JP2013207265A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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啓二 真柄
Jiro Okuda
次郎 奥田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To separate multiple types of process liquids supplied to a substrate by type using one cup and reduce the contamination of the substrate.SOLUTION: A substrate processing apparatus includes: a spin chuck 4 horizontally holding a substrate W and rotating the substrate W around a rotation axis A1; a nozzle 5 supplying multiple types of process liquids to the substrate W; a cylindrical cup 6 that includes a cylindrical inner peripheral surface 6a enclosing the substrate W and multiple discharge ports 21 opening on the inner peripheral surface 6a; an airflow formation device that forms rotation airflow flowing in the same direction as a rotation direction D1 of the substrate W between the substrate W and the inner peripheral surface 6a of the cup 6; a cup cleaning nozzle 24 supplying pure water to the inner peripheral surface 6a of the cup 6; and a separation device 27 separating the multiple types of process liquids discharged to the multiple discharge ports 21 by type.

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, and photomasks. Substrate, ceramic substrate, solar cell substrate and the like.

半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられる。
特許文献1に記載の枚葉式の基板処理装置は、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、基板に向けて薬液を吐出する薬液ノズルと、基板に向けてリンス液を吐出するリンス液ノズルとを含む。この基板処理装置は、さらに、スピンチャックを取り囲む複数のカップと、複数のカップをそれぞれ独立して昇降させる昇降機構と、カップ内に下降気流を形成する羽根部材と、カップ内の雰囲気をカップの底部から排出する排気管とを含む。
In the manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, a substrate processing apparatus for processing a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device is used.
A single-wafer type substrate processing apparatus described in Patent Document 1 includes a spin chuck that holds and rotates a substrate horizontally, a chemical nozzle that discharges a chemical toward the substrate, and a rinse that discharges a rinsing liquid toward the substrate. A liquid nozzle. The substrate processing apparatus further includes a plurality of cups surrounding the spin chuck, a lifting mechanism that lifts and lowers the plurality of cups independently, a blade member that forms a descending airflow in the cup, and an atmosphere in the cup. And an exhaust pipe exhausted from the bottom.

特開2009−231710号公報JP 2009-231710 A

特許文献1に記載の基板処理装置では、複数種の処理液を種類ごとに分離するために、基板に対向するカップが、基板に供給される処理液の種類ごとに変更される。そのため、複数のカップと、カップおよびスピンチャックを相対移動させる機構とが必要であり、基板処理装置のコストが増加する。1つのカップで複数種の処理液を受け止める方法が考えられるが、この方法では、基板に供給される処理液の種類が変わる前にカップを十分に洗浄しないと、種類の異なる薬液同士が混ざり合ったり、パーティクルが発生したりする場合がある。さらに、基板の周囲に排出された処理液をカップによって受け止める構成では、カップとの衝突によって基板側に跳ね返った処理液の液滴が基板に付着し、基板が汚染される場合がある。   In the substrate processing apparatus described in Patent Document 1, in order to separate a plurality of types of processing liquids for each type, the cup facing the substrate is changed for each type of processing liquid supplied to the substrate. Therefore, a plurality of cups and a mechanism for moving the cup and the spin chuck relative to each other are required, and the cost of the substrate processing apparatus increases. A method of receiving a plurality of types of processing liquids with one cup is conceivable. However, in this method, different types of chemicals are mixed with each other unless the cups are sufficiently washed before the type of processing liquid supplied to the substrate is changed. Or particles may be generated. Further, in the configuration in which the processing liquid discharged around the substrate is received by the cup, a droplet of the processing liquid that has bounced back to the substrate side due to the collision with the cup may adhere to the substrate and be contaminated.

そこで、本発明の目的は、基板に供給された複数種の処理液を一つのカップで種類ごとに分離でき、基板の汚染を低減できる基板処理装置を提供することである。   Therefore, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can separate a plurality of types of processing liquids supplied to a substrate for each type with a single cup and reduce contamination of the substrate.

前記目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板(W)を水平に保持する基板保持手段(4)と、基板を通る鉛直な回転軸線(A1)まわりに前記基板保持手段に保持されている基板を回転させる基板回転手段(10)と、前記基板保持手段に保持されている基板に複数種の処理液を供給する処理液供給手段(5)と、前記基板保持手段に保持されている基板を取り囲む筒状の内周面(6a)と、前記内周面で開口する複数の排出口(21)とを含み、前記基板の周囲に排出された複数種の処理液を前記内周面によって受け止めると共に、前記基板の周囲に排出された複数種の処理液を前記複数の排出口に排出する筒状のカップ(6)と、前記基板保持手段に保持されている基板と前記カップの内周面との間で前記基板の回転方向(D1)と同じ方向に流れる回転気流を形成する気流形成手段(34、35A、35B、35C、35D、35E、36、37)と、前記カップの内周面に純水を供給するカップ洗浄手段(5d、24)と、前記複数の排出口に排出される複数種の処理液を種類ごとに分離する分離手段(27、227)とを含む、基板処理装置(1)である。   In order to achieve the above-mentioned object, the invention according to claim 1 is characterized in that the substrate holding means (4) for horizontally holding the substrate (W) and the substrate holding means around the vertical rotation axis (A1) passing through the substrate. A substrate rotating means (10) for rotating the substrate being processed, a processing liquid supply means (5) for supplying a plurality of types of processing liquids to the substrate held by the substrate holding means, and a substrate holding means. A cylindrical inner peripheral surface (6a) that surrounds the substrate, and a plurality of discharge ports (21) that open on the inner peripheral surface, and a plurality of types of processing liquids discharged around the substrate A cylindrical cup (6) that is received by the peripheral surface and discharges a plurality of types of processing liquid discharged around the substrate to the plurality of discharge ports, and the substrate and the cup held by the substrate holding means Direction of rotation of the substrate (D ) And a cup cleaning unit (5d) for supplying pure water to the inner peripheral surface of the cup. 24) and separation means (27, 227) for separating the plurality of types of processing liquids discharged to the plurality of discharge ports for each type of substrate processing apparatus (1).

この構成によれば、基板回転手段が、基板保持手段に水平に保持されている基板を、基板を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる。処理液供給手段は、回転状態の基板に複数種の処理液を供給する。基板の周囲に排出された複数種の処理液は、基板を取り囲むカップの内周面によって受け止められる。基板とカップの内周面との間で基板の回転方向と同じ方向に流れる回転気流が、気流形成手段によって形成されているので、カップの内周面に付着している処理液は、回転気流によって押されて、カップの内周面に沿って基板の回転方向と同じ方向(カップの周方向)に流れる。そのため、カップによって受け止められた処理液が、カップの内周面の広範囲に行き渡る。そして、カップの周方向に移動する処理液は、カップの内周面で開口する複数の排出口に排出される。複数の排出口に排出される複数種の処理液は、分離手段によって種類ごとに分離される。   According to this configuration, the substrate rotating unit rotates the substrate held horizontally by the substrate holding unit around a vertical rotation axis passing through the substrate. The processing liquid supply means supplies a plurality of types of processing liquids to the rotating substrate. The plurality of types of processing liquids discharged around the substrate are received by the inner peripheral surface of the cup surrounding the substrate. Since the rotating airflow that flows in the same direction as the rotation direction of the substrate between the substrate and the inner peripheral surface of the cup is formed by the airflow forming means, the treatment liquid adhering to the inner peripheral surface of the cup And flows in the same direction as the rotation direction of the substrate (the circumferential direction of the cup) along the inner peripheral surface of the cup. Therefore, the processing liquid received by the cup spreads over a wide area on the inner peripheral surface of the cup. And the process liquid which moves to the circumferential direction of a cup is discharged | emitted by the several discharge port opened on the internal peripheral surface of a cup. The plurality of types of treatment liquids discharged to the plurality of discharge ports are separated for each type by the separation means.

処理液と同様に、カップ洗浄手段からカップの内周面に供給された純水は、回転気流によって押されて、カップの内周面に沿ってカップの周方向に移動する。そのため、カップの内周面に供給された純水は、カップの内周面の広範囲に行き渡る。そして、カップの周方向に移動する純水は、複数の排出口に排出される。このように、カップ洗浄手段からカップの内周面に供給された純水が、カップの内周面の広範囲に行き渡るので、カップの内周面に付着している処理液やパーティクルを純水によって確実に洗い流すことができる。そのため、カップ内の処理液の残留量を極めて少なくできる。したがって、共通のカップで複数種の処理液を受け止めたとしても、種類の異なる処理液同士(たとえば薬液同士)が混ざり合うことを抑制または防止できる。さらに、カップの内周面に向かって飛散する処理液の進行方向が回転気流によって曲げられるので、処理液の液滴がカップに衝突したときの衝撃が弱まる。そのため、処理液のミストの発生量を低減でき、ミストの付着による基板の汚染を低減できる。これにより、基板の清浄度を高めることができる。   Similar to the treatment liquid, the pure water supplied from the cup cleaning means to the inner peripheral surface of the cup is pushed by the rotating airflow and moves in the cup circumferential direction along the inner peripheral surface of the cup. Therefore, the pure water supplied to the inner peripheral surface of the cup spreads over a wide area on the inner peripheral surface of the cup. And the pure water which moves to the circumferential direction of a cup is discharged | emitted by several discharge port. In this way, the pure water supplied from the cup cleaning means to the inner peripheral surface of the cup spreads over a wide area on the inner peripheral surface of the cup, so that the treatment liquid and particles adhering to the inner peripheral surface of the cup are removed by pure water. It can be washed away reliably. Therefore, the residual amount of the processing liquid in the cup can be extremely reduced. Therefore, even when a plurality of types of processing liquids are received by a common cup, mixing of different types of processing liquids (for example, chemical liquids) can be suppressed or prevented. Furthermore, since the traveling direction of the processing liquid scattered toward the inner peripheral surface of the cup is bent by the rotating airflow, the impact when the processing liquid droplet collides with the cup is weakened. Therefore, the amount of mist generated in the processing liquid can be reduced, and contamination of the substrate due to mist adhesion can be reduced. Thereby, the cleanliness of the substrate can be increased.

請求項2に記載の発明は、前記カップ内の雰囲気を前記複数の排出口から排出する排気手段(32)をさらに含む、請求項1に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、カップ内の雰囲気が、回転気流によって複数の排出口に案内され、排気手段からの吸引力によって複数の排出口に排出される。そのため、カップ内の雰囲気がカップの周方向に関して均一に排出され、カップ内の処理液のミストおよび蒸気の残留量が低減される。したがって、ミストや蒸気の付着による基板の汚染を低減できる。これにより、基板の清浄度を高めることができる。
The invention according to claim 2 is the substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising exhaust means (32) for exhausting the atmosphere in the cup from the plurality of exhaust ports.
According to this configuration, the atmosphere in the cup is guided to the plurality of outlets by the rotating airflow, and is discharged to the plurality of outlets by the suction force from the exhaust means. Therefore, the atmosphere in the cup is uniformly discharged in the circumferential direction of the cup, and the residual amount of mist and steam in the processing liquid in the cup is reduced. Therefore, contamination of the substrate due to adhesion of mist and vapor can be reduced. Thereby, the cleanliness of the substrate can be increased.

請求項3に記載の発明は、前記分離手段は、前記複数の排出口をそれぞれ独立して開閉可能な複数の開閉手段(28)を含む、請求項1または2に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、複数の排出口が、複数の開閉手段によってそれぞれ独立して開閉される。したがって、分離手段は、基板に供給される処理液の種類ごとに開状態の排出口を変更することにより、複数種の処理液を種類ごとに分離できる。これにより、基板に供給された複数種の処理液が、カップ内で種類ごとに分離される。
The invention according to claim 3 is the substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the separating means includes a plurality of opening / closing means (28) capable of independently opening and closing the plurality of discharge ports. .
According to this configuration, the plurality of outlets are independently opened and closed by the plurality of opening and closing means. Therefore, the separating means can separate a plurality of types of processing liquids for each type by changing the open discharge port for each type of processing liquid supplied to the substrate. As a result, the plurality of types of processing liquids supplied to the substrate are separated for each type in the cup.

請求項4に記載の発明は、前記分離手段は、前記複数の排出口に接続された入力ポート(256a)と、前記複数の排出口から前記入力ポートに供給された処理液を排出する複数の出力ポート(256b)とを有し、前記入力ポートに接続される出力ポートを前記複数の出力ポートの中で切替可能な排液切替バルブ(256)を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置である。   According to a fourth aspect of the present invention, the separation means includes a plurality of input ports (256a) connected to the plurality of discharge ports, and a plurality of processing liquids discharged from the plurality of discharge ports to the input ports. 4. A drainage switching valve (256) having an output port (256 b) and capable of switching an output port connected to the input port among the plurality of output ports. 5. The substrate processing apparatus according to the item.

この構成によれば、カップの内周面で開口する複数の排出口が、排液切替バルブの入力ポートに接続されており、複数の排出口から入力ポートに供給された処理液が、排液切替バルブの複数の出力ポートのいずれかから排出される。入力ポートに接続される出力ポートは、複数の出力ポートのいずれかに切り替えられる。したがって、分離手段は、排液切替バルブを切り替えることにより、複数種の処理液を種類ごとに分離できる。これにより、基板に供給された複数種の処理液が、カップよりも下流側で種類ごとに分離される。   According to this configuration, the plurality of discharge ports opened on the inner peripheral surface of the cup are connected to the input port of the drain switching valve, and the processing liquid supplied to the input port from the plurality of discharge ports is drained. It is discharged from one of the plurality of output ports of the switching valve. The output port connected to the input port is switched to one of a plurality of output ports. Therefore, the separation means can separate a plurality of types of treatment liquids for each type by switching the drainage switching valve. Thereby, the multiple types of processing liquids supplied to the substrate are separated for each type on the downstream side of the cup.

請求項5に記載の発明は、前記カップ洗浄手段は、前記基板保持手段に保持されている基板に向けて純水を吐出する純水ノズル(5d)を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、純水ノズルから吐出された純水が、基板に供給される。これにより、基板に付着している処理液やパーティクルが洗い流される。そして、基板の周囲に排出された純水が、カップの内周面に供給される。これにより、カップの内周面に付着している処理液やパーティクルが洗い流される。
The invention according to claim 5 is any one of claims 1 to 4, wherein the cup cleaning means includes a pure water nozzle (5d) for discharging pure water toward the substrate held by the substrate holding means. The substrate processing apparatus according to one item.
According to this configuration, pure water discharged from the pure water nozzle is supplied to the substrate. Thereby, the processing liquid and particles adhering to the substrate are washed away. And the pure water discharged | emitted by the circumference | surroundings of a board | substrate is supplied to the internal peripheral surface of a cup. Thereby, the process liquid and particles adhering to the inner peripheral surface of the cup are washed away.

請求項6に記載の発明は、前記カップ洗浄手段は、前記カップの内周面に向けて純水を吐出するカップ洗浄ノズル(24)を含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、純水が、カップの内周面に向けてカップ洗浄ノズルから吐出される。したがって、カップの内周面に純水が確実に供給される。これにより、カップの内周面に付着している処理液やパーティクルが洗い流される。
The invention described in claim 6 is the cup cleaning means according to any one of claims 1 to 5, wherein the cup cleaning means includes a cup cleaning nozzle (24) for discharging pure water toward the inner peripheral surface of the cup. This is a substrate processing apparatus.
According to this configuration, pure water is discharged from the cup cleaning nozzle toward the inner peripheral surface of the cup. Therefore, pure water is reliably supplied to the inner peripheral surface of the cup. Thereby, the process liquid and particles adhering to the inner peripheral surface of the cup are washed away.

請求項7に記載の発明は、前記気流形成手段は、前記カップの内側に配置された羽根(39)と、前記羽根と共に鉛直な軸線まわりに回転可能な回転体(38)と、前記回転体を回転させる羽根回転手段(10、41D、41E)とを含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、羽根回転手段が鉛直な軸線まわりに回転体を回転させると、カップの内側に配置された羽根が、回転体と共に回転し、基板とカップとの間で基板の回転方向と同じ方向に流れる回転気流が形成される。これにより、処理液や純水をカップの内周面の広範囲に拡散させることができる。
The invention according to claim 7 is characterized in that the airflow forming means includes a blade (39) disposed inside the cup, a rotating body (38) rotatable together with the blade around a vertical axis, and the rotating body. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising blade rotating means (10, 41 </ b> D, 41 </ b> E).
According to this configuration, when the blade rotating means rotates the rotating body around the vertical axis, the blade disposed inside the cup rotates together with the rotating body, and the rotation direction of the substrate is determined between the substrate and the cup. A rotating airflow flowing in the same direction is formed. Thereby, a process liquid and a pure water can be diffused in the wide range of the internal peripheral surface of a cup.

請求項8に記載の発明は、前記羽根は、上下対称な断面を有している、請求項7に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、羽根の断面(回転半径方向に直交する断面)が上下対称であるので、上昇気流および下降気流の発生が抑制または防止される。そのため、羽根の断面が上下非対称である場合よりも、強い回転気流が形成される。これにより、処理液や純水をカップの内周面の広範囲に拡散させることができる。
The invention according to claim 8 is the substrate processing apparatus according to claim 7, wherein the blade has a vertically symmetrical cross section.
According to this configuration, since the cross section of the blade (the cross section orthogonal to the rotational radius direction) is vertically symmetric, the generation of the updraft and the downdraft is suppressed or prevented. Therefore, a stronger rotating airflow is formed than when the blades have a vertically asymmetric cross section. Thereby, a process liquid and a pure water can be diffused in the wide range of the internal peripheral surface of a cup.

請求項9に記載の発明は、前記羽根回転手段は、前記基板回転手段である、請求項7または8に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板を回転させる駆動源と、羽根を回転させる駆動源とが共通であるので、部品点数の増加を抑制できる。
請求項10に記載の発明は、前記羽根回転手段は、前記基板回転手段とは独立している、請求項7または8に記載の基板処理装置である。
The invention according to claim 9 is the substrate processing apparatus according to claim 7 or 8, wherein the blade rotating means is the substrate rotating means.
According to this configuration, since the drive source that rotates the substrate and the drive source that rotates the blades are common, an increase in the number of components can be suppressed.
The invention according to claim 10 is the substrate processing apparatus according to claim 7 or 8, wherein the blade rotating means is independent of the substrate rotating means.

この構成によれば、羽根が、基板を回転させる駆動源(基板回転手段)とは異なる駆動源(羽根回転手段)によって回転駆動される。したがって、羽根回転手段は、基板の回転とは独立して回転気流を形成することができる。
請求項11に記載の発明は、前記気流形成手段は、前記基板の回転方向の下流側に向けて前記カップの内周面の接線方向に気体を吐出する気体吐出手段(36)を含む、請求項1〜10のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
According to this configuration, the blade is rotationally driven by a drive source (blade rotation unit) different from the drive source (substrate rotation unit) that rotates the substrate. Therefore, the blade rotating means can form a rotating airflow independently of the rotation of the substrate.
The invention according to claim 11 is characterized in that the airflow forming means includes gas discharge means (36) for discharging gas in the tangential direction of the inner peripheral surface of the cup toward the downstream side in the rotation direction of the substrate. Item 11. The substrate processing apparatus according to any one of Items 1 to 10.

この構成によれば、気体吐出手段が、基板の回転方向の下流側に向けてカップの内周面の接線方向に気体を吐出する。そのため、気体吐出手段から吐出された気体は、カップの内周面によってカップの周方向に案内され、カップの内周面に沿って基板の回転方向と同じ方向に流れる。これにより、基板とカップとの間で基板の回転方向と同じ方向に流れる回転気流が形成される。   According to this configuration, the gas discharge means discharges gas in the tangential direction of the inner peripheral surface of the cup toward the downstream side in the rotation direction of the substrate. Therefore, the gas discharged from the gas discharge means is guided in the circumferential direction of the cup by the inner peripheral surface of the cup, and flows in the same direction as the rotation direction of the substrate along the inner peripheral surface of the cup. Thereby, a rotating airflow that flows in the same direction as the rotation direction of the substrate is formed between the substrate and the cup.

請求項12に記載の発明は、前記気流形成手段は、前記カップの内周面で開口する吸引口(49)から前記基板の回転方向の下流側に向けて前記カップの内周面の接線方向に気体を吸引する気体吸引手段(37)を含む、請求項1〜11のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、カップ内の気体が、カップの内周面で開口する吸引口に吸引される。吸引口は、カップの内周面の接線方向に気体を吸引する。したがって、カップ内の気体は、カップの内周面によってカップの周方向に案内されながら、カップの内周面に沿ってカップの周方向に流れる。さらに、吸引口は、基板の回転方向の下流側に向かってカップの内周面の接線に沿って延びる方向に気体を吸引する。これにより、基板とカップとの間で基板の回転方向と同じ方向に流れる回転気流が形成される。
According to a twelfth aspect of the present invention, the airflow forming means is a tangential direction of the inner peripheral surface of the cup from a suction port (49) opening on the inner peripheral surface of the cup toward the downstream side in the rotation direction of the substrate. It is a substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1-11 containing the gas suction means (37) which attracts | sucks gas to.
According to this structure, the gas in a cup is attracted | sucked by the suction opening opened on the internal peripheral surface of a cup. The suction port sucks gas in the tangential direction of the inner peripheral surface of the cup. Therefore, the gas in the cup flows in the circumferential direction of the cup along the inner circumferential surface of the cup while being guided in the circumferential direction of the cup by the inner circumferential surface of the cup. Further, the suction port sucks gas in a direction extending along a tangent line of the inner peripheral surface of the cup toward the downstream side in the rotation direction of the substrate. Thereby, a rotating airflow that flows in the same direction as the rotation direction of the substrate is formed between the substrate and the cup.

なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符号を表すものであるが、これらの参照符号により特許請求の範囲を限定する趣旨ではない。   In this section, alphanumeric characters in parentheses represent reference numerals of corresponding components in the embodiments described later, but the scope of the claims is not limited by these reference numerals.

本発明の第1実施形態に係る基板処理装置に備えられた処理ユニットの内部を水平方向から見た模式図である。It is the schematic diagram which looked at the inside of the processing unit with which the substrate processing apparatus concerning a 1st embodiment of the present invention was equipped from the horizontal direction. スピンチャックおよびカップの模式的な平面図である。It is a typical top view of a spin chuck and a cup. カップを水平方向から見た模式図である。It is the schematic diagram which looked at the cup from the horizontal direction. ガイドの模式的な断面図である。It is a typical sectional view of a guide. ガイドの模式的な断面図である。It is a typical sectional view of a guide. 基板から排出された処理液の排出経路について説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the discharge path | route of the process liquid discharged | emitted from the board | substrate. 気流形成装置の模式図である。It is a schematic diagram of an airflow formation apparatus. 気流形成装置の模式図である。It is a schematic diagram of an airflow formation apparatus. 気流形成装置の模式図である。It is a schematic diagram of an airflow formation apparatus. 気流形成装置の模式図である。It is a schematic diagram of an airflow formation apparatus. 気流形成装置の模式図である。It is a schematic diagram of an airflow formation apparatus. 気流形成装置の模式図である。It is a schematic diagram of an airflow formation apparatus. 気流形成装置の模式図である。It is a schematic diagram of an airflow formation apparatus. 羽根の構成について説明するための模式的な平面図である。It is a typical top view for demonstrating the structure of a blade | wing. 羽根の構成について説明するための模式な縦断面図である。It is a typical longitudinal cross-sectional view for demonstrating the structure of a blade | wing. 羽根の構成について説明するための模式な平面図である。It is a typical top view for demonstrating the structure of a blade | wing. 処理ユニットによって行われる基板の処理の一例について説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the process of the board | substrate performed by the process unit. 第2実施形態に係る処理液の排出経路について説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the discharge path | route of the process liquid which concerns on 2nd Embodiment.

以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置1に備えられた処理ユニット2の内部を水平方向から見た模式図である。図2は、スピンチャック4およびカップ6の模式的な平面図である。図3は、カップ6を水平方向から見た模式図である。図4Aおよび図4Bは、ガイド23の模式的な断面図である。図2では、カップ6の断面が示されている。図2の太線の矢印は、気流の方向を示している。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic view of the inside of a processing unit 2 provided in the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention as seen from the horizontal direction. FIG. 2 is a schematic plan view of the spin chuck 4 and the cup 6. FIG. 3 is a schematic view of the cup 6 viewed from the horizontal direction. 4A and 4B are schematic cross-sectional views of the guide 23. FIG. In FIG. 2, a cross section of the cup 6 is shown. The thick arrows in FIG. 2 indicate the direction of airflow.

図1に示すように、基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1は、複数の処理ユニット2と、基板処理装置1に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御する制御装置3とを含む。
図1に示すように、処理ユニット2は、基板Wを水平に保持して基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線A1まわりに回転させるスピンチャック4と、スピンチャック4に保持されている基板Wの上面に向けて処理液を吐出する複数のノズル5と、スピンチャック4を取り囲む筒状のカップ6とを含む。
As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 is a single-wafer type apparatus that processes a disk-shaped substrate W such as a semiconductor wafer one by one. The substrate processing apparatus 1 includes a plurality of processing units 2 and a control device 3 that controls the operation of the apparatus provided in the substrate processing apparatus 1 and the opening / closing of a valve.
As shown in FIG. 1, the processing unit 2 includes a spin chuck 4 that holds a substrate W horizontally and rotates it around a vertical rotation axis A <b> 1 that passes through the center of the substrate W, and a substrate W that is held by the spin chuck 4. A plurality of nozzles 5 for discharging the processing liquid toward the upper surface of the substrate, and a cylindrical cup 6 surrounding the spin chuck 4.

図1に示すように、スピンチャック4は、水平な姿勢で保持された円盤状のスピンベース7と、スピンベース7の上面周縁部から上方に突出する複数のチャックピン8と、スピンベース7の中央部から下方に延びる回転軸9と、スピンベース7の中心を通る鉛直な軸線(回転軸線A1)まわりにスピンベース7、チャックピン8、および回転軸9を一体回転させるスピンモータ10とを含む。スピンベース7は、基板Wよりも大きな直径を有している。複数のチャックピン8は、周方向に間隔を空けて配置されている。   As shown in FIG. 1, the spin chuck 4 includes a disc-shaped spin base 7 that is held in a horizontal posture, a plurality of chuck pins 8 that protrude upward from the peripheral edge of the upper surface of the spin base 7, and the spin base 7. A rotation shaft 9 extending downward from the center portion and a spin motor 10 that rotates the spin base 7, the chuck pin 8, and the rotation shaft 9 integrally around a vertical axis (rotation axis A 1) passing through the center of the spin base 7 are included. . The spin base 7 has a larger diameter than the substrate W. The plurality of chuck pins 8 are arranged at intervals in the circumferential direction.

図1に示すように、スピンチャック4は、複数のチャックピン8を基板Wの周端面に接触させることにより、スピンベース7の上方の保持位置(図1に示す基板Wの位置)で基板Wを水平な姿勢で保持(挟持)する。スピンチャック4は、挟持式のチャックに限らず、基板Wの下面(裏面)を吸着することにより基板Wを保持するバキューム式のチャックであってもよい。スピンチャック4は、基板Wを保持している状態でスピンモータ10によってスピンベース7を回転させる。これにより、基板Wが回転軸線A1まわりに回転する。制御装置3は、スピンモータ10を制御することにより、基板Wを一定の回転方向D1(図2参照)に回転させる。   As shown in FIG. 1, the spin chuck 4 brings the plurality of chuck pins 8 into contact with the peripheral end surface of the substrate W, thereby holding the substrate W at the holding position above the spin base 7 (the position of the substrate W shown in FIG. 1). Is held (clamped) in a horizontal position. The spin chuck 4 is not limited to the clamping chuck, and may be a vacuum chuck that holds the substrate W by adsorbing the lower surface (back surface) of the substrate W. The spin chuck 4 rotates the spin base 7 by the spin motor 10 while holding the substrate W. As a result, the substrate W rotates around the rotation axis A1. The control device 3 controls the spin motor 10 to rotate the substrate W in a constant rotation direction D1 (see FIG. 2).

図1に示すように、複数のノズル5は、スピンチャック4よりも上方に配置されている。複数のノズル5は、薬液を下向きに吐出する第1薬液ノズル5a、第2薬液ノズル5b、および第3薬液ノズル5cと、リンス液を下向きに吐出するリンス液ノズル5dとを含む。第1薬液ノズル5aは、第1薬液バルブ11が介装された第1薬液配管12に接続されており、第2薬液ノズル5bは、第2薬液バルブ13が介装された第2薬液配管14に接続されている。第3薬液ノズル5cは、第3薬液バルブ15が介装された第3薬液配管16に接続されている。リンス液ノズル5dは、リンス液バルブ17が介装されたリンス液配管18に接続されている。各ノズル5は、基板Wの上面中央部に向けて静止状態で処理液を吐出する固定ノズルであってもよいし、基板Wの上面に対する処理液の着液位置が中央部と周縁部との間で移動するように移動しながら処理液を吐出するスキャンノズルであってもよい。   As shown in FIG. 1, the plurality of nozzles 5 are disposed above the spin chuck 4. The plurality of nozzles 5 include a first chemical liquid nozzle 5a, a second chemical liquid nozzle 5b, and a third chemical liquid nozzle 5c that discharge the chemical liquid downward, and a rinse liquid nozzle 5d that discharges the rinse liquid downward. The first chemical liquid nozzle 5a is connected to the first chemical liquid pipe 12 in which the first chemical liquid valve 11 is interposed, and the second chemical liquid nozzle 5b is in the second chemical liquid pipe 14 in which the second chemical liquid valve 13 is interposed. It is connected to the. The third chemical liquid nozzle 5c is connected to a third chemical liquid pipe 16 in which a third chemical liquid valve 15 is interposed. The rinse liquid nozzle 5d is connected to a rinse liquid pipe 18 in which a rinse liquid valve 17 is interposed. Each nozzle 5 may be a fixed nozzle that discharges the processing liquid in a stationary state toward the central portion of the upper surface of the substrate W, and the position where the processing liquid is deposited on the upper surface of the substrate W is between the central portion and the peripheral portion. It may be a scan nozzle that discharges the processing liquid while moving so as to move between them.

各ノズル5から吐出された処理液が回転状態の基板Wの上面に供給されると、処理液が遠心力によって基板W上を外方に広がる。そして、基板Wの上面周縁部に達した処理液は、基板Wの周囲に振り切られ、カップ6によって受け止められる。これにより、処理液が基板Wの上面全域に供給される。第1薬液ノズル5aに供給される薬液は、フッ酸(フッ化水素酸)であり、第2薬液ノズル5bに供給される薬液は、SC1(NHOHとHとを含む混合液)であり、第3薬液ノズル5cに供給される薬液は、SC2(HClとHとを含む混合液)である。また、リンス液に供給されるリンス液は、純水(脱イオン水:Deionzied ater)である。 When the processing liquid discharged from each nozzle 5 is supplied to the upper surface of the rotating substrate W, the processing liquid spreads outward on the substrate W by centrifugal force. Then, the processing liquid that has reached the peripheral edge of the upper surface of the substrate W is shaken off around the substrate W and received by the cup 6. As a result, the processing liquid is supplied to the entire upper surface of the substrate W. The chemical liquid supplied to the first chemical liquid nozzle 5a is hydrofluoric acid (hydrofluoric acid), and the chemical liquid supplied to the second chemical liquid nozzle 5b is a mixed liquid containing SC1 (NH 4 OH and H 2 O 2). The chemical liquid supplied to the third chemical liquid nozzle 5c is SC2 (mixed liquid containing HCl and H 2 O 2 ). The rinse liquid supplied to the rinse liquid is pure water (deionized water).

第1薬液ノズル5aに供給される薬液は、フッ酸に限らず、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸(たとえばクエン酸、蓚酸など)、有機アルカリ(たとえば、TMAH:テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど)、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも1つを含む液であってもよい。第2薬液ノズル5bおよび第3薬液ノズル5cに供給される薬液についても同様である。また、リンス液ノズル5dに供給されるリンス液は、純水に限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度(たとえば、10〜100ppm程度)の塩酸水のいずれであってもよい。   The chemical liquid supplied to the first chemical liquid nozzle 5a is not limited to hydrofluoric acid, but sulfuric acid, acetic acid, nitric acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, aqueous ammonia, hydrogen peroxide, organic acids (such as citric acid and oxalic acid), and organic alkalis. (For example, TMAH: Tetramethylammonium hydroxide, etc.), a liquid containing at least one of a surfactant and a corrosion inhibitor may be used. The same applies to the chemical liquid supplied to the second chemical liquid nozzle 5b and the third chemical liquid nozzle 5c. The rinse liquid supplied to the rinse liquid nozzle 5d is not limited to pure water, but any of carbonated water, electrolytic ion water, hydrogen water, ozone water, and hydrochloric acid water having a diluted concentration (for example, about 10 to 100 ppm). There may be.

図2に示すように、カップ6は、基板Wおよびスピンベース7を取り囲む円筒状の内周面6aを含む。内周面6aの横断面(カップ6を水平面で切断したときの断面)は、基板Wおよびスピンベース7と同軸の円筒状である。図1に示すように、内周面6aの縦断面(カップ6を鉛直面で切断したときの断面)は、内向きに開いたC字状である。基板Wの周端面は、径方向に間隔を空けてカップ6の内周面6aに対向している。カップ6の上端は、基板Wよりも上方に配置されており、カップ6の下端は、基板Wよりも下方に配置されている。カップ6は、カップ6が基板Wの周囲に位置する上位置と、カップ6が基板Wよりも下方に位置する下位置との間で、カップ6を上下方向に移動させる昇降装置19に連結されていてもよい。   As shown in FIG. 2, the cup 6 includes a cylindrical inner peripheral surface 6 a surrounding the substrate W and the spin base 7. A cross section of the inner peripheral surface 6 a (a cross section when the cup 6 is cut in a horizontal plane) is a cylindrical shape coaxial with the substrate W and the spin base 7. As shown in FIG. 1, the longitudinal section of the inner peripheral surface 6a (the section when the cup 6 is cut by a vertical surface) is a C-shape that opens inward. The peripheral end surface of the substrate W faces the inner peripheral surface 6a of the cup 6 with a gap in the radial direction. The upper end of the cup 6 is disposed above the substrate W, and the lower end of the cup 6 is disposed below the substrate W. The cup 6 is connected to an elevating device 19 that moves the cup 6 up and down between an upper position where the cup 6 is positioned around the substrate W and a lower position where the cup 6 is positioned below the substrate W. It may be.

図2に示すように、処理ユニット2は、カップ6に接続された複数(図2では、4つ)のダクト20を含む。複数のダクト20は、カップ6の周方向に間隔を空けて配置されている。ダクト20の上流端部は、カップ6の周囲に配置されている。ダクト20の上流端部は、平面視において、基板Wの回転方向D1の下流側に向かってカップ6からカップ6の内周面6aの接線方向に延びている。ダクト20の上流端部は、カップ6の内周面6aで開口する排出口21に接続されている。複数の排出口21は、カップ6の周方向に等間隔で等しい高さに配置されている。ダクト20の内部は、排出口21に連通している。基板Wの周囲に排出された処理液や、処理液の蒸気やミストを含む雰囲気は、排出口21を介してダクト20内に排出される。   As shown in FIG. 2, the processing unit 2 includes a plurality of (four in FIG. 2) ducts 20 connected to the cup 6. The plurality of ducts 20 are arranged at intervals in the circumferential direction of the cup 6. The upstream end of the duct 20 is disposed around the cup 6. The upstream end portion of the duct 20 extends in the tangential direction of the inner peripheral surface 6a of the cup 6 from the cup 6 toward the downstream side in the rotation direction D1 of the substrate W in plan view. The upstream end of the duct 20 is connected to a discharge port 21 that opens at the inner peripheral surface 6 a of the cup 6. The plurality of discharge ports 21 are arranged at equal heights at equal intervals in the circumferential direction of the cup 6. The inside of the duct 20 communicates with the discharge port 21. The processing liquid discharged around the substrate W and the atmosphere containing the processing liquid vapor and mist are discharged into the duct 20 through the discharge port 21.

図3に示すように、排出口21は、カップ6の底部から上方に延びている。カップ6の底部は、複数の排出口21にそれぞれ対応する複数の傾斜部22を含む。傾斜部22は、対応する排出口21に向かって回転方向D1の上流側からカップ6の周方向に延びると共に、対応する排出口21に向かって斜め下向きに傾斜している。傾斜部22の下流端部は、対応する排出口21に接続されている。傾斜部22の下流端部は、ダクト20の上流端部と等しい傾斜角度で傾斜している。また、カップ6は、カップ6の内周面6aに沿ってカップ6の周方向に延びるガイド23を含む。ガイド23は、回転軸線A1を取り囲むように螺旋状に延びている。ガイド23は、図4Aに示すようなカップ6の内周面6aよりも凹んだ溝であってもよいし、図4Bに示すようなカップ6の内周面6aから内方に突出する突起であってもよい。   As shown in FIG. 3, the discharge port 21 extends upward from the bottom of the cup 6. The bottom of the cup 6 includes a plurality of inclined portions 22 that respectively correspond to the plurality of discharge ports 21. The inclined portion 22 extends in the circumferential direction of the cup 6 from the upstream side in the rotation direction D1 toward the corresponding discharge port 21 and is inclined obliquely downward toward the corresponding discharge port 21. The downstream end portion of the inclined portion 22 is connected to the corresponding discharge port 21. The downstream end portion of the inclined portion 22 is inclined at the same inclination angle as the upstream end portion of the duct 20. The cup 6 includes a guide 23 that extends in the circumferential direction of the cup 6 along the inner peripheral surface 6 a of the cup 6. The guide 23 extends spirally so as to surround the rotation axis A1. The guide 23 may be a groove recessed from the inner peripheral surface 6a of the cup 6 as shown in FIG. 4A, or a protrusion protruding inward from the inner peripheral surface 6a of the cup 6 as shown in FIG. 4B. There may be.

図2に示すように、処理ユニット2は、カップ6の内周面6aに向けて洗浄液の一例である純水を吐出するカップ洗浄ノズル24と、純水バルブ25が介装された純水配管26とを含む。純水配管26は、カップ洗浄ノズル24に接続されている。カップ洗浄ノズル24の吐出口は、カップ6内に配置されている。純水バルブ25が開かれると、純水が、カップ洗浄ノズル24から吐出される。カップ洗浄ノズル24は、基板Wの回転方向D1の下流側に向けてカップ6の内周面6aの接線方向に吐出口から純水を吐出する。したがって、カップ洗浄ノズル24から吐出された純水は、カップ6の内周面6aに沿って周方向に流れる。これにより、カップ6の内周面6aに付着している異物(液滴やパーティクル)が洗い流される。そして、カップ6の周方向に流れる純水は、いずれかの排出口21に排出される。これにより、カップ6内から異物が除去される。   As shown in FIG. 2, the processing unit 2 includes a cup cleaning nozzle 24 that discharges pure water, which is an example of a cleaning liquid, toward the inner peripheral surface 6 a of the cup 6, and pure water piping in which a pure water valve 25 is interposed. 26. The pure water pipe 26 is connected to the cup cleaning nozzle 24. The outlet of the cup cleaning nozzle 24 is disposed in the cup 6. When the pure water valve 25 is opened, pure water is discharged from the cup cleaning nozzle 24. The cup cleaning nozzle 24 discharges pure water from the discharge port in the tangential direction of the inner peripheral surface 6a of the cup 6 toward the downstream side in the rotation direction D1 of the substrate W. Therefore, the pure water discharged from the cup cleaning nozzle 24 flows in the circumferential direction along the inner peripheral surface 6 a of the cup 6. Thereby, foreign matters (droplets and particles) adhering to the inner peripheral surface 6a of the cup 6 are washed away. The pure water flowing in the circumferential direction of the cup 6 is discharged to one of the discharge ports 21. Thereby, the foreign matter is removed from the cup 6.

図5は、基板Wから排出された処理液の排出経路について説明するための模式図である。以下では、図2および図5を参照する。
図5に示すように、処理ユニット2は、基板Wに供給された複数種の処理液を種類ごとに分離する分離装置27を含む。分離装置27は、複数の排出口21をそれぞれ開閉する複数の開閉装置28を含む。図2に示すように、開閉装置28は、排出口21を開閉する蓋29と、排出口21が開閉されるように蓋29を移動させる開閉アクチュエータ30(たとえば、シリンダや、モータ)とを含む。複数の開閉装置28は、第1開閉装置28a、第2開閉装置28b、第3開閉装置28c、および第4開閉装置28dを含む。複数の排出口21は、第1排出口21a、第2排出口21b、第3排出口21c、および第4排出口21dを含む。第1排出口21aは、第1開閉装置28aによって開閉され、第2排出口21bは、第2開閉装置28bによって開閉される。同様に、第3排出口21cは、第3開閉装置28cによって開閉され、第4排出口21dは、第4開閉装置28dによって開閉される。したがって、複数の排出口21は、複数の開閉装置28によって、それぞれ独立して開閉される。
FIG. 5 is a schematic diagram for explaining a discharge path of the processing liquid discharged from the substrate W. In the following, reference is made to FIG. 2 and FIG.
As shown in FIG. 5, the processing unit 2 includes a separation device 27 that separates a plurality of types of processing liquids supplied to the substrate W for each type. The separation device 27 includes a plurality of opening / closing devices 28 that respectively open and close the plurality of discharge ports 21. As shown in FIG. 2, the opening / closing device 28 includes a lid 29 that opens and closes the discharge port 21 and an opening / closing actuator 30 (for example, a cylinder or a motor) that moves the lid 29 so that the discharge port 21 is opened or closed. . The plurality of switchgears 28 include a first switchgear 28a, a second switchgear 28b, a third switchgear 28c, and a fourth switchgear 28d. The plurality of outlets 21 include a first outlet 21a, a second outlet 21b, a third outlet 21c, and a fourth outlet 21d. The first discharge port 21a is opened / closed by the first opening / closing device 28a, and the second discharge port 21b is opened / closed by the second opening / closing device 28b. Similarly, the third outlet 21c is opened and closed by a third opening / closing device 28c, and the fourth outlet 21d is opened and closed by a fourth opening / closing device 28d. Accordingly, the plurality of outlets 21 are opened and closed independently by the plurality of opening and closing devices 28.

図5に示すように、処理ユニット2は、複数の排出口21に接続された複数の気液分離装置31と、複数の気液分離装置31を介して複数の排出口21に接続された排気装置32と、複数の気液分離装置31を介して複数の排出口21に接続された回収・排液装置33とを含む。第1排出口21aは、ダクト20を介して第1気液分離装置31aに接続されている。第1気液分離装置31aは、第1回収装置33aと第1排気装置32aとに接続されている。同様に、第2排出口21bは、ダクト20を介して第2気液分離装置31bに接続されている。第2気液分離装置31bは、第2排液装置33bと第2排気装置32bとに接続されている。第3排出口21cは、ダクト20を介して第3気液分離装置31cに接続されている。第3気液分離装置31cは、第3排液装置33cと第3排気装置32cとに接続されている。第4排出口21dは、ダクト20を介して第4気液分離装置31dに接続されている。第4気液分離装置31dは、第4回収装置33dと第4排気装置32dとに接続されている。   As shown in FIG. 5, the processing unit 2 includes a plurality of gas-liquid separation devices 31 connected to the plurality of discharge ports 21 and an exhaust gas connected to the plurality of discharge ports 21 via the plurality of gas-liquid separation devices 31. The apparatus 32 and the collection | recovery / drainage apparatus 33 connected to the several discharge port 21 via the some gas-liquid separation apparatus 31 are included. The first discharge port 21a is connected to the first gas-liquid separator 31a via the duct 20. The first gas-liquid separator 31a is connected to the first recovery device 33a and the first exhaust device 32a. Similarly, the 2nd discharge port 21b is connected to the 2nd gas-liquid separator 31b via the duct 20. As shown in FIG. The second gas-liquid separation device 31b is connected to the second drainage device 33b and the second exhaust device 32b. The third discharge port 21c is connected to the third gas-liquid separator 31c through the duct 20. The third gas-liquid separator 31c is connected to the third drain device 33c and the third exhaust device 32c. The fourth outlet 21d is connected to the fourth gas-liquid separator 31d via the duct 20. The fourth gas-liquid separation device 31d is connected to the fourth recovery device 33d and the fourth exhaust device 32d.

第1排出口21aに排出された排液は、第1気液分離装置31aによって排気から分離された後、第1回収装置33aに導かれる。また、第1気液分離装置31aによって排液から分離された排気は、第1排気装置32aに導かれる。同様に、第2排出口21bに排出された排液および排気は、それぞれ、第2排液装置33bおよび第2排気装置32bに導かれ、第3排出口21cに排出された排液および排気は、それぞれ、第3排液装置33cおよび第3排気装置32cに導かれる。また、第4排出口21dに排出された排液および排気は、それぞれ、第4回収装置33dおよび第4排気装置32dに導かれる。第1回収装置33aおよび第4回収装置33dに回収された排液は、基板Wの処理に再利用され、第2排液装置33bおよび第3排液装置33cに回収された排液は廃棄される。   The drainage discharged to the first discharge port 21a is separated from the exhaust gas by the first gas-liquid separation device 31a and then guided to the first recovery device 33a. The exhaust gas separated from the waste liquid by the first gas-liquid separation device 31a is guided to the first exhaust device 32a. Similarly, the drainage and exhaust discharged to the second discharge port 21b are led to the second drainage device 33b and the second exhaust device 32b, respectively, and the drainage and exhaust discharged to the third discharge port 21c are respectively Are respectively guided to the third drainage device 33c and the third exhaust device 32c. Further, the drainage and exhaust discharged to the fourth discharge port 21d are guided to the fourth recovery device 33d and the fourth exhaust device 32d, respectively. The drainage recovered by the first recovery unit 33a and the fourth recovery unit 33d is reused for the processing of the substrate W, and the drainage recovered by the second drainage unit 33b and the third drainage unit 33c is discarded. The

図6A〜図6Gは、気流形成装置34の模式図である。図7Aは、羽根39の構成について説明するための模式的な平面図である。図7Bは、羽根39の構成について説明するための模式な縦断面図(鉛直面で切断した断面)である。図7Cは、羽根39の構成について説明するための模式な平面図である。図6Fの太線の矢印は、気体の吐出方向を示しており、図6Gの太線の矢印は、気体の吸引方向を示している。   6A to 6G are schematic views of the airflow forming device 34. FIG. 7A is a schematic plan view for explaining the configuration of the blade 39. FIG. 7B is a schematic longitudinal sectional view (a section cut along a vertical plane) for explaining the configuration of the blade 39. FIG. 7C is a schematic plan view for explaining the configuration of the blade 39. The thick line arrow in FIG. 6F indicates the gas discharge direction, and the thick line arrow in FIG. 6G indicates the gas suction direction.

処理ユニット2は、基板Wとカップ6との間で基板Wの回転方向D1と同じ方向に流れる回転気流を形成する気流形成装置34を含む。気流形成装置34は、図6A〜図6Eに示す送風機35A〜送風機35Eであってもよいし、図6Fに示す気体吐出装置36であってもよいし、図6Gに示す気体吸引装置37であってもよい。気流形成装置34は、送風機35A〜送風機35E、気体吐出装置36、および気体吸引装置37のうちの2つ以上を備えていてもよい。   The processing unit 2 includes an airflow forming device 34 that forms a rotating airflow that flows between the substrate W and the cup 6 in the same direction as the rotation direction D1 of the substrate W. The air flow forming device 34 may be the blower 35A to the blower 35E shown in FIGS. 6A to 6E, the gas discharge device 36 shown in FIG. 6F, or the gas suction device 37 shown in FIG. 6G. May be. The airflow forming device 34 may include two or more of the blowers 35 </ b> A to 35 </ b> E, the gas discharge device 36, and the gas suction device 37.

図6Aに示す送風機35Aは、回転体38としてのスピンベース7と、スピンベース7の外周面から外方に延びる複数の羽根39Aとを含む。複数の羽根39Aは、基板Wよりも下方に配置されている。複数の羽根39Aは、周方向に間隔を空けて配置されている。複数の羽根39Aの位相は、複数のチャックピン8の位相と一致していてもよいし異なっていてもよい。複数の羽根39Aは、カップ6内に配置されている。複数の羽根39Aは、スピンベース7に連結されている。複数の羽根39Aは、スピンベース7と共に回転軸線A1まわりに回転する。したがって、複数の羽根39Aは、基板Wと共に回転軸線A1まわりに回転する。   A blower 35A shown in FIG. 6A includes a spin base 7 as a rotating body 38 and a plurality of blades 39A extending outward from the outer peripheral surface of the spin base 7. The plurality of blades 39A are disposed below the substrate W. The plurality of blades 39A are arranged at intervals in the circumferential direction. The phases of the plurality of blades 39 </ b> A may be the same as or different from the phases of the plurality of chuck pins 8. The plurality of blades 39 </ b> A are disposed in the cup 6. The plurality of blades 39 </ b> A are connected to the spin base 7. The plurality of blades 39A rotate around the rotation axis A1 together with the spin base 7. Accordingly, the plurality of blades 39A rotate around the rotation axis A1 together with the substrate W.

図6Bに示す送風機35Bは、回転体38としての複数のチャックピン8と、複数のチャックピン8から外方に延びる複数の羽根39Bとを含む。複数の羽根39Bは、基板Wと等しい高さに配置されている。複数の羽根39Bは、それぞれ、複数のチャックピン8に連結されている。したがって、複数の羽根39Bは、複数のチャックピン8と同じ位相で周方向に間隔を空けて配置されている。複数の羽根39Bは、カップ6内に配置されている。複数の羽根39Bは、複数のチャックピン8と共に回転軸線A1まわりに回転する。したがって、複数の羽根39Bは、基板Wと共に回転軸線A1まわりに回転する。   The blower 35B shown in FIG. 6B includes a plurality of chuck pins 8 as the rotating body 38 and a plurality of blades 39B extending outward from the plurality of chuck pins 8. The plurality of blades 39B are arranged at the same height as the substrate W. The plurality of blades 39 </ b> B are connected to the plurality of chuck pins 8, respectively. Therefore, the plurality of blades 39 </ b> B are arranged at the same phase as the plurality of chuck pins 8 and spaced in the circumferential direction. The plurality of blades 39 </ b> B are disposed in the cup 6. The plurality of blades 39 </ b> B rotate around the rotation axis A <b> 1 together with the plurality of chuck pins 8. Therefore, the plurality of blades 39B rotate around the rotation axis A1 together with the substrate W.

図6Cに示す送風機35Cは、回転体38としての回転軸9と、回転軸9の外周面から外方に延びる複数の羽根39Cとを含む。複数の羽根39Cは、基板Wよりも下方に配置されている。複数の羽根39Cは、周方向に間隔を空けて配置されている。複数の羽根39Cの位相は、複数のチャックピン8の位相と一致していてもよいし異なっていてもよい。複数の羽根39Cは、カップ6内に配置されている。羽根39Cの先端部は、基板Wの周縁部の下方に配置されていてもよいし、基板Wの周縁部よりも外方に配置されていてもよい。複数の羽根39Cは、回転軸9に連結されている。複数の羽根39Cは、回転軸9と共に回転軸線A1まわりに回転する。したがって、複数の羽根39Cは、基板Wと共に回転軸線A1まわりに回転する。   A blower 35 </ b> C illustrated in FIG. 6C includes a rotating shaft 9 as the rotating body 38 and a plurality of blades 39 </ b> C extending outward from the outer peripheral surface of the rotating shaft 9. The plurality of blades 39 </ b> C are disposed below the substrate W. The plurality of blades 39C are arranged at intervals in the circumferential direction. The phases of the plurality of blades 39C may coincide with the phases of the plurality of chuck pins 8 or may be different. The plurality of blades 39 </ b> C are disposed in the cup 6. The tip of the blade 39 </ b> C may be disposed below the peripheral edge of the substrate W or may be disposed outward from the peripheral edge of the substrate W. The plurality of blades 39 </ b> C are connected to the rotation shaft 9. The plurality of blades 39 </ b> C rotate around the rotation axis A <b> 1 together with the rotation shaft 9. Accordingly, the plurality of blades 39C rotate around the rotation axis A1 together with the substrate W.

図6Dに示す送風機35Dは、回転軸9を取り囲む回転体38としての環状体40と、環状体40の外周面から外方の延びる複数の羽根39Dと、環状体40および羽根39Dを回転軸線A1まわりに一体回転させる羽根回転装置41Dとを含む。環状体40は、スピンベース7の下方に配置されている。環状体40は、スピンチャック4とは独立して回転可能である。複数の羽根39Dは、環状体40に連結されている。複数の羽根39Dは、基板Wよりも下方に配置されている。複数の羽根39Dは、周方向に間隔を空けて配置されている。複数の羽根39Dは、カップ6内に配置されている。羽根39Dの先端部は、基板Wの周縁部の下方に配置されていてもよいし、基板Wの周縁部よりも外方に配置されていてもよい。環状体40および羽根39Dは、羽根回転装置41Dによって基板Wとは独立して回転駆動される。   A blower 35D shown in FIG. 6D includes an annular body 40 as a rotating body 38 surrounding the rotary shaft 9, a plurality of blades 39D extending outward from the outer peripheral surface of the annular body 40, and the annular body 40 and the blades 39D with the rotation axis A1. And a blade rotating device 41D that rotates integrally therewith. The annular body 40 is disposed below the spin base 7. The annular body 40 can rotate independently of the spin chuck 4. The plurality of blades 39 </ b> D are connected to the annular body 40. The plurality of blades 39 </ b> D are disposed below the substrate W. Several blade | wing 39D is arrange | positioned at intervals in the circumferential direction. The plurality of blades 39 </ b> D are arranged in the cup 6. The tip of the blade 39D may be disposed below the peripheral edge of the substrate W, or may be disposed outward from the peripheral edge of the substrate W. The annular body 40 and the blade 39D are rotationally driven independently of the substrate W by the blade rotating device 41D.

図6Eに示す送風機35Eは、回転体38としてのカップ6と、カップ6の内周面6aから内方に延びる複数の羽根39Eと、カップ6および羽根39Eを回転軸線A1まわりに一体回転させる羽根回転装置41Eとを含む。複数の羽根39Eは、基板Wと等しい高さに配置されていてもよいし、基板Wよりも上方または下方に配置されていてもよい。複数の羽根39Eは、周方向に間隔を空けて配置されている。羽根39Eの先端部は、基板Wおよびスピンベース7よりも外方に配置されている。複数の羽根39Eは、カップ6に連結されている。カップ6および羽根39Eは、羽根回転装置41Eによって基板Wとは独立して回転駆動される。   A fan 35E shown in FIG. 6E includes a cup 6 as a rotating body 38, a plurality of blades 39E extending inward from the inner peripheral surface 6a of the cup 6, and blades that integrally rotate the cup 6 and the blades 39E around the rotation axis A1. Rotation device 41E. The plurality of blades 39E may be disposed at the same height as the substrate W, or may be disposed above or below the substrate W. The plurality of blades 39E are arranged at intervals in the circumferential direction. The tip of the blade 39E is disposed outside the substrate W and the spin base 7. The plurality of blades 39E are connected to the cup 6. The cup 6 and the blade 39E are rotationally driven independently of the substrate W by the blade rotating device 41E.

図7Aに示すように、羽根39(羽根39A〜羽根39E)は、鉛直な姿勢で保持された平坦なプレートであってもよい。この場合、羽根39は、径方向に延びていてもよいし、径方向に対して傾いていてもよい。また、図7Bに示すように、羽根39は、回転方向D1の上流側に開いたC字状であってもよい。また、図7Cに示すように、羽根39は、球体42と、球体42と回転体38とを連結する棒状の支持体43とを含んでいてもよい。回転半径方向に直交する平面で切断した羽根39の直交断面は、羽根39の根元から先端まで一様であってもよいし変化していてもよい。いずれの場合においても、羽根39の直交断面は上下対称である。したがって、複数の羽根39が回転軸線A1まわりに回転すると、上昇気流および下降気流の発生が抑制または防止されると共に、基板Wとカップ6との間でカップ6の内周面6aに沿って基板Wの回転方向D1と同じ方向に流れる回転気流が発生する。回転気流の強さは、制御装置3が羽根39の回転速度を制御することにより調整される。   As shown in FIG. 7A, the blade 39 (the blade 39A to the blade 39E) may be a flat plate held in a vertical posture. In this case, the blades 39 may extend in the radial direction or may be inclined with respect to the radial direction. Further, as shown in FIG. 7B, the blade 39 may have a C-shape that is open on the upstream side in the rotation direction D1. Further, as shown in FIG. 7C, the blade 39 may include a sphere 42 and a rod-like support 43 that connects the sphere 42 and the rotating body 38. The orthogonal cross section of the blade 39 cut by a plane orthogonal to the rotational radius direction may be uniform from the root to the tip of the blade 39 or may vary. In any case, the orthogonal cross section of the blade 39 is vertically symmetric. Therefore, when the plurality of blades 39 rotate around the rotation axis A <b> 1, generation of ascending airflow and descending airflow is suppressed or prevented, and the substrate along the inner peripheral surface 6 a of the cup 6 is interposed between the substrate W and the cup 6. A rotating airflow that flows in the same direction as the rotation direction D1 of W is generated. The strength of the rotating airflow is adjusted by the control device 3 controlling the rotational speed of the blade 39.

また、図7Aに示すように、処理ユニット2は、複数の羽根39にそれぞれ連結された複数の角度変更装置44を備えていてもよい。角度変更装置44は、羽根39が回転体38に沿って配置される折畳位置(二点鎖線で示す位置)と、羽根39の先端部が回転体38から離れた展開位置(実線で示す位置)との間で対応する羽根39を移動させる。複数の羽根39は、複数の角度変更装置44によってそれぞれ独立して駆動される。したがって、制御装置3は、複数の角度変更装置44を制御することにより、一部の羽根39だけを折畳位置に配置したり、全ての羽根39を折畳位置または展開位置に配置したりすることができる。さらに、角度変更装置44は、折畳位置から展開位置までの間の任意の位置で羽根39を保持可能である。したがって、角度変更装置44は、羽根39の角度を調整可能である。回転気流の強さは、羽根39の回転速度と、羽根39の角度とによって調整される。   Further, as shown in FIG. 7A, the processing unit 2 may include a plurality of angle changing devices 44 respectively connected to the plurality of blades 39. The angle changing device 44 includes a folding position (a position indicated by a two-dot chain line) where the blade 39 is disposed along the rotating body 38, and a deployed position (a position indicated by a solid line) where the tip of the blade 39 is separated from the rotating body 38. ) To move the corresponding blade 39. The plurality of blades 39 are independently driven by the plurality of angle changing devices 44. Accordingly, the control device 3 controls only the plurality of angle changing devices 44 to arrange only some of the blades 39 in the folding position or arrange all the blades 39 in the folding position or the unfolding position. be able to. Furthermore, the angle changing device 44 can hold the blade 39 at an arbitrary position between the folding position and the deployed position. Therefore, the angle changing device 44 can adjust the angle of the blade 39. The strength of the rotating airflow is adjusted by the rotation speed of the blade 39 and the angle of the blade 39.

図6Fに示す気体吐出装置36は、カップ6の内周面6aに向けて気体を吐出する複数の気体吐出ノズル45と、気体バルブ46および吐出流量調整バルブ47が介装された複数の気体配管48とを含む。複数の気体配管48は、それぞれ、複数の気体吐出ノズル45に接続されている。複数の気体吐出ノズル45の吐出口は、複数の排出口21とは異なる位相で周方向に間隔を空けてカップ6内に配置されている。気体バルブ46が開かれると、気体が、吐出流量調整バルブ47の開度に対応する流量で気体吐出ノズル45から吐出される。気体は、窒素ガスなどの不活性ガスであってもよいし、乾燥空気であってもよいし、クリーンエアーであってもよい。気体吐出ノズル45は、基板Wの回転方向D1の下流側に向けてカップ6の内周面6aの接線方向に吐出口から気体を吐出する。したがって、気体吐出ノズル45から吐出された気体は、カップ6の内周面6aに沿って周方向に流れる。これにより、上昇気流および下降気流の発生が抑制または防止されると共に、基板Wとカップ6との間でカップ6の内周面6aに沿って基板Wの回転方向D1と同じ方向に流れる回転気流が発生する。回転気流の強さは、気体吐出ノズル45からの気体の吐出流量、すなわち、吐出流量調整バルブ47の開度によって調整される。   A gas discharge device 36 shown in FIG. 6F includes a plurality of gas pipes in which a plurality of gas discharge nozzles 45 that discharge gas toward the inner peripheral surface 6a of the cup 6, and a gas valve 46 and a discharge flow rate adjustment valve 47 are interposed. 48. The plurality of gas pipes 48 are connected to the plurality of gas discharge nozzles 45, respectively. The discharge ports of the plurality of gas discharge nozzles 45 are arranged in the cup 6 at intervals in the circumferential direction with a phase different from that of the plurality of discharge ports 21. When the gas valve 46 is opened, gas is discharged from the gas discharge nozzle 45 at a flow rate corresponding to the opening of the discharge flow rate adjustment valve 47. The gas may be an inert gas such as nitrogen gas, may be dry air, or may be clean air. The gas discharge nozzle 45 discharges gas from the discharge port in the tangential direction of the inner peripheral surface 6a of the cup 6 toward the downstream side in the rotation direction D1 of the substrate W. Therefore, the gas discharged from the gas discharge nozzle 45 flows in the circumferential direction along the inner peripheral surface 6 a of the cup 6. Thereby, the generation of the updraft and the downdraft is suppressed or prevented, and the rotating airflow that flows in the same direction as the rotation direction D1 of the substrate W along the inner peripheral surface 6a of the cup 6 between the substrate W and the cup 6. Occurs. The strength of the rotating airflow is adjusted by the gas discharge flow rate from the gas discharge nozzle 45, that is, the opening degree of the discharge flow rate adjustment valve 47.

図6Gに示す気体吸引装置37は、カップ6の内周面6aで開口する複数の吸引口49と、吸引バルブ50および吸引流量調整バルブ51が介装された複数の吸引配管52とを含む。複数の吸引配管52は、それぞれ、複数の吸引口49に接続されている。複数の吸引口49は、複数の排出口21とは異なる位相で周方向に間隔を空けて配置されている。吸引バルブ50が開かれると、カップ6内の気体が、吸引流量調整バルブ51の開度に対応する流量で吸引口49に吸引される。吸引口49は、基板Wの回転方向D1の下流側に向かって吸引口49からカップ6の内周面6aの接線方向に延びる方向に気体を吸引する。したがって、複数の吸引口49の少なくとも一つが気体を吸引すると、上昇気流および下降気流の発生が抑制または防止されると共に、基板Wとカップ6との間でカップ6の内周面6aに沿って基板Wの回転方向D1と同じ方向に流れる回転気流が発生する。回転気流の強さは、吸引口49への気体の吸引流量、すなわち、吸引流量調整バルブ51の開度によって調整される。   The gas suction device 37 shown in FIG. 6G includes a plurality of suction ports 49 that open on the inner peripheral surface 6a of the cup 6, and a plurality of suction pipes 52 in which a suction valve 50 and a suction flow rate adjustment valve 51 are interposed. The plurality of suction pipes 52 are respectively connected to the plurality of suction ports 49. The plurality of suction ports 49 are arranged at intervals in the circumferential direction at a phase different from that of the plurality of discharge ports 21. When the suction valve 50 is opened, the gas in the cup 6 is sucked into the suction port 49 at a flow rate corresponding to the opening degree of the suction flow rate adjustment valve 51. The suction port 49 sucks gas in a direction extending in the tangential direction of the inner peripheral surface 6a of the cup 6 from the suction port 49 toward the downstream side in the rotation direction D1 of the substrate W. Therefore, when at least one of the plurality of suction ports 49 sucks the gas, generation of ascending airflow and descending airflow is suppressed or prevented, and between the substrate W and the cup 6, along the inner peripheral surface 6 a of the cup 6. A rotating airflow that flows in the same direction as the rotation direction D1 of the substrate W is generated. The strength of the rotating airflow is adjusted by the suction flow rate of the gas to the suction port 49, that is, the opening degree of the suction flow rate adjustment valve 51.

カップ6の内周面6aで開口する複数の排出口21のうちの少なくとも1つが開かれている状態では、カップ6内の雰囲気やカップ6外の雰囲気が、排気装置32からの吸引力によってカップ6の内周面6aに引き寄せられる。したがって、処理液の蒸気やミストを含む汚染雰囲気が、カップ6の内周面6aに引き寄せられる。複数の排出口21のうちの少なくとも1つが開かれており、カップ6の内周面6aに沿って基板Wの回転方向D1と同じ方向に流れる回転気流がカップ6内に形成されている状態では、汚染雰囲気が、回転気流に乗って、カップ6の内周面6aに沿って基板Wの回転方向D1と同じ方向に流れる。同様に、基板Wの周囲に排出された処理液の液滴は、回転気流に乗って、カップ6の内周面6aに沿って基板Wの回転方向D1と同じ方向に流れる。そのため、処理液の液滴および汚染雰囲気が、回転気流によって排出口21に案内され、カップ6内から排出される。   In a state where at least one of the plurality of discharge ports 21 opened on the inner peripheral surface 6 a of the cup 6 is opened, the atmosphere inside the cup 6 and the atmosphere outside the cup 6 are brought into contact with the cup by the suction force from the exhaust device 32. 6 is attracted to the inner peripheral surface 6a. Therefore, the contaminated atmosphere containing the treatment liquid vapor and mist is attracted to the inner peripheral surface 6 a of the cup 6. In a state where at least one of the plurality of discharge ports 21 is open and a rotating airflow that flows in the same direction as the rotation direction D1 of the substrate W along the inner peripheral surface 6a of the cup 6 is formed in the cup 6. The contaminated atmosphere rides on the rotating airflow and flows in the same direction as the rotation direction D1 of the substrate W along the inner peripheral surface 6a of the cup 6. Similarly, the droplets of the processing liquid discharged around the substrate W ride on the rotating airflow and flow along the inner peripheral surface 6a of the cup 6 in the same direction as the rotation direction D1 of the substrate W. Therefore, the treatment liquid droplets and the contaminated atmosphere are guided to the discharge port 21 by the rotating airflow and discharged from the cup 6.

このように、回転気流が、液滴および汚染雰囲気を捕捉するので、液滴および汚染雰囲気が、基板W側に戻り難い。そのため、液滴および汚染雰囲気の再付着による基板Wの汚染を低減できる。さらに、上昇気流および下降気流の発生が抑制または防止されるので、カップ6内からの汚染雰囲気の漏れを抑制または防止できる。しかも、カップ6の内周面6aに向かって外方に飛散する液滴の進行方向が回転気流によって曲げられるので、液滴がカップ6に衝突したときの衝撃が弱まる。そのため、処理液のミストの発生量を低減できる。さらに、カップ6の内周面6aに沿って流れる液滴は、カップ6の傾斜部22およびガイド23(図3参照)によってスムーズに排出口21に案内されるので、カップ6内の処理液の残留量を低減できる。さらに、回転気流が形成されている状態で、純水がカップ洗浄ノズル24(図2参照)から吐出されると、純水が、回転気流に乗ってより遠くまで周方向に広がる。そのため、カップ6の内周面6aを効率的に洗浄でき、カップ6内の処理液の残留量をさらに低減できる。   In this way, the rotating air current captures the droplets and the contaminated atmosphere, so the droplets and the contaminated atmosphere are unlikely to return to the substrate W side. Therefore, contamination of the substrate W due to reattachment of droplets and a contaminated atmosphere can be reduced. Furthermore, since generation | occurrence | production of an updraft and a downdraft is suppressed or prevented, the leakage of the contaminated atmosphere from the inside of the cup 6 can be suppressed or prevented. Moreover, since the traveling direction of the liquid droplets scattered outward toward the inner peripheral surface 6a of the cup 6 is bent by the rotating airflow, the impact when the liquid droplets collide with the cup 6 is weakened. Therefore, the amount of mist generated in the processing liquid can be reduced. Furthermore, since the liquid droplets flowing along the inner peripheral surface 6a of the cup 6 are smoothly guided to the discharge port 21 by the inclined portion 22 and the guide 23 (see FIG. 3) of the cup 6, the treatment liquid in the cup 6 Residual amount can be reduced. Furthermore, when pure water is discharged from the cup cleaning nozzle 24 (see FIG. 2) in a state where a rotating airflow is formed, the pure water spreads in the circumferential direction farther on the rotating airflow. Therefore, the inner peripheral surface 6a of the cup 6 can be efficiently cleaned, and the remaining amount of the processing liquid in the cup 6 can be further reduced.

図8は、処理ユニット2によって行われる基板Wの処理の一例について説明するための模式図である。
図8の左端の列に示すように、制御装置3は、回転気流がカップ6内に形成されている状態で、高濃度のフッ酸、純水、低濃度のSC1、純水、低濃度のSC2、および純水をこの順番で基板Wに供給させる。具体的には、制御装置3は、第1薬液ノズル5aからのフッ酸を回転状態の基板Wの上面全域に供給させ(第1薬液供給工程)、その後、リンス液ノズル5dからの純水を回転状態の基板Wの上面全域に供給させる(第1リンス液供給工程)。続いて、制御装置3は、第2薬液ノズル5bからのSC1を回転状態の基板Wの上面全域に供給させ(第2薬液供給工程)、その後、リンス液ノズル5dからの純水を回転状態の基板Wの上面全域に供給させる(第2リンス液供給工程)。続いて、制御装置3は、第3薬液ノズル5cからのSC2を回転状態の基板Wの上面全域に供給させ(第3薬液供給工程)、その後、リンス液ノズル5dからの純水を回転状態の基板Wの上面全域に供給させる(第3リンス液供給工程)。続いて、制御装置3は、スピンチャック4によって基板Wを高速回転させることにより、基板Wを乾燥させる(乾燥工程)。
FIG. 8 is a schematic diagram for explaining an example of the processing of the substrate W performed by the processing unit 2.
As shown in the leftmost column of FIG. 8, the control device 3 has a high concentration hydrofluoric acid, pure water, low concentration SC1, pure water, and low concentration in a state where a rotating airflow is formed in the cup 6. SC2 and pure water are supplied to the substrate W in this order. Specifically, the control device 3 supplies hydrofluoric acid from the first chemical liquid nozzle 5a to the entire upper surface of the rotating substrate W (first chemical liquid supply step), and then supplies pure water from the rinse liquid nozzle 5d. Supply to the entire upper surface of the substrate W in a rotating state (first rinsing liquid supply step). Subsequently, the control device 3 supplies SC1 from the second chemical solution nozzle 5b to the entire upper surface of the rotating substrate W (second chemical solution supply step), and then the pure water from the rinse solution nozzle 5d is rotated. It is made to supply to the whole upper surface of the board | substrate W (2nd rinse liquid supply process). Subsequently, the control device 3 supplies SC2 from the third chemical solution nozzle 5c to the entire upper surface of the rotating substrate W (third chemical solution supply step), and then the pure water from the rinse solution nozzle 5d is rotated. Supplying to the whole upper surface of the board | substrate W (3rd rinse liquid supply process). Subsequently, the control device 3 dries the substrate W by rotating the substrate W at a high speed by the spin chuck 4 (drying process).

制御装置3は、第1薬液ノズル5aからフッ酸を吐出させている間、第1開閉装置28aによって第1排出口21aを開いている。そのため、図8の右端の列に示すように、基板Wへのフッ酸の供給によって発生したフッ酸の液滴や汚染雰囲気は、回転気流によって第1排出口21aに案内され、第1排出口21aに排出される。図8の左端の列と真ん中の列に示すように、制御装置3は、第1薬液ノズル5aからのフッ酸の吐出を停止させた後、リンス液ノズル5dおよびカップ洗浄ノズル24からの純水の吐出を同時に開始させる。そして、図8の右端の列に示すように、制御装置3は、純水の吐出が開始されてから、吐出された純水が第1排出口21aに到達するまでの間に、第1開閉装置28aによって第1排出口21aを閉じる。その後、制御装置3は、第2開閉装置28bによって第2排出口21bを開く。そのため、リンス液ノズル5dおよびカップ洗浄ノズル24から吐出された純水は、第2排出口21bに排出される。   The control device 3 opens the first discharge port 21a by the first opening / closing device 28a while discharging hydrofluoric acid from the first chemical liquid nozzle 5a. Therefore, as shown in the rightmost column of FIG. 8, hydrofluoric acid droplets and contaminated atmosphere generated by the supply of hydrofluoric acid to the substrate W are guided to the first discharge port 21a by the rotating airflow, and the first discharge port It is discharged to 21a. As shown in the leftmost column and the middle column in FIG. 8, the control device 3 stops the discharge of hydrofluoric acid from the first chemical liquid nozzle 5a, and then removes pure water from the rinse liquid nozzle 5d and the cup cleaning nozzle 24. Are simultaneously started. Then, as shown in the rightmost column of FIG. 8, the control device 3 performs the first opening / closing operation after the start of the discharge of pure water until the discharged pure water reaches the first discharge port 21a. The first outlet 21a is closed by the device 28a. Thereafter, the control device 3 opens the second discharge port 21b by the second opening / closing device 28b. Therefore, the pure water discharged from the rinse liquid nozzle 5d and the cup cleaning nozzle 24 is discharged to the second discharge port 21b.

図8の左端の列に示すように、制御装置3は、リンス液ノズル5dおよびカップ洗浄ノズル24からの純水の吐出を停止させた後、第2薬液ノズル5bからのSC1の吐出を開始させる。図8の右端の列に示すように、制御装置3は、SC1の吐出が開始されてから、吐出されたSC1が基板Wを経由して第2排出口21bに到達するまでの間に、第2開閉装置28bによって第2排出口21bを閉じる。その後、制御装置3は、第3開閉装置28cによって第3排出口21cを開く。そのため、第2薬液ノズル5bから吐出されたSC1は、第3排出口21cに排出される。図8の左端の列と真ん中の列とに示すように、制御装置3は、第2薬液ノズル5bからのSC1の吐出を停止させた後、リンス液ノズル5dおよびカップ洗浄ノズル24からの純水の吐出を同時に開始させる。そして、図8の右端の列に示すように、制御装置3は、カップ6の内周面6aに付着している殆ど全てのSC1が洗い流された後、第3開閉装置28cによって第3排出口21cを閉じる。その後、制御装置3は、第4開閉装置28dによって第4排出口21dを開く。図8の真ん中の列に示すように、制御装置3は、第4排出口21dを開いた後、カップ洗浄ノズル24からの純水の吐出を停止させる。   As shown in the leftmost column of FIG. 8, the control device 3 stops the discharge of pure water from the rinse liquid nozzle 5d and the cup cleaning nozzle 24, and then starts the discharge of SC1 from the second chemical liquid nozzle 5b. . As shown in the rightmost column of FIG. 8, the control device 3 starts the first discharge of SC1 until the discharged SC1 reaches the second discharge port 21b via the substrate W. The second discharge port 21b is closed by the two opening / closing device 28b. Thereafter, the control device 3 opens the third discharge port 21c by the third opening / closing device 28c. Therefore, SC1 discharged from the second chemical liquid nozzle 5b is discharged to the third discharge port 21c. As shown in the leftmost column and the middle column in FIG. 8, the control device 3 stops the discharge of SC1 from the second chemical liquid nozzle 5b, and then the pure water from the rinse liquid nozzle 5d and the cup cleaning nozzle 24. Are simultaneously started. Then, as shown in the rightmost column of FIG. 8, the control device 3 is configured so that the third opening / closing device 28c causes the third discharge port to flow out after almost all the SC1 adhering to the inner peripheral surface 6a of the cup 6 has been washed away. 21c is closed. Thereafter, the control device 3 opens the fourth discharge port 21d by the fourth opening / closing device 28d. As shown in the middle row in FIG. 8, the control device 3 stops the discharge of pure water from the cup cleaning nozzle 24 after opening the fourth discharge port 21 d.

図8の左端の列に示すように、制御装置3は、リンス液ノズル5dからの純水の吐出を停止させた後、第3薬液ノズル5cからのSC2の吐出を開始させる。図8の右端の列に示すように、制御装置3は、SC2の吐出が開始されてから、吐出されたSC2が基板Wを経由して第4排出口21dに到達するまでの間に、第4開閉装置28dによって第4排出口21dを閉じる。その後、制御装置3は、第2開閉装置28bによって第2排出口21bを開く。そのため、第3薬液ノズル5cから吐出されたSC2は、第2排出口21bに排出される。図8の左端の列と真ん中の列に示すように、制御装置3は、第3薬液ノズル5cからのSC2の吐出を停止させた後、リンス液ノズル5dおよびカップ洗浄ノズル24からの純水の吐出を同時に開始させる。そして、図8の右端の列に示すように、制御装置3は、カップ6の内周面6aに付着している殆ど全てのSC2が洗い流された後、第2開閉装置28bによって第2排出口21bを閉じる。その後、制御装置3は、第4開閉装置28dによって第4排出口21dを開く。図8の真ん中の列に示すように、制御装置3は、第4排出口21dを開いた後、カップ洗浄ノズル24からの純水の吐出を停止させる。その後、制御装置3は、リンス液ノズル5dからの純水の吐出を停止させて、基板Wを乾燥させる。   As shown in the leftmost column of FIG. 8, the control device 3 stops the discharge of pure water from the rinse liquid nozzle 5d and then starts the discharge of SC2 from the third chemical liquid nozzle 5c. As shown in the rightmost column of FIG. 8, the control device 3 starts the second discharge from the start of the discharge of SC2 until the discharged SC2 reaches the fourth discharge port 21d via the substrate W. The fourth outlet 21d is closed by the four opening / closing device 28d. Thereafter, the control device 3 opens the second discharge port 21b by the second opening / closing device 28b. Therefore, SC2 discharged from the third chemical liquid nozzle 5c is discharged to the second discharge port 21b. As shown in the leftmost column and the middle column in FIG. 8, the control device 3 stops the discharge of SC2 from the third chemical solution nozzle 5c, and then the pure water from the rinse solution nozzle 5d and the cup cleaning nozzle 24. Start dispensing at the same time. Then, as shown in the rightmost column of FIG. 8, after almost all the SC2 adhering to the inner peripheral surface 6a of the cup 6 has been washed away, the control device 3 uses the second opening / closing device 28b to remove the second discharge port. 21b is closed. Thereafter, the control device 3 opens the fourth discharge port 21d by the fourth opening / closing device 28d. As shown in the middle row in FIG. 8, the control device 3 stops the discharge of pure water from the cup cleaning nozzle 24 after opening the fourth discharge port 21 d. Thereafter, the control device 3 stops the discharge of pure water from the rinse liquid nozzle 5d and dries the substrate W.

以上のように第1実施形態では、基板Wとカップ6の内周面6aとの間で基板Wの回転方向D1と同じ方向に流れる回転気流が、気流形成装置34によって形成される。そのため、カップ6内の雰囲気は、回転気流に乗って、カップ6の内周面6aに沿って基板Wの回転方向D1と同じ方向に流れる。したがって、カップ6内の雰囲気は、回転気流によって、カップ6の内周面6aで開口する複数の排出口21に案内され、排気装置32からの吸引力によって複数の排出口21に排出される。そのため、カップ6内の雰囲気がカップ6の周方向に関して均一に排出され、カップ6内の処理液のミストおよび蒸気の残留量が低減される。したがって、処理液のミストや蒸気の付着による基板Wの汚染を低減できる。これにより、基板Wの清浄度を高めることができる。このように、回転気流が基板Wとカップ6との間に形成されるので、排気装置32の吸引力が弱くても、カップ6内の雰囲気はカップ6の内周面6aに沿って旋回し続ける。そのため、カップ6からの雰囲気の漏れ量を低減しながら、排気装置32の排気流量を減少させることができる。   As described above, in the first embodiment, the airflow forming device 34 forms a rotating airflow that flows in the same direction as the rotation direction D1 of the substrate W between the substrate W and the inner peripheral surface 6a of the cup 6. Therefore, the atmosphere in the cup 6 rides on the rotating airflow and flows in the same direction as the rotation direction D1 of the substrate W along the inner peripheral surface 6a of the cup 6. Therefore, the atmosphere in the cup 6 is guided by the rotating airflow to the plurality of outlets 21 opened on the inner peripheral surface 6 a of the cup 6, and is discharged to the plurality of outlets 21 by the suction force from the exhaust device 32. Therefore, the atmosphere in the cup 6 is uniformly discharged in the circumferential direction of the cup 6, and the residual amount of mist and steam in the processing liquid in the cup 6 is reduced. Therefore, the contamination of the substrate W due to the mist of the processing liquid and the adhesion of vapor can be reduced. Thereby, the cleanliness of the substrate W can be increased. Thus, since the rotating airflow is formed between the substrate W and the cup 6, the atmosphere in the cup 6 swirls along the inner peripheral surface 6 a of the cup 6 even if the suction force of the exhaust device 32 is weak. to continue. Therefore, the exhaust flow rate of the exhaust device 32 can be reduced while reducing the amount of atmosphere leakage from the cup 6.

さらに第1実施形態では、カップ6の内周面6aに付着している純水が、回転気流によって押されて、カップ6の内周面6aに沿ってカップ6の周方向に流れる。そのため、カップ6に供給された純水は、カップ6の内周面6aの広範囲に行き渡る。そして、カップ6の周方向に移動する純水は、複数の排出口21に排出される。このように、カップ6の内周面6aに供給された純水が、カップ6の内周面6aの広範囲に行き渡るので、カップ6の内周面6aに付着している処理液やパーティクルを純水によって確実に洗い流すことができる。そのため、カップ6内の処理液の残留量を極めて少なくできる。したがって、1つのカップ6で複数種の処理液を受け止めたとしても、種類の異なる薬液同士が混ざり合うことを抑制または防止できる。さらに、カップ6の内周面6aに向かって飛散する処理液の進行方向が回転気流によって曲げられるので、処理液の液滴がカップ6に衝突したときの衝撃が弱まる。そのため、処理液のミストの発生量を低減でき、ミストの付着による基板Wの汚染を低減できる。これにより、基板Wの清浄度をさらに高めることができる。   Furthermore, in 1st Embodiment, the pure water adhering to the internal peripheral surface 6a of the cup 6 is pushed by the rotation airflow, and flows in the circumferential direction of the cup 6 along the internal peripheral surface 6a of the cup 6. Therefore, the pure water supplied to the cup 6 reaches a wide area on the inner peripheral surface 6 a of the cup 6. Then, the pure water moving in the circumferential direction of the cup 6 is discharged to the plurality of discharge ports 21. Thus, since the pure water supplied to the inner peripheral surface 6a of the cup 6 spreads over a wide area of the inner peripheral surface 6a of the cup 6, the treatment liquid and particles adhering to the inner peripheral surface 6a of the cup 6 are purified. Can be washed away with water. Therefore, the residual amount of the processing liquid in the cup 6 can be extremely reduced. Therefore, even if a plurality of types of treatment liquids are received by one cup 6, it is possible to suppress or prevent mixing of different types of chemical liquids. Furthermore, since the traveling direction of the processing liquid scattered toward the inner peripheral surface 6 a of the cup 6 is bent by the rotating airflow, the impact when the processing liquid droplet collides with the cup 6 is weakened. Therefore, the amount of mist generated in the processing liquid can be reduced, and contamination of the substrate W due to mist adhesion can be reduced. Thereby, the cleanliness of the substrate W can be further increased.

図9は、第2実施形態に係る処理液の排出経路について説明するための模式図である。
この図9において、前述の図1〜図8に示された各部と同等の構成部分については、図1等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
第2実施形態と第1実施形態との主要な相違点は、複数種の処理液がカップ6内で分離されるのでなく、カップ6よりも下流側で分離されることである。
FIG. 9 is a schematic diagram for explaining the discharge path of the processing liquid according to the second embodiment.
9, the same components as those shown in FIGS. 1 to 8 described above are denoted by the same reference numerals as those in FIG. 1 and the description thereof is omitted.
The main difference between the second embodiment and the first embodiment is that a plurality of types of treatment liquids are not separated in the cup 6 but separated on the downstream side of the cup 6.

第2実施形態に係る処理ユニット202は、第1実施形態に係る処理ユニット2の構成に加えて、基板Wに供給された複数種の処理液を種類ごとに分離する分離装置227を含む。分離装置227は、複数の気液分離装置31に接続された複数の排気管253と、複数の排気管253を介して複数の気液分離装置31に接続された排気切替バルブ254とを含む。分離装置227は、さらに、複数の気液分離装置31に接続された複数の排液配管255と、複数の排液配管255を介して複数の気液分離装置31に接続された排液切替バルブ256とを含む。   In addition to the configuration of the processing unit 2 according to the first embodiment, the processing unit 202 according to the second embodiment includes a separation device 227 that separates a plurality of types of processing liquids supplied to the substrate W for each type. The separation device 227 includes a plurality of exhaust pipes 253 connected to the plurality of gas-liquid separation devices 31, and an exhaust gas switching valve 254 connected to the plurality of gas-liquid separation devices 31 via the plurality of exhaust tubes 253. The separator 227 further includes a plurality of drain pipes 255 connected to the plurality of gas-liquid separators 31 and a drain switch valve connected to the plurality of gas-liquid separators 31 via the plurality of drain pipes 255. 256.

排気切替バルブ254は、ダクト20、気液分離装置31、および排気管253を介して複数の排出口21に接続された入力ポート254aと、複数の排気装置32にそれぞれ接続された複数の出力ポート254bとを含む。入力ポート254aは、複数の出力ポート254bのうちのいずれかに接続される。排気切替バルブ254は、入力ポート254aに接続される出力ポート254bを複数の出力ポート254bの中で切替可能である。複数の排気管253内の排気は、排気切替バルブ254の切り替えによって複数の排気装置32のいずれかに案内される。   The exhaust switching valve 254 includes an input port 254a connected to the plurality of exhaust ports 21 via the duct 20, the gas-liquid separator 31 and the exhaust pipe 253, and a plurality of output ports connected to the plurality of exhaust devices 32, respectively. 254b. The input port 254a is connected to any one of the plurality of output ports 254b. The exhaust gas switching valve 254 can switch the output port 254b connected to the input port 254a among the plurality of output ports 254b. Exhaust gas in the plurality of exhaust pipes 253 is guided to one of the plurality of exhaust devices 32 by switching the exhaust gas switching valve 254.

同様に、排液切替バルブ256は、ダクト20、気液分離装置31、および排液配管255を介して複数の排出口21に接続された入力ポート256aと、第1回収装置33a、第2排液装置33b、第3排液装置33c、および第4回収装置33dにそれぞれ接続された複数の出力ポート256bとを含む。入力ポート256aは、複数の出力ポート256bのうちのいずれかに接続される。排液切替バルブ256は、入力ポート256aに接続される出力ポート256bを複数の出力ポート256bの中で切替可能である。複数の排液配管255内の排液は、排液切替バルブ256の切り替えによって第1回収装置33a、第2排液装置33b、第3排液装置33c、および第4回収装のいずれかに案内される。   Similarly, the drainage switching valve 256 includes an input port 256a connected to the plurality of outlets 21 through the duct 20, the gas-liquid separator 31 and the drainage pipe 255, the first recovery device 33a, and the second drainage device. And a plurality of output ports 256b respectively connected to the liquid device 33b, the third drain device 33c, and the fourth recovery device 33d. The input port 256a is connected to one of the plurality of output ports 256b. The drainage switching valve 256 can switch the output port 256b connected to the input port 256a among the plurality of output ports 256b. The drainage in the plurality of drainage pipes 255 is guided to one of the first recovery device 33a, the second drainage device 33b, the third drainage device 33c, and the fourth recovery device by switching the drainage switching valve 256. Is done.

制御装置3(図1参照)は、排気切替バルブ254および排液切替バルブ256を制御することにより、カップ6によって受け止められた複数種の処理液を種類ごとに分離できる。そのため、制御装置3は、処理液の種類ごとに複数の排出口21を開閉しなくても、図8で説明したように複数種の処理液を種類ごとに分離できる。
本発明の第1および第2実施形態の説明は以上であるが、本発明は、第1および第2実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。
The control device 3 (see FIG. 1) can separate the plurality of types of processing liquids received by the cup 6 for each type by controlling the exhaust switching valve 254 and the drain switching valve 256. Therefore, the control device 3 can separate a plurality of types of processing liquids for each type as described with reference to FIG. 8 without opening and closing the plurality of discharge ports 21 for each type of processing liquid.
Although the description of the first and second embodiments of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the contents of the first and second embodiments, and various modifications can be made within the scope of the claims. Is possible.

たとえば、第1および第2実施形態では、スピンチャック4の周囲に配置されているカップ6の数が1つである場合について説明したが、複数のカップ6がスピンチャック4の周囲に配置されており、昇降装置19によって基板Wの周端面に対向するカップ6が変更されてもよい。
また、第1および第2実施形態では、カップ6の内周面6aに向けて純水を吐出するカップ洗浄ノズル24が処理ユニット2に備えられている場合について説明したが、カップ洗浄ノズル24が処理ユニット2に備えられていなくてもよい。
For example, in the first and second embodiments, the case where the number of the cups 6 arranged around the spin chuck 4 is one has been described. However, a plurality of cups 6 are arranged around the spin chuck 4. The cup 6 facing the peripheral end surface of the substrate W may be changed by the lifting device 19.
In the first and second embodiments, the case where the processing unit 2 includes the cup cleaning nozzle 24 that discharges pure water toward the inner peripheral surface 6a of the cup 6 has been described. The processing unit 2 may not be provided.

また、第1および第2実施形態では、複数種の処理液が、別々のノズルから基板Wに供給される場合について説明したが、複数種の処理液が、共通のノズルから基板Wに供給されてもよい。たとえば、全ての種類の処理液が、共通のノズルから基板Wに供給されてもよいし、一部の種類の処理液だけが、共通のノズルから基板Wに供給されてもよい。
また、第1および第2実施形態では、基板処理装置1が、円板状の基板Wを処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置1は、液晶表示装置用基板などの多角形の基板Wを処理する装置であってもよい。
In the first and second embodiments, the case where a plurality of types of processing liquids are supplied to the substrate W from different nozzles has been described. However, a plurality of types of processing liquids are supplied to the substrate W from a common nozzle. May be. For example, all types of processing liquids may be supplied to the substrate W from a common nozzle, or only some types of processing liquids may be supplied to the substrate W from a common nozzle.
In the first and second embodiments, the case where the substrate processing apparatus 1 is an apparatus that processes a disk-shaped substrate W has been described. However, the substrate processing apparatus 1 is a polygon such as a substrate for a liquid crystal display device. An apparatus for processing the substrate W may be used.

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。   In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

1 :基板処理装置
4 :スピンチャック(基板保持手段)
5 :ノズル(処理液供給手段)
5d :リンス液ノズル(処理液供給手段、カップ洗浄手段、純水ノズル)
6 :カップ
6a :内周面
10 :スピンモータ(基板回転手段)
20 :ダクト
21 :排出口
24 :カップ洗浄ノズル(カップ洗浄手段)
27 :分離装置(分離手段)
28 :開閉装置(開閉手段)
32 :排気装置(排気手段)
34 :気流形成装置(気流形成手段、羽根回転手段)
35A :送風機(気流形成手段)
35B :送風機(気流形成手段)
35C :送風機(気流形成手段)
35D :送風機(気流形成手段)
35E :送風機(気流形成手段)
36 :気体吐出装置(気流形成手段、気体吐出手段)
37 :気体吸引装置(気流形成手段、気体吸引手段)
38 :回転体
39 :羽根
41D :羽根回転装置(羽根回転手段)
41E :羽根回転装置(羽根回転手段)
49 :吸引口
227 :分離装置(分離手段)
256 :排液切替バルブ
256a :入力ポート
256b :出力ポート
A1 :回転軸線
D1 :基板の回転方向
W :基板
1: Substrate processing apparatus 4: Spin chuck (substrate holding means)
5: Nozzle (treatment liquid supply means)
5d: rinse liquid nozzle (treatment liquid supply means, cup cleaning means, pure water nozzle)
6: Cup 6a: Inner peripheral surface 10: Spin motor (substrate rotating means)
20: Duct 21: Discharge port 24: Cup cleaning nozzle (cup cleaning means)
27: Separation device (separation means)
28: Opening / closing device (opening / closing means)
32: Exhaust device (exhaust means)
34: Airflow forming device (airflow forming means, blade rotating means)
35A: Blower (airflow forming means)
35B: Blower (airflow forming means)
35C: Blower (airflow forming means)
35D: Blower (air flow forming means)
35E: Blower (air flow forming means)
36: Gas discharge device (air flow forming means, gas discharge means)
37: Gas suction device (air flow forming means, gas suction means)
38: Rotating body 39: Blade 41D: Blade rotating device (blade rotating means)
41E: blade rotation device (blade rotation means)
49: Suction port 227: Separation device (separation means)
256: Drain switch valve 256a: Input port 256b: Output port A1: Rotation axis D1: Rotation direction W of substrate: Substrate

Claims (12)

基板を水平に保持する基板保持手段と、
基板を通る鉛直な回転軸線まわりに前記基板保持手段に保持されている基板を回転させる基板回転手段と、
前記基板保持手段に保持されている基板に複数種の処理液を供給する処理液供給手段と、
前記基板保持手段に保持されている基板を取り囲む筒状の内周面と、前記内周面で開口する複数の排出口とを含み、前記基板の周囲に排出された複数種の処理液を前記内周面によって受け止めると共に、前記基板の周囲に排出された複数種の処理液を前記複数の排出口に排出する筒状のカップと、
前記基板保持手段に保持されている基板と前記カップの内周面との間で前記基板の回転方向と同じ方向に流れる回転気流を形成する気流形成手段と、
前記カップの内周面に純水を供給するカップ洗浄手段と、
前記複数の排出口に排出される複数種の処理液を種類ごとに分離する分離手段とを含む、基板処理装置。
Substrate holding means for holding the substrate horizontally;
Substrate rotating means for rotating the substrate held by the substrate holding means around a vertical rotation axis passing through the substrate;
Treatment liquid supply means for supplying a plurality of types of treatment liquids to the substrate held by the substrate holding means;
A cylindrical inner peripheral surface surrounding the substrate held by the substrate holding means; and a plurality of discharge ports opened on the inner peripheral surface, and a plurality of types of treatment liquids discharged around the substrate A cylindrical cup that receives the inner peripheral surface and discharges a plurality of types of processing liquid discharged around the substrate to the plurality of discharge ports;
An airflow forming means for forming a rotating airflow flowing in the same direction as the rotation direction of the substrate between the substrate held by the substrate holding means and the inner peripheral surface of the cup;
Cup cleaning means for supplying pure water to the inner peripheral surface of the cup;
A substrate processing apparatus comprising: a separation unit configured to separate the plurality of types of processing liquids discharged to the plurality of discharge ports by type.
前記カップ内の雰囲気を前記複数の排出口から排出する排気手段をさらに含む、請求項1に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising an exhaust unit that exhausts the atmosphere in the cup from the plurality of exhaust ports. 前記分離手段は、前記複数の排出口をそれぞれ独立して開閉可能な複数の開閉手段を含む、請求項1または2に記載の基板処理装置。   3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the separation unit includes a plurality of opening / closing units capable of independently opening and closing the plurality of discharge ports. 前記分離手段は、前記複数の排出口に接続された入力ポートと、前記複数の排出口から前記入力ポートに供給された処理液を排出する複数の出力ポートとを有し、前記入力ポートに接続される出力ポートを前記複数の出力ポートの中で切替可能な排液切替バルブを含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The separation means includes an input port connected to the plurality of discharge ports, and a plurality of output ports for discharging the processing liquid supplied from the plurality of discharge ports to the input port, and is connected to the input ports. The substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1-3 containing the drainage switching valve which can switch the output port to be switched among these output ports. 前記カップ洗浄手段は、前記基板保持手段に保持されている基板に向けて純水を吐出する純水ノズルを含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the cup cleaning unit includes a pure water nozzle that discharges pure water toward the substrate held by the substrate holding unit. 前記カップ洗浄手段は、前記カップの内周面に向けて純水を吐出するカップ洗浄ノズルを含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the cup cleaning unit includes a cup cleaning nozzle that discharges pure water toward an inner peripheral surface of the cup. 前記気流形成手段は、前記カップの内側に配置された羽根と、前記羽根と共に鉛直な軸線まわりに回転可能な回転体と、前記回転体を回転させる羽根回転手段とを含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The airflow forming means includes a blade disposed inside the cup, a rotating body that can rotate around a vertical axis together with the blade, and a blade rotating means that rotates the rotating body. The substrate processing apparatus as described in any one of these. 前記羽根は、上下対称な断面を有している、請求項7に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 7, wherein the blade has a vertically symmetric cross section. 前記羽根回転手段は、前記基板回転手段である、請求項7または8に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 7, wherein the blade rotating unit is the substrate rotating unit. 前記羽根回転手段は、前記基板回転手段とは独立している、請求項7または8に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 7, wherein the blade rotating unit is independent of the substrate rotating unit. 前記気流形成手段は、前記基板の回転方向の下流側に向けて前記カップの内周面の接線方向に気体を吐出する気体吐出手段を含む、請求項1〜10のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The said airflow formation means contains the gas discharge means which discharges gas to the tangential direction of the internal peripheral surface of the said cup toward the downstream of the rotation direction of the said board | substrate. Substrate processing equipment. 前記気流形成手段は、前記カップの内周面で開口する吸引口から前記基板の回転方向の下流側に向けて前記カップの内周面の接線方向に気体を吸引する気体吸引手段を含む、請求項1〜11のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The air flow forming means includes gas suction means for sucking gas in a tangential direction of the inner peripheral surface of the cup from a suction port opened on the inner peripheral surface of the cup toward a downstream side in the rotation direction of the substrate. Item 12. The substrate processing apparatus according to any one of Items 1 to 11.
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