KR101909480B1

KR101909480B1 - Substrate treating apparatus

Info

Publication number: KR101909480B1
Application number: KR1020110077694A
Authority: KR
Inventors: 송길훈; 김재용
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2011-08-04
Filing date: 2011-08-04
Publication date: 2018-10-19
Also published as: KR20130015611A

Abstract

기판 처리 장치가 제공된다. 기판 처리 장치는 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징과; 상기 공정 진행 중 상기 기판을 지지하고 회전시키는 스핀헤드와; 상기 하우징을 상하 방향으로 이동시키는 승강유닛과; 상기 공정 진행 중 상기 기판 상으로 처리액을 공급하는 처리액 분사부재를 포함하되, 상기 처리액 분사부재는, 기판 상에 처리액을 분사하는 노즐들을 갖는 복수개의 노즐부와; 상기 노즐들이 연결되고, 처리공정에 따라 상기 노즐들을 상기 기판 상으로 이동시키는 지지부재와; 상기 지지부재의 하부에 연결되고, 상기 지지부재를 승하강 또는 회전시키는 구동기를 포함하고, 상기 노즐들은, 상기 지지부재 상에서 서로 독립적으로 이동하며 상기 처리액을 상기 기판 상으로 분사한다.A substrate processing apparatus is provided. The substrate processing apparatus includes a housing for providing a space in which a substrate processing process is performed; A spin head for supporting and rotating the substrate during the process; An elevating unit for moving the housing in the vertical direction; And a processing liquid jetting member for supplying the processing liquid onto the substrate during the process, wherein the processing liquid jetting member comprises: a plurality of nozzle units having nozzles for jetting the processing liquid onto the substrate; A support member to which the nozzles are connected and which moves the nozzles onto the substrate according to a process; And a driver connected to a lower portion of the support member and moving up and down or rotating the support member, wherein the nozzles move independently of each other on the support member and eject the treatment liquid onto the substrate.

Description

[0001] SUBSTRATE TREATING APPARATUS [0002]

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판을 세정하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to an apparatus for cleaning a substrate.

기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 그리고 금속 오염물 등의 오염 물질은 반도체 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 일반적으로 기판의 세정은 케미칼을 이용하여 기판 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 케미컬 처리 공정, 순수를 이용하여 기판 상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 공정, 그리고 유기 용제, 초임계 유체, 또는 질소 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 건조 공정을 포함한다. Contaminants such as particles, organic contaminants, and metallic contaminants on the surface of the substrate greatly affect the characteristics of semiconductor devices and the yield of production. Therefore, a cleaning process for removing various contaminants adhering to the surface of the substrate is very important in the semiconductor manufacturing process, and a process for cleaning the substrate is performed before and after each unit process for manufacturing a semiconductor. In general, cleaning of a substrate is performed by a chemical treatment process for removing metal foreign substances, organic substances, or particles remaining on the substrate by using a chemical, a rinsing process for removing chemicals remaining on the substrate by using pure water, , A supercritical fluid, a nitrogen gas, or the like.

한편, 이러한 세정 공정에서 세정액 등은 노즐을 통해 기판 상으로 분사되는 바, 공개특허 10-2010-0054454에는 2개의 노즐을 갖는 노즐부를 개시하고 있다.On the other hand, in this cleaning process, the cleaning liquid or the like is jetted onto the substrate through the nozzles, and the nozzle unit having two nozzles is disclosed in the patent document 10-2010-0054454.

본 발명은 기판의 세정을 효율적으로 수행할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of efficiently cleaning a substrate.

본 발명은 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The present invention is not limited to the above-described problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판 상에 처리액을 분사하는 노즐들을 갖는 복수개의 노즐부와; 상기 노즐들이 연결되고, 처리공정에 따라 상기 노즐들을 상기 기판 상으로 이동시키는 지지부재와; 상기 지지부재의 하부에 연결되고, 상기 지지부재를 승하강 또는 회전시키는 구동기를 포함하되, 상기 노즐들은, 상기 지지부재 상에서 서로 독립적으로 이동하며 상기 처리액을 상기 기판 상으로 분사하는 처리액 분사부재가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a liquid ejecting apparatus comprising: a plurality of nozzle units having nozzles for ejecting a process liquid onto a substrate; A support member to which the nozzles are connected and which moves the nozzles onto the substrate according to a process; And a driving unit connected to a lower portion of the support member and moving up and down or rotating the support member, wherein the nozzles move independently of each other on the support member and eject the process liquid onto the substrate, May be provided.

또한, 상기 지지부재는, 저면의 일단에 상기 노즐들이 연결된 노즐지지대와; 상기 노즐지지대의 타단으로부터 수직하게 하방향으로 연장된 지지축을 가지며, 상기 노즐들은 독립적으로 상기 노즐지지대의 하면을 따라 직선이동할 수 있다.The support member may include a nozzle support to which the nozzles are connected at one end of the bottom surface; And a support shaft extending vertically downward from the other end of the nozzle support, wherein the nozzles can independently move linearly along a lower surface of the nozzle support.

또한, 상기 노즐들 각각은, 상기 노즐지지대의 길이방향과 나란한 제1축을 중심으로 일정 각도 회전할 수 있다.Each of the nozzles may rotate at a predetermined angle about a first axis parallel to the longitudinal direction of the nozzle support.

또한, 상기 노즐들 각각은, 상기 노즐지지대의 상기 저면과 나란하고 상기 제1축과 수직으로 교차하는 제2축들을 중심으로 일정 각도 회전할 수 있다.Each of the nozzles may rotate at a predetermined angle about second axes that are parallel to the bottom surface of the nozzle support and perpendicularly intersect the first axis.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징과; 상기 공정 진행 중 상기 기판을 지지하고 회전시키는 스핀헤드와; 상기 하우징을 상하 방향으로 이동시키는 승강유닛과; 상기 공정 진행 중 상기 기판 상으로 처리액을 공급하는 처리액 분사부재를 포함하되, 상기 처리액 분사부재는, 기판 상에 처리액을 분사하는 노즐들을 갖는 복수개의 노즐부와; 상기 노즐들이 연결되고, 처리공정에 따라 상기 노즐들을 상기 기판 상으로 이동시키는 지지부재와; 상기 지지부재의 하부에 연결되고, 상기 지지부재를 승하강 또는 회전시키는 구동기를 포함하고, 상기 노즐들은, 상기 지지부재 상에서 서로 독립적으로 이동하며 상기 처리액을 상기 기판 상으로 분사하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a housing for providing a space in which a substrate processing process is performed; A spin head for supporting and rotating the substrate during the process; An elevating unit for moving the housing in the vertical direction; And a processing liquid jetting member for supplying the processing liquid onto the substrate during the process, wherein the processing liquid jetting member comprises: a plurality of nozzle units having nozzles for jetting the processing liquid onto the substrate; A support member to which the nozzles are connected and which moves the nozzles onto the substrate according to a process; And a driver connected to a lower portion of the support member and moving up and down or rotating the support member, wherein the nozzles move independently of each other on the support member and eject the treatment liquid onto the substrate Can be provided.

또한, 상기 노즐들 각각은, 상기 노즐지지대의 상기 저면과 나란하고 상기 제1축과 수직으로 교차하는 제2축을 중심으로 일정 각도 회전할 수 있다.Each of the nozzles may rotate at a predetermined angle about a second axis that is parallel to the bottom surface of the nozzle support and perpendicularly intersects the first axis.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 세정을 효율적으로 수행할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, cleaning of the substrate can be performed efficiently.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 세정액의 분사영역을 확대할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, the spraying area of the cleaning liquid can be enlarged.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 상이한 세정액을 동시에 기판 상으로 분사할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, different cleaning liquids can be simultaneously jetted onto the substrate.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 복수개의 노즐부를 구비하여 선택적으로 동일한 또는 상이한 세정액을 분사할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, a plurality of nozzles can be selectively provided to eject the same or different cleaning liquid.

도 1은 본 발명의 일 예에 따른 기판 처리 장치가 제공된 기판 처리 설비의 일 예를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 공정 챔버에 제공된 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 분사부재의 일부단면도이다.
도 4 내지 도 5는 도 2의 노즐들의 동작예를 나타낸 도면이다.
도 6은 도 2의 분사부재의 다른 실시예에 따른 일부단면도이다.
도 7 내지 도 8은 도 6의 노즐들의 동작예를 나타낸 도면이다.
도 9는 도 2의 분사부재의 또 다른 실시예에 따른 일부단면도이다.
도 10 내지 도 11은 도 3의 노즐들의 동작예를 나타낸 도면이다.1 is a plan view schematically showing an example of a substrate processing apparatus provided with a substrate processing apparatus according to an example of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus provided in the process chamber of FIG.
3 is a partial cross-sectional view of the injection member of Fig.
4 to 5 are views showing an example of the operation of the nozzles of FIG.
Figure 6 is a partial cross-sectional view of another embodiment of the injection member of Figure 2;
7 to 8 are views showing an example of the operation of the nozzles of FIG.
Figure 9 is a partial cross-sectional view of another embodiment of the injection member of Figure 2;
FIGS. 10 to 11 are views showing an operation example of the nozzles of FIG. 3. FIG.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 기판처리설비(1)를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 2는 도 1의 공정챔버 내 제공되는 기판처리장치의 단면도이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus 1 of the present invention. Figure 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus provided in the process chamber of Figure 1;

도 1을 참조하면, 기판처리설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가지고, 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 has an index module 10 and a processing module 20, and the index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are arranged is referred to as a first direction 12. A direction perpendicular to the first direction 12 is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction (16).

로드포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 따라 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(18) 내에 위치된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 18 in which the substrate W is accommodated is seated in the load port 140. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 1, four load ports 120 are shown. However, the number of load ports 120 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process module 20. The carrier 18 is formed with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate. A plurality of slots are provided along the third direction 16 and the substrates are positioned within the carrier 18 so as to be stacked apart from each other along the third direction 16. As the carrier 18, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(260)이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측에 위치한 공정챔버들(260)과 이송챔버(240)의 타측에 위치한 공정챔버들(260)은 이송챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1 이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed on one side and the other side of the transfer chamber 240 along the second direction 14, respectively. The process chambers 260 located at one side of the transfer chamber 240 and the process chambers 260 located at the other side of the transfer chamber 240 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are stacked together. That is, at one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B (where A and B are each at least one natural number). Where A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. Also, unlike the above, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and on both sides of the transfer chamber 240.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other in the third direction 16. The surface of the buffer unit 220 opposed to the transfer frame 140 and the surface of the transfer chamber 240 facing each other are opened.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the carrier 18 that is seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 20 to the carrier 18 while the other part is used to transfer the substrate W from the carrier 18 to the processing module 20. [ As shown in Fig. This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼유닛(220)에서 공정챔버(260)로 기판을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)과 공정챔버(260)에서 버퍼유닛(220)으로 기판을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)은 서로 상이할 수 있다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed so as to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. Body 244b is also provided to be rotatable on base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided for forward and backward movement relative to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided and each is provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. A main arm 244c used when the substrate is transported from the buffer unit 220 to the process chamber 260 and a main arm 244c used when transporting the substrate from the process chamber 260 to the buffer unit 220 They may be different from each other.

공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판처리장치(300, 도 2 참조)가 제공된다. 각각의 공정챔버(260) 내에 제공된 기판처리장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판처리장치(300)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판처리장치(300)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(240)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(260)이 제공되고, 이송챔버(240)의 타측에는 제2그룹의 공정 챔버들(260)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(240)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(260)와 제2그룹의 공정챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다. In the process chamber 260, a substrate processing apparatus 300 (see FIG. 2) for performing a cleaning process on the substrate W is provided. The substrate processing apparatus 300 provided in each process chamber 260 may have a different structure depending on the type of the cleaning process to be performed. Alternatively, the substrate processing apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups, and the substrate processing apparatuses 300 provided in the process chambers 260 belonging to the same group have the same structure and are provided in the process chambers 260 belonging to different groups The substrate processing apparatuses 300 may have different structures from each other. For example, if the process chambers 260 are divided into two groups, a first group of process chambers 260 is provided on one side of the transfer chamber 240 and a second group of process chambers 260 are provided on the other side of the transfer chamber 240 Process chambers 260 may be provided. Optionally, a first group of process chambers 260 may be provided on the lower layer and a second group of process chambers 260 may be provided on the upper and lower sides of the transfer chamber 240, respectively. The first group of process chambers 260 and the second group of process chambers 260 may be classified according to the type of the chemical used and the type of the cleaning method.

아래에서는 처리액을 이용하여 기판(W)을 세정하는 기판처리장치(300)의 일 예를 설명한다. 도 2는 기판처리장치(300)의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판처리장치(300)는 하우징(320), 스핀헤드(340), 승강유닛(360), 그리고 분사부재(380)를 가진다. 하우징(320)은 기판처리공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다. 하우징(320)은 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 스핀헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.An example of the substrate processing apparatus 300 for cleaning the substrate W by using the process liquid will be described below. 2 is a cross-sectional view showing an example of the substrate processing apparatus 300. FIG. 2, the substrate processing apparatus 300 has a housing 320, a spin head 340, an elevating unit 360, and a jetting member 380. [ The housing 320 provides a space in which the substrate processing process is performed, and the upper portion thereof is opened. The housing 320 has an inner recovery cylinder 322, an intermediate recovery cylinder 324, and an outer recovery cylinder 326. Each of the recovery cylinders 322, 324 and 326 recovers the different treatment liquids among the treatment liquids used in the process. The inner recovery cylinder 322 is provided in an annular ring shape surrounding the spin head 340. The intermediate recovery cylinder 324 is provided in the shape of an annular ring surrounding the inner recovery cylinder 322 and the outer recovery cylinder 326 Is provided in the shape of an annular ring surrounding the intermediate recovery bottle 324. The inner space 322a of the inner recovery cylinder 322 and the space 324a between the inner recovery cylinder 322 and the intermediate recovery cylinder 324 and the space 324 between the intermediate recovery cylinder 324 and the outer recovery cylinder 326 326a function as an inlet through which the processing liquid flows into the inner recovery cylinder 322, the intermediate recovery cylinder 324, and the outer recovery cylinder 326, respectively. Recovery passages 322b, 324b, and 326b extending vertically downward from the bottom of the recovery passages 322, 324, and 326 are connected to the recovery passages 322, 324, and 326, respectively. Each of the recovery lines 322b, 324b, and 326b discharges the processing liquid that has flowed through the respective recovery cylinders 322, 324, and 326. [ The discharged treatment liquid can be reused through an external treatment liquid recovery system (not shown).

스핀헤드(340)는 하우징(320) 내에 배치된다. 스핀헤드(340)은 공정 진행 중 기판을 지지하고 기판을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지 핀(344), 척 핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지 핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지 핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지 핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. 척 핀(346)은 복수 개 제공된다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지 핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척 핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척 핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판의 측부를 지지한다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판이 스핀 헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척 핀(346)은 대기 위치에 위치되고, 기판에 대해 공정 수행시에는 척 핀(346)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척 핀(346)은 기판의 측부와 접촉된다.The spin head 340 is disposed within the housing 320. The spin head 340 supports the substrate and rotates the substrate during the process. The spin head 340 has a body 342, a support pin 344, a chuck pin 346, and a support shaft 348. The body 342 has a top surface that is generally circular when viewed from the top. A support shaft 348 rotatable by a motor 349 is fixedly coupled to the bottom surface of the body 342. A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are spaced apart from the edge of the upper surface of the body 342 and protrude upward from the body 342. The support pins 344 are arranged so as to have a generally annular ring shape in combination with each other. The support pins 344 support the rear edge of the substrate such that the substrate is spaced a distance from the top surface of the body 342. A plurality of chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther away from the center of the body 342 than the support pin 344. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the body 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate such that the substrate is not laterally displaced in place when the spin head 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided so as to be linearly movable between a standby position and a supporting position along the radial direction of the body 342. The standby position is a distance from the center of the body 342 relative to the support position. When the substrate is loaded or unloaded onto the spin head 340, the chuck pin 346 is positioned in the standby position and the chuck pin 346 is positioned in the support position when the substrate is being processed. At the support position, the chuck pin 346 contacts the side of the substrate.

승강유닛(360)은 하우징(320)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 하우징(320)이 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(340)에 대한 하우징(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 하우징(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 놓이거나, 스핀헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀헤드(340)가 하우징(320)의 상부로 돌출되도록 하우징(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(322,324,326)으로 유입될 수 있도록 하우징(320)의 높이가 조절된다. 예컨대, 제1처리액으로 기판을 처리하고 있는 동안에 기판은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리액, 그리고 제3처리액으로 기판을 처리하는 동안에 각각 기판은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강유닛(360)은 하우징(320) 대신 스핀 헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 360 moves the housing 320 linearly in the vertical direction. The relative height of the housing 320 with respect to the spin head 340 is changed as the housing 320 is moved up and down. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixed to the outer wall of the housing 320 and the bracket 362 is fixedly coupled to the moving shaft 364 which is moved up and down by the actuator 366. The housing 320 is lowered so that the spin head 340 protrudes to the upper portion of the housing 320 when the substrate W is placed on the spin head 340 or lifted from the spin head 340. When the process is performed, the height of the housing 320 is adjusted so that the treatment liquid can be introduced into the predetermined recovery cylinders 322, 324, and 326 according to the type of the treatment liquid supplied to the substrate W. For example, while processing the substrate with the first processing solution, the substrate is positioned at a height corresponding to the inner space 322a of the inner recovery cylinder 322. [ During the processing of the substrate with the second processing solution and the third processing solution, the substrate is separated from the space 324a between the inner recovery cylinder 322 and the intermediate recovery cylinder 324, and between the intermediate recovery cylinder 324 and the outside And may be located at a height corresponding to the space 326a of the recovery cylinder 326. [ The lift unit 360 can move the spin head 340 in the vertical direction instead of the housing 320. [

분사부재(380)는 기판처리공정시 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 분사부재(380)는 노즐지지대(382), 노즐부들(384,385), 지지축(386), 그리고 구동기(388)를 가진다. 노즐지지대(382)와 지지축(386)은 청구항에 따라 지지부재로 표현된다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(386)의 하단에는 구동기(388)가 결합된다. 구동기(388)는 지지축(386)을 회전 및 승강시킨다. 노즐지지대(382)는 구동기(388)와 결합된 지지축(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐부들(384,385)은 노즐지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐부들(384,385)은 구동기(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐부들(384,385)이 하우징(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐부들(384,385)이 하우징(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 분사부재(380)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 분사부재(380)가 복수개 제공되는 경우, 케미칼, 린스액, 또는 유기용제는 서로 상이한 분사부재(380)를 통해 제공될 수 있다. 린스액은 초순수일 수 있고, 유기용제는 이소프로필 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물이거나 이소프로필 알코올 액일 수 있다.
The jetting member 380 supplies the treatment liquid to the substrate W during the substrate treatment process. The injection member 380 has a nozzle support 382, nozzle portions 384 and 385, a support shaft 386, and a driver 388. The nozzle support 382 and the support shaft 386 are represented by a support member according to the claims. The support shaft 386 is provided along its lengthwise direction along the third direction 16 and a driver 388 is coupled to the lower end of the support shaft 386. The driver 388 rotates and lifts the support shaft 386. The nozzle support 382 is coupled perpendicular to the opposite end of the support shaft 386 coupled to the driver 388. The nozzle portions 384 and 385 are provided at the bottom end of the nozzle support 382. The nozzle portions 384 and 385 are moved by the driver 388 to the process position and the standby position. The process position is a position in which the nozzle portions 384 and 385 are disposed in the vertical upper portion of the housing 320 and the standby position is a position in which the nozzle portions 384 and 385 are deviated from the vertical upper portion of the housing 320. One or a plurality of the ejection members 380 may be provided. When a plurality of jetting members 380 are provided, the chemical, rinsing liquid, or organic solvent may be provided through jetting members 380 that are different from each other. The rinsing liquid may be ultra pure water, and the organic solvent may be a mixture of an isopropyl alcohol vapor and an inert gas, or may be an isopropyl alcohol liquid.

도 3은 도 2의 분사부재의 일부단면도이다. 도 4 내지 도 5는 도 2의 노즐들의 동작예를 나타낸 도면이다. 도 2와 도 3 내지 도 5를 참조하면, 일 예로, 분사부재(380)는 2개의 노즐부를 갖는다. 즉, 분사부재(380)는 제1노즐부(384)와 제2노즐부(385)를 포함한다. 이와 달리, 분사부재(380)는 3개 이상의 노즐부를 가질 수도 있다. 이와 달리, 분사부재(380)는 1개의 노즐부를 가질 수도 있다. 분사부재(380)가 2개의 노즐부를 갖는 경우, 제1노즐부(384)는 제1노즐(410), 제1처리액공급원(411), 그리고 제1구동부재(413)를 갖는다. 제2노즐부(385)는 제2노즐(430), 제2처리액공급원(431), 그리고 제2구동부재(433)를 갖는다. 제1노즐(410)과 제2노즐(430)은 X축 방향으로 나란하게 배치된다. 제1노즐(410)과 제2노즐(430) 중 어느 하나는 잉크젯 방식으로 처리액을 분사할 수 있다. 제1처리액공급원(411)은 제1노즐(410)로 제1처리액을 공급하고, 제2처리액공급원(431)은 제2노즐(430)로 제2처리액을 공급한다. 제1처리액과 제2처리액은 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예로, 제1처리액은 케미칼이고, 제2처리액은 초순수일 수 있다. 이와 달리, 제1처리액은 제1케미칼이고, 제2처리액은 제2케미칼일 수 있다. 제1케미칼과 제2케미칼은 동종으로 제공될 수 있다. 제1구동부재(413)는 제1노즐(410)이 직선운동 또는 회전운동을 하도록 구동력을 제공한다. 제2구동부재(433)는 제2노즐(430)이 직선운동 또는 회전운동을 하도록 구동력을 제공한다. 제1구동부재(413)와 제2구동부재(433)는 하나의 구동부재로 제공될 수도 있다. 제1노즐(410)과 제2노즐(430)은 각각 노즐지지대(382)의 저면을 따라 X축 방향으로 직선이동할 수 있다. 한편, 도 4를 참조할 때, 제1노즐(410)은 Y축과 평행한 축(Y1)을 중심으로 일정 각도의 범위 내에서 회전할 수 있다. 또한, 제2노즐(430)은 Y축과 평행한 축(Y2)을 중심으로 일정 각도의 범위 내에서 회전할 수 있다. 또한, 도 5를 참조할 때, 제1노즐(410)과 제2노즐(430)은 각각 X축과 평행한 축(X1)을 중심으로 일정 각도의 범위 내에서 회전할 수 있다. 상술한, 또는 후술할 일정 각도의 범위는 일 예로, 각각의 회전축을 중심으로 시계방향 또는 반시계방향으로 10°±5°일 수 있다. 청구항에 따라 X1축은 제1축으로 표현되고, Y1축과 Y2축은 제2축으로 표현된다.
3 is a partial cross-sectional view of the injection member of Fig. 4 to 5 are views showing an example of the operation of the nozzles of FIG. Referring to Figs. 2 and 3 to 5, in one example, the jetting member 380 has two nozzle portions. That is, the ejection member 380 includes a first nozzle portion 384 and a second nozzle portion 385. Alternatively, the ejection member 380 may have three or more nozzle portions. Alternatively, the ejection member 380 may have one nozzle portion. The first nozzle portion 384 has the first nozzle 410, the first treatment liquid supply source 411, and the first driving member 413 when the jetting member 380 has two nozzle portions. The second nozzle unit 385 has a second nozzle 430, a second processing liquid supply source 431, and a second driving member 433. The first nozzle 410 and the second nozzle 430 are arranged in parallel in the X-axis direction. Either the first nozzle 410 or the second nozzle 430 can jet the treatment liquid by an inkjet method. The first treatment liquid supply source 411 supplies the first treatment liquid to the first nozzle 410 and the second treatment liquid supply source 431 supplies the second treatment liquid to the second nozzle 430. The first treatment liquid and the second treatment liquid may be the same or different. In one example, the first treatment liquid may be a chemical and the second treatment liquid may be ultra-pure water. Alternatively, the first treatment liquid may be a first chemical and the second treatment liquid may be a second chemical. The first chemical and the second chemical may be provided in the same kind. The first driving member 413 provides a driving force to cause the first nozzle 410 to perform linear motion or rotational motion. The second driving member 433 provides a driving force to cause the second nozzle 430 to perform linear motion or rotational motion. The first driving member 413 and the second driving member 433 may be provided as one driving member. The first nozzle 410 and the second nozzle 430 can move linearly along the bottom surface of the nozzle support 382 in the X-axis direction. Referring to FIG. 4, the first nozzle 410 may rotate within a predetermined angle about an axis Y1 parallel to the Y-axis. In addition, the second nozzle 430 can rotate within a range of a predetermined angle about an axis Y2 parallel to the Y axis. 5, the first nozzle 410 and the second nozzle 430 may rotate within a predetermined angle about an axis X1 parallel to the X axis, respectively. The range of the predetermined angle described above or below may be, for example, 10 ° ± 5 ° in a clockwise or counterclockwise direction about each rotation axis. According to the claim, the X1 axis is represented by a first axis, and the Y1 axis and Y2 axis are represented by a second axis.

도 6은 도 2의 분사부재의 다른 실시예에 따른 일부단면도이다. 도 7 내지 도 8은 도 6의 노즐들의 동작예를 나타낸 도면이다. 도 6 내지 도 8을 참조할 때, 제1노즐(410)과 제2노즐(430)은 Y축과 평행한 축(Y1)을 중심으로 일정 각도의 범위 내에서 회전할 수 있다. 또한, 제1노즐(410)과 제2노즐(430)은 Y1축과 나란하게 일정간격 이격되어 배치된다. 한편, 제1노즐(410)과 제2노즐(430)은 Y1축과 나란한 방향으로 서로 독립적으로 직선이동한다. 또한, 도 8을 참조할 때, 제1노즐(410)은 X축과 평행한 축(X1)을 중심으로 일정 각도의 범위 내에서 회전할 수 있다. 그리고 제2노즐(430)은 X축과 평행한 축(X2)을 중심으로 일정 각도의 범위 내에서 회전할 수 있다.
Figure 6 is a partial cross-sectional view of another embodiment of the injection member of Figure 2; 7 to 8 are views showing an example of the operation of the nozzles of FIG. 6 to 8, the first nozzle 410 and the second nozzle 430 may rotate within a predetermined angle around an axis Y1 parallel to the Y axis. In addition, the first nozzle 410 and the second nozzle 430 are spaced apart from each other by a predetermined distance in parallel with the Y1 axis. On the other hand, the first nozzle 410 and the second nozzle 430 linearly move independently of each other in a direction parallel to the Y1 axis. Referring to FIG. 8, the first nozzle 410 may rotate within a predetermined angle about an axis X1 parallel to the X axis. The second nozzle 430 can rotate within a predetermined angle about an axis X2 parallel to the X axis.

도 9는 도 2의 분사부재의 또 다른 실시예에 따른 일부단면도이다.Figure 9 is a partial cross-sectional view of another embodiment of the injection member of Figure 2;

도 2와 도 9를 참조하면, 분사부재(380)는 제1노즐부(384)와 제2노즐부(385)를 갖는다. 일 예로, 제1노즐부(384)는 제1노즐(410), 제1처리액공급원(411), 제1구동부재(413), 그리고 가스공급원(415)를 갖는다. 제1노즐(410)은 노즐지지대(382)의 하면에 결합된다. 제1처리액공급원(411)은 제1노즐(410)로 제1처리액을 공급하고, 가스공급원(415)은 제1노즐(410)로 분사가스를 공급한다. 제1처리액은 분사가스와 함께 제1노즐(410)을 통해 기판(미도시) 상으로 분사된다. 제1구동부재(413)는 제1노즐(410)을 노즐지지대(382)의 하면을 따라 X축 방향으로 직선이동하게 한다. 제2노즐부(385)는 제2노즐(430), 제2처리액공급원(431), 제2구동부재(433), 전원공급부(435), 그리고 압전소자(437)를 포함한다. 제2노즐(430)은 노즐지지대(382)의 하면에 결합된다. 제1노즐(410)과 제2노즐(430)은 Y축 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 제2처리액공급원(431)은 제2노즐(430)로 제2처리액을 공급한다. 제2구동부재(433)는 제2노즐(430)을 노즐지지대(382)의 하면을 따라 X축 방향으로 직선이동하게 한다. 전원공급부(435)는 압전소자(437)에 전원을 공급한다. 압전소자(437)는 압전효과(Piezoelectric Effect)를 이용한 소자이다. 압전효과는 직접효과(퀴리효과)와 역효과(리프먼효과)로 나뉜다. 직접효과(퀴리효과)는 일정한 고체 등의 결정에 압력을 가하면 전압이 발생하는 효과이고, 역효과(리프먼효과)는 전압을 가했을 때 결정체가 변형을 일으키는 효과이다. 전원공급부(435)는 압전소자(437)에 전원을 공급하여 압전소자(437)에 역효과(리프먼효과)를 유발한다. 즉, 제2노즐(430)은 잉크젯 방식으로 제2처리액을 기판(미도시) 상으로 분사한다.
Referring to Figs. 2 and 9, the jetting member 380 has a first nozzle portion 384 and a second nozzle portion 385. Fig. The first nozzle portion 384 has a first nozzle 410, a first processing solution supply source 411, a first driving member 413, and a gas supply source 415. [ The first nozzle 410 is coupled to the lower surface of the nozzle support 382. The first treatment liquid supply source 411 supplies the first treatment liquid to the first nozzle 410 and the gas supply source 415 supplies the jetting gas to the first nozzle 410. The first treatment liquid is injected onto the substrate (not shown) together with the injection gas through the first nozzle 410. The first driving member 413 causes the first nozzle 410 to move linearly along the lower surface of the nozzle support 382 in the X-axis direction. The second nozzle unit 385 includes a second nozzle 430, a second processing liquid supply source 431, a second driving member 433, a power supply unit 435, and a piezoelectric element 437. The second nozzle 430 is coupled to the lower surface of the nozzle support 382. The first nozzle 410 and the second nozzle 430 may be arranged in parallel in the Y-axis direction. The second treatment liquid supply source 431 supplies the second treatment liquid to the second nozzle 430. The second driving member 433 causes the second nozzle 430 to move linearly along the lower surface of the nozzle support 382 in the X-axis direction. The power supply unit 435 supplies power to the piezoelectric element 437. The piezoelectric element 437 is a device using a piezoelectric effect. The piezoelectric effect is divided into direct effect (Curie effect) and adverse effect (Reefman effect). The direct effect (Curie effect) is the effect of applying voltage to a crystal of a certain solid or the like, and the adverse effect (Lefman effect) is an effect of causing crystal to deform when a voltage is applied. The power supply unit 435 supplies power to the piezoelectric element 437 and causes an adverse effect (a Leafman effect) on the piezoelectric element 437. [ That is, the second nozzle 430 ejects the second process liquid onto the substrate (not shown) by an inkjet method.

도 10 내지 도 11은 도 3의 노즐들의 동작과정을 나타낸 도면이다.FIGS. 10 to 11 are views showing the operation of the nozzles of FIG. 3. FIG.

도 10을 참조하면, 제1노즐(410)을 Y1축을 중심으로 일정 각도의 범위 내에서 회전시키며 처리액을 기판(W) 상으로 분사시킴으로써, 패턴 간격(d) 내에 있는 파티클들(P)을 제거할 수 있다. 또한, 제2노즐(430)은 Y2축을 중심으로 일정 각도의 범위 내에서 회전하며 처리액을 기판(W) 상으로 분사함으로써, 패턴이 형성되지 않은 영역의 파티클들(P')을 제거할 수 있다. 도 11을 참조하면, 제1노즐(410)과 제2노즐(430)은 X1축을 중심으로 일정 각도의 범위 내에서 회전하며 처리액을 기판(W) 상으로 분사함으로써, 패턴 간격(d) 내에 있는 파티클들(P)과 패턴이 형성되지 않은 영역의 파티클들(P')을 제거할 수 있다. 한편, 제1노즐(410)과 제2노즐(430) 사이에는 가스분사부(910)를 더 구비할 수 있다. 가스분사부(910)를 통해 가스를 분사하여 에어커튼을 형성함으로써 일 예로, 제1노즐(410)로 인해 제거된 파티클들(P)이 제2노즐(430) 방향으로 확산되는 것을 방지할 수 있다.
10, by rotating the first nozzle 410 within a predetermined angle around the Y1 axis and injecting the process liquid onto the substrate W, the particles P in the pattern interval d Can be removed. The second nozzle 430 rotates within a range of a predetermined angle around the Y2 axis and ejects the process liquid onto the substrate W to remove the particles P ' have. 11, the first nozzle 410 and the second nozzle 430 are rotated within a predetermined angle around the X1 axis, and the process liquid is sprayed onto the substrate W, (P) in the region where the pattern is not formed and the particles (P ') in the region where the pattern is not formed. Meanwhile, a gas injection unit 910 may be further provided between the first nozzle 410 and the second nozzle 430. It is possible to prevent the particles P removed due to the first nozzle 410 from diffusing toward the second nozzle 430, for example, by forming an air curtain by injecting gas through the gas injecting unit 910 have.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention.

따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

10 : 인덱스모듈 18 : 캐리어
20 : 공정처리모듈 120 : 로드포트
140 : 이송프레임 220 : 버퍼유닛
240 : 이송챔버 260 ; 공정챔버
320 : 하우징 340 : 스핀헤드
360 : 승강유닛 380 : 분사부재
382 : 노즐지지대 384 : 제1노즐부
385 : 제2노즐부 410 : 제1노즐
430 : 제2노즐10: index module 18: carrier
20: process processing module 120: load port
140: transfer frame 220: buffer unit
240: transfer chamber 260; Process chamber
320: housing 340: spin head
360: lift unit 380: injection member
382: nozzle support 384: first nozzle part
385: second nozzle part 410: first nozzle
430: second nozzle

Claims

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A housing for providing a space in which a substrate processing process is performed;
A spin head for supporting and rotating the substrate during the process;
An elevating unit for moving the housing in the vertical direction;
And a treatment liquid spraying member for spraying the treatment liquid onto the substrate during the process,
Wherein the processing liquid jetting member
A plurality of nozzle units having nozzles for jetting a treatment liquid onto a substrate;
A support member to which the nozzles are connected and which moves the nozzles onto the substrate according to a process;
A driver connected to a lower portion of the support member and moving up and down or rotating the support member;
A gas is injected between the first nozzle and the second nozzle of the nozzles so as to prevent the particles removed from the substrate from being diffused toward the second nozzle by the processing liquid injected from the first nozzle And a gas injection portion forming an air curtain,
Wherein the support member comprises:
A nozzle support connected to the nozzles at one end of the bottom surface;
And a support shaft extending vertically downward from the other end of the nozzle support,
The nozzles are linearly moved independently along the lower surface of the nozzle support,
Wherein each of the nozzles comprises:
The nozzle support is rotated at a predetermined angle about a first axis parallel to the longitudinal direction of the nozzle support,
Wherein the nozzle support is rotated at a predetermined angle about second axes that are perpendicular to the first axis and parallel to the bottom surface of the nozzle support,
Wherein the first nozzle injects a treatment liquid onto a region where a pattern is formed in the substrate and the second nozzle injects a treatment liquid onto an area where no pattern is formed in the substrate, Processing device.

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