられている。そして，取出搬入アー
ム３は，下段に取り付けられたアーム３ａで洗浄前のウ
ェハＷを一枚づつキャリアＣから取り出し搬入・バッフ
ァ機構１１に載置し，一方，上段に取り付けられたアー
ム３ｂで搬送部１０から搬出・バッファ機構１２へ載置
された洗浄後のウェハＷを搬出・バッファ機構１２から
取り出しキャリアＣに一枚ずつ搬入する操作を行う。The take-in / carry-out arm 3 provided in the take-in / carry-out section 5 is constructed so as to move in the horizontal (X, Y) directions, be movable up and down, and rotate about a vertical axis. Further, in the spaces on both sides of the loading / unloading section 5, a loading / buffering mechanism 11 is provided on one side and a loading / unloading mechanism 12 is provided on the other side. Further, the take-in / carry-out arm 3 is provided with two arms 3a and 3b which are vertically arranged in two stages. In the loading / unloading arm 3, the uncleaned wafers W are loaded one by one from the carrier C by the arm 3a attached in the lower stage and placed on the loading / unloading / buffer mechanism 11, while being transferred by the arm 3b attached in the upper stage. An operation of carrying out the cleaned wafers W placed on the carry-out / buffer mechanism 12 from the unit 10 from the carry-out / buffer mechanism 12 to the carrier C one by one is performed.
【００２０】洗浄処理部６には，ウェハＷの洗浄処理及
び乾燥処理を行う処理装置１３，１４，１５が配置され
ている。処理装置１３の下方には処理装置１３と同様な
処理工程を行うように構成された処理装置１６が配置さ
れ，同様に処理装置１４の下方には処理装置１４と同様
な処理工程を行うように構成された処理装置１７が配置
され，同様に処理装置１５の下方には処理装置１５と同
様な処理工程を行うように構成された処理装置１８が配
置されている。そして，処理装置１３〜１５及び処理装
置１６〜１８において同時に処理が進行できる構成にな
っている。なお，これら処理装置１３〜１８の背面に
は，ウェハＷを洗浄処理する際に使用される薬液が貯留
されている薬液供給装置１９が配置されている。In the cleaning processing section 6, processing devices 13, 14 and 15 for cleaning and drying the wafer W are arranged. Below the processing device 13, a processing device 16 configured to perform the same processing process as the processing device 13 is arranged, and similarly below the processing device 14, the same processing process as the processing device 14 is performed. A processing device 17 configured is disposed, and similarly, a processing device 18 configured to perform the same processing steps as the processing device 15 is disposed below the processing device 15. Then, the processing devices 13 to 15 and the processing devices 16 to 18 are configured so that the processing can proceed at the same time. A chemical liquid supply device 19 in which a chemical liquid used when cleaning the wafer W is stored is arranged on the back surface of the processing devices 13 to 18.
【００２１】搬送部１０に設けられた搬送アーム８は，
水平（Ｘ，Ｙ）方向に移動すると共に，昇降自在であ
り，かつ鉛直軸を中心に回転できるように構成されてい
る。また，搬送アーム８には，３本のアーム８ａ，８
ｂ，８ｃが上中下の３段に取り付けられている。そし
て，搬送アーム８は，下段に取り付けられたアーム８ａ
及び中段に取り付けられたアーム８ｂで搬入・バッファ
機構１１から処理装置１３，１６に搬送すると共に処理
装置１３，１６から処理装置１４，１７，１５，１８に
順次ウェハＷを搬送する操作を行い，一方，上段に取り
付けられたアーム８ｃで洗浄後のウェハＷを洗浄処理部
４から搬出し搬出・バッファ機構１２に載置する操作を
行う。The transfer arm 8 provided in the transfer section 10 is
It is configured to move in the horizontal (X, Y) directions, to be able to move up and down, and to rotate about a vertical axis. Further, the transfer arm 8 includes three arms 8a and 8a.
b and 8c are attached to the upper, middle and lower three stages. The transfer arm 8 is the arm 8a attached to the lower stage.
And, the operation of transporting the wafer W from the loading / buffering mechanism 11 to the processing devices 13, 16 by the arm 8b attached to the middle stage, and sequentially transporting the wafer W from the processing devices 13, 16 to the processing devices 14, 17, 15 , 18. On the other hand, the arm 8c attached to the upper stage carries out the operation of carrying out the cleaned wafer W from the cleaning processing section 4 and placing it on the carrying-out / buffering mechanism 12.
【００２２】以上のように構成された洗浄処理システム
１において，載置部２に載置されたカセットＣ内のウェ
ハＷは，取出搬入アーム３によって取り出され搬入・バ
ッファ機構１１に載置される。搬入・バッファ機構１１
に載置されたウェハＷは搬送アーム８に受け渡され，処
理装置１３〜１８に適宜搬送される。即ち，まずウェハ
Ｗは，例えば処理装置１３において，薬液成分を主体に
した処理液によって洗浄処理され，その後に純水による
リンス処理，スピンによる乾燥処理の順で処理される。
処理装置１３で処理されたウェハＷは続いて，処理装置
１４において，処理装置１４とは異なる薬液成分を主体
とした処理液によって同様に洗浄処理され，その後に純
水によるリンス処理，スピンによる乾燥処理の順で処理
される。そして，最後に処理装置１５において，純水に
よるリンス処理で最終洗浄され，スピンによる乾燥処理
される。なお，処理装置１６〜１８においても同様な洗
浄工程が行われる。In the cleaning processing system 1 configured as described above, the wafer W in the cassette C placed on the placing section 2 is taken out by the take-in / take-out arm 3 and placed on the carry-in / buffer mechanism 11. . Carry-in / buffer mechanism 11
The wafer W placed on the wafer W is transferred to the transfer arm 8 and appropriately transferred to the processing devices 13-18. That is, first, the wafer W is subjected to a cleaning treatment with a treatment liquid mainly containing a chemical liquid component in the treatment device 13, for example, followed by a rinse treatment with pure water and a drying treatment with a spin.
The wafer W processed by the processing device 13 is then similarly cleaned in the processing device 14 with a processing liquid mainly composed of a chemical liquid component different from that in the processing device 14, and then rinsed with pure water and dried by spin. It is processed in the order of processing. Then, finally, in the processing device 15, final rinsing is performed by rinsing with pure water, and drying is performed by spin. A similar cleaning process is performed in the processing devices 16-18.
【００２３】なお各処理装置１３〜１８の配列，各処理
装置の組合わせは，ウェハＷに対する洗浄の種類によっ
て任意に組み合わせることができる。例えば，ある処理
装置を減じたり，逆にさらに他の処理装置を付加しても
よい。The arrangement of the processing devices 13 to 18 and the combination of the processing devices can be arbitrarily combined depending on the type of cleaning of the wafer W. For example, one processing device may be omitted, or conversely, another processing device may be added.
【００２４】次に，処理装置１３〜１８の構成について
説明する。なお，本発明の実施の形態にかかる洗浄処理
システム１の処理装置１３〜１８は何れも同様の構成を
備えているので，処理装置１３を代表として説明する。Next, the configuration of the processing devices 13-18 will be described. Since all the processing devices 13 to 18 of the cleaning processing system 1 according to the embodiment of the present invention have the same configuration, the processing device 13 will be described as a representative.
【００２５】図３は処理装置１３の要部を示す断面図，
図４はその平面図である。この処理装置１３のケーシン
グ１３ａ内には，基板であるウェハＷを回転自在に保持
する回転保持手段としてのスピンチャック２０と，この
スピンチャック２０及びウェハＷを包囲する処理容器２
１と，ウェハＷの表面に処理液や乾燥ガスを供給する移
動自在な表面処理ノズル２４とウェハＷの表面をスクラ
ブ洗浄処理する移動自在な表面スクラブ洗浄機２５とを
備えている。FIG. 3 is a sectional view showing the main part of the processing device 13,
FIG. 4 is a plan view thereof. In the casing 13 a of the processing apparatus 13, a spin chuck 20 as a rotation holding means for rotatably holding a wafer W that is a substrate, and a processing container 2 that surrounds the spin chuck 20 and the wafer W.
1, a movable surface treatment nozzle 24 for supplying a treatment liquid or a dry gas to the surface of the wafer W, and a movable surface scrubbing machine 25 for scrubbing the surface of the wafer W.
【００２６】スピンチャック２０は，モータ２６により
回転させられる回転軸２７の上部に装着された載置台２
８と，この載置板２８上に配置されたメカニカルチャッ
クなどから成る保持部２９とから構成されている。ここ
で，下方をモータ２６内部に組み込ませている回転軸２
７は，モータ２６の出力軸として機能する。The spin chuck 20 includes a mounting table 2 mounted on an upper portion of a rotating shaft 27 rotated by a motor 26.
8 and a holding portion 29 which is disposed on the mounting plate 28 and includes a mechanical chuck or the like. Here, the rotary shaft 2 whose lower part is incorporated inside the motor 26
7 functions as an output shaft of the motor 26.
【００２７】スピンチャック２０の回転軸２７は両端が
開口した中空の円筒形状をなし，この中空に形成された
回転軸２７の内部に，裏面処理ノズル３０，裏面スクラ
ブ洗浄機３１を配置している。この裏面処理ノズル３
０，裏面スクラブ洗浄機３１はいずれも回転軸２７を通
じてウェハＷの裏面下方に位置している。ここで，回転
軸２７は，下方をモータ２６内部に組み込まれモータ２
６の出力軸として構成されている。なお，モータ２６の
代わりに，プーリやベルト等から構成される回転伝達機
構を回転軸２７に取り付けて回転軸２７を回転自在にす
るようにして良い。The rotary shaft 27 of the spin chuck 20 has a hollow cylindrical shape with both ends open, and the back surface processing nozzle 30 and the back surface scrub cleaning machine 31 are arranged inside the hollow rotary shaft 27. . This back surface processing nozzle 3
0, the backside scrubbing machine 31 is located below the backside of the wafer W through the rotary shaft 27. Here, the rotary shaft 27 has a lower part incorporated in the motor 26,
6 output shafts. Instead of the motor 26, a rotation transmission mechanism composed of a pulley, a belt and the like may be attached to the rotary shaft 27 so that the rotary shaft 27 can rotate.
【００２８】ここで，図５に示すように，裏面処理ノズ
ル３０は，第１のアーム３２，第２のアーム３３から成
る水平方向に移動できる水平関節型ロボットを備え，第
２のアーム３３の先端部にはジェットノズル３４が上向
きに装着されている。第１のアーム３２の基端部には，
モータ３５の動力によって正逆回転する回転軸３６が接
続されており，モータ３５の回転駆動の切換によって，
ジェットノズル３４が，図４に示すように，少なくとも
ウェハＷの裏面中央から任意の周縁部の間をθ方向で往
復回動できるようになっている。Here, as shown in FIG. 5, the back surface processing nozzle 30 is equipped with a horizontal joint type robot composed of a first arm 32 and a second arm 33, which is movable in the horizontal direction. The jet nozzle 34 is mounted upward at the tip. At the base end of the first arm 32,
A rotary shaft 36 that rotates forward and reverse by the power of the motor 35 is connected, and by switching the rotational drive of the motor 35,
As shown in FIG. 4, the jet nozzle 34 can reciprocate in the θ direction at least between the center of the back surface of the wafer W and an arbitrary peripheral portion.
【００２９】このジェットノズル３４には，図６に示す
ように，ポンプ４０，開閉弁４１を備えた薬液供給回路
４２と，ポンプ４３，開閉弁４４を備えた純水供給回路
４５が接続されており，これら供給回路４２，４５から
供給されることにより，ジェットノズル３４は，スピン
チャック２０によって保持・回転しているウェハＷの裏
面に向かって高圧な薬液や純水等の処理液を吐出するこ
とができるようになっている。As shown in FIG. 6, a chemical liquid supply circuit 42 having a pump 40 and an opening / closing valve 41 and a pure water supply circuit 45 having a pump 43 and an opening / closing valve 44 are connected to the jet nozzle 34. By being supplied from these supply circuits 42 and 45, the jet nozzle 34 ejects a high-pressure processing solution such as a chemical solution or pure water toward the back surface of the wafer W held and rotated by the spin chuck 20. Is able to.
【００３０】一方，裏面スクラブ洗浄機３１も裏面処理
ノズル３０と同様に，第１のアーム５０，第２のアーム
５１から成る水平方向に移動できる水平関節型ロボット
を備え，第２のアーム５１の先端部には処理体５２が装
着されている。第１のアーム５０の基端部には，回転昇
降機構５３の動力によって正逆回転する回転軸５４が接
続されており，回転昇降機構５３の回転駆動の切換によ
って，処理体５２が，図４に示すように，少なくともウ
ェハＷの裏面中央から任意の周縁部の間をθ’方向で往
復回動できるようになっている。On the other hand, like the back surface processing nozzle 30, the back surface scrubbing machine 31 is also provided with a horizontal joint type robot composed of a first arm 50 and a second arm 51, which can move in the horizontal direction. A processing body 52 is attached to the tip portion. A rotary shaft 54 that rotates forward and reverse by the power of the rotary lifting mechanism 53 is connected to the base end of the first arm 50. By switching the rotary drive of the rotary lifting mechanism 53, the processing body 52 is moved to the position shown in FIG. As shown in FIG. 5, at least the center of the back surface of the wafer W can be reciprocally rotated in the θ ′ direction between an arbitrary peripheral portion.
【００３１】さらに，回転昇降機構５３の昇降駆動によ
って処理体５２は上下移動し，スピンチャック２０に保
持されたウェハＷの裏面に接触した状態と，ウェハＷの
裏面の下方に下がった状態とに切り換えるように構成さ
れている。図示の例では，回転昇降機構５３の稼働によ
って，裏面スクラブ洗浄機３１が最も上昇し処理体５２
をウェハＷの裏面に接触させた状態を示している。Further, the processing body 52 is moved up and down by the up-and-down drive of the rotation up-and-down mechanism 53, and is brought into contact with the back surface of the wafer W held on the spin chuck 20 and lowered below the back surface of the wafer W. It is configured to switch. In the illustrated example, the operation of the rotary lifting mechanism 53 causes the backside scrubbing washing machine 31 to move up the
Is in contact with the back surface of the wafer W.
【００３２】この処理体５２は，ブラシやスポンジなど
から成る処理部材５５を備えており，処理部材５５は第
２のアーム５１内に内蔵されたモータ（図示せず）によ
って回転する回転軸５６の上部に取り付けられている。
また，処理部材５５の中央には，処理液として例えば純
水を吐出する吐出口５７が開口している。そして，処理
体５２をウェハＷの裏面に接触させる際には，吐出口５
７から純水を吐出しながら，回転している処理部材５５
をウェハＷの裏面に接触させるようになっている。The processing body 52 is provided with a processing member 55 composed of a brush, a sponge or the like, and the processing member 55 has a rotating shaft 56 which is rotated by a motor (not shown) incorporated in the second arm 51. It is attached to the top.
Further, in the center of the processing member 55, a discharge port 57 for discharging pure water as a processing liquid is opened. When the processing body 52 is brought into contact with the back surface of the wafer W, the ejection port 5
Processing member 55 rotating while discharging pure water from 7.
Are brought into contact with the back surface of the wafer W.
【００３３】なお，処理容器２１及び回転軸２７の中空
内部の雰囲気は，いずれも外部に設置されている真空ポ
ンプなどの排気手段（図示せず）によって排気される。
また，ウェハＷの表面の洗浄処理に使用された処理液
は，処理容器２１の底部に設けられた排液管６０などを
通じてから排液され，ウェハＷの裏面の洗浄処理に使用
された処理液は，処理容器２１の排液管６０などを通じ
て排液されるようになっている。The atmosphere inside the hollows of the processing container 21 and the rotary shaft 27 is exhausted by an exhaust means (not shown) such as a vacuum pump installed outside.
Further, the processing liquid used for cleaning the front surface of the wafer W is drained through a drain pipe 60 provided at the bottom of the processing container 21, and the processing liquid used for cleaning the back surface of the wafer W. Is drained through the drainage pipe 60 of the processing container 21 or the like.
【００３４】なお，ジェットノズル３４を設ける代わり
に，図７に示すように，裏面処理ノズル３０の第２のア
ーム３３の先端部に処理液を超音波によって励振するた
めの励振器６５が内蔵されたメガソニックノズル６６を
設けても良い。これらジェットノズル３４，メガソニッ
クノズル６６は，洗浄処理の種類に対応して変更するこ
とができる。Instead of providing the jet nozzle 34, as shown in FIG. 7, an exciter 65 for exciting the processing liquid by ultrasonic waves is built in at the tip of the second arm 33 of the back surface processing nozzle 30. A megasonic nozzle 66 may be provided. The jet nozzle 34 and the megasonic nozzle 66 can be changed according to the type of cleaning process.
【００３５】次に，以上のように構成された洗浄処理シ
ステム１において行われるウェハＷの処理を説明する。
まず，図示しない搬送ロボットが未だ洗浄されていない
ウェハＷを例えば２５枚ずつ収納したキャリアＣを載置
部２に載置する。そして，この載置部２に載置されたキ
ャリアＣからウェハＷが取り出され，取出アーム３から
搬入・バッファ機構１１を介して搬送アーム７に受け渡
され，ウェハＷは処理装置１３，１４，１５に順次搬送
される。こうして，ウェハＷの表面及び裏面に付着して
いる有機汚染物，パーティクル等の不純物質を除去する
ための洗浄を行う。Next, the processing of the wafer W performed in the cleaning processing system 1 configured as described above will be described.
First, a carrier robot (not shown) mounts a carrier C containing, for example, 25 uncleaned wafers W on the mounting unit 2. Then, the wafer W is taken out from the carrier C placed on the placing section 2 and transferred from the take-out arm 3 to the transfer arm 7 via the carry-in / buffer mechanism 11 so that the wafer W can be processed. It is sequentially transported to 15. In this way, cleaning is performed to remove impurities such as organic contaminants and particles adhering to the front and back surfaces of the wafer W.
【００３６】ここで，処理装置１３での洗浄処理を説明
する。先に図２で説明したようにスピンチャック２０の
載置台２８にウェハＷが載置され保持される。即ち，保
持部２９はウェハＷの周縁部を押さえウェハＷを保持す
る。そして，モータ２６の回転駆動によって回転軸２７
は回転し，保持部２９に保持されたウェハＷが回転す
る。Here, the cleaning process in the processing unit 13 will be described. As described above with reference to FIG. 2, the wafer W is mounted and held on the mounting table 28 of the spin chuck 20. That is, the holding unit 29 holds the wafer W by pressing the peripheral portion of the wafer W. The rotary shaft 27 is driven by the rotation of the motor 26.
Rotates, and the wafer W held by the holder 29 rotates.
【００３７】次に，先に図３で説明したように，ジェッ
トノズル３４は回転していウェハＷの裏面に高圧な処理
液を吐出する。そして，先に図４，５で説明したよう
に，モータ３５の回転駆動によって，ジェットノズル３
４を少なくともウェハＷの裏面中央から任意の周縁部ま
で往復移動させる。これにより，ウェハＷの裏面の表面
全体に高圧な処理液を供給する。Next, as described above with reference to FIG. 3, the jet nozzle 34 is rotating and ejects the high-pressure processing liquid onto the back surface of the wafer W. Then, as described above with reference to FIGS. 4 and 5, the jet nozzle 3 is driven by the rotational driving of the motor 35.
4 is reciprocated at least from the center of the back surface of the wafer W to an arbitrary peripheral portion. As a result, the high-pressure processing liquid is supplied to the entire back surface of the wafer W.
【００３８】ここで，裏面処理ノズル３０は回転軸２７
の中空に配置されているため，ウェハＷの裏面とジェッ
トノズル３４の間には，障害物が存在しない。このた
め，ジェットノズル３４は常に処理液をウェハＷの裏面
に供給でき，ウェハＷの裏面は処理液の液膜に覆われ
る。こうして，裏面処理ノズル３０は有効なパーティク
ル除去を行うことができる。Here, the back surface processing nozzle 30 has a rotating shaft 27.
Since it is arranged in the hollow, there is no obstacle between the back surface of the wafer W and the jet nozzle 34. Therefore, the jet nozzle 34 can always supply the processing liquid to the back surface of the wafer W, and the back surface of the wafer W is covered with the liquid film of the processing liquid. Thus, the back surface processing nozzle 30 can effectively remove particles.
【００３９】一方，先に図３で説明したように，回転昇
降機構５３の昇降稼働によって，裏面スクラブ洗浄機３
１が上昇し，処理体５２をウェハＷの裏面に接触させ
る。処理体５２は，純水を吐出しながら処理部材５５を
回転させ，ウェハＷの裏面に付着したパーティクルをこ
すり落とす。さらに，回転しているウェハＷの裏面に処
理体５２を接触させた状態で，先に図４，５で説明した
ように，回転昇降機構５３の回転駆動によって，処理体
５２を少なくともウェハＷの裏面中央から任意の周縁部
まで往復移動させる。そして，裏面スクラブ洗浄機３１
の処理体５２は，ウェハＷの裏面全体に漏れなく接触し
洗浄処理する。On the other hand, as described above with reference to FIG. 3, the back and forth scrub cleaning machine 3 is operated by the lifting operation of the rotary lifting mechanism 53.
1 rises to bring the processing body 52 into contact with the back surface of the wafer W. The processing body 52 rotates the processing member 55 while ejecting pure water to scrape off particles adhering to the back surface of the wafer W. Further, with the processing body 52 in contact with the back surface of the rotating wafer W, as described above with reference to FIGS. Reciprocate from the center of the back surface to an arbitrary peripheral portion. And the backside scrubbing machine 31
The processing body 52 of (1) contacts the entire back surface of the wafer W without leakage and performs cleaning processing.
【００４０】ここで，裏面スクラブ洗浄機３１は回転軸
２７の中空に配置されているため，処理体５２の軌道に
対して干渉するものが存在しない。このため処理体５２
は，回転軸２７内を円滑に移動し，裏面スクラブ洗浄機
３１は，ウェハＷの裏面全体をむらなく洗浄処理する。
なお，ウェハＷの表面においても，表面供給ノズル２４
と表面スクラブ洗浄機２５によって洗浄処理が行われ
る。Here, since the backside scrubbing machine 31 is disposed in the hollow of the rotary shaft 27, there is nothing that interferes with the trajectory of the processing body 52. Therefore, the processing body 52
Moves smoothly in the rotating shaft 27, and the back surface scrubbing machine 31 cleans the entire back surface of the wafer W evenly.
Even on the surface of the wafer W, the surface supply nozzle 24
A cleaning process is performed by the surface scrubbing machine 25.
【００４１】所定時間が経過し，洗浄処理が終了する
と，裏面処理ノズル３０からの処理液の供給が停止す
る。一方，裏面スクラブ洗浄機３１は，回転昇降機構５
３の下降稼働によって下がり，処理体５２はウェハＷの
裏面から離れる。その後，スピンチャック２０を更に高
速回転させて，ウェハＷの裏面から処理液を振り切って
乾燥処理を行う。この際に，ウェハＷの表面の乾燥処理
も行われる。When a predetermined time has elapsed and the cleaning process is completed, the supply of the processing liquid from the back surface processing nozzle 30 is stopped. On the other hand, the backside scrubbing machine 31 includes a rotary lifting mechanism 5
By the descending operation of 3, the processing body 52 is separated from the back surface of the wafer W. After that, the spin chuck 20 is further rotated at a higher speed to shake off the processing liquid from the back surface of the wafer W to perform a drying process. At this time, the surface of the wafer W is also dried.
【００４２】その後，処理工程が終了したウェハＷは処
理装置１３から搬出され，処理装置１４に搬送され，以
下同様に，処理装置１４，１５において，ウェハＷの表
面及び裏面に対して，洗浄処理及び乾燥処理が行われ
る。こうして，洗浄処理部６での処理工程が終了したウ
ェハＷは再びキャリアＣに収納され，続いて，残りの２
４枚のウェハＷに対しても一枚づつ同様な処理が行われ
ていく。こうして，２５枚のウェハＷの処理が終了する
と，キャリアＣ単位で洗浄処理システム１外に搬出され
る。After that, the wafer W for which the processing steps have been completed is unloaded from the processing apparatus 13 and transferred to the processing apparatus 14, and in the same manner, in the processing apparatuses 14 and 15, the front surface and the back surface of the wafer W are cleaned. And a drying process is performed. In this way, the wafer W for which the processing steps in the cleaning processing section 6 have been completed is stored in the carrier C again, and then the remaining 2
The same process is performed on the four wafers W one by one. In this way, when the processing of the 25 wafers W is completed, it is carried out of the cleaning processing system 1 in carrier C units.
【００４３】かくして，本発明の実施の形態の処理装置
１３によれば，スピンチャック２０の回転軸２７を中空
に形成し，この中に裏面処理ノズル３０を配置させるこ
とにより，裏面処理ノズル３０による処理液の吐出を邪
魔するものがなくなる。従って，ウェハＷの裏面に気液
界面が発生するのを防止し，むらなく洗浄処理すること
ができる。その結果，裏面処理ノズル３０による有効な
洗浄処理が可能となる。また，裏面スクラブ洗浄機３１
も回転軸２７を中空に配置しているため，裏面スクラブ
洗浄機３１による洗浄動作を邪魔するものがなく，ウェ
ハＷの裏面をむらなく洗浄処理することができる。その
結果，裏面スクラブ洗浄機３１による有効な洗浄処理が
可能となる。また，ウェハＷの表面を洗浄処理する表面
処理ノズル２４と表面スクラブ機２５を設けるので，一
つの処理装置１３でウェハＷの表面と裏面を同時に処理
液で洗浄処理できる。従って，処理時間を短縮すると共
に，ウェハＷ反転機構等を設ける必要がなく，システム
自体の小型化が実現可能となる。Thus, according to the processing apparatus 13 of the embodiment of the present invention, the rotation shaft 27 of the spin chuck 20 is formed in a hollow shape, and the back surface processing nozzle 30 is arranged in the hollow shaft 27. Nothing obstructs the discharge of the processing liquid. Therefore, it is possible to prevent the gas-liquid interface from being generated on the back surface of the wafer W, and to perform the cleaning process evenly. As a result, effective cleaning processing by the back surface processing nozzle 30 becomes possible. Also, the backside scrubbing machine 31
Also, since the rotary shaft 27 is arranged in the hollow, there is nothing that hinders the cleaning operation by the backside scrubbing machine 31, and the backside of the wafer W can be uniformly cleaned. As a result, effective cleaning processing by the backside scrubbing machine 31 becomes possible. Further, since the surface treatment nozzle 24 and the surface scrubber 25 for cleaning the front surface of the wafer W are provided, the front surface and the back surface of the wafer W can be simultaneously cleaned with the processing liquid by the single processing apparatus 13. Therefore, the processing time can be shortened, and it is not necessary to provide a wafer W reversing mechanism or the like, and the system itself can be downsized.
【００４４】なお，処理装置１３において，裏面処理ノ
ズルをウェハＷの裏面中央から任意の周縁部まで同時に
処理液を供給するように構成しても良い。図８に示す実
施の形態では，裏面処理ノズル７０は，長手方向の幅が
ウェハＷの半径とほぼ等しい長さを有しているノズル本
体７１を備えており，このノズル本体７１の上面には，
少なくともウェハＷの裏面中央から任意の周縁部に沿っ
て複数の吐出口７２が並んで配置されている。以上の構
成によれば，洗浄処理をする際に，裏面処理ノズル７０
は，ノズル本体７１の複数の吐出口７２から処理液を吐
出し，少なくともウェハＷの裏面中央から任意の周縁部
に処理液を同時に供給する。そして，スピンチャック２
０の回転により，ウェハＷの裏面全体に処理液が供給さ
れる。こうして，裏面処理ノズル７０は，ウェハＷの裏
面をむらなく洗浄処理することができる。なお，図８で
示す裏面処理ノズル７０では，ノズル本体７１の形状以
外は先に説明した図３の裏面処理ノズル３０と同様の構
成を有しているので，その他の構成については説明を省
略する。In the processing apparatus 13, the back surface processing nozzle may be configured to simultaneously supply the processing liquid from the center of the back surface of the wafer W to an arbitrary peripheral portion. In the embodiment shown in FIG. 8, the back surface processing nozzle 70 is provided with a nozzle body 71 whose longitudinal width is substantially equal to the radius of the wafer W. ，
A plurality of ejection ports 72 are arranged side by side along at least an arbitrary peripheral portion from the center of the back surface of the wafer W. According to the above configuration, when performing the cleaning process, the back surface processing nozzle 70
Discharges the processing liquid from the plurality of discharge ports 72 of the nozzle body 71 and simultaneously supplies the processing liquid from the center of the back surface of the wafer W to an arbitrary peripheral portion. And spin chuck 2
With the rotation of 0, the processing liquid is supplied to the entire back surface of the wafer W. In this way, the back surface processing nozzle 70 can uniformly clean the back surface of the wafer W. The back surface processing nozzle 70 shown in FIG. 8 has the same configuration as the back surface processing nozzle 30 of FIG. 3 described above except for the shape of the nozzle body 71, and therefore the description of the other components will be omitted. .
【００４５】さらに，ノズル本体に吐出部を設けさせ，
そこから少なくともウェハＷの裏面中央から任意の周縁
部までを同時に処理液を供給するように構成しても良
い。図９に示す実施の形態では，裏面処理ノズル７３
は，ノズル本体７４に吐出部７５を設け，この吐出部７
５からスプレー状に処理液を吐出することにより，ウェ
ハＷの裏面中央から任意の周縁部まで同時に処理液を供
給する。また，洗浄処理の種類によっては回転軸の中空
に，裏面処理ノズルだけを設け処理液の供給のみでウェ
ハＷの裏面を洗浄処理をしても良し，スクラブ洗浄機だ
けを設けスクラブ洗浄のみでウェハＷの裏面を洗浄処理
しても良い。Furthermore, the nozzle body is provided with a discharge part,
From there, at least the center of the back surface of the wafer W to an arbitrary peripheral portion may be simultaneously supplied with the processing liquid. In the embodiment shown in FIG. 9, the back surface processing nozzle 73
Is provided with a discharge part 75 on the nozzle body 74, and the discharge part 7
By ejecting the treatment liquid in a spray form from 5, the treatment liquid is simultaneously supplied from the center of the back surface of the wafer W to an arbitrary peripheral portion. Depending on the type of cleaning process, the back surface of the wafer W may be cleaned only by supplying the processing liquid by providing only the back surface processing nozzle in the hollow rotating shaft, or by providing only the scrub cleaning machine and performing the scrub cleaning only. The back surface of W may be washed.
【００４６】[0046]
【発明の効果】本発明によれば，裏面処理手段を中空に
形成された回転軸の内部にジェットノズルやメガソニッ
クノズル，処理体を配置しているので，それらによる洗
浄動作が回転保持手段に係る構成要素によって邪魔され
ない。その結果，ジェットノズルやメガソニックノズ
ル，処理体は，基板の裏面に対して有効な洗浄処理を行
える。さらに，一つの処理装置で基板の表面と裏面を同
時に処理できるので，処理時間を短縮すると共に，シス
テム自体の小型化が実現可能となる。基板を回転させた
状態で，少なくとも基板の裏面中央から任意の周縁部ま
で処理液を吐出できるので，基板の裏面全体に処理液を
均一に供給することができる。 基板を回転させた状態
で，処理体を基板の裏面中央から任意の周縁部まで移動
自在するので，処理体は基板の裏面全体に漏れなく接触
できる。 According to the present invention , the back surface processing means is provided inside the hollow rotating shaft with a jet nozzle or a megasonic sensor.
Since the nozzle and the processing body are arranged, the cleaning operation by them is not obstructed by the components related to the rotation holding means. As a result, jet nozzles and megasonic nozzles
The processing body can effectively clean the back surface of the substrate. Furthermore, since the front surface and the back surface of the substrate can be simultaneously processed by a single processing device, the processing time can be shortened and the system itself can be downsized. Substrate rotated
State, at least from the center of the back surface of the substrate to
Since the processing liquid can be discharged with, the processing liquid can be
It can be supplied uniformly. The substrate is rotated
Move the processing object from the center of the back surface of the substrate to the peripheral edge of your choice.
Since it is flexible, the processing object can contact the entire back surface of the substrate without leakage.
it can.
【００４７】[0047]
【００４８】[0048]
【００４９】[0049]
【００５０】[0050]
【図１】本発明の実施の形態にかかる処理装置を備えた
洗浄処理システムの平面図である。FIG. 1 is a plan view of a cleaning processing system including a processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】洗浄処理システムの斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a cleaning processing system.
【図３】処理装置の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a processing apparatus.
【図４】処理装置の平面図である。FIG. 4 is a plan view of the processing device.
【図５】裏面処理ノズル及び裏面スクラブ洗浄機の斜視
図である。FIG. 5 is a perspective view of a back surface processing nozzle and a back surface scrub cleaning machine.
【図６】薬液供給回路及び純水供給回路の回路図であ
る。FIG. 6 is a circuit diagram of a chemical solution supply circuit and a pure water supply circuit.
【図７】裏面処理ノズルをメガソニックノズルにした場
合の説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram when a back surface processing nozzle is a megasonic nozzle.
【図８】裏面処理ノズルを少なくともウェハＷの裏面中
央から任意の周縁部まで同時に処理液を供給できるよう
にした場合の説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram in the case where the back surface processing nozzles can simultaneously supply the processing liquid from at least the center of the back surface of the wafer W to an arbitrary peripheral portion.
【図９】裏面処理ノズルを少なくともウェハＷの裏面中
央から任意の周縁部まで同時に処理液を供給できるよう
にした図８とは異なる場合の説明図である。9 is an explanatory diagram of a case different from FIG. 8 in which the processing liquid can be simultaneously supplied from at least the center of the back surface of the wafer W to an arbitrary peripheral portion by a back surface processing nozzle.
【図１０】従来の裏面洗浄処理装置の断面図である。FIG. 10 is a sectional view of a conventional back surface cleaning processing apparatus.
【図１１】従来の裏面洗浄処理装置の平面図である。FIG. 11 is a plan view of a conventional back surface cleaning processing device.
Ｗ ウェハ １ 洗浄処理システム １３，１４，１５，１６，１７，１８ 処理装置 ２０ スピンチャック ２６ モータ ２７ 回転軸 ３０ 裏面処理ノズル ３１ 裏面スクラブ洗浄機 ３４ ジェットノズル ５２ 処理体 ６５ 励振器 ６６ メガソニックノズル W wafer 1 Cleaning system 13,14,15,16,17,18 Processor 20 Spin chuck 26 motor 27 rotation axis 30 Backside processing nozzle 31 Backside scrubbing machine 34 jet nozzle 52 Processing body 65 exciter 66 megasonic nozzle
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−169732（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−255776（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−335599（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 B08B 3/02 H01L 21/68 Continuation of front page (56) Reference JP-A-7-169732 (JP, A) JP-A-8-255776 (JP, A) JP-A-7-335599 (JP, A) (58) Fields investigated (Int .Cl. 7 , DB name) H01L 21/304 B08B 3/02 H01L 21/68
Claims (4)
と，前記回転保持手段に保持された基板の表面を処理す
る表面処理手段と，前記回転保持手段に保持された基板
の裏面を処理する裏面処理手段を備えた処理装置におい
て， 前記回転保持手段の回転軸を中空に形成し，この中空に
形成された回転軸の内部に，基板の裏面に向かって高圧
な処理液を吐出するジェットノズルと，このジェットノ
ズルを少なくとも基板の裏面中央から任意の周縁部の間
で移動させる水平関節型ロボットとを配置し， 前記ジェットノズルを移動させる水平関節型ロボット
は，第１のアームと第２のアームを備え，前記第１のア
ームの基端部にはモータの動力によって正逆回転する回
転軸が接続され，前記第２のアームの先端部には前記ジ
ェットノズルが設けられていることを特徴とする，処理
装置。 1. A rotation holding means for rotatably holding a substrate.
And treating the surface of the substrate held by the rotation holding means.
Surface treatment means and a substrate held by the rotation holding means
In the processing equipment equipped with the backside processing means for processing the backside of
hand, The rotating shaft of the rotation holding means is formed hollow, and
Inside the formed rotation axis， High pressure towards the back of the board
Jet nozzle that discharges various processing liquids and this jet nozzle
At least the gap between the center of the back surface of the substrate and the peripheral edge
And a horizontal joint robot that moves with Horizontal joint robot that moves the jet nozzle
Is equipped with a first arm and a second arm,
The base end of the arm is rotated by the power of the motor.
A rotary shaft is connected, and the tip of the second arm is provided with the jig.
Processing, characterized in that a wet nozzle is provided
apparatus.
と，前記回転保持手段に保持された基板の表面を処理す
る表面処理手段と，前記回転保持手段に保持された基板
の裏面を処理する裏面処理手段を備えた処理装置におい
て， 前記回転保持手段の回転軸を中空に形成し，この中空に
形成された回転軸の内部に，励振器が内蔵されたメガソ
ニックノズルと，このメガソニックノズルを少なくとも
基板の裏面中央から任意の周縁部の間で移動させる水平
関節型ロボットとを配置し， 前記メガソニックノズルを移動させる水平関節型ロボッ
トは，第１のアームと第２のアームを備え，前記第１の
アームの基端部にはモータの動力によって正逆回転する
回転軸が接続され，前記第２のアームの先端部には前記
メガソニックノズルが設けられていることを特徴とす
る，処理装置。 2. A rotation holding means for holding a substrate rotatably.
And treating the surface of the substrate held by the rotation holding means.
Surface treatment means and a substrate held by the rotation holding means
In the processing equipment equipped with the backside processing means for processing the backside of
Te, the rotation axis of the rotary holding means hollow formed in the hollow
Inside the formed rotary shaft, a megasocket with a built-in exciter
Nick nozzle and at least this megasonic nozzle
Horizontal movement from the center of the backside of the board to any peripheral edge
An articulated robot is arranged and a horizontal articulated robot that moves the megasonic nozzle is placed.
The first arm has a first arm and a second arm, and
The base end of the arm rotates forward and backward by the power of the motor
A rotary shaft is connected to the tip of the second arm, and
Features a megasonic nozzle
A processing device.
部に，基板の裏面に接触する処理体と，この処理体を少
なくとも基板の裏面中央から任意の周縁部の間で移動さ
せる水平関節型ロボットとを配置し， 前記処理体を移動させる水平関節型ロボットは，第１の
アームと第２のアームを備え，前記第１のアームの基端
部には回転昇降機構の動力によって正逆回転する回転軸
が接続され，前記第２のアームの先端部には前記処理体
が設けられてい ることを特徴とする，請求項１又は２に
記載の処理装置。 3. The rotary shaft formed in the hollow
The processing part that comes into contact with the back surface of the substrate
Even if it is not moved from the center of the backside of the board to
And a horizontal joint type robot that moves the processing body.
An arm and a second arm, the base end of the first arm
A rotating shaft that rotates forward and backward by the power of the rotating lifting mechanism
Is connected to the tip of the second arm, and
Characterized that you have is provided in claim 1 or 2
The processing device described.
て前記基板の裏面に接触した状態と，前記基板の裏面の
下方に下がった状態とに切り換えられるように構成され
ていることを特徴とする請求項３に記載の処理装置。 4. The processing body is movable up and down and is raised.
Contacting the backside of the board and the backside of the board
Configured to switch to the lowered position
The processing device according to claim 3, wherein:
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-
1997
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| JPH1167705A (en) | 1999-03-09 |
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