KR102037917B1 - Substrate treating apparatus and substrate treating method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 스핀헤드; 상기 스핀헤드를 외측 둘레를 감싸는 컵; 상기 스핀헤드에 위치된 상기 기판으로 약액을 토출하는 노즐; 단부에 상기 노즐이 위치되는 노즐 지지대; 상기 노즐에 연결되어 상기 노즐로 상기 약액을 공급하는 공급 배관; 상기 노즐에 인접하도록 상기 공급 배관의 일측 단부에 연결되는 드레인 배관; 상기 노즐 지지대에 연결되어, 상기 노즐을 상기 스핀헤드의 수직 상방 영역의 공정 위치와 상기 공정 위치 외측의 대기 위치 사이로 이동시키는 구동기; 상기 노즐을 상기 스핀헤드의 수직 상방 영역 외측의 대기 영역에서 상기 스핀헤드의 수직 상방 영역의 공정 위치로 이동시키면서, 상기 드레인 배관을 통해 상기 공급 배관이 드레인 되도록 제어하는 제어기를 포함한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. Substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a spin head for supporting the substrate; A cup surrounding the outer periphery of the spin head; A nozzle for discharging a chemical liquid to the substrate located at the spin head; A nozzle support on which the nozzle is positioned; A supply pipe connected to the nozzle to supply the chemical liquid to the nozzle; A drain pipe connected to one end of the supply pipe so as to be adjacent to the nozzle; A driver connected to the nozzle support to move the nozzle between a process position in a vertically upward region of the spin head and a standby position outside the process position; And a controller for controlling the supply pipe to be drained through the drain pipe while moving the nozzle from a standby area outside the vertical upper area of the spin head to a process position of the vertical upper area of the spin head.

Figure R1020160096819
Figure R1020160096819

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}Substrate treating apparatus and substrate treating method

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

일반적으로 반도체 디바이스는 기판상에 여러 가지 물질을 박막 형태로 증착하고 이를 패터닝하여 제조된다. 이를 위하여 증착 공정, 사진 공정, 식각 공정 및 세정 공정 등 여러 단계의 서로 다른 공정들이 요구된다.Generally, semiconductor devices are manufactured by depositing and patterning various materials on a substrate in a thin film form. To this end, several different processes are required, such as a deposition process, a photographic process, an etching process and a cleaning process.

이들 공정 중 식각 공정은 기판상에 형성된 막질을 제거하는 공정이고, 세정 공정은 반도체 제조를 위한 각 단위 공정의 진행 후 기판 표면에 잔류하는 오염 물질을 제거하는 공정이다. 식각 공정 및 세정 공정은 공정 진행 방식에 따라 습식 방식과 건식 방식으로 분류되며, 습식 방식은 배치 타입의 방식과 스핀 타입의 방식으로 분류된다.Among these processes, the etching process is a process of removing film quality formed on the substrate, and the cleaning process is a process of removing contaminants remaining on the surface of the substrate after each unit process for semiconductor manufacturing. The etching process and the cleaning process are classified into a wet method and a dry method according to the process method, and the wet method is classified into a batch type method and a spin type method.

스핀 타입의 방식은 한 장의 기판을 처리할 수 있는 척 부재에 기판을 고정한 후, 기판을 회전시키면서 분사 노즐을 통해 기판에 약액 또는 탈이온수를 공급하여, 원심력에 의해 약액 또는 탈이온수를 기판의 전면으로 퍼지게 함으로써 기판을 세정 처리한다.In the spin type method, the substrate is fixed to a chuck member capable of processing a single substrate, and then the chemical liquid or deionized water is supplied to the substrate through the spray nozzle while the substrate is rotated. The substrate is cleaned by spreading.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method for efficiently processing a substrate.

또한, 본 발명은 약액에 의한 기판 처리의 품질이 향상될 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.In addition, the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method which can improve the quality of the substrate processing by the chemical liquid.

또한, 본 발명은 공정 처리 시간이 단축될 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.In addition, the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can reduce the process processing time.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판을 지지하는 스핀헤드; 상기 스핀헤드를 외측 둘레를 감싸는 컵; 상기 스핀헤드에 위치된 상기 기판으로 약액을 토출하는 노즐; 단부에 상기 노즐이 위치되는 노즐 지지대; 상기 노즐에 연결되어 상기 노즐로 상기 약액을 공급하는 공급 배관; 상기 노즐에 인접하도록 상기 공급 배관의 일측 단부에 연결되는 드레인 배관; 상기 노즐 지지대에 연결되어, 상기 노즐을 상기 스핀헤드의 수직 상방 영역의 공정 위치와 상기 공정 위치 외측의 대기 위치 사이로 이동시키는 구동기; 상기 노즐을 상기 스핀헤드의 수직 상방 영역 외측의 대기 영역에서 상기 스핀헤드의 수직 상방 영역의 공정 위치로 이동시키면서, 상기 드레인 배관을 통해 상기 공급 배관이 드레인 되도록 제어하는 제어기를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the invention, the spin head for supporting the substrate; A cup surrounding the outer periphery of the spin head; A nozzle for discharging a chemical liquid to the substrate located at the spin head; A nozzle support on which the nozzle is positioned; A supply pipe connected to the nozzle to supply the chemical liquid to the nozzle; A drain pipe connected to one end of the supply pipe so as to be adjacent to the nozzle; A driver connected to the nozzle support to move the nozzle between a process position in a vertically upward region of the spin head and a standby position outside the process position; A substrate processing apparatus including a controller for controlling the supply pipe to be drained through the drain pipe while moving the nozzle from a standby area outside the vertical upper area of the spin head to a process position of a vertical upper area of the spin head. Can be provided.

또한, 상기 공급 배관은, 일단이 상기 노즐과 연결되는 메인 공급 배관; 상기 메인 공급 배관의 타단에 연결되어 상기 메인 공급 배관으로 제1 액을 공급하는 제1 공급 배관; 상기 메인 공급 배관의 타단에 연결되어 상기 메인 공급 배관으로 제2 액을 공급하는 제2 공급 배관을 포함할 수 있다.The supply pipe may include a main supply pipe whose one end is connected to the nozzle; A first supply pipe connected to the other end of the main supply pipe to supply a first liquid to the main supply pipe; It may include a second supply pipe connected to the other end of the main supply pipe for supplying a second liquid to the main supply pipe.

또한, 상기 드레인 배관은 상기 메인 공급 배관에 연결될 수 있다.In addition, the drain pipe may be connected to the main supply pipe.

또한, 상기 메인 공급 배관에는 삼방 밸브가 위치되고, 상기 드레인 배관은 상기 삼방 밸브에 연결될 수 있다.In addition, a three-way valve may be located in the main supply pipe, and the drain pipe may be connected to the three-way valve.

또한, 상기 메인 공급 배관에는 메인 밸브가 위치되고, 상기 드레인 배관은 상기 메인 밸브를 기준으로 상기 노즐의 반대쪽 방향에 연결될 수 있다.In addition, a main valve may be located in the main supply pipe, and the drain pipe may be connected to an opposite direction of the nozzle with respect to the main valve.

또한, 상기 드레인 배관에는 드레인 밸브가 위치될 수 있다.In addition, a drain valve may be located in the drain pipe.

또한, 상기 제1 공급 배관에는 제1 밸브가 위치되고, 상기 제2 공급 배관에는 제2 밸브가 위치될 수 있다.In addition, a first valve may be located in the first supply pipe, and a second valve may be located in the second supply pipe.

또한, 상기 제1 액은 황산이고, 상기 제2 액은 순수일 수 있다.In addition, the first liquid may be sulfuric acid, and the second liquid may be pure water.

또한, 상기 공급 배관에는 삼방 밸브가 위치되고, 상기 드레인 배관은 상기 삼방 밸브에 연결될 수 있다.In addition, a three-way valve may be located in the supply pipe, and the drain pipe may be connected to the three-way valve.

또한, 상기 공급 배관에는 메인 밸브가 위치되고, 상기 드레인 배관은 상기 메인 밸브를 기준으로 상기 노즐의 반대쪽 방향에 연결될 수 있다.In addition, a main valve may be positioned in the supply pipe, and the drain pipe may be connected to an opposite direction of the nozzle with respect to the main valve.

또한, 상기 드레인 배관에서 상기 공급 배관과 연결되는 부분은 상기 노즐 지지대의 내측에 위치될 수 있다.In addition, a portion of the drain pipe connected to the supply pipe may be located inside the nozzle support.

또한, 상기 드레인 배관에서 상기 공급 배관과 연결되는 부분은 상기 노즐 지지대에 부착되게 제공될 수 있다.In addition, a portion connected to the supply pipe in the drain pipe may be provided to be attached to the nozzle support.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 노즐을 기판을 지지하는 스핀헤드의 수직 상방 영역 외측의 대기 영역에서 상기 스핀헤드의 수직 상방 영역의 공정 위치로 이동 시키면서, 상기 노즐로 약액을 공급하는 공급 배관을 드레인 하는 드레인 단계; 상기 노즐로 상기 스핀헤드에 위치된 기판으로 상기 약액을 토출하는 약액 토출단계를 포함하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, draining the supply pipe for supplying the chemical liquid to the nozzle while moving the nozzle from the atmospheric region outside the vertical upper region of the spin head supporting the substrate to the process position of the vertical upper region of the spin head A drain step; A substrate processing method may include a chemical liquid ejecting step of ejecting the chemical liquid to a substrate positioned in the spin head with the nozzle.

또한, 상기 공급 배관에는 상기 노즐과 인접한 영역에 드레인 배관이 연결되고, 상기 공급 배관에 잔류하는 상기 약액은 상기 드레인 배관을 통해 드레인될 수 있다.In addition, a drain pipe may be connected to an area adjacent to the nozzle to the supply pipe, and the chemical liquid remaining in the supply pipe may be drained through the drain pipe.

또한, 상기 공급 배관에는 삼방밸브가 위치되고, 상기 드레인 배관은 상기 삼방밸브에 연결되되, 상기 삼방밸브는 상기 드레인 단계에서 상기 약액이 상기 드레인 배관으로 유동하고, 상기 약액 토출단계에서 상기 약액이 상기 노즐로 유동하도록 동작할 수 있다.In addition, a three-way valve is located in the supply pipe, the drain pipe is connected to the three-way valve, the three-way valve is the chemical liquid flows to the drain pipe in the drain stage, the chemical liquid in the chemical liquid discharge step Operate to flow to the nozzle.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of efficiently processing a substrate may be provided.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 약액에 의한 기판 처리의 품질이 향상될 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method which can improve the quality of the substrate processing by the chemical liquid may be provided.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 공정 처리 시간이 단축될 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method which can shorten the process processing time may be provided.

도 1은 기판 처리 설비를 나타낸 평면도이다.
도 2는 공정챔버들 가운데 하나 이상에 제공되는 기판처리장치의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 약액을 토출하는 노즐에 연결되는 배관 구조를 나타내는 도면이다.
도 4는 밸브들이 제공된 배관 구조의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 5는 밸브들이 제공된 배관 구조의 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 6은 기판처리장치가 기판을 처리하는 과정을 나타낸 플로우 차트이다.
도 7은 다른 실시 예에 따라 기판처리장치가 기판을 처리하는 과정을 나타내는 플로우 차트이다.1 is a plan view of a substrate processing facility.
2 is a cross-sectional view illustrating an example of a substrate processing apparatus provided in one or more of the process chambers.
3 is a view showing a pipe structure connected to a nozzle for discharging a chemical liquid.
4 shows an example of a piping structure provided with valves.
5 shows another example of a piping structure provided with valves.
6 is a flowchart illustrating a process of processing a substrate by the substrate processing apparatus.
7 is a flowchart illustrating a process of processing a substrate by a substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

도 1은 기판 처리 설비를 나타낸 평면도이다. 1 is a plan view of a substrate processing facility.

도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 포함한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing facility 1 includes an index module 10 and a process processing module 20.

인덱스 모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 포함한다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 배열될 수 있다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 위쪽에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.The index module 10 includes a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 20 may be sequentially arranged. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are arranged is referred to as a first direction 12. When viewed from above, the direction perpendicular to the first direction 12 is called the second direction 14, and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is called the third direction. It is called (16).

로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 놓인다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)으로 복수 개가 제공된다. 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(130)내에 위치된다. 캐리어(130)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is placed in the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided and they are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 1, four load ports 120 are provided. However, the number of load ports 120 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process processing module 20. The carrier 130 is formed with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate W. As shown in FIG. A plurality of slots are provided in the third direction 16. The substrates W are positioned in the carrier 130 to be stacked apart from each other along the third direction 16. As the carrier 130, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 포함한다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(260)이 배치된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process module 20 includes a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed in parallel with the first direction 12 in the longitudinal direction thereof. Process chambers 260 are disposed on one side and the other side of the transfer chamber 240 along the second direction 14, respectively. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are arranged to be stacked on each other. That is, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B (A and B are one or more natural numbers) on one side of the transfer chamber 240. Where A is the number of process chambers 260 provided in a line along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a line along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided at one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an arrangement of 2 × 2 or 3 × 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, unlike the above-described process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and both sides of the transfer chamber 240.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space where the substrate W stays between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140 before the substrate W is transferred. The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are spaced apart from each other along the third direction 16. Surfaces facing the transfer frame 140 and surfaces facing the transfer chamber 240 are opened in the buffer unit 220.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 바디(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 바디(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 바디(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 바디(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 바디(144b)에 결합되고, 바디(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 입자이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transports the substrate W between the carrier 130 seated on the load port 120 and the buffer unit 220. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided in parallel with the second direction 14 in the longitudinal direction thereof. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved in the second direction 14 along the index rail 142. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142. Body 144b is coupled to base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. In addition, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and provided to move forward and backward with respect to the body 144b. The plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked to be spaced apart from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to convey the substrate W from the process processing module 20 to the carrier 130, and others are used to convey the substrate W from the carrier 130 to the process processing module 20. It can be used when conveying. This can prevent particles generated from the substrate W before the process treatment from being attached to the substrate W after the process treatment in the process of the index robot 144 loading and unloading the substrate W.

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 바디(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 바디(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 바디(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 바디(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 바디(244b)에 결합되고, 이는 바디(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼유닛(220)에서 공정챔버(260)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)과 공정챔버(260)에서 버퍼유닛(220)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)은 서로 상이할 수 있다.The transfer chamber 240 transports the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rail 242 is disposed such that its length direction is parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rail 242 and moves linearly along the first direction 12 on the guide rail 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed to be movable along the guide rail 242. Body 244b is coupled to base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. In addition, the body 244b is provided to be rotatable on the base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided to be capable of moving forward and backward with respect to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked to be spaced apart from each other along the third direction 16. The main arm 244c used to convey the substrate W from the buffer unit 220 to the process chamber 260 and the substrate W used to convey the substrate W from the process chamber 260 to the buffer unit 220. The main arms 244c may be different from each other.

공정챔버(260) 내에는 기판(W)을 약액으로 처리하는 기판 처리 장치가 제공된다. 각각의 공정챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치는 수행하는 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(240)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(260)이 제공되고, 이송챔버(240)의 타측에는 제2그룹의 공정챔버들(260)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(240)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(260)와 제2그룹의 공정챔버(260)는 각각 사용되는 약액의 종류나, 공정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다.In the process chamber 260, a substrate processing apparatus for treating the substrate W with a chemical liquid is provided. The substrate processing apparatus provided in each process chamber 260 may have a different structure according to the type of process to be performed. Optionally, the substrate processing apparatus in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups, so that the substrate processing apparatuses provided to the process chambers 260 belonging to the same group have the same structure, and the substrate processing apparatuses provided to the process chambers 260 belonging to different groups. They may have different structures from each other. For example, when the process chamber 260 is divided into two groups, one side of the transfer chamber 240 is provided with process chambers 260 of the first group, and the other side of the transfer chamber 240 is provided with the second group. Process chambers 260 may be provided. Optionally, a first group of process chambers 260 may be provided at a lower layer, and a second group of process chambers 260 may be provided at a lower layer at each of one side and the other side of the transfer chamber 240. The process chamber 260 of the first group and the process chamber 260 of the second group may be classified according to the type of chemicals used or the type of process.

도 2는 공정챔버들 가운데 하나 이상에 제공되는 기판처리장치의 일 예를 보여주는 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating an example of a substrate processing apparatus provided in one or more of the process chambers.

도 2를 참조하면, 기판처리장치(300)는 컵(320), 스핀헤드(340), 승강유닛(360), 분사부재(380) 및 제어기(390)를 가진다. 컵(320)은 기판처리공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다. 컵(320)은 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 스핀헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 300 includes a cup 320, a spin head 340, a lifting unit 360, an injection member 380, and a controller 390. The cup 320 provides a space in which a substrate treatment process is performed, and an upper portion thereof is opened. The cup 320 has an inner recovery container 322, an intermediate recovery container 324, and an external recovery container 326. Each recovery container 322, 324, 326 recovers different treatment liquids from among treatment liquids used in the process. The inner recovery container 322 is provided in an annular ring shape surrounding the spin head 340, and the intermediate recovery container 324 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery container 322, and the outer recovery container 326. ) Is provided in an annular ring shape surrounding the intermediate collection vessel 324. Inner space 322a of the inner recovery container 322, space 324a between the inner recovery container 322 and the intermediate recovery container 324 and the space between the intermediate recovery container 324 and the external recovery container 326 ( 326a functions as an inlet through which the treatment liquid flows into the inner recovery container 322, the intermediate recovery container 324, and the external recovery container 326, respectively. Each recovery container 322, 324, 326 is connected to the recovery line (322b, 324b, 326b extending vertically in the bottom direction). Each of the recovery lines 322b, 324b and 326b discharges the treatment liquid introduced through the respective recovery vessels 322, 324 and 326. The discharged treatment liquid may be reused through an external treatment liquid regeneration system (not shown).

스핀헤드(340)는 컵(320) 내에 배치된다. 스핀헤드(340)은 공정 진행 중 기판을 지지하고 기판을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지 핀(344), 척 핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 위쪽에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전 가능한 지지축(348)이 고정 결합된다. 지지 핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지 핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지 핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판이 일정거리 이격 되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. 척 핀(346)은 복수 개 제공된다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지 핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척 핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척 핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판의 측부를 지지한다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판이 스핀 헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척 핀(346)은 대기 위치에 위치되고, 기판에 대해 공정 수행시에는 척 핀(346)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척 핀(346)은 기판의 측부와 접촉된다.Spinhead 340 is disposed within cup 320. The spin head 340 supports the substrate and rotates the substrate during the process. Spin head 340 has a body 342, a support pin 344, a chuck pin 346, and a support shaft 348. Body 342 has a top surface that is provided generally circular when viewed from above. A support shaft 348 rotatable by the motor 349 is fixedly coupled to the bottom of the body 342. A plurality of support pins 344 is provided. The support pins 344 are spaced apart at predetermined intervals from the edge of the upper surface of the body 342 and protrude upward from the body 342. The support pins 344 are arranged to have an annular ring shape as a whole by combining with each other. The support pin 344 supports the rear edge of the substrate so that the substrate is spaced a predetermined distance from the upper surface of the body 342. A plurality of chuck pins 346 are provided. The chuck pins 346 are disposed farther from the support pins 344 in the center of the body 342. The chuck pins 346 are provided to protrude upward from the body 342. The chuck pins 346 support the sides of the substrate so that the substrate does not deviate laterally from the home position when the spin head 340 is rotated. The chuck pins 346 are provided to be linearly movable between the standby position and the support position along the radial direction of the body 342. The standby position is a position far from the center of the body 342 relative to the support position. When the substrate is loaded or unloaded into the spin head 340, the chuck pins 346 are located in the standby position, and when the process is performed on the substrate, the chuck pins 346 are located in the support position. In the support position the chuck pins 346 are in contact with the sides of the substrate.

승강유닛(360)은 컵(320)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 컵(320)이 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(340)에 대한 컵(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 컵(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 놓이거나, 스핀헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀헤드(340)가 컵(320)의 상부로 돌출되도록 컵(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(322,324,326)으로 유입될 수 있도록 컵(320)의 높이가 조절한다. 예컨대, 제1처리액으로 기판을 처리하고 있는 동안에 기판은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리액, 그리고 제3처리액으로 기판을 처리하는 동안에 각각 기판은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강유닛(360)은 컵(320) 대신 스핀 헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 360 linearly moves the cup 320 in the vertical direction. As the cup 320 is moved up and down, the relative height of the cup 320 relative to the spin head 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixed to the outer wall of the cup 320, and the movement shaft 364 which is moved in the vertical direction by the driver 366 is fixedly coupled to the bracket 362. The cup 320 is lowered so that the spin head 340 protrudes above the cup 320 when the substrate W is placed on the spin head 340 or lifted from the spin head 340. In addition, when the process is in progress, the height of the cup 320 is adjusted to allow the processing liquid to flow into the predetermined recovery containers 322, 324 and 326 according to the type of the processing liquid supplied to the substrate W. For example, while the substrate is being treated with the first treatment liquid, the substrate is positioned at a height corresponding to the inner space 322a of the inner recovery container 322. In addition, during the processing of the substrate with the second processing liquid and the third processing liquid, the substrate may be disposed between the inner recovery container 322 and the intermediate recovery container 324, and the space 324a, and the intermediate recovery container 324 and the outside, respectively. It may be located at a height corresponding to the space 326a between the recovery container 326. Unlike the above, the elevating unit 360 may move the spin head 340 in the vertical direction instead of the cup 320.

분사부재(380)는 기판처리공정 시 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 분사부재(380)는 노즐 지지대(382), 노즐(384), 지지축(386), 그리고 구동기(388)를 가진다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(386)의 하단에는 구동기(388)가 결합된다. 구동기(388)는 지지축(386)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐지지대(382)는 구동기(388)와 결합된 지지축(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(384)은 노즐지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(384)은 구동기(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(384)이 기판(W)에 처리액을 토출할 수 있도록, 스핀헤드(340)의 수직 상방 영역이다. 대기 위치는 노즐(384)이 스핀헤드(340)의 수직 상방 영역 외측으로 벗어난 위치이다. 분사부재(380)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 분사부재(380)가 복수 개 제공되는 경우, 약액, 린스액, 또는 유기용제는 서로 상이한 분사부재(380)를 통해 제공될 수 있다. 린스액은 순수일 수 있고, 유기용제는 이소프로필 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물이거나 이소프로필 알코올 액일 수 있다.The injection member 380 supplies the treatment liquid to the substrate W during the substrate treatment process. The injection member 380 has a nozzle support 382, a nozzle 384, a support shaft 386, and a driver 388. The support shaft 386 has a longitudinal direction along the third direction 16, and a driver 388 is coupled to a lower end of the support shaft 386. The driver 388 rotates and lifts the support shaft 386. The nozzle support 382 is vertically coupled with the opposite end of the support shaft 386 coupled with the driver 388. The nozzle 384 is installed at the bottom of the end of the nozzle support 382. The nozzle 384 is moved by the driver 388 to a process position and a standby position. The process position is a vertically upward region of the spin head 340 so that the nozzle 384 can discharge the processing liquid onto the substrate W. As shown in FIG. The standby position is the position where the nozzle 384 is out of the vertically upward area of the spin head 340. One or a plurality of injection members 380 may be provided. When a plurality of spray members 380 are provided, the chemical liquid, the rinse liquid, or the organic solvent may be provided through different spray members 380. The rinse liquid may be pure and the organic solvent may be a mixture of isopropyl alcohol vapor and inert gas or isopropyl alcohol liquid.

제어기(390)는 기판처리장치(300)의 구성을 제어한다.The controller 390 controls the configuration of the substrate processing apparatus 300.

도 3은 약액을 토출하는 노즐에 연결되는 배관 구조를 나타내는 도면이다.3 is a view showing a pipe structure connected to a nozzle for discharging a chemical liquid.

도 3을 참조하면, 배관 구조는 공급 배관(410) 및 드레인 배관(420)을 포함한다.Referring to FIG. 3, the pipe structure includes a supply pipe 410 and a drain pipe 420.

공급 배관(410)은 노즐(384)에 약액을 공급한다. 공급 배관(410)은 메인 공급 배관(411), 제1 공급 배관(412) 및 제2 공급 배관(413)을 포함한다. 메인 공급 배관(411)의 일단은 노즐(384)에 직접 연결되어, 약액을 노즐(384)에 공급한다. 메인 공급 배관(411)의 전부 또는 일부는 노즐 지지대(382)의 내측에 위치되거나, 노즐 지지대(382)에 부착되게 제공될 수 있다. 또한, 드레인 배관(420)에서 공급 배관(410)과 연결되는 부분은 노즐 지지대(382)의 내측에 위치되거나, 노즐 지지대(382)에 부착되게 제공될 수 있다.The supply pipe 410 supplies the chemical liquid to the nozzle 384. The supply pipe 410 includes a main supply pipe 411, a first supply pipe 412, and a second supply pipe 413. One end of the main supply pipe 411 is directly connected to the nozzle 384 to supply the chemical liquid to the nozzle 384. All or part of the main supply pipe 411 may be provided inside the nozzle support 382 or attached to the nozzle support 382. In addition, a portion of the drain pipe 420 connected to the supply pipe 410 may be provided inside the nozzle support 382 or attached to the nozzle support 382.

제1 공급 배관(412) 및 제2 공급 배관(413)은 메인 공급 배관(411)의 타측에 연결된다. 제1 공급 배관(412) 및 제2 공급 배관(413)은 서로 상이한 액을 메인 공급 배관(411)에 공급한다. 그리고 액들은 서로 혼합된 후 노즐(384)을 통해 토출된다. 제1 공급 배관(412)이 공급하는 제1 액은 황산일 수 있다. 그리고 제2 공급 배관(413)으로 공급되는 제2 액은 순수일 수 있다.The first supply pipe 412 and the second supply pipe 413 are connected to the other side of the main supply pipe 411. The first supply pipe 412 and the second supply pipe 413 supply different liquids to the main supply pipe 411. The liquids are mixed with each other and then discharged through the nozzle 384. The first liquid supplied by the first supply pipe 412 may be sulfuric acid. The second liquid supplied to the second supply pipe 413 may be pure water.

제어기(390)는 공급 배관(410)에 잔류하는 약액이 드레인 배관(420)을 통해 드레인 되도록 제어한다. 드레인 배관(420)은 노즐(384)에 인접한 메인 공급 배관(411)의 일측 단부에 연결된다.The controller 390 controls the chemical liquid remaining in the supply pipe 410 to be drained through the drain pipe 420. The drain pipe 420 is connected to one end of the main supply pipe 411 adjacent to the nozzle 384.

도 4는 밸브들이 제공된 배관 구조의 일 예를 나타내는 도면이다.4 shows an example of a piping structure provided with valves.

도 4를 참조하면, 메인 공급 배관(411a)에는 메인 밸브(440a)가 제공된다. 메인 밸브(440a)는 3방 밸브로 제공되어, 드레인 배관(420a)은 3방 밸브를 통해 메인 공급 배관(411a)에 연결된다. 노즐(384)은 메인 밸브(440a)의 일측에서 연장된 메인 공급 배관(411a)에 연결되거나, 메인 밸브(440a)에 직접 연결될 수 있다. 메인 공급 배관(411a)에 잔류하는 약액을 드레인 할 때, 메인 밸브(440a)는 노즐(384)과 연결되는 부분은 닫히고, 드레인 배관(420a)과 메인 공급 배관(411a)을 연결하는 부분은 열리도록 제어된다. 따라서, 메인 공급 배관(411a)에 잔류하는 약액은 드레인 배관(420a)으로 유동하여 배출될 수 있다. 그리고 노즐(384)을 통해 약액이 토출될 때, 메인 밸브(440a)는 드레인 배관(420a)과 연결되는 부분은 닫히고, 노즐(384)과 연결되는 부분은 열리도록 제어된다. 따라서, 메인 공급 배관(411a)의 약액은 노즐(384)로 유동될 수 있다.4, the main supply pipe 411a is provided with a main valve 440a. The main valve 440a is provided as a three way valve, and the drain pipe 420a is connected to the main supply pipe 411a through the three way valve. The nozzle 384 may be connected to the main supply pipe 411a extending from one side of the main valve 440a or may be directly connected to the main valve 440a. When draining the chemical liquid remaining in the main supply pipe 411a, the main valve 440a closes the part connected to the nozzle 384, and the part connecting the drain pipe 420a and the main supply pipe 411a opens. Is controlled. Therefore, the chemical liquid remaining in the main supply pipe 411a may flow into the drain pipe 420a and be discharged. When the chemical liquid is discharged through the nozzle 384, the main valve 440a is controlled to close the portion connected to the drain pipe 420a and to open the portion connected to the nozzle 384. Therefore, the chemical liquid of the main supply pipe 411a can flow to the nozzle 384.

제1 공급 배관(412a)에는 제1 밸브(422a)가 제공될 수 있다. 제1 밸브(422a)는 제1 공급 배관(412a)을 개폐하도록 제어된다. 약액이 노즐(384)에서 토출될 때, 제1 밸브(422a)는 개방되어 메인 공급 배관(411a)으로 제1 액을 공급한다. 제1 밸브(422a)는 약액이 드레인될 때 닫힌 상태이거나, 설정량의 제1 액이 메인 공급 배관(411a)으로 유동하게 개방될 수 있다. 제2 공급 배관(413a)에는 제2 밸브(423a)가 제공될 수 있다. 제2 밸브(423a)는 제2 공급 배관(413a)을 개폐하도록 제어된다. 약액이 노즐(384)에서 토출될 때, 제2 밸브(423a)는 개방되어 메인 공급 배관(411a)으로 제2 액을 공급한다. 제2 밸브(423a)는 약액이 드레인될 때 닫힌 상태이거나, 설정량의 제2 액이 메인 공급 배관(411a)으로 유동하게 개방될 수 있다. The first valve 422a may be provided to the first supply pipe 412a. The first valve 422a is controlled to open and close the first supply pipe 412a. When the chemical liquid is discharged from the nozzle 384, the first valve 422a is opened to supply the first liquid to the main supply pipe 411a. The first valve 422a may be in a closed state when the chemical liquid is drained or may be opened to flow in a set amount of the first liquid to the main supply pipe 411a. The second valve 423a may be provided to the second supply pipe 413a. The second valve 423a is controlled to open and close the second supply pipe 413a. When the chemical liquid is discharged from the nozzle 384, the second valve 423a is opened to supply the second liquid to the main supply pipe 411a. The second valve 423a may be in a closed state when the chemical liquid is drained or may be opened to flow in a set amount of the second liquid to the main supply pipe 411a.

도 5는 밸브들이 제공된 배관 구조의 다른 예를 나타내는 도면이다.5 shows another example of a piping structure provided with valves.

도 5를 참조하면, 메인 공급 배관(411b)에는 메인 밸브(441b)가 제공된다. 드레인 배관(420b)은 메인 밸브(441b)를 기준으로 노즐(384)의 반대쪽 방향의 메인 공급 배관(411b)에 연결된다. 노즐(384)은 메인 밸브(441b)의 일측에서 연장된 메인 공급 배관(411b)에 연결되거나, 메인 밸브(441b)에 직접 연결될 수 있다. 드레인 배관(420b)에는 드레인 밸브(440b)가 위치된다. 드레인 밸브(440b)는 메인 공급 배관(411b)과 연결된 부분에 인접하게 배치된다. 메인 공급 배관(411b)에 잔류하는 약액을 드레인 할 때, 메인 밸브(441b)는 닫히고, 드레인 밸브(440b)는 개방되도록 제어된다. 따라서, 메인 공급 배관(411b)에 잔류하는 약액은 드레인 배관(420b)으로 유동하여 배출될 수 있다. 그리고, 노즐(384)을 통해 약액이 토출될 때, 메인 밸브(441b)는 열리고, 드레인 밸브(440b)는 닫히도록 제어된다. 따라서, 메인 공급 배관(411b)의 약액은 노즐(384)로 유동될 수 있다.Referring to FIG. 5, a main valve 441b is provided to the main supply pipe 411b. The drain pipe 420b is connected to the main supply pipe 411b opposite to the nozzle 384 based on the main valve 441b. The nozzle 384 may be connected to the main supply pipe 411b extending from one side of the main valve 441b or directly connected to the main valve 441b. The drain valve 440b is located in the drain pipe 420b. The drain valve 440b is disposed adjacent to the portion connected to the main supply pipe 411b. When draining the chemical liquid remaining in the main supply pipe 411b, the main valve 441b is closed and the drain valve 440b is controlled to open. Therefore, the chemical liquid remaining in the main supply pipe 411b may flow out of the drain pipe 420b and be discharged. When the chemical liquid is discharged through the nozzle 384, the main valve 441b is opened and the drain valve 440b is controlled to be closed. Therefore, the chemical liquid of the main supply pipe 411b can flow to the nozzle 384.

제1 공급 배관(412b)에는 제1 밸브(422b)가 제공될 수 있다. 제1 밸브(422b)는 제1 공급 배관(412b)을 개폐한다. 약액이 노즐(384)에서 토출될 때, 제1 밸브(422b)는 개방되어 메인 공급 배관(411b)으로 제1 액을 공급한다. 제1 밸브(422b)는 약액이 드레인될 때 닫힌 상태이거나, 설정량의 제1 액이 메인 공급 배관(411b)으로 유동하게 개방될 수 있다. 제2 공급 배관(413b)에는 제2 밸브(443b)가 제공될 수 있다. 제2 밸브(443b)는 제2 공급 배관(413b)을 개폐 한다. 약액이 노즐(384)에서 토출될 때, 제2 밸브(443b)는 개방되어 메인 공급 배관(411b)으로 제2 액을 공급한다. 제2 밸브(443b)는 약액이 드레인될 때 닫힌 상태이거나, 설정량의 제2 액이 메인 공급 배관(411b)으로 유동하게 개방될 수 있다.The first supply pipe 412b may be provided with a first valve 422b. The first valve 422b opens and closes the first supply pipe 412b. When the chemical liquid is discharged from the nozzle 384, the first valve 422b is opened to supply the first liquid to the main supply pipe 411b. The first valve 422b may be in a closed state when the chemical liquid is drained or may be opened to flow in a set amount of the first liquid to the main supply pipe 411b. The second supply pipe 413b may be provided with a second valve 443b. The second valve 443b opens and closes the second supply pipe 413b. When the chemical liquid is discharged from the nozzle 384, the second valve 443b is opened to supply the second liquid to the main supply pipe 411b. The second valve 443b may be in a closed state when the chemical liquid is drained or may be opened to flow in a set amount of the second liquid to the main supply pipe 411b.

도 6은 기판처리장치가 기판을 처리하는 과정을 나타낸 플로우 차트이다.6 is a flowchart illustrating a process of processing a substrate by the substrate processing apparatus.

도 6을 참조하면, 약액은 드레인 배관(420, 420a, 420b)을 통해 드레인 된 후(S110), 노즐(384)을 통해 기판으로 토출된다(S120). 노즐(384)에서 약액이 토출되는 과정이 종료된 후, 공급 배관(410, 410a, 410b)에는 노즐(384)로 유동하던 약액이 잔류하게 된다. 공급 배관(410, 410a, 410b)에 잔류하는 약액은 시간의 경과에 따라 물성이 변화될 수 있다. 또한, 제1 액이 황산이고, 제2 액이 순수일 경우 약액은 제1 액과 제2 액의 혼합될 때부터 열을 발생한다. 이와 같은 열은 약액이 기판에 토출된 후 기판을 처리하는 과정에 기여한다. 반면, 제1 액과 제2 액이 혼합된 후 시간이 경과됨에 따라 약액에서 발생되는 열은 감소되어, 약액에 의한 기판의 처리 정도는 시간의 경과에 따라 달라진다. 본 발명에 따른 기판 처리 장치(300)는 약액을 드레인 한 직 후, 기판에 토출할 수 있다. 따라서, 공급 배관(410, 410a, 410b)에 잔류하던 약액이 기판으로 공급되는 것이 방지되어, 기판의 처리 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 약액의 드레인은 노즐(384)이 대기 위치에서 공정 위치로 이동되는 과정에 이루어질 수 있다. 따라서, 약액을 드레인하기 위해, 구동기(388)가 노즐(384)을 별도의 경로로 이동 시킬 필요가 없어, 구동기(388)의 제어 및 노즐(384)의 이동 경로가 단순해 지고, 노즐(384)이 공정 위치로 이동된 후 약액 토출 되기까지의 시간에 지연이 발생되지 않는다.Referring to FIG. 6, the chemical liquid is drained through the drain pipes 420, 420a, and 420b (S110) and then discharged to the substrate through the nozzle 384 (S120). After the process of discharging the chemical liquid from the nozzle 384 is finished, the chemical liquid flowing to the nozzle 384 remains in the supply pipes 410, 410a, and 410b. The chemical liquid remaining in the supply pipes 410, 410a, and 410b may change in physical properties over time. In addition, when the first liquid is sulfuric acid and the second liquid is pure water, the chemical liquid generates heat when the first liquid and the second liquid are mixed. This heat contributes to the process of processing the substrate after the chemical liquid is discharged to the substrate. On the other hand, as time passes after the first liquid and the second liquid are mixed, heat generated in the chemical liquid is reduced, and thus the degree of treatment of the substrate by the chemical liquid varies with time. The substrate processing apparatus 300 according to the present invention may immediately discharge the chemical liquid to the substrate. Therefore, the chemical liquid remaining in the supply pipes 410, 410a, and 410b can be prevented from being supplied to the substrate, thereby improving the processing quality of the substrate. In addition, the drain of the chemical liquid may be made in the process of moving the nozzle 384 from the standby position to the process position. Thus, in order to drain the chemical liquid, the driver 388 does not need to move the nozzle 384 in a separate path, so that the control of the driver 388 and the movement path of the nozzle 384 are simplified, and the nozzle 384 There is no delay in the time from when the c) is moved to the process position and the chemical liquid is discharged.

약액의 토출에 의한 기판의 처리가 종료되면, 기판은 린스 처리된다(S130).When the processing of the substrate by the discharge of the chemical liquid is finished, the substrate is rinsed (S130).

도 7은 다른 실시 예에 따라 기판 처리 장치가 기판을 처리하는 과정을 나타내는 플로우 차트이다.7 is a flowchart illustrating a process of processing a substrate by a substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment.

도 7을 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 린스액 토출(S210), 약액 토출(S220), 린스액 토출(S230) 순서로 기판을 처리할 수 있다. 이 때, 기판 처리 장치(300)는 도 6의 실시 예와 유사하게 노즐(384)에서 약액이 토출되기에 앞서, 드레인 배관(420, 420a, 420b)으로 공급 배관(410, 410a, 410b)에 잔류하는 약액을 드레인 한다. 이와 같은 약액의 드레인은 약액 토출전 린스액이 토출되는 과정에서 개시되어 약액이 토출되기 직전까지 이루어 질 수 있다. 또한, 약액의 드레인은 약액 토출전 린스액 토출이 완료된 후 개시되어 약액이 토출되기 직전까지 이루어 질 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(300)는 약액 토출 직전까지 약액을 드레인 하기 위해 노즐(384)이 대기 위치에서 공정 위치로 이동되는 과정에서 약액을 드레인 할 수 있다.Referring to FIG. 7, the substrate processing apparatus 300 may process the substrate in the order of the rinse liquid discharge (S210), the chemical liquid discharge (S220), and the rinse liquid discharge (S230). At this time, the substrate processing apparatus 300 is connected to the supply pipes 410, 410a, and 410b to the drain pipes 420, 420a, and 420b before the chemical liquid is discharged from the nozzle 384, similarly to the embodiment of FIG. 6. Drain the remaining chemical. The drain of the chemical liquid may be started in the process of discharging the rinse liquid before discharging the chemical liquid and may be performed until just before the chemical liquid is discharged. In addition, the drain of the chemical liquid may be started after the rinse liquid discharge is completed before the chemical liquid discharge and may be made until just before the chemical liquid is discharged. In addition, the substrate processing apparatus 300 may drain the chemical liquid while the nozzle 384 is moved from the standby position to the process position in order to drain the chemical liquid until immediately before the chemical liquid discharge.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the above-mentioned contents show preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosures described above, and / or the skill or knowledge in the art. The described embodiments illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various modifications required in the specific application field and use of the present invention are possible. Thus, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

320: 컵 340: 스핀헤드
342: 몸체 348: 지지축
360: 승강유닛 380: 분사부재
382: 노즐 지지대 384: 노즐
388: 구동기 320: cup 340: spin head
342: body 348: support shaft
360: lifting unit 380: spray member
382: nozzle support 384: nozzle
388: driver

Claims (15)

기판을 지지하는 스핀헤드;
상기 스핀헤드를 외측 둘레를 감싸는 컵;
상기 스핀헤드에 위치된 상기 기판으로 약액을 토출하는 노즐;
단부에 상기 노즐이 위치되는 노즐 지지대;
상기 노즐에 연결되어 상기 노즐로 상기 약액을 공급하는 공급 배관;
상기 노즐에 인접하도록 상기 공급 배관에 연결되는 드레인 배관;
상기 노즐 지지대에 연결되어, 상기 노즐을 상기 스핀헤드의 수직 상방 영역의 공정 위치와 상기 공정 위치 외측의 대기 위치 사이로 이동시키는 구동기;
상기 노즐을 상기 스핀헤드의 수직 상방 영역 외측의 대기 영역에서 상기 스핀헤드의 수직 상방 영역의 공정 위치로 이동시키면서, 상기 드레인 배관을 통해 상기 공급 배관으로 공급되는 약액을 드레인하고, 이후에 상기 공정 위치에서 상기 스핀 헤드에 놓인 기판으로 상기 노즐로부터 상기 약액을 공급하도록 제어하는 제어기를 포함하는 기판 처리 장치.A spin head supporting the substrate;
A cup surrounding the outer periphery of the spin head;
A nozzle for discharging a chemical liquid to the substrate located at the spin head;
A nozzle support on which the nozzle is positioned;
A supply pipe connected to the nozzle to supply the chemical liquid to the nozzle;
A drain pipe connected to the supply pipe so as to be adjacent to the nozzle;
A driver coupled to the nozzle support for moving the nozzle between a process position in a vertically upward region of the spin head and a standby position outside the process position;
The chemical liquid supplied to the supply pipe is drained through the drain pipe while the nozzle is moved from the standby area outside the vertical upper area of the spin head to the process position of the vertical upper area of the spin head, and then the process position. And a controller for controlling supply of the chemical liquid from the nozzle to a substrate placed on the spin head. 제1항에 있어서,
상기 공급 배관은,
일단이 상기 노즐과 연결되는 메인 공급 배관;
상기 메인 공급 배관의 타단에 연결되어 상기 메인 공급 배관으로 제1 액을 공급하는 제1 공급 배관;
상기 메인 공급 배관의 타단에 연결되어 상기 메인 공급 배관으로 제2 액을 공급하는 제2 공급 배관을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The supply pipe,
A main supply pipe having one end connected to the nozzle;
A first supply pipe connected to the other end of the main supply pipe to supply a first liquid to the main supply pipe;
And a second supply pipe connected to the other end of the main supply pipe to supply a second liquid to the main supply pipe. 제2항에 있어서,
상기 드레인 배관은 상기 메인 공급 배관에 연결되는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
And the drain pipe is connected to the main supply pipe. 제3항에 있어서,
상기 메인 공급 배관에는 삼방 밸브가 위치되고,
상기 드레인 배관은 상기 삼방 밸브에 연결되는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
The three-way valve is located in the main supply pipe,
And the drain pipe is connected to the three-way valve. 제3항에 있어서,
상기 메인 공급 배관에는 메인 밸브가 위치되고,
상기 드레인 배관은 상기 메인 밸브를 기준으로 상기 노즐의 반대쪽 방향에 연결되는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
The main supply pipe is located in the main valve,
The drain pipe is connected to the opposite direction of the nozzle relative to the main valve. 제5항에 있어서,
상기 드레인 배관에는 드레인 밸브가 위치되는 기판 처리 장치.The method of claim 5,
And a drain valve is disposed in the drain pipe. 제2항에 있어서,
상기 제1 공급 배관에는 제1 밸브가 위치되고, 상기 제2 공급 배관에는 제2 밸브가 위치되는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
And a first valve is positioned in the first supply pipe, and a second valve is located in the second supply pipe. 제2항 내지 제7항 중 어느 하나에 있어서,
상기 제1 액은 황산이고, 상기 제2 액은 순수인 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 2 to 7,
And said first liquid is sulfuric acid, and said second liquid is pure water. 제1항 내지 제7항 중 어느 하나에 있어서,
상기 공급 배관에는 삼방 밸브가 위치되고,
상기 드레인 배관은 상기 삼방 밸브에 연결되는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 7,
The three-way valve is located in the supply pipe,
And the drain pipe is connected to the three-way valve. 제1항 내지 제7항 중 어느 하나에 있어서,
상기 공급 배관에는 메인 밸브가 위치되고,
상기 드레인 배관은 상기 메인 밸브를 기준으로 상기 노즐의 반대쪽 방향에 연결되는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 7,
The main pipe is located in the supply pipe,
The drain pipe is connected to the opposite direction of the nozzle relative to the main valve. 제1항 내지 제7항 중 어느 하나에 있어서,
상기 드레인 배관에서 상기 공급 배관과 연결되는 부분은 상기 노즐 지지대의 내측에 위치되는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 7,
And a portion of the drain pipe connected to the supply pipe is located inside the nozzle support. 제1항 내지 제7항 중 어느 하나에 있어서,
상기 드레인 배관에서 상기 공급 배관과 연결되는 부분은 상기 노즐 지지대에 부착되게 제공되는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 7,
And a portion of the drain pipe connected to the supply pipe is attached to the nozzle support. 노즐을 기판을 지지하는 스핀헤드의 수직 상방 영역 외측의 대기 영역에서 상기 스핀헤드의 수직 상방 영역의 공정 위치로 이동시키면서, 상기 노즐로 약액을 공급하는 공급 배관을 드레인 하는 드레인 단계;
상기 드레인 단계 이후에, 상기 공정 위치에서 상기 노즐로 상기 스핀헤드에 위치된 기판으로 상기 약액을 토출하는 약액 토출단계를 포함하는 기판 처리 방법.A drain step of draining a supply pipe for supplying chemical liquid to the nozzle while moving the nozzle from a standby region outside the vertical upper region of the spin head supporting the substrate to a process position of the vertical upper region of the spin head;
And a chemical liquid ejecting step of ejecting the chemical liquid to the substrate located at the spin head from the process position to the nozzle after the draining step. 제13항에 있어서,
상기 공급 배관에는 상기 노즐과 인접한 영역에 드레인 배관이 연결되고, 상기 공급 배관에 잔류하는 상기 약액은 상기 드레인 배관을 통해 드레인 되는 기판 처리 방법.The method of claim 13,
The drain pipe is connected to an area adjacent to the nozzle to the supply pipe, and the chemical liquid remaining in the supply pipe is drained through the drain pipe. 제14항에 있어서,
상기 공급 배관에는 삼방밸브가 위치되고, 상기 드레인 배관은 상기 삼방밸브에 연결되되,
상기 삼방밸브는 상기 드레인 단계에서 상기 약액이 상기 드레인 배관으로 유동하고, 상기 약액 토출단계에서 상기 약액이 상기 노즐로 유동하도록 동작하는 기판 처리 방법.The method of claim 14,
Three-way valve is located in the supply pipe, the drain pipe is connected to the three-way valve,
The three-way valve is a substrate processing method of operating so that the chemical liquid flows to the drain pipe in the drain step, the chemical liquid flows to the nozzle in the chemical liquid discharge step.
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