KR20160134922A - method and Apparatus for Processing Substrate - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an apparatus for processing a substrate. The apparatus for processing the substrate according to an embodiment of the present invention includes: a cup providing a processing space processing the substrate; a support unit including a body which is arranged in the processing space and supports the substrate and has a hollow formed at a center, and a driver rotating the body; a cleaning solution spraying member supplying a cleaning solution to an upper plane of the body; a back nozzle unit which has a support axis inserted into the hollow of the body and and a skirt which is combined to an upper part of the support axis and is provided to protrude from the upper plane of the body, and sprays the cleaning solution to a bottom of the substrate; and a controller controlling the cleaning solution spraying member and the support unit. The controller controls the cleaning solution spraying member so that the cleaning solution is sprayed to an inner edge of the upper plane of the body during a process of cleaning the support unit.

Description

기판 처리 장치 및 방법{method and Apparatus for Processing Substrate}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus,

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판 처리에 사용되는 기판 지지 유닛과 백노즐 유닛을 세정하는 백노즐 유닛을 세정하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus and a method for processing a substrate, and more particularly, to an apparatus and a method for cleaning a back nozzle unit for cleaning a back nozzle unit and a substrate supporting unit used for substrate processing.

반도체 소자를 제조하기 위해서 웨이퍼와 같은 기판 상에 다층의 박막을 형성한다. 박막 형성에는 에칭이나 세정 처리와 같은 기판 처리 공정이 필수적으로 수행된다. 처리유체를 이용한 기판 처리 공정에 있어서, 기판의 저면에 증착된 박막 등은 후속 공정에서 이물질로 작용하므로 이러한 불필요한 박막 등과 같은 이물질을 제거하기 위한 목적으로 기판의 저면에도 처리유체 공정을 진행한다. 이를 위해서 기판의 저면에 백노즐 유닛을 이용하여 처리유체를 분사한다. 이 경우, 회전을 하는 바디와 바디의 내부에 삽입되어 회전을 하지 않는 백노즐 유닛 간의 틈에 처리유체가 잔류하며, 이는 이후 기판 처리 공정시에 기판을 오염시킨다.
A multilayer thin film is formed on a substrate such as a wafer in order to produce a semiconductor device. For forming the thin film, a substrate processing step such as etching or cleaning treatment is essentially performed. In a substrate processing process using a processing fluid, a thin film or the like deposited on the bottom of the substrate acts as a foreign substance in a subsequent process. Therefore, a processing fluid process is performed on the bottom surface of the substrate for the purpose of removing foreign substances such as unnecessary thin films. To this end, a processing fluid is injected onto the bottom surface of the substrate using a back nozzle unit. In this case, the treatment fluid remains in the gap between the rotating body and the back nozzle unit which is inserted into the body and does not rotate, which then contaminates the substrate during the substrate processing process.

본 발명은 지지 유닛과 백노즐 유닛 사이의 틈을 세정하여, 기판이 오염되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of cleaning a gap between a support unit and a back nozzle unit to prevent contamination of the substrate.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
The objects of the present invention are not limited thereto, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판을 처리하는 처리 공간을 제공하는 컵;상기 처리 공간 내에 배치되고 상기 기판을 지지하며 중앙에 중공이 형성된 바디 및 상기 바디를 회전시키는 구동기를 포함하는 지지유닛; 상기 바디의 상면에 세정액을 공급하는 세정액 분사부재; 상기 바디의 상기 중공에 삽입되는 지지축과 상기 지지축의 상단에 결합되며 상기 바디의 상면으로부터 돌출되게 제공되는 스커트를 가지며, 상기 기판의 저면에 세정액을 분사하는 백노즐 유닛; 및 상기 세정액 분사부재 및 상기 지지유닛을 제어하는 제어기를 포함하고, 상기 제어기는 상기 지지유닛을 세정하는 공정 진행시 상기 세정액이 상기 바디의 상면 중 내측 가장 자리에 분사되도록 상기 세정액 분사부재를 제어한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a process cartridge comprising: a cup providing a processing space for processing a substrate; a support unit disposed in the processing space, the support unit including a body supporting the substrate and having a hollow at the center; A cleaning liquid jetting member for supplying a cleaning liquid to an upper surface of the body; A back nozzle unit having a support shaft inserted into the hollow of the body and a skirt coupled to an upper end of the support shaft and protruding from an upper surface of the body, the back nozzle unit spraying a cleaning liquid onto a bottom surface of the substrate; And a controller for controlling the cleaning liquid jetting member and the supporting unit, wherein the controller controls the cleaning liquid jetting member such that the cleaning liquid is jetted to the inner edge of the upper surface of the body in the process of cleaning the supporting unit .

일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 세정액이 상기 바디의 상면에 분사되는 동안에, 상기 바디를 제1 방향으로 회전시키고, 이후에 상기 바디를 상기 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 회전시킨다.According to one embodiment, the controller rotates the body in the first direction while the cleaning liquid is sprayed on the upper surface of the body, and then rotates the body in the second direction opposite to the first direction .

일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 지지유닛을 세정하는 공정 진행시에 상기 스커트를 기준으로 세정액의 분사 위치를 변경시킨다.According to one embodiment, the controller changes the injection position of the cleaning liquid on the basis of the skirt during the process of cleaning the supporting unit.

일 실시예에 의하면, 상기 제어기는 상기 지지유닛을 세정하는 공정 진행시에 상기 스커트의 일측에 상기 세정액을 분사하는 제1 세정단계와 상기 스커트의 상기 일측과 반대인 타측에 상기 세정액을 분사하는 제2 세정단계가 수행되도록, 상기 세정액 분사부재를 제어한다.According to one embodiment, the controller may include a first cleaning step of spraying the cleaning liquid to one side of the skirt during a process of cleaning the supporting unit, and a second cleaning step of spraying the cleaning liquid on the other side opposite to the one side of the skirt The cleaning liquid jetting member is controlled so that the two cleaning steps are performed.

일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 제1 세정단계 동안에 상기 바디는 제1 방향으로 회전하고, 상기 제2 세정단계 동안에 상기 바디는 상기 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 회전하도록 제어한다.According to one embodiment, the controller controls the body to rotate in a first direction during the first cleaning step and the body to rotate in a second direction opposite to the first direction during the second cleaning step .

일 실시예에 의하면, 상기 바디의 상면 또는 상기 스커트에 건조 가스를 공급하는 가스 분사부재를 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 세정액 분사부재가 상기 세정액의 분사를 완료한 이후에 상기 가스 분사부재가 상기 건조 가스를 분사하도록 제어한다.According to an embodiment, the apparatus further includes a gas injection member for supplying a dry gas to the upper surface of the body or the skirt, and the controller is configured to control the gas injection member such that, after the cleaning liquid injection member completes injection of the cleaning liquid, Thereby controlling the spraying of the dry gas.

일 실시예에 의하면, 상기 가스 분사부재는 상기 컵에 고정 설치되는 고정 분사부재를 포함하고, 상기 제어기는, 상기 고정 분사부재가 상기 스커트 상면의 중심에 상기 건조 가스를 분사하도록 제어한다.According to one embodiment, the gas injection member includes a fixed injection member fixedly mounted on the cup, and the controller controls the fixed injection member to inject the dry gas onto the center of the upper surface of the skirt.

일 실시예에 의하면, 상기 가스 분사부재는 이동 분사부재를 포함하고, 상기 제어기는, 상기 이동 분사부재가 상기 스커트의 상면의 중심으로부터 상기 바디의 상면의 내측 가장자리까지 회동하면서 상기 건조 가스를 분사하도록 제어한다.According to one embodiment, the gas injection member includes a moving injection member, and the controller causes the moving injection member to inject the drying gas while rotating from the center of the upper surface of the skirt to the inner edge of the upper surface of the body .

본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다.The present invention provides a substrate processing method.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판을 지지하고 중앙에 중공이 형성된 바디 및 상기 바디를 회전시키는 구동기를 포함하는 지지유닛, 상기 바디의 상기 중공에 삽입되는 지지축과 상기 지지축의 상단에 결합되며 상기 바디의 상면으로부터 돌출되게 제공되는 스커트;를 포함하는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하되, 상기 바디를 회전하면서 상기 바디의 내측 가장자리에 세정액을 분사한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a support unit comprising: a support unit including a body supporting the substrate and having a hollow at the center thereof and a driver rotating the body; a support shaft inserted into the hollow of the body; And a skirt provided so as to protrude from an upper surface of the body, wherein the cleaning liquid is sprayed to the inner edge of the body while rotating the body using the substrate processing apparatus.

일 실시예에 의하면, 상기 세정액이 상기 바디의 상면에 분사되는 동안에, 상기 바디를 제1 방향으로 회전시키고, 이후에 상기 바디를 상기 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 회전시킨다.According to an embodiment, while the cleaning liquid is sprayed on the upper surface of the body, the body is rotated in a first direction and then the body is rotated in a second direction opposite to the first direction.

일 실시예에 의하면, 상기 지지유닛을 세정하는 공정 진행시에, 상기 스커트를 기준으로 상기 세정액을 분사하는 위치를 변경한다.According to one embodiment, the position of spraying the cleaning liquid on the basis of the skirt is changed during the process of cleaning the supporting unit.

일 실시예에 의하면, 상기 지지유닛을 세정하는 공정 진행시에, 상기 스커트의 일측에 상기 세정액을 분사하는 제1 세정단계와 상기 스커트의 상기 일측과 반대인 타측에 상기 세정액을 분사하는 제2 세정단계가 수행된다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a cleaning method comprising: a first cleaning step of spraying the cleaning liquid onto one side of the skirt in a process of cleaning the supporting unit; and a second cleaning step of spraying the cleaning liquid on the other side opposite to the one side of the skirt Step is performed.

일 실시예에 의하면, 상기 제1 세정단계 동안에 상기 바디는 제1 방향으로 회전하고, 상기 제2 세정단계 동안에 상기 바디는 상기 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 회전한다.According to one embodiment, the body rotates in a first direction during the first rinse step, and the body rotates in a second direction opposite to the first direction during the second rinse step.

일 실시예에 의하면, 상기 세정액의 분사가 완료된 후, 상기 바디의 상면과 상기 스커트에 건조 가스를 분사하는 단계를 더 포함한다.According to an embodiment, after the spraying of the washing liquid is completed, the drying gas may be sprayed onto the upper surface of the body and the skirt.

일 실시예에 의하면, 상기 건조 가스는, 상기 스커트의 상면의 중심과 상기 바디의 상면의 내측 가장자리 사이에 분사된다.According to one embodiment, the dry gas is injected between the center of the upper surface of the skirt and the inner edge of the upper surface of the body.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판의 저면을 세정처리하는 백노즐 유닛을 세정 및 건조할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the back nozzle unit for cleaning the bottom surface of the substrate can be cleaned and dried.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판의 저면을 세정처리한 이후의 기판 처리 공정시에 기판이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
Further, according to the embodiment of the present invention, the substrate can be prevented from being contaminated during the substrate processing step after the bottom surface of the substrate is cleaned.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치가 제공된 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 일 실시예를 도시한 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 지지유닛과 백노즐 유닛을 나타낸 도면이다.
도 4 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 유닛과 백노즐 유닛의 세정 과정을 순차적으로 보여주는 도면들이다.
도 6은 도 4 내지 도 5의 세정액 분사부재가 세정액을 분사하는 것을 보여주는 도면이다.
도 7 내지 도 8은 본 발명의 변형예에 따른 지지 유닛과 백노즐 유닛의 세정 과정을 순차적으로 보여주는 도면들이다.
도 9 내지 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 지지 유닛과 백노즐 유닛의 세정 과정을 순차적으로 보여주는 도면들이다.
도 11은 도 9 내지 도 10의 가스 분사부재가 건조 가스를 분사하는 것을 보여주는 도면이다.
도 12는 본 발명의 다른 변형예에 따른 지지 유닛과 백노즐 유닛의 세정 과정을 보여주는 도면이다.
1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus provided with a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing one embodiment of the substrate processing apparatus of FIG.
FIG. 3 is a view showing the support unit and the back nozzle unit shown in FIG. 2. FIG.
4 to 5 are views sequentially illustrating cleaning processes of the support unit and the back nozzle unit according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a view showing the cleaning liquid jetting member of FIGS. 4 to 5 jetting the cleaning liquid. FIG.
FIGS. 7 to 8 are views sequentially illustrating the cleaning process of the support unit and the back nozzle unit according to the modification of the present invention.
9 to 10 are views sequentially illustrating cleaning processes of the support unit and the back nozzle unit according to another embodiment of the present invention.
Fig. 11 is a view showing that the gas injection member of Figs. 9 to 10 injects the dry gas.
12 is a view showing a cleaning process of the support unit and the back nozzle unit according to another modification of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. The shape of the elements in the figures is therefore exaggerated to emphasize a clearer description.

이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 1 to FIG.

도 1은 본 발명의 기판 처리 설비(1)를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus 1 of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(100)과 공정 처리 모듈(200)을 포함한다. 인덱스 모듈(100)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 포함한다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes an index module 100 and a process processing module 200. The index module 100 includes a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 200 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the processing module 200 are arranged is referred to as a first direction 12. A direction perpendicular to the first direction 12 is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction (16).

로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 놓인다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(200)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)으로 복수 개가 제공된다. 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(130)내에 위치된다. 캐리어(130)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.The carrier 130 in which the substrate W is housed is placed in the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 1, four load ports 120 are shown. However, the number of load ports 120 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process processing module 200. A carrier (130) is provided with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate (W). A plurality of slots are provided in the third direction 16. The substrates W are positioned in the carrier 130 so as to be stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. As the carrier 130, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(200)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 포함한다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(260)이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측에 위치한 공정챔버들(260)과 이송챔버(240)의 타측에 위치한 공정챔버들(260)은 이송챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The processing module 200 includes a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed on one side and the other side of the transfer chamber 240 along the second direction 14, respectively. The process chambers 260 located at one side of the transfer chamber 240 and the process chambers 260 located at the other side of the transfer chamber 240 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are stacked together. That is, at one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B (where A and B are each at least one natural number). Where A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. Also, unlike the above, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and on both sides of the transfer chamber 240.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other in the third direction 16. The surface of the buffer unit 220 opposed to the transfer frame 140 and the surface of the transfer chamber 240 facing each other are opened.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 바디(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 바디(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 바디(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 바디(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 바디(144b)에 결합되고, 바디(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(200)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(200)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the carrier 130 that is seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 200 to the carrier 130 while others are used to transfer the substrate W from the carrier 130 to the processing module 200. [ As shown in Fig. This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 바디(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 바디(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 바디(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 바디(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 바디(244b)에 결합되고, 이는 바디(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼유닛(220)에서 공정챔버(260)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)과 공정챔버(260)에서 버퍼유닛(220)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)은 서로 상이할 수 있다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed so as to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. The body 244b is also provided to be rotatable on the base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided to be movable forward and backward relative to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided and each is provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. A main arm 244c used when the substrate W is transferred from the buffer unit 220 to the process chamber 260 and a main arm 244b used when the substrate W is transferred from the process chamber 260 to the buffer unit 220 The main arms 244c may be different from each other.

공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 각각의 공정챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(240)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(260)이 제공되고, 이송챔버(240)의 타측에는 제2그룹의 공정챔버들(260)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(240)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(260)와 제2그룹의 공정챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다.
In the process chamber 260, a substrate processing apparatus 300 for performing a cleaning process on the substrate W is provided. The substrate processing apparatus 300 provided in each process chamber 260 may have a different structure depending on the type of the cleaning process to be performed. Alternatively, the substrate processing apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups, and the substrate processing apparatuses 300 provided in the process chambers 260 belonging to the same group have the same structure and are provided in the process chambers 260 belonging to different groups The substrate processing apparatuses 300 may have different structures from each other. For example, if the process chambers 260 are divided into two groups, a first group of process chambers 260 is provided on one side of the transfer chamber 240 and a second group of process chambers 260 are provided on the other side of the transfer chamber 240 Process chambers 260 may be provided. Optionally, a first group of process chambers 260 may be provided on the lower layer and a second group of process chambers 260 may be provided on the upper and lower sides of the transfer chamber 240, respectively. The first group of process chambers 260 and the second group of process chambers 260 may be classified according to the type of the chemical used and the type of the cleaning method.

아래에서는 처리 유체를 이용하여 기판(W)을 세정하는 기판 처리 장치(300)의 일 예를 설명한다. 도 2 내지 도 3은 기판 처리 장치(300)의 일 예를 보여주는 도면이다.An example of the substrate processing apparatus 300 for cleaning the substrate W using the processing fluid will be described below. FIGS. 2 to 3 are views showing an example of the substrate processing apparatus 300. FIG.

도 2를 참조하면, 기판처리장치(300)는 컵(320), 지지유닛(340), 승강유닛(360), 세정액 분사부재(380), 가스 분사부재(500), 백노즐 유닛(400), 제어기(1000)를 가진다. 컵(320)은 기판처리공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다. 컵(320)은 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리유체 중 서로 상이한 처리유체를 회수한다. 내부회수통(322)은 지지유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리유체가 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리유체를 배출한다. 배출된 처리유체는 외부의 처리유체 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.2, the substrate processing apparatus 300 includes a cup 320, a support unit 340, a lift unit 360, a cleaning liquid injection member 380, a gas injection member 500, a back nozzle unit 400, , And a controller (1000). The cup 320 provides a space in which the substrate processing process is performed, and the upper portion thereof is opened. The cup 320 has an inner recovery cylinder 322, an intermediate recovery cylinder 324, and an outer recovery cylinder 326. Each of the recovery cylinders 322, 324, and 326 recovers a different treatment fluid among the treatment fluids used in the process. The inner recovery bottle 322 is provided in an annular ring shape surrounding the support unit 340 and the intermediate recovery bottle 324 is provided in the shape of an annular ring surrounding the inner recovery bottle 322 and the outer recovery bottle 326 Is provided in the shape of an annular ring surrounding the intermediate recovery bottle 324. The inner space 322a of the inner recovery cylinder 322 and the space 324a between the inner recovery cylinder 322 and the intermediate recovery cylinder 324 and the space 324 between the intermediate recovery cylinder 324 and the outer recovery cylinder 326 326a function as an inlet through which the processing fluid flows into the inner recovery cylinder 322, the intermediate recovery cylinder 324, and the outer recovery cylinder 326, respectively. Recovery passages 322b, 324b, and 326b extending vertically downward from the bottom of the recovery passages 322, 324, and 326 are connected to the recovery passages 322, 324, and 326, respectively. Each of the recovery lines 322b, 324b, and 326b discharges the processing fluid introduced through each of the recovery cylinders 322, 324, and 326. [ The discharged process fluid can be reused through an external process fluid regeneration system (not shown).

지지유닛(340)은 컵(320)의 처리 공간 내에 배치된다. 지지유닛(340)은 공정 진행 중 기판을 지지하고 기판을 회전시킨다. 지지유닛(340)은 바디(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 구동축(348)을 가진다. 바디(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 바디(342)는 중앙에 중공이 형성된다. 바디(342)의 저면에는 구동기(349)에 의해 회전가능한 구동축(348)이 고정결합된다. 바디(342)는 기판을 지지할 수 있도록, 지지핀(344)과 척핀(346)을 포함한다. 지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 바디(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 바디(342)에서 상부로 돌출된다. 지지핀들(344)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 바디(342)의 상부면으로부터 기판이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. 척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 바디(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 바디(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 지지유닛(340)이 회전될 때 기판이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 바디(342)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 바디(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판이 지지유닛(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척핀(346)은 대기 위치에 위치되고, 기판에 대해 공정 수행시에는 척핀(346)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척핀(346)은 기판의 측부와 접촉된다.The support unit 340 is disposed in the processing space of the cup 320. The support unit 340 supports the substrate and rotates the substrate during the process. The support unit 340 has a body 342, a support pin 344, a chuck pin 346, and a drive shaft 348. The body 342 has a top surface that is generally circular when viewed from the top. The body 342 is hollowed in the center. A driving shaft 348 rotatable by a driver 349 is fixedly coupled to the bottom surface of the body 342. The body 342 includes a support pin 344 and a chuck pin 346 to support the substrate. A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are spaced apart from the edges of the upper surface of the body 342 and protrude upward from the body 342. The support pins 344 are arranged so as to have a generally annular ring shape in combination with each other. The support pins 344 support the rear edge of the substrate such that the substrate is spaced a distance from the top surface of the body 342. [ A plurality of the chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther away from the center of the body 342 than the support pin 344. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the body 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate such that the substrate is not laterally displaced in place when the support unit 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided so as to be linearly movable between a standby position and a supporting position along the radial direction of the body 342. The standby position is a distance from the center of the body 342 relative to the support position. When the substrate is loaded into or unloaded from the support unit 340, the chuck pin 346 is positioned in the standby position and the chuck pin 346 is positioned in the support position when the substrate is being processed. At the support position, the chuck pin 346 contacts the side of the substrate.

승강유닛(360)은 컵(320)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 컵(320)이 상하로 이동됨에 따라 지지유닛(340)에 대한 컵(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 컵(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 지지유닛(340)에 놓이거나, 지지유닛(340)으로부터 들어올려 질 때 지지유닛(340)이 컵(320)의 상부로 돌출되도록 컵(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리유체의 종류에 따라 처리유체가 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 컵(320)의 높이가 조절한다. 예컨대, 제1처리유체으로 기판을 처리하고 있는 동안에 기판은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리유체, 그리고 제3처리유체으로 기판을 처리하는 동안에 각각 기판은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강유닛(360)은 컵(320) 대신 지지유닛(340)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 360 moves the cup 320 in the vertical direction. As the cup 320 is moved up and down, the relative height of the cup 320 to the support unit 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixed to the outer wall of the cup 320 and a moving shaft 364 which is moved up and down by a driver 366 is fixedly coupled to the bracket 362. The cup 320 is lowered so that the support unit 340 protrudes to the upper portion of the cup 320 when the substrate W is placed on the support unit 340 or is lifted from the support unit 340. In addition, the height of the cup 320 is adjusted so that the processing fluid may be introduced into the predetermined collection container 360 according to the type of the processing fluid supplied to the substrate W when the process is performed. For example, while processing the substrate with the first processing fluid, the substrate is positioned at a height corresponding to the inner space 322a of the inner recovery cylinder 322. [ During the processing of the substrate with the second processing fluid and the third processing fluid, the substrate is separated from the space 324a between the inner recovery cylinder 322 and the intermediate recovery cylinder 324, and between the intermediate recovery cylinder 324 and the outside And may be located at a height corresponding to the space 326a of the recovery cylinder 326. [ Unlike the above, the lifting unit 360 can move the supporting unit 340 in the vertical direction instead of the cup 320.

세정액 분사부재(380)는 기판(W) 또는 지지 유닛으로 세정액을 공급한다. 세정액은 케미칼이나 초순수일 수 있다. 세정액 분사부재(380)는 기판을 처리하는 공정시에는 기판의 상면으로 세정액을 공급하고, 지지 유닛을 세정하는 공정시에는 지지 유닛의 상면에 세정액 공급할 수 있다. 세정액 분사부재(380)는 회동이 가능할 수 있다. 세정액 분사부재(380)는 노즐 지지대(382), 노즐(384), 지지대(386), 그리고 구동부(388)를 가진다. 지지대(386)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지대(386)의 하단에는 구동부(388)가 결합된다. 구동부(388)는 지지대(386)를 회전 및 승강 운동한다. 노즐지지대(382)는 구동부(388)와 결합된 지지대(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(384)은 노즐지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(384)은 구동부(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(384)이 컵(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(384)이 컵(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 세정액 분사부재(380)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. The cleaning liquid jetting member 380 supplies the cleaning liquid to the substrate W or the supporting unit. The cleaning liquid may be a chemical or ultrapure water. The cleaning liquid jetting member 380 supplies the cleaning liquid to the upper surface of the substrate during the processing of the substrate, and the cleaning liquid to the upper surface of the supporting unit during the cleaning of the supporting unit. The cleaning liquid jetting member 380 may be rotatable. The cleaning liquid jetting member 380 has a nozzle support 382, a nozzle 384, a support 386, and a driving unit 388. The support base 386 is provided along its lengthwise direction in the third direction 16 and the drive unit 388 is coupled to the lower end of the support base 386. The driving unit 388 rotates and lifts the support table 386. The nozzle support 382 is coupled perpendicular to the opposite end of the support 386 coupled with the drive 388. The nozzle 384 is installed at the bottom end of the nozzle support 382. The nozzle 384 is moved to the process position and the standby position by the driver 388. The process position is that the nozzle 384 is located at the vertical upper portion of the cup 320 and the standby position is the position at which the nozzle 384 is away from the vertical upper portion of the cup 320. One or more cleaning liquid jetting members 380 may be provided.

가스 분사부재(500)는 건조 가스를 분사한다(도 9 내지 도 12 참조). 건조 가스는 질소 가스일 수 있다. 건조 가스는 세정액 분사후 잔류하는 세정액을 건조시킨다. 가스 분사부재(500)는 고정 분사부재(510)와 이동 분사부재(520)를 포함할 수 있다. 고정 분사부재(510)는 컵(320)에 고정 설치된다. 이동 분사부재(520)는 회동가능하도록 제공된다. 이동 분사부재(520)는 지지 유닛의 상면에 건조 가스를 분사할 수 있도록 소정 범위 내에서 일축을 중심으로 회동할 수 있다.
The gas injection member 500 injects the dry gas (see Figs. 9 to 12). The dry gas may be nitrogen gas. The drying gas dries the remaining cleaning liquid after spraying the cleaning liquid. The gas injection member 500 may include a fixed injection member 510 and a movable injection member 520. The fixed injection member 510 is fixed to the cup 320. The moving injection member 520 is provided so as to be rotatable. The moving injection member 520 can rotate about a single axis within a predetermined range so as to spray dry gas onto the upper surface of the support unit.

도 3을 참조하면, 백노즐 유닛(400)은 지지축(410), 스커트(420), 저면노즐(430)을 가진다. 지지축(410)은 바디(342)의 중공에 삽입된다. 지지축(410)은 바디(342)와 분리되어 제공되며, 바디(342)가 회전시 지지축(410)은 회전하지 않도록 제공된다. 스커트(420)는 지지축(410)의 상단에 고정결합한다. 스커트(420)는 바디(342)의 상면으로부터 돌출되도록 제공된다. 스커트(420)는 저면노즐(430)을 보호할 수 있도록 저면노즐(430)을 덮는다. 저면노즐(430)은 세정액과 건조 가스를 분사한다. 저면노즐(430)은 지지축(410)의 내부부터 스커트(420)의 상단까지 연장되도록 지지축(410) 및 스커트(420) 내부에 형성된다.Referring to FIG. 3, the back nozzle unit 400 has a support shaft 410, a skirt 420, and a bottom nozzle 430. The support shaft 410 is inserted into the hollow of the body 342. The support shaft 410 is provided separately from the body 342 and the support shaft 410 is not rotated when the body 342 rotates. The skirt 420 is fixedly coupled to the upper end of the support shaft 410. The skirt 420 is provided to protrude from the upper surface of the body 342. The skirt 420 covers the bottom surface nozzle 430 so as to protect the bottom surface nozzle 430. The bottom nozzle 430 ejects the cleaning liquid and the drying gas. The bottom nozzle 430 is formed inside the support shaft 410 and the skirt 420 so as to extend from the inside of the support shaft 410 to the top of the skirt 420.

세정액은 케미칼과 초순수일 수 있다. 건조 가스는 질소가스일 수 있다. 세정액은 기판의 저면을 세정하고, 건조 가스는 기판의 저면에 잔류하는 세정액을 건조시킨다.
The cleaning liquid may be a chemical and ultrapure water. The dry gas may be nitrogen gas. The cleaning liquid cleans the bottom surface of the substrate, and the drying gas dries the cleaning liquid remaining on the bottom surface of the substrate.

제어기(1000)는 세정액 분사부재(380), 가스 분사부재(500), 그리고 지지유닛(340)을 제어한다. The controller 1000 controls the cleaning liquid jetting member 380, the gas jetting member 500, and the supporting unit 340.

제어기(1000)는 세정액 분사부재(380)와 가스 분사부재(500)의 작동순서를 제어한다. 제어기(1000)는 세정액 분사부재(380)가 세정액을 분사 후, 가스 분사부재(500)가 건조 가스를 분사하도록 한다. 제어기(1000)는 세정액 분사부재(380)의 분사 위치를 제어한다. 제어기(1000)는 스커트(420)를 기준으로 세정액의 분사 위치를 변경시킬 수 있다. 제어기(1000)는 가스 분사부재(500)의 분사 위치를 제어한다. 또한, 제어기(1000)는 분사부재가 분사되는 동안에 지지유닛(340)의 회전을 제어한다.
The controller 1000 controls the operation sequence of the cleaning liquid injection member 380 and the gas injection member 500. The controller 1000 allows the gas jetting member 500 to jet the drying gas after the cleaning liquid jetting member 380 jetted the cleaning liquid. The controller 1000 controls the ejection position of the cleaning liquid ejection member 380. The controller 1000 can change the spray position of the cleaning liquid on the basis of the skirt 420. The controller 1000 controls the injection position of the gas injection member 500. In addition, the controller 1000 controls the rotation of the support unit 340 while the injection member is being injected.

이하. 기판 처리 장치(300)의 지지 유닛(340)과 백노즐 유닛(400)을 세정하는 과정을 설명한다. 도 4 내지 도 5는 지지 유닛(340)과 백노즐 유닛(400)을 세정하는 일 예를 순차적으로 보여주는 도면들이고, 도 6은 도 4 내지 도 5의 세정액 분사부재(380)가 세정액을 분사하는 것을 보여주는 도면이다.Below. A process of cleaning the support unit 340 and the back nozzle unit 400 of the substrate processing apparatus 300 will be described. 4 to 5 are views sequentially showing an example of cleaning the supporting unit 340 and the back nozzle unit 400, and FIG. 6 is a sectional view of the cleaning liquid jetting member 380 of FIGS. 4 to 5, Fig.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 세정액 분사부재(380)는 세정액을 바디(342)의 상면 중 내측 가장 자리에 분사할 수 있다. 바디(342) 상면의 내측 가장 자리는 스커트(420)와 인접한 부분이다. 세정액이 바디(342)의 상면에 분사되는 동안에, 바디(342)는 회전할 수 있다. 예를 들어, 세정액이 바디(342)의 상면 중에서 스커트(420)의 일측에 분사될 수 있다. 이를 제1 세정단계라고 지칭한다. 이때, 바디(342)는 제1 방향으로 회전할 수 있다. 제1 방향은 시계방향일 수 있다. 바디(342)가 회전하면서, 분사된 세정액이 바디(342)의 상면에서 널리 분산된다. 세정액은 스커트(420)와 바디(342) 사이에 형성된 틈에 스며들 수 있다. 따라서, 틈에 잔류하고 있던 처리액이 세정된다. 또한, 바디(342)의 상면 중 그 밖의 부분들에 잔류하던 처리액들도 함께 세정될 수 있다. 4 to 6, the cleaning liquid jetting member 380 can jet the cleaning liquid to the inner edge of the upper surface of the body 342. The inner edge of the upper surface of the body 342 is a portion adjacent to the skirt 420. While the cleaning liquid is sprayed on the upper surface of the body 342, the body 342 can rotate. For example, the cleaning liquid may be sprayed on one side of the skirt 420 in the upper surface of the body 342. This is referred to as a first cleaning step. At this time, the body 342 can rotate in the first direction. The first direction may be clockwise. As the body 342 rotates, the sprayed cleaning liquid is dispersed widely from the upper surface of the body 342. [ The cleaning liquid can penetrate into the gap formed between the skirt 420 and the body 342. Therefore, the treatment liquid remaining in the gap is cleaned. Also, the processing solutions remaining in other portions of the upper surface of the body 342 can be cleaned together.

제1 세정단계가 완료되면, 세정액이 바디(342)의 상면 중에서 스커트(420)의 타측에 분사될 수 있다. 이를 제2 세정단계라고 지칭한다. 이때, 바디(342)는 제2 방향으로 회전할 수 있다. 제2 방향은 반시계 방향일 수 있다. 상술한 바와 마찬가지로, 잔류하고 있던 처리액이 세정될 수 있다. 이와 같이, 세정액의 분사 위치 및 바디(342)의 회전방향을 변경함으로써, 세정액이 넓은 범위에 걸쳐 분산될 수 있다. 따라서, 바디(342)의 상면에 잔류하고 있던 처리액을 효과적으로 세정할 수 있다.When the first cleaning step is completed, the cleaning liquid may be sprayed to the other side of the skirt 420 from the upper surface of the body 342. This is referred to as a second cleaning step. At this time, the body 342 can rotate in the second direction. The second direction may be counterclockwise. The remaining process liquid can be cleaned as described above. Thus, by changing the spray position of the washer fluid and the direction of rotation of the body 342, the washer fluid can be dispersed over a wide range. Therefore, the treatment liquid remaining on the upper surface of the body 342 can be effectively cleaned.

또한, 세정액은 스커트(420)의 상면에는 분사되지 않도록 할 수 있다. 이는 저면노즐(430)에 세정액이 유입되지 않도록 하기 위함이다. 예를 들어, 제1 세정단계와 제2 세정단계 사이에 세정액 분사부재(380)가 스커트(420)의 상부 영역을 회동할 때 세정액이 토출되지 않도록 제어할 수 있다.
Further, the cleaning liquid can be prevented from being sprayed onto the upper surface of the skirt 420. This is to prevent the cleaning liquid from flowing into the bottom nozzle 430. For example, it is possible to control so that the cleaning liquid is not discharged when the cleaning liquid jetting member 380 rotates the upper region of the skirt 420 between the first cleaning step and the second cleaning step.

도 7 내지 도 8은 본 발명의 변형예에 따른 지지 유닛과 백노즐 유닛의 세정 과정을 순차적으로 보여주는 도면들이다.FIGS. 7 to 8 are views sequentially illustrating the cleaning process of the support unit and the back nozzle unit according to the modification of the present invention.

상술한 예에서는, 제1 세정단계에서 바디(342)가 제1 방향으로 회전하고, 제2 세정단계에서 바디(342)가 제2 방향으로 회전하는 것으로 설명하였으나, 도 7 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 세정단계에서 바디(342)가 제2 방향(반시계방향)으로 바디(342)가 회전할 수 있고, 제2 세정단계에서 바디(342)가 제1 방향(시계방향)으로 회전할 수 있다. 또한, 제1 세정단계와 제2 세정단계에서 바디(342)의 회전방향이 제1 방향 또는 제2 방향 중 어느 하나로 일관되어 지속될 수 있다. In the above-described example, the body 342 rotates in the first direction in the first cleaning step and the body 342 rotates in the second direction in the second cleaning step. However, as shown in FIGS. 7 to 8, The body 342 can be rotated in the second direction (counterclockwise) in the first cleaning step and the body 342 can be rotated in the first direction (clockwise) in the second cleaning step, It can rotate. Further, in the first cleaning step and the second cleaning step, the rotation direction of the body 342 can be consistently maintained in either the first direction or the second direction.

또는, 제1 세정단계에서 바디(342)가 제1 방향과 제2 방향 중 어느 하나의 방향으로 회전하다가 일정시간이 지나면 다른 방향으로 회전할 수 있다. 마찬가지로 제2 세정단계에서도 바디(342)가 제1 방향과 제2 방향 중 어느 하나의 방향으로 회전하다가 일정시간이 지나면 다른 방향으로 회전할 수 있다.Alternatively, in the first cleaning step, the body 342 rotates in one of the first direction and the second direction, and then rotates in a different direction after a predetermined period of time. Likewise, in the second cleaning step, the body 342 rotates in either the first direction or the second direction and then rotates in a different direction after a predetermined time.

상술한 예에서는, 세정단계가 제1 세정단계와 제2 세정단계가 순차적으로 이루어지는 것으로 설명하였으나, 세정단계 순서는 서로 변경되거나 둘 중 어느 하나는 생략될 수 있다. In the above-described example, the cleaning step is described as the sequential execution of the first cleaning step and the second cleaning step, but the order of the cleaning steps may be mutually changed, or either one of them may be omitted.

이와 같이, 세정액이 스커트(420)의 일측 또는 타측 중에서 분사되는 위치와, 바디(342)가 회전하는 방향은 다양하게 변형하여 실시가 가능하다.
As described above, the position where the cleaning liquid is sprayed from one side or the other side of the skirt 420 and the direction in which the body 342 rotates can be variously modified.

이하. 기판 처리 장치(300)의 지지 유닛(340)과 백노즐 유닛(400)을 건조하는 과정을 설명한다. 도 9 내지 도 10은 지지 유닛(340)과 백노즐 유닛(400)을 건조하는 일 예를 순차적으로 보여주는 도면들이고, 도 11은 도 9 내지 도 10의 가스 분사부재(501)가 건조 가스를 분사하는 것을 보여주는 도면이며, 도 12는 지지 유닛(340)과 백노즐 유닛(400)을 건조하는 다른 예를 보여주는 도면이다.
Below. A process of drying the support unit 340 and the back nozzle unit 400 of the substrate processing apparatus 300 will be described. 9 to 10 are views sequentially showing an example of drying the support unit 340 and the back nozzle unit 400, and Fig. 11 is a cross-sectional view of the gas injection member 501 of Figs. 9 to 10, FIG. 12 is a view showing another example of drying the support unit 340 and the back nozzle unit 400. As shown in FIG.

도 9 내지 도 11을 참조하면, 이동 분사부재(521)는 스커트(420) 상면의 중심으로부터 바디(342) 상면의 내측 가장자리까지 회동하면서 건조 가스를 분사할 수 있다. 건조 가스는 스커트(420)의 상면 중심과 바디(342)의 상면 내측 가장자리 사이에 분사될 수 있다. 바디(342) 상면의 내측 가장자리는 스커트(420)와 인접한 스커트(420)의 일측 또는 타측이다. 스커트(420)와 바디(342) 상면에 형성된 사이공간에 건조 가스에 스며들어 잔류하던 세정액을 건조시킬 수 있다. 건조 가스를 분사하면서, 바디(342)를 회전시킬 수 있다. 예를 들어, 가스 분사부재(501)가 건조 가스를 분사하는 동안 바디(342)는 제1 방향으로 회전할 수 있다. 제1 방향은 시계 방향일 수 있다. 건조 가스를 분사하면서, 바디(342)의 회전방향을 제2 방향으로 변경할 수 있다. 제2 방향은 제1 방향과 반대인 반시계방향일 수 있다. 분사된 건조 가스는 바디(342)의 상면에 분산되어, 잔류한 세정액을 효과적으로 건조시킬 수 있다.9 to 11, the moving injection member 521 can spray the drying gas while rotating from the center of the upper surface of the skirt 420 to the inner edge of the upper surface of the body 342. The dry gas may be injected between the center of the top surface of the skirt 420 and the inner surface of the top surface of the body 342. The inner edge of the upper surface of the body 342 is one side or the other side of the skirt 420 adjacent to the skirt 420. The space between the skirt 420 and the upper surface of the body 342 may be impregnated with the drying gas to dry the residual cleaning liquid. While spraying the dry gas, the body 342 can be rotated. For example, the body 342 can rotate in the first direction while the gas injection member 501 injects the dry gas. The first direction may be clockwise. The rotational direction of the body 342 can be changed to the second direction while spraying the dry gas. The second direction may be counterclockwise opposite to the first direction. The sprayed dry gas is dispersed on the upper surface of the body 342, so that the remaining cleaning liquid can be effectively dried.

상술한 예와 달리, 이동 분사부재(521)는 회동하지 않고 고정되어 건조 가스를 분사할 수 있다. 예를 들어, 이동 분사부재(521)는 스커트(420) 상면의 중심에만 건조 가스를 분사할 수 있다. 또는, 바디(342) 상면의 내측 가장자리에만 건조 가스를 분사할 수 있다. 또는 그 밖의 바디(342)의 상면에 건조 가스를 분사할 수 있다. 또는, 이동 분사부재(521)의 회동범위는 변경될 수 있다. 예를 들어, 바디(342) 상면의 일측과 타측 사이에서 전범위에 걸쳐 회동할 수 있다. 또는, 바디(342) 상면의 내측 가장자리의 일측과, 바디(342) 상면의 내측 가장자리의 타측 사이를 회동할 수 있다. 이와 같이, 이동 분사부재(521)가 건조 가스를 분사하는 위치, 회동방향, 회동영역은 변경될 수 있다.
Unlike the above-described example, the moving injection member 521 is fixed without rotating, and can spray dry gas. For example, the moving spray member 521 can spray dry gas only to the center of the upper surface of the skirt 420. Alternatively, the drying gas may be injected only to the inner edge of the upper surface of the body 342. Or the other surface of the body 342 can be sprayed with dry gas. Alternatively, the rotation range of the moving injection member 521 may be changed. For example, it can be rotated over the entire range between one side and the other side of the upper surface of the body 342. Alternatively, one side of the inner edge of the upper surface of the body 342 and the other side of the inner edge of the upper surface of the body 342 can be rotated. In this manner, the position, rotation direction, and rotation area of the moving injection member 521 for spraying the dry gas can be changed.

도 12를 참조하면, 고정 분사부재(512)는 스커트(420) 상면의 중심에 건조 가스를 분사할 수 있다. 건조 가스를 분사하면서 바디(342)를 제1 방향 또는 제2 방향으로 회전시킬 수 있다. Referring to FIG. 12, the fixed injection member 512 can spray the dry gas to the center of the upper surface of the skirt 420. The body 342 can be rotated in the first direction or the second direction while spraying the dry gas.

상술한 예와 달리, 고정 분사부재(512)는 바디(342) 상면의 내측 가장자리에 건조 가스를 분사할 수 있다. 또는 그 밖의 바디(342) 상면에 건조 가스를 분사할 수 있다. 이와 같이, 고정 분사부재(512)가 건조 가스를 분사하는 위치는 변경될 수 있다.Unlike the above-described example, the fixed injection member 512 can inject dry gas to the inner edge of the upper surface of the body 342. [ Or the other surface of the body 342 can be sprayed with dry gas. Thus, the position at which the fixed injection member 512 ejects the dry gas can be changed.

또는, 고정 분사부재(512)와 이동 분사부재(521)가 함께 건조 가스를 분사할 수 있다. 예를 들어, 고정 분사부재(512)는 스커트(420)의 상면의 중심에 건조 가스를 분사하고, 이동 분사부재(521)는 스커트(420) 상면의 중심으로부터 바디(342) 상면의 내측 가장자리까지 회동하면서 건조 가스를 분사할 수 있다.Alternatively, the fixed injection member 512 and the moving injection member 521 can spray the dry gas together. For example, the fixed injection member 512 injects dry gas to the center of the upper surface of the skirt 420, and the moving injection member 521 moves from the center of the upper surface of the skirt 420 to the inner edge of the upper surface of the body 342 The drying gas can be sprayed while rotating.

또는, 가스 분사부재(501, 502)가 건조 가스를 분사하는 동안에 바디(342)의 회전 방향은 제1 방향 또는 제2 방향 중 어느 하나로 일관되어 지속될 수 있다. Alternatively, the rotation direction of the body 342 may be maintained in one of the first direction or the second direction while the gas injection members 501, 502 eject the dry gas.

이와 같이, 건조 가스가 분사되는 위치 및 가스 분사부재(501, 502)의 종류, 건조가 분사될 때의 바디(342)의 회전 방향은 다양하게 변형하여 실시가 가능하다. As described above, the position where the dry gas is injected, the kind of the gas injection members 501 and 502, and the rotational direction of the body 342 when the dry is sprayed can be variously modified.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The above-described embodiments illustrate the best mode for carrying out the technical idea of the present invention, and various modifications required for specific application fields and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

1 : 기판 처리 설비 10 : 인덱스 모듈
20 : 공정 처리 모듈 120 : 로드 포트
140 : 이송프레임 220 : 버퍼유닛
240 : 이송챔버 260 : 공정챔버
300 : 기판처리장치 320 : 컵
340 : 지지유닛 380 : 세정액 분사부재
1: substrate processing equipment 10: index module
20: process processing module 120: load port
140: transfer frame 220: buffer unit
240: transfer chamber 260: process chamber
300: substrate processing apparatus 320: cup
340: support unit 380: cleaning liquid injection member

Claims (15)

기판 처리 장치에 있어서:
기판을 처리하는 처리 공간을 제공하는 컵;
상기 처리 공간 내에 배치되고 상기 기판을 지지하며 중앙에 중공이 형성된 바디 및 상기 바디를 회전시키는 구동기를 포함하는 지지유닛;
상기 바디의 상면에 세정액을 공급하는 세정액 분사부재;
상기 바디의 상기 중공에 삽입되는 지지축과 상기 지지축의 상단에 결합되며 상기 바디의 상면으로부터 돌출되게 제공되는 스커트를 가지며, 상기 기판의 저면에 세정액을 분사하는 백노즐 유닛; 및
상기 세정액 분사부재 및 상기 지지유닛을 제어하는 제어기를 포함하고,
상기 제어기는 상기 지지유닛을 세정하는 공정 진행시 상기 세정액이 상기 바디의 상면 중 내측 가장 자리에 분사되도록 상기 세정액 분사부재를 제어하는 기판 처리 장치.
A substrate processing apparatus comprising:
A cup providing a processing space for processing the substrate;
A support unit disposed in the processing space and supporting the substrate and having a hollow at the center and a driver for rotating the body;
A cleaning liquid jetting member for supplying a cleaning liquid to an upper surface of the body;
A back nozzle unit having a support shaft inserted into the hollow of the body and a skirt coupled to an upper end of the support shaft and provided so as to protrude from an upper surface of the body, the back nozzle unit spraying a cleaning liquid onto a bottom surface of the substrate; And
And a controller for controlling the cleaning liquid jetting member and the supporting unit,
Wherein the controller controls the cleaning liquid jetting member such that the cleaning liquid is jetted to the inner edge of the upper surface of the body in the process of cleaning the supporting unit.
제1항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 세정액이 상기 바디의 상면에 분사되는 동안에, 상기 바디를 제1 방향으로 회전시키고, 이후에 상기 바디를 상기 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 회전시키는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
The controller comprising:
And rotates the body in a first direction and then rotates the body in a second direction opposite to the first direction while the cleaning liquid is sprayed onto the top surface of the body.
제1항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 지지유닛을 세정하는 공정 진행시에 상기 스커트를 기준으로 세정액의 분사 위치를 변경시키는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
The controller comprising:
Wherein the spraying position of the cleaning liquid is changed on the basis of the skirt when proceeding to clean the supporting unit.
제3항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 지지유닛을 세정하는 공정 진행시에 상기 스커트의 일측에 상기 세정액을 분사하는 제1 세정단계와 상기 스커트의 상기 일측과 반대인 타측에 상기 세정액을 분사하는 제2 세정단계가 수행되도록, 상기 세정액 분사부재를 제어하는 기판 처리 장치.
The method of claim 3,
The controller comprising:
A cleaning step of spraying the cleaning liquid onto one side of the skirt, and a second cleaning step of spraying the cleaning liquid on the opposite side of the skirt to the one side of the skirt, A substrate processing apparatus for controlling a jetting member.
제4항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 제1 세정단계 동안에 상기 바디는 제1 방향으로 회전하고,
상기 제2 세정단계 동안에 상기 바디는 상기 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 회전하도록 제어하는 기판 처리 장치.
5. The method of claim 4,
The controller comprising:
During the first cleaning step, the body rotates in a first direction,
And controls the body to rotate in a second direction opposite to the first direction during the second cleaning step.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 바디의 상면 또는 상기 스커트에 건조 가스를 공급하는 가스 분사부재를 더 포함하고,
상기 제어기는,
상기 세정액 분사부재가 상기 세정액의 분사를 완료한 이후에 상기 가스 분사부재가 상기 건조 가스를 분사하도록 제어하는 기판 처리 장치.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Further comprising a gas injection member for supplying a drying gas to an upper surface of the body or the skirt,
The controller comprising:
Wherein the controller controls the gas injection member to inject the drying gas after the cleaning liquid jetting member completes the jetting of the cleaning liquid.
제6항에 있어서,
상기 가스 분사부재는 상기 컵에 고정 설치되는 고정 분사부재를 포함하고,
상기 제어기는,
상기 고정 분사부재가 상기 스커트 상면의 중심에 상기 건조 가스를 분사하도록 제어하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 6,
Wherein the gas injection member includes a fixed injection member fixedly installed in the cup,
The controller comprising:
And the fixed injection member controls the spraying of the drying gas to the center of the upper surface of the skirt.
제6항에 있어서,
상기 가스 분사부재는 이동 분사부재를 포함하고,
상기 제어기는,
상기 이동 분사부재가 상기 스커트의 상면의 중심으로부터 상기 바디의 상면의 내측 가장자리까지 회동하면서 상기 건조 가스를 분사하도록 제어하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 6,
Wherein the gas injection member includes a moving injection member,
The controller comprising:
And the moving injection member rotates from the center of the upper surface of the skirt to the inner edge of the upper surface of the body to spray the drying gas.
기판을 처리하는 방법으로서,
상기 기판을 지지하고 중앙에 중공이 형성된 바디 및 상기 바디를 회전시키는 구동기를 포함하는 지지유닛, 상기 바디의 상기 중공에 삽입되는 지지축과 상기 지지축의 상단에 결합되며 상기 바디의 상면으로부터 돌출되게 제공되는 스커트;를 포함하는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하되,
상기 바디를 회전하면서 상기 바디의 내측 가장자리에 세정액을 분사하는 기판 처리 방법.
A method of processing a substrate,
A supporting unit including a body supporting the substrate and having a hollow at the center thereof and a driver rotating the body, a support shaft inserted into the hollow of the body, and a support member coupled to an upper end of the support shaft, A substrate processing apparatus including the substrate processing apparatus,
And spraying a cleaning liquid onto the inner edge of the body while rotating the body.
제9항에 있어서,
상기 세정액이 상기 바디의 상면에 분사되는 동안에, 상기 바디를 제1 방향으로 회전시키고, 이후에 상기 바디를 상기 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 회전시키는 기판 처리 방법.
10. The method of claim 9,
Rotating the body in a first direction while rotating the body in a second direction opposite to the first direction while the cleaning liquid is sprayed onto the top surface of the body.
제10항에 있어서,
상기 지지유닛을 세정하는 공정 진행시에, 상기 스커트를 기준으로 상기 세정액을 분사하는 위치를 변경하는 기판 처리 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein a position of spraying the cleaning liquid on the basis of the skirt is changed during a process of cleaning the supporting unit.
제11항에 있어서,
상기 지지유닛을 세정하는 공정 진행시에, 상기 스커트의 일측에 상기 세정액을 분사하는 제1 세정단계와 상기 스커트의 상기 일측과 반대인 타측에 상기 세정액을 분사하는 제2 세정단계가 수행되는 기판 처리 방법.
12. The method of claim 11,
And a second cleaning step of spraying the cleaning liquid on the other side opposite to the one side of the skirt, wherein the cleaning step is performed on one side of the skirt during the cleaning process of the supporting unit Way.
제12항에 있어서,
상기 제1 세정단계 동안에 상기 바디는 제1 방향으로 회전하고,
상기 제2 세정단계 동안에 상기 바디는 상기 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 회전하는 기판 처리 방법.
13. The method of claim 12,
During the first cleaning step, the body rotates in a first direction,
Wherein the body is rotated in a second direction opposite to the first direction during the second cleaning step.
제9항에 있어서,
상기 세정액의 분사가 완료된 후, 상기 바디의 상면과 상기 스커트에 건조 가스를 분사하는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
10. The method of claim 9,
Further comprising spraying dry gas onto the upper surface of the body and the skirt after the spraying of the cleaning liquid is completed.
제14항에 있어서,
상기 건조 가스는, 상기 스커트의 상면의 중심과 상기 바디의 상면의 내측 가장자리 사이에 분사되는 기판 처리 방법.

15. The method of claim 14,
Wherein the drying gas is injected between a center of an upper surface of the skirt and an inner edge of an upper surface of the body.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112242328A (en) * 2019-07-18 2021-01-19 细美事有限公司 Substrate processing apparatus and rotating assembly
KR20210015177A (en) * 2019-08-01 2021-02-10 무진전자 주식회사 Substrate drying apparatus equipped with contamination preventing function

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080080776A (en) * 2007-03-02 2008-09-05 세메스 주식회사 Substrate spinning apparatus
KR20090029958A (en) * 2007-09-19 2009-03-24 세메스 주식회사 Method of processing a substrate, spin unit and apparatus of processing a substrate having the same
KR20140132601A (en) * 2013-05-08 2014-11-18 세메스 주식회사 Apparatus for Processing Substrate

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080080776A (en) * 2007-03-02 2008-09-05 세메스 주식회사 Substrate spinning apparatus
KR20090029958A (en) * 2007-09-19 2009-03-24 세메스 주식회사 Method of processing a substrate, spin unit and apparatus of processing a substrate having the same
KR20140132601A (en) * 2013-05-08 2014-11-18 세메스 주식회사 Apparatus for Processing Substrate

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112242328A (en) * 2019-07-18 2021-01-19 细美事有限公司 Substrate processing apparatus and rotating assembly
KR20210015177A (en) * 2019-08-01 2021-02-10 무진전자 주식회사 Substrate drying apparatus equipped with contamination preventing function

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