JP3377414B2 - Processing equipment - Google Patents

Processing equipment

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JP3377414B2
JP3377414B2 JP23653197A JP23653197A JP3377414B2 JP 3377414 B2 JP3377414 B2 JP 3377414B2 JP 23653197 A JP23653197 A JP 23653197A JP 23653197 A JP23653197 A JP 23653197A JP 3377414 B2 JP3377414 B2 JP 3377414B2
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敏 中嶋
高典 宮崎
博己 谷山
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東京エレクトロン株式会社
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【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は,例えばLCD基板や半導体ウェハのような基板の表面及び裏面を処理する処理装置に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] [Technical Field of the Invention The present invention relates to processing apparatus for processing the surface and the back surface of the substrate, such as an LCD substrate or a semiconductor wafer. 【0002】 【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては, [0002] In the manufacturing process of semiconductor devices,
例えば半導体ウェハ(以下,「ウェハ」という)の基板の表面及び裏面を清浄な状態にすることが極めて重要である。 For example, a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as "wafer") it is extremely important to clean condition the front and back surfaces of the substrate. そのため,ウェハの表面及び裏面に付着したパーティクル,有機汚染物,金属不純物等のコンタミネーションを除去するために洗浄処理システムが使用されている。 Therefore, particles adhering to the surface and the back surface of the wafer, organic contaminants, the cleaning processing system is used to remove contamination such as metal impurities. ウェハを洗浄する洗浄処理システムの一つして,枚葉型の処理装置を用いた洗浄処理システムが知られている。 And a cleaning system for cleaning the wafer, cleaning system is known using a single-wafer type processing apparatus. 【0003】この洗浄処理システムには,例えばウェハを収納したキャリアを載置する載置部と,載置部に載置されたキャリアから洗浄前のウェハを取り出し,また, [0003] This cleaning system is, for example, takes out a mounting portion for mounting the carrier accommodating the wafer, the wafer before washing from placed on the placing portion carrier, also,
洗浄後のウェハをキャリアに搬入する取出搬入部と,ウェハの表面と裏面を洗浄処理及び乾燥処理する洗浄処理部と,これら取出搬入部と洗浄処理部との間でウェハの搬送を行う搬送部が設けられている。 A take-out loading unit for loading the wafer after washing the carrier, the transport unit which performs a cleaning section for cleaning and drying a front and rear surface of the wafer, the transfer of the wafers between the cleaning part these takeout loading unit It is provided. さらに,洗浄処理部内には,アンモニア,フッ酸,硫酸等の薬液や純水といった各種の処理液を用いて洗浄処理する洗浄処理装置が配置されている。 Further, the cleaning portion are ammonia, hydrofluoric acid, cleaning apparatus is arranged for cleaning processes using various treatment liquid such as chemical solution or pure water such as sulfuric acid. 【0004】ここで,図10は従来の裏面洗浄処理装置の典型例の断面図であり,図11はその平面図である。 [0004] FIG. 10 is a sectional view of a typical example of the conventional back surface cleaning apparatus, FIG. 11 is a plan view thereof.
図10で示すように,裏面洗浄処理装置100はスピンチャク101を備えており,このスピンチャック101 As shown in Figure 10, the back surface cleaning apparatus 100 includes a spin Chak 101, the spin chuck 101
は,モータ102と,モータ102の回転駆動によって回転する回転軸103と,回転軸103の上部に取り付けられた載置板104と,載置板104の周縁部に配置された保持部105とから構成されている。 From a motor 102, a rotating shaft 103 which rotates by the rotation of the motor 102, the mounting plate 104 attached to an upper portion of the rotary shaft 103, mounting plate 104 peripheral portion arranged holder 105. of It is configured. さらに,載置板104の下方には,ウェハWの裏面に洗浄処理液を吐出する裏面処理ノズル106が回転軸103の外側に配置されている。 Further, below the mounting plate 104, rear surface treatment nozzle 106 for discharging the cleaning liquid to the back surface of the wafer W it is disposed outside of the rotary shaft 103. また,図11に示すように,載置板1 Further, as shown in FIG. 11, the mounting plate 1
04には複数の隙間110が形成されており,この隙間110から裏面処理ノズル106のノズル本体107がウェハWの裏面を覗いているような構成になっている。 The 04 has a plurality of gaps 110 are formed, the nozzle body 107 of the rear surface treatment nozzle 106 has a structure as looking into the rear surface of the wafer W through the gap 110.
そして,ウェハWは処理容器108内で裏面を洗浄処理される。 Then, the wafer W is cleaned treated back surface in the processing chamber 108. 以上のように構成された従来の裏面洗浄処理装置100で行われる洗浄処理では,スピンチャック10 In the cleaning process performed by the conventional back surface cleaning apparatus 100 configured as described above, the spin chuck 10
1に保持され回転しているウェハWの裏面に,裏面処理ノズル106から洗浄処理液を吐出して洗浄処理を行う。 On the rear surface of the wafer W being rotated is held at 1, it performs a cleaning process by discharging cleaning solution from the rear surface treatment nozzle 106. 【0005】また,スピンチャックに保持され回転しているウェハの表面や裏面に洗浄処理液を供給しつつ,ブラシやスポンジ等の処理部材を回転させながら基板の表面や裏面に付着したパーティクル等をこすり落として除去するスクラブ洗浄が知られている。 Further, while supplying cleaning liquid to the surface and the back surface of the wafer which is rotating held by the spin chuck, a brush or sponge or the like of the processing member while rotating the particles adhering to the surface and the back surface of the substrate, or the like scrub cleaning is known to remove scraped off. そして,ウェハの表面をスクラブ洗浄した後に,適当なウェハ反転機構を用いて,ウェハの表裏を反転させ,ウェハの裏面を上にした状態でスピンチャックに再び保持させウェハの裏面をスクラブ洗浄することが行われている。 Then, after scrubbing the surface of the wafer, using a suitable wafer inverting mechanism inverts the front and back of the wafer, to scrub clean the rear surface of the wafer is again held on the spin chuck while on the rear surface of the wafer It is being carried out. 【0006】 【発明が解決しようとする課題】ところで,従来の処理装置では,ウェハの表面と裏面を別々に洗浄するために処理時間が長くなると共に,表面洗浄と裏面洗浄の2種類の処理装置が必要となるので洗浄処理システム自体を大型化させてしまう。 [0006] [SUMMARY OF THE INVENTION Incidentally, in the conventional processing apparatus, together with the processing time for cleaning the front and back surfaces of the wafer are separately becomes longer, two processing apparatus of the surface cleaning and the back surface cleaning thus increasing the size of the cleaning system itself since it is necessary. また,図10に示すように,従来の裏面洗浄処理装置100は,裏面処理ノズル106から吐出される洗浄処理液にとって,洗浄処理中に回転している載置台104が障害物となる。 Further, as shown in FIG. 10, the conventional back surface cleaning apparatus 100, for cleaning liquid discharged from the rear surface treatment nozzle 106, mounting base 104 which is rotating during the cleaning process becomes an obstacle. このため,ウェハWの裏面の所定の箇所では洗浄処理液の吐出が妨げられ,洗浄不良が発生する。 Therefore, the discharge of the cleaning liquid in the rear surface of the predetermined portion of the wafer W is prevented, cleaning failure. また,中途半端に濡れた状態のウェハの裏面箇所においては気液界面が多数発生する。 Further, the gas-liquid interface is generated number in the rear surface portion of the incompletely wet the wafer. この気液界面は外部雰囲気中のパーティクルを吸い寄せ,ウェハWの裏面に付着するパーティクルを増加させてしまう。 The gas-liquid interface is attracted particles in the external atmosphere, thus increasing the particles adhering to the back surface of the wafer W. 【0007】また,スクラブ洗浄を適応させた処理装置では,ウェハ反転機構を介して,ウェハの表面と裏面を別々に洗浄するため処理時間が長くなると共に,処理装置毎にウェハ反転機構を設ける必要があるため,浄処理システム自体を大型化させてしまう。 Further, the processing apparatus which is adapted to scrubbing is required through the wafer inverting mechanism, the processing time for cleaning the front and back surfaces of the wafer are separately becomes longer, providing a wafer inverting mechanism for each processor because there is, thus increasing the size of the purification process system itself. 【0008】本発明の目的は,基板の表面及び裏面を同時に処理でき,特に基板の裏面をむらなく処理できる処理装置を提供することにある。 An object of the present invention can simultaneously process the front and back surfaces of the substrate, in particular to provide a processing apparatus for a rear surface of the substrate can be uniformly processed. 【0009】 【課題を解決するための手段】 本発明にあっては,基板を回転自在に保持する回転保持手段と,前記回転保持手段に保持された基板の表面を処理する表面処理手段と, [0009] In the present invention, there is provided a means for solving], a rotary holding means for holding a substrate rotatably, and the surface treatment means for treating the surface of the substrate held by the rotary holding means,
前記回転保持手段に保持された基板の裏面を処理する裏面処理手段を備えた処理装置において,前記回転保持手段の回転軸を中空に形成し,この中空に形成された回転軸の内部に,基板の裏面に向かって高圧な処理液を吐出 In the above processing apparatus provided with a rear surface processing means for processing the back surface of the substrate held by the rotary holding means, the rotation axis hollow formed in the rotary holding unit, in the interior of the rotary shaft which is formed in this hollow, the substrate discharging a high-pressure processing liquid toward the the back surface
するジェットノズルと,このジェットノズルを少なくと And the jet nozzle to, and reduce this jet nozzle
も基板の裏面中央から任意の周縁部の間で移動させる水 Water also move between any of the peripheral portion from the center of the back surface of the substrate
平関節型ロボットとを配置し,前記ジェットノズルを移 Place a flat articulated robot, moves the jet nozzle
動させる水平関節型ロボットは,第1のアームと第2の Horizontal articulated robot for moving the first arm and the second
アームを備え,前記第1のアームの基端部にはモータの An arm, of the motor to the proximal end of said first arm
動力によって正逆回転する回転軸が接続され,前記第2 Rotary shaft is connected to forward and reverse rotations by the power, the second
のアームの先端部には前記ジェットノズルが設けられて The end of the arm is provided wherein the jet nozzle is
いることを特徴とする。 And said that you are. また,本発明にあっては,基板 Further, in the present invention, the substrate
を回転自在に保持する回転保持手段と,前記回転保持手 A rotation holding means for rotatably holding the said rotary holding means
段に保持された基板の表面を処理する表面処理手段と, A surface treatment means for treating the surface of the substrate held by the stage,
前記回転保持手段に保持された基板の裏面を処理する裏 Back to process the rear surface of the substrate held by the rotary holding means
面処理手段を備えた処理装置において,前記回転保持手 In the processing apparatus having a surface treatment means, the rotary holding means
段の回転軸を中空に形成し,この中空に形成された回転 Stage rotation axis hollow formation, formed in the hollow rotary
軸の内部に,励振器が内蔵されたメガソニックノズル Inside the shaft, megasonic nozzles exciter is built
と,このメガソニックノズルを少なくとも基板の裏面中 If, during at least the back surface of the substrate the megasonic nozzle
央から任意の周縁部の間で移動させる水平関節型ロボッ Horizontal articulated moved between any of the peripheral portion from the central robot
トとを配置し,前記メガソニックノズルを移動させる水 The bets placed, water moving the megasonic nozzle
平関節型ロボットは,第1のアームと第2のアームを備 Flat articulated robot, Bei the first arm and the second arm
え,前記第1のアームの基端部にはモータの動力によっ For example, depending on the power of the motor to the proximal end portion of said first arm
て正逆回転する回転軸が接続され,前記第2のアームの Axis of rotation normal and reverse rotation is connected Te, the second arm
先端部には前記メガソニックノズルが設けられているこ This a tip portion to which the megasonic nozzle are provided
とを特徴とする。 And wherein the door. 更に,前記中空に形成された回転軸の Further, the rotary shaft formed in the hollow
内部に,基板の裏面に接触する処理体と,この処理体を Therein, and processed in contact with the back surface of the substrate, the treated
少なくとも基板の裏面中央から任意の周縁部の間で移動 At least it is moving from the back center of the substrate between any periphery
させる水平関節型ロボットとを配置し,前記処理体を移 Place a horizontal articulated robot which, moved the processed
動させる水平関節型ロボットは,第1のアームと第2の Horizontal articulated robot for moving the first arm and the second
アームを備え,前記第1のアームの基端部には回転昇降 An arm, rotary elevating the proximal end portion of said first arm
機構の動力によって正逆回転する回転軸が接続され,前 Rotary shaft is connected to forward and reverse rotation by the power of the mechanism, before
記第2のアームの先端部には前記処理体が設けられてい Serial to the distal end portion of the second arm has the treating body is provided
ても良い。 And it may be. この場合,前記処理体は上下動自在であり, In this case, the treating body is vertically movable,
上昇して前記基板の裏面に接触し た状態と,前記基板の A state rises and contacts the rear surface of the substrate, the substrate
裏面の下方に下がった状態とに切り換えられるように構 Configured to be switched between a state in which dropped to the rear surface of the lower
成されている。 It has been made. 【0010】 本発明によれば,中空に形成された回転軸の内部にジェットノズルやメガソニックノズル,処理体 According to the present invention, a jet nozzle or megasonic nozzle interior of a hollow formed rotary shaft, processed
を配置しているので, それらによる処理を回転保持手段が邪魔することはない。 Since disposed, it never rotation holding means interfere with processing by them. 従って,基板の裏面に対して有効な処理を行える。 Therefore, it allows an effective treatment against the rear surface of the substrate. 障害物が存在しないため,ジェット Since the obstacle does not exist, jet
ノズルやメガソニックノズルは常に処理液を基板の裏面 Nozzle or megasonic nozzles always back surface of the substrate a treatment solution
に吐出することができる。 It can be discharged to. 基板の裏面は処理液の液膜に The back surface of the substrate in the liquid film of the process liquid
覆われ,基板の裏面にパーティクルを付着させる気液界 Covered, gas-liquid interface to adhere the particles to the back surface of the substrate
面を発生させることがない。 Never generate the surface. また,基板を回転させなが Although such rotate the substrate
ら,基板の裏面中央から任意の周縁部まで処理液を吐出 Et al., Discharging the treatment liquid from the center of the back surface of the substrate to any of the periphery
し,基板の裏面全体に処理液を供給することができる。 And, it is possible to supply the processing liquid to the entire back surface of the substrate.
また,処理体と基板の裏面との間に障害物となるものが Also, what becomes an obstacle between the processing member and the back surface of the substrate
ないので,基板を回転させながら処理体を基板の裏面に Not because the processed while rotating the substrate on the back surface of the substrate
接触させて洗浄処理することができる。 It can be cleaned treated in contact. また,基板を回 In addition, the board times
転させながら,処理体を基板の裏面中央から任意の周縁 While rotating, any peripheral processing body from the back center of the substrate
部まで往復移動させる。 Until the part is reciprocated. これより,処理体を基板の裏面 Than this, the back surface of the substrate processed
全体に漏れなく接触させることができる。 It can be contacted without leakage throughout. 【0011】 【0012】 【0013】 【0014】 【0015】 【0016】 【発明の実施の形態】以下,本発明の実施の形態について説明する。 [0011] [0012] [0013] [0014] [0015] [0016] PREFERRED EMBODIMENTS The following describes embodiments of the present invention. 本発明の実施の形態はキャリア単位でのウェハの搬入,洗浄,乾燥,キャリア単位での搬出までを一貫して行うように構成された洗浄処理システムとして構成されたものである。 Embodiments of the present invention is carried of the wafer in the carrier unit, washing, drying, in which are configured as configured cleaning system to perform consistently up out of the carrier unit. 図1は,本発明の好ましい実施の形態を説明するための洗浄処理システム1の平面図であり,図2はその斜視図である。 Figure 1 is a plan view of the cleaning system 1 for illustrating a preferred embodiment of the present invention, FIG 2 is a perspective view thereof. 【0017】この洗浄処理システム1は,ウェハWを収納したキャリアCを載置させる載置部2と,載置部2に載置されたキャリアCに対してウェハWを取り出し又は搬入する取出搬入アーム3が設けられた取出搬入部5 [0017] The cleaning system 1 includes a mounting portion 2 for mounting the carrier C housing the wafers W, carrying takeout for taking out or loading wafers W to the carrier C placed on the placing portion 2 extraction loading unit arm 3 is provided 5
と,ウェハWに対して所定の洗浄処理及び乾燥処理を行う洗浄処理部6と,取出搬入部5と洗浄処理部6との間でウェハWを搬送する搬送アーム8が設けられた搬送部10とを備えている。 If, conveying unit 10 to the transfer arm 8 which transports the wafer W to and from the cleaning unit 6 for performing a predetermined cleaning and drying processing for the wafer W, a take-out loading unit 5 and the cleaning section 6 is provided It is equipped with a door. 【0018】載置部2は,ウェハを25枚収納したキャリアCを3個分載置できる構成になっている。 The mounting unit 2 has a configuration capable location mounting three cycles the carrier C accommodating 25 sheets of wafers. そして, And,
洗浄前のウェアWをキャリアC単位で洗浄処理システム1の載置部2に搬入し,また,洗浄後のウェハWをキャリアC単位で洗浄処理システム1の載置部2から搬出するように構成されている。 The wear W before cleaning was carried into mounting portion 2 of the cleaning system 1 in the carrier C units, also configured to unload the wafers W after the cleaning from the mounting unit 2 cleaning system 1 in the carrier C units It is. 【0019】取出搬入部5に設けられた取出搬入アーム3は,水平(X,Y)方向に移動すると共に,昇降自在であり,かつ鉛直軸を中心に回転できるように構成されている。 The take-out loading unit takeout carrying arm 3 provided on 5 the horizontal (X, Y) while moving in a direction, a vertically movable, and is configured for rotation about a vertical axis. また,取出搬入部5の両側の空間には,一方側に搬入・バッファ機構11が設けられており,他方側に搬出・バッファ機構12がそれぞれ設けられている。 On both sides of the space of the take-out loading unit 5, whereas is carried into the side buffer mechanism 11 is provided, the other side unloading buffer mechanism 12 are provided, respectively. また,取出搬入アーム3には,2本のアーム3a,3bが上下2段に取り付けられている。 Further, the take-out carrying arm 3, two arms 3a, 3b are attached to the upper and lower stages. そして,取出搬入アーム3は,下段に取り付けられたアーム3aで洗浄前のウェハWを一枚づつキャリアCから取り出し搬入・バッファ機構11に載置し,一方,上段に取り付けられたアーム3bで搬送部10から搬出・バッファ機構12へ載置された洗浄後のウェハWを搬出・バッファ機構12から取り出しキャリアCに一枚ずつ搬入する操作を行う。 The take-out carrying arm 3, the wafer W before cleaning with arm 3a mounted in the lower and placed on loading buffer mechanism 11 is taken out from one by one carrier C, whereas, transported in arm 3b which is attached to the upper the wafer W after the cleaning, which is placed in the ejection buffer mechanism 12 from section 10 to the carrier C is taken out from the unloading buffer mechanism 12 performs an operation to carry one by one. 【0020】洗浄処理部6には,ウェハWの洗浄処理及び乾燥処理を行う処理装置13,14,15が配置されている。 [0020] cleaning section 6 includes a processing unit 13, 14 and 15 for cleaning and drying process of the wafers W are arranged. 処理装置13の下方には処理装置13と同様な処理工程を行うように構成された処理装置16が配置され,同様に処理装置14の下方には処理装置14と同様な処理工程を行うように構成された処理装置17が配置され,同様に処理装置15の下方には処理装置15と同様な処理工程を行うように構成された処理装置18が配置されている。 Below the processor 13 is arranged processor 16 configured to perform the same processing steps and the processing apparatus 13, below the same processing unit 14 to perform the same processing steps and the processing apparatus 14 configured processor 17 is arranged, below the same into the processing apparatus 15 configured to perform the same processing steps and the processing apparatus 15 processor 18 is arranged. そして,処理装置13〜15及び処理装置16〜18において同時に処理が進行できる構成になっている。 At the same time the processing in the processing device 13 to 15 and the processing unit 16 to 18 has a configuration capable of traveling. なお,これら処理装置13〜18の背面には,ウェハWを洗浄処理する際に使用される薬液が貯留されている薬液供給装置19が配置されている。 Incidentally, on the back of these processing devices 13 to 18, the chemical liquid supply unit 19 which chemical solution is used to cleaning the wafers W are stored is disposed. 【0021】搬送部10に設けられた搬送アーム8は, The transfer arm 8 provided in the transport unit 10,
水平(X,Y)方向に移動すると共に,昇降自在であり,かつ鉛直軸を中心に回転できるように構成されている。 Horizontal (X, Y) while moving in a direction, a vertically movable, and is configured for rotation about a vertical axis. また,搬送アーム8には,3本のアーム8a,8 Further, the transfer arm 8, three arms 8a, 8
b,8cが上中下の3段に取り付けられている。 b, 8c are attached to the three stages under the upper, middle. そして,搬送アーム8は,下段に取り付けられたアーム8a Then, the transfer arm 8, the arm 8a which is attached to the lower
及び中段に取り付けられたアーム8bで搬入・バッファ機構11から処理装置13,16に搬送すると共に処理装置13,16から処理装置14,17, 15 ,18に順次ウェハWを搬送する操作を行い,一方,上段に取り付けられたアーム8cで洗浄後のウェハWを洗浄処理部4から搬出し搬出・バッファ機構12に載置する操作を行う。 And processor 13, 16 from the processor 14, 17 conveys from the loading buffer mechanism 11 by the arm 8b attached to the middle to the processing unit 13 and 16 performs an operation for conveying the successively wafer W in 15, 18, on the other hand, it performs an operation to unload the wafers W after the cleaning by the arm 8c attached to the upper from the cleaning unit 4 is placed on the unloading buffer mechanism 12. 【0022】以上のように構成された洗浄処理システム1において,載置部2に載置されたカセットC内のウェハWは,取出搬入アーム3によって取り出され搬入・バッファ機構11に載置される。 [0022] In the cleaning processing system 1 configured as described above, the wafer W in the cassette mounted on the mounting portion 2 C is placed in the carry buffer mechanism 11 is taken out by the take-out carrying arm 3 . 搬入・バッファ機構11 Loading and buffer mechanism 11
に載置されたウェハWは搬送アーム8に受け渡され,処理装置13〜18に適宜搬送される。 The wafer W mounted on is transferred to the transfer arm 8 and transported appropriately processor 13-18. 即ち,まずウェハWは,例えば処理装置13において,薬液成分を主体にした処理液によって洗浄処理され,その後に純水によるリンス処理,スピンによる乾燥処理の順で処理される。 That is, the wafer W is first, for example, in the processing apparatus 13, is cleaning the processing liquid mainly of chemical ingredients, then rinsed with pure water to be processed in the order of the drying process by spin.
処理装置13で処理されたウェハWは続いて,処理装置14において,処理装置14とは異なる薬液成分を主体とした処理液によって同様に洗浄処理され,その後に純水によるリンス処理,スピンによる乾燥処理の順で処理される。 Processor 13 processed wafer W is subsequently in the processing apparatus 14, is a cleaning process in the same manner by the processing liquid mainly containing different chemical components the processor 14, then rinsing with pure water, dried by spin They are processed in the order of processing. そして,最後に処理装置15において,純水によるリンス処理で最終洗浄され,スピンによる乾燥処理される。 Then, at the end to the processor 15, is finally washed with a rinse with pure water, it is dried by the spin. なお,処理装置16〜18においても同様な洗浄工程が行われる。 The same washing process also in the processing device 16 to 18 is performed. 【0023】なお各処理装置13〜18の配列,各処理装置の組合わせは,ウェハWに対する洗浄の種類によって任意に組み合わせることができる。 [0023] Note that the arrangement of the processing devices 13 to 18, the combination of each processing unit can be arbitrarily combined depending on the type of cleaning of the wafer W. 例えば,ある処理装置を減じたり,逆にさらに他の処理装置を付加してもよい。 For example, subtracting a certain processing apparatus, it may be further added to another processing apparatus reversed. 【0024】次に,処理装置13〜18の構成について説明する。 [0024] Next, the configuration of the processing device 13 to 18. なお,本発明の実施の形態にかかる洗浄処理システム1の処理装置13〜18は何れも同様の構成を備えているので,処理装置13を代表として説明する。 Since processor 13-18 of the cleaning processing system 1 according to the embodiment of the present invention includes any similar configuration, the processing unit 13 as a representative. 【0025】図3は処理装置13の要部を示す断面図, FIG. 3 is a sectional view showing a main part of the processing unit 13,
図4はその平面図である。 Figure 4 is a plan view thereof. この処理装置13のケーシング13a内には,基板であるウェハWを回転自在に保持する回転保持手段としてのスピンチャック20と,このスピンチャック20及びウェハWを包囲する処理容器2 In the casing 13a of the processor 13, and the spin chuck 20 as a rotary holding means for rotatably holding a wafer W as a substrate, the process chamber 2 surrounding the spin chuck 20 and the wafer W
1と,ウェハWの表面に処理液や乾燥ガスを供給する移動自在な表面処理ノズル24とウェハWの表面をスクラブ洗浄処理する移動自在な表面スクラブ洗浄機25とを備えている。 1, and a movable surface scrubbing machine 25 for scrubbing a surface of a movable surface treatment nozzle 24 and the wafer W for supplying a treatment liquid or drying gas to the surface of the wafer W. 【0026】スピンチャック20は,モータ26により回転させられる回転軸27の上部に装着された載置台2 The spin chuck 20, the mounting table 2 mounted on top of the rotary shaft 27 which is rotated by the motor 26
8と,この載置板28上に配置されたメカニカルチャックなどから成る保持部29とから構成されている。 8, and a holding portion 29 for composed of a mechanical chuck disposed on the mounting plate 28. ここで,下方をモータ26内部に組み込ませている回転軸2 Here, the rotating shaft is caused incorporated downward inside the motor 26 2
7は,モータ26の出力軸として機能する。 7 functions as an output shaft of the motor 26. 【0027】スピンチャック20の回転軸27は両端が開口した中空の円筒形状をなし,この中空に形成された回転軸27の内部に,裏面処理ノズル30,裏面スクラブ洗浄機31を配置している。 The rotary shaft 27 of the spin chuck 20 is a hollow cylindrical shape both ends of which are open, the interior of the rotary shaft 27 formed in the hollow, rear surface treatment nozzle 30, are arranged back surface scrubbing machine 31 . この裏面処理ノズル3 The rear surface treatment nozzle 3
0,裏面スクラブ洗浄機31はいずれも回転軸27を通じてウェハWの裏面下方に位置している。 0, are located on the back surface below the wafer W through both the rear surface scrubbing machine 31 is the rotary shaft 27. ここで,回転軸27は,下方をモータ26内部に組み込まれモータ2 Here, the rotation shaft 27, the motor 2 is incorporated to lower the internal motor 26
6の出力軸として構成されている。 It is configured as a 6 output shaft of the. なお,モータ26の代わりに,プーリやベルト等から構成される回転伝達機構を回転軸27に取り付けて回転軸27を回転自在にするようにして良い。 Instead of the motor 26, it may be a rotating shaft 27 of the rotation transmitting mechanism constituted by the pulleys and belts or the like mounted on the rotary shaft 27 so as to freely rotate. 【0028】ここで,図5に示すように,裏面処理ノズル30は,第1のアーム32,第2のアーム33から成る水平方向に移動できる水平関節型ロボットを備え,第2のアーム33の先端部にはジェットノズル34が上向きに装着されている。 [0028] Here, as shown in FIG. 5, the rear surface processing nozzle 30, the first arm 32, comprises a horizontal articulated robot that can move in a horizontal direction of a second arm 33, the second arm 33 the tip jet nozzle 34 is upwardly mounted. 第1のアーム32の基端部には, The proximal end portion of the first arm 32,
モータ35の動力によって正逆回転する回転軸36が接続されており,モータ35の回転駆動の切換によって, Rotary shaft 36 for forward and reverse rotation by the power of the motor 35 is connected, by the switching of the rotation of the motor 35,
ジェットノズル34が,図4に示すように,少なくともウェハWの裏面中央から任意の周縁部の間をθ方向で往復回動できるようになっている。 Jet nozzle 34, as shown in FIG. 4, so that the reciprocally rotated at θ direction between any periphery from the rear center of at least the wafer W. 【0029】このジェットノズル34には,図6に示すように,ポンプ40,開閉弁41を備えた薬液供給回路42と,ポンプ43,開閉弁44を備えた純水供給回路45が接続されており,これら供給回路42,45から供給されることにより,ジェットノズル34は,スピンチャック20によって保持・回転しているウェハWの裏面に向かって高圧な薬液や純水等の処理液を吐出することができるようになっている。 [0029] The jet nozzle 34, as shown in FIG. 6, the pump 40, a chemical liquid supply circuit 42 with the opening and closing valve 41, pump 43, and pure water supply circuit 45 which includes an on-off valve 44 is connected cage, by being supplied from these supply circuits 42 and 45, the jet nozzle 34 discharges the processing liquid such as a high-pressure chemical liquid or pure water toward the back surface of the wafer W held-rotated by the spin chuck 20 thereby making it possible. 【0030】一方,裏面スクラブ洗浄機31も裏面処理ノズル30と同様に,第1のアーム50,第2のアーム51から成る水平方向に移動できる水平関節型ロボットを備え,第2のアーム51の先端部には処理体52が装着されている。 On the other hand, similarly to the back surface scrubbing machine 31 also rear surface treatment nozzle 30, the first arm 50, comprises a horizontal articulated robot that can move in a horizontal direction of a second arm 51, the second arm 51 treated 52 is attached to the distal end. 第1のアーム50の基端部には,回転昇降機構53の動力によって正逆回転する回転軸54が接続されており,回転昇降機構53の回転駆動の切換によって,処理体52が,図4に示すように,少なくともウェハWの裏面中央から任意の周縁部の間をθ'方向で往復回動できるようになっている。 The proximal end portion of the first arm 50, by the power of the rotating lift mechanism 53 and the rotary shaft 54 ​​for forward and reverse rotation is connected, by the switching of the rotational drive of the rotary elevating mechanism 53, the processing 52, FIG. 4 as shown in, so that the reciprocally pivot the theta 'direction between any periphery from the rear center of at least the wafer W. 【0031】さらに,回転昇降機構53の昇降駆動によって処理体52は上下移動し,スピンチャック20に保持されたウェハWの裏面に接触した状態と,ウェハWの裏面の下方に下がった状態とに切り換えるように構成されている。 Furthermore, processing 52 by the elevating drive of the rotary elevating mechanism 53 vertically moves, and a state of being in contact with the rear surface of the wafer W held on the spin chuck 20, on the state falls below the rear surface of the wafer W and it is configured to switch. 図示の例では,回転昇降機構53の稼働によって,裏面スクラブ洗浄機31が最も上昇し処理体52 In the illustrated example, the operation of the rotating lift mechanism 53, the back surface scrubbing machine 31 are most elevated processed 52
をウェハWの裏面に接触させた状態を示している。 The shows a state in contact with the rear surface of the wafer W. 【0032】この処理体52は,ブラシやスポンジなどから成る処理部材55を備えており,処理部材55は第2のアーム51内に内蔵されたモータ(図示せず)によって回転する回転軸56の上部に取り付けられている。 [0032] The process 52 includes a processing member 55 consisting of a brush or sponge, the processing member 55 of the rotary shaft 56 which is rotated by a motor built in the second arm 51 (not shown) It is attached to the top.
また,処理部材55の中央には,処理液として例えば純水を吐出する吐出口57が開口している。 At the center of the processing member 55, a discharge port 57 for discharging a processing liquid such as pure water it is opened. そして,処理体52をウェハWの裏面に接触させる際には,吐出口5 Then, the process 52 when brought into contact with the rear surface of the wafer W, the discharge port 5
7から純水を吐出しながら,回転している処理部材55 While discharging the pure water from 7, the spinning process member 55
をウェハWの裏面に接触させるようになっている。 The and is adapted to contact the rear surface of the wafer W. 【0033】なお,処理容器21及び回転軸27の中空内部の雰囲気は,いずれも外部に設置されている真空ポンプなどの排気手段(図示せず)によって排気される。 It should be noted, the hollow interior of the atmosphere in the processing chamber 21 and the rotary shaft 27 are both exhausted by the exhaust means such as a vacuum pump which is installed outside (not shown).
また,ウェハWの表面の洗浄処理に使用された処理液は,処理容器21の底部に設けられた排液管60などを通じてから排液され,ウェハWの裏面の洗浄処理に使用された処理液は,処理容器21の排液管60などを通じて排液されるようになっている。 The processing solution used in the cleaning process of the surface of the wafer W is drained through a like drain pipe 60 provided at the bottom of the processing vessel 21, the treatment liquid used in the cleaning process of the rear surface of the wafer W It is adapted to be drained through such drain pipe 60 of the processing chamber 21. 【0034】なお,ジェットノズル34を設ける代わりに,図7に示すように,裏面処理ノズル30の第2のアーム33の先端部に処理液を超音波によって励振するための励振器65が内蔵されたメガソニックノズル66を設けても良い。 [0034] Instead of providing the jet nozzle 34, as shown in FIG. 7, exciter 65 for exciting the processing liquid by ultrasonic waves to the tip portion of the second arm 33 of the rear surface treatment nozzle 30 is built and it may be the arranged mega sonic nozzle 66. これらジェットノズル34,メガソニックノズル66は,洗浄処理の種類に対応して変更することができる。 These jet nozzles 34, the megasonic nozzle 66 can be changed corresponding to the type of cleaning process. 【0035】次に,以上のように構成された洗浄処理システム1において行われるウェハWの処理を説明する。 [0035] Next, processing of the wafer W performed in the cleaning processing system 1 configured as described above.
まず,図示しない搬送ロボットが未だ洗浄されていないウェハWを例えば25枚ずつ収納したキャリアCを載置部2に載置する。 First, placing the wafer W transfer robot (not shown) has not yet been cleaned carrier C to the mounting portion 2 accommodating, for example, for each 25 sheets. そして,この載置部2に載置されたキャリアCからウェハWが取り出され,取出アーム3から搬入・バッファ機構11を介して搬送アーム7に受け渡され,ウェハWは処理装置13,14,15に順次搬送される。 Then, the wafer W from the mounted on the mounting portion 2 carriers C are taken out, is delivered to the transfer arm 7 via the loading buffer mechanism 11 from takeout arm 3, the wafer W is processor 13, 15 is sequentially transported to. こうして,ウェハWの表面及び裏面に付着している有機汚染物,パーティクル等の不純物質を除去するための洗浄を行う。 Thus, for cleaning to remove organic contaminants, impure material such as particles adhering to the surface and the back surface of the wafer W. 【0036】ここで,処理装置13での洗浄処理を説明する。 [0036] Here, describing the washing process in the processing unit 13. 先に図2で説明したようにスピンチャック20の載置台28にウェハWが載置され保持される。 Previously wafer W on the mounting table 28 of the spin chuck 20 as described with reference to FIG. 2 is placed is maintained. 即ち,保持部29はウェハWの周縁部を押さえウェハWを保持する。 That is, the holding portion 29 holding the wafer W pressing the peripheral portion of the wafer W. そして,モータ26の回転駆動によって回転軸27 Then, the rotation shaft by the rotation of the motor 26 27
は回転し,保持部29に保持されたウェハWが回転する。 Rotates, the wafer W held by the holding portion 29 is rotated. 【0037】次に,先に図3で説明したように,ジェットノズル34は回転していウェハWの裏面に高圧な処理液を吐出する。 Next, as described with reference to FIG. 3 above, the jet nozzle 34 discharges a high-pressure processing liquid to the back surface of the wafer W being rotated. そして,先に図4,5で説明したように,モータ35の回転駆動によって,ジェットノズル3 Then, as explained in FIGS earlier, by the rotation of the motor 35, the jet nozzle 3
4を少なくともウェハWの裏面中央から任意の周縁部まで往復移動させる。 4 from the back center of at least the wafer W to an arbitrary periphery reciprocate. これにより,ウェハWの裏面の表面全体に高圧な処理液を供給する。 Thus, supplying high-pressure treatment liquid on the entire surface of the back surface of the wafer W. 【0038】ここで,裏面処理ノズル30は回転軸27 [0038] Here, the back surface processing nozzle 30 rotation axis 27
の中空に配置されているため,ウェハWの裏面とジェットノズル34の間には,障害物が存在しない。 Because it is located in the hollow, between the wafer W in the rear surface and the jet nozzle 34, there is no obstacle. このため,ジェットノズル34は常に処理液をウェハWの裏面に供給でき,ウェハWの裏面は処理液の液膜に覆われる。 Therefore, the jet nozzle 34 can always supply the processing liquid to the back surface of the wafer W, the rear surface of the wafer W to be covered with the liquid film of the process liquid. こうして,裏面処理ノズル30は有効なパーティクル除去を行うことができる。 Thus, the rear surface processing nozzle 30 is able to perform an effective particle removal. 【0039】一方,先に図3で説明したように,回転昇降機構53の昇降稼働によって,裏面スクラブ洗浄機3 On the other hand, as described with reference to FIG. 3 above, by the lifting operation of the rotating lift mechanism 53, the back surface scrubbing machine 3
1が上昇し,処理体52をウェハWの裏面に接触させる。 1 rises, contacting the treated 52 on the rear surface of the wafer W. 処理体52は,純水を吐出しながら処理部材55を回転させ,ウェハWの裏面に付着したパーティクルをこすり落とす。 Treated 52 rotates the processing member 55 while discharging the pure water, scrape the particles attached to the rear surface of the wafer W. さらに,回転しているウェハWの裏面に処理体52を接触させた状態で,先に図4,5で説明したように,回転昇降機構53の回転駆動によって,処理体52を少なくともウェハWの裏面中央から任意の周縁部まで往復移動させる。 Further, in a state contacting the treated 52 to the back surface of the wafer W is rotating, as described in FIGS earlier, by the rotation of the rotating lift mechanism 53, at least the wafer W processing member 52 from the back center to any of the periphery reciprocate. そして,裏面スクラブ洗浄機31 Then, the back surface scrubbing machine 31
の処理体52は,ウェハWの裏面全体に漏れなく接触し洗浄処理する。 Processing body 52 is in contact with the cleaning process without omission the entire back surface of the wafer W. 【0040】ここで,裏面スクラブ洗浄機31は回転軸27の中空に配置されているため,処理体52の軌道に対して干渉するものが存在しない。 [0040] Here, since the back surface scrubbing machine 31 is disposed in the hollow of the rotary shaft 27, there is nothing to interfere with the trajectory of the process 52. このため処理体52 Thus treated 52
は,回転軸27内を円滑に移動し,裏面スクラブ洗浄機31は,ウェハWの裏面全体をむらなく洗浄処理する。 It is within the rotational shaft 27 to smoothly move back surface scrubbing machine 31 cleaning evenly the entire back surface of the wafer W.
なお,ウェハWの表面においても,表面供給ノズル24 Also in the surface of the wafer W, the surface supply nozzle 24
と表面スクラブ洗浄機25によって洗浄処理が行われる。 Cleaning the surface scrubbing machine 25 and is performed. 【0041】所定時間が経過し,洗浄処理が終了すると,裏面処理ノズル30からの処理液の供給が停止する。 [0041] predetermined time has elapsed, the washing process is completed, supply of the process liquid from the back surface processing nozzle 30 is stopped. 一方,裏面スクラブ洗浄機31は,回転昇降機構5 On the other hand, the back surface scrubbing machine 31 is rotated lifting mechanism 5
3の下降稼働によって下がり,処理体52はウェハWの裏面から離れる。 Down by 3 down operation, the processing member 52 is separated from the rear surface of the wafer W. その後,スピンチャック20を更に高速回転させて,ウェハWの裏面から処理液を振り切って乾燥処理を行う。 Thereafter, further rotated at a high speed spin chuck 20, a drying process is performed, shake off the processing liquid from the rear surface of the wafer W. この際に,ウェハWの表面の乾燥処理も行われる。 When this is done the drying process of the surface of the wafer W. 【0042】その後,処理工程が終了したウェハWは処理装置13から搬出され,処理装置14に搬送され,以下同様に,処理装置14,15において,ウェハWの表面及び裏面に対して,洗浄処理及び乾燥処理が行われる。 [0042] Thereafter, the wafer W where a process step is completed is unloaded from the processing unit 13, is conveyed to the processor 14, and so on to, in the processing apparatus 14 and 15, relative to the front and back surfaces of the wafer W, the cleaning process and drying process is performed. こうして,洗浄処理部6での処理工程が終了したウェハWは再びキャリアCに収納され,続いて,残りの2 Thus, the wafer W where a process step is completed in the cleaning section 6 is housed in the carrier C again, followed by the remaining 2
4枚のウェハWに対しても一枚づつ同様な処理が行われていく。 One by one the same process is going to be done with respect to four of the wafer W. こうして,25枚のウェハWの処理が終了すると,キャリアC単位で洗浄処理システム1外に搬出される。 Thus, the processing of the 25 wafers W is completed, it is transported to the cleaning system 1 outside the carrier C units. 【0043】かくして,本発明の実施の形態の処理装置13によれば,スピンチャック20の回転軸27を中空に形成し,この中に裏面処理ノズル30を配置させることにより,裏面処理ノズル30による処理液の吐出を邪魔するものがなくなる。 [0043] Thus, according to the processing apparatus 13 of the present invention, the rotary shaft 27 and the hollow formed in the spin chuck 20, by placing the rear surface treatment nozzle 30 therein, due to the back surface processing nozzle 30 which disturb the discharge of the processing liquid is eliminated. 従って,ウェハWの裏面に気液界面が発生するのを防止し,むらなく洗浄処理することができる。 Therefore, it is possible to prevent the gas-liquid interface on the back surface of the wafer W is generated, to evenly cleaning. その結果,裏面処理ノズル30による有効な洗浄処理が可能となる。 As a result, it is possible to effective cleaning process by rear surface treatment nozzle 30. また,裏面スクラブ洗浄機31 Further, the back surface scrubbing machine 31
も回転軸27を中空に配置しているため,裏面スクラブ洗浄機31による洗浄動作を邪魔するものがなく,ウェハWの裏面をむらなく洗浄処理することができる。 Also because of the arrangement the rotation shaft 27 to the hollow, may be those that disturb the cleaning operation by the back surface scrubbing machine 31 without washing process evenly the back surface of the wafer W. その結果,裏面スクラブ洗浄機31による有効な洗浄処理が可能となる。 As a result, it is possible to effective cleaning with the back surface scrubbing machine 31. また,ウェハWの表面を洗浄処理する表面処理ノズル24と表面スクラブ機25を設けるので,一つの処理装置13でウェハWの表面と裏面を同時に処理液で洗浄処理できる。 Further, since providing a surface treatment nozzle 24 and the surface scrubbing machine 25 for cleaning the surface of the wafer W, in one treatment unit 13 can be cleaned treat the surface and the back surface of the wafer W at the same time with a processing solution. 従って,処理時間を短縮すると共に,ウェハW反転機構等を設ける必要がなく,システム自体の小型化が実現可能となる。 Therefore, it becomes possible to shorten the processing time, there is no need to provide a wafer W reversing mechanism such as, size of the system itself can be realized. 【0044】なお,処理装置13において,裏面処理ノズルをウェハWの裏面中央から任意の周縁部まで同時に処理液を供給するように構成しても良い。 [0044] In the process unit 13 may be configured to backside processing nozzle to supply simultaneously process liquid from the back center of the wafer W to an arbitrary periphery. 図8に示す実施の形態では,裏面処理ノズル70は,長手方向の幅がウェハWの半径とほぼ等しい長さを有しているノズル本体71を備えており,このノズル本体71の上面には, In the embodiment shown in FIG. 8, the rear surface processing nozzle 70, the longitudinal width has a nozzle body 71 having a length approximately equal to the radius of the wafer W, the upper surface of the nozzle body 71 ,
少なくともウェハWの裏面中央から任意の周縁部に沿って複数の吐出口72が並んで配置されている。 Are arranged side by side a plurality of discharge ports 72 along any of the peripheral portion from the center of the back surface of at least the wafer W. 以上の構成によれば,洗浄処理をする際に,裏面処理ノズル70 According to the above configuration, when the cleaning process, the back surface treatment nozzle 70
は,ノズル本体71の複数の吐出口72から処理液を吐出し,少なくともウェハWの裏面中央から任意の周縁部に処理液を同時に供給する。 Ejects a processing liquid from a plurality of discharge ports 72 of the nozzle body 71, simultaneously supplying a processing liquid to any of the periphery from the center of the back surface of at least the wafer W. そして,スピンチャック2 Then, the spin chuck 2
0の回転により,ウェハWの裏面全体に処理液が供給される。 Rotation of 0, the process liquid is supplied to the entire back surface of the wafer W. こうして,裏面処理ノズル70は,ウェハWの裏面をむらなく洗浄処理することができる。 Thus, the rear surface processing nozzle 70 can be washed processing evenly back surface of the wafer W. なお,図8で示す裏面処理ノズル70では,ノズル本体71の形状以外は先に説明した図3の裏面処理ノズル30と同様の構成を有しているので,その他の構成については説明を省略する。 In the rear surface processing nozzle 70 shown in FIG. 8, since except for the shape of the nozzle body 71 has the same configuration as the rear surface treatment nozzle 30 of FIG. 3 described above, will not be described other configurations . 【0045】さらに,ノズル本体に吐出部を設けさせ, [0045] Further, the discharge portion allowed provided in the nozzle body,
そこから少なくともウェハWの裏面中央から任意の周縁部までを同時に処理液を供給するように構成しても良い。 From there it may be configured to provide at the same time the processing liquid any until the periphery from the center of the back surface of at least the wafer W. 図9に示す実施の形態では,裏面処理ノズル73 In the embodiment shown in FIG. 9, the rear surface processing nozzle 73
は,ノズル本体74に吐出部75を設け,この吐出部7 Is the discharge portion 75 provided in the nozzle body 74, the discharge unit 7
5からスプレー状に処理液を吐出することにより,ウェハWの裏面中央から任意の周縁部まで同時に処理液を供給する。 By ejecting processing liquid in a spray form from 5 simultaneously supplies the treatment liquid from the center of the back surface of the wafer W to an arbitrary periphery. また,洗浄処理の種類によっては回転軸の中空に,裏面処理ノズルだけを設け処理液の供給のみでウェハWの裏面を洗浄処理をしても良し,スクラブ洗浄機だけを設けスクラブ洗浄のみでウェハWの裏面を洗浄処理しても良い。 Also, hollow rotation shaft depending on the type of cleaning process, good even if the cleaning process the rear surface of the wafer W only by the supply of the treatment liquid is provided only rear surface treatment nozzle, wafer only scrubbing provided only scrubbing machine W may be washed processing the back of. 【0046】 【発明の効果】 本発明によれば,裏面処理手段を中空に形成された回転軸の内部にジェットノズルやメガソニッ [0046] According to the present invention, the jet nozzle and the interior of the rotating shaft of the rear surface treatment means were formed to be hollow Megasoni'
クノズル,処理体を配置しているので, それらによる洗浄動作が回転保持手段に係る構成要素によって邪魔されない。 Kunozuru, since the placing processed, the cleaning operation by they are not disturbed by the components of the rotary holding means. その結果, ジェットノズルやメガソニックノズ As a result, the jet nozzle and mega sonic nozzle
ル,処理体は,基板の裏面に対して有効な洗浄処理を行える。 Le, treating body, enabling the effective cleaning process on the back surface of the substrate. さらに,一つの処理装置で基板の表面と裏面を同時に処理できるので,処理時間を短縮すると共に,システム自体の小型化が実現可能となる。 Furthermore, since a single processor can simultaneously treat the surface and the back surface of the substrate, as well as shorten the processing time, miniaturization of the system itself can be realized. 基板を回転させた The substrate is rotated
状態で,少なくとも基板の裏面中央から任意の周縁部ま State, any of the peripheral portion or the center of the rear surface of at least a substrate
で処理液を吐出できるので,基板の裏面全体に処理液を Since the in processing liquid can be discharged, the treatment liquid on the entire back surface of the substrate
均一に供給することができる。 It can be uniformly supplied. 基板を回転させた状態 State the substrate was rotated
で,処理体を基板の裏面中央から任意の周縁部まで移動 In, moving the processed to any of the periphery from the center of the back surface of the substrate
自在するので,処理体は基板の裏面全体に漏れなく接触 Since freely, treating body contact without leakage to the entire back surface of the substrate
できる。 it can. 【0047】 【0048】 【0049】 【0050】 [0047] [0048] [0049] [0050]

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の実施の形態にかかる処理装置を備えた洗浄処理システムの平面図である。 It is a plan view of a cleaning system having such processing apparatus according to the embodiment of the BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS [Figure 1] present invention. 【図2】洗浄処理システムの斜視図である。 2 is a perspective view of the cleaning system. 【図3】処理装置の断面図である。 3 is a cross-sectional view of the processing apparatus. 【図4】処理装置の平面図である。 4 is a plan view of the processing apparatus. 【図5】裏面処理ノズル及び裏面スクラブ洗浄機の斜視図である。 5 is a perspective view of a rear surface treatment nozzle and the back surface scrubbing machine. 【図6】薬液供給回路及び純水供給回路の回路図である。 6 is a circuit diagram of a chemical liquid supply circuit and pure water supply circuit. 【図7】裏面処理ノズルをメガソニックノズルにした場合の説明図である。 7 is an explanatory diagram of a case where the rear surface treatment nozzle megasonic nozzle. 【図8】裏面処理ノズルを少なくともウェハWの裏面中央から任意の周縁部まで同時に処理液を供給できるようにした場合の説明図である。 8 is an explanatory diagram of a case where such a rear surface treatment nozzle can be supplied at least at the same time the treatment liquid from the center of the back surface of the wafer W to an arbitrary periphery. 【図9】裏面処理ノズルを少なくともウェハWの裏面中央から任意の周縁部まで同時に処理液を供給できるようにした図8とは異なる場合の説明図である。 9 is an explanatory view of a case different from that of FIG. 8 which is adapted to backside treatment nozzle can be supplied at least at the same time the treatment liquid from the center of the back surface of the wafer W to an arbitrary periphery. 【図10】従来の裏面洗浄処理装置の断面図である。 10 is a cross-sectional view of a conventional back surface cleaning apparatus. 【図11】従来の裏面洗浄処理装置の平面図である。 11 is a plan view of a conventional back surface cleaning apparatus. 【符号の説明】 W ウェハ1 洗浄処理システム13,14,15,16,17,18 処理装置20 スピンチャック26 モータ27 回転軸30 裏面処理ノズル31 裏面スクラブ洗浄機34 ジェットノズル52 処理体65 励振器66 メガソニックノズル [EXPLANATION OF SYMBOLS] W wafer 1 cleaning system 13,14,15,16,17,18 processor 20 spin chuck 26 motor 27 rotary shaft 30 rear surface treatment nozzle 31 back surface scrubbing machine 34 jet nozzle 52 processed 65 exciter 66 mega sonic nozzle

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平7−169732(JP,A) 特開 平8−255776(JP,A) 特開 平7−335599(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl. 7 ,DB名) H01L 21/304 B08B 3/02 H01L 21/68 Of the front page Continued (56) Reference Patent flat 7-169732 (JP, A) JP flat 8-255776 (JP, A) JP flat 7-335599 (JP, A) (58) investigated the field (Int .Cl. 7, DB name) H01L 21/304 B08B 3/02 H01L 21/68

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 基板を回転自在に保持する回転保持手段と,前記回転保持手段に保持された基板の表面を処理する表面処理手段と,前記回転保持手段に保持された基板の裏面を処理する裏面処理手段を備えた処理装置において, 前記回転保持手段の回転軸を中空に形成し,この中空に形成された回転軸の内部に,基板の裏面に向かって高圧 (57) and the rotation holding means for rotatably holding the Patent Claims 1. A substrate, a surface treatment unit for treating the surface of the substrate held by the rotary holding means, to said rotary holding unit in the processing apparatus having a rear surface processing means for processing the back surface of the substrate held, the rotation axis of the rotary holding means is a hollow formed in the interior of the rotary shaft which is formed in this hollow, toward the back surface of the substrate high voltage
    な処理液を吐出するジェットノズルと,このジェットノ And the jet nozzle for discharging the Do processing solution, the jet Roh
    ズルを少なくとも基板の裏面中央から任意の周縁部の間 During the nozzle at least from the center of the back surface of the substrate of any of the peripheral portion
    で移動させる水平関節型ロボットとを配置し, The horizontal articulated robot is arranged to in movement, 前記ジェットノズルを移動させる水平関節型ロボット Horizontal articulated robot for moving said jet nozzle
    は,第1のアームと第2のアームを備え,前記第1のア Comprises a first arm and a second arm, the first A
    ームの基端部にはモータの動力によって正逆回転する回 Times of forward and reverse rotation by the power of the motor to the proximal end portion of the over arm
    転軸が接続され,前記第2のアームの先端部には前記ジ Rotating shaft is connected, above the tip of the second arm di
    ェットノズルが設けられていることを特徴とする,処理 Wherein the Ettonozuru is provided, the process
    装置。 apparatus. 【請求項2】 基板を回転自在に保持する回転保持手段 Wherein rotation holding means for rotatably holding a substrate
    と,前記回転保持手段に保持された基板の表面を処理す If, to process the surface of the substrate held by the rotary holding means
    る表面処理手段と,前記回転保持手段に保持された基板 A surface treatment means that, the substrate held by the rotary holding means
    の裏面を処理する裏面処理手段を備えた処理装置におい Processor odor having a rear surface processing means for processing the back surface of
    て, 前記回転保持手段の回転軸を中空に形成し,この中空に Te, the rotation axis of the rotary holding means hollow formed in the hollow
    形成された回転軸の内部に,励振器が内蔵されたメガソ The interior of a formed rotary shaft, exciter is incorporated Megaso
    ニックノズルと,このメガソニックノズルを少なくとも And Nick nozzle, this mega sonic nozzle at least
    基板の裏面中央から任意の周縁部の間で移動させる水平 Horizontal moving between the center of the back surface of the substrate of any of the peripheral portion
    関節型ロボットとを配置し, 前記メガソニックノズルを移動させる水平関節型ロボッ Place the articulated robot, the horizontal articulated robot that moves the megasonic nozzle
    トは,第1のアームと第2のアームを備え,前記第1の DOO comprises a first arm and a second arm, the first
    アームの基端部にはモータの動力によって正逆回転する The base end portion of the arm for forward and reverse rotation by the power of the motor
    回転軸が接続され,前記第2のアームの先端部には前記 Rotary shaft is connected, above the tip of the second arm
    メガソニックノズルが設けられていることを特徴とす It is characterized in that the megasonic nozzle are provided
    る,処理装置。 That, the processing device. 【請求項3】 更に,前記中空に形成された回転軸の内 3. Further, among the rotary shaft formed in the hollow
    部に,基板の裏面に接触する処理体と,この処理体を少 The parts, and processed in contact with the back surface of the substrate, the processed low
    なくとも基板の裏面中央から任意の周縁部の間で移動さ Without even of movement between any of the peripheral portion from the center of the back surface of the substrate
    せる水平関節型ロボットとを配置し, 前記処理体を移動させる水平関節型ロボットは,第1の The horizontal articulated robot is arranged to a horizontal articulated robot for moving the processing member is first
    アームと第2のアームを備え,前記第1のアームの基端 An arm and a second arm, the proximal end of said first arm
    部には回転昇降機構の動力によって正逆回転する回転軸 Axis of rotation forward and reverse rotation by the power of the rotating lifting mechanism in Part
    が接続され,前記第2のアームの先端部には前記処理体 There are connected, the the distal end portion of the second arm processed
    が設けられてい ることを特徴とする,請求項1又は2に It characterized that you have is provided in claim 1 or 2
    記載の処理装置。 Processing device as claimed. 【請求項4】 前記処理体は上下動自在であり,上昇し Wherein said processed is vertically movable, elevated
    て前記基板の裏面に接触した状態と,前記基板の裏面の And a state of being in contact with the back surface of the substrate Te, the back surface of the substrate
    下方に下がった状態とに切り換えられるように構成され It is configured to be switched between a state of lowered downwardly
    ていることを特徴とする請求項3に記載の処理装置。 Processing apparatus according to claim 3, characterized in that is.
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