KR20170075781A - 탄성파 공진자, 탄성파 필터, 듀플렉서 및 탄성파 장치 - Google Patents

탄성파 공진자, 탄성파 필터, 듀플렉서 및 탄성파 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20170075781A
KR20170075781A KR1020177014553A KR20177014553A KR20170075781A KR 20170075781 A KR20170075781 A KR 20170075781A KR 1020177014553 A KR1020177014553 A KR 1020177014553A KR 20177014553 A KR20177014553 A KR 20177014553A KR 20170075781 A KR20170075781 A KR 20170075781A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode layer
acoustic wave
main surface
wave resonator
component
Prior art date
Application number
KR1020177014553A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101909013B1 (ko
Inventor
료 나카가와
Original Assignee
가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 filed Critical 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Publication of KR20170075781A publication Critical patent/KR20170075781A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101909013B1 publication Critical patent/KR101909013B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/877—Conductive materials
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14538—Formation
    • H03H9/14541—Multilayer finger or busbar electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/40—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and electrical output, e.g. functioning as transformers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

비선형 신호의 발생을 억제할 수 있는 탄성파 공진자를 제공한다.
압전 기판(2)과, 압전 기판(2) 상에 형성된 IDT전극(3)을 포함하는 탄성파 공진자(1). IDT전극(3)이, 압전 기판(2) 측에 배치되어 있는 제1 주면(4a)과, 제1 주면(4a)과 대향하고 있는 제2 주면(4b)을 가지며, Al 또는 Al을 주체로 하는 합금에 의해 구성되어 있는 제1 전극층(4)을 포함하고 있다. 전파하는 탄성파로서 SH파를 이용하고 있다. 탄성파 공진자(1)의 공진 주파수를 fr로 하고, 반공진 주파수를 fa로 했을 때에 하기 식(1)로 나타내는 주파수 f에서, 2차원 유한 요소법에 의해 산출된 제1 주면(4a)에서의 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최소치가 1.4×10-3 이하인 탄성파 공진자(1).
f=fr+0.06×bw: 식(1)
(식(1) 중 bw는 fa-fr이다)

Description

탄성파 공진자, 탄성파 필터, 듀플렉서 및 탄성파 장치{ACOUSTIC WAVE RESONATOR, ACOUSTIC WAVE FILTER, DUPLEXER AND ACOUSTIC WAVE APPARATUS}
본 발명은, 압전 기판 상에 IDT전극이 마련된 탄성파 공진자, 그리고 상기 탄성파 공진자를 가지는 탄성파 필터 및 듀플렉서에 관한 것이다.
종래, 휴대전화기 등에 이용되는 대역 필터를 구성하는 공진자로서, 탄성파 공진자가 널리 이용되고 있다. 예를 들면, 하기 특허문헌 1에는, 압전 기판과 상기 압전 기판 상에 마련된 IDT전극을 포함하는 탄성파 공진자가 개시되어 있다. 특허문헌 1에서는, 상기 IDT전극이 Al막에 의해 형성되는 것이 기재되어 있다.
일본 공개특허공보 평2-295212호
그러나 특허문헌 1의 탄성파 공진자와 같이, Al막에 의해 IDT전극이 구성되는 경우, 신호의 선형성이 저하되는 경우가 있었다. 그 때문에, 특허문헌 1의 탄성파 공진자를 듀플렉서의 송신 필터에 이용한 경우, 송신 필터로부터 발생하는 비(非)선형 신호의 레벨이 커져 수신 감도가 저하되는 경우가 있었다.
본 발명의 목적은, 비선형 신호의 발생을 억제할 수 있는, 탄성파 공진자, 그리고 상기 탄성파 공진자를 가지는 탄성파 필터 및 듀플렉서를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따른 탄성파 공진자는, 압전 기판과 상기 압전 기판 상에 형성된 IDT전극을 포함하는 탄성파 공진자로서, 상기 IDT전극이, 상기 압전 기판 측에 배치되어 있는 제1 주면(主面)과, 상기 제1 주면과 대향하고 있는 제2 주면을 가지며, Al 또는 Al을 주체로 하는 합금에 의해 구성되어 있는 제1 전극층을 포함하고, 전파하는 탄성파로서 SH파를 이용하고 있으며, 상기 탄성파 공진자의 공진 주파수를 fr로 하고, 반공진 주파수를 fa로 했을 때에 하기 식(1)로 나타내는 주파수 f에서, 2차원 유한 요소법에 의해 산출된 상기 제1 주면에서의 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최소치가 1.4×10-3 이하이다.
f=fr+0.06×bw: 식(1)
(식(1) 중 bw는 fa-fr이다)
본 발명에 따른 탄성파 공진자의 어느 특정 국면에서는, 상기 주파수 f에서, 2차원 유한 요소법에 의해 산출된 상기 제1 주면에서의 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최대치가 2.7×10-3 이하이다. 이 경우에는, 신호의 선형성의 저하를 보다 더 억제할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 공진자의 다른 넓은 국면에서는, 압전 기판과 상기 압전 기판 상에 형성된 IDT전극을 포함하는 탄성파 공진자로서, 상기 IDT전극이, 상기 압전 기판 측에 배치되어 있는 제1 주면과, 상기 제1 주면과 대향하고 있는 제2 주면을 가지며, Al 또는 Al을 주체로 하는 합금에 의해 구성되어 있는 제1 전극층을 포함하고, 전파하는 탄성파로서 SH파를 이용하고 있으며, 상기 탄성파 공진자의 공진 주파수를 fr로 하고, 반공진 주파수를 fa로 했을 때에 하기 식(1)로 나타내는 주파수 f에서, 2차원 유한 요소법에 의해 산출된 상기 제1 주면의 왜곡 S4 성분의 절대치의 최대치가 2.7×10-3 이하이다.
f=fr+0.06×bw: 식(1)
(식(1) 중 bw는 fa-fr이다)
본 발명에 따른 탄성파 공진자의 어느 특정 국면에서는, 상기 IDT전극이 상기 압전 기판 상에 형성된 제2 전극층을 포함하며, 상기 제2 전극층 상에 상기 제1 전극층이 적층되어 있고, 상기 제2 전극층이 Ti, Pt, Mo, W, Au, Cu, Ag 및 NiCr로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 금속에 의해 구성되어 있다.
본 발명에 따른 탄성파 공진자의 다른 특정 국면에서는, 상기 제1 전극층이 상기 제1 주면 및 상기 제2 주면을 연결하고 있는 측면을 가지며, 상기 측면의 적어도 일부와, 상기 제2 전극층이 접하고 있으며, 상기 제1 전극층의 측면 중 상기 제2 전극층과 접하고 있는 부분의 상기 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최소치가 1.4×10-3 이하이다. 이 경우에는, 신호의 선형성의 저하를 보다 더 확실하게 억제할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 공진자의 다른 특정 국면에서는, 상기 제1 전극층이 상기 제1 주면 및 상기 제2 주면을 연결하고 있는 측면을 가지며, 상기 측면의 적어도 일부와, 상기 제2 전극층이 접하고 있으며, 상기 제1 전극층의 측면 중 상기 제2 전극층과 접하고 있는 부분의 상기 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최대치가 2.7×10-3 이하이다. 이 경우에는, 신호의 선형성의 저하를 보다 더 억제할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 공진자의 또 다른 특정 국면에서는, 상기 제1 전극층의 제1, 제2 주면 및 측면을 덮도록 상기 제2 전극층이 마련되어 있고, 상기 제1 전극층의 제1, 제2 주면 및 측면의 상기 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최소치가 1.4×10-3 이하이다. 이 경우에는, 신호의 선형성의 저하를 보다 더 확실하게 억제할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 공진자의 또 다른 특정 국면에서는, 상기 제1 전극층의 제1, 제2 주면 및 측면을 덮도록 상기 제2 전극층이 마련되어 있고, 상기 제1 전극층의 제1, 제2 주면 및 측면의 상기 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최대치가 2.7×10-3 이하이다. 이 경우에는, 신호의 선형성의 저하를 보다 더 확실하게 억제할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 공진자의 또 다른 특정 국면에서는, 상기 Al을 주체로 하는 합금이 Al과 Cu의 합금이다.
본 발명에 따른 탄성파 필터는, 복수의 탄성파 공진자를 가지는 탄성파 필터로서, 상기 복수의 탄성파 공진자 중 적어도 1개의 탄성파 공진자가, 상기 본 발명에 따라 구성되는 탄성파 공진자이다.
본 발명에 따른 듀플렉서는, 복수의 탄성파 공진자를 가지고, 대역 통과형의 제1 필터와 복수의 탄성파 공진자를 가지며, 상기 제1 필터와 통과 대역이 다른 제2 필터를 포함하는 듀플렉서로서, 상기 제1 및 제2 필터 중 적어도 한쪽의 복수의 탄성파 공진자 중 적어도 1개의 탄성파 공진자가, 상기 본 발명에 따라 구성되는 탄성파 공진자이다.
본 발명에 따른 탄성파 장치는, 복수의 송신 필터가 구성되어 있는 제1 칩 부품과, 복수의 수신 필터가 구성되어 있는 제2 칩 부품을 포함하고, 상기 복수의 송신 필터 또는 상기 복수의 수신 필터가 복수의 탄성파 공진자를 가지며, 상기 복수의 탄성파 공진자 중 적어도 1개의 탄성파 공진자가 상기 본 발명에 따라 구성되는 탄성파 공진자이다.
본 발명에 따른 탄성파 공진자에서는, 상기한 바와 같이 IDT전극을 구성하는 제1 전극층의 제1 주면에서의 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최소치 또는 최대치가 낮아져 있다. 그 때문에, 본 발명에 따른 탄성파 공진자는, 비선형 신호의 발생을 억제할 수 있다.
도 1(a)는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 공진자의 모식적 정면 단면도이며, 도 1(b)는 그 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 2는 제1 전극층의 제1 주면 내의 각 위치에서의 왜곡 성분 S4의 절대치(|S4|)를 나타내는 도면이다.
도 3은, 제1 전극층의 제1 주면에서의 왜곡 성분 S4의 절대치(|S4|)의 최소치와, 3차 고조파의 피크 레벨의 관계를 나타내는 도면이다.
도 4는 제1 전극층의 제1 주면에서의 왜곡 성분 S4의 절대치(|S4|)의 최대치와, 3차 고조파의 피크 레벨의 관계를 나타내는 도면이다.
도 5는 고조파 발생 주파수와 3차 고조파 레벨의 관계를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시형태에 따른 탄성파 공진자의 모식적 정면 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시형태에 따른 탄성파 공진자의 모식적 정면 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제5 실시형태에 따른 탄성파 공진자의 모식적 정면 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제6 실시형태에 따른 탄성파 공진자의 모식적 정면 단면도이다.
도 10은 본 발명의 한 실시형태에 따른 듀플렉서의 개략 회로도이다.
도 11은 2차원 유한 요소법의 계산에서 이용되는 압전 기판의 두께(h＞30λ)를 나타내는 도면이다.
도 12는 2차원 유한 요소법의 계산에서 이용되는 압전 기판의 두께(h＞5λ)를 나타내는 도면이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 듀플렉서의 모식적 평면도이다.
이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명함으로써 본 발명을 명백하게 한다.
또한 본 명세서에 기재된 각 실시형태는 예시적인 것이며, 다른 실시형태 간에서 구성의 부분적인 치환 또는 조합이 가능한 것을 지적해 둔다.
[탄성파 공진자]
(제1 실시형태)
도 1(a)는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 공진자의 모식적 정면 단면도이며, 도 1(b)는 그 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이다. 탄성파 공진자(1)는, 압전 기판(2)을 가진다. 압전 기판(2)의 주면 상에 IDT전극(3)이 적층되어 있다. IDT전극(3)은 제1, 제2 전극층(4, 5)을 가지고 있다. 보다 상세하게는, IDT전극(3)은 압전 기판(2) 상에 마련된 제2 전극층(5)과, 제2 전극층(5) 상에 적층된 제1 전극층(4)을 가지고 있다.
제1 전극층(4)은 제1, 제2 주면(4a, 4b) 및 제1, 제2 측면(4c, 4d)을 가진다. 제1 전극층(4)의 제1 주면(4a)은 압전 기판(2) 측에 마련되어 있다. 제1 전극층(4)의 제1 주면(4a)은 제2 전극층(5)과 접하고 있다. 즉, 제1 전극층(4)의 제1 주면(4a)은 제1 전극층(4) 및 제2 전극층(5)의 경계면이다. 또한 제1 전극층(4)의 제2 주면(4b)은 제1 주면(4a)과 대향하고 있다. 제1, 제2 측면(4c, 4d)은, 각각 제1 주면(4a) 및 제2 주면(4b)을 연결하고 있다.
압전 기판(2)은 LiTaO3으로 이루어지는 기판이다. 단, 압전 기판(2)으로는, LiNbO3 등의 다른 압전 단결정으로 이루어지는 기판을 이용해도 되고, 압전 세라믹스로 이루어지는 기판을 이용해도 된다.
도 1(a)에서는 약도적으로 나타내고 있지만, 압전 기판(2) 상에는, 도 1(b)에 나타내는 전극 구조가 형성되어 있다. 즉, IDT전극(3)과, IDT전극(3)의 탄성 표면파 전파 방향 양측에 배치된 반사기(6, 7)가 형성되어 있다. 이에 따라, 1포트형 탄성 표면파 공진자가 구성되어 있다.
IDT전극(3)은 제1, 제2 버스바(busbar)와, 복수 개의 제1, 제2 전극지(電極指)를 가진다. 복수 개의 제1 전극지와 복수 개의 제2 전극지는, 서로 사이에 삽입되어 있다. 또한 복수 개의 제1 전극지는 제1 버스바에 접속되어 있고, 복수 개의 제2 전극지는 제2 버스바에 접속되어 있다.
IDT전극(3)의 제1 전극층(4)은 Al에 의해 구성되어 있다. IDT전극(3)의 제1 전극층(4)은, Al을 주체로 하는 합금에 의해 구성되어 있어도 된다. Al을 주체로 하는 합금이란, Al을 50% 이상 포함하는 합금을 말하고, 예를 들면 Al 및 Cu의 합금(AlCu 합금)을 들 수 있다.
한편, IDT전극(3)의 제2 전극층(5)은 Ti에 의해 구성되어 있다. 제2 전극층(5)을 구성하는 재료로는, Ti 이외에도 Pt, Mo, W, Au, Cu, Ag, Ni, Cr 또는 이들 합금을 이용할 수 있다. 이들은 단층의 금속막이어도 되고, 2종 이상의 금속이 적층된 적층 금속막이어도 된다.
본 실시형태에서는, 전파하는 탄성파로서 SH파를 이용하고 있으며, 제1 전극층(4)의 제1 주면(4a), 즉 제1 전극층(4)과 제2 전극층(5)의 경계면에서의 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최소치가 1.4×10-3 이하이다. 또한 본 명세서에서, 왜곡인 S4 성분은, 주파수 f에서 2차원 유한 요소법에 의해 산출한 값이 이용되는 것으로 한다.
주파수 f는, 탄성파 공진자의 공진 주파수를 fr로 하고, 반공진 주파수를 fa로 했을 때에 하기 식(1)로 나타내는 주파수이다.
f=fr+0.06×bw: 식(1)
(식(1) 중 bw는 fa-fr이다)
또한 왜곡인 S4 성분은, 결정이 좌표축(x, y, z)에 들어맞을 때의 y축방향을 따른 변위의 z미분이다. 보다 구체적으로는, 전극지의 길이방향을 y방향, 두께방향을 z방향으로 하고, 전극지의 길이 ly가 ly+uy로 변화되었을 때에 S4=(∂uy/∂z)로 나타낸다. 왜곡인 S4 성분은, 2차원 유한 요소법에 의한 계산에서, 이하의 조건에 의해 산출된다.
제1 전극층(4) 및 제2 전극층(5)을 구성하는 재료의 탄성 정수 및 밀도는, "화학편람 기초편 II 개정4판 일본화학학회편 마루젠(1993)"에 기재된 값을 이용한다. 예를 들면, Al의 탄성 정수는, 영률(Young's modulus): 6.85×1010[㎩], 푸아송비(Poisson ratio): 3.4×10-1이며, 밀도는 2.6989×103[㎏/㎥]이다. 또한 Ti의 탄성 정수는, 영률: 1.157×1011[㎩], 푸아송비: 3.2×10-1이며, 밀도는 4.5×103[㎏/㎥]이다.
압전 기판(2)의 파라미터는, "탄성파 소자 기술 핸드북 일본 학술진흥회 탄성파 소자 기술 제150위원회 옴사, p542"에 기재된 값을 이용한다. 예를 들면, 압전 기판(2)을 구성하고 있는 LiTaO3의 탄성 정수는, c11=2.298, c12=0.44, c13=0.812, c14=-0.104, c22=2.298, c23=0.812, c24=0.104, c33=2.798, c44=0.968, c55=0.968, c56=-0.104, c66=0.929, c15=c16=c25=c26=c34=c35=c36=c45=c46=0[×103㎩], cij=cji이다. LiTaO3의 압전 정수는, e15=2.72, e16=-1.67, e21=-1.67, e22=1.67, e24=2.72, e31=-0.38, e32=-0.38, e33=1.09, e11=e12=e13=e14=e23=e25=e26=e34=e35=e36=0[C/㎡]이다. LiTaO3의 비유전율은, ε11=42.6, ε22=42.6, ε33=4.28, ε12=ε13=ε23=0, εij=εji이다.
계산 모델은, 주기 경계 조건(위상차 조건은, 2nπ)을 이용한 전극지 한 쌍의 모델로 한다. 압전 기판(2)의 두께는, 도 11 및 도 12를 참조하여 설명된다. 도 11 및 도 12는, 2차원 유한 요소법의 계산에서 이용되는 압전 기판의 두께를 나타내는 도면이다. 압전 기판(2)의 두께(h)는, 도 11에 나타내는 바와 같이, h＞30λ로 한다. 혹은, 도 12에 나타내는 바와 같이, h＞5λ 이상으로 하고, 압전 기판(2)의 IDT전극(3)이 마련되어 있는 측과는 반대 측의 주면에, 무반사 흡수층(PML)(15)을 마련한다. 이에 따라, 압전 기판(2)의 IDT전극(3)이 마련되어 있는 측과는 반대 측의 주면으로부터의 파동의 반사를 억제할 수 있다.
경계 조건으로는, 제2 전극층(5)과 압전 기판(2)의 경계면에 +1.0V, 압전 기판(2)의 IDT전극(3)이 마련되어 있는 측과는 반대 측의 주면에 0V의 전위를 부여한다. 또한 압전 기판(2)의 IDT전극(3)이 마련되어 있는 측과는 반대 측의 주면에서, 변위ui(i=1, 2, 3)의 구속 조건(ui=0)을 마련한다.
도 2는, 제1 전극층(4)의 제1 주면(4a) 내의 각 위치에서의 왜곡 성분 S4의 절대치(|S4|)를 나타내는 도면이다. 즉, 도 2는 제1 전극층(4)의 제1 주면(4a)에서, 제2 측면(4d) 측으로부터 제1 측면(4c) 측을 향하여 |S4|를 측정하는 위치를 변화시켰을 때의 각 위치에서의 |S4|를 나타내는 도면이다. 도 2에서, X축의 부(負) 측이 제2 측면(4d) 측이며, 정(正) 측이 제1 측면(4c) 측이다.
도 3은, 제1 전극층(4)의 제1 주면(4a)에서의 왜곡 성분 S4의 절대치(|S4|)의 최소치와, 3차 고조파의 피크 레벨의 관계를 나타내는 도면이다. 도 3에서 |S4|의 최소치는, 도 2에서의 |S4|의 최소치이다. 즉, 제1 전극층(4)의 제1 주면(4a)에서, 제2 측면(4d) 측으로부터 제1 측면(4c) 측을 향하여 |S4|를 측정하는 위치를 변화시켰을 때의 각 위치에서의 |S4|의 최소치이다.
또한 도 3에는, 4점의 |S4|의 최소치가 기재되어 있지만, 각각 제1 전극층(4) 및 제2 전극층(5)의 두께를 바꾸었을 때의 값이다. 보다 상세하게는, 도 3에서의 4점의 |S4|는, 좌로부터 제1 전극층(4) 및 제2 전극층(5)의 막두께가, 100㎚과 248㎚, 200㎚과 184㎚, 300㎚과 110㎚, 430㎚과 30㎚일 때의 값이다. 또한 3차 고조파의 피크 레벨은, 도 5에 나타내는 3차 고조파 레벨이 피크를 말하는 것으로 한다.
도 3으로부터, |S4|의 최소치가 1.4×10-3 이하일 때 비선형 신호의 발생이 억제되고 있다.
(제2 실시형태)
제1 실시형태에서는, 제1 주면(4a)에서의 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최소치가 1.4×10-3 이하였다. 제2 실시형태에서는, 제1 주면(4a)에서의 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최대치가 2.7×10-3 이하이다. 그 밖의 점은, 제1 실시형태와 동일하다. 이하, 상기 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최대치에 대해 도 4를 참조하여 보다 상세하게 설명한다.
도 4는, 제1 전극층(4)의 제1 주면(4a)에서의 왜곡 성분 S4의 절대치(|S4|)의 최대치와, 3차 고조파의 피크 레벨의 관계를 나타내는 도면이다. 도 4에서, |S4|의 최대치는 도 3에서의 |S4|의 최대치이다. 즉, 제1 전극층(4)의 제1 주면(4a)에서, 제2 측면(4d) 측으로부터 제1 측면(4c) 측을 향하여 |S4|를 측정하는 위치를 변화시켰을 때의 각 위치에서의 |S4|의 최대치이다.
또한 도 4에는, 4점의 |S4|의 최대치가 기재되어 있지만, 각각 제1 전극층(4) 및 제2 전극층(5)의 두께를 바꾸었을 때의 값이다. 또한 3차 고조파의 피크 레벨은, 도 5에 나타내는 3차 고조파 레벨이 피크를 말하는 것으로 한다.
도 4로부터, |S4|의 최대치가 2.7×10-3 이하일 때 비선형 신호의 발생이 억제되고 있다.
또한 본 발명에서는, 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최소치가 1.4×10-3 이하이면서, 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최대치가 2.7×10-3 이하여도 된다. 이 경우, 비선형 신호의 발생을 보다 더 억제할 수 있다.
(제3 실시형태)
도 6은, 본 발명의 제3 실시형태에 따른 탄성파 공진자의 모식적 정면 단면도이다. 탄성파 공진자(21)에서는, 제1 전극층(4)의 제1, 제2 측면(4c, 4d)의 일부가, 각각 제2 전극층(5)과 접하고 있다.
탄성파 공진자(21)에서는, 제1 전극층(4)의 제1, 제2 측면(4c, 4d)의 제2 전극층(5)과 접하고 있는 부분에서의 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최소치가 1.4×10-3 이하이다. 혹은, 제1 전극층(4)의 제1, 제2 측면(4c, 4d)의 제2 전극층(5)이 접하고 있는 부분에서의 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최대치가 2.7×10-3 이하이다. 그 밖의 점은, 제1 실시형태와 동일하다.
또한 제2 전극층(5)의 형성 방법으로는, 예를 들면 먼저, 평탄한 전극층을 성막 등으로 형성한다. 상기 평탄한 전극층 상에, 상기 평탄한 전극층보다 한결 작은 레지스트막을 형성한다. 이어서, 레지스트막 및 상기 평탄한 전극층을 덮도록 상기 평탄한 전극층과 동일한 재료의 전극층을 형성한다. 다음으로, 에칭 장치를 이용하여 이방성(異方性) 에칭을 실시하고, 레지스트막의 측벽에만 전극층이 남도록 한다. 그 후 레지스트막을 제거한다. 이에 따라, 제2 전극층(5)을 형성할 수 있다. 그리고 제1 전극층(4)을 적층하여 IDT전극(3)이 형성된다. 이와 같이 하여 형성된 IDT전극(3)에서, 제1 전극층(4)의 제2 전극층(5)과 접하고 있는 부분이, 제1 전극층(4)의 제1 주면(4a) 및 제1, 제2 측면(4c, 4d)이다.
제3 실시형태에서는, 제1 전극층(4)의 제1 주면(4a) 및 제1, 제2 측면(4c, 4d) 중 제2 전극층(5)과 접하고 있는 부분의 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최소치 또는 최대치가 낮아져 있다. 즉, 제1 전극층(4) 및 제2 전극층(5)의 경계면에서의 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최소치 또는 최대치가 낮아져 있다. 그 때문에, 제3 실시형태에 따른 탄성파 공진자(21)는, 비선형 신호의 발생을 억제할 수 있다.
(제4 실시형태)
도 7은, 본 발명의 제4 실시형태에 따른 탄성파 공진자의 모식적 정면 단면도이다. 탄성파 공진자(31)에서는, 제1 전극층(4)의 제1, 제2 측면(4c, 4d)이, 각각 제2 전극층(5)과 접하고 있다. 제1, 제2 측면(4c, 4d)을 가지는 제2 전극층(5)은, 상기 제3 실시형태와 동일하게 형성한다.
탄성파 공진자(31)에서는, 제1 전극층(4)의 제1, 제2 측면(4c, 4d)에서의 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최소치가 1.4×10-3 이하이다. 혹은, 제1 전극층(4)의 제1, 제2 측면(4c, 4d)에서의 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최대치가 2.7×10-3 이하이다. 그 밖의 점은, 제1 실시형태와 동일하다.
제4 실시형태에서는, 제1 전극층(4)의 제1 주면(4a) 및 제1, 제2 측면(4c, 4d)의 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최소치 또는 최대치가 낮아져 있다. 즉, 제1 전극층(4) 및 제2 전극층(5)의 경계면에서의 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최소치 또는 최대치가 낮아져 있다. 그 때문에, 제4 실시형태에 따른 탄성파 공진자(31)는, 비선형 신호의 발생을 억제할 수 있다.
(제5 실시형태)
도 8은, 본 발명의 제5 실시형태에 따른 탄성파 공진자의 모식적 정면 단면도이다. 탄성파 공진자(41)에서는, 제1 전극층(4)의 제2 주면(4b) 및 제1, 제2 측면(4c, 4d)이 제2 전극층(5)과 접하고 있다. 제1, 제2 측면(4c, 4d)을 가지는 제2 전극층(5)은, 상기 제3, 제4 실시형태와 동일하게 형성한다.
탄성파 공진자(41)에서는, 제1 전극층(4)의 제2 주면(4b) 및 제1, 제2 측면(4c, 4d)에서의 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최소치가 1.4×10-3 이하이다. 혹은, 제1 전극층(4)의 제2 주면(4b) 및 제1, 제2 측면(4c, 4d)에서의 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최대치가 2.7×10-3 이하이다. 그 밖의 점은, 제1 실시형태와 동일하다.
제5 실시형태에서는, 제1 전극층(4)의 제1, 제2 주면(4a, 4b) 및 제1, 제2 측면(4c, 4d)의 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최소치 또는 최대치가 낮아져 있다. 즉, 제1 전극층(4) 및 제2 전극층(5)의 경계면에서의 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최소치 또는 최대치가 낮아져 있다. 그 때문에, 제5 실시형태에 따른 탄성파 공진자(41)는, 비선형 신호의 발생을 억제할 수 있다.
(제6 실시형태)
도 9는, 본 발명의 제6 실시형태에 따른 탄성파 공진자의 모식적 정면 단면도이다. 탄성파 공진자(51)에서는, 제2 전극층이 마련되어 있지 않다. 그 때문에, 제1 전극층(4)의 제1 주면(4a)은 압전 기판(2)과 접하고 있다. 그 밖의 점은, 제1 실시형태와 동일하다.
제6 실시형태에서는, 제1 전극층(4)의 제1 주면(4a), 즉 제1 전극층(4)과 압전 기판(2)의 경계면의 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최소치가 1.4×10-3 이하이다. 혹은, 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최대치가 2.7×10-3 이하이다. 따라서 제6 실시형태에 따른 탄성파 공진자(51)는, 비선형 신호의 발생을 억제할 수 있다.
[탄성파 필터 및 듀플렉서]
도 10은, 본 발명의 한 실시형태에 따른 듀플렉서의 개략 회로도이다. 본 실시형태에 따른 듀플렉서는, 안테나(8)에 공통으로 접속되어 있는 제1 필터(9)와 제2 필터(10)를 가진다.
제1 필터(9)는 대역 통과형의 송신 필터이다. 제1 필터(9)는 래더형 필터이다. 제1 필터(9)는, 송신 단자인 입력 단자(12a)와 출력 단자(12b)를 가진다. 입력 단자(12a)와 출력 단자(12b)를 연결하는 직렬암에, 복수의 직렬암 공진자(S1~S4)가 배치되어 있다. 직렬암 공진자(S1) 및 직렬암 공진자(S2) 사이의 접속점과 그라운드 전위 사이에 병렬암 공진자(P1)가 접속되어 있다. 직렬암 공진자(S3) 및 직렬암 공진자(S4) 사이의 접속점과 그라운드 전위 사이에 병렬암 공진자(P2)가 접속되어 있다.
제2 필터(10)는, 제1 필터(9)와 통과 대역이 다른 수신 필터이다. 제2 필터(10)는, 종결합 공진자형의 탄성파 필터(14)를 가진다. 제2 필터(10)는 입력 단자(13a)와, 수신 단자로서의 출력 단자(13b)를 가진다. 입력 단자(13a)와 종결합 공진자형의 탄성파 필터(14) 사이에 탄성파 공진자(11)가 접속되어 있다. 입력 단자(13a)는, 출력 단자(12b)와의 공통 접속점을 통해 안테나(8)에 접속되어 있다. 또한 본 발명에서는, 제1, 제2 필터에 이용되는 필터로서, 각각 래더형 필터, 종결합 공진자형 필터, 래티스(lattice)형 필터 등을 이용해도 된다.
보통, 듀플렉서에서의 송신 필터에서, 발생하는 비선형 신호의 레벨이 커진 경우 수신 필터의 수신 감도가 저하되어 버린다.
이에 반하여, 본 실시형태에서는, 제1 필터(9)의 직렬암 공진자(S4)가 상기 본 발명에 따른 탄성파 공진자이다. 즉, 수신 필터인 제2 필터(10)와 접속되어 있는 직렬암 공진자(S4)의, 제1 전극층(4)의 제1 주면(4a)에서의 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최소치가 1.4×10-3 이하이다. 혹은, 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최대치가 2.7×10-3 이하이다. 그 때문에, 직렬암 공진자(S4)에서 발생하는 비선형 신호의 레벨이 억제되고, 따라서 본 실시형태에 따른 듀플렉서는, 수신 감도가 저하되기 어렵다.
단, 본 발명에서는, 탄성파 필터를 구성하는 복수의 탄성파 공진자 중 적어도 1개의 탄성파 공진자 제1 전극층의 제1 주면의 왜곡 S4 성분의 절대치의 최소치 또는 절대치의 최대치가 상기 각 범위 내에 있으면 된다.
또한 본 발명에 따른 듀플렉서에서는, 서로 통과 대역이 다른 송신 필터 및 수신 필터를 가지는 경우, 송신 필터의 적어도 1개의 탄성파 공진자의 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최소치 또는 최대치가 상기 각 범위 내에 있으면 된다. 이에 따라, 듀플렉서의 수신 감도의 저하를 억제할 수 있다.
또한 송신 필터, 수신 필터를 포함한 1칩의 듀플렉서에서, 송신 필터, 수신 필터 중 어느 한쪽의 필터에서만, 비선형 신호의 레벨을 억제할 필요가 있는 경우가 있다. 이 경우에, 비선형 신호의 레벨을 억제하고 싶은 필터에만 본 발명의 구조를 적용하고 싶지만, 1칩의 듀플렉서에서 이것을 제조하는 것은 곤란하다.
한편, 휴대전화기 등에서는, 복수의 듀플렉서가 탑재되는 경우가 많다. 따라서 송신 필터 및 수신 필터 중 어느 한쪽의 필터에서만, 비선형 신호의 레벨을 억제할 필요가 있는 경우에는, 도 13에 나타내는 실시형태를 채용하는 것이 바람직하다. 도 13에서는, 송신 필터(21a)와 송신 필터(21b)가 제1 칩 부품(21)으로 구성되어 있다. 또한 수신 필터(22a)와 수신 필터(22b)가, 제2 칩 부품(22)으로 되어 있다. 여기서는, 송신 필터(21a) 및 송신 필터(21b)가, 각각 복수의 탄성파 공진자를 가진다. 또한 본 실시형태에서는, 송신 필터(21a, 21b)에서, 비선형 신호의 레벨을 억제하는 것이 요구되고 있다. 이 경우에는, 송신 필터(21a, 21b)가 각각 가지는 복수의 탄성파 공진자 중 적어도 1개의 탄성파 공진자가, 본 발명에 따라 구성되어 있으면 된다. 즉, 상술한 식(1)로 나타내는 주파수 f에서, 제1 주면에서의 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최소치가 1.4×10-3 이하이면 된다. 따라서 송신 필터(21a, 21b)에서만 비선형 신호의 레벨을 억제할 필요가 있는 경우에는, 송신 필터(21a, 21b)를 1개의 제1 칩 부품(21)으로서 용이하게 제조할 수 있다. 한편, 비선형 신호의 레벨을 억제할 필요가 없는 수신 필터(22a, 22b)에 대해서는, 제2 칩 부품(22)에서 설계 자유도의 저하를 억제할 수 있다.
이와 같이, 복수의 듀플렉서를 가지는 통신기기의 경우에는, 복수의 송신 필터를 제1 칩 부품으로 하고, 복수의 수신 필터를 제2 칩 부품으로 하는 것이 바람직하다. 또한 복수의 송신 필터가 아니고, 복수의 수신 필터에서만, 비선형 신호의 레벨을 억제할 필요가 있는 경우에는, 수신 필터를 구성하고 있는 복수의 탄성파 공진자 중 적어도 1개의 탄성파 공진자가 본 발명에 따라 구성되어 있으면 된다. 이 경우에도, 복수의 수신 필터를 1개의 칩 부품으로서 용이하게 제조할 수 있다.
1, 11, 21, 31, 41, 51: 탄성파 공진자
2: 압전 기판
3: IDT전극
4: 제1 전극층
4a, 4b: 제1, 제2 주면
4c, 4d: 제1, 제2 측면
5: 제2 전극층
6, 7: 반사기
8: 안테나
9: 제1 필터
10: 제2 필터
12a, 13a: 입력 단자
12b, 13b: 출력 단자
14: 종결합 공진자형의 탄성파 필터
15: 무반사 흡수층(PML)
21, 22: 제1, 제2 칩 부품
21a, 21b: 송신 필터
22a, 22b: 수신 필터
S1~S4: 직렬암 공진자
P1, P2: 병렬암 공진자

Claims (12)

  1. 압전 기판과, 상기 압전 기판 상에 형성된 IDT전극을 포함하는 탄성파 공진자로서,
    상기 IDT전극이, 상기 압전 기판 측에 배치되어 있는 제1 주면(主面)과, 상기 제1 주면과 대향하고 있는 제2 주면을 가지며, Al 또는 Al을 주체로 하는 합금에 의해 구성되어 있는 제1 전극층을 포함하고,
    전파하는 탄성파로서 SH파를 이용하고 있으며,
    상기 탄성파 공진자의 공진 주파수를 fr로 하고, 반공진 주파수를 fa로 했을 때에 하기 식(1)로 나타내는 주파수 f에서, 2차원 유한 요소법에 의해 산출된 상기 제1 주면에서의 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최소치가 1.4×10-3 이하인 것을 특징으로 하는 탄성파 공진자.
    f=fr+0.06×bw: 식(1)
    (식(1) 중 bw는 fa-fr이다)
  2. 제1항에 있어서,
    상기 주파수 f에서, 2차원 유한 요소법에 의해 산출된 상기 제1 주면에서의 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최대치가 2.7×10-3 이하인 것을 특징으로 하는 탄성파 공진자.
  3. 압전 기판과, 상기 압전 기판 상에 형성된 IDT전극을 포함하는 탄성파 공진자로서,
    상기 IDT전극이, 상기 압전 기판 측에 배치되어 있는 제1 주면과, 상기 제1 주면과 대향하고 있는 제2 주면을 가지며, Al 또는 Al을 주체로 하는 합금에 의해 구성되어 있는 제1 전극층을 포함하고,
    전파하는 탄성파로서 SH파를 이용하고 있으며,
    상기 탄성파 공진자의 공진 주파수를 fr로 하고, 반공진 주파수를 fa로 했을 때에 하기 식(1)로 나타내는 주파수 f에서, 2차원 유한 요소법에 의해 산출된 상기 제1 주면에서의 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최대치가 2.7×10-3 이하인 것을 특징으로 하는 탄성파 공진자.
    f=fr+0.06×bw: 식(1)
    (식(1) 중 bw는 fa-fr이다)
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 IDT전극이, 상기 압전 기판 상에 형성된 제2 전극층을 포함하며,
    상기 제2 전극층 상에 상기 제1 전극층이 적층되어 있고,
    상기 제2 전극층이, Ti, Pt, Mo, W, Au, Cu, Ag 및 NiCr로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 금속에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 공진자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 전극층이, 상기 제1 주면 및 상기 제2 주면을 연결하고 있는 측면을 가지고, 상기 측면의 적어도 일부와, 상기 제2 전극층이 접하고 있으며,
    상기 제1 전극층의 측면 중 상기 제2 전극층과 접하고 있는 부분의 상기 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최소치가 1.4×10-3 이하인 것을 특징으로 하는 탄성파 공진자.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 제1 전극층이, 상기 제1 주면 및 상기 제2 주면을 연결하고 있는 측면을 가지고, 상기 측면의 적어도 일부와, 상기 제2 전극층이 접하고 있으며,
    상기 제1 전극층의 측면 중 상기 제2 전극층과 접하고 있는 부분의 상기 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최대치가 2.7×10-3 이하인 것을 특징으로 하는 탄성파 공진자.
  7. 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 전극층의 제1, 제2 주면 및 측면을 덮도록 상기 제2 전극층이 마련되어 있고,
    상기 제1 전극층의 제1, 제2 주면 및 측면의 상기 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최소치가 1.4×10-3 이하인 것을 특징으로 하는 탄성파 공진자.
  8. 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 전극층의 제1, 제2 주면 및 측면을 덮도록 상기 제2 전극층이 마련되어 있고,
    상기 제1 전극층의 제1, 제2 주면 및 측면의 상기 왜곡인 S4 성분의 절대치의 최대치가 2.7×10-3 이하인 것을 특징으로 하는 탄성파 공진자.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 Al을 주체로 하는 합금이 Al과 Cu의 합금인 것을 특징으로 하는 탄성파 공진자.
  10. 복수의 탄성파 공진자를 가지는 탄성파 필터로서,
    상기 복수의 탄성파 공진자 중 적어도 1개의 탄성파 공진자가, 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 탄성파 공진자인 것을 특징으로 하는 탄성파 필터.
  11. 복수의 탄성파 공진자를 가지며, 대역 통과형의 제1 필터와, 복수의 탄성파 공진자를 가지며, 상기 제1 필터와 통과 대역이 다른 제2 필터를 포함하는 듀플렉서로서,
    상기 제1 및 제2 필터 중 적어도 한쪽의 복수의 탄성파 공진자 중 적어도 1개의 탄성파 공진자가, 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 탄성파 공진자인 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  12. 복수의 송신 필터가 구성되어 있는 제1 칩 부품과, 복수의 수신 필터가 구성되어 있는 제2 칩 부품을 포함하고, 상기 복수의 송신 필터 또는 상기 복수의 수신 필터가 복수의 탄성파 공진자를 가지며, 상기 복수의 탄성파 공진자 중 적어도 1개의 탄성파 공진자가 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 탄성파 공진자인 것을 특징으로 하는 탄성파 장치.
KR1020177014553A 2014-12-01 2015-11-16 탄성파 공진자, 탄성파 필터, 듀플렉서 및 탄성파 장치 KR101909013B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-243184 2014-12-01
JP2014243184 2014-12-01
PCT/JP2015/082103 WO2016088543A1 (ja) 2014-12-01 2015-11-16 弾性波共振子、弾性波フィルタ、デュプレクサ及び弾性波装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170075781A true KR20170075781A (ko) 2017-07-03
KR101909013B1 KR101909013B1 (ko) 2018-10-17

Family

ID=56091493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177014553A KR101909013B1 (ko) 2014-12-01 2015-11-16 탄성파 공진자, 탄성파 필터, 듀플렉서 및 탄성파 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10062830B2 (ko)
JP (1) JP6424897B2 (ko)
KR (1) KR101909013B1 (ko)
CN (1) CN107078712B (ko)
DE (1) DE112015005399B4 (ko)
WO (1) WO2016088543A1 (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101953219B1 (ko) 2016-11-24 2019-02-28 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
WO2018142812A1 (ja) * 2017-02-06 2018-08-09 株式会社村田製作所 弾性波装置、デュプレクサ及びフィルタ装置
WO2018163842A1 (ja) * 2017-03-09 2018-09-13 株式会社村田製作所 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
DE102018109844B4 (de) * 2018-04-24 2024-01-18 Rf360 Singapore Pte. Ltd. Elektroakustischer Resonator
CN109446560B (zh) * 2018-09-20 2020-11-06 上海交通大学 有限长微声学器件的积木式快速有限元仿真方法及系统
CN113632377A (zh) * 2019-03-29 2021-11-09 株式会社村田制作所 纵向耦合谐振器型弹性波滤波器以及滤波器装置
CN115769492A (zh) * 2020-06-26 2023-03-07 京瓷株式会社 弹性波装置以及通信装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02295212A (ja) 1989-05-09 1990-12-06 Fujitsu Ltd 弾性表面波共振子
JP2003188675A (ja) * 2001-12-19 2003-07-04 Alps Electric Co Ltd 表面弾性波素子及びそれを備えたデュプレクサ
JP3846409B2 (ja) * 2002-02-15 2006-11-15 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、通信装置
JP2008235950A (ja) * 2005-05-26 2008-10-02 Murata Mfg Co Ltd 弾性境界波装置
JP2007228011A (ja) * 2006-02-21 2007-09-06 Seiko Epson Corp 弾性表面波素子、弾性表面波装置および電子機器
US8143681B2 (en) * 2006-04-20 2012-03-27 The George Washington University Saw devices, processes for making them, and methods of use
US20100007444A1 (en) * 2006-04-20 2010-01-14 Anis Nurashikin Nordin GHz Surface Acoustic Resonators in RF-CMOS
JP2008160669A (ja) 2006-12-26 2008-07-10 Seiko Epson Corp 弾性表面波素子
JP2009077209A (ja) * 2007-09-21 2009-04-09 Seiko Epson Corp 弾性表面波共振子
JP2010193135A (ja) * 2009-02-18 2010-09-02 Epson Toyocom Corp Ｓａｗデバイス
DE112011103018B4 (de) * 2010-09-10 2016-03-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Verzweigungsfilter für elastische Wellen
JP5679558B2 (ja) 2011-01-19 2015-03-04 太陽誘電株式会社 分波器
JP2012222458A (ja) * 2011-04-05 2012-11-12 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 弾性表面波デバイス
US10797673B2 (en) * 2016-08-29 2020-10-06 Resonant Inc. Hierarchical cascading in two-dimensional finite element method simulation of acoustic wave filter devices

Also Published As

Publication number Publication date
CN107078712B (zh) 2020-09-01
DE112015005399T5 (de) 2017-08-10
WO2016088543A1 (ja) 2016-06-09
DE112015005399B4 (de) 2023-08-24
CN107078712A (zh) 2017-08-18
US10062830B2 (en) 2018-08-28
JP6424897B2 (ja) 2018-11-21
JPWO2016088543A1 (ja) 2017-07-27
KR101909013B1 (ko) 2018-10-17
US20170236991A1 (en) 2017-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101909013B1 (ko) 탄성파 공진자, 탄성파 필터, 듀플렉서 및 탄성파 장치
JP6595659B2 (ja) 弾性波素子、分波器および通信装置
US9843305B2 (en) Elastic wave resonator, elastic wave filter device, and duplexer
CN107210730B (zh) 滤波器、分波器以及通信装置
US9847770B2 (en) Elastic wave resonator, elastic wave filter apparatus, and duplexer
WO2018168836A1 (ja) 弾性波素子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサ
JP5765502B1 (ja) デュプレクサ
US9124240B2 (en) Acoustic wave device and antenna duplexer employing the same
JP4316632B2 (ja) 弾性表面波装置及び分波器
WO2015040921A1 (ja) デュプレクサ
JPWO2015002047A1 (ja) 弾性表面波共振器及び弾性表面波フィルタ装置
CN111937305A (zh) 弹性波元件、弹性波滤波器、分波器以及通信装置
KR101711756B1 (ko) 탄성파 디바이스, 필터 및 분파기
KR101974830B1 (ko) 탄성파 공진자, 탄성파 필터 및 듀플렉서
US10476473B2 (en) Elastic wave element and elastic wave filter device
KR20210087537A (ko) 탄성파 장치
WO2018117060A1 (ja) 弾性波共振器、フィルタ装置およびマルチプレクサ
WO2017170742A1 (ja) 弾性波素子および通信装置
WO2018117059A1 (ja) 弾性波共振器、フィルタ装置およびマルチプレクサ
JP7213747B2 (ja) 弾性波フィルタ、分波器および通信装置
CN110809858A (zh) 多工器
WO2022091582A1 (ja) 弾性波フィルタ
KR102546482B1 (ko) 탄성파 필터
JP7132841B2 (ja) 弾性表面波素子、分波器および通信装置
JP6428206B2 (ja) 弾性波共振子、弾性波フィルタ及びデュプレクサ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant