KR20170046780A - 컴포넌트를 위한 커버 및 컴포넌트를 위한 커버를 제조하기 위한 방법 - Google Patents
컴포넌트를 위한 커버 및 컴포넌트를 위한 커버를 제조하기 위한 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20170046780A KR20170046780A KR1020177008767A KR20177008767A KR20170046780A KR 20170046780 A KR20170046780 A KR 20170046780A KR 1020177008767 A KR1020177008767 A KR 1020177008767A KR 20177008767 A KR20177008767 A KR 20177008767A KR 20170046780 A KR20170046780 A KR 20170046780A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- cover
- layer
- component
- ridges
- depressions
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 claims description 6
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 102000002322 Egg Proteins Human genes 0.000 description 1
- 108010000912 Egg Proteins Proteins 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 210000003278 egg shell Anatomy 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0032—Packages or encapsulation
- B81B7/0058—Packages or encapsulation for protecting against damages due to external chemical or mechanical influences, e.g. shocks or vibrations
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/105—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the BAW device
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
- B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
- B32B3/263—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by a layer having non-uniform thickness
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
- B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
- B32B3/28—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by a layer comprising a deformed thin sheet, i.e. the layer having its entire thickness deformed out of the plane, e.g. corrugated, crumpled
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
- B81C1/00333—Aspects relating to packaging of MEMS devices, not covered by groups B81C1/00269 - B81C1/00325
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0271—Resonators; ultrasonic resonators
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/01—Packaging MEMS
- B81C2203/0136—Growing or depositing of a covering layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/01—Packaging MEMS
- B81C2203/0163—Reinforcing a cap, e.g. with ribs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H2003/0071—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks of bulk acoustic wave and surface acoustic wave elements in the same process
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
본 발명은 (예컨대, MEMS, BAW, 또는 SAW 타입의) 전자 컴포넌트를 위한 커버(1)에 관한 것이다. 커버는 다수의 융기부들(8, 9, 15) 및/또는 함몰부들(10, 11, 16)이 있는 구조물(19, 20, 21)을 갖는 적어도 하나의 층(5, 6, 7)을 포함한다. 본 발명은 또한 이러한 타입의 커버(1)를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.
Description
컴포넌트를 위한 커버가 특정된다. 예를 들어, 컴포넌트는 MEMS(microelectromechanical system), BAW, 또는 SAW 구조물로서 설계된 컴포넌트 구조물을 갖는다. 구체적으로, 커버가 제공되는 구조물을 통해 패키지 형태의 컴포넌트가 마련된다. 커버는 바람직하게는 박막 기술로 제조된다. 또한, 그러한 커버를 제조하기 위한 방법이 특정된다.
예를 들어, 전기 컴포넌트의 커버는 기계적 및/또는 화학적 영향들로부터 컴포넌트 구조물을 보호하는 역할을 한다. 이에 더해, 컴포넌트 구조물에 대한 한정된 캐비티(cavity)가 커버에 의해 형성된다.
커버를 제조하기 위한 방법은 공개 공보 DE 10 2011 103 516 A1호에 나타나 있다.
본 발명의 목적은 개선된 커버, 및 컴포넌트 구조물을 위한 개선된 커버를 제조하기 위한 방법을 특정하는 것이다.
본 발명의 제1 태양에 따르면, 컴포넌트를 위한 커버가 특정된다. 커버는 바람직하게는 박막 기술로 제조된다. 예를 들어, 컴포넌트는 커버될 컴포넌트 구조물을 갖는다. 예를 들어, 그것은 이로써 필터 및/또는 듀플렉서 구조물이다. 구체적으로, 그것은 하나 이상의 공진기들, 예를 들어 캐스케이드형 공진기들일 수 있다.
커버는, 바람직하게는, 컴포넌트 구조물을 향해 대면하는 하부 면, 및 컴포넌트 구조물로부터 멀어지게 대면하는 상부 면을 갖는다. 컴포넌트의 외부 공간은 상부 면에 인접한다. 예를 들어, 컴포넌트 구조물 및 커버는 캐리어 기판 상에 배열된다. 따라서, 하부 면은 캐리어 기판을 향해 대면하는 커버의 면이고, 상부 면은 캐리어 기판으로부터 멀어지게 대면하는 면이다. 예를 들어, 커버는 캐비티를 한정한다. 하부 면은 바람직하게는 캐비티에 직접적으로 인접한다.
커버는 구조물을 갖는 적어도 하나의 층을 포함한다. 구체적으로, 층은 다수의 융기부(elevation)들 및/또는 함몰부(depression)들을 갖는다. 예를 들어, 융기부들 및/또는 함몰부들은 규칙적인 구조로 배열된다.
커버의 기계적 안정성은 바람직하게는 그러한 구조물에 의해 증가된다. 예를 들어, 이는 커버의 풋프린트(footprint)의 확장을 가능하게 한다. 게다가, 그러한 안정한 커버는, 또한, 높은 주입 압력 하에 추가의 주조 화합물의 적용을 허용한다. 게다가, 커버의 더 작은 두께가 가능하다. 다른 것들 중에서도 특히, 이는 비용 절감을 유도한다. 게다가, 커버의 큰 두께는 웨이퍼의 원치않는 곡률을 유도할 수 있다.
일 실시예에서, 융기부들 및/또는 함몰부들은 커버의 층의 상부 면 및 하부 면 양측 모두 상에 형성된다. 이로써, 층의 두께는, 예를 들어 그 층의 전체 표면에 걸쳐서 일정하다. 이에 따라, 층의 하부 면 및 상부 면은 컴포넌트 구조물 또는 캐리어 기판에 대한 배향과 관련하여 전체 커버의 하부 면 및 상부 면으로서 정의된다.
일 실시예에서, 융기부들 및/또는 함몰부들은 층의 상부 면 상에만 또는 하부 면 상에만 형성된다. 예를 들어, 층에서 융기부들의 위치에 있는 두께는 그 층의 다른 위치들에 있는 두께와는 상이하다. 예를 들어, 층은 다른 위치들에서보다 융기부의 위치에서 더 두껍다. 함몰부의 위치에서, 층은 예를 들어 다른 위치들에서보다 더 얇다.
일 실시예에서, 융기부들 및/또는 함몰부들은 세장형 형상을 갖는다. 구체적으로, 커버를 검사해 보면, 융기부들 및/또는 함몰부들은 일 방향에서 그에 직교하는 방향에서보다 현저히 더 길게 형성된다. 융기부들 및/또는 함몰부들은 바람직하게는 공통 방향을 따라서 이어진다. 예를 들어, 융기부들은 세로 방향에 직교하는 방향으로 규칙적인 간격들로 배열된다. 일 실시예에서, 층은 파(wave) 형상을 갖는다. 융기부들은, 구체적으로, 층의 파형 또는 주름형(corrugated) 표면 구조물을 유도할 수 있다.
일 실시예에서, 층은 단면이 사인파형 외측 윤곽을 갖는다. 추가 실시예들에서, 외측 윤곽은 사다리꼴 또는 삼각형 형상으로 이어진다. 예를 들어, 융기부들은 지그재그 형상으로, 또는 첨두(point)들이 캡핑된 지그재그 형상으로 형성된다.
구조물은, 또한, 주름형 형상으로도 파 형상으로도 형성되지 않을 수 있다. 예를 들어, 구조물은 달걀곽(egg carton)과 유사하게 형성된다.
일 실시예에서, 커버는 서로의 상측에 배열되는 다수의 층들을 갖는다. 이로써, 구조물은 층들 중 적어도 하나에 형성된다. 예를 들어, 커버는 최상부 층 및 최하부 층을 갖는다. 이로써, 최하부 층의 하부 면은 커버의 하부 면을 형성한다. 최상부 층의 상부 면은 커버의 상부 면을 형성한다.
일 실시예에서, 커버는 최하부 층, 적어도 하나의 중간 층, 및 최상부 층을 갖는다. 따라서, 커버는 적어도 3개의 층들로 형성된다. 다수의 중간 층들이 또한 최상부 층과 최하부 층 사이에 배열될 수 있다. 예를 들어, 중간 층은 지지 층을 형성한다. 예를 들어, 중간 층의 재료는 최상부 층 및 최하부 층에 비해 상대적으로 낮은 고유 강성을 갖는다. 예를 들어, 최하부 층은 실리콘 산화물을 포함하고, 중간 층은 폴리머를 포함하고, 최상부 층은 실리콘 질화물을 포함한다.
일 실시예에서, 구조물은 적어도 커버의 하부 면 상에 형성된다. 예를 들어, 그러한 구조물은 희생 재료의 대응하는 구조물에 의해 생성된다. 이로써, 희생 재료, 특히 희생 층은 캐리어 기판 상에 적용된다. 예를 들어, 희생 재료는 컴포넌트 구조물을 커버한다. 예를 들어, 희생 재료는 리소그래픽 공정에 의해 캐리어 기판 상에 적용된다. 이로써, 희생 재료의 구조물이 또한 생성될 수 있다. 구체적으로, 함몰부들 및/또는 융기부들이 희생 재료의 상부 면 상에 형성될 수 있다. 커버의 층 - 구체적으로, 최하부 층 ― 이 후속으로 희생 재료 상에 적용된다. 희생 재료의 구조물로 인해, 커버는 그의 하부 면 상의 상보적 구조물을 수용한다. 희생 재료는 바람직하게는 층의 적용 후에 제거된다.
대안의 실시예에서, 커버의 하부 면에는 구조물이 없다. 예를 들어, 하부 면은 평탄한 표면을 갖는다. 그러나, 하부 면은, 또한, 기계적 안정성을 증가시키기 위해 형성되지 않는 천공부들 또는 유사한 구조물들을 가질 수 있다. 하부 면이 어떠한 구조물도 갖지 않는 실시예는 구조물이 캐비티의 기하학적 구조를 변경하지 않는다는 이점을 갖는다. 따라서, 컴포넌트의 기능에 대한 영향이 회피될 수 있다.
일 실시예에서, 구조물은 커버의 상부 면 상에 형성된다. 이를 위해, 예를 들어, 커버의 중간 층 및/또는 최상부 층이 리소그래픽 공정에 의해 적용되는데, 여기서 구조물이 또한 이러한 공정에서 생성될 수 있다. 최상부 층의 구조물은 또한 아래에 놓인 층의 구조물로 인해 생성될 수 있다. 구체적으로, 최상부 층의 구조물은 중간 층의 구조물에 대해 상보적일 수 있다.
대안의 실시예에서, 커버의 상부 면에는 구조물이 없다. 예를 들어, 상부 면은 평탄한 표면을 갖는다. 예를 들어, 이는 구조물이 외부 손상에 덜 민감하다는 이점을 갖는다. 이로써, 층의 구조물은, 예를 들어, 위에 놓인 층에 의해 평탄화된다.
일 실시예에서, 커버는 다수의 구조물들의 조합을 갖는다. 예를 들어, 커버의 상부 면 및 하부 면 양측 모두에 구조물이 제공된다. 예를 들어, 커버는 구조물이 각각 제공되는 다수의 층들을 갖는다.
다수의 구조물들이 주어지면, 구조물들은 그들의 기하학적 구조 및/또는 그들의 배향이 상이하다. 예를 들어, 구조물은 제1 방향을 따라서 이어지는 세장형 융기부들 및/또는 함몰부들을 갖는다. 추가의 구조물이, 또한, 세장형 융기부들 및/또는 함몰부들을 갖지만, 이들은 제2 방향을 따라서 이어진다. 제1 방향은 제2 방향과는 상이하다. 예를 들어, 방향들은 서로 직교한다. 구조물들은 층의 상부 면 및 하부 면 상에 형성될 수 있다. 이에 대한 대안으로서 또는 이에 더해서, 구조물들은 상이한 층들로 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 커버의 상부 면 및 하부 면 양측 모두는 구조물이 없다. 이러한 경우, 커버는, 예를 들어, 다수의 층들로 형성된다. 2-층 설계가 주어지면, 예를 들어, 구조물은 최상부 층의 하부 면 및/또는 최하부 층의 상부 면 상에만 형성될 수 있다. 3-층 또는 다층 설계가 주어지면, 예를 들어, 중간 층은 구조물을 갖는다.
본 발명의 추가 태양에 따르면, 커버를 갖는 컴포넌트에 대한 중간 제품이 특정된다. 커버는 전술된 바와 같이 형성된다. 중간 제품은 커버의 하부 면에 인접하는 희생 층을 갖는다. 희생 층은 추후의 공정 단계에서 적어도 부분적으로 제거되도록 제공된다. 희생 층은 그의 상부 면 상에 다수의 융기부들 및/또는 함몰부들을 갖는 적어도 하나의 구조물을 갖는다.
예를 들어, 중간 제품의 제조 시, 구조물을 갖는 희생 층이 먼저 캐리어 기판 상에 적용된다. 예를 들어, 리소그래픽 공정이 이를 위해 이용된다. 커버는 후속으로 희생 층 상에 적용된다. 커버는 바람직하게는 희생 층의 구조물로 인해 그의 구조물을 수용한다.
본 발명의 추가 태양에 따르면, 커버를 갖는 컴포넌트가 특정된다. 커버는 전술된 바와 같이 형성된다. 컴포넌트는, 추가로, 커버에 의해 커버되는 컴포넌트 구조물을 갖는다. 예를 들어, 컴포넌트 구조물은 MEMS, SAW 및/또는 BAW 컴포넌트의 구조물이다. 예를 들어, 컴포넌트 구조물은 필터 또는 듀플렉서의 일부로서 형성된다. 그것은, 또한, 유닛, 예를 들어 필터 유닛 또는 듀플렉서 유닛일 수 있다.
구조물에 의해 증가되는, 커버의 기계적 안정성은 그것이 더 큰 컴포넌트 구조물들을 커버할 수 있게 한다. 커버의 풋프린트가 더 커질 수 있기 때문에, 이제 유닛의 더 적은 개별 부분들에 별도의 커버가 제공될 필요가 있다. 이는 공간 절감을 유발하고, 이에 따라 컴포넌트의 추가 축소를 가능하게 한다. 또한, 컴포넌트의 더 낮은 복잡도가 가능해진다.
본 발명의 추가 태양에 따르면, 컴포넌트를 위한 커버를 제조하기 위한 방법이 특정된다. 이로써, 캐리어 기판이 제공된다. 예를 들어, 그것은 추후에 다수의 컴포넌트들로 개별화되는, 웨이퍼 레벨의 캐리어 기판이다. 하나 이상의 컴포넌트 구조물들이 캐리어 기판 상에 배열될 수 있다. 적어도 하나의 층이 캐리어 기판 상에 적용된다. 구조물이 후속으로 층에 도입된다. 구조물은 다수의 융기부들 및/또는 함몰부들을 갖는다. 하나 이상의 추가 층들이 구조화된 층 상에 적용될 수 있다.
일 실시예에서, 구조화된 층은 추후 공정 단계에서 전체적으로 또는 부분적으로 제거되는 희생 층이다. 예를 들어, 커버의 층이 구조화된 희생 층 상에 적용된다. 커버의 층은 희생 층의 구조물을 통해 그의 구조물을 수용한다.
일 실시예에서, 상부 면 상에 어떠한 구조물도 갖지 않는 희생 층이 적용된다. 커버의 최하부 층이 희생 층 상에 적용된다. 예를 들어, 이러한 층은, 특히 상부 면 상에 구조물을 갖는다.
본 방법의 일 실시예에 따르면, 커버의 추가 층이 커버의 최하부 층 상에 적용된다. 추가 층은 추가 층의 상부 면에 구조물이 없도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 추가 층은 최하부 층에서의 함몰부들이 충전되도록 형성된다. 일 실시예에서, 추가 층의 상부 면의 추가 평탄화가 발생할 수 있다.
본 발명의 다수의 태양들이 본 명세서에 기술되어 있다. 이에 따라, 각자의 특성이 각자의 태양의 맥락에서 명시적으로 언급되지 않더라도, 커버, 중간 제품, 컴포넌트, 및 방법에 관해 기술되는 모든 특성들이 또한 각자의 다른 태양들에 관해 개시되고, 그 역도 성립한다.
하기에서, 본 명세서에서 기술되는 주제는 실제 축적대로 되어 있지 않은 개략적인 예시적 실시예들을 이용하여 상세히 설명된다.
도 1a는 커버의 제1 실시예를 개략적인 단면도로 도시한다.
도 1b는 도 1a의 커버를 평면도로 도시한다.
도 2 내지 도 5는 커버의 추가 실시예들을 개략적인 단면도들로 도시한다.
도 1b는 도 1a의 커버를 평면도로 도시한다.
도 2 내지 도 5는 커버의 추가 실시예들을 개략적인 단면도들로 도시한다.
하기의 도면들에서, 동일한 참조 부호들은 바람직하게는 다양한 실시예들의 대응하는 기능적 또는 구조적 부분들을 지칭한다.
도 1a는 컴포넌트(2)를 위한 커버(1)를 단면도로 도시한다. 도 1b는 커버(1)를 평면도로 도시한다. 컴포넌트(2)는, 예를 들어, MEMS, BAW 또는 SAW 컴포넌트로서 형성된다.
커버(1)는 캐리어 기판(3) 상에 적용되고, 캐리어 기판(3)과 함께 캐비티(4)를 봉입한다. 하나 이상의 컴포넌트 구조물들(도시되지 않음)이 캐비티(4) 내에 배열될 수 있다. 예를 들어, 이들은 필터 및/또는 듀플렉서를 위한 컴포넌트 구조물들이다. 구체적으로, 컴포넌트 구조물들은 하나 이상의 공진기들을 포함할 수 있다. 그러나, 컴포넌트 구조물들은 또한 상이한 타입의 것들일 수 있다. 커버(1)는, 예를 들어, 컴포넌트 구조물을 캡슐화하는데; 구체적으로, 밀폐형 캡슐화가 존재할 수 있다. 컴포넌트(2)에는, 예를 들어 패키지 형태로 커버(1)가 제공된다.
커버는 다수의 층들(5, 6, 7)을 갖는다. 최하부 층(5)은 캐비티(4)에 직접적으로 인접한다. 예를 들어, 최하부 층은 실리콘 산화물을 포함한다. 중간 층(6)은, 예를 들어, 폴리머를 포함한다. 최상부 층(7)은 컴포넌트의 외측 단부를 형성한다. 예를 들어, 최상부 층(7)은 실리콘 질화물을 포함한다. 최하부 및 최상부 층들(5, 7)은, 예를 들어, 중간 층(6)에 비해 상대적으로 경질(hard)이다. 예를 들어, 중간 층(6)은 지지 층으로 작용한다.
커버(1)의 층들(5, 6, 7) 중 적어도 하나에는 구조물(20, 21)이 제공된다. 구조물(20, 21)은 커버(1)의 안정성을 증가시키는 역할을 한다. 구체적으로, 안정성은 중간 층(6)의 구조물(20)에 의해 증가될 수 있다. 최하부 및/또는 최상부 층(5, 7)은, 예를 들어, 중간 층(6)의 구조물(20)에 상보적인 구조물들을 갖는다.
도 1a 및 도 1b에 도시된 실시예에서, 중간 층(6) 및 최상부 층(7)은 세장형 융기부들(8, 9)을 갖는 구조물(20, 21)을 각각 갖는다. 유사하게, 중간 층(6) 및 최상부 층(7)은 융기부들(8, 9) 사이에 형성되는 함몰부들(10, 11)을 갖는다. 중간 층(6)은 그의 상부 면(18) 상에 구조물(20)을 갖는다. 중간 층(6)의 하부 면(17)은 어떠한 구조물도 갖지 않는다.
최상부 층(7) 내의 융기부들(9)은 커버(1)의 상부 면(13) 상의 융기부들을 형성한다. 커버(1)의 상부 면(13)은 최상부 층(7)의 상부 면에 대응한다.
융기부들(8, 9)은 규칙적으로 배열되고, 균일한 기하학적 구조를 나타낸다. 구체적으로, 융기부들(8, 9)의 길이들(l) 및 폭들(b)은 유사하거나 동일하다. 융기부들(8, 9)은 공통 방향(12)을 따라서 이어진다. 융기부들(8, 9)로 인해, 중간 및 상부 층(6, 7)은 파형 구조물을 수용한다.
융기부들(8, 9)은, 건물 또는 골판지의 주름형 시트 지붕에서와 유사하게, 커버(1)의 기계적 안정성을 증가시킨다. 이는 안정성이 충분한 상태로 커버(1)의 두께가 낮게 유지될 수 있게 한다. 구체적으로, 커버(1)의 두께를 증가시킬 필요 없이, 넓은 풋프린트가 형성된 커버들(1)이 또한 사용될 수 있다. 예를 들어, 이는, 다수의 개별 커버들을 갖는 개별 부분들(예를 들어, 하나 이상의 공진기들)을 제공하는 대신, 전체 필터 및/또는 듀플렉서 유닛에 단일의 넓은 커버가 제공될 수 있게 한다.
예를 들어, 커버될 컴포넌트 구조물 및/또는 컴포넌트 배열물이 평면도에서 세장형 형상을 나타낸다. 이러한 경우, 예를 들어, 융기부들(8, 9)은 컴포넌트 배열물의 세로 방향에 직교하게 이어진다. 융기부들(8, 9)은 또한 세장형 형상을 갖지 않을 수도 있다. 예를 들어, 구조물은 달걀곽에서와 같이 형성된다. 예를 들어, 이는, 어떠한 긴 면도 갖지 않는, 예를 들어 이차 설계(quadratic design)의 것인 컴포넌트 구조물 또는 컴포넌트 배열물이 주어지면 유리하다.
예를 들어, 융기부들(8, 9)은 커버(1)의 거의 전체 표면에 걸쳐서 연장된다. 다른 실시예에서, 커버(1)에는 그의 표면의 일부분 상에만 융기부들(8, 9)이 제공될 수 있다.
최하부 층(5)에는 융기부들이 없다. 구체적으로, 캐비티(4)를 향해 대면하는 최하부 층(5)의 면에 의해 형성되는 커버의 하부 면(14)은 평탄한 표면을 나타낸다. 구체적으로, 하부 면(14)은 어떠한 융기부들 또는 함몰부들도 갖지 않는다. 따라서, 융기부들(8, 9)은 캐비티(4)의 형상에 영향을 미치지 않는다.
커버(1)는 바람직하게는 박막 기술로 제조된다. 예를 들어, 커버(1)를 형성하기 위해, 희생 층이 먼저 캐리어 기판(3) 상에 적용된다. 도시된 실시예에서, 희생 층은 평탄한 상부 면을 갖는다.
최하부 층(5)은 희생 층 상에 적용된다. 예를 들어, 희생 층은 후속으로 전체적으로 또는 부분적으로 제거된다. 희생 층을 제거하기 위해, 개구가 최하부 층(5)에 형성될 수 있다. 중간 층(6)은 최하부 층(5) 상에 적용된다. 최하부 층(5)에서의 개구는 중간 층(6)에 의해 밀봉될 수 있다. 중간 층(6)은, 예를 들어, 리소그래픽 공정에 의해 적용되고, 이로써 구조화된다. 예를 들어, 그레이스케일 마스크가 사용된다. 이로써, 그레이스케일 마스크는 용해되지 않는 매우 미세한 홀(hole)들을 나타낼 수 있다. 홀들의 형성에 따라, 구조물(20)은 더 많은 또는 더 적은 경사면들을 가질 수 있다.
마지막으로, 최상부 층(7)은 중간 층(6) 상에 적용된다. 최상부 층(7)은 중간 층(6)의 구조물(20)을 통해 그의 구조물(21)을 수용하여 상보적 구조물(21)이 형성되게 한다.
도 2는 커버(1)의 추가 실시예를 도시한다. 여기서, 마찬가지로, 커버(1)는 3개의 층들(5, 6, 7)을 포함한다. 그러나, 도 1a로부터의 실시예와는 대조적으로, 여기서, 구조물(20)은 외부에서는 보이지 않는다.
중간 층(6)은 융기부들(8) 또는 함몰부들(10)을 갖는 구조물(20)을 그의 상부 면(18) 상에 갖는다. 구조물(20)은 지그재그 형상으로 형성된다. 최상부 층(6)의 하부 면은 상부 면(18)에 상보적으로 형성되는데, 이는 그것이 또한 지그재그 형상의 구조물을 갖는다는 것을 의미한다.
최상부 층(7)의 상부 면에 의해 형성되는 커버(1)의 상부 면(13)은 평탄하게 형성된다. 구체적으로, 어떠한 융기부들 또는 함몰부들도 상부 면(13) 상에 존재하지 않는다. 예를 들어, 최상부 층(7)은 중간 층(6) 내의 함몰부들이 최상부 층(7)의 재료로 완전히 충전되도록 적용된다. 또한, 최상부 층(7)은 외부가 평탄화될 수 있다.
도 1a 및 도 2의 커버들의 특징부들의 조합이 또한 가능하다. 예를 들어, 파형 구조물이 도 1a에 따른 커버(1)의 하나의 또는 다수의 층들(5, 6, 7)에 존재할 수 있는데, 여기서 커버(1)의 상부 면(13)은 도 2에서와 같이 평탄하게 형성된다. 반면, 도 2에 따른 지그재그 구조물(20)이 또한 존재할 수 있고, 상보적 구조물(21)이 상부 면(13) 상에 형성될 수 있다. 구조물(20)은, 또한, 중간 층(6)에서 지그재그 형상의 것일 수 있고, 상부 면(13) 상의 파형 구조물(21)로 전이할 수 있다.
도 3은 커버(1)의 추가 실시예를 도시한다. 여기서, 마찬가지로, 커버(1)의 상부 면(13) 및 하부 면(14)이 평탄하게 형성된다. 본 실시예는 중간 층(6)의 구조물의 형상 면에서 도 2의 실시예와는 상이하다.
중간 층(6)은 사다리꼴 단면을 갖는 세장형 융기부들(8)을 갖는다. 사다리꼴의 밑변은 그에 대향하는 면보다 더 길다. 다른 실시예에서, 밑변은 또한 대향 면보다 더 짧을 수 있거나, 또는 그와 동일한 길이의 것일 수 있다.
함몰부들(10)은 융기부들(8) 사이에 형성된다. 함몰부들(10)은 중간 층(6)에서 클리어런스(clearance)들을 형성하고, 최하부 층(5)으로 연장된다. 따라서, 중간 층(6)의 융기부들(9)은 서로 연결되지 않는다. 함몰부들(10)은 최상부 층(7)의 재료에 의해 완전히 충전된다.
도 4는 커버(1)의 추가 실시예를 도시한다. 도 1a 내지 도 3에 도시된 실시예들과는 대조적으로, 커버의 하부 면(14)은 구조물(19)을 갖는다. 구체적으로, 융기부들(15) 및 함몰부들(16)이 하부 면(14) 상에 존재한다. 구조물(19)은 파형 형상의 것이다. 그러나, 구조물의 상이한 형상이 또한 존재할 수 있다. 하부 면(14) 상의 구조물(19)은, 예를 들어, 상부 면 상에 구조화된 희생 층에 의해 생성된다. 따라서, 최하부 층(5)은 상보적 구조물(19)을 수용한다. 중간 층은, 또한, 그의 하부 면(17) 및 그의 상부 면(18) 상에 상보적 구조물들(22, 20)을 수용한다. 커버(1)의 상부 면(13)은, 또한, 상보적 방식으로, 특히 파형으로 구조화된다.
도 5는 구조물(19)이 커버(1)의 하부 면(14) 상에 존재하는, 커버(1)의 추가 실시예를 도시한다. 도 4와는 대조적으로, 커버(1)의 상부 면(13)이 평탄하게 형성된다.
중간 층(6)은 그의 하부 면(17) 상에만 구조물(22)을 갖는다. 중간 층(6)의 상부 면(18)은 평탄하게 형성된다. 최상부 층(7)의 기하학적 구조는 중간 층(6)의 상부 면(18)의 기하학적 구조에 상보적이다. 구체적으로, 최상부 층(7)은 어떠한 구조물도 갖지 않고, 이에 따라 그의 상부 면 및 하부 면이 평탄하게 형성된다. 따라서, 커버의 상부 면(13)의 기하학적 구조는 중간 층(6)의 상부 면(18)의 기하학적 구조에 상보적이다.
다른 실시예에서, 중간 층(6)의 상부 면(18)은, 또한, 도 2 및 도 3의 실시예들과 유사한 구조물을 나타낼 수 있다. 최상부 층(7)은 함몰부들을 완전히 충전할 수 있으며, 커버(1)의 상부 면(13)이 평탄하게 형성되도록 평탄한 상부 면을 가질 수 있다.
추가 실시예에서, 커버의 다양한 층들(5, 6, 7)은 상이한 구조물들을 나타낼 수 있다. 예를 들어, 최하부 층(5)은 그의 하부 면(14) 상에, 세장형 융기부들이 제1 방향으로 이어지는 구조물(19)을 갖는다. 예를 들어, 최상부 층(7)은 그의 상부 면(13) 상에, 세장형 융기부들이 제1 방향과 일치하지 않는 제2 방향으로 이어지는 구조물(21)을 갖는다. 예를 들어, 제2 방향은 제1 방향에 직교한다.
1
커버
2 컴포넌트
3 기판
4 캐비티
5 최하부 층
6 중간 층
7 최상부 층
8 융기부
9 융기부
10 함몰부
11 함몰부
12 방향
13 커버의 상부 면
14 커버의 하부 면
15 융기부
16 함몰부
17 중간 층의 하부 면
18 중간 층의 상부 면
19 커버의 하부 면 상의 구조물
20 중간 층의 상부 면 상의 구조물
21 커버의 상부 면 상의 구조물
22 중간 층의 하부 면 상의 구조물
b 융기부의 폭
l 융기부의 길이
2 컴포넌트
3 기판
4 캐비티
5 최하부 층
6 중간 층
7 최상부 층
8 융기부
9 융기부
10 함몰부
11 함몰부
12 방향
13 커버의 상부 면
14 커버의 하부 면
15 융기부
16 함몰부
17 중간 층의 하부 면
18 중간 층의 상부 면
19 커버의 하부 면 상의 구조물
20 중간 층의 상부 면 상의 구조물
21 커버의 상부 면 상의 구조물
22 중간 층의 하부 면 상의 구조물
b 융기부의 폭
l 융기부의 길이
Claims (18)
- 컴포넌트를 위한 커버로서,
상기 커버(1)는 다수의 융기부들(8, 9, 15) 및/또는 함몰부들(10, 11, 16)이 있는 구조물(19, 20, 21, 22)을 갖는 적어도 하나의 층(5, 6, 7)을 포함하는, 커버. - 제1항에 있어서,
상기 구조물(19, 20, 21, 22)은 주름(corrugation)으로서 그리고/또는 파(wave)들의 형상으로 설계되는, 커버. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 융기부들(8, 9, 15) 및/또는 함몰부들(10, 11, 16)은 세장형 형상을 갖는, 커버. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 구조물(19, 20, 21, 22)은 기계적 안정성을 증가시키도록 설계되는, 커버. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 중공 공간(4)을 한정하는, 커버.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 구조물(19)은 상기 커버(1)의 하부 면(14) 상에 형성되는, 커버. - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 커버(1)의 하부 면(14)에는 구조물이 없는, 커버. - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 구조물(21)은 상기 커버(1)의 상부 면(13) 상에 형성되는, 커버. - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상부 면(13)에는 구조물이 없는, 커버. - 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
기하학적 구조 및/또는 배향이 상이한 다수의 구조물들(19, 20, 21, 22)을 갖는, 커버. - 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
서로의 상부 상에 배열되는 다수의 층들(5, 6, 7)을 포함하며, 상기 구조물(19, 20, 21, 22)은 상기 층들(5, 6, 7) 중 적어도 하나에 형성되는, 커버. - 제10항 또는 제11항에 있어서,
최하부 층(5), 적어도 하나의 중간 층(6), 및 최상부 층(7)을 포함하며, 상기 커버(1)의 하부 면(14) 및 상부 면(13)에는 상기 구조물(19, 20, 21, 22)이 없고, 상기 중간 층(6)은 상기 구조물(19, 20, 21, 22)을 갖는, 커버. - 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 커버를 갖는 컴포넌트를 위한 중간 제품으로서,
상기 중간 제품은 상기 커버(1)의 희생 층 및 적어도 하나의 층(5)을 포함하고,
상기 희생 층은 상기 커버(1)의 하부 면(14)에 인접하고 적어도 부분적인 제거를 위해 제공되고,
상기 희생 층은 적어도 하나의 구조물을 상부 면 상에 갖는, 중간 제품. - 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 커버, 및 상기 커버(1)에 의해 커버되는 컴포넌트 구조물을 갖는 컴포넌트.
- 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 커버를 제조하기 위한 방법으로서,
- 캐리어 기판(3)을 제공하는 단계, 및
- 상기 캐리어 기판(3) 상에 적어도 하나의 층(5, 6, 7)을 적용하는 단계를 포함하고,
상기 층(5, 6, 7)은 다수의 융기부들(8, 9, 15) 및/또는 함몰부들(10, 11, 16)을 갖는 구조물을 포함하는, 방법. - 제15항에 있어서,
- 상기 구조화된 층(5, 6, 7) 상에 추가 층(5, 6, 7)을 적용하는 추가 단계를 포함하는, 방법. - 제16항에 있어서,
- 상기 추가 층(6, 7)은 상기 추가 층(6, 7)의 상부 면(13, 18)에 상기 구조물(19)이 없도록 적용되는, 방법. - 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
- 처음에 적용된 상기 층을 제거하는 추가 단계를 포함하는, 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014112672.6A DE102014112672B4 (de) | 2014-09-03 | 2014-09-03 | Abdeckung für ein Bauelement und Verfahren zur Herstellung einer Abdeckung für ein Bauelement |
DE102014112672.6 | 2014-09-03 | ||
PCT/EP2015/069453 WO2016034456A1 (de) | 2014-09-03 | 2015-08-25 | Abdeckung für ein bauelement und verfahren zur herstellung einer abdeckung für ein bauelement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170046780A true KR20170046780A (ko) | 2017-05-02 |
KR102493250B1 KR102493250B1 (ko) | 2023-01-27 |
Family
ID=54011027
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020177008767A KR102493250B1 (ko) | 2014-09-03 | 2015-08-25 | 컴포넌트를 위한 커버 및 컴포넌트를 위한 커버를 제조하기 위한 방법 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11180364B2 (ko) |
EP (1) | EP3189589B1 (ko) |
JP (1) | JP6704902B2 (ko) |
KR (1) | KR102493250B1 (ko) |
CN (1) | CN106715326B (ko) |
BR (1) | BR112017004373A2 (ko) |
DE (1) | DE102014112672B4 (ko) |
ES (1) | ES2851385T3 (ko) |
HU (1) | HUE052699T2 (ko) |
MX (1) | MX2017002903A (ko) |
WO (1) | WO2016034456A1 (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013102223B4 (de) * | 2013-03-06 | 2014-09-18 | Epcos Ag | Miniaturisiertes Mehrkomponentenbauelement und Verfahren zur Herstellung |
US10442683B2 (en) | 2016-04-14 | 2019-10-15 | Akustica, Inc. | Corrugated package for microelectromechanical system (MEMS) device |
DE102022205075A1 (de) | 2022-05-20 | 2023-11-23 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Mikromechanisches Bauteil für eine Sensor-, Mikrofon- und/oder Mikrolautsprechervorrichtung |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009537344A (ja) * | 2006-05-22 | 2009-10-29 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 高められた機械的抵抗を有するキャップによって区切られた空洞を備えた超小型構成体 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2418794A1 (de) | 1974-04-19 | 1975-11-06 | Rag Domenico Tinaro | Bauelement in form einer stahlbetonplatte |
US4931346A (en) * | 1988-12-19 | 1990-06-05 | Book Covers Inc. | Lightweight laminated paperboard |
CA2092061C (en) * | 1992-03-30 | 2001-12-25 | Wolf-Henning Laves | A corrugated board |
DE4424775A1 (de) * | 1994-07-05 | 1996-01-11 | Grace Gmbh | Antiblockingmittel und Verfahren zu dessen Herstellung |
EP0867701A1 (en) | 1997-03-28 | 1998-09-30 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Method of fabrication of an infrared radiation detector and more particularly an infrared sensitive bolometer |
US6087638A (en) * | 1997-07-15 | 2000-07-11 | Silverbrook Research Pty Ltd | Corrugated MEMS heater structure |
WO1999009070A1 (en) * | 1997-08-15 | 1999-02-25 | The Dow Chemical Company | High internal phase emulsions and porous materials prepared therefrom |
DE10006035A1 (de) | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Bauelement |
EP1251099A3 (en) * | 2000-03-24 | 2004-07-21 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Method of improving mechanical strength in micro electro mechanical systems and devices produced thereof |
US20020141712A1 (en) * | 2001-03-29 | 2002-10-03 | O'connor Lawrence | Coated steel tape |
CA2398033C (en) * | 2002-03-19 | 2005-06-14 | Carlo Fascio | Corrugated packaging and insulation material |
KR100853220B1 (ko) | 2002-04-04 | 2008-08-20 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법 |
US6806557B2 (en) | 2002-09-30 | 2004-10-19 | Motorola, Inc. | Hermetically sealed microdevices having a single crystalline silicon getter for maintaining vacuum |
US7405924B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-07-29 | Idc, Llc | System and method for protecting microelectromechanical systems array using structurally reinforced back-plate |
US7417307B2 (en) | 2005-07-29 | 2008-08-26 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | System and method for direct-bonding of substrates |
JP5435199B2 (ja) * | 2008-01-11 | 2014-03-05 | セイコーエプソン株式会社 | 機能デバイス及びその製造方法 |
US8592925B2 (en) | 2008-01-11 | 2013-11-26 | Seiko Epson Corporation | Functional device with functional structure of a microelectromechanical system disposed in a cavity of a substrate, and manufacturing method thereof |
US8554579B2 (en) | 2008-10-13 | 2013-10-08 | Fht, Inc. | Management, reporting and benchmarking of medication preparation |
EP2349914A2 (en) | 2008-10-29 | 2011-08-03 | Nxp B.V. | An integrated component and a method of manufacturing an integrated component |
JP5073772B2 (ja) | 2009-09-16 | 2012-11-14 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス |
JP2011128140A (ja) | 2009-11-19 | 2011-06-30 | Dainippon Printing Co Ltd | センサデバイス及びその製造方法 |
JP5204171B2 (ja) | 2010-08-25 | 2013-06-05 | 株式会社東芝 | 電気部品およびその製造方法 |
DE102011103516B4 (de) | 2011-06-03 | 2015-01-22 | Epcos Ag | Verfahren zum Befüllen eines Hohlraums mit einer Atmosphäre |
JP2014155980A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Toshiba Corp | 電気部品およびその製造方法 |
US10442683B2 (en) * | 2016-04-14 | 2019-10-15 | Akustica, Inc. | Corrugated package for microelectromechanical system (MEMS) device |
-
2014
- 2014-09-03 DE DE102014112672.6A patent/DE102014112672B4/de active Active
-
2015
- 2015-08-25 JP JP2017512713A patent/JP6704902B2/ja active Active
- 2015-08-25 MX MX2017002903A patent/MX2017002903A/es unknown
- 2015-08-25 KR KR1020177008767A patent/KR102493250B1/ko active IP Right Grant
- 2015-08-25 WO PCT/EP2015/069453 patent/WO2016034456A1/de active Application Filing
- 2015-08-25 US US15/508,820 patent/US11180364B2/en active Active
- 2015-08-25 ES ES15756148T patent/ES2851385T3/es active Active
- 2015-08-25 EP EP15756148.1A patent/EP3189589B1/de active Active
- 2015-08-25 CN CN201580053522.0A patent/CN106715326B/zh active Active
- 2015-08-25 BR BR112017004373A patent/BR112017004373A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2015-08-25 HU HUE15756148A patent/HUE052699T2/hu unknown
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009537344A (ja) * | 2006-05-22 | 2009-10-29 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 高められた機械的抵抗を有するキャップによって区切られた空洞を備えた超小型構成体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170267519A1 (en) | 2017-09-21 |
DE102014112672B4 (de) | 2018-05-09 |
CN106715326B (zh) | 2021-02-02 |
JP2017527448A (ja) | 2017-09-21 |
BR112017004373A2 (pt) | 2017-12-05 |
US11180364B2 (en) | 2021-11-23 |
KR102493250B1 (ko) | 2023-01-27 |
ES2851385T3 (es) | 2021-09-06 |
CN106715326A (zh) | 2017-05-24 |
WO2016034456A1 (de) | 2016-03-10 |
JP6704902B2 (ja) | 2020-06-03 |
HUE052699T2 (hu) | 2021-05-28 |
EP3189589A1 (de) | 2017-07-12 |
DE102014112672A1 (de) | 2016-03-03 |
MX2017002903A (es) | 2018-03-27 |
EP3189589B1 (de) | 2020-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102452635B (zh) | 微机电系统结构 | |
JP2009537344A (ja) | 高められた機械的抵抗を有するキャップによって区切られた空洞を備えた超小型構成体 | |
US8592925B2 (en) | Functional device with functional structure of a microelectromechanical system disposed in a cavity of a substrate, and manufacturing method thereof | |
CN101513989B (zh) | 功能器件及其制造方法 | |
JP2008114354A (ja) | 電子装置及びその製造方法 | |
KR20170046780A (ko) | 컴포넌트를 위한 커버 및 컴포넌트를 위한 커버를 제조하기 위한 방법 | |
ITUA20164673A1 (it) | Dispositivo mems formato da almeno due strati strutturali incollati reciprocamente e relativo processo di fabbricazione | |
US8183650B2 (en) | MEMS device and MEMS spring element | |
IT202000011755A1 (it) | Procedimento di fabbricazione di un dispositivo micro-elettro-meccanico, in particolare sensore di movimento con comando/rilevazione di tipo capacitivo, e relativo dispositivo mems | |
WO2016129230A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5401916B2 (ja) | 電子装置及びその製造方法 | |
US8329492B2 (en) | Micro electronic device and method for fabricating micro electromechanical system resonator thereof | |
US7960805B2 (en) | MEMS structure with suspended microstructure that includes dielectric layer sandwiched by plural metal layers and the dielectric layer having an edge surrounded by peripheral metal wall | |
JP2008213061A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5157920B2 (ja) | ファブリペロー干渉計及びその製造方法 | |
EP2776298B1 (en) | Method of forming wide trenches using a sacrificial silicon slab | |
JP2010000556A (ja) | 集積化マイクロエレクトロメカニカルシステムおよびその製造方法 | |
KR101198288B1 (ko) | 소자 웨이퍼 및 소자 웨이퍼의 제조방법 | |
JP2010012534A (ja) | デバイス及びその製造方法 | |
US8278724B2 (en) | Methods of fabricating a micromechanical structure | |
US10812041B2 (en) | Elastic wave device and manufacturing method for same | |
JP7240289B2 (ja) | Mems素子 | |
JP2011110618A (ja) | Memsセンサ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |